DE1130523B - Anordnung mit mindestens drei pnp-bzw. npn-Flaechentransistoren - Google Patents
Anordnung mit mindestens drei pnp-bzw. npn-FlaechentransistorenInfo
- Publication number
- DE1130523B DE1130523B DES56668A DES0056668A DE1130523B DE 1130523 B DE1130523 B DE 1130523B DE S56668 A DES56668 A DE S56668A DE S0056668 A DES0056668 A DE S0056668A DE 1130523 B DE1130523 B DE 1130523B
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- base
- arrangement
- transistors
- pnp
- emitter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- KAPYVWKEUSXLKC-UHFFFAOYSA-N [Sb].[Au] Chemical compound [Sb].[Au] KAPYVWKEUSXLKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000004870 electrical engineering Methods 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
- 230000003313 weakening effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/06—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
- H01L27/0688—Integrated circuits having a three-dimensional layout
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
- H01L29/73—Bipolar junction transistors
- H01L29/7302—Bipolar junction transistors structurally associated with other devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
Description
DEUTSCHES
PATENTAMT
S 56668 Vmc/21g
ANMELDETAG: 22. J A N U A R 1958
BEKANNTMACHUNG
DER ANMELDUNG
UNDAUSGABE DER
AUSLEGESCHRIFT: 30. MAI 1962
DER ANMELDUNG
UNDAUSGABE DER
AUSLEGESCHRIFT: 30. MAI 1962
Halbleiteranordnungen, wie Transistoren, Gleichrichter, Fotodioden u. dgl. werden bereits für verschiedene
Zwecke in der Elektrotechnik angewendet. Sie bestehen meist aus einem einkristallenen Grundkörper
aus Germanium, Silizium oder einer intermetallischen halbleitenden Verbindung von Elementen
der III. und V. Reihe des periodischen Systems, auf dem Elektroden oder Elektrodenteile aufgebracht
sind.
Die Erfindung betrifft eine Anordnung mit mindestens drei pnp- bzw. npn-Flächentransistoren. Sie
ist erfindungsgemäß dadurch gekennzeichnet, daß eine als Basiszone dienende Halbleiterscheibe eines
Leitungstyps und mit einheitlichem spezifischem Widerstand auf der einen Oberflächenseite mit einer
für alle Transistoren gemeinsamen Kollektorelektrode vollständig bedeckt ist, daß auf der gegenüberliegenden
Oberflächenseite die Basis- und Emitterelektroden in abwechselnder Reihenfolge nebeneinander
angeordnet sind, und daß die Emitterelektroden mit den benachbarten Basiselektroden des folgenden
Transistors in einer Kaskadenschaltung zusammengeschaltet sind. Der Eingangstransistor kann ein
Fototransistor sein. Bei gekapselten Halbleiteranordnungen können die inneren Verbindungen der einzelnen
Basis- und Emitterstreifen mit im Gehäuse untergebracht sein. Es brauchen dann nur drei Anschlußleitungen
herausgeführt zu werden und beim Phototransistor nur zwei.
Es ist bereits ein Einzeltransistor mit mehreren Basis- und Emitterelektrodenstreifen bekanntgeworden.
Sowohl die Basisstreifen als auch die Emitterstreifen sind miteinander galvanisch verbunden und
bilden je eine Basis- und eine Emitterelektrode. Die Auflösung in ein Streifenmuster dient hierbei zur
Verlängerung der Emittergrenzlinie.
Weiter sind verschiedene Ausführungsformen von Mehrfachtransistoren bekanntgeworden. Gemäß der
einen Ausführungsform wird ein npn-Transistor durch Ziehen aus der Schmelze hergestellt, worauf durch
Einlegieren von Elektroden in die eine so gebildete η-Zone ein pnp-Transistor hergestellt wird. Die eine
η-Zone ist somit beiden Transistoren gemeinsam, wodurch die Einsatzmöglichkeit des so erzeugten
Doppeltransistors in Schaltungen stark eingeengt wird.
Gemäß einer weiteren bekannten Ausführungsform von Mehrfachtransistoren wird z. B. eine npn-Struktur
hergestellt, und anschließend durch Schlitze, welche durch die oberen beiden Zonen bis in die
dritte Zone hineingeführt werden, in mehrere Einzeltransistoren aufgetrennt. Eine derartige Mehrfachtransistoranordnung
ist ziemlich schwierig herzustel-Anordnung mit mindestens drei pnp-
bzw. npn-Flächentransistoren
Anmelder: Siemens-Schuckertwerke Aktiengesellschaft,
Berlin und Erlangen, Erlangen, Werner-von-Siemens-Str. 50
Dr.-Ing. Reimer Emeis, Ebermannstadt (OFr.), ist als Erfinder genannt worden
len, insbesondere bietet die Kontaktierung der mittleren
Zone der Einzeltransistoren erhebliche Schwierigkeiten. Diese Mehrfachanordnung weist ferner den
Nachteil auf, daß durch die Schlitzung eine erhebliche mechanische Schwächung des Halbleiterkörpers
bewirkt wird, was insbesondere bei der Herstellung in großem Maße zu Ausschuß führen muß.
Weiter ist noch ein zweistufiger Verstärker bekanntgeworden, welcher aus zwei Tetroden-Transistoren
aufgebaut ist. Zwecks Unterdrückung von Leckströmen zwischen den beiden Tetroden-Transistoren
weist der Halbleiterkörper einen gewissen Widerstandsgradienten auf. Außerdem ist eine Verschachtelung
der Basis- und Emitterstreifen der Eingangsund der Ausgangsstufe des Verstärkers vorgesehen,
welche im Zusammenwirken mit einer Vorspannungsbatterie dem gleichen Zweck dient. Der so aufgebaute
Verstärker ist deshalb auf einen zweistufigen Aufbau beschränkt.
Die Anordnung gemäß der Erfindung weist gegenüber den bekannten Transistoren verschiedene Vorteile
auf, insbesondere den der einfachen Herstellung und der Robustheit.
Durch die Erfindung wird ein Verstärkerbauelement mit vervielfachtem Verstärkungsfaktor geschaffen.
Es läßt sich z. B. bei drei Stufen eine 10 000-fache Stromverstärkung mittels eines einzigen Bauelements
erzielen bzw. ein äußerst empfindliches Lichtrelais schaffen. Ein solches Mehrstufenbauelement
ist grundsätzlich in gleicher Weise wie ein einfacher Transistor als Baustein in beliebigen Verstärkerkombinationen
verwendbar. Dies bietet verschiedene Vorteile. Zum Beispiel ist hierdurch eine gewisse bauliche Vereinfachung und vor allem eine
Platzersparnis zu erzielen.
209 607/286
In den Zeichnungen sind Ausführungsbeispiele der Erfindung dargestellt. Fig. 1 zeigt eine dreistufige
Emitterschaltung mit einem gemeinsamen Kollektor, Fig. 2 zeigt einen Fototransistor. Die Fig. 1 a zeigt
die räumliche Anordnung bei gestreckter Lage der Basis- und Emitterstreifen, die Fig. Ib bei konzentrischer
Lage der Streifen, und die Fig. Ic zeigt das Schaltschema. Der Halbleiterkörper besteht beispielsweise
aus einer Siliziumscheibe 2, auf die einseitig eine Gold-Antimon-Folie 3 auflegiert ist, die den
gemeinsamen Kollektor darstellt. Der Gold-Antimon-Schicht 3 ist eine η-leitende antimondotierte Siliziumschicht4
vorgelagert. Auf der anderen Flachseite trägt die Süiziumscheibe Basisstreifen 5 und Emitterstreifen
6, in Fig. la langgestreckt und in Fig. Ibin
konzentrischen Ringen. Die Basisstreifen 5 können z.B. aus Aluminium und die Emitterstreif en 6 aus
Gold-Antimon bestehen. Den Emitterstreif en 6 ist dann jeweils eine Zone 7 antimondotierten Siliziums,
das η-leitend ist, vorgelagert. Diese Zone ragt ein wenig in das p-leitende Silizium2 hinein. Fig. Ic
zeigt das Schaltschema der Halbleiteranordnung in Emitterschaltung, bei dem der gestrichelt umrahmte
Teil der Zeichnung das gekapselte Bauelement darstellt, aus dem die drei Anschlüsse wie bei einem einstangen
Transistor herausgeführt sind. Werden alle Elektrodenanschlüsse herausgeführt, so kann dasselbe
Element wahlweise entweder als Kaskaden- oder Parallelanordnung oder als Kombination beider geschaltet
werden. Der Belastungskreis enthält den Lastwiderstand 8 und die Batterie 9. Der Eingang 10
kommt vom Steuerkreis.
In Fig. 2 ist die Eingangsstufe nach Art eines Fototransistors ausgebildet. Fig. 2a zeigt die räumliche
Anordnung. Fig. 2b das Schaltschema. Die Bezeichnungen sind wie in Fig. 1 gewählt, die Pfeile
stellen den Lichteinfall dar.
Claims (3)
1. Anordnung mit mindestens drei pnp- bzw. npn-Flächentransistoren, dadurch gekennzeichnet,
daß eine als Basiszone dienende Halbleiterscheibe eines Leitungstyps und mit einheitlichem spezifischem
Widerstand auf der einen Oberflächenseite mit einer für alle Transistoren gemeinsamen Kollektorelektrode
vollständig bedeckt ist, daß auf der gegenüberliegenden Oberflächenseite die Basis-
und Emitterelektroden in abwechselnder Reihenfolge nebeneinander angeordnet sind, und daß die
Emitterelektroden mit den benachbarten Basiselektroden des folgenden Transistors in einer Kaskadenschaltung
zusammengeschaltet sind.
2. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Eingangstransistor als Fototransistor
ausgebildet ist.
3. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß die Verbindungsleitungen zwischen den Basis- und Emitterelektroden mit im Gehäuse untergebracht sind.
In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsche Patentschrift Nr. 836 826;
deutsche Auslegeschriften W14766 VIIIc/21 g (bekanntgemacht
am 9.2.1956); W11003 VIII a/21 a? (bekanntgemacht am 13.10.1955);
deutsche Patentanmeldung N 8375 VIIIc/21g (bekanntgemacht
am 24. 3.1955);
französische Patentschrift Nr. 1141521;
belgische Patentschrift Nr. 558 718.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
© 209 607/286 5.
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DES56668A DE1130523B (de) | 1958-01-22 | 1958-01-22 | Anordnung mit mindestens drei pnp-bzw. npn-Flaechentransistoren |
FR1212682D FR1212682A (fr) | 1958-01-22 | 1959-01-06 | Dispositif semi-conducteur à transistors |
BE574536A BE574536A (fr) | 1958-01-22 | 1959-01-08 | Dispositif semi-conducteur à transistors |
CH6825559A CH367570A (de) | 1958-01-22 | 1959-01-13 | Transistoranordnung |
US787732A US3046405A (en) | 1958-01-22 | 1959-01-19 | Transistor device |
GB2396/59A GB905426A (en) | 1958-01-22 | 1959-01-22 | Improvements in or relating to semi-conductor devices |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DES56668A DE1130523B (de) | 1958-01-22 | 1958-01-22 | Anordnung mit mindestens drei pnp-bzw. npn-Flaechentransistoren |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1130523B true DE1130523B (de) | 1962-05-30 |
Family
ID=7491268
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DES56668A Pending DE1130523B (de) | 1958-01-22 | 1958-01-22 | Anordnung mit mindestens drei pnp-bzw. npn-Flaechentransistoren |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3046405A (de) |
BE (1) | BE574536A (de) |
CH (1) | CH367570A (de) |
DE (1) | DE1130523B (de) |
FR (1) | FR1212682A (de) |
GB (1) | GB905426A (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1639019A1 (de) * | 1966-04-15 | 1971-01-21 | Westinghouse Brake & Signal | Halbleiter-Gleichrichter |
Families Citing this family (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL259237A (de) * | 1959-12-24 | |||
US3263085A (en) * | 1960-02-01 | 1966-07-26 | Rca Corp | Radiation powered semiconductor devices |
US3263138A (en) * | 1960-02-29 | 1966-07-26 | Westinghouse Electric Corp | Multifunctional semiconductor devices |
US3210617A (en) * | 1961-01-11 | 1965-10-05 | Westinghouse Electric Corp | High gain transistor comprising direct connection between base and emitter electrodes |
US3173069A (en) * | 1961-02-15 | 1965-03-09 | Westinghouse Electric Corp | High gain transistor |
US3177414A (en) * | 1961-07-26 | 1965-04-06 | Nippon Electric Co | Device comprising a plurality of transistors |
NL282170A (de) * | 1961-08-17 | |||
US3188475A (en) * | 1961-11-24 | 1965-06-08 | Raytheon Co | Multiple zone photoelectric device |
US3263178A (en) * | 1962-08-31 | 1966-07-26 | Westinghouse Electric Corp | Unitary semiconductor device providing functions of a plurality of transistors |
US3241013A (en) * | 1962-10-25 | 1966-03-15 | Texas Instruments Inc | Integral transistor pair for use as chopper |
US3408542A (en) * | 1963-03-29 | 1968-10-29 | Nat Semiconductor Corp | Semiconductor chopper amplifier with twin emitters |
US3230371A (en) * | 1963-04-25 | 1966-01-18 | Eligius A Wolicki | Nuclear radiation detection system using a plurality of detectors |
NL136562C (de) * | 1963-10-24 | |||
FR1500047A (fr) * | 1966-06-15 | 1967-11-03 | Comp Generale Electricite | Détecteur de lumière à semiconducteurs |
US3480802A (en) * | 1966-11-16 | 1969-11-25 | Westinghouse Electric Corp | High power semiconductor control element and associated circuitry |
US3447093A (en) * | 1967-01-31 | 1969-05-27 | Us Navy | Additive semiconductor amplifier |
US3689772A (en) * | 1971-08-18 | 1972-09-05 | Litton Systems Inc | Photodetector light pattern detector |
US4106047A (en) * | 1977-03-28 | 1978-08-08 | Joseph Lindmayer | Solar cell with discontinuous junction |
JPS5451789A (en) * | 1977-09-19 | 1979-04-23 | Westinghouse Electric Corp | Phototransistor |
US4302163A (en) * | 1979-10-30 | 1981-11-24 | Hope Henry F | Adjustable output pump for liquids |
US10056518B2 (en) * | 2014-06-23 | 2018-08-21 | Qorvo Us, Inc. | Active photonic device having a Darlington configuration |
US9933304B2 (en) | 2015-10-02 | 2018-04-03 | Qorvo Us, Inc. | Active photonic device having a Darlington configuration with feedback |
US10147833B2 (en) | 2016-04-15 | 2018-12-04 | Qorvo Us, Inc. | Active photonic device having a Darlington configuration with feedback |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
BE558718A (de) * | 1956-06-28 | |||
DE836826C (de) * | 1949-10-11 | 1952-04-17 | Western Electric Co | Halbleiter-UEbertragungsvorrichtung |
FR1141521A (fr) * | 1954-12-27 | 1957-09-03 | Clevite Corp | Transistor à jonction fonctionnant à grande puissance |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2660624A (en) * | 1949-02-24 | 1953-11-24 | Rca Corp | High input impedance semiconductor amplifier |
GB692337A (en) * | 1951-10-24 | 1953-06-03 | Standard Telephones Cables Ltd | Improvements in or relating to electron beam tube arrangements |
US2668184A (en) * | 1952-02-15 | 1954-02-02 | Gen Electric | Multiple photocell structure |
BE519804A (de) * | 1952-05-09 | |||
US2663830A (en) * | 1952-10-22 | 1953-12-22 | Bell Telephone Labor Inc | Semiconductor signal translating device |
US2892094A (en) * | 1955-01-03 | 1959-06-23 | Sprague Electric Co | Light dimming device |
US2779877A (en) * | 1955-06-17 | 1957-01-29 | Sprague Electric Co | Multiple junction transistor unit |
US2897295A (en) * | 1956-06-28 | 1959-07-28 | Honeywell Regulator Co | Cascaded tetrode transistor amplifier |
NL233303A (de) * | 1957-11-30 |
-
1958
- 1958-01-22 DE DES56668A patent/DE1130523B/de active Pending
-
1959
- 1959-01-06 FR FR1212682D patent/FR1212682A/fr not_active Expired
- 1959-01-08 BE BE574536A patent/BE574536A/fr unknown
- 1959-01-13 CH CH6825559A patent/CH367570A/de unknown
- 1959-01-19 US US787732A patent/US3046405A/en not_active Expired - Lifetime
- 1959-01-22 GB GB2396/59A patent/GB905426A/en not_active Expired
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE836826C (de) * | 1949-10-11 | 1952-04-17 | Western Electric Co | Halbleiter-UEbertragungsvorrichtung |
FR1141521A (fr) * | 1954-12-27 | 1957-09-03 | Clevite Corp | Transistor à jonction fonctionnant à grande puissance |
BE558718A (de) * | 1956-06-28 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1639019A1 (de) * | 1966-04-15 | 1971-01-21 | Westinghouse Brake & Signal | Halbleiter-Gleichrichter |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
BE574536A (fr) | 1959-05-02 |
FR1212682A (fr) | 1960-03-25 |
US3046405A (en) | 1962-07-24 |
CH367570A (de) | 1963-02-28 |
GB905426A (en) | 1962-09-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE1130523B (de) | Anordnung mit mindestens drei pnp-bzw. npn-Flaechentransistoren | |
AT247482B (de) | Kondensator und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE3834841C2 (de) | Integrierte Anordnung in einem Substrat zur Vermeidung parasitärer Substrateffekte | |
DE1216437C2 (de) | Verfahren zur herstellung einer mikrominiaturisierten integrierten halbleiterschaltungsanordnung | |
DE1439922B2 (de) | Schaltbares halbleiterbauelement mit einem pnpn oder einem npnp halbleiterkoerper | |
DE1260029B (de) | Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen auf einem Halbleitereinkristallgrundplaettchen | |
DE2461089B2 (de) | Operationsverstaerker mit einer cos/mos-inverterstufe | |
DE1574651B2 (de) | Monolithisch integrierte Flip-Flop-Speicherzelle | |
DE3785575T2 (de) | Strombegrenzte halbleiterschaltung. | |
DE1489193C3 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung | |
DE1614250B2 (de) | Halbleiteranordnung mit gruppen von sich kreuzenden verbindungen | |
DE68912415T2 (de) | Integrierte Stromspiegelschaltung mit vertikalen Transistoren. | |
DE1063279B (de) | Halbleiteranordnung aus einem Halbleiterkoerper mit flaechenhaftem innerem pn-UEbergang und mit mehr als drei Elektroden | |
DE1130525B (de) | Flaechentransistor mit einem scheibenfoermigen Halbleiterkoerper eines bestimmten Leitungstyps | |
DE1288200B (de) | Integrierte Halbleiterschaltung | |
DE2206353A1 (de) | Integrierter Transistor und Emitter-Kollektor-Diode | |
DE2628210C3 (de) | Logischer Schaltkreis mit einer Vielzahl von Einzelschaltkreisen | |
DE1090326B (de) | Verfahren zur Herstellung eines Transistors mit drei Zonen aus verschiedenen Halbleitermaterialien abwechselnden Leitungstyps | |
AT208405B (de) | Transistoranordnung | |
DE1464829C3 (de) | Schaltungsanordnung mit mehreren in einem Halbleiterplättchen ausgebildeten Schaltungselementen | |
DE2209518B2 (de) | Zweirichtungsthyristor | |
DE2756777C3 (de) | Digitalschaltungselement | |
DE1200579B (de) | Binaeres Verknuepfungsglieder-Schaltnetz und Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE1802873A1 (de) | Halbleiterschaltkreisanordnung | |
DE1514939C3 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung |