DE112022007234T5 - Treiberschaltung und Ansteuerverfahren für ein Leistungshalbleiterelement und Leistungsmodul - Google Patents

Treiberschaltung und Ansteuerverfahren für ein Leistungshalbleiterelement und Leistungsmodul Download PDF

Info

Publication number
DE112022007234T5
DE112022007234T5 DE112022007234.2T DE112022007234T DE112022007234T5 DE 112022007234 T5 DE112022007234 T5 DE 112022007234T5 DE 112022007234 T DE112022007234 T DE 112022007234T DE 112022007234 T5 DE112022007234 T5 DE 112022007234T5
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
voltage
circuit
semiconductor element
power semiconductor
gate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE112022007234.2T
Other languages
German (de)
English (en)
Inventor
Kenichi Morokuma
Takuya Sakai
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Publication of DE112022007234T5 publication Critical patent/DE112022007234T5/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/16Modifications for eliminating interference voltages or currents
    • H03K17/161Modifications for eliminating interference voltages or currents in field-effect transistor switches
    • H03K17/162Modifications for eliminating interference voltages or currents in field-effect transistor switches without feedback from the output circuit to the control circuit
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/04Modifications for accelerating switching
    • H03K17/041Modifications for accelerating switching without feedback from the output circuit to the control circuit
    • H03K17/0412Modifications for accelerating switching without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the control circuit
    • H03K17/04123Modifications for accelerating switching without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the control circuit in field-effect transistor switches
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/28Modifications for introducing a time delay before switching
    • H03K17/284Modifications for introducing a time delay before switching in field effect transistor switches

Landscapes

  • Power Conversion In General (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
DE112022007234.2T 2022-05-17 2022-05-17 Treiberschaltung und Ansteuerverfahren für ein Leistungshalbleiterelement und Leistungsmodul Withdrawn DE112022007234T5 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2022/020535 WO2023223426A1 (ja) 2022-05-17 2022-05-17 電力用半導体素子の駆動回路および駆動方法ならびにパワーモジュール

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE112022007234T5 true DE112022007234T5 (de) 2025-03-13

Family

ID=88834842

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE112022007234.2T Withdrawn DE112022007234T5 (de) 2022-05-17 2022-05-17 Treiberschaltung und Ansteuerverfahren für ein Leistungshalbleiterelement und Leistungsmodul

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20250274031A1 (https=)
JP (1) JPWO2023223426A1 (https=)
CN (1) CN119156770A (https=)
DE (1) DE112022007234T5 (https=)
WO (1) WO2023223426A1 (https=)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN118353340B (zh) * 2024-06-18 2024-09-03 上海泰矽微电子有限公司 马达驱动电路、芯片和车辆设备

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008519529A (ja) 2004-11-05 2008-06-05 インターナショナル レクティファイアー コーポレイション dI/dtを低下させ、遅延補正を施すドライバおよび方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5138287B2 (ja) * 2007-06-27 2013-02-06 三菱電機株式会社 ゲート駆動装置
JP5065986B2 (ja) * 2008-05-12 2012-11-07 日立オートモティブシステムズ株式会社 半導体装置の駆動装置及びその駆動方法
JP5447575B2 (ja) * 2012-04-23 2014-03-19 株式会社デンソー 駆動装置
JP6197685B2 (ja) * 2014-02-19 2017-09-20 株式会社デンソー ゲート駆動回路
EP3057231B1 (de) * 2015-02-16 2019-04-10 Power Integrations Switzerland GmbH Steuerschaltung und Steuerverfahren zum Anschalten eines Leistungshalbleiterschalters
CN105356727B (zh) * 2015-11-27 2018-11-27 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司 用于开关电源的开关管驱动控制方法以及控制电路
US9813055B2 (en) * 2016-04-01 2017-11-07 Ixys Corporation Gate driver that drives with a sequence of gate resistances
JP6836342B2 (ja) * 2016-06-22 2021-02-24 ルネサスエレクトロニクス株式会社 駆動装置および電力供給システム
JP6544318B2 (ja) * 2016-08-17 2019-07-17 株式会社デンソー トランジスタ駆動回路
JP6870240B2 (ja) * 2016-08-31 2021-05-12 富士電機株式会社 ゲート駆動装置
US10749519B2 (en) * 2017-04-26 2020-08-18 Mitushibhi Electric Corporation Semiconductor device driving method and driving apparatus and power conversion apparatus
US10491207B2 (en) * 2017-09-07 2019-11-26 Infineon Technologies Austria Ag Method of over current and over voltage protection of a power switch in combination with regulated DI/DT and DV/DT
JP7000968B2 (ja) * 2018-04-05 2022-01-19 株式会社デンソー スイッチの駆動回路
US11695409B2 (en) * 2019-04-09 2023-07-04 Mitsubishi Electric Corporation Drive circuit of power semiconductor element
JP7180626B2 (ja) * 2020-03-03 2022-11-30 株式会社デンソー ゲート駆動装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008519529A (ja) 2004-11-05 2008-06-05 インターナショナル レクティファイアー コーポレイション dI/dtを低下させ、遅延補正を施すドライバおよび方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN119156770A (zh) 2024-12-17
WO2023223426A1 (ja) 2023-11-23
US20250274031A1 (en) 2025-08-28
JPWO2023223426A1 (https=) 2023-11-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69224833T2 (de) Leistungs-mosfet-treiber mit reduzierung des querstroms
DE68917881T2 (de) Ansteuerungssignalerzeuger für in Halbbrückenanordnung verbundene Transistoren.
DE68910711T2 (de) Zeitlich abweichende Ansteuerung zur Verwendung in integrierten Schaltungen.
DE10235444B4 (de) Treibersteuerungseinrichtung, Leistungsumformungseinrichtung, Verfahren zur Steuerung einer Leistungsumformungseinrichtung und Verfahren zum Gebrauch einer Leistungsumformungseinrichtung
DE102015220594A1 (de) Halbleiter-Antriebseinheit und Stromrichter, der diese verwendet
DE102015104946B4 (de) Elektronische Treiberschaltung und Verfahren
DE112007002270T5 (de) Gate-Ansteuerschaltung
DE112014001233T5 (de) Treiberschaltkreis und Halbleitervorrichtung
DE69521028T2 (de) Vortreiberschaltung zum rauscharmen Schalten hoher Ströme in einer Last
DE112017003368T5 (de) Treiberschaltung und leistungsmodul mit derselben
DE102018206733A1 (de) Kurzschlussdetektor und Gerät
DE102014115494B4 (de) Ansteuern eines mos-transistors mit konstantem vorladen
DE102013219472A1 (de) Schalt-schaltung mit einem ersten transistorbauelementund einem zweiten transistorbauelement, die in reihe geschaltetsind
DE112018005857T5 (de) Gate-treiberschaltung
DE112018002324T5 (de) Totzonenfreie steuerschaltung
DE102014212520A1 (de) Halbleiteransteuervorrichtung und Halbleitervorrichtung
DE102019204280A1 (de) Steuergerät zur Bestimmung einer Totzeit für leistungselektronische Schalter
DE112020006707T5 (de) Halbleiterschaltelement-ansteuerungsschaltung und halbleitervorrichtung
DE102005025443B4 (de) Kurzschluss-Erfassungsschaltung und Anomalieüberwachungssignal-Erzeugungsschaltung
DE102017113143A1 (de) Überschwingspitzen-Detektormodul für einen Treiber für eine induktive elektrische Last, zugehöriges System und integrierte Schaltung
DE69827350T2 (de) Ausgangsstufe mit anstiegs-steuermitteln
DE112022007234T5 (de) Treiberschaltung und Ansteuerverfahren für ein Leistungshalbleiterelement und Leistungsmodul
DE112021008182T5 (de) Halbleiter-treibereinrichtung und stromrichtereinrichtung, die eine solche halbleiter-treibereinrichtung aufweist
DE102021113011A1 (de) STEUERUNG EINER SiC-GATE-ANSTEUERUNG MIT GRABEN-FETS MIT HOHER dV/dT AN DRAIN-SOURCE
DE69412657T2 (de) Differentiale Bustreiber

Legal Events

Date Code Title Description
R012 Request for examination validly filed
R120 Application withdrawn or ip right abandoned