AT208405B - Transistoranordnung - Google Patents

Description

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  Transistoranordnung 
Halbleiteranordnungen wie Transistoren, Gleichrichter, Fotodioden   u. dgl.   werden bereits für ver- schiedene Zwecke in der Elektrotechnik angewendet. Sie bestehen meist aus einem einkristallenen Grund- körper aus Germanium, Silizium oder einer intermetallischen Verbindung von Elementen der III. und V. 



   Reihe des periodischen Systems, auf dem Elektroden oder Elektrodenteile aufgebracht sind. 



   Die Erfindung bezieht sich auf eine Transistoranordnung mit vorzugsweise scheibenförmigem Grund- körper mit einem mehreren Transistoren gemeinsamen Kollektor und mit getrennt voneinander angeordneten Basis- und Emitterelektroden der verschiedenen Transistoren, bei welcher die Basisgebiete der einzelnen Transistoren als Teilbereiche einer zusammenhängenden und einheitlichen Leitungstyp aufweisenden Schicht des Grundkörpers angehören,   auf dem die einzelnen Basis-und Emitterelektroden in ab-   wechselnder Reihenfolge nebeneinander angeordnet sind, und die erfindungsgemäss dadurch gekennzeichnet ist, dass die Basis- und Emitterelektroden der Einzeltransistoren in einer Kaskadenschaltung miteinander verbunden sind. Während z.

   B. die Basis- und Emitterelektroden auf der einen Flachseite des scheibenförmigen Grundkörpers angebracht sein können, kann der gemeinsame Kollektor auf der ändern Flachseite des Grundkörpers angeordnet sein. Bei gekapselten Transistoranordnungen werden zweckmässigerweise die Verbindungsleitungen der Basis- und Emitterelektroden untereinander mit im Gehäuse untergebracht. Bekannt sind Transistoren, bei denen die Emitter- und Basiselektroden unterteilt und die Teile dieser Elektroden in abwechselnder Reihenfolge nebeneinander angeordnet sind. Die einzelnen Teile jeder dieser Elektroden sind untereinander parallelgeschaltet, so dass jeweils die ganze Anordnung im Grunde genommen nur einen einzigen Transistor darstellt. 



   Durch die Kaskadenschaltung wird ein Verstärkerelement mit vervielfachtem Verstärkungsfaktor geschaffen. Es lässt sich z. B. bei 3 Stufen eine 10000-fache Stromverstärkung mittels eines einzigen Elementes erzielen bzw. ein äusserst empfindliches Lichtrelais schaffen. Ein solches Mehrstufenelement ist grundsätzlich in gleicher Weise wie ein einfacher Transistor als Baustein in beliebigen Verstärkerkombinationen verwendbar. Dies bietet verschiedene Vorteile. Z. B. ist hiedurch eine gewisse bauliche Vereinfachung und vor allem eine Platzersparnis zu erzielen. 



   In den Zeichnungen sind Ausführungsbeispiele der Erfindung dargestellt. Fig. la zeigt die räumliche Anordnung bei gestreckter Lage der Basis- und Emitterstreifen, die Fig.   Ib   bei konzentrischer Lage der Streifen, und die   Fig. Ic   zeigt das Schaltschema einer dreistufigen Kaskade in Emitterschaltung. Der Grundkörper besteht beispielsweise aus einer Siliziumscheibe 2, auf die einseitig eine Gold-AntimonFolie 3 auflegiert ist, die den gemeinsamen Kollektor darstellt. Der Gold-Antimon-Schicht 3 ist eine n-leitende antimondotierte Siliziumschicht 4 vorgelagert. Auf der andern Flachseite trägt die Siliziumscheibe Basisstreifen 5 und Emitterstreifen   6, in Fig. la   langgestreckt und in Fig. lb in konzentrischen Ringen. Die Basisstreifen 5 können z. B. aus Aluminium und die Emitterstreifen 6 aus Gold-Antimon bestehen.

   Den Emitterstreifen 6 ist dann jeweils eine Zone 7 antimondotierten Siliziums (n-leitend) vorgelagert, die ein wenig in das   p-leitende   Silizium 2 hineinragt. Fig.   lc   zeigt das Schaltschema der Halbleiteranordnung in Emitterschaltung, wobei der gestrichelt umrahmte Teil der Zeichnung das gekapselte 
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 kaden- oder Parallelanordnung oder als Kombination beider geschaltet werden. Der Belastungskreis enthält den Lastwiderstand 8 und die Batterie 9. Der Eingang 10 kommt vom Steuerkreis. 



      In'Fig.   2 ist die Eingangsstufe nach Art eines Fototransistors ausgebildet. Fig. 2a zeigt die räumliche Anordnung. Fig. 2b das Schaltschema. Die Bezeichnungen sind wie in Fig. 1 gewählt, die Pfeile 11 stellen den Lichteinfall dar. 



    PATENTANSPRÜCHE :    
1. Transistoranordnung mit vorzugsweise scheibenförmigem Grundkörper mit einem mehreren Transistoren gemeinsamen Kollektor und mit getrennt voneinander angeordneten Basis- und Emitterelektroden der verschiedenen Transistoren, bei welcher die Basisgebiete der einzelnen Transistoren als Teilbereiche   einer zusammenhängenden und einheitlichenLeitungstyp aufweisenden Schicht desGrundkörpers angehö-    ren, auf dem die einzelnen Basis- und Emitterelektroden in abwechselnder Reihenfolge nebeneinander angeordnet sind, dadurch gekennzeichnet, dass die Basis- und Emitterelektroden der Einzeltransistoren in einer Kaskadenschaltung miteinander verbunden sind.

Claims (1)

1. 2. Gekapselte Transistoranordnung nach Anspruch l, dadurch gekennzeichnet, dass die Verbindungs- leitungen der Basis- und Emitterelektroden untereinander mit im Gehäuse untergebracht sind.

   3. Transistoranordnung nach Anspruch l, dadurch gekennzeichnet, dass die Eingangsstufe aus einem Fototransistor besteht.

   4. Transistoranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die einzelnen Basis- und Emitterelektroden konzentrisch zueinander angeordnet sind und dass die Basis-und Emitterelektroden in einer Kaskadenschaltung derart miteinander verbunden sind, dass die Leistung der einzelnen Stufen der Kaskade mit zunehmendem Durchmesser der Elektroden zunimmt.