DE112022002104T5 - Halbleiterbauteil - Google Patents

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DE112022002104T5
DE112022002104T5 DE112022002104.7T DE112022002104T DE112022002104T5 DE 112022002104 T5 DE112022002104 T5 DE 112022002104T5 DE 112022002104 T DE112022002104 T DE 112022002104T DE 112022002104 T5 DE112022002104 T5 DE 112022002104T5
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wire
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DE112022002104.7T
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Yosui FUTAMURA
Shunya Mikami
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Rohm Co Ltd
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Rohm Co Ltd
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Abstract

Ein Halbleiterbauteil weist auf: ein Halbleiterelement, das einen Elementkörper, der einen Halbleiter enthält, und eine erste Elektrode aufweist, die auf dem Elementkörper angeordnet ist; einen ersten Draht, der an die erste Elektrode gefügt ist; ein Versiegelungsharz, das das Halbleiterelement und den ersten Draht bedeckt; und einen Bedeckungsabschnitt, der zwischen der ersten Elektrode und dem Versiegelungsharz angeordnet ist. Der erste Draht beinhaltet einen ersten Abschnitt, der sich bei einer Betrachtung in einer Dickenrichtung des Halbleiters von einer Innenseite der ersten Elektrode hin zu einer Außenseite der ersten Elektrode erstreckt. Der Bedeckungsabschnitt enthält ein Material, das eine höhere Wärmeleitfähigkeit hat als das Versiegelungsharz. Der Bedeckungsabschnitt steht in Kontakt mit dem ersten Abschnitt des ersten Drahts.

Description

  • TECHNISCHES GEBIET
  • Die vorliegende Offenbarung betrifft ein Halbleiterbauteil.
  • HINTERGRUND
  • Schaltelemente werden in verschiedenen industriellen Geräten und in Automobilen dazu verwendet, um einen elektrischen Strom zu steuern. Das Patentdokument 1 offenbart ein Beispiel von herkömmlichen Schaltelementen. In Schaltelementen wird Energie aus einer elektromotorischen Kraft erzeugt, die generiert wird, wenn ein elektrischer Strom gesperrt wird. Die Schaltelemente absorbieren diese Energie durch eine Funktion, die als aktives Klemmen („active clamping“) bekannt ist.
  • Dokumente des Standes der Technik
  • Patentdokument
  • Patentdokument 1: JP-A-2019-212930
  • ÜBERBLICK ÜBER DIE ERFINDUNG
  • Von der Erfindung zu lösendes Problem
  • Um eine Geschwindigkeitszunahme und eine Erhöhung der Kapazität („capacity“) des Schaltvorgangs zu erreichen, ist es bevorzugt, die Energie zu erhöhen, die durch aktives Klemmen absorbiert werden kann.
  • Die vorliegende Offenbarung wird im Hinblick auf die zuvor genannten Umstände vorgestellt, und eine Aufgabe hiervon kann darin bestehen, ein Halbleiterbauteil bereitzustellen, das dazu in der Lage ist, eine Energie zu erhöhen, die durch aktives Klemmen absorbiert werden kann.
  • Mittel zum Lösen des Problems
  • Ein Halbleiterbauteil, das durch die vorliegende Offenbarung bereitgestellt wird, beinhaltet: ein Halbleiterelement, das einen Elementkörper aufweist, der einen Halbleiter enthält, und eine erste Elektrode aufweist, die an dem Elementkörper angeordnet ist; einen ersten Draht, der an die erste Elektrode gefügt („joined“) ist; ein Versiegelungsharz, das das Halbleiterelement und den ersten Draht bedeckt; und einen Bedeckungsabschnitt, der zwischen der ersten Elektrode und dem Versiegelungsharz angeordnet ist, wobei der erste Draht einen ersten Abschnitt aufweist, der sich von einem Inneren bzw. einer Innenseite der ersten Elektrode hin zu einem Äußeren bzw. einer Außenseite der ersten Elektrode erstreckt, und zwar bei einer Betrachtung in einer Dickenrichtung des Halbleiterelements, wobei der Bedeckungsabschnitt ein Material aufweist, das eine höhere Wärmeleitfähigkeit hat als das Versiegelungsharz, und wobei der Bedeckungsabschnitt sich in Kontakt befindet mit dem ersten Abschnitt des ersten Drahts.
  • Vorteile der Erfindung
  • Bei der oben beschriebenen Konfiguration der vorliegenden Offenbarung ist es möglich, die Energie zu erhöhen, die durch aktives Klemmen („active clamping“) in einem Halbleiterbauteil absorbiert werden kann.
  • Weitere Merkmale und Vorteile der vorliegenden Offenbarung ergeben sich deutlicher aus der nachstehend angegebenen detaillierten Beschreibung unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen.
  • KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
    • 1 ist eine Draufsicht, die ein Halbleiterbauteil gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigt.
    • 2 ist eine Draufsicht, die relevante Abschnitte des Halbleiterbauteils gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigt.
    • 3 ist eine Draufsicht, die relevante Abschnitte des Halbleiterbauteils gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigt.
    • 4 ist eine Vorderansicht, die das Halbleiterbauteil gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigt.
    • 5 ist eine Seitenansicht, die das Halbleiterbauteil gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigt.
    • 6 ist eine Querschnittsansicht entlang einer Linie VI-VI in 3.
    • 7 ist eine Querschnittsansicht entlang einer Linie VII-VII in 3.
    • 8 ist eine vergrößerte Querschnittsansicht, die relevante Abschnitte des Halbleiterbauteils gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigt.
    • 9 ist eine vergrößerte Querschnittsansicht von relevanten Abschnitten, wobei ein Schritt eines Verfahrens zum Herstellen des Halbleiterbauteils gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung gezeigt ist.
    • 10 ist eine Draufsicht, die relevante Abschnitte einer ersten Variation des Halbleiterbauteils gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigt.
    • 11 ist eine Querschnittsansicht entlang einer Linie XI-XI in 10.
    • 12 ist eine vergrößerte Querschnittsansicht, die relevante Abschnitte der ersten Variation des Halbleiterbauteils gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigt.
    • 13 ist eine Draufsicht von relevanten Abschnitten, die eine zweite Variation des Halbleiterbauteils gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigt.
    • 14 ist eine vergrößerte Querschnittsansicht, die relevante Abschnitte einer dritten Variation des Halbleiterbauteils gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigt.
    • 15 ist eine Querschnittsansicht, die ein Halbleiterbauteil gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigt.
    • 16 ist eine vergrößerte Querschnittsansicht, die relevante Abschnitte des Halbleiterbauteils gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigt.
    • 17 ist eine Draufsicht, die relevante Abschnitte einer ersten Variation des Halbleiterbauteils gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigt.
    • 18 ist eine Querschnittsansicht entlang einer Linie XVIII-XVIII in 17.
    • 19 ist eine vergrößerte Querschnittsansicht, die relevante Abschnitte eines Halbleiterbauteils gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigt.
  • AUSFÜHRUNGSFORM ZUM AUSFÜHREN DER ERFINDUNG
  • Nachstehend werden bevorzugte Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung genauer unter Bezugnahme auf die Zeichnungen beschrieben.
  • Die Begriffe „erste“, „zweite“, „dritte“ und dergleichen werden in der vorliegenden Offenbarung lediglich zur Identifikation verwendet und sollen diesen Gegenständen keine Reihenfolge geben.
  • Die 1 bis 8 zeigen ein Halbleiterbauteil A1 gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. Das Halbleiterbauteil A1 dieser Ausführungsform beinhaltet einen ersten Anschluss 1, eine Vielzahl von zweiten Anschlüssen 2, eine Vielzahl von dritten Anschlüssen 3, ein Halbleiterelement 4, eine Vielzahl von ersten Drähten 51, eine Vielzahl von zweiten Drähten 52, einen Bedeckungsabschnitt 7 und ein Versiegelungsharz 8. Hinsichtlich der Form und der Größe des Halbleiterbauteils A1 liegt keine besondere Einschränkung vor. Ein Beispiel der Größe des Halbleiterbauteils A1 ist wie folgt: die Abmessung in der x-Richtung beträgt etwa 4 mm bis 7 mm, die Abmessung in der y-Richtung beträgt etwa 4 mm bis 8 mm, und die Abmessung in der z-Richtung beträgt etwa 0,7 mm bis 2,0 mm.
  • 1 ist eine Draufsicht, die das Halbleiterbauteil A1 zeigt. 2 und 3 sind jeweils Draufsichten, die relevante Abschnitte des Halbleiterbauteils A1 zeigen. 4 ist eine Vorderansicht, die das Halbleiterbauteil A1 zeigt. 5 ist eine Seitenansicht, die das Halbleiterbauteil A1 zeigt. 6 ist eine Querschnittsansicht entlang einer Linie VI-VI in 3. 7 ist eine Querschnittsansicht entlang einer Linie VII-VII in 3. 8 ist eine vergrößerte Querschnittsansicht, die relevante Abschnitte des Halbleiterbauteils A1 zeigt. Es ist anzumerken, dass das Versiegelungsharz 8 in 2 und 3 durch eine imaginäre Linie gezeigt ist, und zwar zum Zwecke des leichteren Verständnisses, wobei der Bedeckungsabschnitt 7 in 2 mittels einer Vielzahl von Punkten schraffiert bzw. kenntlich gemacht ist, und wobei der Bedeckungsabschnitt 7 in 3 aus Gründen eines leichteren Verständnisses weggelassen ist.
  • Der erste Anschluss 1 ist ein Element, das das Halbleiterelement 4 lagert und das einen elektrischen Kommunikationspfad zu dem Halbleiterelement 4 ausbildet. Das Material des ersten Anschlusses 1 ist nicht besonders eingeschränkt, und der erste Anschluss 1 ist bspw. aus einem Metall wie Cu (Kupfer), Ni (Nickel), oder Fe (Eisen) hergestellt, oder aus einer Legierung, die diese Metalle enthält. Der erste Anschluss 1 kann mit einer Plattierungsschicht bereitgestellt sein, die aus einem Metall wie Ag (Silber), Ni, Pd (Palladium) oder Au (Gold) hergestellt ist, und zwar an einem geeigneten Abschnitt hiervon. Die Dicke des ersten Anschlusses 1 ist nicht besonders eingeschränkt und beträgt bspw. etwa 0,12 mm bis 0,2 mm.
  • Der erste Anschluss 1 dieser Ausführungsform beinhaltet einen Die-Pad-Abschnitt 11 und zwei Erstreckungsabschnitte 12.
  • Der Die-Pad-Abschnitt 11 ist ein Abschnitt, der das Halbleiterelement 4 trägt bzw. lagert. Die Form des Die-Pad-Abschnittes 11 ist nicht besonders eingeschränkt und ist bei dieser Ausführungsform bei einer Betrachtung in der z-Richtung eine rechteckige Form. Der Die-Pad-Abschnitt 11 beinhaltet eine Die-Pad-Vorderfläche 111 und eine Die-Pad-Rückfläche 112. Die Die-Pad-Vorderfläche 111 weist in die z-Richtung. Die Die-Pad-Rückfläche 112 weist in der Dickenrichtung hin zu einer Seite, die jener Seite gegenüberliegt, zu der die Die-Pad-Vorderfläche 111 weist. Bei dem in den Figuren gezeigten Beispiel, sind die Die-Pad-Vorderfläche 111 und die Die-Pad-Rückfläche 112 flach.
  • Die zwei Erstreckungsabschnitte 12 sind Abschnitte, die sich ausgehend von dem Die-Pad-Abschnitt 11 hin zu entgegengesetzten Seiten in der x-Richtung erstrecken. Bei dieser Ausführungsform beinhaltet jeder der Erstreckungsabschnitte 12 einen Abschnitt, der sich von dem Die-Pad-Abschnitt 11 in der x-Richtung erstreckt, einen Abschnitt, der in Bezug auf die z-Richtung geneigt ist und der sich von diesem Abschnitt hin zu der Seite erstreckt, zu dem die Die-Pad-Vorderfläche 111 weist, und einen Abschnitt, der sich ausgehend von diesem Abschnitt in der x-Richtung erstreckt, und hat insgesamt eine gebogene Form (siehe 6).
  • Die Vielzahl von zweiten Anschlüssen 2 sind Abschnitte, die von dem ersten Anschluss 1 beabstandet sind und die elektrische Kommunikationspfade zu dem Halbleiterelement 4 bilden. Bei dieser Ausführungsform bilden die Vielzahl von zweiten Anschlüssen 2 elektrische Kommunikationspfade für einen elektrischen Strom, der von dem Halbleiterelement 4 geschaltet wird. Die Vielzahl von zweiten Anschlüssen 2 sind in Bezug auf den ersten Anschluss 1 auf einer Seite in der y-Richtung angeordnet. Die Vielzahl von zweiten Anschlüssen 2 sind voneinander in der x-Richtung beabstandet.
  • Das Material der zweiten Anschlüsse 2 ist nicht besonders eingeschränkt, und die zweiten Anschlüsse 2 sind bspw. aus einem Metall wie Cu, Ni oder Fe hergestellt, oder aus einer Legierung, die diese Metalle enthält. Jeder der zweiten Anschlüsse 2 kann an einem geeigneten Abschnitt mit einer Plattierungsschicht ausgebildet sein, die aus einem Metall wie Ag, Ni, Pd oder Au hergestellt ist. Die Dicke der zweiten Anschlüsse 2 ist nicht besonders eingeschränkt und beträgt bspw. etwa 0,12 mm bis 0,2 mm.
  • Jeder der zweiten Anschlüsse 2 dieser Ausführungsform beinhaltet einen Pad-Abschnitt 21 und einen Terminal-Abschnitt 22.
  • Der Pad-Abschnitt 21 ist ein Abschnitt, mit dem der erste Draht 51 verbunden ist. Bei dieser Ausführungsform ist der Pad-Abschnitt 21 in Bezug auf den Die-Pad-Abschnitt 11 in der z-Richtung auf jener Seite angeordnet, zu der die Die-Pad-Vorderfläche 111 weist (siehe 7).
  • Der Terminal-Abschnitt 22 ist ein streifenförmiger Abschnitt, der sich ausgehend von dem Pad-Abschnitt 21 in der y-Richtung nach außen erstreckt. Der Terminal-Abschnitt 22 hat, bei einer Betrachtung in der x-Richtung, eine gebogene Form, und das führende Ende oder der vordere Abschnitt hiervon, ist in der z-Richtung auf der gleichen (oder im Wesentlichen der gleichen) Position angeordnet wie der Die-Pad-Abschnitt 11.
  • Die Vielzahl von dritten Anschlüssen 3 sind Abschnitte, die von dem ersten Anschluss 1 beabstandet sind und die elektrische Kommunikationspfade zu dem Halbleiterelement 4 bilden. Bei dieser Ausführungsform bilden die Vielzahl von dritten Anschlüssen 3 elektrische Kommunikationspfade für einen Steuersignalstrom zum Steuern des Halbleiterelements 4. Die Vielzahl von dritten Anschlüssen 3 sind in Bezug auf den ersten Anschluss 1 auf der anderen Seite in der y-Richtung angeordnet. Die Vielzahl von dritten Anschlüssen 3 sind voneinander in der x-Richtung beabstandet.
  • Das Material der dritten Anschlüsse 3 ist nicht besonders eingeschränkt, und die dritten Anschlüsse 3 sind bspw. aus einem Metall wie Cu, Ni oder Fe hergestellt, oder aus einer Legierung, die diese Metalle enthält. Jeder der dritten Anschlüsse 3 kann an einem geeigneten Abschnitt mit einer Plattierungsschicht ausgebildet sein, die aus einem Metall wie Ag, Ni, Pd oder Au hergestellt ist. Die Dicke der dritten Anschlüsse 3 ist nicht besonders eingeschränkt und beträgt bspw. etwa 0,12 mm bis 0,2 mm.
  • Jeder der dritten Anschlüsse 3 dieser Ausführungsform beinhaltet einen Pad-Abschnitt 31 und einen Terminal-Abschnitt 32.
  • Der Pad-Abschnitt 31 ist ein Abschnitt, mit dem ein zweiter Draht 52 verbunden ist. Bei dieser Ausführungsform ist der Pad-Abschnitt 31 in Bezug auf den Die-Pad-Abschnitt 11 in der z-Richtung auf jener Seite angeordnet, zu der die Die-Pad-Vorderfläche 111 weist (siehe 7).
  • Der Terminal-Abschnitt 32 ist ein streifenförmiger Abschnitt, der sich ausgehend von dem Pad-Abschnitt 31 in der y-Richtung nach außen erstreckt. Der Terminal-Abschnitt 32 hat, bei einer Betrachtung in der x-Richtung, eine gebogene Form, und der vordere Abschnitt hiervon ist in der z-Richtung auf der gleichen (oder im Wesentlichen der gleichen) Position angeordnet wie der Die-Pad-Abschnitt 11.
  • Das Halbleiterelement 4 ist ein Element, das eine elektrische Funktion des Halbleiterbauteils A1 ausübt. Bei dieser Ausführungsform führt das Halbleiterelement 4 eine Schaltfunktion durch. Das Halbleiterelement 4 beinhaltet einen Elementkörper 40, eine erste Elektrode 401, eine zweite Elektrode 402 und eine Vielzahl von dritten Elektroden 403. Das Halbleiterelement 4 beinhaltet ferner eine Steuereinheit 48. Bei dieser Konfiguration beinhaltet das Halbleiterelement 4 einen Abschnitt, der einen Transistor ausbildet, der eine Schaltfunktion durchführt, und einen Abschnitt, der eine Steuerung, eine Überwachung, einen Schutz und dergleichen des Transistors durchführt.
  • Hinsichtlich der speziellen Konfiguration des Halbleiterelementes 4 gibt es keine besondere Einschränkung. Beispielsweise kann auch eine Konfiguration angewendet werden, bei der das Halbleiterelement 4 eine funktionale Schicht 408 beinhaltet, die als der Abschnitt dient, der einen Transistor und dergleichen ausbildet, und die Steuereinheit 48 nicht enthält. In diesem Fall werden die Anzahl der zweiten Elektrode 402 und der dritten Elektroden 403 nach Zweckmäßigkeit ausgewählt, oder die zweite Elektrode 402 und die dritten Elektroden 403 können weggelassen sein. Ferner kann nur das Halbleiterelement 4 auf dem Die-Pad-Abschnitt 11 installiert sein, oder es kann auf dem Die-Pad-Abschnitt 11 ein weiteres Halbleiterelement zusätzlich zu dem Halbleiterelement 4 installiert bzw. montiert sein. Hinsichtlich der Funktion, die von dem Halbleiterelement ausgeübt wird, das sich von dem Halbleiterelement 4 unterscheidet, gibt es keine besondere Einschränkung.
  • Der Elementkörper 40 beinhaltet eine Elementvorderfläche 40a und eine Elementrückfläche 40b. Die Elementvorderfläche 40a weist in der z-Richtung hin zu der gleichen Seite wie jene Seite, zu der die Die-Pad-Vorderfläche 111 weist. Die Elementrückfläche 40b weist in der z-Richtung hin zu einer Seite gegenüberliegend jener Seite, zu der die Elementvorderfläche 40a weist. Hinsichtlich des Materials des Elementkörpers 40 gibt es keine besondere Einschränkung. Beispiele des Materials des Elementkörpers 40 beinhalten Halbleitermaterialien wie Si, SiC und GaN.
  • Wie es beispielsweise in 8 gezeigt ist, beinhaltet der Elementkörper 40 eine funktionale Schicht 408. Beispielsweise ist in der funktionalen Schicht 408 eine Transistorstruktur wie ein MOSFET (Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor) oder ein MISFET (Metall-Isolator-Halbleiter- Feldeffekttransistor) aufgebaut bzw. eingebaut. Die funktionale Schicht 408 ist, bei einer Betrachtung in der z-Richtung, mit der der Steuereinheit 48 in der y-Richtung ausgerichtet bzw. aufgereiht („lined up“). Hinsichtlich der genauen Anordnung der funktionalen Schicht 408 und der Steuereinheit 48 und dergleichen liegt jedoch keine besondere Einschränkung vor.
  • Die erste Elektrode 401 ist an der Elementvorderfläche 40a des Elementkörpers 40 angeordnet. Hinsichtlich der Form, der Größe und der Position der ersten Elektrode 401 gibt es keine besondere Einschränkung. In dem in den Figuren gezeigten Beispiel ist die erste Elektrode 401 an einem Abschnitt der Elementvorderfläche 40a nahe der Vielzahl von zweiten Anschlüssen 2 in der y-Richtung angeordnet. Die erste Elektrode 401 überlappt, bei einer Betrachtung in der z-Richtung, mit der funktionalen Schicht 408. Bei dieser Ausführungsform ist die erste Elektrode 401, bei einer Betrachtung in der z-Richtung, von der Steuereinheit 48 beabstandet. Bei dieser Ausführungsform ist die erste Elektrode 401 eine Source-Elektrode. Das Material der ersten Elektrode 401 ist nicht besonders eingeschränkt, und Beispiele hiervon beinhalten Metalle wie Al (Aluminium), Al-Si (Silizium) und Cu, sowie Legierungen, die diese Metalle enthalten. Die erste Elektrode 401 kann eine Struktur haben, bei der Schichten übereinander gestapelt sind, die aus einer Vielzahl von Materialien hergestellt sind, die aus diesen Metallen ausgewählt sind.
  • Wie es in den 2, 3 sowie 6 bis 8 gezeigt ist, beinhaltet die erste Elektrode 401 dieser Ausführungsform einen Vertiefungsabschnitt 405. Der Vertiefungsabschnitt 405 ist ein Abschnitt, der in der z-Richtung hin zu dem Halbleiterelement 4 zurückversetzt ist. Hinsichtlich der speziellen Konfiguration des Vertiefungsabschnittes 405 gibt es keine besondere Einschränkung.
  • Bei dieser Ausführungsform beinhaltet die erste Elektrode 401 eine erste Schicht 4011. Die erste Schicht 4011 ist eine Schicht, die Metall wie Al, Al-Si oder Cu enthält, oder eine Legierung, die diese Metalle enthält, oder dergleichen. Der Vertiefungsabschnitt 405 ist gebildet, indem ein geeigneter Abschnitt der ersten Schicht 4011 in der z-Richtung zurückversetzt wird. Ein Verfahren zum Bilden eines derartigen Vertiefungsabschnittes 405 ist nicht besonders eingeschränkt, und ein Ätzvorgang, ein Laserbeschneiden und dergleichen können als geeignete Mittel verwendet werden, um Beispiele zu nennen.
  • Der Vertiefungsabschnitt 405 dieser Ausführungsform beinhaltet einen äußeren Umfangsabschnitt 4051 und einen inneren Abschnitt 4052. Der äußere Umfangsabschnitt 4051 ist ein Abschnitt, der sich entlang des äußeren Umfangsrands der ersten Elektrode 401 erstreckt. Die Form bzw. Gestalt des äußeren Umfangsabschnittes 4051 ist nicht besonders eingeschränkt und ist bspw. eine rechteckige Form. Der äußere Umfangsabschnitt 4051 kann durch eine einzelne Linie, die eine Ringform bildet, gebildet sein, oder kann durch eine gestrichelte Linie gebildet sein, die eine Vielzahl von Segmenten enthält.
  • Der innere Abschnitt 4052 ist ein Abschnitt, der innerhalb des äußeren Umfangsabschnittes 4051 angeordnet ist. Der innere Abschnitt 4052 ist mit dem äußeren Umfangsabschnitt 4051 gekoppelt („linked to“), kann jedoch von dem äußeren Umfangsabschnitt 4051 beabstandet sein. Hinsichtlich der Form und der Größe des inneren Abschnittes 4052 gibt es keine besondere Einschränkung. Bei dem in den Figuren gezeigten Beispiel hat der innere Abschnitt 4052 eine Gitterform, die sich in der x-Richtung und in der y-Richtung erstreckt.
  • Die zweite Elektrode 402 ist an der Elementrückfläche 40b des Elementkörpers 40 angeordnet. Die zweite Elektrode 402 überlappt, bei einer Betrachtung in der z-Richtung, mit der funktionalen Schicht 408 und der Steuereinheit 48 und bedeckt bei dieser Ausführungsform die gesamte Elementrückfläche 40b. Bei dieser Ausführungsform ist die zweite Elektrode 402 eine Drain-Elektrode. Das Material der zweiten Elektrode 402 ist nicht besonders eingeschränkt, und Beispiele hiervon beinhalten Metalle wie Al, Al-Si und Cu, sowie Legierungen, die diese Metalle enthalten. Die zweite Elektrode 402 kann eine Struktur haben, bei der Schichten, die aus einer Vielzahl von Materialien hergestellt sind, die aus diesen Metallen ausgewählt sind, übereinander gestapelt bzw. geschichtet sind.
  • Hinsichtlich der speziellen Konfiguration der Steuereinheit 48 gibt es keine besondere Einschränkung. Die Steuereinheit 48 beinhaltet bspw. eine Stromsensorschaltung, eine Temperatursensorschaltung, eine Überstromschutzschaltung, eine Erwärmungsschutzschaltung, eine Unterspannungsperrschaltung („undervoltage lock-out circuit“), und dergleichen.
  • Die Vielzahl von dritten Elektroden 403 sind an der Elementvorderfläche 40a angeordnet. Bei dem in den Figuren gezeigten Beispiel, sind die Vielzahl von dritten Elektroden 403 an einem Abschnitt der Elementvorderfläche 40a nahe der Vielzahl von dritten Anschlüssen 3 in der y-Richtung angeordnet. Die Vielzahl von dritten Elektroden 403 überlappen bei einer Betrachtung in der z-Richtung mit der Steuereinheit 48. Bei dieser Ausführungsform sind die Vielzahl von dritten Elektroden 403 hauptsächlich in elektrischer Kommunikation mit der Steuereinheit 48. Hinsichtlich der Anzahl der Vielzahl von dritten Elektroden 403 gibt es keine besondere Einschränkung. Die Anzahl der dritten Elektroden 403 kann eins sein. Bei dem in den Figuren gezeigten Beispiel beinhaltet das Halbleiterelement 4 vier dritte Elektroden 403.
  • Die Vielzahl von ersten Drähten 51 ermöglichen eine elektrische Kommunikation zwischen der ersten Elektrode 401 des Halbleiterelements 4 und der Vielzahl von zweiten Anschlüssen 2. Das Material der ersten Drähte 51 ist nicht besonders eingeschränkt, und die ersten Drähte 51 sind bspw. aus einem Metall wie Au, Cu oder Al hergestellt. Wie es in den 2, 3 sowie 6 bis 8 gezeigt ist, beinhaltet jeder der ersten Drähte 51 bei dieser Ausführungsform einen Bond-Abschnitt 511, einen Bond-Abschnitt 512, einen Schlaufen- bzw. Krümmungsabschnitt („loop portion“) 513, einen ersten Abschnitt 514 und einen zweiten Abschnitt 515. Hinsichtlich der speziellen Konfiguration des ersten Drahts 51 gibt es keine besondere Einschränkung. Bei dem in den Figuren gezeigten Beispiel ist der erste Draht 51 aus einem Material hergestellt, das Cu enthält, und ist bspw. unter Verwendung eines Kapillarrohrs („capillary“) ausgebildet. Bei dieser Ausführungsform fließt ein von dem Halbleiterelement 4 geschalteter elektrischer Strom durch die Vielzahl von ersten Drähten 51.
  • Der Bond-Abschnitt 511 steht in elektrischer Kommunikation mit der ersten Elektrode 401 des Halbleiterelements 4 und ist an einer Position angeordnet, die bei einer Betrachtung in der z-Richtung mit der ersten Elektrode 401 überlappt. Bei dieser Ausführungsform ist der Bond-Abschnitt 511 an die erste Elektrode 401 gefügt und wird auch als ein erster Bond-Abschnitt bezeichnet.
  • Hinsichtlich der Anordnung des Bond-Abschnittes 511 gibt es keine besondere Einschränkung. Bei dieser Ausführungsform ist der Bond-Abschnitt 511 an einer Position auf der ersten Elektrode 401 angeordnet, die nicht auf dem Vertiefungsabschnitt 405 angeordnet ist. Ferner ist der Bond-Abschnitt 511 innerhalb bzw. einwärts in Bezug auf den äußeren Umfangsabschnitt 4051 angeordnet. Auch sind die Bond-Abschnitte 511 der Vielzahl von ersten Drähten 51 in einer Vielzahl von Regionen an der ersten Elektrode 401 auf eine verstreute Art und Weise angeordnet, und zwar begrenzt bzw. eingeschränkt durch den Vertiefungsabschnitt 405.
  • Der Bond-Abschnitt 512 ist ein Abschnitt, der an den Pad-Abschnitt 21 des zweiten Anschlusses 2 gefügt ist. Der Bond-Abschnitt 512 wird auch als ein zweiter Bond-Abschnitt bezeichnet.
  • Der erste Abschnitt 514 ist ein Abschnitt, der sich von der Innenseite der ersten Elektrode 401 hin zu der Außenseite der ersten Elektrode 401 erstreckt, und zwar bei einer Betrachtung in der z-Richtung. Bei dem in den Figuren gezeigten Beispiel ist der erste Abschnitt 514 ein Abschnitt, der sich von der Innenseite der ersten Elektrode 401 hin zu der Außenseite der ersten Elektrode 401 quer über den äußeren Rand der ersten Elektrode 401 hinweg erstreckt, und zwar bei einer Betrachtung in der z-Richtung. Der erste Abschnitt 514 erstreckt sich parallel (oder im Wesentlichen parallel) zu der xy-Ebene.
  • Der erste Abschnitt 514 ist bei dieser Ausführungsform integral bzw. einstückig gekoppelt mit dem Bond-Abschnitt 511. Das heißt, der erste Abschnitt 514 ist so ausgebildet, dass er bei der Bildung des ersten Drahts 51 kontinuierlich mit dem Bond-Abschnitt 511 ausgebildet wird. Mit anderen Worten werden der erste Abschnitt 514 und der Bond-Abschnitt 511 bei dieser Ausführungsform insgesamt als ein Element ausgebildet, und es wird keine Prozedur verwendet, bei der der erste Abschnitt 514 und der Bond-Abschnitt 511 separat bereitgestellt und anschließend miteinander gekoppelt werden.
  • Der zweite Abschnitt 515 ist mit dem ersten Abschnitt 514 gekoppelt bzw. verbunden, und zwar auf einer Seite gegenüberliegend der ersten Elektrode 401 (Bond-Abschnitt 511). Der zweite Abschnitt 515 steht in der z-Richtung nach oben vor, und zwar auf einer Seite bzw. hin zu einer Seite weg von dem Halbleiterelement 4 (d.h. auf bzw. hin zu der oberen Seite in der Figur).
  • Bei dieser Ausführungsform ist der Schlaufenabschnitt 513 mit dem Bond-Abschnitt 512 und dem zweiten Abschnitt 515 gekoppelt bzw. verbunden und hat eine gekrümmte Form.
  • Bei dem in den Figuren gezeigten Beispiel sind die Vielzahl von Bond-Abschnitten 511 entlang des äußeren Rands der ersten Elektrode 401 angeordnet. Genauer gesagt, sind die Bond-Abschnitte 511 entlang von drei Seiten angeordnet, die in dem äußeren Rand des Elementkörpers 40 enthalten sind. Ferner sind die Bond-Abschnitte 511 in einer Reihe entlang des äußeren Rands der ersten Elektrode 401 aufgereiht („lined up“).
  • Die Vielzahl von zweiten Drähten 52 ermöglichen eine elektrische Kommunikation zwischen den dritten Elektroden 403 des Halbleiterelements 4 und der Vielzahl von dritten Anschlüssen 3. Das Material der zweiten Drähte 52 ist nicht besonders eingeschränkt und die zweiten Drähte 52 sind bspw. aus einem Metall wie Au, Cu oder Al hergestellt. Jeder der zweiten Drähte 52 beinhaltet einen Bond-Abschnitt 521, einen Bond-Abschnitt 522 und einen Schlaufen- bzw. Krümmungsabschnitt 523. Hinsichtlich der speziellen Konfiguration des zweiten Drahts 52 gibt es keine besondere Einschränkung. Bei dem in den Figuren gezeigten Beispiel wird der zweite Draht 52 bspw. unter Verwendung eines Kapillarrohrs ausgebildet. Bei dieser Ausführungsform fließt ein Steuersignalstrom zum Steuern des Halbleiterelements 4 durch die Vielzahl von zweiten Drähten 52.
  • Der Bond-Abschnitt 521 ist an die zweite Elektrode 402 des Halbleiterelements 4 gefügt. Der Bond-Abschnitt 521 wird auch als ein erster Bond-Abschnitt bezeichnet.
  • Der Bond-Abschnitt 522 ist ein Abschnitt, der an den Pad-Abschnitt 31 des dritten Anschlusses 3 gefügt ist. Der Bond-Abschnitt 522 wird auch als ein zweiter Bond-Abschnitt bezeichnet.
  • Der Schlaufenabschnitt 523 ist mit dem Bond-Abschnitt 521 und mit dem Bond-Abschnitt 522 gekoppelt bzw. verbunden und hat eine gekrümmte Form.
  • Der Bedeckungsabschnitt 7 ist zwischen der ersten Elektrode 401 und dem Versiegelungsharz 8 angeordnet. Der Bedeckungsabschnitt 7 enthält ein Material, das eine höhere Wärmeleitfähigkeit hat als das Versiegelungsharz 8. Hinsichtlich des Materials des Bedeckungsabschnittes 7 gibt es keine besondere Einschränkung, und für den Fall, bei dem das Versiegelungsharz 8 aus einem isolierenden Harz hergestellt ist, enthält der Bedeckungsabschnitt 7 ein Metall. Der Bedeckungsabschnitt 7 enthält bspw. Ag oder Cu als das Metall. Ferner enthält der Bedeckungsabschnitt 7 ggf. gesintertes Ag oder gesintertes Cu. In jenem Fall, bei dem der Bedeckungsabschnitt 7 gesintertes Ag enthält, ist es bspw. bevorzugt, gesintertes Ag von einem Typ zu verwenden, der dazu in der Lage ist, ohne die Anwendung von Druck ausgebildet zu werden. Für den Fall, dass der Bedeckungsabschnitt 7 aus gesintertem Ag hergestellt ist, das gebildet ist ohne die Anwendung von Druck, kann der Bedeckungsabschnitt 7 bspw. durch Ausstoßen einer Materialpaste zum Ausbilden von gesintertem Ag aus einer Düse, durch Aufbringen der Materialpaste und durch anschließendes Erwärmen der Materialpaste ausgebildet werden, und zwar nach Zweckmäßigkeit.
  • Die Struktur des Bedeckungsabschnittes 7 ist nicht auf eine metall-enthaltende Struktur eingeschränkt, und der Bedeckungsabschnitt 7 kann bspw. ein Harz mit einer höheren Wärmeleitfähigkeit als ein isolierendes Harz enthalten, das das Versiegelungsharz 8 bildet. Für jenen Fall, bei dem das Versiegelungsharz 8 aus einem Epoxidharz hergestellt ist, beinhalten Beispiele des Harzes, das in dem Bedeckungsabschnitt 7 enthalten ist, ein Epoxidharz, ein Akrylharz und dergleichen, dem ein Füllmaterial („filler“) zum Verbessern der Wärmeleitfähigkeit beigemischt ist. In jenem Fall, bei dem das Versiegelungsharz 8 ein Füllmaterial enthält, beinhalten Beispiele des Harzes, das in dem Bedeckungsabschnitt 7 enthalten ist, Harze, bei denen der Gehalt bzw. Anteil des Füllmaterials höher ist als der Gehalt des Füllmaterials in dem Versiegelungsharz 8.
  • Bei dieser Ausführungsform enthält der Bedeckungsabschnitt 7 gesintertes Ag und steht in Kontakt sowohl mit der ersten Elektrode 401 als auch mit dem Versiegelungsharz 8. Der Bedeckungsabschnitt 7 ist bei einer Betrachtung in der z-Richtung innerhalb des äußeren Rands der ersten Elektrode 401 angeordnet.
  • Der Bedeckungsabschnitt 7 steht in Kontakt mit dem Vertiefungsabschnitt 405. Der Bedeckungsabschnitt 7 ist auf dem äußeren Umfangsabschnitt 4051 des Vertiefungsabschnittes 405 oder innerhalb bzw. einwärts des äußeren Umfangsabschnittes 4051 angeordnet, und zwar bei einer Betrachtung in der z-Richtung. Der Bedeckungsabschnitt 7 bedeckt den inneren Abschnitt 4052.
  • Der Bedeckungsabschnitt 7 steht in Kontakt mit den ersten Abschnitten 514 der Vielzahl von ersten Drähten 51. Der Bedeckungsabschnitt 7 steht in Kontakt mit den Bond-Abschnitten 511. Wie es in 8 gezeigt ist, ist bei dem in den Figuren gezeigten Beispiel eine Höhe H0 entsprechend der Distanz von der ersten Elektrode 401 hin zu einem Abschnitt des Bedeckungsabschnittes 7, der am weitesten von der ersten Elektrode 401 entfernt ist, größer als eine Höhe H1, die der Distanz von der ersten Elektrode 401 zu einem Abschnitt des ersten Abschnittes 514 entspricht, der von der ersten Elektrode 401 am weitesten entfernt liegt, und zwar in der z-Richtung. Bei dem in den Figuren gezeigten Beispiel bedeckt der Bedeckungsabschnitt 7 die Bond-Abschnitte 511. Der Bedeckungsabschnitt 7 bedeckt die ersten Abschnitte 514 ausgehend von der oberen Seite in der z-Richtung wenigstens teilweise (d.h. von einer Seite gegenüberliegend dem Halbleiterelement 4). Mit anderen Worten steht jeder der ersten Abschnitte 514 gegenüber dem Bedeckungsabschnitt 7 in einer Richtung (in dem in den Figuren gezeigten Beispiel die y-Richtung) orthogonal zu der z-Richtung vor.
  • Das Versiegelungsharz 8 bedeckt den ersten Anschluss 1, Abschnitte der Vielzahl von zweiten Anschlüssen 2 und der Vielzahl von dritten Anschlüssen 3, das Halbleiterelement 4, die Vielzahl von ersten Drähten 51, die Vielzahl von zweiten Drähten 52 und den Bedeckungsabschnitt 7. Das Versiegelungsharz 8 ist aus einem isolierenden Harz hergestellt, und ein Beispiel hiervon ist ein Epoxidharz, dem ein Füllmaterial beigemischt ist.
  • Hinsichtlich der Form des Versiegelungsharzes 8 gibt es keine besondere Einschränkung. Bei dem in den Figuren gezeigten Beispiel, beinhaltet das Versiegelungsharz 8 eine Harzvorderfläche 81, eine Harzrückfläche 82, zwei erste Harzseitenflächen 83 und zwei zweite Harzseitenflächen 84.
  • Die Harzvorderfläche 81 weist in der z-Richtung hin zu der gleichen Seite wie jene Seite, zu der die Die-Pad-Vorderfläche 111 weist, und ist bspw. flach. Die Harzrückfläche 82 weist in der z-Richtung hin zu einer Seite gegenüberliegend jener Seite, zu der die Harzvorderfläche 81 weist, und ist bspw. flach.
  • Die zwei ersten Harzseitenflächen 83 sind in der z-Richtung zwischen der Harzvorderfläche 81 und der Harzrückfläche 82 angeordnet und weisen in entgegengesetzte Seiten in der x-Richtung. Die zwei zweiten Harzseitenflächen 84 sind in der z-Richtung zwischen der Harzvorderfläche 81 und der Harzrückfläche 82 angeordnet und weisen in der y-Richtung in entgegengesetzte Seiten.
  • 9 zeigt einen Schritt eines Beispiels eines Verfahrens zum Herstellen des Halbleiterbauteils A1. Bei dem in der Figur gezeigten Schritt wird eine Materialpaste 70 auf die erste Elektrode 401 aufgebracht bzw. aufgetragen, um den Bedeckungsabschnitt 7 zu bilden. Hinsichtlich der Materialpaste 70 gibt es keine besondere Einschränkung. In einem Fall, bei dem der Bedeckungsabschnitt 7 gesintertes Ag enthält, ist die Materialpaste 70 bspw. eine Ag-enthaltende Paste. Folglich kann gesintertes Ag über einen drucklosen Sinterprozess ausgebildet werden.
  • Eine Düse („nozzle“) Nz wird entlang der xy-Ebene bewegt, während die Materialpaste 70 aus dem vorderen Ende (unteres Ende in der Figur) der Düse Nz ausgestoßen wird. Zu diesem Zeitpunkt ist eine Höhe H0 des vorderen Endes der Düse Nz gegenüber der ersten Elektrode 401 größer als eine Höhe H1 des ersten Abschnittes 514. Demzufolge kann die Düse Nz direkt oberhalb des Bond-Abschnittes 511 und des ersten Abschnittes 514 angeordnet werden. Bei dem in den Figuren gezeigten Beispiel ist die Höhe H0 kleiner als die Höhe eines Abschnittes des Schlaufenabschnittes 513, der in der z-Richtung am weitesten von der ersten Elektrode 401 entfernt liegt.
  • Als Nächstes werden die Wirkungen des Halbleiterbauteils A1 beschrieben.
  • Jeder der ersten Drähte 51 beinhaltet den ersten Abschnitt 514. Der erste Abschnitt 514 erstreckt sich von dem Inneren bzw. der Innenseite der ersten Elektrode 401 hin zu der Außenseite hiervon. Der Bedeckungsabschnitt 7 steht in Kontakt mit dem ersten Abschnitt 514. Das heißt, wenn der Bedeckungsabschnitt 7 gebildet wird, verfährt bzw. verläuft die Düse („nozzle“) Nz zum Zuführen der Materialpaste 70 durch die Nachbarschaft des ersten Abschnittes 514 hindurch. Der erste Abschnitt 514 erstreckt sich in eine Richtung, die die z-Richtung schneidet, und die Höhe H1 kann reduziert werden. Es ist folglich möglich, eine Behinderung der Düse Nz durch den ersten Draht 51 zu unterdrücken, und es ist möglich, den Bedeckungsabschnitt 7 in einer ausgedehnteren Region auszubilden. Demgemäß ist es bei dem Halbleiterbauteil A1 möglich, die Energie zu erhöhen, die durch aktives Klemmen absorbiert werden kann.
  • Da die Höhe H1 reduziert werden kann, ist es möglich, die Höhe von der ersten Elektrode 401 zu der Düse Nz weiter zu reduzieren. Folglich kann die Materialpaste 70 stabiler auf eine gewünschte Region aufgebracht werden. Es ist möglich, die Aufbringungs- bzw. Auftragsdicke der Materialpaste 70 gleichförmiger auszubilden, und es ist möglich, eine Variation der Dicke des Bedeckungsabschnittes 7 zu unterdrücken.
  • Die Höhe H0 des Bedeckungsabschnittes 7 ist größer als die Höhe H1 des ersten Abschnittes 514. Folglich kann eine Form erreicht werden, bei der der Bedeckungsabschnitt 7 in Kontakt mit mehr Abschnitten steht. Beispielsweise kann der Bedeckungsabschnitt 7 den ersten Abschnitt 514 schützen. Unterdessen kann der erste Abschnitt 514 eine Abtrennung des Bedeckungsabschnittes 7 unterdrücken.
  • Der Bedeckungsabschnitt 7 bedeckt die ersten Abschnitte 514 ausgehend von der oberen Seite in der z-Richtung (d.h. von einer Seite gegenüberliegend dem Halbleiterelement 4). Demzufolge kann der Bedeckungsabschnitt 7 den ersten Abschnitt 514 verlässlicher schützen.
  • Der erste Abschnitt 514 ist integral mit dem Bond-Abschnitt 511 gekoppelt. Demzufolge ist es wahrscheinlich, dass ein Abschnitt, bei dem der erste Abschnitt 514 und der Bond-Abschnitt 511 miteinander gekoppelt bzw. verbunden sind, eine scharf gekrümmte Form hat. Ein Bedecken dieses Abschnittes mit dem Bedeckungsabschnitt 7 ermöglicht es, die Wirkung des Schützens des ersten Drahtes 51 weiter zu verbessern.
  • Der erste Draht 51 beinhaltet den zweiten Abschnitt 515, der mit dem ersten Abschnitt 514 gekoppelt ist. Da der zweite Abschnitt 515 enthalten ist, hat der erste Draht 51 eine solche Form, bei dem er in der z-Richtung steil nach oben gegenüber dem ersten Abschnitt 514 hochsteht. Folglich kann der Schlaufenabschnitt 513 mit dem Bond-Abschnitt 512 gekoppelt werden, während die Form des Schlaufenabschnittes 513 in einer geeigneten Schlaufen- bzw. Krümmungsform aufrechterhalten wird.
  • Die Bond-Abschnitte 511 der Vielzahl von ersten Drähten 51 sind entlang des äußeren Rands der ersten Elektrode 401 angeordnet. Es ist demzufolge möglich, ein Behindern des Aufbringens der Materialpaste 70, das durch den Bond-Abschnitt 511 hervorgerufen wird, zu unterdrücken.
  • Die erste Elektrode 401 beinhaltet den Vertiefungsabschnitt 405. Die Materialpaste 70 und dergleichen zum Bilden des Bedeckungsabschnittes 7 breiten sich aufgrund der Oberflächenspannung wahrscheinlich entlang des Vertiefungsabschnittes 405 aus. Demzufolge kann der Bedeckungsabschnitt 7 in jener Region, in der der Vertiefungsabschnitt 405 vorgesehen ist, verlässlicher ausgebildet werden. Während des Betriebs des Halbleiterelements 4 wird Energie, die von einer elektromotorischen Kraft erzeugt wird, die aufgrund dessen generiert wird, weil ein elektrischer Strom gesperrt wird, wenigstens teilweise in Wärme umgewandelt. Wenn diese Wärme im Inneren des Halbleiterelementes 4 verbleibt, steigt die Temperatur des Halbleiterelementes 4 exzessiv an. Der Bedeckungsabschnitt 7 ist zwischen der ersten Elektrode 401 und dem Versiegelungsharz 8 angeordnet, und enthält ein Material, das eine höhere Wärmeleitfähigkeit hat als das Versiegelungsharz 8. Demzufolge wird ein Wärmetransfer von der ersten Elektrode 401 hin zu dem Bedeckungsabschnitt 7 unterstützt, was es ermöglicht, einen exzessiven Anstieg der Temperatur des Halbleiterelements 4 zu unterdrücken. Demgemäß ist es bei dem Halbleiterbauteil A1 möglich, eine Energie zu erhöhen, die durch aktives Klemmen absorbiert werden kann.
  • Der Bedeckungsabschnitt 7 bedeckt den Vertiefungsabschnitt 405, was zu einer Struktur führt, bei der ein Abschnitt des Bedeckungsabschnittes 7 in den Vertiefungsabschnitt 405 eintritt. Dies ermöglicht es, eine Abtrennung des Bedeckungsabschnittes 7 von der ersten Elektrode 401 zu unterdrücken, und ist zum Erhöhen der Energie bevorzugt, die durch aktives Klemmen absorbiert werden kann.
  • Der Vertiefungsabschnitt 405 beinhaltet den äußeren Umfangsabschnitt 4051. Das Bereitstellen des äußeren Umfangsabschnittes 4051 ermöglicht es, ein Phänomen zu unterdrücken, bei dem sich die Materialpaste 70 in eine unerwünschte Region an der ersten Elektrode 401 ausbreitet und hin zu der Außenseite der ersten Elektrode 401 leckt.
  • Der Vertiefungsabschnitt 405 beinhaltet den inneren Abschnitt 4052. Ein Ausbreiten der Materialpaste 70 entlang des inneren Abschnittes 4052 ermöglicht es, die Materialpaste 70 in einer gewünschten Region auszubreiten. Demgemäß ist es möglich, eine Ausbildung einer Struktur zu unterdrücken, bei der die Dicke des Bedeckungsabschnittes 7 um ein signifikantes Maß partiell erhöht ist, und ermöglicht es, die Dicke des Bedeckungsabschnittes 7 gleichförmiger auszubilden.
  • In dem Fall, bei dem Bedeckungsabschnitt 7 ein Metall enthält, kann der Wärmetransfer von der ersten Elektrode 401 weiter verbessert werden. In dem Fall, bei dem Ag oder Cu als das Metall ausgewählt ist, das in dem Bedeckungsabschnitt 7 enthalten ist, kann die Wärmeleitfähigkeit des Bedeckungsabschnittes 7 weiter verbessert sein. In dem Fall, bei dem der Bedeckungsabschnitt 7 gesintertes Ag oder gesintertes Cu enthält, kann der Bedeckungsabschnitt 7, der eine gewünschte Form hat, verlässlicher durch Aufbringen einer Materialpaste und durch Sintern dieser Materialpaste ausgebildet werden.
  • In dem Fall, bei dem der Bedeckungsabschnitt 7 ein Metall enthält, bildet der Bedeckungsabschnitt 7 ein leitfähiges Element, das in Kontakt steht mit der ersten Elektrode 401. Demzufolge kann ein elektrischer Kommunikations- bzw. Verbindungspfad von einem gewissen Abschnitt der funktionalen Schicht 408 hin zu einem beliebigen der ersten Drähte 51 durch die erste Elektrode 401 als auch durch den Bedeckungsabschnitt 7 ausgebildet werden. Demgemäß kann der Widerstand („resistance“) des Halbleiterelements 4 reduziert werden.
  • Ein Wärmetransferpfad, durch den hindurch Wärme wechselseitig zwischen dem Bedeckungsabschnitt 7 und dem ersten Draht 51 übertragen werden kann, wird aufgrund des Kontaktes des Bedeckungsabschnittes 7 mit dem Bond-Abschnitt 511 des ersten Drahtes 51 ausgebildet. Es ist demzufolge möglich, bspw. Wärme abzuleiten, die zu dem Bedeckungsabschnitt 7 zu dem zweiten Anschluss 2 übertragen wird, und zwar über den ersten Draht 51.
  • In dem Fall, bei dem die erste Elektrode 401 A1 enthält und der Bedeckungsabschnitt 7 gesintertes Ag enthält, kann die Fügefestigkeit zwischen der ersten Elektrode 401 und dem Bedeckungsabschnitt 7 möglicherweise nicht hinreichend sein. In dem Fall jedoch, bei dem der erste Draht 51 Cu enthält, sind sowohl die Fügefestigkeit zwischen der ersten Elektrode 401 und dem ersten Draht 51 als auch die Fügefestigkeit zwischen dem ersten Draht 51 und dem Bedeckungsabschnitt 7 höher als die Fügefestigkeit zwischen der ersten Elektrode 401 und dem Bedeckungsabschnitt 7. Es ist demzufolge möglich, eine Abtrennung des Bedeckungsabschnittes 7 von der ersten Elektrode 401, etc. zu unterdrücken.
  • Die 10 bis 19 zeigen Variationen und andere Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung. Es ist anzumerken, dass in diesen Figuren Komponenten, die identisch oder ähnlich sind zu jenen der oben beschriebenen Ausführungsform, mit den gleichen Bezugszeichen versehen sind wie jene in der oben beschriebenen Ausführungsform. Darüber hinaus können die Konfigurationen von Abschnitten der Variationen und der Ausführungsformen in Kombination verwendet werden.
  • Die 10 bis 12 zeigen eine erste Variation des Halbleiterbauteils A1. Ein Halbleiterbauteil A11 dieser Variation unterscheidet sich von der oben beschriebenen Ausführungsform hinsichtlich der Konfiguration der ersten Elektrode 401.
  • Die erste Elektrode 401 dieser Ausführungsform beinhaltet nicht den Vertiefungsabschnitt 405 des Halbleiterbauteils A1. Die erste Elektrode 401 ist so konfiguriert, dass sie eine flache Oberfläche hat.
  • Auch bei dieser Ausführungsform ist es möglich, die Energie zu erhöhen, die durch aktives Klemmen absorbiert werden kann. Wie es sich aus dieser Ausführungsform verstehen lässt, gibt es hinsichtlich der speziellen Konfiguration der ersten Elektrode 401 bei der vorliegenden Offenbarung keine besondere Einschränkung.
  • 13 ist eine Draufsicht, die relevante Abschnitte einer zweiten Variation des Halbleiterbauteils A1 zeigt. Ein Halbleiterbauteil A12 dieser Variation unterscheidet sich von den oben beschriebenen Beispielen hauptsächlich hinsichtlich der Konfiguration der ersten Drähte 51.
  • Bei dieser Variation unterscheidet sich die Anordnung der Bond-Abschnitte 511 der Vielzahl von ersten Drähten 51 von der Anordnung der Vielzahl von Bond-Abschnitten 511 bei den oben beschriebenen Beispielen. Die Vielzahl von Bond-Abschnitten 511 sind auf eine verteilte Art und Weise an verschiedenen Positionen auf der ersten Elektrode 401 angeordnet. Das heißt, nicht alle Bond-Abschnitte 511 sind entlang des äußeren Rands der ersten Elektrode 401 angeordnet. Einige der Vielzahl von Bond-Abschnitten 511 sind entlang des äußeren Rands der ersten Elektrode 401 angeordnet.
  • Auch bei dieser Variation erstreckt sich der erste Abschnitt 514 von jedem der ersten Drähte 51 ausgehend von dem Bond-Abschnitt 511, der auf der ersten Elektrode 401 angeordnet ist, hin zu der Außenseite der ersten Elektrode 401. Der erste Abschnitt 514 steht in einer Richtung orthogonal zu der z-Richtung gegenüber dem Bedeckungsabschnitt 7 vor.
  • Auch bei dieser Ausführungsform ist es möglich, die Energie zu erhöhen, die durch aktives Klemmen absorbiert werden kann. Wie es sich aus dieser Ausführungsform verstehen lässt, gibt es hinsichtlich der Anordnung der Vielzahl von Bond-Abschnitten 511 bei der vorliegenden Offenbarung keine besondere Einschränkung. Auch bei dieser Variation erstreckt sich jeder der ersten Abschnitte 514 hin zu der Außenseite der ersten Elektrode 401 und steht in einer Richtung orthogonal zu der z-Richtung gegenüber dem Bedeckungsabschnitt 7 vor. Es ist folglich möglich, eine Behinderung der oben beschriebenen Düse Nz durch die ersten Drähte 51 zu unterdrücken, und es ist möglich, den Bedeckungsabschnitt 7 in einer ausgedehnteren Region auszubilden.
  • 14 ist eine Draufsicht, die relevante Abschnitte einer dritten Variation des Halbleiterbauteils A1 zeigt. Ein Halbleiterbauteil A13 dieser Variation unterscheidet sich von den oben beschriebenen Beispielen hinsichtlich der Beziehung zwischen dem ersten Draht 51 und dem Bedeckungsabschnitt 7.
  • Bei dieser Variation bedeckt der Bedeckungsabschnitt 7 nicht einen Abschnitt auf der oberen Seite in der z-Richtung in der Figur (auf einer Seite gegenüberliegend dem Halbleiterelement 4) des ersten Abschnittes 514. Der Bedeckungsabschnitt 7 steht jedoch in Kontakt mit dem ersten Abschnitt 514. Der Bedeckungsabschnitt 7 bedeckt den Bond-Abschnitt 511. Die Höhe H0 des Bedeckungsabschnittes 7 ist größer als die Höhe H1 des ersten Abschnittes 514.
  • Auch bei dieser Ausführungsform ist es möglich, die Energie zu erhöhen, die durch aktives Klemmen absorbiert werden kann. Wie es sich aus dieser Ausführungsform verstehen lässt, gibt es hinsichtlich der Beziehung zwischen dem Bedeckungsabschnitt 7 und dem ersten Abschnitt 514 keine besondere Einschränkung. Der Bond-Abschnitt 511 kann auch partiell gegenüber dem Bedeckungsabschnitt 7 freigelegt sein.
  • Die 15 und 16 zeigen ein Halbleiterbauteil gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. Ein Halbleiterbauteil A2 dieser Ausführungsform unterscheidet sich von der oben beschriebenen Ausführungsform hinsichtlich der speziellen Konfiguration des ersten Drahts 51.
  • Jeder der ersten Drähte 51 dieser Ausführungsform beinhaltet den Bond-Abschnitt 511, den Bond-Abschnitt 512, den Schlaufenabschnitt 513 und den ersten Abschnitt 514.
  • Der Bond-Abschnitt 511 ist an die erste Elektrode 401 gefügt und hat eine Form ähnlich jenem des Bond-Abschnittes 511 der oben beschriebenen Ausführungsform (siehe 8, 12, 14, etc.). Der Bond-Abschnitt 511 (16) dieser Ausführungsform ist jedoch nicht integral mit dem ersten Abschnitt 514 gekoppelt bzw. verbunden (d.h., der Bond-Abschnitt 511 und der erste Abschnitt 514 sind nicht insgesamt in einem einzelnen Element enthalten). Der Bond-Abschnitt 511 ist ein Abschnitt, der durch eine Metallmasse gebildet ist. Eine derartige Metallmasse kann bspw. unter Verwendung des Verfahrens zum Bilden des oben erwähnten ersten Bond-Abschnittes unter Verwendung eines Kapillarrohrs ausgebildet werden. Genauer gesagt, wird das führende bzw. vordere Ende eines Drahtmaterials, das sich aus dem Kapillarrohr heraus erstreckt, aufgeschmolzen, und dieser aufgeschmolzene Abschnitt wird an der ersten Elektrode 401 angebracht. Anschließend wird ein Abschnitt zwischen diesem angebrachten Abschnitt (ein Abschnitt entsprechend der Metallmasse) und dem Drahtmaterial geschnitten bzw. getrennt, und folglich wird der Bond-Abschnitt 511 erhalten.
  • Wie es in 15 gezeigt ist, wird der Bond-Abschnitt 512 dieser Ausführungsform auch als ein erster Bond-Abschnitt bezeichnet. Der Bond-Abschnitt 512 ist bspw. ein Abschnitt, der einem Draht-Bond-Prozess unterzogen wird, und zwar nachdem der oben beschriebene Bond-Abschnitt 511 ausgebildet ist.
  • Der erste Abschnitt 514 ist ein Abschnitt, der sich von der Außenseite der ersten Elektrode 401 hin zu der Innenseite der ersten Elektrode 401 erstreckt, und zwar bei einer Betrachtung in der x-Richtung (alternativ kann auch in Betracht gezogen werden, dass der erste Abschnitt 514 sich von dem Inneren der ersten Elektrode 401 hin zu der Außenseite der ersten Elektrode erstreckt). Bei dieser Ausführungsform wird der Bond-Abschnitt 512, der als der erste Bond-Abschnitt dient, ausgebildet, und anschließend wird das Drahtmaterial an den Bond-Abschnitt 511 gefügt. Das heißt, der erste Abschnitt 514 und der Bond-Abschnitt 512 bzw. 511 werden unter Verwendung eines Verfahrens aneinandergefügt, das ähnlich ist zu dem Verfahren zum Ausbilden des oben erwähnten zweiten Bond-Abschnittes. Demgemäß wird der erste Abschnitt 514 an den Bond-Abschnitt 511 gefügt, der als ein separates Element ausgebildet ist.
  • Auch bei dieser Ausführungsform ist die Höhe H1 des Bedeckungsabschnittes 7 größer als die Höhe H0 des ersten Abschnittes 514. Der Bedeckungsabschnitt 7 bedeckt einen Abschnitt auf der in der Figur oberen Seite in der z-Richtung (auf einer Seite gegenüberliegend dem Halbleiterelement 4) des ersten Abschnittes 514. Der erste Abschnitt 514 steht in einer Richtung orthogonal zu der z-Richtung gegenüber dem Bedeckungsabschnitt 7 vor. Es ist anzumerken, dass es hinsichtlich der speziellen Konfiguration des Bedeckungsabschnittes 7 keine besondere Einschränkung gibt, solange der Bedeckungsabschnitt 7 sich in Kontakt befindet mit dem ersten Abschnitt 514.
  • Der Schlaufenabschnitt 513 ist mit dem Bond-Abschnitt 512 und dem ersten Abschnitt 514 gekoppelt bzw. verbunden. Der erste Abschnitt 514 hat eine gekrümmte Form.
  • Auch bei dieser Ausführungsform ist es möglich, die Energie zu erhöhen, die durch aktives Klemmen absorbiert werden kann. Wie es sich aus dieser Ausführungsform verstehen lässt, gibt es hinsichtlich der speziellen Konfiguration des ersten Drahts 51 keine besondere Einschränkung. Bei dieser Ausführungsform ist zwischen dem ersten Abschnitt 514 und dem Bond-Abschnitt 511 kein scharf gekrümmter Abschnitt angeordnet. Dies ermöglicht es, die Festigkeit des ersten Drahts 51 zu verbessern. Der erste Abschnitt 514, der unter Verwendung des Verfahrens zum Ausbilden des oben genannten zweiten Bond-Abschnittes ausgebildet wird, ist geeignet zum Reduzieren der Höhe in der z-Richtung gegenüber ersten Elektrode 401. Dies ermöglicht es, eine Behinderung zwischen den ersten Drähten 51 und der oben beschriebenen Düse Nz zu unterdrücken.
  • Die 17 und 18 zeigen eine erste Variation des Halbleiterbauteils A2. Ein Halbleiterbauteil A21 dieser Variation beinhaltet eine Vielzahl von Metallmassen 6. Jeder der ersten Drähte 51 hat eine Struktur ähnlich zu jener des ersten Drahtes 51 bei dem oben beschriebenen Halbleiterbauteil A2.
  • Jede der Vielzahl von Metallmassen 6 enthält ein Metall und ist an die erste Elektrode 401 gefügt. Hinsichtlich der speziellen Konfiguration der Metallmasse 6 gibt es keine besondere Einschränkung. Bei dieser Ausführungsform wird die Metallmasse 6 unter Verwendung des gleichen Verfahrens wie das Verfahren zum Ausbilden des Bond-Abschnittes 511 des ersten Drahts 51 (oben beschrieben) ausgebildet, und hat die gleiche Konfiguration wie jene des Bond-Abschnittes 511. Die Metallmasse 6 dieser Ausführungsform enthält Cu. Die Anzahl der Metallmassen 6 ist nicht besonders eingeschränkt und kann eins betragen.
  • Hinsichtlich der Anordnung der Vielzahl von Metallmassen 6 gibt es keine besondere Einschränkung. Bei dem in den Figuren gezeigten Beispiel sind die Vielzahl von Metallmassen 6 an einer Position benachbart zu dem Bond-Abschnitt 511, an einer Position zwischen den Bond-Abschnitten 511, und dergleichen angeordnet. Der Bedeckungsabschnitt 7 bedeckt die Vielzahl von Metallmassen 6.
  • Bei einem Verfahren zum Herstellen des Halbleiterbauteils A21 werden die Vielzahl von Metallmassen ausgebildet, indem die erste Elektrode 401 einer Verarbeitung zur Ausbildung eines ersten Bond-Abschnittes unterzogen wird. Anschließend werden aus diesen Metallmassen optional ausgewählte Metallmassen einer Verarbeitung zum Ausbilden eines zweiten Bond-Abschnittes unterzogen. Folglich dienen die Metallmassen, die der Verarbeitung zur Ausbildung eines zweiten Bond-Abschnittes unterzogen werden, als die Bond-Abschnitte 511 der ersten Drähte 51, und die anderen Metallmassen dienen als die Metallmassen 6.
  • Auch bei dieser Ausführungsform ist es möglich, die Energie zu erhöhen, die durch aktives Klemmen absorbiert werden kann. Die Metallmassen 6 haben eine höhere Wärmeleitfähigkeit als das Versiegelungsharz 8. Es ist folglich möglich, die Energie weiter zu erhöhen, die durch aktives Klemmen absorbiert werden kann.
  • In dem Fall, bei dem die erste Elektrode 401 Al enthält und der Bedeckungsabschnitt 7 gesintertes Ag enthält, kann die Fügefestigkeit zwischen der ersten Elektrode 401 und dem Bedeckungsabschnitt 7 möglicherweise nicht hinreichend sein. In dem Fall jedoch, bei dem die Metallmassen 6 Cu enthalten, sind sowohl die Fügefestigkeit zwischen der ersten Elektrode 401 und der Metallmasse 6 als auch die Fügefestigkeit zwischen der Metallmasse 6 und dem Bedeckungsabschnitt 7 höher als die Fügefestigkeit zwischen der ersten Elektrode 401 und dem Bedeckungsabschnitt 7. Es ist folglich möglich, eine Abtrennung des Bedeckungsabschnittes 7 von der ersten Elektrode 401, etc. zu unterdrücken.
  • 19 zeigt ein Halbleiterbauteil gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. Ein Halbleiterbauteil A3 dieser Ausführungsform unterscheidet sich von den oben beschriebenen Ausführungsformen hinsichtlich der Konfigurationen der ersten Drähte 51 und der ersten Elektrode 401.
  • Bei dieser Ausführungsform ist der erste Abschnitt 514 direkt an die erste Elektrode 401 gefügt. Das heißt, der erste Abschnitt 514 ist ausgebildet, indem die Verarbeitung zur Ausbildung eines zweiten Bond-Abschnittes an der ersten Elektrode 401 in einem Verfahren zum Herstellen des Halbleiterbauteils A3 direkt durchgeführt wird. Es ist anzumerken, dass es zu diesem Zeitpunkt bevorzugt ist, die Bond-Verarbeitung unter Bedingungen durchzuführen, bei denen eine Beschädigung des Halbleiterelementes 4 vermieden werden kann.
  • Auch bei dieser Ausführungsform ist es möglich, die Energie zu erhöhen, die durch aktives Klemmen absorbiert werden kann. Es ist auch möglich, die Höhe H1 des ersten Abschnittes 514 weiter zu reduzieren, und zwar weil der erste Abschnitt 514 direkt an die erste Elektrode 401 gefügt wird. Dies ist bevorzugt zur Unterdrückung einer Behinderung zwischen den ersten Drähten 51 und der Düse Nz.
  • Das Halbleiterbauteil gemäß der vorliegenden Offenbarung ist nicht auf die oben beschriebenen Ausführungsformen eingeschränkt. Verschiedene Modifikationen hinsichtlich der Konstruktion bzw. des Designs können in der speziellen Struktur von jedem Teil des Halbleiterbauteils gemäß der vorliegenden Offenbarung frei vorgenommen werden. Die vorliegende Offenbarung beinhaltet Ausführungsformen, die in den nachstehenden Klauseln beschrieben sind.
  • Klausel 1.
  • Halbleiterbauteil mit:
    • einem Halbleiterelement, das einen Elementkörper beinhaltet, der einen Halbleiter enthält, und eine erste Elektrode beinhaltet, die an dem Elementkörper angeordnet ist;
    • einem ersten Draht, der an die erste Elektrode gefügt ist;
    • einem Versiegelungsharz, das das Halbleiterelement und den ersten Draht bedeckt; und
    • einem Bedeckungsabschnitt, der zwischen der ersten Elektrode und dem Versiegelungsharz angeordnet ist,
    • wobei der erste Draht einen ersten Abschnitt aufweist, der sich bei einer Betrachtung in einer Dickenrichtung des Halbleiterelements von einer Innenseite der ersten Elektrode hin zu einer Außenseite der ersten Elektrode erstreckt,
    • wobei der Bedeckungsabschnitt ein Material enthält, das eine höhere Wärmeleitfähigkeit hat als das Versiegelungsharz, und
    • wobei der Bedeckungsabschnitt sich in Kontakt befindet mit dem ersten Abschnitt des ersten Drahts.
  • Klausel 2.
  • Halbleiterbauteil nach Klausel 1, wobei, in der Dickenrichtung gesehen, eine Distanz von der ersten Elektrode zu einem von der ersten Elektrode am weitesten entfernten Abschnitt des Bedeckungsabschnittes größer ist als eine Distanz von der ersten Elektrode zu einem von der ersten Elektrode am weitesten entfernten Abschnitt des ersten Abschnittes.
  • Klausel 3.
  • Halbleiterbauteil nach Klausel 2, wobei der Bedeckungsabschnitt wenigstens einen Teil des ersten Abschnittes ausgehend von einer Seite gegenüberliegend dem Halbleiterelement bedeckt, und zwar in der Dickenrichtung gesehen.
  • Klausel 4.
  • Halbleiterbauteil nach einer beliebigen der Klauseln 1 bis 3, wobei der erste Draht einen zweiten Abschnitt aufweist, der mit dem ersten Abschnitt gekoppelt („linked“) ist, und zwar auf einer Seite gegenüberliegend der ersten Elektrode, und der auf einer Seite entfernt von dem Halbleiterelement in der Dickenrichtung aufrecht nach oben hochsteht.
  • Klausel 5.
  • Halbleiterbauteil nach einer beliebigen der Klauseln 1 bis 4, wobei der erste Draht einen Bond-Abschnitt aufweist, der an die erste Elektrode gefügt ist, und
    wobei der erste Abschnitt einstückig mit dem Bond-Abschnitt gekoppelt ist.
  • Klausel 6.
  • Halbleiterbauteil nach einer beliebigen der Klauseln 1 bis 4, wobei der erste Draht einen Bond-Abschnitt aufweist, der an die erste Elektrode gefügt ist, und
    wobei der erste Abschnitt an den Bond-Abschnitt gefügt ist.
  • Klausel 7.
  • Halbleiterbauteil nach einer beliebigen der Klauseln 1 bis 4, wobei der erste Abschnitt an die erste Elektrode gefügt ist.
  • Klausel 8.
  • Halbleiterbauteil nach einer beliebigen der Klauseln 1 bis 7, wobei der Bedeckungsabschnitt ein Metall enthält.
  • Klausel 9.
  • Halbleiterbauteil nach Klausel 8, wobei der Bedeckungsabschnitt Ag oder Cu enthält.
  • Klausel 10.
  • Halbleiterbauteil nach Klausel 9, wobei der Bedeckungsabschnitt gesintertes Ag oder gesintertes Cu enthält.
  • Klausel 11.
  • Halbleiterbauteil nach einer beliebigen der Klauseln 8 bis 10, wobei die erste Elektrode Al enthält.
  • Klausel 12.
  • Halbleiterbauteil nach Klausel 11, wobei der erste Draht Cu enthält.
  • Klausel 13.
  • Halbleiterbauteil nach einer beliebigen der Klauseln 1 bis 12, wobei die erste Elektrode einen Vertiefungsabschnitt aufweist, der in Kontakt mit dem Bedeckungsabschnitt steht.
  • Klausel 14.
  • Halbleiterbauteil nach Klausel 13, wobei die erste Elektrode eine erste Schicht aufweist, und
    wobei der Vertiefungsabschnitt durch Ausbilden einer Vertiefung an einem Abschnitt bzw. durch Zurückversetzen eines Abschnittes der ersten Schicht gebildet ist.
  • Klausel 15.
  • Halbleiterbauteil nach Klausel 13, wobei die erste Elektrode eine erste Schicht aufweist, und eine zweite Schicht, die zwischen dem Elementkörper und der ersten Schicht angeordnet ist und die in Kontakt steht mit der ersten Schicht, und
    wobei der Vertiefungsabschnitt durch einen Schlitz ausgebildet ist, der in der ersten Schicht gebildet ist, und wobei die zweite Schicht von dem Schlitz freigelegt ist.
  • Klausel 16.
  • Halbleiterbauteil nach einer beliebigen der Klauseln 13 bis 15, wobei der Vertiefungsabschnitt einen äußeren Umfangsabschnitt aufweist, der sich entlang eines äußeren Rands der ersten Elektrode erstreckt.
  • Klausel 17.
  • Halbleiterbauteil nach Klausel 16, wobei der Vertiefungsabschnitt einen inneren Abschnitt aufweist, der innerhalb des äußeren Umfangsabschnittes angeordnet ist.
  • Bezugszeichen
  • A1, A11, A12, A13, A2, A21, A3: Halbleiterbauteil
    1: Erster Anschluss 2: Zweiter Anschluss 3: Dritter Anschluss 4: Halbleiterelement 6: Metallmasse 7: Bedeckungsabschnitt 8: Versiegelungsharz 11: Die-Pad-Abschnitt 12: Erstreckungsabschnitt
    21: Pad-Abschnitt 22: Terminal-Abschnitt 31: Pad-Abschnitt 32: Terminal-Abschnitt 40: Elementkörper 40a: Elementvorderfläche 40b: Elementrückfläche 48: Steuereinheit 51: Erster Draht 52: Zweiter Draht 70: Materialpaste 81: Harzvorderfläche 82: Harzrückfläche 83: Erste Harzseitenfläche 84: Zweite Harzseitenfläche
    111: Die-Pad-Vorderfläche 112: Die-Pad-Rückfläche 401: First Elektrode 402: Zweite Elektrode 403: Dritte Elektrode 405: Vertiefungsabschnitt 408: Funktionale Schicht 511, 512: Bond-Abschnitt 513: Schlaufenabschnitt 514: Erster Abschnitt 515: Zweiter Abschnitt 521, 522: Bond-Abschnitt 523: Schlaufenabschnitt 4011: Erste Schicht 4051: Äußerer Umfangsabschnitt 4052: Innerer Abschnitt
    H0, H1: Höhe Nz: Mundstück bzw. Düse
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  • Zitierte Patentliteratur
    • JP 2019212930 A [0003]

Claims (17)

  1. Halbleiterbauteil mit: einem Halbleiterelement, das einen Elementkörper beinhaltet, der einen Halbleiter enthält, und eine erste Elektrode beinhaltet, die an dem Elementkörper angeordnet ist; einem ersten Draht, der an die erste Elektrode gefügt ist; einem Versiegelungsharz, das das Halbleiterelement und den ersten Draht bedeckt; und einem Bedeckungsabschnitt, der zwischen der ersten Elektrode und dem Versiegelungsharz angeordnet ist, wobei der erste Draht einen ersten Abschnitt aufweist, der sich bei einer Betrachtung in einer Dickenrichtung des Halbleiterelements von einer Innenseite der ersten Elektrode hin zu einer Außenseite der ersten Elektrode erstreckt, wobei der Bedeckungsabschnitt ein Material enthält, das eine höhere Wärmeleitfähigkeit hat als das Versiegelungsharz, und wobei der Bedeckungsabschnitt sich in Kontakt befindet mit dem ersten Abschnitt des ersten Drahts.
  2. Halbleiterbauteil nach Anspruch 1, wobei, in der Dickenrichtung gesehen, eine Distanz von der ersten Elektrode zu einem von der ersten Elektrode am weitesten entfernten Abschnitt des Bedeckungsabschnittes größer ist als eine Distanz von der ersten Elektrode zu einem von der ersten Elektrode am weitesten entfernten Abschnitt des ersten Abschnittes.
  3. Halbleiterbauteil nach Anspruch 2, wobei der Bedeckungsabschnitt wenigstens einen Teil des ersten Abschnittes ausgehend von einer Seite gegenüberliegend dem Halbleiterelement bedeckt, und zwar in der Dickenrichtung gesehen
  4. Halbleiterbauteil nach einem beliebigen der Ansprüche 1 bis 3, wobei der erste Draht einen zweiten Abschnitt aufweist, der mit dem ersten Abschnitt gekoppelt ist, und zwar auf einer Seite gegenüberliegend der ersten Elektrode, und der auf einer Seite entfernt von dem Halbleiterelement in der Dickenrichtung aufrecht nach oben hochsteht.
  5. Halbleiterbauteil nach einem beliebigen der Ansprüche 1 bis 4, wobei der erste Draht einen Bond-Abschnitt aufweist, der an die erste Elektrode gefügt ist, und wobei der erste Abschnitt einstückig mit dem Bond-Abschnitt gekoppelt ist.
  6. Halbleiterbauteil nach einem beliebigen der Ansprüche 1 bis 4, wobei der erste Draht einen Bond-Abschnitt aufweist, der an die erste Elektrode gefügt ist, und wobei der erste Abschnitt an den Bond-Abschnitt gefügt ist.
  7. Halbleiterbauteil nach einem beliebigen der Ansprüche 1 bis 4, wobei der erste Abschnitt an die erste Elektrode gefügt ist.
  8. Halbleiterbauteil nach einem beliebigen der Ansprüche 1 bis 7, wobei der Bedeckungsabschnitt ein Metall enthält.
  9. Halbleiterbauteil nach Anspruch 8, wobei der Bedeckungsabschnitt Ag oder Cu enthält.
  10. Halbleiterbauteil nach Anspruch 9, wobei der Bedeckungsabschnitt gesintertes Ag oder gesintertes Cu enthält.
  11. Halbleiterbauteil nach einem beliebigen der Ansprüche 8 bis 10, wobei die erste Elektrode Al enthält.
  12. Halbleiterbauteil nach Anspruch 11, wobei der erste Draht Cu enthält.
  13. Halbleiterbauteil nach einem beliebigen der Ansprüche 1 bis 12, wobei die erste Elektrode einen Vertiefungsabschnitt aufweist, der in Kontakt mit dem Bedeckungsabschnitt steht.
  14. Halbleiterbauteil nach Anspruch 13, wobei die erste Elektrode eine erste Schicht aufweist, und wobei der Vertiefungsabschnitt durch Ausbilden einer Vertiefung an einem Abschnitt der ersten Schicht gebildet ist.
  15. Halbleiterbauteil nach Anspruch 13, wobei die erste Elektrode eine erste Schicht und eine zweite Schicht aufweist, die zwischen dem Elementkörper und der ersten Schicht angeordnet ist und die in Kontakt steht mit der ersten Schicht, und wobei der Vertiefungsabschnitt durch einen Schlitz ausgebildet ist, der in der ersten Schicht gebildet ist, und wobei die zweite Schicht von dem Schlitz freigelegt ist.
  16. Halbleiterbauteil nach einem beliebigen der Ansprüche 13 bis 15, wobei der Vertiefungsabschnitt einen äußeren Umfangsabschnitt aufweist, der sich entlang eines äußeren Rands der ersten Elektrode erstreckt.
  17. Halbleiterbauteil nach Anspruch 16, wobei der Vertiefungsabschnitt einen inneren Abschnitt aufweist, der innerhalb des äußeren Umfangsabschnittes angeordnet ist.
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