DE112021003938T9 - Halbleiterbauteil - Google Patents

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Abstract

Eine Halbleitervorrichtung umfasst einen Chip, der eine erste Hauptoberfläche auf der einen Seite und eine zweite Hauptoberfläche auf der anderen Seite aufweist, und der eine aktive Oberfläche, die an einem inneren Abschnitt der ersten Hauptoberfläche angeordnet ist, und eine Außenoberfläche, die an einem Peripherieabschnitt der ersten Hauptoberfläche angeordnet ist, eine funktionale Vorrichtung, die an der Seite der aktiven Oberfläche ausgebildet ist, eine vorstehende Struktur, die eine anorganische Substanz umfasst und an der Seite der Außenoberfläche vorsteht, und einen organischen Film, der die vorstehende Struktur bedeckt, umfasst.

Description

  • Technisches Gebiet
  • Die vorliegende Anmeldung entspricht der japanischen Patentanmeldung mit der Nummer 2020-196698 , die am 27. November 2020 beim japanischen Patentamt eingereicht wurde und der gesamte Offenbarungsgehalt dieser Anmeldung ist vorliegend durch Bezugnahme enthalten. Die vorliegende Erfindung betrifft eine Halbleitervorrichtung.
  • Stand der Technik
  • Patentliteratur 1 offenbart eine Halbleitervorrichtung mit einem Halbleitersubstrat, einer Zwischenschicht-Isolationsschicht, einer Elektrode, einer anorganischen Schutzschicht und einer organischen Schutzschicht. Die Zwischenschicht-Isolationsschicht bedeckt das Halbleitersubstrat. Die Elektrode bedeckt das Halbleitersubstrat und die Zwischenschicht-Isolationsschicht. Die anorganische Schutzschicht bedeckt die Elektrode und die Zwischenschicht-Isolationsschicht. Die organische Schutzschicht bedeckt die anorganische Schutzschicht, die Elektrode und die Zwischenschicht-Isolationsschicht.
  • Zitierliste
  • Patentliteratur
  • Patentliteratur 1: Patentanmeldung der Vereinigten Staaten Nr. 2019/0080976 (Beschreibung)
  • Zusammenfassung der Erfindung
  • Technische Aufgabe
  • Eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung stellt eine Halbleitervorrichtung bereit, die in der Lage ist die Zuverlässigkeit zu verbessern.
  • Lösung der Aufgabe
  • Eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung sieht eine Halbleitervorrichtung mit einem Chip vor, der eine erste Hauptoberfläche auf einer Seite und eine zweite Hauptoberfläche auf der anderen Seite aufweist und der eine aktive Oberfläche, die an einem inneren Abschnitt der ersten Hauptoberfläche angeordnet ist, und eine Außenoberfläche, die an einem Peripherieabschnitt der ersten Hauptoberfläche angeordnet ist, eine funktionale Vorrichtung („functional device“), die an der Seite der aktiven Oberfläche ausgebildet ist, eine vorstehende Struktur, die eine anorganische Substanz umfasst und an der Seite der Außenoberfläche vorsteht, und einen organischen Film, der die vorstehende Struktur bedeckt, umfasst.
  • Die zuvor erwähnten sowie andere Ziele, Merkmale und Effekte der vorliegenden Erfindung werden durch die folgende Beschreibung der Ausführungsformen unter Bezugnahme auf die begleitenden Zeichnungen verdeutlicht.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
    • [1] 1 ist eine Draufsicht, die eine SiC-Halbleitervorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt.
    • [2] 2 ist eine Draufsicht, die eine innere Struktur der SiC-Halbleitervorrichtung zeigt.
    • [3] 3 ist eine Querschnittansicht entlang der in 2 dargestellten Linie III-III.
    • [4] 4 ist eine vergrößerte Querschnittansicht, die eine erste vorstehende Struktur gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel zeigt.
    • [5A] 5A ist eine vergrößerte Querschnittansicht, die die erste vorstehende Struktur gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel zeigt.
    • [5B] 5B ist eine vergrößerte Querschnittansicht, die die erste vorstehende Struktur gemäß einem dritten Ausführungsbeispiel zeigt.
    • [5C] 5C ist eine vergrößerte Querschnittansicht, die die erste vorstehende Struktur gemäß einem vierten Ausführungsbeispiel zeigt.
    • [6] 6 entspricht 4 und ist eine vergrößerte Querschnittansicht, die eine SiC-Halbleitervorrichtung gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung mit einer zweiten vorstehenden Struktur gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel zeigt.
    • [7A] 7A ist eine vergrößerte Querschnittansicht, die die zweite vorstehende Struktur gemäß dem zweiten Ausführungsbeispiel zeigt.
    • [7B] 7B ist eine vergrößerte Querschnittansicht, die die zweite vorstehende Struktur gemäß dem dritten Ausführungsbeispiel zeigt.
    • [7C] 7C ist eine vergrößerte Querschnittansicht, die die zweite vorstehende Struktur gemäß dem vierten Ausführungsbeispiel zeigt.
    • [7D] 7D ist eine vergrößerte Querschnittansicht, die die zweite vorstehende Struktur gemäß einem fünften Ausführungsbeispiel zeigt.
    • [8] 8 entspricht 4 und ist eine vergrößerte Querschnittansicht, die eine SiC-Halbleitervorrichtung gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung mit einer dritten vorstehenden Struktur des ersten Ausführungsbeispiels zeigt.
    • [9A] 9A ist eine vergrößerte Querschnittansicht, die die dritte vorstehende Struktur gemäß dem zweiten Ausführungsbeispiel zeigt.
    • [9B] 9B ist eine vergrößerte Querschnittansicht, die die dritte vorstehende Struktur gemäß dem dritten Ausführungsbeispiel zeigt.
    • [9C] 9C ist eine vergrößerte Querschnittansicht, die die dritte vorstehende Struktur gemäß dem vierten Ausführungsbeispiel zeigt.
    • [9D] 9D ist eine vergrößerte Querschnittansicht, die die dritte vorstehende Struktur gemäß dem fünften Ausführungsbeispiel zeigt.
    • [9E] 9E ist eine vergrößerte Querschnittansicht, die die dritte vorstehende Struktur gemäß einem sechsten Ausführungsbeispiel zeigt.
    • [9F] 9F ist eine vergrößerte Querschnittansicht, die die dritte vorstehende Struktur gemäß einem siebten Ausführungsbeispiel zeigt.
    • [9G] 9G ist eine vergrößerte Querschnittansicht, die die dritte vorstehende Struktur gemäß einem achten Ausführungsbeispiel zeigt.
    • [9H] 9H ist eine vergrößerte Querschnittansicht, die die dritte vorstehende Struktur gemäß einem neunten Ausführungsbeispiel zeigt.
    • [9I] 9I ist eine vergrößerte Querschnittansicht, die die dritte vorstehende Struktur gemäß einem zehnten Ausführungsbeispiel zeigt.
    • [9J] 9J ist eine vergrößerte Querschnittansicht, die die dritte vorstehende Struktur gemäß einem elften Ausführungsbeispiel zeigt.
    • [9K] 9K ist eine vergrößerte Querschnittansicht, die die dritte vorstehende Struktur gemäß einem zwölften Ausführungsbeispiel zeigt.
    • [10] 10 entspricht 4 und ist eine vergrößerte Querschnittansicht, die eine SiC-Halbleitervorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung mit einer vierten vorstehenden Struktur gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel zeigt.
    • [11A] 11A ist eine vergrößerte Querschnittansicht, die die vierte vorstehende Struktur gemäß dem zweiten Ausführungsbeispiel zeigt.
    • [11B] 11B ist eine vergrößerte Querschnittansicht, die die vierte vorstehende Struktur gemäß dem dritten Ausführungsbeispiel zeigt.
    • [11C] 11C ist eine vergrößerte Querschnittansicht, die die vierte vorstehende Struktur gemäß dem vierten Ausführungsbeispiel zeigt.
    • [12] 12 entspricht 4 und ist eine vergrößerte Querschnittansicht, die eine SiC-Halbleitervorrichtung gemäß einer fünften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt zusammen mit einer fünften vorstehenden Struktur gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel.
    • [13A] 13A ist eine vergrößerte Querschnittansicht, die die fünfte vorstehende Struktur gemäß dem zweiten Ausführungsbeispiel zeigt.
    • [13B] 13B ist eine vergrößerte Querschnittansicht, die die fünfte vorstehende Struktur gemäß dem dritten Ausführungsbeispiel zeigt.
    • [13C] 13C ist eine vergrößerte Querschnittansicht, die die fünfte vorstehende Struktur gemäß dem vierten Ausführungsbeispiel zeigt.
    • [14 ist eine Draufsicht zur Beschreibung eines Ausführungsbeispiels, bei dem ein SiC-MISFET als funktionale Vorrichtung in der ersten bis fünften Ausführungsform eingesetzt wird.
    • [15] 15 ist eine Querschnittansicht entlang der in 14 dargestellten Linie XV-XV.
    • [16A] 16A ist eine Querschnittansicht, die eine in 15 dargestellte Querschnittstruktur entlang der Linie XVI-XVI mit der dritten vorstehenden Struktur zeigt.
    • [16B] 16B ist eine Querschnittansicht, die eine in 15 dargestellte Querschnittstruktur entlang der Linie XVI-XVI mit der fünften vorstehenden Struktur zeigt.
  • Beschreibung der Ausführungsformen
  • 1 ist eine Draufsicht, die eine SiC-Halbleitervorrichtung 1 gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt. 2 ist eine Draufsicht, die eine innere Struktur der SiC-Halbleitervorrichtung 1 zeigt. 3 ist eine Querschnittansicht entlang der in 2 dargestellten Linie III-III. 4 ist eine vergrößerte Querschnittansicht, die eine erste vorstehende Struktur 20A gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel zeigt.
  • Unter Bezugnahme auf 1 bis 4 ist die SiC-Halbleitervorrichtung 1 in dieser Ausführungsform ein elektronisches Bauteil, das einen SiC-Chip 2 (Chip/Halbleiterchip) umfasst, der aus einem hexagonalen SiC- (Siliziumkarbid-) Einkristall besteht. Der hexagonale SiC-Einkristall weist eine Vielzahl von Polytypen auf, darunter einen 2H (Hexagonal)-SiC-Einkristall, einen 4H-SiC-Einkristall, einen 6H-SiC-Einkristall usw. In dieser Ausführungsform wird ein Beispiel gezeigt, bei dem der SiC-Chip 2 aus einem 4H-SiC-Einkristall besteht, wobei jedoch andere Polytypen nicht ausgeschlossen sind.
  • Der SiC-Chip 2 ist in einer rechteckigen Parallelepipedform ausgebildet. In dieser Ausführungsform hat der SiC-Chip 2 eine laminierte bzw. geschichtete („laminated“) Struktur, die ein SiC-Substrat 3 (Halbleitersubstrat) und eine SiC-Epitaxieschicht 4 (Epitaxieschicht; „epitaxial layer“) umfasst. Die SiC-Epitaxieschicht 4 hat eine Verunreinigungskonzentration („impurity concentration“), die sich von der Verunreinigungskonzentration des SiC-Substrats 3 unterscheidet. Vorzugsweise hat die SiC-Epitaxieschicht 4 eine Verunreinigungskonzentration, die geringer ist als die Verunreinigungskonzentration des SiC-Substrats 3.
  • Die Dicke des SiC-Substrats 3 darf nicht weniger als 5 um und nicht mehr als 300 um betragen. Die Dicke des SiC-Substrats 3 beträgt vorzugsweise nicht weniger als 50 um und nicht mehr als 250 um. Die SiC-Epitaxieschicht 4 hat vorzugsweise eine Dicke, die geringer ist als die Dicke des SiC-Substrats 3. Die Dicke der SiC-Epitaxieschicht 4 kann nicht weniger als 1 um und nicht mehr als 50 um betragen. Die Dicke der SiC-Epitaxieschicht 4 beträgt vorzugsweise nicht weniger als 5 um und nicht mehr als 20 pm.
  • Der SiC-Chip 2 hat eine erste Hauptoberfläche 5 auf der einen Seite und eine zweite Hauptoberfläche 6 auf der anderen Seite sowie erste bis vierte Seitenoberflächen 7A bis 7D, die die erste Hauptoberfläche 5 und die zweite Hauptoberfläche 6 verbinden. Die erste Hauptoberfläche 5 wird durch die SiC-Epitaxieschicht 4 gebildet, die zweite Hauptoberfläche 6 wird durch das SiC-Substrat 3 gebildet, und die ersten bis vierten Seitenoberflächen 7A bis 7D werden durch das SiC-Substrat 3 und die SiC-Epitaxieschicht 4 gebildet. Die erste Hauptoberfläche 5 ist eine Vorrichtungsoberfläche, in der eine funktionale Vorrichtung ausgebildet ist, und die zweite Hauptoberfläche 6 ist eine Nicht-Vorrichtungsoberfläche, in der keine funktionale Vorrichtung ausgebildet ist.
  • Die erste Hauptoberfläche 5 und die zweite Hauptoberfläche 6 sind in Draufsicht in einer Betrachtung in der Normalenrichtung Z dazu viereckig ausgebildet (im Folgenden einfach als „Draufsicht“ bezeichnet). Die erste Haupttoberfläche 5 und die zweite Haupttoberfläche 6 können in der Draufsicht quadratisch oder rechteckig ausgebildet sein. Die erste Hauptoberfläche 5 und die zweite Hauptoberfläche 6 sind entlang der c-Ebenen des SiC-Einkristalls angeordnet. Vorzugsweise wird die erste Hauptoberfläche 5 durch eine Siliziumebene des SiC-Einkristalls und die zweite Hauptoberfläche 6 durch eine Kohlenstoffebene des SiC-Einkristalls gebildet.
  • Die erste Hauptoberfläche 5 und die zweite Hauptoberfläche 6 können einen Off-Winkel („off angle“) aufweisen, der in einer vorbestimmten Off-Richtung unter einem vorbestimmten Winkel gegenüber der c-Ebene geneigt ist. Die Off-Richtung ist vorzugsweise eine Richtung der a-Achse ([11-20]-Richtung) des SiC-Einkristalls. Der Off-Winkel kann mehr als 0° und nicht mehr als 10° betragen. Vorzugsweise beträgt der Off-Winkel nicht mehr als 5°. Besonders bevorzugt ist der Off-Winkel nicht kleiner als 2° und nicht größer als 4,5°.
  • Die erste Seitenfläche 7A und die zweite Seitenfläche 7B erstrecken sich in einer ersten Richtung X entlang der ersten Hauptoberfläche 5 und sind einander in einer zweiten Richtung Y zugewandt, die die erste Richtung X schneidet (insbesondere orthogonal dazu). Die dritte Seitenfläche 7C und die vierte Seitenfläche 7D erstrecken sich in der zweiten Richtung Y und sind einander in der ersten Richtung X zugewandt. In dieser Ausführungsform ist die erste Richtung X eine m-Achsenrichtung ([1-100]-Richtung) des SiC-Einkristalls, und die zweite Richtung Y ist die a-Achsenrichtung ([11-20]-Richtung) des SiC-Einkristalls. Das heißt, die erste Seitenoberfläche 7A und die zweite Seitenoberfläche 7B werden von den a-Ebenen des SiC-Einkristalls gebildet, und die dritte Seitenoberfläche 7C und die vierte Seitenoberfläche 7D werden von den m-Ebenen des SiC-Einkristalls gebildet. Die ersten bis vierten Seitenoberflächen 7A bis 7D bilden jeweils einen Peripherierand („peripheral edge“) der ersten Hauptoberfläche 5 und einen Peripherierand der zweiten Hauptoberfläche 6.
  • Die erste Hauptoberfläche 5 hat eine aktive Oberfläche 8, eine Außenoberfläche 9 und erste bis vierte Verbindungsoberflächen 10A bis 10D. Die aktive Oberfläche 8, die Außenoberfläche 9 und die ersten bis vierten Verbindungsoberflächen 10A bis 10D begrenzen eine aktive Mesa 11 in der ersten Hauptoberfläche 5. Die aktive Oberfläche 8 kann als „erste Oberfläche“, die Außenoberfläche 9 als „zweite Oberfläche“ oder „Randoberfläche“ und die aktive Mesa 11 als „Mesa“ bezeichnet werden.
  • Die aktive Oberfläche 8 ist in einem Abstand („interval“) einwärts vom Peripherierand der ersten Hauptoberfläche 5 (erste bis vierte Seitenoberflächen 7A bis 7D) ausgebildet. Die aktive Oberfläche 8 hat eine ebene Oberfläche, die sich in der ersten Richtung X und in der zweiten Richtung Y erstreckt und die SiC-Epitaxieschicht 4 freilegt. Das heißt, die aktive Oberfläche 8 hat einen Off-Winkel, der der ersten Hauptoberfläche 5 entspricht. Die aktive Oberfläche 8 hat eine viereckige Form mit vier Seiten, die parallel zum Peripherierand der ersten Hauptoberfläche 5 in Draufsicht verlaufen. In dieser Ausführungsform ist ein Eckabschnitt der aktiven Oberfläche 8 in einer gekrümmten Form in Richtung des Peripherierands der ersten Hauptoberfläche 5 ausgebildet. Daher ist in dieser Ausführungsform die aktive Oberfläche 8 in einer viereckigen Form ausgebildet, deren vier Ecken in Draufsicht gekrümmt sind.
  • Die Außenoberfläche 9 befindet sich außerhalb der aktiven Oberfläche 8 und ist von der aktiven Oberfläche 8 in Richtung der Dicke des SiC-Chips 2 (in Richtung der zweiten Hauptoberfläche 6) eingedrückt. Insbesondere ist die Außenoberfläche 9 in einer Tiefe eingedrückt, die geringer ist als die Dicke der SiC-Epitaxieschicht 4. Das heißt, die Außenoberfläche 9 befindet sich auf der zweiten Seite der Hauptoberfläche 6 in Bezug auf die aktive Oberfläche 8 und legt die SiC-Epitaxieschicht 4 frei. Die Außenoberfläche 9 ist bandförmig ausgebildet und erstreckt sich in Draufsicht entlang der aktiven Oberfläche 8. Insbesondere ist die Außenoberfläche 9 in Form eines Ringes (insbesondere eines vierseitigen Ringes) ausgebildet, der die aktive Oberfläche 8 in Draufsicht umgibt.
  • Die Außenoberfläche 9 weist eine ebene Oberfläche auf, die sich in der ersten Richtung X und in der zweiten Richtung Y erstreckt und im Wesentlichen parallel zur aktiven Oberfläche 8 ausgebildet ist, d.h. die Außenoberfläche 9 hat einen Off-Winkel, der der ersten Hauptoberfläche 5 entspricht. Die Außenoberfläche 9 steht mit den ersten bis vierten Seitenoberflächen 7A bis 7D in Verbindung. Die Außenoberfläche 9 ist gegenüber der aktiven Oberfläche 8 um eine Eindrücktiefe („depression depth“) DO in Richtung der Dicke des SiC-Chips 2 (auf der Seite der zweiten Hauptoberfläche 6) vertieft bzw. eingedrückt. Die Eindrücktiefe DO darf nicht weniger als 0,1 um und nicht mehr als 10 um betragen. Die Eindrücktiefe DO beträgt vorzugsweise nicht mehr als 5 um. Die Eindrücktiefe DO beträgt besonders bevorzugt nicht mehr als 2,5 µm.
  • Die ersten bis vierten Verbindungsoberflächen 10A bis 10D erstrecken sich in der Normalenrichtung Z und verbinden die aktive Oberfläche 8 und die Außenoberfläche 9. Die erste Verbindungsoberfläche 10A befindet sich an der ersten Seitenoberfläche 7A, die zweite Verbindungsoberfläche 10B befindet sich an der zweiten Seitenoberfläche 7B, die dritte Verbindungsoberfläche 10C befindet sich an der dritten Seitenoberfläche 7C und die vierte Verbindungsoberfläche 10D befindet sich an der vierten Seitenoberfläche 7D. Die erste Verbindungsoberfläche 10A und die zweite Verbindungsoberfläche 10B erstrecken sich in der ersten Richtung X und sind einander in der zweiten Richtung Y zugewandt. Die dritte Verbindungsoberfläche 10C und die vierte Verbindungsoberfläche 10D erstrecken sich in der zweiten Richtung Y und sind einander in der ersten Richtung X zugewandt. Die erste Verbindungsoberfläche 10A und die zweite Verbindungsoberfläche 10B sind entlang der a-Ebenen des SiC-Einkristalls angeordnet, und die dritte Verbindungsoberfläche 10C und die vierte Verbindungsoberfläche 10D sind entlang der m-Ebenen des SiC-Einkristalls angeordnet. Die erste bis vierte Verbindungsoberfläche 10A bis 10D legen die SiC-Epitaxieschicht 4 frei.
  • Die erste bis vierte Verbindungsoberfläche 10A bis 10D können im Wesentlichen senkrecht zur aktiven Oberfläche 8 und zur Außenoberfläche 9 verlaufen. In diesem Fall wird die aktive Mesa 11 in Form eines vierseitigen Prismas in der ersten Hauptoberfläche 5 abgegrenzt. Die ersten bis vierten Verbindungsoberflächen 10A bis 10D können von der aktiven Oberfläche 8 schräg nach unten zur Außenoberfläche 9 geneigt sein. In diesem Fall wird die aktive Mesa 11 in Form eines Pyramidenstumpfes in der ersten Hauptoberfläche 5 abgegrenzt.
  • Ein Neigungswinkel jeder der ersten bis vierten Verbindungsoberflächen 10A bis 10D kann nicht weniger als 90° und nicht mehr als 135° betragen. Der Neigungswinkel jeder der ersten bis vierten Verbindungsoberflächen 10A bis 10D ist ein Winkel, der zwischen jeder der ersten bis vierten Verbindungsoberflächen 10A bis 10D und der aktiven Oberfläche 8 in dem SiC-Chip 2 gebildet wird. Der Neigungswinkel der ersten bis vierten Verbindungsoberflächen 10A bis 10D beträgt vorzugsweise nicht mehr als 95°.
  • Wie oben beschrieben, umfasst die SiC-Halbleitervorrichtung 1 die aktive Mesa 11, die in der SiC-Epitaxieschicht 4 in der ersten Hauptoberfläche 5 ausgebildet ist. Die aktive Mesa 11 ist nur in der SiC-Epitaxieschicht 4 und nicht im SiC-Substrat 3 ausgebildet.
  • Obwohl nicht konkret dargestellt, umfasst die SiC-Halbleitervorrichtung 1 eine funktionale Vorrichtung, die in der aktiven Oberfläche 8 ausgebildet ist. In 3 ist eine Stelle, an der die funktionale Vorrichtung ausgebildet ist, durch eine Kreuzschraffur gekennzeichnet. Die funktionale Vorrichtung wird durch Verwendung einer Innenseite und einer Außenseite des SiC-Chips 2 an der aktiven Oberfläche 8 gebildet. Die funktionale Vorrichtung kann mindestens eine Halbleiterschaltvorrichtung („semiconductor switching device“), eine Halbleitergleichrichtervorrichtung („semiconductor rectifying device“) und eine passive Vorrichtung umfassen.
  • Die Halbleiterschaltvorrichtung kann mindestens einen MISFET (Metall-Isolator-Halbleiter-Feldeffekttransistor; „Metal Insulator Semiconductor Field Effect Transistor“), einen BJT (Transistor mit Bipolar-Übergang; „Bipolar Junction Transistor“), einen IGBT (Bipolartransistor mit isoliertem Gate; „Insulated Gate Bipolar Junction Transistor“) und einen JFET (Übergangs-Feldeffekttransistor; „Junction Field Effect Transistor“) umfassen. Die Halbleitergleichrichtervorrichtung kann mindestens eine pn-Übergangsdiode, eine pin-Übergangsdiode, eine Zener-Diode, eine SBD (Schottky-Barrierediode; „Schottky Barrier Diode“) und eine FRD (engl: Fast Recovery Diode) enthalten. Das passive Bauelement kann mindestens einen Widerstand, einen Kondensator, eine Induktivität oder eine Sicherung umfassen.
  • Die funktionale Vorrichtung kann ein Schaltnetzwerk („circuit network“) umfassen, in dem mindestens zwei der Halbleiterschaltvorrichtung, der Halbleitergleichrichtervorrichtung und der passiven Vorrichtung kombiniert sind. Bei dem Schaltnetzwerk kann es sich um eine integrierte Schaltung wie eine LSI (engl: Large Scale Integration), eine SSI (engl: Small Scale Integration), eine MSI (engl: Medium Scale Integration), eine VLSI (engl: Very Large Scale Integration), eine ULSI (engl: Ultra-Very Large Scale Integration) usw. handeln. Die im SiC-Chip 2 (aktive Oberfläche 8) gebildete funktionale Vorrichtung ist typischerweise entweder ein MISFET oder SBD oder beides.
  • Die SiC-Halbleitervorrichtung 1 umfasst einen Hauptoberflächenisolationsfilm 12, der die erste Hauptoberfläche 5 bedeckt. Der Hauptoberflächenisolationsfilm 12 umfasst mindestens einen von einem Siliziumoxidfilm, einem Siliziumnitridfilm und einem Silizium-Oxynitrid-Film. Vorzugsweise hat der Hauptoberflächenisolationsfilm 12 eine einschichtige Struktur, die aus einem Siliziumoxidfilm besteht. Besonders bevorzugt umfasst der Hauptoberflächenisolationsfilm 12 einen Siliziumoxidfilm, der aus einem Oxid des SiC-Chips 2 besteht. Eine Dicke des Hauptoberflächenisolationsfilms 12 kann nicht weniger als 10 nm und nicht mehr als 500 nm betragen.
  • Der Hauptoberflächenisolationsfilm 12 bedeckt als Filmform die aktive Oberfläche 8, die Außenoberfläche 9 und die ersten bis vierten Verbindungsoberflächen 10A bis 10D. Im Einzelnen hat der Hauptoberflächenisolationsfilm 12 eine Oberfläche auf der Seite des SiC-Chips 2 und eine weitere Oberfläche auf der der einen Oberfläche gegenüberliegenden Seite. Der Hauptoberflächenisolationsfilm 12 ist so ausgebildet, dass sich sowohl die eine Oberfläche als auch die andere Oberfläche entlang der aktiven Oberfläche 8, der Außenoberfläche 9 und der ersten bis vierten Verbindungsoberflächen 10A bis 10D erstrecken. Der Hauptoberflächenisolationsfilm 12 ist in einem Abstand („interval“) einwärts von einem Peripherierand der Außenoberfläche 9 (erste bis vierte Seitenoberflächen 7A bis 7D) gebildet und hat eine Peripherie-Stirnwand, die einen Peripherierandabschnitt der Außenoberfläche 9 freilegt (SiC-Chip 2).
  • Die SiC-Halbleitervorrichtung 1 umfasst eine Seitenwandstruktur 13, die auf dem Hauptoberflächenisolationsfilm 12 so ausgebildet ist, dass sie mindestens eine (in dieser Ausführungsform alle) der ersten bis vierten Verbindungsoberflächen 10A bis 10D bedeckt. Die Seitenwandstruktur 13 weist vorzugsweise zumindest auf einer Außenoberfläche keinen Nitridfilm (Nitrid) auf. Beispiele für den Nitridfilm (Nitrid) sind ein Siliziumnitridfilm (Siliziumnitrid), ein Silizium-Oxynitrid-Film (Silizium-Oxynitrid), etc.
  • Die Seitenwandstruktur 13 besteht vorzugsweise aus einer anorganischen Substanz, bei der es sich nicht um ein Nitrid handelt. Besonders bevorzugt besteht die Seitenwandstruktur 13 aus einem Polysiliziumfilm. Die Seitenwandstruktur 13 kann aus einem leitfähigen Polysiliziumfilm bestehen, der eine Verunreinigung aufweist, oder sie kann aus einem nicht dotierten Polysiliziumfilm bestehen, der keine Verunreinigung aufweist. Die Seitenwandstruktur 13 kann aus einem n-Typ-Polysiliziumfilm, der mit einer n-Typ-Verunreinigung dotiert ist, und/oder einem p-Typ-Polysiliziumfilm, der mit einer p-Typ-Verunreinigung dotiert ist, gebildet werden.
  • Die Seitenwandstruktur 13 ist in einer Bandform ausgebildet, die sich entlang der ersten bis vierten Verbindungsoberflächen 10A bis 10D in Draufsicht erstreckt. In dieser Ausführungsform ist die Seitenwandstruktur 13 ringförmig (insbesondere vierseitig ringförmig) ausgebildet, die die aktive Oberfläche 8 in Draufsicht umgibt und die ersten bis vierten Verbindungsoberflächen 10A bis 10D überdeckt. Ein Abschnitt der Seitenwandstruktur 13, der vier Ecken der aktiven Oberfläche 8 (Eckabschnitte der ersten bis vierten Verbindungsoberflächen 10A bis 10D) überdeckt, ist in einer gekrümmten Form zum Peripherierand der ersten Hauptoberfläche 5 hin ausgebildet. In dieser Ausführungsform ist die Seitenwandstruktur 13 in einer viereckigen Ringform ausgebildet, deren vier Ecken in Draufsicht gekrümmt sind.
  • Die Seitenwandstruktur 13 umfasst einen Abschnitt, der sich filmförmig entlang der Außenoberfläche 9 erstreckt, und einen Abschnitt, der sich filmförmig entlang der ersten bis vierten Verbindungsoberflächen 10A bis 10D erstreckt. Der Abschnitt der Seitenwandstruktur 13, der sich filmförmig entlang der Außenoberfläche 9 erstreckt, bedeckt die Außenoberfläche 9 in einem Bereich auf der Seite der Außenoberfläche 9 in Bezug auf die aktive Oberfläche 8. Der Abschnitt der Seitenwandstruktur 13, der sich filmförmig entlang der Außenoberfläche 9 erstreckt, kann eine Dicke aufweisen, die geringer ist als eine Dicke der aktiven Mesa 11 (Eindrücktiefe DO). Der Abschnitt der Seitenwandstruktur 13, der sich als Filmform entlang der ersten bis vierten Verbindungsoberflächen 10A bis 10D erstreckt, kann eine Außenoberfläche aufweisen, die von der aktiven Oberfläche 8 aus schräg nach unten zur Außenoberfläche 9 geneigt ist.
  • Eine Außenoberfläche der Seitenwandstruktur 13 kann in einer gekrümmten Form ausgebildet sein, die in einer Richtung weg von den ersten bis vierten Verbindungsoberflächen 10A bis 10D vorsteht. Die Außenoberfläche der Seitenwandstruktur 13 kann in einer gekrümmten Form ausgebildet sein, die in Richtung der ersten bis vierten Verbindungsoberfläche 10A bis 10D abgesenkt ist. Die Seitenwandstruktur 13 kann einen Überlappungsabschnitt aufweisen, der auf einem Rand der aktiven Oberfläche 8 von mindestens einer der ersten bis vierten Verbindungsoberflächen 10A bis 10D aufliegt. In diesem Fall ist der Überlappungsabschnitt dem Peripherierandabschnitt der aktiven Oberfläche 8 über den Hauptoberflächenisolationsfilm 12 zugewandt.
  • Unter Bezugnahme auf 4 umfasst die SiC-Halbleitervorrichtung 1 mindestens eine (in dieser Ausführungsform eine) erste vorstehende Struktur 20A (vorstehende Struktur) gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel, die an der Seite der Außenoberfläche 9 vorsteht. Die erste vorstehende Struktur 20A umfasst einen anorganischen Stoff (anorganischen Film). In dieser Ausführungsform besteht die erste vorstehende Struktur 20A aus einem vorstehenden Abschnitt, der zur gegenüberliegenden Seite der zweiten Hauptoberfläche 6 mit dem SiC-Chip 2 als Ausgangspunkt vorsteht und eine unebene Struktur auf der Außenoberfläche 9 bildet. Die erste vorstehende Struktur 20A ist der aktiven Mesa 11 in einer ebenen Richtung der Außenoberfläche 9 zugewandt.
  • In dieser Ausführungsform hat die erste vorstehende Struktur 20A eine Dicke, die die Dicke der aktiven Mesa 11 übersteigt, und umfasst einen Abschnitt, der niedriger bzw. tiefer als die aktive Oberfläche 8 angeordnet ist, und einen Abschnitt, der höher als die aktive Oberfläche 8 angeordnet ist. Das heißt, wenn eine gerade Linie, die sich horizontal (in der ersten Richtung X oder der zweiten Richtung Y) von der aktiven Oberfläche 8 in einer Querschnittansicht erstreckt, gelegt wird, durchquert ein oberer Endabschnitt (Spitzenabschnitt) der ersten vorstehenden Struktur 20A die gerade Linie entlang der normalen Richtung Z. Die erste vorstehende Struktur 20A besteht aus einer Zierstruktur („ornamental structure“), die elektrisch von der funktionalen Vorrichtung getrennt ist. Die Zierstruktur ist eine Struktur, die nicht als funktionale Vorrichtung fungiert (dasselbe gilt im Folgenden). Die „Zierstruktur“ kann als „Zubehörmuster“ („accessory pattern“) bezeichnet werden. Die erste vorstehende Struktur 20A ist in einem elektrisch schwebenden Zustand („electrically floating state“) ausgebildet.
  • Vorzugsweise weist die erste vorstehende Struktur 20A zumindest auf der Außenoberfläche keinen Nitridfilm (Nitrid) auf. Die erste vorstehende Struktur 20A besteht vorzugsweise aus einer anderen anorganischen Substanz als einem Nitrid. In dieser Ausführungsform umfasst die erste vorstehende Struktur 20A einen Mesaabschnitt 21, der aus einem Abschnitt des SiC-Chips 2 gebildet ist. Insbesondere besteht der Mesaabschnitt 21 aus einem Abschnitt der SiC-Epitaxieschicht 4. Der Mesaabschnitt 21 bildet einen vorstehenden Abschnitt, der mesaförmig in Richtung der gegenüberliegenden Seite der zweiten Hauptoberfläche 6 an der Außenoberfläche 9 vorsteht. Der Mesaabschnitt 21 bildet einen Hauptkörper der ersten vorstehenden Struktur 20A.
  • Der Mesaabschnitt 21 wird in Draufsicht in Intervallen zwischen einem Peripherierand der aktiven Oberfläche 8 (erste bis vierte Verbindungsoberflächen 10A bis 10D) und dem Peripherierand der Außenoberfläche 9 (erste bis vierte Seitenoberflächen 7A bis 7D) gebildet. Insbesondere wird der Mesaabschnitt 21 in einem Abstand von der Seitenwandstruktur 13 gebildet.
  • Der Mesaabschnitt 21 ist vorzugsweise an einer Position angeordnet, die näher an dem Peripherierand der Außenoberfläche 9 liegt als an dem Peripherierand der aktiven Oberfläche 8. Ein Abstand zwischen dem Peripherierand der Außenoberfläche 9 und dem Mesaabschnitt 21 ist vorzugsweise geringer als ein Abstand zwischen dem Peripherierand der aktiven Oberfläche 8 und dem Mesaabschnitt 21. Der Mesaabschnitt 21 ist bandförmig ausgebildet und erstreckt sich in Draufsicht entlang der aktiven Oberfläche 8. In dieser Ausführungsform ist der Mesaabschnitt 21 ringförmig (insbesondere viereckig ringförmig) ausgebildet und umgibt die aktive Oberfläche 8 in Draufsicht. Der Mesaabschnitt 21 (erste vorstehende Struktur 20A) kann in Draufsicht mit Enden oder endlos ausgebildet sein.
  • Der Mesaabschnitt 21 hat eine obere Oberfläche 22, eine erste Wandoberfläche 23 auf der Seite der aktiven Oberfläche 8 und eine zweite Wandoberfläche 24 auf der Seite des Peripherierandes der Außenoberfläche 9. Die obere Oberfläche 22 befindet sich im Wesentlichen in der gleichen Ebene wie die aktive Oberfläche 8 und erstreckt sich parallel zur aktiven Oberfläche 8 und zur Außenoberfläche 9. Bei anderen Ausführungsformen kann die obere Oberfläche 22 an der Seite der Außenoberfläche 9 in Bezug auf die aktive Oberfläche 8 angeordnet sein, d. h. wenn in einer Querschnittansicht eine von der aktiven Oberfläche 8 horizontal (in der ersten Richtung X oder der zweiten Richtung Y) verlaufende gerade Linie festgelegt wird, kann die obere Oberfläche 22 in einem Abstand („interval“) von der geraden Linie zur Seite der Außenoberfläche 9 ausgebildet sein.
  • Die obere Oberfläche 22 hat einen Off-Winkel, der der aktiven Oberfläche 8 (Außenoberfläche 9) entspricht. Die erste Wandoberfläche 23 und die zweite Wandoberfläche 24 bilden eine erste Seite und eine zweite Seite der ersten vorstehenden Struktur 20A. Die erste Wandoberfläche 23 hat vier Seiten parallel zur aktiven Oberfläche 8 in Draufsicht. Die zweite Wandoberfläche 24 hat vier Seiten parallel zur ersten Wandoberfläche 23 in Draufsicht. Planare bzw. ebene Formen der ersten Wandoberfläche 23 und der zweiten Wandoberfläche 24 können beliebig sein und müssen nicht unbedingt parallel zur aktiven Oberfläche 8 verlaufen, sondern können auch mäanderförmig sein.
  • Die erste Wandoberfläche 23 und die zweite Wandoberfläche 24 können im Wesentlichen senkrecht zur oberen Oberfläche 22 ausgebildet sein. In diesem Fall ist der Mesaabschnitt 21 in Form eines vierseitigen Prismas in einer Querschnittansicht in der ersten Hauptoberfläche 5 abgegrenzt. Die erste Wandoberfläche 23 und die zweite Wandoberfläche 24 können von der oberen Oberfläche 22 schräg nach unten zur Außenoberfläche 9 geneigt sein. In diesem Fall ist in der ersten Hauptoberfläche 5 der Mesaabschnitt 21 einer Mesaform in einer Querschnittansicht abgegrenzt.
  • Ein Neigungswinkel der ersten Wandoberfläche 23 und der zweiten Wandoberfläche 24 kann nicht weniger als 90° und nicht mehr als 135° betragen. Der Neigungswinkel der ersten Wandoberfläche 23 und der zweiten Wandoberfläche 24 ist ein Winkel, der zwischen der ersten Wandoberfläche 23 und der oberen Oberfläche 22 bzw. zwischen der zweiten Wandoberfläche 24 und der oberen Oberfläche 22 im Mesaabschnitt 21 gebildet wird. Der Neigungswinkel der ersten Wandoberfläche 23 und der zweiten Wandoberfläche 24 beträgt vorzugsweise nicht mehr als 95°.
  • Die erste vorstehende Struktur 20A umfasst einen Mesa-Isolationsfilm 25, der den Mesaabschnitt 21 bedeckt. Der Mesa-Isolationsfilm 25 besteht vorzugsweise aus einer anderen anorganischen Substanz als einem Nitrid. Der Mesa-Isolierfilm 25 umfasst vorzugsweise einen Siliziumoxidfilm. Besonders bevorzugt umfasst der Mesa-Isolationsfilm 25 einen Siliziumoxidfilm, der aus einem Oxid des Mesaabschnitts 21 besteht. Der Mesa-Isolationsfilm 25 bedeckt die obere Oberfläche 22, die erste Wandoberfläche 23 und die zweite Wandoberfläche 24 des Mesaabschnitts 21 als eine Filmform.
  • Insbesondere hat der Mesa-Isolationsfilm 25 eine Oberfläche auf der Seite des SiC-Chips 2 und eine weitere Oberfläche auf der gegenüberliegenden Seite der einen Oberfläche. Der Mesa-Isolationsfilm 25 ist so ausgebildet, dass sowohl die eine Oberfläche als auch die andere Oberfläche sich entlang der oberen Oberfläche 22, der ersten Wandoberfläche 23 und der zweiten Wandoberfläche 24 erstrecken. Der Mesa-Isolationsfilm 25 bedeckt vorzugsweise einen gesamten Bereich der oberen Oberfläche 22, einen gesamten Bereich der ersten Wandoberfläche 23 und einen gesamten Bereich der zweiten Wandoberfläche 24 des Mesaabschnitts 21. Der Mesa-Isolationsfilm 25 isoliert den Mesaabschnitt 21 elektrisch von außen. Der Mesa-Isolationsfilm 25 ist mit dem Hauptoberflächenisolationsfilm 12 an einem Basisabschnitt des Mesaabschnitts 21 zusammenhängend. Der Mesa-Isolationsfilm 25 kann als ein Abschnitt des Hauptoberflächenisolationsfilms 12 betrachtet werden.
  • Die erste vorstehende Struktur 20A umfasst einen ersten anorganischen Film 26, der den Mesaabschnitt 21 selektiv bedeckt. Der erste anorganische Film 26 besteht aus einer anderen anorganischen Substanz als einem Nitrid. Der erste anorganische Film 26 besteht vorzugsweise aus einer anorganischen Substanz, die eine relativ große Adhäsionskraft („adhesion force“) gegenüber einer organischen Substanz aufweist. Besonders bevorzugt besteht der erste anorganische Film 26 aus einem Polysiliziumfilm. Der erste anorganische Film 26 kann aus einem leitfähigen Polysiliziumfilm bestehen, der eine Verunreinigung umfasst, oder er kann aus einem nicht dotierten Polysiliziumfilm bestehen, der keine Verunreinigung umfasst. Der erste anorganische Film 26 kann aus einem n-Typ Polysiliziumfilm, der mit einer n-Typ-Verunreinigung dotiert ist, und/oder einem p-Typ Polysiliziumfilm, der mit einer p-Typ-Verunreinigung dotiert ist, bestehen. Der erste anorganische Film 26 besteht vorzugsweise aus demselben Material wie die Seitenwandstruktur 13.
  • Der erste anorganische Film 26 hat eine erste Dicke T1. Die erste Dicke T1 ist vorzugsweise geringer als die Dicke (Eindrücktiefe DO) der aktiven Mesa 11 (Mesaabschnitt 21). Die erste Dicke T1 ist vorzugsweise größer als die Dicke des Hauptoberflächenisolationsfilms 12. Vorzugsweise ist die erste Dicke T1 im Wesentlichen gleich einer Dicke eines Abschnitts der Seitenwandstruktur 13, der sich als Filmform entlang der Außenoberfläche 9 erstreckt. Die erste Dicke T1 kann nicht weniger als 10 nm und nicht mehr als 1000 nm betragen.
  • Der erste anorganische Film 26 ist auf dem Hauptoberflächenisolationsfilm 12 und auf dem Mesa-Isolationsfilm 25 so ausgebildet, dass er mindestens eine der ersten Wandoberfläche 23 und der zweiten Wandoberfläche 24 des Mesaabschnitts 21 bedeckt. In dieser Ausführungsform umfasst der erste anorganische Film 26 einen ersten Abdeckfilm 27, der die erste Wandoberfläche 23 abdeckt, und einen zweiten Abdeckfilm 28, der die zweite Wandoberfläche 24 abdeckt und die obere Oberfläche 22 selektiv belichtet. Der erste Abdeckfilm 27 und der zweite Abdeckfilm 28 sind jeweils ähnlich der Seitenwandstruktur 13 aufgebaut. Der erste Abdeckfilm 27 kann als „Seitenwandstruktur an der ersten Mesaseite“ bezeichnet werden, und der zweite Abdeckfilm 28 kann als „Seitenwandstruktur an der zweiten Mesaseite“ bezeichnet werden.
  • Die erste Abdeckfilm 27 ist in Draufsicht in einem Abstand von der aktiven Oberfläche 8 (Seitenwandstruktur 13) ausgebildet und in einer sich entlang der ersten Wandoberfläche 23 erstreckenden Bandform geformt. In dieser Ausführungsform ist die erste Abdeckfilm 27 ringförmig (insbesondere viereckig) ausgebildet und erstreckt sich entlang der ersten Wandoberfläche 23 in Draufsicht. Die erste Abdeckfilm 27 kann im Wesentlichen einen ganzen Bereich der ersten Wandoberfläche 23 abdecken.
  • Der erste Abdeckfilm 27 kann die erste Wandoberfläche 23 in einem Abstand von der oberen Oberfläche 22 des Mesaabschnitts 21 bis zu dessen Basisabschnittsseite bedecken, so dass ein oberer Wandabschnitt der ersten Wandoberfläche 23 freigelegt wird. Die erste Abdeckfilm 27 umfasst einen Abschnitt, der sich als Filmform entlang der Außenoberfläche 9 erstreckt, und einen Abschnitt, der sich als Filmform entlang der ersten Wandoberfläche 23 erstreckt. Der Abschnitt der ersten Abdeckfilm 27, der sich als Filmform entlang der Außenoberfläche 9 erstreckt, bedeckt die Außenoberfläche 9 in einem Bereich auf der Seite der Außenoberfläche 9 in Bezug auf die obere Oberfläche 22.
  • Der zweite Abdeckfilm 28 ist in Draufsicht in einem Abstand vom Peripherierand der Außenoberfläche 9 (erste bis vierte Seitenoberflächen 7A bis 7D) ausgebildet und in einer sich entlang der zweiten Wandoberfläche 24 erstreckenden Bandform geformt. In dieser Ausführungsform ist die zweite Abdeckfilm 28 ringförmig (insbesondere vierseitig ringförmig) ausgebildet und erstreckt sich in Draufsicht entlang der zweiten Wandoberfläche 24. Die zweite Abdeckfilm 28 kann im Wesentlichen einen gesamten Bereich der zweiten Wandoberfläche 24 abdecken.
  • Die zweite Abdeckfilm 28 kann die zweite Wandoberfläche 24 in einem Abstand von der oberen Oberfläche 22 des Mesaabschnitts 21 bis zu dessen Basisabschnitt abdecken, so dass der obere Wandabschnitt der zweiten Wandoberfläche 24 freigelegt wird. Die zweite Abdeckfilm 28 umfasst einen Abschnitt, der sich als Filmform entlang der Außenoberfläche 9 erstreckt, und einen Abschnitt, der sich als Filmform entlang der zweiten Wandoberfläche 24 erstreckt. Der Abschnitt der zweiten Abdeckfilm 28, der sich als Film entlang der Außenoberfläche 9 erstreckt, bedeckt die Außenoberfläche 9 in einem Bereich auf der Seite der Außenoberfläche 9 in Bezug auf die obere Oberfläche 22.
  • Die erste vorstehende Struktur 20A umfasst einen zweiten anorganischen Film 29. Der zweite anorganische Film 29 kann als „Zwischenschicht-Isolationsfilm“ oder als „Zwischen-Isolationsfilm“ bezeichnet werden. Der zweite anorganische Film 29 besteht aus einer anderen anorganischen Substanz als einem Nitrid, die sich vom ersten anorganischen Film 26 unterscheidet. Der zweite anorganische Film 29 kann aus einem anorganischen Isolator bestehen, dessen Adhäsionskraft an einer organischen Substanz geringer ist als die des ersten anorganischen Films 26. Die zweite anorganische Film 29 kann eine laminierte Struktur aufweisen, die eine Vielzahl anorganischer Filme umfasst, oder eine einlagige Struktur haben, die aus einem einzigen anorganischen Film besteht. Die zweite anorganische Film 29 umfasst vorzugsweise einen Siliziumoxidfilm. Der zweite anorganische Film 29 kann eine einschichtige Struktur aufweisen, die aus einem einzigen Siliziumoxidfilm besteht, oder eine laminierte Struktur haben, die aus einer Vielzahl von Siliziumoxidfilmen besteht.
  • Wenn der zweite anorganische Film 29 eine Vielzahl von Siliziumoxidfilmen umfasst, sind die Eigenschaften der Vielzahl von Siliziumoxidfilmen willkürlich. Der zweite anorganische Film 29 kann mindestens einen NSG-Film (Nondotierter Silikatglasfilm), einen PSG-Film (Phosphorsilikatglasfilm) oder einen BPSG-Film (Borphosphorsilikatglasfilm) enthalten. Der NSG-Film besteht aus einem nicht mit Verunreinigungen dotierten Siliziumoxidfilm. Der PSG-Film besteht aus einem Siliziumoxidfilm, der mit Phosphor dotiert ist. Der BPSG-Film besteht aus einem Siliziumoxidfilm, der mit Bor und Phosphor dotiert ist.
  • Die Dicke der NSG-Film darf nicht weniger als 10 nm und nicht mehr als 500 nm betragen. Die Dicke der PSG-Film darf nicht weniger als 10 nm und nicht mehr als 500 nm betragen. Die Dicke des BPSG-Films darf nicht weniger als 10 nm und nicht mehr als 500 nm betragen. Der zweite anorganische Film 29 kann den NSG-Film und den PSG-Film enthalten, die in dieser Reihenfolge von der Seite des SiC-Chips 2 laminiert sind. Der zweite anorganische Film 29 hat eine zweite Dicke T2 (Gesamtdicke) . Die zweite Dicke T2 beträgt vorzugsweise nicht weniger als 10 nm und nicht mehr als 1500 nm. Die zweite Dicke T2 übersteigt vorzugsweise die Dicke des Hauptoberflächenisolationsfilms 12. Die zweite Dicke T2 übersteigt vorzugsweise die erste Dicke T1 des ersten anorganischen Films 26 (T1 < T2).
  • Der zweite anorganische Film 29 bedeckt den Hauptoberflächenisolationsfilm 12 auf der Außenoberfläche 9. Der zweite anorganische Film 29 hat eine Oberfläche auf der Seite des SiC-Chips 2 und eine andere Oberfläche auf der gegenüberliegenden Seite der einen Oberfläche. Der zweite anorganische Film 29 ist so ausgebildet, dass sowohl die eine Oberfläche als auch die andere Oberfläche sich entlang einer Außenoberfläche des Hauptoberflächenisolationsfilms 12 und einer Außenoberfläche des ersten anorganischen Films 26 erstrecken. In dieser Ausführungsform reitet der zweite anorganische Film 29 auf dem ersten Abdeckfilm 27 und dem zweiten Abdeckfilm 28 von beiden Seiten der ersten Wandoberfläche 23 und der zweiten Wandoberfläche 24 des Mesaabschnitts 21 und bedeckt selektiv die obere Oberfläche 22 des Mesaabschnitts 21. Insbesondere bedeckt der zweite anorganische Film 29 selektiv einen Abschnitt, der die obere Oberfläche 22 in dem Mesa-Isolationsfilm 25 bedeckt.
  • Der zweite anorganische Film 29 bildet eine erste vorstehende Struktur 20A mit dem Mesaabschnitt 21, dem MesaIsolationsfilm 25 und dem ersten anorganischen Film 26 (erster Abdeckfilm 27 und zweiter Abdeckfilm 28). Der zweite anorganische Film 29 kann den ersten Abdeckfilm 27 teilweise bedecken, so dass der erste Abdeckfilm 27 teilweise freigelegt wird. Der zweite anorganische Film 29 kann einen ganzen Bereich des ersten Abdeckfilms 27 bedecken. Der zweite anorganische Film 29 kann den zweiten Abdeckfilm 28 teilweise bedecken, so dass der zweite Abdeckfilm 28 teilweise belichtet wird. Der zweite anorganische Film 29 kann einen gesamten Bereich des zweiten Abdeckfilms 28 abdecken.
  • In dieser Ausführungsform weist der zweite anorganische Film 29 mindestens eine Öffnung 30 auf, die selektiv einen Abschnitt des Mesa-Isolationsfilms 25 freilegt, der die obere Oberfläche 22 bedeckt. Eine Öffnungsfläche der Öffnung 30 in einer Querschnittansicht ist vorzugsweise gleich oder größer als eine Fläche des Abschnitts der oberen Oberfläche 22, der von dem zweiten anorganischen Film 29 bedeckt ist. Selbstverständlich kann die Öffnungsfläche der Öffnung 30 kleiner sein als die Fläche des abgedeckten Abschnitts. Es genügt, dass die Öffnung 30 nur mindestens einen Abschnitt der oberen Oberfläche 22 freilegt, wobei eine ebene Form beliebig ist.
  • Die Öffnung 30 kann in Draufsicht polygonal (z.B. viereckig) oder kreisförmig ausgebildet sein. Die Öffnung 30 kann in Draufsicht linienförmig oder ringförmig entlang des Mesaabschnitts 21 ausgebildet sein. Selbstverständlich kann die Öffnung 30 auch als Linie (z. B. zickzackförmig) ausgebildet sein, die sich in beliebiger Richtung erstreckt. Ferner kann eine Vielzahl von Öffnungen 30 in einem Abstand entlang des Mesaabschnitts 21 ausgebildet sein.
  • Der zweite anorganische Film 29 wird von der Seite des Mesaabschnitts 21 in Richtung der Peripherierandseite (erste bis vierte Seitenoberflächen 7A bis 7D) der Außenoberfläche 9 herausgeführt und bedeckt den Hauptoberflächenisolationsfilm 12 als Filmform in einem Bereich zwischen dem Peripherierand der Außenoberfläche 9 und dem Mesaabschnitt 21. Der zweite anorganische Film 29 hat eine Peripherie-Stirnwand, die in einem Abstand nach innen von der Peripherierand der Außenoberfläche 9 ausgebildet ist und einen Peripherierandabschnitt der Außenoberfläche 9 (SiC-Chip 2) freilegt. Die Peripherie-Stirnwand des zweiten anorganischen Films 29 begrenzt eine Kerbenöffnung 31, die den Peripherierandabschnitt der Außenoberfläche 9 (SiC-Chip 2) mit der Peripherie-Stirnwand des Hauptoberflächenisolationsfilms 12 freilegt.
  • Die zweite anorganische Film 29 wird von der Mesaabschnitt 21 Seite aus in Richtung der aktiven Oberfläche 8 Seite geführt und überdeckt die Hauptoberflächenisolationsfilm 12 als Filmform in einem Bereich zwischen der aktiven Oberfläche 8 und der ersten anorganischen Film 26. Der zweite anorganische Film 29 reitet auf der Seitenwandstruktur 13 von oberhalb des Hauptoberflächenisolationsfilms 12. Der zweite anorganische Film 29 bedeckt als Filmform einen ganzen Bereich der Seitenwandstruktur 13 und wird durch Überfahren der ersten bis vierten Verbindungsoberflächen 10A bis 10D auf die aktive Oberfläche 8 herausgeführt. Der zweite anorganische Film 29 überdeckt die aktive Oberfläche 8 über den Hauptoberflächenisolationsfilm 12.
  • Der zweite anorganische Film 29 hat einen Abschnitt, der die aktive Oberfläche 8 bedeckt und einen Abschnitt, der die obere Oberfläche 22 des Mesaabschnitts 21 bedeckt. Der Abschnitt des zweiten anorganischen Films 29, der die obere Oberfläche 22 des Mesaabschnitts 21 bedeckt, liegt in derselben Ebene wie der Abschnitt des zweiten anorganischen Films 29, der die aktive Oberfläche 8 bedeckt. Wie oben beschrieben, bildet der zweite anorganische Film 29 einen Abschnitt der ersten vorstehenden Struktur 20A an der Außenoberfläche 9 und bedeckt gleichzeitig die aktive Oberfläche 8, die Außenoberfläche 9 und die ersten bis vierten Verbindungsoberflächen 10A bis 10D (Seitenwandstruktur 13).
  • Die SiC-Halbleitervorrichtung 1 umfasst eine erste Hauptoberflächenelektrode 32, die auf dem Hauptoberflächenisolationsfilm 12 ausgebildet und elektrisch mit der funktionalen Vorrichtung verbunden ist. In 1 bis 3 ist ein Beispiel dargestellt, bei dem eine erste Hauptoberflächenelektrode 32 auf der aktiven Oberfläche 8, nicht aber auf der Außenoberfläche 9 angeordnet ist. Es reicht aus, dass die erste Hauptoberflächenelektrode 32 in einem Bereich an der Seite der aktiven Oberfläche 8 und nicht in der ersten vorstehenden Struktur 20A in Draufsicht angeordnet ist und und eine ebene Form und die Anzahl der ersten Hauptoberflächenelektroden 32 sind beliebig.
  • Vorzugsweise überdeckt die erste Hauptoberflächenelektrode 32 nicht die erste vorstehende Struktur 20A. Vorzugsweise ist die erste Hauptoberflächenelektrode 32 nicht in einem Bereich zwischen der ersten vorstehenden Struktur 20A und dem Peripherierand der Außenoberfläche 9 auf dem zweiten anorganischen Film 29 (Außenoberfläche 9) ausgebildet. Das heißt, vorzugsweise wird in einem Bereich zwischen einem Peripherierand des SiC-Chips 2 und der ersten vorstehenden Struktur 20A in Draufsicht kein Metallfilm gebildet. Die erste Hauptoberflächenelektrode 32 durchdringt den Hauptoberflächenisolationsfilm 12 und den zweiten anorganischen Film 29 und ist elektrisch mit der funktionalen Vorrichtung verbunden.
  • Die erste Hauptoberflächenelektrode 32 hat vorzugsweise eine laminierte Struktur, die einen Barriere-Metallfilm („barrier metal film“) und einen Hauptelektrodenfilm aufweist, die in dieser Reihenfolge von der Seite des SiC-Chip 2 aus laminiert bzw. geschichtet („laminated“) sind. Der Barriere-Metallfilm besteht vorzugsweise aus einem Metallfilm auf Ti-Basis. Der Barriere-Metallfilm kann eine einschichtige Struktur oder eine laminierte bzw. geschichtete Struktur haben, die mindestens einen Ti-Film und einen TiN-Film umfasst. Der Hauptelektrodenfilm besteht vorzugsweise aus einem Metallfilm auf Cu-Basis oder einem Metallfilm auf Al-Basis. Der Hauptelektrodenfilm kann mindestens einen von einem reinen Cu-Film (Cu-Film mit einer Reinheit von nicht weniger als 99 %), einem reinen Al-Film (Al-Film mit einer Reinheit von nicht weniger als 99 %), einem AlCu-Legierungsfilm, einem AlSi-Legierungsfilm und einem AlSiCu-Legierungsfilm aufweisen.
  • Die SiC-Halbleitervorrichtung 1 weist keinen Nitridfilm auf, der die erste vorstehende Struktur 20A (Mesaabschnitt 21) bedeckt. Die SiC-Halbleitervorrichtung 1 hat keinen Nitridfilm, der einen Bereich zwischen der ersten vorstehenden Struktur 20A (Mesaabschnitt 21) und der aktiven Oberfläche 8 bedeckt. Die SiC-Halbleitervorrichtung 1 hat keinen Nitridfilm, der einen Bereich zwischen der ersten vorstehenden Struktur 20A (Mesaabschnitt 21) und dem Peripherierand der Außenoberfläche 9 bedeckt. Die SiC-Halbleitervorrichtung 1 hat keinen Nitridfilm, der die erste Hauptoberflächenelektrode 32 bedeckt.
  • Die SiC-Halbleitervorrichtung 1 umfasst einen organischen Film 33, der die erste vorstehende Struktur 20A auf der Seite der Außenoberfläche 9 bedeckt. Der organische Film 33 kann auch als „Schutzfilm“ („protective film“) oder als „organischer Isolationsfilm“ („organic insulating film“) bezeichnet werden. Der organische Film 33 hat eine geringere Härte als der erste anorganische Film 26 und der zweite anorganische Film 29. Mit anderen Worten, der organische Film 33 hat einen Elastizitätsmodul, der kleiner ist als ein Elastizitätsmodul des ersten anorganischen Films 26 und ein Elastizitätsmodul des zweiten anorganischen Films 29 und wirkt als Polstermaterial (Schutzfilm) gegen eine äußere Kraft. Der organische Film 33 schützt den SiC-Chip 2, die erste Hauptoberflächenelektrode 32, etc. vor der äußeren Kraft.
  • Vorzugsweise umfasst der organische Film 33 ein lichtempflindes Harz. Das lichtempflindliche Harz kann von einem negativen oder positiven Typ sein. Der organische Film 33 kann mindestens einen von einem Polyimidfilm, einem Polyamidfilm oder einem Polybenzoxazolfilm aufweisen. Vorzugsweise hat der organische Film 33 eine Dicke, die größer ist als die Dicke der aktiven Mesa 11. Besonders bevorzugt ist die Dicke des organischen Films 33 größer als die Dicke der ersten Hauptoberflächenelektrode 32. Die Dicke des organischen Films 33 kann nicht weniger als 1 um und nicht mehr als 50 um betragen. Die Dicke des organischen Films 33 beträgt vorzugsweise nicht weniger als 5 um und nicht mehr als 20 µm.
  • Der organische Film 33 bedeckt direkt die erste vorstehende Struktur 20A. Daher ist kein Nitridfilm zwischen der ersten vorstehenden Struktur 20A und dem organischen Film 33 angeordnet. Auch zwischen dem Mesaabschnitt 21 (SiC-Chip 2) und dem organischen Film 33 ist kein Nitridfilm eingefügt. Zwischen dem Mesaabschnitt 21 und dem organischen Film 33 befindet sich lediglich eine andere anorganische Substanz als ein Nitridfilm. Der organische Film 33 bedeckt direkt den zweiten anorganischen Film 29 in der ersten vorstehenden Struktur 20A und bedeckt den ersten anorganischen Film 26 über den zweiten anorganischen Film 29 hinweg. Insbesondere reitet („rides“) der organische Film 33 auf dem zweiten anorganischen Film 29 von beiden Seiten der ersten Wandoberfläche 23 und der zweiten Wandoberfläche 24 des Mesaabschnitts 21 und bedeckt einen gesamten Bereich des ersten Abdeckfilms 27 und einen gesamten Bereich des zweiten Abdeckfilms 28 über den zweiten anorganischen Film 29 hinweg.
  • Der organische Film 33 tritt von oberhalb des zweiten anorganischen Films 29 in die Öffnung 30 ein und bedeckt direkt den Mesa-Isolationsfilm 25 innerhalb der Öffnung 30. Der organische Film 33 bedeckt die obere Oberfläche 22 des Mesaabschnitts 21 über den Mesa-Isolationsfilm 25 innerhalb der Öffnung 30. Der organische Film 33 ist mit der ersten vorstehenden Struktur 20A und gleichzeitig mit der Öffnung 30 verbunden („engaged“). Wie oben beschrieben, bedeckt der organische Film 33 direkt einen ganzen Bereich der ersten vorstehenden Struktur 20A in Draufsicht.
  • Die organische Film 33 wird von der ersten vorstehenden Struktur 20A-Seite zur Seite des Peripherierands (erste bis vierte Seitenoberflächen 7A bis 7D) der Außenoberfläche 9 herausgeführt und bedeckt den zweiten anorganischen Film 29 in einem Bereich zwischen dem Peripherierand der Außenoberfläche 9 und dem ersten anorganischen Film 26. Der organische Film 33 hat eine Peripherie-Stirnwand, die in einem Abstand („interval“) nach innen vom Peripherierand der Außenoberfläche 9 ausgebildet ist.
  • Das heißt, die Peripherie-Stirnwand des organischen Films 33 begrenzt einen Trennpfad („dicing street“) 34, der in einem Bereich zwischen dem Mesaabschnitt 21 und dem Peripherierand der Außenoberfläche 9 angeordnet ist und den Peripherierandabschnitt der Außenoberfläche 9 (Peripherierandabschnitt der ersten Hauptoberfläche 5) freilegt. Die Peripherie-Stirnwand der organischen Film 33 kann auf der Seite der aktiven Oberfläche 8 in einem Abstand von der Peripherie-Stirnwand (Kerböffnung („notch opening“) 31) der zweiten anorganischen Film 29 ausgebildet sein. Das heißt, der Trennpfad 34 kann nicht nur den Peripherieabschnitt der Außenoberfläche 9, sondern auch den zweiten anorganischen Film 29 freilegen. Selbstverständlich kann der organische Film 33 die Kerbenöffnung 31 und den Peripherierandabschnitt der Außenoberfläche 9 abdecken.
  • Der organische Film 33 wird von der Seite der ersten vorstehenden Struktur 20A zur Seite der aktiven Oberfläche 8 herausgeführt und bedeckt den zweiten anorganischen Film 29 in einem Bereich zwischen der aktiven Oberfläche 8 und der ersten vorstehenden Struktur 20A. Der organische Film 33 bedeckt die Seitenwandstruktur 13 über den zweiten anorganische Film 29 hinweg und wird über die ersten bis vierten Verbindungsoberflächen 10A bis 10D auf die aktive Oberfläche 8 hinausgeführt. Vorzugsweise bedeckt der organische Film 33 einen ganzen Bereich der Seitenwandstruktur 13.
  • Der organische Film 33 bedeckt unmittelbar bzw. direkt einen Peripherierandabschnitt der ersten Hauptoberflächenelektrode 32 auf der aktiven Oberfläche 8. D.h. zwischen der ersten Hauptoberflächenelektrode 32 und dem organischen Film 33 ist kein Nitridfilm eingefügt. Vorzugsweise bedeckt der organische Film 33 den Peripherierandabschnitt der ersten Hauptoberflächenelektrode 32 entlang seines gesamten Randes. Der organische Film 33 hat mindestens eine Pad-Öffnung 35, die einen inneren Abschnitt der ersten Hauptoberflächenelektrode 32 freilegt. Wie oben beschrieben, füllt der organische Film 33 eine Stufe zwischen der aktiven Oberfläche 8 und der Außenoberfläche 9 aus und bedeckt die aktive Oberfläche 8 (Peripherierandabschnitt der ersten Hauptoberflächenelektrode 32), die Außenoberfläche 9 (erste vorstehende Struktur 20A) und die erste bis vierte Verbindungsoberflächen 10A bis 10D (Seitenwandstruktur 13).
  • Die SiC-Halbleitervorrichtung 1 umfasst eine zweite Hauptoberflächenelektrode 36, die auf der zweiten Hauptoberfläche 6 ausgebildet ist. Die zweite Hauptoberflächenelektrode 36 deckt einen gesamten Bereich der zweiten Hauptoberfläche 6 ab und ist durchgehend mit den ersten bis vierten Seitenoberflächen 7A bis 7D verbunden. Die zweite Hauptoberflächenelektrode 36 ist elektrisch mit dem SiC-Chip 2 (SiC-Substrat 3) verbunden. Insbesondere bildet die zweite Hauptoberflächenelektrode 36 einen ohmschen Kontakt mit dem SiC-Chip 2 (SiC-Substrat 3). Die zweite Hauptoberflächenelektrode 36 kann mindestens einen von einem Ti-Film, einem Ni-Film, einem Pd-Film, einem Au-Film oder einem Ag-Film aufweisen. Die zweite Hauptoberflächenelektrode 36 kann beispielsweise einen Ti-Film, einen Ni-Film, einen Pd-Film und einen Au-Film umfassen, die in dieser Reihenfolge von der zweiten Hauptoberflächenseite 6 laminiert bzw. geschichtet sind.
  • Die erste vorstehende Struktur 20A ist nicht auf den in 4 usw. gezeigten Modus beschränkt und kann verschiedene Arten von Modi annehmen. Nachfolgend werden unter Bezugnahme auf 5A bis 5C andere Ausführungsbeispiele der ersten vorstehenden Struktur 20A gezeigt. 5A ist eine vergrößerte Querschnittansicht, die die erste vorstehende Struktur 20A gemäß dem zweiten Ausführungsbeispiel zeigt. Das gleiche Bezugszeichen wird im Folgenden für die Struktur angegeben, die jeder in 4 dargestellten Struktur entspricht, usw., und eine Beschreibung derselben entfällt.
  • Unter Bezugnahme auf 5A weist der zweite anorganische Film 29 die Öffnung 30 auf, die einen oder beide (in dieser Ausführungsform beide) des ersten Abdeckfilms 27 und des zweiten Abdeckfilms 28 des ersten anorganischen Films 26 teilweise freilegt. Der organische Film 33 deckt einen oder beide (in dieser Ausführungsform beide) des ersten Abdeckfilms 27 und des zweiten Abdeckfilms 28 innerhalb der Öffnung 30 direkt ab.
  • 5B ist eine vergrößerte Querschnittansicht, die die erste vorstehende Struktur 20A gemäß dem dritten Ausführungsbeispiel zeigt. Das gleiche Bezugszeichen wird im Folgenden für die Struktur angegeben, die jeder in 4 dargestellten Struktur entspricht, usw., und eine Beschreibung derselben entfällt. In Bezug auf 5B hat der zweite anorganische Film 29 eine Öffnung 30, die einen ganzen Bereich eines oder beider (in dieser Ausführungsform beide) des ersten Abdeckfilms 27 und des zweiten Abdeckfilms 28 des ersten anorganischen Films 26 freilegt. Die Öffnung 30 bildet einen Spalt 37 mit einem oder beiden (in dieser Ausführungsform, beiden) des ersten Abdeckfilms 27 und des zweiten Abdeckfilms 28.
  • Das heißt, in dieser Ausführungsform umfasst die erste vorstehende Struktur 20A den Spalt 37, der zwischen dem ersten anorganischen Film 26 und dem zweiten anorganischen Film 29 ausgebildet ist. Die Breite des Spalts 37 ist willkürlich und kann nicht weniger als 0,1 um und nicht mehr als 50 um betragen. Der organische Film 33 deckt den ersten anorganischen Film 26 innerhalb der Öffnung 30 direkt ab. Der organische Film 33 tritt in den Spalt 37 ein und bedeckt eine oder beide (in dieser Ausführungsform beide) des ersten Abdeckfilms 27 und des zweiten Abdeckfilms 28 innerhalb des Spaltes 37 direkt.
  • 5C ist eine vergrößerte Querschnittansicht, die die erste vorstehende Struktur 20A gemäß dem vierten Ausführungsbeispiel zeigt. Das gleiche Bezugszeichen wird im Folgenden für die Struktur angegeben, die jeder in 4 dargestellten Struktur entspricht, usw., und eine Beschreibung derselben entfällt. Bezugnehmend auf 5C bedeckt in dieser Ausführungsform der zweite anorganische Film 29 einen gesamten Bereich der oberen Oberfläche 22 des Mesaabschnitts 21 und weist keine Öffnung 30 auf. Der organische Film 33 überdeckt einen ganzen Bereich des Mesaabschnitts 21 und einen ganzen Bereich des ersten anorganischen Films 26 über den zweiten anorganischen Film 29 hinweg.
  • Die SiC-Halbleitervorrichtung 1 kann mindestens zwei der ersten vorstehenden Strukturen 20A gemäß den ersten bis vierten Ausführungsbeispielen gleichzeitig aufweisen. Die SiC-Halbleitervorrichtung 1 kann die erste vorstehende Struktur 20A umfassen, die mindestens zwei der Merkmale des ersten vorstehenden Strukturs 20A gemäß den ersten bis vierten Ausführungsbeispielen gleichzeitig aufweist.
  • Wie oben beschrieben, umfasst die SiC-Halbleitervorrichtung 1 den SiC-Chip 2 (Chip), die funktionale Vorrichtung, die erste vorstehende Struktur 20A (vorstehende Struktur), und den organischen Film 33. Der SiC-Chip 2 hat auf der einen Seite die erste Hauptoberfläche 5 und auf der anderen Seite die zweite Hauptoberfläche 6. Die erste Hauptoberfläche 5 umfasst die aktive Oberfläche 8 an ihrem inneren Abschnitt und die Außenoberfläche 9 an ihrem Peripherieabschnitt. Die funktionale Vorrichtung ist an der Seite der aktiven Oberfläche 8 ausgebildet. Die erste vorstehende Struktur 20A umfasst die anorganische Substanz und steht an der Außenoberfläche 9 vor. Das heißt, die erste vorstehende Struktur 20A ist an der Seite der Außenoberfläche 9 so ausgebildet, dass sie zu der gegenüberliegenden Seite der zweiten Hauptoberfläche 6 vorsteht. Die organische Film 33 bedeckt die erste vorstehende Struktur 20A.
  • Halbleitervorrichtungen werden je nach Anwendung in unterschiedlichen Umgebungen eingesetzt und müssen daher eine für verschiedene Betriebsbedingungen und Umgebungen geeignete Haltbarkeit aufweisen. Unter anderem wird erwartet, dass eine SiC-Halbleitervorrichtung, die ein SiC als Basismaterial umfasst, in Bezug auf die physikalischen Eigenschaften (elektrische Eigenschaften) von SiC in Fahrzeugen usw., wie z. B. einem Hybridfahrzeug, einem Elektrofahrzeug und einem Brennstoffzellenfahrzeug, in dem ein Motor als Antriebsquelle verwendet wird, montiert wird. Dementsprechend muss die SiC-Halbleitervorrichtung im Vergleich zu einer Si-Halbleitervorrichtung, die Si (Silizium) als Basismaterial umfasst, eine ausgezeichnete Haltbarkeit aufweisen, die für schwere Betriebsbedingungen und Umgebungen geeignet ist.
  • Die Haltbarkeit der SiC-Halbleitervorrichtung wird z. B. durch einen Hochtemperatur- und Hochfeuchte-Bias-Test („bias test“) bewertet. Im Hochtemperatur- und Hochfeuchte-Bias-Test werden die elektrischen Eigenschaften der SiC-Halbleitervorrichtung in einem Zustand bewertet, in dem sie einer Umgebung mit hoher Temperatur und hoher Luftfeuchtigkeit ausgesetzt ist. In Umgebungen mit hoher Temperatur wird der organische Film 33 einer externen Spannung ausgesetzt, die aus der thermischen Ausdehnung resultiert, und der organische Film 33 kann vom SiC-Chip 2 abgeschält werden. In Umgebungen mit hoher Luftfeuchtigkeit dringt Wasser (Feuchtigkeit) in einen abgeschälten Abschnitt des organischen Films 33 ein, wodurch die elektrischen Eigenschaften der SiC-Halbleitervorrichtung verändert (verschlechtert) werden können. Diese Vorgänge führen zu einer Abnahme der Zuverlässigkeit der SiC-Halbleitervorrichtung.
  • Insofern kann gemäß der SiC-Halbleitervorrichtung 1 die Haftkraft bzw. Adhäsionskraft („adhesion force“) des organischen Films 33 gegenüber dem SiC-Chip 2 durch die erste vorstehende Struktur 20A verstärkt werden. Dadurch ist es möglich, ein Ablösen bzw. Abschälen des organischen Films 33 vom SiC-Chip 2 zu unterdrücken. Auf diese Weise ist es möglich, die SiC-Halbleitervorrichtung 1 bereitzustellen, die in der Lage ist, die Zuverlässigkeit zu verbessern.
  • Vorzugsweise ist die erste vorstehende Struktur 20A in dem elektrisch schwebenden Zustand ausgebildet. Das heißt, die erste vorstehende Struktur 20A wird vorzugsweise von der Zierstruktur gebildet, die elektrisch von der funktionalen Vorrichtung getrennt ist. Gemäß dieser Struktur ist es möglich, eine Veränderung der elektrischen Eigenschaften der funktionalen Vorrichtung aufgrund der ersten vorstehenden Struktur 20A zu unterdrücken.
  • Vorzugsweise ist zwischen der ersten vorstehenden Struktur 20A und dem organischen Film 33 kein Nitridfilm eingefügt. Vorzugsweise ist kein Nitridfilm zwischen der Außenoberfläche 9 und dem organischen Film 33 angeordnet. Vorzugsweise weist die erste vorstehende Struktur 20A keinen Nitridfilm auf. Gemäß diesen Strukturen ist es möglich, das Abschälen des organischen Films 33 zu verhindern, wobei das Abschälen des Nitridfilms als Ausgangspunkt dient.
  • Die erste vorstehende Struktur 20A ist vorzugsweise aus einer anorganischen Substanz aufgebaut. Vorzugsweise wird in einem Bereich zwischen dem Peripherierand des SiC-Chips 2 und der vorstehenden Struktur in Draufsicht kein Metallfilm gebildet. Die erste vorstehende Struktur 20A wird vorzugsweise in Abständen vom Peripherierand des SiC-Chips 2 und der aktiven Oberfläche 8 in Draufsicht gebildet.
  • Die erste vorstehende Struktur 20A kann die erste Seite (erste Wandoberfläche 23) auf der Seite der aktiven Oberfläche 8 und die zweite Seite (zweite Wandoberfläche 24) auf der Peripherie-Seite der Außenoberfläche 9 haben. Der organische Film 33 bedeckt vorzugsweise die erste vorstehende Struktur 20A so, dass er sowohl die erste Seite als auch die zweite Seite in Draufsicht bedeckt. Vorzugsweise bedeckt der organische Film 33 einen gesamten Bereich der ersten vorstehenden Struktur 20A in Draufsicht.
  • Die erste vorstehende Struktur 20A kann in einer Bandform ausgebildet sein, die sich entlang der aktiven Oberfläche 8 in Draufsicht erstreckt. Die erste vorstehende Struktur 20A kann die aktive Oberfläche 8 in Draufsicht umgeben. Die erste vorstehende Struktur 20A kann in Draufsicht ringförmig ausgebildet sein. Die organische Film 33 kann einen Abschnitt der aktiven Oberfläche 8 in Draufsicht bedecken.
  • Die SiC-Halbleitervorrichtung 1 kann die erste Hauptoberflächenelektrode 32 umfassen, die die aktive Oberfläche 8 in Draufsicht bedeckt. Der organische Film 33 kann einen Abschnitt der ersten Hauptoberflächenelektrode 32 bedecken. In Umgebungen mit hohen Temperaturen tritt in der ersten Hauptoberflächenelektrode 32 eine Spannung auf, die aus der thermischen Ausdehnung resultiert. Wenn ein Nitridfilm gebildet wird, der die erste Hauptoberflächenelektrode 32 bedeckt, kann sich der Nitridfilm aufgrund einer aus der ersten Hauptoberflächenelektrode 32 resultierenden Spannung von der ersten Hauptoberflächenelektrode 32 ablösen. In Umgebungen mit hoher Luftfeuchtigkeit kann die erste Hauptoberflächenelektrode 32 usw. aufgrund von Wasser (Feuchtigkeit), das in einen abgeschälten bzw. abgelösten Abschnitt des Nitridfilms eingedrungen ist, beschädigt werden.
  • Zwischen der ersten Hauptoberflächenelektrode 32 und dem organischen Film 33 ist daher vorzugsweise kein Nitridfilm eingefügt. Gemäß dieser Struktur ist es möglich, Ausgangspunkte des Abschälens einer Struktur, die die erste Hauptoberflächenelektrode 32 bedeckt, zu reduzieren. Das heißt, es ist möglich, das Abschälen des organischen Films 33 auf der ersten Hauptoberflächenelektrode 32 zu verhindern, wobei das Abschälen des Nitridfilms als Ausgangspunkt dient.
  • Eine Spannung der ersten Hauptoberflächenelektrode 32 konzentriert sich in der Nähe eines Randabschnitts (Peripherierandabschnitt) der ersten Hauptoberflächenelektrode 32. Dementsprechend kommt es bei der Bildung eines Nitridfilms, der die Umgebung des Randabschnitts der ersten Hauptoberflächenelektrode 32 bedeckt, leicht zu einem Ablösen des Nitridfilms. Daher ist es in einer solchen Struktur, die den organischen Film 33 aufweist, der den Randabschnitt der ersten Hauptoberflächenelektrode 32 bedeckt, besonders bevorzugt, dass ein Nitridfilm nicht zwischen einem Peripherierandabschnitt der ersten Hauptoberflächenelektrode 32 und dem organischen Film 33 angeordnet ist.
  • Die erste Hauptoberfläche 5 kann die aktive Oberfläche 8, die Außenoberfläche 9, die in Bezug auf die aktive Oberfläche 8 an der Seite der zweiten Hauptoberfläche 6 eingedrückt ist, und die ersten bis vierten Verbindungsoberflächen 10A bis 10D, die die aktive Oberfläche 8 und die Außenoberfläche 9 verbinden, umfassen. Das heißt, die SiC-Halbleitervorrichtung 1 kann die aktive Mesa 11 aufweisen, die durch die aktive Oberfläche 8, die Außenoberfläche 9 und die ersten bis vierten Verbindungsoberflächen 10A bis 10D in der ersten Hauptoberfläche 5 begrenzt wird. In diesem Fall ist die erste vorstehende Struktur 20A vorzugsweise der aktiven Mesa 11 in Richtung der Ebene der Außenoberfläche 9 zugewandt.
  • Weiterhin füllt in diesem Fall der organische Film 33 vorzugsweise eine Stufe zwischen der aktiven Oberfläche 8 und der Außenoberfläche 9 aus, um die aktive Oberfläche 8 und die Außenoberfläche 9 zu bedecken. Gemäß dieser Struktur kann die Haftkraft des organischen Films 33 in Bezug auf den SiC-Chip 2 durch die aktive Mesa 11 und die erste vorstehende Struktur 20A verstärkt werden. Die SiC-Halbleitervorrichtung 1 kann die Seitenwandstruktur 13 aufweisen, die die ersten bis vierten Verbindungsoberflächen 10A bis 10D abdeckt. In diesem Fall bedeckt der organische Film 33 vorzugsweise die Seitenwandstruktur 13.
  • Vorzugsweise umfasst die erste vorstehende Struktur 20A den Mesaabschnitt 21, der aus einem Abschnitt des SiC-Chips 2 besteht und an der Außenoberfläche 9 so ausgebildet ist, dass er in Richtung der gegenüberliegenden Seite der zweiten Hauptoberfläche 6 vorsteht. Vorzugsweise umfasst die erste vorstehende Struktur 20A den ersten anorganischen Film 26, der mindestens einen Abschnitt des Mesaabschnitts 21 auf der Außenoberfläche 9 bedeckt. Vorzugsweise umfasst die erste vorstehende Struktur 20A den zweiten anorganischen Film 29, der mindestens einen Abschnitt des ersten anorganischen Films 26 auf der Außenoberfläche 9 bedeckt.
  • In diesem Fall bedeckt der organische Film 33 vorzugsweise zumindest den zweiten anorganischen Film 29 auf der Außenoberfläche 9. Gemäß dieser Struktur kann die Adhäsionskraft des organischen Films 33 in Bezug auf den SiC-Chip 2 durch die erste vorstehende Struktur 20A, die den Mesaabschnitt 21, den ersten anorganischen Film 26 und den zweiten anorganischen Film 29 umfasst, verstärkt werden. Dadurch ist es möglich, das Ablösen des organischen Films 33 vom SiC-Chip 2 zu unterdrücken. Auf diese Weise ist es möglich, die SiC-Halbleitervorrichtung 1 bereitzustellen, die die Zuverlässigkeit verbessert.
  • Vorzugsweise umfasst der zweite anorganische Film 29 eine andere anorganische Substanz als der erste anorganische Film 26. Vorzugsweise werden der erste anorganische Film 26 und der zweite anorganische Film 29 jeweils in einem elektrisch schwebenden Zustand gebildet. Vorzugsweise enthalten der erste anorganische Film 26 und der zweite anorganische Film 29 jeweils eine andere anorganische Substanz als ein Nitrid. Vorzugsweise ist zwischen dem zweiten anorganischen Film 29 und dem organischen Film 33 kein Nitridfilm eingefügt. Vorzugsweise befindet sich kein Nitridfilm zwischen dem ersten anorganischen Film 26 und dem organischen Film 33.
  • Vorzugsweise ist zwischen dem Mesaabschnitt 21 und dem organischen Film 33 kein Nitridfilm eingefügt. Vorzugsweise wird ein Nitridfilm nicht in einem Bereich zwischen der aktiven Oberfläche 8 und dem Mesaabschnitt 21 an der Außenoberfläche 9 gebildet. Vorzugsweise wird ein Metallfilm nicht in einem Bereich zwischen dem Peripherierand des SiC-Chips 2 und dem Mesaabschnitt 21 in Draufsicht gebildet.
  • Der Mesaabschnitt 21 ist vorzugsweise in Abständen bzw. Intervallen („intervals“) von dem Peripherierand des SiC-Chips 2 und der aktiven Oberfläche 8 in Draufsicht ausgebildet. Der Mesaabschnitt 21 kann die erste Seite (erste Wandoberfläche 23) auf der Seite der aktiven Oberfläche 8 und die zweite Seite (zweite Wandoberfläche 24) auf der Peripherierandseite der Außenoberfläche 9 aufweisen. In diesem Fall bedeckt der organische Film 33 den Mesaabschnitt 21 vorzugsweise so, dass er sowohl die erste Seite als auch die zweite Seite in Draufsicht bedeckt. Vorzugsweise bedeckt der organische Film 33 einen gesamten Bereich des Mesaabschnitts 21 in Draufsicht.
  • Der Mesaabschnitt 21 kann in Form eines Bandes ausgebildet sein, das sich entlang der aktiven Oberfläche 8 in Draufsicht erstreckt. Der Mesaabschnitt 21 kann die aktive Oberfläche 8 in Draufsicht umgeben. Der Mesaabschnitt 21 kann in der Draufsicht ringförmig ausgebildet sein. Der organische Film 33 kann einen Abschnitt der aktiven Oberfläche 8 in Draufsicht bedecken.
  • Die SiC-Halbleitervorrichtung 1 kann die erste Hauptoberflächenelektrode 32 umfassen, die die aktive Oberfläche 8 in Draufsicht bedeckt. In diesem Fall kann der organische Film 33 einen Abschnitt der ersten Hauptoberflächenelektrode 32 an der Seite der aktiven Oberfläche 8 bedecken. In diesem Fall wird vorzugsweise kein Nitridfilm zwischen der ersten Hauptoberflächenelektrode 32 und dem organischen Film 33 eingefügt.
  • Die erste vorstehende Struktur 20A kann den Mesa-Isolationsfilm 25 umfassen, der den Mesaabschnitt 21 bedeckt. In diesem Fall bedeckt der erste anorganische Film 26 vorzugsweise den Mesa-Isolationsfilm 25. Der Mesa-Isolationsfilm 25 ist vorzugsweise aus einem Siliziumoxidfilm aufgebaut. Vorzugsweise ist zwischen dem Mesaabschnitt 21 und dem Mesa-Isolationsfilm 25 kein Nitridfilm eingefügt. Vorzugsweise ist der Mesaabschnitt 21 der aktiven Mesa 11 in der flachen Richtung („plane direction“) der Außenoberfläche 9 zugewandt. Vorzugsweise hat der Mesaabschnitt 21 eine obere Oberfläche 22, die in der gleichen Ebene wie die aktive Oberfläche 8 liegt.
  • Der erste anorganische Film 26 kann einen Polysiliziumfilm aufweisen, und der zweite anorganische Film 29 kann einen Siliziumoxidfilm aufweisen. Vorzugsweise umfasst der erste anorganische Film 26 einen Polysiliziumfilm, der von einer Außenoberfläche freigelegt wird. Vorzugsweise bedeckt der organische Film 33 direkt den ersten anorganischen Film 26 und den zweiten anorganischen Film 29. Vorzugsweise ist die Adhäsionskraft des organischen Films 33 an dem ersten anorganischen Film 26 größer als die Adhäsionskraft des organischen Films 33 an dem zweiten anorganischen Film 29.
  • Der SiC-Chip 2 kann das SiC-Substrat 3 und die SiC-Epitaxieschicht 4 aufweisen. In diesem Fall kann der Mesaabschnitt 21 aus einem Abschnitt der SiC-Epitaxieschicht 4 gebildet sein. Die SiC-Epitaxieschicht 4 kann eine andere Verunreinigungskonzentration aufweisen als das SiC-Substrat 3.
  • Der zweite anorganische Film 29 kann die Öffnung 30 aufweisen, die mindestens einen Abschnitt der oberen Oberfläche 22 des Mesaabschnitts 21 in Draufsicht überlappt (siehe 4 bis 5B). In diesem Fall kann der zweite anorganische Film 29 einen gesamten Bereich des ersten anorganischen Films 26 abdecken (siehe 4). Der zweite anorganische Film 29 kann mindestens einen Abschnitt des ersten anorganischen Films 26 freilegen (siehe 5A und 5B). Der zweite anorganische Film 29 kann einen gesamten Bereich des ersten anorganischen Films 26 freilegen (siehe 5B).
  • In diesem Fall kann der zweite anorganische Film 29 auf der Außenoberfläche 9 in einem Abstand von der ersten anorganischen Film 26 gebildet werden, so dass er mit dem ersten anorganischen Film 26 den Spalt 37 bildet (siehe 5B). In diesem Fall kann der organische Film 33 den Spalt 37 auf der Außenoberfläche 9 ausfüllen, um den Mesaabschnitt 21, den ersten anorganischen Film 26 und den zweiten anorganischen Film 29 zu bedecken (siehe 5B). Selbstverständlich kann der zweite anorganische Film 29 einen ganzen Bereich des Mesaabschnitts 21 abdecken (siehe 5C).
  • 6 entspricht 4 und ist eine vergrößerte Querschnittansicht, die eine SiC-Halbleitervorrichtung 41 gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung mit einer zweiten vorstehenden Struktur 20B gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel zeigt. Nachfolgend wird für jede beschriebene Struktur der SiC-Halbleitervorrichtung 1 das gleiche Bezugszeichen für die entsprechende Struktur angegeben, und eine Beschreibung derselben entfällt.
  • Unter Bezugnahme auf 6 umfasst die SiC-Halbleitervorrichtung 41 anstelle der ersten vorstehenden Struktur 20A mindestens eine (in dieser Ausführungsform eine) zweite vorstehende Struktur 20B (vorstehende Struktur) gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel, die an der Seite der Außenoberfläche 9 vorsteht. Wie bei der ersten vorstehenden Struktur 20A umfasst die zweite vorstehende Struktur 20B den Mesaabschnitt 21, den MesaIsolationsfilm 25, den ersten anorganischen Film 26 und den zweiten anorganischen Film 29. In dieser Ausführungsform umfasst der erste anorganische Film 26 neben dem ersten Abdeckfilm 27 und dem zweiten Abdeckfilm 28 einen die obere Oberfläche 22 des Mesaabschnitts 21 auf dem Mesa-Isolationsfilm 25 abdeckenden Abschnitt 42 als Filmform. Die obere Oberfläche, die den Abschnitt 42 abdeckt, bedeckt einen ganzen Bereich der oberen Oberfläche 22 und ist durchgängig mit dem ersten Abdeckfilm 27 und dem zweiten Abdeckfilm 28.
  • Das heißt, der erste anorganische Film 26 bedeckt die obere Oberfläche 22 des Mesaabschnitts 21, dessen erste Wandoberfläche 23 und dessen zweite Wandoberfläche 24 als eine Filmform. Insbesondere hat der erste anorganische Film 26 eine Oberfläche auf der Seite des SiC-Chips 2 und eine andere Oberfläche auf der gegenüberliegenden Seite der einen Oberfläche. Der erste anorganische Film 26 bedeckt die obere Oberfläche 22, die erste Wandoberfläche 23 und die zweite Wandoberfläche 24 derart, dass sich sowohl die eine Oberfläche als auch die andere Oberfläche entlang der oberen Oberfläche 22, der ersten Wandoberfläche 23 und der zweiten Wandoberfläche 24 erstrecken. Vorzugsweise bedeckt der erste anorganische Film 26 einen gesamten Bereich des Mesaabschnitts 21 als Filmform.
  • Der zweite anorganische Film 29 ist als Filmform so ausgebildet, dass sich sowohl die eine als auch die andere Oberfläche entlang der Außenoberfläche (erster Abdeckfilm 27, zweiter Abdeckfilm 28 und der die obere Oberfläche abdeckende (bzw. bedeckende) Abschnitt 42) des ersten anorganischen Films 26 erstreckt. In dieser Ausführungsform fährt der zweite anorganische Film 29 über den ersten Abdeckfilm 27 und den zweiten Abdeckfilm 28 von beiden Seiten der ersten Wandoberfläche 23 und der zweiten Wandoberfläche 24 des Mesaabschnitts 21 und bedeckt selektiv den die obere Oberfläche bedeckenden Abschnitt 42.
  • In dieser Ausführungsform weist der zweite anorganische Film 29 mindestens eine Öffnung 30 auf, die den die obere Oberfläche bedeckenden Abschnitt 42 selektiv freilegt. Eine Öffnungsfläche der Öffnung 30 in einer Querschnittansicht ist vorzugsweise gleich oder größer als eine Fläche eines Abschnitts des die obere Oberfläche bedeckenden Abschnitts 42, der von dem zweiten anorganischen Film 29 bedeckt ist. Selbstverständlich kann die Öffnungsfläche der Öffnung 30 kleiner sein als die Fläche des abgedeckten Abschnitts. Eine Beschreibung der Form etc. der Öffnung 30 entspricht der vorherigen Beschreibung und entfällt daher.
  • In dieser Ausführungsform umfasst der organische Film 33 einen Abschnitt, der den ersten anorganischen Film 26 direkt abdeckt, und einen Abschnitt, der den ersten anorganische Film 26 über den zweite anorganischen Film 29 hinweg abdeckt. Insbesondere fährt („rides“) der organische Film 33 von beiden Seiten der ersten Wandoberfläche 23 und der zweiten Wandoberfläche 24 des Mesaabschnitts 21 über den zweiten anorganischen Film 29 und bedeckt ganze Bereiche des ersten Abdeckfilms 27 und des zweiten Abdeckfilms 28 über den zweiten anorganischen Film 29 hinweg.
  • Der organische Film 33 tritt von oberhalb des zweiten anorganischen Films 29 in die Öffnung 30 ein und bedeckt direkt den die obere Oberfläche bedeckenden Abschnitt 42 des ersten anorganischen Films 26 innerhalb der Öffnung 30. Der organische Film 33 bedeckt die obere Oberfläche 22 des Mesaabschnitts 21 über den die obere Oberfläche bedeckenden Abschnitt 42, und den Mesa-Isolationsfilm 25 innerhalb der Öffnung 30. Wie oben beschrieben, bedeckt der organische Film 33 direkt einen ganzen Bereich der zweiten vorstehenden Struktur 20B in Draufsicht. Der organische Film 33 ist mit der zweiten vorstehenden Struktur 20B und gleichzeitig mit der Öffnung 30 verbunden. Ferner ist der organische Film 33 innerhalb der Öffnung 30 in Kontakt mit dem die obere Oberfläche bedeckenden Abschnitt 42.
  • Die zweite vorstehende Struktur 20B ist nicht auf den in 6 dargestellten Modus beschränkt und kann verschiedene Arten von Modi annehmen. Nachfolgend werden unter Bezugnahme auf 7A bis 7D andere Ausführungsbeispiele der zweiten vorstehenden Struktur 20B gezeigt. 7A ist eine vergrößerte Querschnittansicht, die die zweite vorstehende Struktur 20B gemäß dem zweiten Ausführungsbeispiel zeigt. Die Struktur, die der in 6 gezeigten Struktur entspricht, wird im Folgenden mit dem gleichen Bezugszeichen versehen und eine Beschreibung derselben entfällt.
  • Unter Bezugnahme auf 7A kann der die obere Oberfläche abdeckende Abschnitt 42 des ersten anorganischen Films 26 mindestens einen entfernten Abschnitt 42a und mindestens einen Abdeckungsabschnitt 42b aufweisen, die abwechselnd entlang einer oder beider der ersten Richtung X und der zweiten Richtung Y in einer Querschnittansicht ausgebildet sind. Der entfernte Abschnitt 42a besteht aus einer Öffnung oder einem gekerbten („notched“) Abschnitt, in dem der erste anorganische Film 26 teilweise entfernt wird, so dass der Mesa-Isolationsfilm 25 selektiv freigelegt wird. Der Abdeckungsabschnitt 42b besteht aus einem Abschnitt, der selektiv den Mesa-Isolationsfilm 25 in dem ersten anorganischen Film 26 abdeckt.
  • Es genügt, dass der die obere Oberfläche abdeckende Abschnitt 42 eine ungleichmäßige Struktur aufweist, die durch den entfernten Abschnitt 42a und den Abdeckungsabschnitt 42b gebildet wird, wobei die Position, die Größe, die flächige Form usw. jedes entfernten Abschnitts 42a und des Abdeckungsabschnitts 42b beliebig sind. Der die obere Oberfläche abdeckende Abschnitt 42 kann verschiedene Arten von Modi annehmen, abhängig von der Form mindestens eines entfernten Abschnitts 42a und mindestens eines Abdeckungsabschnitts 42b.
  • Wenn beispielsweise der die obere Oberfläche abdeckende Abschnitt 42 mindestens einen entfernten Abschnitt 42a aufweist, kann mindestens der eine entfernte Abschnitt 42a in einer Bandform, einer Ringform oder einer Zickzackform (in einer mäanderförmigen Weise) ausgebildet sein, die sich in der ersten Richtung X und/oder in der zweiten Richtung Y in Draufsicht erstreckt. Wenn der die obere Oberfläche bedeckende Abschnitt 42 eine Mehrzahl der entfernten Abschnitte 42a aufweist, kann die Mehrzahl der entfernten Abschnitte 42a als Punkte oder Streifen (in einer Mehrzahl von Bandformen) in einem Abstand in der ersten Richtung X und/oder in der zweiten Richtung Y ausgebildet sein.
  • In ähnlicher Weise kann, wenn der die obere Oberfläche abdeckende Abschnitt 42 mindestens einen Abdeckungsabschnitt 42b aufweist, mindestens der eine Abdeckungsabschnitt 42b in einer Bandform, einer Ringform oder einer Zickzackform (mäanderförmig) ausgebildet sein, die sich in der ersten Richtung X und/oder in der zweiten Richtung Y in Draufsicht erstreckt. Wenn der die obere Oberfläche abdeckende Abschnitt 42 eine Vielzahl von Abdeckabschnitten 42b aufweist, kann die Vielzahl von Abdeckabschnitten 42b als Punkte oder Streifen (in einer Vielzahl von Bandformen) in einem Intervall in der ersten Richtung X und/oder in der zweiten Richtung Y ausgebildet sein.
  • Der organische Film 33 tritt in den entfernten Abschnitt 42a innerhalb der Öffnung 30 von oberhalb des Abdeckabschnitts 42b des die obere Oberfläch abdeckenden Abschnitts 42 ein und bedeckt direkt den Mesaisolationsfilm 25 und den die obere Oberfläche abdeckenden Abschnitt 42 innerhalb des entfernten Abschnitts 42a. In dieser Ausführungsform wurde ein Beispiel beschrieben, bei dem der entfernte Abschnitt 42a den Mesa-Isolierfilm bzw. Mesailolationsfilm 25 freilegt. Der entfernte Abschnitt 42a kann jedoch durch den Mesa-Isolationsfilm 25 hindurchdringen, um den SiC-Chip 2 (SiC-Epitaxieschicht 4) freizulegen. In diesem Fall bedeckt der organische Film 33 direkt den SiC-Chip 2, den Mesa-Isolationsfilm 25 und den die obere Oberfläche abdeckenden Abschnitt 42 innerhalb des entfernten Abschnitts 42a.
  • 7B ist eine vergrößerte Querschnittansicht, die die zweite vorstehende Struktur 20B gemäß dem dritten Ausführungsbeispiel zeigt. Das gleiche Bezugszeichen wird im Folgenden für die Struktur verwendet, die jeder in 6 dargestellten Struktur entspricht, und eine Beschreibung derselben entfällt. Bezugnehmend auf 7B hat die zweite anorganische Film 29 die Öffnung 30, die eine oder beide (in dieser Ausführungsform beide) der ersten Abdeckfilm 27 und der zweiten Abdeckfilm 28 der ersten anorganischen Film 26 teilweise freilegt, zusätzlich zu der oberen Oberfläche, die den Abschnitt 42 abdeckt. Die organische Film 33 bedeckt direkt eine oder beide (in dieser Ausführungsform beide) der ersten Abdeckfilm 27 und der zweiten Abdeckfilm 28 innerhalb der Öffnung 30, zusätzlich zu der oberen Oberfläche, die Abschnitt 42 bedeckt.
  • 7C ist eine vergrößerte Querschnittansicht, die die zweite vorstehende Struktur 20B gemäß dem vierten Ausführungsbeispiel zeigt. Das gleiche Bezugszeichen wird im Folgenden für die Struktur verwendet, die jeder in 6 dargestellten Struktur entspricht, und eine Beschreibung derselben entfällt. Unter Bezugnahme auf 7C weist die zweite anorganische Film 29 die Öffnung 30 auf, die einen gesamten Bereich einer oder beider (in dieser Ausführungsform beide) der ersten Abdeckfilm 27 und der zweiten Abdeckfilm 28 der ersten anorganischen Film 26 freilegt, zusätzlich zu der oberen Oberfläche, die den Abschnitt 42 bedeckt. Die Öffnung 30 bildet den Spalt 37 mit einer oder beiden (in dieser Ausführungsform, beiden) der ersten Abdeckfilm 27 und der zweiten Abdeckfilm 28.
  • Das heißt, in dieser Ausführungsform umfasst die zweite vorstehende Struktur 20B den zwischen der ersten anorganischen Film 26 und der zweiten anorganischen Film 29 gebildeten Spalt 37. Die Breite des Spalts 37 ist willkürlich und kann nicht weniger als 0,1 µm und nicht mehr als 50 µm betragen. In dieser Ausführungsform bedeckt der organische Film 33 direkt einen oder beide (in dieser Ausführungsform beide) der ersten Abdeckfilm 27 und der zweiten Abdeckfilm 28 innerhalb der Öffnung 30, zusätzlich zu der oberen Oberfläche, die den Abschnitt 42 bedeckt. Der organische Film 33 tritt in den Spalt 37 ein und bedeckt direkt eine oder beide (in dieser Ausführungsform beide) der ersten Abdeckfilm 27 und der zweiten Abdeckfilm 28 innerhalb des Spalts 37.
  • 7D ist eine vergrößerte Querschnittansicht, die die zweite vorstehende Struktur 20B gemäß dem fünften Ausführungsbeispiel zeigt. Die Struktur, die jeder in 6 gezeigten Struktur entspricht, wird im Folgenden mit demselben Bezugszeichen versehen, und eine Beschreibung derselben entfällt. Bezugnehmend auf 7D bedeckt bei dieser Ausführungsform die zweite anorganische Film 29 einen gesamten Bereich der oberen Oberfläche, die den Abschnitt 42 der ersten anorganischen Film 26 bedeckt, und weist keine Öffnung 30 auf. In dieser Ausführungsform deckt die zweite anorganische Film 29 einen gesamten Bereich der ersten anorganischen Film 26 ab. Die organische Film 33 überdeckt einen ganzen Bereich des Mesaabschnitts 21 und einen ganzen Bereich der ersten anorganischen Film 26 über die zweite anorganische Film 29.
  • Die SiC-Halbleitervorrichtung 41 kann mindestens zwei der zweiten vorstehenden Strukturen 20B gemäß den ersten bis fünften Ausführungsbeispielen gleichzeitig umfassen. Die SiC-Halbleitervorrichtung 41 kann die zweite vorstehende Struktur 20B umfassen, die mindestens zwei der Merkmale des zweiten vorstehenden Strukturs 20B gemäß den ersten bis fünften Ausführungsbeispielen gleichzeitig umfasst.
  • Wie oben beschrieben, umfasst die SiC-Halbleitervorrichtung 41 den SiC-Chip 2 (Chip), die funktionale Vorrichtung, die zweite vorstehende Struktur 20B (vorstehende Struktur) und den organischen Film 33. Der SiC-Chip 2 hat auf einer Seite die erste Hauptoberfläche 5 und auf der anderen Seite die zweite Hauptoberfläche 6. Die erste Hauptoberfläche 5 umfasst die aktive Oberfläche 8 an ihrem inneren Abschnitt und die Außenoberfläche 9 an ihrem Peripherieabschnitt. Die funktionale Vorrichtung ist an der Seite der aktiven Oberfläche 8 ausgebildet. Die zweite vorstehende Struktur 20B umfasst die anorganische Substanz und steht an der Außenoberfläche 9 vor. Das heißt, die zweite vorstehende Struktur 20B ist an der Seite der Außenoberfläche 9 so ausgebildet, dass sie auf der gegenüberliegenden Seite der zweiten Hauptoberfläche 6 vorsteht. Die organische Film 33 bedeckt die zweite vorstehende Struktur 20B.
  • Gemäß dieser Struktur kann die Adhäsionskraft des organischen Films 33 gegenüber dem SiC-Chip 2 durch die zweite vorstehende Struktur 20B verstärkt werden. Dadurch ist es möglich, ein Ablösen des organischen Films 33 vom SiC-Chip 2 zu unterdrücken. So ist es möglich, die SiC-Halbleitervorrichtung 41 bereitzustellen, die die Zuverlässigkeit verbessert.
  • Vorzugsweise umfasst die zweite vorstehende Struktur 20B den Mesaabschnitt 21, der aus einem Abschnitt des SiC-Chips 2 besteht und an der Außenoberfläche 9 so ausgebildet ist, dass er auf der gegenüberliegenden Seite der zweiten Hauptoberfläche 6 vorsteht. Vorzugsweise weist der Mesaabschnitt 21 die obere Oberfläche 22, die erste Wandoberfläche 23 auf der Seite der aktiven Oberfläche 8 und die zweite Wandoberfläche 24 auf der Peripherieseite der Außenoberfläche 9 auf. Vorzugsweise umfasst die zweite vorstehende Struktur 20B den ersten anorganischen Film 26, der die obere Oberfläche 22, die erste Wandoberfläche 23 und die zweite Wandoberfläche 24 als Filmform bedeckt. Vorzugsweise umfasst die zweite vorstehende Struktur 20B die zweite anorganische Film 29, die mindestens einen Abschnitt der ersten anorganischen Film 26 bedeckt und die vorstehende Struktur mit dem Mesaabschnitt 21 und der ersten anorganischen Film 26 bildet.
  • In diesem Fall bedeckt der organische Film 33 vorzugsweise die zweite vorstehende Struktur 20B. Gemäß dieser Struktur ist es möglich, die Adhäsionskraft des organischen Films 33 in Bezug auf den SiC-Chip 2 durch die zweite vorstehende Struktur 20B zu erhöhen, die den Mesaabschnitt 21, den ersten anorganischen Film 26 und den zweiten anorganischen Film 29 umfasst. Dadurch ist es möglich, das Ablösen des organischen Films 33 von dem SiC-Chip 2 zu unterdrücken. Dadurch ist es möglich, die SiC-Halbleitervorrichtung 41 bereitzustellen, die die Zuverlässigkeit verbessert.
  • Vorzugsweise umfasst der erste anorganische Film 26 den die obere Oberfläche bedeckenden bzw. abdeckende Abschnitt 42, der die obere Oberfläche 22 bedeckt, den ersten Abdeckfilm 27, der die erste Wandoberfläche 23 bedeckt, und den zweiten Abdeckfilm 28, der die zweite Wandoberfläche 24 bedeckt. Vorzugsweise bedeckt der zweite anorganische Film 29 einen oder beide des ersten Abdeckfilms 27 und des zweiten Abdeckfilms 28, so dass mindestens ein Abschnitt des die obere Oberfläche abdeckenden Abschnitts freigelegt wird (siehe 6 bis 7C). Vorzugsweise ist der organische Film 33 in Kontakt mit dem die obere Oberfläche abdeckenden Abschnitt 42.
  • Der zweite anorganische Film 29 kann einen gesamten Bereich des ersten Abdeckfilms 27 und einen gesamten Bereich des zweiten Abdeckfilms 28 bedecken und kann den die obere Oberfläche abdeckenden Abschnitt 42 selektiv freilegen (siehe 6 und 7A). Der zweite anorganische Film 29 kann mindestens einen Abschnitt des die obere Oberfläche abdeckenden Abschnitts 42, mindestens einen Abschnitt des ersten Abdeckfilms 27 und mindestens einen Abschnitt des zweiten Abdeckfilms 28 freilegen (siehe 7B und 7C). Der zweite anorganische Film 29 kann einen ganzen Bereich des ersten anorganischen Films 26 freilegen (siehe 7C).
  • In diesem Fall kann der zweite anorganische Film 29 auf der Außenoberfläche 9 in einem Abstand von dem ersten anorganischen Film 26 gebildet werden, so dass der Spalt 37 mit dem ersten anorganischen Film 26 gebildet wird (siehe 7C). In diesem Fall kann der organische Film 33 den Spalt 37 auf der Außenoberfläche 9 ausfüllen, um den Mesaabschnitt 21, den ersten anorganischen Film 26 und den zweiten anorganischen Film 29 zu bedecken (siehe 7C). Selbstverständlich kann der zweite anorganische Film 29 einen ganzen Bereich des ersten anorganischen Films 26 abdecken (siehe 7D).
  • 8 entspricht 4 und ist eine vergrößerte Querschnittansicht, die eine SiC-Halbleitervorrichtung 51 gemäß der dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung mit einer dritten vorstehenden Struktur 20C gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel zeigt. Die Struktur, die der für die SiC-Halbleitervorrichtung 1 beschriebenen Struktur entspricht, wird im Folgenden mit demselben Bezugszeichen versehen, und eine Beschreibung derselben entfällt.
  • Unter Bezugnahme auf 8 umfasst die SiC-Halbleitervorrichtung 51 anstelle der ersten vorstehenden Struktur 20A mindestens eine (in dieser Ausführungsform eine) dritte vorstehende Struktur 20C (vorstehende Struktur) gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel, die an einer Seite der Außenoberfläche 9 vorsteht. Wie bei der ersten vorstehenden Struktur 20A umfasst die dritte vorstehende Struktur 20C den Mesaabschnitt 21, den MesaIsolationsfilm 25, den ersten anorganischen Film 26 und den zweiten anorganischen Film 29.
  • In dieser Ausführungsform umfasst die dritte vorstehende Struktur 20C mindestens eine Grabenstruktur („trench structure“) 52, die an der oberen Oberfläche 22 des Mesaabschnitts 21 ausgebildet ist (in dieser Ausführungsform drei Grabenstrukturen 52). Die Mehrzahl der Grabenstrukturen 52 besteht aus ornamentalen Strukturen, die von der funktionalen Vorrichtung auf der oberen Oberfläche 22 elektrisch getrennt sind. Die Mehrzahl der Grabenstrukturen 52 sind in einem elektrisch schwebenden Zustand ausgebildet.
  • Die Anzahl der Grabenstrukturen 52 ist willkürlich und entsprechend einer Breite des Mesaabschnitts 21 angepasst. Die dritte vorstehende Struktur 20C kann in einer Querschnittansicht eine Grabenstruktur 52 umfassen. Vorzugsweise umfasst die dritte vorstehende Struktur 20C zwei oder mehr Grabenstrukturen 52 in einer Querschnittansicht. Besonders bevorzugt umfasst in einer Querschnittansicht und in Draufsicht die dritte vorstehende Struktur 20C zwei oder mehr Grabenstrukturen 52.
  • Die Mehrzahl der Grabenstrukturen 52 sind in einem Abstand in einer Richtung orthogonal zu der Richtung, in der sich der Mesaabschnitt 21 in einer Querschnittansicht erstreckt, ausgebildet. Eine planare Form jeder der Grabenstrukturen 52 ist beliebig. Die Mehrzahl der Grabenstrukturen 52 kann jeweils in einer Bandform ausgebildet sein, die sich in der Richtung erstreckt, in der sich der Mesaabschnitt 21 in Draufsicht erstreckt. Das heißt, die Vielzahl der Grabenstrukturen 52 kann in Draufsicht als Streifen (in einer Vielzahl von Bandformen) ausgebildet sein. Die Mehrzahl der Grabenstrukturen 52 kann jeweils in einer Ringform ausgebildet sein, die sich in Draufsicht entlang des Mesaabschnitts 21 erstreckt. Die Mehrzahl der Grabenstrukturen 52 kann als Punkte („dots“) in Abständen in der Richtung, in der sich der Mesaabschnitt 21 erstreckt, und in einer Richtung orthogonal zu der Richtung, in der sich der Mesaabschnitt 21 erstreckt, ausgebildet sein.
  • Die Mehrzahl der Grabenstrukturen 52 umfasst jeweils eine Seitenwand und eine Bodenwand. Die Mehrzahl der Grabenstrukturen 52 kann jeweils in einer vertikalen Form mit einer im Wesentlichen konstanten Öffnungsbreite ausgebildet sein. Die Mehrzahl der Grabenstrukturen 52 kann jeweils in einer sich verjüngenden Form ausgebildet sein, die eine Öffnungsweite aufweist, die sich zur Bodenwand hin verjüngt. Vorzugsweise ist die Bodenwand jeder der Grabenstrukturen 52 jeweils in Richtung der zweiten Hauptoberfläche 6 gekrümmt ausgebildet. Selbstverständlich kann die Bodenwand jeder der Grabenstrukturen 52 jeweils eine ebene Fläche parallel zur aktiven Oberfläche 8 aufweisen.
  • Die Mehrzahl der Grabenstrukturen 52 sind jeweils in einem Abstand von einem unteren Abschnitt der SiC-Epitaxieschicht 4 (SiC-Substrat 3) zur oberen Oberfläche 22 ausgebildet und stehen dem SiC-Substrat 3 über einen Abschnitt der SiC-Epitaxieschicht 4 hinweg gegenüber. In dieser Ausführungsform sind die mehreren Grabenstrukturen 52 (bzw. die Mehrzahl/Vielzahl der Grabenstrukturen) jeweils an einer Dickenposition zwischen der Außenoberfläche 9 und der oberen Oberfläche 22 ausgebildet.
  • Die Mehrzahl der Grabenstrukturen 52 hat jeweils eine Grabenbreite („trench width“) WT. Die Grabenbreite WT ist eine Breite der Grabenstruktur 52 in einer Richtung orthogonal zu der Richtung, in der sich der Mesaabschnitt 21 erstreckt. Die Grabenbreite WT kann nicht weniger als 0,1 µm und nicht mehr als 3 µm betragen. Die Grabenbreite WT beträgt vorzugsweise nicht weniger als 0,5 µm und nicht mehr als 1,5 µm.
  • Die Mehrzahl der Grabenstrukturen 52 weist jeweils eine Grabentiefe („trench depth“) DT auf. Die Grabentiefe DT darf nicht kleiner als 0,1 µm und nicht größer als 10 µm sein. Vorzugsweise beträgt die Grabentiefe DT nicht mehr als 5 µm. Besonders bevorzugt ist die Grabentiefe DT nicht mehr als 2,5 µm. Die Grabentiefe DT hat vorzugsweise einen Wert in einem Bereich von ±10 %, wobei die Eindrücktiefe DO der Außenoberfläche 9 als Referenz dient. Besonders bevorzugt ist es, dass die Grabentiefe DT im Wesentlichen gleich der Eindrücktiefe DO ist (DT ≈ DO). Das heißt, vorzugsweise befindet sich die Bodenwand der Grabenstruktur 52 im Wesentlichen in der gleichen Ebene wie die Außenoberfläche 9.
  • Die Vielzahl der Grabenstrukturen 52 ist mit einem ersten Abstand I1 zueinander angeordnet. Der erste Abstand I1 ist ein Abstand zwischen zwei aneinander angrenzenden Grabenstrukturen 52. Der erste Abstand I1 kann nicht kleiner als 0,1 µm und nicht größer als 2,5 µm sein. Vorzugsweise ist der erste Abstand I1 nicht kleiner als 0,5 µm und nicht größer als 1,5 µm. Der erste Abstand I1 ist vorzugsweise kleiner als die Grabenbreite WT (I1 < WT). Selbstverständlich kann der erste Abstand I1 gleich oder größer als die Grabenbreite WT sein.
  • Die Mehrzahl der Grabenstrukturen 52 umfasst jeweils einen Graben 53 und ein eingebettetes Material 54. Nachfolgend wird eine Grabenstruktur 52 beschrieben. Der Graben 53 wird von der oberen Oberfläche 22 in Richtung der zweiten Hauptoberfläche 6 abgegraben und bildet eine Wandoberfläche der Grabenstruktur 52 (Seitenwand und Bodenwand). Ein Öffnungsrandabschnitt des Grabens 53 ist von der oberen Oberfläche 22 schräg nach unten zum Graben 53 geneigt. Der Öffnungsrandabschnitt ist ein Verbindungsabschnitt zwischen der oberen Oberfläche 22 und der Seitenwand des Grabens 53. Der Öffnungsrandabschnitt kann in einer gekrümmten Form schräg nach unten zur Außenseite des Mesaabschnitts 21 geneigt sein.
  • Das eingebettete Material 54 besteht aus einer anderen anorganischen Substanz als einem Nitrid. In dieser Ausführungsform umfasst das eingebettete Material 54 einen Isolationsfilm 55 und ein anorganisches eingebettetes Material 56. Der Isolationsfilm 55 besteht aus einer anderen anorganischen Substanz als einem Nitrid. Der Isolationsfilm 55 umfasst vorzugsweise einen Siliziumoxidfilm. Besonders bevorzugt umfasst der Isolationsfilm 55 einen Siliziumoxidfilm, der aus einem Oxid des Mesaabschnitts 21 besteht. Der Isolationsfilm 55 ist als Filmform in einer Innenwand des Grabens 53 ausgebildet und begrenzt einen Ausnehmungsraum („recess space“) innerhalb des Grabens 53.
  • Das anorganische eingebettete Material 56 besteht aus einer anorganischen Substanz, die kein Nitrid ist. Vorzugsweise besteht das anorganische eingebettete Material 56 aus einem Polysilizium. Das anorganische eingebettete Material 56 kann aus einem leitfähigen Polysilizium bestehen, das eine Verunreinigung umfasst, oder aus einem nicht mit einer Verunreinigung dotierten Polysilizium, das keine Verunreinigung umfasst. Das anorganische eingebettete Material 56 kann aus einem n-Typ-Polysilizium, das mit einer n-Typ-Verunreinigung dotiert ist, und/oder einem p-Typ-Polysilizium, das mit einer p-Typ-Verunreinigung dotiert ist, bestehen. Das anorganische eingebettete Material 56 ist vorzugsweise aus dem gleichen Material wie die Seitenwandstruktur 13 aufgebaut.
  • Das anorganische eingebettete Material 56 ist über den Isolationsfilm 55 hinweg in den Graben 53 eingebettet. Das anorganische eingebettete Material 56 hat einen Endabschnitt, der gegenüber dem Graben 53 freiliegt. Der Endabschnitt des anorganischen eingebetteten Materials 56 kann in Richtung der Bodenwandseite des Grabens 53 eingedrückt sein. In dieser Ausführungsform befindet sich der Endabschnitt des anorganischen eingebetteten Materials 56 an einer Öffnungsseite des Grabens 53 von einem Zwischenabschnitt desselben in einer Tiefenrichtung. Das heißt, das anorganische eingebettete Material 56 ist so in den Graben 53 eingebettet, dass es den Zwischenabschnitt des Grabens 53 in der Tiefenrichtung von der Bodenwand des Grabens 53 aus durchquert.
  • Das anorganische eingebettete Material 56 kann in den Graben 53 in einem Abstand von dem Mesa-Isolationsfilm 25 bis zur Bodenwandseite des Grabens 53 eingebettet werden, so dass der Isolationsfilm 55 im Inneren des Grabens 53 freigelegt wird. In diesem Fall kann das anorganische eingebettete Material 56 in einem Abstand von der Öffnungsseite des Grabens 53 bis zu dessen Bodenwandseite in den Graben 53 eingebettet werden. Das anorganische eingebettete Material 56 bildet mit der oberen Oberfläche 22 eine unebene Struktur. Dabei bilden die mehreren Grabenstrukturen 52 in der oberen Oberfläche 22 eine ungleichmäßige Struktur, die sich aus dem Graben 53, dem Isolationsfilm 55 und dem anorganischen eingebetteten Material 56 ergibt.
  • Der Mesa-Isolationsfilm 25 ist durchgängig mit dem Isolationsfilm 55 der Vielzahl von Grabenstrukturen 52 in der oberen Oberfläche 22. Der Mesa-Isolationsfilm 25 und der Isolationsfilm 55 können als aus Abschnitten des Hauptoberflächenisolationsfilms 12 bestehend angesehen werden. Wie im Fall der ersten Ausführungsform umfasst der erste anorganische Film 26 den ersten Abdeckfilm 27 und den zweiten Abdeckfilm 28. Das heißt, der erste anorganische Film 26 legt mindestens eine oder alle der Vielzahl von Grabenstrukturen 52 von der oberen Oberfläche 22 frei.
  • In dieser Ausführungsform weist der zweite anorganische Film 29 mindestens eine Öffnung 30 auf, die selektiv mindestens eine oder alle der Vielzahl von Grabenstrukturen 52 freilegt. In dieser Ausführungsform legt die Öffnung 30 alle Grabenstrukturen 52 in einer Querschnittansicht frei. Vorzugsweise legt die Öffnung 30 alle Grabenstrukturen 52 in Draufsicht frei. Eine Öffnungsfläche der Öffnung 30 in einer Querschnittansicht ist vorzugsweise gleich oder größer als eine Fläche des Abschnitts der oberen Oberfläche 22, der von dem zweiten anorganischen Film 29 bedeckt ist. Selbstverständlich kann die Öffnungsfläche der Öffnung 30 kleiner sein als die Fläche des abgedeckten Abschnitts. Es reicht aus, dass die Öffnung 30 einen Teil der Vielzahl von Grabenstrukturen 52 freilegt und eine ebene Form davon ist beliebig. Eine Beschreibung der Form usw. der Öffnung 30 entspricht der vorherigen Beschreibung und entfällt daher.
  • Die SiC-Halbleitervorrichtung 51 weist keinen Nitridfilm auf, der die Mehrzahl der Grabenstrukturen 52 bedeckt. Der organische Film 33 bedeckt den Mesaabschnitt 21 so, dass er die Mehrzahl der Grabenstrukturen 52 in Draufsicht bedeckt. In dieser Ausführungsform umfasst der organische Film 33 einen Abschnitt, der den ersten anorganischen Film 26 direkt abdeckt, einen Abschnitt, der den ersten anorganischen Film 26 über den zweiten anorganischen Film 29 hinweg abdeckt, und einen Abschnitt, der die Vielzahl von Grabenstrukturen 52 direkt abdeckt. Insbesondere fährt der organische Film 33 über den zweiten anorganischen Film 29 von beiden Seiten der ersten Wandoberfläche 23 und der zweiten Wandoberfläche 24 des Mesaabschnitts 21 und bedeckt ganze Bereiche des ersten Abdeckfilms 27 und des zweiten Abdeckfilms 28 über den zweiten anorganischen Film 29 hinweg.
  • Der organische Film 33 tritt von oberhalb des zweiten anorganischen Films 29 in die Öffnung 30 ein und bedeckt direkt die Mehrzahl der Grabenstrukturen 52 innerhalb der Öffnung 30. Insbesondere bedeckt der organische Film 33 direkt den Isolationsfilm 55 und das anorganische eingebettete Material 56 der Vielzahl von Grabenstrukturen 52. Das heißt, ein Nitridfilm ist nicht zwischen dem organischen Film 33 und der Vielzahl von Grabenstrukturen 52 eingefügt. Wie oben beschrieben, bedeckt der organische Film 33 direkt einen gesamten Bereich der dritten vorstehenden Struktur 20C in Draufsicht. Der organische Film 33 ist mit der dritten vorstehenden Struktur 20C und gleichzeitig mit der Öffnung 30 verbunden. Ferner ist der organische Film 33 in Kontakt mit der Vielzahl bzw. Mehrzahl von Grabenstrukturen 52 innerhalb der Öffnung 30.
  • Die dritte vorstehende Struktur 20C ist nicht auf den in 8 dargestellten Modus beschränkt und kann verschiedene Arten von Modi annehmen. Nachfolgend werden unter Bezugnahme auf 9A bis 9K andere Ausführungsbeispiele der dritten vorstehenden Struktur 20C gezeigt. 9A ist eine vergrößerte Querschnittansicht, die die dritte vorstehende Struktur 20C gemäß dem zweiten Ausführungsbeispiel zeigt. Das gleiche Bezugszeichen wird im Folgenden für die Struktur angegeben, die jeder in 8 dargestellten Struktur entspricht, und eine Beschreibung derselben entfällt.
  • Unter Bezugnahme auf 9A ist das anorganische eingebettete Material 56 in die Bodenwandseite des Grabens 53 eingebettet, so dass der Isolationsfilm 55 von der Seitenwand des Grabens 53 freigelegt ist. Der Endabschnitt des anorganischen eingebetteten Materials 56 kann sich an der Bodenwandseite des Grabens 53 von einem Zwischenabschnitt davon in Tiefenrichtung befinden. Das anorganische eingebettete Material 56 bildet mit der oberen Oberfläche 22 eine unebene Struktur entlang der Innenwand des Grabens 53. Das heißt, die Vielzahl der Grabenstrukturen 52 bilden durch den Graben 53, den Isolationsfilm 55 und das anorganische eingebettete Material 56 eine unebene Struktur in der oberen Oberfläche 22.
  • In dieser Ausführungsform tritt der organische Film 33 in mindestens einen Graben 53 (in dieser Ausführungsform die Mehrzahl der Gräben 53) von oberhalb der oberen Oberfläche 22 innerhalb der Öffnung 30 ein. Das heißt, der organische Film 33 hat einen Abschnitt, der in jeden der Gräben 53 über den Isolationsfilm 55 eingebettet ist. Der organische Film 33 ist in Kontakt mit dem Isolationsfilm 55 und dem anorganischen eingebetteten Material 56 innerhalb der Mehrzahl der Gräben 53.
  • 9B ist eine vergrößerte Querschnittansicht, die die dritte vorstehende Struktur 20C gemäß dem dritten Ausführungsbeispiel zeigt. Das gleiche Bezugszeichen wird im Folgenden für die Struktur verwendet, die jeder in 8 dargestellten Struktur entspricht, und eine Beschreibung derselben entfällt. Unter Bezugnahme auf 9B umfassen in dieser Ausführungsform die mehreren Grabenstrukturen 52 jeweils den Graben 53 und den Isolationsfilm 55 und weisen kein anorganisches eingebettetes Material 56 auf.
  • In dieser Ausführungsform tritt der organische Film 33 in mindestens einen Graben 53 (in dieser Ausführungsform die Mehrzahl bzw. Vielzahl der Gräben 53) von oberhalb der oberen Oberfläche 22 innerhalb der Öffnung 30 ein. Das heißt, der organische Film 33 hat einen Abschnitt, der in jeden der Gräben 53 über den Isolationsfilm 55 hinweg eingebettet ist. Der organische Film 33 ist in Kontakt mit dem Isolationsfilm 55 innerhalb der Vielzahl von Gräben 53. Der organische Film 33 ist somit nicht in Kontakt mit dem anorganischen eingebetteten Material 56 innerhalb der Vielzahl von Gräben 53.
  • 9C ist eine vergrößerte Querschnittansicht, die die dritte vorstehende Struktur 20C gemäß dem vierten Ausführungsbeispiel zeigt. Das gleiche Bezugszeichen wird im Folgenden für die Struktur verwendet, die jeder in 8 dargestellten Struktur entspricht, und eine Beschreibung derselben entfällt. In Bezug auf 9C bedeckt der Isolationsfilm 55 die Wandoberfläche des Grabens 53 an dessen Bodenwandseite, so dass die Wandoberfläche des Grabens 53 an dessen Öffnungsseite freigelegt wird. Das heißt, der Isolationsfilm 55 grenzt einen Aussparungsraum bzw. Ausnehmungsraum an der Bodenwandseite des Grabens 53 ab. Der Isolationsfilm 55 kann einen Abschnitt freilegen, der gleich oder größer als 1/3 (vorzugsweise gleich oder größer als 1/2) der Grabentiefe DT von der Öffnungsseite des Grabens 53 ist. Das heißt, der Isolationsfilm 55 kann an der Bodenwandseite des Grabens 53 und nicht in der Mitte der Tiefenrichtung des Grabens 53 angeordnet sein.
  • Das anorganische eingebettete Material 56 ist in die Bodenwandseite des Grabens 53 über den Isolationsfilm 55 hinweg eingebettet, so dass die Wandoberfläche des Grabens 53 an dessen Öffnungsseite freigelegt wird. Der Endabschnitt des anorganischen eingebetteten Materials 56 kann an der Öffnungsseite des Grabens 53 vom Endabschnitt des Isolationsfilms 55 positioniert sein (bzw. von diesem vorstehen). Das heißt, das anorganische eingebettete Material 56 kann eine Vertiefung zwischen der Wandoberfläche des Grabens 53 und dem Isolationsfilm 55 abgrenzen. Der Endabschnitt des anorganischen eingebetteten Materials 56 kann sich eher an der Bodenwandseite des Grabens 53 als in der Mitte des Grabens 53 in Tiefenrichtung befinden.
  • In dieser Ausführungsform hat der Mesa-Isolationsfilm 25 eine Mesaöffnung 57, die die obere Oberfläche 22 des Mesaabschnitts 21 freilegt. Die Mesaöffnung 57 legt die Mehrzahl der Grabenstrukturen 52 (Gräben 53) frei. In dieser Ausführungsform steht die Öffnung 30 des zweiten anorganischen Films 29 in Verbindung mit der Mesaöffnung 57 und legt die Mehrzahl der Grabenstrukturen 52 (Gräben 53) frei.
  • In dieser Ausführungsform tritt der organische Film 33 in mindestens einen Graben 53 (in dieser Ausführungsform die Mehrzahl bzw. Vielzahl der Gräben 53) von oberhalb der oberen Oberfläche 22 innerhalb der Öffnung 30 ein. Das heißt, der organische Film 33 hat einen Abschnitt, der in jeden der Gräben 53 eingebettet ist. Der organische Film 33 ist in Kontakt mit dem SiC-Chip 2 (SiC-Epitaxieschicht 4), dem Isolationsfilm 55 und dem anorganischen eingebetteten Material 56 innerhalb der Vielzahl von Gräben 53.
  • 9D ist eine vergrößerte Querschnittansicht, die die dritte vorstehende Struktur 20C gemäß dem fünften Ausführungsbeispiel zeigt. Das gleiche Bezugszeichen wird im Folgenden für die Struktur verwendet, die jeder in 8 dargestellten Struktur entspricht, und eine Beschreibung derselben entfällt. Unter Bezugnahme auf 9D umfassen in dieser Ausführungsform die mehreren Grabenstrukturen 52 jeweils nur den Graben 53 und weisen nicht den Isolationsfilm 55 und das anorganische eingebettete Material 56 auf.
  • In dieser Ausführungsform hat der Mesa-Isolationsfilm 25 die Mesa-Öffnung 57, die die obere Oberfläche 22 des Mesaabschnitts 21 freilegt. Die Mesaöffnung 57 legt die Mehrzahl der Grabenstrukturen 52 (Gräben 53) frei. In dieser Ausführungsform steht die Öffnung 30 des zweiten anorganischen Films 29 in Verbindung mit der Mesaöffnung 57 und legt die Mehrzahl der Grabenstrukturen 52 frei. In dieser Ausführungsform tritt der organische Film 33 in mindestens einen Graben 53 (in dieser Ausführungsform die Mehrzahl von Gräben 53) von oberhalb der oberen Oberfläche 22 innerhalb der Öffnung 30 ein. Das heißt, der organische Film 33 hat einen Abschnitt, der in jeden der Gräben 53 eingebettet ist. Der organische Film 33 ist nur in Kontakt mit dem SiC-Chip 2 (SiC-Epitaxieschicht 4) innerhalb der Vielzahl von Gräben 53.
  • 9E ist eine vergrößerte Querschnittansicht, die die dritte vorstehende Struktur 20C gemäß dem sechsten Ausführungsbeispiel zeigt. Das gleiche Bezugszeichen wird im Folgenden für die Struktur verwendet, die jeder in 8 dargestellten Struktur entspricht, und eine Beschreibung derselben entfällt. Unter Bezugnahme auf 9E weist der zweite anorganische Film 29 die Öffnung 30 auf, die eine oder beide (in dieser Ausführungsform beide) des ersten Abdeckfilms 27 und des zweiten Abdeckfilms 28 des ersten anorganischen Films 26 teilweise freilegt, zusätzlich zu der Vielzahl von Grabenstrukturen 52 (obere Oberfläche 22 des Mesaabschnitts 21). Der organische Film 33 bedeckt direkt eine oder beide (in dieser Ausführungsform beide) des ersten Abdeckfilms 27 und des zweiten Abdeckfilms 28 innerhalb der Öffnung 30, zusätzlich zu der Vielzahl von Grabenstrukturen 52 (obere Oberfläche 22 des Mesaabschnitts 21) .
  • 9F ist eine vergrößerte Querschnittansicht, die die dritte vorstehende Struktur 20C gemäß dem siebten Ausführungsbeispiel zeigt. Die Struktur, die jeder in 8 gezeigten Struktur entspricht, wird im Folgenden mit demselben Bezugszeichen versehen, und eine Beschreibung derselben entfällt. In Bezug auf 9F hat der zweite anorganische Film 29 die Öffnung 30, die einen gesamten Bereich eines oder beide (in dieser Ausführungsform beide) des ersten Abdeckfilms 27 und des zweiten Abdeckfilms 28 des ersten anorganischen Films 26 freilegt, zusätzlich zu der Vielzahl von Grabenstrukturen 52 (obere Oberfläche 22 des Mesaabschnitts 21). Die Öffnung 30 bildet den Spalt 37 mit einer oder beiden (in dieser Ausführungsform beide) des ersten Abdeckfilms 27 und des zweiten Abdeckfilms 28.
  • Das heißt, in dieser Ausführungsform umfasst die dritte vorstehende Struktur 20C den Spalt 37, der zwischen dem ersten anorganischen Film 26 und dem zweiten anorganischen Film 29 ausgebildet ist. Die Breite des Spalts 37 ist willkürlich und kann nicht weniger als 0,1 µm und nicht mehr als 50 µm betragen. In dieser Ausführungsform bedeckt der organische Film 33 direkt eine oder beide (in dieser Ausführungsform beide) des ersten Abdeckfilms 27 und des zweiten Abdeckfilms 28 innerhalb der Öffnung 30, zusätzlich zu der Vielzahl von Grabenstrukturen 52 (obere Oberfläche 22 des Mesaabschnitts 21). Der organische Film 33 tritt in den Spalt 37 ein und bedeckt direkt einen oder beide (in dieser Ausführungsform beide) des ersten Abdeckfilms 27 und des zweiten Abdeckfilms 28 innerhalb des Spalts 37.
  • 9G ist eine vergrößerte Querschnittansicht, die die dritte vorstehende Struktur 20C gemäß dem achten Ausführungsbeispiel zeigt. Das gleiche Bezugszeichen wird im Folgenden für die Struktur angegeben, die jeder in 8 dargestellten Struktur entspricht, und eine Beschreibung derselben entfällt. Unter Bezugnahme auf 9G bedeckt in dieser Ausführungsform der zweite anorganische Film 29 einen gesamten Bereich der oberen Oberfläche 22 des Mesaabschnitts 21 und weist keine Öffnung 30 auf. Das heißt, der zweite anorganische Film 29 bedeckt einen gesamten Bereich der Vielzahl von Grabenstrukturen 52.
  • Die zweite anorganische Film 29 kann eine Vielzahl von Vertiefungen 58 aufweisen, die in Richtung der Vielzahl von Grabenstrukturen 52 in einem Abschnitt, der die Vielzahl von Grabenstrukturen 52 bedeckt, eingedrückt sind. Mit anderen Worten kann der zweite anorganische Film 29 eine ungleichmäßige Struktur aufweisen, die sich aus der Vielzahl von Vertiefungen 58 in einem Abschnitt ergibt, der die obere Oberfläche 22 des Mesaabschnitts 21 bedeckt. Der organische Film 33 liegt einem gesamten Bereich des Mesaabschnitts 21 und einem gesamten Bereich des ersten anorganischen Films 26 über den zweiten anorganischen Film 29 hinweg gegenüber. Der organische Film 33 füllt die Vielzahl der Vertiefungen 58 des zweiten anorganischen Films 29 aus. Der organische Film 33 liegt der Vielzahl von Grabenstrukturen 52 über den zweiten anorganischen Film 29 hinweg in einem Abschnitt gegenüber, der jede der Vertiefungen 58 ausfüllt.
  • 9H ist eine vergrößerte Querschnittansicht, die die dritte vorstehende Struktur 20C gemäß dem neunten Ausführungsbeispiel zeigt. Das gleiche Bezugszeichen wird im Folgenden für die Struktur angegeben, die jeder in 8 dargestellten Struktur entspricht, und eine Beschreibung derselben entfällt. In 9H ist das anorganische eingebettete Material 56 so in die Bodenwandseite des Grabens 53 eingebettet, dass der Isolationsfilm 55 von der Seitenwand des Grabens 53 freigelegt ist. Der Endabschnitt des anorganischen eingebetteten Materials 56 kann sich an der Bodenwandseite des Grabens 53 und nicht in der Mitte der Tiefenrichtung des Grabens 53 befinden. Das anorganische eingebettete Material 56 bildet mit der oberen Oberfläche 22 eine unebene Struktur entlang der Innenwand des Grabens 53. Das heißt, die Vielzahl der Grabenstrukturen 52 bilden in der oberen Oberfläche 22 eine ungleichmäßige Struktur, die sich aus dem Graben 53, dem Isolationsfilm 55 und dem anorganischen eingebetteten Material 56 ergibt.
  • In dieser Ausführungsform bedeckt der zweite anorganische Film 29 einen gesamten Bereich der oberen Oberfläche 22 des Mesaabschnitts 21 und weist keine Öffnung 30 auf. Das heißt, der zweite anorganische Film 29 bedeckt einen gesamten Bereich der Vielzahl von Grabenstrukturen 52. Die zweite anorganische Film 29 tritt in mindestens einen Graben 53 (in dieser Ausführungsform die Mehrzahl von Gräben 53) von oberhalb der oberen Oberfläche 22 ein. Das heißt, der zweite anorganische Film 29 hat einen Abschnitt, der über den Isolationsfilm 55 hinweg in jeden der Gräben 53 eingebettet ist. Der zweite anorganische Film 29 ist in Kontakt mit dem Isolationsfilm 55 und dem anorganischen eingebetteten Material 56 innerhalb der Vielzahl von Gräben 53.
  • Der zweite anorganische Film 29 kann eine Vielzahl von Vertiefungen 58 aufweisen, die in Richtung der Vielzahl von Grabenstrukturen 52 in einem Abschnitt, der die Vielzahl von Grabenstrukturen 52 bedeckt, eingedrückt sind. Mit anderen Worten kann der zweite anorganische Film 29 eine ungleichmäßige Struktur aufweisen, die sich aus der Vielzahl von Vertiefungen 58 in einem Abschnitt ergibt, der die obere Oberfläche 22 des Mesaabschnitts 21 bedeckt. Der organische Film 33 liegt einem gesamten Bereich des Mesaabschnitts 21 und einem gesamten Bereich des ersten anorganischen Films 26 über den zweiten anorganischen Film 29 hinweg gegenüber. Die organische Film 33 füllt die Vielzahl der Vertiefungen 58 des zweiten anorganischen Films 29 aus. Der organische Film 33 liegt der Vielzahl von Grabenstrukturen 52 über den zweiten anorganischen Film 29 hinweg in einem Abschnitt gegenüber, der jede der Vertiefungen 58 ausfüllt.
  • 9I ist eine vergrößerte Querschnittansicht, die die dritte vorstehende Struktur 20C gemäß dem zehnten Ausführungsbeispiel zeigt. Das gleiche Bezugszeichen wird im Folgenden für die Struktur angegeben, die jeder in 8 dargestellten Struktur entspricht, und eine Beschreibung derselben entfällt. Unter Bezugnahme auf 9I umfassen in dieser Ausführungsform die mehreren Grabenstrukturen 52 jeweils den Graben 53 und den Isolationsfilm 55 und weisen kein anorganisches eingebettetes Material 56 auf.
  • In dieser Ausführungsform bedeckt der zweite anorganisch Film 29 einen gesamten Bereich der oberen Oberfläche 22 des Mesaabschnitts 21 und weist keine Öffnung 30 auf. Das heißt, der zweite anorganische Film 29 bedeckt einen gesamten Bereich der Vielzahl von Grabenstrukturen 52. Die zweite anorganische Film 29 tritt von oberhalb der oberen Oberfläche 22 in mindestens einen Graben 53 (in dieser Ausführungsform die Mehrzahl von Gräben 53) ein. Das heißt, der zweite anorganische Film 29 hat einen Abschnitt, der über den Isolationsfilm 55 hinweg in jeden der Gräben 53 eingebettet ist. Der zweite anorganische Film 29 steht mit dem Isolationsfilm 55 innerhalb der Vielzahl von Gräben 53 in Kontakt.
  • Der zweite anorganische Film 29 kann eine Vielzahl von Vertiefungen 58 aufweisen, die in Richtung der Vielzahl von Grabenstrukturen 52 in einem Abschnitt, der die Vielzahl von Grabenstrukturen 52 bedeckt, eingedrückt sind. Mit anderen Worten kann der zweite anorganische Film 29 eine ungleichmäßige Struktur aufweisen, die sich aus der Vielzahl von Vertiefungen 58 in einem Abschnitt ergibt, der die obere Oberfläche 22 des Mesaabschnitts 21 bedeckt. Die organische Film 33 liegt einem gesamten Bereich des Mesaabschnitts 21 und einem gesamten Bereich des ersten anorganischen Films 26 über den zweiten anorganischen Film 29 hinweg gegenüber. Der organische Film 33 füllt die Vielzahl der Vertiefungen 58 des zweiten anorganischen Films 29 aus. Der organische Film 33 liegt der Vielzahl von Grabenstrukturen 52 über den zweiten anorganischen Film 29 hinweg in einem Abschnitt gegenüber, der jede der Vertiefungen 58 ausfüllt.
  • 9J ist eine vergrößerte Querschnittansicht, die die dritte vorstehende Struktur 20C gemäß dem elften Ausführungsbeispiel zeigt. Die Struktur, die jeder in 8 gezeigten Struktur entspricht, wird im Folgenden mit dem gleichen Bezugszeichen versehen, und ihre Beschreibung entfällt. In Bezug auf 9J bedeckt der Isolationsfilm 55 die Wandoberfläche des Grabens 53 an dessen Bodenwandseite, so dass die Wandoberfläche des Grabens 53 an dessen Öffnungsseite freigelegt wird. Das heißt, der Isolationsfilm 55 grenzt einen Aussparungsraum an der Bodenwandseite des Grabens 53 ab. Der Isolationsfilm 55 kann einen Abschnitt freilegen, der gleich oder größer als 1/3 (vorzugsweise gleich oder größer als 1/2) der Grabentiefe DT von der Öffnungsseite des Grabens 53 ist. Das heißt, der Isolationsfilm 55 kann an der Bodenwandseite des Grabens 53 und nicht in der Mitte der Tiefenrichtung des Grabens 53 angeordnet sein.
  • Das anorganische eingebettete Material 56 ist in die Bodenwandseite des Grabens 53 über den Isolationsfilm 55 hinweg eingebettet, so dass die Wandoberfläche des Grabens 53 an dessen Öffnungsseite freigelegt ist. Der Endabschnitt des anorganischen eingebetteten Materials 56 kann sich an der Öffnungsseite des Grabens 53 (weiter) als der Endabschnitt des Isolationsfilms 55 befinden. Das heißt, das anorganische eingebettete Material 56 kann eine Vertiefung zwischen der Wandoberfläche des Grabens 53 und dem Isolationsfilm 55 abgrenzen. Der Endabschnitt des anorganischen eingebetteten Materials 56 kann sich an der Bodenwandseite des Grabens 53 (näher) als der mittlere Abschnitt (des Grabens 53) in der Tiefenrichtung befinden.
  • In dieser Ausführungsform hat der Mesa-Isolationsfilm 25 die Mesa-Öffnung 57, die die obere Oberfläche 22 des Mesaabschnitts 21 freilegt. Die Mesaöffnung 57 legt die Mehrzahl der Grabenstrukturen 52 (Gräben 53) frei. In dieser Ausführungsform bedeckt der zweite anorganische Film 29 einen ganzen Bereich der oberen Oberfläche 22 des Mesaabschnitts 21 und hat keine Öffnung 30. Das heißt, der zweite anorganische Film 29 bedeckt einen gesamten Bereich der Vielzahl von Grabenstrukturen 52. Der zweite anorganische Film 29 tritt in mindestens einen Graben 53 (in dieser Ausführungsform die Mehrzahl von Gräben 53) von oberhalb der oberen Oberfläche 22 ein. Das heißt, der zweite anorganische Film 29 hat einen Abschnitt, der in jeden der Gräben 53 eingebettet ist. Der zweite anorganische Film 29 steht in Kontakt mit dem SiC-Chip 2 (SiC-Epitaxieschicht 4), dem Isolationsfilm 55 und dem anorganisch eingebetteten Material 56 innerhalb der Vielzahl von Gräben 53.
  • Der zweite anorganische Film 29 kann eine Vielzahl von Vertiefungen 58 aufweisen, die in Richtung der Vielzahl von Grabenstrukturen 52 in einem Abschnitt, der die Vielzahl von Grabenstrukturen 52 bedeckt, eingedrückt sind. Mit anderen Worten kann der zweite anorganische Film 29 eine ungleichmäßige Struktur aufweisen, die sich aus der Vielzahl von Vertiefungen 58 in einem Abschnitt ergibt, der die obere Oberfläche 22 des Mesaabschnitts 21 bedeckt. Der organische Film 33 liegt einem gesamten Bereich des Mesaabschnitts 21 und einem gesamten Bereich des ersten anorganischen Films 26 über den zweiten anorganischen Film 29 hinweg gegenüber. Der organische Film 33 füllt die Vielzahl von Vertiefungen 58 auf dem zweiten anorganischen Film 29 aus. Die organische Film 33 liegt der Vielzahl von Grabenstrukturen 52 über den zweiten anorganischen Film 29 hinweg in einem Abschnitt gegenüber, der jede der Vertiefungen 58 ausfüllt.
  • 9K ist eine vergrößerte Querschnittansicht, die die dritte vorstehende Struktur 20C gemäß dem zwölften Ausführungsbeispiel zeigt. Die Struktur, die jeder in 8 gezeigten Struktur entspricht, wird im Folgenden mit demselben Bezugszeichen versehen, und eine Beschreibung derselben entfällt. Unter Bezugnahme auf 9K umfassen in dieser Ausführungsform die mehreren Grabenstrukturen 52 jeweils nur den Graben 53 und weisen nicht den Isolationsfilm 55 und das anorganische eingebettete Material 56 auf.
  • In dieser Ausführungsform hat der Mesa-Isolationsfilm 25 die Mesa-Öffnung 57, die die obere Oberfläche 22 des Mesaabschnitts 21 freilegt. Die Mesaöffnung 57 legt die Mehrzahl der Grabenstrukturen 52 (Gräben 53) frei. In dieser Ausführungsform bedeckt der zweite anorganische Film 29 einen ganzen Bereich der oberen Oberfläche 22 des Mesaabschnitts 21 und hat keine Öffnung 30. Das heißt, der zweite anorganische Film 29 bedeckt einen gesamten Bereich der Vielzahl von Grabenstrukturen 52. Die zweite anorganische Film 29 tritt von oberhalb der oberen Oberfläche 22 in mindestens einen Graben 53 (in dieser Ausführungsform die Mehrzahl von Gräben 53) ein. Das heißt, der zweite anorganische Film 29 hat einen Abschnitt, der in jeden der Gräben 53 eingebettet ist. Der zweite anorganische Film 29 ist in Kontakt mit dem SiC-Chip 2 (SiC-Epitaxieschicht 4) innerhalb der Vielzahl von Gräben 53.
  • Die zweite anorganische Film 29 kann eine Vielzahl von Vertiefungen 58 aufweisen, die in Richtung der Vielzahl von Grabenstrukturen 52 in einem Abschnitt, der die Vielzahl von Grabenstrukturen 52 bedeckt, eingedrückt sind. Mit anderen Worten, der zweite anorganische Film 29 kann eine ungleichmäßige Struktur aufweisen, die sich aus der Vielzahl von Vertiefungen 58 in einem Abschnitt ergibt, der die obere Oberfläche 22 des Mesaabschnitts 21 bedeckt. Die organische Film 33 liegt einem gesamten Bereich des Mesaabschnitts 21 und einem gesamten Bereich des ersten anorganischen Films 26 über den zweiten anorganischen Film 29 hinweg gegenüber. Der organische Film 33 füllt die Vielzahl von Vertiefungen 58 auf dem zweiten anorganischen Film 29 aus. Der organische Film 33 liegt der Vielzahl von Grabenstrukturen 52 über den zweiten anorganischen Film 29 hinwegnin einem Abschnitt gegenüber, der jede der Vertiefungen 58 ausfüllt.
  • Die SiC-Halbleitervorrichtung 51 kann mindestens zwei der dritten vorstehenden Strukturen 20C gemäß des ersten bis zwölften Ausführungsbeispiels gleichzeitig umfassen. Die SiC-Halbleitervorrichtung 51 kann die dritte vorstehende Struktur 20C umfassen, die mindestens zwei der Merkmale der dritten vorstehenden Strukturen 20C gemäß den ersten bis zwölften Ausführungsbeispielen gleichzeitig umfasst.
  • Wie oben beschrieben, umfasst die SiC-Halbleitervorrichtung 51 den SiC-Chip 2 (Chip), die funktionale Vorrichtung, die dritte vorstehende Struktur 20C (vorstehende Struktur), und den organischen Film 33. Der SiC-Chip 2 hat auf der einen Seite die erste Hauptoberfläche 5 und auf der anderen Seite die zweite Hauptoberfläche 6. Die erste Hauptoberfläche 5 umfasst die aktive Oberfläche 8 an ihrem inneren Abschnitt und die Außenoberfläche 9 an ihrem Peripherieabschnitt. Die funktionale Vorrichtung ist an der Seite der aktiven Oberfläche 8 ausgebildet. Die dritte vorstehende Struktur 20C umfasst die anorganische Substanz und steht an der Außenoberfläche 9 vor. Das heißt, die dritte vorstehende Struktur 20C ist an der Seite der Außenoberfläche 9 so ausgebildet, dass sie zu der gegenüberliegenden Seite der zweiten Hauptoberfläche 6 vorsteht. Der organische Film 33 bedeckt die dritte vorstehende Struktur 20C.
  • Gemäß dieser Struktur kann die Adhäsionskraft des organischen Films 33 gegenüber dem SiC-Chip 2 durch die dritte vorstehende Struktur 20C verstärkt werden. Dadurch ist es möglich, ein Ablösen des organischen Films 33 vom SiC-Chip 2 zu unterdrücken. Auf diese Weise ist es möglich, die SiC-Halbleitervorrichtung 51 bereitzustellen, die die Zuverlässigkeit verbessert.
  • Die dritte vorstehende Struktur 20C umfasst vorzugsweise den Mesaabschnitt 21, der aus einem Abschnitt des SiC-Chips 2 gebildet ist, der an der Außenoberfläche 9 so ausgebildet ist, dass er in Richtung der gegenüberliegenden Seite der zweiten Hauptoberfläche 6 vorsteht, und der die obere Oberfläche 22 aufweist. Die dritte vorstehende Struktur 20C umfasst vorzugsweise den Graben 53, der in der oberen Oberfläche 22 des Mesaabschnitts 21 ausgebildet ist. Die dritte vorstehende Struktur 20C umfasst vorzugsweise den ersten anorganischen Film 26, der mindestens einen Abschnitt des Mesaabschnitts 21 auf der Außenoberfläche 9 bedeckt. Die dritte vorstehende Struktur 20C umfasst vorzugsweise den zweiten anorganischen Film 29, der mindestens einen Abschnitt des ersten anorganischen Films 26 auf der Außenoberfläche 9 bedeckt und die vorstehende Struktur mit dem Mesaabschnitt 21 und der ersten anorganischen Film 26 bildet.
  • In diesem Fall bedeckt der organische Film 33 den Mesaabschnitt 21 vorzugsweise so, dass der Graben 53 in Draufsicht nicht sichtbar ist. Gemäß dieser Struktur kann die Adhäsionskraft des organischen Films 33 gegenüber dem SiC-Chip 2 durch eine in der oberen Oberfläche 22 des Mesaabschnitts 21 gebildete unebene Struktur, die aus dem Graben 53 resultiert, verbessert werden. Dadurch ist es möglich, ein Ablösen des organischen Films 33 vom SiC-Chip 2 zu unterdrücken. Auf diese Weise ist es möglich, die SiC-Halbleitervorrichtung 51 bereitzustellen, die die Zuverlässigkeit verbessert.
  • Die SiC-Halbleitervorrichtung 51 kann die Grabenstruktur 52 mit dem Graben 53 und das in den Graben 53 eingebettete Material 54 umfassen. Gemäß dieser Struktur kann die Adhäsionskraft des organischen Films 33 in Bezug auf den SiC-Chip 2 durch die Verwendung einer unebenen Struktur, die in der oberen Oberfläche 22 des Mesaabschnitts 21 gebildet wird und aus der Grabenstruktur 52 resultiert, verbessert werden.
  • Das eingebettete Material 54 kann den Isolationsfilm 55 umfassen, der die Wandoberfläche des Grabens 53 bedeckt, und das anorganische eingebettete Material 56, das über den Isolationsfilm 55 hinweg in den Graben 53 eingebettet ist (siehe 8, 9A, 9C, 9E bis 9H, und 9J). Das anorganische eingebettete Material 56 kann in einem Abstand von der Öffnungsseite des Grabens 53 bis zu dessen Bodenwandseite in den Graben 53 eingebettet werden, so dass der Isolationsfilm 55 innerhalb des Grabens 53 freigelegt wird.
  • Vorzugsweise besteht der Isolationsfilm 55 aus einem Oxidfilm, und das anorganische eingebettete Material 56 besteht aus dem Polysilizium. Vorzugsweise legt der erste anorganische Film 26 die Grabenstruktur 52 frei und der zweite anorganische Film 29 legt die Grabenstruktur 52 frei. In diesem Fall ist der organische Film 33 vorzugsweise in Kontakt mit dem eingebetteten Material 54. Der organische Film 33 steht vorzugsweise in Kontakt mit dem anorganischen eingebetteten Material 56.
  • Das anorganische eingebettete Material 56 kann so in den Graben 53 eingebettet werden, dass es den Zwischenabschnitt des Grabens 53 in Tiefenrichtung von der Bodenwand des Grabens 53 aus durchquert (siehe 8, 9A und 9E bis 9G). Das anorganische eingebettete Material 56 kann in die Bodenwandseite des Grabens 53 von dessen Zwischenabschnitt in Tiefenrichtung eingebettet sein (siehe 9C, 9H und 9J). In diesen Fällen ist das anorganische eingebettete Material 56 vorzugsweise in einem Abstand von der Öffnungsseite des Grabens 53 bis zu dessen Bodenwandseite in den Graben 53 eingebettet, so dass der Isolationsfilm 55 im Inneren des Grabens 53 freigelegt wird. Zusätzlich kann der organische Film 33 einen Abschnitt enthalten, der innerhalb des Grabens 53 angeordnet ist (siehe 8, 9A, 9C, 9E und 9F) und der zweite anorganische Film 29 kann einen Abschnitt enthalten, der innerhalb des Grabens 53 angeordnet ist (siehe 9G, 9H und 9J).
  • Die SiC-Halbleitervorrichtung 51 kann die Grabenstruktur 52 umfassen, die den Graben 53 und den Isolationsfilm 55 umfasst, der die Wandoberfläche des Grabens 53 bedeckt und nicht das anorganische eingebettete Material 56 aufweist (siehe 9B und 9I). In diesem Fall kann der organische Film 33 einen Abschnitt aufweisen, der innerhalb des Grabens 53 angeordnet ist (siehe 9B), und der zweite anorganische Film 29 kann einen Abschnitt aufweisen, der innerhalb des Grabens 53 angeordnet ist (siehe 9I).
  • Die SiC-Halbleitervorrichtung 51 kann die Grabenstruktur 52 aufweisen, die nur aus dem Graben 53 besteht (siehe 9D und 9K). In diesem Fall kann der organische Film 33 einen Abschnitt aufweisen, der innerhalb des Grabens 53 angeordnet ist (siehe 9D), und der zweite anorganische Film 29 kann einen Abschnitt aufweisen, der innerhalb des Grabens 53 angeordnet ist (siehe 9K).
  • Die SiC-Halbleitervorrichtung 51 kann die Grabenstruktur 52, die den Graben 53 umfasst, den Isolationsfilm 55, der die Wandoberfläche des Grabens 53 an desssen Bodenwandseite bedeckt, um die Wandoberfläche des Grabens 53 an dessen Öffnungsseite freizulegen, und das anorganische eingebettete Material 56, das in die Bodenwandseite des Grabens 53 über den Isolationsfilm 55 hinweg eingebettet ist, um die Wandoberfläche des Grabens 53 an der Öffnungsseite davon freizulegen, umfassen (siehe 9C und 9J). In diesem Fall kann der organische Film 33 einen Abschnitt enthalten, der innerhalb des Grabens 53 angeordnet ist (siehe 9C), und der zweite anorganische Film 29 kann einen Abschnitt enthalten, der innerhalb des Grabens 53 angeordnet ist (siehe 9J).
  • Der erste anorganische Film 26 umfasst vorzugsweise den ersten Abdeckfilm 27, der die erste Wandoberfläche 23 des Mesaabschnitts 21 bedeckt, und den zweiten Abdeckfilm 28, der die zweite Wandoberfläche 24 des Mesaabschnitts 21 bedeckt. Der zweite anorganische Film 29 kann eine Öffnung 30 aufweisen, die zumindest einen Abschnitt der oberen Oberfläche 22 des Mesaabschnitts 21 in Draufsicht überlappt (siehe 8 bis 9F). In diesem Fall kann der zweite anorganische Film 29 einen ganzen Bereich des ersten Abdeckfilms 27 und einen ganzen Bereich des zweiten Abdeckfilms 28 bedecken (siehe 8 bis 9D). Der zweite anorganische Film 29 kann mindestens einen Abschnitt des ersten Abdeckfilms 27 und mindestens einen Abschnitt des zweiten Abdeckfilms 28 freilegen (siehe 9E und 9F). Der zweite anorganische Film 29 kann einen ganzen Bereich des ersten Abdeckfilms 27 und einen ganzen Bereich des zweiten Abdeckfilms 28 freilegen (siehe 9F) .
  • In diesem Fall kann der zweite anorganische Film 29 auf der Außenoberfläche 9 in Abständen von der ersten Abdeckfilm 27 und der zweiten Abdeckfilm 28 gebildet werden, so dass der Spalt 37 zwischen dem ersten Abdeckfilm 27 und dem zweiten Abdeckfilm 28 gebildet wird (siehe 9F). In diesem Fall kann der organische Film 33 den Spalt 37 auf der Außenoberfläche 9 ausfüllen, um den Mesaabschnitt 21, den ersten anorganischen Film 26 und den zweiten anorganischen Film 29 abzudecken (siehe 9F). Selbstverständlich kann der zweite anorganische Film 29 einen ganzen Bereich des Mesaabschnitts 21 abdecken (siehe 9G) .
  • 10 entspricht 4 und ist eine vergrößerte Querschnittansicht, die eine SiC-Halbleitervorrichtung 61 gemäß der vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung mit einer vierten vorstehenden Struktur 20D gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel zeigt. Die SiC-Halbleitervorrichtung 61 hat einen Modus, in dem die SiC-Halbleitervorrichtung 51 gemäß der dritten Ausführungsform modifiziert ist. Die Struktur, die der für die SiC-Halbleitervorrichtung 51 beschriebenen Struktur entspricht, wird im Folgenden mit dem gleichen Bezugszeichen versehen, und eine Beschreibung derselben entfällt.
  • Unter Bezugnahme auf 10 umfasst die SiC-Halbleitervorrichtung 61 anstelle der dritten vorstehenden Struktur 20C mindestens eine (in dieser Ausführungsform eine) vierte vorstehende Struktur 20D gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel, die an einer Seite der Außenoberfläche 9 vorsteht. Wie bei der dritten vorstehenden Struktur 20C umfasst die vierte vorstehende Struktur 20D den Mesaabschnitt 21, den Mesaisolationsfilm 25, den ersten anorganischen Film 26 und den zweiten anorganischen Film 29. In dieser Ausführungsform umfasst der erste anorganische Film 26 neben dem ersten Abdeckfilm 27 und dem zweiten Abdeckfilm 28 den die obere Oberfläche abdeckenden Abschnitt 42, der die obere Oberfläche 22 des Mesaabschnitts 21 auf dem Mesa-Isolationsfilm 25 als Filmform abdeckt. Der die obere Oberfläche abedeckende Abschnitt 42 bedeckt einen ganzen Bereich der oberen Oberfläche 22 und ist mit dem ersten Abdeckfilm 27 und dem zweiten Abdeckfilm 28 durchgängig.
  • Das heißt, der erste anorganische Film 26 bedeckt die obere Oberfläche 22, die erste Wandoberfläche 23 und die zweite Wandoberfläche 24 des Mesaabschnitts 21 als Filmform. Insbesondere hat der erste anorganische Film 26 eine Oberfläche auf der Seite des SiC-Chips 2 und eine andere Oberfläche auf der gegenüberliegenden Seite der einen Oberfläche. Der erste anorganische Film 26 bedeckt die obere Oberfläche 22, die erste Wandoberfläche 23 und die zweite Wandoberfläche 24 derart, dass sich sowohl die eine Oberfläche als auch die andere Oberfläche als Filmform entlang der oberen Oberfläche 22, der ersten Wandoberfläche 23 und der zweiten Wandoberfläche 24 erstrecken. Der erste anorganische Film 26 bedeckt vorzugsweise einen gesamten Bereich des Mesaabschnitts 21 als Filmform.
  • Der diie obere Oberfläche abedeckende Abschnitt 42 ist durchgängig mit dem anorganischen eingebetteten Material 56 der Mehrzahl von Grabenstrukturen 52. In dieser Ausführungsform dient der erste anorganische Film 26 auch als anorganisches eingebettetes Material 56 der Vielzahl von Grabenstrukturen 52. Das heißt, der erste anorganische Film 26 umfasst einen Abschnitt, der von oberhalb der oberen Oberfläche 22 des Mesaabschnitts 21 in den Graben 53 als anorganisches eingebettetes Material 56 eintritt. Der erste anorganische Film 26 kann eine Vielzahl von Vertiefungen 62 aufweisen, die in einem Abschnitt, der die Vielzahl von Grabenstrukturen 52 überdeckt, in Richtung der Vielzahl von Grabenstrukturen 52 eingedrückt sind. Mit anderen Worten, der erste anorganische Film 26 kann eine ungleichmäßige Struktur aufweisen, die sich aus der Vielzahl von Vertiefungen 62 in einem Abschnitt ergibt, der die obere Oberfläche 22 des Mesaabschnitts 21 bedeckt.
  • Der zweite anorganische Film 29 ist so ausgebildet, dass sich sowohl die eine als auch die andere Oberfläche entlang einer Außenoberfläche des ersten anorganischen Films 26 (erster Abdeckfilm 27, zweiter Abdeckfilm 28 und dem die obere Oberfläche abdeckenden Abschnitt 42) erstreckt. In dieser Ausführungsform fährt der zweite anorganische Film 29 über den ersten Abdeckfilm 27 und den zweiten Abdeckfilm 28 von beiden Seiten der ersten Wandoberfläche 23 und der zweiten Wandoberfläche 24 des Mesaabschnitts 21 und bedeckt selektiv den die obere Oberfläche abdeckenden Abschnitt 42.
  • In dieser Ausführungsform weist der zweite anorganische Film 29 mindestens eine Öffnung 30 auf, die den die obere Oberfläche abdeckenden Abschnitt 42 selektiv freilegt. Eine Öffnungsfläche der Öffnung 30 in einer Querschnittansicht ist vorzugsweise gleich oder größer als eine Fläche eines Abschnitts des die obere Oberfläche abdeckenden Abschnitts 42, der von dem zweiten anorganischen Film 29 bedeckt wird. Selbstverständlich kann die Öffnungsfläche der Öffnung 30 kleiner sein als die Fläche des abgedeckten Abschnitts. Eine Beschreibung der Form etc. der Öffnung 30 entspricht der vorherigen Beschreibung und entfällt daher.
  • In dieser Ausführungsform umfasst die organische Film 33 einen Abschnitt, der die erste anorganische Film 26 direkt bedeckt, und einen Abschnitt, der die erste anorganische Film 26 über die zweite anorganische Film 29 bedeckt. Insbesondere fährt die organische Film 33 von beiden Seiten der ersten Wandoberfläche 23 und der zweiten Wandoberfläche 24 des Mesaabschnitts 21 auf die zweite anorganische Film 29 auf und bedeckt ganze Bereiche der ersten Abdeckfilm 27 und der zweiten Abdeckfilm 28 über die zweite anorganische Film 29.
  • Der organische Film 33 tritt von oberhalb des zweiten anorganischen Films 29 in die Öffnung 30 ein und bedeckt direkt den die obere Oberfläche abdeckenden Abschnitt 42 des ersten anorganischen Films 26 innerhalb der Öffnung 30. Der organische Film 33 bedeckt die obere Oberfläche 22 des Mesaabschnitts 21 über den die obere Oberfläche abdeckenden Abschnitt 42 hinweg und den Mesa-Isolationsfilm 25 innerhalb der Öffnung 30. Der organische Film 33 füllt die Vielzahl von Vertiefungen 62 an der oberen Oberfläche des Abschnitts 42 aus.
  • Der organische Film 33 steht der Vielzahl von Grabenstrukturen 52 über den ersten anorganischen Film 26 hinweg an einem Abschnitt gegenüber, der jede der Vertiefungen 62 ausfüllt. Wie oben beschrieben, deckt der organische Film 33 direkt einen gesamten Bereich der vierten vorstehenden Struktur 20D in Draufsicht ab. Der organische Film 33 ist mit der vierten vorstehende Struktur 20D und gleichzeitig mit der Öffnung 30 verbunden. Ferner ist der organische Film 33 in Kontakt mit dem die obere Oberfläche bedeckenden Abschnitt 42 innerhalb der Öffnung 30.
  • Die vierte vorstehende Struktur 20D ist nicht auf den in 10 dargestellten Modus beschränkt und kann verschiedene Arten von Modi annehmen. Nachfolgend werden unter Bezugnahme auf 11A bis 11C andere Ausführungsbeispiele der vierten vorstehenden Struktur 20D gezeigt.
  • 11A ist eine vergrößerte Querschnittansicht, die die vierte vorstehende Struktur 20D gemäß dem zweiten Ausführungsbeispiel zeigt. Die Struktur, die jeweils der in 10 gezeigten Struktur entspricht, wird im Folgenden mit demselben Bezugszeichen versehen, und eine Beschreibung derselben entfällt. Unter Bezugnahme auf 11A weist der zweite anorganische Film 29 die Öffnung 30 auf, die eine oder beide (in dieser Ausführungsform beide) des ersten Abdeckfilms 27 und des zweiten Abdeckfilms 28 des ersten anorganischen Films 26 teilweise freilegt, zusätzlich zu dem die obere Oberfläche abdeckenden Abschnitt 42. Der organische Film 33 bedeckt direkt eine oder beide (in dieser Ausführungsform beide) des ersten Abdeckfilms 27 und des zweiten Abdeckfilms 28 innerhalb der Öffnung 30, zusätzlich zu dem die obere Oberfläche abdeckenden die Abschnitt 42.
  • 11B ist eine vergrößerte Querschnittansicht, die die vierte vorstehende Struktur 20D gemäß dem dritten Ausführungsbeispiel zeigt. Die Struktur, die jeweils der in 10 gezeigten Struktur entspricht, wird im Folgenden mit demselben Bezugszeichen versehen, und eine Beschreibung derselben entfällt. Unter Bezugnahme auf 11B weist der zweite anorganische Film 29 die Öffnung 30 auf, die einen gesamten Bereich einer oder beider (in dieser Ausführungsform beide) des ersten Abdeckfilms 27 und des zweiten Abdeckfilms 28 des ersten anorganischen Films 26 freilegt, zusätzlich zu dem die obere Oberfläche abdeckenden Abschnitt 42. Die Öffnung 30 bildet den Spalt 37 mit einer oder beiden (in dieser Ausführungsform, beiden) des ersten Abdeckfilms 27 und des zweiten Abdeckfilms 28.
  • Das heißt, in dieser Ausführungsform umfasst die vierte vorstehende Struktur 20D den zwischen dem ersten anorganischen Film 26 und dem zweiten anorganischen Film 29 gebildeten Spalt 37. Die Breite des Spalts 37 ist willkürlich und kann nicht weniger als 0,1 um und nicht mehr als 50 um betragen. In dieser Ausführungsform bedeckt der organische Film 33 direkt einen oder beide (in dieser Ausführungsform beide) des ersten Abdeckfilms 27 und des zweiten Abdeckfilms 28 innerhalb der Öffnung 30, zusätzlich zu dem die obere Oberfläche abdeckenden Abschnitt 42. Der organische Film 33 tritt in den Spalt 37 ein und bedeckt direkt eine oder beide (in dieser Ausführungsform beide) des ersten Abdeckfilms 27 und des zweiten Abdeckfilms 28 innerhalb des Spalts 37.
  • 11C ist eine vergrößerte Querschnittansicht, die die vierte vorstehende Struktur 20D gemäß dem fünften Ausführungsbeispiel zeigt. Die Struktur, die jeweils der in 10 gezeigten Struktur entspricht, wird im Folgenden mit demselben Bezugszeichen versehen, und eine Beschreibung derselben entfällt. Bezugnehmend auf 11C bedeckt bei dieser Ausführungsform der zweite anorganische Film 29 einen gesamten Bereich des ersten anorganischen Films 26 und weist keine Öffnung 30 auf.
  • Der zweite anorganische Film 29 kann eine Vielzahl von Vertiefungen 58 aufweisen, die in einem Abschnitt, der eine Vertiefung 62 des ersten anorganischen Films 26 bedeckt, in Richtung der Vielzahl von Grabenstrukturen 52 eingedrückt sind. Mit anderen Worten kann der zweite anorganische Film 29 eine ungleichmäßige Struktur aufweisen, die sich aus der Vielzahl von Vertiefungen 58 in einem Abschnitt ergibt, der die obere Oberfläche 22 des Mesaabschnitts 21 bedeckt. Der organische Film 33 liegt einem gesamten Bereich des Mesaabschnitts 21 und einem gesamten Bereich des ersten anorganischen Films 26 über den zweiten anorganischen Film 29 hinweg gegenüber.
  • Die SiC-Halbleitervorrichtung 61 kann mindestens zwei der vierten vorstehenden Strukturen 20D gemäß dem ersten bis vierten Ausführungsbeispiel gleichzeitig umfassen. Die SiC-Halbleitervorrichtung 61 kann die vierte vorstehende Struktur 20D umfassen, die mindestens zwei der Merkmale des vierten vorstehenden Strukturs 20D gemäß den ersten bis vierten Ausführungsbeispielen gleichzeitig umfasst.
  • Wie oben beschrieben, umfasst die SiC-Halbleitervorrichtung 61 den SiC-Chip 2 (Chip), die funktionale Vorrichtung, die vierte vorstehende Struktur 20D (vorstehende Struktur) und den organischen Film 33. Der SiC-Chip 2 hat auf der einen Seite die erste Hauptoberfläche 5 und auf der anderen Seite die zweite Hauptoberfläche 6. Die erste Hauptoberfläche 5 umfasst die aktive Oberfläche 8 an ihrem inneren Abschnitt und die Außenoberfläche 9 an ihrem Peripherieabschnitt. Die funktionale Vorrichtung ist an der Seite der aktiven Oberfläche 8 ausgebildet. Die vierte vorstehende Struktur 20D umfasst eine anorganische Substanz und steht an der Außenoberfläche 9 vor. Das heißt, die vierte vorstehende Struktur 20D ist an der Seite der Außenoberfläche 9 so ausgebildet, dass sie zu der gegenüberliegenden Seite der zweiten Hauptoberfläche 6 vorsteht. Der organische Film 33 bedeckt die vierte vorstehende Struktur 20D.
  • Gemäß dieser Struktur kann die Adhäsionskraft des organischen Films 33 gegenüber dem SiC-Chip 2 durch die vierte vorstehende Struktur 20D verstärkt werden. Dadurch ist es möglich, ein Ablösen des organischen Films 33 vom SiC-Chip 2 zu unterdrücken. Dadurch ist es möglich, die SiC-Halbleitervorrichtung 61 bereitzustellen, die die Zuverlässigkeit verbessert.
  • Die vierte vorstehende Struktur 20D umfasst vorzugsweise den Mesaabschnitt 21, der aus einem Abschnitt des SiC-Chips 2 gebildet ist, der an der Außenoberfläche 9 so ausgebildet ist, dass er in Richtung der gegenüberliegenden Seite der zweiten Hauptoberfläche 6 vorsteht, und der die obere Oberfläche 22 aufweist. Die vierte vorstehende Struktur 20D umfasst vorzugsweise die Grabenstruktur 52, die den in der oberen Oberfläche 22 ausgebildeten Graben 53, den Isolationsfilm 55, der die Innenwand des Grabens 53 bedeckt, und das anorganische eingebettete Material 56, das über den Isolationsfilm 55 in den Graben 53 eingebettet ist, umfasst. Die vierte vorstehende Struktur 20D umfasst vorzugsweise den ersten anorganischen Film 26, der die obere Oberfläche 22 des Mesaabschnitts 21 bedeckt. Die vierte vorstehende Struktur 20D umfasst vorzugsweise den zweiten anorganischen Film 29, der mindestens einen Abschnitt des ersten anorganischen Films 26 bedeckt und die vorstehende Struktur mit dem Mesaabschnitt 21 und der ersten anorganischen Film 26 bildet.
  • In diesem Fall bedeckt der organische Film 33 vorzugsweise den Mesaabschnitt 21. Gemäß dieser Struktur kann die Adhäsionskraft des organischen Films 33 gegenüber dem SiC-Chip 2 durch eine aus dem Mesaabschnitt 21 und der Grabenstruktur 52 resultierende unebene Struktur verstärkt werden. Dadurch ist es möglich, ein Ablösen des organischen Films 33 vom SiC-Chip 2 zu unterdrücken. Dadurch ist es möglich, die SiC-Halbleitervorrichtung 61 bereitzustellen, die die Zuverlässigkeit verbessert.
  • Der erste anorganische Film 26 besteht vorzugsweise aus demselben Material wie das anorganische eingebettete Material 56 und ist einstückig mit dem anorganischen eingebetteten Material 56 ausgebildet. Mit anderen Worten besteht das anorganische eingebettete Material 56 vorzugsweise aus einem Abschnitt des ersten anorganischen Films 26. Das heißt, der erste anorganische Film 26 umfasst vorzugsweise einen Abschnitt, der als anorganisches eingebettetes Material 56 von oberhalb der oberen Oberfläche 22 in den Graben 53 eintritt. Vorzugsweise besteht der Isolationsfilm 55 aus einem Oxidfilm, das anorganische eingebettete Material 56 aus einem Polysilizium und der erste anorganische Film 26 besteht aus einem Polysilizium.
  • Der Mesaabschnitt 21 kann die erste Wandoberfläche 23 auf der Seite der aktiven Oberfläche 8 und die zweite Wandoberfläche 24 auf der Peripherierandseite der Außenoberfläche 9 aufweisen. In diesem Fall umfasst der erste anorganische Film 26 vorzugsweise den die obere Oberfläche 22 abdeckenden Abschnitt 42, den ersten Abdeckfilm 27, der die erste Wandoberfläche 23 abdeckt, und den zweiten Abdeckfilm 28, der die zweite Wandoberfläche 24 abdeckt. Der zweite anorganische Film 29 bedeckt vorzugsweise den ersten Abdeckfilm 27 und den zweiten Abdeckfilm 28 so, dass mindestens ein Abschnitt der oberen Oberfläche, der den Abschnitt 42 bedeckt, freigelegt wird (siehe 10 bis 11B). In diesem Fall ist der organische Film 33 vorzugsweise in Kontakt mit dem die obere Oberfläche abdeckenden Abschnitt 42.
  • Der zweite anorganische Film 29 kann einen gesamten Bereich des ersten Abdeckfilms 27 und einen gesamten Bereich des zweiten Abdeckfilms 28 bedecken und kann den die obere Oberfläche abdeckenden Abschnitt 42 selektiv freilegen (siehe 10). Der zweite anorganische Film 29 kann mindestens einen Abschnitt des die obere Oberfläche abdeckenden Abschnitts 42, mindestens einen Abschnitt des ersten Abdeckfilms 27 und mindestens einen Abschnitt des zweiten Abdeckfilms 28 freilegen (siehe 10 bis 11B). Der zweite anorganische Film 29 kann einen ganzen Bereich des ersten anorganischen Films 26 freilegen (siehe 11B).
  • In diesem Fall kann der zweite anorganische Film 29 auf der Außenoberfläche 9 in einem Abstand von dem ersten anorganischen Film 26 gebildet werden, so dass er mit dem ersten anorganischen Film 26 den Spalt 37 bildet (siehe 11B). In diesem Fall kann der organische Film 33 den Spalt 37 auf der Außenoberfläche 9 ausfüllen, um den Mesaabschnitt 21, den ersten anorganischen Film 26 und den zweiten anorganischen Film 29 zu bedecken (siehe 11B). Selbstverständlich kann der zweite anorganische Film 29 einen ganzen Bereich des ersten anorganischen Film 26 abdecken (siehe 11C).
  • 12 entspricht 4 und ist eine vergrößerte Querschnittansicht, die eine SiC-Halbleitervorrichtung 71 gemäß der fünften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung mit einer fünften vorstehenden Struktur 20E gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel zeigt. Die Struktur, die der für die SiC-Halbleitervorrichtung 1 beschriebenen Struktur entspricht, wird im Folgenden mit demselben Bezugszeichen versehen, und eine Beschreibung derselben entfällt.
  • Unter Bezugnahme auf 12 umfasst die SiC-Halbleitervorrichtung 71 anstelle der ersten vorstehenden Struktur 20A mindestens eine (in dieser Ausführungsform eine) fünfte vorstehende Struktur 20E (vorstehende Struktur) gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel, die an einer Seite der Außenoberfläche 9 vorsteht. Insbesondere umfasst die fünfte vorstehende Struktur 20E eine anorganische Substanz (filmförmige anorganische Substanz) und ist an dem Hauptoberflächenisolationsfilm 12 ausgebildet. In dieser Ausführungsform besteht die fünfte vorstehende Struktur 20E aus einem vorstehenden Abschnitt, der zur gegenüberliegenden Seite der zweiten Haupttoberfläche 6 mit dem Hauptoberflächenisolationsfilm 12 als Ausgangspunkt vorsteht und eine unebene Struktur auf der Außenoberfläche 9 bildet.
  • Die fünfte vorstehende Struktur 20E hat eine Dicke, die geringer ist als die Dicke der aktiven Mesa 11 und ist an der Seite der Außenoberfläche 9 von der aktiven Oberfläche 8 gebildet, d.h. wenn eine gerade Linie, die sich von der aktiven Oberfläche 8 horizontal (in der ersten Richtung X oder in der zweiten Richtung Y) in einer Querschnittansicht erstreckt, gesetzt wird, wird ein oberer Endabschnitt (Spitzenabschnitt) der fünften vorstehenden Struktur 20E in einem Abstand von der geraden Linie zu dem SiC-Chip 2-Seite gebildet. Die fünfte vorstehende Struktur 20E ist der aktiven Mesa 11 (mindestens eine der ersten bis vierten Verbindungsoberflächen 10A bis 10D) in der ebenen Richtung der Außenoberfläche 9 zugewandt. Die fünfte vorstehende Struktur 20E besteht aus einer ornamentalen Struktur, die von der funktionalen Vorrichtung elektrisch getrennt ist.
  • Vorzugsweise weist die fünfte vorstehende Struktur 20E zumindest auf einer Außenoberfläche keinen Nitridfilm (Nitrid) auf. Die fünfte vorstehende Struktur 20E besteht vorzugsweise aus einer anderen anorganischen Substanz als einem Nitrid. Im Gegensatz zu den ersten bis vierten vorstehenden Strukturen 20A bis 20E hat die fünfte vorstehende Struktur 20E nicht den Mesa-Abschnitt 21 und den Mesa-Isolationsfilm 25, sondern umfasst den ersten anorganischen Film 26 und den zweiten anorganischen Film 29. Der erste anorganische Film 26 besteht aus einer anderen anorganischen Substanz als einem Nitrid. Der zweite anorganische Film 29 besteht aus einer anderen anorganischen Substanz als einem Nitrid, die sich von dem ersten anorganischen Film 26 unterscheidet.
  • Der erste anorganische Film 26 kann aus dem gleichen Material und der gleichen Dicke (erste Dicke T1) bestehen wie der erste anorganische Film 26 gemäß der ersten Ausführungsform. Der erste anorganische Film 26 bildet einen vorstehenden Abschnitt, der als Filmform auf dem Hauptoberflächenisolationsfilm 12 ausgebildet ist, um in Richtung der gegenüberliegenden Seite der zweiten Hauptoberfläche 6 auf dem Hauptoberflächenisolationsfilm 12 vorzustehen. Das heißt, der erste anorganische Film 26 bildet einen Hauptkörper der fünften vorstehenden Struktur 20E. Der erste anorganische Film 26 ist in einem Bereich zwischen einem Peripherierand der aktiven Oberfläche 8 und einem Peripherierand der Außenoberfläche 9 in Abständen vom Peripherierand der aktiven Oberfläche 8 (erste bis vierte Verbindungsoberflächen 10A bis 10D) und dem Peripherierand der Außenoberfläche 9 (erste bis vierte Seitenoberflächen 7A bis 7D) in Draufsicht ausgebildet. Insbesondere wird der erste anorganische Film 26 in einem Abstand von der Seitenwandstruktur 13 gebildet.
  • Der erste anorganische Film 26 ist in einer Bandform ausgebildet, die sich entlang der aktiven Oberfläche 8 (erste bis vierte Verbindungsoberflächen 10A bis 10D) in Draufsicht erstreckt. In dieser Ausführungsform ist der erste anorganische Film 26 in einer Ringform (insbesondere vierseitig ringförmig) ausgebildet, die die aktive Oberfläche 8 in Draufsicht umgibt. Der erste anorganische Film 26 (fünfte vorstehende Struktur 20E) kann in Draufsicht mit Enden oder in einer Endlosform ausgebildet sein. Der erste anorganische Film 26 hat die erste Seite an der aktiven Oberfläche 8 und die zweite Seite an der Peripherierandseite der Außenoberfläche 9.
  • Die erste Seite und die zweite Seite des ersten anorganischen Films 26 bilden die erste Seite und die zweite Seite der fünften vorstehenden Struktur 20E. Die erste Seite hat vier Seiten parallel zur aktiven Oberfläche 8 in Draufsicht. Die zweite Seite hat vier Seiten parallel zur ersten Seite in Draufsicht. Eine ebene Form der ersten Seite und die der zweiten Seite sind jeweils willkürlich und nicht notwendigerweise parallel zur aktiven Oberfläche 8 geformt bzw. ausgebildet und können mäanderförmig ausgebildet sein.
  • Der zweite anorganische Film 29 kann aus dem gleichen Material und der gleichen Dicke (zweite Dicke T2) bestehen wie der zweite anorganische Film 29 gemäß der ersten Ausführungsform. Der zweite anorganische Film 29 hat eine Oberfläche auf der Seite des SiC-Chips 2 und eine andere Oberfläche auf der der einen Oberfläche gegenüberliegenden Seite. Der zweite anorganische Film 29 ist so ausgebildet, dass sowohl die eine Oberfläche als auch die andere Oberfläche sich entlang einer Außenoberfläche des Hauptoberflächenisolationsfilms 12 und einer Außenoberfläche des ersten anorganischen Films 26 erstrecken.
  • In dieser Ausführungsform fährt der zweite anorganische Film 29 über einen Peripherierandabschnitt des ersten anorganischen Films 26 von beiden Seiten der ersten Seite und der zweiten Seite und bedeckt einen Peripherierandabschnitt des ersten anorganischen Films 26 auf der Seite der ersten Seite davon und einen Peripherierandabschnitt davon auf der Seite der zweiten Seite davon. Ein Abschnitt des zweiten anorganischen Films 29, der den ersten anorganischen Film 26 bedeckt, befindet sich an der Außenoberfläche 9 auf der Seite der aktiven Oberfläche 8. Der zweite anorganische Film 29 bildet eine fünfte vorstehende Struktur 20E mit dem ersten anorganischen Film 26. Der zweite anorganische Film 29 kann die erste Seite teilweise bedecken, so dass die erste Seite teilweise freigelegt wird. Der zweite anorganische Film 29 kann die erste Seite entlang ihres gesamten Umfangs bzw. Rands bedecken. Ferner kann der zweite anorganische Film 29 die zweite Seite teilweise bedecken, so dass die zweite Seite teilweise freiliegt. Der zweite anorganische Film 29 kann die zweite Seite entlang ihres gesamten Umfangs bzw. Rands bedecken.
  • In dieser Ausführungsform weist der zweite anorganische Film 29 mindestens eine Öffnung 30 auf, die den ersten anorganischen Film 26 selektiv freilegt. In einer Querschnittansicht ist eine Öffnungsfläche der Öffnung 30 vorzugsweise gleich oder größer als eine Fläche eines Abschnitts des ersten anorganischen Films 26, die von dem zweiten anorganischen Film 29 abgedeckt wird. Selbstverständlich kann die Öffnungsfläche der Öffnung 30 auch kleiner sein als die Fläche des abgedeckten Abschnitts. Es reicht aus, dass die Öffnung 30 mindestens einen Abschnitt des ersten anorganischen Films 26 freilegt, wobei eine ebene Form willkürlich ist. Eine Beschreibung der Form etc. der Öffnung 30 entspricht der vorherigen Beschreibung und entfällt daher.
  • Der zweite anorganische Film 29 wird von dem ersten anorganischen Film 26 seitlich aus dem Peripherierand der Außenoberfläche 9 herausgeführt und bedeckt den Hauptoberflächenisolationsfilm 12 als Filmform in einem Bereich zwischen dem Peripherierand der Außenoberfläche 9 und dem ersten anorganischen Film 26. Der zweite anorganische Film 29 weist eine Peripherie-Stirnwand auf, die in einem Abstand nach innen von der Peripherierand der Außenoberfläche 9 (erste bis vierte Seitenoberflächen 7A bis 7D) ausgebildet ist und einen Peripherierandabschnitt der Außenoberfläche 9 freilegt. Die Peripherie-Stirnwand der zweiten anorganischen Film 29 grenzt die Kerböffnung 31, die den Peripherierandabschnitt der Außenoberfläche 9 freilegt, mit der Peripherie-Stirnwand des Hauptoberflächenisolationsfilms 12 ab.
  • Der zweite anorganische Film 29 wird von der Seite des ersten anorganischen Films 26 in Richtung der Seite der aktiven Oberfläche 8 herausgeführt und bedeckt den Hauptoberflächenisolationsfilm 12 als eine Filmform in einem Bereich zwischen der aktiven Oberfläche 8 und dem ersten anorganischen Film 26. Der zweite anorganische Film 29 wird von oberhalb des Hauptoberflächenisolationsfilms 12 auf die Seitenwandstruktur 13 herausgeführt. Der zweite anorganische Film 29 bedeckt als Filmform einen ganzen Bereich der Seitenwandstruktur 13 und wird von oberhalb der aktiven Oberfläche 8 durch Querung der ersten bis vierten Verbindungsoberflächen 10A bis 10D auf die Außenoberfläche 9 geführt. Der zweite anorganische Film 29 deckt einen ganzen Bereich der aktiven Oberfläche 8 über den Hauptoberflächenisolationsfilm 12 ab.
  • Wie oben beschrieben, hat der zweite anorganische Film 29 einen Abschnitt, der die aktive Oberfläche 8 bedeckt und einen Abschnitt, der den ersten anorganischen Film 26 bedeckt. Der Abschnitt des zweiten anorganischen Films 29, der den ersten anorganische Film 26 bedeckt, befindet sich auf der zweiten Hauptoberfläche 6 seitlich von dem Abschnitt des zweiten anorganischen Films 29, der die aktive Oberfläche 8 bedeckt. Der zweite anorganische Film 29 bildet einen Abschnitt der fünften vorstehenden Struktur 20E an der Außenoberfläche 9 und bedeckt gleichzeitig die aktive Oberfläche 8, die Außenoberfläche 9 und die ersten bis vierten Verbindungsoberflächen 10A bis 10D (Seitenwandstruktur 13) .
  • In dieser Ausführungsform weist die SiC-Halbleitervorrichtung 71 keinen Nitridfilm auf, der die fünfte vorstehende Struktur 20E bedeckt. Die SiC-Halbleitervorrichtung 71 hat keinen Nitridfilm, der einen Bereich zwischen der fünften vorstehenden Struktur 20E und der aktiven Oberfläche 8 abdeckt. Die SiC-Halbleitervorrichtung 71 hat keinen Nitridfilm, der einen Bereich zwischen der fünften vorstehenden Struktur 20E und der Peripherierand der Außenoberfläche 9 abdeckt. Die SiC-Halbleitervorrichtung 71 hat keinen Nitridfilm, der eine erste Hauptoberflächenelektrode 32 abdeckt.
  • Die SiC-Halbleitervorrichtung 71 umfasst den organischen Film 33, der die fünfte vorstehende Struktur 20E auf der Seite der Außenoberfläche 9 bedeckt. Der organische Film 33 kann aus dem gleichen Material und mit der gleichen Dicke wie der organische Film 33 gemäß der ersten Ausführungsform bestehen. Der organische Film 33 bedeckt direkt die fünfte vorstehende Struktur 20E auf der Außenoberfläche 9. Daher ist zwischen der fünften vorstehenden Struktur 20E und dem organischen Film 33 kein Nitridfilm eingefügt. Zwischen der Außenoberfläche 9 und dem organischen Film 33 ist kein Nitridfilm eingefügt. Zwischen der Außenoberfläche 9 und dem organischen Film 33 befindet sich nur ein anorganischer Stoff, der kein Nitridfilm ist.
  • Die organische Film 33 fährt über den zweiten anorganischen Film 29 von beiden Seiten der ersten Seite und der zweiten Seite des ersten anorganischen Films 26 und bedeckt den ersten anorganische Film 26. Insbesondere tritt die organische Film 33 von oberhalb des zweiten anorganischen Films 29 in die Öffnung 30 ein und bedeckt den ersten anorganischen Film 26 innerhalb der Öffnung 30. Der organische Film 33 bedeckt direkt den ersten anorganische Film 26 und den zweiten anorganischen Film 29. In dieser Ausführungsform deckt der organische Film 33 direkt einen ganzen Bereich der fünften vorstehenden Struktur 20E ab. Der organische Film 33 ist mit der fünften vorstehenden Struktur 20E und gleichzeitig mit der Öffnung 30 verbunden.
  • Der organische Film 33 wird von der Seite der fünften vorstehenden Struktur 20E in Richtung des Peripherierandes der Außenoberfläche 9 herausgeführt und bedeckt den zweiten anorganischen Film 29 in einem Bereich zwischen dem Peripherierand der Außenoberfläche 9 und dem ersten anorganischen Film 26. Der organische Film 33 hat eine Peripherie-Stirnwand, die in einem Abstand nach innen vom Peripherierand der Außenoberfläche 9 (erste bis vierte Seitenoberflächen 7A bis 7D) gebildet wird und einen Peripherierandabschnitt der Außenoberfläche 9 freilegt. Die Peripherie-Stirnwand des organischen Films 33 grenzt einen Trennpfad 34 ab, der den Peripherierandabschnitt der Außenoberfläche 9 freilegt. Die Peripherie-Stirnwand des organischen Films 33 kann in einem Abstand von der Peripherie-Stirnwand des zweiten anorganischen Films 29 (Kerböffnung 31) zur aktiven Oberfläche 8 gebildet sein. Das heißt, der Trennpfad 34 kann nicht nur den Peripherieabschnitt der Außenoberfläche 9, sondern auch den zweiten anorganischen Film 29 freilegen.
  • Der organische Film 33 wird von der fünften vorstehenden Struktur 20E in Richtung der aktiven Oberfläche 8 herausgeführt und bedeckt den zweiten anorganischen Film 29 in einem Bereich zwischen der aktiven Oberfläche 8 und der fünften vorstehenden Struktur 20E. Der organische Film 33 wird von oberhalb des zweiten anorganischen Films 29 auf die Seitenwandstruktur 13 herausgeführt. Der organische Film 33 bedeckt einen ganzen Bereich der Seitenwandstruktur 13 über den zweiten anorganischen Film 29 und wird von oberhalb der aktiven Oberfläche 8 auf die Außenoberfläche 9 geführt, indem er die erste bis vierte Verbindungsoberfläche 10A bis 10D überquert.
  • Der organische Film 33 bedeckt einen Peripherierandabschnitt der ersten Hauptoberflächenelektrode 32 auf der aktiven Oberfläche 8. Vorzugsweise bedeckt der organische Film 33 den Peripherierandabschnitt der ersten Hauptoberflächenelektrode 32 entlang seines gesamten Umfangs bzw. Randes. Das heißt, der organische Film 33 bedeckt die aktive Oberfläche 8 (Peripherierandabschnitt der ersten Hauptoberflächenelektrode 32), die Außenoberfläche 9 (fünfte vorstehende Struktur 20E) und die erste bis vierte Verbindungsoberfläche 10A bis 10D (Seitenwandstruktur 13) so, dass eine Stufe zwischen der aktiven Oberfläche 8 und der Außenoberfläche 9 aufgefüllt wird.
  • Die fünfte vorstehende Struktur 20E ist nicht auf den in 12 dargestellten Modus beschränkt und kann verschiedene Arten von Modi annehmen. Nachfolgend werden unter Bezugnahme auf 13A bis 13C andere Ausführungsbeispiele der fünften vorstehenden Struktur 20E gezeigt. 13A ist eine vergrößerte Querschnittansicht, die die fünfte vorstehende Struktur 20E gemäß dem zweiten Ausführungsbeispiel zeigt. Die Struktur, die der in 12 gezeigten Struktur entspricht, wird im Folgenden mit dem gleichen Bezugszeichen versehen, und eine Beschreibung derselben entfällt. In Bezug auf 13A kann der zweite anorganische Film 29 eine Öffnung 30 aufweisen, die eine oder beide Seiten der ersten und zweiten Seite des ersten anorganischen Films 26 freilegt. Die Öffnung 30 kann den Spalt 37 mit einer oder beiden der ersten Seite und der zweiten Seite des ersten anorganischen Films 26 bilden.
  • Das heißt, in dieser Ausführungsform umfasst die fünfte vorstehende Struktur 20E den Spalt 37, der zwischen dem ersten anorganischen Film 26 und dem zweiten anorganischen Film 29 ausgebildet ist. Die Breite des Spalts 37 ist willkürlich und kann nicht weniger als 0,1 um und nicht mehr als 50 um betragen. Die Öffnung 30 kann in einem Abstand von dem ersten anorganischen Film 26 gebildet werden und kann einen gesamten Bereich der ersten anorganischen Film 26 freilegen. In dieser Ausführungsform bedeckt der organische Film 33 den ersten anorganischen Film 26 innerhalb der Öffnung 30 direkt. Der organische Film 33 tritt in den Spalt 37 ein und bedeckt direkt die erste Seite und/oder die zweite Seite des ersten anorganischen Films 26 innerhalb des Spalts 37.
  • 13B ist eine vergrößerte Querschnittansicht, die die fünfte vorstehende Struktur 20E gemäß dem dritten Ausführungsbeispiel zeigt. Die Struktur, die jeweils der in 12 gezeigten Struktur entspricht, wird im Folgenden mit demselben Bezugszeichen versehen, und eine Beschreibung derselben entfällt. Unter Bezugnahme auf 13B kann der erste anorganische Film 26 mindestens einen entfernten Abschnitt 42a und mindestens einen Abdeckungsabschnitt 42b aufweisen, die abwechselnd entlang einer oder beider der ersten Richtung X und der zweiten Richtung Y ausgebildet sind. Der entfernte Abschnitt 42a besteht aus einer Öffnung oder einem eingekerbten Abschnitt, aus dem der erste anorganische Film 26 teilweise entfernt ist, um den Hauptoberflächenisolationsfilm 12 selektiv freizulegen. Der Abdeckungsabschnitt 42b wird von einem Abschnitt des ersten anorganischen Films 26 gebildet, der den Hauptoberflächenisolationsfilm 12 selektiv abdeckt.
  • Es genügt, dass der erste anorganische Film 26 eine ungleichmäßige Struktur aufweist, die durch den entfernten Abschnitt 42a und den Abdeckungsabschnitt 42b gebildet wird, wobei die Position, die Größe, die flächige Form usw. des entfernten Abschnitts 42a und die des Abdeckungsabschnitts 42b jeweils beliebig sind. Der erste anorganische Film 26 kann verschiedene Arten von Modi annehmen, abhängig von der Form des mindestens einen entfernten Abschnitts 42a und des mindestens einen Abdeckungsabschnitts 42b.
  • Wenn der erste anorganische Film 26 zum Beispiel mindestens einen entfernten Abschnitt 42a aufweist, kann mindestens der eine entfernte Abschnitt 42a in einer Bandform, einer Ringform oder einer Zickzackform (in einer mäanderförmigen Weise) ausgebildet sein, die sich in der ersten Richtung X und/oder in der zweiten Richtung Y in Draufsicht erstreckt. Wenn der erste anorganische Film 26 eine Vielzahl der entfernten Abschnitte 42a aufweist, kann die Vielzahl der entfernten Abschnitte 42a als Punkte oder Streifen (in einer Vielzahl von Bandformen) in einem Intervall in der ersten Richtung X und/oder in der zweiten Richtung Y ausgebildet sein.
  • In ähnlicher Weise kann, wenn der erste anorganische Film 26 mindestens einen Abdeckungsabschnitt 42b aufweist, mindestens der eine Abdeckungsabschnitt 42b bandförmig, ringförmig oder zickzackförmig (mäanderförmig) ausgebildet sein, der sich in der ersten Richtung X und/oder in der zweiten Richtung Y in Draufsicht erstreckt. Wenn der erste anorganische Film 26 eine Vielzahl von Abdeckungsabschnitten 42b aufweist, kann die Vielzahl von Abdeckungsabschnitten 42b als Punkte oder Streifen (in einer Vielzahl von Bandformen) in einem Abstand bzw. Intervall in der ersten Richtung X und/oder in der zweiten Richtung Y ausgebildet sein.
  • In dieser Ausführungsform bedeckt der organische Film 33 direkt den ersten anorganischen Film 26 innerhalb der Öffnung 30 des zweiten anorganischen Films 29. Insbesondere tritt der organische Film 33 von oberhalb des Abdeckungsabschnitts 42b innerhalb der Öffnung 30 in den entfernten Abschnitt 42a ein und deckt den Hauptoberflächenisolationsfilm 12 und den ersten anorganischen Film 26 innerhalb des entfernten Abschnitts 42a direkt ab. In dieser Ausführungsform wird ein Beispiel beschrieben, bei dem der entfernte Abschnitt 42a den Hauptoberflächenisolationsfilm 12 freilegt. Der entfernte Abschnitt 42a kann aber auch durch den Hauptoberflächenisolationsfilm 12 hindurchdringen und den SiC-Chip 2 freilegen (SiC-Epitaxieschicht 4). In diesem Fall bedeckt der organische Film 33 direkt den SiC-Chip 2, den Hauptoberflächenisolationsfilm 12 und den ersten anorganischen Film 26 innerhalb des entfernten Abschnitts 42a.
  • 13C ist eine vergrößerte Querschnittansicht, die die fünfte vorstehende Struktur 20E gemäß dem vierten Ausführungsbeispiel zeigt. Das gleiche Bezugszeichen wird im Folgenden für die Struktur verwendet, die jeweils der in 12 dargestellten Struktur entspricht, und eine Beschreibung derselben entfällt. Bezugnehmend auf 13C bedeckt in dieser Ausführungsform der zweite anorganische Film 29 einen gesamten Bereich des ersten anorganischen Films 26 und weist keine Öffnung 30 auf. Der organische Film 33 liegt dem gesamten Bereich des ersten anorganischen Films 26 über der zweiten anorganischen Film 29 hinweg gegenüber. Die fünfte vorstehende Struktur 20E mit der oben beschriebenen Art kann übernommen werden.
  • Die SiC-Halbleitervorrichtung 71 kann mindestens zwei der fünften vorstehenden Strukturen 20E gemäß den ersten bis vierten Ausführungsbeispielen gleichzeitig aufweisen. Die SiC-Halbleitervorrichtung 71 kann die fünfte vorstehende Struktur 20E aufweisen, die mindestens zwei der Merkmale des fünften vorstehenden Strukturs 20E gemäß den ersten bis vierten Ausführungsbeispielen gleichzeitig aufweist.
  • Wie oben beschrieben, umfasst die SiC-Halbleitervorrichtung 71 den SiC-Chip 2 (Chip), die funktionale Vorrichtung, die fünfte vorstehende Struktur 20E (vorstehende Struktur) und den organischen Film 33. Der SiC-Chip 2 hat auf der einen Seite die erste Hauptoberfläche 5 und auf der anderen Seite die zweite Hauptoberfläche 6. Die erste Hauptoberfläche 5 umfasst die aktive Oberfläche 8 an ihrem inneren Abschnitt und die Außenoberfläche 9 an ihrem Peripherieabschnitt. Die funktionale Vorrichtung ist an der Seite der aktiven Oberfläche 8 ausgebildet. Die fünfte vorstehende Struktur 20E umfasst eine anorganische Substanz und ragt an der Außenoberfläche 9 vor. Das heißt, die fünfte vorstehende Struktur 20E ist an der Seite der Außenoberfläche 9 so ausgebildet, dass sie auf der gegenüberliegenden Seite der zweiten Hauptoberfläche 6 vorsteht. Der organische Film 33 bedeckt die fünfte vorstehende Struktur 20E.
  • Gemäß dieser Struktur kann die Adhäsionskraft des organischen Films 33 gegenüber dem SiC-Chip 2 durch die fünfte vorstehende Struktur 20E verstärkt werden. Dadurch ist es möglich, ein Ablösen des organischen Films 33 von dem SiC-Chip 2 zu unterdrücken. Dadurch ist es möglich, die SiC-Halbleitervorrichtung 71 bereitzustellen, die die Zuverlässigkeit verbessert.
  • Die fünfte vorstehende Struktur 20E umfasst vorzugsweise den ersten anorganischen Film 26, der auf der Außenoberfläche 9 vorsteht. Die fünfte vorstehende Struktur 20E kann den zweiten anorganischen Film 29 umfassen, der zumindest einen Abschnitt des ersten anorganischen Films 26 auf der Außenoberfläche 9 bedeckt und mit dem ersten anorganischen Film 26 die vorstehende Struktur bildet (siehe 12 bis 13C).
  • In diesem Fall bedeckt der organische Film 33 vorzugsweise zumindest den zweiten anorganischen Film 29 auf der Außenoberfläche 9. Gemäß dieser Struktur kann die Adhäsionskraft des organischen Films 33 in Bezug auf den SiC-Chip 2 durch die fünfte vorstehende Struktur 20E, die den ersten anorganischen Film 26 und den zweiten anorganischen Film 29 umfasst, verstärkt werden. Dadurch ist es möglich, das Ablösen des organischen Films 33 von dem SiC-Chip 2 zu unterdrücken. Dadurch ist es möglich, die SiC-Halbleitervorrichtung 71 bereitzustellen, die die Zuverlässigkeit verbessert.
  • Der zweite anorganische Film 29 kann die Öffnung 30 aufweisen, die mindestens einen Abschnitt des ersten anorganischen Films 26 in Draufsicht überlappt (siehe 12 bis 13C). Das heißt, der zweite anorganische Film 29 kann mindestens einen Abschnitt des ersten anorganischen Films 26 freilegen. Vorzugsweise deckt der organische Film 33 den ersten anorganische Film 26 direkt ab.
  • Der zweite anorganische Film 29 kann einen ganzen Bereich des ersten anorganischen Films 26 freilegen (siehe 13B). In diesem Fall kann der zweite anorganische Film 29 auf der Außenoberfläche 9 in einem Abstand von dem ersten anorganischen Film 26 ausgebildet werden, so dass er mit dem ersten anorganischen Film 26 den Spalt 37 bildet. In diesem Fall kann der organische Film 33 den Spalt 37 auf der Außenoberfläche 9 ausfüllen und den ersten anorganischen Film 26 und den zweiten anorganischen Film 29 abdecken. Selbstverständlich kann der zweite anorganische Film 29 einen ganzen Bereich des Mesaabschnitts 21 abdecken (siehe 13C).
  • 14 ist eine Draufsicht zur Beschreibung eines Ausführungsbeispiels, wenn ein SiC-MISFET als funktionale Vorrichtung in der ersten bis fünften Ausführungsform verwendet wird. 15 ist eine Querschnittansicht entlang der in 14 dargestellten Linie XV-XV. Im Folgenden wird die SiC-Halbleitervorrichtung, die den SiC-MISFET umfasst, als „SiC-Halbleitervorrichtung SD“ bezeichnet. Jede der SiC-Halbleitervorrichtungen 1, 41, 51, 61 und 71 gemäß der ersten bis fünften Ausführungsform wird als „SiC-Halbleitervorrichtung SD“ bezeichnet. Die Struktur, die der für die erste bis fünfte Ausführungsform beschriebenen Struktur entspricht, wird im Folgenden mit demselben Bezugszeichen versehen, und eine Beschreibung derselben entfällt.
  • Unter Bezugnahme auf 14 und 15 umfasst die SiC-Halbleitervorrichtung SD den SiC-MISFET als ein Beispiel für die funktionale Vorrichtung. Die SiC-Halbleitervorrichtung SD umfasst einen ersten Halbleiterbereich 81 vom n-Typ (erster Leitfähigkeitstyp), der in einem Oberflächenschichtabschnitt der zweiten Hauptoberfläche 6 ausgebildet ist. Der erste Halbleiterbereich 81 bildet einen Drain des SiC-MISFET. Der erste Halbleiterbereich 81 kann als Drain-Bereich bezeichnet werden. Der erste Halbleiterbereich 81 hat eine n-Typ Verunreinigungskonzentration, die in einer Dickenrichtung im Wesentlichen konstant ist. Der erste Halbleiterbereich 81 ist in einem gesamten Bereich des Oberflächenschichtabschnitts der zweiten Hauptoberfläche 6 ausgebildet und weist die zweite Hauptoberfläche 6 und Abschnitte der ersten bis vierten Seitenoberflächen 7A bis 7D auf. In dieser Ausführungsform wird der erste Halbleiterbereich 81 durch das n-Typ SiC-Substrat 3 gebildet.
  • Die SiC-Halbleitervorrichtung SD umfasst einen zweiten n-Typ-Halbleiterbereich 82, der in einem Oberflächenschichtabschnitt einer ersten Hauptoberfläche 5 ausgebildet ist. Der zweite Halbleiterbereich 82 ist elektrisch mit dem ersten Halbleiterbereich 81 verbunden und bildet mit dem ersten Halbleiterbereich 81 den Drain des SiC-MISFET. Der zweite Halbleiterbereich 82 kann als Driftbereich bezeichnet werden. Der zweite Halbleiterbereich 82 hat eine n-Typ-Verunreinigungskonzentration, die geringer ist als die n-Typ-Verunreinigungskonzentration des ersten Halbleiterbereichs 81. Der zweite Halbleiterbereich 82 wird in einem ganzen Bereich des Oberflächenschichtabschnitts der ersten Hauptoberfläche 5 gebildet und weist die erste Hauptoberfläche 5 und Abschnitte der ersten bis vierten Seitenoberflächen 7A bis 7D auf. In dieser Ausführungsform wird der zweite Halbleiterbereich 82 durch die n-Typ SiC Epitaxieschicht 4 gebildet.
  • Die SiC-Halbleitervorrichtung SD umfasst einen p-Typ (zweiter Leitfähigkeitstyp) Körperbereich 83, der in einem Oberflächenschichtabschnitt der aktiven Oberfläche 8 ausgebildet ist. Der Körperbereich 83 bildet einen Abschnitt einer Körperdiode („body diode“) des SiC-MISFET. Der Körperbereich 83 kann in einem gesamten Bereich des Oberflächenschichtabschnitts der aktiven Oberfläche 8 ausgebildet sein.
  • Die SiC-Halbleitervorrichtung SD umfasst einen n-Typ Sourcebereich 84, der an einem Oberflächenschichtabschnitt des Körperbereichs 83 ausgebildet ist. Der Sourcebereich 84 bildet eine Source des SiC-MISFET. Der Sourcebereich 84 kann in einem gesamten Bereich des Oberflächenschichtabschnitts des Körperbereichs 83 ausgebildet sein. Der Sourcebereich 84 hat eine n-Typ-Verunreinigungskonzentration, die die n-Typ-Verunreinigungskonzentration des zweiten Halbleiterbereichs 82 übersteigt. Der Sourcebereich 84 bildet einen Kanal des SiC-MISFET mit dem zweiten Halbleiterbereich 82 innerhalb des Körperbereichs 83.
  • Die SiC-Halbleitervorrichtung SD umfasst eine Vielzahl von Graben-Gate-Strukturen 85, die in der aktiven Oberfläche 8 so ausgebildet sind, dass sie den Körperbereich 83 und den Sourcebereich 84 durchqueren und den zweiten Halbleiterbereich 82 erreichen. Die mehreren Graben-Gate-Strukturen 85 bilden ein Gate des SiC-MISFETs, um das Ein- und Ausschalten des Kanals zu steuern. Das heißt, der SiC-MISFET besteht aus einem Graben-Gate-Typ („trench gate type“).
  • Die Mehrzahl der Graben-Gate-Strukturen 85 kann jeweils in einer Bandform (Rechteckform) ausgebildet sein, die sich in der ersten Richtung X in Draufsicht erstreckt und in einem Abstand in der zweiten Richtung Y ausgebildet ist. Jede der Graben-Gate-Strukturen 85 ist in der Seite der aktiven Oberfläche 8 in einem Abstand von dem unteren Abschnitt des zweiten Halbleiterbereichs 82 ausgebildet und weist zu dem ersten Halbleiterbereich 81 über einen Abschnitt des zweiten Halbleiterbereichs 82 hinweg.
  • Die mehreren Graben-Gate-Strukturen 85 haben jeweils eine Gatebreite („gate width“) WG. Die Gatebreite WG ist die Breite in einer Richtung orthogonal zu der Richtung, in der sich die Graben-Gate-Struktur 85 erstreckt. Die Gatebreite WG kann nicht kleiner als 0,1 um und nicht größer als 3 um sein. Die Gatebreite WG ist vorzugsweise nicht kleiner als 0,5 um und nicht größer als 1,5 um. Die Gatebreite WG hat vorzugsweise einen Wert im Bereich von ±10 % des Wertes der Grabenbreite WT der Grabenstruktur 52. Vorzugsweise ist die Gatebreite WG im Wesentlichen gleich der Grabenbreite WT (WG ≈ WT).
  • Die Mehrzahl der Graben-Gate-Strukturen 85 weisen jeweils eine erste Tiefe D1 auf. Die erste Tiefe D1 ist vorzugsweise kleiner als die Eindrücktiefe DO (D1 < DO) . Das heißt, die erste Tiefe D1 ist vorzugsweise geringer als die Grabentiefe DT der Grabenstruktur 52 (D1 < DT).
  • Jede der Graben-Gate-Strukturen 85 umfasst einen Gate-Graben 86, einen Gate-Isolationsfilm 87 und eine Gate-Elektrode 88. Der Gate-Graben 86 ist in der aktiven Oberfläche 8 ausgebildet und bildet eine Seitenwand und eine Bodenwand der Graben-Gate-Struktur 85. Der Gate-Isolationsfilm 87 ist als Filmform in der Innenwand des Gate-Grabens 86 ausgebildet und bedeckt den zweiten Halbleiterbereich 82, den Körperbereich 83 und den Source-Bereich 84. Die Gate-Elektrode 88 ist über den Gate-Isolationsfilm 87 hinweg in den Gate-Graben 86 eingebettet. Die Gate-Elektrode 88 ist über den Gate-Isolationsfilm 87 dem zweiten Halbleiterbereich 82, dem Körperbereich 83 und dem Sourcebereich 84 zugewandt. An die Gateelektrode 88 wird ein Gatepotential angelegt.
  • Die SiC-Halbleitervorrichtung SD umfasst eine Mehrzahl von Graben-Source-Strukturen 89, die in der aktiven Oberfläche 8 so ausgebildet sind, dass sie den Körperbereich 83 und den Sourcebereich 84 durchqueren und den zweiten Halbleiterbereich 82 erreichen. Die mehreren Graben-Source-Strukturen 89 sind jeweils in einem Bereich zwischen zwei in der aktiven Oberfläche 8 benachbarten Graben-Gate-Strukturen 85 ausgebildet. Die mehreren Graben-Source-Strukturen 89 können jeweils in einer Badform ausgebildet sein, die sich in der ersten Richtung X in Draufsicht erstreckt. Jede der Graben-Source-Strukturen 89 ist in der aktiven Oberfläche 8 seitlich in einem Abstand vom unteren Abschnitt des zweiten Halbleiterbereichs 82 ausgebildet und steht dem ersten Halbleiterbereich 81 über einen Abschnitt des zweiten Halbleiterbereichs 82 hinweg gegenüber.
  • Die Vielzahl der Graben-Source-Strukturen 89 hat jeweils eine Sourcebreite WS. Die Sourcebreite WS ist die Breite in einer Richtung orthogonal zu der Richtung, in der sich die Graben-Source-Struktur 89 erstreckt. Die Sourcebreite WS kann nicht kleiner als 0,1 um und nicht größer als 3 um sein. Die Sourcebreite WS beträgt vorzugsweise mindestens 0,5 um und höchstens 1,5 um. Die Sourcebreite WS hat vorzugsweise einen Wert in einem Bereich von ±10 % des Wertes der Grabenbreite WT der Grabenstruktur 52. Vorzugsweise ist die Sourcebreite WS im Wesentlichen gleich der Grabenbreite WT (WS ≈ WT).
  • Die Graben-Source-Strukturen 89 weisen jeweils eine zweite Tiefe D2 auf, die größer ist als die erste Tiefe D1 der Graben-Gate-Struktur 85 (D1 < D2). Die zweite Tiefe D2 beträgt vorzugsweise mindestens das 1,5-fache und höchstens das 3-fache der ersten Tiefe D1. Eine Bodenwand jeder der Graben-Source-Strukturen 89 befindet sich an der unteren Abschnittsseite des zweiten Halbleiterbereichs 82 in Bezug auf die Bodenwand jeder der Graben-Gate-Strukturen 85. Die zweite Tiefe D2 hat vorzugsweise einen Wert in einem Bereich von ±10% des Wertes der Grabentiefe DT der Grabenstruktur 52. Vorzugsweise ist die zweite Tiefe D2 im Wesentlichen gleich der Grabentiefe DT (D2 ≈ DT). Selbstverständlich kann bei jeder der Graben-Source-Strukturen 89 die zweite Tiefe D2 im Wesentlichen gleich der ersten Tiefe D1 (D1 ≈ D2) sein.
  • Die Mehrzahl der Graben-Source-Strukturen 89 sind in einem zweiten Abstand I2 zu der Mehrzahl der Graben-Gate-Strukturen 85 angeordnet. Der zweite Abstand I2 ist ein Abstand zwischen einer Graben-Gate-Struktur 85 und einer Graben-Source-Struktur 89, die einander benachbart sind. Der zweite Abstand I2 kann nicht kleiner als 0,1 um und nicht größer als 2,5 um sein. Der zweite Abstand I2 beträgt vorzugsweise nicht weniger als 0,5 um und nicht mehr als 1,5 µm.
  • Das zweite Intervall I2 ist vorzugsweise kleiner als die Gatebreite WG (Sourcebreite WS) (I2 < WG, WS). Selbstverständlich kann das zweite Intervall I2 gleich oder größer als die Gate-Breite WG (Source-Breite WS) sein. Das zweite Intervall I2 hat vorzugsweise einen Wert in einem Bereich von innerhalb ±10% des Wertes des ersten Intervalls I1 der Grabenstruktur 52. Vorzugsweise ist das zweite Intervall I2 im Wesentlichen gleich dem ersten Intervall I1 (I1 ≈ 12) .
  • Jede der Graben-Source-Strukturen 89 umfasst einen Source-Graben 90, eine Source-Isolationsfilm 91 und eine Source-Elektrode 92. Der Source-Graben 90 ist in der aktiven Oberfläche 8 ausgebildet und bildet eine Seitenwand und eine Bodenwand der Graben-Source-Struktur 89. Der Source-Isolationsfilm 91 ist als Filmform in der Innenwand des Source-Grabens 90 ausgebildet und bedeckt den zweiten Halbleiterbereich 82, den Körperbereich 83 und den Source-Bereich 84. Die Source-Elektrode 92 ist über den Source-Isolationsfilm 91 in den Source-Graben 90 eingebettet. An die Source-Elektrode 92 wird ein Source-Potential angelegt.
  • Die SiC-Halbleitervorrichtung SD umfasst eine Mehrzahl von p-Typ-Wannenbereichen 93, die jeweils in einem Bereich entlang der Mehrzahl von Graben-Source-Strukturen 89 am Oberflächenschichtabschnitt der aktiven Oberfläche 8 ausgebildet sind. p-Typ-Verunreinigungskonzentrationen der Mehrzahl von Wannenbereichen 93 übersteigen vorzugsweise die p-Typ-Verunreinigungskonzentration des Körperbereichs 83. Jeder der Wannenbereiche 93 deckt die Graben-Source-Struktur 89 entsprechend in einer Eins-zu-Eins-Entsprechungsbeziehung ab. Jeder der Wannenbereiche 93 kann bandförmig ausgebildet sein und sich entlang einer entsprechenden Graben-Source-Struktur 89 erstrecken. Jeder der Wannenbereiche 93 bedeckt eine Seitenwand und eine Bodenwand jeder der Graben-Source-Strukturen 89 und ist elektrisch mit dem Körperbereich 83 verbunden.
  • Die SiC-Halbleitervorrichtung SD umfasst eine Mehrzahl von p-Typ-Gate-Wannenbereichen 94, die jeweils in einem Bereich entlang der Mehrzahl von Graben-Gate-Strukturen 85 am Oberflächenschichtabschnitt der aktiven Oberfläche 8 ausgebildet sind. Vorzugsweise sind die p-Typ-Verunreinigungskonzentrationen der Mehrzahl von Gate-Wannenbereichen 94 im Wesentlichen gleich der p-Typ-Verunreinigungskonzentration des Wannenbereichs 93. Die Mehrzahl der Gate-Wannenbereiche 94 kann die Graben-Gate-Strukturen 85 in einer eins-zu-eins-Entsprechungsbeziehung abdecken.
  • Jeder der Gate-Wannenbereiche 94 kann bandförmig ausgebildet sein und sich entlang einer entsprechenden Graben-Gate-Struktur 85 erstrecken. Jeder der Gate-Wannenbereiche 94 bedeckt eine Seitenwand und eine Bodenwand jeder der Graben-Gate-Strukturen 85 und ist elektrisch mit dem Körperbereich 83 verbunden. Die Bodenabschnitte der mehreren Gate-Wannenbereiche 94 befinden sich auf der Bodenwandseite der Graben-Gate-Struktur 85 in Bezug auf die Bodenabschnitte der mehreren Wannenbereiche 93.
  • 16A ist eine Querschnittansicht, die eine Querschnittstruktur entlang der in 15 dargestellten Linie XVI-XVI mit der dritten vorstehenden Struktur 20C zeigt. Hier wird ein Fall beschrieben, in dem die dritte vorstehende Struktur 20C an der Seite der Außenoberfläche 9 ausgebildet ist, wobei jedoch anstelle der dritten vorstehenden Struktur 20C mindestens eine der ersten vorstehenden Struktur 20A, der zweiten vorstehenden Struktur 20B und der vierten vorstehenden Struktur 20D ausgebildet sein kann. Ferner kann anstelle der dritten vorstehenden Struktur 20C eine vorstehende Struktur enthalten sein, die mindestens zwei Merkmale der ersten vorstehenden Struktur 20A, der zweiten vorstehenden Struktur 20B und der vierten vorstehenden Struktur 20D gleichzeitig aufweist.
  • Unter Bezugnahme auf 16A kann die SiC-Halbleitervorrichtung SD einen p-Typ-Schwebekörperbereich 95 aufweisen, der in einem elektrisch schwebenden Zustand am Oberflächenschichtabschnitt der oberen Oberfläche 22 des Mesaabschnitts 21 ausgebildet ist. Der Schwebekörperbereich 95 hat eine p-Typ-Verunreinigungskonzentration, die gleich der p-Typ-Verunreinigungskonzentration des Körperbereichs 83 ist. Der Schwebekörperbereich 95 wird in einem ganzen Bereich des Oberflächenschichtabschnitts der oberen Oberfläche 22 gebildet und von der ersten Wandoberfläche 23 und der zweiten Wandoberfläche 24 des Mesaabschnitts 21 freigelegt.
  • Die SiC-Halbleitervorrichtung SD kann einen n-Typ-Schwebe-Source-Bereich 96 aufweisen, der in einem elektrisch schwebenden Zustand an einem Oberflächenschichtabschnitt des Schwebekörperbereichs 95 ausgebildet ist. Der Schwebe-Source-Bereich 96 hat eine n-Typ Verunreinigungskonzentration, die gleich der n-Typ Verunreinigungskonzentration des Sourcebereichs 84 ist. Der Schwebe-Source-Bereich 96 wird in einem ganzen Bereich des Oberflächenschichtabschnitts des Schwebekörperbereichs 95 gebildet und von der ersten Wandoberfläche 23 und der zweiten Wandoberfläche 24 des Mesaabschnitts 21 freigelegt. Der Schwebe-Source-Bereich 96 bildet mit dem Schwebekörperbereich 95 einen schwebeenden Verunreinigungsbereich am Oberflächenschichtabschnitt der oberen Oberfläche 22. Die oben beschriebene Grabenstruktur 52 ist in der oberen Oberfläche 22 so ausgebildet, dass sie den Schwebekörperbereich 95 und den Schwebe-Source-Bereich 96 durchdringt.
  • Die SiC-Halbleitervorrichtung SD kann eine Mehrzahl von p-Typ-Schwebe-Wannenbereichen 97 umfassen, die jeweils in einem Bereich entlang der Mehrzahl von Grabenstrukturen 52 am Oberflächenschichtabschnitt der oberen Oberfläche 22 des Mesaabschnitts 21 elektrisch schwebend ausgebildet sind. Im Falle der ersten und zweiten vorstehenden Struktur 20A und 20B, die nicht mit der Grabenstruktur 52 versehen sind, kann der Schwebe-Wannenbereich 97 entfernt werden.
  • Die Mehrzahl der Schwebe-Wannenbereiche 97 hat eine p-Typ Verunreinigungskonzentration, die gleich der p-Typ Verunreinigungskonzentration des Wannenbereichs 93 ist. Jeder der Schwebe-Wannenbereiche 97 deckt eine entsprechende Grabenstruktur 52 in einer Eins-zu-eins-Entsprechungsbeziehung ab. Die Mehrzahl der Schwebe-Wannenbereiche 97 kann jeweils bandförmig ausgebildet sein und sich entlang einer entsprechenden Graben-Source-Struktur 89 erstrecken. Jeder der Schwebe-Wannenbereiche 97 deckt eine Seitenwand und eine Bodenwand jeder der Graben-Source-Strukturen 89 ab und ist mit dem Schwebekörperbereich 95 verbunden.
  • Die SiC-Halbleitervorrichtung SD kann eine Vielzahl von zweiten Schwebe-Wannenbereichen 98 vom p-Typ enthalten, die jeweils in einem elektrisch schwebenden Zustand in einem Bereich entlang einer oder beider der ersten Wandoberfläche 23 und der zweiten Wandoberfläche 24 innerhalb des Mesaabschnitts 21 ausgebildet sind. In dieser Ausführungsform umfasst die SiC-Halbleitervorrichtung SD die Mehrzahl zweiter Schwebe-Wannenbereiche 98, die am Oberflächenschichtabschnitt der ersten Wandoberfläche 23 und am Oberflächenschichtabschnitt der zweiten Wandoberfläche 24 ausgebildet sind.
  • Die Mehrzahl der zweiten Schwebe-Wannenbereiche 98 hat eine p-Typ Verunreinigungskonzentration, die gleich der p-Typ Verunreinigungskonzentration des Wannenbereichs 93 ist. Die Mehrzahl der zweiten Schwebe-Wannenbereiche 98 kann einen gesamten Bereich der ersten Wandoberfläche 23 und einen gesamten Bereich der zweiten Wandoberfläche 24 abdecken. Der zweite Schwebe-Wannenbereich 98 kann über Eckabschnitte der ersten Wandoberfläche 23 und der Außenoberfläche 9 am Oberflächenschichtabschnitt der Außenoberfläche 9 zur Seite der aktiven Oberfläche 8 herausgeführt werden. Der zweite Schwebe-Wannenbereich 98 kann über Eckabschnitte der zweiten Wandoberfläche 24 und der Außenoberfläche 9 am Oberflächenschichtabschnitt der Außenoberfläche 9 auf die Peripherierandabschnittsseite der Außenoberfläche 9 herausgeführt werden. Jeder der zweiten Schwebe-Wannenbereiche 98 überdeckt jeweils eine Seitenwand und eine Bodenwand der Graben-Source-Strukturen 89 und ist mit dem Schwebekörperbereich 95 verbunden.
  • In 16A wurde ein Beispiel beschrieben, bei dem die SiC-Halbleitervorrichtung SD den Schwebekörperbereich 95, den Schwebe-Source-Bereich 96, den Schwebe-Wannenbereich 97 und den zweiten Schwebe-Wannenbereich 98 umfasst. Die SiC-Halbleitervorrichtung SD muss jedoch nicht unbedingt alle Schwebekörperbereiche 95, den Schwebe-Source-Bereich 96, den Schwebe-Wannenbereich 97 und den zweiten Schwebe-Wannenbereich 98 gleichzeitig umfassen. Die SiC-Halbleitervorrichtung SD kann mindestens einen der Bereiche Schwebekörperbereich 95, Schwebe-Source-Bereich 96, Schwebe-Wannenbereich 97 und den zweiten Schwebe-Wannenbereich 98 aufweisen. Selbstverständlich kann auch die SiC-Halbleitervorrichtung SD verwendet werden, die keinen der Bereiche Schwebekörperbereich 95, Schwebe-Source-Bereich 96, Schwebe-Wannenbereich 97 und zweiter Schwebe-Wannenbereich 98 aufweist.
  • Unter nochmaliger Bezugnahme auf 14 und 15 umfasst die SiC-Halbleitervorrichtung SD einen p-Typ Außenverbindungsbereich 99 („outer contact region“), der am Oberflächenschichtabschnitt der Außenoberfläche 9 ausgebildet ist. Der Außenverbindungsbereich 99 kann als „Anodenbereich“ („anode region“) bezeichnet werden. Der Außenverbindungsbereich 99 hat vorzugsweise eine p-Typ-Verunreinigungskonzentration, die die p-Typ-Verunreinigungskonzentration des Körperbereichs 83 übersteigt.
  • Der Außenverbindungsbereich 99 wird in einem Bereich zwischen einem Peripherierand der aktiven Oberfläche 8 und einem Peripherierand der Außenoberfläche 9 in Abständen vom Peripherierand der aktiven Oberfläche 8 (erste bis vierte Verbindungsoberflächen 10A bis 10D) und dem Peripherierand der Außenoberfläche 9 (erste bis vierte Seitenoberflächen 7A bis 7D) in Draufsicht gebildet. Insbesondere wird der Außenverbindungsbereich 99 in einem Bereich zwischen der aktiven Oberfläche 8 und dem Mesaabschnitt 21 in Abständen von der aktiven Oberfläche 8 und dem Mesaabschnitt 21 (dritte vorstehende Struktur 20C) in Draufsicht gebildet. Der Außenverbindungsbereich 99 ist bandförmig ausgebildet und erstreckt sich entlang des Mesaabschnitts 21 in Draufsicht. Der Außenverbindungsbereich 99 kann in einer Ringform (insbesondere in einer viereckigen Ringform) ausgebildet sein, die die aktive Oberfläche 8 in Draufsicht umgibt.
  • Der Außenverbindungsbereich 99 ist in einem Abstand vom unteren Abschnitt des zweiten Halbleiterbereichs 82 bis zur Außenoberfläche 9 ausgebildet. Der Außenverbindungsbereich 99 befindet sich in seiner Gesamtheit an der unteren Abschnittsseite des zweiten Halbleiterbereichs 82 in Bezug auf die Bodenwände der Mehrzahl von Graben-Gate-Strukturen 85. Der untere Abschnitt des Außenverbindungsbereichs 99 befindet sich an der unteren Abschnittsseite des zweiten Halbleiterbereichs 82 in Bezug auf die Bodenwand der Grabenstruktur 52 und die Bodenwände der mehreren Graben-Source-Strukturen 89. Der Außenverbindungsbereich 99 bildet einen pn-Verbindungsabschnitt mit dem zweiten Halbleiterbereich 82. Dadurch wird eine pn-Übergangsdiode gebildet, wobei der Außenverbindungsbereich 99 als Anode und der zweite Halbleiterbereich 82 als Kathode ausgebildet ist.
  • Die SiC-Halbleitervorrichtung SD umfasst einen äußeren Wannenbereich 100 vom p-Typ, der am Oberflächenschichtabschnitt der Außenoberfläche 9 ausgebildet ist. Der äußere Wannenbereich 100 hat eine p-Typ Verunreinigungskonzentration, die geringer ist als die p-Typ Verunreinigungskonzentration des Außenverbindungsbereichs 99. Vorzugsweise ist die p-Typ Verunreinigungskonzentration des äußeren Wannenbereichs 100 im Wesentlichen gleich der p-Typ Verunreinigungskonzentration des Wannenbereichs 93. Der äußere Wannenbereich 100 wird in einem Bereich zwischen dem Peripherierand der aktiven Oberfläche 8 (erste bis vierte Verbindungsoberflächen 10A bis 10D) und dem Außenverbindungsbereich 99 in Draufsicht gebildet.
  • Der äußere Wannenbereich 100 ist bandförmig ausgebildet und erstreckt sich entlang der aktiven Oberfläche 8 in Draufsicht. Der äußere Wannenbereich 100 kann in einer Ringform (insbesondere in einer viereckigen Ringform) ausgebildet sein, die die aktive Oberfläche 8 in Draufsicht umgibt. Der äußere Wannenbereich 100 ist elektrisch mit dem Außenverbindungsbereich 99 verbunden. Der äußere Wannenbereich 100 kann sich von der Außenoberfläche 9 in Richtung der ersten bis vierten Verbindungsoberflächen 10A bis 10D erstrecken, um die ersten bis vierten Verbindungsoberflächen 10A bis 10D innerhalb des SiC-Chips 2 abzudecken. Der äußere Wannenbereich 100 kann mit dem Körperbereich 83 und dem Wannenbereich 93 an den Oberflächenschichtabschnitten der ersten bis vierten Verbindungsoberflächen 10A bis 10D elektrisch verbunden sein.
  • Der äußere Wannenbereich 100 ist tiefer als der Außenverbindungsbereich 99 ausgebildet. Der äußere Wannenbereich 100 ist in einem Abstand vom unteren Abschnitt des zweiten Halbleiterbereichs 82 bis zur Außenoberfläche 9 ausgebildet. Der äußere Wannenbereich 100 befindet sich an der unteren Abschnitt-Seite des zweiten Halbleiterbereichs 82 in Bezug auf die Bodenwände der Mehrzahl von Graben-Gate-Strukturen 85. Der untere Abschnitt des äußeren Wannenbereichs 100 befindet sich an der unteren Abschnittsseite des zweiten Halbleiterbereichs 82 in Bezug auf die Bodenwand der Grabenstruktur 52 und die Bodenwand der Graben-Source-Struktur 89.
  • Der äußere Wannenbereich 100 bildet einen pn-Übergangsabschnitt mit dem zweiten Halbleiterbereich 82 mit dem Außenverbindungsbereich 99. Der äußere Wannenbereich 100 bildet den pn-Übergangsabschnitt mit dem zweiten Halbleiterbereich 82 an Abschnitten entlang des ersten bis vierten Verbindungsoberfläches 10A bis 10D. Das heißt, im Inneren des SiC-Chips 2 wird der pn-Übergangsabschnitt an den Abschnitten entlang des ersten bis vierten Verbindungsoberfläches 10A bis 10D gebildet.
  • Die SiC-Halbleitervorrichtung SD umfasst mindestens einen p-Typ-Feldbereich 101 (vorzugsweise nicht weniger als zwei und nicht mehr als 20), der in einem Bereich zwischen dem Außenverbindungsbereich 99 und der Peripherierand der Außenoberfläche 9 (erste bis vierte Seitenfläche 7A bis 7D) am Oberflächenschichtabschnitt der Außenoberfläche 9 ausgebildet ist. In dieser Ausführungsform umfasst die SiC-Halbleitervorrichtung SD vier Feldbereiche 101.
  • Die Vielzahl der Feldbereiche 101 wird in einem Bereich zwischen dem Außenverbindungsbereich 99 und dem Mesaabschnitt 21 (dritte vorstehende Struktur 20C) in Draufsicht gebildet. Die Vielzahl der Feldbereiche 101 wird in einem Abstand von der Seite des Außenverbindungsbereichs 99 zur Seite des Mesaabschnitts 21 gebildet. Mindestens einer der Feldbereiche 101 kann den ersten Abdeckfilm 27 der dritten vorstehenden Struktur 20C in Draufsicht überlappen.
  • Der Feldbereich 101 entspannt („relxes“) ein elektrisches Feld innerhalb des SiC-Chips 2 in der Außenoberfläche 9. Die Anzahl, die Breite, die Tiefe, die p-Typ-Verunreinigungskonzentration usw. der Feldbereiche 101 sind beliebig und können jeden Wert annehmen, der von einem zu entspannenden elektrischen Feld abhängt. Jeder der Feldbereiche 101 kann in einer Bandform ausgebildet sein, die sich entlang der aktiven Oberfläche 8 in Draufsicht erstreckt. Jeder der Feldbereiche 101 kann in einer Ringform (insbesondere in einer viereckigen Ringform) ausgebildet sein, die die aktive Oberfläche 8 in Draufsicht umgibt. Jeder der Feldbereiche 101 kann als FLR (engl.: Field Limiting Ring) Bereich bezeichnet werden.
  • Der innerste Feldbereich 101 kann mit dem Außenverbindungsbereich 99 verbunden sein. Der innerste Feldbereich 101 kann mit dem zweiten Halbleiterbereich 82 einen pn-Übergangsabschnitt mit dem Außenverbindungsbereich 99 bilden. Die anderen Feldbereiche 101 als der innerste Feldbereich 101 können in einem elektrisch schwebenden Zustand ausgebildet sein. Jeder der Feldbereiche 101 ist tiefer als der Außenverbindungsbereich 99 ausgebildet.
  • Jeder der Feldbereiche 101 ist in einem Abstand von dem unteren Abschnitt des zweiten Halbleiterbereichs 82 bis zur Außenoberfläche 9 ausgebildet. Jeder der Feldbereiche 101 befindet sich an der unteren Abschnitt-Seite des zweiten Halbleiterbereichs 82 in Bezug auf die Bodenwände der Vielzahl von Graben-Gate-Strukturen 85. Der untere Abschnitt jedes der Feldbereiche 101 befindet sich an der unteren Abschnittsseite des zweiten Halbleiterbereichs 82 in Bezug auf die Bodenwand der Grabenstruktur 52 und die Bodenwand der Graben-Source-Struktur 89.
  • Die SiC-Halbleitervorrichtung SD umfasst den oben beschriebenen Hauptoberflächenisolationsfilm 12, der die aktive Oberfläche 8 bedeckt. Der Hauptoberflächenisolationsfilm 12 ist mit dem Gate-Isolationsfilm 87 und dem Source-Isolationsfilm 91 durchgängig, um die Gate-Elektrode 88 und die Source-Elektrode 92 freizulegen. Die SiC-Halbleitervorrichtung SD umfasst den oben beschriebenen zweiten anorganischen Film 29, der auf dem Hauptoberflächenisolationsfilm 12 ausgebildet ist. Der zweite anorganische Film 29 bedeckt selektiv die aktive Oberfläche 8 auf dem Hauptoberflächenisolationsfilm 12. Der zweite anorganische Film 29 hat eine Vielzahl von Kontaktöffnungen 102, die selektiv jede der Graben-Gate-Strukturen 85, jede der Graben-Source-Strukturen 89 und den Außenverbindungsbereich 99 freilegen.
  • Die SiC-Halbleitervorrichtung SD umfasst die oben beschriebene erste Hauptoberflächenelektrode 32, die auf dem zweiten anorganischen Film 29 auf der aktiven Oberfläche 8 ausgebildet ist. Die erste Hauptoberflächenelektrode 32 umfasst eine Gate-Hauptoberflächenelektrode 111, eine Source-Hauptoberflächenelektrode 112, eine Gate-Verdrahtungselektrode 113 und eine SourceVerdrahtungselektrode 114. Die Gate-Haupttoberflächenelektrode 111 kann als Gate-Pad-Elektrode bezeichnet werden. Die Source-Hauptoberflächenelektrode 112 kann als Source-Pad-Elektrode bezeichnet werden. Die Gate-Verdrahtungselektrode 113 kann als Gate-Fingerelektrode bezeichnet werden. Die SourceVerdrahtungselektrode 114 kann als Source-Fingerelektrode bezeichnet werden.
  • In dieser Ausführungsform ist die Gate-Hauptoberflächenelektrode 111 in einem an den zentralen Abschnitt der ersten Verbindungsoberfläche 10A angrenzenden Bereich am Peripherierandabschnitt der aktiven Oberfläche 8 angeordnet. Die Gate-Hauptoberflächenelektrode 111 ist in Draufsicht viereckig mit vier zur ersten Hauptoberfläche 5 (aktive Oberfläche 8) parallelen Seiten ausgebildet. Die Gate-Hauptoberflächenelektrode 111 ist elektrisch mit der Vielzahl von Graben-Gate-Strukturen 85 (Gate-Elektrode 88) verbunden und überträgt ein von außen eingegebenes Gate-Potential (Gate-Signal) auf die Vielzahl von Graben-Gate-Strukturen 85.
  • Die Source-Haupttoberflächenelektrode 112 ist auf der aktiven Oberfläche 8 in einem Abstand von der Gate-Haupttoberflächenelektrode 111 angeordnet. In dieser Ausführungsform ist die Source-Haupttoberflächenelektrode 112 viereckig mit vier Seiten parallel zur aktiven Oberfläche 8 in Draufsicht ausgebildet. Insbesondere ist die Source-Hauptoberflächenelektrode 112 in einer polygonalen Form mit einem vertieften Abschnitt ausgebildet, der in Richtung eines Innenraums der aktiven Oberfläche 8 vertieft ist, so dass sie mit der Gate-Hauptoberflächenelektrode 111 an der Seite entlang der ersten Verbindungsoberfläche 10A in Draufsicht übereinstimmt.
  • Die Source-Hauptoberflächenelektrode 112 tritt von oberhalb des zweiten anorganischen Films 29 in die Vielzahl von Kontaktöffnungen 102 ein und ist mit der Vielzahl von Graben-Source-Strukturen 89, der Vielzahl von Sourcebereichen 84 und der Vielzahl von Wannenbereichen 93 elektrisch verbunden. Die Source-Hauptoberflächenelektrode 112 überträgt ein von außen eingegebenes Sourcepotential an die Vielzahl der Graben-Source-Strukturen 89, die Vielzahl der Sourcebereiche 84 und die Vielzahl der Wannenbereiche 93.
  • Die Gate-Verdrahtungselektrode 113 wird von der Gate-Hauptoberflächenelektrode 111 auf den zweiten anorganischen Film 29 herausgeführt. Die Gate-Verdrahtungselektrode 113 ist innerhalb eines Bereichs ausgebildet, der in Draufsicht vom Peripherierand der aktiven Oberfläche 8 (erste bis vierte Verbindungsoberflächen 10A bis 10D) umgeben ist. Die Gate-Verdrahtungselektrode 113 ist bandförmig ausgebildet und erstreckt sich entlang des Peripherierandes der aktiven Oberfläche 8 in Draufsicht und ist der Source-Hauptoberflächenelektrode 112 aus mehreren Richtungen zugewandt.
  • Die Gate-Verdrahtungselektrode 113 schneidet den Endabschnitt der Graben-Gate-Struktur 85 in Draufsicht (bzw. steht orthogonal dazu). Die Gate-Verdrahtungselektrode 113 tritt von oberhalb des zweiten anorganischen Films 29 in die Mehrzahl der Kontaktöffnungen 102 ein und ist mit der Mehrzahl der Graben-Gate-Strukturen 85 (Gate-Elektroden 88) elektrisch verbunden. Die Gate-Verdrahtungselektrode 113 überträgt ein an die Gate-Hauptoberflächenelektrode 111 angelegtes Gate-Potential auf die Mehrzahl der Graben-Gate-Strukturen 85.
  • Die Sourceverdrahtungselektrode 114 wird von der Source-Hauptoberflächenelektrode 112 auf den zweiten anorganischen Film 29 herausgeführt. Die Sourceverdrahtungselektrode 114 ist in Draufsicht bandförmig entlang der Peripherierand der aktiven Oberfläche 8 (erste bis vierte Verbindungsoberflächen 10A bis 10D) ausgebildet und ist der Source-Hauptoberflächenelektrode 112 aus den mehreren Richtungen zugewandt. In dieser Ausführungsform ist die Sourceverdrahtungselektrode 114 in einer Ringform (insbesondere in einer viereckigen Ringform) ausgebildet, die die Gate-Hauptoberflächenelektrode 111, die Source-Hauptoberflächenelektrode 112 und die Gate-Verdrahtungselektrode 113 in Draufsicht gemeinsam umgibt.
  • In dieser Ausführungsform deckt die Sourceverdrahtungselektrode 114 die Seitenwandstruktur 13 über den zweiten anorganischen Film 29 ab und ist von der Seite der aktiven Oberfläche 8 zur Seite der Außenoberfläche 9 verlegt („routed“). Die Sourceverdrahtungselektrode 114 überdeckt den Außenverbindungsbereich 99 auf der Außenoberfläche 9. Vorzugsweise überdeckt die Sourceverdrahtungselektrode 114 einen gesamten Bereich der Seitenwandstruktur 13 und einen gesamten Bereich des Außenverbindungsbereichs 99 entlang ihres gesamten Umfangs bzw. Randes. Die Souceverdrahtungselektrode 114 tritt von oberhalb des zweiten anorganischen Films 29 in die Kontaktöffnung 102 ein und ist elektrisch mit dem Außenverbindungsbereich 99 verbunden. Die Sourceverdrahtungselektrode 114 überträgt ein an die Source-Hauptoberflächenelektrode 112 angelegtes Sourcepotential auf die Vielzahl der Außenverbindungsbereiche 99.
  • Die SiC-Halbleitervorrichtung SD umfasst den oben beschriebenen organischen Film 33, der selektiv den zweiten anorganischen Film 29 und die erste Hauptoberflächenelektrode 32 bedeckt. Die organische Film 33 weist eine Vielzahl von Pad-Öffnungen 35 auf. Die Vielzahl der Pad-Öffnungen 35 umfasst eine Gate-Pad-Öffnung 115 und eine Source-Pad-Öffnung 116. Die Gate-Pad-Öffnung 115 legt einen inneren Abschnitt der Gate-Hauptoberflächenelektrode 111 frei. Die Source-Pad-Öffnung 116 legt einen inneren Abschnitt der Source-Haupttoberflächenelektrode 112 frei.
  • Die SiC-Halbleitervorrichtung SD umfasst die oben beschriebene zweite Hauptoberflächenelektrode 36, die die zweite Hauptoberfläche 6 bedeckt. Die zweite Hauptoberflächenelektrode 36 kann als Drainelektrode bezeichnet werden. Die zweite Hauptoberflächenelektrode 36 bedeckt einen ganzen Bereich der zweiten Hauptoberfläche 6 und ist durchgängig mit dem Peripherierand der zweiten Hauptoberfläche 6 (erste bis vierte Seitenoberflächen 7A bis 7D). Die zweite Hauptoberflächenelektrode 36 bildet einen ohmschen Kontakt mit dem ersten Halbleiterbereich 81 (zweite Hauptoberfläche 6).
  • 16B ist eine Querschnittansicht, die eine Querschnittstruktur entlang der in 15 gezeigten Linie XVI-XVI mit der fünften vorstehenden Struktur 20E zeigt. Die Struktur, die der in 14 bis 16A beschriebenen Struktur entspricht, wird im Folgenden mit dem gleichen Bezugszeichen versehen, und eine Beschreibung derselben entfällt. In 16B weist die SiC-Halbleitervorrichtung SD die fünfte vorstehende Struktur 20E anstelle des ersten bis vierten vorstehenden Strukturs 20D auf. Wie bei dem in 16A dargestellten Fall umfasst die SiC-Halbleitervorrichtung SD einen Außenverbindungsbereich 99, einen äußeren Wannenbereich 100 und mindestens einen Feldbereich 101 (in dieser Ausführungsform eine Vielzahl von Feldbereichen 101) auf einer Seite der Außenoberfläche 9.
  • Die Vielzahl der Feldbereiche 101 ist in einem Bereich zwischen der aktiven Oberfläche 8 und der fünften vorstehenden Struktur 20E in Abständen von der aktiven Oberfläche 8 und der fünften vorstehenden Struktur 20E in Draufsicht ausgebildet. Mindestens ein Feldbereich 101 kann den ersten anorganischen Film 26 in Draufsicht überlappen. Wenn die fünfte vorstehende Struktur 20E übernommen wird, wird weder ein Schwebekörperbereich 95, ein Schwebe-Source-Bereich 96, ein Schwebe-Wannenbereich 97 noch ein zweiter Schwebe-Wannenbereich 98 gebildet.
  • Bei der SiC-Halbleitervorrichtung SD kann die Seitenwandstruktur 13 eine Seitenwandverdrahtung sein, die elektrisch mit einer Graben-Source-Struktur 89 (SourceElektrode 92) verbunden ist. In diesem Fall kann die Graben-Source-Struktur 89 mindestens eine der ersten bis vierten Verbindungsoberflächen 10A bis 10D durchdringen. In diesem Fall kann die Seitenwandstruktur 13 mit der Graben-Source-Struktur 89 in den ersten bis vierten Verbindungsoberflächen 10A bis 10D verbunden sein. Ferner kann in diesem Fall eine Sourceelektrode 92 mit der Seitenwandstruktur 13 verbunden sein.
  • In der SiC-Halbleitervorrichtung SD kann ein SiC-MISFET eingesetzt werden, der keine Graben-Source-Struktur 89 aufweist. Ferner kann ein SiC-MISFET mit planarem Gate in der SiC-Halbleitervorrichtung SD eingesetzt („adopted“) werden.
  • Die vorliegende Erfindung kann in noch weiteren Ausführungsformen implementiert werden.
  • Zum Beispiel können die ersten bis fünften vorstehenden Strukturen 20A bis 20E in beliebiger Weise miteinander kombiniert werden. Das heißt, dass eine SiC-Halbleitervorrichtung, die mindestens zwei der ersten bis fünften vorstehenden Strukturen 20A bis 20E gleichzeitig umfasst, übernommen werden kann. Ferner kann eine SiC-Halbleitervorrichtung übernommen werden, die eine vorstehende Struktur umfasst, die mindestens zwei Merkmale der Merkmale der ersten bis fünften vorstehenden Strukturen 20A bis 20E gleichzeitig umfasst.
  • In jeder der oben beschriebenen Ausführungsformen wurde ein Beispiel beschrieben, bei dem eine einzige der ersten bis fünften vorstehenden Strukturen 20A bis 20E an der Außenoberfläche 9 ausgebildet ist. In jeder der oben beschriebenen Ausführungsformen kann jedoch eine Vielzahl der ersten bis fünften vorstehenden Strukturen 20A bis 20E ausgebildet sein. Die mehreren ersten bis fünften vorstehenden Strukturen 20A bis 20E können in Abständen von der Seite der aktiven Oberfläche 8 zur Seite der Außenoberfläche 9 oder in Abständen entlang der aktiven Oberfläche 8 gebildet werden, so dass sie die aktive Oberfläche 8 in Draufsicht umgeben.
  • In jeder der oben beschriebenen Ausführungsformen kann die Öffnung 30 den Mesa-Isolationsfilm 25 durchdringen, um die obere Oberfläche 22 (SiC Chip 2) des Mesaabschnitts 21 freizulegen. In diesem Fall bedeckt der organische Film 33 direkt die obere Oberfläche 22 des Mesaabschnitts 21 innerhalb der Öffnung 30.
  • In jeder der oben beschriebenen Ausführungsformen kann eine SiC-SBD als funktionale Vorrichtung eingesetzt werden. In diesem Fall ist die erste Hauptoberflächenelektrode 32 als Kathodenelektrode ausgebildet, die einen Schottky-Übergang mit dem SiC-Chip 2 bildet (SiC-Epitaxieschicht 4). Ferner ist die zweite Hauptoberflächenelektrode 36 als Anodenelektrode ausgebildet, die einen ohmschen Kontakt mit dem SiC-Chip 2 (SiC-Substrat 3) bildet.
  • In jeder der oben beschriebenen Ausführungsformen wurde ein Beispiel beschrieben, bei dem die Außenoberfläche 9 in Richtung der Dicke des SiC-Chips 2 (auf der Seite der zweiten Hauptoberfläche 6) vertieft ist. Die Außenoberfläche 9 kann jedoch auch in der gleichen Ebene wie die aktive Oberfläche 8 liegen.
  • In jeder der oben beschriebenen Ausführungsformen wurde ein Beispiel beschrieben, bei dem die erste Richtung X die m-Achsenrichtung eines SiC-Einkristalls und die zweite Richtung Y die a-Achsenrichtung des SiC-Einkristalls ist, jedoch kann die erste Richtung X die a-Achsenrichtung des SiC-Einkristalls und die zweite Richtung Y die m-Achsenrichtung des SiC-Einkristalls sein. Das heißt, die erste Seitenoberfläche 7A und die zweite Seitenoberfläche 7B können durch m-Ebenen des SiC-Einkristalls gebildet werden, und die dritte Seitenoberfläche 7C und die vierte Seitenoberfläche 7D können durch a-Ebenen des SiC-Einkristalls gebildet werden. In diesem Fall kann die Off-Richtung die Richtung der a-Achse des SiC-Einkristalls sein. Eine spezielle Anordnung für diesen Fall wird dadurch erreicht, dass in der obigen Beschreibung und den beigefügten Zeichnungen die Richtung der m-Achse, die zur ersten Richtung X gehört, durch die Richtung der a-Achse und die Richtung der a-Achse, die zur zweiten Richtung Y gehört, durch die Richtung der m-Achse ersetzt werden.
  • In jeder der oben beschriebenen Ausführungsformen kann anstelle des SiC-Chips 2 ein WBG-Halbleiterchip verwendet werden, der aus einem anderen WBG-Halbleiter (engl.: Wide Band Gap) als SiC besteht. Der WBG-Halbleiter ist ein Halbleiter mit einer Bandlücke, die größer ist als die Bandlücke von Si (Silizium). Ein GaAs (Galliumarsenid), ein GaN (Galliumnitrid), ein Diamant usw. sind Beispiele für WBG-Halbleiter. Selbstverständlich kann in jeder der oben beschriebenen Ausführungsformen ein Si-Chip anstelle des SiC-Chips 2 verwendet werden.
  • In jeder der oben beschriebenen Ausführungsformen wurde ein Beispiel beschrieben, bei dem der erste Leitfähigkeitstyp der n-Typ und der zweite Leitfähigkeitstyp der p-Typ ist, jedoch kann der erste Leitfähigkeitstyp der p-Typ und der zweite Leitfähigkeitstyp der n-Typ sein. Eine spezifische Anordnung dieses Falles wird durch Ersetzen des n-Typ-Bereichs durch den p-Typ-Bereich und Ersetzen des p-Typ-Bereichs durch den n-Typ-Bereich in der obigen Beschreibung und den beigefügten Zeichnungen erhalten.
  • Im Folgenden sind Beispiele für Merkmale aus dieser Beschreibung und den Zeichnungen aufgeführt. Jedes der unten angegebenen [A1] bis [A32], [B1] bis [B29], [C1] bis [C30], [D1] bis [D40], [E1] bis [E33] und [F1] bis [F29] stellt eine Halbleitervorrichtung dar, die die Zuverlässigkeit verbessern kann. Obwohl alphanumerische Zeichen in Klammern im Folgenden entsprechende Komponenten usw. in den oben beschriebenen Ausführungsformen ausdrücken, sollen diese den Geltungsbereich der jeweiligen Klauseln nicht auf die Ausführungsformen beschränken.
    • [A1] Halbleitervorrichtung (1, 41, 51, 61, 71) umfassend: einen Chip (2), der eine erste Hauptoberfläche (5) auf einer Seite und eine zweite Hauptoberfläche (6) auf der anderen Seite aufweist und der eine aktive Oberfläche (8), die an einem inneren Abschnitt der ersten Hauptoberfläche (5) angeordnet ist, und eine Außenoberfläche (9), die an einem Peripherieabschnitt der ersten Hauptoberfläche (5) angeordnet ist, umfasst; eine funktionale Vorrichtung, die an der Seite der aktiven Oberfläche (8) ausgebildet ist; eine vorstehende Struktur (20A, 20B, 20C, 20D, 20E (im Folgenden einfach als „20A bis 20E“ bezeichnet)), die eine anorganische Substanz umfasst und an der Seite der Außenoberfläche (9) vorsteht; und einen organischen Film (33), der die vorstehende Struktur (20A bis 20E) bedeckt.
    • [A2] Halbleitervorrichtung (1, 41, 51, 61, 71) gemäß A1, wobei die vorstehende Struktur (20A bis 20E) in einem elektrisch schwebenden Zustand ausgebildet ist.
    • [A3] Halbleitervorrichtung (1, 41, 51, 61, 71) gemäß A1 oder A2, wobei ein Nitridfilm nicht zwischen der vorstehenden Struktur (20A bis 20E) und dem organischen Film (33) eingefügt ist.
    • [A4] Halbleitervorrichtung (1, 41, 51, 61, 71) gemäß A1 bis A3, wobei ein Nitridfilm nicht zwischen der Außenoberfläche (9) und dem organischen Film (33) angeordnet ist.
    • [A5] Halbleitervorrichtung (1, 41, 51, 61, 71) gemäß A1 bis A4, wobei die vorstehende Struktur (20A bis 20E) keinen Nitridfilm aufweist.
    • [A6] Halbleitervorrichtung (1, 41, 51, 61, 71) gemäß A1 bis A5, wobei die vorstehende Struktur (20A bis 20E) aus einer anorganischen Substanz gebildet ist.
    • [A7] Halbleitervorrichtung (1, 41, 51, 61, 71) gemäß A1 bis A6, wobei ein Metallfilm nicht in einem Bereich zwischen einem Peripherierand des Chips (2) und der vorstehenden Struktur (20A bis 20E) in Draufsicht gebildet wird.
    • [A8] Halbleitervorrichtung (1, 41, 51, 61, 71) gemäß A1 bis A7, wobei die vorstehende Struktur (20A bis 20E) in Abständen vom Peripherierand des Chips (2) und der aktiven Oberfläche (8) in Draufsicht gebildet wird.
    • [A9] Halbleitervorrichtung (1, 41, 51, 61, 71) gemäß A1 bis A8, wobei die vorstehende Struktur (20A bis 20E) eine erste Seite an der Seite der aktiven Oberfläche (8) und eine zweite Seite an der Peripherierandseite des Chips (2) hat, und der organische Film (33) die vorstehende Struktur (20A bis 20E) so bedeckt, dass er sowohl die erste Seite als auch die zweite Seite in Draufsicht bedeckt.
    • [A10] Halbleitervorrichtung (1, 41, 51, 61, 71) gemäß A1 bis A9, wobei der organische Film (33) einen gesamten Bereich der vorstehenden Struktur (20A bis 20E) in Draufsicht bedeckt.
    • [A11] Halbleitervorrichtung (1, 41, 51, 61, 71) gemäß A1 bis A10, wobei die vorstehende Struktur (20A bis 20E) in einer Bandform ausgebildet ist, die sich entlang der aktiven Oberfläche (8) in Draufsicht erstreckt.
    • [A12] Halbleitervorrichtung (1, 41, 51, 61, 71) gemäß A1 bis A11, wobei die vorstehende Struktur (20A bis 20E) die aktive Oberfläche (8) in Draufsicht umgibt.
    • [A13] Halbleitervorrichtung (1, 41, 51, 61, 71) gemäß A1 bis A12, wobei die vorstehende Struktur (20A bis 20E) in einer endlosen Form in Draufsicht ausgebildet ist.
    • [A14] Halbleitervorrichtung (1, 41, 51, 61, 71) gemäß A1 bis A13, wobei der organische Film (33) einen Abschnitt der aktiven Oberfläche (8) in Draufsicht bedeckt.
    • [A15] Halbleitervorrichtung (1, 41, 51, 61, 71) gemäß A1 bis A14 ferner umfassend: eine Hauptoberflächenelektrode (32), die die aktive Oberfläche (8) in Draufsicht bedeckt; wobei der organische Film (33) einen Abschnitt der Hauptoberflächenelektrode (32) bedeckt.
    • [A16] Halbleitervorrichtung (1, 41, 51, 61, 71) gemäß A15, wobei ein Nitridfilm nicht zwischen der Hauptoberflächenelektrode (32) und dem organischen Film (33) angeordnet ist.
    • [A17] Halbleitervorrichtung (1, 41, 51, 61, 71) gemäß A1 bis A16, wobei die erste Hauptoberfläche (5) die aktive Oberfläche (8), die Außenoberfläche (9), die in Bezug auf die aktive Oberfläche (8) an der Seite der zweiten Hauptoberfläche (6) eingedrückt ist, und eine Verbindungsoberfläche (10A bis 10D), die die aktive Oberfläche (8) und die Außenoberfläche (9) verbindet und eine Mesa (11) aufweist, der von der aktiven Oberfläche (8), der Außenoberfläche (9) und der Verbindungsoberfläche (10A bis 10D) begrenzt wird, und die vorstehende Struktur (20A bis 20E) der Mesa (11) in einer ebenen Richtung der Außenoberfläche (9) gegenüberliegt.
    • [A18] Halbleitervorrichtung (1, 41, 51, 61, 71) gemäß A1 bis A17, wobei die vorstehende Struktur (20A bis 20E) mindestens eines von einem Polysilizium und einem Siliziumoxid umfasst.
    • [A19] Halbleitervorrichtung (1, 41, 51, 61, 71) gemäß A1 bis A18, wobei die funktionale Vorrichtung eine Schottky-Barrierediode umfasst, die in der aktiven Oberfläche (8) ausgebildet ist.
    • [A20] Halbleitervorrichtung (1, 41, 51, 61, 71) gemäß A1 bis A19, wobei die funktionale Vorrichtung einen Transistor mit isoliertem Gate umfasst, der in der aktiven Oberfläche (8) ausgebildet ist.
    • [A21] Halbleitervorrichtung (1, 41, 51, 61, 71) gemäß A1 bis A20, wobei der Chip (2) aus einem SiC-Chip (2) gebildet ist.
    • [A22] Halbleitervorrichtung (1, 41, 51, 61, 71) gemäß A21, wobei der SiC-Chip (2) ein SiC-Substrat (3) und eine SiC-Epitaxieschicht (4) aufweist.
    • [A23] Halbleitervorrichtung (1, 41, 51, 61, 71) gemäß A22, wobei die SiC-Epitaxieschicht (4) eine andere Verunreinigungskonzentration als das SiC-Substrat (3) aufweist.
    • [A24] Halbleitervorrichtung (1, 41, 51, 61, 71) gemäß A1 bis A23, wobei die Halbleitervorrichtung (1, 41, 51, 61, 71) aus einer SiC-Halbleitervorrichtung (1, 41, 51, 61, 71) gebildet ist.
    • [A25] Halbleitervorrichtung (1, 41, 51, 61, 71) umfassend: einen Chip (2), der eine erste Hauptoberfläche (5) auf einer Seite und eine zweite Hauptoberfläche (6) auf der anderen Seite aufweist; eine Mesa (11), die in der ersten Hauptoberfläche (5) durch eine aktive Oberfläche (8), die an einem inneren Abschnitt der ersten Hauptoberfläche (5) angeordnet ist, eine Außenoberfläche (9), die an einem Peripherieabschnitt der ersten Hauptoberfläche (5) angeordnet ist und zur Seite der zweiten Hauptoberfläche (6) in Bezug auf die aktive Oberfläche (8) abgesenkt ist, und eine Verbindungsoberfläche (10A bis 10D), die die aktive Oberfläche (8) und die Außenoberfläche (9) verbindet, abgegrenzt ist; eine funktionale Vorrichtung, die an der Seite der aktiven Oberfläche (8) ausgebildet ist; eine vorstehende Struktur (20A bis 20E), die eine anorganische Substanz umfasst, an der Seite der Außenoberfläche (9) vorsteht und der Mesa (11) in einer ebenen Richtung der Außenoberfläche (9) zugewandt ist; und einen organischen Film (33), der die vorstehende Struktur (20A bis 20E) bedeckt.
    • [A26] Halbleitervorrichtung (1, 41, 51, 61, 71) gemäß A25, wobei der Chip (2) ein Halbleitersubstrat (3) und eine Epitaxieschicht (4) umfasst, wobei die erste Hauptoberfläche (5) die durch die Epitaxieschicht (4) gebildet wird und die zweite Hauptoberfläche (6) durch das Halbleitersubstrat (3) gebildet wird und die Mesa (11) in der Epitaxieschicht (4) gebildet wird.
    • [A27] Halbleitervorrichtung (1, 41, 51, 61, 71) gemäß A26, wobei die Mesa (11) nur in der Epitaxieschicht (4) ausgebildet ist.
    • [A28] Halbleitervorrichtung (1, 41, 51, 61, 71) gemäß A25 bis A27, wobei ein Nitridfilm nicht in einem Bereich zwischen der Mesa (11) und der vorstehenden Struktur (20A bis 20E) gebildet wird.
    • [A29] Halbleitervorrichtung (1, 41, 51, 61, 71) gemäß A25 bis A28, wobei ein Nitridfilm nicht zwischen der vorstehenden Struktur (20A bis 20E) und einem Peripherierandabschnitt der ersten Hauptoberfläche (5) gebildet wird.
    • [A30] Halbleitervorrichtung (1, 41, 51, 61, 71) gemäß A25 bis A29, wobei ein Nitridfilm, der die vorstehende Struktur (20A bis 20E) bedeckt, nicht gebildet wird.
    • [A31] Halbleitervorrichtung (1, 41, 51, 61, 71) gemäß A25 bis A30 ferner umfassend: eine Hauptoberflächenelektrode (32), die die aktive Oberfläche (8) in Draufsicht bedeckt; wobei der organische Film (33) einen Abschnitt der Hauptoberflächenelektrode (32) bedeckt.
    • [A32] Halbleitervorrichtung (1, 41, 51, 61, 71) gemäß A31, wobei ein Nitridfilm nicht zwischen der Hauptoberflächenelektrode (32) und dem organischen Film (33) angeordnet ist.
    • [B1] Halbleitervorrichtung (1) umfassend: einen Chip (2), der eine erste Hauptoberfläche (5) auf einer Seite und eine zweite Hauptoberfläche (6) auf der anderen Seite aufweist und der eine aktive Oberfläche (8), die an einem inneren Abschnitt der ersten Hauptoberfläche (5) angeordnet ist, und eine Außenoberfläche (9), die an einem Peripherieabschnitt der ersten Hauptoberfläche (5) angeordnet ist, umfasst; eine funktionale Vorrichtung, die an der Seite der aktiven Oberfläche (8) ausgebildet ist; einen Mesaabschnitt (21), der aus einem Abschnitt des Chips (2) gebildet ist und an der Außenoberfläche (9) so ausgebildet ist, dass er in Richtung der gegenüberliegenden Seite der zweiten Hauptoberfläche (6) vorsteht; einen ersten anorganischen Film (26), der mindestens einen Abschnitt des Mesaabschnitts (21) bedeckt; einen zweiten anorganischen Film (29), der mindestens einen Abschnitt des ersten anorganischen Films (26) bedeckt und eine vorstehende Struktur (20A) mit dem Mesaabschnitt (21) und dem ersten anorganischen Film (26) bildet; und einen organischen Film (33), der mindestens den zweiten anorganischen Film (29) bedeckt.
    • [B2] Halbleitervorrichtung (1) umfassend: einen Chip (2), der eine erste Hauptoberfläche (5) auf der einen Seite und eine zweite Hauptoberfläche (6) auf der anderen Seite aufweist und der eine aktive Oberfläche (8), die an einem inneren Abschnitt der ersten Hauptoberfläche (5) angeordnet ist, und eine Außenoberfläche (9), die an einem Peripherieabschnitt der ersten Hauptoberfläche (5) angeordnet ist, umfasst; eine funktionale Vorrichtung, die an der Seite der aktiven Oberfläche (8) ausgebildet ist; einen Mesaabschnitt (21), der aus einem Abschnitt des Chips (2) besteht und an der Außenoberfläche (9) so ausgebildet ist, dass er in Richtung der gegenüberliegenden Seite der zweiten Hauptoberfläche (6) vorsteht; einen ersten anorganischen Film (26), der mindestens einen Abschnitt des Mesaabschnitts (21) bedeckt; einen zweiten anorganischen Film (29), der auf der Außenoberfläche (9) in einem Abstand von dem ersten anorganischen Film (26) so ausgebildet ist, dass er einen Spalt (37) mit dem ersten anorganischen Film (26) bildet und eine vorstehende Struktur (20A) mit dem Mesaabschnitt (21) und dem ersten anorganischen Film (26) bildet und einen organischen Film (33), der den Spalt (37) ausfüllt und den Mesaabschnitt (21), den ersten anorganischen Film (26) und den zweiten anorganischen Film (29) bedeckt.
    • [B3] Halbleitervorrichtung (1) gemäß B1 oder B2, wobei der zweite anorganische Film (29) eine anorganische Substanz umfasst, die sich von der des ersten anorganischen Films (26) unterscheidet.
    • [B4] Halbleitervorrichtung (1) gemäß B1 bis B3, wobei der erste anorganische Film (26) in einem elektrisch schwebenden Zustand ausgebildet ist und der zweite anorganische Film (29) in einem elektrisch schwebenden Zustand ausgebildet ist.
    • [B5] Halbleitervorrichtung (1) gemäß B1 bis B4, wobei der erste anorganische Film (26) eine andere anorganische Substanz als ein Nitrid umfasst und der zweite anorganische Film (29) eine andere anorganische Substanz als ein Nitrid umfasst.
    • [B6] Halbleitervorrichtung (1) gemäß B1 bis B5, wobei zwischen dem zweiten anorganischen Film (29) und dem organischen Film (33) kein Nitridfilm eingefügt ist.
    • [B7] Halbleitervorrichtung (1) gemäß B1 bis B6, wobei zwischen dem ersten anorganischen Film (26) und dem organischen Film (33) kein Nitridfilm eingefügt ist.
    • [B8] Halbleitervorrichtung (1) gemäß B1 bis B7, wobei kein Nitridfilm zwischen dem Mesaabschnitt (21) und dem organischen Film (33) angeordnet ist.
    • [B9] Halbleitervorrichtung (1) gemäß B1 bis B8, wobei kein Nitridfilm auf einem Bereich zwischen der aktiven Oberfläche (8) und dem Mesaabschnitt (21) ausgebildet ist.
    • [B10] Halbleitervorrichtung (1) gemäß B1 bis B9, wobei kein Metallfilm in einem Bereich zwischen einem Peripherierand des Chips (2) und dem Mesaabschnitt (21) in Draufsicht ausgebildet ist.
    • [B11] Halbleitervorrichtung (1) gemäß B1 bis B10, wobei der Mesaabschnitt (21) in Abständen vom Peripherierand des Chips (2) und der aktiven Oberfläche (8) in Draufsicht gebildet wird.
    • [B12] Halbleitervorrichtung (1) gemäß B1 bis B11, wobei der Mesaabschnitt (21) eine erste Seite an der Seite der aktiven Oberfläche (8) und eine zweite Seite an der Peripherierandseite des Chips (2) hat, und der organische Film (33) den Mesaabschnitt (21) so bedeckt, dass er sowohl die erste Seite als auch die zweite Seite in Draufsicht bedeckt.
    • [B13] Halbleitervorrichtung (1) gemäß B1 bis B12, wobei der organische Film (33) einen gesamten Bereich des Mesaabschnitts (21) in Draufsicht bedeckt.
    • [B14] Halbleitervorrichtung (1) gemäß B1 bis B13, wobei der Mesaabschnitt (21) in einer Bandform ausgebildet ist, die sich entlang der aktiven Oberfläche (8) in Draufsicht erstreckt.
    • [B15] Halbleitervorrichtung (1) gemäß B1 bis B14, wobei der Mesaabschnitt (21) die aktive Oberfläche (8) in Draufsicht umgibt.
    • [B16] Halbleitervorrichtung (1) gemäß B1 bis B15, wobei der Mesaabschnitt (21) in einer endlosen Form in Draufsicht ausgebildet ist.
    • [B17] Halbleitervorrichtung (1) gemäß B1 bis B16, wobei der organische Film (33) einen Abschnitt der aktiven Oberfläche (8) in Draufsicht bedeckt.
    • [B18] Halbleitervorrichtung (1) gemäß B1 bis B17 umfasst ferner: eine Hauptoberflächenelektrode (32), die die aktive Oberfläche (8) in Draufsicht bedeckt; wobei der organische Film (33) einen Abschnitt der Hauptoberflächenelektrode (32) bedeckt.
    • [B19] Halbleitervorrichtung (1) gemäß B18, wobei zwischen der Hauptoberflächenelektrode (32) und dem organischen Film (33) kein Nitridfilm eingefügt ist.
    • [B20] Halbleitervorrichtung (1) gemäß B1 bis B19 ferner umfassend: einen Mesa-Isolationsfilm (25), der den Mesaabschnitt (21) bedeckt; wobei der erste anorganische Film (26) den Mesa-Isolationsfilm (25) bedeckt.
    • [B21] Halbleitervorrichtung (1) gemäß B1 bis B20, wobei die erste Hauptoberfläche (5) die aktive Oberfläche (8), die Außenoberfläche (9), die in Bezug auf die aktive Oberfläche (8) an der Seite der zweiten Hauptoberfläche (6) eingedrückt ist, und eine Verbindungsoberfläche (10A bis 10D) aufweist, die die aktive Oberfläche (8) und die Außenoberfläche (9) verbindet, und eine Mesa (11) aufweist, die durch die aktive Oberfläche (8), die Außenoberfläche (9) und die Verbindungsoberfläche (10A bis 10D) begrenzt wird, wobei der Mesaabschnitt (21) der Mesa (11) in einer ebenen Richtung der Außenoberfläche (9) gegenüberliegt.
    • [B22] Halbleitervorrichtung (1) gemäß B21, wobei der Mesaabschnitt (21) eine obere Oberfläche (22) aufweist, die sich in der gleichen Ebene wie die aktive Oberfläche (8) befindet.
    • [B23] Halbleitervorrichtung (1) gemäß B1 bis B22, wobei der erste anorganische Film (26) einen Polysiliziumfilm und der zweite anorganische Film (29) einen Siliziumoxidfilm umfasst.
    • [B24] Halbleitervorrichtung (1) gemäß B1 bis B23, wobei die funktionale Vorrichtung eine Schottky-Barrierediode umfasst, die in der aktiven Oberfläche (8) ausgebildet ist.
    • [B25] Halbleitervorrichtung (1) gemäß B1 bis B24, wobei die funktionale Vorrichtung einen Transistor mit isoliertem Gate umfasst, der in der aktiven Oberfläche (8) ausgebildet ist.
    • [B26] Halbleitervorrichtung (1) gemäß B1 bis B25, wobei der Chip (2) aus einem SiC-Chip (2) besteht.
    • [B27] Halbleitervorrichtung (1) gemäß B26, wobei der SiC-Chip (2) ein SiC-Substrat (3) und eine SiC-Epitaxieschicht (4) umfasst, und der Mesaabschnitt (21) aus einem Abschnitt der SiC-Epitaxieschicht (4) gebildet ist.
    • [B28] Halbleitervorrichtung (1) gemäß B27, wobei die SiC-Epitaxieschicht (4) eine andere Verunreinigungskonzentration als das SiC-Substrat (3) aufweist.
    • [B29] Halbleitervorrichtung (1) gemäß B1 bis B28, wobei die Halbleitervorrichtung (1) aus einer SiC-Halbleitervorrichtung (1) gebildet ist.
    • [C1] Halbleitervorrichtung (41) umfassend: einen Chip (2), der eine erste Hauptoberfläche (5) auf einer Seite und eine zweite Hauptoberfläche (6) auf der anderen Seite hat und der eine aktive Oberfläche (8), die an einem inneren Abschnitt der ersten Hauptoberfläche (5) angeordnet ist, und eine Außenoberfläche (9), die an einem Peripherieabschnitt der ersten Hauptoberfläche (5) angeordnet ist, aufweist; eine funktionale Vorrichtung, die an der Seite der aktiven Oberfläche (8) ausgebildet ist; einen Mesaabschnitt (21), der aus einem Abschnitt des Chips (2) gebildet ist, der an der Außenoberfläche (9) so ausgebildet ist, dass er zur gegenüberliegenden Seite der zweiten Hauptoberfläche (6) hin vorsteht, und der eine obere Oberfläche (22), eine erste Wandoberfläche (23) an der Seite der aktiven Oberfläche (8) und eine zweite Wandoberfläche (24) an der Peripherierandseite der Außenoberfläche (9) aufweist; einen ersten anorganischen Film (26), der die obere Oberfläche (22), die erste Wandoberfläche (23) und die zweite Wandoberfläche (24) als eine Filmform bedeckt; einen zweiten anorganischen Film (29), der mindestens einen Abschnitt der ersten anorganischen Film (26) bedeckt und eine vorstehende Struktur (20B) mit dem Mesaabschnitt (21) und dem ersten anorganischen Film (26) bildet; und einen organischen Film (33), der mindestens den zweiten anorganischen Film (29) bedeckt.
    • [C2] Halbleitervorrichtung (41) gemäß C1, wobei der erste anorganische Film (26) einen die obere Oberfläche abdeckenden Abschnitt (42), der die obere Oberfläche (22) abdeckt, einen ersten Abdeckungsabschnitt bwz. Abdeckfilm (27), der die erste Wandoberfläche (23) abdeckt, und einen zweiten Abdeckungsabschnitt bzw. Abdeckfilm (28), der die zweite Wandoberfläche (24) abdeckt, umfasst, wobei der zweite anorganische Film (29) den ersten Abdeckungsabschnitt (27) und den zweiten Abdeckungsabschnitt (28) so abdeckt, dass mindestens ein Abschnitt des die obere Oberfläche abdeckenden Abschnitts (42) freigelegt wird, und der organische Film (33) mit dem die obere Oberfläche abdeckenden Abschnitt (42) in Kontakt ist.
    • [C3] Halbleitervorrichtung (41) umfassend: einen Chip (2), der eine erste Hauptoberfläche (5) auf einer Seite und eine zweite Hauptoberfläche (6) auf der anderen Seite hat und der eine aktive Oberfläche (8), die an einem inneren Abschnitt der ersten Hauptoberfläche (5) angeordnet ist, und eine Außenoberfläche (9), die an einem Peripherieabschnitt der ersten Hauptoberfläche (5) angeordnet ist, aufweist; eine funktionale Vorrichtung, die an der Seite der aktiven Oberfläche (8) ausgebildet ist; einen Mesaabschnitt (21), der aus einem Abschnitt des Chips (2) gebildet ist, der an der Außenoberfläche (9) so ausgebildet ist, dass er zur gegenüberliegenden Seite der zweiten Hauptoberfläche (6) hin vorsteht, und der eine obere Oberfläche (22), eine erste Wandoberfläche (23) an der Seite der aktiven Oberfläche (8) und eine zweite Wandoberfläche (24) an der Peripherierandseite der Außenoberfläche (9) aufweist; einen ersten anorganischen Film (26), der die obere Oberfläche (22), die erste Wandoberfläche (23) und die zweite Wandoberfläche (24) als eine Filmform bedeckt; einen zweiten anorganischen Film (29), der auf der Außenoberfläche (9) in einem Abstand von dem ersten anorganischen Film (26) so ausgebildet ist, dass er mit dem ersten anorganischen Film (26) einen Spalt (37) bildet, und der mit dem Mesaabschnitt (21) und dem ersten anorganischen Film (26) eine vorstehende Struktur (20B) bildet; und einen organischen Film (33), der den Spalt (37) ausfüllt und den Mesaabschnitt (21), den ersten anorganischen Film (26) und den zweiten anorganischen Film (29) bedeckt.
    • [C4] Halbleitervorrichtung (41) gemäß C1 bis C3, wobei der zweite anorganische Film (29) eine anorganische Substanz umfasst, die sich von der des ersten anorganischen Films (26) unterscheidet.
    • [C5] Halbleitervorrichtung (41) gemäß C1 bis C4, wobei der erste anorganische Film (26) in einem elektrisch schwebenden Zustand ausgebildet ist und der zweite anorganische Film (29) in einem elektrisch schwebenden Zustand ausgebildet ist.
    • [C6] Halbleitervorrichtung (41) gemäß C1 bis C5, wobei der erste anorganische Film (26) eine andere anorganische Substanz als ein Nitrid umfasst und der zweite anorganische Film (29) eine andere anorganische Substanz als ein Nitrid umfasst.
    • [C7] Halbleitervorrichtung (41) gemäß C1 bis C6, wobei kein Nitridfilm zwischen dem zweiten anorganischen Film (29) und dem organischen Film (33) angeordnet ist.
    • [C8] Halbleitervorrichtung (41) gemäß C1 bis C7, wobei zwischen dem ersten anorganischen Film (26) und dem organischen Film (33) kein Nitridfilm eingefügt ist.
    • [C9] Halbleitervorrichtung (41) gemäß C1 bis C8, wobei kein Nitridfilm zwischen dem Mesaabschnitt (21) und dem organischen Film (33) angeordnet ist.
    • [C10] Halbleitervorrichtung (41) gemäß C1 bis C9, wobei kein Nitridfilm auf einem Bereich zwischen der aktiven Oberfläche (8) und dem Mesaabschnitt (21) ausgebildet ist.
    • [C11] Halbleitervorrichtung (41) gemäß C1 bis C10, wobei kein Metallfilm in einem Bereich zwischen einem Peripherierand des Chips (2) und dem Mesaabschnitt (21) in Draufsicht gebildet wird.
    • [C12] Halbleitervorrichtung (41) gemäß C1 bis C11, wobei der Mesaabschnitt (21) in Abständen vom Peripherierand des Chips (2) und der aktiven Oberfläche (8) in Draufsicht gebildet wird.
    • [C13] Halbleitervorrichtung (41) gemäß C1 bis C12, wobei der organische Film (33) den Mesaabschnitt (21) so bedeckt, dass er die obere Oberfläche (22), die erste Wandoberfläche (23) und die zweite Wandoberfläche (24) in Draufsicht bedeckt.
    • [C14] Halbleitervorrichtung (41) gemäß C1 bis C13, wobei der organische Film (33) einen gesamten Bereich des Mesaabschnitts (21) in Draufsicht bedeckt.
    • [C15] Halbleitervorrichtung (41) gemäß C1 bis C14, wobei der Mesaabschnitt (21) in einer Bandform ausgebildet ist, die sich entlang der aktiven Oberfläche (8) in Draufsicht erstreckt.
    • [C16] Halbleitervorrichtung (41) gemäß C1 bis C15, wobei der Mesaabschnitt (21) die aktive Oberfläche (8) in Draufsicht umgibt.
    • [C17] Halbleitervorrichtung (41) gemäß C1 bis C16, wobei der Mesaabschnitt (21) in einer endlosen Form in Draufsicht ausgebildet ist.
    • [C18] Halbleitervorrichtung (41) gemäß C1 bis C17, wobei der organische Film (33) einen Abschnitt der aktiven Oberfläche (8) in Draufsicht bedeckt.
    • [C19] Halbleitervorrichtung (41) gemäß C1 bis C18 ferner umfassend: eine Hauptoberflächenelektrode (32), die die aktive Oberfläche (8) in Draufsicht bedeckt; wobei der organische Film (33) einen Abschnitt der Hauptoberflächenelektrode (32) bedeckt.
    • [C20] Halbleitervorrichtung (41) gemäß C19, wobei kein Nitridfilm zwischen der Hauptoberflächenelektrode (32) und dem organischen Film (33) angeordnet ist.
    • [C21] Halbleitervorrichtung (41) gemäß C1 bis C20 ferner umfassend: einen Mesa-Isolationsfilm (25), der den Mesaabschnitt (21) bedeckt; wobei der erste anorganische Film (26) den Mesa-Isolationsfilm (25) bedeckt.
    • [C22] Halbleitervorrichtung (41) gemäß C1 bis C21, wobei die erste Hauptoberfläche (5) die aktive Oberfläche (8), die Außenoberfläche (9), die in Bezug auf die aktive Oberfläche (8) an der Seite der zweiten Hauptoberfläche (6) eingedrückt ist, und eine Verbindungsoberfläche (10A bis 10D), die die aktive Oberfläche (8) und die Außenoberfläche (9) verbindet, aufweist und eine Mesa (11) aufweist, die durch die aktive Oberfläche (8), die Außenoberfläche (9) und die Verbindungsoberfläche (10A bis 10D) begrenzt wird, wobei der Mesaabschnitt (21) der Mesa(11) in einer ebenen Richtung der Außenoberfläche (9) gegenüberliegt.
    • [C23] Halbleitervorrichtung (41) gemäß C22, wobei die obere Oberfläche (22) in derselben Ebene wie die aktive Oberfläche (8) angeordnet ist.
    • [C24] Halbleitervorrichtung (41) gemäß C1 bis C23, wobei der erste anorganische Film (26) einen Polysiliziumfilm und der zweite anorganische Film (29) einen Siliziumoxidfilm umfasst.
    • [C25] Halbleitervorrichtung (41) gemäß C1 bis C24, wobei die funktionale Vorrichtung eine Schottky-Barrierediode umfasst, die in der aktiven Oberfläche (8) ausgebildet ist.
    • [C26] Halbleitervorrichtung (41) gemäß C1 bis C25, wobei die funktionale Vorrichtung einen Transistor mit isoliertem Gate umfasst, der in der aktiven Oberfläche (8) ausgebildet ist.
    • [C27] Halbleitervorrichtung (41) gemäß C1 bis C26, wobei der Chip (2) aus einem SiC-Chip (2) besteht.
    • [C28] Halbleitervorrichtung (41) gemäß C27, wobei der SiC-Chip (2) ein SiC-Substrat (3) und eine SiC-Epitaxieschicht (4) umfasst, und der Mesaabschnitt (21) aus einem Abschnitt der SiC-Epitaxieschicht (4) gebildet ist.
    • [C29] Halbleitervorrichtung (41) gemäß C28, wobei die SiC-Epitaxieschicht (4) eine andere Verunreinigungskonzentration als das SiC-Substrat (3) aufweist.
    • [C30] Halbleitervorrichtung (41) gemäß C1 bis C29, wobei die Halbleitervorrichtung (41) aus einer SiC-Halbleitervorrichtung (41) besteht.
    • [D1] Halbleitervorrichtung (51) umfassend: einen Chip (2), der eine erste Hauptoberfläche (5) auf einer Seite und eine zweite Hauptoberfläche (6) auf der anderen Seite aufweist und der eine aktive Oberfläche (8), die an einem inneren Abschnitt der ersten Hauptoberfläche (5) angeordnet ist, und eine Außenoberfläche (9), die an einem Peripherieabschnitt der ersten Hauptoberfläche (5) angeordnet ist, umfasst; eine funktionale Vorrichtung, die an der Seite der aktiven Oberfläche (8) ausgebildet ist; einen Mesaabschnitt (21), der aus einem Abschnitt des Chips (2) gebildet ist, der an der Außenoberfläche (9) so ausgebildet ist, dass er in Richtung der gegenüberliegenden Seite der zweiten Hauptoberfläche (6) vorsteht, und der eine obere Oberfläche (22) aufweist; einen Graben (53), der in der oberen Oberfläche (22) ausgebildet ist; einen ersten anorganischen Film (26), der mindestens einen Abschnitt des Mesaabschnitts (21) bedeckt; einen zweiten anorganischen Film (29), der mindestens einen Abschnitt des ersten anorganischen Films (26) bedeckt und mit dem Mesaabschnitt (21) und dem ersten anorganischen Film (26) eine vorstehende Struktur (20C) bildet; und einen organischen Film (33), der den Mesaabschnitt (21) bedeckt, um den Graben (53) in der Draufsicht zu verbergen.
    • [D2] Halbleitervorrichtung (51) umfassend: einen Chip (2), der eine erste Hauptoberfläche (5) auf einer Seite und eine zweite Hauptoberfläche (6) auf der anderen Seite hat und der eine aktive Oberfläche (8), die an einem inneren Abschnitt der ersten Hauptoberfläche (5) angeordnet ist, und eine Außenoberfläche (9), die an einem Peripherieabschnitt der ersten Hauptoberfläche (5) angeordnet ist, aufweist; eine funktionale Vorrichtung, die an der Seite der aktiven Oberfläche (8) ausgebildet ist; einen Mesaabschnitt (21), der aus einem Abschnitt des Chips (2) gebildet ist, der an der Außenoberfläche (9) so ausgebildet ist, dass er in Richtung der gegenüberliegenden Seite der zweiten Hauptoberfläche (6) vorsteht, und der eine obere Oberfläche (22) aufweist; einen Graben (53), der in der oberen Oberfläche (22) ausgebildet ist; einen ersten anorganischen Film (26), der mindestens einen Abschnitt des Mesaabschnitts (21) bedeckt; einen zweiten anorganischen Film (29), der auf der Außenoberfläche (9) in einem Abstand von dem ersten anorganischen Film (26) ausgebildet ist, so dass er mit dem ersten anorganischen Film (26) einen Spalt (37) bildet und mit dem Mesaabschnitt (21) und dem ersten anorganischen Film (26) eine vorstehende Struktur (20C) bildet; und einen organischen Film (33), der den Spalt (37) ausfüllt, der den Mesaabschnitt (21), den ersten anorganischen Film (26) und den zweiten anorganischen Film (29) bedeckt und der den Graben (53) in Draufsicht verbirgt.
    • [D3] Halbleitervorrichtung (51) gemäß D1 oder D2 ferner umfassend: eine Grabenstruktur (52), die den Graben (53) umfasst, und ein eingebettetes Material (54), das in den Graben (53) eingebettet ist.
    • [D4] Halbleitervorrichtung (51) gemäß D3, wobei das eingebettete Material (54) einen Isolationsfilm (55), der eine Wandoberfläche des Grabens (53) bedeckt, und ein anorganisches eingebettetes Material (56) umfasst, das über den Isolationsfilm (55) hinweg in den Graben (53) eingebettet ist.
    • [D5] Halbleitervorrichtung (51) gemäß D4, wobei das anorganische eingebettete Material (56) in den Graben (53) in einem Abstand von der Öffnungsseite des Grabens (53) zu dessen Bodenwandseite eingebettet ist, so dass der Isolationsfilm (55) innerhalb des Grabens (53) freigelegt wird.
    • [D6] Halbleitervorrichtung (51) gemäß D4 oder D5, wobei der Isolationsfilm (55) aus einem Oxidfilm besteht, und das anorganische eingebettete Material (56) aus einem Polysilizium besteht.
    • [D7] Halbleitervorrichtung (51) gemäß D3 bis D6, wobei der erste anorganische Film (26) die Grabenstruktur (52) freilegt, der zweite anorganische Film (29) die Grabenstruktur (52) freilegt und der organische Film (33) in Kontakt mit dem eingebetteten Material (54) steht.
    • [D8] Halbleitervorrichtung (51) gemäß D1 oder D2 ferner umfassend: eine Grabenstruktur (52), die den Graben (53) umfasst, und einen Isolationsfilm (55), der eine Wandoberfläche des Grabens (53) bedeckt.
    • [D9] Halbleitervorrichtung (51) gemäß D8, wobei der Isolationsfilm (55) aus einem Oxidfilm gebildet ist.
    • [D10] Halbleitervorrichtung (51) gemäß D8 oder D9, wobei der erste anorganische Film (26) die Grabenstruktur (52) freilegt, der zweite anorganische Film (29) die Grabenstruktur (52) freilegt, und der organische Film (33) von oberhalb der oberen Oberfläche (22) in den Graben (53) eintritt.
    • [D11] Halbleitervorrichtung (51) gemäß D1 oder D2 ferner umfassend: eine Grabenstruktur (52), die den Graben (53) umfasst, einen Isolationsfilm (55), der eine Wandoberfläche des Grabens (53) an der Bodenwandseite davon bedeckt, um eine Wandoberfläche des Grabens (53) an der Öffnungsseite davon freizulegen; und ein anorganisches eingebettetes Material (56), das in der Bodenwandseite des Grabens (53) über den Isolationsfilm (55) hinweg eingebettet ist, um die Wandoberfläche des Grabens (53) an der Öffnungsseite davon freizulegen.
    • [D12] Halbleitervorrichtung (51) gemäß D11, wobei der Isolationsfilm (55) aus einem Oxidfilm besteht, und das anorganische eingebettete Material (56) aus einem Polysilizium besteht.
    • [D13] Halbleitervorrichtung (51) gemäß D11 oder D12, wobei der erste anorganische Film (26) die Grabenstruktur (52) freilegt, der zweite anorganische Film (29) die Grabenstruktur (52) freilegt, und der organische Film (33) von oberhalb der oberen Oberfläche (22) in den Graben (53) eintritt.
    • [D14] Halbleitervorrichtung (51) gemäß D1 bis D13, wobei der zweite anorganische Film (29) eine anorganische Substanz umfasst, die sich von dem ersten anorganischen Film (26) unterscheidet.
    • [D15] Halbleitervorrichtung (51) gemäß D1 bis D14, wobei der erste anorganische Film (26) in einem elektrisch schwebenden Zustand ausgebildet ist und der zweite anorganische Film (29) in einem elektrisch schwebenden Zustand ausgebildet ist.
    • [D16] Halbleitervorrichtung (51) gemäß D1 bis D15, wobei der erste anorganische Film (26) eine andere anorganische Substanz als ein Nitrid umfasst und der zweite anorganische Film (29) eine andere anorganische Substanz als ein Nitrid umfasst.
    • [D17] Halbleitervorrichtung (51) gemäß D1 bis D16, wobei kein Nitridfilm zwischen dem zweiten anorganischen Film (29) und dem organischen Film (33) angeordnet ist.
    • [D18] Halbleitervorrichtung (51) gemäß D1 bis D17, wobei kein Nitridfilm zwischen dem ersten anorganischen Film (26) und dem organischen Film (33) angeordnet ist.
    • [D19] Halbleitervorrichtung (51) gemäß D1 bis D18, wobei kein Nitridfilm zwischen dem Mesaabschnitt (21) und dem organischen Film (33) angeordnet ist.
    • [D20] Halbleitervorrichtung (51) gemäß D1 bis D19, wobei kein Nitridfilm auf einem Bereich zwischen der aktiven Oberfläche (8) und dem Mesaabschnitt (21) ausgebildet ist.
    • [D21] Halbleitervorrichtung (51) gemäß D1 bis D20, wobei kein Metallfilm in einem Bereich zwischen einem Peripherierand des Chips (2) und dem Mesaabschnitt (21) in Draufsicht ausgebildet ist.
    • [D22] Halbleitervorrichtung (51) gemäß D1 bis D21, wobei der Mesaabschnitt (21) in Abständen aus dem Peripherierand des Chips (2) und der aktiven Oberfläche (8) in Draufsicht gebildet wird.
    • [D23] Halbleitervorrichtung (51) gemäß D1 bis D22, wobei der Mesaabschnitt (21) eine erste Seite an der Seite der aktiven Oberfläche (8) und eine zweite Seite an der Peripherierandseite des Chips (2) hat, und der organische Film (33) den Mesaabschnitt (21) so bedeckt, dass er sowohl die erste Seite als auch die zweite Seite in Draufsicht bedeckt.
    • [D24] Halbleitervorrichtung (51) gemäß D1 bis D23, wobei der organische Film (33) einen gesamten Bereich des Mesaabschnitts (21) in Draufsicht bedeckt.
    • [D25] Halbleitervorrichtung (51) gemäß D1 bis D24, wobei der Mesaabschnitt (21) in einer Bandform ausgebildet ist, die sich entlang der aktiven Oberfläche (8) in Draufsicht erstreckt.
    • [D26] Halbleitervorrichtung (51) gemäß D1 bis D25, wobei der Mesaabschnitt (21) die aktive Oberfläche (8) in Draufsicht umgibt.
    • [D27] Halbleitervorrichtung (51) gemäß D1 bis D26, wobei der Mesaabschnitt (21) in einer endlosen Form in Draufsicht ausgebildet ist.
    • [D28] Halbleitervorrichtung (51) gemäß D1 bis D27, wobei der organische Film (33) einen Abschnitt der aktiven Oberfläche (8) in Draufsicht bedeckt.
    • [D29] Halbleitervorrichtung (51) gemäß D1 bis D28 ferner umfassend: eine Hauptoberflächenelektrode (32), die die aktive Oberfläche (8) in Draufsicht bedeckt; wobei der organische Film (33) einen Abschnitt der Hauptoberflächenelektrode (32) bedeckt.
    • [D30] Halbleitervorrichtung (51) gemäß D29, wobei kein Nitridfilm zwischen der Hauptoberflächenelektrode (32) und dem organischen Film (33) angeordnet ist.
    • [D31] Halbleitervorrichtung (51) gemäß D1 bis D30 ferner umfassend: einen Mesa-Isolationsfilm (25), der den Mesaabschnitt (21) bedeckt; wobei der erste anorganische Film (26) den Mesa-Isolationsfilm (25) bedeckt.
    • [D32] Halbleitervorrichtung (51) gemäß D1 bis D31, wobei die erste Hauptoberfläche (5) die aktive Oberfläche (8), die Außenoberfläche (9), die in Bezug auf die aktive Oberfläche (8) an der Seite der zweiten Hauptoberfläche (6) eingedrückt ist, und eine Verbindungsoberfläche (10A bis 10D), die die aktive Oberfläche (8) und die Außenoberfläche (9) verbindet, aufweist, und eine Mesa (11) aufweist, die durch die aktive Oberfläche (8), die Außenoberfläche (9) und die Verbindungsoberfläche (10A bis 10D) begrenzt wird, wobei der Mesaabschnitt (21) der Mesa (11) in einer ebenen Richtung der Außenoberfläche (9) gegenüberliegt.
    • [D33] Halbleitervorrichtung (51) gemäß D32, wobei die obere Oberfläche (22) in der gleichen Ebene wie die aktive Oberfläche (8) angeordnet ist.
    • [D34] Halbleitervorrichtung (51) gemäß D1 bis D33, wobei der erste anorganische Film (26) einen Polysiliziumfilm und der zweite anorganische Film (29) einen Siliziumoxidfilm umfasst.
    • [D35] Halbleitervorrichtung (51) gemäß D1 bis D34, wobei die funktionale Vorrichtung eine Schottky-Barrierediode umfasst, die in der aktiven Oberfläche (8) ausgebildet ist.
    • [D36] Halbleitervorrichtung (51) gemäß D1 bis D35, wobei die funktionale Vorrichtung einen Transistor mit isoliertem Gate umfasst, der in der aktiven Oberfläche (8) ausgebildet ist.
    • [D37] Halbleitervorrichtung (51) gemäß D1 bis D36, wobei der Chip (2) aus einem SiC-Chip (2) gebildet ist.
    • [D38] Halbleitervorrichtung (51) gemäß D37, wobei der SiC-Chip (2) ein SiC-Substrat (3) und eine SiC-Epitaxieschicht (4) umfasst, und der Mesaabschnitt (21) aus einem Abschnitt der SiC-Epitaxieschicht (4) gebildet ist.
    • [D39] Halbleitervorrichtung (51) gemäß D38, wobei die SiC-Epitaxieschicht (4) eine andere Verunreinigungskonzentration als das SiC-Substrat (3) aufweist.
    • [D40] Halbleitervorrichtung (51) gemäß D1 bis D39, wobei die Halbleitervorrichtung (51) aus einer SiC-Halbleitervorrichtung (51) gebildet ist.
    • [E1] Halbleitervorrichtung (61) umfassend: einen Chip (2), der eine erste Hauptoberfläche (5) auf einer Seite und eine zweite Hauptoberfläche (6) auf der anderen Seite aufweist und der eine aktive Oberfläche (8), die an einem inneren Abschnitt der ersten Hauptoberfläche (5) angeordnet ist, und eine Außenoberfläche (9), die an einem Peripherieabschnitt der ersten Hauptoberfläche (5) angeordnet ist, umfasst; eine funktionale Vorrichtung, die an der Seite der aktiven Oberfläche (8) ausgebildet ist; einen Mesaabschnitt (21), der aus einem Abschnitt des Chips (2) gebildet ist, der an der Außenoberfläche (9) so ausgebildet ist, dass er in Richtung der gegenüberliegenden Seite der zweiten Hauptoberfläche (6) vorsteht, und der eine obere Oberfläche (22) aufweist; eine Grabenstruktur (52), die einen Graben (53), der in der oberen Oberfläche (22) ausgebildet ist, einen Isolationsfilm (55), der eine Innenwand des Grabens (53) bedeckt, und ein anorganisches eingebettetes Material (56), das in den Graben (53) über den Isolationsfilm (55) eingebettet ist, umfasst; einen ersten anorganischen Film (26), der die obere Oberfläche (22) so bedeckt, dass er die Grabenstruktur verdeckt; einen zweiten anorganischen Film (29), der mindestens einen Abschnitt des ersten anorganischen Films (26) bedeckt und eine vorstehende Struktur (20D) mit dem Mesaabschnitt (21) und dem ersten anorganischen Film (26) bildet; und einen organischen Film (33), der den Mesaabschnitt (21) bedeckt, um die Grabenstruktur (52) in der Draufsicht zu verbergen.
    • [E2] Halbleitervorrichtung (61) umfassend: einen Chip (2), der eine erste Hauptoberfläche (5) auf einer Seite und eine zweite Hauptoberfläche (6) auf der anderen Seite aufweist und der eine aktive Oberfläche (8), die an einem inneren Abschnitt der ersten Hauptoberfläche (5) angeordnet ist, und eine Außenoberfläche (9), die an einem Peripherieabschnitt der ersten Hauptoberfläche (5) angeordnet ist, umfasst; eine funktionale Vorrichtung, die an der Seite der aktiven Oberfläche (8) ausgebildet ist; einen Mesaabschnitt (21), der aus einem Abschnitt des Chips (2) gebildet ist, der an der Außenoberfläche (9) so ausgebildet ist, dass er in Richtung der gegenüberliegenden Seite der zweiten Hauptoberfläche (6) vorsteht, und der eine obere Oberfläche (22) aufweist; eine Grabenstruktur (52), die einen Graben (53), der in der oberen Oberfläche (22) ausgebildet ist, einen Isolationsfilm (55), der eine Innenwand des Grabens (53) bedeckt, und ein anorganisches eingebettetes Material (56), das in den Graben (53) über den Isolationsfilm (55) eingebettet ist, umfasst; einen ersten anorganischen Film (26), der die obere Oberfläche (22) bedeckt; einen zweiten anorganischen Film (29), der auf der Außenoberfläche (9) in einem Abstand von dem ersten anorganischen Film (26) ausgebildet ist, so dass er mit dem ersten anorganischen Film (26) einen Spalt (37) bildet und mit dem Mesaabschnitt (21) und dem ersten anorganischen Film (26) eine vorstehende Struktur (20D) bildet; und einen organischen Film (33), der den Spalt (37) ausfüllt, der den Mesaabschnitt (21), den ersten anorganischen Film (26) und den zweiten anorganischen Film (29) bedeckt und der die Grabenstruktur (52) in Draufsicht verbirgt.
    • [E3] Halbleitervorrichtung (61) gemäß E1 oder E2, wobei der erste anorganische Film (26) aus dem gleichen Material wie das anorganische eingebettete Material (56) besteht und einstückig mit dem anorganischen eingebetteten Material (56) ausgebildet ist.
    • [E4] Halbleitervorrichtung (61) gemäß einem von E1 bis E3, wobei der Mesaabschnitt (21) eine erste Wandoberfläche (23) an der aktiven Oberfläche (8) und eine zweite Wandoberfläche (24) an der Peripherierandseite der Außenoberfläche (9) aufweist, und der erste anorganische Film (26) die obere Oberfläche (22), die erste Wandoberfläche (23) und die zweite Wandoberfläche (24) als eine Filmform bedeckt.
    • [E5] Halbleitervorrichtung (61) gemäß E1 bis E4, wobei der Isolationsfilm (55) aus einem Oxidfilm besteht, das anorganische eingebettete Material (56) aus einem Polysilizium besteht und der erste anorganische Film (26) aus einem Polysilizium besteht.
    • [E6] Halbleitervorrichtung (61) gemäß E1 bis E5, wobei der organische Film (33) mit dem ersten anorganischen Film (26) in Kontakt ist.
    • [E7] Halbleitervorrichtung (61) gemäß E1 bis E6, wobei der zweite anorganische Film (29) eine andere anorganische Substanz als der erste anorganische Film (26) umfasst.
    • [E8] Halbleitervorrichtung (61) gemäß E1 bis E7, wobei der erste anorganische Film (26) in einem elektrisch schwebenden Zustand ausgebildet ist und der zweite anorganische Film (29) in einem elektrisch schwebenden Zustand ausgebildet ist.
    • [E9] Halbleitervorrichtung (61) gemäß E1 bis E8, wobei der erste anorganische Film (26) eine andere anorganische Substanz als ein Nitrid umfasst und der zweite anorganische Film (29) eine andere anorganische Substanz als ein Nitrid umfasst.
    • [E10] Halbleitervorrichtung (61) gemäß E1 bis E9, wobei kein Nitridfilm zwischen dem zweiten anorganischen Film (29) und dem organischen Film (33) angeordnet ist.
    • [E11] Halbleitervorrichtung (61) gemäß E1 bis E10, wobei zwischen dem ersten anorganischen Film (26) und dem organischen Film (33) kein Nitridfilm eingefügt ist.
    • [E12] Halbleitervorrichtung (61) gemäß E1 bis E11, wobei kein Nitridfilm zwischen dem Mesaabschnitt (21) und dem organischen Film (33) angeordnet ist.
    • [E13] Halbleitervorrichtung (61) gemäß E1 bis E12, wobei kein Nitridfilm auf einem Bereich zwischen der aktiven Oberfläche (8) und dem Mesaabschnitt (21) ausgebildet ist.
    • [E14] Halbleitervorrichtung (61) gemäß E1 bis E13, wobei kein Metallfilm in einem Bereich zwischen einem Peripherierand des Chips (2) und dem Mesaabschnitt (21) in Draufsicht ausgebildet ist.
    • [E15] Halbleitervorrichtung (61) gemäß E1 bis E14, wobei der Mesaabschnitt (21) in Intervallen vom Peripherierand des Chips (2) und der aktiven Oberfläche (8) in Draufsicht gebildet wird.
    • [E16] Halbleitervorrichtung (61) gemäß E1 bis E15, wobei der Mesaabschnitt (21) eine erste Seite an der Seite der aktiven Oberfläche (8) und eine zweite Seite an der Peripherierandseite des Chips (2) hat, und der organische Film (33) den Mesaabschnitt (21) so bedeckt, dass er sowohl die erste Seite als auch die zweite Seite in Draufsicht bedeckt.
    • [E17] Halbleitervorrichtung (61) E1 bis E16, wobei der organische Film (33) einen gesamten Bereich des Mesaabschnitts (21) in Draufsicht bedeckt.
    • [E18] Halbleitervorrichtung (61) gemäß E1 bis E17, wobei der Mesaabschnitt (21) in einer Bandform ausgebildet ist, die sich entlang der aktiven Oberfläche (8) in Draufsicht erstreckt.
    • [E19] Halbleitervorrichtung (61) gemäß E1 bis E18, wobei der Mesaabschnitt (21) die aktive Oberfläche (8) in Draufsicht umgibt.
    • [E20] Halbleitervorrichtung (61) gemäß E1 bis E19, wobei der Mesaabschnitt (21) in einer endlosen Form in Draufsicht ausgebildet ist.
    • [E21] Halbleitervorrichtung (61) gemäß E1 bis E20, wobei der organische Film (33) einen Abschnitt der aktiven Oberfläche (8) in Draufsicht bedeckt.
    • [E22] Halbleitervorrichtung (61) gemäß E1 bis E21 ferner umfassend: eine Hauptoberflächenelektrode (32), die die aktive Oberfläche (8) in Draufsicht bedeckt; wobei der organische Film (33) einen Abschnitt der Hauptoberflächenelektrode (32) bedeckt.
    • [E23] Halbleitervorrichtung (61) gemäß E22, wobei zwischen der Hauptoberflächenelektrode (32) und dem organischen Film (33) kein Nitridfilm eingefügt ist.
    • [E24] Halbleitervorrichtung (61) gemäß E1 bis E23 ferner umfassend: einen Mesa-Isolationsfilm (25), der den Mesaabschnitt (21) bedeckt; wobei der erste anorganische Film (26) den Mesa-Isolationsfilm (25) bedeckt.
    • [E25] Halbleitervorrichtung (61) gemäß E1 bis E24, wobei die erste Hauptoberfläche (5) die aktive Oberfläche (8), die Außenoberfläche (9), die in Bezug auf die aktive Oberfläche (8) an der Seite der zweiten Hauptoberfläche (6) eingedrückt ist, und eine Verbindungsoberfläche (10A bis 10D), die die aktive Oberfläche (8) und die Außenoberfläche (9) verbindet, aufweist und eine Mesa (11) aufweist, die durch die aktive Oberfläche (8), die Außenoberfläche (9) und die Verbindungsoberfläche (10A bis 10D) begrenzt wird, wobei der Mesaabschnitt (21) der Mesa (11) in einer ebenen Richtung der Außenoberfläche (9) gegenüberliegt.
    • [E26] Halbleitervorrichtung (61) gemäß E25, wobei die obere Oberfläche (22) in derselben Ebene wie die aktive Oberfläche (8) angeordnet ist.
    • [E27] Halbleitervorrichtung (61) gemäß E1 bis E26, wobei der zweite anorganische Film (29) einen Siliziumoxidfilm umfasst.
    • [E28] Halbleitervorrichtung (61) gemäß E1 bis E27, wobei die funktionale Vorrichtung eine Schottky-Barrierediode umfasst, die in der aktiven Oberfläche (8) ausgebildet ist.
    • [E29] Halbleitervorrichtung (61) gemäß E1 bis E28, wobei die funktionale Vorrichtung einen Transistor mit isoliertem Gate umfasst, der in der aktiven Oberfläche (8) ausgebildet ist.
    • [E30] Halbleitervorrichtung (61) gemäß E1 bis E29, wobei der Chip (2) aus einem SiC-Chip (2) gebildet ist.
    • [E31] Halbleitervorrichtung (61) gemäß E30, wobei der SiC-Chip (2) ein SiC-Substrat (3) und eine SiC-Epitaxieschicht (4) umfasst, und der Mesaabschnitt (21) aus einem Abschnitt der SiC-Epitaxieschicht (4) gebildet ist.
    • [E32] Halbleitervorrichtung (61) gemäß E31, wobei die SiC-Epitaxieschicht (4) eine andere Verunreinigungskonzentration als das SiC-Substrat (3) aufweist.
    • [E33] Halbleitervorrichtung (61) gemäß E1 bis E32, wobei die Halbleitervorrichtung (61) aus einer SiC-Halbleitervorrichtung (61) gebildet ist.
    • [F1] Halbleitervorrichtung (71) umfassend: einen Chip (2), der eine erste Hauptoberfläche (5) auf einer Seite und eine zweite Hauptoberfläche (6) auf der anderen Seite aufweist und der eine aktive Oberfläche (8), die an einem inneren Abschnitt der ersten Hauptoberfläche (5) angeordnet ist, und eine Außenoberfläche (9), die an einem Peripherieabschnitt der ersten Hauptoberfläche (5) angeordnet ist, umfasst; eine funktionale Vorrichtung, die an der Seite der aktiven Oberfläche (8) ausgebildet ist; einen ersten anorganischen Film (26), der auf der Außenoberfläche (9) ausgebildet ist; einen zweiten anorganische Film (29), die mindestens einen Abschnitt des ersten anorganischen Films (26) bedeckt und mit dem ersten anorganischen Film (26) eine vorstehende Struktur (20E) bildet; und einen organischen Film (33), der mindestens den zweiten anorganischen Film (29) bedeckt.
    • [F2] Halbleitervorrichtung (71) umfassend: einen Chip (2), der eine erste Hauptoberfläche (5) auf einer Seite und eine zweite Hauptoberfläche (6) auf der anderen Seite aufweist und der eine aktive Oberfläche (8), die an einem inneren Abschnitt der ersten Hauptoberfläche (5) angeordnet ist, und eine Außenoberfläche (9), die an einem Peripherieabschnitt der ersten Hauptoberfläche (5) angeordnet ist, umfasst; eine funktionale Vorrichtung, die an der Seite der aktiven Oberfläche (8) ausgebildet ist; einen ersten anorganischen Film (26), der auf der Außenoberfläche (9) ausgebildet ist; einen zweiten anorganischen Film (29), der auf der Außenoberfläche (9) in einem Abstand bzw. Intervall von der ersten anorganischen Film (26) ausgebildet ist, so dass er mit dem ersten anorganischen Film (26) einen Spalt (37) bildet und mit dem ersten anorganischen Film (26) eine vorstehende Struktur (20E) bildet; und einen organischen Film (33), der den Spalt (37) ausfüllt und den ersten anorganischen Film (26) und den zweiten anorganischen Film (29) bedeckt.
    • [F3] Halbleitervorrichtung (71) gemäß F1 oder F2, wobei der zweite anorganische Film (29) eine anorganische Substanz umfasst, die sich von dem ersten anorganischen Film (26) unterscheidet.
    • [F4] Halbleitervorrichtung (71) gemäß F1 bis F3, wobei der erste anorganische Film (26) in einem elektrisch schwebenden Zustand ausgebildet ist und der zweite anorganische Film (29) in einem elektrisch schwebenden Zustand ausgebildet ist.
    • [F5] Halbleitervorrichtung (71) gemäß F1 bis F4, wobei der erste anorganische Film (26) eine andere anorganische Substanz als ein Nitrid umfasst und der zweite anorganische Film (29) eine andere anorganische Substanz als ein Nitrid umfasst.
    • [F6] Halbleitervorrichtung (71) gemäß F1 bis F5, wobei zwischen dem zweiten anorganischen Film (29) und dem organischen Film (33) kein Nitridfilm eingefügt ist.
    • [F7] Halbleitervorrichtung (71) gemäß F1 bis F6, wobei zwischen dem ersten anorganischen Film (26) und dem organischen Film (33) kein Nitridfilm eingefügt ist.
    • [F8] Halbleitervorrichtung (71) gemäß F1 bis F7, wobei kein Nitridfilm zwischen der Außenoberfläche (9) und dem organischen Film (33) angeordnet ist.
    • [F9] Halbleitervorrichtung (71) gemäß F1 bis F8, wobei kein Metallfilm in einem Bereich zwischen einem Peripherierand des Chips (2) und dem ersten anorganischen Film (26) in Draufsicht gebildet wird.
    • [F10] Halbleitervorrichtung (71) gemäß F1 bis F9, wobei der erste anorganische Film (26) in Intervallen vom Peripherierand des Chips (2) und der aktiven Oberfläche (8) in Draufsicht gebildet wird.
    • [F11] Halbleitervorrichtung (71) gemäß F1 bis F10, wobei der erste anorganische Film (26) eine erste Seite an der Seite der aktiven Oberfläche (8) und eine zweite Seite an der Peripherierandseite des Chips (2) aufweist, und der organische Film (33) den ersten anorganischen Film (26) so bedeckt, dass er sowohl die erste Seite als auch die zweite Seite in Draufsicht bedeckt.
    • [F12] Halbleitervorrichtung (71) gemäß F1 bis F11, wobei der organische Film (33) einen gesamten Bereich des ersten anorganischen Films (26) in Draufsicht bedeckt.
    • [F13] Halbleitervorrichtung (71) gemäß F1 bis F12, wobei der erste anorganische Film (26) in einer Bandform ausgebildet ist, die sich entlang der aktiven Oberfläche (8) in Draufsicht erstreckt.
    • [F14] Halbleitervorrichtung (71) gemäß F1 bis F13, wobei der erste anorganische Film (26) die aktive Oberfläche (8) in Draufsicht umgibt.
    • [F15] Halbleitervorrichtung (71) gemäß F1 bis F14, wobei der erste anorganische Film (26) in einer endlosen Form in Draufsicht ausgebildet ist.
    • [F16] Halbleitervorrichtung (71) gemäß F1 bis F15, wobei der organische Film (33) einen Abschnitt der aktiven Oberfläche (8) in Draufsicht bedeckt.
    • [F17] Halbleitervorrichtung (71) gemäß F1 bis F16 ferner umfassend: eine Hauptoberflächenelektrode (32), die die aktive Oberfläche (8) in Draufsicht bedeckt; wobei der organische Film (33) einen Abschnitt der Hauptoberflächenelektrode (32) bedeckt.
    • [F18] Halbleitervorrichtung (71) gemäß F17, wobei kein Nitridfilm zwischen der Hauptoberflächenelektrode (32) und dem organischen Film (33) angeordnet ist.
    • [F19] Halbleitervorrichtung (71) gemäß F1 bis F18 ferner umfassend: einen Hauptoberflächenisolationsfilm (12), der die Außenoberfläche (9) bedeckt; wobei der erste anorganische Film (26) auf dem Hauptoberflächenisolationsfilm (12) ausgebildet ist.
    • [F20] Halbleitervorrichtung (71) gemäß F1 bis F19, wobei die erste Hauptoberfläche (5) die aktive Oberfläche (8), die Außenoberfläche (9), die in Bezug auf die aktive Oberfläche (8) an der Seite der zweiten Hauptoberfläche (6) eingedrückt ist, und eine Verbindungsoberfläche (10A bis 10D), die die aktive Oberfläche (8) und die Außenoberfläche (9) verbindet, aufweist und eine Mesa (11) aufweist, die durch die aktive Oberfläche (8), die Außenoberfläche (9) und die Verbindungsoberfläche (10A bis 10D) begrenzt wird, und der erste anorganische Film (26) der Mesa (11) in einer ebenen Richtung der Außenoberfläche (9) zugewandt ist.
    • [F21] Halbleitervorrichtung (71) gemäß F20, wobei der erste anorganische Film (26) eine Dicke hat, die geringer ist als eine Dicke der Mesa (11).
    • [F22] Halbleitervorrichtung (71) gemäß F20 oder F21, wobei, wenn eine gerade Linie, die sich horizontal von der aktiven Oberfläche (8) in einer Querschnittansicht erstreckt, festgelegt wird, der zweite anorganisch Film (29) den ersten anorganischen Film (26) in einem Abstand von der geraden Linie zur Seite der Außenoberfläche (9) bedeckt.
    • [F23] Halbleitervorrichtung (71) gemäß F1 bis F22, wobei der erste anorganische Film (26) einen Polysiliziumfilm und der zweite anorganische Film (29) einen Siliziumoxidfilm umfasst.
    • [F24] Halbleitervorrichtung (71) gemäß F1 bis F23, wobei die funktionale Vorrichtung eine Schottky-Barrierediode umfasst, die in der aktiven Oberfläche (8) ausgebildet ist.
    • [F25] Halbleitervorrichtung (71) gemäß F1 bis F24, wobei die funktionale Vorrichtung einen Transistor mit isoliertem Gate umfasst, der in der aktiven Oberfläche (8) ausgebildet ist.
    • [F26] Halbleitervorrichtung (71) gemäß F1 bis F25, wobei der Chip (2) aus einem SiC-Chip (2) besteht.
    • [F27] Halbleitervorrichtung (71) gemäß F26, wobei der SiC-Chip (2) ein SiC-Substrat (3) und eine SiC-Epitaxieschicht (4) aufweist.
    • [F28] Halbleitervorrichtung (71) gemäß F27, wobei die SiC-Epitaxieschicht (4) eine andere Verunreinigungskonzentration als das SiC-Substrat (3) aufweist.
    • [F29] Halbleitervorrichtung (71) gemäß F1 bis F28, wobei die Halbleitervorrichtung (71) aus einer SiC-Halbleitervorrichtung (71) besteht.
  • Während die Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung im Detail beschrieben wurden, handelt es sich hierbei lediglich um spezifische Beispiele, die zur Verdeutlichung des technischen Inhalts der vorliegenden Erfindung dienen, und die vorliegende Erfindung sollte nicht so ausgelegt werden, dass sie auf diese spezifischen Beispiele beschränkt ist, und der Umfang der vorliegenden Erfindung ist durch die beigefügten Ansprüche zu beschränken.
  • Referenz-Zeichenliste
    • 1
    SiC Halbleitervorrichtung (Halbleitervorrichtung)
    2
    SiC Chip (Chip)
    5
    erste Hauptoberfläche
    6
    zweite Hauptoberfläche
    8
    aktive Oberfläche
    9
    Außenoberfläche
    10A
    erste Verbindungsoberfläche
    10B
    zweite Verbindungsoberfläche
    10C
    dritte Verbindungsoberfläche
    10D
    vierte Verbindungsoberfläche
    11
    aktive Mesa (Mesa)
    20A
    erste vorstehende Struktur
    20B
    zweite vorstehende Struktur
    20C
    dritte vorstehende Struktur
    20D
    vierte vorstehende Struktur
    20E
    fünfte vorstehende Struktur
    32
    erste Haupttoberflächenelektrode (Hauptoberflächenelektrode)
    33
    organischer Film
    41
    SiC Halbleitervorrichtung (Halbleitervorrichtung)
    51
    SiC Halbleitervorrichtung (Halbleitervorrichtung)
    61
    SiC Halbleitervorrichtung (Halbleitervorrichtung)
    71
    SiC Halbleitervorrichtung (Halbleitervorrichtung)
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • JP 2020196698 [0001]
    • WO 20190080976 A [0003]

Claims (20)

  1. Halbleitervorrichtung mit: einem Chip mit einer ersten Hauptoberfläche auf der einen Seite und einer zweiten Hauptoberfläche auf der anderen Seite, der eine aktive Oberfläche an einem inneren Abschnitt der ersten Hauptoberfläche und eine Außenoberfläche an einem Peripherieabschnitt der ersten Hauptoberfläche aufweist; einer funktionalen Vorrichtung, die an der Seite der aktiven Oberfläche gebildet wird; einer vorstehenden Struktur, die eine anorganische Substanz umfasst und an der Außenoberfläche hervorsteht; und einem organischen Film, der die vorstehende Struktur abdeckt.
  2. Halbleitervorrichtung gemäß Anspruch 1, wobei die vorstehende Struktur in einem elektrisch schwebenden Zustand ausgebildet ist.
  3. Halbleitervorrichtung gemäß Anspruch 1 oder 2, wobei zwischen der vorstehenden Struktur und dem organischen Film kein Nitridfilm eingefügt ist.
  4. Halbleitervorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei zwischen der Außenoberfläche und dem organischen Film kein Nitridfilm eingefügt ist.
  5. Halbleitervorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei die vorstehende Struktur keinen Nitridfilm aufweist.
  6. Halbleitervorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei die vorstehende Struktur aus einer anorganischen Substanz besteht.
  7. Halbleitervorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei in Draufsicht kein Nitridfilm in einem Bereich zwischen einem Peripherierand des Chips und der vorstehenden Struktur gebildet wird.
  8. Halbleitervorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei in Draufsicht die vorstehende Struktur in Intervallen aus dem Peripherierand des Chips und der aktiven Oberfläche gebildet wird.
  9. Halbleitervorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 8, wobei die vorstehende Struktur eine erste Seite an der Seite der aktiven Oberfläche und eine zweite Seite an der Peripherierandseite des Chips aufweist, und der organische Film die vorstehende Struktur so bedeckt, dass er sowohl die erste als auch die zweite Seite in Draufsicht bedeckt.
  10. Halbleitervorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 9, wobei der organische Film einen ganzen Bereich der vorstehenden Struktur in Draufsicht bedeckt.
  11. Halbleitervorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 10, wobei die vorstehende Struktur in einer Bandform ausgebildet ist, die sich in Draufsicht entlang der aktiven Oberfläche erstreckt.
  12. Halbleitervorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 11, wobei die vorstehende Struktur die aktive Oberfläche in Draufsicht umgibt.
  13. Halbleitervorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 12, wobei die vorstehende Struktur in einer Endlosform in Draufsicht ausgebildet ist.
  14. Halbleitervorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 13, wobei der organische Film einen Abschnitt der aktiven Oberfläche in Draufsicht bedeckt.
  15. Halbleitervorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 14, die ferner Folgendes aufweist: eine Haupttoberflächenelektrode, die die aktive Oberfläche in Draufsicht bedeckt; wobei der organische Film einen Abschnitt der Haupttoberflächenelektrode bedeckt.
  16. Halbleitervorrichtung gemäß Anspruch 15, wobei zwischen der Haupttoberflächenelektrode und dem organischen Film kein Nitridfilm eingefügt ist.
  17. Halbleitervorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 16, wobei die erste Hauptoberfläche die aktive Oberfläche, die Außenoberfläche, die in Bezug auf die aktive Oberfläche auf die zweite Hauptoberflächenseite abgesenkt ist, und eine Verbindungsoberfläche, die die aktive Oberfläche und die Außenoberfläche verbindet, umfasst und eine Mesa aufweist, die durch die aktive Oberfläche, die Außenoberfläche und die Verbindungsoberflächen begrenzt wird, und die vorstehende Struktur der Mesa in einer ebenen Richtung der Außenoberfläche zugewandt ist.
  18. Halbleitervorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 17, wobei die vorstehende Struktur mindestens eines von einem Polysilizium und einem Siliziumoxid umfasst.
  19. Halbleitervorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 18, wobei die funktionale Vorrichtung eine Schottky-Barrierediode umfasst, die in der aktiven Oberfläche ausgebildet ist.
  20. Halbleitervorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 19, wobei die funktionale Vorrichtung einen Transistor mit isoliertem Gate umfasst, der in der aktiven Oberfläche ausgebildet ist.
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