DE1127945B - Elektronisches Speicherelement - Google Patents
Elektronisches SpeicherelementInfo
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- H01J17/49—Display panels, e.g. with crossed electrodes, e.g. making use of direct current
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Description
Die Erfindung betrifft ein elektronisches Speicherelement mit in Reihen und Spalten angeordneten
Glimmentladungsstrecken und zwischengeschalteten Elektroden zur Spannungsentnahme.
Es ist bereits eine elektrische Rechenzelle bekanntgeworden, die einen Satz von Einzelgh'nimbogen in
einem gasverdünnten Raum mit zwischengeschalteten Gittern zur Spannungsentnahme mit elektrischen Leitungen
enthält. Hierbei werden den Hauptelektrodenpaaren den Ziffern zweier miteinander zu verknüpfender
Zahlen entsprechende Spannungen zugeführt, und die dem Resultat entsprechenden Spannungswerte werden den Gitterleitungen entnommen. Mehreren
Sätzen von Einzelglimmbogen mit gemeinsamen Gitterleitungen ,sind beim Bekannten mehrere Reihen
von Hilfsglimmbogen vorgeschaltet, so daß eine Zahl durch Anlegung von Spannungen, die größer als die
Zündspannung der Einzelglimmbogen sind, an den Stellen zugeführt wird, die den gewünschten Ziffern
entsprechen, und eine Zahl gespeichert werden kann. In der bekannten Rechenzelle sind untere Elektroden
zeilenweise horizontal und obere Elektroden kolonnenweise vertikal angeordnet.
Die der Erfindung zugrunde liegende Aufgabe besteht darin, ein mit relativ geringen Kosten herzustellendes
elektronisches Speicherelement mit in Reihen und Spalten angeordneten Glimmentladungsstrecken
und zwischengeschalteten Elektroden zur Spannungsentnahme zu schaffen, deren Zusammenbau
keine wesentlichen Schwierigkeiten bietet. Dies wird erfindungsgemäß durch mehrere zwischen zwei
Abdeckplatten aufeinandergeschichtete Isolierplatten mit einer Vielzahl von in Reihen und Spalten angeordneten
Bohrungen, wobei die einander zugeordneten Bohrungen in den verschiedenen Isolierplatten
miteinander fluchten, und durch zwischen den Isolierplatten eingelegte, als Elektroden dienende Leiter, die
sich an den Bohrungen kreuzen, erreicht.
Gegenüber dem Bekannten wird bei der Erfindung eine wesentlich größere Betriebssicherheit erreicht.
Bei der Einrichtung nach der Erfindung ist sichergestellt, daß die Glimmentladung nicht ungewollt auf
eine benachbarte Glimmentladungsstrecke überspringt. Wesentlich ist bei der Erfindung der sehr
stabile Aufbau des Speicherelements. Der Abstand der Elektroden ist durch die dazwischen angeordneten
Isolierplatten unveränderlich. Besonders bemerkenswert ist der einfache Aufbau bei der Einrichtung nach
der Erfindung, da als Elektroden nur einfache draht- oder stabförmige Leiter verwendet werden. Das
Speicherelement nach der Erfindung ist zudem aus einer sehr geringen Anzahl unterschiedlicher Bauteile
Elektronisches Speicherelement
Anmelder:
International Business Machines
International Business Machines
Corporation,
New York, N. Y. (V. St. A.)
New York, N. Y. (V. St. A.)
Vertreter: Dr.-Ing. R. Schiering, Patentanwalt,
Böblingen (Württ.), Bahnhofstr. 14
Böblingen (Württ.), Bahnhofstr. 14
Beanspruchte Priorität:
V. St. v. Amerika vom 28. November 1958 (Nr. 776 852)
V. St. v. Amerika vom 28. November 1958 (Nr. 776 852)
Dennis Donovan Willard, San Jose, Calif. (V. St. Α.), ist als Erfinder genannt worden
zusammengesetzt, was die Herstellungskosten stark herabsetzt.
Die Erfindung sei an Hand der Zeichnungen für eine beispielsweise Ausführungsform näher erläutert.
Es zeigt
Fig. 1 eine perspektivische Ansicht der Speichermatrix der Einrichtung nach der Erfindung, bei welcher
einige Teile herausgeschnitten sind, um den Aufbau besser erkennen zu können,
Fig. 2 einen Grundriß der Einrichtung nach Fig. 1, bei welcher jedoch eine abgeänderte Art der Halte-Elektroden
vorgesehen ist,
Fig. 3 eine Ansicht der Matrix in der Blickrichtung senkrecht zur Linie 3-3 in Fig. 2,
Fig. 4 eine Seitenansicht der Matrix in der Blickrichtung senkrecht zur Linie 4-4 in der Fig. 2.
Obwohl die Speichermatrix in jeder Ausrichtung oder Lage arbeiten kann, wird zur Erleichterung der
Beschreibung und des Verständnisses angenommen, daß die Einrichtung horizontal eingestellt ist und daß
die elektrischen Leiter in horizontalen Ebenen zwischen den verschiedenen Schichten durch sie hindurchgeführt
sind. Die in der Fig. 1 perspektivisch dargestellte Einrichtung umfaßt eine obere Schicht
oder Abdeckung 11 aus Isolationsmaterial, eine untere Abdeckung 12 und drei zwischenliegende
Schichten oder Lagen 13, 14 und 15. Jede der Schichten 13, 14 und 15 enthält eine rechteckige Matrix
von durch sie hindurchgehenden Löchern, und
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diese Löcher können durch Ätzung unter Verwendung der gleichen Maske oder Musterplatte geformt werden,
so daß jede der Schichten im wesentlichen der anderen gleicht.
Die Speichereinrichtung (Fig. 1) ist so zusammengesetzt, daß auf der unteren. Abdeckplatte 12 ein
dünnes Blatt oder Gitter 16 aus leitendem Material liegt, welches eine allen Gaszellen gemeinsame Elektrode
bildet und als »Halte-Anode« bezeichnet werden kann. Die drei folgenden Glasschichten 13, 14
und 15 sind so ausgerichtet, daß die in ihnen geätzten Löcher untereinander übereinstimmen und dadurch
eine rechteckige Matrix von Höhlungen 17 längs der durch die Pfeile χ und y (Fig. 1, 2) angezeigten Achsen
Z und Y bilden. Die beiden Abdeckplattenil und 12 sind ungelocht und schließen dadurch die
Höhlungen 17 an ihren oberen und unteren Enden ab. Eine Reihe paralleler elektrischer Leiter 18 liegen
in der Z-Richtung zwischen den Glasschichten 14 und 15 und sind so angeordnet, um jede der Höhlungen
in den entsprechenden Reihen zu durchschneiden. Eine andere Reihe von Leitern 19 ragt in der Z- Richtung
durch die Matrix zwischen den Glasschichten 13 und 14. Die Leiter 18 können als »Abfühl-Anoden«
und die Leiter 19 als »Starter-Anoden« bezeichnet werden. Zwischen der Schicht 13 und der
oberen Abdeckung 11 ist eine Reihe von je zwei parallelen Leitern 20 und 21 in der Γ-Richtung durch
die Speichereinrichtung geführt, die in gleicher Weise wie die Leiter 18 und 19 die Höhlungen 17 überkreuzen.
Die Leiter 20 können als »Abfühl-Kathoden« und die Leiter 21 als »Starter-Kathoden« bezeichnet
werden. Nach der Zusammensetzung der verschiedenen Schichten und Leiter wird die Einrichtung
luftleer gemacht und hierauf einer Atmosphäre von Edelgas, z. B. Krypton oder Xenon, bei verringertem
Druck ausgesetzt. Die Einrichtung wird dann auf eine Temperatur erhitzt, bei welcher die Leiter
teilweise in das Glas eingeschmolzen und die Glasblätter zusammengekittet werden.
Zur Arbeit der Matrix-Speichereinrichtung wird eine gleichbleibende Spannung zwischen der Halte-Anode
16 und den Abfühl-Kathoden 20 angelegt. Diese Spannung dient zur Erhaltung der Leitfähigkeit
und hat eine Höhe, die genügt, um die elektrische Leitfähigkeit in irgendeiner der gasgefüllten Höhlungen
oder Matrixzellen 17 aufrechtzuerhalten, aber nicht genügt, um eine solche Leitfähigkeit einer
Zelle einzuleiten. Die Aufzeichnung einer Angabe in der Matrix kann durch das Anlegen einer weiteren
Spannung an die ausgewählten Starter-Kathoden 21 und die ausgewählten Starter-Anoden 19 erfolgen.
Bei der Aufzeichnung oder der Einführung jedes Bit einer Angabe in die Matrix wird die an der Überschneidungsstelle
der ausgewählten Starter-Kathode 21 und der ausgewählten Starter-Anode 19 liegende
gasgefüllte Höhlung oder Zelle 17 entweder leitend, um eine binäre Ziffer, z. B. eine »1«, anzuzeigen,
oder die Zelle bleibt nichtleitend, um die andere binäre Ziffer »0« anzuzeigen. In den leitenden Zustand
kann die ausgewählte Zelle 17 durch das gleichzeitige Anlegen eines positiven Spannungsimpulses
an die sie durchschneidende Stater-Anode 19 und eines negativen Impulses an die sie überschneidende
Starter-Kathode 20 gebracht werden. Sobald die Zelle leitend gemacht ist, bleibt sie infolge der konstanten
Spannung zwischen den Abfühl-Kathoden 20 und der Anode 16 leitend.
Die Aufzeichnung von Angaben in der Einrichtung nach der vorliegenden Erfindung erfolgt in ähnlicher
Weise wie die Angabenaufzeichnung in einer Matrix magnetischer Kerne. Zur Angabenaufzeichnung
in einer Magnetkernmatrix werden an die entsprechenden Z- und Γ-Leiter Impulse angelegt,
welche, je für sich wirkend, nicht genügen, um die Polarität eines Kernes umzukehren, aber wenn sie
kombiniert angelegt werden, bewirken sie die Polaritätsumkehrung des einzigen Magnetkernes an der
Überschneidungsstelle der beiden Z- und Y-Leiter, In gleicher Weise werden bei der vorhegenden Speichereinrichtung
positive und negative Spannungsimpulse den entsprechenden Z- und Y-Leitern aufgedrückt
und, obwohl jede allein wirkende Spannung nicht genügt, irgendeine der verschiedenen Zellen 17
leitend zu machen, empfängt die an der Überschneidungsstelle der beiden ausgewählten Y- und Z-Leiter
befindliche Zelle eine kombinierte Spannung, die genügt, um die Gaszelle zu zünden und elektrisch
leitend zu machen. Durch eine an eine ausgewählte Starter-Anode 19 und eine ausgewählte Starter-Kathode
21 angelegte Spannung mit einer genügenden Höhe zur Zündung einer Gaszelle wird daher
nur die einzige Zelle 17 an der Überschneidungsstelle der beiden Leiter 19 und 21 leitend. Nachdem eine
Angabe aufgezeichnet oder in die Matrix eingeführt ist, bleiben die die Bit-Werte »1« der gespeicherten
Angabe darstellenden Gaszellen 17 im elektrisch leitenden Zustand, während die übrigen Zellen nicht
leitend sind.
Um eine Wiedergabe oder Entnahme der gespeicherten Angabe durchzuführen, wird der wirksame
Widerstand zwischen jedem möglichen Paar der Abfühl-Kathoden 20 und Abfühl-Anoden 18 geprüft. Im
nichtleitenden Zustand einer Gaszelle 17 ist der Widerstand zwischen den sich überschneidenden
Abfühl-Kathoden 20 und Abfühl-Anoden 18 relativ hoch. Ist jedoch eine bestimmte Gaszelle 17 im leitenden
Zustand, dann wird infolge der Ionisierung innerhalb der Zelle der Scheinwiderstand zwischen
der Abfühl-Kathode 20 und der sich an dieser Stelle überschneidenden Abfühl-Anode 18 wesentlich verringert.
Wenn daher aufeinanderfolgend eine hohe Spannung an die Abfühl-Anoden und Abfühl-Kathoden
angelegt wird, wird der sich ergebende Spannungsabfall zwischen diesen beiden Elektroden hoch
sein, wenn die Zelle nichtleitend ist, und niedrig sein, wenn die Zelle leitend ist. Daher zeigt die Spannungshöhe der hochohmigen Impedanz-Spannungsquelle
die in jeder zu prüfenden Gaszelle 17 gespeicherte Bit-Angabe an.
Bei der Entnahme einer Angabe wird die Speichereinrichtung während des Entnahmevorganges nicht
gelöscht, und daher ist es möglich, diese Angabe öfter aus dieser Matrix zu entnehmen. Um die in der
Einrichtung gespeicherte Angabe zu löschen und die Matrix für einen folgenden Aufzeichnungsvorgang
vorzubereiten, ist es erforderlich, die Halte-Anode 16 für ein kurzes Zeitintervall von ihrer Spannungsquelle
abzuschalten. Zur Durchführung mancher Arbeiten kann es erwünscht sein, einen Abschnitt oder Teil der
Matrix zu löschen und eine in einem anderen Teil der Matrix gespeicherte Angabe zu behalten. Um dies
zu erreichen, kann die Halte-Anode 16 in Abschnitte unterteilt werden, wie dies in der Fig. 2 gezeigt ist.
Jeder dieser Anodenabschnitte ist in der Fig. 2 als ein einzelner Leiter oder Draht 16 a, 16 b und 16 c
dargestellt, der zickzackartig quer durch einen Abschnitt der Matrix verläuft und jede der Höhlungen
oder Zellen in seinem Abschnitt überschneidet. Bei anderen Ausführungen kann es erwünscht sein,
gerade Leiter für die Abschnittsanoden in einer Riehtung über die Zellen 17 zu führen und diese Leiter
am Rande oder außerhalb der Matrix miteinander zu verbinden. Als eine weitere Abänderung könnte
die untere Abdeckplatte 12 aus elektrisch leitendem Material hergestellt sein, so daß diese Platte gleichzeitig
die Anode 16 bilden würde, so daß kein Drahtgitter, als welches die Anode 16 in der Fig. 1 dargestellt
ist, oder das System von Drähten zur Bildung der Abschnitte 16 a, 16 b und 16 c in der Fig. 2
erforderlich wäre.
Es könnten auch beide Abdeckplatten 11 und 12 elektrisch leitend sein, so daß sie direkt wie eine
Halte-Anode und eine Halte-Kathode wirken würden. In diesem Falle müßte eine zusätzliche Isolationsschicht
mit den Höhlungen 17 verwendet werden, um eine elektrische Isolierung zwischen der oberen Abdeckplatte
11 und den Leitern 20 und 21 zu erreichen. In der Fig. 1 sind die Abfühl-Kathoden 20 und
die Starter-Kathoden 21 mit einem horizontalen Abstand voneinander dargestellt. Eine weitere zusätzliche
Isolationsschicht mit den entsprechenden Lochungen würde es erlauben, die Abfühl-Kathoden 20 und die
Starter-Kathoden 21 mit einem vertikalen Abstand voneinander anzuordnen.
Die in der Fig. 1 dargestellte vollständige Matrix hat einen schichtförmigen Aufbau, aus dessen Seiten
oder Kanten die elektrischen Leiter herausgeführt sind. Die Höhlungen 17 werden luftleer gemacht und
teilweise mit einem geeigneten Gas gefüllt, worauf die Einrichtung erhitzt wird, um die Glasschichten zusammenzuschweißen.
Ein guter luftdichter Abschluß ist nur an den Umfangsteilen der Einrichtung erforderlich,
und es ist nicht notwendig, daß jede Höhlung 17 durch einen gasdichten Abschluß gegen die benachbarten
Höhlungen isoliert ist. Im Gegenteil, wenn es möglich ist, daß Gasteilchen von einer Höhlung
17 zu einer anderen wandern können, ergibt sich ein gleichförmiger Druck und Gasgehalt in allen
Höhlungen 17. Andererseits hat sich gezeigt, daß beim Leitendwerden einer solchen Gaszelle die in ihr
anwesenden ionisierten Gasteilchen nicht frei genug mit den Gasteilchen einer angrenzenden Zelle wandern
können, um die Leitfähigkeit in dieser angrenzenden Zelle zu veranlassen. Daher können, obwohl
kein gasdichter Abschluß zwischen benachbarten Zellen besteht, die in einer Zelle vorhandenen Gasionen
eine eventuell zwischen den Zellen bestehende schmale Öffnung nicht in genügender Anzahl durchlaufen,
um die Leitfähigkeit auf die anderen Zellen auszudehnen.
Claims (5)
1. Elektronisches Speicherelement mit in Reihen und Spalten angeordneten Glimmentladungsstrecken
und zwischengeschalteten Elektroden zur Spannungsentnahme, gekennzeichnet durch mehrere
zwischen zwei Abdeckplatten (11, 12) aufeinandergeschichtete Isolierplatten (13 bis 15) mit
einer Vielzahl von in Reihen und Spalten angeordneten Bohrungen (17), wobei die einander
zugeordneten Bohrungen in den verschiedenen Isolierplatten (13, 14, 15) miteinander fluchten,
und durch zwischen den Isolierplatten eingelegte, als Elektroden dienende Leiter (18 bis 21), die
sich an den Bohrungen (17) kreuzen.
2. Speicherelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß jeweils die zwischen zwei
Isolierplatten (13 bis 15) eingelegten stabförmigen Leiter (18 bis 21) parallel angeordnet sind.
3. Speicherelement nach den Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß die zwischen
zwei Isolierplatten (13 bis 15) eingelegten Leiter (16 α bis 16 c) teilweise die Bohrungen (17) mehrerer
Reihen und Spalten kreuzen.
4. Speicherelement nach den Ansprüchen 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß eine Elektrode
(16) als Gitter oder Flächenelektrode ausgebildet ist.
5. Speicherelement nach den Ansprüchen 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Isolierplatten
(13 bis 15) aus Glas bestehen.
In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsche Patentschrift Nr. 900 281.
Deutsche Patentschrift Nr. 900 281.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
© 203 560/352 4.62
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