DE112018006660T5

DE112018006660T5 - Schutzschaltkreis zum entkoppeln einer niederspannungsschaltung von einer hochspannungsschaltung

Info

Publication number: DE112018006660T5
Application number: DE112018006660.6T
Authority: DE
Inventors: Kim Sim Gan
Original assignee: Intel Corp
Current assignee: Intel Corp
Priority date: 2017-12-28
Filing date: 2018-12-04
Publication date: 2020-10-01
Also published as: CN111149298A; WO2019133200A1; US11128121B2; US20190207378A1

Abstract

Es wird eine Vorrichtung bereitgestellt, die umfasst: eine Schutzschaltung, die gekoppelt ist zwischen: einem Knoten und einer ersten Schaltung, die selektiv eine erste Spannung ausgeben soll, wobei der Knoten mit einer zweiten Schaltung gekoppelt ist, die selektiv eine zweite Spannung ausgeben soll, wobei die Schutzschaltung umfasst: ein Paar komplementärer paralleler Transistoren, die zwischen dem Knoten und der ersten Schaltung gekoppelt sind, wobei das Paar einen ersten und einen zweiten Transistor umfasst, wobei ein Gate des ersten Transistors ein Steuersignal mit der ersten Spannung empfangen soll, und einen dritten Transistor, um ein Gate des zweiten Transistors selektiv mit dem Knoten zu koppeln, wobei ein Gate des dritten Transistors das Steuersignal mit der ersten Spannung empfangen soll.

Description

PRIORITÄTSANSPRUCH
Diese Anmeldung beansprucht die Priorität der am 28. Dezember 2017 eingereichten US-Patentanmeldung Nr. 15/856,778 mit dem Titel „PROTECTION CIRCUIT FOR DECOUPLING A LOW VOLTAGE CIRCUITRY FROM A HIGH VOLTAGE CIRCUITRY“, die hiermit durch Bezugnahme in vollem Umfang und für alle Zwecke in den vorliegenden Text aufgenommen wird.
HINTERGRUND
Häufig kann ein Eingabe/Ausgabe-Knoten (E/A-Knoten) eine relativ hohe Spannung von einer Hochspannungsschaltung empfangen und kann eine relativ niedrige Spannung von einer Niederspannungsschaltung empfangen, zum Beispiel in einer zeitmultiplexierten Weise. Ohne zweckmäßigen Schutz kann sich die hohe Spannung von der Hochspannungsschaltung zu der Niederspannungsschaltung ausbreiten und dadurch eine elektrische Überlastung (Electrical Overstress, EOS) in der Niederspannungsschaltung hervorrufen und möglicherweise eine oder mehrere Komponenten der Niederspannungsschaltung beschädigen.
Figurenliste
Die Ausführungsformen der Offenbarung werden anhand der folgenden detaillierten Beschreibung und der beigefügten Zeichnungen verschiedener Ausführungsformen der Offenbarung besser verstanden; sie dürfen jedoch nicht so verstanden werden, als beschränkten sie die Offenbarung auf die konkreten Ausführungsformen, sondern sie dienen lediglich der Erklärung und dem Verständnis.

1 veranschaulicht - gemäß einigen Ausführungsformen - eine Vorrichtung, die eine Schutzschaltung umfasst, um elektrische Überlastung (EOS) in einer Niederspannungsschaltung zu verhindern, wobei die Niederspannungsschaltung über die Schutzschaltung mit einem Eingabe/Ausgabe-Knoten (E/A-Knoten) gekoppelt ist, und wobei eine Hochspannungsschaltung mit dem E/A-Knoten gekoppelt ist.
2 veranschaulicht - gemäß einigen Ausführungsformen - einen Betrieb der Vorrichtung von 1, während die Vorrichtung in einem ersten Modus arbeitet, während dem die Hochspannungsschaltung Hochspannung an den E/A-Knoten sendet oder die Hochspannung von dem E/A-Knoten empfängt.
3 veranschaulicht - gemäß einigen Ausführungsformen - einen Betrieb der Vorrichtung von 1, während die Vorrichtung in einem zweiten Modus arbeitet, während dem die Hochspannungsschaltung 0 V an den E/A-Knoten sendet, 0 V von dem E/A-Knoten empfängt, oder sich in einem Dreizustandszustand oder einem Hochimpedanzzustand befindet.
4 veranschaulicht - gemäß einigen Ausführungsformen - einen Betrieb der Vorrichtung von 1, während die Vorrichtung in einem dritten Modus arbeitet, während dem die Niederspannungsschaltung eine niedrige Spannung an den E/A-Knoten sendet, die niedrige Spannung von dem E/A-Knoten empfängt, 0 V an den E/A-Knoten sendet, 0 V von dem E/A-Knoten empfängt, oder sich in einem Dreizustandszustand oder einem Hochimpedanzzustand befindet.
5 veranschaulicht ein Flussdiagramm, das ein Verfahren zum Betreiben der Vorrichtung der 1 - 4 gemäß einigen Ausführungsformen veranschaulicht.
6 veranschaulicht - gemäß einigen Ausführungsformen - eine Computervorrichtung, eine intelligente Vorrichtung, eine Computervorrichtung oder ein Computersystem oder ein SoC (System-on-Chip), wobei die Computervorrichtung eine Hochspannungsschaltung, eine Niederspannungsschaltung und eine Schutzschaltung zum Schutz der Niederspannungsschaltung vor der Hochspannungsschaltung umfassen kann.

DETAILLIERTE BESCHREIBUNG
In einigen Ausführungsformen kann eine Vorrichtung eine Hochspannungsschaltung umfassen, die mit einem Eingabe/Ausgabe-Knoten (E/A-Knoten) gekoppelt ist, und kann eine Niederspannungsschaltung umfassen, die über eine Schutzschaltung mit dem E/A-Knoten gekoppelt ist. Die Hochspannungsschaltung kann zum Beispiel eine hohe Spannung über den E/A-Knoten senden und/oder empfangen, und die Niederspannungsschaltung kann eine niedrige Spannung über den E/A-Knoten senden und/oder empfangen. In einigen Ausführungsformen kann die Schutzschaltung die Niederspannungsschaltung vor der Hochspannung der Hochspannungsschaltung schützen.
In einigen Ausführungsformen kann die Schutzschaltung ein Paar komplementärer paralleler Transistoren umfassen, die zwischen dem E/A-Knoten und der Niederspannungsschaltung gekoppelt sind, wobei das Paar einen ersten und einen zweiten Transistor umfasst. In einem Beispiel kann, während die Niederspannungsschaltung aktiv ist und die Hochspannungsschaltung inaktiv ist, im Wesentlichen die niedrige Spannung an einem Gate des ersten Transistors bereitgestellt werden, und im Wesentlichen null Volt kann an einem Gate eines zweiten Transistors bereitgestellt werden. In einem Beispiel, während die Hochspannungsschaltung aktiv ist und die Niederspannungsschaltung inaktiv ist, kann im Wesentlichen die niedrige Spannung an dem Gate des ersten Transistors bereitgestellt werden, und im Wesentlichen die hohe Spannung kann an dem Gate des zweiten Transistors bereitgestellt werden.
Wie im vorliegenden Text noch ausführlicher besprochen wird, kann das Betreiben des Paares komplementärer paralleler Transistoren in einer solchen Weise sicherstellen, dass keiner der Transistoren der Schutzschaltung unter elektrischer Überlastung (EOS) steht. Wie im vorliegenden Text ebenfalls noch ausführlicher besprochen wird, kann das Betreiben des Paares komplementärer paralleler Transistoren auch sicherstellen, dass die Niederspannungsschaltung nicht der hohen Spannung von der Hochspannungsschaltung ausgesetzt wird. Weitere technische Auswirkungen werden aus den verschiedenen Ausführungsformen und Figuren ersichtlich.
In der folgenden Beschreibung werden zahlreiche Details erörtert, um Ausführungsformen der vorliegenden Offenlegung eingehender zu erläutern. Dem Fachmann ist jedoch klar, dass Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung auch ohne diese konkreten Details praktiziert werden können. In anderen Fällen werden bekannte Strukturen und Vorrichtungen in Blockdiagrammform und nicht im Detail gezeigt, um wesentliche Aspekte der Beschreibung nicht in den Hintergrund treten zu lassen.
Es ist zu beachten, dass in den entsprechenden Zeichnungen der Ausführungsformen Signale mit Linien dargestellt werden. Einige Linien können dicker sein, um eine größere Anzahl konstituenter Signalwege anzudeuten, und/oder haben Pfeile an einem oder an mehreren Enden, um eine primäre Informationsflussrichtung anzudeuten. Solche Andeutungen sind nicht als Einschränkung gedacht. Vielmehr werden die Linien in Verbindung mit einer oder mehreren beispielhaften Ausführungsformen gebraucht, damit ein Schaltkreis oder eine Logikeinheit besser verstanden werden kann. Jedes dargestellte Signal kann je nach konstruktiven Erfordernissen oder Präferenzen in Wirklichkeit ein oder mehrere Signale umfassen, die sich in beiden Richtungen bewegen können und mit jeder geeigneten Art von Signalregime implementiert werden können.
In der gesamten Spezifikation und in den Ansprüchen meint der Begriff „verbunden“ eine direkte Verbindung, wie zum Beispiel eine elektrische, mechanische oder magnetische Verbindung, zwischen den Dingen, die verbunden sind, ohne dazwischenliegende Vorrichtungen. Der Begriff „gekoppelt“ meint eine direkte oder indirekte Verbindung, wie zum Beispiel eine direkte elektrische, mechanische oder magnetische Verbindung, zwischen den Dingen, die verbunden sind, oder eine indirekte Verbindung durch eine oder mehrere passive oder aktive dazwischenliegende Vorrichtungen. Der Begriff „Schaltkreis“ oder „Modul“ kann sich auf eine oder mehrere passive und/oder aktive Komponenten beziehen, die so angeordnet sind, dass sie miteinander zusammenzuwirken, um eine gewünschte Funktion bereitzustellen. Der Begriff „Signal“ kann sich auf mindestens ein Stromsignal, ein Spannungssignal, ein magnetisches Signal oder ein Daten-/Taktsignal beziehen. Die Bedeutung von „ein, einer, eine“ und „der/die/das“ enthält auch die Mehrzahlbedeutungen. Die Bedeutung von „in“ enthält „in“ und „auf“. Die Begriffe „im Wesentlichen“, „nahe“, ungefähr“ und „etwa“ meinen allgemein innerhalb ±10 % eines Zielwertes.
Sofern nicht anders angegeben, meint die Verwendung der Ordnungsadjektive „erster“, „zweiter“, „dritter“ usw. zum Beschreiben eines gemeinsamen Objekts lediglich, dass auf verschiedene Instanzen gleicher Objekte verwiesen wird, und soll nicht implizieren, dass die auf diese Weise beschriebenen Objekte eine bestimmte Reihenfolge haben müssten, sei es zeitlich, räumlich, dem Rang nach, oder in einer sonstigen Weise.
Für die Zwecke der vorliegenden Offenbarung bedeuten die Formulierungen „A und/oder B“ und „A oder B“ (A), (B) oder (A und B). Für die Zwecke der vorliegenden Offenbarung bedeutet die Formulierung „A, B und/oder C“ (A), (B), (C), (A und B), (A und C), (B und C), oder (A, B und C). Die Begriffe „links“, „rechts“, „vorn“, „hinten“, „oben“, „unten“, „über“, „unter“ und dergleichen in der Beschreibung und in den Ansprüchen, sofern vorhanden, werden für deskriptive Zwecke verwendet und nicht unbedingt zum Beschreiben dauerhafter relativer Positionen.
1 veranschaulicht - gemäß einigen Ausführungsformen - eine Vorrichtung 100, die eine Schutzschaltung 112 umfasst, um EOS in einer Niederspannungsschaltung 104 zu verhindern, wobei die Niederspannungsschaltung 104 über eine Schutzschaltung 112 mit einem E/A-Knoten 116 (auch als Knoten 116 bezeichnet) gekoppelt ist, und wobei eine Hochspannungsschaltung 108 mit dem E/A-Knoten 116 gekoppelt (zum Beispiel direkt verbunden) ist.
Einige der Signallinien in 1 (und in verschiedenen anderen Figuren im vorliegenden Text) sind so veranschaulicht, dass sie sich gegenseitig kreuzen, aber sie sind möglicherweise am Kreuzungspunkt nicht elektrisch gekoppelt, wie dem Fachmann einleuchtet. Wenn sich zwei Signallinien schneiden und am Schnittpunkt elektrisch gekoppelt sind, so wird ein solcher Schnittpunkt durch einen kleinen Punkt veranschaulicht, wie dem Fachmann einleuchtet.
In einigen Ausführungsformen arbeitet die Niederspannungsschaltung 104 (auch als Schaltung 104 bezeichnet) bei einer Spannung V1. Zum Beispiel kann die Schaltung 104 eine Niederspannungs-E/A-Schaltung sein, die Signale mit der Spannung V1 empfängt und/oder ausgibt. In einem Beispiel kann der Schaltung 104 eine langsame E/A-Schnittstelle, eine schnelle E/A-Schnittstelle, eine ein-endige oder differentielle E/A-Schnittstelle und/oder dergleichen sein. In dem Beispiel von 1 wird angenommen, dass die Schaltung 104 eine ein-endige Zeichengabe verwendet. Wenn zum Beispiel die Schaltung 104 eine differentielle Zeichengabe verwendet, so können zwei Schutzschaltungen (die zum Beispiel jede der Schutzschaltung 112 ähneln) für die beiden jeweiligen Leitungen der differentiellen Signalleitungen der Schaltung 104 verwendet werden. Lediglich als Beispiele kann die Schaltung 104 für eine Niederspannungs-Differenzialzeichengabe (Low-Voltage Differential Signaling, LVDS), als MIPI-Schnittstelle (Mobile Industry Processor Interface) (zum Beispiel MIPI Camera Serial Interface), als SLVS-Schnittstelle (Scalable Low-Voltage Signaling), eine Speicherschnittstelle (zum Beispiel eine Speicherschnittstelle mit doppelter Datenrate) und/oder dergleichen verwendet werden.
In einigen Ausführungsformen arbeitet die Hochspannungsschaltung 108 (auch als Schaltung 108 bezeichnet) mit einer Spannung V2. Zum Beispiel kann die Schaltung 108 eine Hochspannungs-E/A-Schaltung sein, die Signale mit der Spannung V2 empfängt und/oder ausgibt. In einem Beispiel kann der Schaltung 108 eine langsame E/A-Schnittstelle, eine schnelle E/A-Schnittstelle, eine ein-endige oder differentielle E/A-Schnittstelle und/oder dergleichen sein.
In einigen Ausführungsformen ist die Spannung V2 höher als V1. Lediglich als ein Beispiel beträgt die Spannung V1 im Wesentlichen 1,8 Volt (V), während die Spannung V2 im Wesentlichen 3,3 V beträgt, obwohl diese Spannungen beliebige andere geeignete Werte haben können.
In einigen Ausführungsformen können die Schaltungen 104 und 108 in einer zeitmultiplexierten Weise aktiv sein. Zum Beispiel kann während eines ersten Zeitraums die Schaltung 104 aktiv sein; und während eines zweiten Zeitraums kann die Schaltung 108 aktiv sein. Wenn die Schaltung 104 aktiv ist, so kann die Schaltung 104 über den Knoten 116 die Spannung V1 oder 0 V senden und/oder empfangen, oder sie kann sich in einem Hochimpedanzzustand befinden. Gleichermaßen kann sich, wenn die Schaltung 108 aktiv ist, die Schaltung 108 über den Knoten 116 die Spannung V2 oder 0 V senden und/oder empfangen, oder sie kann sich in einem Hochimpedanzzustand befinden.
In 1 sind die Knoten 116, 118, 120, 121 und 123 veranschaulicht. In einigen Ausführungsformen ist der Knoten 116 ein gemeinsamer Knoten (der zum ein Höcker-Pad umfasst), der eines oder mehrere von Folgendem ausführt: selektives Ausgeben der Spannung V1 (oder 0 V) von der Schaltung 104, selektives Ausgeben der Spannung V2 (oder 0 V) von der Schaltung 108, selektives Empfangen der Spannung V1 oder 0 V (zum Beispiel von einer externe Komponente, die nicht in 1 veranschaulicht ist), und Senden der Spannung V1 oder 0 V an die Schaltung 104, oder selektives Empfangen der Spannung V2 oder 0 V (zum Beispiel von einer externen Komponente, die nicht in 1 veranschaulicht ist), und Senden der Spannung V2 oder 0 V an die Schaltung 108. Ein Modus der Vorrichtung 100 bestimmt zum Beispiel, ob der Knoten 116 mit der Spannung V1, der Spannung V2 oder 0 V (oder in einem Hochimpedanzzustand) arbeitet. In einem anderen Beispiel bestimmt der Modus der Vorrichtung 100, ob der Knoten 116 als ein Ausgangsknoten arbeitet (zum Beispiel die Spannung V1, V2 oder 0 V von einer der Schaltungen 104, 108 ausgibt), als ein Eingangsknoten arbeitet (zum Beispiel die Spannung V1, V2 oder 0 V für eine der Schaltungen 104, 108 empfängt), oder in einem Hochimpedanzzustand arbeitet.
Wenn die Schaltung 104 mit dem Knoten 116 verbunden werden soll, zum Beispiel ohne die Schutzschaltung 112, so ist die Spannung V2 durch die Schaltung 104 zu empfangen, während die Schaltung 104 für den Betrieb bei der niedrigeren Spannung V1 ausgelegt ist. Dies würde zu einer elektrischen Überlastung (zum Beispiel Überspannung) an einer oder mehreren Komponenten der Schaltung 104 führen und die Komponente möglicherweise beschädigen. Daher schützt in einigen Ausführungen die Schutzschaltung 112 (im Folgenden auch als Schaltung 112 bezeichnet) die Schaltung 104 davor, der Spannung V2 ausgesetzt zu werden.
In einigen Ausführungsformen umfasst die Schaltung 112 Transistoren, die komplementäre parallele Transistoren 132N1 und 132P1 umfassen, die zwischen dem Knoten 116 und dem Knoten 121 gekoppelt sind, wobei der Knoten 121 mit einem Ausgang der Schaltung 104 gekoppelt ist. Zum Beispiel ist der Transistor 132N1 ein Thick Gate N Type Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor (TGNMOS). Der Transistor 132P1 ist zum Beispiel ein Thick Gate P Type Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor (TGPMOS).
In einigen Ausführungsformen ist der Transistor 132N1 zwischen den Knoten 116 und 121 so gekoppelt, dass eine Source des Transistors 132N1 mit dem Knoten 116 gekoppelt ist und ein Drain des Transistors 132N1 mit dem Knoten 121 gekoppelt ist. In einigen Ausführungsformen ist der Transistor 132P1 zwischen den Knoten 116 und 121 so gekoppelt, dass eine Source des Transistors 132P1 mit dem Knoten 116 gekoppelt ist und ein Drain des Transistors 132P1 mit dem Knoten 121 gekoppelt ist. In einigen Ausführungsformen werden die Transistoren 132N1, 132P1 im vorliegenden Text auch als Pass-Gate-Transistoren bezeichnet, da die Transistoren 132N1, 132P1 selektiv die Ausbreitung von Signalen zwischen dem Knoten 116 und der Schaltung 104 erlauben.
Ein Gate des Transistors 132N1 kann mit dem Knoten 120 gekoppelt werden, der ein Steuersignal 124 empfängt. In einigen Ausführungsformen kann das Steuersignal 124 während des Betriebs der Vorrichtung 100 im Wesentlichen die Spannung V1 haben (zum Beispiel die Betriebsspannung der Schaltung 104). In einem Beispiel kann das Steuersignal 124 ein konstantes Spannungssignal mit der Spannung V1 sein. Das Steuersignal 124 kann durch die Schaltung 104 generiert werden oder kann von einer anderen geeigneten Komponente der Vorrichtung 100 empfangen werden.
In einigen Ausführungsformen kann ein Transistor 132P2 zwischen einem Gate des Transistors 132P1 und dem Knoten 116 gekoppelt werden. Zum Beispiel ist eine Source des Transistors 132P2 mit dem Knoten 116 gekoppelt, ein Drain des Transistors 132P2 ist mit dem Knoten 118 gekoppelt, und das Gate des Transistors 132P1 ist mit dem Knoten 118 gekoppelt. Der Transistor 132P2 ist zum Beispiel ein TGPMOS.
In einigen Ausführungsformen ist ein Paar in Reihe geschalteter Pulldown-Transistoren 132N2 und 132N3 zwischen dem Knoten 118 und Erde gekoppelt. Zum Beispiel ist eine Source des Transistors 132N2 mit dem Knoten 118 gekoppelt, ein Drain des Transistors 132N2 ist mit dem Knoten 123 gekoppelt, eine Source des Transistors 132N3 ist mit dem Knoten 123 gekoppelt, und ein Drain des Transistors 132N3 ist mit Erde gekoppelt. Der Transistor 132N2 ist zum Beispiel ein TGNMOS. Der Transistor 132N3 ist zum Beispiel ein TGNMOS.
In einigen Ausführungsformen, und wie oben im vorliegenden Text besprochen, können die Transistoren 132N1, 132N2, 132N3, 132P1 und 132P2 Thick-Gate-Transistoren sein (zum Beispiel Thick-Gate-Transistoren mit einer V1-Spannungsbemessung, wobei V1 1,8 V betragen kann). Zum Beispiel darf, wie im vorliegenden Text näher besprochen, eine Gate-Source (oder Gate-Drain)-Spannung in diesen Transistoren 1,8 V nicht überschreiten (zum Beispiel unter der Annahme, dass V1 1,8 V beträgt und V2 3,3 V beträgt).
In einigen Ausführungsformen wird ein Gate des Transistors 132N2 durch das Steuersignal 124 gesteuert (zum Beispiel ist das Gate mit dem Knoten 120 gekoppelt), wobei das Steuersignal 124 die Spannung V1 haben kann. In einigen Ausführungsformen wird ein Gate des Transistors 132N3 durch ein Modussignal 128 gesteuert. Das Modussignal 128 kann einen Modus der Vorrichtung 100 anzeigen.
Lediglich als ein Beispiel kann das Modussignal 128 einen logischen 0-Wert (zum Beispiel 0 V) haben, wenn die Schaltung 108 aktiviert ist (und die Schaltung 104 ist zum Beispiel nicht aktiviert und gibt die Spannung V1 weder aus, noch empfängt sie diese). Lediglich als ein Beispiel kann das Modussignal 128 einen logischen 1-Wert haben, wenn die Schaltung 104 aktiviert ist (und die Schaltung 108 ist zum Beispiel nicht aktiviert und gibt die Spannung V2 weder aus, noch empfängt sie diese). In einigen Ausführungsformen kann die logische 1 des Modussignals 128 im Wesentlichen gleich der Spannung V1 sein. Daher kann das Modussignal 128 im Wesentlichen die Spannung V1 haben, wenn die Schaltung 104 aktiviert ist.
2 veranschaulicht - gemäß einigen Ausführungsformen - einen Betrieb der Vorrichtung 100 von 1, während die Vorrichtung 100 in einem ersten Modus arbeitet, während dem die Hochspannungsschaltung 108 eine Spannung V2 an den Knoten 116 sendet oder die Spannung V2 von dem Knoten 116 empfängt. In dem Beispiel von 2 werden die Spannungen V1 und V2 der Schaltungen 104 und 108 mit 1,8 V bzw. 3,3 V angenommen. Solche Werte der Spannungen V1 und V2 sind jedoch nur Beispiele und schränken die Lehren dieser Offenbarung in keiner Weise ein.
In dem Beispiel von 2 wird angenommen, dass die Vorrichtung 100 im ersten Betriebsmodus arbeitet, während dem die Schaltung 108 die Spannung V2 (zum Beispiel 3,3 V) an den Knoten 116 sendet oder die Spannung V2 von dem Knoten 116 empfängt. Es wird angenommen, dass die Schaltung 104 keine Spannung von dem Knoten 116 empfängt oder Spannung an den Knoten 116 sendet. Wie im vorliegenden Text zuvor besprochen, kann das Modussignal 128 für den ersten Modus einen logischen 0-Wert haben, zum Beispiel 0 V.
Es ist anzumerken, dass der erste Betriebsmodus der Vorrichtung 100 zwei Submodi umfassen kann. Zum Beispiel kann ein erster Submodus mit der Schaltung 108 verknüpft sein, die die Spannung V2 über den Knoten 116 an eine externe Komponente sendet (die zum Beispiel mit dem Knoten 116 gekoppelt sein kann, in 2 nicht veranschaulicht); und ein zweiter Submodus kann mit der Schaltung 108 verknüpft sein, die die Spannung V2 über den Knoten 116 von einer anderen externen Komponente empfängt. Während des ersten Betriebsmodus kann die Vorrichtung 100 in jedem dieser beiden Submodi arbeiten.
Während des ersten Modus von 2 kann der Knoten 116 3,3 V haben (die zum Beispiel entweder durch die Schaltung 108 von einer externen Komponente empfangen werden können oder die durch die Schaltung 108 an eine externe Komponente gesendet werden können). Außerdem kann, wie mit Bezug auf 1 besprochen, das Steuersignal 124 die Spannung V1 haben, zum Beispiel 1,8 V (zum Beispiel kann der Knoten 120 die Spannung V1 haben).
Da die Spannung am Knoten 116 3,3 V beträgt und die Spannung am Gate des Transistors 132P2 1,8 V beträgt, kann der Transistor 132P2 eingeschaltet werden. Da die Gate-Spannung des Transistors 132P2 1,8 V beträgt, gibt es möglicherweise keine EOS am Transistor 132P2. Der Transistor 132P2 kann die 3,3 V von dem Knoten 116 zu dem Knoten 118 weiterleiten, die durch das Gate des Transistors 132P1 empfangen werden können. Da der Transistor 132P1 3,3 V an dem Gate empfängt und 3,3 V an der Source empfängt, kann der Transistor 132P1 ausgeschaltet werden. In einem Beispiel kann dies die Ausbreitung von 3,3 V von dem Knoten 116 zu dem Knoten 121 über den Transistor 132P1 verhindern.
In einigen Ausführungsformen kann der Transistor 132N1 an dem Gate 1,8 V und an der Source 3,3 V empfangen. Somit kann der Transistor 132N1 eingeschaltet werden und braucht lediglich (1,8 V - Vtn1) von dem Knoten 116 zu dem Knoten 121 auszubreiten, wobei Vtn1 eine Schwellenspannung des Transistors 132N1 sein kann.
In einigen Ausführungsformen kann der Transistor 132N2 eingeschaltet sein (zum Beispiel, wenn das Gate 1,8 V und die Source 3,3 V beträgt), und der Transistor 132N2 kann (1,8 V - Vtn2) von dem Knoten 118 zu dem Knoten 123 ausbreiten (zum Beispiel, wenn das Gate 1,8 V beträgt). In einigen Ausführungsformen kann der Transistor 132N3 ausgeschaltet sein, zum Beispiel, wenn das Gate 0 V hat. Somit kann der Transistor 132N2 den Knoten 123 auf (1,8 V - Vtn2) klemmen und dadurch EOS an dem Transistor 132N3 verhindern. Die Pulldown-Transistoren 132N2 und 132N3 ziehen den Knoten 118 möglicherweise nicht nach unten auf Erde.
Somit ist im ersten Betriebsmodus, wie mit Bezug auf 2 besprochen, der Transistor 132P1 AUS, und der Transistor 132N1 kann EIN sein und braucht lediglich (1,8 V - Vtn1) zu der Schaltung 104 ausbreiten. Dadurch kann verhindert werden, dass die Schaltung 104 zum Beispiel mehr als 1,8 V ausgesetzt wird, wodurch die Schaltung 104 vor EOS von höheren Spannungen (zum Beispiel Spannungen über 1,8 V) geschützt wird.
3 veranschaulicht - gemäß einigen Ausführungsformen - einen Betrieb der Vorrichtung 100 von 1, während die Vorrichtung 100 in einem zweiten Modus arbeitet, während dem die Hochspannungsschaltung 108 0 V an den E/A-Knoten 116 sendet, 0 V von dem E/A-Knoten 116 empfängt, oder sich in einem Dreizustands- oder einem Hochimpedanzzustand (zum Beispiel mit hoher Impedanz Z) befindet. In dem Beispiel von 3 werden die Spannungen V1 und V2 der Schaltungen 104 und 108 mit 1,8 V bzw. 3,3 V angenommen. Solche Werte der Spannungen V1 und V2 sind jedoch nur Beispiele und schränken die Lehren dieser Offenbarung in keiner Weise ein.
Es ist anzumerken, dass der zweite Betriebsmodus der Vorrichtung 100 drei Submodi umfassen kann. Zum Beispiel kann ein erster Submodus mit der Schaltung 108 verknüpft sein, die 0 V über den Knoten 116 an eine externe Komponente sendet (die zum Beispiel mit dem Knoten 116 gekoppelt sein kann, in 3 nicht veranschaulicht); ein zweiter Submodus kann mit der Schaltung 108 verknüpft sein, die 0 V über den Knoten 116 von einer externen Komponente empfängt; und ein dritter Submodus kann mit der Schaltung 108 verknüpft sein, die sich in einem Hochimpedanzzustand befindet. Während des zweiten Betriebsmodus kann die Vorrichtung 100 in einem oder mehreren dieser drei Submodi arbeiten.
In dem Beispiel von 3 wird angenommen, dass die Vorrichtung 100 im ersten Betriebsmodus arbeitet, während dem die Schaltung 108 aktiv ist, und es wird angenommen, dass die Schaltung 104 weder Spannung von dem Knoten 116 empfängt noch Spannung an den Knoten 116 sendet. Das Modussignal 128 für den zweiten Modus kann einen logischen 0-Wert haben, zum Beispiel 0 Volt.
Während des zweiten Modus von 3 kann der Knoten 116 0 V oder eine hohe Impedanz Z haben. Außerdem kann, wie mit Bezug auf 1 besprochen, das Steuersignal 124 die Spannung V1 haben, zum Beispiel 1,8 V (zum Beispiel kann der Knoten 120 die Spannung V1 haben). Somit kann der Transistor 132N1 eingeschaltet sein. Der Transistor 132N1 kann den 0 V-Zustand oder den Hochimpedanzzustand Z von dem Knoten 116 zu dem Knoten 121 und zu der Schaltung 104 übertragen.
Da die Source des Transistors 132P2 0 V haben kann und das Gate 1,8 V haben kann, kann der Transistor 132P2 ausgeschaltet sein. Der Transistor 132N3 kann ausgeschaltet sein (zum Beispiel, wenn das Gate 0 V hat). Somit können die Knoten 118 und/oder 132 potentialfrei sein (floaten). Der Transistor 132P1 kann EIN oder AUS sein (zum Beispiel auf der Basis der Spannung des floatenden Knotens 118) - aber der Zustand des Transistors 132P1 braucht keine Rolle zu spielen (zum Beispiel, da der Transistor 132P1 nicht zwischen den Knoten 121 und 116 auszubreiten braucht; und selbst wenn sich der Transistor 132P1 ausbreitet, so braucht er lediglich den 0 V-Zustand oder den Hochimpedanzzustand Z zu dem Knoten 121 ausbreiten). Keiner der Transistoren der Schutzschaltung 112 braucht unter EOS zu stehen, da die maximale Spannung in der Schaltung 112 1,8 V betragen kann.
4 veranschaulicht - gemäß einigen Ausführungsformen - einen Betrieb der Vorrichtung 100 von 1, während die Vorrichtung 100 in einem dritten Modus arbeitet, während dem die Niederspannungsschaltung 104 die Spannung V1 an den Knoten 116 sendet, die Spannung V1 von dem Knoten 116 empfängt, 0 V an den Knoten 116 sendet, 0 V von dem Knoten 116 empfängt, oder sich in einem Dreizustands- oder Hochimpedanzzustand befindet. In dem Beispiel von 4 werden die Spannungen V1 und V2 der Schaltungen 104 und 108 mit 1,8 V bzw. 3,3 V angenommen. Solche Werte der Spannungen V1 und V2 sind jedoch nur Beispiele und schränken die Lehren dieser Offenbarung in keiner Weise ein.
Es ist anzumerken, dass der dritte Betriebsmodus der Vorrichtung 100 fünf Submodi umfassen kann. Beispielsweise kann ein erster Sub-Modus mit der Schaltung 104 verknüpft sein, die die Spannung V1 über den Knoten 116 an eine externe Komponente sendet (die zum Beispiel mit dem Knoten 116 gekoppelt sein kann, in 4) nicht veranschaulicht; ein zweiter Submodus kann mit der Schaltung 104 verknüpft sein, die die Spannung V1 über den Knoten 116 von einer anderen externen Komponente empfängt; ein dritter Submodus kann mit der Schaltung 104 verknüpft sein, die 0 V über den Knoten 116 an eine andere externe Komponente sendet; ein vierter Submodus kann mit der Schaltung 104 verknüpft sein, die 0 V über den Knoten 116 von einer anderen externen Komponente empfängt; und ein fünfter Submodus kann mit der Schaltung 104 verknüpft sein, die sich in einem Hochimpedanzzustand befindet. Während des dritten Betriebsmodus kann die Vorrichtung 100 in einem oder mehreren dieser fünf Submodi arbeiten.
In dem Beispiel von 4 wird angenommen, dass die Vorrichtung 100 im dritten Betriebsmodus arbeitet, während dem die Schaltung 104 aktiv ist, und es wird angenommen, dass die Schaltung 108 weder Spannung von dem Knoten 116 empfängt noch Spannung an den Knoten 116 sendet. Wie im vorliegenden Text zuvor besprochen, kann das Modussignal 128 für den dritten Modus einen logischen 1-Wert haben, zum Beispiel im Wesentlichen 1,8 V.
Während des dritten Modus von 4 kann sich der Knoten 116 bei 0 V, 1,8 V oder in einem Hochimpedanzzustand befinden (zum Beispiel auf der Basis eines Submodus des dritten Modus, in dem die Vorrichtung 100 arbeitet). Außerdem kann, wie mit Bezug auf 1 besprochen, das Steuersignal 124 die Spannung V1 haben, zum Beispiel im Wesentlichen 1,8 V (zum Beispiel kann der Knoten 120 die Spannung V1 haben).
Da die Spannung am Knoten 116 0 V oder 1,8 V beträgt und die Spannung am Gate des Transistors 132P2 1,8 V beträgt, kann der Transistor 132P1 ausgeschaltet werden. Da des Weiteren die Gates der Transistoren 132N2 und 132N3 1,8 V haben können, können die Pulldown-Transistoren 132N2 und 132N3 eingeschaltet werden. Dadurch kann der Knoten 118 auf Erdungspotential heruntergezogen werden. Dementsprechend kann der Transistor 132P1 EIN sein. Da das Gate des Transistors 132N1 1,8 V hat und die Source 0 V oder 1,8 V hat, kann der Transistor 132N1 ebenfalls EIN sein.
Somit werden die beiden Pass-Gate-Transistoren 132N1 und 132P1 eingeschaltet, wodurch 0 V oder 1,8 V von dem Knoten 121 zu dem Knoten 116 oder von dem Knoten 116 zu dem Knoten 121 ausgebreitet werden (zum Beispiel auf der Basis eines Submodus des dritten Betriebsmodus). Keiner der Transistoren der Schutzschaltung 112 braucht unter EOS zu stehen, da die maximale Spannung in der Schaltung 112 1,8 V betragen kann.
5 veranschaulicht ein Flussdiagramm, das ein Verfahren 500 zum Betreiben der Vorrichtung 100 der 1 - 4 gemäß einigen Ausführungsformen veranschaulicht. Obwohl die Blöcke in dem Flussdiagramm mit Bezug auf 5 in einer bestimmten Reihenfolge gezeigt sind, kann die Reihenfolge der Aktionen modifiziert werden. Somit können die veranschaulichten Ausführungsformen in einer anderen Reihenfolge ausgeführt werden, und einige Aktionen oder Blöcke können parallel ausgeführt werden. Einige der in 5 aufgeführten Blöcke und/oder Operationen können gemäß bestimmten Ausführungsformen optional sein. Die Nummerierung der dargestellten Blöcke dient der Übersichtlichkeit und soll keine Reihenfolge der Operationen vorschreiben, in der die verschiedenen Blöcke vorkommen müssen.
In einigen Ausführungsformen umfasst das Verfahren 500 bei 504 das Koppeln eines Paares komplementärer paralleler Transistoren (zum Beispiel der Transistoren 132N1 und 132P1) zwischen: einer ersten Schaltung (zum Beispiel der Schaltung 108), die selektiv eine erste Spannung (zum Beispiel Spannung V2) ausgeben soll, und einer zweiten Schaltung (zum Beispiel der Schaltung 104), die selektiv eine zweite Spannung (zum Beispiel Spannung V1) ausgeben soll, wobei die erste Spannung höher als die zweite Spannung ist. In einigen Ausführungsformen umfasst das Verfahren 500 bei 508, während die erste Schaltung aktiv ist und die zweite Schaltung inaktiv ist, die Bereitstellung im Wesentlichen der ersten Spannung an einem Gate eines ersten Transistors (zum Beispiel Transistor 132P1) des Paares und im Wesentlichen der zweiten Spannung an einem Gate eines zweiten Transistors (zum Beispiel Transistor 132N1) des Paares, wie zum Beispiel in Bezug auf 2 besprochen. In einigen Ausführungsformen umfasst das Verfahren 500 bei 512, während die zweite Schaltung aktiv ist und die erste Schaltung inaktiv ist, die Bereitstellung von im Wesentlichen einer Nullspannung an dem Gate des ersten Transistors und im Wesentlichen der zweiten Spannung an dem Gate des zweiten Transistors, wie zum Beispiel in Bezug auf 4 besprochen.
6 veranschaulicht - gemäß einigen Ausführungsformen - eine Computervorrichtung, eine intelligente Vorrichtung, eine Computervorrichtung oder ein Computersystem oder ein SoC (System-on-Chip), wobei die Computervorrichtung die Hochspannungsschaltung 108, die Niederspannungsschaltung 104 und die Schutzschaltung 112 zum Schutz der Niederspannungsschaltung 104 vor der Hochspannungsschaltung 108 umfassen kann. Es wird darauf hingewiesen, dass die Elemente von 6, die die gleichen Bezugszahlen (oder Namen) wie die Elemente jeder anderen Figur haben, in jeder Weise arbeiten oder funktionieren können, die der beschriebenen ähnelt, ohne darauf beschränkt zu sein.
In einigen Ausführungsformen stellt die Computervorrichtung 2100 eine zweckmäßige Computervorrichtung dar, wie zum Beispiel ein Computertablet, ein Mobiltelefon oder Smartphone, ein Laptop, ein Desktop, eine IOT-Vorrichtung, ein Server, eine Set-Top-Box, ein zum drahtlosen Betrieb befähigter E-Reader, oder dergleichen. Es versteht sich, dass bestimmte Komponenten allgemein veranschaulicht sind und dass nicht alle Komponenten einer solchen Vorrichtung in der Computervorrichtung 2100 gezeigt sind.
In einigen Ausführungsformen enthält die Computervorrichtung 2100 einen ersten Prozessor 2110. Die verschiedenen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung können auch eine Netzwerkschnittstelle innerhalb von 2170 umfassen, wie zum Beispiel eine drahtlose Schnittstelle, so dass eine Systemausführungsform in eine Drahtlosvorrichtung integriert werden kann, zum Beispiel ein Mobiltelefon oder einen persönlichen digitalen Assistenten.
In einer Ausführungsform kann der Prozessor 2110 eine oder mehrere physische Vorrichtungen wie zum Beispiel Mikroprozessoren, Anwendungsprozessoren, Mikrocontroller, programmierbare Logikvorrichtungen oder andere Verarbeitungsmittel enthalten. Die durch den Prozessor 2110 ausgeführten Verarbeitungsoperationen enthalten die Ausführung einer Betriebsplattform oder eines Betriebssystems, auf der bzw. auf dem Anwendungen und/oder Vorrichtungsfunktionen ausgeführt werden. Zu den Verarbeitungsoperationen gehören Operationen im Zusammenhang mit der Eingabe/Ausgabe (E/A) mit einem menschlichen Benutzer oder mit anderen Vorrichtungen, Operationen im Zusammenhang mit Energieverwaltung, und/oder Operationen im Zusammenhang mit dem Verbinden der Computervorrichtung 2100 mit einer anderen Vorrichtung. Die Verarbeitungsoperationen können auch Operationen im Zusammenhang mit Audio-E/A und/oder Anzeige-E/A umfassen.
In einer Ausführungsform umfasst die Computervorrichtung 2100 das Audio-Subsystem 2120, das die Hardware (zum Beispiel Audio-Hardware und Audio-Schaltungen) und Software (zum Beispiel Treiber, Codecs) repräsentiert, die mit der Bereitstellung von Audio-Funktionen für die Computervorrichtung verbunden sind. Zu den Audio-Funktionen können Lautsprecher- und/oder Kopfhörerausgabe wie auch Mikrofoneingabe gehören. Vorrichtungen für solche Funktionen können in die Computervorrichtung 2100 integriert oder mit der Computervorrichtung 2100 verbunden werden. In einer Ausführungsform interagiert ein Benutzer mit der Computervorrichtung 2100 durch Übermitteln von Audiobefehlen, die durch den Prozessor 2110 empfangen und verarbeitet werden.
Das Anzeigesubsystem 2130 repräsentiert Hardwarekomponenten (zum Beispiel Anzeigevorrichtungen) und Softwarekomponenten (zum Beispiel Treiber), die eine visuelle und/oder taktile Anzeige für einen Benutzer zum Interagieren mit der Computervorrichtung 2100 bereitstellen. Das Anzeigesubsystem 2130 enthält die Anzeigeschnittstelle 2132, die die spezielle Bildschirm- oder das Hardwarevorrichtung enthält, die dafür verwendet wird, dem Benutzer eine Anzeige zu geben. In einer Ausführungsform enthält die Anzeigeschnittstelle 2132 eine von dem Prozessor 2110 getrennte Logik, um mindestens einen Teil der mit der Anzeige verbundenen Verarbeitung auszuführen. In einer Ausführungsform enthält das Anzeige-Subsystem 2130 eine Touchscreenvorrichtung (oder ein Touchpad), die dem Benutzer sowohl eine Ausgabe als auch eine Eingabe ermöglicht.
Der E/A-Controller 2140 repräsentiert Hardwarevorrichtungen und Softwarekomponenten, die mit der Interaktion mit einem Benutzer zu tun haben. Der E/A-Controller 2140 ist dafür ausgelegt, Hardware zu managen, die Teil des Audio-Subsystems 2120 und/oder des Anzeige-Subsystems 2130 ist. Darüber hinaus veranschaulicht der E/A-Controller 2140 einen Verbindungspunkt für zusätzliche Vorrichtungen, die mit der Computervorrichtung 2100 verbunden werden und über die ein Benutzer mit dem System interagieren könnte. Zu den Vorrichtungen, die mit der Computervorrichtung 2100 verbunden werden können, könnten zum Beispiel Mikrofonvorrichtungen, Lautsprecher- oder Stereosysteme, Videosysteme oder andere Anzeigevorrichtungen, Tastatur- oder Keypad-Vorrichtungen oder andere E/A-Vorrichtungen zur Verwendung mit bestimmten Anwendungen, wie zum Beispiel Kartenlesern oder anderen Vorrichtungen, gehören.
Wie oben bereits erwähnt, kann der E/A-Controller 2140 mit dem Audio-Subsystem 2120 und/oder dem Anzeige-Subsystem 2130 interagieren. Beispielsweise kann die Eingabe über ein Mikrofon oder eine andere Audiovorrichtung Eingaben oder Befehle für eine oder mehrere Anwendungen oder Funktionen der Computervorrichtung 2100 bereitstellen. Zusätzlich kann eine Audioausgabe anstelle von, oder zusätzlich zu, einer Anzeigeausgabe erfolgen. In einem anderen Beispiel, wenn das Anzeige-Subsystem 2130 einen Touchscreen enthält, fungiert die Anzeigevorrichtung auch als eine Eingabevorrichtung, die mindestens teilweise durch den E/A-Controller 2140 gemanagt werden kann. Es können auch zusätzliche Knöpfe oder Schalter an der Computervorrichtung 2100 vorhanden sein, um E/A-Funktionen bereitzustellen, die durch den E/A-Controller 2140 gemanagt werden.
In einer Ausführungsform managt der E/A-Controller 2140 Vorrichtungen wie zum Beispiel Beschleunigungsmesser, Kameras, Lichtsensoren oder andere Umgebungssensoren oder andere Hardware, die in die Computervorrichtung 2100 integriert werden kann. Die Eingabe kann Teil der direkten Benutzerinteraktion sein, kann aber auch Umgebungseingaben in das System bereitstellen, um dessen Betrieb zu beeinflussen (zum Beispiel Filtern von Rauschen, Einstellen von Anzeigen für Helligkeitsdetektion, Anwenden eines Blitzes für eine Kamera, oder andere Funktionen).
Die Computervorrichtung 2100 enthält in einer Ausführungsform eine Energieverwaltung 2150, die den Batteriestromverbrauch, das Laden der Batterie und Merkmale im Zusammenhang mit einem Energiesparbetrieb managt. Das Speicher-Subsystem 2160 enthält Speichervorrichtungen zum Speichern von Informationen in der Computervorrichtung 2100. Der Speicher kann nicht-flüchtige Speichervorrichtungen (deren Zustand sich nicht ändert, wenn die Stromversorgung der Speichervorrichtung unterbrochen wird) und/oder flüchtige Speichervorrichtungen (deren Zustand unbestimmt ist, wenn die Stromversorgung der Speichervorrichtung unterbrochen wird) enthalten. Das Speicher-Subsystem 2160 kann Anwendungsdaten, Benutzerdaten, Musik, Fotos, Dokumente oder andere Daten sowie Systemdaten (langfristig oder temporär) speichern, die mit der Ausführung der Anwendungen und Funktionen der Computervorrichtung 2100 zusammenhängen. In einer Ausführungsform enthält die Computervorrichtung 2100 ein Taktgenerierungs-Subsystem 2152 zum Generieren eines Taktsignals.
Elemente von Ausführungsformen werden auch als ein maschinenlesbares Medium (zum Beispiel Speicher 2160) zum Speichern der computerausführbaren Anweisungen (zum Beispiel Anweisungen zum Implementieren anderer im vorliegenden Text besprochener Prozesse) bereitgestellt. Das maschinenlesbare Medium (zum Beispiel Speicher 2160) kann unter anderem Flash-Speicher, optische Disks, CD-ROMs, DVD-ROMs, RAMs, EPROMs, EEPROMs, magnetische oder optische Karten, Phasenwechselspeicher (PCM) oder andere Arten von maschinenlesbaren Medien, die zum Speichern elektronischer oder computerausführbarer Befehle geeignet sind, enthalten. Beispielsweise können Ausführungsformen der Offenbarung als ein Computerprogramm (zum Beispiel BIOS) heruntergeladen werden, das von einem räumlich abgesetzten Computer (zum Beispiel einem Server) auf einen anfordernden Computer (zum Beispiel einen Client) mittels Datensignalen über eine Kommunikationsverbindung (zum Beispiel ein Modem oder eine Netzwerkverbindung) übertragen werden kann.
Die Konnektivität 2170 enthält Hardwarevorrichtungen (zum Beispiel drahtlose und/oder drahtgebundene Verbinder und Kommunikationshardware) und Softwarekomponenten (zum Beispiel Treiber, Protokoll-Stapel), um eine Kommunikation der Computervorrichtung 2100 mit externen Vorrichtungen zu ermöglichen. Die Computervorrichtung 2100 könnte separate Vorrichtungen darstellen, wie zum Beispiel andere Computervorrichtungen, Drahtloszugangspunkte oder Basisstationen, sowie Peripherievorrichtungen wie zum Beispiel Headsets, Drucker oder andere Vorrichtungen.
Die Konnektivität 2170 kann mehrere verschiedene Arten von Konnektivität enthalten. Allgemein ausgedrückt, ist die Computervorrichtung 2100 mit Mobilfunkkonnektivität 2172 und drahtloser Konnektivität 2174 veranschaulicht. Die Mobilfunkkonnektivität 2172 bezieht sich allgemein auf Mobiltelefonnetzkonnektivität, die durch Funkbetreiber bereitgestellt wird, wie sie zum Beispiel über GSM (Global System for Mobile Communications) oder Varianten oder Ableitungen, CDMA (Code Division Multiple Access) oder Varianten oder Ableitungen, TDM (Time Division Multiplexing) oder Varianten oder Ableitungen, oder andere Mobiltelefoniestandards bereitgestellt wird. Die drahtlose Konnektivität (oder die drahtlose Schnittstelle) 2174 bezieht sich auf eine drahtlose Konnektivität, die nichts mit Mobilfunkkonnektivität zu tun hat, und kann Personal-Area-Netze (wie zum Beispiel Bluetooth, Near Field usw.), Local-Area-Netze (wie zum Beispiel Wi-Fi) und/oder Wide-Area-Netze (wie zum Beispiel WiMax) oder andere drahtlose Kommunikation enthalten.
Zu den Peripherieverbindungen 2180 gehören Hardwareschnittstellen und -verbinder sowie Softwarekomponenten (zum Beispiel Treiber, Protokollstapel) zum Herstellen von Peripherieverbindungen. Es versteht sich, dass die Computervorrichtung 2100 sowohl eine Peripherievorrichtung („zu“ 2182) zu anderen Computervorrichtungen sein könnte, dass aber auch Peripherievorrichtungen („von“ 2184) mit ihr verbunden sein könnten. Die Computervorrichtung 2100 hat üblicherweise über einen „Docking“-Verbinder, um eine Verbindung zu anderen Computervorrichtungen herzustellen, zum Beispiel zum Managen (zum Beispiel Herunter- und/oder Hochladen, Ändern, Synchronisieren) von Inhalten auf der Computervorrichtung 2100. Zusätzlich kann ein „Docking“-Verbinder es der Computervorrichtung 2100 ermöglichen, eine Verbindung mit bestimmten Peripherievorrichtungen herzustellen, die es der Computervorrichtung 2100 ermöglichen, die Ausgabe von Inhalten zum Beispiel an audiovisuelle oder andere Systeme zu steuern.
Zusätzlich zu einem proprietären Docking-Verbinder oder anderer proprietärer Verbindungshardware kann die Computervorrichtung 2100 über gängige oder standardisierte Verbinder Peripherieverbindungen 2180 herstellen. Zu gängige Arten können ein Universal Serial Bus (USB)-Verbinder (der beliebige aus einer Reihe verschiedener Hardwareschnittstellen enthalten kann), DisplayPort, einschließlich MiniDisplayPort (MDP), High Definition Multimedia Interface (HDMI), Firewire oder andere Arten, gehören.
In einigen Ausführungsformen kann die Computervorrichtung 2100 die Vorrichtung 100 von 1 enthalten. In einigen Ausführungsformen kann die Vorrichtung 100 in einem der verschiedenen Modi arbeiten, die in Bezug auf die 2-4 besprochen wurden. In einigen Ausführungsformen kann der Prozessor 2110 oder eine andere Komponente der Computervorrichtung 2100 die Schaltungen 104 und/oder 108 steuern. In einigen Ausführungsformen können die Schaltungen 104 und/oder 108 Spannungen V1 und/oder V2 an jede geeignete Komponente der Computervorrichtung 2100 anlegen, wie zum Beispiel die Prozessoren 2110, einen Speicher des Speicher-Subsystems 2160, einen E/A-Port oder eine E/A-Schnittstelle und/oder jede andere Komponente der Computervorrichtung 2100.
Wenn in der Spezifikation von „eine Ausführungsform“, „eine bestimmte Ausführungsform“, „einige Ausführungsformen“ oder „andere Ausführungsformen“ die Rede ist, so bedeutet das, dass ein bestimmtes Merkmal, eine bestimmte Struktur oder eine bestimmte Eigenschaft, die in Verbindung mit den Ausführungsformen beschrieben wird, in mindestens einer Ausführungsform der Erfindung, aber nicht unbedingt in allen Ausführungsformen enthalten ist. Das verschiedentliche Auftauchen von „einer Ausführungsform“, „einer bestimmten Ausführungsform“ oder „einigen Ausführungsformen“ bezieht sich nicht unbedingt immer auf dieselben Ausführungsformen. Wenn in der Spezifikation ausgesagt wird, dass eine Komponente, ein Merkmal, eine Struktur oder eine Eigenschaft „möglicherweise enthalten ist“, „enthalten sein kann“ oder „enthalten sein könnte“, so muss diese bestimmte Komponente, dieses bestimmte Merkmal, diese bestimmte Struktur oder diese bestimmte Eigenschaft nicht unbedingt enthalten sein. Wenn in der Spezifikation oder in einem Anspruch von „einem“ Element die Rede ist, so bedeutet das nicht, dass es nur eines der Elemente gibt. Wenn in der Spezifikation oder in einem Anspruch von „einem zusätzlichen“ Element die Rede ist, so schließt das nicht aus, dass es mehr als eines der zusätzlichen Elemente gibt.
Darüber hinaus können die besonderen Merkmale, Strukturen, Funktionen oder Eigenschaften in einer oder mehreren Ausführungsformen auf jede geeignete Weise kombiniert werden. Zum Beispiel kann eine erste Ausführungsform mit einer zweiten Ausführungsform überall dort kombiniert werden, wo sich die mit den beiden Ausführungsformen verknüpften besonderen Merkmale, Strukturen, Funktionen oder Eigenschaften nicht gegenseitig ausschließen.
Obgleich die Offenbarung in Verbindung mit konkreten Ausführungsformen beschrieben wurde, fallen dem Durchschnittsfachmann vor dem Hintergrund der obigen Beschreibung viele Alternativen, Modifizierungen und Variationen solcher Ausführungsformen ein. Die Ausführungsformen der Offenbarung sollen alle derartigen Alternativen, Modifizierungen und Variationen enthalten, sofern sie in den weitgefassten Schutzumfang der beiliegenden Ansprüche fallen.
Zusätzlich können bekannte Strom- und Erdungsverbindungen zu integrierten Schaltkreis-Chips (IC-Chips) und anderen Komponenten innerhalb der gezeigten Figuren gezeigt oder auch weggelassen werden, um die Veranschaulichung und Besprechung zu vereinfachen und bestimmte Aspekte der Ausführungsformen nicht in den Hintergrund treten zu lassen. Des Weiteren können Anordnungen in Blockdiagrammform dargestellt werden, um zu vermeiden, dass bestimmte Aspekte der Offenbarung in den Hintergrund treten, und auch im Hinblick auf die Tatsache, dass Besonderheiten mit Bezug auf die Implementierung solcher Blockdiagrammanordnungen in hohem Maße von der Plattform abhängen, innerhalb der die vorliegende Offenbarung implementiert werden soll (das heißt, solche Besonderheiten dürften ohne Weiteres innerhalb des Kompetenzbereichs des Fachmanns liegen). Wenn spezifische Details (zum Beispiel Schaltkreise) dargelegt werden, um beispielhafte Ausführungsformen der Offenbarung zu beschreiben, so sollte dem Fachmann klar sein, dass die Offenbarung ohne oder mit Variationen dieser spezifischen Details praktiziert werden kann. Die Beschreibung ist daher als veranschaulichend und nicht als einschränkend anzusehen.
Die folgenden Beispiele beziehen sich auf weitere Ausführungsformen. Die Besonderheiten in den Beispielen können überall in einer oder mehreren Ausführungsformen verwendet werden. Alle optionalen Merkmale der im vorliegenden Text beschriebenen Vorrichtung können auch in Bezug auf ein Verfahren oder einen Prozess implementiert werden.
Beispiel 1. Vorrichtung, die umfasst: einen Knoten; und eine Schutzschaltung, die gekoppelt ist zwischen: dem Knoten und einer ersten Schaltung, die selektiv eine erste Spannung ausgeben soll, wobei der Knoten mit einer zweiten Schaltung gekoppelt ist, die selektiv eine zweite Spannung ausgeben soll, wobei die Schutzschaltung umfasst: ein Paar komplementärer paralleler Transistoren, die zwischen dem Knoten und der ersten Schaltung gekoppelt sind, wobei das Paar einen ersten und einen zweiten Transistor umfasst, wobei ein Gate des ersten Transistors ein Steuersignal mit der ersten Spannung empfangen soll, und einen dritten Transistor, um ein Gate des zweiten Transistors selektiv mit dem Knoten zu koppeln, wobei ein Gate des dritten Transistors das Steuersignal mit der ersten Spannung empfangen soll.
Beispiel 2. Die Vorrichtung von Beispiel 1 oder einem anderen Beispiel, wobei die Schutzschaltung umfasst: einen vierten Transistor und einen fünften Transistor in Reihe, wobei der vierte und der fünfte Transistor das Gate des zweiten Transistors selektiv mit einem Erdungsanschluss koppeln sollen.
Beispiel 3. Die Vorrichtung von Beispiel 2 oder einem anderen Beispiel, wobei: ein Gate des vierten Transistors das Steuersignal mit der ersten Spannung empfangen soll.
Beispiel 4. Die Vorrichtung von Beispiel 2 oder einem anderen Beispiel, wobei: ein Gate des fünften Transistors ein Modussignal empfangen soll, das auf einem Betriebsmodus der Vorrichtung basiert.
Beispiel 5. Die Vorrichtung von Beispiel 4 oder einem anderen Beispiel, die des Weiteren umfasst: eine Schaltung, um: das Modussignal mit einem logisch hohen Wert zu generieren, wenn die erste Schaltung aktiv sein soll, und das Modussignal mit einem logisch niedrigen Wert zu generieren, wenn die zweite Schaltung aktiv sein soll.
Beispiel 6. Die Vorrichtung von Beispiel 5 oder einem anderen Beispiel, wobei der logisch hohe Wert im Wesentlichen der ersten Spannung entspricht und der logisch niedrige Wert im Wesentlichen null Volt entspricht.
Beispiel 7. Die Vorrichtung von Beispiel 2 oder einem anderen Beispiel, wobei: der vierte Transistor ein erster Thick Gate N Type Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor (TGNMOS) ist; und der fünfte Transistor ein zweiter TGNMOS ist.
Beispiel 8. Die Vorrichtung eines der Beispiele 1 - 7 oder eines anderen Beispiels, wobei: der erste Transistor, der zweite Transistor und der dritte Transistor Thick-Gate-Transistoren relativ zu einem anderen Thin-Gate-Transistor in der Vorrichtung sind.
Beispiel 9. Die Vorrichtung eines der Beispiele 1 - 7 oder eines anderen Beispiels, wobei: der erste Transistor ein Thick Gate N Type Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor (TGNMOS) ist; und der zweite Transistor ein erster Thick Gate P Type Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor (TGPMOS) ist; und der dritte Transistor ein zweiter TGNMOS ist.
Beispiel 10. Die Vorrichtung eines der Beispiele 1 - 7 oder eines anderen Beispiels, wobei: die erste Spannung wesentlich niedriger als die zweite Spannung ist.
Beispiel 11. Ein System, das umfasst: einen Speicher zum Speichern von Instruktionen; einen Prozessor, der mit dem Speicher gekoppelt ist, wobei der Prozessor dazu dient, die Instruktionen auszuführen; eine Drahtlosschnittstelle, die es dem Prozessor ermöglicht, mit einem anderen System zu kommunizieren; eine erste Schaltung zum selektiven Ausgeben einer ersten Spannung an einen Knoten; eine zweite Schaltung zum selektiven Ausgeben einer zweiten Spannung, wobei der Prozessor dazu dient, den Betrieb einer oder beider der ersten Schaltung und der zweiten Schaltung zu steuern; einen ersten Transistor und einen zweiten Transistor, die zwischen dem Knoten und der zweiten Schaltung gekoppelt sind, wobei ein Gate des ersten Transistors ein Steuersignal mit der ersten Spannung empfangen soll; und eine Anordnung, um an ein Gate des zweiten Transistors eines von Folgendem anzulegen: im Wesentlichen die erste Spannung, oder im Wesentlichen null Volt.
Beispiel 12. Das System von Beispiel 11 oder einem anderen Beispiel, wobei die Anordnung umfasst: einen dritten Transistor, der zwischen dem Gate des zweiten Transistors und dem Knoten gekoppelt ist, wobei ein Gate des dritten Transistors das Steuersignal mit der ersten Spannung empfangen soll.
Beispiel 13. Das System von Beispiel 12 oder einem anderen Beispiel, wobei die Anordnung umfasst: einen oder mehrere Pulldown-Transistoren zwischen dem Gate des zweiten Transistors und einem Erdungsanschluss.
Beispiel 14. Das System von Beispiel 13 oder einem anderen Beispiel, wobei: ein Gate eines ersten Pulldown-Transistors des einen oder der mehreren Pulldown-Transistoren das Steuersignal mit der ersten Spannung empfangen soll.
Beispiel 15. Das System von Beispiel 14 oder einem anderen Beispiel, wobei: ein Gate eines zweiten Pulldown-Transistors des einen oder der mehreren Pulldown-Transistoren ein Modussignal empfangen soll, das auf einem Betriebsmodus der ersten und der zweiten Schaltung basiert, wobei der erste Pulldown-Transistor und der zweite Pulldown-Transistor in Reihe geschaltet sind.
Beispiel 16. Das System von Beispiel 15 oder einem anderen Beispiel, das des Weiteren umfasst: eine Schaltung, um: das Modussignal mit im Wesentlichen der zweiten Spannung zu generieren, wenn die zweite Schaltung aktiv sein soll, und das Modussignal mit im Wesentlichen null Volt zu generieren, wenn die erste Schaltung aktiv sein soll.
Beispiel 17. Vorrichtung, die umfasst: eine erste Schaltung, die selektiv eine erste Spannung an einen ersten Ausgangsanschluss ausgeben soll; eine zweite Schaltung, die selektiv eine zweite Spannung an einen zweiten Ausgangsanschluss ausgeben soll; ein Paar paralleler Transistoren, die zwischen dem ersten Ausgangsanschluss und dem zweiten Ausgangsanschluss gekoppelt sind, wobei das Paar einen ersten und einen zweiten Transistor umfasst, wobei ein Gate des ersten Transistors ein Steuersignal mit der ersten Spannung empfangen soll; und einen dritten Transistor, um selektiv ein Gate des zweiten Transistors mit dem zweiten Ausgangsanschluss zu koppeln, wobei ein Gate des dritten Transistors das Steuersignal mit der ersten Spannung empfangen soll.
Beispiel 18. Die Vorrichtung von Beispiel 17 oder einem anderen Beispiel, die des Weiteren umfasst: einen vierten Transistor und einen fünften Transistor in Reihe, wobei der vierte und der fünfte Transistor das Gate des zweiten Transistors selektiv mit einem Erdungsanschluss koppeln sollen.
Beispiel 19. Die Vorrichtung von Beispiel 18 oder einem anderen Beispiel, wobei: ein Gate des vierten Transistors das Steuersignal mit der ersten Spannung empfangen soll.
Beispiel 20. Die Vorrichtung eines der Beispiele 18 - 19 oder eines anderen Beispiels, wobei: ein Gate des fünften Transistors ein Modussignal empfangen soll, das auf einem Betriebsmodus der Vorrichtung basiert.
Beispiel 21. Ein Verfahren, das umfasst: Koppeln eines Paares komplementärer paralleler Transistoren zwischen: einer ersten Schaltung, die selektiv eine erste Spannung ausgeben soll, und einer zweiten Schaltung, die selektiv eine zweite Spannung ausgeben soll, wobei die erste Spannung höher als die zweite Spannung ist; während die erste Schaltung aktiv ist und die zweite Schaltung inaktiv ist, Bereitstellen im Wesentlichen der ersten Spannung an einem Gate eines ersten Transistors des Paares und im Wesentlichen der zweiten Spannung an einem Gate eines zweiten Transistors des Paares; und während die zweite Schaltung aktiv ist und die erste Schaltung inaktiv ist, Bereitstellen im Wesentlichen einer Nullspannung an dem Gate des ersten Transistors und im Wesentlichen der zweiten Spannung an dem Gate des zweiten Transistors.
Beispiel 22. Das Verfahren von Beispiel 21 oder einem anderen Beispiel, wobei das Bereitstellen im Wesentlichen der ersten Spannung an dem Gate des ersten Transistors umfasst: Koppeln eines dritten Transistors zwischen der ersten Schaltung und dem Gate des ersten Transistors; und während die erste Schaltung aktiv ist und die zweite Schaltung inaktiv ist, Einschalten des dritten Transistors, um im Wesentlichen die erste Spannung an dem Gate des ersten Transistors bereitzustellen.
Beispiel 23. Das Verfahren von Beispiel 21 oder einem anderen Beispiel, wobei das Bereitstellen von im Wesentlichen einer Nullspannung an dem Gate des ersten Transistors umfasst: Koppeln eines dritten Transistors zwischen der ersten Schaltung und dem Gate des ersten Transistors; Koppeln eines oder mehrerer Pulldown-Transistoren zwischen dem Gate des ersten Transistors und einem Erdungsanschluss; und während die zweite Schaltung aktiv ist und die erste Schaltung inaktiv ist, Ausschalten des dritten Transistors und Einschalten des einen oder der mehreren Pulldown-Transistoren, um im Wesentlichen eine Nullspannung an dem Gate des ersten Transistors bereitzustellen.
Beispiel 24. Das Verfahren von Beispiel 23 oder einem anderen Beispiel, das des Weiteren umfasst: Anlegen eines Modussignals an einen ersten Pulldown-Transistor des einen oder der mehreren Pulldown-Transistoren; Generieren des Modussignals mit einem logisch hohen Wert, während die erste Schaltung aktiv ist und die zweite Schaltung inaktiv ist; und Generieren des Modussignals mit einem logisch niedrigen Wert, während die zweite Schaltung aktiv ist und die erste Schaltung inaktiv ist.
Beispiel 25. Eine Vorrichtung, die umfasst: ein Mittel zum Ausführen des Verfahrens eines der Beispiele 21 - 24 oder eines anderen Beispiels.
Beispiel 26. Vorrichtung, die umfasst: ein Mittel zum Koppeln eines Paares komplementärer paralleler Transistoren zwischen: einer ersten Schaltung, die selektiv eine erste Spannung ausgeben soll, und eine zweiten Schaltung, die selektiv eine zweite Spannung ausgeben soll, wobei die erste Spannung höher als die zweite Spannung ist; ein Mittel, um, während die erste Schaltung aktiv ist und die zweite Schaltung inaktiv ist, im Wesentlichen die erste Spannung an einem Gate eines ersten Transistors des Paares und im Wesentlichen die zweite Spannung an einem Gate eines zweiten Transistors des Paares bereitzustellen; und ein Mittel, um, während die zweite Schaltung aktiv ist und die erste Schaltung inaktiv ist, im Wesentlichen eine Nullspannung an dem Gate des ersten Transistors und im Wesentlichen die zweite Spannung an dem Gate des zweiten Transistors bereitzustellen.
Beispiel 27. Die Vorrichtung von Beispiel 26 oder einem anderen Beispiel, wobei das Mittel zum Bereitstellen im Wesentlichen der ersten Spannung an dem Gate des ersten Transistors umfasst: ein Mittel zum Koppeln eines dritten Transistors zwischen der ersten Schaltung und dem Gate des ersten Transistors; und ein Mittel zum Einschalten des dritten Transistors, während die erste Schaltung aktiv ist und die zweite Schaltung inaktiv ist, um im Wesentlichen die erste Spannung an dem Gate des ersten Transistors bereitzustellen.
Beispiel 28. Die Vorrichtung von Beispiel 26 oder einem anderen Beispiel, wobei das Mittel zum Bereitstellen von im Wesentlichen einer Nullspannung an dem Gate des ersten Transistors umfasst: ein Mittel zum Koppeln eines dritten Transistors zwischen der ersten Schaltung und dem Gate des ersten Transistors; ein Mittel zum Koppeln eines oder mehrerer Pulldown-Transistoren zwischen dem Gate des ersten Transistors und einem Erdungsanschluss; und ein Mittel zum Ausschalten des dritten Transistors und zum Einschalten des einen oder der mehreren Pulldown-Transistoren, während die zweite Schaltung aktiv ist und die erste Schaltung inaktiv ist, um im Wesentlichen eine Nullspannung an dem Gate des ersten Transistors bereitzustellen.
Beispiel 29. Die Vorrichtung von Beispiel 28 oder einem anderen Beispiel, die des Weiteren umfasst: ein Mittel zum Anlegen eines Modussignals an einen ersten Pulldown-Transistor des einen oder der mehreren Pulldown-Transistoren; ein Mittel zum Generieren des Modussignals mit einem logisch hohen Wert, während die erste Schaltung aktiv ist und die zweite Schaltung inaktiv ist; und ein Mittel zum Generieren des Modussignals mit einem logisch niedrigen Wert, während die zweite Schaltung aktiv ist und die erste Schaltung inaktiv ist.
Es wird eine Zusammenfassung gegeben, die es dem Leser ermöglicht, die Art und den Inhalt der technischen Offenbarung zu erkennen. Die Zusammenfassung wird mit der Maßgabe gegeben, dass sie nicht dazu verwendet wird, den Schutzumfang oder die Bedeutung der Ansprüche einzuschränken. Die folgenden Ansprüche werden hiermit in die detaillierte Beschreibung aufgenommen, wobei jeder Anspruch für sich allein als eine separate Ausführungsform steht.
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
Zitierte Patentliteratur

US 15856778 [0001]

Claims

Vorrichtung, die umfasst: einen Knoten; und eine Schutzschaltung, die gekoppelt ist zwischen: dem Knoten und einer ersten Schaltung, die selektiv eine erste Spannung ausgeben soll, wobei der Knoten mit einer zweiten Schaltung gekoppelt ist, die selektiv eine zweite Spannung ausgeben soll, wobei die Schutzschaltung umfasst: ein Paar komplementärer paralleler Transistoren, die zwischen dem Knoten und der ersten Schaltung gekoppelt sind, wobei das Paar einen ersten und einen zweiten Transistor umfasst, wobei ein Gate des ersten Transistors ein Steuersignal mit der ersten Spannung empfangen soll, und einen dritten Transistor, um ein Gate des zweiten Transistors selektiv mit dem Knoten zu koppeln, wobei ein Gate des dritten Transistors das Steuersignal mit der ersten Spannung empfangen soll.
Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei die Schutzschaltung umfasst: einen vierten Transistor und einen fünften Transistor in Reihe, wobei der vierte und der fünfte Transistor das Gate des zweiten Transistors selektiv mit einem Erdungsanschluss koppeln sollen.
Vorrichtung nach Anspruch 2, wobei: ein Gate des vierten Transistors das Steuersignal mit der ersten Spannung empfangen soll.
Vorrichtung nach Anspruch 2, wobei: ein Gate des fünften Transistors ein Modussignal empfangen soll, das auf einem Betriebsmodus der Vorrichtung basiert.
Vorrichtung nach Anspruch 4, die des Weiteren umfasst: eine Schaltung, um: das Modussignal mit einem logisch hohen Wert zu generieren, wenn die erste Schaltung aktiv sein soll, und das Modussignal mit einem logisch niedrigen Wert zu generieren, wenn die zweite Schaltung aktiv sein soll.
Vorrichtung nach Anspruch 5, wobei der logisch hohe Wert im Wesentlichen der ersten Spannung entspricht und der logisch niedrige Wert im Wesentlichen null Volt entspricht.
Vorrichtung nach Anspruch 2, wobei: der vierte Transistor ein erster Thick Gate N Type Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor (TGNMOS) ist; und der fünfte Transistor ein zweiter TGNMOS ist.
Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1-7, wobei: der erste Transistor, der zweite Transistor und der dritte Transistor Thick-Gate-Transistoren relativ zu einem anderen Thin-Gate-Transistor in der Vorrichtung sind.
Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1-7, wobei: der erste Transistor ein Thick Gate N Type Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor (TGNMOS) ist; und der zweite Transistor ein erster Thick Gate P Type Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor (TGPMOS) ist; und der dritte Transistor ein zweiter TGNMOS ist.
Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1-7, wobei: die erste Spannung wesentlich niedriger als die zweite Spannung ist.
System, das umfasst: einen Speicher zum Speichern von Instruktionen; einen Prozessor, der mit dem Speicher gekoppelt ist, wobei der Prozessor dazu dient, die Instruktionen auszuführen; eine Drahtlosschnittstelle, die es dem Prozessor ermöglicht, mit einem anderen System zu kommunizieren; eine erste Schaltung zum selektiven Ausgeben einer ersten Spannung an einen Knoten; eine zweite Schaltung zum selektiven Ausgeben einer zweiten Spannung, wobei der Prozessor dazu dient, den Betrieb einer oder beider der ersten Schaltung und der zweiten Schaltung zu steuern; einen ersten Transistor und einen zweiten Transistor, die zwischen dem Knoten und der zweiten Schaltung gekoppelt sind, wobei ein Gate des ersten Transistors ein Steuersignal mit der ersten Spannung empfangen soll; und eine Anordnung, um an ein Gate des zweiten Transistors eines von Folgendem anzulegen: im Wesentlichen die erste Spannung, oder im Wesentlichen null Volt.
System nach Anspruch 11, wobei die Anordnung umfasst: einen dritten Transistor, der zwischen dem Gate des zweiten Transistors und dem Knoten gekoppelt ist, wobei ein Gate des dritten Transistors das Steuersignal mit der ersten Spannung empfangen soll.
System nach Anspruch 12, wobei die Anordnung umfasst: einen oder mehrere Pulldown-Transistoren zwischen dem Gate des zweiten Transistors und einem Erdungsanschluss.
System nach Anspruch 13, wobei: ein Gate eines ersten Pulldown-Transistors des einen oder der mehreren Pulldown-Transistoren das Steuersignal mit der ersten Spannung empfangen soll.
System nach Anspruch 14, wobei: ein Gate eines zweiten Pulldown-Transistors des einen oder der mehreren Pulldown-Transistoren ein Modussignal empfangen soll, das auf einem Betriebsmodus der ersten und der zweiten Schaltung basiert, wobei der erste Pulldown-Transistor und der zweite Pulldown-Transistor in Reihe geschaltet sind.
System nach Anspruch 15, das des Weiteren umfasst: eine Schaltung, um: das Modussignal mit im Wesentlichen der zweiten Spannung zu generieren, wenn die zweite Schaltung aktiv sein soll, und das Modussignal mit im Wesentlichen null Volt zu generieren, wenn die erste Schaltung aktiv sein soll.
Vorrichtung, die umfasst: eine erste Schaltung, die selektiv eine erste Spannung an einen ersten Ausgangsanschluss ausgeben soll; eine zweite Schaltung, die selektiv eine zweite Spannung an einen zweiten Ausgangsanschluss ausgeben soll; ein Paar paralleler Transistoren, die zwischen dem ersten Ausgangsanschluss und dem zweiten Ausgangsanschluss gekoppelt sind, wobei das Paar einen ersten und einen zweiten Transistor umfasst, wobei ein Gate des ersten Transistors ein Steuersignal mit der ersten Spannung empfangen soll; und einen dritten Transistor, um selektiv ein Gate des zweiten Transistors mit dem zweiten Ausgangsanschluss zu koppeln, wobei ein Gate des dritten Transistors das Steuersignal mit der ersten Spannung empfangen soll.
Vorrichtung nach Anspruch 17, die des Weiteren umfasst: einen vierten Transistor und einen fünften Transistor in Reihe, wobei der vierte und der fünfte Transistor das Gate des zweiten Transistors selektiv mit einem Erdungsanschluss koppeln sollen.
Vorrichtung nach Anspruch 18, wobei: ein Gate des vierten Transistors das Steuersignal mit der ersten Spannung empfangen soll.
Vorrichtung nach einem der Ansprüche 18-19, wobei: ein Gate des fünften Transistors ein Modussignal empfangen soll, das auf einem Betriebsmodus der Vorrichtung basiert.
Verfahren, das umfasst: Koppeln eines Paares komplementärer paralleler Transistoren zwischen: einer ersten Schaltung, die selektiv eine erste Spannung ausgeben soll, und einer zweiten Schaltung, die selektiv eine zweite Spannung ausgeben soll, wobei die erste Spannung höher als die zweite Spannung ist; während die erste Schaltung aktiv ist und die zweite Schaltung inaktiv ist, Bereitstellen im Wesentlichen der ersten Spannung an einem Gate eines ersten Transistors des Paares und im Wesentlichen der zweiten Spannung an einem Gate eines zweiten Transistors des Paares; und während die zweite Schaltung aktiv ist und die erste Schaltung inaktiv ist, Bereitstellen im Wesentlichen einer Nullspannung an dem Gate des ersten Transistors und im Wesentlichen der zweiten Spannung an dem Gate des zweiten Transistors.
Verfahren nach Anspruch 21, wobei das Bereitstellen im Wesentlichen der ersten Spannung an dem Gate des ersten Transistors umfasst: Koppeln eines dritten Transistors zwischen der ersten Schaltung und dem Gate des ersten Transistors; und während die erste Schaltung aktiv ist und die zweite Schaltung inaktiv ist, Einschalten des dritten Transistors, um im Wesentlichen die erste Spannung an dem Gate des ersten Transistors bereitzustellen.
Verfahren nach Anspruch 21, wobei das Bereitstellen im Wesentlichen einer Nullspannung an dem Gate des ersten Transistors umfasst: Koppeln eines dritten Transistors zwischen der ersten Schaltung und dem Gate des ersten Transistors; Koppeln eines oder mehrerer Pulldown-Transistoren zwischen dem Gate des ersten Transistors und einem Erdungsanschluss; und während die zweite Schaltung aktiv ist und die erste Schaltung inaktiv ist, Ausschalten des dritten Transistors und Einschalten des einen oder der mehreren Pulldown-Transistoren, um im Wesentlichen eine Nullspannung an dem Gate des ersten Transistors bereitzustellen.
Verfahren nach Anspruch 23, das des Weiteren umfasst: Anlegen eines Modussignals an einen ersten Pulldown-Transistor des einen oder der mehreren Pulldown-Transistoren; Generieren des Modussignals mit einem logisch hohen Wert, während die erste Schaltung aktiv ist und die zweite Schaltung inaktiv ist; und Generieren des Modussignals mit einem logisch niedrigen Wert, während die zweite Schaltung aktiv ist und die erste Schaltung inaktiv ist.
Vorrichtung, die umfasst: ein Mittel zum Ausführen des Verfahrens nach einem der Ansprüche 21-24.