DE112020005569T5 - Package-funkenstrecken-struktur - Google Patents

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DE112020005569T5
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Aleksandar Aleksov
Feras Eid
Johanna M. Swan
Adel A. Elsherbini
Veronica Aleman Strong
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    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/153—Connection portion
    • H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA

Abstract

Ausführungsbeispiele können sich auf ein mikroelektronisches Package mit einer Schutzstruktur gegen elektrostatische Entladung (ESD) innerhalb des Package-Substrats beziehen. Die ESD-Schutzstruktur kann einen Hohlraum umfassen, in dem sich ein Kontakt einer Signalleitung und ein Kontakt einer Masseleitung befinden. Andere Ausführungsbeispiele können beschrieben oder beansprucht sein.

Description

  • Bezugnahme auf verwandte Anmeldungen(en)
  • Diese Anmeldung beansprucht die Priorität der Nicht-Provisorischen US-Patentanmeldung Nr. 16/683,125 , eingereicht am 13. November 2019, mit dem Titel „PACKAGE SPARK GAP STRUCTURE“, die hierin durch Bezugnahme vollständig aufgenommen ist.
  • Hintergrund
  • Ein Problem für mikroelektronische Packages ist die elektrostatische Entladung (ESD). ESD kann sich auf einen plötzlich einsetzenden Ladungstransfer (d. h. Elektronenfluss) zwischen zwei Objekten mit unterschiedlichen elektrischen Potenzialen beziehen. Diese statischen Spannungen können den teilweisen oder vollständigen Ausfall eines integrierten Schaltkreises (IC) des mikroelektronischen Packages verursachen.
  • Figurenliste
    • 1 und 2 zeigen ein Beispiel für ein mikroelektronisches Package mit einer ESD-Schutzstruktur mit einer Funkenstrecke gemäß verschiedenen Ausführungsformen.
    • 3 zeigt eine vereinfachte Draufsicht auf eine beispielhafte ESD-Schutzstruktur mit einer Funkenstrecke in Übereinstimmung mit verschiedenen Ausführungsformen.
    • 4 zeigt vereinfachte Querschnittsansichten der beispielhaften ESD-Schutzstruktur von 3 gemäß verschiedenen Ausführungsformen.
    • 5 zeigt eine vereinfachte Draufsicht auf ein alternatives Beispiel einer ESD-Schutzstruktur mit einer Funkenstrecke gemäß verschiedenen Ausführungsformen.
    • 6 zeigt vereinfachte Querschnittsansichten der beispielhaften ESD-Schutzstruktur von 5 gemäß verschiedenen Ausführungsformen.
    • 7 zeigt verschiedene Beispiele für Funkenstrecken einer ESD-Schutzstruktur gemäß verschiedenen Ausführungsformen.
    • 8 zeigt verschiedene vereinfachte Draufsichten auf ein alternatives Beispiel einer ESD-Schutzstruktur mit einer Funkenstrecke gemäß verschiedenen Ausführungsformen.
    • 9 zeigt verschiedene vereinfachte Draufsichten auf ein alternatives Beispiel einer ESD-Schutzstruktur mit einer Funkenstrecke gemäß verschiedenen Ausführungsformen.
    • 10 zeigt verschiedene vereinfachte Draufsichten auf ein alternatives Beispiel einer ESD-Schutzstruktur mit einer Funkenstrecke gemäß verschiedenen Ausführungsformen.
    • 11 zeigt eine Beispieltechnik für die Herstellung eines mikroelektronischen Packages mit einer ESD-Schutzstruktur mit einer Funkenstrecke gemäß verschiedenen Ausführungsformen.
    • 12 ist eine Draufsicht auf einen Wafer und Dies, die eine ESD-Schutzstruktur mit einer Funkenstrecke gemäß verschiedenen Ausführungsformen umfassen können.
    • 13 ist eine seitliche Querschnittsansicht einer IC-Bauelementanordnung, die eine ESD-Schutzstruktur mit einer Funkenstrecke gemäß verschiedenen Ausführungsformen umfassen kann.
    • 14 ist ein Blockdiagramm eines Beispiels für eine elektrische Vorrichtung, die eine ESD-Schutzstruktur mit einer Funkenstrecke gemäß verschiedenen Ausführungsformen umfassen kann.
  • Detaillierte Beschreibung
  • In der nachfolgenden detaillierten Beschreibung wird Bezug auf die beiliegenden Zeichnungen genommen, die einen Teil derselben bilden, wobei gleiche Bezugszeichen durchgehend gleiche Teile bezeichnen, und in denen auf darstellende Weise Ausführungsbeispiele gezeigt sind, bei denen der Gegenstand der vorliegenden Offenbarung praktiziert werden kann. Es wird darauf hingewiesen, dass andere Ausführungsbeispiele verwendet werden können und strukturelle oder logische Änderungen ausgeführt werden können, ohne von dem Schutzbereich der vorliegenden Offenbarung abzuweichen. Daher soll die folgende detaillierte Beschreibung nicht in einem einschränkenden Sinne genommen werden.
  • Für die Zwecke der vorliegenden Offenbarung bezeichnet der Ausdruck „A oder B“ (A), (B), oder (A und B). Für die Zwecke der vorliegenden Offenbarung bezeichnet der Ausdruck „A, B, oder C“ (A), (B), (C), (A und B), (A und C), (B und C), oder (A, B und C).
  • Die Beschreibung kann auf Perspektive basierende Beschreibungen verwenden, wie beispielsweise oben/unten, ein/aus, über/unter und ähnliches. Solche Beschreibungen werden nur verwendet, um die Erörterung zu erleichtern und sollen nicht die Anwendung der Ausführungsbeispiele, die hierin beschrieben sind, auf jegliche bestimmte Ausrichtung einschränken.
  • Die Beschreibung kann die Phrasen „bei einem Ausführungsbeispiel“ oder „bei Ausführungsbeispielen“ verwenden, die sich jeweils auf ein oder mehrere desselben oder unterschiedlicher Ausführungsbeispiele beziehen können. Ferner sind die Ausdrücke „aufweisen“, „umfassen“, „haben“ und ähnliche, wie sie hierin im Hinblick auf Ausführungsbeispiele der vorliegenden Offenbarung verwendet werden, synonym.
  • Der Ausdruck „gekoppelt mit“ kann zusammen mit seinen Herleitungen hierin verwendet werden. „Gekoppelt“ kann eine oder mehrere der folgenden Bedeutungen haben. „Gekoppelt“ kann bedeuten, dass zwei oder mehr Elemente in direktem physischem oder elektrischem Kontakt sind. „Gekoppelt“ kann jedoch auch bedeuten, dass zwei oder mehr Elemente einander indirekt kontaktieren, jedoch weiter miteinander zusammenarbeiten oder interagieren, und kann bedeuten, dass ein oder mehr andere Elemente zwischen die Elemente gekoppelt oder verbunden sind, die miteinander gekoppelt sind. Der Ausdruck „direkt gekoppelt“ kann bedeuten, dass zwei oder mehr Elemente in direktem Kontakt sind.
  • Bei verschiedenen Ausführungsbeispielen kann der Ausdruck „ein erstes Merkmal, [[gebildet/abgeschieden/angeordnet/etc.] auf einem zweiten Merkmal“ bedeuten, dass das erste Merkmal über der Merkmalschicht gebildet/abgeschieden/angeordnet/etc. ist, und zumindest ein Teil des ersten Merkmals in direktem Kontakt (z.B. direkter physischer oder elektrischer Kontakt) oder indirektem Kontakt (z.B. mit einem oder mehreren anderen Merkmalen zwischen dem ersten Merkmal und dem zweiten Merkmal) mit zumindest einem Teil des zweiten Merkmals sein kann.
  • Verschiedene Operationen können wiederum als mehrere diskrete Operationen beschrieben werden, auf eine Weise die beim Verständnis des beanspruchten Gegenstands hilfreich ist. Die Reihenfolge der Beschreibung sollte jedoch nicht derart betrachtet werden, dass sie impliziert, dass diese Operationen notwendigerweise von der Reihenfolge abhängig sind.
  • Nach hiesigem Gebrauch kann der Begriff „Modul“ eine anwendungsspezifische integrierte Schaltung (ASIC; Application Specific Integrated Circuit), eine elektronische Schaltung, einen Prozessor (gemeinschaftlich verwendet, dediziert oder Gruppe) oder einen Speicher (gemeinschaftlich verwendet, dediziert oder Gruppe), die ein oder mehrere Software- oder Firmware-Programme ausführen, eine kombinatorische Logikschaltung oder andere geeignete Komponenten, die die beschriebene Funktionalität bereitstellen, bezeichnen, Teil davon sein oder umfassen.
  • Ausführungsbeispiele hierin können im Hinblick auf verschiedene Figuren beschrieben sein. Sofern nicht ausdrücklich angegeben, sind die Abmessungen der Figuren als vereinfachte, darstellende Beispiele und nicht als Abbildungen von relativen Abmessungen vorgesehen. Zum Beispiel können verschiedene Längen/Breiten/Höhen von Elementen in den Figuren möglicherweise nicht maßstabsgetreu gezeichnet sein, sofern nicht anders angezeigt. Zusätzlich können einige schematische Darstellungen von beispielhaften Strukturen von verschiedenen hierin beschriebenen Vorrichtungen und Anordnungen mit präzisen rechten Winkeln und geraden Linien gezeigt sein, aber es versteht sich, dass solche schematischen Darstellungen möglicherweise keine realen Prozessbeschränkungen widerspiegeln, die dazu führen können, dass die Merkmale nicht so „ideal“ aussehen, wenn irgendeine der hierin beschriebenen Strukturen unter Verwendung von z.B. Rasterelektronenmikroskopie (SEM; scanning electronmicroscopy)-Bildern oder Transmissionselektronenmikroskop (TEM; transmission electron microscope)-Bildem untersucht wird. In solchen Bildern von realen Strukturen könnten auch mögliche Verarbeitungsdefekte sichtbar sein, z.B. nicht perfekt gerade Ränder von Materialien, verjüngte Vias oder andere Öffnungen, unbeabsichtigtes Verrunden von Ecken oder Variationen bei den Dicken unterschiedlicher Materialschichten, gelegentliche Schrauben-, Ränder- oder Kombinationsversetzungen innerhalb der kristallinen Region und/oder gelegentliche Versetzungsdefekte von einzelnen Atomen oder Atomclustern. Es können andere Fehler vorliegen, die hier nicht aufgelistet sind, jedoch innerhalb des Gebiets der Vorrichtungsherstellung häufig auftreten.
  • Es versteht sich, dass der Begriff „mikroelektronisches Package“ in anderen Situationen auch als „Halbleiter-Package“ bezeichnet werden kann Aus Gründen der Einheitlichkeit wird hier jedoch der Begriff „mikroelektronisches Package“ verwendet.
  • Wie bereits erwähnt, kann ESD in einem mikroelektronischen Package unerwünscht sein, da es zu einem teilweisen oder vollständigen Ausfall von ICs des mikroelektronischen Packages führen kann, selbst wenn die ICs den statischen Spannungen nur für eine relativ kurze Zeitspanne ausgesetzt sind. Daher kann der ESD-Schutz als eine Frage der Zuverlässigkeit und als ein wichtiges Element eines jeden elektronischen Systems betrachtet werden, insbesondere wenn man die Kosten für die ICs berücksichtigt.
  • Generell sind Innovationen im Bereich des ESD-Schutzes möglicherweise erwünscht, um mit dem anhaltenden Trend zu schrumpfenden IC-Größen und der zunehmenden Anzahl von Hochgeschwindigkeitssignalleitungen oder höheren Betriebsfrequenzen Schritt zu halten. Dieser Trend kann zu dem Wunsch führen, die IC-Fläche, die für ESD-Schutzfunktionen auf dem Die vorgesehen ist (z. B. On-Die-Dioden), zu minimieren. Es kann daher wünschenswert sein, einige der ESD-Schutzfunktionen vom Die zu entfernen und sie in das Package als eingebettete Packagelösung in den Packagetechnologien der nächsten Generation zu integrieren.
  • Im Allgemeinen beziehen sich die hierin enthaltenen Ausführungsformen auf die Verwendung einer ESD-Schutzstruktur mit einer Funkenstrecke. Die Funkenstrecke kann auf dem elektrischen Durchschlag von Luft beruhen und so ausgelegt sein, dass sie über den interessierenden Betriebsbereich nur minimal für Feuchtigkeit empfindlich ist. In einigen Ausführungsformen kann die Funkenstrecke von der Luftdichte abhängig sein (d. h. von der Temperatur, wenn die Luft bei Erwärmung frei entweichen kann). Daher können sich einige Ausführungsformen auf eine Möglichkeit beziehen, die Funkenstrecke zu miniaturisieren und in einem definierten Volumen zu halten, das in das Package-Substrat integriert ist und durch Verwendung von Package- und Montagestrukturen hergestellt wird. Die Ausführungsbeispiele können daher eine Entladung mit einer stabilen Spannung aufweisen, die durch die Distanz zwischen den Elektroden, die die Funkenstrecke bilden, gesteuert wird. Aspekte der ESD-Schutzstruktur können identifiziert werden, um die kapazitive Belastung der Signalleitung zu minimieren, was wiederum die Unterbrechung der Signalübertragung im mikroelektronischen Package minimieren kann. Zum Beispiel können die Elektroden der ESD-Schutzstruktur ein „spitzes“ Profil haben, und das Dielektrikum innerhalb der ESD-Schutzstruktur kann aus Luft bestehen.
  • Die Ausführungsformen können eine Reihe von Vorteilen gegenüber herkömmlichen mikroelektronischen Packages bereitstellen. Beispielsweise können Package-integrierte ESD-Strukturen den Bedarf an On-Die-ESD-Dioden verringern, was wiederum eine bessere Nutzung der On-Die-Siliziumfläche ermöglichen kann. Insbesondere können die Funkenstreckenstrukturen minimale Änderungen am Entwurf des mikroelektronischen Packages und minimale Ergänzungen bei der Herstellung des Substrat-Packages erfordern, wodurch die zusätzlichen Kosten für das Package-Substrat, das diese Strukturen umfasst, reduziert oder minimiert werden können. Die Strukturen können permanent vorhanden sein und ermöglichen so ESD nicht nur während der Montage, sondern während der gesamten Lebensdauer des Produkts.
  • In den 1 und 2 ist ein Beispiel für ein mikroelektronisches Package 100 mit einer ESD-Schutzstruktur 145 in Übereinstimmung mit verschiedenen Ausführungsformen dargestellt. Im Allgemeinen kann das Package 100 einen Die 105 umfassen, der mit einem Package-Substrat 110 verbunden ist. Der Die 105 kann z. B. ein Prozessor wie eine zentrale Verarbeitungseinheit (CPU), eine allgemeine Verarbeitungseinheit, ein Kern eines verteilten Prozessors oder eine andere Art von Prozessor sein oder umfassen. Alternativ kann der Die 105 auch ein Speicher sein oder einen solchen umfassen, z. B. einen Speicher mit doppelter Datenrate (DDR), einen nichtflüchtigen Speicher (NVM), einen flüchtigen Speicher, einen Nurlesespeicher (ROM) oder eine andere Art von Speicher oder Die. In einigen Ausführungsformen kann der Die 105 ein Hochfrequenz (HF) -Chip oder eine HF-Schaltung sein oder umfassen, der/die so ausgebildet ist, dass er/sie ein drahtloses Signal wie ein Signal der dritten Generation (3G), der vierten Generation (4G), der fünften Generation (5G), ein Wi-Fi-Signal oder eine andere Art von drahtlosem Signal erzeugt, verarbeitet, überträgt oder empfängt. In einigen Ausführungsformen kann der Die 105 eine oder mehrere passive Komponenten wie Kondensatoren, Widerstände usw. umfassen. Die verschiedenen aktiven oder passiven Komponenten können innerhalb, teilweise innerhalb oder auf der Oberfläche des Dies 105 angeordnet sein.
  • Das Package-Substrat 110 kann z.B. als Substrat mit Kern oder kernloses Substrat betrachtet werden. Das Package-Substrat 110 kann eine oder mehrere Schichten eines Dielektrikumsmaterials umfassen, das organisch oder anorganisch sein kann. Das Package-Substrat 110 kann ferner ein oder mehrere leitfähige Elemente wie Vias, Anschlussflächen, Leiterbahnen, Mikrostreifen, Streifenleitungen etc. umfassen. Die leitfähigen Elemente können intern zu dem Package-Substrat sein oder sich auf dessen Oberfläche befinden. Im Allgemeinen können die leitfähigen Elemente das Routen von Signalen durch das Package-Substrat 110 oder zwischen Elementen, die mit dem Package-Substrat 110 gekoppelt sind, ermöglichen. Bei einigen Ausführungsbeispielen kann das Package-Substrat 110 z.B. eine gedruckte Schaltungsplatine (PCB; printed circuit board), ein Interposer, eine Hauptplatine oder irgendeine andere Art von Substrat sein. Es versteht sich, dass, obwohl das Package-Substrat 110 hier als ein Element des mikroelektronischen Packages 100 diskutiert wird, in anderen Ausführungsformen das Package-Substrat 110 als ein von dem mikroelektronischen Package 100 getrenntes Element betrachtet werden kann, mit dem das mikroelektronische Package 100 gekoppelt ist.
  • Der Die 105 kann mit dem Package-Substrat 110 durch eine oder mehrere Verbindungen 115 gekoppelt sein. Bei den Verbindungen 115 kann es sich beispielsweise um C4- (controlled collapse chip) oder Flip-Chip-Höcker (Bumps) handeln, die aus einem Material wie Zinn, Silber, Kupfer usw. bestehen. Im Allgemeinen können die Verbindungen 115 den Die 105 physisch oder kommunikativ mit dem Package-Substrat 110 verbinden. Beispielsweise können eine oder mehrere der Verbindungen 115 physisch mit Anschlussflächen des Dies 105 und Anschlussflächen des Package-Substrats 110 gekoppelt werden und den Durchgang elektrischer Signale zwischen diesen Anschlussflächen ermöglichen (aus Gründen der Übersichtlichkeit der 1 und 2 nicht dargestellt). In anderen Ausführungsformen können eine oder mehrere der Verbindungen 115 den Die 105 und das Package-Substrat 110 physisch koppeln, aber die Verbindungen 115 können den Die 105 und das Package-Substrat 110 nicht kommunikativ koppeln.
  • Das mikroelektronische Package 100 kann außerdem eine Vielzahl von Verbindungen, wie z. B. die Verbindungen 120 und 125, umfassen. Die Verbindungen 120 und 125 können aus einem Material wie Zinn, Kupfer, Silber usw. gebildet sein. Insbesondere können die Verbindungen 120/125 Elemente eines Ball Grid Array (BGA), Pin Grid Array (PGA), Land Grid Array (LGA) usw. sein. Die Verbindungen 120/125 können das mikroelektronische Package 100 kommunikativ oder physisch mit einem anderen Element einer elektronischen Vorrichtung verbinden, z. B. mit einer Leiterplatte, einer Hauptplatine, einem Interposer usw.
  • Genauer gesagt, kann die Verbindung 120 das mikroelektronische Package 100 mit einem Spannungseingang kommunikativ koppeln. Der Spannungseingang kann beispielsweise eine Stromquelle, ein Kommunikationspfad (z. B. eine Signalleitung oder eine Leistungsleitung) oder ein anderes Element einer elektronischen Vorrichtung sein, von der das mikroelektronische Package 100 ein Teil ist. Insbesondere kann der Spannungseingang ein elektrisches Signal 130 mit einer Eingangsspannung Vin liefern. Die Verbindung 125 kann das mikroelektronische Package 100 mit einer Masse verbinden. Bei der Masse kann es sich z. B. um eine Masseebene der elektronischen Vorrichtung oder eine andere Masse handeln.
  • Wie bereits erwähnt, kann das Substrat 110 des mikroelektronischen Packages 100 eine Reihe von leitenden Elementen wie Durchkontaktierungen, Leiterbahnen, Mikrostreifen, Streifenleitungen, Anschlussflächen, usw. umfassen. Die leitfähigen Elemente können eine Reihe von Signal-/elektronischen Pfaden durch das Substrat 110 bilden. Ein solcher Pfad ist der Signalpfad 135. Der Signalpfad 135 kann die Übertragung des elektrischen Signals 130 zwischen der Verbindungsleitung 120 und dem Die 105 ermöglichen. Das elektrische Signal 130 kann beispielsweise ein Datensignal, ein Leistungssignal oder eine andere Art von elektrischem Signal sein.
  • Das Substrat 110 kann außerdem einen Massepfad 140 umfassen. Der Massepfad 140 kann mit der Verbindung 125 und über die Verbindung 125 mit Masse verbunden werden. In einigen Ausführungsformen kann der Massepfad 140 als „Nebenschluss“ zur Masse bezeichnet werden.
  • Der Massepfad 140 und der Signalpfad 135 können über eine ESD-Schutzstruktur 145 miteinander kommunikativ gekoppelt sein. Wie zu sehen ist, kann die ESD-Schutzstruktur 145 zwischen dem Massepfad 140 und dem Signalpfad 135 kommunikativ angeordnet sein. Der spezifische Aufbau der ESD-Schutzstruktur 145 kann weiter unten detaillierter erörtert werden. Auf hohem Niveau kann sich die ESD-Schutzstruktur 145 jedoch bei niedrigen Spannungen wie ein Isolator verhalten und bei relativ hohen Spannungen leitfähig sein. Insbesondere kann die ESD-Schutzstruktur 145 eine Spannungsschwelle haben, die hier als Vtrigger bezeichnet wird. Wenn Vin unter (oder in einigen Ausführungsformen bei oder unter) Vtrigger liegt, kann die ESD-Schutzstruktur 145 isolierend sein und keine elektrischen Signale zwischen dem Signalpfad 135 und der Verbindung 125 fließen lassen. Ein Beispiel für einen solchen isolierenden Zustand ist in 1 dargestellt.
  • Liegt Vin jedoch über (oder in einigen Ausführungsformen bei oder über) Vtrigger, dann kann die ESD-Schutzstruktur 145 in einen leitfähigen Zustand schalten. Ein Beispiel für einen solchen leitfähigen Zustand ist in 2 dargestellt. Insbesondere kann zumindest ein Teil des elektrischen Signals 130 weiterhin den Signalpfad 135 durchlaufen. Ein Teil 150 des elektrischen Signals kann jedoch auch über den Massepfad 140 zu Masse nebengeschlossen werden.
  • Im Betrieb kann Vtrigger auf einen Pegel eingestellt werden, der oberhalb des Pegels liegt, bei dem ein Daten- oder Leistungssignal wünschenswerterweise entlang dem Signalpfad 135 verlaufen kann. Es kann jedoch auch wünschenswert sein, dass Vtrigger unterhalb eines Spannungspegels liegt, bei dem die ICs des Dies 105 beschädigt werden könnten. Insbesondere kann es wünschenswert sein, dass Vtrigger unterhalb des Spannungspegels liegt, der bei einem ESD-Ereignis auftreten kann. Wenn also eine ESD auftritt, kann Vin größer (oder gleich, in einigen Ausführungsformen) als Vtrigger werden, so dass die ESD-Schutzstruktur 145 leitfähig werden kann und zumindest ein Teil der ESD-Spannung über den Massepfad 140 zu Masse nebengeschlossen werden kann. Wenn jedoch kein ESD-Ereignis auftritt, kann Vin unter (oder gleich, in einigen Ausführungsformen) Vtigger liegen, so dass die elektrische Kommunikation entlang des Signalpfads 135 normal ablaufen kann.
  • Im Allgemeinen kann es wünschenswert sein, dass Vtrigger weniger als oder gleich ein paar Volt beträgt (z. B. zwischen etwa 2 und etwa 10 Volt (V), oder genauer gesagt zwischen etwa 4 und etwa 5 V). Es versteht sich jedoch von selbst, dass es sich hierbei um Beispielbereiche handelt und der Vtrigger-Pegel bei anderen Ausführungsformen variieren kann. Eine solche Variation kann beispielsweise auf dem spezifischen Anwendungsfall, für den das mikroelektronische Package eingesetzt werden kann, auf spezifischen Eigenschaften des Dies 105, auf Eigenschaften der ICs des Dies 105 oder auf anderen Material- oder Konstruktionsüberlegungen beruhen. Genauer gesagt kann Vtrigger auf der spezifischen Struktur der ESD-Schutzstruktur beruhen oder von dieser abgeleitet werden, wie weiter unten in Bezug auf 7 ausführlicher erläutert wird.
  • Es versteht sich, dass die oben beschriebenen 1 und 2 als Beispiele zu verstehen sind und dass andere Ausführungsformen in Bezug auf die Anzahl der Elemente, spezifische Konfigurationen usw. variieren können. So sind beispielsweise der Signalpfad 135 und der Massepfad 140 stark vereinfachte Beispiele, und andere Ausführungsformen können zusätzliche leitfähige Elemente wie Anschlussflächen, Leiterbahnen usw. umfassen. In ähnlicher Weise können die relativen Größen, Formen oder die Anzahl der Pfade, der Dies, der Verbindungen usw. in anderen Ausführungsformen unterschiedlich sein. Beispielsweise können einige Ausführungsformen zusätzliche Dies 105, zusätzliche Verbindungen 115/120/125, zusätzliche Signalpfade 135 oder Massepfade 140, zusätzliche ESD-Schutzstrukturen 145 usw. oder eines oder mehrere dieser Elemente an einer anderen Stelle als der in den 1 oder 2 dargestellten Stelle aufweisen. Andere Variationen können bei anderen Ausführungsbeispielen vorliegen.
  • Einzelheiten zu möglichen Ausführungsformen sind in den 3-6 dargestellt. Die 3 und 4 zeigen insbesondere eine Ausführung mit größeren Luftzwischenräumen (Luftspalten), bei der jeder Luftspalt mehrere Funkenstreckenstrukturen umfasst. Die 5 und 6 zeigen ähnliche Strukturen, wobei jedoch jede Funkenstreckenstruktur ihren eigenen Luftspalt haben kann (d. h. mit deutlich kleineren Luftspalten).
  • Insbesondere zeigt 3 eine vereinfachte Draufsicht auf eine beispielhafte ESD-Schutzstruktur mit einer Funkenstrecke in Übereinstimmung mit verschiedenen Ausführungsformen. 3 zeigt eine Draufsicht auf eine Schicht eines Package-Substrats 310 in einem mikroelektronischen Package 300. 4 zeigt vereinfachte Querschnittsansichten der beispielhaften ESD-Schutzstruktur von 3 gemäß verschiedenen Ausführungsformen. Die Ansicht 300A kann insbesondere eine Ansicht entlang der Linie A-A' des mikroelektronischen Packages 300 aus 3 sein. Ansicht 300B kann eine Ansicht entlang der Linie B-B' des mikroelektronischen Packages 300 von 3 sein. Die Ansicht 300C kann eine Ansicht entlang der Linie C-C' des mikroelektronischen Packages 300 der 3 sein.
  • Das Package-Substrat 310 und das mikroelektronische Package 300 können dem Package-Substrat 110 und dem mikroelektronischen Package 100 ähnlich sein und eine oder mehrere Eigenschaften mit ihnen gemeinschaftlich verwenden. Das Package-Substrat 310 kann eine Anzahl von Signalleitungen 303 und eine Anzahl von Masseleitungen 307 umfassen.
  • Eine Signalleitung 303 kann z. B. eine Leiterbahn, ein Mikrostreifen, eine Streifenleitung usw. sein, die aus einem leitfähigen Material wie Kupfer, Gold oder einem anderen leitfähigen Material gebildet ist. Insbesondere kann die Signalleitung 303 ein Element des Signalpfads 135 sein, das kommunikativ mit dem Die 105 und der Verbindung 120 (die hier als Signalverbindung bezeichnet werden kann) gekoppelt und zwischen diesen angeordnet ist. Die Signalleitung 303 kann so ausgebildet sein, dass sie Datensignale, Leistungssignale oder andere Arten von Signalen zwischen dem Die 105 und der Verbindung 120 überträgt.
  • Ähnlich wie die Signalleitung 303 kann die Masseleitung 307 z. B. eine Leiterbahn, ein Mikrostreifen, eine Streifenleitung usw. sein, die aus einem leitfähigen Material wie Kupfer, Gold oder einem anderen leitfähigen Material gebildet ist. Insbesondere kann die Masseleitung 307 ein Element des Massepfads 140 sein, das kommunikativ mit der Verbindung 125 gekoppelt ist (die hier als Masseverbindung bezeichnet werden kann).
  • Das Package-Substrat 310 kann einen Hohlraum 311 umfassen, der zumindest einen Teil sowohl der Masseleitung 307 als auch der Signalleitung 303 umfasst. Im Allgemeinen kann der Hohlraum 311 ein abgedichteter Hohlraum sein, der mit Luft gefüllt ist. In anderen Ausführungsformen kann der Hohlraum 311 jedoch auch mit einem anderen dielektrischen Material gefüllt sein, z. B. mit einem inerten Gas, einem festen Dielektrikum oder einem anderen Material oder einer Kombination von Materialien.
  • Die Masseleitung 307 kann eine Reihe von Massekontakten 309 umfassen, die in 3 als allgemein dreieckige Elemente dargestellt sind, die innerhalb des Hohlraums 311 als Teil der Masseleitung 307 angeordnet sind. Die Signalleitung 303 kann auch einen Signalkontakt 317 umfassen, der dem Massekontakt 309 gegenüberliegt. In der in 3 gezeigten Ausführungsform kann der Signalkontakt 317 ein Teil der Signalleitung 303 sein, der dem Massekontakt 309 gegenüber liegt. In anderen Ausführungsformen kann der Signalkontakt eine zusätzliche Struktur (z. B. einen Vorsprung ähnlich dem Massekontakt 309), eine Anschlussfläche aus einem anderen Material oder eine andere Art von Kontakt aufweisen. Im Allgemeinen können der Hohlraum 311, der (die) Massekontakt(e) 309 und der (die) Signalkontakt(e) einen Teil einer ESD-Schutzstruktur wie der ESD-Schutzstruktur 145 bilden oder sein.
  • Wie in 4 zu sehen ist, können der Hohlraum 311, die Masseleitung 307, die Signalleitung 303, der Massekontakt 309 und der Signalkontakt 317 im Allgemeinen koplanar sein. Außerdem kann die Schicht zwischen zwei Metallschichten 313 angeordnet sein, die einen Schutz vor elektromagnetischer Interferenz (EMI) gegenüber der ESD-Schutzstruktur bieten können.
  • Wie in den 3 und 4 zu sehen ist, können der Massekontakt 309 und der Signalkontakt 317 in einer Distanz d zueinander angeordnet sein, während die Masseleitung 307 und die Signalleitung in einer Distanz D zueinander angeordnet sind. Die Distanz D kann zwischen ca. 5 und ca. 25 Mikrometer betragen (obwohl die Distanz in anderen Ausführungsformen aufgrund von Faktoren wie Designüberlegungen, Materialauswahl usw. variieren kann)
  • Die Distanz d kann von einer gewünschten Triggerspannung Vtrigger abhängen. Eine kleinere Distanz d kann zum Beispiel eine niedrigere Vtrigger bewirken. Im Gegensatz dazu kann eine größere Distanz d eine höhere Vtrigger bewirken. Wenn Vin bei oder über Vtrigger liegt, kann zwischen dem/den Massekontakt(en) 309 und dem/den Signalkontakt(en) 317 eine zusätzliche Ladung einen Funken verursachen, wie oben in Bezug auf die 1 und 2 beschrieben. Dieser Funke kann ein elektromagnetisches Feld erzeugen, das andere Elemente oder Schaltungen des mikroelektronischen Packages 300 stören oder anderweitig beschädigen kann, weshalb es wünschenswert sein kann, die Metallschichten 313 auf beiden Seiten der ESD-Schutzstruktur anzuordnen, um die Auswirkungen dieses Funkens zu verhindern oder zu minimieren.
  • Die 5 und 6 zeigen ein alternatives Beispiel für eine ESD-Schutzstruktur mit einer Funkenstrecke. 5 zeigt genauer gesagt eine Draufsicht auf eine Schicht eines Package-Substrats 510 in einem mikroelektronischen Package 500. 6 zeigt vereinfachte Querschnittsansichten der beispielhaften ESD-Schutzstruktur von 5 in Übereinstimmung mit verschiedenen Ausführungsformen. Die Ansicht 500K kann insbesondere eine Ansicht entlang der Linie K-K' des mikroelektronischen Packages 500 aus 5 sein. Ansicht 500J kann eine Ansicht entlang der Linie J-J' des mikroelektronischen Packages 500 von 5 sein. Die Ansicht 5001 kann eine Ansicht entlang der Linie I-I' des mikroelektronischen Packages 500 der 5 sein.
  • Das mikroelektronische Package 500 kann mehrere Elemente umfassen, die dem mikroelektronischen Package 300 ähnlich sind und eine oder mehrere Eigenschaften mit ihm teilen. Insbesondere kann das mikroelektronische Package 500 ein Package-Substrat 510, Signalkontakte 517, Signalleitungen 503, Masseleitungen 507, Massekontakte 509 und Metallschichten 513 umfassen, die dem Package-Substrat 310, den Signalkontakten 317, den Signalleitungen 303, den Masseleitungen 307, den Massekontakten 309 und den Metallschichten 313 ähneln bzw. eine oder mehrere Eigenschaften mit ihnen teilen. Obwohl nicht markiert, können die Signalleitungen 503 und die Masseleitungen 507 in einer Distanz D zueinander angeordnet sein, wie oben in Bezug auf 3 beschrieben.
  • Das mikroelektronische Package 500 kann ferner eine Vielzahl von Hohlräumen 511 umfassen, die den Hohlräumen 311 des mikroelektronischen Packages 300 ähnlich sind und eine oder mehrere Eigenschaften mit ihnen teilen. Wie jedoch zu sehen ist, können die Hohlräume 511 kleiner als die Hohlräume 311 sein und einen einzigen Massekontakt 509 anstelle einer Mehrzahl von Massekontakten umfassen, wie in den 3 und 4 in Bezug auf das mikroelektronische Package 300 dargestellt ist. Es kann wünschenswert sein, die kleineren Lufthohlräume 511 anstelle eines einzigen großen Lufthohlraums 311 zu verwenden, da die kleineren Lufthohlräume 511 eine individuelle Abstimmung der Spannung Vtrigger für jede der Funkenstrecken zwischen den Massekontakten 509 und den Signalkontakten 517 ermöglichen können. In anderen Ausführungsformen können die kleineren Lufthohlräume 511 wünschenswert sein, weil sie einfacher herzustellen sind als ein einzelner großer Hohlraum.
  • Es versteht sich, dass die Ausführungsformen der 3-6 als Beispielausführungen gedacht sind und andere Ausführungsformen einen Hohlraum haben können, wie z. B. die Hohlräume 311 oder 511, die mehr oder weniger Signal- oder Masseleitungen als dargestellt überspannen, oder die Signal- oder Masseleitungen können anders angeordnet sein.
  • Außerdem sind in den 3-6 die Masseleitungen 307 oder 507 mit drei Massekontakten 309/509 auf jeder Seite der Masseleitungen dargestellt. In anderen Ausführungsformen können die Masseleitungen jedoch mehr oder weniger Massekontakte aufweisen als dargestellt. In einigen Ausführungsformen befinden sich die als Massekontakte 309/509 dargestellten vorstehenden Kontakte nicht auf der Masseleitung, sondern die Masseleitung kann relativ glatt sein und die Signalleitungen 303/503 können vorstehende Kontakte aufweisen. In einigen Ausführungsformen können sowohl die Masseleitungen 307/507 als auch die Signalleitungen 303/503 vorstehende Kontakte aufweisen. Auch wenn die Massekontakte 309/509 im Allgemeinen symmetrisch auf beiden Seiten der Masseleitungen 307/507 dargestellt sind, können die Massekontakte 309/509 in einigen Ausführungsformen in Bezug auf die Masseleitung so gegeneinander versetzt sein, dass die Masseleitung und die Massekontakte ein sägezahnartiges Profil anstelle eines rautenförmigen Profils bilden, wie in den 3 und 5 dargestellt. In einigen Ausführungsformen können verschiedene Massekontakte 309/509 unterschiedliche Distanzen zu einem jeweiligen Signalkontakt 317/517 haben. Die unterschiedlichen Distanzen können unterschiedliche Auslösespannungen Vtrigger ermöglichen, was zur Abstimmung der Performance der ESD-Schutzstruktur wünschenswert sein kann.
  • Wie in den 4 und 6 dargestellt, können die Hohlräume 311/511 im Allgemeinen die gleiche Höhe haben wie eine Metallschicht (z. B. die Masseleitungen 307/507 oder die Signalleitungen 303/503). In anderen Ausführungsformen kann ein Hohlraum jedoch eine Höhe haben, die etwa der Hälfte der Höhe einer Metallschicht entspricht und höher ist als die Höhe einer Metallschicht. In einigen Ausführungsformen kann sich zum Beispiel ein Hohlraum zwischen einer oder beiden Metallschichten, wie den Metallschichten 313 und 513, erstrecken.
  • 7 veranschaulicht die Details der tatsächlichen Funkenstrecke. Die Funkenstrecke kann, wie dargestellt, unterschiedliche Formen haben. Insbesondere zeigt 7 verschiedene Beispiele für Funkenstrecken einer ESD-Schutzstruktur gemäß verschiedenen Ausführungsformen.
  • In sind verschiedene Massekontakte 709a, 709b, 709c und 709d zu sehen. Die Massekontakte 709a-d können den Massekontakten 309 oder 509 ähnlich sein und eine oder mehrere Eigenschaften mit ihnen teilen. Die Massekontakte 709a-d sind benachbart zu den Signalkontakten 717 dargestellt, die den Signalkontakten 317 oder 517 ähneln und eine oder mehrere Eigenschaften mit ihnen teilen können. Wie man sieht, können die verschiedenen Massekontakte 709a-d vom Signalkontakt 717 durch eine Distanz d getrennt sein, wie oben beschrieben.
  • Die Distanz d kann im Allgemeinen bestimmen, bei welcher Spannung, Vingger, der Funke ausgelöst wird. Um einen Funken bei etwa 4 V auszulösen, kann die Distanz d bei einem Standard-Durchschlagsfeld der Luft von etwa 3 Kilovolt pro Millimeter (kV/mm) in der Größenordnung von etwa 1,5 Mikrometern („Mikron“) liegen. In anderen Ausführungsformen kann die Distanz d jedoch im Allgemeinen zwischen etwa 0,5 und etwa 5 Mikrometer betragen.
  • Wie in 7 zu sehen ist, können die verschiedenen Massekontakte 709a-709d unterschiedliche Profile aufweisen. Der Massekontakt 709a kann beispielsweise ein allgemein dreieckiges und spitzes Profil haben. Der Massekontakt 709b kann ein trapezförmiges Profil haben. Der Massekontakt 709c kann ein abgerundetes Profil haben. Der Massekontakt 709d kann ein abgewinkeltes Profil haben. Die verschiedenen Profile können aus unterschiedlichen Gründen wünschenswert sein. So kann der Massekontakt 709a eine geringere Spannung Vtrigger haben als beispielsweise der Massekontakt 709d.
  • Es versteht sich von selbst, dass es sich bei diesen Beispielprofilen um Beispiele handelt und dass verschiedene Ausführungsformen unterschiedliche Profile aufweisen können. Das zu verwendende Profil kann z. B. auf der Grundlage spezifischer Herstellungserwägungen, des Verwendungszwecks des mikroelektronischen Packages oder anderer Erwägungen bestimmt werden. Auch wenn die dargestellten Elemente hier als „Massekontakte“ bezeichnet werden, kann eine Signalleitung in einigen Ausführungsformen einen oder mehrere hervorstehende Signalkontakte mit einem ähnlichen Profil wie die oben beschriebenen Massekontakte 709a-709d umfassen.
  • Im Allgemeinen werden in den Ausführungsbeispielen der 3-6 ESD-Strukturen mit Funkenstrecke und integriertem Package-Substrat dargestellt oder beschrieben, die in eine Substratschicht eingebaut werden können. Die 8 und 9 zeigen ESD-Schutzstrukturen, die auf einer äußeren (z. B. oberen oder unteren) Schicht eines Package-Substrats wie dem Package-Substrat 110 aufgebaut sein können. Im Allgemeinen kann die ESD-Schutzstruktur eine ähnliche Struktur aufweisen wie in den Ausführungsformen der vorangegangenen Abbildungen, jedoch kann in den Ausführungsformen der 8 und 9 keine Package-Dielektrikumsschicht vorhanden sein, die die Funkenstreckenstrukturen (z. B. die Masse- und Signalkontakte) abdeckt. Stattdessen kann der Hohlraum durch Auflegen eines Deckels auf die Oberfläche des Package-Dielektrikumsmaterials (z. B. eines Lötresistmaterials) gebildet werden, das im Bereich der Funkenstreckenstrukturen entfernt wird (z. B. durch Lithografie oder ein anderes Verfahren). Der Deckel kann eine geringe vertikale Distanz zu den Leitungen oder Kontakten haben, die er abdeckt. Auf diese Weise kann ein Hohlraum gebildet werden, der zwar nicht hermetisch ist, aber die Gasausdehnung einschränken und eine relativ konstante Gasdichte im Hohlraum gewährleisten kann. Diese relativ konstante Gasdichte kann eine relativ konstante Zündspannung (z. B. Vtrigger) gewährleisten, die relativ temperaturunabhängig sein kann. Beispielsweise kann Vtrigger je nach Luftfeuchtigkeit oder Temperatur in dem Hohlraum um etwa 10 % höher oder niedriger liegen.
  • In 8 sind zwei Ansichten 800a und 800b eines mikroelektronischen Packages 800 dargestellt. Ansicht 800a kann eine vereinfachte Draufsicht auf das mikroelektronische Package 800 ohne Deckel sein. Ansicht 800b kann eine vereinfachte Querschnittsansicht des mikroelektronischen Packages 800 entlang der Linie E-E' der Ansicht 800a sein.
  • Das mikroelektronische Package 800 kann eine Metallleitung 813, ein Package-Substrat 810, Signalleitungen 803, Masseleitungen 807, Massekontakte 809 und Signalkontakte 817 umfassen, die der Metallleitung 313, dem Package-Substrat 310, den Signalleitungen 303, den Masseleitungen 307, den Massekontakten 309 und den Signalkontakten 317 ähneln bzw. eine oder mehrere Eigenschaften mit ihnen teilen können. Obwohl nicht markiert, können die Signalleitungen 803 und die Masseleitungen 807 in einer Distanz D zueinander angeordnet sein, wie oben in Bezug auf 3 beschrieben. Obwohl in 8 aus Gründen der Übersichtlichkeit nicht speziell gekennzeichnet, können die Massekontakte 809 und die Signalkontakte 817 eine Distanz d zueinander haben, wie oben in Bezug auf die vorherigen Figuren beschrieben.
  • Das mikroelektronische Package 800 kann ferner einen Hohlraum 811 enthalten, der im Allgemeinen dem Hohlraum 311 ähnelt. Wie bereits erwähnt, kann der Hohlraum 811 in einer äußeren Schicht (z. B. einer oberen oder unteren Schicht) des Package-Substrats 810 gebildet werden, z. B. durch lithografisches Ätzen. Der Hohlraum 811 kann zumindest teilweise eine oder mehrere Signalleitung(en) 803, Masseleitung(en) 807, Massekontakt(e) 809 und Signalkontakt(e) 817 enthalten, die darin angeordnet sind. Der Hohlraum 811 kann mit einem Deckel 825 abgedichtet werden, der z. B. aus einem Material wie Edelstahl bestehen kann. So kann der Deckel 825 ein Element zur Versteifung des Packages sein. In anderen Ausführungsformen kann der Deckel aus Kupfer, Silizium, Nickel usw. bestehen. Im Allgemeinen kann der Deckel eine Dicke zwischen etwa 50 Mikrometern und etwa 2 Millimetern (mm) haben, in anderen Ausführungsformen kann der Deckel jedoch dicker oder dünner sein. Wie bereits erwähnt, muss die Dichtung keine hermetische Dichtung sein, sondern kann eine Dichtung sein, die die Gasausdehnung einschränkt und eine konstante Gasdichte im Hohlraum 811 gewährleistet.
  • Wie zu sehen ist, kann der Hohlraum 811 in 8 eine einzige Masseleitung 807 mit insgesamt sechs Massekontakten 809 auf denselben umfassen. Der Hohlraum 811 kann darüber hinaus zumindest einen Teil der Signalleitungen 803 mit insgesamt sechs darauf angeordneten Signalkontakten 817 umfassen. Es versteht sich jedoch, dass der Hohlraum 811 in anderen Ausführungsformen mehr oder weniger Kontakte, Masseleitungen oder Signalleitungen umfassen kann. In einigen Ausführungsformen können sich eine oder mehrere der Signalleitungen 803 vollständig innerhalb des Hohlraums 811 befinden und nicht nur teilweise innerhalb des Hohlraums 811, wie in 8 dargestellt. In einigen Ausführungsformen kann der Hohlraum 811 höher oder kürzer sein als in 8 dargestellt. Andere Variationen können bei anderen Ausführungsbeispielen vorliegen.
  • 9 zeigt eine alternative Struktur mit einem Deckel, der eine aktive Rolle in der ESD-Schutzstruktur spielt. Der Deckel kann kommunikativ oder elektrisch (z. B. durch eine Lötverbindung oder eine andere Kopplung) mit der Masse oder den Masseleiterbahnen verbunden sein. Insbesondere kann der Deckel in einigen Ausführungsformen (z. B. durch einen organischen Klebstoff) auf das Package-Substrat geklebt und mit Masse verbunden werden. Durch diese Kopplung kann der Deckel Zugang zu Masse haben und zumindest teilweise als Masseleitung dienen. Der Deckel kann dann Funkenstreckenstrukturen (z. B. Massekontakte oder Signalkontakte) aufweisen, die es nun ermöglichen, dass der Funke zwischen dem Deckel und einer Signalleitung oder einem Signalkontakt überspringen kann. Diese Ausführungsform kann verschiedene Vorteile gegenüber anderen Strukturen bieten. So kann der Deckel beispielsweise eine Reihe von Signalleiterbahnen überspannen und so die Anzahl der möglicherweise erforderlichen Masseleiterbahnen oder Massestrukturen reduzieren.
  • In 9 sind zwei Ansichten 900a und 900b eines mikroelektronischen Packages 900 dargestellt. Ansicht 900a kann eine vereinfachte Draufsicht auf das mikroelektronische Package 900 ohne Deckel sein. Ansicht 900b kann eine vereinfachte Querschnittsansicht des mikroelektronischen Packages 900 entlang der Linie F-F' der Ansicht 900a sein.
  • Das mikroelektronische Package 900 kann eine Metallleitung 913, ein Package-Substrat 910, Signalleitungen 903, Masseleitungen 907 und Signalkontakte 917 umfassen, die der Metallleitung 313, dem Package-Substrat 310, den Signalleitungen 303, den Masseleitungen 307 und den Signalkontakten 317 ähneln bzw. eine oder mehrere Eigenschaften mit ihnen teilen können. Obwohl nicht markiert, können die Signalleitungen 903 und die Masseleitungen 907 in einer Distanz D zueinander angeordnet sein, wie oben in Bezug auf 3 beschrieben.
  • Wie zu sehen ist, kann das mikroelektronische Package 900 außerdem einen Deckel 925 enthalten, der dem Deckel 825 in 8 ähneln kann. Der Deckel 925 kann jedoch, wie in 9 dargestellt, mit den Masseleitungen 907 kommunikativ gekoppelt sein. Insbesondere kann der Deckel 925 einen Abstandshalter 955 umfassen und mit den Masseleitungen 907 durch eine Verbindung 950 gekoppelt sein. Die Verbindung 950 kann ähnlich wie die Verbindungen 115 in 1 sein. Insbesondere kann die Verbindung 950 eine Lötkugel oder ein Löthöcker sein, obwohl in anderen Ausführungsformen die Verbindung 950 eine andere Art von Verbindung sein kann.
  • Der Deckel 925 kann einen oder mehrere Massekontakte 909 umfassen, die im Allgemeinen den Massekontakten 309 oder einer anderen Art von Massekontakt ähneln können. Die Massekontakte 909 können von den Signalkontakten 917 durch eine Distanz d getrennt sein, die mit der oben in Bezug auf 3 diskutierten Distanz d vergleichbar sein kann, auch wenn dies aus Gründen der Redundanz der Figur nicht speziell gekennzeichnet ist. Wie zu sehen ist, können die Massekontakte 909 aus dem Deckel 925 in den Hohlraum 911 ragen, der durch das Package-Substrat 910, den Deckel 925, die Masseleitungen 907, die Verbindungen 950 und den Abstand 955 gebildet wird. Darüber hinaus können die Massekontakte 909 über eine oder mehrere Leiterbahnen, Anschlussflächen, Vias oder andere leitfähige Elemente entweder innerhalb oder auf der Oberfläche des Deckels 925 kommunikativ mit der Masseleiterbahn 907 gekoppelt sein. Insbesondere können die Massekontakte 909 mit der Masseleiterbahn 907 über das eine oder die mehreren leitfähigen Elemente, den Abstand 955 und die Verbindung 950 kommunikativ gekoppelt sein. Die leitfähigen Elemente sind in 9 nicht dargestellt, um die Figur nicht zu unübersichtlich zu machen.
  • Der Abstandshalter 955 kann in das mikroelektronische Package 900 umfasst werden, um die Größe oder das Volumen des Hohlraums 911 anzupassen, die Distanz d der Massekontakte 909 von den Signalkontakten 917 einzustellen oder aus einem anderen Grund. Wie bereits erwähnt, können die Distanz der Massekontakte 909 von den Signalkontakten 917, der relative Druck oder die Größe des Hohlraums 911 oder andere Faktoren die Auslösespannung Vtrigger verändern, bei der ein Funke zwischen den Massekontakten 909 und den Signalkontakten 917 entstehen kann.
  • Wie in 9 zu sehen ist, kann das mikroelektronische Package 900 eine Reihe von Vorteilen bieten. Zum Beispiel kann der Deckel 925 eine Mehrzahl von Massekontakten 909 innerhalb des Hohlraums umfassen, und die jeweiligen Massekontakte 909 können benachbart zu einem Signalkontakt 917 einer Signalleitung 903 sein, die sich innerhalb des Hohlraums 911 befindet. Diese Konfiguration kann eine Skalierbarkeit des mikroelektronischen Packages ermöglichen, so dass mehr oder weniger Signalleitungen 903 innerhalb des Hohlraums 911 angeordnet werden können.
  • Ähnlich wie bei anderen Ausführungsformen versteht es sich von selbst, dass die Ausführungsformen der 8 und 9 als Beispielausführungen gedacht sind und andere Ausführungsformen variieren können. Andere Ausführungsformen können beispielsweise Elemente (z. B. die Kontakte oder Leitungen) aufweisen, die eine andere Größe oder Form haben als die in Bezug auf 3-6 dargestellten. In einigen Ausführungsformen kann der Deckel 925 eher mit den Signalleitungen als mit den Masseleitungen gekoppelt sein und kann daher eher Signalkontakte als Massekontakte umfassen. Andere Variationen können bei anderen Ausführungsbeispielen vorliegen.
  • Es versteht sich von selbst, dass die ESD-Schutzstrukturen der Funkenstrecke auf verschiedenen Schichten des Package-Substrats aufgebaut sein können. Die 2 bis 6 zeigen beispielsweise Konfigurationen der ESD-Schutzstruktur in Form von Innenschichten, und die 8 und 9 zeigen Konfigurationen der ESD-Schutzstrukturen in Form von Außenschichten. In einigen Ausführungsformen kann sich das Signal jedoch auch vertikal durch das Package-Substrat bewegen. Beim Übergang von einer Package-Schicht zu einer anderen Package-Schicht muss das Signal beispielsweise aus dem Package-Substrat herausgeführt werden. In diesem Fall kann das Via auf einer Anschlussfläche innerhalb einer Schicht des Package-Substrats landen. Die Signal-Anschlussflächen können von einer Masseleitung oder einer Masseschicht umgeben sein, die Funkenstreckenstrukturen aufweisen kann, die das Signal-Via radial umgeben.
  • In 10 sind zwei Ansichten 1000a und 1000b eines mikroelektronischen Packages 1000 dargestellt. Ansicht 1000a kann eine vereinfachte Draufsicht auf das mikroelektronische Package 1000 ohne Deckel sein. Ansicht 1000b kann eine vereinfachte Querschnittsansicht des mikroelektronischen Packages 1000 entlang der Linie G-G' der Ansicht 1000a sein. In ähnlicher Weise kann die Ansicht 1000a eine vereinfachte Querschnittsansicht des mikroelektronischen Packages 1000 entlang der Linie H-H' der Ansicht 1000b sein.
  • Das mikroelektronische Package 1000 kann ein Package-Substrat 1010 umfassen, das dem Package-Substrat 310 aus 3 ähnlich sein kann. Das Package-Substrat 1010 kann eine Reihe von Signalleitungen 1065 umfassen, die zwischen verschiedenen Schichten des Package-Substrats verlaufen. Die Signalleitungen 1065 können aus einer Reihe von leitfähigen Elementen wie Vias 1070, Anschlussflächen 1080 und Leiterbahnen 1075 bestehen.
  • Das Package-Substrat 1010 kann außerdem eine Reihe von Metallschichten 1060 umfassen. Eine oder mehrere der Metallschichten 1060 können mit der Masse des mikroelektronischen Packages 1000 oder einer elektronischen Vorrichtung, von der das mikroelektronische Package 1000 ein Teil ist, verbunden sein. In der speziellen Ausführungsform von 10 kann die Metallschicht 1060, die kolinear mit der Leitung H-H' ist, mit der Masse verbunden sein und daher eine ähnliche Funktion wie die oben beschriebene Masseleitung 307 (oder eine andere Masseleitung) erfüllen. Es versteht sich, dass, obwohl die Metallschicht 1060 in Ansicht 1000a als ein einheitliches Metallstück dargestellt ist, die Metallschicht 1060 in anderen Ausführungsformen eine Mehrzahl von Stücken umfassen kann, die entweder miteinander verbunden oder voneinander getrennt sind.
  • Die Metallschicht kann einen oder mehrere Vorsprünge umfassen, die als Massekontakte 1009 dienen können, die den oben beschriebenen Massekontakten 309 (oder einem anderen Massekontakt) ähneln. Insbesondere kann die Signalleitung 1065 einen Signalkontakt 1017 umfassen, der benachbart zu dem Massekontakt 1009 ist. Der Signalkontakt 1017 und der Massekontakt 1009 können in einem Hohlraum 1011 positioniert sein, der dem Hohlraum 311 oder einem anderen hierin beschriebenen Hohlraum ähnlich sein kann, und sie können, wie oben beschrieben, eine Distanz d voneinander haben (obwohl sie in 10 aus Gründen der Redundanz der Figur nicht speziell dargestellt sind). Wie in anderen Ausführungsformen beschrieben, kann eine Überspannung zwischen dem Massekontakt 1009 und dem Signalkontakt 1017 im Hohlraum 1011 entstehen, wenn die Spannung Vin der Signalleitung 1065 bei oder über einer Auslösespannung Vtrigger liegt.
  • Ähnlich wie bei anderen Ausführungsformen versteht es sich von selbst, dass die in 10 dargestellte Ausführungsform als Beispiel dient und andere Ausführungsformen von der dargestellten Ausführungsform abweichen können. Zum Beispiel kann die Form der Signalleitungen 1065 (oder Elemente davon), die Konfiguration der spezifischen Leitungen oder Leiterbahnen, die Form, Anzahl oder Größe der verschiedenen Kontakte usw. in verschiedenen Ausführungsformen variieren. In einigen Ausführungsformen kann der Hohlraum 1011, anstatt sich über und unter der Metallschicht 1060 zu erstrecken, bündig mit der Ober- oder Unterseite der Metallschicht 1060 oder sogar leicht darunter oder darüber liegen. In einigen Ausführungsformen kann die Metallschicht 1060 eine Signalschicht oder Leiterbahn sein, und das als „Signalleitung 1065“ bezeichnete Element kann stattdessen mit Masse verbunden sein. In einigen Ausführungsformen kann die Signalleitung 1065 vorstehende Kontakte haben, die Metallschicht 1060 dagegen nicht (oder beide oder keine von beiden können vorstehende Kontakte haben). Andere Ausführungsformen können andere Varianten aufweisen.
  • 11 zeigt eine Beispieltechnik für die Herstellung eines mikroelektronischen Packages mit einer ESD-Schutzstruktur mit einer Funkenstrecke gemäß verschiedenen Ausführungsformen. Im Allgemeinen kann die Technik in Bezug auf die Elemente von 11 beschrieben werden, es versteht sich jedoch, dass die Technik ganz oder teilweise, mit oder ohne Änderungen, auf Elemente anderer Ausführungsformen anwendbar sein kann.
  • Im Allgemeinen kann sich der Prozessablauf auf einen Herstellungsablauf einer Package-Substratschicht beziehen. Sobald die Metallschicht auf den Bereichen mit dem Hohlraum gebildet ist, kann der Aufbaufilm unterhalb der Metallschicht durch reaktives Ionenätzen entfernt werden. Aus diesem Grund kann die obere Metallschicht Öffnungen aufweisen, die es dem Plasma ermöglichen, den Aufbau-Film zu erreichen und den Film zu entfernen. Eine andere Möglichkeit zur Bildung des Hohlraums besteht in der Verwendung eines Opfermaterials, das nach dem Aufbau der darüber liegenden Metall- und Dielektrikumsschichten thermisch entfernt werden kann, da es sich bei höheren Temperaturen zersetzt und durch die darüber liegenden Schichten diffundiert.
  • Die Technik kann die Bildung von Masse- und Signalkontakten auf einer Substratschicht 1105 beinhalten. Die Masse- und Signalkontakte können z. B. den Massekontakten 309 und den Signalkontakten 317 ähnlich sein. Bei der Substratschicht kann es sich um eine Schicht des Substrats 310 oder um eine andere Substratschicht handeln. Die Herstellung der Kontakte kann durch lithografisches Drucken, Ätzen, Abscheiden oder eine andere Technik oder eine Kombination davon erfolgen.
  • Die Technik kann ferner die Erzeugung, bei 1110, einer dielektrischen Schicht um und über den Masse- und Signalkontakten umfassen. Insbesondere kann die dielektrische Schicht das dielektrische Material des Package-Substrats 310 sein. Die dielektrische Schicht kann um und über den Masse- und Signalkontakten durch Abscheidung, Laminierung usw. erzeugt werden.
  • Die Technik kann dann bei 1115 die Bildung des Hohlraums, z. B. des Hohlraums 311, beinhalten. Wie bereits erwähnt, kann der Hohlraum durch Platzieren einer Metallschicht über der Schicht, die den Hohlraum enthalten soll, und anschließendes reaktives Ionenätzen gebildet werden, um zumindest einen Teil des dielektrischen Materials zu entfernen und die Masse- und Signalkontakte innerhalb des Hohlraums freizulegen. In anderen Ausführungsformen kann die Bildung des Hohlraums jedoch auch auf andere Weise erfolgen, z. B. durch Foto- oder mechanisches Ätzen, die Verwendung eines Opfermaterials, das anschließend entfernt wird, oder auf andere Weise.
  • Es versteht sich von selbst, dass die obige Ausführungsform der Technik ein Beispiel für eine Technik ist, und andere Ausführungsformen können mehr oder weniger Elemente, Elemente in einer anderen Reihenfolge als dargestellt usw. aufweisen. Für Strukturen mit einem Deckel (z. B. die Ausführungsformen der 8 oder 9) kann der Herstellungsprozess einfacher sein, weil das obere Dielektrikum durch Licht definierbar ist und ein Maskenwechsel die Entfernung des oberen Dielektrikums durch lithografische Strukturierung und Entwicklung ermöglicht, wodurch ein Hohlraum entsteht, der durch einen Deckel abgedeckt werden kann. Andere Fertigungsabläufe zur Herstellung von Luftspalten können ebenfalls angepasst werden.
  • Da die eigentlichen Luftspalten relativ klein sein können, ist es außerdem möglich, die Luftspalten ohne zusätzliche Bearbeitung herzustellen. Da ein trockener Film als Dielektrikum durch Laminierung aufgebracht werden kann, kann ein Effekt auftreten, der als „Tenting“ bekannt ist (d. h. der sich aufbauende dielektrische Film drückt sich nicht vollständig zwischen zwei benachbarte Metallstrukturen, wenn sie zu nahe beieinander liegen oder der Film zu dick ist), so dass es möglich sein kann, die Luftspalte durch einen geeigneten Entwurf der Strukturen zu schaffen.
  • 12 ist eine Draufsicht auf einen Wafer 1500 und Chips 1502, die eine oder mehrere ESD-Schutzstrukturen mit einer Funkenstrecke enthalten können oder in einem IC-Gehäuse enthalten sein können, das eine oder mehrere ESD-Schutzstrukturen mit einer Funkenstrecke in Übereinstimmung mit verschiedenen Ausführungsformen enthält. Der Wafer 1500 kann aus einem Halbleitermaterial zusammengesetzt sein und kann einen oder mehrere Dies 1502, die IC-Strukturen aufweisen, die auf einer Oberfläche des Wafers 1500 gebildet sind, umfassen. Jeder der Dies 1502 kann eine sich wiederholende Einheit eines Halbleiterprodukts sein, das eine geeignete IC umfasst. Nachdem die Herstellung des Halbleiter-Produkts abgeschlossen ist, kann der Wafer 1500 einem Vereinzelungsprozess unterzogen werden, bei dem die Dies 1502 voneinander getrennt werden, um diskrete „Chips“ des Halbleiterprodukts bereitzustellen. Der Die 1502 kann eine oder mehrere ESD-Schutzstrukturen mit einer Funkenstrecke, einen oder mehreren Transistoren oder eine unterstützende Schaltungsanordnung, um elektrische Signale zu den Transistoren zu routen, oder irgendeine andere IC-Komponente umfassen. Bei einigen Ausführungsbeispielen kann der Wafer 1500 oder der Die 1502 ein Speicherbauelement (z.B. ein Direktzugriffsspeicher- (RAM; Random Access Memory) Bauelement, wie beispielsweise ein statisches RAM- (SRAM; static RAM) Bauelement, ein magnetisches RAM- (MRAM; magnetic RAM) Bauelement, ein resistives RAM- (RRAM; resistive RAM) Bauelement, ein Leitfähige-Brücken-RAM- (CBRAM; conductive-bridging RAM) Bauelement etc.), ein logisches Bauelement (z.B. ein AND-, OR-, NAND- oder NOR-Gatter) oder irgendein anderes geeignetes Schaltungselement umfassen. Mehrere dieser Bauelemente können auf einem einzelnen Die 1502 kombiniert sein. Zum Beispiel kann ein Speicher-Array, das durch mehrere Speicherbauelemente gebildet ist, auf einem gleichen Die 1502 wie ein Verarbeitungsbauelement (z.B. das Verarbeitungsbauelement 1802 von 14) oder andere Logik gebildet sein, die ausgebildet ist zum Speichern von Informationen in den Speicherbauelementen oder Ausführen von Anweisungen, die in dem Speicher-Array gespeichert sind.
  • 13 ist eine seitliche Querschnittsansicht einer IC-Bauelementanordnung 1700, die ein oder mehrere IC-Packages oder andere elektronische Komponenten (z.B. einen Die) umfassend eine oder mehrere ESD-Schutzstrukturen mit einer Funkenstrecke gemäß irgendeinem der hierin offenbarten Ausführungsbeispiele umfassen kann. Die IC-Bauelement-Anordnung 1700 umfasst eine Anzahl von Komponenten, die auf einer Schaltungsplatine 1702 (die z B. eine Hauptplatine sein kann) angeordnet sind. Die IC-Bauelementanordnung 1700 umfasst Komponenten, die auf einer ersten Fläche 1740 der Schaltungsplatine 1702 und einer gegenüberliegenden zweiten Fläche 1742 der Schaltungsplatine 1702 angeordnet sind; im Allgemeinen können Komponenten auf einer oder beiden Flächen 1740 und 1742 angeordnet sein.
  • Bei einigen Ausführungsbeispielen kann die Schaltungsplatine 1702 eine PCB sein, umfassend mehrere Metallschichten, die voneinander durch Schichten aus Dielektrikumsmaterial getrennt und durch elektrisch leitfähige Vias verbunden sind. Irgendeine oder mehrere der Metallschichten können in einer gewünschten Schaltungsstruktur gebildet sein, um elektrische Signale (optional in Verbindung mit anderen Metallschichten) zwischen den Komponenten zu routen, die mit der Schaltungsplatine 1702 gekoppelt sind. Bei anderen Ausführungsbeispielen kann die Schaltungsplatine 1702 ein Nicht-PCB-Substrat sein.
  • Die IC-Bauelementanordnung 1700, die in 13 dargestellt ist, umfasst eine Package-auf-Interposer-Struktur 1736, die mit der ersten Fläche 1740 der Schaltungsplatine 1702 durch Kopplungskomponenten 1716 gekoppelt ist. Die Kopplungskomponenten 1716 können die Package-auf-Interposer-Struktur 1736 elektrisch und mechanisch mit der Schaltungsplatine 1702 koppeln und können Lötkugeln (wie in 13 gezeigt ist), Stecker und Buchse, ein Klebemittel, ein Unterfüllmaterial und/oder irgendeine andere geeignete elektrische und/oder mechanische Kopplungsstruktur umfassen.
  • Die Package-auf-Interposer-Struktur 1736 kann ein IC-Package 1720 umfassen, das mit einem Package-Interposer 1704 durch Kopplungskomponenten 1718 gekoppelt ist. Die Kopplungskomponenten 1718 können irgendeine geeignete Form für die Anwendung annehmen, wie z.B. die Formen, die vorangehend Bezug nehmend auf die Kopplungskomponenten 1716 erörtert wurden. Obwohl ein einzelnes IC-Package 1720 in 13 gezeigt ist, können mehrere IC-Packages mit dem Package-Interposer 1704 gekoppelt sein; tatsächlich können zusätzliche Interposer mit dem Package-Interposer 1704 gekoppelt sein. Der Package-Interposer 1704 kann ein dazwischenliegendes Substrat bereitstellen, das verwendet wird, um die Schaltungsplatine 1702 und das IC-Package 1720 zu überbrücken. Das IC-Package 1720 kann zum Beispiel ein Die (der Die 1502 von 12) oder irgendeine andere geeignete Komponente sein oder diese umfassen. Im Allgemeinen kann der Package-Interposer 1704 eine Verbindung zu einem weiteren Abstand ausbreiten oder eine Verbindung zu einer unterschiedlichen Verbindung umleiten. Zum Beispiel kann der Package-Interposer 1704 das IC-Package 1720 (z.B. ein Die) mit einem Satz leitfähiger BGA-Kontakte der Kopplungskomponenten 1716 zum Koppeln mit der Schaltungsplatine 1702 koppeln. Bei den in 13 dargestellten Ausführungsbeispiel sind das IC-Package 1720 und die Schaltungsplatine 1702 an gegenüberliegenden Seiten des Package-Interposers 1704 angebracht; bei anderen Ausführungsbeispielen können das IC-Package 1720 und die Schaltungsplatine 1702 an einer selben Seite des Package-Interposers 1704 angebracht sein. Bei einigen Ausführungsbeispielen können drei oder mehr Komponenten mithilfe des Package-Interposers 1704 verbunden sein.
  • Bei einigen Ausführungsbeispielen kann der Package-Interposer 1704 als PCB gebildet sein, umfassend mehrere Metallschichten, die voneinander durch Schichten aus Dielektrikumsmaterial getrennt und durch elektrisch leitfähige Vias verbunden sind. Bei einigen Beispielen kann der Package-Interposer 1704 aus einem Epoxidharz, einem glasfaserverstärkten Epoxidharz, einem Epoxidharz mit anorganischen Füllern, einem Keramikmaterial oder einem Polymermaterial, wie beispielsweise Polyimid, gebildet sein. Bei einigen Ausführungsbeispielen kann der Package-Interposer 1704 aus wechselnden starren oder flexiblen Materialien gebildet sein, die dieselben Materialien umfassen können, die vorangehend zur Verwendung in einem Halbleitersubstrat beschrieben wurden, wie beispielsweise Silizium, Germanium und andere Gruppe III-V und Gruppe IV Materialien. Der Package-Interposer 1704 kann Metallleitungen 1710 und Vias 1708 umfassen, umfassend aber nicht beschränkt auf Silizium-Durchkontaktierungen (TSV; through-silicon via) 1706. Der Package-Interposer 1704 kann ferner eingebettete Bauelemente 1714 umfassen, umfassend sowohl passive als auch aktive Bauelemente. Solche Bauelemente können umfassen, sind aber nicht beschränkt auf, Kondensatoren, Entkopplungskondensatoren, Widerstände, Induktivitäten, Sicherungen, Dioden, Transformatoren, Sensoren, ESD-Bauelemente und Speicherbauelemente. Komplexere Bauelemente, wie beispielsweise RF-Bauelemente, Leistungsverstärker, Leistungsmanagement-Bauelemente, Antennen, Arrays, Sensoren und mikroelektromechanisches-System (MEMS; microelectromechanical systems) -Bauelemente können ebenfalls auf dem Package-Interposer 1704 gebildet sein. Die Package-auf-Interposer-Struktur 1736 kann die Form irgendeiner der Package-auf-Interposer-Strukturen annehmen, die im Stand der Technik bekannt sind. In einigen Ausführungsbeispielen kann der Package-Interposer 1704 eine oder mehrere ESD-Schutzstrukturen mit einer Funkenstrecke umfassen.
  • Die IC-Bauelement-Anordnung 1700 kann ein IC-Package 1724 umfassen, das mit der ersten Fläche 1740 der Schaltungsplatine 1702 durch Kopplungskomponenten 1722 gekoppelt ist. Die Kopplungskomponenten 1722 können die Form von irgendwelchen der Ausführungsbeispiele annehmen, die vorangehend Bezug nehmend auf die Kopplungskomponenten 1716 erörtert wurden, und das IC-Package 1724 kann die Form von irgendwelchen der Ausführungsbeispiele annehmen, die vorangehend Bezug nehmend auf das IC-Package 1720 erörtert wurden.
  • Die IC-Bauelementanordnung 1700, die in 13 dargestellt ist, umfasst eine Package-auf-Package-Struktur 1734, die mit der zweiten Fläche 1742 der Schaltungsplatine 1702 durch Kopplungskomponenten 1728 gekoppelt ist. Die Package-auf-Package-Struktur 1734 kann ein IC-Package 1726 und ein IC-Package 1732 umfassen, die miteinander durch Kopplungskomponenten 1730 derart gekoppelt sind, dass das IC-Package 1726 zwischen der Schaltungsplatine 1702 und dem IC-Package 1732 angeordnet ist. Die Kopplungskomponenten 1728 und 1730 können die Form von irgendwelchen der Ausführungsbeispiele der Kopplungskomponenten 1716 annehmen, die vorangehend erörtert wurden, und die IC-Packages 1726 und 1732 können die Form von irgendwelchen der Ausführungsbeispiele des vorangehend erörterten IC-Packages 1720 annehmen. Die Package-auf-Package-Struktur 1734 kann gemäß irgendeiner der im Stand der Technik bekannten Package-auf-Package-Strukturen ausgebildet sein.
  • 14 ist ein Blockdiagramm einer beispielhaften elektrischen Vorrichtung 1800, die eine oder mehrere ESD-Schutzstrukturen mit einer Funkenstrecke gemäß irgendeinem der hierin offenbarten Ausführungsbeispiele umfassen kann. Beispielsweise können irgendwelche Geeigneten der Komponenten der elektrischen Vorrichtung 1800 eine oder mehrere der hierin offenbarten IC-Bauelementanordnungen 1700, IC-Packages, IC-Bauelemente oder Dies 1502 umfassen. Eine Anzahl von Komponenten ist in Figur X3 derart dargestellt, wie sie in der elektrischen Vorrichtung 1800 umfasst sind, aber irgendeine oder irgendwelche mehreren dieser Komponenten können weggelassen oder dupliziert werden, wie es für die Anwendung geeignet ist. Bei einigen Ausführungsbeispielen können einige oder alle der Komponenten, die in der elektrischen Vorrichtung 1800 umfasst sind, an eine oder mehrere Hauptplatinen angebracht sein. Bei einigen Ausführungsbeispielen sind einige oder alle dieser Komponenten auf einen einzelnen System-auf-einem-Chip- (SoC-; system-on-a-chip) Die gefertigt.
  • Zusätzlich weist die elektrische Vorrichtung 1800 bei verschiedenen Ausführungsbeispielen möglicherweise nicht eine oder mehrere der Komponenten auf, die in 14 dargestellt sind, aber die elektrische Vorrichtung 1800 weist möglicherweise eine Schnittstellenschaltungsanordnung zum Koppeln mit der einen oder den mehreren Komponenten auf. Zum Beispiel umfasst die elektrische Vorrichtung 1800 möglicherweise keine Anzeigevorrichtung 1806 sondern umfasst möglicherweise eine Anzeigevorrichtungs-Schnittstellenschaltungsanordnung (z.B. einen Verbinder und eine Treiber-Schaltungsanordnung), mit der eine Anzeigevorrichtung 1806 gekoppelt sein kann. Bei einem anderen Satz von Beispielen umfasst die elektrische Vorrichtung 1800 möglicherweise keine Audio-Eingabevorrichtung 1824 oder Audio-Ausgabevorrichtung 1808, sondern kann eine Audio-Eingabe- oder -Ausgabevorrichtungs-Schnittstellenschaltungsanordnung (z.B. Verbinder und unterstützende Schaltungsanordnung) umfassen, mit der eine Audio-Eingabevorrichtung 1824 oder Audio-Ausgabevorrichtung 1808 gekoppelt sein kann.
  • Die elektrische Vorrichtung 1800 kann ein Verarbeitungsbauelement 1802 (z. B. ein oder mehrere Verarbeitungsbauelemente) umfassen. Nach hiesigem Gebrauch kann sich der Ausdruck „Verarbeitungsbauelement“ oder „Prozessor“ auf irgendein Bauelement oder irgendeinen Abschnitt eines Bauelements beziehen, das/der elektronische Daten aus Registern und/oder Speicher verarbeitet, um diese elektronischen Daten in andere elektronische Daten umzuwandeln, die in Registern und/oder Speicher gespeichert werden können. Das Verarbeitungsbauelement 1802 kann einen oder mehrere digitale Signalprozessoren (DSPs; digital signal processors), ASICs, CPUs, GPUs, Kryptoprozessoren (spezialisierte Prozessoren, die kryptographische Algorithmen innerhalb von Hardware ausführen), Serverprozessoren oder irgendwelche anderen geeigneten Verarbeitungsbauelemente umfassen. Die elektrische Vorrichtung 1800 kann einen Speicher 1804 aufweisen, der selbst eine oder mehrere Speicherbauelemente aufweisen kann, wie einen flüchtigen Speicher (z. B. dynamischen Direktzugriffspeicher (DRAM)), nichtflüchtigen Speicher (z. B. ROM), Flash-Speicher, Festkörperspeicher und/oder eine Festplatte. Bei einigen Ausführungsbeispielen kann der Speicher 1804 einen Speicher umfassen, der einen Die gemeinschaftlich mit dem Verarbeitungsbauelement 1802 verwendet. Dieser Speicher kann als Cache-Speicher verwendet werden und kann einen eingebetteten dynamischen Direktzugriffsspeicher (eDRAM; embedded dynamic random access memory) oder einen Spin-Transfer-Torque-MRAM (STT-MRAM; spin transfer torque magnetic random access memory) umfassen.
  • Bei einigen Ausführungsbeispielen kann die elektrische Vorrichtung 1800 einen Kommunikationschip 1812 (z.B. einen oder mehrere Kommunikationschips) umfassen. Zum Beispiel kann der Kommunikationschip 1812 ausgebildet sein, um drahtlose Kommunikation für die Übertragung von Daten zu und von der elektrischen Vorrichtung 1800 zu managen. Der Ausdruck „drahtlos“ und seine Ableitungen können verwendet werden, um Schaltungen, Bauelemente, Systeme, Verfahren, Techniken, Kommunikationskanäle etc. zu beschreiben, die Daten durch die Verwendung modulierter, elektromagnetischer Strahlung durch ein nicht festes Medium kommunizieren können. Der Ausdruck impliziert nicht, dass die zugeordneten Bauelemente nicht irgendwelche Drähte umfassen, obwohl sie dies bei einigen Ausführungsbeispielen möglicherweise nicht tun.
  • Der Kommunikationschip 1812 kann jegliche Anzahl von drahtlosen Standards oder Protokollen implementieren, einschließlich aber nicht beschränkt auf Standards des Institute for Electrical and Electronic Engineers (IEEE) umfassend Wi-Fi (IEEE 802.11 family), IEEE 802.16 Standards (z.B., IEEE 802.16-2005 Amendment), Long-Term Evolution (LTE) Project zusammen mit jeglichen Ergänzungen, Aktualisierungen und/oder Revisionen (z.B., Advanced LTE Project, Ultra Mobile Broadband (UMB) Project (auch bekannt als „3GPP2“), etc.). Mit IEEE 802.16 kompatible drahtlose Breitbandzugriffs- (BWA-; Broadband Wireless Access) Netzwerke werden allgemein bezeichnet als WiMAX-Netzwerke, ein Akronym, das für Worldwide Interoperability for Microwave Access steht, was ein Gütezeichen ist für Produkte, die Konformitäts- und Kompatibilitäts-Tests für die IEEE 802.16 Standards bestehen. Der Kommunikationschip 1812 kann gemäß einem Global System for Mobile Communication (GSM), General Packet Radio Service (GPRS), Universal Mobile Telecommunications System (UMTS), High Speed Packet Access (HSPA), Evolved HSPA (E-HSPA) oder LTE -Netzwerk arbeiten. Der Kommunikationschip 1812 kann gemäß Enhanced Data for GSM Evolution (EDGE), GSM EDGE Radio Access Network (GERAN), Universal Terrestrial Radio Access Network (UTRAN) oder Evolved UTRAN (E-UTRAN) arbeiten. Der Kommunikationschip 1812 kann gemäß Codemultiplexzugriff (CDMA; Code Division Multiple Access), Zeitmultiplexzugriff (TDMA; Time Division Multiple Access), Digital Enhanced Cordless Telecommunications (DECT), Evolution-Data Optimized (EV-DO), und Ableitungen davon, sowie irgendwelchen anderen drahtlosen Protokollen, die bezeichnet werden als 3G, 4G, 5G, und darüber hinaus, arbeiten. Der Kommunikationschip 1812 kann bei anderen Ausführungsbeispielen gemäß anderen drahtlosen Protokollen arbeiten. Die elektrische Vorrichtung 1800 kann eine Antenne 1822 zum Ermöglichen drahtloser Kommunikation und/oder zum Empfangen anderer drahtloser Kommunikation (wie beispielsweise AM- oder FM-Funkübertragungen) umfassen.
  • Bei einigen Ausführungsbeispielen kann der Kommunikationschip 1812 verdrahtete Kommunikationen verwalten, wie beispielsweise elektrische, optische oder irgendwelche anderen geeigneten Kommunikationsprotokolle (z. B. das Ethernet). Wie vorangehend erwähnt wurde, kann der Kommunikationschip 1812 mehrere Kommunikationschips umfassen. Zum Beispiel kann ein erster Kommunikationschip 1812 zweckgebunden sein für drahtlose Kommunikationen mit kürzerem Bereich, wie beispielsweise Wi-Fi oder Bluetooth, und ein zweiter Kommunikationschip 1812 kann zweckgebunden sein für drahtlose Kommunikationen mit längerem Bereich, wie beispielsweise GPS (global positioning system), EDGE, GPRS, CDMA, WiMAX, LTE, EV-DO oder andere. Bei einigen Ausführungsbeispielen kann ein erster Kommunikationschip 1812 zweckgebunden sein für drahtlose Kommunikationen, und ein zweiter Kommunikationschip 1812 kann zweckgebunden sein für verdrahtete Kommunikationen.
  • Die elektrische Vorrichtung 1800 kann eine Batterie/Leistungsschaltungsanordnung 1814 umfassen. Die Batterie/Leistungsschaltungsanordnung 1814 kann eine oder mehrere Energiespeicherungsvorrichtungen (z. B. Batterien oder Kondensatoren) und/oder Schaltungsanordnungen für Kopplungskomponenten der elektrischen Vorrichtung 1800 umfassen, zu einer Energiequelle, getrennt von der elektrischen Vorrichtung 1800 (z.B. Wechselstrom-Leitungs-Leistung).
  • Die elektrische Vorrichtung 1800 kann eine Anzeigevorrichtung 1806 (oder entsprechende Schnittstellenschaltungsanordnung, wie vorangehend erörtert wurde) umfassen. Die Anzeigevorrichtung 1806 kann zum Beispiel irgendwelche visuellen Indikatoren umfassen, wie beispielsweise ein Head-up-Display (HUD; heads-up display), einen Computermonitor, einen Projektor, eine Touchscreen-Anzeige, eine Flüssigkristallanzeige (LCD; liquid crystal display), eine lichtemittierende Dioden-Anzeige oder eine Flachbildschirmanzeige.
  • Die elektrische Vorrichtung 1800 kann eine Audio-Ausgabe-Vorrichtung 1808 (oder entsprechende Schnittstellenschaltungsanordnung, wie vorangehend erörtert wurde) umfassen. Die Audio-Ausgabevorrichtung 1808 kann irgendeine Vorrichtung umfassen, die einen hörbaren Indikator erzeugt, wie beispielsweise Lautsprecher, Headsets oder Ohrhörer.
  • Die elektrische Vorrichtung 1800 kann eine Audio-Eingabevorrichtung 1824 (oder entsprechende Schnittstellenschaltungsanordnung, wie vorangehend erörtert wurde) umfassen. Die Audio-Eingabevorrichtung 1824 kann irgendeine Vorrichtung umfassen, die ein Signal erzeugt, das einen Klang repräsentiert, wie beispielsweise Mikrofone, Mikrofon-Arrays oder digitale Instrumente (z. B. Instrumente mit einem MIDI- (musical instrument digital interface) Ausgang).
  • Die elektrische Vorrichtung 1800 kann ein GPS-Bauelement 1818 (oder entsprechende Schnittstellenschaltungsanordnung, wie vorangehend erörtert wurde) umfassen. Das GPS-Bauelement 1818 kann in Kommunikation mit einem Satelliten-basierten System sein und kann einen Ort der elektrischen Vorrichtung 1800 empfangen, wie es im Stand der Technik bekannt ist.
  • Die elektrische Vorrichtung 1800 kann eine andere Ausgabevorrichtung 1810 (oder entsprechende Schnittstellenschaltungsanordnung, wie vorangehend erörtert wurde) umfassen. Beispiele der anderen Ausgabe-Vorrichtung 1810 können einen Audio-Codec, einen Video-Codec, einen Drucker, einen verdrahteten oder drahtlosen Sender zum Bereitstellen von Informationen an andere Bauelemente oder ein zusätzliches Speicherbauelement umfassen.
  • Die elektrische Vorrichtung 1800 kann eine andere Eingabevorrichtung 1820 (oder entsprechende Schnittstellenschaltungsanordnung, wie vorangehend erörtert wurde) umfassen. Beispiele der anderen Eingabevorrichtung 1820 können ein Akzelerometer, ein Gyroskop, einen Kompass, eine Bilderfassungsvorrichtung, eine Tastatur, eine Cursor-Steuerungsvorrichtung, wie beispielsweise eine Maus, einen Stift, ein Touchpad, einen Strichcodeleser, einen Codeleser für Quick Response (QR), irgendeinen Sensor oder einen Leser für Radiofrequenz-Identifikation (RFID; radio frequency identification) umfassen.
  • Die elektrische Vorrichtung 1800 kann irgendeinen gewünschten Formfaktor aufweisen, wie beispielsweise eine handgehaltene oder mobile elektrische Vorrichtung (z.B. ein Mobiltelefon, ein Smartphone, eine mobile Internetvorrichtung, ein Musikspieler, ein Tablet-Computer, ein Laptop-Computer, ein Netbook-Computer, ein Ultrabook-Computer, ein persönlicher digitaler Assistent (PDA; personal digital assistant), ein ultramobiler Personal-Computer, etc.), eine elektrische Desktop-Vorrichtung, eine Server-Vorrichtung oder eine andere vernetzte Rechenkomponente, einen Drucker, einen Scanner, einen Monitor, eine Set-Top-Box, eine Unterhaltungs-Steuereinheit, eine Fahrzeug-Steuerungseinheit, eine digitale Kamera, einen digitalen Videorecorder oder eine tragbare elektrische Vorrichtung. Bei einigen Ausführungsbeispielen kann die elektrische Vorrichtung 1800 irgendeine andere elektronische Vorrichtung sein, die Daten verarbeitet.
  • Beispiele von verschiedenen Ausführungsbeispielen
  • Beispiel 1 umfasst ein mikroelektronisches Package, umfassend: ein Package-Substrat mit einer Signalleitung und einer Masseleitung; und eine ESD-Schutzstruktur innerhalb des Package-Substrats; wobei die ESD-Schutzstruktur einen Hohlraum in einer Schicht des Package-Substrats aufweist; wobei ein Kontakt der Signalleitung und ein Kontakt der Masseleitung innerhalb des Hohlraums liegen und durch eine Distanz d getrennt sind; und wobei eine Ladung zwischen dem Kontakt der Signalleitung und dem Kontakt der Masseleitung übertragen werden soll, wenn eine Ladungsdifferenz zwischen dem Kontakt der Signalleitung und dem Kontakt der Masseleitung über einem Ladungsschwellenwert liegt.
  • Beispiel 2 umfasst das mikroelektronische Package aus Beispiel 1, wobei der Kontakt der Signalleitung ein Vorsprung von der Signalleitung ist.
  • Beispiel 3 umfasst das mikroelektronische Package aus Beispiel 1, wobei der Kontakt der Masseleitung ein Vorsprung von der Masseleitung ist.
  • Beispiel 4 umfasst das mikroelektronische Package aus Beispiel 1, wobei die ESD-Schutzstruktur eine Mehrzahl von Kontakten der Signalleitung und eine Mehrzahl von Kontakten der Masseleitung umfasst, die innerhalb des Hohlraums angeordnet sind.
  • Beispiel 5 umfasst das mikroelektronische Package aus einem der Beispiele 1 bis 4, wobei die ESD-Schutzstruktur ferner einen zweiten Hohlraum in der Schicht des Package-Substrats aufweist und wobei ein zweiter Kontakt der Signalleitung und ein zweiter Kontakt der Masseleitung innerhalb des zweiten Hohlraums liegen.
  • Beispiel 6 umfasst das mikroelektronische Package aus einem der Beispiele 1-4, wobei die Signalleitung ein Via in dem Package-Substrat ist.
  • Beispiel 7 umfasst das mikroelektronische Package aus einem der Beispiele 1-4, wobei die Distanz d zwischen 0,5 Mikrometer („Mikron“) und 5 Mikrometer liegt.
  • Beispiel 8 umfasst ein mikroelektronisches Package, das Folgendes umfasst: ein Package-Substrat mit einem Hohlraum in einer Fläche des Package-Substrats; einen Deckel, der über dem Hohlraum angeordnet ist, wobei der Deckel den Hohlraum luftdicht abschließt; und eine ESD-Vorrichtung, die in dem Hohlraum angeordnet ist, wobei die ESD-Vorrichtung eine Funkenstrecke mit einem Kontakt einer Signalleitung und einem Kontakt einer Masseleitung umfasst, die durch eine Distanz d getrennt sind.
  • Beispiel 9 umfasst das mikroelektronische Package von Beispiel 8, wobei der Kontakt der Signalleitung und der Kontakt der Masseleitung Elemente einer Schicht des Package-Substrats sind.
  • Beispiel 10 umfasst das mikroelektronische Package von Beispiel 8, wobei der Deckel kommunikativ mit einer Masse des mikroelektronischen Packages gekoppelt ist.
  • Beispiel 11 umfasst das mikroelektronische Package aus Beispiel 10, wobei der Kontakt der Masseleitung ein Element des Deckels ist.
  • Beispiel 12 umfasst das mikroelektronische Package von Beispiel 11, wobei der Deckel einen zweiten Kontakt der Masseleitung umfasst, der durch die Distanz d von einem Kontakt einer zweiten Signalleitung getrennt ist.
  • Beispiel 13 umfasst ein das mikroelektronische Package von einem der Beispiele 8 bis 12, ferner umfassend einen Deckelabstand zwischen dem Deckel und dem Package-Substrat, und wobei eine z-Höhe des Deckelabstands auf einem gewünschten Wert für die Distanz d basiert.
  • Beispiel 14 umfasst das mikroelektronische Package aus einem der Beispiele 8-12, wobei die gewünschte Spannung zwischen 4 Volt (V) und 5 V liegt.
  • Beispiel 15 umfasst ein mikroelektronisches Package, umfassend: ein Package-Substrat mit einer Signalleitung, die mit einer Signal-Anschlussfläche des mikroelektronischen Package verbunden ist; ein Die, der mit der Signalleitung kommunikativ gekoppelt ist; eine Masseleitung, die zwischen einer Masseanschlussfläche des mikroelektronischen Package und der Signalleitung angeordnet ist; und eine ESD-Schutzstruktur innerhalb der Masseleitung, wobei die ESD-Schutzstruktur einen Massekontakt, der kommunikativ mit der Masseanschlussfläche gekoppelt ist, und einen Signalkontakt, der kommunikativ mit der Signalleitung gekoppelt ist, umfasst, und wobei der Massekontakt und der Signalkontakt eine Funkenstrecke zwischen denselben aufweisen.
  • Beispiel 16 umfasst das mikroelektronische Package aus Beispiel 15, wobei der Massekontakt oder der Signalkontakt ein abgerundetes Profil aufweisen.
  • Beispiel 17 umfasst das mikroelektronische Package aus Beispiel 15, wobei der Massekontakt oder der Signalkontakt ein spitzes Profil aufweisen.
  • Beispiel 18 umfasst das mikroelektronische Package aus Beispiel 15, wobei der Massekontakt oder der Signalkontakt ein quadratisches Profil aufweisen.
  • Beispiel 19 umfasst das mikroelektronische Package aus einem der Beispiele 15-18, wobei die Distanz d zwischen 0,5 Mikrometer („Mikron“) und 5 Mikrometer liegt.
  • Beispiel 20 umfasst das mikroelektronische Package aus einem der Beispiele 15-18, wobei die Distanz d zwischen 1 Mikrometer („Mikron“) und 2 Mikrometer liegt.
  • Beispiel 21 umfasst ein mikroelektronisches Package, umfassend: ein Package-Substrat mit einer Signalleitung und einer Masseleitung; und eine ESD-Schutzstruktur innerhalb des Package-Substrats; wobei die ESD-Schutzstruktur einen Hohlraum in einer Schicht des Package-Substrats aufweist; wobei ein Kontakt der Signalleitung und ein Kontakt der Masseleitung innerhalb des Hohlraums liegen und durch eine Distanz d getrennt sind; und wobei die Signalleitung und die Masseleitung zumindest teilweise innerhalb des Hohlraums liegen und innerhalb des Hohlraums durch eine Distanz D getrennt sind, die größer als die Distanz d ist.
  • Beispiel 22 umfasst ein das mikroelektronische Package von Beispiel 21, wobei der Kontakt der Signalleitung ein Vorsprung von der Signalleitung ist oder der Kontakt der Masseleitung ein Vorsprung von der Masseleitung ist.
  • Beispiel 23 umfasst das mikroelektronische Package von Beispiel 21, wobei eine Ladung zwischen dem Kontakt der Signalleitung und dem Kontakt der Masseleitung übertragen werden soll, wenn eine Ladungsdifferenz zwischen dem Kontakt der Signalleitung und dem Kontakt der Masseleitung über einem Ladungsschwellenwert liegt.
  • Beispiel 24 umfasst das mikroelektronische Package aus Beispiel 21, wobei die ESD-Schutzstruktur eine Mehrzahl von Kontakten der Signalleitung und eine Mehrzahl von Kontakten der Masseleitung umfasst, die innerhalb des Hohlraums angeordnet sind.
  • Beispiel 25 umfasst das mikroelektronische Package aus einem der Beispiele 21 bis 24, wobei die ESD-Schutzstruktur ferner einen zweiten Hohlraum in der Schicht des Package-Substrats aufweist und wobei ein zweiter Kontakt der Signalleitung und ein zweiter Kontakt der Masseleitung innerhalb des zweiten Hohlraums liegen.
  • Beispiel 26 umfasst das mikroelektronische Package aus einem der Beispiele 21-24, wobei die Signalleitung ein Via in dem Package-Substrat ist.
  • Beispiel 27 umfasst das mikroelektronische Package aus einem der Beispiele 21-24, wobei die Distanz d zwischen 0,5 Mikrometer („Mikron“) und 5 Mikrometer liegt.
  • Beispiel 28 umfasst ein mikroelektronisches Package, umfassend: ein Package-Substrat mit einem Hohlraum in einer Fläche des Package-Substrats; einen Deckel, der über dem Hohlraum angeordnet ist, wobei der Deckel den Hohlraum luftdicht abschließt; und eine elektrostatische Entladungsvorrichtung (ESD-Vorrichtung), die in dem Hohlraum angeordnet ist, wobei die ESD-Vorrichtung eine Funkenstrecke mit einem Kontakt einer Signalleitung und einem Kontakt einer Masseleitung umfasst, die durch eine Distanz d getrennt sind.
  • Beispiel 29 umfasst das mikroelektronische Package von Beispiel 28, wobei der Kontakt der Signalleitung und der Kontakt der Masseleitung Elemente einer Schicht des Package-Substrats sind.
  • Beispiel 30 umfasst das mikroelektronische Package von Beispiel 28, wobei der Deckel kommunikativ mit einer Masse des mikroelektronischen Packages gekoppelt ist.
  • Beispiel 31 umfasst das mikroelektronische Package aus Beispiel 30, wobei der Kontakt der Masseleitung ein Element des Deckels ist.
  • Beispiel 32 umfasst das mikroelektronische Package von Beispiel 31, wobei der Deckel einen zweiten Kontakt der Masseleitung umfasst, der durch die Distanz d von einem Kontakt einer zweiten Signalleitung getrennt ist.
  • Beispiel 33 umfasst ein das mikroelektronische Package von einem der Beispiele 28 bis 32, ferner umfassend einen Deckelabstand zwischen dem Deckel und dem Package-Substrat, und wobei eine z-Höhe des Deckelabstands auf einem gewünschten Wert für die Distanz d basiert.
  • Beispiel 34 umfasst das mikroelektronische Package von einem der Beispiele 28-32, wobei die Distanz d auf einer gewünschten Spannung der Funkenstrecke basiert, und wobei die gewünschte Spannung zwischen 4 Volt (V) und 5 V liegt.
  • Beispiel 35 umfasst ein mikroelektronisches Package, umfassend: ein Package-Substrat mit einer Signalleitung, die mit einer Signal-Anschlussfläche des mikroelektronischen Package verbunden ist; einen Die, der mit der Signalleitung kommunikativ gekoppelt ist; eine Masseleitung, die zwischen einer Masseanschlussfläche des mikroelektronischen Package und der Signalleitung angeordnet ist; und eine Schutzstruktur für elektrostatische Entladungen (ESD) innerhalb der Masseleitung, wobei die ESD-Schutzstruktur einen Massekontakt, der kommunikativ mit der Masseanschlussfläche gekoppelt ist, und einen Signalkontakt, der kommunikativ mit der Signalleitung gekoppelt ist, umfasst, und wobei der Massekontakt und der Signalkontakt eine Funkenstrecke zwischen denselben aufweisen.
  • Beispiel 36 umfasst das mikroelektronische Package aus Beispiel 35, wobei der Massekontakt oder der Signalkontakt ein abgerundetes Profil aufweisen.
  • Beispiel 37 umfasst das mikroelektronische Package aus Beispiel 35, wobei der Massekontakt oder der Signalkontakt ein spitzes Profil aufweisen.
  • Beispiel 38 umfasst das mikroelektronische Package aus Beispiel 35, wobei der Massekontakt oder der Signalkontakt ein quadratisches Profil aufweisen.
  • Beispiel 39 umfasst das mikroelektronische Package von einem der Beispiele 35-38, wobei der Massekontakt und der Signalkontakt durch eine Distanz d getrennt sind, die zwischen 0,5 Mikrometern („Mikron“) und 5 Mikrometern liegt.
  • Beispiel 40 umfasst das mikroelektronische Package von einem der Beispiele 35-38, wobei der Massekontakt und der Signalkontakt durch eine Distanz d getrennt sind, die zwischen 1 Mikrometer („Mikron“) und 2 Mikrometer liegt.
  • Verschiedene Ausführungsbeispiele können irgendeine geeignete Kombination der vorangehend beschriebenen Ausführungsbeispiele umfassen, einschließlich alternativer (oder) Ausführungsbeispiele von Ausführungsbeispielen, die in verbindender Form (und) vorangehend beschrieben sind (z. B. kann das „und“ ein „und/oder“ sein). Ferner können einige Ausführungsbeispiele einen oder mehrere Fertigungsartikel (z.B. nichtflüchtiges, computerlesbares Medium) mit darauf gespeicherten Anweisungen umfassen, die bei Ausführung zu Aktionen von irgendwelchen der vorangehend beschriebenen Ausführungsbeispiele führen. Ferner können einige Ausführungsbeispiele einen oder mehrere Fertigungsartikel (z.B. nichtflüchtiges, computerlesbares Medium) mit darauf gespeicherten Anweisungen umfassen, die bei Ausführung zu Aktionen von irgendwelchen der vorangehend beschriebenen Ausführungsbeispiele führen.
  • Die obige Beschreibung von dargestellten Ausführungsbeispielen, umfassend was in der Zusammenfassung beschrieben ist, soll nicht erschöpfend oder begrenzend auf die offenbarten genauen Formen sein. Während spezifische Implementierungen von und Beispiele für verschiedene Ausführungsbeispiele oder Konzepte hierin zu Veranschaulichungszwecken beschrieben sind, sind verschiedene äquivalente Modifikationen möglich, wie Fachleute auf dem relevanten Gebiet erkennen können. Diese Modifikationen können im Hinblick auf die vorangehende, detaillierte Beschreibung, die Zusammenfassung, die Figuren, oder die Ansprüche vorgenommen werden.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • US 16/683125 [0001]

Claims (20)

  1. Ein mikroelektronisches Package umfassend: ein Package-Substrat mit einer Signalleitung und einer Masseleitung; und eine Struktur zum Schutz vor elektrostatischer Entladung (ESD) innerhalb des Package-Substrats; wobei die ESD-Schutzstruktur einen Hohlraum in einer Schicht des Package-Substrats aufweist; wobei ein Kontakt der Signalleitung und ein Kontakt der Masseleitung innerhalb des Hohlraums liegen und durch eine Distanz d getrennt sind; und wobei die Signalleitung und die Masseleitung zumindest teilweise innerhalb des Hohlraums liegen und innerhalb des Hohlraums durch eine Distanz D getrennt sind, die größer als die Distanz d ist.
  2. Das mikroelektronische Package gemäß Anspruch 1, wobei der Kontakt der Signalleitung ein Vorsprung von der Signalleitung ist oder der Kontakt der Masseleitung ein Vorsprung von der Masseleitung ist.
  3. Das mikroelektronische Package gemäß Anspruch 1, wobei eine Ladung zwischen dem Kontakt der Signalleitung und dem Kontakt der Masseleitung übertragen werden soll, wenn eine Ladungsdifferenz zwischen dem Kontakt der Signalleitung und dem Kontakt der Masseleitung über einem Ladungsschwellenwert liegt.
  4. Das mikroelektronische Package gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die ESD-Schutzstruktur eine Mehrzahl von Kontakten der Signalleitung und eine Mehrzahl von Kontakten der Masseleitung umfasst, die innerhalb des Hohlraums angeordnet sind.
  5. Das mikroelektronische Package gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die ESD-Schutzstruktur ferner einen zweiten Hohlraum in der Schicht des Package-Substrats aufweist und wobei ein zweiter Kontakt der Signalleitung und ein zweiter Kontakt der Masseleitung innerhalb des zweiten Hohlraums liegen.
  6. Das mikroelektronische Package gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die Signalleitung ein Via in dem Package-Substrat umfasst.
  7. Das mikroelektronische Package gemäß einem der Ansprüche 1-3, wobei die Distanz d zwischen 0,5 Mikrometern („Mikron“) und 5 Mikrometern liegt.
  8. Ein mikroelektronisches Package umfassend: ein Package-Substrat mit einem Hohlraum in einer Fläche des Package-Substrats; einen Deckel, der über dem Hohlraum angeordnet ist, wobei der Deckel eine luftdichte Abdichtung für den Hohlraum bereitstellt; und eine elektrostatische Entladungsvorrichtung (ESD-Vorrichtung), die in dem Hohlraum angeordnet ist, wobei die ESD-Vorrichtung eine Funkenstrecke mit einem Kontakt einer Signalleitung und einem Kontakt einer Masseleitung umfasst, die durch eine Distanz d getrennt sind.
  9. Das mikroelektronische Package gemäß Anspruch 8, wobei der Kontakt der Signalleitung und der Kontakt der Masseleitung Elemente einer Schicht des Package-Substrats sind.
  10. Das mikroelektronische Package gemäß Anspruch 8, wobei der Deckel kommunikativ mit einer Masse des mikroelektronischen Packages gekoppelt ist.
  11. Das mikroelektronische Package gemäß Anspruch 10, wobei der Kontakt der Masseleitung ein Element des Deckels ist.
  12. Das mikroelektronische Package gemäß Anspruch 11, wobei der Deckel einen zweiten Kontakt der Masseleitung umfasst, der durch die Distanz d von einem Kontakt einer zweiten Signalleitung getrennt ist.
  13. Das mikroelektronische Package gemäß einem der Ansprüche 8 bis 12, ferner umfassend einen Deckelabstand zwischen dem Deckel und dem Package-Substrat, und wobei eine z-Höhe des Deckelabstands auf einem gewünschten Wert für die Distanz d basiert.
  14. Das mikroelektronische Package gemäß einem der Ansprüche 8-12, wobei der Abstand d auf einer gewünschten Spannung der Funkenstrecke basiert, und wobei die gewünschte Spannung zwischen 4 Volt (V) und 5 V liegt.
  15. Ein mikroelektronisches Package umfassend: ein Package-Substrat mit einer Signalleitung, die mit einer Signal-Anschlussfläche des mikroelektronischen Packages verbunden ist; einen Die, der mit der Signalleitung kommunikativ gekoppelt ist; eine Masseleitung, die zwischen einer Masseanschlussfläche des mikroelektronischen Packages und der Signalleitung angeordnet ist; und eine Schutzstruktur für elektrostatische Entladungen (ESD) innerhalb der Masseleitung, wobei die ESD-Schutzstruktur einen Massekontakt, der kommunikativ mit der Masseanschlussfläche gekoppelt ist, und einen Signalkontakt, der kommunikativ mit der Signalleitung gekoppelt ist, umfasst, und wobei der Massekontakt und der Signalkontakt eine Funkenstrecke zwischen denselben aufweisen.
  16. Das mikroelektronische Package gemäß Anspruch 15, wobei der Massekontakt oder der Signalkontakt ein abgerundetes Profil aufweisen.
  17. Das mikroelektronische Package gemäß Anspruch 15, wobei der Massekontakt oder der Signalkontakt ein spitzes Profil aufweisen.
  18. Das mikroelektronische Package gemäß Anspruch 15, wobei der Massekontakt oder der Signalkontakt ein quadratisches Profil aufweisen.
  19. Das mikroelektronische Package gemäß einem der Ansprüche 15-18, wobei der Massekontakt und der Signalkontakt durch eine Distanz d getrennt sind, die zwischen 0,5 Mikrometern („Mikron“) und 5 Mikrometern liegt.
  20. Das mikroelektronische Package gemäß einem der Ansprüche 15-18, wobei der Massekontakt und der Signalkontakt durch eine Distanz d getrennt sind, die zwischen 1 Mikrometer („Mikron“) und 2 Mikrometern liegt.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11296040B2 (en) * 2019-12-19 2022-04-05 Intel Corporation Electrostatic discharge protection in integrated circuits

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7508644B2 (en) 2004-06-30 2009-03-24 Research In Motion Limited Spark gap apparatus and method for electrostatic discharge protection
US20080266730A1 (en) * 2007-04-25 2008-10-30 Karsten Viborg Spark Gaps for ESD Protection
US7872346B1 (en) 2007-12-03 2011-01-18 Xilinx, Inc. Power plane and land pad feature to prevent human metal electrostatic discharge damage
KR102188993B1 (ko) 2013-11-15 2020-12-10 삼성디스플레이 주식회사 광원 유닛 및 이를 포함하는 백라이트 어셈블리
US9380688B1 (en) 2015-12-31 2016-06-28 International Business Machines Corporation Air gap electrostatic discharge structure for high speed circuits
US11112436B2 (en) 2018-03-26 2021-09-07 Analog Devices International Unlimited Company Spark gap structures for detection and protection against electrical overstress events

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