DE112013000696B4 - Ladungsteilchenstrahlvorrichtung - Google Patents
Ladungsteilchenstrahlvorrichtung Download PDFInfo
- Publication number
- DE112013000696B4 DE112013000696B4 DE112013000696.0T DE112013000696T DE112013000696B4 DE 112013000696 B4 DE112013000696 B4 DE 112013000696B4 DE 112013000696 T DE112013000696 T DE 112013000696T DE 112013000696 B4 DE112013000696 B4 DE 112013000696B4
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- charged particle
- housing
- membrane
- particle beam
- electron
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000002245 particle Substances 0.000 title claims abstract description 117
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 72
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 137
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 28
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 claims description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 7
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 44
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 23
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 3
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 3
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 3
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 125000003821 2-(trimethylsilyl)ethoxymethyl group Chemical group [H]C([H])([H])[Si](C([H])([H])[H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])C(OC([H])([H])[*])([H])[H] 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 2
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 238000004626 scanning electron microscopy Methods 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 230000004941 influx Effects 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- CNQCVBJFEGMYDW-UHFFFAOYSA-N lawrencium atom Chemical compound [Lr] CNQCVBJFEGMYDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000000988 reflection electron microscopy Methods 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/28—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement or ion-optical arrangement
- H01J37/09—Diaphragms; Shields associated with electron or ion-optical arrangements; Compensation of disturbing fields
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/16—Vessels; Containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/18—Vacuum locks ; Means for obtaining or maintaining the desired pressure within the vessel
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/04—Means for controlling the discharge
- H01J2237/045—Diaphragms
- H01J2237/0451—Diaphragms with fixed aperture
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/06—Sources
- H01J2237/063—Electron sources
- H01J2237/06325—Cold-cathode sources
- H01J2237/06341—Field emission
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/10—Lenses
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/10—Lenses
- H01J2237/14—Lenses magnetic
- H01J2237/1405—Constructional details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/16—Vessels
- H01J2237/164—Particle-permeable windows
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/26—Electron or ion microscopes
- H01J2237/2602—Details
- H01J2237/2605—Details operating at elevated pressures, e.g. atmosphere
- H01J2237/2608—Details operating at elevated pressures, e.g. atmosphere with environmental specimen chamber
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/26—Electron or ion microscopes
- H01J2237/28—Scanning microscopes
- H01J2237/2801—Details
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
Ladungsteilchenstrahlvorrichtung mit
einer Ladungsteilchenquelle, die einen Ladungsteilchenstrahl emittiert;
einem optischen System für die Ladungsteilchen, das den Ladungsteilchenstrahl fokussiert und eine optische Achse definiert;
einem Linsentubus zur Aufnahme der Ladungsteilchenquelle und des optischen Systems für die Ladungsteilchen;
einem ersten Gehäuse, das mit dem Linsentubus verbunden ist und in das der Ladungsteilchenstrahl emittiert wird;
einem zweiten Gehäuse, das an einer Öffnung im ersten Gehäuse in das erste Gehäuse zurückspringt;
einer ersten Membran, die in der optischen Achse angeordnet ist und die den Raum innerhalb des Linsentubus von dem Raum innerhalb des ersten Gehäuses trennt und durch die der Ladungsteilchenstrahl verläuft; und mit
einer zweiten Membran, die in der optischen Achse angeordnet ist und die die Räume innerhalb und außerhalb des zurückspringenden Abschnitts des zweiten Gehäuses voneinander trennt und durch die der Ladungsteilchenstrahl verläuft,
wobei der Raum, der vom ersten Gehäuse und vom zweiten Gehäuse umgeben ist, in einen Vakuumzustand gebracht wird und eine innerhalb des zurückspringenden Abschnitts des zweiten Gehäuses angeordnete Probe mit dem Ladungsteilchenstrahl bestrahlt wird, der die erste Membran und die zweite Membran durchsetzt hat.
einer Ladungsteilchenquelle, die einen Ladungsteilchenstrahl emittiert;
einem optischen System für die Ladungsteilchen, das den Ladungsteilchenstrahl fokussiert und eine optische Achse definiert;
einem Linsentubus zur Aufnahme der Ladungsteilchenquelle und des optischen Systems für die Ladungsteilchen;
einem ersten Gehäuse, das mit dem Linsentubus verbunden ist und in das der Ladungsteilchenstrahl emittiert wird;
einem zweiten Gehäuse, das an einer Öffnung im ersten Gehäuse in das erste Gehäuse zurückspringt;
einer ersten Membran, die in der optischen Achse angeordnet ist und die den Raum innerhalb des Linsentubus von dem Raum innerhalb des ersten Gehäuses trennt und durch die der Ladungsteilchenstrahl verläuft; und mit
einer zweiten Membran, die in der optischen Achse angeordnet ist und die die Räume innerhalb und außerhalb des zurückspringenden Abschnitts des zweiten Gehäuses voneinander trennt und durch die der Ladungsteilchenstrahl verläuft,
wobei der Raum, der vom ersten Gehäuse und vom zweiten Gehäuse umgeben ist, in einen Vakuumzustand gebracht wird und eine innerhalb des zurückspringenden Abschnitts des zweiten Gehäuses angeordnete Probe mit dem Ladungsteilchenstrahl bestrahlt wird, der die erste Membran und die zweite Membran durchsetzt hat.
Description
- Technisches Gebiet
- Die vorliegende Erfindung betrifft eine Ladungsteilchenstrahlvorrichtung zum Bestrahlen einer Probe mit einem Ladungsteilchenstrahl.
- Stand der Technik
- In den letzten Jahren wurden zum Betrachten von mikroskopischen Bereichen Ladungsteilchenstrahlvorrichtungen wie Rasterelektronenmikroskope (REM), Transmissionselektronenmikroskope (TEM), Raster-Transmissionselektronenmikroskope (RTEM), Bearbeitungs- und Betrachtungsinstrumente mit einem fokussierten Ionenstrahl (FIB) und dergleichen verwendet. Bei diesen Vorrichtungen wird ein Ladungsteilchenstrahl, etwa ein Elektronenstrahl oder einen Ionenstrahl, auf eine Probe eingestrahlt. Im allgemeinen wird bei diesen Ladungsteilchenstrahlvorrichtungen aus dem Raum, in dem sich die Probe befindet, die Luft evakuiert, um die Betrachtung auszuführen. Es gibt jedoch viele Fälle, in denen es erforderlich ist, eine Probe im Grobvakuum und/oder unter Atmosphärendruck mit einem Elektronenmikroskop zu betrachten. Deshalb wurden REMs entwickelt, bei denen die Probe, die Gegenstand der Beobachtung ist, unter Atmosphärendruck betrachtet werden kann (siehe die Patent-Druckschriften 1 und 2). Diese REMs sind im Prinzip so aufgebaut, daß zwischen dem elektronenoptischen System und der Probe eine dünne Membran vorgesehen wird, die der Elektronenstrahl durchsetzen kann, um den im Vakuumzustand befindlichen Raum von dem im Atmosphärendruckzustand befindlichen Raum zu trennen. Allen diesen REMs ist gemeinsam, daß zwischen der Probe und dem elektronenoptischen System die Membran angeordnet ist.
- Die Patent-Druckschrift 1 beschreibt ein Atmosphärendruck-REM, bei dem die Elektronenquelle an der Unterseite eines elektronenoptischen Linsentubus angeordnet ist und an der Oberseite davon sich die Objektivlinse befindet, wobei am Ende des elektronenoptischen Linsentubus mittels eines O-Rings an der Austrittsöffnung für den Elektronenstrahl eine dünne Membran angebracht ist, die der Elektronenstrahl durchsetzen kann. Die Probe wird direkt an der Membran angeordnet, und der Primär-Elektronenstrahl wird von unten auf die Probe eingestrahlt, um eine REM-Betrachtung auszuführen. Die Patent-Druckschrift 2 beschreibt eine Anordnung mit der Elektronenquelle an der Oberseite des elektronenoptischen Linsentubus und der Objektivlinse an der Unterseite davon und mit einer Membran, die von der Probe ein Stück weit entfernt ist. Für die REM-Betrachtung wird der Elektronenstrahl von oben auf die Membran eingestrahlt. Die Membran befindet sich nicht nur ein Stück weit weg von der Probe, sondern sie ist auch in der Nähe der Elektronenquelle angeordnet.
- Aus den Dokumenten
US 2010/0 096 549 A1 US 2010/0 243 888 A1 US 2011/0 168 889 A1 - Liste der zitierten Druckschriften
- Patent-Druckschriften
-
- Patent-Druckschrift 1: Japanische Patentanmeldungsveröffentlichung
JP 2008 - 153 086 A - Patent-Druckschrift 2: Japanische Patentanmeldungsveröffentlichung
JP 2008 - 262 886 A - Zusammenfassende Darstellung der Erfindung
- Technisches Problem
- Bei der Patent-Druckschrift 1 muß die Probe mit der Membran in Kontakt stehen, so daß jedesmal, wenn die Probe ausgetauscht wird, auch die Membran ersetzt werden muß. Aus diesem Grund ist für das Austauschen der Probe viel Zeit erforderlich. Wenn die Membran reißt, geht das Vakuum in dem Raum mit der Elektronenquelle verloren, und der Glühfaden, der die Elektronen emittiert, geht zu Bruch.
- Bei der Patent-Druckschrift 2 ist die Membran entfernt von der Probe angeordnet und muß nicht jedesmal erneuert werden, wenn die Probe ersetzt wird, wodurch die Membran auch nicht so leicht beschädigt wird. Da die Membran in der Nähe der Elektronenquelle angeordnet ist, geht der Glühfaden nicht gleich zu Bruch, auch wenn die entfernt von der Probe angeordnete Membran beschädigt wird.
- Auch bei der Patent-Druckschrift 2 ist es jedoch schwierig, die Membran zu ersetzen. Da die Membran mit einem Ladungsteilchenstrahl bestrahlt wird, der die Membran durchsetzt, wird angenommen, daß sich der Aufbau der Membran auf der molekularen Ebene durch die Kollision mit den Ladungsteilchen mit der Zeit verändert. Deshalb soll die Membran regelmäßig ersetzt werden. Entsprechend ist es von Vorteil, wenn der Austausch der Membran einfach ist. Darüberhinaus ist es von Vorteil, wenn die Membran leicht entfernt werden kann, um eine herkömmliche REM-Betrachtung mit der Probe im Vakuum durchzuführen. Andererseits ist es wiederum von Vorteil, wenn an einer herkömmlichen Ladungsteilchenstrahlvorrichtung, bei der sich die Probe normalerweise im Vakuum befindet, leicht durch Einsetzen einer Membran eine REM-Betrachtung einer Probe erfolgen kann, die sich unter hohem Druck wie Atmosphärendruck befindet.
- Es ist daher Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Ladungsteilchenstrahlvorrichtung zu schaffen, bei der leicht eine Membran anzubringen und wieder abzunehmen ist und bei der eine Probe im Vakuum und unter hohem Druck betrachtet werden kann.
- Lösung des Problems
- Zur Lösung dieser Aufgabe umfaßt die vorliegende Erfindung eine Ladungsteilchenstrahlvorrichtung mit einer Ladungsteilchenquelle, die einen Ladungsteilchenstrahl emittiert; mit einem optischen System für die Ladungsteilchen, das den Ladungsteilchenstrahl fokussiert und eine optische Achse definiert; mit einem Linsentubus zur Aufnahme der Ladungsteilchenquelle und des optischen Systems für die Ladungsteilchen; mit einem ersten Gehäuse, das mit dem Linsentubus verbunden ist und in das der Ladungsteilchenstrahl emittiert wird; mit einem zweiten Gehäuse, das von einer Öffnung im ersten Gehäuse in des erste Gehäuse zurückspringt; mit einer ersten Membran, die in der optischen Achse angeordnet ist, die den Raum innerhalb des Linsentubus von dem Raum innerhalb des ersten Gehäuses trennt und die der Ladungsteilchenstrahl durchsetzt; und mit einer zweiten Membran, die in der optischen Achse angeordnet ist und die die Räume innerhalb und außerhalb des zurückspringenden Abschnitts des zweiten Gehäuses voneinander trennt und die der Ladungsteilchenstrahl durchsetzt, wobei der Raum, der vom ersten Gehäuse und vom zweiten Gehäuse umgeben ist, drucklos gemacht wird und eine im zurückspringenden Abschnitt im zweiten Gehäuse angeordnete Probe mit dem Ladungsteilchenstrahl bestrahlt wird.
- Darüberhinaus umfaßt die vorliegende Erfindung eine Ladungsteilchenstrahlvorrichtung mit einer Ladungsteilchenquelle, die einen Ladungsteilchenstrahl emittiert; mit einem optischen System für die Ladungsteilchen, das den Ladungsteilchenstrahl fokussiert und eine optische Achse definiert; mit einem Linsentubus zur Aufnahme der Ladungsteilchenquelle und des optischen Systems für die Ladungsteilchen; mit einem Rohr, das mit einem Gehäuse verbunden ist, das die Ladungsteilchenquelle enthält und das durch das optische System der Ladungsteilchen verläuft, wobei sich die optische Achse im Rohr befindet; und mit einer Membran, die am Rohr angebracht ist und an der optischen Achse angeordnet ist und die den Raum im Rohr, das mit einem Raum im Gehäuse in Verbindung steht, von dem Raum außerhalb des Rohrs trennt und durch die der Ladungsteilchenstrahl verläuft, wobei die Membran und das Rohr am Linsentubus angebracht und davon abgenommen werden können, wenn das Gehäuse in der Richtung der optischen Achse bewegt wird.
- Vorteilhafte Auswirkungen der Erfindung
- Mit der vorliegenden Erfindung wird eine Ladungsteilchenstrahlvorrichtung geschaffen, bei der leicht eine Membran angebracht und wieder abgenommen werden kann und bei der eine Probe im Vakuum und unter hohem Druck angeordnet werden kann.
- Figurenliste
-
- Die
1 ist eine Darstellung des Aufbaus einer Ladungsteilchenstrahlvorrichtung (eines Ladungsteilchenstrahlmikroskops) bei einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. - Die
2 ist eine vergrößerte Ansicht der Elektronenobjektivlinse und der Umgebung davon bei der ersten Ausführungsform. - Die
3 ist eine vergrößerte Ansicht einer ersten Membran und der Umgebung davon bei einem modifizierten Beispiel (dem ersten) der ersten Ausführungsform. - Die Fig. 4AA ist eine Aufsicht auf die erste Membran und die Umgebung davon bei der ersten Ausführungsform und die Fig. 4AB eine Schnittansicht in radialer Richtung der Fig. 4AA.
- Die Fig. 4BA ist eine Aufsicht auf die erste Membran und die Umgebung davon bei einem modifizierten Beispiel (dem zweiten) der ersten Ausführungsform und die Fig. 4BB eine Schnittansicht in radialer Richtung der Fig. 4BA.
- Die
5 ist eine vergrößerte Ansicht der Elektronenobjektivlinse und der Umgebung davon bei einem modifizierten Beispiel (dem dritten) der ersten Ausführungsform. - Die
6 ist eine vergrößerte Ansicht der Elektronenobjektivlinse und der Umgebung davon bei einem modifizierten Beispiel (dem vierten) der ersten Ausführungsform. - Die
7A ist eine Darstellung des Aufbaus eines Rohrs (eines kreisförmigen rohrartigen Teils), das vom Hauptkörper der Ladungsteilchenstrahlvorrichtung (des Ladungsteilchenstrahlmikroskops) der ersten Ausführungsform abgenommen wurde. - Die
7B ist eine Darstellung des Aufbaus des Hauptkörpers der Ladungsteilchenstrahlvorrichtung (des Ladungsteilchenstrahlmikroskops), von dem das Rohr (das kreisförmige rohrartige Teil) abgenommen wurde, bei der ersten Ausführungsform. - Die
8 ist eine Darstellung des Aufbaus eines Rohrs (eines kreisförmigen rohrartigen Teils), das vom Hauptkörper der Ladungsteilchenstrahlvorrichtung (des Ladungsteilchenstrahlmikroskops) abgenommen wurde, bei einem modifizierten Beispiel (dem fünften) der ersten Ausführungsform. - Die
9 ist eine Darstellung des Aufbaus der Ladungsteilchenstrahlvorrichtung (des Ladungsteilchenstrahlmikroskops) bei einem modifizierten Beispiel (dem sechsten) der ersten Ausführungsform. - Die
10 ist eine Darstellung des Aufbaus einer Ladungsteilchenstrahlvorrichtung (eines Ladungsteilchenstrahlmikroskops) bei einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. - Beschreibung von Ausführungsformen
- Im folgenden werden Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung anhand der Zeichnungen näher erläutert. In den Zeichnungen haben gemeinsame Teile das gleiche Bezugszeichen und werden nicht wiederholt beschrieben.
- Erste Ausführungsform
- - Aufbau der Vorrichtung -
- Die
1 zeigt den Aufbau einer Ladungsteilchenstrahlvorrichtung (eines Ladungsteilchenstrahlmikroskops) 111 bei einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Die erste und zweite Ausführungsform wird zwar mit einem REM, einer Elektronenstrahlvorrichtung, als Beispiel für eine Ladungsteilchenstrahlvorrichtung (ein Ladungsteilchenstrahlmikroskop) 111 beschrieben, die vorliegende Erfindung kann jedoch auch bei anderen Ladungsteilchenstrahlvorrichtungen (Ladungsteilchenstrahlmikroskopen)111 angewendet werden. Mit der vorliegenden Ladungsteilchenstrahlvorrichtung (dem vorliegenden Ladungsteilchenstrahlmikroskop) 111 ist es möglich, einen Ladungsteilchenstrahl auf eine Probe6 einzustrahlen, die sich unter Atmosphärendruck befindet, und die Probe6 so zu betrachten. Die Ladungsteilchenstrahlvorrichtung111 umfaßt eine Elektronenquelle110 zum Emittieren eines Elektronenstrahls (eines Ladungsteilchenstrahls); einen elektronenoptischen Linsentubus3 , der das elektronenoptische System (ladungsteilchenoptische System), etwa eine elektronenoptische Linse1 , eine Ablenkspule2 , eine Elektronenobjektivlinse7 und dergleichen und die Elektronenquelle110 enthält; und ein erstes Gehäuse (Probengehäuse)4 , das mit dem elektronenoptischen Linsentubus3 verbunden ist und diesen festhält und das die Probe6 umschließt. Die Elektronenquelle110 befindet sich in einem dritten Gehäuse22 . Das elektronenoptische System mit der elektronenoptischen Linse1 , der Ablenkspule2 , der Elektronenobjektivlinse7 und dergleichen fokussiert den Elektronenstrahl und legt die optische Achse davon fest. Der Elektronenstrahl wird dabei von der elektronenoptischen Linse1 und der Elektronenobjektivlinse7 fokussiert. Die Ablenkspule2 lenkt die optische Achse30 des fokussierten Elektronenstrahls aus. - Der elektronenoptische Linsentubus
3 ist in das erste Gehäuse4 eingesetzt, wobei der Elektronenstrahl vom elektronenoptischen Linsentubus3 in das Innere des ersten Gehäuses 4 abgegeben wird. Das erste Gehäuse4 und der elektronenoptische Linsentubus3 sind über ein Vakuumdichtelement15 , etwa einen O-Ring, fest miteinander verbunden, wodurch der Raum 105 innerhalb des ersten Gehäuses4 luftdicht abgeschlossen ist. Das erste Gehäuse4 ist mit einem Ventil oder Gaseinlaß/Gasauslaß5 versehen, mit dem das Innere des Gehäuses mit der Atmosphäre verbunden werden kann. Unter der Elektronenobjektivlinse 7 ist ein Detektor8 angebracht, der ein Sekundärsignal erfaßt, etwa die Sekundärelektronen und/oder reflektierten Elektronen, die von der Probe6 emittiert werden, wenn die Probe6 mit dem Elektronenstrahl bestrahlt wird. In der Nähe der Elektronenobjektivlinse7 ist eine erste Membran 10 angebracht, die der Elektronenstrahl durchläuft. Die Auswirkungen, die durch das Anordnen der ersten Membran10 in der Nähe der Elektronenobjektivlinse7 erhalten werden, werden später noch angegeben. Die erste Membran10 trennt den Raum20 innerhalb des elektronenoptischen Linsentubus3 (des Rohrs23 ) über der ersten Membran10 von dem Raum105 im ersten Gehäuse darunter. Die erste Membran10 ist in der optischen Achse30 des Elektronenstrahls angeordnet. - Über ein Vakuumventil oder ein Vakuumabdichtelement
24 ist eine Vakuumpumpe18 mit einem dritten Gehäuse22 verbunden, die hauptsächlich den Raum20 von der Elektronenquelle 110 bis zur Oberseite der ersten Membran10 evakuiert. Über ein Ventil25 ist eine Vakuumpumpe 19 mit dem ersten Gehäuse 4 verbunden, die hauptsächlich den Raum105 von der Unterseite der ersten Membran10 bis zur Oberseite einer zweiten Membran101 , die später noch beschrieben wird, evakuiert. Die Vakuumpumpen18 und 19 können auch miteinander verbunden sein, und die einzelnen Pumpen sind nicht auf eine einzige Pumpe beschränkt, sondern können jeweils mehrere Pumpen umfassen. - Am ersten Gehäuse
4 ist ein Einschubgehäuse100 angebracht. Das Einschubgehäuse100 weist einen kastenförmigen zurückspringenden Abschnitt100a und einen Flansch100c am Rand des zurückspringenden Abschnitts100a auf und an beiden Oberflächen davon eine Dichtfläche. Das erste Gehäuse4 ist mit einer Öffnung4a versehen, und der zurückspringende Abschnitt100a des Einschubgehäuses100 wird durch die Öffnung 4a in das erste Gehäuse4 eingesetzt. Der zurückspringende Abschnitt100a ragt von der Öffnung4a des ersten Gehäuses4 in das erste Gehäuse4 hinein. Das Einschubgehäuse100 verschließt die Öffnung4a . Die Dichtfläche am ersten Gehäuse4 , die um die Öffnung4a vorgesehen ist, und die Dichtfläche am Flansch100c des Einschubgehäuses100 , die der Dichtfläche am ersten Gehäuse4 gegenüberliegt, sind über ein Vakuumdichtelement106 , etwa einen O-Ring, fest miteinander verbunden, so daß der Raum105 , der vom ersten Gehäuse4 und dem Einschubgehäuse100 umgeben ist, drucklos gemacht werden kann. - Das Einschubgehäuse
100 ist auf der Seite des elektronenoptischen Linsentubus3 mit einer Durchgangsöffnung100b versehen. Die Durchgangsöffnung100b wird von einem Flansch 102, der mit einer zweiten Membran101 versehen ist, die der Elektronenstrahl durchsetzen kann, luftdicht verschlossen. Die zweite Membran101 trennt den Raum104 im zurückspringenden Abschnitt100a des Einschubgehäuses100 von dem Raum105 , der außen vom ersten Gehäuse4 und innen vom Einschubgehäuse 100 umgeben ist. An den Dichtflächen des Einschubgehäuses100 und des Flansches102 befindet sich ein Vakuumdichtelement 103. Am Rand des zurückspringenden Abschnitts100a ist auf der Seite, an der sich die zweite Membran101 (der Flansch 102) befindet, ein Abweiser100d angebracht. Solange sich die Probe6 nicht in einer Position unter dem Abweiser100d befindet, kann sie nicht in den zurückspringenden Abschnitt 100a eingeführt werden, da sie dabei den Abweiser100d berührt. Der Abweiser100d ist an einer Stelle angebracht, die niedriger liegt als die zweite Membran101 , wodurch verhindert wird, daß die Probe6 beim Einsetzen die zweite Membran 101 berührt. - An einem Plattenelement (einem Flansch) 12 ist eine Probenbühne
11 mit einem Probenhalter9 zum Festhalten der Probe 6 und dergleichen angebracht. Der Flansch12 wird über ein Vakuumdichtelement107 , etwa einen O-Ring, fest an der Dichtfläche des Flansches100c des Einschubgehäuses100 angebracht. Der Flansch12 befindet sich dabei auf der Seite des ersten Gehäuses4 mit der Öffnung4a . Außerhalb des Flansches 12 ist ein Knopf13 zum Steuern eines Verschiebungsmechanismusses, etwa zum Verschieben, Kippen und dergleichen, der Probenbühne11 vorgesehen. Bei einer elektrisch angetriebenen Verschiebung ist ein Motor, ein Aktuator und dergleichen vorgesehen. Außerdem kann der Flansch12 mit einem Ventil oder Gaseinlaß/Gasauslaß14 zum Einführen von Gas und dergleichen versehen sein. Es kann auch eine Anzahl von Ventilen oder Gaseinlässen/Gasauslässen14 vorgesehen sein. Es ist auch möglich, am Ventil oder Gaseinlaß/Gasauslaß14 ein bestimmtes Gas in den Raum104 einzuführen. Wenn das Ventil oder der Gaseinlaß/Gasauslaß14 mit einer Vakuumpumpe versehen ist, kann der Raum104 auch drucklos gemacht (evakuiert oder vorevakuiert) werden. - Da ein Elektronenstrahl in der Atmosphäre gestreut wird, sollten die Probe
6 und die zweite Membran101 so nahe wie möglich beieinander angeordnet sein. Vorzugsweise ist der Abstand zwischen der zweiten Membran101 und der Probe6 gleich 1000 µm oder weniger. Der Weg, den ein mit einer Beschleunigungsspannung von zum Beispiel einigen zehn Kilovolt in einem üblichen REM emittierter Elektronenstrahl in einem unter Atmosphärendruck befindlichen Raum durchlaufen kann, beträgt nämlich 1000 µm oder weniger. Aus diesem Grund ist auch vorzugsweise die Probenbühne11 mit einem Mechanismus versehen, mit dem die Höhe der Probe6 verstellt werden kann. Alternativ kann ein Mechanismus vorgesehen sein, mit dem die zweite Membran101 zur Probe6 hin bewegt werden kann. - Zum Austauschen der Probe
6 wird der Flansch12 in der Richtung weg vom Einschubgehäuse100 (vom ersten Gehäuse4 ) bewegt und die Probenbühne11 aus dem zurückspringenden Abschnitt100a des Einschubgehäuses100 herausgezogen. Damit der Flansch12 gut beweglich ist, kann eine Führung16 , eine Schiene17 und dergleichen vorgesehen werden. - Zum Ersetzen der zweiten Membran
101 wird der Flansch12 bewegt und die Probenbühne11 aus dem zurückspringenden Abschnitt100a des Einschubgehäuses100 gezogen, wobei man seine Hand in den zurückspringenden Abschnitt100a steckt. Alternativ wird zum Ersetzen der zweiten Membran101 der Flansch12 bewegt, die Probenbühne11 aus dem zurückspringenden Abschnitt100a des Einschubgehäuses100 gezogen, dann der zurückspringende Abschnitt100a aus der Öffnung4a des ersten Gehäuses4 gezogen und das Einschubgehäuse100 vom ersten Gehäuse4 abgenommen. Die Anzahl der für den Austausch zu demontierenden Elemente ist dabei klein, und die zweite Membran 101 ist leicht erreichbar und kann damit leicht ersetzt werden. Wenn das Einschubgehäuse100 von ersten Gehäuse4 abgenommen ist, kann übrigens die Probe6 im Vakuum betrachtet werden. Solange das Einschubgehäuse100 fehlt, verschließt der Flansch12 die Öffnung4a im ersten Gehäuse4 . Die Dichtfläche des Flansches12 ist über das Vakuumdichtelement106 fest an der Dichtfläche um die Öffnung4a des ersten Gehäuses 4 angebracht. Da die Räume104 und105 , die vom Flansch12 und dem ersten Gehäuse4 umgeben sind, von der Vakuumpumpe 19 evakuiert werden können, kann die Probe6 im Vakuum betrachtet werden. Andererseits kann, wenn das Einschubgehäuse100 mit der zweiten Membran101 bei einer herkömmlichen Ladungsteilchenstrahlvorrichtung, mit der die Probe6 normalerweise im Vakuum betrachtet wird, verwendet wird, die Probe6 unter Atmosphärendruck (hohem Druck) betrachtet werden. - Es folgt nun eine Beschreibung der ersten Membran
10 . Der Raum20 , den der Elektronenstrahl von der Elektronenstrahlquelle110 durchläuft, reicht bis zur Oberseite der ersten Membran10 . Die Elektronenquelle110 befindet sich im dritten Gehäuse22 , das die Form eines dicken kreisförmigen Rohrs hat. Die erste Membran10 ist an einem Ende des Rohrs 23, das die Form eines dünnen kreisrunden Rohrs hat, angebracht und verschließt das Ende. Das andere Ende des Rohrs23 ist mit dem dritten Gehäuse22 verbunden. Der Raum innerhalb des Rohrs23 und der Raum innerhalb des dritten Gehäuses22 stehen miteinander in Verbindung und bilden den einen Raum 20. Dieser Raum20 ist ein luftdichter Raum, der evakuiert werden kann. Das Rohr23 verläuft durch das elektronenoptische System mit der elektronenoptischen Linse1 , der Ablenkspule2 , der Elektronenobjektivlinse7 und so weiter. Bei einem dünnen Rohr23 kann das elektronenoptische System mit der elektronenoptischen Linse1 , der Ablenkspule2 , der Elektronenobjektivlinse7 und dergleichen, das sich außerhalb des Rohrs23 befindet, kleiner gemacht werden. Bei einem kleineren elektronenoptischen System kann wegen des kleineren Abstands des elektronenoptischen Systems von der Mittelachse des Rohrs23 in der Nähe der Mittelachse des Rohrs23 ein intensiveres Magnetfeld erzeugt werden. Dies trifft auch zu, wenn im elektronenoptischen System ein Permanentmagnet und dergleichen verwendet wird. Die optische Achse30 des Elektronenstrahls verläuft im Inneren des Rohrs23 . Das elektronenoptische System mit der elektronenoptischen Linse1 , der Ablenkspule2 , der Elektronenobjektivlinse7 und dergleichen befindet sich auf der Atmosphärenseite. Der Raum20 im Inneren des Rohrs23 befindet sich im Vakuum. Da im Raum20 innerhalb des Rohrs23 von außen elektromagnetische Felder erzeugt werden, ist das Rohr23 vorzugsweise aus einem nichtmagnetischen Material. - Zum Ersetzen der ersten Membran
10 wird das Ventil25 geschlossen und das Ventil oder der Gaseinlaß/Gasauslaß5 geöffnet, wodurch der Raum105 , der vom ersten Gehäuse4 und vom Einschubgehäuse100 umgeben ist, auf Atmosphärendruck gebracht wird. Dann wird das dritte Gehäuse22 in der Verlängerungsrichtung der optischen Achse30 bewegt und das Rohr23 aus dem elektronenoptischen Linsentubus3 herausgezogen. Die erste Membran10 am Rohr23 kann dann leicht ersetzt werden, da die erste Membran10 bei herausgezogenem Rohr23 frei zugänglich ist. Die Anzahl der für das Ersetzen zu demontierenden Komponenten ist damit klein, und die erste Membran10 ist leicht erreichbar und damit leicht zu ersetzen. Wenn die erste Membran10 vom herausgezogenen Rohr23 abgenommen wird und dann das Rohr23 wieder ohne eine neue Membran10 in den elektronenoptischen Linsentubus3 eingesetzt wird, kann die Probe6 auch ohne erste Membran10 betrachtet werden. Wenn andererseits bei einer herkömmlichen Ladungsteilchenstrahlvorrichtung das Rohr23 mit der ersten Membran10 mit dem dritten Gehäuse22 verbunden wird, kann die erste Membran10 in der optischen Achse30 angeordnet werden. - - Vorgang bei der Aufnahme einer REM-Abbildung -
- Es wird nun der Vorgang bei der Aufnahme einer REM-Abbildung mit der Ladungsteilchenstrahlvorrichtung
101 beschrieben. Zuerst wird die Probe6 auf dem Probenhalter9 angeordnet, der herausgezogen wurde. Dann wird der Probenhalter 9 mit der Probe6 in den zurückspringenden Abschnitt100a des Einschubgehäuses100 eingesetzt und der Flansch12 fest am Flansch100c des Einschubgehäuses100 befestigt. Dann wird von der Elektronenquelle110 ein Elektronenstrahl abgegeben. Der Elektronenstrahl läuft durch das elektromagnetische Feld, das vom elektronenoptischen System mit der elektronenoptischen Linse1 , der Ablenkspule2 , der Elektronenobjektivlinse 7 und dergleichen erzeugt wird, und dann durch die erste Membran10 und die zweite Membran101 . Die Probe6 befindet sich in der Nähe der zweiten Membran101 . Da sich die Probe in der Nähe der zweiten Membran101 befindet, kann der Elektronenstrahl nach dem Durchlaufen der zweiten Membran101 auch dann die Probe6 erreichen, wenn er sich durch die Atmosphäre bewegt. Auf diese Weise wird der Elektronenstrahl auf die Probe 6 eingestrahlt, und die Probe6 gibt reflektierte oder Sekundärelektronen ab. Zur Aufnahme der REM-Abbildung erfaßt der Detektor8 diese Elektronen. - - Die Membranen
10 ,101 - - Vorzugsweise sind die erste Membran
10 und die zweite Membran101 dünn, da ein Elektronenstrahl diese Membranen durchsetzen muß. Wenn die Membranen zu dick sind, wird der Elektronenstrahl gestreut und die Auflösung schlechter. Vorzugsweise ist die Dicke der ersten Membran10 und der zweiten Membran101 gleich oder kleiner als 100 nm. Dies ist eine Dicke, die ein Elektronenstrahl mit der Beschleunigungsspannung eines üblichen REM (zum Beispiel einige zehn Kilovolt) durchsetzen kann. Als Materialien für die erste Membran10 und die zweite Membran101 können Silizium, Siliziumoxid, Siliziumnitrid, Siliziumkarbid, Kohlenstoff, organische Substanzen und dergleichen verwendet werden. - Die
2 zeigt eine vergrößerte Ansicht der Elektronenobjektivlinse7 und der Umgebung davon. Um die Elektronenobjektivlinse7 herum ist ein Magnetkern3a angeordnet, der Teil des elektronenoptischen Linsentubus3 ist. Das in der Nähe des Spalts im Magnetkern3a erzeugte elektromagnetische Feld36 erzeugt einen Linseneffekt, mit dem der Elektronenstrahl fokussiert wird. Die erste Membran10 ist in der Mitte der Linse angeordnet, an der in der Mitte des elektromagnetischen Felds36 das Magnetfeld am intensivsten ist. Der Spalt im Magnetkern3a verläuft in vertikaler Richtung (der Richtung der optischen Achse30 ), und die erste Membran10 ist bezüglich des Spalts im Magnetkern3a in einer mittleren Höhe angeordnet. Die erste Membran10 hat drei Funktionen. - Die erste Funktion ist, wie oben für die erste Membran 10 beschrieben, das Trennen des Raums
20 an der Oberseite vom Raum105 (104 ) an der Unterseite, damit zwischen dem Druck der Atmosphäre im Raum20 an der Oberseite und dem Druck der Atmosphäre im Raum105 (104 ) an der Unterseite ein Unterschied erzeugt werden kann. Der Raum20 wird in einem Hochvakuumzustand gehalten, da sich im Raum20 die Elektronenquelle 110 (siehe1 ) befindet. Da die erste Membran10 am Rohr 23 angebracht ist, kann der Raum20 , der im Hochvakuumzustand ist, nahe an die Probe6 herangebracht werden. Unter der Annahme, daß das Vakuum im Raum105 schlecht ist, kann der Elektronenstrahl trotzdem die Probe6 (die zweite Membran101 (siehe1 )) erreichen. Außerdem muß dadurch als Vakuumpumpe 19 (siehe1 ) keine Hochleistungs-Vakuumpumpe für ein Hochvakuum verwendet werden, sondern es reicht eine billige und einfache Vakuumpumpe. - Die zweite Funktion ist die, auch dann zu verhindern, daß Luft in den Raum
20 strömt, wenn die zweite Membran101 (siehe1 ) beschädigt ist, die den Zustrom von Luft in den Raum105 begrenzt. Dadurch kann verhindert werden, daß der Glühfaden der Elektronenquelle110 kaputt geht. Das Rohr 23 und der Magnetkern3a sind an ihrem äußeren Umfang bzw. inneren Umfang (des elektronenoptischen Linsentubus3 ) über ein Vakuumdichtelement27 , etwa einen O-Ring, fest miteinander verbunden, damit der Raum105 luftdicht abgeschlossen ist. Der Außendurchmesserd1 des Rohrs23 ist kleiner als der Innendurchmesserd3 des elektronenoptischen Systems mit der elektronenoptischen Linse1 (siehe1 ), der Ablenkspule 2, der Elektronenobjektivlinse7 und dergleichen (d1 < d3). Entsprechend ist es möglich, das Rohr23 zusammen mit der ersten Membran10 in den elektronenoptischen Linsentubus3 einzusetzen und daraus zu entnehmen, der das elektronenoptische System mit der elektronenoptischen Linse1 , der Ablenkspule 2, der Elektronenobjektivlinse7 und dergleichen enthält. - Die dritte Funktion ist die, den Elektronenstrahl außerhalb der optischen Achse
30 zu blockieren. Im allgemeinen ist der Weg32 eines Elektronenstrahls, der außerhalb der optischen Achse30 verläuft, wegen des intensiven elektromagnetischen Felds der Elektronenobjektivlinse7 stark gekrümmt. Deshalb ist dieser Weg32 ein anderer als der Weg33 , der nahe der optischen Achse30 verläuft. Insgesamt wird der Elektronenstrahl dann nicht auf die Oberfläche der Probe6 fokussiert. Dies wird sphärische Aberration genannt. Um diesen Nachteil zu beseitigen, ist am Rohr23 eine Querplatte (Membranhalteelement)34 angebracht, in dem eine Durchgangsöffnung34a mit einer Größed4 ausgebildet ist, die kleiner ist als der Innendurchmesserd2 des Rohrs23 (d4 < d2). Die Querplatte34 trennt den Raum20 im Rohr23 (elektronenoptischen Linsentubus3 ) von dem Raum105 im ersten Gehäuse4 ab. Die Querplatte34 ist dicker als die erste Membran10 und dafür vorgesehen, den Elektronenstrahl nicht durchzulassen. Die erste Membran10 verschließt die Durchgangsöffnung34a in der Querplatte34 . Die Durchgangsöffnung34a ist in der Nähe des Mittelpunkts der Querplatte34 (der optischen Achse30 ) angeordnet. Dadurch wird ein Elektronenstrahl, der außerhalb der optischen Achse30 entlang des Wegs32 verläuft, von der Querplatte34 abgeblockt und die sphärische Aberration verringert. Die Querplatte34 und das Rohr23 sind mit einem Kleber35 vakuumdicht verbunden. Vorzugsweise besitzt die Querplatte34 leitende Eigenschaften, da es die Ladung des Elektronenstrahls auf dem Weg32 aufnehmen muß. Die erste Membran10 hat ebenfalls vorzugsweise leitende Eigenschaften, da sie vom Elektronenstrahl auf dem Weg33 Ladungen aufnimmt. Auch der Kleber35 und das Rohr23 sind vorzugsweise leitend, damit die erste Membran10 und die Querplatte34 geerdet sind. Darüberhinaus sind die erste Membran10 , die Querplatte 34 und der Kleber35 vorzugsweise aus einem nichtmagnetischen Material, da sie im elektromagnetischen Feld36 angeordnet sind. - Die
3 zeigt eine vergrößerte Ansicht der ersten Membran10 und der Umgebung davon bei einem modifizierten Beispiel (dem ersten) der ersten Ausführungsform. Das Rohr 23, dessen Endfläche eine Dichtfläche ist, ist über ein Vakuumdichtelement38 fest mit der Querplatte34 verbunden. In die äußere Umfangsfläche des Endes des Rohrs23 ist ein Schraubgewinde eingeschnitten. Das Schraubgewinde läßt sich in ein Schraubgewinde an einem Befestigungselement37 einschrauben, wodurch das Befestigungselement37 in der Richtung des Rohrs23 gegen die Querplatte34 drückt und die Querplatte34 fest an der Endfläche des Rohrs23 angebracht wird. Wenn der Außendurchmesser des Befestigungselements37 größer ist als der Außendurchmesser des Rohrs23 , ist der Außendurchmesser d11 des Befestigungselements37 auf alle Fälle kleiner als der Innendurchmesserd3 des elektronenoptischen Systems mit der elektronenoptischen Linse1 , der Ablenkspule 2, der Elektronenobjektivlinse7 und dergleichen (d11 < d3). Auf diese Weise kann das Rohr23 zusammen mit dem Befestigungselement37 aus dem elektronenoptischen Linsentubus3 (siehe1 ) herausgezogen werden. - Die Fig. 4AA zeigt eine Aufsicht auf die erste Membran 10 und die Umgebung davon bei der ersten Ausführungsform und die Fig. 4AB eine Schnittansicht in der radialen Richtung der Fig. 4AA. Auf der ersten Membran
10 ist die Querplatte34 ausgebildet und auf der Querplatte34 eine leitende oder halbleitende Schicht40 . Die Durchgangsöffnung34a ist in der Querplatte34 und der Schicht40 ausgebildet. Die Durchgangsöffnung34a wird von der ersten Membran10 verschlossen. Dieser Aufbau kann dadurch hergestellt werden, daß auf den beiden Oberflächen der Querplatte34 die erste Membran10 und die Schicht40 ausgebildet werden und dann in der Schicht40 und in der Querplatte34 die Durchgangsöffnung34a ausgebildet wird. Wie in der Fig. 4AA gezeigt, ist die Durchgangsöffnung34a in der Aufsicht nahezu ein Kreis. Damit kann die sphärische Aberration in der Umfangsrichtung gleichmäßig verringert werden. Die Schicht40 wird vorgesehen, damit sich beim Auftreffen des Elektronenstrahls auf die Querplatte34 dort keine elektrischen Ladungen sammeln. Die Schicht40 kann durch Aufdampfen aufgebracht werden. Dieser Aufbau kann auch bei der zweiten Membran101 Anwendung finden. - Die Fig. 4BA zeigt eine Aufsicht auf die erste Membran 10 und die Umgebung davon bei einem modifizierten Beispiel (dem zweiten) der ersten Ausführungsform und die Fig. 4BB eine Schnittansicht in der radialen Richtung der Fig. 4BA. Das modifizierte Beispiel (das zweite) der ersten Ausführungsform unterscheidet sich von der ersten Ausführungsform dadurch, daß wie in der Fig. BA gezeigt die Durchgangsöffnung
34a in der Aufsicht nahezu quadratisch ist. Wie in den Fig. 4BA und 4BB gezeigt, ist außerdem die Seitenwand der Durchgangsöffnung34a mit einer Abschrägung versehen. Diese Formen werden erhalten, wenn für die Querplatte34 ein monokristallines Substrat wie Silizium und dergleichen verwendet wird. Wenn die Durchgangsöffnung34a durch Naßätzen und dergleichen in einem monokristallinen Substrat ausgebildet wird, hängt die Ätzrate von der Kristallorientierung ab, mit dem Ergebnis des oben beschriebenen Erscheinungsbilds in der Form eines Quadrats mit einer Abschrägung. Die Mikrofabrikationstechnologie für ein monokristallines Substrat wie Silizium und dergleichen ist etabliert, so daß ein monokristallines Substrat verwendet werden kann, wenn die Größe der Durchgangsöffnung34a verringert werden soll. Die Größe (Breite) der Durchgangsöffnung34a ist zum Beispiel eine Größe von einigen zehn Mikrometern bis zu einem Millimeter. Da wie oben angegeben der Elektronenstrahl durch die erste Membran10 laufen muß, ist die erste Membran10 vorzugsweise sehr dünn. Die Größe (Fläche) der Durchgangsöffnung34a muß klein sein, damit die erste Membran10 auch dann eine ausreichende Festigkeit aufweist, wenn sie sehr dünn ist. Die jeweils geeignete Dicke und Fläche hängen von der Auflösung und der für die Betrachtung erforderlichen Größe der Membran ab. - - Das Linsensystem -
- Die
5 zeigt eine vergrößerte Ansicht der Elektronenobjektivlinse7 und der Umgebung davon bei einem modifizierten Beispiel (dem dritten) der ersten Ausführungsform. Um die Elektronenobjektivlinse7 herum ist ein Magnetkern3a angeordnet, der Teil des elektronenoptischen Linsentubus3 ist. Das in der Nähe des Spalts im Magnetkern3a erzeugte elektromagnetische Feld36 erzeugt einen Linseneffekt, mit dem der Elektronenstrahl fokussiert wird. Das elektromagnetische Feld 36 tritt an der Unterseite des Magnetkerns3a (der Seite der Probe6 (siehe1 )) hervor und bildet ein sogenanntes Halb-in-der-Linse-System. Die erste Membran10 ist in der Mitte der Linse angeordnet, in der an der Unterseite des elektromagnetischen Felds36 das Magnetfeld am intensivsten ist. Der Spalt im Magnetkern3a verläuft in nahezu radialer Richtung (der Richtung senkrecht zur optischen Achse30 ), und die erste Membran10 ist an einer Stelle angeordnet, die unter der Höhe des Spalts im Magnetkern3a liegt. Demgegenüber verläuft bei der Elektronenobjektivlinse7 der in der2 gezeigten ersten Ausführungsform der Spalt im Magnetkern3a in vertikaler Richtung (der Richtung der optischen Achse30 ), und die erste Membran10 ist im Spalt des Magnetkerns3a in einer mittleren Höhe angeordnet. Das elektromagnetische Feld 36 tritt an der Unterseite des Magnetkerns3a (der Seite der Probe6 (siehe1 )) nicht hervor und bildet ein sogenanntes Aus-der-Linse-System. Bei dem modifizierten Beispiel (dem dritten) der ersten Ausführungsform kann die erste Membran10 in einer Höhe angeordnet werden, die unter der Höhe des Magnetkerns3a liegt, und die erste Membran10 dadurch näher an die Probe6 (siehe1 ) und die zweite Membran101 herangebracht werden. Es ist auch möglich, den Hochvakuumraum20 mit der Elektronenquelle100 (siehe1 ) näher an die Probe6 und die zweite Membran101 zu bringen. - - Anbringungsort der ersten Membran
10 - - Die
6 zeigt eine vergrößerte Ansicht der Elektronenobjektivlinse7 und der Umgebung davon bei einem modifizierten Beispiel (dem vierten) der ersten Ausführungsform. Bei der ersten Ausführungsform ist die erste Membran10 in der Mitte der Linse angeordnet, in der bei dem elektromagnetischen Feld36 der Elektronenobjektivlinse7 das Magnetfeld am intensivsten ist. Bei dem modifizierten Beispiel (dem vierten) der ersten Ausführungsform ist die erste Membran10 zwischen der Elektronenquelle110 und der Elektronenobjektivlinse7 angeordnet. Das heißt, daß die erste Membran10 in der Mitte der Linse angeordnet sein kann, in der bei dem elektromagnetischen Feld36 der elektronenoptischen Linse (Kondensorlinse)1 (1a ,1b , siehe1 ) das Magnetfeld am intensivsten ist. Alternativ kann die erste Membran10 am Überkreuzungspunkt der Fokussierung zwischen den elektronenoptischen Linsen1a und1b oder zwischen der elektronenoptischen Linse1b und der Elektronenobjektivlinse7 angeordnet werden. Am Überkreuzungspunkt kreuzen sich eine Vielzahl von Elektronen. Für das modifizierte Beispiel (das vierte) der ersten Ausführungsform erfolgt nun eine Beschreibung des Falles, bei dem die erste Membran10 am Überkreuzungspunkt41 (siehe6 ) angeordnet ist, an dem die Elektronenstrahlen zwischen der elektronenoptischen Linse1b und der Elektronenobjektivlinse7 fokussiert werden. Um die elektronenoptische Linse1b ist ein Magnetkern3c angeordnet, der Teil des elektronenoptischen Linsentubus3 ist. Das im Spalt des Magnetkerns3c erzeugte elektromagnetische Feld ergibt einen Linseneffekt, durch den die Elektronenstrahlen fokussiert werden. Der Magnetkern3c wird von einem Haltetubus3b am Magnetkern3a gehalten. Wenn die erste Membran10 am Überkreuzungspunkt41 angeordnet ist, kann die Größe (Fläche) der Durchgangsöffnung34a in der Querplatte34 klein sein, da die Elektronenstrahlen beim Durchgang durch die erste Membran10 auf einen einzigen Punkt fokussiert sind. Es ist damit möglich, die erste Membran10 dünn auszubilden, ohne daß ihre Haltbarkeit darunter leidet. Als Objektivmembran kann in der Mitte der Linse, wo bei dem elektromagnetischen Feld16 der Elektronenobjektivlinse7 das Magnetfeld am intensivsten ist, eine Abschirmplatte44 mit einer Durchgangsöffnung44a ausgebildet sein. - - Das anbringbare und abnehmbare Rohr
23 - - Die
7A zeigt den Aufbau des Rohrs23 , wenn es vom Hauptkörper der Ladungsteilchenstrahlvorrichtung111 der ersten Ausführungsform abgenommen ist, und der Umgebung davon und die7B den Aufbau des Hauptkörpers der Ladungsteilchenstrahlvorrichtung111 , von der das Rohr23 abgenommen wurde. Wie in der7A gezeigt kann, wenn das Vakuumventil oder das Vakuumabdichtelement24 von der Vakuumpumpe18 getrennt wird und das Vakuumventil oder das Vakuumabdichtelement24 geschlossen ist, das Rohr23 vom Hauptkörper der Ladungsteilchenstrahlvorrichtung111 abgenommen werden, wobei das Vakuum im Raum20 im dritten Gehäuse22 und im Rohr23 erhalten bleibt. Es kann dann die erste Membran10 ersetzt werden, wenn mit dem Vakuumventil oder Vakuumabdichtelement 24 ein Gasbehälter zur Abgabe eines trockenen Inertgases verbunden wird. Nach dem Ersetzen der ersten Membran10 wird die Vakuumpumpe18 mit dem Vakuumventil oder Vakuumabdichtelement 24 verbunden und der Raum20 evakuiert. Vor oder nach der Evakuierung wird das Rohr23 mit der ersten Membran10 von oben in den elektronenoptischen Linsentubus3 eingesetzt. Auf diese Weise kann das Rohr23 mit der ersten Membran10 in den elektronenoptischen Linsentubus3 eingesetzt und daraus entfernt werden. - Die
8 zeigt den Aufbau des Rohrs23 , das vom Hauptkörper der Ladungsteilchenstrahlvorrichtung111 abgenommen ist, bei einem modifizierten Beispiel (dem fünften) der ersten Ausführungsform. Da in der Regel an die Elektronenquelle 110 eine Hochspannung von einigen Kilovolt bis zu einigen zehn Kilovolt angelegt wird, muß zwischen der Elektronenquelle110 und der Seitenwand des dritten Gehäuses ein vorgegebener Abstand eingehalten werden, um relativ zum dritten Gehäuse22 die erforderliche Durchschlagfestigkeit zu erhalten. Deshalb ist bei der in der7A gezeigten ersten Ausführungsform das dritte Gehäuse22 dicker als das Rohr23 . Wenn die Beschleunigungsspannung jedoch klein ist, kann ein Rohr 23 verwendet werden, das wie in der8 gezeigt insgesamt die gleiche Dicke hat. Bei der ersten Ausführungsform berührt das dritte Gehäuse22 den elektronenoptischen Linsentubus3 , wodurch es möglich ist, eindeutig die Höhe zu bestimmen, in der die erste Membran10 angeordnet ist. Durch das Anbringen eines Abstandhalters zwischen dem dritten Gehäuse22 und dem elektronenoptischen Linsentubus3 kann darüberhinaus die Höhe eingestellt werden, in der die erste Membran10 angeordnet wird. Bei dem modifizierten Beispiel (dem fünften) der ersten Ausführungsform kann die Tiefe beliebig eingestellt werden, bis zu der das Rohr23 in den elektronenoptischen Linsentubus 3 eingeführt wird. Entsprechend kann die Höhe, in der die erste Membran10 angeordnet wird, beliebig gewählt werden. - Die
9 zeigt den Aufbau der Ladungsteilchenstrahlvorrichtung111 bei einem modifizierten Beispiel (dem sechsten) der ersten Ausführungsform. Das modifizierte Beispiel (das sechste) der ersten Ausführungsform unterscheidet sich von der ersten Ausführungsform darin, daß ein Gettermaterial 45 vom nicht verdampfenden Typ vorgesehen wird. Das Gettermaterial45 adsorbiert das Gas im Raum20 , wodurch der Vakuumzustand aufrecht erhalten wird. Entsprechend kann die Vakuumpumpe18 , mit der ein Hochvakuum erhalten werden kann, weggelassen werden. Das Evakuieren des Raums20 vom Atmosphärendruck erfolgt dadurch, daß zuerst eine Vorpumpe an das Vakuumventil oder das Vakuumabdichtelement24 angeschlossen wird und der Raum20 auf ein Grobvakuum evakuiert wird. Dann wird das Vakuumventil oder das Vakuumabdichtelement24 geschlossen, um die Pumpe zu entfernen, und der Raum20 durch das Gettermaterial45 auf ein Hochvakuum gebracht. Bei dem modifizierten Beispiel (dem sechsten) der ersten Ausführungsform kann die Ladungsteilchenstrahlvorrichtung111 für die normale Betrachtung klein ausgestaltet werden, da die Vakuumpumpe18 bei der normalen Betrachtung weggelassen werden kann. - Zweite Ausführungsform
- Die
10 zeigt den Aufbau der Ladungsteilchenstrahlvorrichtung (des Mikroskops) 111 bei einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Die zweite Ausführungsform unterscheidet sich von der ersten Ausführungsform darin, daß das Einschubgehäuse100 mit der zweiten Membran101 entfernt wurde. Das bringt einen Raum21 , der vom ersten Gehäuse 4 und dem Flansch12 (der dem Raum104 und dem Raum105 bei der ersten Ausführungsform entspricht) in den Vakuumzustand. Die im Raum21 angeordnete Probe6 kann im Vakuum betrachtet werden. Wenn der Raum21 mit der Vakuumpumpe 19 evakuiert wird und dann am Ventil oder Gaseinlaß/Gasauslaß5 und14 ein Gas in dem Raum21 eingeführt wird, kann die Probe6 auch mit dem REM betrachtet werden, während sich der Raum21 in einem Grobvakuum befindet. Dies ist möglich, weil der Raum20 durch die erste Membran10 im Hochvakuumzustand gehalten werden kann. Die erste Membran10 kann dabei auf die gleiche Weise wie bei der ersten Ausführungsform leicht ausgetauscht werden. - Bei der zweiten Ausführungsform wird das Innere des ersten Gehäuses
4 jedesmal dann auf Atmosphärendruck gebracht, wenn die Probe6 ausgetauscht wird. Wenn die Betrachtung und der Austausch der Probe6 wiederholt werden, ist es möglich, daß der Atmosphärendruck auf die erste Membran10 einwirkt und nicht einwirkt und so die Haltbarkeit der ersten Membran 10 im Vergleich zur ersten Ausführungsform, bei der keine Druckschwankungen auftreten, schlechter wird. Vorzugsweise wird daher eine erste Membran10 mit erhöhter Haltbarkeit verwendet, wenn die Ladungsteilchenstrahlvorrichtung111 nicht nur bei der ersten Ausführungsform, sondern auch bei der zweiten Ausführungsform oder abwechselnd bei der ersten und der zweiten Ausführungsform verwendet wird. Zur Erhöhung der Haltbarkeit ist es nur erforderlich, die erste Membran10 dicker zu machen und/oder die Größe der Durchgangsöffnung34a der Querplatte34 zu verringern. - Bezugszeichenliste
-
- 1, 1a, 1b
- Elektronenoptische Linse (elektronen-(ladungsteilchen-)optisches System, Kondensorlinse)
- 2
- Ablenkspule (elektronen-(ladungsteilchen-)optisches System)
- 3
- elektronenoptischer (ladungsteilchenoptischer) Linsentubus
- 3a
- Magnetkern
- 3b
- Haltetubus
- 3c
- Magnetkern
- 4
- erstes Gehäuse (Probengehäuse)
- 4a
- Öffnung im ersten Gehäuse
- 5
- Ventil oder Gaseinlaß/Gasauslaß
- 6
- Probe
- 7
- Elektronenobjektivlinse (elektronen-(ladungsteilchen-)optisches System)
- 8
- Detektor
- 9
- Probenhalter
- 10
- erste Membran
- 11
- Probenbühne
- 12
- Plattenelement an der Probenbühne (Flansch)
- 13
- Probenbühneneinstellknopf
- 14
- Ventil oder Gaseinlaß/Gasauslaß
- 15
- Vakuumdichtelement
- 16
- Führung
- 17
- Schiene
- 18,
- 19 Vakuumpumpe
- 20
- Raum zwischen der Elektronenquelle
110 und der ersten Membran10 (Raum im Linsentubus) - 21
- Raum in der Probenumgebung (Raum im ersten Gehäuse)
- 22
- drittes Gehäuse (kreisförmiges rohrartiges Element)
- 23
- Rohr (kreisförmiges rohrartiges Element)
- 24
- Vakuumventil oder Vakuumabdichtelement
- 25
- Ventil
- 27
- Vakuumdichtelement
- 30
- optische Achse
- 32
- Ladungsteilchenstrahl (Bahn, die entfernt von der optischen Achse verläuft)
- 33
- Ladungsteilchenstrahl (Bahn, die in der Nähe der optischen Achse verläuft)
- 34
- Membranhalteelement (Querplatte)
- 34a
- Durchgangsöffnung
- 35
- Kleber
- 36
- elektromagnetisches Feld
- 37
- Befestigungselement
- 38
- Vakuumdichtelement
- 39
- Schraubgewinde
- 40
- leitende oder halbleitende Schicht
- 41
- Überkreuzungspunkt (Stelle, an der sich Ladungsteilchenstrahlen kreuzen)
- 44
- Abschirmplatte (Element mit Durchgangsöffnung)
- 44a
- Durchgangsöffnung
- 45
- Gettermaterial (Gettermaterial vom nicht verdampfenden Typ)
- 100
- Einschubgehäuse (zweites Gehäuse)
- 100a
- zurückspringender Abschnitt des zweiten Gehäuses
- 100b
- Durchgangsöffnung
- 100c
- Flansch
- 100d
- Abweiser
- 101
- zweite Membran (Objektivmembran)
- 102
- Flansch
- 103
- Vakuumdichtelement
- 104
- Raum zwischen zweiter Membran und Probe
- 105
- Raum zwischen erster Membran und zweiter Membran (Raum, der vom ersten Gehäuse und vom zweiten Gehäuse umgeben ist)
- 106, 107
- Vakuumdichtelement
- 110
- Elektronenquelle (Ladungsteilchenquelle)
- 111
- Ladungsteilchenstrahlvorrichtung (Ladungsteilchenstrahlmikroskop)
- d1
- Außendurchmesser des Rohrs
- d2
- Innendurchmesser des Rohrs
- d3
- Innendurchmesser der Spule für die Ausbildung des elektromagnetischen Felds im elektronenoptischen System
- d4
- Lochgröße der Durchgangsöffnung in der Querplatte
- d5
- Abstand zwischen der zweiten Membran und der Probe
Claims (10)
- Ladungsteilchenstrahlvorrichtung mit einer Ladungsteilchenquelle, die einen Ladungsteilchenstrahl emittiert; einem optischen System für die Ladungsteilchen, das den Ladungsteilchenstrahl fokussiert und eine optische Achse definiert; einem Linsentubus zur Aufnahme der Ladungsteilchenquelle und des optischen Systems für die Ladungsteilchen; einem ersten Gehäuse, das mit dem Linsentubus verbunden ist und in das der Ladungsteilchenstrahl emittiert wird; einem zweiten Gehäuse, das an einer Öffnung im ersten Gehäuse in das erste Gehäuse zurückspringt; einer ersten Membran, die in der optischen Achse angeordnet ist und die den Raum innerhalb des Linsentubus von dem Raum innerhalb des ersten Gehäuses trennt und durch die der Ladungsteilchenstrahl verläuft; und mit einer zweiten Membran, die in der optischen Achse angeordnet ist und die die Räume innerhalb und außerhalb des zurückspringenden Abschnitts des zweiten Gehäuses voneinander trennt und durch die der Ladungsteilchenstrahl verläuft, wobei der Raum, der vom ersten Gehäuse und vom zweiten Gehäuse umgeben ist, in einen Vakuumzustand gebracht wird und eine innerhalb des zurückspringenden Abschnitts des zweiten Gehäuses angeordnete Probe mit dem Ladungsteilchenstrahl bestrahlt wird, der die erste Membran und die zweite Membran durchsetzt hat.
- Ladungsteilchenstrahlvorrichtung nach
Anspruch 1 , wobei die erste Membran in einem elektromagnetischen Feld angeordnet ist, das vom optischen System für die Ladungsteilchen gebildet wird. - Ladungsteilchenstrahlvorrichtung nach
Anspruch 1 , wobei die erste Membran an einer Stelle angeordnet ist, an der sich mehrere Ladungsteilchenstrahlen kreuzen. - Ladungsteilchenstrahlvorrichtung nach
Anspruch 1 , mit einem Rohr, das mit einem dritten Gehäuse verbunden ist, das die Ladungsteilchenquelle enthält, und das durch das optische System für die Ladungsteilchen verläuft, wobei sich die optische Achse im Rohr befindet, wobei die erste Membran am Rohr angebracht ist, und wobei das Rohr und das dritte Gehäuse in der Richtung der optischen Achse am Linsentubus angebracht und davon abgenommen werden können. - Ladungsteilchenstrahlvorrichtung nach
Anspruch 4 , wobei der Außendurchmesser des Rohrs kleiner ist als der Innendurchmesser einer Spule zur Ausbildung eines elektromagnetischen Felds im optischen System für die Ladungsteilchen. - Ladungsteilchenstrahlvorrichtung nach
Anspruch 4 , mit einer Querplatte am Rohr, die den Raum im Linsentubus von dem Raum im ersten Gehäuse trennt, die dicker ist als die erste Membran und durch die der Ladungsteilchenstrahl nicht verläuft, wobei die erste Membran eine Durchgangsöffnung in der Querplatte verschließt, und wobei die Lochgröße der Durchgangsöffnung in der Querplatte kleiner ist als der Innendurchmesser des Rohrs. - Ladungsteilchenstrahlvorrichtung nach
Anspruch 4 , wobei die erste Membran einen Raum im Rohr, der mit einem Raum im dritten Gehäuse in Verbindung steht, von dem Raum im ersten Gehäuse trennt, wobei das Rohr und das dritte Gehäuse vom Linsentubus abnehmbar und daran anbringbar sind, wobei sich das Innere des Rohrs und das Innere des dritten Gehäuses im Vakuumzustand befinden, während der Raum, der vom ersten Gehäuse und vom zweiten Gehäuse umgeben ist, sich unter Atmosphärendruck befindet. - Ladungsteilchenstrahlvorrichtung nach
Anspruch 1 , wobei an einer Wandfläche, die den Raum von der Ladungsteilchenquelle bis zur ersten Membran abgrenzt, ein Vakuumventil oder ein Vakuumabdichtelement, das den Raum von der Ladungsteilchenquelle bis zur ersten Membran in einen luftdichten Zustand bringt, und ein Gettermaterial vom nicht verdampfenden Typ vorgesehen sind, das den Raum von der Ladungsteilchenquelle bis zur ersten Membran in einen drucklosen Zustand bringt. - Ladungsteilchenstrahlvorrichtung nach
Anspruch 1 , wobei die Dicke der ersten Membran und der zweiten Membran gleich oder kleiner als 100 nm ist. - Ladungsteilchenstrahlvorrichtung nach
Anspruch 1 , wobei der Abstand zwischen der zweiten Membran und der Probe bei der Bestrahlung der Probe mit dem Ladungsteilchenstrahl gleich oder kleiner als 1000 µm ist.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012039500A JP5836838B2 (ja) | 2012-02-27 | 2012-02-27 | 荷電粒子線装置 |
JP2012-039500 | 2012-02-27 | ||
PCT/JP2013/053737 WO2013129143A1 (ja) | 2012-02-27 | 2013-02-15 | 荷電粒子線装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE112013000696T5 DE112013000696T5 (de) | 2014-10-09 |
DE112013000696B4 true DE112013000696B4 (de) | 2018-08-02 |
Family
ID=49082344
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE112013000696.0T Expired - Fee Related DE112013000696B4 (de) | 2012-02-27 | 2013-02-15 | Ladungsteilchenstrahlvorrichtung |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9208995B2 (de) |
JP (1) | JP5836838B2 (de) |
KR (1) | KR101607043B1 (de) |
CN (1) | CN104094373B (de) |
DE (1) | DE112013000696B4 (de) |
WO (1) | WO2013129143A1 (de) |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6035602B2 (ja) * | 2012-11-21 | 2016-11-30 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置、試料台ユニット、及び試料観察方法 |
KR101554594B1 (ko) * | 2013-12-02 | 2015-09-22 | 한국표준과학연구원 | 하전입자 빔 프로브 형성 장치 및 이의 이용방법 |
JP6047508B2 (ja) * | 2014-01-27 | 2016-12-21 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置、試料画像取得方法、およびプログラム記録媒体 |
JP6302702B2 (ja) * | 2014-02-27 | 2018-03-28 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 走査電子顕微鏡および画像生成方法 |
JP6491890B2 (ja) * | 2015-01-21 | 2019-03-27 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置 |
KR101663730B1 (ko) * | 2015-03-23 | 2016-10-10 | 한국원자력연구원 | 차등진공을 이용한 하전입자빔 대기인출장치 |
KR101682522B1 (ko) * | 2015-06-02 | 2016-12-06 | 참엔지니어링(주) | 시료 관찰 방법 |
KR101756171B1 (ko) * | 2015-12-15 | 2017-07-12 | (주)새론테크놀로지 | 주사 전자 현미경 |
JP6097863B2 (ja) * | 2016-05-16 | 2017-03-15 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置、試料画像取得方法、およびプログラム記録媒体 |
KR102271664B1 (ko) | 2017-04-11 | 2021-07-01 | 주식회사 아도반테스토 | 노광 장치 |
US11101106B2 (en) | 2017-04-11 | 2021-08-24 | Advantest Corporation | Exposure device |
JP2021055996A (ja) * | 2017-12-13 | 2021-04-08 | 株式会社日立ハイテク | 電子線照射装置、分析システム |
US11621144B2 (en) * | 2018-08-03 | 2023-04-04 | Nuflare Technology, Inc. | Electron optical system and multi-beam image acquiring apparatus |
KR102552225B1 (ko) * | 2020-02-04 | 2023-07-06 | (주)새론테크놀로지 | 주사 전자 현미경 |
CN112397300B (zh) * | 2020-10-26 | 2022-03-25 | 南京新康达磁业股份有限公司 | 一种金属磁粉心粉末的无机绝缘粘接设备及其粘接方法 |
EP4156227A1 (de) * | 2021-09-27 | 2023-03-29 | ASML Netherlands B.V. | Ladungsteilchenvorrichtung und -verfahren |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008153086A (ja) | 2006-12-19 | 2008-07-03 | Jeol Ltd | 試料検査装置及び試料検査方法並びに試料検査システム |
JP2008262886A (ja) | 2007-04-12 | 2008-10-30 | Beam Seiko:Kk | 走査型電子顕微鏡装置 |
US20100096549A1 (en) | 2006-12-19 | 2010-04-22 | Jeol Ltd. | Sample Inspection Apparatus, Sample Inspection Method and Sample Inspection System |
US20100243888A1 (en) | 2009-03-26 | 2010-09-30 | Jeol Ltd. | Apparatus and Method for Inspecting Samples |
US20110168889A1 (en) | 2008-07-03 | 2011-07-14 | Dov Shachal | Scanning electron microscope, an interface and a method for observing an object within a non-vacuum environment |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02139842A (ja) * | 1988-11-18 | 1990-05-29 | Nikon Corp | 電子線装置 |
JP4528014B2 (ja) * | 2004-04-05 | 2010-08-18 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 試料検査方法 |
JP2006147430A (ja) * | 2004-11-22 | 2006-06-08 | Hokkaido Univ | 電子顕微鏡 |
TW200639901A (en) * | 2005-05-09 | 2006-11-16 | Li Bing Huan | Device for operating gas in vacuum or low-pressure environment and for observation of the operation |
JP4855135B2 (ja) * | 2006-05-15 | 2012-01-18 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 差動排気走査形電子顕微鏡 |
US8164057B2 (en) | 2006-10-24 | 2012-04-24 | Dov Shachal | Interface, a method for observing an object within a non-vacuum environment and a scanning electron microscope |
JP5237728B2 (ja) | 2008-08-29 | 2013-07-17 | 日本電子株式会社 | 粒子線装置 |
CN102197301B (zh) * | 2008-09-28 | 2015-05-06 | B-纳诺有限公司 | 被抽真空的装置和扫描电子显微镜 |
JP2013020918A (ja) * | 2011-07-14 | 2013-01-31 | Hitachi High-Technologies Corp | 荷電粒子線装置 |
-
2012
- 2012-02-27 JP JP2012039500A patent/JP5836838B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2013
- 2013-02-15 KR KR1020147021504A patent/KR101607043B1/ko active IP Right Grant
- 2013-02-15 CN CN201380008021.1A patent/CN104094373B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2013-02-15 WO PCT/JP2013/053737 patent/WO2013129143A1/ja active Application Filing
- 2013-02-15 US US14/379,291 patent/US9208995B2/en active Active
- 2013-02-15 DE DE112013000696.0T patent/DE112013000696B4/de not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008153086A (ja) | 2006-12-19 | 2008-07-03 | Jeol Ltd | 試料検査装置及び試料検査方法並びに試料検査システム |
US20100096549A1 (en) | 2006-12-19 | 2010-04-22 | Jeol Ltd. | Sample Inspection Apparatus, Sample Inspection Method and Sample Inspection System |
JP2008262886A (ja) | 2007-04-12 | 2008-10-30 | Beam Seiko:Kk | 走査型電子顕微鏡装置 |
US20110168889A1 (en) | 2008-07-03 | 2011-07-14 | Dov Shachal | Scanning electron microscope, an interface and a method for observing an object within a non-vacuum environment |
US20100243888A1 (en) | 2009-03-26 | 2010-09-30 | Jeol Ltd. | Apparatus and Method for Inspecting Samples |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20150014530A1 (en) | 2015-01-15 |
CN104094373A (zh) | 2014-10-08 |
DE112013000696T5 (de) | 2014-10-09 |
JP2013175377A (ja) | 2013-09-05 |
KR101607043B1 (ko) | 2016-03-28 |
KR20140119078A (ko) | 2014-10-08 |
US9208995B2 (en) | 2015-12-08 |
WO2013129143A1 (ja) | 2013-09-06 |
JP5836838B2 (ja) | 2015-12-24 |
CN104094373B (zh) | 2016-08-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE112013000696B4 (de) | Ladungsteilchenstrahlvorrichtung | |
DE60011031T2 (de) | Optische Säule für Teilchenstrahlvorrichtung | |
DE69634032T2 (de) | Unter etwas erhöhtem druck arbeitendes feldemissionsrasterelektronenmikroskop | |
EP1068630B1 (de) | Rasterelektronenmikroskop | |
DE69821467T2 (de) | Rasterelektronenmikroskop unter kontrollierter umgebung mit einem magnetfeld zur erhöhten sekundärelektronenerfassung | |
DE112011105007B4 (de) | Probenhalter für ein Elektronenmikroskop und Probenuntersuchungsverfahren | |
DE112014006978B4 (de) | Rasterelektronenmikroskop | |
DE112012003182B4 (de) | Ladungsteilchenstrahlvorrichtung | |
DE112012002609T5 (de) | Ladungsteilchenstrahlvorrichtung | |
DE69835089T2 (de) | Strahlrohr für geladene Teilchen | |
DE112012003809B4 (de) | Untersuchungs- und Betrachtungsvorrichtung und Probenuntersuchungs- und Betrachtungsverfahren | |
DE112014002139B4 (de) | Elektronenkanone, Ladungsteilchenkanone und Ladungsteilchenstrahlvorrichtung unter Verwendung der Elektronenkanone und der Ladungsteilchenkanone | |
DE112015000280B4 (de) | Rasterelektronenmikroskop und Bilderzeugungsverfahren | |
DE112011100476T5 (de) | Ladungsteilchenmikroskop und Ionenmikroskop | |
DE202013012316U1 (de) | Mit einem Strahl geladener Teilchen arbeitende Vorrichtung | |
DE112010002551T5 (de) | Geladene teilchen abstrahlende vorrichtung | |
DE202013012246U1 (de) | Mit einem Strahl geladener Teilchen arbeitende Vorrichtung | |
DE112012003887T5 (de) | lonenquelle und lonenstrahlvorrichtung, bei der diese verwendet wird | |
DE112012003062B4 (de) | lonenstrahlvorrichtung | |
DE112013003556T5 (de) | Betrachtungsvorrichtung und optisches Achseneinstellverfahren | |
DE112013001628T5 (de) | Ladungsteilchenstrahlvorrichtung | |
DE3011625C2 (de) | ||
DE112014003782T5 (de) | lonenstrahlvorrichtung und Emitterspitzenausformverfahren | |
DE60313282T2 (de) | Vorrichtung für geladene Teilchen mit Reinigungseinheit und Verfahren zu deren Betrieb | |
DE19845329C2 (de) | Rasterelektronenmikroskop |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R012 | Request for examination validly filed | ||
R083 | Amendment of/additions to inventor(s) | ||
R083 | Amendment of/additions to inventor(s) | ||
R016 | Response to examination communication | ||
R018 | Grant decision by examination section/examining division | ||
R020 | Patent grant now final | ||
R081 | Change of applicant/patentee |
Owner name: HITACHI HIGH-TECH CORPORATION, JP Free format text: FORMER OWNER: HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION, TOKYO, JP |
|
R082 | Change of representative |
Representative=s name: STREHL SCHUEBEL-HOPF & PARTNER MBB PATENTANWAE, DE |
|
R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee |