DE112021004328T5

DE112021004328T5 - Anzeigesubstrat, verfahren zu seiner herstellung und anzeigegerät

Info

Publication number: DE112021004328T5
Application number: DE112021004328.5T
Authority: DE
Inventors: Hao Luo; Bo Wu; Dongmei Wei; Yin DENG; Zhengdong Zhang; Yao Li
Original assignee: BOE Technology Group Co Ltd; Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd
Current assignee: BOE Technology Group Co Ltd; Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date: 2020-12-18
Filing date: 2021-10-28
Publication date: 2023-06-01
Also published as: WO2022127396A9; WO2022127396A1; US20230123019A1

Abstract

Ein Anzeigesubstrat, ein Herstellungsverfahren dafür und ein Anzeigegerät. Das Herstellungsverfahren für das Anzeigesubstrat umfasst: Bereitstellen eines Basissubstrats (01, 100) und Ausbilden von Pixeln auf dem Basissubstrat, wobei das Ausbilden von Pixeln umfasst: Ausbilden einer ersten Hilfselektrode (022, 300) auf dem Basissubstrat (01, 100); Ausbilden einer ersten Zwischenschicht-Isolierschicht (03, 900) auf einer von dem Basissubstrat (01, 100) abgewandten Seite der ersten Hilfselektrode (022, 300); sequentielles Ausbilden eines zweiten leitenden Films (40) und einer ersten Fotolackschicht (20), Belichten der ersten Fotolackschicht (20) mit einer Maskenplatte (10), die die Bereiche unterschiedlicher Lichtdurchlässigkeit aufweist, und Ausbilden einer Source-Elektrode (051a, 501a) und einer Drain-Elektrode (051b, 501b) eines Dünnfilmtransistors und einer zweiten Hilfselektrode (052, 400) durch Steuern der Belichtungszeit auf der Grundlage von Anforderungen für ein Betriebsfrequenzband der Pixel; Ausbilden einer zweiten Zwischenschicht-Isolierschicht (06, 1000); und Ausbilden einer Pixelelektrode (07, 200).

Description

Die vorliegende Offenbarung bezieht sich auf das Gebiet der Anzeigetechnik und insbesondere auf ein Anzeigesubstrat, ein Herstellungsverfahren dafür und ein Anzeigegerät.
Ein elektronisches Papier ist ein neuartiges Anzeigegerät und wird hauptsächlich in elektronischen Etiketten, Werbetafeln, elektronischen Lesegeräten und anderen Geräten verwendet. Das elektronische Papier hat einen Anzeigeeffekt, der dem von natürlichem Papier nahekommt, und kann die visuelle Ermüdung beim Lesen verringern.
Im verwandten Stand der Technik kann das elektronische Papier im Allgemeinen umfassen: ein Anzeigesubstrat und eine Deckplatte, die einander gegenüberliegend angeordnet sind, und eine Elektrophorese-Schicht zwischen dem Anzeigesubstrat und der Deckplatte. Das Anzeigesubstrat hat eine Vielzahl von Pixeln, die in einem Array angeordnet sind, und jedes Pixel kann umfassen: eine Pixelelektrode und eine von der Pixelelektrode isolierte Hilfselektrode. Die Pixelelektrode und die Hilfselektrode können während der Anzeige einen Speicherkondensator bilden, um die Stabilität einer an der Pixelelektrode anliegenden Spannung aufrechtzuerhalten.
Da jedoch die Pixel pro Zoll (Pixels Per Inch, PPI) im Anzeigesubstrat kontinuierlich zunehmen, nimmt die Größe jeder Pixelelektrode im Anzeigesubstrat kontinuierlich ab, was zu einer Verringerung der Überlappungsfläche zwischen der Pixelelektrode und der Hilfselektrode und somit zu einer Verringerung der Kapazität des zwischen der Pixelelektrode und der Hilfselektrode gebildeten Speicherkondensators führt. Daher ist die Stabilität der Spannung, die auf die Pixelelektrode geladen wird, beeinträchtigt, und das elektronische Papier, das unter Verwendung des Anzeigesubstrats hergestellt wird, weist einen schlechten Anzeigeeffekt auf.
Die vorliegende Erfindung ist auf mindestens eines der technischen Probleme des Standes der Technik gerichtet und stellt ein Anzeigesubstrat, ein Verfahren zur Herstellung desselben und ein Anzeigegerät bereit.
Eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung stellt ein Verfahren zur Herstellung eines Anzeigesubstrats mit einer Vielzahl von Pixeln bereit, wobei das Verfahren umfasst:

Bereitstellen eines Basissubstrats und Ausbilden der Pixel auf dem Basissubstrat; wobei das Ausbilden der Pixel umfasst:
- Ausbilden eines ersten leitenden Films auf dem Basissubstrat und Strukturieren des ersten leitenden Films, um eine Gate-Elektrode eines Dünnfilmtransistors und eine erste Hilfselektrode auszubilden;
- Ausbilden einer ersten Zwischenschicht-Isolierschicht auf einer vom Basissubstrat abgewandten Seite der ersten Hilfselektrode;
- sequentielles Ausbilden eines zweiten leitenden Films und einer ersten Fotolackschicht auf einer von dem Basissubstrat abgewandten Seite der ersten Zwischenschicht-Isolierschicht, Belichten der ersten Fotolackschicht für eine vorgegebene Zeit mit einer Maskenplatte, die die Bereiche unterschiedlicher Lichtdurchlässigkeit aufweist, um eine Source-Elektrode und eine Drain-Elektrode des Dünnfilmtransistors und eine zweite Hilfselektrode auszubilden; wobei orthographische Projektionen der ersten Hilfselektrode und der zweiten Hilfselektrode auf dem Basissubstrat einander überlappen, um einen ersten Speicherkondensator auszubilden;
- Ausbilden einer zweiten Zwischenschicht-Isolierschicht auf einer dem Basissubstrat abgewandten Seite einer Schicht, in der sich die zweite Hilfselektrode befindet;
- Strukturieren der ersten Zwischenschicht-Isolierschicht und der zweiten Zwischenschicht-Isolierschicht, um ein erstes Durchgangsloch, das die erste Zwischenschicht-Isolierschicht und die zweite Zwischenschicht-Isolierschicht durchdringt, und ein zweites Durchgangsloch, das die zweite Zwischenschicht-Isolierschicht durchdringt, auszubilden, wobei die Source-Elektrode und die Drain-Elektrode des Dünnfilmtransistors durch das erste Durchgangsloch freigelegt sind und die erste Hilfselektrode durch das zweite Durchgangsloch freigelegt ist; und
- Ausbilden einer Pixelelektrode auf einer von dem Basissubstrat abgewandten Seite der zweiten Zwischenschicht-Isolierschicht; wobei die Pixelelektrode mit der Drain-Elektrode des Dünnfilmtransistors über das zweite Durchgangsloch verbunden ist, der h die zweite Zwischenschicht-Isolierschicht durchdringt; und die Pixelelektrode elektrisch mit der ersten Hilfselektrode über das ersten Durchgangsloch verbunden ist, das die erste Zwischenschicht-Isolierschicht und die zweite Zwischenschicht-Isolierschicht durchdringt, und die orthographische Projektion der ersten Hilfselektrode auf dem Basissubstrat und eine orthographische Projektion der Pixelelektrode auf dem Basissubstrat einander zumindest teilweise überlappen, um einen zweiten Speicherkondensator auszubilden.

Erhalten des ersten Speicherkondensators und des zweiten Speicherkondensators gemäß einer Anforderung für ein Betriebsfrequenzband der Anzeigetafel, um eine Fläche der orthographischen Projektion der zweiten Hilfselektrode auf dem Basissubstrat zu erhalten;
Steuern der Lichtaustrittsmenge der mehreren teiltransparenten Bereiche durch Steuern der Belichtungszeit, um die Größe eines Retentionsbereichs des Fotolacks der ersten Fotolackschicht zu steuern; und
Entfernen des Fotolacks in einem Nicht-Retentionsbereich des Fotolacks von der ersten Fotolackschicht und Ausbilden der Source-Elektrode und der Drain-Elektrode des Dünnfilmtransistors und der zweiten Hilfselektrode durch Ätzen.

Sequentielles Ausbilden des zweiten leitenden Films und der ersten Fotolackschicht auf einer vom Basissubstrat abgewandten Seite der ersten Zwischenschicht-Isolierschicht,
Belichten der ersten Fotolackschicht mit der Maskenplatte, die die Bereiche unterschiedlicher Lichtdurchlässigkeit aufweist, und Steuern der Belichtungszeit auf T1, sodass ein Bereich, in dem eine orthografische Projektion der ersten Fotolackschicht auf dem Basissubstrat eine orthografische Projektion des vollständig transparenten Bereichs auf dem Basissubstrat überlappt, der Nicht-Retentionsbereich des Fotolacks ist, und der Restbereich der Retentionsbereich des Fotolacks ist;
Entfernen des Fotolacks in dem Nicht-Retentionsbereich des Fotolacks von der ersten Fotolackschicht; und
Ätzen des zweiten leitenden Films, um die Source-Elektrode und die Drain-Elektrode des Dünnfilmtransistors und die zweite Hilfselektrode auszubilden, und Entfernen des verbleibenden Fotolacks; wobei eine Länge jeder der Source- und Drain-Elektroden des Dünnfilmtransistors ein erster Abstand L1 ist; eine Fläche der zweiten Hilfselektrode eine erste Fläche S1 ist;
wobei das Betriebsfrequenzband der Pixel ein zweites vorgegebenes Frequenzband sein soll, sequentielles Ausbilden eines zweiten leitenden Films und einer ersten Fotolackschicht auf einer von dem Basissubstrat abgewandten Seite der ersten Zwischenschicht-Isolierschicht, das Belichten der ersten Fotolackschicht mit einer Maskenplatte, die die Bereiche unterschiedlicher Lichtdurchlässigkeit aufweist, und das Steuern der Belichtungszeit auf der Grundlage von Anforderungen an das Betriebsfrequenzband der Pixel, um eine Source-Elektrode und eine Drain-Elektrode des Dünnfilmtransistors und eine zweite Hilfselektrode auszubilden, umfasst:
- Sequentielles Ausbilden des zweiten leitenden Films und der ersten Fotolackschicht auf einer vom Basissubstrat abgewandten Seite der ersten Zwischenschicht-Isolierschicht,
- Belichten der ersten Fotolackschicht mit der Maskenplatte, die die Bereiche unterschiedlicher Lichtdurchlässigkeit aufweist, und Steuern der Belichtungszeit auf T2, sodass ein Bereich, in dem eine orthografische Projektion der ersten Fotolackschicht auf dem Basissubstrat orthografische Projektionen des vollständig transparenten Bereichs und des ersten teiltransparenten Bereichs auf dem Basissubstrat überlappt, der Nicht-Retentionsbereich des Fotolacks ist, und der Restbereich der Retentionsbereich des Fotolacks ist;
- Entfernen des Fotolacks in dem Nicht-Retentionsbereich des Fotolacks von der ersten Fotolackschicht; und
- Ätzen des zweiten leitenden Films, um die Source-Elektrode und die Drain-Elektrode des Dünnfilmtransistors und die zweite Hilfselektrode auszubilden, und Entfernen des verbleibenden Fotolacks; wobei eine Länge jeder der Source- und Drain-Elektroden des Dünnfilmtransistors ein zweiter Abstand L2 ist; eine Fläche der zweiten Hilfselektrode eine zweite Fläche S2 ist; und
- wobei das Betriebsfrequenzband der Pixel ein drittes vorgegebenes Frequenzband sein soll, sequentielles Ausbilden eines zweiten leitenden Films und einer ersten Fotolackschicht auf einer von dem Basissubstrat abgewandten Seite der ersten Zwischenschicht-Isolierschicht, das Belichten der ersten Fotolackschicht mit einer Maskenplatte, die die Bereiche unterschiedlicher Lichtdurchlässigkeit aufweist, und das Steuern der Belichtungszeit auf der Grundlage der Anforderungen für das Betriebsfrequenzband der Pixel, um eine Source-Elektrode und eine Drain-Elektrode des Dünnfilmtransistors und eine zweite Hilfselektrode auszubilden, umfasst:
  - Sequentielles Ausbilden des zweiten leitenden Films und der ersten Fotolackschicht auf einer vom Basissubstrat abgewandten Seite der ersten Zwischenschicht-Isolierschicht,
  - Belichten der ersten Fotolackschicht mit der Maskenplatte, die die Bereiche unterschiedlicher Lichtdurchlässigkeit aufweist, und Steuern der Belichtungszeit auf T3, sodass ein Bereich, in dem eine orthografische Projektion der ersten Fotolackschicht auf dem Basissubstrat orthografische Projektionen des vollständig transparenten Bereichs, des ersten teiltransparenten Bereichs und des zweiten teiltransparenten Bereichs auf dem Basissubstrat überlappt, der Nicht-Retentionsbereich des Fotolacks ist, und der Restbereich der Retentionsbereich des Fotolacks ist;
  - Entfernen des Fotolacks in dem Nicht-Retentionsbereich des Fotolacks von der ersten Fotolackschicht; und
  - Ätzen des zweiten leitenden Films, um die Source-Elektrode und die Drain-Elektrode des Dünnfilmtransistors und die zweite Hilfselektrode auszubilden, und Entfernen des verbleibenden Fotolacks; wobei eine Länge jeder der Source- und Drain-Elektroden des Dünnfilmtransistors ein dritter Abstand L3 ist; eine Fläche der zweiten Hilfselektrode eine dritte Fläche S3 ist;
  - wobei der Maximalwert des ersten vorgegebenen Frequenzbandes kleiner ist als der Minimalwert des zweiten vorgegebenen Frequenzbandes, und der Maximalwert des zweiten vorgegebenen Frequenzbandes kleiner ist als der Minimalwert des dritten vorgegebenen Frequenzbandes; T1 < T2 < T3; L3 < L2 < L1; S3 < S2 < S1.
  - wobei die Gate-Elektrode des Dünnfilmtransistors ausgebildet wird, während die erste Hilfselektrode auf dem Basissubstrat ausgebildet wird.
  - wobei die zweiten Hilfselektroden von Pixeln in derselben Spalte mit derselben Hilfselektrodenleitung verbunden sind, die so konfiguriert ist, dass an die ein gemeinsames Spannungssignal angelegt wird
  - Sequentielles Ausbilden eines zweiten leitenden Films und einer ersten Fotolackschicht auf einer vom Basissubstrat abgewandten Seite der ersten Zwischenschicht-Isolierschicht, Belichten der ersten Fotolackschicht mit einer Maskenplatte, die die Bereiche unterschiedlicher Lichtdurchlässigkeit aufweist, und Steuern der Belichtungszeit auf der Grundlage von Anforderungen an das Betriebsfrequenzband der Pixel, um eine Source-Elektrode und eine Drain-Elektrode des Dünnfilmtransistors und eine zweite Hilfselektrode auszubilden, davor ferner umfassend:
    - Ausbilden einer aktiven Schicht des Dünnfilmtransistors auf der vom Basissubstrat abgewandten Seite der ersten Zwischenschicht-Isolierschicht.
    - Sequentielles Ausbilden eines zweiten leitenden Films und einer ersten Fotolackschicht auf einer vom Basissubstrat abgewandten Seite der ersten Zwischenschicht-Isolierschicht, Belichten der ersten Fotolackschicht mit einer Maskenplatte, die die Bereiche unterschiedlicher Lichtdurchlässigkeit aufweist, und Steuern der Belichtungszeit auf der Grundlage von Anforderungen an das Betriebsfrequenzband der Pixel, um eine Source-Elektrode und eine Drain-Elektrode des Dünnfilmtransistors und eine zweite Hilfselektrode auszubilden, zugleich ferner umfassend:
    - Ausbilden einer Datenleitung und einer Hilfselektrodenleitung, wobei die Datenleitung elektrisch mit der Source-Elektrode des Dünnfilmtransistors verbunden ist; und die Hilfselektrodenleitung mit der zweiten Hilfselektrode verbunden ist.
    - wobei eine Erstreckungsrichtung der Datenleitung parallel oder im Wesentlichen parallel zu derjenigen der Hilfselektrodenleitung ist.
    - wobei das Pixel zwei in Reihe geschaltete Dünnfilmtransistoren umfasst.
    - Eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung stellt ein Anzeigesubstrat mit einer Vielzahl von Pixeln bereit, wobei in mindestens einem der Vielzahl von Pixeln das Anzeigesubstrat umfasst:
      - ein Basissubstrat;
      - einen Dünnfilmtransistor auf dem Basissubstrat, der eine Gate-Elektrode, eine Source-Elektrode und eine Drain-Elektrode aufweist;
      - eine erste Hilfselektrode, eine zweite Hilfselektrode und eine Pixelelektrode, die aufeinanderfolgend auf dem Basissubstrat angeordnet sind, wobei orthographische Projektionen der ersten Hilfselektrode, der zweiten Hilfselektrode und der Pixelelektrode auf dem Basissubstrat einander zumindest teilweise überlappen;
      - eine erste Zwischenschicht-Isolierschicht zwischen einer Schicht, in der sich die erste Hilfselektrode befindet, und einer Schicht, in der sich die zweite Hilfselektrode befindet, sodass die erste Hilfselektrode von der zweiten Hilfselektrode isoliert ist; und
      - eine zweite Zwischenschicht-Isolierschicht zwischen der Schicht, in der sich die zweite Hilfselektrode befindet, und einer Schicht, in der sich die Pixelelektrode befindet, sodass die erste Hilfselektrode von der Pixelelektrode isoliert ist; wobei
      - die Source-Elektrode und die Drain-Elektrode des Dünnfilmtransistors und die zweite Hilfselektrode sind in derselben Schicht angeordnet und bestehen aus demselben Material; die Pixelelektrode ist mit der Drain-Elektrode des Dünnfilmtransistors über ein erstes Durchgangsloch verbunden, das die zweite Zwischenschicht-Isolierschicht durchdringt, und die Pixelelektrode ist mit der ersten Hilfselektrode über ein zweites Durchgangsloch elektrisch verbunden, das die erste Zwischenschicht-Isolierschicht und die zweite Zwischenschicht-Isolierschicht durchdringt.
      - wenn ein Betriebsfrequenzband der Pixel ein erstes vorgegebenes Frequenzband ist, ist eine Länge jeder der Source- und Drain-Elektroden des Dünnfilmtransistors ein erster Abstand L1; eine Fläche der zweiten Hilfselektrode ist eine erste Fläche S1;
      - wenn das Betriebsfrequenzband der Pixel ein zweites vorgegebenes Frequenzband ist, eine Länge jeder der Source- und Drain-Elektroden des Dünnfilmtransistors ein zweiter Abstand L2 ist; eine Fläche der zweiten Hilfselektrode eine zweite Fläche S2 ist; und
      - wenn das Betriebsfrequenzband der Pixel ein drittes vorgegebenes Frequenzband ist, eine Länge jeder der Source- und Drain-Elektroden des Dünnfilmtransistors ein erster Abstand L3 ist; eine Fläche der zweiten Hilfselektrode eine erste Fläche S3 ist; und
      - wobei der Maximalwert des ersten vorgegebenen Frequenzbandes kleiner ist als der Minimalwert des zweiten vorgegebenen Frequenzbandes, und der Maximalwert des zweiten vorgegebenen Frequenzbandes kleiner ist als der Minimalwert des dritten vorgegebenen Frequenzbandes; L3 < L2 < L1; S3 < S2 < S1.
      - wobei die zweiten Hilfselektroden von Pixeln in einer gleichen Spalte mit einer gleichen Hilfselektrodenleitung verbunden sind, die so konfiguriert ist, dass ein gemeinsames Spannungssignal angelegt wird.
      - wobei die erste Hilfselektrode und die Gate-Elektrode des Dünnfilmtransistors in derselben Schicht liegen und aus demselben Material bestehen.

Das Anzeigesubstrat umfasst ferner eine Datenleitung und eine Hilfselektrodenleitung, wobei die Datenleitung, die Hilfselektrodenleitung und die zweite Hilfselektrode in derselben Schicht liegen und aus demselben Material bestehen; die Datenleitung ist elektrisch mit der Source-Elektrode des Dünnfilmtransistors verbunden; und die Hilfselektrodenleitung ist mit der zweiten Hilfselektrode verbunden.
wobei eine Erstreckungsrichtung der Datenleitung parallel oder im Wesentlichen parallel zu derjenigen der Hilfselektrodenleitung ist
wobei das Pixel zwei in Reihe geschaltete Dünnfilmtransistoren umfasst.
Eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung stellt ein Anzeigegerät bereit, die eines der oben beschriebenen Anzeigesubstrate umfassen.
wobei das Anzeigegerät ein elektronisches Papieranzeigegerät ist und das elektronische Papieranzeigegerät ferner eine dem Anzeigesubstrat gegenüberliegende Deckplatte und eine Elektrophorese-Schicht zwischen dem Anzeigesubstrat und der Deckplatte umfasst.

1 ist ein schematisches Diagramm einer Struktur von Schichten in einem Pixel eines Anzeigesubstrats im relevanten Stand der Technik.
2 ist eine schematische Draufsicht auf das in 1 gezeigte Anzeigesubstrat.
3 ist ein schematisches Diagramm einer Struktur von Schichten in einem Pixel eines Anzeigesubstrats gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
4 ist eine schematische Draufsicht auf das in 3 gezeigte Anzeigesubstrat.
5 ist eine Draufsicht auf ein anderes Anzeigesubstrat gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
6 ist eine Querschnittsansicht des in 5 gezeigten Anzeigesubstrats bei D-D'.
7 ist eine Draufsicht auf ein anderes Anzeigesubstrat gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
8 ist eine Draufsicht auf ein anderes Anzeigesubstrat gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
9 ist eine Querschnittsansicht eines anderen Anzeigegerät gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
10 ist ein schematisches Diagramm einer Belichtung, die mit Maskenplatten mit unterschiedlichen Genauigkeiten durchgeführt wird, wobei ein Betriebsfrequenzband von Pixeln ein erstes vorgegebenes Frequenzband in einem Verfahren zur Herstellung eines Anzeigesubstrats gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ist.
11 ist ein schematisches Diagramm einer Belichtung, die mit Maskenplatten mit unterschiedlichen Genauigkeiten durchgeführt wird, wobei ein Betriebsfrequenzband von Pixeln ein zweites vorgegebenes Frequenzband in einem Verfahren zur Herstellung eines Anzeigesubstrats gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ist.
12 ist ein schematisches Diagramm einer Belichtung, die mit Maskenplatten mit unterschiedlichen Genauigkeiten durchgeführt wird, wobei ein Betriebsfrequenzband von Pixeln ein drittes vorgegebenes Frequenzband in einem Verfahren zur Herstellung eines Anzeigesubstrats gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ist.

Damit ein Fachmann die technischen Lösungen der vorliegenden Offenbarung besser verstehen kann, wird die vorliegende Erfindung unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen und die detaillierte Beschreibung näher beschrieben.
Sofern nicht anders definiert, haben technische oder wissenschaftliche Begriffe, die hier verwendet werden, die übliche Bedeutung, wie sie von einem Fachmann auf dem Gebiet, zu dem die vorliegende Offenbarung gehört, verstanden wird. Die in der vorliegenden Offenbarung verwendeten Ausdrücke „erstens“, „zweitens“ und dergleichen sind nicht dazu bestimmt, irgendeine Reihenfolge, Menge oder Wichtigkeit anzugeben, sondern dienen vielmehr dazu, ein Element von einem anderen zu unterscheiden. Ferner bedeutet der hier verwendete Begriff „ein“, „der/die/das“ oder dergleichen keine Mengenbegrenzung, sondern bezeichnet das Vorhandensein mindestens eines Elements. Der Begriff „umfassend“, „einschließend“ oder ähnliches bedeutet, dass das Element oder der Gegenstand vor dem Begriff das Element oder den Gegenstand nach dem Begriff und sein Äquivalent umfasst, schließt aber andere Elemente oder Gegenstände nicht aus. Der Begriff „verbunden“, „gekoppelt“ o. ä. ist nicht auf physikalische oder mechanische Verbindungen beschränkt, sondern kann auch elektrische Verbindungen umfassen, unabhängig davon, ob es sich um direkte oder indirekte Verbindungen handelt. Die Begriffe „oben“, „unten“, „link“, „rechts“ usw. werden nur zur Angabe relativer Positionsbeziehungen verwendet, und wenn die absolute Position eines beschriebenen Objekts geändert wird, können auch die relativen Positionsbeziehungen entsprechend geändert werden.
Es sollte beachtet werden, dass ein Anzeigesubstrat, das in den Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird, für die Totalreflexion verwendet werden kann und in Produkten verwendet wird, die keine Hintergrundbeleuchtung benötigen, wie z. B. ein elektronisches Papier. Wenn das Anzeigesubstrat in Produkten verwendet wird, die keine Hintergrundbeleuchtung benötigen, können eine Pixelelektrode und eine gemeinsame Elektrode in dem Anzeigesubstrat aus undurchsichtigen Materialien hergestellt werden.
1 ist ein schematisches Diagramm einer Struktur von Schichten in einem Pixel eines Anzeigesubstrats im verwandten Stand der Technik. Bezugnehmend auf 1 kann ein Anzeigesubstrat in einem Pixel umfassen: ein Basissubstrat 01; ein erstes leitendes Muster 02, eine erste Zwischenschicht-Isolierschicht 03, eine aktive Schicht 04 eines Dünnfilmtransistors, ein zweites leitendes Muster 05, eine zweite Zwischenschicht-Isolierschicht 06 und eine Pixelelektrode 07, die auf dem Basissubstrat 01 vorgesehen und in einer Richtung weg vom Basissubstrat 01 gestapelt sind. Das erste leitende Muster kann eine Gate-Elektrode 021 des Dünnfilmtransistors und eine erste Hilfselektrode 022 umfassen. Das zweite leitende Muster 05 kann eine Source-Elektrode 051a und eine Drain-Elektrode 051b des Dünnfilmtransistors und eine zweite Hilfselektrode 052 umfassen. Die zweite Hilfselektrode 052 ist elektrisch mit der Drain-Elektrode 051b des Dünnfilmtransistors verbunden, und die zweite Hilfselektrode 052 ist elektrisch mit der Pixelelektrode 07 über ein Durchgangsloch in der zweiten Zwischenschichtisolierschicht 06 verbunden.
Bezugnehmend auf 2 ist 2 eine schematische Draufsicht auf das in 1 dargestellte Anzeigesubstrat. In dem Anzeigesubstrat gibt es einen Überlappungsbereich A zwischen einer orthografischen Projektion der ersten Hilfselektrode 022 auf dem Basissubstrat 01 und einer orthografischen Projektion der zweiten Hilfselektrode 052 auf dem Basissubstrat 01.
Die zweite Hilfselektrode 052 ist mit der Pixelelektrode 07 durch das Durchgangsloch in der zweiten Zwischenschicht-Isolierschicht 06 verbunden, sodass die zweite Hilfselektrode 052 mit der gleichen Spannung wie die Pixelelektrode 07 beaufschlagt wird und die Spannung eine Pixelspannung ist, wenn ein mit dem Anzeigesubstrat hergestelltes elektronisches Papier zur Anzeige verwendet wird. Das heißt, die zweite Hilfselektrode 052 entspricht der Pixelelektrode. Auf diese Weise können die erste Hilfselektrode 022 und die zweite Hilfselektrode 052 einen Speicherkondensator Cst' bilden, um die Stabilität der an die Pixelelektrode 07 angelegten Spannung aufrechtzuerhalten, wenn das unter Verwendung des Anzeigesubstrats hergestellte elektronische Papier zur Anzeige verwendet wird. Je größer die Kapazität des Speicherkondensators Cst' ist, desto besser ist der Effekt der Aufrechterhaltung der Stabilität der an die Pixelelektrode 07 angelegten Spannung.
Da jedoch die Pixel pro Zoll (PPI) in dem Anzeigesubstrat kontinuierlich zunehmen, nimmt die Größe jedes Pixels in dem Anzeigesubstrat kontinuierlich ab, was zu einer Abnahme eines Überlappungsbereichs zwischen der ersten Hilfselektrode 022 und der zweiten Hilfselektrode 052 und somit zu einer Abnahme einer Kapazität des Speicherkondensators Cst' führt. Daher ist die Stabilität der an der Pixelelektrode angelegten Spannung beeinträchtigt, und das unter Verwendung des Anzeigesubstrats hergestellte elektronische Papier hat einen schlechten Anzeigeeffekt.
3 ist ein schematisches Diagramm einer Struktur von Schichten in einem Pixel eines Anzeigesubstrats gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. Das Anzeigesubstrat weist eine Vielzahl von Pixeln auf, die in einem Array angeordnet sind, und in einem Pixel umfasst das Anzeigesubstrat gemäß 3 ein Basissubstrat 100 und eine Pixelelektrode 200, eine erste Hilfselektrode 300 und eine zweite Hilfselektrode 400, die aufeinanderfolgend entlang einer Richtung weg von dem Basissubstrat 100 angeordnet sind. Das Anzeigesubstrat umfasst ferner: eine erste Zwischenschicht-Isolierschicht 900, die zwischen einer Schicht, in der sich die erste Hilfselektrode 300 befindet, und einer Schicht, in der sich die zweite Hilfselektrode 400 befindet, angeordnet ist, und eine zweite Zwischenschicht-Isolierschicht 1000, die zwischen der zweiten Hilfselektrode 400 und der Pixelelektrode 200 angeordnet ist. Die Pixelelektrode 200 ist elektrisch mit der ersten Hilfselektrode 300 über ein erstes Durchgangsloch verbunden, das sich durch die erste Zwischenschicht-Isolierschicht 900 und die zweite Zwischenschicht-Isolierschicht 1000 erstreckt.
Bezugnehmend auf 4 ist 4 eine schematische Draufsicht auf das in 3 dargestellte Anzeigesubstrat. Zwischen einer orthografischen Projektion der zweiten Hilfselektrode 400 auf dem Basissubstrat 100 und einer orthografischen Projektion der Pixelelektrode 200 auf dem Basissubstrat 100 besteht ein Überlappungsbereich B, und zwischen der orthografischen Projektion der zweiten Hilfselektrode 400 auf dem Basissubstrat 100 und einer orthografischen Projektion der ersten Hilfselektrode 300 auf dem Basissubstrat 100 besteht ein Überlappungsbereich C.
Die erste Hilfselektrode 300 ist mit der Pixelelektrode 200 verbunden, sodass an die erste Hilfselektrode 300 dieselbe Spannung angelegt wird wie an die Pixelelektrode 200, und die Spannung ist eine Pixelspannung, wenn das Anzeigesubstrat zur Anzeige verwendet wird. Das heißt, die erste Hilfselektrode 300 ist der Pixelelektrode 200 gleichwertig. Auf diese Weise können die erste Hilfselektrode 300 und die zweite Hilfselektrode 400 einen ersten Speicherkondensator Cst1 bilden, wenn das Anzeigesubstrat zur Anzeige verwendet wird, und die Pixelelektrode 200 und die zweite Hilfselektrode 400 können einen zweiten Speicherkondensator Cst2 ausbilden. Die zweite Hilfselektrode 400 ist zwischen der Pixelelektrode 200 und der ersten Hilfselektrode 300 angeordnet, sodass der erste Speicherkondensator Cst1, der durch die zweite Hilfselektrode 400 und die erste Hilfselektrode 300 ausgebildet wird, parallel zu dem zweiten Speicherkondensator Cst2 geschaltet ist, der durch die zweite Hilfselektrode 400 und die Pixelelektrode 200 ausgebildet wird. Eine Kapazität eines Gesamtspeicherkondensators in dem Anzeigesubstrat 000 ist eine Summe einer Kapazität des ersten Speicherkondensators Cst1 und einer Kapazität des zweiten Speicherkondensators Cst1, sodass die Kapazität des Gesamtspeicherkondensators in dem Anzeigesubstrat 000 größer ist.
Im verwandten Stand der Technik wird, wie in den 1 und 2 gezeigt, angenommen, dass der Überlappungsbereich A zwischen der orthographischen Projektion der ersten Hilfselektrode 022 auf dem Basissubstrat 01 und der orthographischen Projektion der zweiten Hilfselektrode 052 auf dem Basissubstrat 01 eine Fläche S aufweist. Die erste Zwischenschicht-Isolierschicht 03 zwischen der ersten Hilfselektrode 022 und der zweiten Hilfselektrode 052 kann eine Dicke von 4000 Angström haben. Das Material der ersten Zwischenschicht-Isolierschicht 03 kann Siliziumnitrid umfassen, das eine relative Dielektrizitätskonstante von 6,5 aufweist.
Dann kann die Kapazität Ci' des Speicherkondensators Cst' wie folgt berechnet werden: $C i' \approx \frac{8.854 \times 10^{- 18} \times 6.5}{4000} \times 10000 \times S = 1.44 \times 10^{- 16} \times S$
In der Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung, wie in den 3 und 4 gezeigt, wird angenommen, dass der Überlappungsbereich B zwischen der orthographischen Projektion der zweiten Hilfselektrode 400 auf dem Basissubstrat 100 und der orthographischen Projektion der Pixelelektrode 200 auf dem Basissubstrat 100 eine Fläche S hat, und der Überlappungsbereich C zwischen der orthographischen Projektion der zweiten Hilfselektrode 400 auf dem Basissubstrat 100 und der orthographischen Projektion der ersten Hilfselektrode 300 auf dem Basissubstrat 100 eine Fläche S aufweist. Die Dicke und das Material einer Isolierschicht zwischen der ersten Hilfselektrode 300 und der zweiten Hilfselektrode 400 sind die gleichen wie die der ersten Zwischenschichtisolierschicht 03 im verwandten Stand der Technik, sodass die Kapazität Cii des ersten Speicherkondensators Cst1 gleich der Kapazität Ci' des Speicherkondensators Cst' im verwandten Stand der Technik ist. Die Dicke der Isolierschicht zwischen der zweiten Hilfselektrode 400 und der Pixelelektrode 200 kann in einem Bereich von 2000 bis 6000 Angström liegen. Die Isolierschicht besteht aus demselben Material wie die erste Zwischenschichtisolierschicht 03 und weist eine relative Dielektrizitätskonstante von 6,5 auf.
Dann kann ein Mindestwert Ci_2,min der Kapazität des zweiten Speicherkondensators Cst2 berechnet werden: $C i_{2, m i n} \approx \frac{8.854 \times 10^{- 18} \times 6.5}{6000} \times 10000 \times S = 9.59 \times 10^{- 17} \times S$
Ein maximaler Wert Ci_2,max der Kapazität des zweiten Speicherkondensators Cst2 ist: $C i_{2, m a x} \approx \frac{8.854 \times 10^{- 18} \times 6.5}{2000} \times 10000 \times S = 2.87755 \times 10^{- 16} \times S$
Daher ist in der vorliegenden Anwendung ein Bereich der Kapazität Ci des gesamten Speicherkondensators in dem Anzeigesubstrat 000: $C i = C i_{1} + C i_{2} = 2.399 \times 10^{- 16} \times S \sim 4.21 \times 10^{- 16} \times S$
Wie aus dem Vorstehenden ersichtlich ist, kann die Kapazität Ci des gesamten Speicherkondensators in dem Anzeigesubstrat 000 in der Ausführungsform der vorliegenden Anwendung um 67 % bis 192 % verbessert werden im Vergleich zu der Kapazität Ci' des Speicherkondensators in dem Anzeigesubstrat 00 in dem verwandten Stand der Technik.
Zusammenfassend ist die erste Hilfselektrode 300 mit der Pixelelektrode 200 in dem Anzeigesubstrat in der Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung verbunden, sodass die erste Hilfselektrode 300 mit der gleichen Spannung wie die Pixelelektrode 200 beaufschlagt wird, und die Spannung eine Pixelspannung ist, wenn ein mit dem Anzeigesubstrat hergestelltes elektronisches Papier zur Anzeige verwendet wird. Das heißt, die erste Hilfselektrode 300 ist der Pixelelektrode 200 gleichwertig. Auf diese Weise können die erste Hilfselektrode 300 und die zweite Hilfselektrode 400 den ersten Speicherkondensator Cst1 ausbilden, und die Pixelelektrode 200 und die zweite Hilfselektrode 400 können den zweiten Speicherkondensator Cst2 ausbilden, wenn das elektronische Papier zur Anzeige verwendet wird. Der erste Speicherkondensator Cst1 ist mit dem zweiten Speicherkondensator Cst2 parallel geschaltet, und die Kapazität des gesamten Speicherkondensators in dem Anzeigesubstrat ist die Summe der Kapazität des ersten Speicherkondensators Cst1 und der Kapazität des zweiten Speicherkondensators Cst1. Im Vergleich zum verwandten Stand der Technik wird bei dem elektronischen Papier in der Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ohne Änderung des PPI des elektronischen Papiers die Kapazität des Speicherkondensators erhöht, die Stabilität der an der Pixelelektrode 200 geladenen Spannung verbessert und dadurch der Anzeigeeffekt des elektronischen Papiers verbessert.
In der Ausführungsform der vorliegenden Anmeldung, die sich auf 5 und 6 bezieht, ist 5 eine Draufsicht auf ein anderes Anzeigesubstrat gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. 6 ist eine Querschnittsansicht des in 5 gezeigten Anzeigesubstrats bei D-D'. Das Pixel des Anzeigesubstrats kann ferner einen Dünnfilmtransistor 500 (TFT) umfassen. Die Drain-Elektrode des Dünnfilmtransistors 500 ist elektrisch mit der Pixelelektrode 200 verbunden.
In einigen Beispielen können eine Source-Elektrode 501a und eine Drain-Elektrode 501b des Dünnfilmtransistors in derselben Schicht wie die zweite Hilfselektrode 400 angeordnet und aus demselben Material wie die zweite Hilfselektrode 400 bestehen. Das heißt, die Source- und Drain-Elektroden 501a und 501b des Dünnfilmtransistors und die zweite Hilfselektrode 400 können durch einen einzigen Strukturierungsprozess ausgebildet werden. Alternativ können die Source- und Drain-Elektroden 501 des Dünnfilmtransistors in derselben Schicht wie die erste Hilfselektrode 300 angeordnet sein. Das heißt, die Source- und Drain-Elektroden 501 des Dünnfilmtransistors und die erste Hilfselektrode 300 können durch einen einzigen Strukturierungsprozess ausgebildet werden. Daher kann der Herstellungsprozess für das Anzeigesubstrat vereinfacht werden, und die Herstellungsschwierigkeiten und die Herstellungskosten für das Anzeigesubstrat werden reduziert. Es ist zu beachten, dass in 5 schematisch dargestellt ist, dass die Source-Elektrode 501a und die Drain-Elektrode 501b des Dünnfilmtransistors und die zweite Hilfselektrode 400 in derselben Schicht angeordnet und aus demselben Material bestehen.
Ferner kann die zweite Hilfselektrode 400 als gemeinsame Elektrode im Pixel verwendet werden, sodass die Dicke der Schichten des Anzeigesubstrats reduziert werden kann, wodurch die Leichtigkeit und Dünnheit des Anzeigesubstrats realisiert wird. Insbesondere sind die zweiten Hilfselektroden 400, die sich in einer gleichen Spalte von Pixeln befinden, mit einer gleichen Hilfselektrodenleitung verbunden, die so konfiguriert ist, dass ein gemeinsames Spannungssignal angelegt wird.
In einigen Beispielen kann eine Gate-Elektrode 502 im Dünnfilmtransistor 500 in derselben Schicht wie die erste Hilfselektrode 300 angeordnet sein und aus demselben Material wie die erste Hilfselektrode 300 bestehen. Die Source- und Drain-Elektroden 501 im Dünnfilmtransistor 500 können in derselben Schicht wie die zweite Hilfselektrode 400 angeordnet sein und aus demselben Material wie die zweite Hilfselektrode 400 bestehen. In diesem Fall können die Gate-Elektrode 502 des Dünnfilmtransistors und die erste Hilfselektrode 300 durch ein einziges Strukturierungsverfahren ausgebildet werden, und die Source- und Drain-Elektroden 501 des Dünnfilmtransistors und der zweiten Hilfselektrode 400 können durch ein einziges Strukturierungsverfahren ausgebildet werden. Auf diese Weise kann der Herstellungsprozess des Anzeigesubstrats weiter vereinfacht werden, und die Herstellungsschwierigkeiten und die Herstellungskosten des Anzeigesubstrats 000 können weiter reduziert werden.
In einigen Beispielen überlappt eine aktive Schicht 503 des Dünnfilmtransistors die Source- und Drain-Elektroden 501. Die Source- und Drain-Elektroden 501 befinden sich auf einer vom Basissubstrat 100 abgewandten Seite der aktiven Schicht 503, und die Gate-Elektrode 502 befindet sich auf einer Seite der aktiven Schicht 503 nahe dem Basissubstrat 100. Das heißt, der Dünnfilmtransistor 500 ist ein Dünnfilmtransistor mit unterem Gate. In anderen möglichen Ausführungsformen kann der Dünnfilmtransistor 500 alternativ ein Dünnfilmtransistor mit oberem Gate sein, was in der vorliegenden Offenbarung nicht eingeschränkt wird.
In der offengelegten Ausführungsform, die sich auf 5 und 6 bezieht, weist das Anzeigesubstrat eine Vielzahl von Pixelbereichen 000a auf, die in einem Array angeordnet sind. Jeder Pixelbereich 000a ist mit zwei in Reihe geschaltete Dünnfilmtransistoren 500 versehen.
Jeder der beiden Dünnfilmtransistoren 500 kann eine Source-Elektrode 501a und eine Drain-Elektrode 501b umfassen. Die Drain-Elektrode 501b in einem Dünnfilmtransistor 500 ist elektrisch mit der Source-Elektrode 501a im anderen Dünnfilmtransistor 500 verbunden, sodass die beiden Dünnfilmtransistoren 500 in Reihe geschaltet sind. Auf diese Weise kann der Einfluss eines Leckstroms in den Dünnfilmtransistoren 500 auf die an die Pixelelektrode 200 angelegte Pixelspannung verringert werden. Alternativ kann auch nur ein Dünnfilmtransistor 500 in jedem Pixel umfassen sein.
Wie beispielsweise in 5 gezeigt, weist die aktive Schicht 503 in jedem Dünnfilmtransistor 500 einen länglichen Kanalbereich E auf. Es ist zu beachten, dass sich der Kanalbereich E des aktiven Schichtmusters 503 auf einen Bereich der aktiven Schicht 503 zwischen einem Bereich, in dem die aktive Schicht 503 die Source-Elektrode kontaktiert, und einem Bereich, in dem die aktive Schicht 503 die Drain-Elektrode kontaktiert, bezieht. Die Breite des Kanalbereichs E kann in einem Bereich von 20 bis 40 Mikrometern liegen. Auf diese Weise kann eine Anforderung an die Ladegeschwindigkeit des Anzeigesubstrats 000 erfüllt werden.
In der Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung variiert ein Betriebsfrequenzband der Pixel entsprechend verschiedenen Anwendungsszenarien verschiedener Produkte. Der erste Speicherkondensator Cst1, der zweite Speicherkondensator Cst2 und ein Verhältnis einer Breite zu einer Länge eines Kanals (ein Breite-zu-Länge-Verhältnis des Kanals oder ein Kanalbreite-zu-Länge-Verhältnis) des Dünnfilmtransistors 500 in dem Pixel variiert auch entsprechend einer Anforderung für das Betriebsfrequenzband der Pixel. Beispielsweise, wenn ein flexibles elektronisches Papier auf einer Anzeigetafel für den Außenbereich oder einem elektronischen Etikett angebracht wird, ist zur Verringerung des Stromverbrauchs eine niedrigere Betriebsfrequenz (10HZ bis 20HZ) erforderlich. Wenn das elektronische Papier auf einer Handschrift unterstützenden E-Book angebracht wird, ist eine höhere Betriebsfrequenz (≥120HZ) erforderlich, da die Handschrift ohne Verzögerung benötigt wird. Bei einem Produkt mit höherer Betriebsfrequenz sind aufgrund einer kürzeren Ladezeit ein kleinerer Speicherkondensator und ein entsprechend kleineres Kanalbreiten-Längen-Verhältnis des Dünnfilmtransistors 500 erforderlich. Bei einem Produkt mit niedrigerer Betriebsfrequenz sind ein größerer Speicherkondensator und ein entsprechend größeres Kanalbreiten-Längen-Verhältnis des Dünnfilmtransistors 500 erforderlich, um sicherzustellen, dass die elektrische Leckage beim Auffrischen eines nächsten Bildes die Anforderung erfüllt. Das Anzeigesubstrat in den Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung kann für ein Anzeigegerät wie ein reflektierendes Anzeigegerät und ein reflektierendes elektronisches Papier verwendet werden.
In einigen Beispielen, wie in 5 gezeigt, wenn ein Betriebsfrequenzband der Pixel ein erstes vorgegebenes Frequenzband ist, ist eine Länge von jeder der Source-Elektrode 501a und der Drain-Elektrode 501b des Dünnfilmtransistors in dem Pixel L1, und eine Fläche der zweiten Hilfselektrode 400 ist S1. Wie in 7 gezeigt, ist die Länge der Source-Elektrode 501a und der Drain-Elektrode 501b des Dünnfilmtransistors im Pixel L2 und die Fläche der zweiten Hilfselektrode 400 S2, wenn das Betriebsfrequenzband des Pixels ein zweites vorgegebenes Frequenzband ist. Wie in 8 gezeigt, beträgt die Länge der Source-Elektrode 501a und der Drain-Elektrode 501b des Dünnfilmtransistors im Pixel L3 und die Fläche der zweiten Hilfselektrode 400 S3, wobei das Betriebsfrequenzband der Pixel ein drittes vorgegebenes Frequenzband ist. Der maximale Wert des ersten vorgegebenen Frequenzbandes ist kleiner als der minimale Wert des zweiten vorgegebenen Frequenzbandes, und der maximale Wert des zweiten vorgegebenen Frequenzbandes ist kleiner als der minimale Wert des dritten vorgegebenen Frequenzbandes; L3<L2<L1; S3<S2<S1. Es ist zu beachten, dass die Länge der Source-Elektrode 501a und der Drain-Elektrode 501b des Dünnfilmtransistors eine Kanalbreite des Dünnfilmtransistors 500 ist, und je größer die Länge der Source-Elektrode 501a und der Drain-Elektrode 501b des Dünnfilmtransistors ist, desto größer ist das Verhältnis von Breite zu Länge des Kanals. Es sollte beachtet werden, dass zur Umsetzung des Designs des Kanalbreiten-Längen-Verhältnisses und des Speicherkondensators des Dünnfilmtransistors 500 in den Pixeln verschiedener Betriebsfrequenzbänder das folgende Verfahren zur Herstellung eines Anzeigesubstrats speziell beschrieben wird.
In einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung, wie in 5 gezeigt, kann das Anzeigesubstrat ferner eine Vielzahl von Gate-Leitungen 600, eine Vielzahl von Datenleitungen 700 und eine Vielzahl von Hilfselektrodenleitungen 800 umfassen. Die Erstreckungsrichtungen jeder Gate-Leitung 600 und jeder Datenleitung 700 überschneiden sich, z. B. senkrecht zueinander. Die Erstreckungsrichtungen jeder Hilfselektrodenleitung 800 und jeder Datenleitung 700 sind im Wesentlichen gleich oder identisch. In einigen Beispielen sind die Gate-Elektroden 502 der Dünnfilmtransistoren 500 in den Pixeln in derselben Zeile mit derselben Gate-Leitung 600 verbunden. Die Source-Elektroden 501a der Dünnfilmtransistoren 500 in den Pixeln in derselben Spalte sind mit derselben Datenleitung 700 verbunden. Die zweiten Hilfselektroden 400 in den Pixeln in derselben Spalte sind mit derselben Hilfselektrodenleitung 800 verbunden.
Die Gate-Leitungen 600, die Gate-Elektroden 502 der Dünnfilmtransistoren und die erste Hilfselektrode 300 sind beispielsweise in derselben Schicht angeordnet und bestehen aus demselben Material. Das heißt, die Gate-Leitungen 600, die Gate-Elektroden 502 und die erste Hilfselektrode 300 werden durch einen einzigen Strukturierungsprozess ausgebildet. Die Datenleitungen 700, die Hilfselektrodenleitungen 800, die Source- und Drain-Elektroden 501 und die zweite Hilfselektrode 400 sind in derselben Schicht angeordnet und bestehen aus demselben Material. Das heißt, die Datenleitungen 700, die Hilfselektrodenleitungen 800, die Source- und Drain-Elektroden 501 und die zweite Hilfselektrode 400 werden durch einen einzigen Strukturierungsprozess ausgebildet.
Die Erstreckungsrichtung jeder Gate-Leitung 600 schneidet sich mit der Erstreckungsrichtung jeder Datenleitung 700 und der Erstreckungsrichtung jeder Hilfselektrodenleitung 800. Die Gate-Leitungen 600 und die Datenleitungen 700, deren Erstreckungsrichtungen sich gegenseitig schneiden, können eine Vielzahl von Pixelbereichen 000a im Anzeigesubstrat 000 definieren. So können beispielsweise zwei beliebige benachbarte Gate-Leitungen 600 und zwei beliebige benachbarte Datenleitungen 700 einen Pixelbereich 000a umschließen.
In einigen Beispielen kann die Erstreckungsrichtung jeder Datenleitung 700 senkrecht zu der Erstreckungsrichtung jeder Gate-Leitung 600 und parallel zu der jeder Hilfselektrodenleitung 800 sein. Die Gate-Leitungen 600 und die Datenleitungen 700, deren Erstreckungsrichtungen senkrecht zueinander verlaufen, definieren die Vielzahl der Pixelbereiche 000a als Rechtecke im Anzeigesubstrat 000.
Außerdem ist die Breite jeder Datenleitung 700 kleiner als die jeder Hilfselektrodenleitung 800. Somit ist die Breite der Datenleitung 700 klein, und ein Überlappungsbereich der Datenleitung 700 und der Gate-Leitung 600 kann reduziert werden, sodass eine parasitäre Kapazität, die zwischen der Datenleitung 700 und der Gate-Leitung 600 erzeugt wird, reduziert wird, und der Einfluss der parasitären Kapazität auf den Anzeigeeffekt des elektronischen Papiers, auf dem sich das Anzeigesubstrat 000 befindet, reduziert wird. Da die an der Hilfselektrodenleitung 800 anliegende Spannung konstant ist, wenn das Anzeigegerät, auf dem sich das Anzeigesubstrat 000 befindet, angezeigt wird, sodass die zwischen der Hilfselektrodenleitung 800 und der Gate-Leitung 600 erzeugte parasitäre Kapazität den Anzeigeeffekt des elektronischen Papiers nicht beeinflusst. Die Breite der Hilfselektrodenleitung 800 kann größer sein, um die Festigkeit des elektronischen Papiers zu erhöhen und die Wahrscheinlichkeit einer Beschädigung des elektronischen Papiers im Gebrauch zu verringern.
In einigen Beispielen ist die Pixelelektrode 200 mit der ersten Hilfselektrode 300 über ein erstes Durchgangsloch verbunden, das sich durch die erste Zwischenschicht-Isolierschicht 900 und die zweite Zwischenschicht-Isolierschicht 100 erstreckt. Das erste Durchgangsloch umfasst ein erstes Subdurchgangsloch a und ein zweites Subdurchgangsloch b. Das erste Subdurchgangsloch a erstreckt sich durch die erste Zwischenschicht-Isolierschicht, das zweite Subdurchgangsloch b durchdringt die zweite Zwischenschicht-Isolierschicht, und die Pixelelektrode ist durch das erste Subdurchgangsloch a und das zweite Subdurchgangsloch b elektrisch mit der ersten Hilfselektrode 300 verbunden.
In der Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung befindet sich eine orthographische Projektion des ersten Durchgangs a auf dem Basissubstrat 100 innerhalb einer orthographischen Projektion des zweiten Durchgangs b auf dem Basissubstrat 100.
Optional weist die zweite Zwischenschicht-Isolierschicht in der vorliegenden Ausführungsform ein zweites Durchgangsloch auf, über das die Pixelelektrode 200 elektrisch mit der Drain-Elektrode des Dünnfilmtransistors 500 verbunden ist.
Es ist zu beachten, dass die erste Zwischenschicht-Isolierschicht 900 auch als Gate-Isolierschicht dienen kann, um die aktive Schicht 503 von der Gate-Elektrode 502 im Dünnfilmtransistor 500 zu isolieren.
In der Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung, wie in 5 gezeigt, befindet sich eine orthographische Projektion der zweiten Hilfselektrode 400 auf dem Basissubstrat 100 innerhalb einer orthographischen Projektion der ersten Hilfselektrode 300 auf dem Basissubstrat 100, und die orthographische Projektion der ersten Hilfselektrode 300 auf dem Basissubstrat 100 befindet sich innerhalb einer orthographischen Projektion der Pixelelektrode 200 auf dem Basissubstrat 100. Somit ist jeder der Bereiche des Überlappungsbereichs B zwischen der orthographischen Projektion der zweiten Hilfselektrode 400 auf dem Basissubstrat 100 und der orthographischen Projektion der Pixelelektrode 200 auf dem Basissubstrat 100 und des Überlappungsbereichs C zwischen der orthographischen Projektion der zweiten Hilfselektrode 400 auf dem Basissubstrat 100 und der orthographischen Projektion der ersten Hilfselektrode 300 auf dem Basissubstrat 100 ein Bereich der zweiten Hilfselektrode 400. Das heißt, die Überlappungsfläche B zwischen der orthografischen Projektion der zweiten Hilfselektrode 400 auf dem Basissubstrat 100 und der orthografischen Projektion der Pixelelektrode 200 auf dem Basissubstrat 100 und die Überlappungsfläche C zwischen der orthografischen Projektion der zweiten Hilfselektrode 400 auf dem Basissubstrat 100 und der orthografischen Projektion der ersten Hilfselektrode 300 auf dem Basissubstrat 100 fallen miteinander zusammen. Auf diese Weise kann die Kapazität Ci des gesamten Speicherkondensators im Anzeigesubstrat 000 durch Änderung der Fläche der zweiten Hilfselektrode 400 geändert werden. Je größer die Fläche der zweiten Hilfselektrode 400 ist, desto größer ist die Kapazität Ci des gesamten Speicherkondensators in dem Anzeigesubstrat 000. Umgekehrt ist die Kapazität Ci des gesamten Speicherkondensators im Anzeigesubstrat 000 umso geringer, je kleiner die Fläche der zweiten Hilfselektrode 400 ist.
Es sollte beachtet werden, dass die Kapazität Ci des Gesamtspeicherkondensators im Anzeigesubstrat 000 alternativ durch Änderung der Dicke der zweiten Isolierschicht 1000 geändert werden kann. Je größer die Dicke der zweiten Isolierschicht 1000 ist, desto kleiner ist die Kapazität Ci des gesamten Speicherkondensators im Anzeigesubstrat 000. Umgekehrt ist die Kapazität Ci des Gesamtspeicherkondensators im Anzeigesubstrat 000 umso größer, je geringer die Dicke der zweiten Isolierschicht 1000 ist.
Es sollte beachtet werden, dass es keinen überlappenden Bereich zwischen der orthographischen Projektion der ersten Hilfselektrode 300 auf dem Basissubstrat 100 und den orthographischen Projektionen der Source-Elektrode 501a und der Drain-Elektrode 501b des Dünnfilmtransistors auf dem Basissubstrat 100 gibt, sodass die Interferenz des elektrischen Feldes zwischen der ersten Hilfselektrode 300 und den Source- und Drain-Elektroden 501 vermieden werden kann.
In der Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung, die sich auf 9 bezieht, ist 9 ein schematisches Diagramm einer Struktur von Schichten eines Anzeigegerätes gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. Das Anzeigegerät ist ein elektronisches Papier und umfasst nicht nur das oben beschriebene Anzeigesubstrat, sondern auch eine Abdeckplatte 001, die gegenüber dem Anzeigesubstrat angeordnet ist, und eine Elektrophorese-Schicht 002, die zwischen dem Anzeigesubstrat und der Abdeckplatte 001 angeordnet ist.
Die Elektrophorese-Schicht 002 in dem elektronischen Papier kann eine Vielzahl von Elektrophorese-Kapseln 0021 umfassen. Jede Elektrophorese-Kapsel 0021 kann einen Kapselkörper und Elektrophorese-Fluid und geladene Teilchen in dem Kapselkörper umfassen. Die geladenen Teilchen können schwarze Teilchen, weiße Teilchen, farbige Teilchen oder dergleichen umfassen.
Wenn in dieser Anwendung eine Spannung an die Pixelelektrode 400 in dem Anzeigesubstrat 000 angelegt wird, wird eine Spannungsdifferenz zwischen der Pixelelektrode 400 und der gemeinsamen Elektrode (der zweiten Hilfselektrode 400) ausgebildet. Unter der Spannungsdifferenz bewegen sich die geladenen Teilchen in jeder Elektrophoresekapsel 0021 in der Elektrophoreseflüssigkeit, um die Anzeige des elektronischen Papiers zu realisieren.
Zusammenfassend lässt sich sagen, dass das elektronische Papier, das durch die Ausführungsform der vorliegenden Anwendung bereitgestellt wird, ein Anzeigesubstrat, eine Deckplatte 001 und eine Elektrophorese-Schicht 002 umfasst. Die erste Hilfselektrode 300 ist elektrisch mit der Pixelelektrode 200 in dem Anzeigesubstrat verbunden, sodass die erste Hilfselektrode 300 mit der gleichen Spannung wie die Pixelelektrode 200 beaufschlagt wird, und die Spannung ist eine Pixelspannung, wenn das elektronische Papier zur Anzeige verwendet wird. Das heißt, die erste Hilfselektrode 300 ist der Pixelelektrode 200 gleichwertig. Auf diese Weise können die erste Hilfselektrode 300 und die zweite Hilfselektrode 400 den ersten Speicherkondensator Cst1 ausbilden, und die Pixelelektrode 200 und die zweite Hilfselektrode 400 können den zweiten Speicherkondensator Cst2 ausbilden, wenn das elektronische Papier zur Anzeige verwendet wird. Der erste Speicherkondensator Cst1 ist mit dem zweiten Speicherkondensator Cst2 parallel geschaltet, und die Kapazität des gesamten Speicherkondensators in dem Anzeigesubstrat ist die Summe der Kapazität des ersten Speicherkondensators Cst1 und der Kapazität des zweiten Speicherkondensators Cst1. Im Vergleich zum verwandten Stand der Technik wird in dem elektronischen Papier in der Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ohne Änderung des PPI des elektronischen Papiers die Kapazität des Speicherkondensators erhöht, die Stabilität der auf die Pixelelektrode geladenen Spannung wird verbessert, wodurch der Anzeigeeffekt des elektronischen Papiers verbessert wird.
Das Verfahren zur Herstellung des Anzeigesubstrats, das durch die Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird, kann das Anzeigesubstrat in einer der 5, 7 und 8 ausbilden. Das Verfahren umfasst: Bereitstellen eines Basissubstrats und Ausbilden von Pixeln auf dem Substrat. Der Schritt der Ausbildung der Pixel umfasst:

Ausbilden einer ersten Hilfselektrode auf einem Basissubstrat;
Ausbilden einer ersten Zwischenschicht-Isolierschicht auf einer vom Basissubstrat abgewandten Seite der ersten Hilfselektrode;
sequentielles Ausbilden eines zweiten leitenden Films und einer ersten Fotolackschicht auf einer von dem Basissubstrat abgewandten Seite der ersten Zwischenschicht-Isolierschicht, Belichten der ersten Fotolackschicht mit einer Maskenplatte, die die Bereiche unterschiedlicher Lichtdurchlässigkeit aufweist, und Steuern der Belichtungszeit auf der Grundlage von Anforderungen an das Betriebsfrequenzband von Pixeln, um eine Source-Elektrode und eine Drain-Elektrode eines Dünnfilmtransistors und eine zweite Hilfselektrode auszubilden; wobei orthographische Projektionen der ersten Hilfselektrode und der zweiten Hilfselektrode auf dem Basissubstrat einander überlappen, um einen ersten Speicherkondensator auszubilden.
Ausbilden einer zweiten Zwischenschicht-Isolierschicht auf einer dem Basissubstrat abgewandten Seite einer Schicht, in der sich die zweite Hilfselektrode befindet.

Ausbilden einer Pixelelektrode auf einer von dem Basissubstrat abgewandten Seite der zweiten Zwischenschicht-Isolierschicht; wobei die Pixelelektrode mit der Drain-Elektrode des Dünnfilmtransistors über ein zweites Durchgangsloch verbunden ist, das die zweite Zwischenschicht-Isolierschicht durchdringt; die Pixelelektrode mit der ersten Hilfselektrode über ein erstes Durchgangsloch elektrisch verbunden ist, der die erste Zwischenschicht-Isolierschicht und die zweite Zwischenschicht-Isolierschicht durchdringt, und die orthographische Projektion der ersten Hilfselektrode auf dem Basissubstrat und eine orthographische Projektion der Pixelelektrode auf dem Basissubstrat einander zumindest teilweise überlappen, um einen zweiten Speicherkondensator auszubilden.
Gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung werden die Source-Elektrode und die Drain-Elektrode des Dünnfilmtransistors und die zweite Hilfselektrode in dem Pixel mit einer Maskenplatte ausgebildet, die die Bereiche mit unterschiedlichen Lichtdurchlässigkeiten aufweist, sodass die Größen der Source-Elektrode und der Drain-Elektrode des ausgebildeten Dünnfilmtransistors und der zweiten Hilfselektrode durch Steuern der Belichtungszeit entsprechend den Anforderungen an das Betriebsfrequenzband der Pixel für das Produkt, in dem das Anzeigesubstrat verwendet wird, gesteuert werden können, und ferner das Kanalbreiten-Längen-Verhältnis des Dünnfilmtransistors und die Kapazitätswerte des ersten Speicherkondensators und des zweiten Speicherkondensators gesteuert werden, um die Produktanforderungen zu erfüllen.
In einigen Beispielen kann die Maskenplatte mit Bereichen unterschiedlicher Lichtdurchlässigkeit, die in den Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung verwendet wird, eine Halbbelichtete Maskenplatte oder eine Graustufen-Maskenplatte sein, und die Typen der Maskenplatte sind in den Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung nicht beschränkt, solange die Maskenplatte drei oder mehr Bereiche mit unterschiedlichen Lichtdurchlässigkeiten aufweist.
Um das Verfahren zur Herstellung des Anzeigesubstrats gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zu verdeutlichen, wird in Verbindung mit dem Anzeigesubstrat einer der 5 bis 8 und wie in den 10 bis 12 gezeigt, ein beispielhaftes Verfahren zur Herstellung eines Anzeigesubstrats wie folgt bereitgestellt. Das Verfahren umfasst die folgenden Schritte:

S11, Ausbilden eines ersten leitenden Musters auf dem Basissubstrat 100.
In einigen Beispielen kann das Material des ersten leitenden Musters Molybdän (Mo), Titan (Ti), Kupfer (Cu), Aluminium (Al) oder ein Legierungsmaterial umfassen. Das erste leitende Muster kann Folgendes umfassen: die Gate-Elektrode 502 des Dünnfilmtransistors und die erste Hilfselektrode 300 in jedem Pixel sowie Gate-Leitungen 600. Die Gate-Elektroden 502 der Dünnfilmtransistoren in den Pixeln derselben Reihe sind mit derselben Gate-Leitung 600 verbunden.

In einigen Beispielen kann Schritt S 11 das Ausbilden eines ersten leitenden Films auf dem Basissubstrat 100 durch eines von mehreren Verfahren, wie Abscheidung, Beschichtung, Sputtern usw., und dann die Durchführung eines Strukturierungsprozesses auf dem ersten leitenden Film zum Ausbilden des ersten leitenden Musters, d. h. das Ausbilden der Gate-Elektrode 502 des Dünnfilmtransistors und der ersten Hilfselektrode 300 in jedem Pixel und der Gate-Leitungen 600 umfassen.
S12, Ausbilden einer ersten Zwischenschicht-Isolierschicht 900 auf dem ersten leitenden Muster und Ausbilden eines ersten Subdurchgangsloch a, der sich durch die erste Zwischenschicht-Isolierschicht erstreckt.
In einigen Beispielen dient die erste Zwischenschicht-Isolierschicht 900 als Gate-Isolierschicht, und ein Material der ersten Zwischenschicht-Isolierschicht 900 umfasst Siliziumdioxid, Siliziumnitrid oder ein Material mit hoher Dielektrizitätskonstante, aber nicht beschränkt darauf.
In einigen Beispielen kann der Schritt S12 Folgendes umfassen: das Ausbilden eines ersten isolierenden Films auf dem Basissubstrat 100, auf dem das erste leitende Muster ausgebildet wird, durch eines von mehreren Verfahren, wie Abscheidung, Beschichtung, Sputtern usw., und dann die Durchführung eines Musterbildungsprozesses auf dem ersten isolierenden Film, um die erste Zwischenschicht-Isolierschicht 900 mit dem ersten Subdurchgangsloch auszubilden.
S13, Ausbilden einer aktiven Schicht 503 des Dünnfilmtransistors in dem Pixel auf der ersten Zwischenschicht-Isolierschicht 900.
In einigen Beispielen kann das Material der aktiven Schicht Polysilizium, amorphes Silizium, ein Oxid-Halbleitermaterial oder ein anderes Halbleitermaterial sein, aber nicht darauf beschränkt.
In einigen Beispielen kann der Schritt S13 Folgendes umfassen: das Ausbilden eines aktiven Schichtfilms auf dem Basissubstrat 100, auf dem die erste Zwischenschicht-Isolierschicht 900 ausgebildet wird, durch eines von mehreren Verfahren, wie z. B. Abscheidung, Beschichtung, Sputtern usw., und dann die Durchführung eines Strukturierungsprozesses auf dem aktiven Schichtfilm zum Ausbilden der aktiven Schicht.
S14, Ausbilden eines zweiten leitenden Musters auf der aktiven Schicht mit einer Maskenplatte 10, die die Bereiche unterschiedlicher Lichtdurchlässigkeit aufweist, und Steuern der Belichtungszeit auf der Grundlage der Anforderungen an das Betriebsfrequenzband der Pixel.
In einigen Beispielen kann das Material des zweiten leitenden Musters Folgendes umfassen: Mo, Ti, Cu, Al oder ein Legierungsmaterial. Das zweite leitende Muster kann Folgendes umfassen: die Source-Elektrode 501a und die Drain-Elektrode 501b des Dünnfilmtransistors, die zweite Hilfselektrode 400, die Datenleitungen 700 und die Hilfselektrodenleitungen 800.
In einigen Beispielen dient die zweite Hilfselektrode 400 außerdem als gemeinsame Elektrode, die die Dicke der Schichten des Anzeigesubstrats reduzieren kann, wodurch die Leichtigkeit und Dünne des Produkts erreicht wird.
In einigen Beispielen umfasst die im Schritt S14 verwendete Maskenplatte 10 mit Bereichen unterschiedlicher Lichtdurchlässigkeit einen vollständig transparenten Bereich (100 % Lichtdurchlässigkeit), einen undurchsichtigen Bereich (0 % Lichtdurchlässigkeit) und eine Vielzahl von teiltransparenten Bereichen. Der Schritt S14 kann die folgenden Schritte umfassen:
S141, sequentielles Ausbilden eines zweiten leitenden Films 40 und einer ersten Fotolackschicht 20 auf einer vom Basissubstrat 100 abgewandten Seite der ersten Zwischenschicht-Isolierschicht 900.
S142, Belichten der ersten Fotolackschicht 20 mit der Maskenplatte 10, die die Bereiche unterschiedlicher Lichtdurchlässigkeit aufweist, und Steuern der Belichtungszeit auf der Grundlage von Anforderungen an das Betriebsfrequenzband von Pixeln, um die Lichtausgangsmenge der Vielzahl von teiltransparenten Bereichen zu steuern, um eine Größe eines Retentionsbereichs des Fotolacks der ersten Fotolackschicht 20 zu steuern.
S 143, Entfernen des Fotolacks in dem Nicht-Retentionsbereich des Fotolacks von der ersten Fotolackschicht 20 und Ausbilden des zweiten leitenden Musters durch Ätzen.
Der Schritt S14 wird weiter unten anhand eines Beispiels beschrieben, bei dem die Maskenplatte mit Bereichen unterschiedlicher Lichtdurchlässigkeit einen vollständig transparenten Bereich (100 % Lichtdurchlässigkeit), einen undurchsichtigen Bereich (0 % Lichtdurchlässigkeit), einen ersten teiltransparenten Bereich und einen zweiten teiltransparenten Bereich umfasst. Die Lichtdurchlässigkeit des ersten teiltransparenten Bereichs ist anders als die des zweiten teiltransparenten Bereichs. So beträgt beispielsweise die Lichtdurchlässigkeit des ersten teiltransparenten Bereichs 60 % und die Lichtdurchlässigkeit des zweiten teiltransparenten Bereichs 30 %. Mit einer solchen Maskenplatte können Pixel hergestellt werden, die die Anforderungen von drei verschiedenen Betriebsfrequenzbändern erfüllen. Bei den drei verschiedenen Betriebsfrequenzbändern handelt es sich um ein erstes vorgegebenes Frequenzband, ein zweites vorgegebenes Frequenzband bzw. ein drittes vorgegebenes Frequenzband. Das erste vorgegebene Frequenzband liegt beispielsweise in einem Bereich von 10 Hz bis 20 Hz; das zweite vorgegebene Frequenzband liegt in einem Bereich von 20 Hz bis 120 Hz; und das dritte vorgegebene Frequenzband liegt nicht unter 120 Hz.
Bezugnehmend auf 10 und 5, wenn das Betriebsfrequenzband der Pixel das erste vorgegebene Frequenzband sein soll, kann der Schritt S14 Folgendes umfassen: sequentielles Ausbilden des zweiten leitenden Films 40 und der ersten Fotolackschicht 10 auf einer vom Basissubstrat 100 abgewandten Seite der ersten Zwischenschicht-Isolierschicht 900, das Belichten der ersten Fotolackschicht mit der Maskenplatte 10, die die Bereiche mit unterschiedlichen Lichtdurchlässigkeiten aufweist und Steuern der Belichtungszeit auf T1, sodass ein Bereich, in dem eine orthografische Projektion der ersten Fotolackschicht 10 auf dem Basissubstrat 100 eine orthografische Projektion des vollständig transparenten Bereichs (100 % Lichtdurchlässigkeit) auf dem Basissubstrat 100 überlappt, der Nicht-Retentionsbereich des Fotolacks ist, und der Restbereich der Retentionsbereich des Fotolacks ist. Der Fotolack der ersten Fotolackschicht, die dem vollständig transparenten Bereich entspricht, wird modifiziert und durch Entwickeln entfernt; die zweite leitende Filmschicht 40 wird geätzt, um die Source-Elektrode 501a und die Drain-Elektrode 501b des Dünnfilmtransistors, die zweite Hilfselektrode 400, die Datenleitungen 700 und die Hilfselektrodenleitungen 800 auszubilden, und der verbleibende Fotolack 201a wird entfernt, d. h. das zweite leitende Muster wird ausgebildet. Eine Länge jeder der Source- und Drain-Elektroden des ausgebildeten Dünnfilmtransistors ist ein erster Abstand L1; eine Fläche der zweiten Hilfselektrode ist eine erste Fläche S1.
Bezugnehmend auf 7 und 11, wenn das Betriebsfrequenzband der Pixel das zweite vorgegebene Frequenzband sein soll, kann der Schritt S14 Folgendes umfassen:

sequentielles Ausbilden des zweiten leitenden Films 40 und der ersten Fotolackschicht 20 auf einer vom Basissubstrat 100 abgewandten Seite der ersten Zwischenschicht-Isolierschicht 900, Belichten der ersten Fotolackschicht mit der Maskenplatte 10, die die Bereiche mit unterschiedlichen Lichtdurchlässigkeiten aufweist, und Steuern der Belichtungszeit auf T2 (T2 > T1), sodass ein Bereich, in dem eine orthografische Projektion der ersten Fotolackschicht 20 auf dem Basissubstrat 100 orthografische Projektionen des vollständig transparenten Bereichs (100 % Lichtdurchlässigkeit) und des ersten teiltransparenten Bereichs (60 % Lichtdurchlässigkeit) auf dem Basissubstrat 100 überlappt, der Nicht-Retentionsbereich des Fotolacks ist, und der Restbereich der Retentionsbereich des Fotolacks ist. Der Fotolack der ersten Fotolackschicht 20, die dem vollständig transparenten Bereich (100 % Lichtdurchlässigkeit) und dem ersten teiltransparenten Bereich (60 % Lichtdurchlässigkeit) entspricht, wird modifiziert und durch Entwickeln entfernt. Die zweite leitende Filmschicht wird geätzt, um die Source-Elektrode 501a und die Drain-Elektrode 501b des Dünnfilmtransistors, die zweite Hilfselektrode 400, die Datenleitungen 700 und die Hilfselektrodenleitungen 800 auszubilden, und der verbleibende Fotolack 201b wird entfernt, das heißt, das zweite leitende Muster wird ausgebildet. Eine Länge jeder der Source- und Drain-Elektroden 501a und 501b des gebildeten Dünnfilmtransistors ist ein zweiter Abstand L2 (L2<L1); eine Fläche der zweiten Hilfselektrode 400 ist eine zweite Fläche S2 (S2< S1).

Bezugnehmend auf 8 und 12, wenn das Betriebsfrequenzband der Pixel das dritte vorgegebene Frequenzband sein soll, kann der Schritt S14 umfassen: sequentielles Ausbilden des zweiten leitenden Films 40 und der ersten Fotolackschicht 20 auf einer vom Basissubstrat 100 abgewandten Seite der ersten Zwischenschicht-Isolierschicht 900, Belichten der ersten Fotolackschicht 20 mit der Maskenplatte 10, die die Bereiche mit unterschiedlichen Lichtdurchlässigkeiten aufweist, und Steuern der Belichtungszeit auf T3 (T3 > T2), sodass ein Bereich, in dem eine orthografische Projektion der ersten Fotolackschicht 20 auf dem Basissubstrat 100 orthografische Projektionen des vollständig transparenten Bereichs (100 % Lichtdurchlässigkeit), des ersten teiltransparenten Bereichs (60 % Lichtdurchlässigkeit) und des zweiten teiltransparenten Bereichs (30 % Lichtdurchlässigkeit) auf dem Basissubstrat 100 überlappt, der Nicht-Retentionsbereich des Fotolacks ist, und der Restbereich der Retentionsbereich des Fotolacks ist. Der Fotolack der ersten Fotolackschicht 20, die dem vollständig transparenten Bereich (100 % Lichtdurchlässigkeit), dem ersten teiltransparenten Bereich (60 % Lichtdurchlässigkeit) und dem zweiten teiltransparenten Bereich (30 % Lichtdurchlässigkeit) entspricht, wird modifiziert und durch Entwickeln entfernt. Die zweite leitende Filmschicht wird geätzt, um die Source-Elektrode 501a und die Drain-Elektrode 501b des Dünnfilmtransistors, die zweite Hilfselektrode 400, die Datenleitungen 700 und die Hilfselektrodenleitungen 800 auszubilden, und der verbleibende Fotolack 201c wird entfernt, d.h. das zweite leitende Muster wird ausgebildet. Eine Länge jeder der Source- und Drain-Elektroden 501a und 501b des gebildeten Dünnfilmtransistors ist ein dritter Abstand L3 (L3 < L2); eine Fläche der zweiten Hilfselektrode 400 ist eine zweite Fläche S3 (S3 < S2).
Es ist zu beachten, dass das Verhältnis von Breite zu Länge des Kanals von der Länge der Source-Elektrode 501a und der Drain-Elektrode 501b des Dünnfilmtransistors abhängt, und je größer der Abstand (d.h. die Länge) ist, desto größer ist das Verhältnis von Breite zu Länge. Die Kapazität des ersten Speicherkondensators Cst1, der durch die zweite Hilfselektrode 400 und die erste Hilfselektrode 300 ausgebildet wird, und die Kapazität des zweiten Speicherkondensators Cst2, der durch die zweite Hilfselektrode 400 und die Pixelelektrode 200 ausgebildet wird, ist von der Fläche der zweiten Hilfselektrode 400 abhängig. Wenn das Betriebsfrequenzband der Pixel das erste vorgegebene Frequenzband sein soll, ist daher das Verhältnis von Breite zu Länge des Kanals des ausgebildeten Dünnfilmtransistors 500 am größten, und die Summe der Kapazität des ersten Speicherkondensators Cst1 und der Kapazität des zweiten Speicherkondensators Cst2 ist am größten. Ein solches Anzeigesubstrat kann in einem mit einer niedrigen Frequenz arbeitenden Produkt verwendet werden, wie z. B. eine Anzeigetafel für den Außenbereich, ein elektronisches Etikett usw., wodurch der Stromverbrauch effektiv reduziert werden kann. Wenn das Betriebsfrequenzband der Pixel das zweite vorgegebene Frequenzband sein soll, ist das Verhältnis von Breite zu Länge des Kanals des gebildeten Dünnfilmtransistors 500 moderat, und die Summe der Kapazität des ersten Speicherkondensators Cst1 und der Kapazität des zweiten Speicherkondensators Cst2 ist moderat. Ein solches Anzeigesubstrat kann in einem mit einer Zwischenfrequenz arbeitenden Produkt verwendet werden. Wenn das Betriebsfrequenzband der Pixel das dritte vorgegebene Frequenzband sein soll, ist das Verhältnis von Breite zu Länge des Kanals des ausgebildeten Dünnfilmtransistors 500 am geringsten, und die Summe der Kapazität des ersten Speicherkondensators Cst1 und der Kapazität des zweiten Speicherkondensators Cst2 ist am geringsten. Ein solches Anzeigesubstrat kann in einem mit einer hohen Frequenz arbeitenden Produkt verwendet werden, wie z. B. ein E-Book usw., wodurch die Anzeigeverzögerung effektiv vermieden werden kann.
S15, Ausbilden einer zweiten Zwischenschicht-Isolierschicht 1000 auf dem zweiten leitenden Muster und Ausbilden eines zweiten Durchgangslochs c und eines zweiten Subdurchgangslochs b, die die zweite Zwischenschicht-Isolierschicht 1000 durchdringt; wobei orthographische Projektionen des ersten Subdurchgangslochs a und des zweiten Subdurchgangslochs b auf dem Basissubstrat einander zumindest teilweise überlappen.
In einigen Beispielen kann ein Material der zweiten Zwischenschicht-Isolierschicht 1000 Siliziumdioxid, Siliziumnitrid, ein Material mit hoher Dielektrizitätskonstante oder ähnliches sein.
In einigen Beispielen kann der Schritt S15 Folgendes umfassen: das Ausbilden eines zweiten isolierenden Films auf dem Basissubstrat 100, auf dem das zweite leitenden Muster ausgebildet wird, durch eines von mehreren Verfahren, wie Abscheidung, Beschichtung, Sputtern usw., und dann die Durchführung eines Musterbildungsprozesses auf dem zweiten isolierenden Film, um die zweite Zwischenschicht-Isolierschicht 1000 auszubilden.
S16, Ausbilden einer Pixelelektrode 200 auf der zweiten Zwischenschicht-Isolierschicht 1000; wobei die Pixelelektrode 200 mit der ersten Hilfselektrode 300 durch die ersten und zweiten Durchgangslöcher a und b verbunden ist und mit der Drain-Elektrode 501b des Dünnfilmtransistors durch den zweiten Durchgang c verbunden ist.
In einigen Beispielen kann das Material der Pixelelektrode 200 Folgendes umfassen: ein transparentes leitendes Material wie Indiumzinnoxid (ITO) oder Indiumzinkoxid (IZO).
In einigen Beispielen kann der Schritt S16 Folgendes umfassen: das Ausbilden eines Pixelelektrodenfilms auf dem Basissubstrat 100 umfassen, auf dem die zweite Zwischenschicht-Isolierschicht 1000 ausgebildet wird, durch eines von mehreren Verfahren, wie z. B. Abscheidung, Beschichtung, Sputtern usw., und dann die Durchführung eines Musterungsprozesses auf dem Pixelelektrodenfilm, um die Pixelelektrode 200 auszubilden.
Es kann von einem Fachmann klar verstanden werden, dass das Funktionsprinzip und die Verbindungsbeziehung jeder oben beschriebenen Struktur in dem Anzeigesubstrat sich auf den entsprechenden Inhalt in der Ausführungsform der Struktur des Anzeigesubstrats beziehen kann und hier nicht noch einmal beschrieben wird, um die Beschreibung zu vereinfachen.
Es sollte verstanden werden, dass die obigen Ausführungsformen lediglich beispielhafte Ausführungsformen sind, um die Prinzipien der vorliegenden Offenbarung zu erklären, und die vorliegende Offenbarung ist nicht darauf beschränkt. Einem Fachmann wird klar sein, dass verschiedene Änderungen und Modifikationen vorgenommen werden können, ohne von Geist und Umfang der vorliegenden Offenbarung abzuweichen, und solche Änderungen und Modifikationen fallen ebenfalls in den Umfang der vorliegenden Offenbarung.

Claims

Verfahren zur Herstellung eines Anzeigesubstrats mit einer Vielzahl von Pixeln, wobei das Verfahren umfasst: Bereitstellung eines Basissubstrats; Ausbilden eines ersten leitenden Films auf dem Basissubstrat und Strukturieren des ersten leitenden Films, um eine Gate-Elektrode eines Dünnfilmtransistors und eine erste Hilfselektrode auszubilden; Ausbilden einer ersten Zwischenschicht-Isolierschicht auf einer vom Basissubstrat abgewandten Seite der ersten Hilfselektrode; sequentielles Ausbilden eines zweiten leitenden Films und einer ersten Fotolackschicht auf einer vom Basissubstrat abgewandten Seite der ersten Zwischenschicht-Isolierschicht, Belichten der ersten Fotolackschicht für eine vorgegebene Belichtungszeit mit einer Maskenplatte, die die Bereiche unterschiedlicher Lichtdurchlässigkeit aufweist, um eine Source-Elektrode und eine Drain-Elektrode des Dünnfilmtransistors und eine zweite Hilfselektrodenmuster auszubilden; wobei orthographische Projektionen der ersten Hilfselektrode und der zweiten Hilfselektrode auf dem Basissubstrat einander überlappen, um einen ersten Speicherkondensator auszubilden; Ausbilden einer zweiten Zwischenschicht-Isolierschicht auf einer dem Basissubstrat abgewandten Seite einer Schicht, in der sich die zweite Hilfselektrode befindet; Strukturieren der ersten Zwischenschicht-Isolierschicht und der zweiten Zwischenschicht-Isolierschicht, um ein erstes Durchgangsloch, das die erste Zwischenschicht-Isolierschicht und die zweite Zwischenschicht-Isolierschicht durchdringt, und ein zweites Durchgangsloch auszubilden, das die zweite Zwischenschicht-Isolierschicht durchdringt, wobei die Source-Elektrode und die Drain-Elektrode des Dünnfilmtransistors durch das erste Durchgangsloch freigelegt sind und die erste Hilfselektrode durch das zweite Durchgangsloch freigelegt ist; und Ausbilden einer Pixelelektrode auf einer vom Basissubstrat abgewandten Seite der zweiten Zwischenschicht-Isolierschicht; wobei die Pixelelektrode mit der Drain-Elektrode des Dünnfilmtransistors über das zweite Durchgangsloch verbunden ist; und die Pixelelektrode mit der ersten Hilfselektrode über das ersten Durchgangsloch, der die erste Zwischenschicht-Isolierschicht und die zweite Zwischenschicht-Isolierschicht durchdringt, elektrisch verbunden ist, und die orthographische Projektion der ersten Hilfselektrode auf dem Basissubstrat und eine orthographische Projektion der Pixelelektrode auf dem Basissubstrat einander zumindest teilweise überlappen, um einen zweiten Speicherkondensator auszubilden.
Verfahren zur Herstellung eines Anzeigesubstrats nach Anspruch 1, wobei die Maskenplatte mit Bereichen unterschiedlicher Durchlässigkeit einen vollständig transparenten Bereich, einen undurchsichtigen Bereich und eine Vielzahl von teiltransparenten Bereichen umfasst; und sequentielles Ausbilden eines zweiten leitenden Films und einer ersten Fotolackschicht auf einer vom Basissubstrat abgewandten Seite der ersten Zwischenschicht-Isolierschicht, das Belichten der ersten Fotolackschicht für eine vorgegebene Zeit mit einer Maskenplatte, die die Bereiche unterschiedlicher Lichtdurchlässigkeit aufweist, um eine Source-Elektrode und eine Drain-Elektrode des Dünnschichttransistors und eine zweite Hilfselektrode auszubilden, insbesondere umfasst: Ausbilden des ersten Speicherkondensators und des zweiten Speicherkondensators auf der Grundlage von Anforderungen an ein Betriebsfrequenzband der Anzeigetafel, um eine Fläche der orthografischen Projektion der zweiten Hilfselektrode auf dem Basissubstrat zu erhalten; Steuern der Belichtungszeit, um die Lichtausgangsmenge der mehreren teiltransparenten Bereiche zu steuern und die Größe eines Retentionsbereichs des Fotolacks der ersten Fotolackschicht zu steuern; und Entfernen des Fotolacks in dem Nicht-Retentionsbereich des Fotolacks von der ersten Fotolackschicht, und Ausbilden der Source-Elektrode und der Drain-Elektrode des Dünnfilmtransistors und der zweiten Hilfselektrode durch Ätzen und Entwickeln.
Verfahren zur Herstellung eines Anzeigesubstrats nach Anspruch 2, wobei die Vielzahl von teiltransparenten Bereichen einen ersten teiltransparenten Bereich und einen zweiten teiltransparenten Bereich umfassen und eine Lichtdurchlässigkeit des ersten teiltransparenten Bereichs größer ist als die des zweiten teiltransparenten Bereichs; und wenn das Betriebsfrequenzband der Pixel ein erstes vorgegebenes Frequenzband sein soll, sequentielles Ausbilden eines zweiten leitenden Films und einer ersten Fotolackschicht auf einer von dem Basissubstrat abgewandten Seite der ersten Zwischenschicht-Isolierschicht, das Belichten der ersten Fotolackschicht mit einer Maskenplatte, die die Bereiche unterschiedlicher Lichtdurchlässigkeit aufweist, und das Steuern der Belichtungszeit auf der Grundlage von Anforderungen an das Betriebsfrequenzband der Pixel, um eine Source-Elektrode und eine Drain-Elektrode des Dünnfilmtransistors und eine zweite Hilfselektrode auszubilden, insbesondere umfasst: sequentielles Ausbilden des zweiten leitenden Films und der ersten Fotolackschicht auf einer vom Basissubstrat abgewandten Seite der ersten Zwischenschicht-Isolierschicht, Belichten der ersten Fotolackschicht mit der Maskenplatte, die die Bereiche unterschiedlicher Lichtdurchlässigkeit aufweist, und Steuern der Belichtungszeit auf T1, sodass ein Bereich, in dem eine orthografische Projektion der ersten Fotolackschicht auf dem Basissubstrat eine orthografische Projektion des vollständig transparenten Bereichs auf dem Basissubstrat überlappt, der Nicht-Retentionsbereich des Fotolacks ist, und ein Restbereich der ersten Fotolackschicht der Retentionsbereich des Fotolacks ist; Entfernen des Fotolacks in dem Nicht-Retentionsbereich des Fotolacks von der ersten Fotolackschicht; und Ätzen und Entwickeln des zweiten leitenden Films, um die Source-Elektrode und die Drain-Elektrode des Dünnfilmtransistors und die zweite Hilfselektrode auszubilden, und Entfernen des verbleibenden Fotolacks; wobei eine Länge sowohl der Source-Elektrode als auch der Drain-Elektrode des Dünnfilmtransistors ein erster Abstand L1 ist; eine Fläche der zweiten Hilfselektrode eine erste Fläche S1 ist; wenn das Betriebsfrequenzband der Pixel ein zweites vorgegebenes Frequenzband sein soll, das sequentielle Ausbilden eines zweiten leitenden Films und einer ersten Fotolackschicht auf einer von dem Basissubstrat abgewandten Seite der ersten Zwischenschicht-Isolierschicht, das Belichten der ersten Fotolackschicht mit einer Maskenplatte, die die Bereiche mit unterschiedlichen Lichtdurchlässigkeiten aufweist, und das Steuern der Belichtungszeit auf der Grundlage von Anforderungen an das Betriebsfrequenzband der Pixel, um eine Source-Elektrode und eine Drain-Elektrode des Dünnfilmtransistors und eine zweite Hilfselektrode auszubilden, insbesondere umfasst: sequentielles Ausbilden des zweiten leitenden Films und der ersten Fotolackschicht auf einer vom Basissubstrat abgewandten Seite der ersten Zwischenschicht-Isolierschicht, Belichten der ersten Fotolackschicht mit der Maskenplatte, die die Bereiche unterschiedlicher Lichtdurchlässigkeit aufweist, und Steuern der Belichtungszeit auf T2, sodass ein Bereich, in dem eine orthografische Projektion der ersten Fotolackschicht auf dem Basissubstrat eine orthografische Projektion des vollständig transparenten Bereichs und des ersten teiltransparenten Bereichs auf dem Basissubstrat überlappt, der Nicht-Retentionsbereich des Fotolacks ist, und ein Restbereich der ersten Fotolackschicht der Retentionsbereich des Fotolacks ist; Entfernen des Fotolacks in dem Nicht-Retentionsbereich des Fotolacks von der ersten Fotolackschicht; und Ätzen des zweiten leitenden Films, um die Source-Elektrode und die Drain-Elektrode des Dünnfilmtransistors und die zweite Hilfselektrode auszubilden, und Entfernen des verbleibenden Fotolacks; wobei eine Länge sowohl der Source-Elektrode als auch der Drain-Elektrode des Dünnfilmtransistors ein zweiter Abstand L2 ist; eine Fläche der zweiten Hilfselektrode eine zweite Fläche S2 ist; und wenn das Betriebsfrequenzband der Pixel ein drittes vorgegebenes Frequenzband sein soll, das sequentielle Ausbilden eines zweiten leitenden Films und einer ersten Fotolackschicht auf einer von dem Basissubstrat abgewandten Seite der ersten Zwischenschicht-Isolierschicht, das Belichten der ersten Fotolackschicht mit einer Maskenplatte, die die Bereiche unterschiedlicher Lichtdurchlässigkeit aufweist, und das Steuern der Belichtungszeit auf der Grundlage von Anforderungen an das Betriebsfrequenzband der Pixel, um eine Source-Elektrode und eine Drain-Elektrode des Dünnfilmtransistors und eine zweite Hilfselektrodenmuster auszubilden, insbesondere umfasst: sequentielles Ausbilden des zweiten leitenden Films und der ersten Fotolackschicht auf einer vom Basissubstrat abgewandten Seite der ersten Zwischenschicht-Isolierschicht, Belichten der ersten Fotolackschicht mit der Maskenplatte, die die Bereiche unterschiedlicher Lichtdurchlässigkeit aufweist, und Steuern der Belichtungszeit auf T3, sodass ein Bereich, in dem eine orthografische Projektion der ersten Fotolackschicht auf dem Basissubstrat eine orthografische Projektion des vollständig transparenten Bereichs, des ersten teiltransparenten Bereichs und des zweiten teiltransparenten Bereichs auf dem Basissubstrat überlappt, der Nicht-Retentionsbereich des Fotolacks ist, und ein Restbereich der ersten Fotolackschicht der Retentionsbereich des Fotolacks ist; Entfernen des Fotolacks in dem Nicht-Retentionsbereich des Fotolacks von der ersten Fotolackschicht; und Ätzen des zweiten leitenden Films, um die Source-Elektrode und die Drain-Elektrode des Dünnfilmtransistors und die zweite Hilfselektrode auszubilden, und Entfernen des verbleibenden Fotolacks; wobei eine Länge sowohl der Source-Elektrode als auch der Drain-Elektrode des Dünnfilmtransistors ein dritter Abstand L3 ist; eine Fläche der zweiten Hilfselektrode eine dritte Fläche S3 ist; wobei ein maximaler Frequenzwert in dem ersten vorgegebenen Frequenzband kleiner als ein minimaler Frequenzwert in dem zweiten vorgegebenen Frequenzband ist, und ein maximaler Frequenzwert in dem zweiten vorgegebenen Frequenzband kleiner als ein minimaler Frequenzwert in dem dritten vorgegebenen Frequenzband ist; T1 < T2 < T3; L3 < L2 < L1; S3 < S2 < S1.
Verfahren zur Herstellung eines Anzeigesubstrats nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei ferner umfassend das Ausbilden der Gate-Elektrode des Dünnfilmtransistors während die erste Hilfselektrode auf dem Basissubstrat ausgebildet wird.
Verfahren zur Herstellung eines Anzeigesubstrats nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die zweiten Hilfselektroden von Pixeln in derselben Spalte mit derselben Hilfselektrodenleitung verbunden sind, die so konfiguriert ist, dass an die ein gemeinsames Spannungssignal angelegt wird.
Verfahren zur Herstellung eines Anzeigesubstrats nach einem der Ansprüche 1 bis 3, vor dem sequentiellen Ausbilden eines zweiten leitenden Films und einer ersten Fotolackschicht auf einer vom Basissubstrat abgewandten Seite der ersten Zwischenschicht-Isolierschicht, Belichten der ersten Fotolackschicht mit einer Maskenplatte, die die Bereiche unterschiedlicher Lichtdurchlässigkeit aufweist, und Steuern der Belichtungszeit auf der Grundlage von Anforderungen an das Betriebsfrequenzband der Pixel, um eine Source-Elektrode und eine Drain-Elektrode des Dünnfilmtransistors und eine zweite Hilfselektrode auszubilden, ferner umfassend: Ausbilden einer aktiven Schicht des Dünnfilmtransistors auf der vom Basissubstrat abgewandten Seite der ersten Zwischenschicht-Isolierschicht.
Verfahren zur Herstellung eines Anzeigesubstrats nach einem der Ansprüche 1 bis 3, beim sequentiellen Ausbilden eines zweiten leitenden Films und einer ersten Fotolackschicht auf einer vom Basissubstrat abgewandten Seite der ersten Zwischenschicht-Isolierschicht, Belichten der ersten Fotolackschicht mit einer Maskenplatte, die die Bereiche unterschiedlicher Lichtdurchlässigkeit aufweist, und Steuern der Belichtungszeit auf der Grundlage von Anforderungen an das Betriebsfrequenzband der Pixel, um eine Source-Elektrode und eine Drain-Elektrode des Dünnfilmtransistors und eine zweite Hilfselektrode auszubilden, ferner umfassend Ausbilden einer Datenleitung und einer Hilfselektrodenleitung, wobei die Datenleitung elektrisch mit der Source-Elektrode des Dünnfilmtransistors verbunden ist; und die Hilfselektrodenleitung mit der zweiten Hilfselektrode verbunden ist.
Verfahren zur Herstellung eines Anzeigesubstrats nach Anspruch 7, wobei eine Erstreckungsrichtung der Datenleitung parallel oder im Wesentlichen parallel zu derjenigen der Hilfselektrodenleitung ist.
Verfahren zur Herstellung eines Anzeigesubstrats nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei das Pixel zwei in Reihe geschaltete Dünnfilmtransistoren umfasst.
Anzeigesubstrat mit einer Vielzahl von Pixeln, wobei in mindestens einem der Vielzahl von Pixeln, das Anzeigesubstrat umfasst: ein Basissubstrat; einen Dünnfilmtransistor auf dem Basissubstrat, der eine Gate-Elektrode, eine Source-Elektrode und eine Drain-Elektrode umfasst; eine erste Hilfselektrode, eine zweite Hilfselektrode und eine Pixelelektrode, die aufeinanderfolgend auf dem Basissubstrat angeordnet sind, wobei orthographische Projektionen der ersten Hilfselektrode, der zweiten Hilfselektrode und der Pixelelektrode auf dem Basissubstrat einander zumindest teilweise überlappen; eine erste Zwischenschicht-Isolierschicht zwischen einer Schicht, in der sich die erste Hilfselektrode befindet, und einer Schicht, in der sich die zweite Hilfselektrode befindet, sodass die erste Hilfselektrode von der zweiten Hilfselektrode isoliert ist; und eine zweite Zwischenschicht-Isolierschicht zwischen der Schicht, in der sich die zweite Hilfselektrode befindet, und einer Schicht, in der sich die Pixelelektrode befindet, sodass die erste Hilfselektrode von der Pixelelektrode isoliert ist; wobei die Source-Elektrode und die Drain-Elektrode des Dünnfilmtransistors und die zweite Hilfselektrode in derselben Schicht angeordnet sind und aus demselben Material bestehen; die Pixelelektrode mit der Drain-Elektrode des Dünnfilmtransistors über ein erstes Durchgangsloch verbunden ist, das die zweite Zwischenschicht-Isolierschicht durchdringt, und die Pixelelektrode mit der ersten Hilfselektrode über ein zweites Durchgangsloch elektrisch verbunden ist, das die erste Zwischenschicht-Isolierschicht und die zweite Zwischenschicht-Isolierschicht durchdringt.
Anzeigesubstrat nach Anspruch 10, wobei, wenn ein Betriebsfrequenzband der Pixel ein erstes vorgegebenes Frequenzband ist, eine Länge sowohl der Source-Elektrode als auch der Drain-Elektrode des Dünnfilmtransistors ein erster Abstand L1 ist; eine Fläche der zweiten Hilfselektrode eine erste Fläche S1 ist; wenn das Betriebsfrequenzband der Pixel ein zweites vorgegebenes Frequenzband ist, eine Länge sowohl der Source-Elektrode als auch der Drain-Elektrode des Dünnfilmtransistors ein zweiter Abstand L2 ist; eine Fläche der zweiten Hilfselektrode eine zweite Fläche S2 ist; und wenn das Betriebsfrequenzband der Pixel ein drittes vorgegebenes Frequenzband ist, eine Länge sowohl der Source-Elektrode als auch der Drain-Elektrode des Dünnfilmtransistors ein erster Abstand L3 ist; eine Fläche der zweiten Hilfselektrode eine dritte Fläche S3 ist; und wobei ein maximaler Frequenzwert in dem ersten vorgegebenen Frequenzband kleiner als ein minimaler Frequenzwert in dem zweiten vorgegebenen Frequenzband ist, und ein maximaler Frequenzwert in dem zweiten vorgegebenen Frequenzband kleiner als ein minimaler Frequenzwert in dem dritten vorgegebenen Frequenzband ist; L3 < L2 <L1; S3 < S2 < S1.
Anzeigesubstrat nach Anspruch 10, wobei die zweiten Hilfselektroden von Pixeln in einer gleichen Spalte mit einer gleichen Hilfselektrodenleitung verbunden sind, die so konfiguriert ist, dass an die ein gemeinsames Spannungssignal angelegt wird.
Anzeigesubstrat nach Anspruch 10, wobei die erste Hilfselektrode und die Gate-Elektrode des Dünnfilmtransistors in derselben Schicht liegen und aus demselben Material bestehen.
Anzeigesubstrat nach Anspruch 10, ferner umfassend: eine Datenleitung und eine Hilfselektrodenleitung, wobei die Datenleitung, die Hilfselektrodenleitung und die zweite Hilfselektrode in derselben Schicht liegen und aus demselben Material bestehen; die Datenleitung elektrisch mit der Source-Elektrode des Dünnfilmtransistors verbunden ist; und die Hilfselektrodenleitung mit der zweiten Hilfselektrode verbunden ist.
Anzeigesubstrat nach Anspruch 14, wobei eine Erstreckungsrichtung der Datenleitung parallel oder im Wesentlichen parallel zu derjenigen der Hilfselektrodenleitung ist.
Anzeigesubstrat nach einem der Ansprüche 10 bis 15, wobei das Pixel zwei in Reihe geschaltete Dünnfilmtransistoren umfasst.
Anzeigegerät, die das Anzeigesubstrat nach einem der Ansprüche 10 bis 16 umfasst.
Anzeigegerät nach Anspruch 17, wobei das Anzeigegerät ein elektronisches Papieranzeigegerät ist und das elektronische Papieranzeigegerät ferner eine dem Anzeigesubstrat gegenüberliegende Deckplatte und eine Elektrophorese-Schicht zwischen dem Anzeigesubstrat und der Deckplatte umfasst.