DE112021002211T5

DE112021002211T5 - Lichtemittierendes Halbleiterbauteil

Info

Publication number: DE112021002211T5
Application number: DE112021002211.3T
Authority: DE
Inventors: Koki SAKAMOTO; Kazunori Fuji
Original assignee: Rohm Co Ltd
Current assignee: Rohm Co Ltd
Priority date: 2020-04-08
Filing date: 2021-04-01
Publication date: 2023-01-19
Also published as: JPWO2021205989A1; WO2021205989A1; CN115362608A; US20230142319A1

Abstract

Ein lichtemittierendes Halbleiterbauteil weist ein lichtemittierendes Element, ein Dichtungsharz und einen Leiter auf. Das lichtemittierende Element hat eine erste und eine zweite Oberfläche, die in einer Dickenrichtung voneinander beabstandet sind, wobei sich die erste Elementelektrode auf der ersten Oberfläche und die zweite Elementelektrode auf der zweiten Oberfläche befindet. Das Dichtungsharz bedeckt mindestens die zweite Oberfläche. Der Leiter, der einen Leitungspfad zu dem lichtemittierenden Element bildet, weist einen ersten Verbindungsabschnitt, einen eingebetteten Abschnitt und einen zweiten Verbindungsabschnitt auf. Das Dichtungsharz weist einen Hohlraum auf, der sich in Dickenrichtung erstreckt und mit der zweiten Elementelektrode verbunden ist. Der erste Verbindungsabschnitt ist elektrisch mit der ersten Elementelektrode verbunden und erstreckt sich in einer Richtung, die die Dickenrichtung kreuzt. Der eingebettete Abschnitt befindet sich in dem Hohlraum und ist mit der zweiten Elementelektrode verbunden. Der zweite Verbindungsabschnitt ist mit dem eingebetteten Abschnitt verbunden und erstreckt sich in der Richtung, die die Dickenrichtung kreuzt.

Description

TECHNISCHES GEBIET
Die vorliegende Offenbarung betrifft ein lichtemittierendes Halbleiterbauteil.
STAND DER TECHNIK
Ein LiDAR-System (Light Detection and Ranging oder Laser Imaging Detection and Ranging), das eine Lichtemittierendes Halbleiterbauteil verwendet, wurde als Mittel zur 3D-Entfernungsmessung vorgeschlagen, das z. B. in Kraftfahrzeugen eingesetzt wird (siehe z. B. Patentdokument 1). Halbleiterlaser (lichtemittierende Halbleiterbauelemente), die als Lichtquelle für LiDAR verwendet werden, emittieren gepulste Laserstrahlen mit Pulsbreiten von einigen zehn Nanosekunden oder weniger. Daher müssen Impulswellenformen mit einer hohen Stromänderungsrate erzeugt werden, und die Induktivitätskomponente des Strompfads muss kleiner werden, je schmaler die Impulsbreite ist.
TECHNISCHE REFERENZ
PATENTDOKUMENT
Patentdokument: JP-A-2018-128432
KURZE ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
Durch die Erfindung zu lösende Probleme
In Anbetracht der obigen Umstände besteht ein Ziel der vorliegenden Offenbarung darin, eine Lichtemittierendes Halbleiterbauteil bereitzustellen, die in der Lage ist, die Induktivitätskomponente zu reduzieren.
Mittel zum Lösen der Probleme
Ein lichtemittierendes Halbleiterbauteil, das gemäß der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird, umfasst: ein lichtemittierendes Halbleiterelement mit einer ersten Elementoberfläche und einer zweiten Elementoberfläche, die in einer Dickenrichtung voneinander abgewandt sind, eine erste Elementelektrode, die auf der ersten Elementoberfläche angeordnet ist, und eine zweite Elementelektrode, die auf der zweiten Elementoberfläche angeordnet ist; ein Dichtungsharz mit einer ersten Harzoberfläche und einer zweiten Harzoberfläche, wobei die erste Harzoberfläche in eine erste Richtung der Dickenrichtung weist, in welche die erste Elementoberfläche weist, die zweite Harzoberfläche in eine zweiten Richtung der Dickenrichtung weist, in welche die zweite Elementoberfläche weist, wobei das Dichtungsharz mindestens die zweite Elementoberfläche des lichtemittierenden Halbleiterelements bedeckt; und einen Leiter, der einen Leitungspfad zu dem lichtemittierenden Halbleiterelement bildet. Das Dichtungsharz hat einen zweiten Hohlraum, der sich in Dickenrichtung zur zweiten Elementelektrode erstreckt. Der Leiter umfasst einen ersten Verbindungsabschnitt, einen zweiten eingebetteten Abschnitt und einen zweiten Verbindungsabschnitt. Der erste Verbindungsabschnitt ist elektrisch mit der ersten Elementelektrode verbunden, ist von der ersten Elementoberfläche in der ersten Richtung der Dickenrichtung versetzt und erstreckt sich entlang einer Richtung senkrecht zur Dickenrichtung. Der zweite eingebettete Abschnitt ist in dem zweiten Hohlraum aufgenommen und mit der zweiten Elementelektrode verbunden. Der zweite Verbindungsabschnitt ist mit dem zweiten eingebetteten Abschnitt verbunden, ist von der zweiten Elementoberfläche in der zweiten Richtung der Dickenrichtung versetzt und erstreckt sich entlang der Richtung, die senkrecht zur Dickenrichtung ist.
Vorteile der Erfindung
Mit der obigen Konfiguration wird eine Reduzierung der Induktivitätskomponente erreicht.
Weitere Merkmale und Vorteile der vorliegenden Offenbarung werden aus der detaillierten Beschreibung ersichtlich, die im Folgenden unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen vorgenommen wird.
Figurenliste

1 ist eine schematische Draufsicht auf ein lichtemittierendes Halbleiterbauteil gemäß einer ersten Ausführungsform;
2 ist eine Draufsicht auf das lichtemittierende Halbleiterbauteil aus 1, in der ein Kondensator weggelassen ist;
3 ist eine Vorderansicht des lichtemittierenden Halbleiterbauteils aus 1;
4 ist eine Ansicht von unten auf das lichtemittierende Halbleiterbauteil aus 1;
5 ist eine Schnittansicht entlang der Linie V-V in 1;
6 ist eine Schnittansicht entlang der Linie VI-VI in 1;
7 ist eine vergrößerte Ansicht eines Abschnitts aus 5;
8 ist eine vergrößerte Ansicht eines Abschnitts aus 5;
9 ist eine Schnittansicht, die einen Schritt in einem Beispiel für ein Verfahren zur Herstellung des lichtemittierenden Halbleiterbauteils aus 1 zeigt;
10 ist eine Schnittansicht, die einen auf 9 folgenden Schritt zeigt;
11 ist eine vergrößerte Ansicht eines Abschnitts aus 10;
12 ist eine Schnittansicht, die einen auf 10 folgenden Schritt zeigt;
13 ist eine vergrößerte Ansicht eines Abschnitts aus 12;
14 ist eine Schnittansicht, die einen auf 12 folgenden Schritt zeigt;
15 ist eine Schnittansicht, die einen auf 14 folgenden Schritt zeigt;
16 ist eine vergrößerte Ansicht eines Abschnitts aus 15;
17 ist eine Schnittansicht, die einen auf 15 folgenden Schritt zeigt;
18 ist eine vergrößerte Ansicht eines Abschnitts aus 17;
19 ist eine Schnittansicht, die einen auf 17 folgenden Schritt zeigt;
20 ist eine Schnittansicht, die einen auf 19 folgenden Schritt zeigt;
21 ist ein Schaltplan eines lichtemittierenden Halbleitersystems, das das lichtemittierende Halbleiterbauteil gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung aufweist;
22 ist eine Schnittansicht eines lichtemittierenden Halbleiterbauteils gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung;
23 ist eine Schnittansicht, die einen Schritt in einem Beispiel für ein Verfahren zur Herstellung des lichtemittierenden Halbleiterbauteils aus 22 zeigt;
24 ist eine Schnittansicht, die einen auf 23 folgenden Schritt zeigt;
25 ist eine schematische Draufsicht auf ein lichtemittierendes Halbleiterbauteil gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung;
26 ist eine Vorderansicht des lichtemittierenden Halbleiterbauteils aus 25;
27 ist eine Ansicht von unten auf das lichtemittierende Halbleiterbauteil aus 25;
28 ist eine Schnittansicht entlang der Linie XXVIII-XXVIII in 25;
29 ist eine Schnittansicht entlang der Linie XXIX-XXIX in 25;
30 ist eine Teilschnittansicht entlang der Linie XXX-XXX in 25;
31 ist eine schematische Draufsicht auf ein lichtemittierendes Halbleiterbauteil gemäß einer vierten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung;
32 ist eine Vorderansicht des lichtemittierenden Halbleiterbauteils aus 31;
33 ist eine Ansicht von unten auf das lichtemittierende Halbleiterbauteil aus 31;
34 ist eine Schnittansicht entlang der Linie XXXIV-XXXIV in 31;
35 ist eine Schnittansicht entlang der Linie XXXV-XXXV in 31;
36 ist eine Schnittansicht entlang der Linie XXXVI-XXXVI in 31;
37 ist eine schematische Draufsicht auf ein lichtemittierendes Halbleiterbauteil gemäß einer fünften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung;
38 ist eine Vorderansicht des lichtemittierenden Halbleiterbauteils aus 37;
39 ist eine Ansicht von unten auf das lichtemittierende Halbleiterbauteil aus 37, in der ein Schaltelement weggelassen ist;
40 ist eine Schnittansicht entlang der Linie XL-XL in 37;
41 ist eine Schnittansicht entlang der Linie XLI-XLI in 37;
42 ist eine Schnittansicht entlang der Linie XLII-XLII in 37;
43 ist eine schematische Draufsicht auf ein lichtemittierendes Halbleiterbauteil gemäß einer sechsten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung;
44 ist eine Ansicht von unten auf das lichtemittierende Halbleiterbauteil aus 43, in der ein Schaltelement weggelassen ist;
45 ist eine Vorderansicht des lichtemittierenden Halbleiterbauteils aus 43;
46 ist eine Ansicht von unten auf das lichtemittierende Halbleiterbauteil aus 43;
47 ist eine Schnittansicht entlang der Linie XLVII-XLVII in 43;
48 ist eine Schnittansicht entlang der Linie XLVIII-XLVIII in 43;
49 ist eine Schnittansicht entlang der Linie XLIX-XLIX in 43; und
50 ist eine Schnittansicht entlang der Linie L-L in 43.

MODUS ZUR AUSFÜHRUNG DER ERFINDUNG
Bevorzugte Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung werden im Folgenden unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben.
In der vorliegenden Offenbarung werden Begriffe wie „erster“, „zweiter“ und „dritter“ lediglich als Bezeichnungen verwendet und sollen den Gegenständen, auf die sich diese Begriffe beziehen, keine ordinalen Anforderungen zuweisen.
In der vorliegenden Offenbarung schließen die Formulierungen „ein Objekt A ist in einem Objekt B geformt“ und „ein Objekt A ist auf einem Objekt B geformt“, sofern nicht anders angegeben, „ein Objekt A ist direkt in/auf einem Objekt B geformt“ und „ein Objekt A ist in/auf einem Objekt B geformt, wobei ein anderes Objekt zwischen dem Objekt A und dem Objekt B eingefügt ist“ mit ein. Ebenso schließen die Formulierungen „ein Objekt A ist in einem Objekt B angeordnet“ und „ein Objekt A ist auf einem Objekt B angeordnet“, sofern nicht anders angegeben, „ein Objekt A ist direkt in/auf einem Objekt B angeordnet“ und „ein Objekt A ist in/auf einem Objekt B angeordnet, wobei ein anderes Objekt zwischen dem Objekt A und dem Objekt B angeordnet ist“ mit ein. Ebenso schließt die Formulierung „ein Objekt A ist auf einem Objekt B angeordnet“, sofern nicht anders angegeben, „ein Objekt A ist auf einem Objekt B in Kontakt mit dem Objekt B angeordnet“ und „ein Objekt A ist auf einem Objekt B angeordnet, wobei ein anderes Objekt zwischen dem Objekt A und dem Objekt B angeordnet ist“ mit ein. Auch schließt die Formulierung „ein Objekt A überlappt mit einem Objekt B in einer bestimmten Richtung gesehen“, sofern nicht anders angegeben, „das Objekt A überlappt mit der Gesamtheit des Objekts B“ und „das Objekt A überlappt mit einem Abschnitt des Objekts B“ mit ein.
1 bis 8 zeigen ein lichtemittierendes Halbleiterbauteil A1 gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. Das lichtemittierende Halbleiterbauteil A1 gemäß der vorliegenden Ausführungsform weist ein lichtemittierendes Halbleiterelement 1, ein Schaltelement 2, Kondensatoren 3, einen Leiter 4, ein Dichtungsharz 6 und ein lichtdurchlässiges Harz 7 auf. Das lichtemittierende Halbleiterbauteil A1 kann als Impulslaserlichtquelle eines Lidarsystems verwendet werden, das ein Beispiel für ein Mittel zur 3D-Abstandsmessung ist. Die Verwendung des lichtemittierenden Halbleiterbauteils A1 gemäß der vorliegenden Offenbarung ist jedoch nicht besonders beschränkt.
1 ist eine schematische Ansicht des lichtemittierenden Halbleiterbauteils A1 in der Draufsicht. 2 ist eine Draufsicht auf das lichtemittierende Halbleiterbauteil A1, bei der die Kondensatoren 3 weggelassen sind. 3 ist eine Vorderansicht des lichtemittierenden Halbleiterbauteils A1. 4 ist eine Ansicht von unten auf das lichtemittierende Halbleiterbauteil A1. 5 ist eine Schnittansicht entlang der Linie V-V in 1. 6 ist eine Schnittansicht entlang der Linie VI-VI in 1. 7 ist eine vergrößerte Ansicht eines Abschnitts von 5. 8 ist eine vergrößerte Ansicht eines Abschnitts von 5. Der Einfachheit halber sind in den 1 bis 4 das Dichtungsharz 6 und das lichtdurchlässige Harz 7 transparent dargestellt, und die Umrisse des Dichtungsharzes 6 und des lichtdurchlässigen Harzes 7 sind gegebenenfalls durch imaginäre Linien dargestellt.
Das lichtemittierende Halbleiterbauteil A1 ist im Allgemeinen rechteckig, gesehen in Dickenrichtung (d.h. in der Draufsicht). Der Einfachheit halber wird die Dickenrichtung (Draufsicht-Richtung) des lichtemittierenden Halbleiterbauteils A1 als „z-Richtung“ bezeichnet, die Richtung (die horizontale Richtung in den 1 bis 8), die orthogonal zur z-Richtung und entlang einer Seite des lichtemittierenden Halbleiterbauteils A1 verläuft, wird als „x-Richtung“ bezeichnet, und die Richtung (die vertikale Richtung in den 1, 2 und 4), die orthogonal zur z-Richtung und zur x-Richtung verläuft, wird als „y-Richtung“ bezeichnet. Die z-Richtung ist ein Beispiel für die „Dickenrichtung“. Die Größe des lichtemittierenden Halbleiterbauteils A1 ist nicht besonders begrenzt. Die Begriffe wie „oben“ oder „unten“ in der nachstehenden Beschreibung dienen lediglich der Vereinfachung der Beschreibung und sollen die Ausrichtung des lichtemittierenden Halbleiterbauteils A1 gemäß der vorliegenden Offenbarung nicht einschränken.
Das lichtemittierende Halbleiterelement 1 ist die Lichtquelle des lichtemittierenden Halbleiterbauteils A1 und weist Halbleiterschichten, wie z.B. eine aktive Schicht, auf. Das lichtemittierende Halbleiterelement 1, das, in z-Richtung gesehen, die Form einer rechteckigen Platte hat, weist eine erste Elementoberfläche 11, eine zweite Elementoberfläche 12, eine erste Elementelektrode 13 und eine zweite Elementelektrode 14 auf. Die erste Elementoberfläche 11 ist in einer ersten Richtung der z-Richtung ausgerichtet. Die zweite Elementoberfläche 12 weist in eine zweite Richtung der z-Richtung und ist von der ersten Elementoberfläche 11 abgewandt. Die erste Elementelektrode 13 ist auf der ersten Elementoberfläche 11 angeordnet. In dem lichtemittierenden Halbleiterbauteil A1 ist das lichtemittierende Halbleiterelement 1 an oder nahe einem ersten Ende in x-Richtung (das linke Ende in den 1, 3 und 5) und ungefähr in der Mitte in y-Richtung angeordnet. Außerdem ist das lichtemittierende Halbleiterelement 1 in der ersten Richtung der z-Richtung versetzt. In der vorliegenden Ausführungsform emittiert das lichtemittierende Halbleiterelement 1 Laserlicht in einer ersten Richtung der x-Richtung (in den 1, 3 und 5 nach links). In den Figuren ist die erste Richtung der z-Richtung durch den Pfeil z1 und die zweite Richtung der z-Richtung durch den Pfeil z2 angedeutet. Die Art, Anordnung usw. des lichtemittierenden Halbleiterelements 1 sind nicht auf die obigen Angaben beschränkt.
Das lichtdurchlässige Harz 7 deckt Abschnitte des lichtemittierenden Halbleiterelements 1 ab. Bei der vorliegenden Ausführungsform deckt das lichtdurchlässige Harz 7 entgegengesetzte Enden des lichtemittierenden Halbleiterelements 1 in x-Richtung ab. Die Form des lichtdurchlässigen Harzes 7 ist nicht besonders begrenzt. Das lichtdurchlässige Harz 7 besteht aus einem Material, das das Laserlicht des lichtemittierenden Halbleiterelements 1 überträgt, und kann z. B. aus einem transparenten Epoxidharz oder Silikonharz hergestellt sein. Das lichtdurchlässige Harz 7 kann eine Laserlichtdurchlässigkeit von 80 % oder mehr haben. Die Endoberfläche 71 (linke Endoberfläche) des lichtdurchlässigen Harzes 7 auf der Emissionsseite des Laserlichts vom Halbleiter-Lichtemissionselement 1 ist nicht mit dem Dichtungsharz 6 abgedeckt, so dass das lichtemittierende Halbleiterbauteil A1 durch diese Endfläche des lichtdurchlässigen Harzes 7 Laserlicht nach außen emittieren kann.
Das Schaltelement 2 ist ein Element zum Ein- und Ausschalten des Stroms für das lichtemittierende Halbleiterelement 1. Das Schaltelement 2 ist ein Transistor, beispielsweise ein FET aus Si, SiC oder GaN. In der vorliegenden Ausführungsform wird ein Schaltelement 2 als Si-MOSFET als Beispiel beschrieben.
Wie in den 4 bis 6 gezeigt, weist das Schaltelement 2, das in z-Richtung gesehen die Form einer rechteckigen Platte hat, eine erste Schaltelementoberfläche 21, eine zweite Schaltelementoberfläche 22, eine Drain-Elektrode 231, eine Gate-Elektrode 232 und eine Source-Elektrode 233 auf. In dem lichtemittierenden Halbleiterbauteil A1 ist das Schaltelement 2 in einer zweiten Richtung der x-Richtung versetzt (in den 1 und 3 bis 6 nach rechts) und erstreckt sich fast vollständig entlang der y-Richtung. In z-Richtung gesehen ist das Schaltelement 2 von dem lichtemittierenden Halbleiterelement 1 beabstandet. Außerdem ist das Schaltelement 2 in der ersten Richtung der z-Richtung versetzt. Die Abmessung des Schaltelements 2 in z-Richtung ist größer als die des lichtemittierenden Halbleiterelements 1. Die Art und Position des Schaltelements 2 ist nicht auf die obigen Angaben beschränkt.
Die erste Schaltelementoberfläche 21 weist in die erste Richtung der z-Richtung. Die zweite Schaltelementoberfläche 22 weist in die zweite Richtung der z-Richtung und ist von der ersten Schaltelementoberfläche 21 abgewandt. Die Drain-Elektrode 231 ist auf der ersten Schaltelementoberfläche 21 angeordnet und deckt im dargestellten Beispiel die erste Schaltelementoberfläche 21 nahezu vollständig ab. Die Gate-Elektrode 232 ist auf der zweiten Schaltelementoberfläche 22 angeordnet. Im dargestellten Beispiel ist die Gate-Elektrode 232 in einem Bereich der zweiten Schaltelementoberfläche 22 angeordnet, der in der zweiten Richtung der x-Richtung und auch in der ersten Richtung der y-Richtung versetzt ist. Die Source-Elektrode 233 ist auf der zweiten Schaltelementoberfläche 22 angeordnet. Im dargestellten Beispiel ist die Source-Elektrode 233 in z-Richtung gesehen L-förmig und auf den meisten Bereichen der zweiten Schaltelementoberfläche 22 ausgebildet.
Das Dichtungsharz 6 deckt zumindest einen Abschnitt des lichtemittierenden Halbleiterelements 1 und des Schaltelements 2 ab. Das Dichtungsharz 6 wird aus einem Material hergestellt, das ein wärmehärtendes Kunstharz und einen Zusatzstoff aufweist, der ein Metallelement enthält, das einen Teil des Leiters 4 bildet. Beispiele für das Kunstharz schließen Epoxidharz und Polyimidharz mit ein. Das Dichtungsharz 6 hat eine erste Harzoberfläche 601 und eine zweite Harzoberfläche 602. Die erste Harzoberfläche 601 weist in die erste Richtung der z-Richtung. Die zweite Harzoberfläche 602 weist in die zweite Richtung der z-Richtung und ist von der ersten Harzoberfläche 601 abgewandt.
Das Dichtungsharz 6 weist eine erste Schicht 61, eine zweite Schicht 62 und eine vierte Schicht 64 auf. Die erste Schicht 61 weist eine erste Oberfläche 611 auf. Die erste Oberfläche 611 weist in die erste Richtung der z-Richtung. Die erste Schicht 61 überlappt mit dem lichtemittierenden Halbleiterelement 1 in einer „in-plane“ Richtung (Richtung entlang der x-y-Ebene) senkrecht zur z-Richtung gesehen. Die zweite Schicht 62 ist auf der zweiten Seite der ersten Schicht 61 in z-Richtung angeordnet. Die zweite Schicht 62 hat eine zweite Oberfläche 621. Die zweite Oberfläche 621 weist in die zweite Richtung der z-Richtung. Die vierte Schicht 64 ist auf der zweiten Seite der zweiten Schicht 62 in der z-Richtung angeordnet. In der vorliegenden Ausführungsform ist die vierte Schicht 64 auf der zweiten Seite der ersten Schicht 61 und der zweiten Schicht 62 in z-Richtung angeordnet. Somit entspricht die Oberfläche der vierten Schicht 64, die in die zweite Richtung der z-Richtung weist, der zweiten Harzoberfläche 602. Die erste Schicht 61 ist an der ersten Seite der zweiten Schicht 62 und der vierten Schicht 64 in z-Richtung angeordnet. Somit entspricht die erste Oberfläche 611 der ersten Schicht 61 der ersten Harzoberfläche 601.
Das Schaltelement 2 ist zwischen der ersten Harzoberfläche 601 und der zweiten Harzoberfläche 602 in z-Richtung (Dickenrichtung) angeordnet. In der vorliegenden Ausführungsform ist das Schaltelement 2 zwischen der ersten Schicht 61 und der zweiten Schicht 62 angeordnet. Die zweite Schicht 62 deckt die zweite Elementoberfläche 12 des lichtemittierenden Halbleiterelements 1 und die zweite Schaltelementoberfläche 22 des Schaltelements 2 ab.
Es wird bemerkt, dass benachbarte Schichten aus der Vielzahl der oben beschriebenen Schichten (die erste Schicht 61, die zweite Schicht 62 und die vierte Schicht 64) in verschiedenen Schritten mit anschließender Laminierung oder als ein Stück im selben Schritt gebildet werden können. Das heißt, die erste Schicht 61, die zweite Schicht 62 und die vierte Schicht 64 sind nicht auf Schichten beschränkt, die mit einer klaren Grenze laminiert sind, sondern können Schichten sein, die imaginär definiert sind, um die Beziehung zwischen dem Dichtungsharz 6 und anderen Strukturelementen, wie dem lichtemittierenden Halbleiterelement 1 und dem Schaltelement 2, zu beschreiben. In den Schnittansichten der 5 und 6 ist die Grenze zwischen benachbarten Schichten, die in verschiedenen Schritten mit anschließender Laminierung gebildet werden, durch eine durchgezogene Linie dargestellt, und die Grenze zwischen benachbarten Schichten, die im selben Schritt gebildet werden, durch eine imaginäre Linie. Eine solche Beziehung zwischen benachbarten Schichten des Dichtungsharzes 6 gilt auch für die Schnittansichten der folgenden Ausführungsformen.
Das Dichtungsharz 6 weist eine Vielzahl von Hohlräumen auf. Die Hohlräume sind hohle Abschnitte, die entlang der z-Richtung ausgebildet sind. Jeder Hohlraum nimmt mindestens einen der eingebetteten Abschnitte auf, die den später beschriebenen Leiter 4 bilden. In der vorliegenden Ausführungsform weist das Dichtungsharz 6 zweite Hohlräume 652, dritte Hohlräume 653, Hohlräume 671, Hohlräume 672, einen Hohlraum 673 und Hohlräume 674 auf.
Die zweiten Hohlräume 652 sind an einer Position angeordnet, die sich in z-Richtung gesehen mit dem lichtemittierenden Halbleiterelement 1 überschneidet. Die zweiten Hohlräume 652 erstrecken sich von der zweiten Oberfläche 621 der zweiten Schicht 62 zur zweiten Elementelektrode 14 des lichtemittierenden Halbleiterelements 1 in z-Richtung und durchdringen bei der vorliegenden Ausführungsform die zweite Schicht 62 in z-Richtung.
Die dritten Hohlräume 653 sind an einer Position angeordnet, die sich in z-Richtung gesehen mit der Source-Elektrode 233 des Schaltelements 2 überlappt. Die dritten Hohlräume 653 erstrecken sich von der zweiten Oberfläche 621 der zweiten Schicht 62 zur Source-Elektrode 233 des Schaltelements 2 in z-Richtung und durchdringen bei der vorliegenden Ausführungsform die zweite Schicht 62 in z-Richtung.
Jeder der Hohlräume 671 und 672 durchdringt die erste Schicht 61, die zweite Schicht 62 und die vierte Schicht 64 in der z-Richtung. Der Hohlraum 673 ist an einer Position angeordnet, die sich in z-Richtung gesehen mit der Gate-Elektrode 232 des Schaltelements 2 überlappt. Der Hohlraum 673 durchdringt die zweite Schicht 62 und die vierte Schicht 64 in der z-Richtung und erstreckt sich von der zweiten Harzoberfläche 602 bis zur Gate-Elektrode 232. Die Hohlräume 674 sind an einer Position angeordnet, die sich in z-Richtung gesehen mit der Source-Elektrode 233 überschneidet. Die Hohlräume 674 durchdringen die zweite Schicht 62 und die vierte Schicht 64 in z-Richtung und erstrecken sich von der zweiten Harzoberfläche 602 bis zur Source-Elektrode 233 des Schaltelements 2.
Der Leiter 4 ist ein Teil, der einen Leitungspfad zu dem lichtemittierenden Halbleiterelement 1, dem Schaltelement 2 usw. bildet. Der Leiter 4 weist eine Vielzahl von Verbindungsabschnitten und eine Vielzahl von eingebetteten Abschnitten auf. Jeder Verbindungsabschnitt steht in Kontakt mit dem Dichtungsharz 6 und erstreckt sich entlang der x-y-Ebene. Jeder eingebettete Abschnitt wird in einem der im Dichtungsharz 6 gebildeten Hohlräume aufgenommen und ist mit mindestens einem der Verbindungsabschnitte verbunden.
Bei dieser Ausführungsform weist der Leiter 4 einen ersten Verbindungsabschnitt 401, einen zweiten Verbindungsabschnitt 402, einen dritten Verbindungsabschnitt 403, einen Verbindungsabschnitt 412, einen Verbindungsabschnitt 413, einen Verbindungsabschnitt 414, einen Verbindungsabschnitt 415, zweite eingebettete Abschnitte 452, dritte eingebettete Abschnitte 453, eingebettete Abschnitte 471, eingebettete Abschnitte 472, einen eingebetteten Abschnitt 473, und eingebettete Abschnitte 474 auf.
Der erste Verbindungsabschnitt 401 ist von der ersten Elementoberfläche 11 des lichtemittierenden Halbleiterelements 1 in der ersten Richtung der z-Richtung versetzt. Der erste Verbindungsabschnitt 401 ist entlang der ersten Oberfläche 611 der ersten Schicht 61 angeordnet. In dem lichtemittierenden Halbleiterbauteil A1 ist der erste Verbindungsabschnitt 401 in der ersten Richtung der x-Richtung versetzt und erstreckt sich fast vollständig entlang der y-Richtung. Der erste Verbindungsabschnitt 401 überlappt das gesamte lichtemittierende Halbleiterelement 1 in z-Richtung gesehen. Der erste Verbindungsabschnitt 401 ist mit der ersten Elementelektrode 13 des lichtemittierenden Halbleiterelementes 1 gebondet und mit dieser elektrisch verbunden.
Der zweite Verbindungsabschnitt 402 ist von der zweiten Elementoberfläche 12 des lichtemittierenden Halbleiterelements 1 in der zweiten Richtung der z-Richtung versetzt. Der zweite Verbindungsabschnitt 402 ist mit den zweiten eingebetteten Abschnitten 452 und den dritten eingebetteten Abschnitten 453 verbunden. Der zweite Verbindungsabschnitt 402 ist entlang der zweiten Oberfläche 621 der zweiten Schicht 62 angeordnet. In der vorliegenden Ausführungsform ist der zweite Verbindungsabschnitt 402 zwischen der zweiten Schicht 62 und der vierten Schicht 64 angeordnet. Der zweite Verbindungsabschnitt 402 hat eine Form, die an das lichtemittierende Halbleiterelement 1 und das Schaltelement 2 in z-Richtung betrachtet angepasst ist. Der zweite Verbindungsabschnitt 402 überlappt mit einem Abschnitt des lichtemittierenden Halbleiterelements 1 und einem Abschnitt des Schaltelements 2, in z-Richtung gesehen.
Der dritte Verbindungsabschnitt 403 ist entlang der ersten Oberfläche 611 der ersten Schicht 61 angeordnet. Der dritte Verbindungsabschnitt 403 ist von dem ersten Verbindungsabschnitt 401 in der zweiten Richtung der x-Richtung beabstandet und versetzt angeordnet und erstreckt sich fast vollständig entlang der y-Richtung. Der dritte Verbindungsabschnitt 403 befindet sich in der gleichen Position wie der erste Verbindungsabschnitt 401 in z-Richtung. Der dritte Verbindungsabschnitt 403 überlappt das gesamte Schaltelement 2 in z-Richtung gesehen. Der dritte Verbindungsabschnitt 403 ist an die Drain-Elektrode 231 des Schaltelements 2 gebondet und mit dieser elektrisch verbunden.
Der Verbindungsabschnitt 412 ist entlang der zweiten Harzoberfläche 602 angeordnet. In dem lichtemittierenden Halbleiterbauteil A1 ist der Verbindungsabschnitt 412 in der ersten Richtung der x-Richtung versetzt und erstreckt sich fast vollständig entlang der y-Richtung. Der Verbindungsabschnitt 413 ist entlang der zweiten Harzoberfläche 602 angeordnet. Der Verbindungsabschnitt 413 ist gegenüber dem ersten Verbindungsabschnitt 401 in der zweiten Richtung der x-Richtung versetzt und erstreckt sich fast vollständig entlang der y-Richtung. Der Verbindungsabschnitt 414 ist entlang der zweiten Harzoberfläche 602 angeordnet. Der Verbindungsabschnitt 414 ist gegenüber dem Verbindungsabschnitt 413 in der zweiten Richtung der x-Richtung versetzt und in der ersten Richtung der y-Richtung versetzt. Der Verbindungsabschnitt 415 ist entlang der zweiten Harzoberfläche 602 angeordnet. Der Verbindungsabschnitt 415 ist gegenüber dem Verbindungsabschnitt 413 in der zweiten Richtung der x-Richtung versetzt und in der zweiten Richtung der y-Richtung versetzt.
Die Verbindungsabschnitte 412, 413, 414 und 415, die entlang der zweiten Harzoberfläche 602 angeordnet sind, sind voneinander beabstandet. Die Verbindungsabschnitte 412, 413, 414 und 415 werden beispielsweise als externe Verbindungs-Terminal bei der Montage des lichtemittierenden Halbleiterbauteils A1 an einer Leiterplatte (nicht gezeigt) verwendet.
Die zweiten eingebetteten Abschnitte 452 werden in den zweiten Hohlräumen 652 aufgenommen und mit der zweiten Elementelektrode 14 des lichtemittierenden Halbleiterelements 1 verbunden. In der vorliegenden Ausführungsform ist eine Vielzahl von zweiten eingebetteten Abschnitten 452 vorgesehen. In dem dargestellten Beispiel ist die Vielzahl der zweiten eingebetteten Abschnitte 452 in einer Matrix entlang der x-Richtung und der y-Richtung angeordnet. Die dritten eingebetteten Abschnitte 453 sind in den dritten Hohlräumen 653 aufgenommen und mit der Source-Elektrode 233 des Schaltelements 2 verbunden. In der vorliegenden Ausführungsform ist eine Vielzahl von dritten eingebetteten Abschnitten 453 vorgesehen. In dem dargestellten Beispiel sind die dritten eingebetteten Abschnitte 453 entlang der y-Richtung angeordnet.
Die eingebetteten Abschnitte 471 sind in den Hohlräumen 671 aufgenommen und mit dem dritten Verbindungsabschnitt 403 und dem Verbindungsabschnitt 413 verbunden. In der vorliegenden Ausführungsform ist eine Vielzahl von eingebetteten Abschnitten 471 vorgesehen. In dem dargestellten Beispiel sind die eingebetteten Abschnitte 471 entlang der y-Richtung an jedem Ende in y-Richtung angeordnet. Die eingebetteten Abschnitte 472 sind in den Hohlräumen 672 aufgenommen und mit dem ersten Verbindungsabschnitt 401 und dem Verbindungsabschnitt 412 verbunden. In der vorliegenden Ausführungsform ist eine Vielzahl von eingebetteten Abschnitten 472 vorgesehen. In dem dargestellten Beispiel sind die eingebetteten Abschnitte 472 entlang der y-Richtung an jedem Ende in y-Richtung angeordnet. Der eingebettete Abschnitt 473 wird in dem Hohlraum 673 aufgenommen und ist mit der Gate-Elektrode 232 des Schaltelements 2 und dem Verbindungsabschnitt 414 verbunden. Die eingebetteten Abschnitte 474 werden in den Hohlräumen 674 aufgenommen und sind mit der Source-Elektrode 233 des Schaltelements 2 und dem Verbindungsabschnitt 415 verbunden. In der vorliegenden Ausführungsform ist eine Vielzahl von eingebetteten Abschnitten 474 vorgesehen. In dem dargestellten Beispiel sind die eingebetteten Abschnitte 474 entlang der y-Richtung angeordnet.
Jeder der Verbindungsabschnitte und der eingebetteten Abschnitte (mit Ausnahme des ersten Verbindungsabschnitts 401 und des dritten Verbindungsabschnitts 403) weist eine Basisschicht und eine Plattierungsschicht auf. Als Beispiel werden der dritte eingebettete Abschnitt 453 und der zweite Verbindungsabschnitt 402, die in 7 dargestellt sind, im Folgenden beschrieben. Die Basisschicht 40a besteht aus einem Metallelement, das in dem in dem Dichtungsharz 6 (der zweiten Schicht 62) vorhandenen Zusatzstoff enthalten ist und in Kontakt mit der zweiten Schicht 62 steht. Die Plattierungsschicht 40b besteht aus einem Material, das z. B. Kupfer (Cu) enthält, und steht in Kontakt mit der Basisschicht 40a. Die Basisschicht 40a des dritten eingebetteten Abschnitts 453 steht in Kontakt mit der zweiten Schicht 62. Die Plattierungsschicht 40b des dritten eingebetteten Abschnitts 453 ist von der Basisschicht 40a des dritten eingebetteten Abschnitts 453 umgeben. Die Basisschicht 40a des zweiten Verbindungsabschnitts 402 steht in Kontakt mit der zweiten Schicht 62. Die Plattierungsschicht 40b des zweiten Verbindungsabschnitts 402 deckt die Basisschicht 40a des zweiten Verbindungsabschnitts 402 ab und ist von der Basisschicht 40a des zweiten Verbindungsabschnitts 402 und der vierten Schicht 64 umgeben. Wie in 7 gezeigt, ist der dritte eingebettete Abschnitt 453 verjüngt, wobei seine seitliche Oberfläche in Bezug auf die z-Richtung angeschrägt ist, so dass der Bereich des Querschnitts orthogonal zur z-Richtung mit zunehmender Annäherung an die Source-Elektrode 233 kleiner wird. Die verjüngte Form des dritten eingebetteten Abschnitts 453 ergibt sich aus dem Herstellungsprozess des lichtemittierenden Halbleiterbauteils A1, der später beschrieben wird, und andere eingebettete Abschnitte haben ebenfalls eine verjüngte Form.
In dem in 8 gezeigten eingebetteten Abschnitt 474 und dem Verbindungsabschnitt 415 besteht die Basisschicht 40a aus einem Metallelement, das in dem in dem Dichtungsharz 6 (der zweiten Schicht 62 und der vierten Schicht 64) enthaltenen Zusatzstoff enthalten ist und in Kontakt mit der zweiten Schicht 62 und der vierten Schicht 64 steht. Die Plattierungsschicht 40b steht in Kontakt mit der Basisschicht 40a. Die Basisschicht 40a des dritten eingebetteten Abschnitts 453 steht in Kontakt mit der zweiten Schicht 62. Die Basisschicht 40a des eingebetteten Abschnitts 474 steht in Kontakt mit der zweiten Schicht 62 und der vierten Schicht 64. Die Plattierungsschicht 40b des eingebetteten Abschnitts 474 ist von der Basisschicht 40a des eingebetteten Abschnitts 474 umgeben. Die Basisschicht 40a des Abschnitts 415, der die Verbindung herstellt, steht in Kontakt mit der vierten Schicht 64. Die Plattierungsschicht 40b des Verbindungsabschnitts 415 deckt die Basisschicht 40a des Verbindungsabschnitts 415 ab und ragt in der zweiten Richtung der z-Richtung leicht über die zweite Harzoberfläche 602 hinaus.
Die Kondensatoren 3 dienen zur vorübergehenden Speicherung der elektrischen Ladung, die zum Strom für die Erregung des lichtemittierenden Halbleiterelements 1 werden soll. Wie in den 5 und 6 gezeigt, sind die Kondensatoren 3 auf der ersten Seite der ersten Harzoberfläche 601 in der z-Richtung angeordnet und vollständig von dem Dichtungsharz 6 freigelegt. Wie in den 1, 5 und 6 gezeigt, weist im dargestellten Beispiel jeder Kondensator 3 eine Elektrode 31 und eine Elektrode 32 auf. Die Elektrode 31 ist mit einem leitenden Bondingmaterial 39 an den ersten Abschnitt 401 gebondet und elektrisch mit diesem verbunden. Die Elektrode 32 ist mit einem leitenden Bondingmaterial 39 an den dritten Abschnitt 403 gebondet und elektrisch mit diesem verbunden. Somit ist die Elektrode 31 über den ersten Verbindungsabschnitt 401 elektrisch mit der Elektrode des ersten Elements 13 verbunden, und die Elektrode 32 ist über den dritten Verbindungsabschnitt 403 elektrisch mit der Drain-Elektrode 231 verbunden. Bei einer solchen Ausgestaltung sind die Kondensatoren 3 elektrisch zwischen der Drain-Elektrode 231 und der ersten Elementelektrode 13 geschaltet. Das leitende Bondingmaterial 39 kann zum Beispiel aus Lötmittel bestehen. Der Einfachheit halber wird das leitende Bondingmaterial 39 in 1 weggelassen. In der vorliegenden Ausführungsform weist das lichtemittierende Halbleiterbauteil A1 zwei Kondensatoren 3 auf. Die beiden Kondensatoren 3 sind in y-Richtung nebeneinander angeordnet und parallel zueinander geschaltet. Die Anzahl und Position der Kondensatoren 3 sind nicht auf die oben genannten beschränkt.
Ein Beispiel für ein Verfahren zur Herstellung des lichtemittierenden Halbleiterbauteils A1 wird im Folgenden unter Bezugnahme auf die 9 bis 20 beschrieben. Die 9 bis 20 zeigen jeweils einen Schritt in dem Beispiel eines Verfahrens zur Herstellung des lichtemittierenden Halbleiterbauteils A1. Die 9, 10, 12, 14, 15, 17, 19 und 20 sind Schnittansichten, die der 5 entsprechen. 11 ist eine vergrößerte Ansicht eines Abschnitts von 10 und entspricht 7. 13 ist eine vergrößerte Ansicht eines Abschnitts von 12 und entspricht 7. 16 ist eine vergrößerte Ansicht eines Abschnitts von 15 und entspricht 8. 18 ist eine vergrößerte Ansicht eines Abschnitts von 17 und entspricht 8.
Zunächst werden, wie in 9 gezeigt, eine erste Schicht 61 und eine zweite Schicht 62 gebildet, um die zweite Elementelektrode 14 eines lichtemittierenden Halbleiterelements 1, das teilweise mit einem lichtdurchlässigen Harz 7 bedeckt ist, und ein Schaltelement 2 abzudecken. In diesem Schritt werden das lichtemittierende Halbleiterelement 1 und das Schaltelement 2 im Vergleich zu der in 5 gezeigten Haltung umgedreht gehalten. Die zweite Schicht 62 deckt die zweite Elementoberfläche 12 des lichtemittierenden Halbleiterelementes 1 und die zweite Schaltelementoberfläche 22 des Schaltelementes 2 ab. Die erste Schicht 61 und die zweite Schicht 62 bestehen aus einem Material, das ein wärmehärtendes Kunstharz und einen Zusatzstoff aufweist, der ein Metallelement enthält, das später einen Teil des Leiters 4 bildet. Beispiele für das Kunstharz schließen Epoxidharz und Polyimidharz mit ein. Die erste Schicht 61 und die zweite Schicht 62 werden durch Formpressen hergestellt.
Als nächstes werden, wie in den 10 bis 13 gezeigt, zweite eingebettete Abschnitte 452, die mit der zweiten Elementelektrode 14 des lichtemittierenden Halbleiterelements 1 verbunden sind, dritte eingebettete Abschnitte 453, die mit der Source-Elektrode 233 des Schaltelements 2 verbunden sind, und ein zweiter Verbindungsabschnitt 402, der mit den zweiten eingebetteten Abschnitten 452 und den dritten eingebetteten Abschnitten verbunden ist, gebildet.
Wie in 13 dargestellt, sind die dritten eingebetteten Abschnitte 453 in die dritten Hohlräume 653 eingebettet und mit der Source-Elektrode 233 verbunden. Wie in 13 gezeigt, haben sowohl die dritten eingebetteten Abschnitte 453 als auch der zweite Verbindungsabschnitt 402 eine Basisschicht 40a und eine Plattierungsschicht 40b. Das Verfahren der Bildung der dritten eingebetteten Abschnitte 453 und des zweiten Verbindungsabschnitts 402 weist einen Schritt der Ablagerung einer Basisschicht 40a auf der Oberfläche der zweiten Schicht 62 und einen Schritt der Bildung einer Plattierungsschicht 40b auf, die die Basisschicht 40a abdeckt.
Zunächst wird, wie in 11 gezeigt, eine Basisschicht 40a auf der Oberfläche der zweiten Schicht 62 abgeschieden. In diesem Schritt werden, wie in 10 gezeigt, mit einem Laser dritte Hohlräume 653 und eine Nut 623 in der zweiten Schicht 62 gebildet. Die dritten Vertiefungen 653 durchdringen die zweite Schicht 62 in z-Richtung. Die dritten Hohlräume 653 legen die Source-Elektrode 233 des Schaltelements 2 frei.
Die dritten Hohlräume 653 werden gebildet, indem die zweite Schicht 62 mit einem Laserstrahl bestrahlt wird, bis die Source-Elektrode 233 freigelegt ist, wobei die Position der Source-Elektrode 233 z.B. durch Bilderkennung mit einer Infrarotkamera überprüft wird. Basierend auf den durch die Bilderkennung gewonnenen Informationen über die Position der Source-Elektrode 233 wird der Laserbestrahlungspunkt gegebenenfalls korrigiert. Die Nut 623 ist von der Oberfläche der zweiten Schicht 62 ausgenommen und mit den dritten Hohlräumen 653 verbunden. Die Nut 623 wird durch Bestrahlung der Oberfläche der zweiten Schicht 62 mit einem Laserstrahl gebildet. Der Laserstrahl kann z. B. ein ultravioletter Laserstrahl mit einer Wellenlänge von 355 nm und einem Strahldurchmesser von 17 um sein. Durch die Bildung der dritten Hohlräume 653 und der Nut 623 in der zweiten Schicht 62 wird die Basisschicht 40a abgeschieden, wie in 11 dargestellt. Die Basisschicht 40a deckt die Wandfläche ab, die die dritten Hohlräume 653 und die Nut 623 definiert. Die Basisschicht 40a besteht aus einem Metallelement, das in dem Zusatzstoff enthalten ist, der in der zweiten Schicht 62 enthalten ist. Das in dem Zusatzstoff enthaltene Metallelement wird durch Laserbestrahlung angeregt. Infolgedessen wird eine Metallschicht, die das Metallelement enthält, als Basisschicht 40a abgeschieden. Die in 10 gezeigten zweiten Hohlräume 652 werden zwar nicht genauer beschrieben, aber sie werden auf die gleiche Weise gebildet wie die dritten Hohlräume 653. Die zweiten Hohlräume 652 durchdringen die zweite Schicht 62 in z-Richtung. Die zweiten Hohlräume 652 legen die zweite Elementelektrode 14 des lichtemittierenden Halbleiterelements 1 frei.
Als nächstes wird, wie in 13 gezeigt, eine Plattierungsschicht 40b gebildet, die die Basisschicht 40a abdeckt. Die Plattierungsschicht 40b ist aus einer kupferhaltigen Schicht hergestellt. Die Plattierungsschicht 40b kann z.B. durch stromloses Abscheiden gebildet werden. Auf diese Weise werden, wie in 12 gezeigt, die zweiten eingebetteten Abschnitte 452 und die dritten eingebetteten Abschnitte 453 in den zweiten Hohlräumen 652 bzw. den dritten Hohlräumen 653 gebildet. Der zweite Abschnitt 402 für die Verbindung ist in der Nut 623 ausgebildet.
Als nächstes wird eine vierte Schicht 64 gebildet, wie in 14 gezeigt. Die vierte Schicht 64 ist auf die zweite Schicht 62 auflaminiert und deckt den zweiten Verbindungsabschnitt 402 ab. Die vierte Schicht 64 besteht aus demselben Material wie die erste Schicht 61 und die zweite Schicht 62. Die vierte Schicht 64 wird durch Formpressen hergestellt.
Als nächstes werden eingebettete Abschnitte 474, ein Verbindungsabschnitt 415, ein Verbindungsabschnitt 412 und ein Verbindungsabschnitt 413 gebildet, wie in den 15 bis 18 gezeigt.
Wie in 18 gezeigt, sind die eingebetteten Abschnitte 474 in die Hohlräume 674 eingebettet und mit der Source-Elektrode 233 verbunden. Wie in 18 gezeigt, weist jeder der eingebetteten Abschnitte 474 und der Verbindungsabschnitt 415 eine Basisschicht 40a und eine Plattierungsschicht 40b auf. Das Verfahren der Bildung der eingebetteten Abschnitte 474 und des Verbindungsabschnitts 415 weist einen Schritt der Ablagerung einer Basisschicht 40a auf den Oberflächen der zweiten Schicht 62 und der vierten Schicht 64 und einen Schritt der Bildung einer Plattierungsschicht 40b auf, die die Basisschicht 40a abdeckt.
Zunächst wird, wie in 16 gezeigt, eine Basisschicht 40a auf den Oberflächen der zweiten Schicht 62 und der vierten Schicht 64 abgeschieden. In diesem Schritt werden, wie in 15 gezeigt, mit einem Laser Hohlräume 674 und eine Nut 624 in die zweite Schicht 62 eingebracht. Die Hohlräume 674 durchdringen die vierte Schicht 64 und die zweite Schicht 62 in z-Richtung. Die Hohlräume 674 legen die Source-Elektrode 233 des Schaltelements 2 frei.
Die Hohlräume 674 werden gebildet, indem die vierte Schicht 64 und die zweite Schicht 62 mit einem Laserstrahl bestrahlt werden, bis die Source-Elektrode 233 freigelegt ist, wobei die Position der Source-Elektrode 233 z.B. durch Bilderkennung mit einer Infrarotkamera überprüft wird. Basierend auf den durch die Bilderkennung gewonnenen Informationen über die Position der Source-Elektrode 233 wird der Laserbestrahlungspunkt gegebenenfalls korrigiert. Die Nut 624 ist von der Oberfläche der vierten Schicht 64 ausgenommen und mit den Hohlräumen 674 verbunden. Die Nut 624 wird durch Bestrahlung der Oberfläche der vierten Schicht 64 mit einem Laserstrahl gebildet. Der Laserstrahl kann z. B. ein ultravioletter Laserstrahl mit einer Wellenlänge von 355 nm und einem Strahldurchmesser von 17 um sein. Durch Ausbilden der Hohlräume 674 und der Nut 624 in der zweiten Schicht 62 wird die Basisschicht 40a abgeschieden, wie in 16 gezeigt. Die Basisschicht 40a deckt die Wandfläche ab, die die Hohlräume 674 und die Nut 624 definiert. Die Basisschicht 40a besteht aus einem Metallelement, das in dem Zusatzstoff enthalten ist, der in der zweiten Schicht 62 und der vierten Schicht 64 vorhanden ist. Das in dem Zusatzstoff enthaltene Metallelement wird durch Laserbestrahlung angeregt. Infolgedessen wird eine Metallschicht, die das Metallelement enthält, als Basisschicht 40a abgeschieden. Obwohl auf eine genauere Beschreibung verzichtet wird, werden die in 15 gezeigte Nut 625 und die Nut 626 auf die gleiche Weise wie die Nut 624 gebildet.
Als nächstes wird, wie in 18 gezeigt, eine Plattierungsschicht 40b gebildet, die die Basisschicht 40a abdeckt. Die Plattierungsschicht 40b besteht aus einem kupferhaltigen Material. Die Plattierungsschicht 40b kann durch stromloses Abscheiden gebildet werden. Auf diese Weise werden, wie in 17 gezeigt, die eingebetteten Abschnitte 474 und der Verbindungsabschnitt 415 in den Hohlräumen 674 bzw. der Nut 624 gebildet. Die eingebetteten Abschnitte 474 und der Verbindungsabschnitt 415 sind miteinander verbunden. Außerdem sind ein Verbindungsabschnitt 412 und ein Verbindungsabschnitt 413 in der Nut 625 bzw. in der Nut 626 ausgebildet. Obwohl nicht dargestellt, sind die eingebetteten Abschnitte 471 und die eingebetteten Abschnitte 472 auf die gleiche Weise wie die oben beschriebenen eingebetteten Abschnitte 474 ausgebildet.
Nachdem das Laminat aus der ersten Schicht 61, der zweiten Schicht 62 und der vierten Schicht 64 umgedreht wird, so dass das lichtemittierende Halbleiterelement 1 und das Schaltelement 2 auf der oberen Seite angeordnet sind, werden der erste Verbindungsabschnitt 401 und der dritte Verbindungsabschnitt 403 gebildet, wie in 19 gezeigt. Der erste Verbindungsabschnitt 401 deckt die erste Elementelektrode 13 des lichtemittierenden Halbleiterelements 1 und einen Abschnitt der ersten Harzoberfläche 601 ab. Der dritte Verbindungsabschnitt 403 deckt die Drain-Elektrode 231 des Schaltelements 2 und einen Abschnitt der ersten Harzoberfläche 601 ab. Der erste Verbindungsabschnitt 401 und der dritte Verbindungsabschnitt 403 können durch stromloses Beschichten gebildet werden.
Als nächstes werden die Kondensatoren 3 auf dem ersten Verbindungsabschnitt 401 und dem dritten Verbindungsabschnitt 403 angeordnet. In diesem Schritt wird die Elektrode 31 jedes Kondensators 3 über ein leitendes Bondingmaterial 39 mit dem ersten Verbindungsabschnitt 401 gebondet und mit diesem elektrisch verbunden, und die Elektrode 32 wird über ein leitendes Bondingmaterial 39 an den dritten Verbindungsabschnitt 403 gebondet und mit diesem elektrisch verbunden. Schließlich werden die erste Schicht 61, die zweite Schicht 62 und die vierte Schicht 64 entlang vorbestimmter Schnittlinien CL in eine Vielzahl von Einzelstücken geschnitten, beispielsweise mit einer Waferklinge („dicing blade“). Dieser Schnitt wird so ausgeführt, dass jedes einzelne Stück ein lichtemittierendes Halbleiterelement 1, ein Schaltelement 2, zwei Kondensatoren 3 und einen Leiter 4 (Verbindungsabschnitte und eingebettete Abschnitte) aufweist, der mit diesen verbunden sind. Durch das obige Verfahren wird das lichtemittierende Halbleiterbauteil A1 hergestellt.
Wie in 21 gezeigt, kann das lichtemittierende Halbleiterbauteil A1 für ein lichtemittierendes Halbleitersystem B1 verwendet werden. Das lichtemittierende Halbleitersystem B1 weist zusätzlich zu dem lichtemittierenden Halbleiterbauteil A1 einen Gate-Treiber 91, eine DC-Leistungsversorgung (Gleichstromversorgung) 92, einen Widerstand 93 und eine Diode 94 auf.
Der Gate-Treiber 91 ist über den Verbindungsabschnitt 414 und den eingebetteten Abschnitt 473 mit der Gate-Elektrode 232 des Schaltelements 2 verbunden. Der Gate-Treiber 91 steuert die an die Gate-Elektrode 232 angelegte Antriebsspannung. Die DC-Leistungsversorgung 92 ist eine Leistungsversorgung für die Lichtemission des lichtemittierenden Halbleiterelements 1. Die Anodenelektrode der DC-Leistungsversorgung 92 ist über den Widerstand 93 mit dem Verbindungsabschnitt 413 verbunden. Die Diode 94 ist zwischen dem Verbindungsabschnitt 415 und dem Verbindungsabschnitt 412 vorgesehen, um den Stromfluss von dem Verbindungsabschnitt 412 zu dem Verbindungsabschnitt 415 zu ermöglichen. Die Diode 94 ist vorgesehen, um das Aufladen der Kondensatoren 3 zu erreichen und gleichzeitig die Anwendung einer übermäßigen Sperrspannung an das lichtemittierende Halbleiterelement 1 zu verhindern.
In dem lichtemittierenden Halbleitersystem B1 mit der obigen Ausgestaltung fließt, wenn das Schaltelement 2 AUS („OFF“) ist, der Strom IC von der DC-Leistungsversorgung 92 durch den Widerstand 93, den Verbindungsabschnitt 413, die eingebetteten Abschnitte 471, den dritten Verbindungsabschnitt 403, die Kondensatoren 3, den ersten Verbindungsabschnitt 401, die eingebetteten Abschnitte 472, den Verbindungsabschnitt 412 und die Diode 94, wodurch die Kondensatoren 3 geladen werden. Wenn das Schaltelement 2 eingeschaltet ist („ON“), fließt die im Kondensator 3 gespeicherte Ladung als Strom IL durch den dritten Verbindungsabschnitt 403, das Schaltelement 2, die dritten eingebetteten Abschnitte 453, den zweiten Verbindungsabschnitt 402, die zweiten eingebetteten Abschnitte 452, das lichtemittierende Halbleiterelement 1 und den ersten Verbindungsabschnitt 401, wodurch das lichtemittierende Halbleiterelement 1 Licht aussendet.
Die Wirkung und die Vorteile der vorliegenden Ausführungsform werden im Folgenden beschrieben.
Gemäß der vorliegenden Ausführungsform weist der Leiter 4, der den Leitungspfad zu dem lichtemittierenden Halbleiterelement 1 bildet, den ersten Verbindungsabschnitt 401, den zweiten Verbindungsabschnitt 402 und die zweiten eingebetteten Abschnitte 452 auf. Der erste Verbindungsabschnitt 401 und der zweite Verbindungsabschnitt 402 sind entlang einer Richtung senkrecht zur Dickenrichtung (z-Richtung) des lichtemittierenden Halbleiterelements 1 angeordnet (das heißt, entlang der x-y-Ebene). Der erste Verbindungsabschnitt 401 ist von der ersten Elementoberfläche 11 des lichtemittierenden Halbleiterelements 1 in der ersten Richtung der z-Richtung versetzt und elektrisch mit der ersten Elementelektrode 13 verbunden, die auf der ersten Elementoberfläche 11 angeordnet ist. Der zweite Verbindungsabschnitt 402 ist von der zweiten Elementoberfläche 12 des lichtemittierenden Halbleiterelements 1 in der zweiten Richtung der z-Richtung versetzt. Der zweite Verbindungsabschnitt 402 ist über die zweiten eingebetteten Abschnitte 452 elektrisch mit der zweiten Elementelektrode 14 verbunden, die auf der zweiten Elementoberfläche 12 angeordnet ist. Zumindest ein Abschnitt (die zweite Elementoberfläche 12) des lichtemittierenden Halbleiterelements 1 ist mit dem Dichtungsharz 6 abgedeckt, und der Leiter 4 (der erste Verbindungsabschnitt 401, der zweite Verbindungsabschnitt 402 und die zweiten eingebetteten Abschnitte 452) steht in Kontakt mit dem Dichtungsharz 6. Bei einer derartigen Ausgestaltung kann der Leitungspfad (der erste Verbindungsabschnitt 401, der zweite Verbindungsabschnitt 402 und die zweiten eingebetteten Abschnitte 452) zu der ersten Elementelektrode 13 und der zweiten Elementelektrode 14, die auf entgegengesetzten Seiten des lichtemittierenden Halbleiterelements 1 angeordnet sind, dreidimensional und platzsparend angeordnet werden. Dementsprechend kann der Strompfad (der in 21 gezeigte Strompfad IL), der fließt, wenn das lichtemittierende Halbleiterelement 1 Licht emittiert, verkürzt werden, und die Induktivitätskomponente des Strompfades kann reduziert werden. Somit ist beim Einsatz des lichtemittierenden Halbleiterbauteils A1 an einer Pulslaser-Lichtquelle für LiDAR ein schnelleres Schalten möglich, und der Spitzenwert des Stroms (Strom IL), der fließt, wenn das Licht emittierende Element 1 Licht emittiert, kann erhöht werden. Dies ist vorteilhaft für die Emission von Laserstrahlen mit kleineren Pulsbreiten und höherer Ausgangsleistung. Somit ist das lichtemittierende Halbleiterbauteil als Lichtquellenvorrichtung für LiDAR wünschenswert.
Das lichtemittierende Halbleiterbauteil A1 weist das Schaltelement 2 auf. Das Schaltelement 2 ist zumindest teilweise mit dem Dichtungsharz 6 abgedeckt und ist über der ersten Schicht 61 und der zweiten Schicht 62 angeordnet. Im Gegensatz dazu ist das lichtemittierende Halbleiterelement 1 nur in der ersten Schicht 61 angeordnet. Die zweite Oberfläche 12 des lichtemittierenden Halbleiterelements 1 und die zweite Oberfläche 22 des Schaltelements 2 befinden sich somit an unterschiedlichen Positionen in z-Richtung (Dickenrichtung). Bei der vorliegenden Ausführungsform sind die auf der zweiten Elementoberfläche 12 angeordnete zweite Elementelektrode 14 und die auf der zweiten Schaltelementoberfläche 22 angeordnete Source-Elektrode 233 über die zweiten eingebetteten Abschnitte 452, den zweiten Verbindungsabschnitt 402 und die dritten eingebetteten Abschnitte 453 elektrisch verbunden. Die zweiten eingebetteten Abschnitte 452 sind in den zweiten Hohlräumen 652 aufgenommen, die sich in z-Richtung zur zweiten Elementelektrode 14 erstrecken, und mit der zweiten Elementelektrode 14 verbunden. Die dritten eingebetteten Abschnitte 453 werden in den dritten Hohlräumen 653 aufgenommen, die sich in z-Richtung zur Source-Elektrode 233 erstrecken, und sind mit der Source-Elektrode 233 verbunden. Der zweite Verbindungsabschnitt 402 ist entlang der zweiten Oberfläche 621 der zweiten Schicht 62 angeordnet und mit den zweiten Hohlräumen 652 und den dritten Hohlräumen 653 verbunden. Die zweiten eingebetteten Abschnitte 452 und die dritten eingebetteten Abschnitte 453 haben eine Form entlang der z-Richtung, und der zweite Verbindungsabschnitt 402 befindet sich entlang der Richtung senkrecht zur z-Richtung (das heißt, entlang der x-y-Ebene) . Somit sind die zweiten eingebetteten Abschnitte 452, der zweite Verbindungsabschnitt 402 und die dritten eingebetteten Abschnitte 453, die den Leitungspfad zwischen dem lichtemittierenden Halbleiterelement 1 (der zweiten Elementelektrode 14) und der Source-Elektrode 233 bilden, nicht gebogen. Dies ist geeignet, um die Induktivitätskomponente des Pfades des durch das lichtemittierende Halbleiterbauteil A1 fließenden Stroms zu reduzieren.
Bei der vorliegenden Ausführungsform sind die zweite Elementelektrode 14 des lichtemittierenden Halbleiterelements 1 und die Source-Elektrode 233 des Schaltelements 2, die sich, wie oben beschrieben, an unterschiedlichen Positionen in der z-Richtung (der Dickenrichtung) befinden, über die zweiten eingebetteten Abschnitte 452, den zweiten Verbindungsabschnitt 402 und die dritten eingebetteten Abschnitte 453 elektrisch verbunden. Eine solche Ausgestaltung erhöht die Zuverlässigkeit der Leitung zwischen dem lichtemittierenden Halbleiterelement 1 (der zweiten Elementelektrode 14) und der Source-Elektrode 233 im Vergleich zu einer elektrischen Verbindung des lichtemittierenden Halbleiterelements und der Source-Elektrode unter Verwendung eines Drahtes, zum Beispiel. Außerdem kann der durch die zweiten eingebetteten Abschnitte 452, den zweiten Verbindungsabschnitt 402 und die dritten eingebetteten Abschnitte 453 gebildete Leitungspfad einen relativ großen Querschnittsbereich aufweisen. Dies ist geeignet, um die Induktivitätskomponente des Pfades des durch das lichtemittierende Halbleiterbauteil A1 fließenden Stroms zu reduzieren.
Der dritte Verbindungsabschnitt 403, der elektrisch mit der Drain-Elektrode 231 des Schaltelements 2 verbunden ist, ist an der gleichen Position wie der erste Verbindungsabschnitt 401 in z-Richtung angeordnet. Bei dieser Ausführungsform ist der erste Bonding-Abschnitt 401 mit der ersten Elementelektrode 13 des lichtemittierenden Halbleiterelements 1 gebondet und elektrisch mit dieser verbunden, und der dritte Verbindungsabschnitt 403 ist mit der Drain-Elektrode 231 gebondet und elektrisch mit dieser verbunden, und die Kondensatoren 3 sind auf dem ersten Verbindungsabschnitt 401 und dem dritten Verbindungsabschnitt 403 montiert. Bei einer solchen Ausgestaltung ist die Länge des Pfades von der ersten Elementelektrode 13 des lichtemittierenden Halbleiterelements 1 zur Drain-Elektrode 231 durch den ersten Verbindungsabschnitt 401, die Kondensatoren 3 und den dritten Verbindungsabschnitt 403 relativ kurz. Dies ist geeignet, um die Induktivitätskomponente des Pfades des durch das lichtemittierende Halbleiterbauteil A1 fließenden Stroms zu reduzieren.
Das lichtemittierende Halbleiterelement 1 und das Schaltelement 2 sind, in z-Richtung gesehen, voneinander getrennt angeordnet. Durch eine solche Ausgestaltung kann die Abmessung des lichtemittierenden Halbleiterbauteils A1 in z-Richtung (Dickenrichtung) verringert werden. Dementsprechend kann der Pfad des Stroms, der fließt, wenn das lichtemittierende Halbleiterelement 1 Licht emittiert, verkürzt werden, was geeignet ist, die Induktivitätskomponente des Strompfades zu reduzieren.
Der zweite Verbindungsabschnitt 402 ist zwischen der zweiten Schicht 62 und der vierten Schicht 64 angeordnet. Bei einer solchen Ausgestaltung kann der zweite Verbindungsabschnitt 402 so angeordnet werden, dass er sich mit externen Verbindungs-Terminalen (dem Verbindungsabschnitt 412, dem Verbindungsabschnitt 413 usw.) überlappt, die auf der zweiten Harzoberfläche 602 angeordnet sind. Dies ist geeignet, um die Größe des lichtemittierenden Halbleiterbauteils A1 in z-Richtung gesehen zu reduzieren.
Im Gegensatz zur vorliegenden Ausführungsform, bei der die Teile, wie ein lichtemittierendes Halbleiterelement, ein Schaltelement und ein Kondensator, zweidimensional auf einem Substrat angeordnet und mit einem Harz versiegelt bzw. abgedichtet sind, geht die Verbindung dieser Teile mit einer Vergrößerung des lichtemittierenden Halbleiterbauteils, in Dickenrichtung gesehen, einher. Dies kann zu einer Vergrößerung des Strompfades führen, der fließt, wenn das lichtemittierende Halbleiterelement Licht aussendet. Außerdem erfordert die elektrische Verbindung der Teile die Verwendung eines Drahtes. So kann die Induktivitätskomponente nicht verringert werden, wenn die Teile zweidimensional auf einem Substrat angeordnet und mit Harz versiegelt bzw. abgedichtet sind. Im Gegensatz dazu sind bei dem lichtemittierenden Halbleiterbauteil A1 der vorliegenden Ausführungsform das lichtemittierende Halbleiterelement 1 und das Schaltelement 2 innerhalb des Dichtungsharzes 6 abgedeckt. Dadurch ist es möglich, die Kondensatoren 3 dreidimensional so zu montieren, dass sie sich in z-Richtung (Dickenrichtung) gesehen mit dem lichtemittierenden Halbleiterelement 1 oder dem Schaltelement 2 überlappen. Dies ist geeignet, den Pfad des Stroms, der fließt, wenn das lichtemittierende Halbleiterelement 1 Licht aussendet, zu verkürzen und damit die Induktivitätskomponente des Strompfads zu verringern. Außerdem ist der Leiter 4, der den Leitungspfad zum lichtemittierenden Halbleiterelement 1 und zum Schaltelement 2 bildet, aus einer Vielzahl von Verbindungsabschnitten und einer Vielzahl von eingebetteten Abschnitten hergestellt, und eine elektrische Verbindung unter Verwendung eines Drahtes ist nicht erforderlich. Dadurch wird die Induktivitätskomponente des Pfades des durch das lichtemittierende Halbleiterelement 1 fließenden Stroms reduziert und die Ausbeute (der Prozentsatz der nicht fehlerhaften Produkte) des lichtemittierenden Halbleiterbauteils A1 verbessert.
22 zeigt ein lichtemittierendes Halbleiterbauteil gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. Das lichtemittierende Halbleiterbauteil A2 der vorliegenden Ausführungsform unterscheidet sich von dem lichtemittierenden Halbleiterbauteil A1 dadurch, dass das Dichtungsharz 6 eine zusätzliche Schicht aufweist, und dementsprechend weist der Leiter 4 zusätzliche Abschnitte auf. 22 ist eine Schnittansicht des lichtemittierenden Halbleiterbauteils A2. In 22 und den nachfolgenden Zeichnungen sind die Elemente, die mit denen des lichtemittierenden Halbleiterbauteils A1 der vorangehenden Ausführungsform identisch oder ähnlich sind, mit denselben Bezugszeichen versehen, und die Beschreibung derselben wird gegebenenfalls weggelassen.
Bei der vorliegenden Ausführungsform weist das Dichtungsharz 6 zusätzlich zu der ersten Schicht 61, der zweiten Schicht 62 und der vierten Schicht 64 eine dritte Schicht 63 auf. Die dritte Schicht 63 ist auf der ersten Seite der ersten Schicht 61 in z-Richtung angeordnet. Die dritte Schicht 63 hat eine dritte Oberfläche 631 und eine vierte Oberfläche 632. Die dritte Oberfläche 631 weist in die erste Richtung der z-Richtung, und die vierte Oberfläche 632 weist in die zweite Richtung der z-Richtung. Die dritte Schicht 63 deckt die erste Elementoberfläche 11 des lichtemittierenden Halbleiterelements 1 und die erste Schaltelementoberfläche 21 des Schaltelements 2 ab. Die dritte Schicht 63 besteht aus einem Material, das ein wärmehärtendes Kunstharz und einen Zusatzstoff aufweist, der ein Metallelement enthält, das einen Teil des Leiters 4 bildet. Bei der vorliegenden Ausführungsform ist die dritte Schicht 63 auf der ersten Seite der ersten Schicht 61, der zweiten Schicht 62 und der vierten Schicht 64 in z-Richtung angeordnet. Somit entspricht die dritte Oberfläche 631 der ersten Harzoberfläche 601.
Die dritte Schicht 63 weist einen ersten Hohlraum 651 und einen vierten Hohlraum 654 auf. Bei der vorliegenden Ausführungsform ist die dritte Schicht 63 mit einer Vielzahl von ersten Hohlräumen 651 und einer Vielzahl von vierten Hohlräumen 654 ausgebildet. Die ersten Hohlräume 651 sind an einer Position angeordnet, die sich in z-Richtung gesehen mit dem lichtemittierenden Halbleiterelement 1 überschneidet. Die ersten Hohlräume 651 erstrecken sich von der dritten Oberfläche 631 zur ersten Elementelektrode 13 des lichtemittierenden Halbleiterelements 1 in z-Richtung und durchdringen bei der vorliegenden Ausführungsform die dritte Schicht 63 in z-Richtung. Die vierten Hohlräume 654 sind an einer Position angeordnet, die sich in z-Richtung gesehen mit dem Schaltelement 2 überschneidet. Die vierten Hohlräume 654 erstrecken sich von der dritten Oberfläche 631 zur Drain-Elektrode 231 des Schaltelements 2 in z-Richtung und durchdringen bei der vorliegenden Ausführungsform die dritte Schicht 63 in z-Richtung.
In der vorliegenden Ausführungsform weist der Leiter 4 ferner erste eingebettete Abschnitte 451 und vierte eingebettete Abschnitte 454 auf, verglichen mit dem lichtemittierenden Halbleiterbauteil A1 gemäß der ersten Ausführungsform. Der erste Verbindungsabschnitt 401 und der dritte Verbindungsabschnitt 403 sind entlang der dritten Oberfläche 631 der dritten Schicht 63 angeordnet.
Die ersten eingebetteten Abschnitte 451 sind in den ersten Hohlräumen 651 aufgenommen und mit der ersten Elementelektrode 13 des lichtemittierenden Halbleiterelements 1 und dem ersten Verbindungsabschnitt 401 verbunden. Die vierten eingebetteten Abschnitte 454 sind in den vierten Hohlräumen 654 aufgenommen und sind mit der Drain-Elektrode 231 des Schaltelements 2 und dem dritten Verbindungsabschnitt 403 verbunden.
Bei dieser Ausführungsform weist jeder der Verbindungsabschnitte und der eingebetteten Abschnitte (einschließlich des ersten Verbindungsabschnitts 401 und des dritten Verbindungsabschnitts 403) eine Basisschicht und eine Plattierungsschicht auf. Der Laminierungszustand der Basisschicht und der Plattierungsschicht in jedem der Verbindungsabschnitte und der eingebetteten Abschnitte ist derselbe wie derjenige, der für das lichtemittierende Halbleiterbauteil A1 der ersten Ausführungsform unter Bezugnahme auf die 7 und 8 beschrieben wurde.
Ein Beispiel für ein Verfahren zur Herstellung des lichtemittierenden Halbleiterbauteils A2 wird im Folgenden unter Bezugnahme auf die 23 und 24 beschrieben. Die 23 und 24, bei denen es sich um Abschnitte handelt, die der 22 entsprechen, zeigen jeweils einen Schritt in dem Beispiel eines Verfahrens zur Herstellung des lichtemittierenden Halbleiterbauteils A2.
Das Verfahren zur Herstellung des lichtemittierenden Halbleiterbauteils A2 ist teilweise dasselbe wie das des lichtemittierenden Halbleiterbauteils A1 der vorstehenden Ausführungsform. Bei der vorliegenden Ausführungsform wird nach dem in 17 gezeigten Schritt des Verfahrens zur Herstellung des lichtemittierenden Halbleiterbauteils A1 der in 23 gezeigte Schritt ausgeführt. In dem in 23 gezeigten Schritt wird, nachdem das Laminat aus der ersten Schicht 61, der zweiten Schicht 62 und der vierten Schicht 64 umgedreht wurde, so dass das lichtemittierende Halbleiterelement 1 und das Schaltelement 2 auf der oberen Seite angeordnet sind, die dritte Schicht 63 gebildet. Die dritte Schicht 63 wird auf die erste Schicht 61 laminiert, um die erste Elementelektrode 13 des lichtemittierenden Halbleiterelements 1 und die Drain-Elektrode 231 des Schaltelements 2 abzudecken. Anschließend werden, wie in 23 gezeigt, mit einem Laser erste Hohlräume 651, vierte Hohlräume 654, eine Nut 635 und eine Nut 636 in der dritten Schicht 63 gebildet. Der Laserstrahl kann beispielsweise ein ultravioletter Laserstrahl mit einer Wellenlänge von 355 nm und einem Strahldurchmesser von 17 um sein.
Obwohl auf eine genauere Beschreibung verzichtet wird, führt die Ausbildung der ersten Hohlräume 651, der vierten Hohlräume 654, der Nut 635 und der Nut 636 zur Abscheidung der Basisschicht 40a. Die Basisschicht deckt die Wandflächen ab, die jeweils die ersten Hohlräume 651 und die vierten Hohlräume 654 sowie die Nuten 635 und 636 definieren. Die Basisschicht besteht aus einem Metallelement, das in dem Zusatzstoff enthalten ist, der in der dritten Schicht 63 enthalten ist. Das in dem Zusatzstoff enthaltene Metallelement wird durch Laserbestrahlung angeregt. Dadurch wird eine Metallschicht, die das Metallelement enthält, als Basisschicht abgeschieden.
Als nächstes werden, wie in 24 gezeigt, erste eingebettete Abschnitte 451, vierte eingebettete Abschnitte 454, ein erster Verbindungsabschnitt 401 und ein dritter Verbindungsabschnitt 403 in den ersten Hohlräumen 651, vierte Hohlräume 654, die Nut 635 bzw. die Nut 636 ausgebildet. Obwohl nicht dargestellt, werden die vierten eingebetteten Abschnitte 454, der erste Verbindungsabschnitt 401 und der dritte Verbindungsabschnitt 403 durch Bildung von Plattierungsschichten bereitgestellt, die die unter Bezugnahme auf 23 beschriebenen Basisschichten abdecken.
Als nächstes werden die Kondensatoren 3 auf dem ersten Verbindungsabschnitt 401 und dem dritten Verbindungsabschnitt 403 montiert, und schließlich werden die dritte Schicht 63, die erste Schicht 61, die zweite Schicht 62 und die vierte Schicht 64 entlang vorbestimmter Schnittlinien in eine Vielzahl von Einzelstücken geschnitten, beispielsweise mit einer Waferklinge („dicing blade“). Durch das oben beschriebene Verfahren wird das lichtemittierende Halbleiterbauteil A2 hergestellt.
Gemäß dem lichtemittierenden Halbleiterbauteil A2 der vorliegenden Ausführungsform kann der Leitungspfad (der erste Verbindungsabschnitt 401, die ersten eingebetteten Abschnitte 451, der zweite Verbindungsabschnitt 402 und die eingebetteten Abschnitte 452) zu der ersten Elementelektrode 13 und der zweiten Elementelektrode 14, die auf entgegengesetzten Seiten des lichtemittierenden Halbleiterelements 1 angeordnet sind, dreidimensional und platzsparend angeordnet werden. Dementsprechend kann der Pfad des Stroms, der fließt, wenn das lichtemittierende Halbleiterelement 1 Licht emittiert, verkürzt werden, und somit kann die Induktivitätskomponente des Strompfads reduziert werden. Das lichtemittierende Halbleiterbauteil A2 hat auch andere Vorteile, die denen des lichtemittierenden Halbleiterbauteils A1 der vorangehenden Ausführungsform ähnlich sind.
25 bis 29 zeigen ein lichtemittierendes Halbleiterbauteil gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. Das lichtemittierende Halbleiterbauteil A3 der vorliegenden Ausführungsform unterscheidet sich stark von dem lichtemittierenden Halbleiterbauteil A1 in Aufbau und Anordnung des Kondensators 3. Auch die Struktur des Leiters 4 (der Leitungspfad zu dem lichtemittierenden Halbleiterelement 1 und dem Schaltelement 2) und die Struktur des Dichtungsharzes 6 unterscheiden sich von der vorangehenden Ausführungsform.
25 ist eine schematische Draufsicht auf das lichtemittierende Halbleiterbauteil A3. 26 ist eine Vorderansicht des lichtemittierenden Halbleiterbauteils A3. 27 ist eine Ansicht von unten auf das lichtemittierende Halbleiterbauteil A3. 28 ist eine Schnittansicht entlang der Linie XXVIII-XXVIII in 25. 29 ist eine Schnittansicht entlang der Linie XXIX-XXIX in 25. 30 ist eine Teilschnittansicht entlang der Linie XXX-XXX in 25. Der Einfachheit halber sind in den 25 bis 27 das Dichtungsharz 6 und das lichtdurchlässige Harz 7 als transparent dargestellt, und die Umrisse des Dichtungsharzes 6 und des lichtdurchlässigen Harzes 7 sind gegebenenfalls durch imaginäre Linien dargestellt.
In der vorliegenden Ausführungsform unterscheidet sich die Anordnung des lichtemittierenden Halbleiterelements 1 und des Schaltelements 2 von der vorangegangenen Ausführungsform. In dem lichtemittierenden Halbleiterbauteil A3 ist das lichtemittierende Halbleiterelement 1 am oder in der Nähe des ersten Endes (das linke Ende in den 25 bis 28) in x-Richtung angeordnet und in der ersten Richtung der y-Richtung versetzt (nach unten in 25 und nach oben in 27). Außerdem ist das lichtemittierende Halbleiterelement 1 in der zweiten Richtung der z-Richtung versetzt.
In dem lichtemittierenden Halbleiterbauteil A3 ist das Schaltelement 2 in der zweiten Richtung der x-Richtung versetzt (in den 25 bis 28 nach rechts) und erstreckt sich fast vollständig entlang der y-Richtung. Das Schaltelement 2 ist in z-Richtung gesehen von dem lichtemittierenden Halbleiterelement 1 beabstandet. Das Schaltelement 2 ist in der zweiten Richtung der z-Richtung versetzt.
Die Drain-Elektrode 231 des Schaltelements 2 deckt die erste Schaltelementoberfläche 21 nahezu vollständig ab. Die Gate-Elektrode 232 ist auf der zweiten Schaltelementoberfläche 22 angeordnet, und zwar im dargestellten Beispiel in einem Bereich der zweiten Schaltelementoberfläche 22, der im zweiten Sinn der x-Richtung und auch im ersten Sinn der y-Richtung versetzt ist. Auf der zweiten Schaltelementoberfläche 22 sind Source-Elektroden 233 angeordnet. In dem dargestellten Beispiel sind zwei Source-Elektroden 233 vorgesehen. Eine der Source-Elektroden 233 ist auf der zweiten Schaltelementoberfläche 22 an einer im ersten Sinn der x-Richtung versetzten Position und in Form eines in y-Richtung langgestreckten Rechtecks angeordnet. Die andere Source-Elektrode 233 ist auf der zweiten Schaltelementoberfläche 22 in der zweiten Richtung der x-Richtung versetzt und in y-Richtung langgestreckt angeordnet. Bei dieser Source-Elektrode 233 ist die Ecke an der zweiten Seite in x-Richtung und an der zweiten Seite in y-Richtung weggeschnitten, so dass die Gate-Elektrode 232 angeordnet ist.
Der Kondensator 3 hat, in z-Richtung gesehen, die Form einer rechteckigen Platte. Der Kondensator 3 hat eine Elektrode 31 und eine Elektrode 32. Bei der vorliegenden Ausführungsform sind die Elektrode 31 und die Elektrode 32 auf entgegengesetzten Seiten des Kondensators 3 in der z-Richtung (Dickenrichtung) angeordnet. Die Elektrode 31 ist auf der Oberfläche des Kondensators 3 angeordnet, die in die erste Richtung der z-Richtung weist, und die Elektrode 32 ist auf der Oberfläche des Kondensators 3 angeordnet, die in die zweite Richtung der z-Richtung weist. In der vorliegenden Ausführungsform ist der Kondensator 3 ein dünner Siliziumkondensator.
In dem lichtemittierenden Halbleiterbauteil A3 ist der Kondensator 3 ungefähr in der Mitte in x-Richtung und in der ersten Richtung der y-Richtung versetzt angeordnet (nach unten in 25 und nach oben in 27). Außerdem ist der Kondensator 3 in der ersten Richtung der z-Richtung versetzt. Die Größe des Kondensators 3 ist in z-Richtung gesehen kleiner als die des Schaltelements 2. Das Schaltelement 2 und der Kondensator 3 überlappen sich in z-Richtung gesehen. Bei der vorliegenden Ausführungsform überlappt sich das Schaltelement 2 mit dem gesamten Kondensator 3 in z-Richtung gesehen.
Das Dichtungsharz 6 deckt zumindest einen Teil des lichtemittierenden Halbleiterelements 1, des Schaltelements 2 und des Kondensators 3 ab. Das Dichtungsharz 6 besteht aus einem Material, das ein wärmehärtendes Kunstharz und einen Zusatzstoff aufweist, der ein Metallelement enthält, das einen Teil des Leiters 4 bildet. Beispiele für das Kunstharz weisen Epoxidharz und Polyimidharz auf.
In der vorliegenden Ausführungsform weist das Dichtungsharz 6 eine erste Schicht 61, eine zweite Schicht 62 und eine dritte Schicht 63 auf. Die zweite Schicht 62 ist auf der zweiten Seite der ersten Schicht 61 in z-Richtung angeordnet. Das Schaltelement 2 ist über der ersten Schicht 61 und der zweiten Schicht 62 angeordnet. Die dritte Schicht 63 ist auf der ersten Seite der ersten Schicht 61 in z-Richtung angeordnet. Die dritte Schicht 63 weist eine dritte Oberfläche 631 und eine vierte Oberfläche 632 auf. Die dritte Oberfläche 631 weist in die erste Richtung der z-Richtung, und die vierte Oberfläche 632 weist in die zweite Richtung der z-Richtung. Die dritte Schicht 63 deckt den Kondensator 3 ab. Der Kondensator 3 ist zwischen der dritten Oberfläche 631 und der vierten Oberfläche 632 in z-Richtung angeordnet. Bei der vorliegenden Ausführungsform ist die dritte Schicht 63 auf der ersten Seite der ersten Schicht 61 und der zweiten Schicht 62 in z-Richtung angeordnet. Somit entspricht die dritte Oberfläche 631 der dritten Schicht 63 der ersten Harzoberfläche 601. Die zweite Schicht 62 ist an der zweiten Seite der ersten Schicht 61 und der dritten Schicht 63 in z-Richtung angeordnet. Somit entspricht die zweite Oberfläche 621 der zweiten Schicht 62 der zweiten Harzoberfläche 602.
In der vorliegenden Ausführungsform weist die dritte Schicht 63 eine untere Schicht 63A und eine obere Schicht 63B auf. Die untere Schicht 63A ist auf die erste Oberfläche 611 der ersten Schicht 61 laminiert. Die obere Schicht 63B ist auf die untere Schicht 63A auflaminiert. Die obere Schicht 63B hat die dritte Oberfläche 631, und die untere Schicht 63A hat die vierte Oberfläche 632. Die untere Schicht 63A und die obere Schicht 63B werden in verschiedenen Schritten gebildet.
Bei dieser Ausführungsform weist das Dichtungsharz 6 eine Vielzahl von ersten Hohlräumen 651, eine Vielzahl von zweiten Hohlräumen 652, eine Vielzahl von dritten Hohlräumen 653, eine Vielzahl von fünften Hohlräumen 655, eine Vielzahl von sechsten Hohlräumen 656, eine Vielzahl von Hohlräumen 675, einen Hohlraum 676, einen Hohlraum 677 und einen Hohlraum 678 auf.
Die ersten Hohlräume 651 sind an einer Position angeordnet, die sich mit dem lichtemittierenden Halbleiterelement 1 in z-Richtung gesehen überschneidet. Die ersten Hohlräume 651 erstrecken sich von der dritten Oberfläche 631 zur ersten Elementelektrode 13 des lichtemittierenden Halbleiterelements 1 in z-Richtung und durchdringen bei der vorliegenden Ausführungsform die dritte Schicht 63 (die untere Schicht 63A und die obere Schicht 63B) in z-Richtung.
Die zweiten Hohlräume 652 sind an einer Position angeordnet, die das lichtemittierende Halbleiterelement 1 in der z-Richtung gesehen überlappt. Die zweiten Hohlräume 652 erstrecken sich von der zweiten Oberfläche 621 der zweiten Schicht 62 zur zweiten Elementelektrode 14 des lichtemittierenden Halbleiterelements 1 in z-Richtung und durchdringen bei der vorliegenden Ausführungsform die zweite Schicht 62 in z-Richtung.
Die dritten Hohlräume 653 sind an einer Position angeordnet, die sich in z-Richtung gesehen mit der Source-Elektrode 233 des Schaltelements 2 überschneidet. Die dritten Hohlräume 653 erstrecken sich von der zweiten Oberfläche 621 der zweiten Schicht 62 bis zur Source-Elektrode 233 in z-Richtung und durchdringen bei der vorliegenden Ausführungsform die zweite Schicht 62 in z-Richtung.
Die fünften Hohlräume 655 sind an einer Position angeordnet, die sich in z-Richtung gesehen mit dem Kondensator 3 überschneidet. Die fünften Hohlräume 655 erstrecken sich von der dritten Oberfläche 631 der dritten Schicht 63 zur Elektrode 31 des Kondensators 3 in z-Richtung und durchdringen bei der vorliegenden Ausführungsform die dritte Schicht 63 (die obere Schicht 63B) in z-Richtung.
Die sechsten Hohlräume 656 sind an einer Position angeordnet, die sich in z-Richtung gesehen mit dem Kondensator 3 überschneidet. Die sechsten Hohlräume 656 erstrecken sich von der Elektrode 31 des Kondensators 3 zur Drain-Elektrode 231 des Schaltelements 2 in z-Richtung und durchdringen in der vorliegenden Ausführungsform die dritte Schicht 63 (die untere Schicht 63A) in z-Richtung.
Die Hohlräume 675 sind an einer Position angeordnet, die sich in z-Richtung gesehen mit dem Schaltelement 2 überschneidet. Die Hohlräume 675 erstrecken sich von der dritten Oberfläche 631 bis zur Drain-Elektrode 231 in z-Richtung und durchdringen die dritte Schicht 63 (die untere Schicht 63A und die obere Schicht 63B) in z-Richtung. Der Hohlraum 676 ist an einer Position angeordnet, die sich mit der Gate-Elektrode 232 des Schaltelements 2 überschneidet, gesehen in z-Richtung. Der Hohlraum 676 erstreckt sich von der zweiten Oberfläche 621 der zweiten Schicht 62 bis zur Gate-Elektrode 232 in z-Richtung und durchdringt bei der vorliegenden Ausführungsform die zweite Schicht 62 in z-Richtung. Der Hohlraum 677 und der Hohlraum 678 durchdringen jeweils die erste Schicht 61, die zweite Schicht 62 und die dritte Schicht 63 (die untere Schicht 63A und die obere Schicht 63B) in der z-Richtung.
In der vorliegenden Ausführungsform weist der Leiter 4 einen ersten Verbindungsabschnitt 401, einen zweiten Verbindungsabschnitt 402, einen Verbindungsabschnitt 416, einen Verbindungsabschnitt 417, einen Verbindungsabschnitt 418, einen Verbindungsabschnitt 419, erste eingebettete Abschnitte 451, zweite eingebettete Abschnitte 452, dritte eingebettete Abschnitte 453, fünfte eingebettete Abschnitte 455, sechste eingebettete Abschnitte 456, eingebettete Abschnitte 475, einen eingebetteten Abschnitt 476, einen eingebetteten Abschnitt 477 und einen eingebetteten Abschnitt 478 auf.
Der erste Verbindungsabschnitt 401 ist von der ersten Elementoberfläche 11 des lichtemittierenden Halbleiterelements 1 in der ersten Richtung der z-Richtung versetzt. Der erste Verbindungsabschnitt 401 ist entlang der dritten Oberfläche 631 (der ersten Harzoberfläche 601) der dritten Schicht 63 angeordnet. Der erste Verbindungsabschnitt 401 ist im den meisten Bereichen des lichtemittierenden Halbleiterbauteils A3 vorgesehen, mit Ausnahme der Ecke auf der zweiten Seite in x-Richtung (der rechten Seite in 25) und auf der zweiten Seite in y-Richtung (der oberen Seite in 25), gesehen in z-Richtung. Der erste Verbindungsabschnitt 401 überlappt das gesamte lichtemittierende Halbleiterelement 1 und einen Abschnitt des Schaltelements 2 in z-Richtung gesehen.
Der Verbindungsabschnitt 416 ist entlang der dritten Oberfläche 631 (der ersten Harzoberfläche 601) der dritten Schicht 63 angeordnet. Der Verbindungsabschnitt 416 ist in der Ecke auf der zweiten Seite in der x-Richtung (der rechten Seite in 25) und auf der zweiten Seite in der y-Richtung (der oberen Seite in 25) des lichtemittierenden Halbleiterbauteils A3, in der z-Richtung gesehen, angeordnet. Der Verbindungsabschnitt 416 überlappt mit einem Abschnitt des Schaltelements 2 in z-Richtung gesehen.
Der zweite Verbindungsabschnitt 402 ist von der zweiten Elementoberfläche 12 des lichtemittierenden Halbleiterelements 1 in der zweiten Richtung der z-Richtung versetzt. Der zweite Verbindungsabschnitt 402 ist entlang der zweiten Oberfläche 621 der zweiten Schicht 62 (der zweiten Harzoberfläche 602) angeordnet. Der zweite Verbindungsabschnitt 402 ist in einem Bereich des lichtemittierenden Halbleiterbauteils A3 angeordnet, der einen Abschnitt nahe dem Rand auf der zweiten Seite in der x-Richtung ausschließt. Der zweite Verbindungsabschnitt 402 überlappt mit dem gesamten lichtemittierenden Halbleiterelement 1 und einem Abschnitt des Schaltelements 2 in der z-Richtung gesehen.
Der Verbindungsabschnitt 417 ist entlang der zweiten Oberfläche 621 der zweiten Schicht 62 (der zweiten Harzoberfläche 602) angeordnet. Der Verbindungsabschnitt 417 ist an einer Position angeordnet, die in der zweiten Richtung der x-Richtung (nach rechts in 27) und auch in der ersten Richtung der y-Richtung (nach oben in 27), in z-Richtung gesehen, versetzt ist. Der Verbindungsabschnitt 417 überlappt mit einem Abschnitt des Schaltelements 2 (der Gate-Elektrode 232) in z-Richtung gesehen.
Der Verbindungsabschnitt 418 ist entlang der zweiten Oberfläche 621 der zweiten Schicht 62 (der zweiten Harzoberfläche 602) angeordnet. Der Verbindungsabschnitt 418 ist in der Ecke auf der zweiten Seite in der x-Richtung und auf der ersten Seite in der y-Richtung angeordnet, gesehen in der z-Richtung.
Der Verbindungsabschnitt 419 ist entlang der zweiten Oberfläche 621 der zweiten Schicht 62 (der zweiten Harzoberfläche 602) angeordnet. Der Verbindungsabschnitt 419 ist in der Ecke auf der zweiten Seite in der x-Richtung und auf der zweiten Seite in der y-Richtung, gesehen in der z-Richtung, angeordnet.
Der zweite Verbindungsabschnitt 402, der Verbindungsabschnitt 417, der Verbindungsabschnitt 418 und der Verbindungsabschnitt 419, die entlang der zweiten Oberfläche 621 der zweiten Schicht 62 (der zweiten Harzoberfläche 602) angeordnet sind, sind voneinander beabstandet. Der zweite Verbindungsabschnitt 402 und die Verbindungsabschnitte 417, 418 und 419 werden als externe Verbindungs-Terminals bei der Montage des lichtemittierenden Halbleiterbauteils A3 an einer Leiterplatte (nicht gezeigt) verwendet.
Die ersten eingebetteten Abschnitte 451 sind in den ersten Hohlräumen 651 aufgenommen und mit der ersten Elementelektrode 13 des lichtemittierenden Halbleiterelements 1 und dem ersten Verbindungsabschnitt 401 verbunden. In der vorliegenden Ausführungsform ist eine Vielzahl von ersten eingebetteten Abschnitten 451 vorgesehen. In dem dargestellten Beispiel sind die ersten eingebetteten Abschnitte 451 entlang der x-Richtung angeordnet.
Die zweiten eingebetteten Abschnitte 452 sind in den zweiten Hohlräumen 652 aufgenommen und mit der zweiten Elementelektrode 14 des lichtemittierenden Halbleiterelements 1 und dem zweiten Verbindungsabschnitt 402 verbunden. In der vorliegenden Ausführungsform ist eine Vielzahl von zweiten eingebetteten Abschnitten 452 vorgesehen. In dem dargestellten Beispiel sind die zweiten eingebetteten Abschnitte 452 entlang der x-Richtung angeordnet.
Die dritten eingebetteten Abschnitte 453 sind in den dritten Hohlräumen 653 aufgenommen und mit der Source-Elektrode 233 des Schaltelements 2 und dem zweiten Verbindungsabschnitt 402 verbunden. In der vorliegenden Ausführungsform ist eine Vielzahl von dritten eingebetteten Abschnitten 453 vorgesehen. In dem dargestellten Beispiel sind die dritten eingebetteten Abschnitte 453 in einer Matrix entlang der x-Richtung und der y-Richtung angeordnet.
Die fünften eingebetteten Abschnitte 455 sind in den fünften Hohlräumen 655 aufgenommen und mit der Elektrode 31 des Kondensators 3 und dem ersten Verbindungsabschnitt 401 verbunden. In der vorliegenden Ausführungsform ist eine Vielzahl von fünften eingebetteten Abschnitten 455 vorgesehen. In dem dargestellten Beispiel sind die fünften eingebetteten Abschnitte 455 in einer Matrix entlang der x-Richtung und der y-Richtung angeordnet.
Die sechsten eingebetteten Abschnitte 456 sind in den sechsten Hohlräumen 656 aufgenommen und mit der Drain-Elektrode 231 des Schaltelements 2 und der Elektrode 32 des Kondensators 3 verbunden. In der vorliegenden Ausführungsform ist eine Vielzahl von sechsten eingebetteten Abschnitten 456 vorgesehen. In dem dargestellten Beispiel sind die sechsten eingebetteten Abschnitte 456 in einer Matrix entlang der x-Richtung und der y-Richtung angeordnet.
Die eingebetteten Abschnitte 475 sind in den Hohlräumen 675 aufgenommen und mit der Drain-Elektrode 231 und dem Verbindungsabschnitt 416 verbunden. In der vorliegenden Ausführungsform ist eine Vielzahl von eingebetteten Abschnitten 475 vorgesehen. In dem dargestellten Beispiel sind die eingebetteten Abschnitte 475 entlang der y-Richtung angeordnet. Der eingebettete Abschnitt 476 ist in dem Hohlraum 676 aufgenommen und mit der Gate-Elektrode 232 und dem Verbindungsabschnitt 417 verbunden. Der eingebettete Abschnitt 477 wird in dem Hohlraum 677 aufgenommen und ist mit dem ersten Verbindungsabschnitt 401 und dem Verbindungsabschnitt 418 verbunden. Der eingebettete Abschnitt 478 wird in dem Hohlraum 678 aufgenommen und ist mit dem Verbindungsabschnitt 416 und dem Verbindungsabschnitt 419 verbunden.
Obwohl nicht genauer gesagt, hat jeder der Verbindungsabschnitte und der eingebetteten Abschnitte eine Basisschicht und eine Plattierungsschicht. Die Basisschicht besteht aus einem Metallelement, das in dem Zusatzstoff enthalten ist, der in dem Dichtungsharz 6 (der ersten Schicht 61, der zweiten Schicht 62 und der dritten Schicht 63) vorhanden ist.
Das Verfahren zur Herstellung des lichtemittierenden Halbleiterbauteils A3 ist das gleiche wie das des lichtemittierenden Halbleiterbauteils A1, bis die erste Schicht 61 und die zweite Schicht 62 durch Formpressen gebildet werden und die eingebetteten Abschnitte und die Verbindungsabschnitte an vorbestimmten Positionen in der zweiten Schicht 62 gebildet werden. Danach werden die erste Schicht 61 und die zweite Schicht 62, die jeweils die Form einer Platte haben, umgedreht, und die untere Schicht 63A wird gebildet. Die untere Schicht 63A wird auf die erste Schicht 61 laminiert und deckt die erste Elementelektrode 13 des lichtemittierenden Halbleiterelements 1 und die Drain-Elektrode 231 des Schaltelements 2 ab. Die untere Schicht 63A wird durch Formpressen hergestellt. Anschließend werden die sechsten Hohlräume 656 in der unteren Schicht 63A mit einem Laser geformt, so dass auf den Wandflächen, die die sechsten Hohlräume 656 definieren, Basisschichten abgeschieden werden. Als nächstes werden Plattierungsschichten, die die Basisschichten abdecken, gebildet, um die sechsten eingebetteten Abschnitte 456 bereitzustellen. Als nächstes wird ein Kondensator 3 an einer vorbestimmten Position auf der unteren Schicht 63A angeordnet und eine obere Schicht 63B, die auf die untere Schicht 63A laminiert ist, gebildet. Bei der Anordnung des Kondensators 3 können die Elektrode 32 des Kondensators 3 und die sechsten eingebetteten Abschnitte 456 mit einem leitenden Bondingmaterial wie z. B. Silberpaste gebondet werden. Die obere Schicht 63B wird durch Formpressen hergestellt. Anschließend wird eine Vielzahl von fünften Hohlräumen 655 mit einem Laser in die obere Schicht 63B eingebracht. Außerdem werden mit einem Laser erste Hohlräume 651 und Hohlräume 675 in der oberen Schicht 63B und der unteren Schicht 63A gebildet, ein Hohlraum 677 und ein Hohlraum 678 in der oberen Schicht 63B, der unteren Schicht 63A, der ersten Schicht 61 und der zweiten Schicht 62, und eine Vielzahl von Nuten wird in der dritten Oberfläche 631 der dritten Schicht 63 (der ersten Harzoberfläche 601) ausgebildet. Durch dieses Verfahren werden in diesen Hohlräumen und Nuten Basisschichten abgeschieden. Anschließend werden Plattierungsschichten, die diese Basisschichten abdecken, gebildet, um die ersten eingebetteten Abschnitte 451, die fünften eingebetteten Abschnitte 455, die eingebetteten Abschnitte 475, den eingebetteten Abschnitt 477, den eingebetteten Abschnitt 478, den ersten Verbindungsabschnitt 401 und den Verbindungsabschnitt 416 zu bilden. Danach werden die dritte Schicht 63, die erste Schicht 61 und die zweite Schicht 62 entlang vorbestimmter Schnittlinien in eine Vielzahl von Einzelteilen geschnitten. Durch das obige Verfahren wird das lichtemittierende Halbleiterbauteil A3 hergestellt.
Obwohl in den Figuren nicht dargestellt, kann das lichtemittierende Halbleiterbauteil A3 z.B. an eine externe DC-Leistungsversorgung angeschlossen werden. In diesem Fall fließt bei ausgeschaltetem Schaltelement 2 („OFF“) Strom von der DC-Leistungsversorgung zum Kondensator 3, so dass der Kondensator 3 aufgeladen wird. Wenn das Schaltelement 2 eingeschaltet ist („ON“), fließt der Strom aufgrund der in dem Kondensator 3 gespeicherten elektrischen Ladung durch den Pfad der sechsten eingebetteten Abschnitte 456, des Schaltelements 2, der dritten eingebetteten Abschnitte 453, des zweiten Verbindungsabschnitts 402, der zweiten eingebetteten Abschnitte 452, des lichtemittierenden Halbleiterelements 1, der ersten eingebetteten Abschnitte 451, des ersten Verbindungsabschnitts 401 und der fünften eingebetteten Abschnitte 455, wodurch das lichtemittierende Halbleiterelement 1 Licht aussendet.
In dem lichtemittierenden Halbleiterbauteil A3 der vorliegenden Ausführungsform weist der Leiter 4, der den Leitungspfad zu dem lichtemittierenden Halbleiterelement 1 bildet, den ersten Verbindungsabschnitt 401, die ersten eingebetteten Abschnitte 451, den zweiten Verbindungsabschnitt 402 und die zweiten eingebetteten Abschnitte 452 auf. Der erste Verbindungsabschnitt 401 ist über die ersten eingebetteten Abschnitte 451 elektrisch mit der ersten Elementelektrode 13 des lichtemittierenden Halbleiterelements 1 verbunden. Der zweite Verbindungsabschnitt 402 ist über die zweiten eingebetteten Abschnitte 452 elektrisch mit der zweiten Elementelektrode 14 des lichtemittierenden Halbleiterelements 1 verbunden. Zumindest ein Abschnitt (die zweite Elementoberfläche 12) des lichtemittierenden Halbleiterelements 1 ist mit dem Dichtungsharz 6 abgedeckt, und der Leiter 4 (der erste Verbindungsabschnitt 401, der zweite Verbindungsabschnitt 402 und die zweiten eingebetteten Abschnitte 452) steht in Kontakt mit dem Dichtungsharz 6. Mit einer solchen Ausgestaltung kann der Leitungspfad (der erste Verbindungsabschnitt 401, die ersten eingebetteten Abschnitte 451, der zweite Verbindungsabschnitt 402 und die zweiten eingebetteten Abschnitte 452) zur ersten Elementelektrode 13 und zur zweiten Elementelektrode 14, die auf entgegengesetzten Seiten des lichtemittierenden Halbleiterelements 1 angeordnet sind, dreidimensional und platzsparend angeordnet werden. Dementsprechend kann der Pfad des Stroms, der fließt, wenn das lichtemittierende Halbleiterelement 1 Licht emittiert, verkürzt und damit die Induktivitätskomponente des Strompfads reduziert werden.
Zumindest ein Abschnitt des Schaltelements 2 und des Kondensators 3 ist mit dem Dichtungsharz 6 abgedeckt. Der Leiter 4 weist die fünften eingebetteten Abschnitte 455 und die sechsten eingebetteten Abschnitte 456 auf, die entlang der z-Richtung angeordnet sind. Die fünften eingebetteten Abschnitte 455 sind mit dem ersten Verbindungsabschnitt 401 und der Elektrode 31 des Kondensators 3 verbunden, und die sechsten eingebetteten Abschnitte 456 sind mit der Elektrode 32 des Kondensators 3 und der Drain-Elektrode 231 des Schaltelements 2 verbunden. Mit einer solchen Ausgestaltung kann die Länge des Pfades von der ersten Elementelektrode 13 des lichtemittierenden Halbleiterelements 1 zur Drain-Elektrode 231 durch die ersten eingebetteten Abschnitte 451, den ersten Verbindungsabschnitt 401, die fünften eingebetteten Abschnitte 455, den Kondensator 3 und die sechsten eingebetteten Abschnitte 456 relativ kurz gehalten werden. Dies ist geeignet, um die Induktivitätskomponente des Pfades des durch das lichtemittierende Halbleiterbauteil A3 fließenden Stroms zu reduzieren.
Das Dichtungsharz 6 weist die dritte Schicht 63 auf, die auf die erste Seite der ersten Schicht 61 in der z-Richtung laminiert ist, und der Kondensator 3 ist zwischen der dritten Oberfläche 631 und der vierten Oberfläche 632 der dritten Schicht 63 in der z-Richtung angeordnet. Als Kondensator 3 wird ein dünner Siliziumkondensator verwendet. Bei einer solchen Ausgestaltung ist der Kondensator 3 zusammen mit dem lichtemittierenden Halbleiterelement 1 und dem Schaltelement 2 in das Dichtungsharz 6 eingebettet, um platzsparend dreidimensional angeordnet werden zu können. In der vorliegenden Ausführungsform sind das lichtemittierende Halbleiterelement 1 und das Schaltelement 2 in z-Richtung gesehen voneinander getrennt angeordnet. Das Schaltelement 2 überlappt sich in z-Richtung gesehen mit dem gesamten Kondensator 3. Eine solche Ausgestaltung ermöglicht es, die Abmessung des lichtemittierenden Halbleiterbauteils A3 in z-Richtung (Dickenrichtung) zu reduzieren und gleichzeitig die Größe des lichtemittierenden Halbleiterbauteils A3 in z-Richtung gesehen zu verringern. Dies ist geeignet, den Pfad des Stroms zu verkürzen, der fließt, wenn das lichtemittierende Halbleiterelement 1 Licht emittiert, und ist daher geeignet, die Induktivitätskomponente des Strompfads zu verringern.
Darüber hinaus ist der Leiter 4, der den Leitungspfad zu dem lichtemittierenden Halbleiterelement 1 und dem Schaltelement 2 bildet, aus einer Vielzahl von Verbindungsabschnitten und einer Vielzahl von eingebetteten Abschnitten hergestellt, und eine elektrische Verbindung unter Verwendung eines Drahtes ist nicht erforderlich. Dadurch wird die Induktivitätskomponente des Pfades des durch das lichtemittierende Halbleiterbauteil A3 fließenden Stroms reduziert und die Ausbeute (der Prozentsatz der nicht defekten Produkte) des lichtemittierenden Halbleiterbauteils A3 verbessert.
31 bis 36 zeigen ein lichtemittierendes Halbleiterbauteil gemäß einer vierten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. Das lichtemittierende Halbleiterbauteil A4 der vorliegenden Ausführungsform unterscheidet sich von dem lichtemittierenden Halbleiterbauteil A3 hauptsächlich in der Struktur eines Abschnitts des Leiters 4 und der Struktur des Dichtungsharzes 6.
31 ist eine schematische Draufsicht auf das lichtemittierende Halbleiterbauteil A4. 32 ist eine Vorderansicht des lichtemittierenden Halbleiterbauteils A4. 33 ist eine Ansicht von unten auf das lichtemittierende Halbleiterbauteil A4. 34 ist eine Schnittansicht entlang der Linie XXXIV-XXXIV in 31. 35 ist eine Schnittansicht entlang der Linie XXXV-XXXV in 31. 36 ist eine Schnittansicht entlang der Linie XXXVI-XXXVI in 31. Der Einfachheit halber sind in den 31 bis 33 das Dichtungsharz 6 und das lichtdurchlässige Harz 7 als transparent dargestellt, und die Umrisse des Dichtungsharzes 6 und des lichtdurchlässigen Harzes 7 sind gegebenenfalls durch imaginäre Linien dargestellt.
Bei dem lichtemittierenden Halbleiterbauteil A4 der vorliegenden Ausführungsform weist das Dichtungsharz 6 eine erste Schicht 61, eine zweite Schicht 62 und eine dritte Schicht 63 auf, wie bei dem lichtemittierenden Halbleiterbauteil A3. Obwohl die dritte Schicht 63 bei dem lichtemittierenden Halbleiterbauteil A3 die untere Schicht 63A und die obere Schicht 63B aufweist, ist die dritte Schicht 63 bei der vorliegenden Ausführungsform eine einzige Schicht. Bei der vorliegenden Ausführungsform ist die Abmessung der dritten Schicht 63 in der z-Richtung (Dickenrichtung) kleiner als die der dritten Schicht 63 des lichtemittierenden Halbleiterbauteils A3.
Der Leiter 4 weist nicht die sechsten eingebetteten Abschnitte 456 auf, was ein Unterschied zu dem lichtemittierenden Halbleiterbauteil A3 ist. Der Kondensator 3 ist so angeordnet, dass er auf dem Schaltelement 2 aufliegt. Wie in 34 gezeigt, ist im dargestellten Beispiel die Elektrode 32 des Kondensators 3 mit einem leitenden Bondingmaterial 39 an die Drain-Elektrode 231 gebondet und mit dieser elektrisch verbunden. Bei dem leitenden Bondingmaterial 39 kann es sich beispielsweise um Silberpaste handeln.
Im Gegensatz zum Verfahren zur Herstellung des lichtemittierenden Halbleiterbauteils A3 weist das Verfahren zur Herstellung des lichtemittierenden Halbleiterbauteils A4 nicht die Schritte der Bildung der unteren Schicht 63A und der Bildung der sechsten eingebetteten Abschnitte 456 auf. Das Verfahren zur Herstellung des lichtemittierenden Halbleiterbauteils A4 ist das gleiche wie das des lichtemittierenden Halbleiterbauteils A1, bis die erste Schicht 61 und die zweite Schicht 62 durch Formpressen gebildet werden und die eingebetteten Abschnitte und Verbindungsabschnitte an vorbestimmten Positionen in der zweiten Schicht 62 gebildet werden. Danach werden die erste Schicht 61 und die zweite Schicht 62, die jeweils die Form einer Platte haben, umgedreht, und die Elektrode 32 des Kondensators 3 wird mit einem leitenden Bondingmaterial 39 an die Drain-Elektrode 231 gebondet, die von der ersten Schicht 61 aus freiliegt. Anschließend wird die dritte Schicht 63 auf der ersten Schicht 61 gebildet. Die dritte Schicht 63 ist eine einzige Schicht und deckt die erste Elementelektrode 13 des lichtemittierenden Halbleiterelements 1 und die Drain-Elektrode 231 des Schaltelements 2 ab. Die dritte Schicht 63 wird durch Formpressen hergestellt. Die nachfolgenden Schritte sind die gleichen wie bei dem lichtemittierenden Halbleiterbauteil A3.
In dem lichtemittierenden Halbleiterbauteil A4 der vorliegenden Ausführungsform fließt, wenn das Schaltelement 2 eingeschaltet ist („ON“), der Strom aufgrund der in dem Kondensator 3 gespeicherten elektrischen Ladung durch den Pfad des Schaltelements 2, der dritten eingebetteten Abschnitte 453, des zweiten Verbindungsabschnitts 402, der zweiten eingebetteten Abschnitte 452, des lichtemittierenden Halbleiterelements 1, der ersten eingebetteten Abschnitte 451, des ersten Verbindungsabschnitts 401 und der fünften eingebetteten Abschnitte 455, wodurch das lichtemittierende Halbleiterelement 1 Licht aussendet.
Gemäß dem lichtemittierenden Halbleiterbauteil A4 der vorliegenden Ausführungsform kann der Leitungspfad (der erste Verbindungsabschnitt 401, die ersten eingebetteten Abschnitte 451, der zweite Verbindungsabschnitt 402 und die zweiten eingebetteten Abschnitte 452) zu der ersten Elementelektrode 13 und der zweiten Elementelektrode 14, die auf entgegengesetzten Seiten des lichtemittierenden Halbleiterelements 1 angeordnet sind, dreidimensional und platzsparend angeordnet werden. Dementsprechend kann der Pfad des Stroms, der fließt, wenn das lichtemittierende Halbleiterelement 1 Licht emittiert, verkürzt werden, und somit kann die Induktivitätskomponente des Strompfads reduziert werden. Das lichtemittierende Halbleiterbauteil A2 hat auch andere Vorteile, die denen des lichtemittierenden Halbleiterbauteils A3 der vorhergehenden Ausführungsform ähnlich sind.
Im Gegensatz zu dem lichtemittierenden Halbleiterbauteil A3 weist das lichtemittierende Halbleiterbauteil A4 der vorliegenden Ausführungsform nicht die sechsten eingebetteten Abschnitte 456 auf, und der Kondensator 3 ist mit der Drain-Elektrode 231 gebondet und elektrisch verbunden. Durch eine solche Ausgestaltung wird die Abmessung des lichtemittierenden Halbleiterbauteils A4 in der z-Richtung (Dickenrichtung) weiter verringert. Dementsprechend kann der Pfad des Stroms, der fließt, wenn das lichtemittierende Halbleiterelement 1 Licht aussendet, verkürzt werden, und somit kann die Induktivitätskomponente des Strompfads reduziert werden.
37 bis 42 zeigen ein lichtemittierendes Halbleiterbauteil gemäß einer fünften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. Das lichtemittierende Halbleiterbauteil A5 der vorliegenden Ausführungsform unterscheidet sich in der Ausgestaltung und Anordnung des Schaltelements 2 stark von den vorangehenden Ausführungsformen. Dementsprechend unterscheiden sich auch der Aufbau des Leiters 4 (der Leitungspfad zum Halbleiter-Lichtemissionselement 1 und zum Schaltelement 2) und der Aufbau des Dichtungsharzes 6 von den vorangegangenen Ausführungsformen.
37 ist eine schematische Draufsicht auf das lichtemittierende Halbleiterbauteil A5. 38 ist eine Vorderansicht des lichtemittierenden Halbleiterbauteils A5. 39 ist eine Ansicht von unten auf das lichtemittierende Halbleiterbauteil A5, in der das Schaltelement weggelassen ist. 40 ist eine Schnittansicht entlang der Linie XL-XL in 37. 41 ist eine Schnittansicht entlang der Linie XLI-XLI in 37. 42 ist eine Schnittansicht entlang der Linie XLII-XLII in 37. Der Einfachheit halber sind in den 37 bis 39 das Dichtungsharz 6 und das lichtdurchlässige Harz 7 als transparent dargestellt, und die Umrisse des Dichtungsharzes 6 und des lichtdurchlässigen Harzes 7 sind gegebenenfalls durch imaginäre Linien dargestellt.
Bei dem lichtemittierenden Halbleiterbauteil A5 der vorliegenden Ausführungsform ist das lichtemittierende Halbleiterelement 1 in x-Richtung am oder in der Nähe des ersten Endes (in den 37 bis 40 das linke Ende) und in y-Richtung ungefähr in der Mitte angeordnet. Außerdem ist das lichtemittierende Halbleiterelement 1 in der zweiten Richtung der z-Richtung (der Dickenrichtung) in dem Dichtungsharz 6 versetzt.
In der vorliegenden Ausführungsform hat der Kondensator 3 in z-Richtung gesehen die Form einer rechteckigen Platte. Der Kondensator 3 hat eine Elektrode 31 und eine Elektrode 32. In der vorliegenden Ausführungsform sind die Elektrode 31 und die Elektrode 32 auf entgegengesetzten Seiten des Kondensators 3 in z-Richtung (Dickenrichtung) angeordnet. Die Elektrode 31 ist auf der Oberfläche des Kondensators 3 angeordnet, die in die erste Richtung der z-Richtung weist, und die Elektrode 32 ist auf der Oberfläche des Kondensators 3 angeordnet, die in die zweite Richtung der z-Richtung weist. In der vorliegenden Ausführungsform ist der Kondensator 3 ein dünner Siliziumkondensator.
In dem lichtemittierenden Halbleiterbauteil A5 ist der Kondensator 3 an oder nahe einem zweiten Ende (dem rechten Ende in den 37 bis 40) in x-Richtung und ungefähr in der Mitte in y-Richtung angeordnet. Der Kondensator 3 ist zumindest teilweise mit dem Dichtungsharz 6 abgedeckt und zwischen der ersten Oberfläche 601 und der zweiten Oberfläche 602 des Dichtungsharzes 6 in z-Richtung angeordnet. Bei der vorliegenden Ausführungsform ist das lichtemittierende Halbleiterelement 3 im Dichtungsharz 6 in der zweiten Richtung der z-Richtung (der Dickenrichtung) versetzt. Der Kondensator 3 ist, in z-Richtung gesehen, vom lichtemittierenden Halbleiterelement 1 entfernt angeordnet.
In der vorliegenden Ausführungsform kann das Schaltelement 2 z.B. ein GaN-FET sein. Das Schaltelement 2 ist auf der ersten Seite der ersten Harzoberfläche 601 des Dichtungsharzes 6 in z-Richtung angeordnet. Das heißt, das Schaltelement 2 ist vollständig vom Dichtungsharz 6 freigelegt.
In dem lichtemittierenden Halbleiterbauteil A5 ist das Schaltelement 2 ungefähr in der Mitte in x-Richtung angeordnet und erstreckt sich fast vollständig entlang der y-Richtung. Das Schaltelement 2 ist zwischen der Position des lichtemittierenden Halbleiterelements 1 und der Position des Kondensators 3, in z-Richtung gesehen, angeordnet. Bei dieser Ausführungsform überlappt das Schaltelement 2 mit einem Abschnitt des lichtemittierenden Halbleiterelements 1 und einem Abschnitt des Kondensators 3, in z-Richtung gesehen.
Bei dieser Ausführungsform sind die Drain-Elektroden 231, die Gate-Elektrode 232 und die Source-Elektroden 233 des Schaltelements 2 auf der zweiten Schaltelementoberfläche 22 angeordnet. In dem dargestellten Beispiel sind zwei Drain-Elektroden 231, eine Gate-Elektrode 232 und zwei Source-Elektroden 233 auf der zweiten Schaltelementoberfläche 22 angeordnet. Die beiden Drain-Elektroden 231 sind in x-Richtung langgestreckt und in y-Richtung voneinander beabstandet. Die Gate-Elektrode 232 ist in der Ecke der zweiten Schaltelementoberfläche 22 auf der ersten Seite in der x-Richtung und auf der ersten Seite in der y-Richtung angeordnet. Die beiden Source-Elektroden 233 sind in y-Richtung abwechselnd mit den beiden Drain-Elektroden 231 angeordnet. Eine der Source-Elektroden 233 ist zwischen den beiden Drain-Elektroden 231 in y-Richtung angeordnet und in x-Richtung langgestreckt. Die andere Source-Elektrode 233 ist in der Ecke der zweiten Schaltelementoberfläche 22 auf der zweiten Seite in x-Richtung und auf der ersten Seite in y-Richtung angeordnet.
Das Dichtungsharz 6 deckt das lichtemittierende Halbleiterelement 1 und zumindest einen Abschnitt des Kondensators 3 ab. Das Dichtungsharz 6 besteht aus einem Material, das ein wärmehärtendes Kunstharz und einen Zusatzstoff aufweist, der ein Metallelement enthält, das einen Teil des Leiters 4 bildet. Beispiele für das Kunstharz schließen Epoxidharz und Polyimidharz mit ein.
In der vorliegenden Ausführungsform weist das Dichtungsharz 6 eine erste Schicht 61, eine zweite Schicht 62 und eine dritte Schicht 63 auf. Die zweite Schicht 62 ist auf der zweiten Seite der ersten Schicht 61 in z-Richtung angeordnet. Die dritte Schicht 63 ist auf der ersten Seite der ersten Schicht 61 in z-Richtung angeordnet. Die dritte Schicht 63 hat eine dritte Oberfläche 631 und eine vierte Oberfläche 632. Die dritte Oberfläche 631 weist in die erste Richtung der z-Richtung, und die vierte Oberfläche 632 weist in die zweite Richtung der z-Richtung. Bei der vorliegenden Ausführungsform ist die dritte Schicht 63 auf der ersten Seite der ersten Schicht 61 und der zweiten Schicht 62 in z-Richtung angeordnet. Somit entspricht die dritte Oberfläche 631 der dritten Schicht 63 der ersten Harzoberfläche 601. Die zweite Schicht 62 ist an der zweiten Seite der ersten Schicht 61 und der dritten Schicht 63 in z-Richtung angeordnet. Somit entspricht die zweite Oberfläche 621 der zweiten Schicht 62 der zweiten Harzoberfläche 602.
Bei dieser Ausführungsform weist das Dichtungsharz 6 eine Vielzahl von ersten Hohlräumen 651, eine Vielzahl von zweiten Hohlräumen 652, eine Vielzahl von siebten Hohlräumen 657, eine Vielzahl von achten Hohlräumen 658, eine Vielzahl von Hohlräumen 679, eine Vielzahl von Hohlräumen 680 und eine Vielzahl von Hohlräumen 681 auf.
Die ersten Hohlräume 651 sind an einer Position angeordnet, die sich in z-Richtung gesehen mit dem lichtemittierenden Halbleiterelement 1 überschneidet. Die ersten Hohlräume 651 erstrecken sich von der dritten Oberfläche 631 bis zur ersten Elementelektrode 13 des lichtemittierenden Halbleiterelements 1 in z-Richtung und durchdringen bei der vorliegenden Ausführungsform die dritte Schicht 63 in z-Richtung.
Die zweiten Hohlräume 652 sind an einer Position angeordnet, die sich mit dem lichtemittierenden Halbleiterelement 1 in der z-Richtung gesehen überlappt. Die zweiten Hohlräume 652 erstrecken sich von der zweiten Oberfläche 621 der zweiten Schicht 62 zur zweiten Elementelektrode 14 des lichtemittierenden Halbleiterelements 1 in z-Richtung und durchdringen bei der vorliegenden Ausführungsform die zweite Schicht 62 in z-Richtung.
Die siebten Hohlräume 657 sind an einer Position angeordnet, die sich in z-Richtung gesehen mit dem Kondensator 3 überschneidet. Die siebten Hohlräume 657 erstrecken sich in der vorliegenden Ausführungsform von der zweiten Oberfläche 621 der zweiten Schicht 62 zur Elektrode 32 des Kondensators 3 in z-Richtung und durchdringen die zweite Schicht 62 in z-Richtung.
Die achten Hohlräume 658 sind an einer Position angeordnet, die sich in z-Richtung gesehen mit dem Kondensator 3 überschneidet. Die achten Hohlräume 658 erstrecken sich von der dritten Oberfläche 631 der dritten Schicht 63 zur Elektrode 31 des Kondensators 3 in z-Richtung und durchdringen in der vorliegenden Ausführungsform die dritte Schicht 63 in z-Richtung.
Die Hohlräume 679, die Hohlräume 680 und die Hohlräume 681 durchdringen die erste Schicht 61, die zweite Schicht 62 und die dritte Schicht 63 in der z-Richtung.
Bei dieser Ausführungsform weist der Leiter 4 einen ersten Verbindungsabschnitt 401, einen zweiten Verbindungsabschnitt 402, einen vierten Verbindungsabschnitt 404, einen Verbindungsabschnitt 420, einen Verbindungsabschnitt 421, einen Verbindungsabschnitt 422, einen Verbindungsabschnitt 423, erste eingebettete Abschnitte 451, zweite eingebettete Abschnitte 452, siebte eingebettete Abschnitte 457, achte eingebettete Abschnitte 458, eingebettete Abschnitte 479, eingebettete Abschnitte 480, und eingebettete Abschnitte 481 auf.
Der erste Verbindungsabschnitt 401 ist von der ersten Elementoberfläche 11 des lichtemittierenden Halbleiterelements 1 in der ersten Richtung der z-Richtung versetzt. Der erste Verbindungsabschnitt 401 ist entlang der dritten Oberfläche 631 der dritten Schicht 63 (der ersten Harzoberfläche 601) angeordnet. In dem lichtemittierenden Halbleiterbauteil A5 ist der erste Verbindungsabschnitt 401 in der ersten Richtung der x-Richtung (in 37 nach links) versetzt und in einem Bereich außerhalb der Kante auf der ersten Seite in der y-Richtung (in 37 die untere Seite) angeordnet. Die erste Verbindung Abschnitt 401 überlappt mit dem fast gesamten lichtemittierenden Halbleiterelement 1, wie in der z-Richtung gesehen.
Der erste Verbindungsabschnitt 401 hat einen kammartigen Teil, der sich in der zweiten Richtung der x-Richtung erstreckt (in 37 nach rechts). Der kammartige Teil überlappt mit zwei Drain-Elektroden 231 des Schaltelements 2, in z-Richtung gesehen. Wie in den 40 und 41 dargestellt, kann ein leitendes Bondingmaterial 29 auf den kammartigen Teil des ersten Verbindungsabschnitts 401 aufgebracht werden, und das leitende Bondingmaterial 29 bondet mit den Drain-Elektroden 231. Auf diese Weise ist der erste Verbindungsabschnitt 401 über das leitende Bondingmaterial 29 elektrisch mit den Drain-Elektroden 231 verbunden. Das leitende Bondingmaterial 29 kann z.B. aus Lötmittel bestehen.
Der vierte Verbindungsabschnitt 404 ist entlang der dritten Oberfläche 631 der dritten Schicht 63 (der ersten Harzoberfläche 601) angeordnet. In dem lichtemittierenden Halbleiterbauteil A5 ist der vierte Verbindungsabschnitt 404 in der zweiten Richtung der x-Richtung versetzt (nach rechts in 37) und erstreckt sich fast vollständig entlang der y-Richtung. Der vierte Verbindungsabschnitt 404 überlappt sich mit dem fast gesamten Kondensator 3, in z-Richtung gesehen.
Der vierte Verbindungsabschnitt 404 weist einen kammartigen Teil auf, der sich in der ersten Richtung der x-Richtung (in 37 nach links) erstreckt. Dieser kammartige Teil ist mit dem kammartigen Teil des ersten Verbindungsabschnitts 401 in y-Richtung versetzt angeordnet. Der kammartige Teil des vierten Verbindungsabschnitts 404 überschneidet sich in z-Richtung gesehen mit den beiden Source-Elektroden 233 des Schaltelements 2. Wie in den 40 und 42 dargestellt, kann ein leitendes Bondingmaterial 29 auf den kammartigen Teil des vierten Verbindungsabschnitts 404 aufgebracht werden, und das leitende Bondingmaterial 29 bondet mit den Source-Elektroden 233. Auf diese Weise ist der vierte Verbindungsabschnitt 404 durch das leitende Bondingmaterial 29 elektrisch mit den Source-Elektroden 233 verbunden.
Der Verbindungsabschnitt 420 ist entlang der dritten Oberfläche 631 der dritten Schicht 63 (der ersten Harzoberfläche 601) angeordnet. In dem lichtemittierenden Halbleiterbauteil A5 ist der Verbindungsabschnitt 420 in einem Bereich angeordnet, der in der ersten Richtung der x-Richtung (in 37 nach links) und auch in der ersten Richtung der y-Richtung (in 37 nach unten) versetzt ist, gesehen in der z-Richtung. Der Verbindungsabschnitt 420 überlappt sich mit der Gate-Elektrode 232 des Schaltelements 2, in z-Richtung gesehen. Wie in 41 dargestellt, kann ein leitendes Bondingmaterial 29 auf den Verbindungsabschnitt 420 aufgebracht werden, und das leitende Bondingmaterial 29 bondet mit den Gate-Elektroden 232. Auf diese Weise ist der Verbindungsabschnitt 420 mit dem leitenden Bondingmaterial 29 elektrisch mit der Gate-Elektrode 232 verbunden.
Der zweite Verbindungsabschnitt 402 ist von der zweiten Elementoberfläche 12 des lichtemittierenden Halbleiterelements 1 in der zweiten Richtung der z-Richtung versetzt. Der zweite Verbindungsabschnitt 402 ist entlang der zweiten Oberfläche 621 der zweiten Schicht 62 (der zweiten Harzoberfläche 602) angeordnet. In dem lichtemittierenden Halbleiterbauteil A5 erstreckt sich der zweite Verbindungsabschnitt 402 fast über den gesamten Bereich entlang der x-Richtung und ist in z-Richtung gesehen ungefähr in der Mitte in y-Richtung angeordnet. Der zweite Verbindungsabschnitt 402 überlappt mit dem gesamten lichtemittierenden Halbleiterelement 1 und dem gesamten Kondensator 3, in z-Richtung gesehen.
Der Verbindungsabschnitt 421 ist entlang der zweiten Oberfläche 621 der zweiten Schicht 62 (der zweiten Harzoberfläche 602) angeordnet. In dem lichtemittierenden Halbleiterbauteil A5 ist der Verbindungsabschnitt 421 in einem Bereich angeordnet, der in der ersten Richtung der x-Richtung (in 39 nach links) und auch in der ersten Richtung der y-Richtung (in 39 nach oben), in z-Richtung gesehen, versetzt ist. Der Verbindungsabschnitt 421 überlappt sich mit dem Verbindungsabschnitt 420 in z-Richtung gesehen.
Der Verbindungsabschnitt 422 ist entlang der zweiten Oberfläche 621 der zweiten Schicht 62 (der zweiten Harzoberfläche 602) angeordnet. In dem lichtemittierenden Halbleiterbauteil A5 ist der Verbindungsabschnitt 422 in einem Bereich angeordnet, der in der ersten Richtung der x-Richtung (in 39 nach links) und auch in der zweiten Richtung der y-Richtung (in 39 nach unten), in z-Richtung gesehen, versetzt ist. Der Verbindungsabschnitt 422 überlappt sich mit dem ersten Verbindungsabschnitt 401 in z-Richtung gesehen.
Der Verbindungsabschnitt 423 ist entlang der zweiten Oberfläche 621 der zweiten Schicht 62 (der zweiten Harzoberfläche 602) angeordnet. In dem lichtemittierenden Halbleiterbauteil A5 ist der Verbindungsabschnitt 423 in einem Bereich angeordnet, der in der zweiten Richtung der x-Richtung (nach rechts in 39) und auch in der zweiten Richtung der y-Richtung (nach unten in 39) versetzt ist, gesehen in der z-Richtung. Der Verbindungsabschnitt 423 überlappt sich mit dem vierten Verbindungsabschnitt 404 in z-Richtung gesehen.
Der zweite Verbindungsabschnitt 402, der Verbindungsabschnitt 421, der Verbindungsabschnitt 422 und der Verbindungsabschnitt 423, die entlang der zweiten Oberfläche 621 der zweiten Schicht 62 (der zweiten Harzoberfläche 602) angeordnet sind, sind voneinander beabstandet. Der zweite Verbindungsabschnitt 402 und die Verbindungsabschnitte 421, 422 und 423 werden als externe Verbindungs-Terminals bei der Montage des lichtemittierenden Halbleiterbauteils A5 an einer Leiterplatte (nicht gezeigt) verwendet.
Die ersten eingebetteten Abschnitte 451 sind in den ersten Hohlräumen 651 aufgenommen und mit der ersten Elementelektrode 13 des lichtemittierenden Halbleiterelements 1 und dem ersten Verbindungsabschnitt 401 verbunden. In der vorliegenden Ausführungsform ist eine Vielzahl von ersten eingebetteten Abschnitten 451 vorgesehen. In dem dargestellten Beispiel sind die ersten eingebetteten Abschnitte 451 entlang der x-Richtung angeordnet.
Die zweiten eingebetteten Abschnitte 452 sind in den zweiten Hohlräumen 652 aufgenommen und mit der zweiten Elementelektrode 14 des lichtemittierenden Halbleiterelements 1 und dem zweiten Verbindungsabschnitt 402 verbunden. In der vorliegenden Ausführungsform ist eine Vielzahl von zweiten eingebetteten Abschnitten 452 vorgesehen. In dem dargestellten Beispiel sind die zweiten eingebetteten Abschnitte 452 entlang der x-Richtung angeordnet.
Die siebten eingebetteten Abschnitte 457 sind in den siebten Hohlräumen 657 aufgenommen und mit der Elektrode 32 des Kondensators 3 und dem zweiten Verbindungsabschnitt 402 verbunden. In der vorliegenden Ausführungsform ist eine Vielzahl von siebten eingebetteten Abschnitten 457 vorgesehen. In dem dargestellten Beispiel sind die siebten eingebetteten Abschnitte 457 in einer Matrix entlang der x-Richtung und der y-Richtung angeordnet.
Die achten eingebetteten Abschnitte 458 sind in den achten Hohlräumen 658 aufgenommen und mit der Elektrode 31 des Kondensators 3 und dem vierten Verbindungsabschnitt 404 verbunden. In der vorliegenden Ausführungsform ist eine Vielzahl von achten eingebetteten Abschnitten 458 vorgesehen. In dem dargestellten Beispiel sind die achten eingebetteten Abschnitte 458 in einer Matrix entlang der x-Richtung und der y-Richtung angeordnet.
Die eingebetteten Abschnitte 479 sind in den Hohlräumen 679 aufgenommen und mit dem ersten Verbindungsabschnitt 401 und dem Verbindungsabschnitt 422 verbunden. In der vorliegenden Ausführungsform ist eine Vielzahl von eingebetteten Abschnitten 479 vorgesehen. In dem dargestellten Beispiel sind die eingebetteten Abschnitte 479 entlang der x-Richtung angeordnet. Die eingebetteten Abschnitte 480 sind in den Hohlräumen 680 aufgenommen und mit dem Verbindungsabschnitt 420 und dem Verbindungsabschnitt 421 verbunden. In der vorliegenden Ausführungsform ist eine Vielzahl von eingebetteten Abschnitten 480 vorgesehen. In dem dargestellten Beispiel sind die eingebetteten Abschnitte 480 entlang der x-Richtung angeordnet.
Die eingebetteten Abschnitte 481 sind in den Hohlräumen 681 aufgenommen und mit dem vierten Verbindungsabschnitt 404 und dem Verbindungsabschnitt 423 verbunden. In der vorliegenden Ausführungsform ist eine Vielzahl von eingebetteten Abschnitten 481 vorgesehen. In dem dargestellten Beispiel sind die eingebetteten Abschnitte 481 entlang der x-Richtung angeordnet.
Obwohl nicht genauer gezeigt, hat jeder der Verbindungsabschnitte und der eingebetteten Abschnitte eine Basisschicht und eine Plattierungsschicht. Die Basisschicht besteht aus einem Metallelement, das in dem Zusatzstoff enthalten ist, der in dem Dichtungsharz 6 (der ersten Schicht 61, der zweiten Schicht 62 und der dritten Schicht 63) vorhanden ist.
Obwohl nicht genauer gezeigt, werden zur Herstellung des lichtemittierenden Halbleiterbauteils A5 eine erste Schicht 61 und eine zweite Schicht 62 so ausgebildet, dass sie das lichtemittierende Halbleiterelement 1 und den Kondensator 3 abdecken. Die erste Schicht 61 und die zweite Schicht 62 werden durch Formpressen hergestellt. Anschließend werden eine Vielzahl von zweiten Hohlräumen 652 und eine Vielzahl von siebten Hohlräumen 657 mit einem Laser in der zweiten Schicht 62 ausgebildet. Darüber hinaus wird eine Vielzahl von Nuten in der zweiten Oberfläche 621 der zweiten Schicht 62 (der zweiten Harzoberfläche 602) mit einem Laser geformt. Bei diesem Verfahren werden in diesen Hohlräumen und Nuten Basisschichten abgeschieden. Anschließend werden Plattierungsschichten gebildet, die die Basisschichten abdecken, um die zweiten eingebetteten Abschnitte 452, die siebten eingebetteten Abschnitte 457, den zweiten Verbindungsabschnitt 402, den Verbindungsabschnitt 421, den Verbindungsabschnitt 422 und den Verbindungsabschnitt 423 zu bilden. Danach werden die erste Schicht 61 und die zweite Schicht 62, die jeweils die Form einer Platte haben, umgedreht, und die dritte Schicht 63 wird gebildet. Die dritte Schicht 63 wird auf die erste Schicht 61 laminiert und deckt die erste Elementelektrode 13 des lichtemittierenden Halbleiterelements 1 und die Elektrode 31 des Kondensators 3 ab. Die dritte Schicht 63 wird durch Formpressen hergestellt. Anschließend werden eine Vielzahl von ersten Hohlräumen 651 und eine Vielzahl von achten Hohlräumen 658 mit einem Laser in die dritte Schicht 63 eingebracht. Außerdem werden eine Vielzahl von Hohlräumen 679, eine Vielzahl von Hohlräume 680 und eine Vielzahl von Hohlräume 681 in der dritten Schicht 63, der ersten Schicht 61 und der zweiten Schicht 62 mit einem Laser gebildet, und eine Vielzahl von Nuten werden in der dritten Oberfläche 631 der dritten Schicht 63 (der ersten Harzoberfläche 601) mit einem Laser gebildet. Durch dieses Verfahren werden in diesen Hohlräumen und Nuten Basisschichten abgeschieden. Anschließend werden Plattierungsschichten, die die Basisschichten abdecken, gebildet, um die ersten eingebetteten Abschnitte 451, die achten eingebetteten Abschnitte 458, die eingebetteten Abschnitte 479, die eingebetteten Abschnitte 480, die eingebetteten Abschnitte 481, den ersten Verbindungsabschnitt 401, den vierten Verbindungsabschnitt 404 und den Verbindungsabschnitt 420 zu bilden. Danach wird das Schaltelement 2 auf dem ersten Verbindungsabschnitt 401, dem vierten Verbindungsabschnitt 404 und dem Verbindungsabschnitt 420 angeordnet. Dabei wird die Drain-Elektrode 231 des Schaltelements 2 mit einem leitenden Bondingmaterial 29 an den ersten Verbindungsabschnitt 401, die Gate-Elektrode 232 mit einem leitenden Bondingmaterial 29 an den Verbindungsabschnitt 420 und die Source-Elektrode 233 mit einem leitenden Bondingmaterial 29 an den vierten Verbindungsabschnitt 404 gebondet und elektrisch verbunden. Danach werden die dritte Schicht 63, die erste Schicht 61 und die zweite Schicht 62 entlang vorbestimmter Schnittlinien in eine Vielzahl von Einzelteilen geschnitten. Durch das obige Verfahren wird das lichtemittierende Halbleiterbauteil A5 hergestellt.
Obwohl in den Figuren nicht gezeigt, kann das lichtemittierende Halbleiterbauteil A5 z.B. an eine externe DC-Leistungsversorgung angeschlossen werden. In diesem Fall fließt, wenn das Schaltelement 2 ausgeschaltet ist (OFF), Strom von der Gleichstromversorgung zum Kondensator 3, so dass dieser aufgeladen wird. Wenn das Schaltelement 2 eingeschaltet ist (ON), fließt der Strom aufgrund der in dem Kondensator 3 gespeicherten elektrischen Ladung durch den Pfad der siebten eingebetteten Abschnitte 457, des zweiten Verbindungsabschnitts 402, der zweiten eingebetteten Abschnitte 452, des lichtemittierenden Halbleiterelements 1, der ersten eingebetteten Abschnitte 451, des ersten Verbindungsabschnitts 401, des Schaltelements 2, des vierten Verbindungsabschnitts 404 und der achten eingebetteten Abschnitte 458, wodurch das lichtemittierende Halbleiterelement 1 Licht aussendet.
In dem lichtemittierenden Halbleiterbauteil A5 der vorliegenden Ausführungsform weist der Leiter 4, der den Leitungspfad zu dem lichtemittierenden Halbleiterelement 1 bildet, den ersten Verbindungsabschnitt 401, die ersten eingebetteten Abschnitte 451, den zweiten Verbindungsabschnitt 402 und die zweiten eingebetteten Abschnitte 452 auf. Der erste Verbindungsabschnitt 401 ist über die ersten eingebetteten Abschnitte 451 elektrisch mit der ersten Elementelektrode 13 des lichtemittierenden Halbleiterelements 1 verbunden. Der zweite Verbindungsabschnitt 402 ist über die zweiten eingebetteten Abschnitte 452 elektrisch mit der zweiten Elementelektrode 14 des lichtemittierenden Halbleiterelements 1 verbunden. Zumindest ein Abschnitt (die zweite Elementoberfläche 12) des lichtemittierenden Halbleiterelements 1 ist mit dem Dichtungsharz 6 abgedeckt, und der Leiter 4 (der erste Verbindungsabschnitt 401, der zweite Verbindungsabschnitt 402 und die zweiten eingebetteten Abschnitte 452) steht in Kontakt mit dem Dichtungsharz 6. Mit einer solchen Ausgestaltung kann der Leitungspfad (der erste Verbindungsabschnitt 401, die ersten eingebetteten Abschnitte 451, der zweite Verbindungsabschnitt 402 und die zweiten eingebetteten Abschnitte 452) zur ersten Elementelektrode 13 und zur zweiten Elementelektrode 14, die auf entgegengesetzten Seiten des lichtemittierenden Halbleiterelements 1 angeordnet sind, dreidimensional und platzsparend angeordnet werden. Dementsprechend kann der Strompfad, der fließt, wenn das lichtemittierende Halbleiterelement 1 Licht emittiert, verkürzt und somit die Induktivitätskomponente des Strompfades reduziert werden.
Der Kondensator 3 ist zumindest teilweise mit dem Dichtungsharz 6 abgedeckt. Das Schaltelement 2 ist auf der ersten Seite der ersten Harzoberfläche 601 in z-Richtung angeordnet und liegt vollständig vom Dichtungsharz 6 frei. Der Leiter 4 weist den vierten Verbindungsabschnitt 404, die siebten eingebetteten Abschnitte 457 und die achten eingebetteten Abschnitte 458 auf. Der erste Verbindungsabschnitt 401 und der vierte Verbindungsabschnitt 404 sind entlang der dritten Oberfläche 631 (der ersten Harzoberfläche 601) der dritten Schicht 63 (dem Dichtungsharz 6) angeordnet. Die siebten eingebetteten Abschnitte 457 sind mit der Elektrode 31 des Kondensators 3 und dem zweiten Verbindungsabschnitt 402 verbunden, und die achten eingebetteten Abschnitte 458 sind mit der Elektrode 32 des Kondensators 3 und dem vierten Verbindungsabschnitt 404 verbunden. Mit einer solchen Ausgestaltung kann die Länge des Pfades vom ersten Verbindungsabschnitt 401 zum zweiten Verbindungsabschnitt 402 durch das Schaltelement 2, den vierten Verbindungsabschnitt 404, die achten eingebetteten Abschnitte 458, den Kondensator 3 und die siebten eingebetteten Abschnitte 457 relativ kurz gehalten werden. Dies ist geeignet, um die Induktivitätskomponente des Pfades des durch das lichtemittierende Halbleiterbauteil A5 fließenden Stroms zu reduzieren.
Bei der vorliegenden Ausführungsform sind das lichtemittierende Halbleiterelement 1 und der Kondensator 3 in z-Richtung gesehen getrennt voneinander angeordnet. Das Schaltelement 2 ist in z-Richtung gesehen zwischen der Position des lichtemittierenden Halbleiterelements 1 und der Position des Kondensators 3 angeordnet. Als Kondensator 3 wird ein dünner Siliziumkondensator verwendet. Eine derartige Ausgestaltung ermöglicht es, die Abmessung des Halbleiterbauteils A5 in z-Richtung (Dickenrichtung) zu verringern und gleichzeitig die Größe des Halbleiterbauteils A3 in z-Richtung zu reduzieren. Dies ist geeignet, den Pfad des Stroms zu verkürzen, der fließt, wenn das lichtemittierende Halbleiterelement 1 Licht emittiert, und ist somit geeignet, die Induktivitätskomponente des Strompfads zu verringern.
Darüber hinaus ist der Leiter 4, der den Leitungspfad zu dem lichtemittierenden Halbleiterelement 1 und dem Schaltelement 2 bildet, aus einer Vielzahl von Verbindungsabschnitten und einer Vielzahl von eingebetteten Abschnitten hergestellt, und eine elektrische Verbindung unter Verwendung eines Drahtes ist nicht erforderlich. Dadurch wird die Induktivitätskomponente des Strompfades, der durch das lichtemittierende Halbleiterbauteil A5 fließt, reduziert und die Ausbeute (der Prozentsatz der nicht defekten Produkte) des lichtemittierenden Halbleiterbauteils A5 verbessert.
43 bis 50 zeigen ein lichtemittierendes Halbleiterbauteil gemäß einer sechsten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. Das lichtemittierende Halbleiterbauteil A6 der vorliegenden Ausführungsform unterscheidet sich von dem lichtemittierenden Halbleiterbauteil A5 vor allem durch die Struktur des Leiters 4 (den Leitungspfad zu dem lichtemittierenden Halbleiterelement 1 und dem Schaltelement 2) und die Struktur des Dichtungsharzes 6.
43 ist eine schematische Draufsicht auf das lichtemittierende Halbleiterbauteil A6. 44 ist eine Draufsicht auf das lichtemittierende Halbleiterbauteil A6, bei der das Schaltelement weggelassen ist. 45 ist eine Vorderansicht des lichtemittierenden Halbleiterbauteils A6. 46 ist eine Ansicht von unten auf das lichtemittierende Halbleiterbauteil A6, in der das Schaltelement weggelassen ist. 47 ist eine Schnittansicht entlang der Linie XLVII-XLVII in 43. 48 ist eine Schnittansicht entlang der Linie XLVIII-XLVIII in 43. 49 ist eine Schnittansicht entlang der Linie XLIX-XLIX in 43. 50 ist eine Schnittansicht entlang der Linie L-L in 43. Der Einfachheit halber sind in den 43 bis 46 das Dichtungsharz 6 und das lichtdurchlässige Harz 7 als transparent dargestellt, und die Umrisse des Dichtungsharzes 6 und des lichtdurchlässigen Harzes 7 sind gegebenenfalls durch imaginäre Linien dargestellt.
In dem lichtemittierenden Halbleiterbauteil A6 der vorliegenden Ausführungsform sind die Position des lichtemittierenden Halbleiterelements 1, die Position des Kondensators 3 und die Position des Schaltelements 2 die gleichen wie in dem lichtemittierenden Halbleiterbauteil A5. Der Kondensator 3 ist ein dünner Siliziumkondensator, wie bei dem lichtemittierenden Halbleiterbauteil A5. Der Aufbau des Schaltelements 2 ist derselbe wie bei dem lichtemittierenden Halbleiterbauteil A5. Auch die Anordnung der Drain-Elektrode 231, der Gate-Elektrode 232 und der Source-Elektrode 233 ist die gleiche wie bei dem lichtemittierenden Halbleiterbauteil A5.
Das Dichtungsharz 6 deckt das lichtemittierende Halbleiterelement 1 und mindestens einen Abschnitt des Kondensators 3 ab. Das Dichtungsharz 6 besteht aus einem Material, das ein wärmehärtendes Kunstharz und einen Zusatzstoff aufweist, der ein Metallelement enthält, das einen Teil des Leiters 4 bildet. Beispiele für das Kunstharz schließen Epoxidharz und Polyimidharz mit ein.
Bei der vorliegenden Ausführungsform weist das Dichtungsharz 6 neben der ersten Schicht 61, der zweiten Schicht 62 und der dritten Schicht 63 eine fünfte Schicht 65 auf. Die Strukturen der ersten Schicht 61, der zweiten Schicht 62 und der dritten Schicht 63 sind die gleichen wie in dem lichtemittierenden Halbleiterbauteil A5. Die fünfte Schicht 65 ist auf der ersten Seite der dritten Schicht 63 in z-Richtung angeordnet. Die fünfte Schicht 65 ist auf der ersten Seite der ersten Schicht 61, der zweiten Schicht 62 und der dritten Schicht 63 in der z-Richtung angeordnet. Die zweite Schicht 62 ist auf der zweiten Seite der ersten Schicht 61 in z-Richtung angeordnet. Somit entspricht die Oberfläche der fünften Schicht 65, die in der ersten Richtung der z-Richtung weist, der ersten Harzoberfläche 601.
Bei dieser Ausführungsform weist das Dichtungsharz 6 eine Vielzahl von ersten Hohlräume 651, eine Vielzahl von zweiten Hohlräume 652, eine Vielzahl von neunten Hohlräume 659, eine Vielzahl von zehnten Hohlräume 660, eine Vielzahl von elften Hohlräume 661, eine Vielzahl von zwölften Hohlräume 662, einen Hohlraum 682 und eine Vielzahl von Hohlräumen 683 auf.
Die ersten Hohlräume 651 sind an einer Position angeordnet, die sich in z-Richtung gesehen mit dem lichtemittierenden Halbleiterelement 1 überschneidet. Die ersten Hohlräume 651 erstrecken sich von der dritten Oberfläche 631 zur ersten Elementelektrode 13 des lichtemittierenden Halbleiterelements 1 in z-Richtung und durchdringen bei der vorliegenden Ausführungsform die dritte Schicht 63 in z-Richtung.
Die zweiten Hohlräume 652 sind an einer Position angeordnet, die sich mit dem lichtemittierenden Halbleiterelement 1 in der z-Richtung gesehen überlappt. Die zweiten Hohlräume 652 erstrecken sich von der zweiten Oberfläche 621 der zweiten Schicht 62 zur zweiten Elementelektrode 14 des lichtemittierenden Halbleiterelements 1 in z-Richtung und durchdringen bei der vorliegenden Ausführungsform die zweite Schicht 62 in z-Richtung.
Die neunten Hohlräume 659 sind an einer Position angeordnet, die sich in z-Richtung gesehen mit dem Kondensator 3 überschneidet. Die neunten Hohlräume 659 erstrecken sich von der zweiten Oberfläche 621 der zweiten Schicht 62 zur Elektrode 32 des Kondensators 3 in z-Richtung und durchdringen bei der vorliegenden Ausführungsform die zweite Schicht 62 in z-Richtung.
Die zehnten Hohlräume 660 sind an einer Position angeordnet, die sich in z-Richtung gesehen mit dem Kondensator 3 überschneidet. Die zehnten Hohlräume 660 erstrecken sich von der dritten Oberfläche 631 der dritten Schicht 63 zur Elektrode 31 des Kondensators 3 in z-Richtung und durchdringen bei der vorliegenden Ausführungsform die dritte Schicht 63 in z-Richtung.
Die elften Hohlräume 661, die zwölften Hohlräume 662 und der Hohlraum 682 durchdringen die erste Schicht 61, die zweite Schicht 62, die dritte Schicht 63 und die fünfte Schicht 65 in z-Richtung.
Die Hohlräume 683 durchdringen die erste Schicht 61, die zweite Schicht 62 und die dritte Schicht 63 in der z-Richtung.
Bei dieser Ausführungsform weist der Leiter 4 einen ersten Verbindungsabschnitt 401, einen zweiten Verbindungsabschnitt 402, einen fünften Verbindungsabschnitt 405, sechste Verbindungsabschnitte 406, siebte Verbindungsabschnitte 407, einen Verbindungsabschnitt 424, einen Verbindungsabschnitt 425, einen Verbindungsabschnitt 426, erste eingebettete Abschnitte 451, zweite eingebettete Abschnitte 452, neunte eingebettete Abschnitte 459, zehnte eingebettete Abschnitte 460, elfte eingebettete Abschnitte 461, zwölfte eingebettete Abschnitte 462, einen eingebetteten Abschnitt 482, und eingebettete Abschnitte 483 auf.
Der erste Verbindungsabschnitt 401 ist von der ersten Elementoberfläche 11 des lichtemittierenden Halbleiterelements 1 in der ersten Richtung der z-Richtung versetzt. Der erste Verbindungsabschnitt 401 ist entlang der dritten Oberfläche 631 der dritten Schicht 63 angeordnet. In dem lichtemittierenden Halbleiterbauteil A6 erstreckt sich der erste Verbindungsabschnitt 401 fast über den gesamten Bereich entlang der x-Richtung und ist in einem Bereich mit Ausnahme des Randes auf der ersten Seite (der unteren Seite in 43) und einem Abschnitt des Randes auf der zweiten Seite (der oberen Seite in 23) in y-Richtung angeordnet. Der erste Verbindungsabschnitt 401 überlappt in z-Richtung gesehen mit dem fast gesamten lichtemittierenden Halbleiterelement 1 und dem fast gesamten Kondensator 3.
Der erste Verbindungsabschnitt 401 ist mit zwei Öffnungen 401a ausgebildet, die in z-Richtung durchdringen. Die beiden Öffnungen 401a sind etwa in der Mitte des ersten Verbindungsabschnitts 401 in x-Richtung ausgebildet. Die Öffnungen 401a erstrecken sich in x-Richtung jeweils mit einer vorgegebenen Breite und sind in y-Richtung voneinander beabstandet.
Die siebten Verbindungsabschnitte 407 sind entlang der ersten Harzoberfläche 601 der fünften Schicht 65 angeordnet (siehe 48 und 50). In der vorliegenden Ausführungsform sind zwei siebte Verbindungsabschnitte 407 vorgesehen (siehe 44). Die siebten Verbindungsabschnitte 407 sind ungefähr in der Mitte des lichtemittierenden Halbleiterbauteils A6 in x-Richtung angeordnet. Die beiden siebten Verbindungsabschnitte 407 sind in x-Richtung langgestreckt und in y-Richtung voneinander beabstandet. Wie in den 48 und 50 dargestellt, kann ein leitendes Bondingmaterial 29 auf die siebten Verbindungsabschnitte 407 aufgebracht werden, und das leitende Bondingmaterial 29 bondet mit der Drain-Elektrode 231. Auf diese Weise sind die siebten Verbindungsabschnitte 407 über das leitende Bondingmaterial 29 elektrisch mit den Drain-Elektroden 231 verbunden. Das leitende Bondingmaterial 29 kann z.B. aus Lötmittel bestehen.
Die sechsten Verbindungsabschnitte 406 sind entlang der ersten Harzoberfläche 601 der fünften Schicht 65 angeordnet (siehe 48 und 49). In der vorliegenden Ausführungsform sind zwei sechste Verbindungsabschnitte 406 vorgesehen (siehe 44). In dem lichtemittierenden Halbleiterbauteil A6 sind die sechsten Verbindungsabschnitte 406 ungefähr in der Mitte in x-Richtung angeordnet. Die beiden sechsten Verbindungsabschnitte 406 sind in x-Richtung langgestreckt und in y-Richtung voneinander beabstandet. Einer der sechsten Verbindungsabschnitte 406 ist zwischen zwei siebten Verbindungsabschnitten 407 in y-Richtung angeordnet und erstreckt sich in x-Richtung. Der andere sechste Verbindungsabschnitt 406 ist an einer in der zweiten Richtung der x-Richtung (in 44 nach rechts) und auch in der ersten Richtung der y-Richtung (in 44 nach unten) versetzten Position in dem lichtemittierenden Halbleiterbauteil A6 angeordnet. Wie in den 48 und 49 dargestellt, kann ein leitendes Bondingmaterial 29 auf die sechsten Verbindungsabschnitte 406 aufgebracht werden, und das leitende Bondingmaterial 29 bondet mit den Source-Elektroden 233. Auf diese Weise ist der sechste Verbindungsabschnitt 406 über das leitende Bondingmaterial 29 elektrisch mit den Source-Elektroden 233 verbunden.
Der Verbindungsabschnitt 424 ist entlang der ersten Harzoberfläche 601 der fünften Schicht 65 angeordnet (siehe 49). In dem lichtemittierenden Halbleiterbauteil A6 ist der Verbindungsabschnitt 424 an einer Position nahe der Mitte in x-Richtung und in der ersten Richtung der y-Richtung versetzt angeordnet (siehe 44). Wie in 49 gezeigt, kann ein leitendes Bondingmaterial 29 auf den Verbindungsabschnitt 424 aufgebracht werden, und das leitende Bondingmaterial 29 bondet mit den Gate-Elektroden 232. Auf diese Weise ist der Verbindungsabschnitt 424 über das leitende Bondingmaterial 29 elektrisch mit der Gate-Elektrode 232 verbunden.
Der zweite Verbindungsabschnitt 402 ist von der zweiten Elementoberfläche 12 des lichtemittierenden Halbleiterelements 1 in der zweiten Richtung der z-Richtung versetzt. Der zweite Verbindungsabschnitt 402 ist entlang der zweiten Oberfläche 621 der zweiten Schicht 62 (der zweiten Harzoberfläche 602) angeordnet. In dem lichtemittierenden Halbleiterbauteil A6 ist der zweite Verbindungsabschnitt 402 in der ersten Richtung der x-Richtung versetzt (in 46 nach links) und in einem Bereich außerhalb der Kante auf der ersten Seite in der y-Richtung angeordnet (in 46 die obere Seite). Der zweite Verbindungsabschnitt 402 überlappt mit dem nahezu gesamten lichtemittierenden Halbleiterelement 1, gesehen in z-Richtung. Der zweite Verbindungsabschnitt 402 hat einen kammartigen Teil, der sich in der zweiten Richtung der x-Richtung (in 46 nach rechts) erstreckt. Der kammartige Teil überlappt in z-Richtung gesehen mit den beiden siebten Verbindungsabschnitten 407.
Der fünfte Verbindungsabschnitt 405 ist entlang der zweiten Oberfläche 621 der zweiten Schicht 62 (der zweiten Harzoberfläche 602) angeordnet. In dem lichtemittierenden Halbleiterbauteil A6 ist der fünfte Verbindungsabschnitt 405 in der zweiten Richtung der x-Richtung (nach rechts in 46) versetzt und in einem Bereich außerhalb der Kante auf der zweiten Seite in y-Richtung (der unteren Seite in 46) angeordnet. Der fünfte Verbindungsabschnitt 405 überlappt mit dem fast gesamten Kondensator 3, in z-Richtung gesehen. Der fünfte Verbindungsabschnitt 405 hat einen kammartigen Teil, der sich in der ersten Richtung der x-Richtung (in 46 nach links) erstreckt. Dieser kammartige Teil ist mit dem kammartigen Teil des zweiten Verbindungsabschnitts 402 in y-Richtung versetzt angeordnet. Der kammartige Teil des fünften Verbindungsabschnitts 405 überlappt sich mit den beiden sechsten Verbindungsabschnitten 406 in z-Richtung gesehen.
Der Verbindungsabschnitt 425 ist entlang der zweiten Oberfläche 621 der zweiten Schicht 62 (der zweiten Harzoberfläche 602) angeordnet. In dem lichtemittierenden Halbleiterbauteil A6 ist der Verbindungsabschnitt 425 in einem Bereich angeordnet, der in der ersten Richtung der x-Richtung (in 46 nach links) und auch in der ersten Richtung der y-Richtung (in 46 nach oben), in z-Richtung gesehen, versetzt ist. Der Verbindungsabschnitt 425 überlappt sich mit dem Verbindungsabschnitt 424 in z-Richtung gesehen.
Der Verbindungsabschnitt 426 ist entlang der zweiten Oberfläche 621 der zweiten Schicht 62 (der zweiten Harzoberfläche 602) angeordnet. In dem lichtemittierenden Halbleiterbauteil A6 ist der Verbindungsabschnitt 426 in einem Bereich angeordnet, der in der zweiten Richtung der x-Richtung (in 46 nach rechts) und auch in der zweiten Richtung der y-Richtung (in 46 nach unten), in z-Richtung gesehen, versetzt ist. Der Verbindungsabschnitt 426 überlappt sich mit dem Verbindungsabschnitt 401 in z-Richtung gesehen.
Der zweite Verbindungsabschnitt 402, der fünfte Verbindungsabschnitt 405, der Verbindungsabschnitt 425 und der Verbindungsabschnitt 426, die entlang der zweiten Oberfläche 621 der zweiten Schicht 62 (der zweiten Harzoberfläche 602) angeordnet sind, sind voneinander beabstandet. Der zweite Verbindungsabschnitt 402, der fünfte Verbindungsabschnitt 405, der Verbindungsabschnitt 425 und der Verbindungsabschnitt 426 werden als externe Verbindungs-Terminals bei der Montage des lichtemittierenden Halbleiterbauteils A6 an einer Leiterplatte (nicht gezeigt) verwendet.
Die ersten eingebetteten Abschnitte 451 sind in den ersten Hohlräumen 651 aufgenommen und mit der ersten Elementelektrode 13 des lichtemittierenden Halbleiterelements 1 und dem ersten Verbindungsabschnitt 401 verbunden. In der vorliegenden Ausführungsform ist eine Vielzahl von ersten eingebetteten Abschnitten 451 vorgesehen. In dem dargestellten Beispiel sind die ersten eingebetteten Abschnitte 451 entlang der x-Richtung angeordnet.
Die zweiten eingebetteten Abschnitte 452 sind in den zweiten Hohlräumen 652 aufgenommen und mit der zweiten Elementelektrode 14 des lichtemittierenden Halbleiterelements 1 und dem zweiten Verbindungsabschnitt 402 verbunden. In der vorliegenden Ausführungsform ist eine Vielzahl von zweiten eingebetteten Abschnitten 452 vorgesehen. In dem dargestellten Beispiel sind die zweiten eingebetteten Abschnitte 452 entlang der x-Richtung angeordnet.
Die neunten eingebetteten Abschnitte 459 sind in den neunten Hohlräumen 695 aufgenommen und mit der Elektrode 32 des Kondensators 3 und dem fünften Verbindungsabschnitt 405 verbunden. In der vorliegenden Ausführungsform ist eine Vielzahl von neunten eingebetteten Abschnitten 459 vorgesehen. In dem dargestellten Beispiel sind die neunten eingebetteten Abschnitte 459 in einer Matrix entlang der x-Richtung und der y-Richtung angeordnet.
Die zehnten eingebetteten Abschnitte 460 sind in den zehnten Hohlräumen 660 aufgenommen und mit der Elektrode 31 des Kondensators 3 und dem ersten Verbindungsabschnitt 401 verbunden. In der vorliegenden Ausführungsform ist eine Vielzahl von zehnten eingebetteten Abschnitten 460 vorgesehen. In dem dargestellten Beispiel sind die zehnten eingebetteten Abschnitte 460 in einer Matrix entlang der x-Richtung und der y-Richtung angeordnet.
Die elften eingebetteten Abschnitte 461 sind in den elften Hohlräumen 661 aufgenommen und mit dem fünften Verbindungsabschnitt 405 und dem sechsten Verbindungsabschnitt 406 verbunden. In der vorliegenden Ausführungsform ist eine Vielzahl von elften eingebetteten Abschnitten 461 vorgesehen. In dem dargestellten Beispiel weist die Vielzahl der elften eingebetteten Abschnitte 461 diejenigen auf, die entlang der x-Richtung angeordnet sind. Wie aus den 44 und 48 ersichtlich ist, erstreckt sich der elfte eingebettete Abschnitt 461 durch eine Öffnung 401a des ersten Verbindungsabschnitts 401. Wie aus den 43, 44, 48 und 49 ersichtlich ist, überlappt das Schaltelement 2 in z-Richtung gesehen mit dem gesamten elften eingebetteten Abschnitt 461.
Die zwölften eingebetteten Abschnitte 462 sind in den zwölften Hohlräumen 662 aufgenommen und mit dem zweiten Verbindungsabschnitt 402 und dem siebten Verbindungsabschnitt 407 verbunden. In der vorliegenden Ausführungsform ist eine Vielzahl von zwölften eingebetteten Abschnitten 462 vorgesehen. In dem dargestellten Beispiel sind die zwölften eingebetteten Abschnitte 462 entlang der x-Richtung angeordnet. Wie aus den 44 und 48 hervorgeht, schließt die Vielzahl der zwölften eingebetteten Abschnitte 462 diejenigen mit ein, die sich durch eine Öffnung 401a des ersten Verbindungsabschnitts 401 erstrecken. Wie aus den 43, 44, 48 und 50 hervorgeht, überlappt das Schaltelement 2 mit den gesamten zwölften eingebetteten Abschnitten 462 in z-Richtung gesehen.
Die eingebetteten Abschnitte 482 sind in den Hohlräumen 682 aufgenommen und mit dem Verbindungsabschnitt 424 und dem Verbindungsabschnitt 425 verbunden. Die eingebetteten Abschnitte 483 werden in den Hohlräumen 683 aufgenommen und sind mit dem ersten Verbindungsabschnitt 401 und dem Verbindungsabschnitt 426 verbunden. In der vorliegenden Ausführungsform ist eine Vielzahl von eingebetteten Abschnitten 483 vorgesehen. In dem dargestellten Beispiel sind die eingebetteten Abschnitte 483 entlang der x-Richtung angeordnet.
Obwohl nicht genauer gezeigt, weist jeder der Verbindungsabschnitte und der eingebetteten Abschnitte eine Basisschicht und eine Plattierungsschicht auf. Die Basisschicht besteht aus einem Metallelement, das in dem Zusatzstoff enthalten ist, der in dem Dichtungsharz 6 (der ersten Schicht 61, der zweiten Schicht 62, der dritten Schicht 63 und der fünften Schicht 65) enthalten ist.
Obwohl nicht genauer gezeigt, werden zur Herstellung des lichtemittierenden Halbleiterbauteils A6 eine erste Schicht 61 und eine zweite Schicht 62 so ausgebildet, dass sie das lichtemittierende Halbleiterelement 1 und den Kondensator 3 abdecken. Die erste Schicht 61 und die zweite Schicht 62 werden durch Formpressen hergestellt. Anschließend werden eine Vielzahl von zweiten Hohlräumen 652 und eine Vielzahl von neunten Hohlräumen 659 mit einem Laser in der zweiten Schicht 62 ausgebildet. Darüber hinaus wird eine Vielzahl von Nuten in der zweiten Oberfläche 621 der zweiten Schicht 62 (der zweiten Harzoberfläche 602) mit einem Laser geformt. Bei diesem Verfahren werden die Basisschichten in diesen Hohlräumen und Nuten abgeschieden. Anschließend werden Plattierungsschichten gebildet, die die Basisschichten abdecken, um die zweiten eingebetteten Abschnitte 452, die neunten eingebetteten Abschnitte 459, den zweiten Verbindungsabschnitt 402, den fünften Verbindungsabschnitt 405, den Verbindungsabschnitt 425 und den Verbindungsabschnitt 426 zu bilden. Danach werden die erste Schicht 61 und die zweite Schicht 62, die jeweils die Form einer Platte haben, umgedreht, und die dritte Schicht 63 wird gebildet. Die dritte Schicht 63 wird auf die erste Schicht 61 laminiert und deckt die erste Elementelektrode 13 des lichtemittierenden Halbleiterelements 1 und die Elektrode 31 des Kondensators 3 ab. Die dritte Schicht 63 wird durch Formpressen hergestellt. Anschließend werden eine Vielzahl von ersten Hohlräumen 651 und eine Vielzahl von zehnten Hohlräumen 660 mit einem Laser in die dritte Schicht 63 eingebracht. Außerdem wird eine Vielzahl von Hohlräumen 683 in der dritten Schicht 63, der ersten Schicht 61 und der zweiten Schicht 62 mit einem Laser gebildet, und eine Vielzahl von Nuten wird in der dritten Oberfläche 631 der dritten Schicht 63 mit einem Laser gebildet. Auf diese Weise werden in den Hohlräumen und Nuten Basisschichten abgeschieden. Als nächstes werden Plattierungsschichten, die die Basisschichten abdecken, gebildet, um die ersten eingebetteten Abschnitte 451, die zehnten eingebetteten Abschnitte 460 und den ersten Verbindungsabschnitt 401 mit Öffnungen 401a zu bilden. Als nächstes wird eine fünfte Schicht 65 gebildet. Die fünfte Schicht 65 wird auf die dritte Schicht 63 laminiert. Die fünfte Schicht 65 wird durch Formpressen hergestellt. Als nächstes werden mit einem Laser eine Vielzahl von elften Hohlräumen 661, eine Vielzahl von zwölften Hohlräumen 662 und ein Hohlraum 682 in der fünften Schicht 65, der dritten Schicht 63, der ersten Schicht 61 und der zweiten Schicht 62 gebildet, und mit einem Laser wird eine Vielzahl von Nuten in der ersten Harzoberfläche 601 der fünften Schicht 65 gebildet. Durch dieses Verfahren werden in diesen Hohlräumen und Nuten Basisschichten abgeschieden. Als nächstes werden Plattierungsschichten, die die Basisschichten abdecken, gebildet, um die elften eingebetteten Abschnitte 461, die zwölften eingebetteten Abschnitte 462, den eingebetteten Abschnitt 482, den sechsten Verbindungsabschnitt 406, den siebten Verbindungsabschnitt 407 und den Verbindungsabschnitt 424 zu bilden. Danach wird das Schaltelement 2 auf dem sechsten Verbindungsabschnitt 406, dem siebten Verbindungsabschnitt 407 und dem Verbindungsabschnitt 424 angeordnet. Dabei wird die Drain-Elektrode 231 des Schaltelements 2 mit einem leitenden Bondingmaterial 29 an den siebten Verbindungsabschnitt 407, die Gate-Elektrode 232 mit einem leitenden Bondingmaterial 29 an den Verbindungsabschnitt 424 und die Source-Elektrode 233 mit einem leitenden Bondingmaterial 29 an den sechsten Verbindungsabschnitt 604 gebondet und elektrisch verbunden. Danach werden die fünfte Schicht 65, die dritte Schicht 63, die erste Schicht 61 und die zweite Schicht 62 entlang vorbestimmter Schnittlinien in eine Vielzahl von einzelnen Stücken geschnitten. Durch das obige Verfahren wird das lichtemittierende Halbleiterbauteil A6 hergestellt.
In dem lichtemittierenden Halbleiterbauteil A6 der vorliegenden Ausführungsform fließt, wenn das Schaltelement 2 eingeschaltet ist (ON), der Strom aufgrund der in dem Kondensator 3 gespeicherten elektrischen Ladung durch den Pfad der zehnten eingebetteten Abschnitte 460, den ersten Verbindungsabschnitt 401, die ersten eingebetteten Abschnitte 451, das lichtemittierende Halbleiterelement 1, die zweiten eingebetteten Abschnitte 452, des zweiten Verbindungsabschnitts 402, der zwölften eingebetteten Abschnitte 462, des siebten Verbindungsabschnitts 407, des Schaltelements 2, des sechsten Verbindungsabschnitts 406, der elften eingebetteten Abschnitte 461, des fünften Verbindungsabschnitts 405 und der neunten eingebetteten Abschnitte 459, wodurch das lichtemittierende Halbleiterelement 1 Licht emittiert.
Gemäß dem lichtemittierenden Halbleiterbauteil A6 der vorliegenden Ausführungsform kann der Leitungspfad (der erste Verbindungsabschnitt 401, die ersten eingebetteten Abschnitte 451, der zweite Verbindungsabschnitt 402 und die zweiten eingebetteten Abschnitte 452) zu der ersten Elementelektrode 13 und der zweiten Elementelektrode 14, die auf entgegengesetzten Seiten des lichtemittierenden Halbleiterelements 1 angeordnet sind, dreidimensional und platzsparend angeordnet werden. Dementsprechend kann der Strompfad, der fließt, wenn das lichtemittierende Halbleiterelement 1 Licht emittiert, verkürzt und somit die Induktivitätskomponente des Strompfades reduziert werden.
Der Kondensator 3 ist zumindest teilweise mit dem Dichtungsharz 6 abgedeckt. Das Schaltelement 2 ist auf der ersten Seite der ersten Harzoberfläche 601 in z-Richtung angeordnet und vollständig vom Dichtungsharz 6 freigelegt. Bei der vorliegenden Ausführungsform sind das lichtemittierende Halbleiterelement 1 und der Kondensator 3 in z-Richtung gesehen getrennt voneinander angeordnet. Das Schaltelement 2 ist, in z-Richtung gesehen, zwischen der Position des lichtemittierenden Halbleiterelements 1 und der Position des Kondensators 3 angeordnet. Als Kondensator 3 wird ein dünner Siliziumkondensator verwendet. Eine solche Ausgestaltung ermöglicht es, die Abmessung des lichtemittierenden Halbleiterbauteils A6 in z-Richtung (Dickenrichtung) zu reduzieren und gleichzeitig die Größe des lichtemittierenden Halbleiterbauteils in z-Richtung gesehen zu verringern. Dies ist geeignet, den Pfad des Stroms zu verkürzen, der fließt, wenn das lichtemittierende Halbleiterelement 1 Licht emittiert, und ist daher geeignet, die Induktivitätskomponente des Strompfads zu verringern.
Bei der vorliegenden Ausführungsform ist die Stromrichtung in den elften eingebetteten Abschnitten 461 und in den zwölften eingebetteten Abschnitten 462 entgegengesetzt, wenn das lichtemittierende Halbleiterelement 1 Licht emittiert. Diese elften eingebetteten Abschnitte 461 und zwölften eingebetteten Abschnitte 462 überlappen sich in z-Richtung gesehen vollständig mit dem Schaltelement 2. In z-Richtung betrachtet, liegen die elften eingebetteten Abschnitte 461 und die zwölften eingebetteten Abschnitte 462, die einander benachbart sind, relativ nahe beieinander. Bei einer solchen Ausgestaltung wird, wenn das lichtemittierende Halbleiterelement 1 Licht emittiert, das aufgrund des Stromflusses in den elften eingebetteten Abschnitten 461 erzeugte Magnetfeld durch das aufgrund des Stromflusses in den zwölften eingebetteten Abschnitten 462 erzeugte Magnetfeld aufgehoben. Dies ist geeignet, um den Pfad des Stroms zu verkürzen, der fließt, wenn das lichtemittierende Halbleiterelement 1 Licht emittiert, und ist daher geeignet, um die Induktivitätskomponente des Strompfads zu reduzieren.
Darüber hinaus ist der Leiter 4, der den Leitungspfad zu dem lichtemittierenden Halbleiterelement 1 und dem Schaltelement 2 bildet, aus einer Vielzahl von Verbindungsabschnitten und einer Vielzahl von eingebetteten Abschnitten hergestellt, und eine elektrische Verbindung unter Verwendung eines Drahtes ist nicht erforderlich. Dadurch wird die Induktivitätskomponente des Pfades des Stroms, der durch das lichtemittierende Halbleiterbauteil A6 fließt, reduziert und die Ausbeute (der Prozentsatz der nicht fehlerhaften Produkte) des lichtemittierenden Halbleiterbauteils A6 verbessert.
Das lichtemittierende Halbleiterbauteil gemäß der vorliegenden Offenbarung ist nicht auf die vorangehenden Ausführungsformen beschränkt. Die spezifische Ausgestaltung der einzelnen Teile des lichtemittierenden Halbleiterbauteils gemäß der vorliegenden Offenbarung kann in der Konstruktion auf viele Arten variiert werden.
Die vorliegende Offenbarung schließt die in den folgenden Klauseln definierten Ausgestaltungen mit ein.
Klausel 1.
Lichtemittierendes Halbleiterbauteil, aufweisend:

ein lichtemittierendes Halbleiterelement mit einer ersten Elementoberfläche und einer zweiten Elementoberfläche, die in einer Dickenrichtung voneinander abgewandt sind, eine erste Elementelektrode, die auf der ersten Elementoberfläche angeordnet ist, und eine zweite Elementelektrode, die auf der zweiten Elementoberfläche angeordnet ist;
ein Dichtungsharz mit einer ersten Harzoberfläche und einer zweiten Harzoberfläche, wobei die erste Harzoberfläche in eine erste Richtung der Dickenrichtung weist, in welche die erste Elementoberfläche weist, die zweite Harzoberfläche in eine zweite Richtung der Dickenrichtung weist, in welche die zweite Elementoberfläche weist, wobei das Dichtungsharz mindestens die zweite Elementoberfläche des lichtemittierenden Halbleiterelements bedeckt; und
einen Leiter, der einen Leitungspfad zu dem lichtemittierenden Halbleiterelement bildet,
wobei das Dichtungsharz einen zweiten Hohlraum aufweist, der sich in der Dickenrichtung zur zweiten Elementelektrode erstreckt,
der Leiter einen ersten Verbindungsabschnitt, einen zweiten eingebetteten Abschnitt und einen zweiten Verbindungsabschnitt aufweist,
der erste Verbindungsabschnitt elektrisch mit der ersten Elementelektrode verbunden ist, von der ersten Elementoberfläche in der ersten Richtung der Dickenrichtung versetzt ist und sich entlang einer Richtung senkrecht zur Dickenrichtung erstreckt,
der zweite eingebettete Abschnitt in dem zweiten Hohlraum aufgenommen und mit der zweiten Elementelektrode verbunden ist, und
der zweite Verbindungsabschnitt mit dem zweiten eingebetteten Abschnitt verbunden ist, von der zweiten Elementoberfläche in der zweiten Richtung der Dickenrichtung versetzt ist und sich entlang der Richtung senkrecht zu der Dickenrichtung erstreckt.

Klausel 2.
Das lichtemittierende Halbleiterbauteil nach Klausel 1, wobei das lichtemittierende Halbleiterelement ein Halbleiterlaserelement ist,
das lichtemittierende Halbleiterbauteil ferner ein Schaltelement mit einer ersten Schaltelementoberfläche, die in die erste Richtung der Dickenrichtung weist, einer zweiten Schaltelementoberfläche, die in die zweite Richtung der Dickenrichtung weist, eine Gate-Elektrode, eine Source-Elektrode und eine Drain-Elektrode aufweist, und
der Leiter einen Leitungspfad zu dem Schaltelement bildet. Klausel 3.
Das lichtemittierende Halbleiterbauteil nach Klausel 2, wobei das Dichtungsharz mindestens einen Teil des Schaltelements bedeckt und
das Schaltelement zwischen der ersten Harzoberfläche und der zweiten Harzoberfläche in der Dickenrichtung angeordnet ist.
Klausel 4.
Das lichtemittierende Halbleiterbauteil nach Klausel 3, wobei das Dichtungsharz eine erste Schicht und eine zweite Schicht mit aufweist, wobei die erste Schicht eine erste Oberfläche aufweist, die in die erste Richtung der Dickenrichtung weist und mit dem lichtemittierenden Halbleiterelement überlappt, gesehen in einer Richtung senkrecht zur Dickenrichtung, wobei die zweite Schicht auf einer zweiten Seite der ersten Schicht in der Dickenrichtung angeordnet ist und eine zweite Oberfläche aufweist, die in die zweite Richtung der Dickenrichtung weist,
das Schaltelement über der ersten Schicht und der zweiten Schicht angeordnet ist, und
der zweite Verbindungsabschnitt entlang der zweiten Oberfläche der zweiten Schicht angeordnet ist.
Klausel 5.
Das Lichtemittierende Halbleiterbauteil nach Klausel 4, wobei die Drain-Elektrode auf der ersten Schaltelementoberfläche angeordnet ist,
die Gate-Elektrode und die Source-Elektrode auf der zweiten Schaltelementoberfläche angeordnet sind, und
das lichtemittierende Halbleiterbauteil ferner einen Kondensator aufweist, der elektrisch zwischen der Drain-Elektrode und der ersten Element-Elektrode liegt.
Klausel 6.
Das lichtemittierende Halbleiterbauteil nach Klausel 5, wobei die zweite Schicht die zweite Schaltelementoberfläche bedeckt und einen dritten Hohlraum aufweist, der sich in der Dickenrichtung zur Source-Elektrode erstreckt, und
der Leiter einen dritten eingebetteten Abschnitt aufweist, der in dem dritten Hohlraum aufgenommen und mit der Source-Elektrode und dem zweiten Verbindungsabschnitt verbunden ist.
Klausel 7.
Das lichtemittierende Halbleiterbauteil nach Klausel 6, wobei der Kondensator auf einer ersten Seite der ersten Harzoberfläche in der Dickenrichtung angeordnet ist,
der Leiter einen dritten Verbindungsabschnitt aufweist, der elektrisch mit der Drain-Elektrode verbunden ist und sich in der Richtung senkrecht zur Dickenrichtung erstreckt, und
der erste Verbindungsabschnitt und der dritte Verbindungsabschnitt an einer gleichen Position in der Dickenrichtung angeordnet sind.
Klausel 8.
Das lichtemittierende Halbleiterbauteil nach Klausel 7, wobei das Dichtungsharz eine dritte Schicht aufweist, die auf der ersten Seite der ersten Schicht in der Dickenrichtung angeordnet ist und eine dritte Oberfläche aufweist, die in die erste Richtung der Dickenrichtung weist, und eine vierte Oberfläche, die in die zweite Richtung der Dickenrichtung weist,
die dritte Schicht die erste Elementoberfläche und die erste Schaltelementoberfläche bedeckt und einen ersten Hohlraum aufweist, der sich in der Dickenrichtung zur ersten Elementelektrode erstreckt, und einen vierten Hohlraum, der sich in der Dickenrichtung zur Drain-Elektrode erstreckt,
der erste Verbindungsabschnitt und der dritte Verbindungsabschnitt entlang der dritten Oberfläche der dritten Schicht angeordnet sind,
der Leiter einen ersten eingebetteten Abschnitt und einen vierten eingebetteten Abschnitt aufweist,
der erste eingebettete Abschnitt in dem ersten Hohlraum aufgenommen ist und mit der ersten Elementelektrode und dem ersten Verbindungsabschnitt verbunden ist, und
der vierte eingebettete Abschnitt in dem vierten Hohlraum aufgenommen ist und mit der Drain-Elektrode und dem dritten Verbindungsabschnitt verbunden ist.
Klausel 9.
Das lichtemittierende Halbleiterbauteil nach Klausel 7 oder 8, wobei das Dichtungsharz eine vierte Schicht aufweist, die auf der zweiten Seite der zweiten Schicht in der Dickenrichtung angeordnet ist, und
der zweite Verbindungsabschnitt zwischen der zweiten Schicht und der vierten Schicht angeordnet ist.
Klausel 10.
Das lichtemittierende Halbleiterbauteil nach Klausel 6, wobei das Dichtungsharz mindestens einen Teil des Kondensators bedeckt,
das Dichtungsharz eine dritte Schicht aufweist, die auf der ersten Seite der ersten Schicht in der Dickenrichtung angeordnet ist und eine dritte Oberfläche aufweist, die in die erste Richtung der Dickenrichtung weist, und eine vierte Oberfläche, die in die zweite Richtung der Dickenrichtung weist, und
der Kondensator zwischen der dritten Oberfläche und der vierten Oberfläche in der Dickenrichtung angeordnet ist.
Klausel 11.
Das lichtemittierende Halbleiterbauteil nach Klausel 10, wobei die dritte Schicht die erste Elementoberfläche bedeckt und einen ersten Hohlraum aufweist, der sich in der Dickenrichtung zur ersten Elementelektrode erstreckt, und einen fünften Hohlraum, der sich in der Dickenrichtung zum Kondensator erstreckt,
der erste Verbindungsabschnitt entlang der dritten Oberfläche der dritten Schicht angeordnet ist,
der Leiter einen ersten eingebetteten Abschnitt und einen fünften eingebetteten Abschnitt aufweist,
der erste eingebettete Abschnitt in dem ersten Hohlraum aufgenommen ist und mit der ersten Elementelektrode und dem ersten Verbindungsabschnitt verbunden ist, und
der fünfte eingebettete Abschnitt in dem fünften Hohlraum aufgenommen ist und mit dem Kondensator und dem ersten Verbindungsabschnitt verbunden ist.
Klausel 12.
Das lichtemittierende Halbleiterbauteil nach Klausel 11, wobei die dritte Schicht einen sechsten Hohlraum aufweist, der sich in Dickenrichtung zu der Drain-Elektrode und dem Kondensator erstreckt, und
der Leiter einen sechsten eingebetteten Abschnitt aufweist, der in dem sechsten Hohlraum aufgenommen und mit der Drain-Elektrode und dem Kondensator verbunden ist.
Klausel 13.
Das lichtemittierende Halbleiterbauteil nach Klausel 11, wobei der Kondensator mit der Drain-Elektrode gebondet und elektrisch verbunden ist.
Klausel 14.
Das lichtemittierende Halbleiterbauteil nach einem der Klauseln 10 bis 13, wobei der Kondensator ein Siliziumkondensator ist.
Klausel 15.
Das lichtemittierende Halbleiterbauteil nach einem der Klauseln 3 bis 14, wobei das lichtemittierende Halbleiterelement und das Schaltelement in Dickenrichtung gesehen getrennt voneinander angeordnet sind.
Klausel 16.
Das lichtemittierende Halbleiterbauteil nach Klausel 2, wobei das Schaltelement auf einer ersten Seite der ersten Harzoberfläche in der Dickenrichtung angeordnet ist, und
die Gate-Elektrode, die Source-Elektrode und die Drain-Elektrode auf der zweiten Schaltelementoberfläche angeordnet sind.
Klausel 17.
Das lichtemittierende Halbleiterbauteil nach Klausel 16, ferner aufweisend einen Kondensator, der elektrisch zwischen der Source-Elektrode und der ersten Elementelektrode oder der zweiten Elementelektrode liegt, wobei
das Dichtungsharz mindestens einen Teil des Kondensators bedeckt, und
der Kondensator zwischen der ersten Harzoberfläche und der zweiten Harzoberfläche in der Dickenrichtung angeordnet ist.
Klausel 18.
Das lichtemittierende Halbleiterbauteil nach Klausel 17, wobei das Dichtungsharz eine erste Schicht und eine zweite Schicht aufweist, wobei die erste Schicht eine erste Oberfläche aufweist, die in die erste Richtung der Dickenrichtung weist und mit dem lichtemittierenden Halbleiterelement überlappt, gesehen in einer Richtung senkrecht zur Dickenrichtung, wobei die zweite Schicht auf einer zweiten Seite der ersten Schicht in der Dickenrichtung angeordnet ist und eine zweite Oberfläche aufweist, die in die zweite Richtung der Dickenrichtung weist, und
der zweite Verbindungsabschnitt entlang der zweiten Oberfläche der zweiten Schicht angeordnet ist.
Klausel 19.
Das lichtemittierende Halbleiterbauteil nach Klausel 18, wobei das lichtemittierende Halbleiterelement und der Kondensator in der Dickenrichtung gesehen getrennt voneinander angeordnet sind, und
das Schaltelement zwischen einer Position des lichtemittierenden Halbleiterelements und einer Position des Kondensators, in Dickenrichtung gesehen, angeordnet ist.
Klausel 20.
Das lichtemittierende Halbleiterbauteil nach Klausel 19, wobei das Dichtungsharz eine dritte Schicht umfasst, die auf der ersten Seite der ersten Schicht in der Dickenrichtung angeordnet ist und eine dritte Oberfläche aufweist, die in die erste Richtung der Dickenrichtung weist, und eine vierte Oberfläche, die in die zweite Richtung der Dickenrichtung weist,
die dritte Schicht die erste Elementoberfläche bedeckt und einen ersten Hohlraum aufweist, der sich in der Dickenrichtung bis zur Elektrode des ersten Elements erstreckt,
der erste Verbindungsabschnitt entlang der dritten Oberfläche der dritten Schicht angeordnet ist, und
der Leiter einen ersten eingebetteten Abschnitt aufweist, der in dem ersten Hohlraum aufgenommen und mit der ersten Elementelektrode und dem ersten Verbindungsabschnitt verbunden ist.
Klausel 21.
Das lichtemittierende Halbleiterbauteil nach Klausel 20, wobei das Dichtungsharz einen siebten Hohlraum aufweist, der sich von der zweiten Oberfläche der zweiten Schicht zum Kondensator in der Dickenrichtung erstreckt, und einen achten Hohlraum, der sich von der dritten Oberfläche der dritten Schicht zum Kondensator in der Dickenrichtung erstreckt,
der erste Verbindungsabschnitt ist elektrisch mit der Drain-Elektrode verbunden,
der Leiter einen vierten Verbindungsabschnitt, einen siebten eingebetteten Abschnitt und einen achten eingebetteten Abschnitt aufweist,
der vierte Verbindungsabschnitt entlang der dritten Oberfläche der dritten Schicht angeordnet und elektrisch mit der Source-Elektrode verbunden ist,
der siebte eingebettete Abschnitt in dem siebten Hohlraum aufgenommen und mit dem Kondensator und dem zweiten Verbindungsabschnitt verbunden ist, und
der achte eingebettete Abschnitt in dem achten Hohlraum aufgenommen und mit dem Kondensator und dem vierten Verbindungsabschnitt verbunden ist.
Klausel 22.
Das lichtemittierende Halbleiterbauteil nach Klausel 20, wobei das Dichtungsharz eine fünfte Schicht aufweist, die auf der ersten Seite der dritten Schicht in der Dickenrichtung angeordnet ist und die erste Harzoberfläche aufweist,
das Dichtungsharz einen neunten Hohlraum aufweist, der sich von der zweiten Oberfläche der zweiten Schicht zu dem Kondensator in der Dickenrichtung erstreckt, einen zehnten Hohlraum, der sich von der dritten Oberfläche der dritten Schicht zu dem Kondensator in der Dickenrichtung erstreckt, und einen elften Hohlraum und einen zwölften Hohlraum, die sich jeweils von der ersten Harzoberfläche zu der zweiten Oberfläche der zweiten Schicht in der Dickenrichtung erstrecken,
der Leiter einen fünften Verbindungsabschnitt, einen sechsten Verbindungsabschnitt, einen siebten Verbindungsabschnitt, einen neunten eingebetteten Abschnitt, einen zehnten eingebetteten Abschnitt, einen elften eingebetteten Abschnitt und einen zwölften eingebetteten Abschnitt aufweist,
der fünfte Verbindungsabschnitt entlang der zweiten Oberfläche der zweiten Schicht angeordnet ist,
der sechste Verbindungsabschnitt entlang der ersten Harzoberfläche angeordnet und elektrisch mit der Source-Elektrode verbunden ist,
der siebte Verbindungsabschnitt entlang der ersten Harzoberfläche angeordnet und elektrisch mit der Drain-Elektrode verbunden ist,
der neunte eingebettete Abschnitt in dem neunten Hohlraum aufgenommen und mit dem Kondensator und dem fünften Verbindungsabschnitt verbunden ist,
der zehnte eingebettete Abschnitt in dem zehnten Hohlraum aufgenommen und mit dem Kondensator und dem ersten Verbindungsabschnitt verbunden ist,
der elfte eingebettete Abschnitt in dem elften Hohlraum aufgenommen und mit dem fünften Verbindungsabschnitt und dem sechsten Verbindungsabschnitt verbunden ist, und
der zwölfte eingebettete Abschnitt in dem zwölften Hohlraum aufgenommen und mit dem zweiten Verbindungsabschnitt und dem siebten Verbindungsabschnitt verbunden ist.
Klausel 23.
Das lichtemittierende Halbleiterbauteil nach Klausel 22, wobei sich das Schaltelement mit der Gesamtheit des elften eingebetteten Abschnitts und des zwölften eingebetteten Abschnitts, in Dickenrichtung gesehen, überlappt.
Klausel 24.
Das lichtemittierende Halbleiterbauteil nach einem der Klauseln 17 bis 23, wobei der Kondensator ein Siliziumkondensator ist.
Klausel 25.
Lichtemittierendes Halbleiterbauteil nach einem der Klauseln 1 bis 24, wobei das Dichtungsharz aus einem Material hergestellt ist, das ein wärmehärtendes Kunstharz und einen Zusatzstoff enthält, der ein Metallelement aufweist, wobei das Metallelement einen Teil des Leiters bildet.
Klausel 26.
Das lichtemittierende Halbleiterbauteil nach Klausel 25, wobei der Leiter eine Basisschicht in Kontakt mit dem Dichtungsharz und eine Plattierungsschicht in Kontakt mit der Basisschicht aufweist, und
die Basisschicht aus einem Metallelement besteht, das in dem Zusatzstoff enthalten ist.
Bezugszeichenliste

A1, A2, A3, A4, A5, A6: Lichtemittierendes Halbleiterbauteil
B1: Lichtemittierendes Halbleitersystem
1: Lichtemittierendes Halbleiterelement
11: erste Elementoberfläche
12: zweite Elementoberfläche
13: erste Elementelektrode
14: zweite Elementelektrode
2: Schaltelement
21: erste Schaltelementoberfläche
22: zweite Schaltelementoberfläche
231: Drain-Elektrode
232: Gate-Elektrode
233: Source-Elektrode
29: Leitendes Bondingmaterial
3: Kondensator
31, 32: Elektrode
39: Leitendes Bondingmaterial
4: Leiter
40a: Basisschicht
40b: Plattierungsschicht
401: Erster Verbindungsabschnitt
401a: Öffnung
402: Zweiter Verbindungsabschnitt
403: Dritter Verbindungsabschnitt
404: Vierter Verbindungsabschnitt
405: Fünfter Verbindungsabschnitt
406: Sechster Verbindungsabschnitt
407: Siebter Verbindungsabschnitt
412, 413, 414, 415, 416, 417, 418, 419, 420, 421, 422, 423, 424,425, 426: Verbindungsabschnitt
451: Erster eingebetteter Abschnitt
452: Zweiter eingebetteter Abschnitt
453: Dritter eingebetteter Abschnitt
454: Vierter eingebetteter Abschnitt
455: Fünfter eingebetteter Abschnitt
456: Sechster eingebetteter Abschnitt
457: Siebter eingebetteter Abschnitt
458: Achter eingebetteter Abschnitt
459: Neunter eingebetteter Abschnitt
460: Zehnter eingebetteter Abschnitt
461: Elfter eingebetteter Abschnitt
462: Zwölfter eingebetteter Abschnitt
471, 472, 473, 474, 475, 476, 477, 478, 479, 480, 481, 482, 483: Eingebetteter Abschnitt
6: Dichtungsharz
601: Erste Harzoberfläche
602: Zweite Harzoberfläche
61: Erste Schicht
611: Erste Oberfläche
62: Zweite Schicht
621: Zweite Oberfläche
623, 624, 625, 626: Nut
63: Dritte Schicht
63A: Untere Schicht
63B: Obere Schicht
631: Dritte Oberfläche
632: Vierte Oberfläche
635, 636: Nut
64: Vierte Schicht
65: Fünfte Schicht
51: Erster Hohlraum
652: Zweiter Hohlraum
653: Dritter Hohlraum
654: Vierter Hohlraum
655: Fünfter Hohlraum
656: Sechster Hohlraum
657: Siebter Hohlraum
658: Achter Hohlraum
659: Neunter Hohlraum
660: Zehnter Hohlraum
661: Elfter Hohlraum
662: Zwölfter Hohlraum
671, 672, 673, 674, 675, 676, 677, 678, 679, 680, 681, 682, 683: Hohlraum
7: Lichtdurchlässiges Harz
91: Gate-Treiber
92: DC-Leistungsversorgung
93: Widerstand
94: Diode

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
Zitierte Patentliteratur

JP 2018128432 A [0003]

Claims

Lichtemittierendes Halbleiterbauteil, aufweisend: ein lichtemittierendes Halbleiterelement mit einer ersten Elementoberfläche und einer zweiten Elementoberfläche, die in einer Dickenrichtung voneinander abgewandt sind, eine erste Elementelektrode, die auf der ersten Elementoberfläche angeordnet ist, und eine zweite Elementelektrode, die auf der zweiten Elementoberfläche angeordnet ist; ein Dichtungsharz mit einer ersten Harzoberfläche und einer zweiten Harzoberfläche, wobei die erste Harzoberfläche in eine erste Richtung der Dickenrichtung weist, in welche die erste Elementoberfläche weist, die zweite Harzoberfläche in eine zweite Richtung der Dickenrichtung weist, in welche die zweite Elementoberfläche weist, wobei das Dichtungsharz mindestens die zweite Elementoberfläche des lichtemittierenden Halbleiterelements bedeckt; und einen Leiter, der einen Leitungspfad zu dem lichtemittierenden Halbleiterelement bildet, wobei das Dichtungsharz einen zweiten Hohlraum aufweist, der sich in der Dickenrichtung zur zweiten Elementelektrode erstreckt, der Leiter einen ersten Verbindungsabschnitt, einen zweiten eingebetteten Abschnitt und einen zweiten Verbindungsabschnitt aufweist, der erste Verbindungsabschnitt elektrisch mit der ersten Elementelektrode verbunden ist, von der ersten Elementoberfläche in der ersten Richtung der Dickenrichtung versetzt ist und sich entlang einer Richtung senkrecht zur Dickenrichtung erstreckt, der zweite eingebettete Abschnitt in dem zweiten Hohlraum aufgenommen und mit der zweiten Elementelektrode verbunden ist, und der zweite Verbindungsabschnitt mit dem zweiten eingebetteten Abschnitt verbunden ist, von der zweiten Elementoberfläche in der zweiten Richtung der Dickenrichtung versetzt ist und sich entlang der Richtung senkrecht zu der Dickenrichtung erstreckt.
Lichtemittierendes Halbleiterbauteil nach Anspruch 1, wobei das lichtemittierende Halbleiterelement ein Halbleiterlaserelement ist, das lichtemittierende Halbleiterbauteil ferner ein Schaltelement mit einer ersten Schaltelementoberfläche, die in die erste Richtung der Dickenrichtung weist, einer zweiten Schaltelementoberfläche, die in die zweite Richtung der Dickenrichtung weist, eine Gate-Elektrode, eine Source-Elektrode und eine Drain-Elektrode aufweist, und der Leiter einen Leitungspfad zu dem Schaltelement bildet.
Lichtemittierendes Halbleiterbauteil nach Anspruch 2, wobei das Dichtungsharz mindestens einen Teil des Schaltelements bedeckt und das Schaltelement zwischen der ersten Harzoberfläche und der zweiten Harzoberfläche in der Dickenrichtung angeordnet ist.
Lichtemittierendes Halbleiterbauteil nach Anspruch 3, wobei das Dichtungsharz eine erste Schicht und eine zweite Schicht mit aufweist, wobei die erste Schicht eine erste Oberfläche aufweist, die in die erste Richtung der Dickenrichtung weist und mit dem lichtemittierenden Halbleiterelement überlappt, gesehen in einer Richtung senkrecht zur Dickenrichtung, wobei die zweite Schicht auf einer zweiten Seite der ersten Schicht in der Dickenrichtung angeordnet ist und eine zweite Oberfläche aufweist, die in die zweite Richtung der Dickenrichtung weist, das Schaltelement über der ersten Schicht und der zweiten Schicht angeordnet ist, und der zweite Verbindungsabschnitt entlang der zweiten Oberfläche der zweiten Schicht angeordnet ist.
Lichtemittierendes Halbleiterbauteil nach Anspruch 4, wobei die Drain-Elektrode auf der ersten Schaltelementoberfläche angeordnet ist, die Gate-Elektrode und die Source-Elektrode auf der zweiten Schaltelementoberfläche angeordnet sind, und das lichtemittierende Halbleiterbauteil ferner einen Kondensator aufweist, der elektrisch zwischen der Drain-Elektrode und der ersten Element-Elektrode liegt.
Lichtemittierendes Halbleiterbauteil nach Anspruch 5, wobei die zweite Schicht die zweite Schaltelementoberfläche bedeckt und einen dritten Hohlraum aufweist, der sich in der Dickenrichtung zur Source-Elektrode erstreckt, und der Leiter einen dritten eingebetteten Abschnitt aufweist, der in dem dritten Hohlraum aufgenommen und mit der Source-Elektrode und dem zweiten Verbindungsabschnitt verbunden ist.
Lichtemittierendes Halbleiterbauteil nach Anspruch 6, wobei der Kondensator auf einer ersten Seite der ersten Harzoberfläche in der Dickenrichtung angeordnet ist, der Leiter einen dritten Verbindungsabschnitt aufweist, der elektrisch mit der Drain-Elektrode verbunden ist und sich in der Richtung senkrecht zur Dickenrichtung erstreckt, und der erste Verbindungsabschnitt und der dritte Verbindungsabschnitt an einer gleichen Position in der Dickenrichtung angeordnet sind.
Lichtemittierendes Halbleiterbauteil nach Anspruch 7, wobei das Dichtungsharz eine dritte Schicht aufweist, die auf der ersten Seite der ersten Schicht in der Dickenrichtung angeordnet ist und eine dritte Oberfläche aufweist, die in die erste Richtung der Dickenrichtung weist, und eine vierte Oberfläche, die in die zweite Richtung der Dickenrichtung weist, die dritte Schicht die erste Elementoberfläche und die erste Schaltelementoberfläche bedeckt und einen ersten Hohlraum aufweist, der sich in der Dickenrichtung zur ersten Elementelektrode erstreckt, und einen vierten Hohlraum, der sich in der Dickenrichtung zur Drain-Elektrode erstreckt, der erste Verbindungsabschnitt und der dritte Verbindungsabschnitt entlang der dritten Oberfläche der dritten Schicht angeordnet sind, der Leiter einen ersten eingebetteten Abschnitt und einen vierten eingebetteten Abschnitt aufweist, der erste eingebettete Abschnitt in dem ersten Hohlraum aufgenommen ist und mit der ersten Elementelektrode und dem ersten Verbindungsabschnitt verbunden ist, und der vierte eingebettete Abschnitt in dem vierten Hohlraum aufgenommen ist und mit der Drain-Elektrode und dem dritten Verbindungsabschnitt verbunden ist.
Lichtemittierendes Halbleiterbauteil nach Anspruch 7 oder 8, wobei das Dichtungsharz eine vierte Schicht aufweist, die auf der zweiten Seite der zweiten Schicht in der Dickenrichtung angeordnet ist, und der zweite Verbindungsabschnitt zwischen der zweiten Schicht und der vierten Schicht angeordnet ist.
Lichtemittierendes Halbleiterbauteil nach Anspruch 6, wobei das Dichtungsharz mindestens einen Teil des Kondensators bedeckt, das Dichtungsharz eine dritte Schicht aufweist, die auf der ersten Seite der ersten Schicht in der Dickenrichtung angeordnet ist und eine dritte Oberfläche aufweist, die in die erste Richtung der Dickenrichtung weist, und eine vierte Oberfläche, die in die zweite Richtung der Dickenrichtung weist, und der Kondensator zwischen der dritten Oberfläche und der vierten Oberfläche in der Dickenrichtung angeordnet ist.
Lichtemittierendes Halbleiterbauteil nach Anspruch 10, wobei die dritte Schicht die erste Elementoberfläche bedeckt und einen ersten Hohlraum aufweist, der sich in der Dickenrichtung zur ersten Elementelektrode erstreckt, und einen fünften Hohlraum, der sich in der Dickenrichtung zum Kondensator erstreckt, der erste Verbindungsabschnitt entlang der dritten Oberfläche der dritten Schicht angeordnet ist, der Leiter einen ersten eingebetteten Abschnitt und einen fünften eingebetteten Abschnitt aufweist, der erste eingebettete Abschnitt in dem ersten Hohlraum aufgenommen ist und mit der ersten Elementelektrode und dem ersten Verbindungsabschnitt verbunden ist, und der fünfte eingebettete Abschnitt in dem fünften Hohlraum aufgenommen ist und mit dem Kondensator und dem ersten Verbindungsabschnitt verbunden ist.
Lichtemittierendes Halbleiterbauteil nach Anspruch 11, wobei die dritte Schicht einen sechsten Hohlraum aufweist, der sich in Dickenrichtung zu der Drain-Elektrode und dem Kondensator erstreckt, und der Leiter einen sechsten eingebetteten Abschnitt aufweist, der in dem sechsten Hohlraum aufgenommen und mit der Drain-Elektrode und dem Kondensator verbunden ist.
Lichtemittierendes Halbleiterbauteil nach Anspruch 11, wobei der Kondensator mit der Drain-Elektrode gebondet und elektrisch verbunden ist.
Lichtemittierendes Halbleiterbauteil nach einem der Ansprüche 10 bis 13, wobei der Kondensator ein Siliziumkondensator ist.
Lichtemittierendes Halbleiterbauteil nach einem der Ansprüche 3 bis 14, wobei das lichtemittierende Halbleiterelement und das Schaltelement in Dickenrichtung gesehen getrennt voneinander angeordnet sind.
Lichtemittierendes Halbleiterbauteil nach Anspruch 2, wobei das Schaltelement auf einer ersten Seite der ersten Harzoberfläche in der Dickenrichtung angeordnet ist, und die Gate-Elektrode, die Source-Elektrode und die Drain-Elektrode auf der zweiten Schaltelementoberfläche angeordnet sind.
Lichtemittierendes Halbleiterbauteil nach Anspruch 16, ferner aufweisend einen Kondensator, der elektrisch zwischen der Source-Elektrode und der ersten Elementelektrode oder der zweiten Elementelektrode liegt, wobei das Dichtungsharz mindestens einen Teil des Kondensators bedeckt, und der Kondensator zwischen der ersten Harzoberfläche und der zweiten Harzoberfläche in der Dickenrichtung angeordnet ist.
Lichtemittierendes Halbleiterbauteil nach Anspruch 17, wobei das Dichtungsharz eine erste Schicht und eine zweite Schicht aufweist, wobei die erste Schicht eine erste Oberfläche aufweist, die in die erste Richtung der Dickenrichtung weist und mit dem lichtemittierenden Halbleiterelement überlappt, gesehen in einer Richtung senkrecht zur Dickenrichtung, wobei die zweite Schicht auf einer zweiten Seite der ersten Schicht in der Dickenrichtung angeordnet ist und eine zweite Oberfläche aufweist, die in die zweite Richtung der Dickenrichtung weist, und der zweite Verbindungsabschnitt entlang der zweiten Oberfläche der zweiten Schicht angeordnet ist.
Lichtemittierendes Halbleiterbauteil nach Anspruch 18, wobei das lichtemittierende Halbleiterelement und der Kondensator in der Dickenrichtung gesehen getrennt voneinander angeordnet sind, und das Schaltelement zwischen einer Position des lichtemittierenden Halbleiterelements und einer Position des Kondensators, in Dickenrichtung gesehen, angeordnet ist.
Lichtemittierendes Halbleiterbauteil nach Anspruch 19, wobei das Dichtungsharz eine dritte Schicht umfasst, die auf der ersten Seite der ersten Schicht in der Dickenrichtung angeordnet ist und eine dritte Oberfläche aufweist, die in die erste Richtung der Dickenrichtung weist, und eine vierte Oberfläche, die in die zweite Richtung der Dickenrichtung weist, die dritte Schicht die erste Elementoberfläche bedeckt und einen ersten Hohlraum aufweist, der sich in der Dickenrichtung bis zur Elektrode des ersten Elements erstreckt, der erste Verbindungsabschnitt entlang der dritten Oberfläche der dritten Schicht angeordnet ist, und der Leiter einen ersten eingebetteten Abschnitt aufweist, der in dem ersten Hohlraum aufgenommen und mit der ersten Elementelektrode und dem ersten Verbindungsabschnitt verbunden ist.
Lichtemittierendes Halbleiterbauteil nach Anspruch 20, wobei das Dichtungsharz einen siebten Hohlraum aufweist, der sich von der zweiten Oberfläche der zweiten Schicht zum Kondensator in der Dickenrichtung erstreckt, und einen achten Hohlraum, der sich von der dritten Oberfläche der dritten Schicht zum Kondensator in der Dickenrichtung erstreckt, der erste Verbindungsabschnitt ist elektrisch mit der Drain-Elektrode verbunden, der Leiter einen vierten Verbindungsabschnitt, einen siebten eingebetteten Abschnitt und einen achten eingebetteten Abschnitt aufweist, der vierte Verbindungsabschnitt entlang der dritten Oberfläche der dritten Schicht angeordnet und elektrisch mit der Source-Elektrode verbunden ist, der siebte eingebettete Abschnitt in dem siebten Hohlraum aufgenommen und mit dem Kondensator und dem zweiten Verbindungsabschnitt verbunden ist, und der achte eingebettete Abschnitt in dem achten Hohlraum aufgenommen und mit dem Kondensator und dem vierten Verbindungsabschnitt verbunden ist.
Lichtemittierendes Halbleiterbauteil nach Anspruch 20, wobei das Dichtungsharz eine fünfte Schicht aufweist, die auf der ersten Seite der dritten Schicht in der Dickenrichtung angeordnet ist und die erste Harzoberfläche aufweist, das Dichtungsharz einen neunten Hohlraum aufweist, der sich von der zweiten Oberfläche der zweiten Schicht zu dem Kondensator in der Dickenrichtung erstreckt, einen zehnten Hohlraum, der sich von der dritten Oberfläche der dritten Schicht zu dem Kondensator in der Dickenrichtung erstreckt, und einen elften Hohlraum und einen zwölften Hohlraum, die sich jeweils von der ersten Harzoberfläche zu der zweiten Oberfläche der zweiten Schicht in der Dickenrichtung erstrecken, der Leiter einen fünften Verbindungsabschnitt, einen sechsten Verbindungsabschnitt, einen siebten Verbindungsabschnitt, einen neunten eingebetteten Abschnitt, einen zehnten eingebetteten Abschnitt, einen elften eingebetteten Abschnitt und einen zwölften eingebetteten Abschnitt aufweist, der fünfte Verbindungsabschnitt entlang der zweiten Oberfläche der zweiten Schicht angeordnet ist, der sechste Verbindungsabschnitt entlang der ersten Harzoberfläche angeordnet und elektrisch mit der Source-Elektrode verbunden ist, der siebte Verbindungsabschnitt entlang der ersten Harzoberfläche angeordnet und elektrisch mit der Drain-Elektrode verbunden ist, der neunte eingebettete Abschnitt in dem neunten Hohlraum aufgenommen und mit dem Kondensator und dem fünften Verbindungsabschnitt verbunden ist, der zehnte eingebettete Abschnitt in dem zehnten Hohlraum aufgenommen und mit dem Kondensator und dem ersten Verbindungsabschnitt verbunden ist, der elfte eingebettete Abschnitt in dem elften Hohlraum aufgenommen und mit dem fünften Verbindungsabschnitt und dem sechsten Verbindungsabschnitt verbunden ist, und der zwölfte eingebettete Abschnitt in dem zwölften Hohlraum aufgenommen und mit dem zweiten Verbindungsabschnitt und dem siebten Verbindungsabschnitt verbunden ist.
Lichtemittierendes Halbleiterbauteil nach Anspruch 22, wobei sich das Schaltelement mit der Gesamtheit des elften eingebetteten Abschnitts und des zwölften eingebetteten Abschnitts, in Dickenrichtung gesehen, überlappt.
Lichtemittierendes Halbleiterbauteil nach einem der Ansprüche 17 bis 23, wobei der Kondensator ein Siliziumkondensator ist.
Lichtemittierendes Halbleiterbauteil nach einem der Ansprüche 1 bis 24, wobei das Dichtungsharz aus einem Material hergestellt ist, das ein wärmehärtendes Kunstharz und einen Zusatzstoff enthält, der ein Metallelement aufweist, wobei das Metallelement einen Teil des Leiters bildet.
Lichtemittierendes Halbleiterbauteil nach Anspruch 25, wobei der Leiter eine Basisschicht in Kontakt mit dem Dichtungsharz und eine Plattierungsschicht in Kontakt mit der Basisschicht aufweist, und die Basisschicht aus einem Metallelement besteht, das in dem Zusatzstoff enthalten ist.