DE112009000736T5 - Organische Dünnfilm-Transistoren - Google Patents

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Abstract

Organischer Dünnfilm-Transistor der aufweist: ein Substrat; eine Source-Elektrode und eine Drain-Elektrode, die über dem Substrat mit einer dazwischen liegenden Kanalregion angeordnet sind; eine Schicht aus organischen Halbleitern, die in der Kanalregion angeordnet ist; eine Gate-Elektrode; und ein Gate-Dielektrikum, das zwischen der Schicht aus organischem Halbleiter und der Gate-Elektrode angeordnet ist, wobei das Gate-Dielektrikum ein quervernetztes Polymer sowie ein Fluor enthaltendes Polymer umfasst, wobei das Gate-Dielektrikum eine einzige Schicht aufweist, umfassend sowohl das quervernetzte Polymer, als auch das Fluor enthaltende Polymer, und wobei das quervernetzte Polymer und das Fluor enthaltende Polymer als separate Polymere vorgesehen sind.

Description

  • Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung betrifft organische Dünnfilmtransistoren.
  • Hintergrund der Erfindung
  • Transistoren können in zwei Hauptgruppen unterteilt werden: Bipolartransistoren und Feldeffekttransistoren. Beide Gruppen haben die gleiche Struktur umfassend drei Elektroden mit dazwischen in einer Kanalregion angeordnetem halbleitendem Material. Die drei Elektroden eines Bipolartransistors sind bekannt als Emitter, Kollektor und Basis, wohingegen bei einem Feldeffekttransistor die drei Elektroden als Source, Drain und Gate bekannt sind. Bipolartransistoren können als strombetriebene Bauteile bezeichnet werden, da der Strom zwischen Emitter und Kollektor durch den Strom, der zwischen Basis und Emitter fließt, gesteuert wird. Im Gegensatz dazu können Feldeffekttransistoren als spannungsbetriebene Bauteile bezeichnet werden, da der Strom, der zwischen Source und Drain fließt, gesteuert wird durch die Spannung zwischen Gaten und Source.
  • Transistoren können auch klassifiziert werden als p-Typ und n-Typ je nachdem, ob sie halbleitendes Material umfassen, welches positive Ladungsträger (Löcher) bzw. negative Ladungsträger (Elektronen) leitet. Das halbleitende Material kann ausgewählt werden entsprechend seiner Fähigkeit Ladungsträger aufzunehmen, zu leiten und abzugeben. Die Fähigkeit von halbleitendem Material Löcher oder Elektronen aufzunehmen, zu leiten und abzugeben kann durch Dotierung des Materials vergrößert werden. Das Material, welches für die Source- und Drain-Elektroden verwendet wird, kann auch entsprechend seiner Fähigkeit, Löcher oder Elektroden aufzunehmen und zu injizieren, ausgewählt werden. Z. B. kann ein Transistorbauelement vom p-Typ gebildet werden durch eine Auswahl eines Halbleitermaterials, welches Löcher effizient aufnimmt, leitet und abgibt, und durch Auswahl eines Materials für Source- und Drain-Elektroden, welches Löcher von dem halbleitenden Material effizient aufnimmt oder in dieses injiziert. Eine gute Anpassung der Energieniveaus der Fermi-Niveaus in den Elektroden an das HOMO-Niveau des halbleitenden Materials kann die Löcher-Injektion und -Akzeptanz vergrößern. Im Gegensatz dazu kann ein Transistorbauelement vom n-Typ gebildet werden durch Auswahl eines halbleitenden Materials, welches Elektronen effizient aufnehmen, leiten und abgeben kann, und durch Auswahl eines Materials für Source- und Drain-Elektroden, welches Elektronen effizient in das halbleitende Material injizieren und von diesem aufnehmen kann. Eine gute Anpassung des Energieniveaus des Fermi-Niveaus in den Elektroden an das LUMO-Niveau des halbleitenden Materials kann die Elektroneninjektion und -akzeptanz vergrößern.
  • Transistoren können gebildet werden durch Abscheiden der Komponenten in dünnen Filmen, um Dünnfilm-Transistoren herzustellen. Wenn in einem solchen Bauelement ein organisches Material als halbleitendes Material verwendet wird, sind solche Bauelemente als organische Dünnfilm-Transistoren (organic thin film transistors, OTFT) bekannt. OTFTs können durch Verfahren bei niedrigen Temperaqturen, wie z. B. Lösungsverarbeitung (solution processing), zu niedrigen Kosten hergestellt werden. Des Weiteren sind OTFTs kompatibel mit flexiblen Kunststoffsubstraten, welche die Möglichkeit einer Massenfertigung von OTFTs auf flexiblen Substraten in einem Roll-to-roll-Verfahren (roll-to-roll process) bieten.
  • Unterschiedliche Anordnungen von Dünnfilm-Transistoren sind bekannt. Ein solches Bauelement ist ein Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate, der Source- und Drain-Elektroden mit dazwischen in einer Kanalregion angeordnetem, halbleitendem Material umfasst, einer Gate-Elektrode, die benachbart zu dem halbleitenden Material angeordnet ist, und einer Schicht isolierenden Materials, das zwischen der Gate-Elektrode und dem halbleitenden Material in der Kanalregion angeordnet ist.
  • Ein Beispiel eines derartigen organischen Dünnfilm-Transistors ist in 1 gezeigt. Die dargestellte Struktur kann auf einem Substrat 1 abgeschieden werden und umfasst Source- und Drain-Elektroden 2, 4, welche – mit einer dazwischen angeordneten Kanalregion – voneinander beabstandet sind. Ein organischer Halbleiter (organic semiconductor, kurz: OSC) 8 ist in der Kanalregion angeordnet und kann sich zumindest über ein Teil der der Source- und Drain-Elektroden 2, 4 erstrecken. Eine isolierende Schicht 10 aus dielektrischem Material ist über dem organischen Halbleiter 8 angeordnet und kann sich zumindest über einen Teil der Source- und Drain-Elektroden 2, 4 erstrecken. Schließlich ist eine Gate-Elektrode 12 über der isolierenden Schicht 10 angeordnet. Die Gate-Elektrode 12 ist über der Kanalregion angeordnet und erstreckt sich zumindest über einen Teil der Source- und Drain-Elektroden 2, 4.
  • Die oben beschriebene Struktur ist als „Top-Gate Organic Thin Film Transistor” bekannt, da das Gate auf einer Oberseite (top side) des Bauelements angeordnet ist. Wenn Source-/Drain-Kontakte unter der OSC Schicht des Bauelements angeordnet sind, kann das Bauelement vollständiger als „Top-Gate, Bottom-Contact”-Bauelement beschrieben werden. „Top-Gate, Top-Contact”-Bauelemente sind auch möglich mit oberhalb des OSC angeordneten Source-/Drain-Kontakten.
  • Als Alternative ist es auch bekannt, das Gate auf einer Unterseite des Bauelements vorzusehen, um einen sogenannten „Bottom-Gate Organic Thin Film Transistor” zu bilden.
  • Ein Beispiel eines solchen organischen „Bottom-Gate”-Dünnfilmtransistors ist in 2 gezeigt. Um die Beziehungen zwischen den in den 1 und 2 gezeigten Strukturen klarer zu zeigen, wurden gleiche Bezugszeichen für korrespondierende Teile verwendet. Die in 2 dargestellte Bottom-Gate-Struktur umfasst eine Gate-Elektrode 12, die auf einem Substrat 1 angeordnet ist, mit einer darüber angeordneten isolierenden Schicht 10 aus dielektrischem Material. Source- und Drain-Elektroden 2, 4 sind über der isolierenden Schicht 10 aus dielektrischem Material abgeschieden. Die Source- und Drain-Elektroden 2, 4 sind voneinander beabstandet über der Gate-Elektrode angeordnet mit einer dazwischenliegenden Kanalregion. Ein organischer Halbleiter (OSC) 8 ist in der Kanalregion abgeschieden und kann sich zumindest über einen Teil der Source- und der Drain-Elektroden 2, 4 erstrecken.
  • Wenn die Source-/Drain-Kontakte unter der OSC-Schicht angeordnet sind, kann das Bauelement vollständigerweise als „Bottom-Gate, Bottom-Contact”-Bauelement beschrieben werden. „Bottom-Gate, Top-Contact”-Bauelemente sind ebenso möglich, wobei die Source-/Drain-Kontakte über dem OSC angeordnet sind.
  • Die Leitfähigkeit des Kanals kann durch Anlegen einer Spannung an das Gate verändert werden. Auf diese Weise kann der Transistor unter Verwendung einer angelegten Gatespannung ein- und ausgeschaltet werden.
  • Die dielektrische Schicht umfasst ein dielektrisches Material ausgewählt aus isolierenden Materialien mit hohem spezifischen Widerstand. Die dielektrische Konstante, k, der dielektrischen Schicht ist typischerweise rund 2 bis 3, obwohl Materialien mit einem höheren Wert von k prinzipiell wünschenswert sind, da die Kapazität, die für einen OTFT erreichbar ist, direkt proportional zu k ist, und der Drain-Strom ID direkt proportional zu der Kapazität ist. Forschungen haben jedoch auch gezeigt, dass in vielen Fällen die Eigenschaften des OTFT mit dielektrischen Materialien mit niedrigem k besser sind, wie im vorliegenden Fall mit fluorierten Materialien wie weiter unten diskutiert.
  • Der Drain-Strom, der für einen organischen Dünnfilm-Transistor erreichbar ist, ist umgekehrt proportional zur Dicke des Dielektrikums in der aktiven Region des Bauelements (Kanal zwischen Source- und Drain-Elektroden). Folglich müssen organische Dünnfilm-Transistoren dünne dielektrische Schichten in der Kanalregion aufweisen, um hohe Drain-Ströme bei niedrigen Betriebsspannungen zu erreichen.
  • Von dem oben Beschriebenen ist es ersichtlich, dass das Dielektrikum in einem organischen Dünnschicht-Transistor, und die Schnittstelle die es mit dem OSC bildet, einen wichtigen Einflussfaktor darstellt bei der Bestimmung der Betriebscharakteristika eines organischen Dünnfilm-Transistors. Zu diesem Zweck wurden im Stand der Technik unterschiedlichste Materialien und Strukturen für das Dielektrikum vorgeschlagen.
  • Die US 6,265,243 , die in 2001 publiziert wurde, offenbart einen OTFT, bei dem das Dielektrikum mit einem fluorierten organischen Material wie z. B. fluoriertem Silan oberflächenbehandelt wird. Als passende Materialien für das Dielektrikum werden Siliziumdioxid, Polyimid und Polyvinylphenol (PVP) angegeben. Des Weiteren wird offenbart, dass, als Alternative zur Behandlung der Dielektrikums-Oberfläche mit fluoriertem organischem Material wie z. B. fluoriertem Silan, das dielektrische Material durch ein dielektrisches Polymer-Material ersetzt werden kann, das reich an Fluoralkylketten ist. Keine Beispiele scheinen angegeben zu sein für dieses alternative dielektrische Polymermaterial.
  • In Applied Physics Letters, Band 85, Nr. 12, Seite 2283 (2004) ist ein Zweischicht-Dielektrikum beschrieben. Dieses Dokument beschreibt die Verwendung einer Doppelschicht umfassend PVP und Polyvinylacetat als die beiden Schichten.
  • Die US 7,279,777 , welche 2007 publiziert wurde und welche sich in dem Abschnitt „Background” auf das zuvor genannte Dokument US 6,265,243 bezieht, offenbart im Wesentlichen nicht-fluorierte Polymere mit Cyanogruppe als funktionelle Gruppe (non-fluorinated cyano-functional polymers) als dielektrische Schichten, wobei die Polymere vorzugsweise eine quervernetzbare Gruppe umfassen. Unterschiedliche nicht-fluorierte, styrolhaltige, oberflächenmodifizierende Polymere werden ebenso offenbart für die Verwendung mit den nicht-fluorierten Polymeren mit Cyanogruppe als funktionelle Gruppe. Es wird beschrieben, dass viel höhere Mobilitäten erreicht werden als mit den in US 6,265,243 offenbarten fluorierten Dielektrika.
  • Es ist ein Ziel der Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung, eine Lösung zu einem oder mehrerer der oben beschriebenen Probleme zur Verfügung zu stellen.
  • Zusammenfassung der Erfindung
  • Der gegenwärtige Anmelder hat herausgefunden, dass eine Zahl physikalischer, chemischer und elektrischer Charakteristika existieren, die zu besitzen für ein OTFT-Gate-Dielektrikum vorteilhaft wäre.
  • Hinsichtlich der physikalischen Charakteristika wäre es vorteilhaft für das Dielektrikum, dünn zu sein, um hohe Drain-Ströme bei niedrigen Betriebsspannungen zu erreichen, während auch eine robuste, kontinuierliche Schicht ohne Pinhole-Defekte gewährleistet ist, welche eine geringe Durchlässigkeit für Luft, Feuchtigkeit und andere chemische Fremdstoffe aufweist, und eine gute, defektfreie Schnittstelle mit dem organischen Halbleiter des OTFT gewährleistet. Es wäre ebenso vorteilhaft für das Dielektrikum, eine gute Adhäsion mit dem Gate zu gewährleisten, um eine Delaminierung zu verhindern, während auch eine Oberfläche mit kleinem Kontaktwinkel für den organischen Halbleiter gewährleistet wird, um ein Anhaften organischer Halbleitermoleküle an der Oberfläche zu verhindern, so dass diese freier sind, zu kristallisieren, und so die Mobilität zu erhöhen. Des Weiteren wäre es vorteilhaft für das Dielektrikum, leicht abscheidbar zu sein, um einen Film zu bilden, der die zuvor erwähnten Eigenschaften hat ohne die darunter liegenden Schichten zu beschädigen.
  • Hinsichtlich chemischer Charakteristika wäre es vorteilhaft für das Dielektrikum, chemisch inert zu sein im Hinblick auf Luft, Feuchtigkeit und anderen chemischen Fremdstoffe, sowie keine chemische Kontaminierung des organischen Halbleiters des OTFTs zu verursachen.
  • Im Hinblick auf elektrische Charakteristika wäre es wünschenswert, für das Dielektrikum, einen hohen spezifischen Widerstand zu haben, um Leckströme zu verhindern, sowie eine hohe dielektrische Konstante k zu haben, um eine hohe Gate-Kapazität zu erhalten und hohe Drain-Ströme zu erreichen. Gleichzeitig wäre es vorteilhaft für das Dielektrikum, eine Oberfläche mit niedrigem k an der Schnittstelle zu dem organischen Halbleiter zu haben, da herausgefunden wurde, dass Dielektrika mit niedrigem k die Morphologie des organischen Halbleiters verbessern und, verglichen mit dielektrischen Oberflächen mit hohem k, eine verringerte Anzahl von Ladungsfallen (charge traps) haben.
  • Nachdem die zahlreichen vorteilhaften Charakteristika, die zu besitzen für ein Dielektrikum vorteilhaft wären, identifiziert wurden, hat der gegenwärtige Anmelder die aus dem Stand der Technik bekannten Anordnungen geprüft und kam zu der Schlussfolgerung, dass keine der aus dem Stand der Technik bekannten Anordnungen allen diesen gewünschten Anforderungen in vollem Maße gerecht werden. Die besten Dielektrika, die in dem im Abschnitt „Hintergrund der Erfindung” diskutierten Stand der Technik offenbart sind, scheinen jene zu sein, die in der US 7,279,777 offenbart sind. Wie zuvor im Abschnitt „Hintergrund der Erfindung” angedeutet wurde, umfassen diese im Wesentlichen nicht-fluorierte Polymere mit Cyanogruppe als funktionelle Gruppe als dielektrische Schichten, welche vorzugsweise eine quervernetzbare Gruppe (crosslinkable group) umfassen. Verschiedene nicht-fluorierte styrolhaltige oberflächenmodifizierende Polymere werden ebenso offenbart zur Verwendung mit den nicht-fluorierten Polymeren mit Cyanogruppe als funktionelle Gruppe. Es ist beschrieben, dass wesentlich höhere Mobilitäten erreicht werden, als für die fluorierten Dielektrika, die in US 6,265,243 beschrieben sind.
  • Der gegenwärtige Anmelder hat erkannt, dass die bevorzugten quer vernetzbaren Polymere, die in US 7,279,777 offenbart sind, jede der identifizierten gewünschten Kriterien erfüllen.
  • Quervernetzbare Polymere weisen im Allgemeinen ein höheres Maß an physikalischer, chemischer und thermischer Robustheit auf, als nicht quer vernetzte Materialien. Obwohl sie einfach aus einer Lösung verarbeitet werden können, macht die Quervernetzung die Schichten unlöslich für weitere Lösungsmittel. Quer vernetzte Polymere können in manchen Fällen auch gute Isoliereigenschaften aufweisen.
  • Die fluorierten Dielektrika, die in US 6,265,243 offenbart sind, besitzen auch viele der erwünschten Charakteristika. Eine Möglichkeit, die der gegenwärtige Anmelder in Erwägung gezogen hat, besteht darin, die Lehren dieser beiden Dokumente zu kombinieren, so dass die in US 7,279,777 offenbarten quervernetzbaren Polymere einer Oberflächenbehandlung mit fluoriertem Silan unterzogen werden. Der gegenwärtige Anmelder hat jedoch erkannt, dass trotz dieser Modifikation nicht sämtliche der erwünschten Anforderungen in vollem Maße erfüllt werden. Stattdessen hat der gegenwärtige Anmelder erkannt, dass es besser wäre, vorteilhaften Eigenschaften von quervernetzten Polymeren, wie z. B. jenen, die in US 7,279,777 offenbart sind, mit den vorteilhaften Eigenschaften von fluorierten Polymeren zu kombinieren.
  • Fluorierte Polymere können einfacher in Lösung verarbeitet werden, als die fluorierten Silane, die in US 6,265,243 offenbart sind, und können einfach aus einer Lösung abgeschieden werden, z. B. durch Rotationsbeschichtung (spin coating) oder durch Tintenstrahldrucken (inkjet printing) ohne darunterliegende Schichten zu beschädigen. Fluorierte Polymere können aus Lösungsmitteln abgeschieden werden wie z. B. aus fluorierten Lösungsmitteln, welche zu jenen Lösungsmitteln, die die meisten organischen Halbleiter lösen, orthogonal sind. Entsprechend werden die organischen Halbleiter nicht wieder aufgelöst, während darauf das fluorierte Polymer in einer Top-Gate-Struktur abgeschieden wird, was zu einer ausgeprägten und hochwertigen Schnittstelle zwischen OSC und Dielektrikum führt. Des Weiteren gewährleisten fluorierte Polymere exzellente Oberflächeneigenschaften, die eine bessere Schnittstelle mit dem organischen Halbleiter zur Verfügung stellen. Insbesondere das Fehlen von polaren Oberflächengruppen und die Widerstandsfähigkeit gegenüber Wasserdampf, der in diese eindringen könnte, führt zu verbesserten OTFT-Eigenschaften.
  • Während US 6,265,243 , die elektrisches Polymermaterial erwähnt das reich an Fluoralkylketten ist, lehrt das Dokument, dass das Dielektrikum durch ein dielektrisches Polymermaterial, das reich an Fluoralkylketten ist, ersetzt werden kann als Alternative zur Behandlung der dielektrischen Oberfläche mit fluoriertem Silan. Folglich führt dieses Dokument von dem vorliegenden erfinderischen Konzept des Anmelders der Kombination der Eigenschaften eines fluorierten Polymers mit denen eines quer vernetzten Polymers weg.
  • Im Lichte des oben Beschriebenen und gemäß einem ersten Aspekt der vorliegenden Erfindung ist ein organischer Dünnfilm-Transistor vorgesehen, der aufweist: ein Substrat; eine Source-Elektrode und eine Drain-Elektrode, die über dem Substrat angeordnet sind mit einer dazwischen liegenden Kanalregion; eine Schicht aus organischem Halbleiter, der in der Kanalregion angeordnet ist; eine Gate-Elektrode; und ein Gate-Dielektrikum, das zwischen der Schicht des organischen Halbleiters und der Gate-Elektrode angeordnet ist, wobei das Gate-Dielektrikum ein quer vernetztes Polymer und ein Fluor enthaltendes Polymer aufweist.
  • Das quer vernetzte Polymer und das Fluor enthaltende Polymer können in separaten Schichten vorgesehen sein, wobei das Fluor enthaltende Polymer zwischen der Schicht des organischen Halbleiters und des quervernetzten Polymers angeordnet ist. Vorzugsweise ist die Schicht des quervernetzten Polymers dicker als die Fluorpolymerschicht. Die Dicke der Schichten ist jedoch von der dielektrischen Konstante der verwendeten Materialien abhängig. Entsprechend kann in manchen Ausführungsbeispielen die Fluorpolymerschicht dicker sein als die Schicht aus quer vernetztem Polymer. Die Fluorpolymerschicht kann eine Schichtdicke im Bereich von 50–300 nm aufweisen. Die Schicht aus quervernetztem Polymer kann eine Schichtdicke im Bereich von 100–300 nm aufweisen.
  • Alternativ kann eine einzige Schicht vorgesehen sein, die sowohl Quervernetzung, als auch Fluor bereitstellt. Die Einzelschicht kann eine Dicke im Bereich von 50–400 nm aufweisen. In der Einzelschicht-Ausführungsform kann die Quervernetzung und das Fluor in separaten Polymeren oder als Mischung bereitgestellt werden oder sie können durch dasselbe Polymer gewährleistet werden, d. h. ein quervernetztes Fluorpolymer. Wenn ein separates, quervernetztes Polymer und ein separates Fluorpolymer vorgesehen sind, kann die Konzentration von quer vernetztem Polymer über das Dielektrikum variieren mit einer höheren Konzentration an Fluorpolymer benachbart zu dem organischen Halbleiter. Das kann dadurch erreicht werden, dass das Polymer aus einer Lösung in einer Mischung abgeschieden wird, und den Polymeren zumindest teilweise eine Trennung der Phasen ermöglicht wird, während das Lösungsmittel verdunstet. Eine teilweise Trennung der Phasen (phase separation) hat eine Einzelschicht zur Folge mit variabler Konzentration der Polymerkomponenten. Eine vollständige Trennung der Phasen hat zur Folge, dass zwei separate Schichten gebildet werden. Alternativ können die beiden Polymere in separaten Schritten abgeschieden werden, eine auf der anderen.
  • Das Fluorpolymer kann einen Wert für k im Bereich von 1,9–2,3 haben.
  • Gemäß einem Ausführungsbeispiel ist der organische Dünnfilm-Transistor ein Bottom-Gate-Transistor, in dem die Gate-Elektrode über dem Substrat angeordnet ist, das Gate-Dielektrikum über der Gate-Elektrode angeordnet ist, und Source- und Drain-Elektroden sowie die Schicht aus organischem Halbleiter über dem Gate-Dielektrikum angeordnet sind.
  • Gemäß einem alternativen Ausführungsbeispiel ist der organische Dünnfilm-Transistor ein Top-Gate-Transistor, in dem Source- und Drain-Elektroden über dem Substrat angeordnet sind, der organische Halbleiter über den Source- und Drain-Elektroden angeordnet ist, das Gate-Dielektrikum über dem organischen Halbleiter angeordnet ist, und die Gate-Elektrode über dem Gate-Dielektrikum angeordnet ist.
  • Es kann auch erforderlich sein, dass das Dielektrikum als isolierender Abstandshalter dient zwischen Reihen und Spalten, die durch die Gate-Metallisierung sowie Source-/Drain-Metallisierung, z. B. in einem licht-emittierenden Display, definiert werden. In diesem Fall kann das Dielektrikum gemäß Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung parasitäre Kapazitäten, Leckströme sowie die Wahrscheinlichkeit von Kurzschlüssen an Reihen-/Spalten-Schnittpunkten verringern. Des Weiteren kann in manchen Bereichen eine spätere Metallisierung, wie z. B. eine Kathoden-Elektrodenschicht in einem licht-emittierenden Display, von der Metallisierung auf dem Substrat durch das Dielektrikum eines Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung genau beabstandet sein.
  • Gemäß einem zweiten Aspekt der vorliegenden Erfindung ist ein Verfahren zum Herstellen eines organischen Dünnfilm-Transistors vom Top-Gate-Typ vorgesehen, wobei das Verfahren aufweist: Bereitstellen eines Substrats umfassend eine Source-Elektrode und eine Drain-Elektrode mit einer dazwischen liegenden Kanalregion; Abscheiden einer Schicht von organischen Halbleiter in der Kanalregion; Abscheiden eines Gate-Dielektrikums über der Schicht aus organischem Halbleiter; und Bilden einer Gate-Elektrode über dem Gate-Dielektrikum, wobei das Gate-Dielektrikum ein quervernetztes Polymer und ein Fluor enthaltendes Polymer umfasst.
  • Gemäß einem dritten Aspekt der vorliegenden Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung eines organischen Dünnfilm-Transistors vom Bottom-Gate-Typ vorgesehen, wobei das Verfahren aufweist: Bereitstellen eines Substrats umfassend eine Gate-Elektrode; Abscheiden eines Gate-Dielektrikums über der Gate-Elektrode; Bilden einer Source-Elektrode und einer Drain-Elektrode über dem Gate-Dielektrikum mit einer dazwischen liegenden Kanalregion; und Abscheiden einer Schicht aus organischem Halbleiter in der Kanalregion, wobei das Gate-Dielektrikum ein quer vernetztes Polymer und ein Fluor enthaltendes Polymer umfasst.
  • Gemäß einem vierten Aspekt der vorliegenden Erfindung ist ein organischer Dünnfilm-Transistor vorgesehen, der aufweist: Ein Substrat; eine Source-Elektrode und eine Drain-Elektrode, die auf dem Substrat mit einer dazwischen liegenden Kanalregion angeordnet sind; eine Schicht aus organischem Halbleiter, die in der Kanalregion angeordnet ist; eine Gate-Elektrode; und ein Gate-Dielektrikum, das zwischen der Schicht aus organischem Halbleiter und der Gate-Elektrode angeordnet ist, wobei das Gate-Dielektrikum ein quervernetztes Polymer aufweist, sowie ein Polymer mit einer Dielektrizitätskonstante k im Bereich von 1,9–2,3.
  • Gemäß einem fünften Aspekt der vorliegenden Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung eines organischen Dünnfilm-Transistors vom Top-Gate-Typ vorgesehen, wobei das Verfahren aufweist: Bereitstellen eines Substrats umfassend eine Source-Elektrode und eine Drain-Elektrode mit einer dazwischen liegenden Kanalregion; Abscheiden einer Schicht aus organischen Halbleiter in der Kanalregion; Abscheiden eines Gate-Dielektrikums über der Schicht aus organischem Halbleiter; und Bilden einer Gate-Elektrode über dem Gate-Dielektrikum, wobei das Gate-Dielektrikum ein quervernetztes Polymer sowie ein Polymer mit einer Dielektrizitätskonstante k im Bereich von 1,9–2,3 aufweist.
  • Gemäß einem sechsten Aspekt der vorliegenden Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung eines organischen Dünnfilm-Transistors vom Bottom-Gate-Typ vorgesehen, wobei das Verfahren aufweist: Bereitstellen eines Substrats umfassend eine Gate-Elektrode; Abscheiden eines Gate-Dielektrikums über der Gate-Elektrode; Bilden einer Source-Elektrode und einer Drain-Elektrode über dem Gate-Dielektrikum mit einer dazwischen liegenden Kanalregion; und Abscheiden einer Schicht aus organischem Halbleiter in der Kanalregion, wobei das Gate-Dielektrikum ein quervernetztes Polymer aufweist sowie ein Polymer mit einer dielektrischen Konstante k im Bereich von 1,9–2,3.
  • Ausführungsbespiele gemäß dem zweiten bis sechsten Aspekt können ein oder mehrere Merkmale aufweisen, die im Zusammenhang mit den Ausführungsbeispielen gemäß dem ersten Aspekt beschrieben wurden.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • Die vorliegende Erfindung wird im Folgenden nun anhand von Beispielen detaillierter und unter Bezugnahme auf die folgenden Zeichnungen beschrieben, in denen:
  • 1 eine organische Dünnfilm-Transistor-Struktur vom Top-Gate-Typ zeigt entsprechend einer aus dem Stand der Technik bekannten Anordnung;
  • 2 eine organische Dünnfilm-Transistor-Struktur vom Bottom-Gate-Typ zeigt entsprechend einer aus dem Stand der Technik bekannten Anordnung;
  • 3 eine organische Dünnfilm-Transistor-Struktur vom Top-Gate-Typ zeigt gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung; und
  • 4 eine organische Dünnfilm-Transistor-Struktur vom Bottom-Gate-Typ zeigt gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.
  • Detaillierte Beschreibung der bevorzugten Ausführungsformen
  • Die Top-Gate-Struktur eines organischen Dünnfilm-Transistors, wie in 3 dargestellt, ist im Wesentlichen die gleiche wie in 1 gezeigt ist, jedoch mit einem Dielektrikum, welches eine erste dielektrische Schicht 10a benachbart zu dem organischen Halbleiter 8 aufweist sowie eine zweite dielektrische Schicht 10b zwischen der ersten dielektrischen Schicht 10a und der Gate-Elektrode 12. Die erste dielektrische Schicht 10a ist ein Fluor enthaltendes Polymer und die zweite dielektrische Schicht 10b in ein quervernetztes Polymer.
  • In ähnlicher Weise ist die Bottom-Gate-Struktur eines organischen Dünnfilm-Transistors, wie in 4 gezeigt, im Wesentlichen die gleiche, wie in 2, jedoch mit einem Dielektrikum, das eine erste dielektrische Schicht 10a benachbart zu dem organischen Halbleiter 8 aufweist sowie eine zweite dielektrische Schicht 10b zwischen der ersten dielektrischen Schicht 10a und der Gate-Elektrode 12. Ebenso ist die erste dielektrische Schicht 10a ein Fluor enthaltendes Polymer und die zweite dielektrische Schicht 10b ein quervernetztes Polymer.
  • Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung sehen ein System mit einem Doppelschicht-Dielektrikum für organische TFTs vor, welches folgendes aufweist:
    • 1. Eine erste dielektrische Fluorpolymerschicht im Kontakt mit dem OSC. Der OTFT-Kanal wird an der Schnittstelle zwischen dem OSC und dieser dielektrischen Schicht mit niedrigem k gebildet. Die Fluorpolymerschicht gewährleistet auch eine gute Widerstandsfähigkeit gegenüber Feuchtigkeit und anderen chemischen Fremdstoffen (so z. B. gegenüber den Nebenprodukten der Quervernetzung der zweiten dielektrischen Schicht) und wird mit Hilfe von orthogonalen Fluor-Lösungsmitteln (fluoro-solvents) auf den OSC abgeschieden.
    • 2. Eine zweite dielektrische Schicht zwischen der ersten dielektrischen Schicht und dem Gate-Metall. Diese Schicht ist ein quervernetztes Material mit exzellenten Dünnfilm-Isolator-Eigenschaften. Diese Schicht reduziert Gate-Leckströme (gate leakage) und verbessert die physikalische Robustheit. Die zweite dielektrische Schicht wird auch so gewählt, dass sie eine höhere Oberflächenenergie aufweist als das Fluorpolymer, um die Adhäsion des Gate-Metalls an der dielektrischen Oberfläche zu unterstützen.
  • Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung ermöglichen die Vorteile von Fluorpolymeren (Stabilität, orthogonale Lösungsmittel, niedriges k) in Kombination mit jenen der quer vernetzten Materialien (hoher Widerstand, Robustheit). Gleichzeitig lindert die Erfindung die Nachteile von Fluorpolymer-Dielektrika (erhöhte Gate-Leckströme, schwache Adhäsion zum Gate) sowie von quervernetzten Materialien (Wechselwirkung von Quervernetzungs-Nebenprodukten mit dem OSC).
  • Fluorpolymere sind vielversprechende Dielektrika für organische TFTs (thin film transistors) aus unterschiedlichen Gründen
    • 1. Die Oberfläche mit niedrigem k führt zu einer verbesserten Stabilität und einer reduzierten Empfindlichkeit z. B. gegenüber Umgebungsfeuchtigkeit, welche die OTFT-Performance beeinträchtigen kann.
    • 2. Da sich Fluorpolymere in fluorierten Lösungsmitteln auflösen, welche orthogonal zu jenen Lösungsmitteln sind, welche die meisten OSCs auflösen, können Top-Gate-OTFTs in einfacher Weise hergestellt werden ohne den OSC wieder aufzulösen, was zu einer qualitativ hochwertigen Schnittstelle zwischen OSC und Dielektrikum führt.
    • 3. Spezifisch für den Bottom-Gate-Typ können Dielektrika mit niedrigem k auch die Morphologie von OSC-Materialien verbessern, welche auf diesen abgeschieden werden. Die Oberfläche mit kleinem Kontaktwinkel verhindert das Anhaften (pinning) von OSC-Molekülen an der Oberfläche was deren Freiheit zur Kristallisierung erhöht.
  • Die Verwendung von Fluorpolymer-Dielektrika verursacht jedoch auch Probleme, u. a.:
    • 1. Obwohl Fluorpolymere im Allgemeinen für ihren hohen spezifischen Widerstand bekannt sind, hat der gegenwärtige Anmelder herausgefunden, dass erhöhte Gate-Leckströme auftreten, wenn gewisse fluorierte Dielektrika verwendet werden. Dies kann auf Pinholes in den dünn-abgeschiedenen dielektrischen Fluorpolymer-Filmen zurückzuführen sein oder auf Rückstände von Fluor-Lösungsmitteln, die vom Abscheideprozess übrig geblieben sind.
    • 2. Die geringe Oberflächenenergie von Fluorpolymeren gibt Anlass zu dem Problem der Adhäsion von Gate-Metall an der Oberfläche des Gate-Dielektrikums.
  • Im Gegensatz dazu hat der gegenwärtige Anmelder herausgefunden, dass quervernetzte Dielektrika typischerweise reduzierte Gate-Leckströme hervorrufen. Quervernetzte Dielektrika werden in Bottom-Gate-Bauelementen häufiger verwendet, in denen das Dielektrikum vor der Abscheidung des OSC verarbeitet wird. D. h. teilweise aufgrund der Tatsache, dass die Nebenprodukte der Quervernetzungsreaktion den OSC beschädigen können, wenn das Dielektrikum in einem Top-Gate-Bauelement verwendet wird, insbesondere die OSC-Dielektrikum-Schnittstelle.
  • Das Doppelschicht-Dielektrikum-System gemäß Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung verhindert die oben genannten Probleme während sämtliche Vorteile erhalten bleiben. Ein Verfahren zur Bildung eines OTFT mit Top-Gate-Architektur beinhaltet die folgenden Schritte:
    • 1. OSC wird auf einem Substrat abgeschieden mit vordefinierten Source-/Drain-Kontakten. Das Substrat kann eine Testzelle oder ein Rückseitenfeld (backplane array) aufweisen. Trocknen und Tempern werden durchgeführt, sofern notwendig für den jeweiligen OSC.
    • 2. Die erste dielektrische Schicht wird auf dem OSC abgeschieden durch beispielsweise Rotationsbeschichten (spin coating) oder Tintenstrahldrucken (inkjet printing). Das erste Dielektrikum ist vorzugsweise ein fluoriertes Polymer wie z. B. Teflon oder CYTOP, welches aus einem fluorierten Lösungsmittel abgeschieden wird. Ein Trocknungsschritt kann notwendig sein, um das Lösungsmittel zu entfernen.
    • 3. Eine dazwischenliegende Schicht zur Unterstützung der Adhäsion kann zwischen dem ersten und dem zweiten Dielektrikum vorgesehen sein. Ein Beispiel einer solchen Adhäsionsunterstützungsschicht ist PVB (Polyvinylbutyral).
    • 4. Die zweite dielektrische Schicht wird auf der ersten dielektrischen Schicht abgeschieden. Diese Schicht ist eine quervernetzte Schicht wie z. B. BCB (Benzocyclobuten), quer vernetztes PVP (quervernetzt mit z. B. Dichlorsilanen oder Poly-Melamin-Formaldehyd) oder einem auf Polynorbornen basierten System. Die erste Schicht aus Fluorpolymer schützt den OSC vor Beschädigung durch Nebenprodukte des Quervernetzungsprozesses. Die Quervernetzung kann thermisch getrieben sein (niedrige Temperaturen sind bevorzugt, um Schäden am OSC und am Fluorpolymer-Dielektrikum zu verringern), chemisch oder durch elektromagnetische Strahlung wie z. B. UV oder IR.
    • 5. Das Gate-Metall wird abgeschieden auf der zweiten Dielektrikumsschicht.
  • In einer alternativen Anordnung kann ein quervernetztes Fluorpolymer beide Funktionen der beiden oben beschriebenen Schichten gewährleisten. Ein geeignetes Material ist Poly(Pentafluorostyrol-co-Glycidyl Methacrylat):
    Figure 00180001
  • Das organische halbleitende Material kann als Lösung verarbeitbar sein, so dass es aus einer Lösung z. B. durch Rotationsbeschichten (spin coating) oder Tintenstrahldrucken (inkjet printing) abgeschieden werden kann entweder direkt oder in Form eines Präkursors. Das organische halbleitende Material kann ein Polymer, Oligomer oder Dendrimer umfassen, da diese sich als in Lösung gut verarbeitbar herausgestellt haben. OSC-Materialien mit kleinen Molekülen wie z. B. lösliche Pentacen-Derivate können auch verwendet werden. Viele solcher halbleitender Materialien sind bekannt, z. B. konjugierte Polymere, die in organischen licht-emittierenden Bauteilen verwendet werden. Der OSC kann auch durch Abscheidung in Vakuum (vacuum deposition) abgeschieden werden, was verwendet wird, um Pentacen abzuscheiden.
  • Die Gate-Elektrode kann gedruckt oder unter Verwendung anderer bekannter einfacher Strukturierungstechniken abgeschieden werden.
  • Das Doppelschicht-Dielektrikum kann verwendet werden, um Leiterbahn-Leckströme (track leakages) zwischen Metallisierungen in niedrigeren und höheren Ebenen in Bauteilen wie z. B. einem Display zu reduzieren (z. B. einem organischen licht-emittierenden Display mit aktiver Matrix).
  • Weitere Details betreffend Materialien und Prozesse, die auf die Erfindung anwendbar sind, werden im Folgenden dargelegt.
  • Substrat
  • Das Substrat kann starr oder flexibel sein. Starre Substrate können ausgewählt werden aus Glas oder Silizium und flexible Substrate können dünnes Glas oder Kunststoff wie z. B. Polyethylenterephthalat (PET), Polyethylennaphthalat (PEN), Polycarbonat und Polyimid.
  • Die organischen Halbleitermaterialien können in Lösung verarbeitbar gemacht werden durch die Verwendung eines geeigneten Lösungsmittels. Beispielhafte Lösungsmittel umfassen Mono- oder Polyalkylbenzole wie z. B. Toluol und Xylol, Tetrahydronaphthalin (Tetralin), und Trichlormethan (Chloroform). Bevorzugte Techniken zum Abscheiden aus Lösungen umfassen Rotationsbeschichen (spin coating) und Tintenstrahldrucken (inkjet printing). Andere Techniken zum Abscheiden aus Lösungsmitteln umfassen Tauchbeschichten; Walzendruck (roll printing) und Siebdruck (screen printing). In Fällen, in denen eine Lösung von einer Düse abgegeben wird, kann der Druckprozess entweder kontinuierlich oder diskontinuierlich sein. z. B. wird in einem kontinuierlichen Prozess ein kontinuierlicher Streifen von organischem Halbleitermaterial aus einer Düse abgegeben, wohingegen in einem diskontinuierlichen Druckprozess diskrete Tropfen von einer Düse abgegeben werden.
  • Organische Halbleitermaterialien
  • Bevorzugte organische Halbleitermaterialien umfassen kleine Moleküle wie z. B. optional substituierte Pentacene; optional substituierte Polymere wie z. B. Polyarylen, insbesondere Polyfluoren und Polythiophen, sowie Oligomere. Mischungen von Materialien sowie Mischungen von unterschiedlichem Materialtypen (z. B. ein Polymer und eine Mischung kleiner Moleküle) können verwendet werden.
  • Source- und Drain-Elektroden
  • Für einen p-Kanal-OTFT umfassen die Source- und Drain-Elektroden vorzugsweise ein Material mit hoher Austrittsarbeit, bevorzugt ein Metall mit einer Austrittsarbeit größer als 3,5 eV, z. B. Gold, Platin, Paladium, Molybdän, Wolfram oder Chrom. Besonders bevorzugt hat das Metall eine Austrittsarbeit im Bereich von 4,5 bis 5,5 eV. Andere geeignete Verbindungen, Legierungen und Oxide wie z. B. Molybdäntrioxid und Indiumzinnoxid können ebenso verwendet werden. Die Source- und Drain-Elektroden können durch thermische Verdampfung abgeschieden werden und strukturiert unter Verwendung von Standard-Photolithographie- und Abtragungstechniken, die im Stand der Technik bekannt sind. Eine selbstassemblierte Einzelschicht oder eine andere Oberflächenbehandlung kann auf die Source-Drain-Kontakte angewandt werden, um die Ladungsträgerinjektion zu verbessern.
  • Alternativ können leitfähige Polymere als Source- und Drain-Elektroden abgeschieden werden. Ein Beispiel für solche leitfähige Polymere ist Poly-(Ethylen-Dioxythiophen) (PEDOT), obwohl auch andere leitfähige Polymere aus dem Stand der Technik bekannt sind. Solche leitfähigen Polymere können aus einer Lösung abgeschieden werden unter Verwendung von z. B. Rotationsbeschichtung (spin coating) oder Tintenstrahldruckverfahren (inkjet printing techniques) oder anderen Techniken zur Abscheidung aus Lösungen, wie bereits weiter oben diskutiert.
  • Für einen n-Kanal-OTFT umfassen die Source- und Drain-Elektroden bevorzugt ein Material, z. B. ein Metall mit einer Austrittsarbeit von weniger als 3,5 eV wie z. B. Kalzium oder Barium oder eine dünne Schicht einer Metallverbindung, insbesondere einem Oxid oder einem Fluorid eines Alkalimetalls oder eines Erdalkalimetalls wie z. B. Lithiumfluorid, Bariumfluorid und Bariumoxid. Alternativ können leitfähige Polymere als Source-Elektroden und Drain-Elektroden abgeschieden werden. Die Source- und Drain-Elektroden werden bevorzugt aus dem gleichen Material gefertigt, um die Herstellung zu vereinfachen. Es ist jedoch festzuhalten, dass Source- und Drain-Elektroden aus unterschiedlichen Materialien gebildet werden können zur Optimierung der Ladungsträgerinjektion bzw. -extraktion.
  • Die Länge des zwischen Source- und Drain-Elektrode definierten Kanals kann bis zu 500 μm betragen, ist bevorzugt aber kleiner als 200 μm, besonders bevorzugt kleiner als 100 μm, am meisten bevorzugt kleiner als 20 μm.
  • Gate-Elektrode
  • Die Gate-Elektrode kann ausgewählt werden aus einem großen Bereich von leitfähigen Materialien z. B. einem Metall (z. B. Gold) oder einer Metallverbindung (z. B. Indiumzinnoxid). Alternativ können leitfähige Polymere als Gate-Elektrode abgeschieden werden. Solche leitfähigen Polymere können aus einer Lösung abgeschieden werden unter Verwendung von z. B. Rotationsbeschichtung (spin coating) oder Tintenstrahldruckverfahren (inkjet printing techniques) oder anderen Verfahren zur Abscheidung aus Lösungen wie bereits oben diskutiert.
  • Die Dicken der Gate-Elektrode, der Source- und Drain-Elektroden kann im Bereich von 5–200 nm liegen, obwohl typischerweise 50 nm z. B. mit Hilfe von Atomkraftmikroskopie (AFM) gemessen werden.
  • Weitere Schichten
  • Andere Schichten können in der Bauteil-Architektur inkludiert sein. z. B. kann ein selbstassemblierter Monolayer (SAM) auf dem Gate, den Source- oder Drain-Elektroden, dem Substrat, dem Dielektrikum oder dem organischen Halbleitermaterial abgeschieden werden, um die Kristallinität zu unterstützen, den Kontaktwiderstand zu reduzieren, Oberflächencharakteristika zu reparieren und Adhäsion zu unterstützen, wo es erforderlich ist. Beispielhafte Materialien für einen solchen Monolayer umfassen Chlorsilan oder Alkoxysilan mit langen Alkyl-Ketten, z. B. Octadecyltrichlorsilan.
  • OTFT-Anwendungen
  • OTFTs gemäß den Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung haben einen weiten Bereich von möglichen Anwendungen. Eine derartige Anwendung ist es, Pixel in einem optischen Gerät anzusteuern, bevorzugt in einem organischen optischen Gerät. OTFTs sind speziell geeignet zur Verwendung in organischen Licht emittierenden Geräten mit aktiver Matrix, z. B. zur Verwendung in Bildschirmanwendungen. Ein organisches Licht emittierendes Gerät umfasst eine Anode, eine Kathode, und eine Schicht umfassend ein dazwischen liegendes organisches lichtemittierendes Material, welches Licht emittiert, wenn eine Potentialdifferenz über Anode und Kathode angelegt wird. Zusätzlich zu der Schicht aus Licht emittierendem Material können Ladung transportierende oder blockierende Schichten oder Exciton blockierende Schichten zwischen Anode und Kathode vorgesehen werden.
  • Zusätzlich können OTFTs in einer aktiven Matrix eines Photodetektor-Feldes unter Verwendung organischer photoempfindlicher Bauelemente angewendet werden. Solch ein Feld kann als Bildscanner oder als bildgebendes Röntgengerät verwendet werden, wenn es zusammen mit einem Scintillator-Material verwendet wird.
  • Organische Dünnfilm-Transistoren gemäß Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung haben viele gemeinsame strukturelle Merkmale mit organischen Licht emittierenden Displays und können unter Verwendung ähnlicher Techniken und Materialien gebildet werden. Z. B. kann das Dielektrikum der vorliegenden Erfindung aus demselben Material gebildet werden, das auch für Bank-Strukturen verwendet wird, welche Pixel eines organischen Licht emittierenden Displays definieren und können folglich als eine gemeinsame Schicht gebildet werden. Folglich können gemäß einer vorteilhaften Anordnung die Dünnfilm-Transistoren und die organischen Licht emittierenden Pixel einer aktiven Matrix eines organischen Licht emittierenden Displays auf einem gemeinsamen Substrat gebildet werden und das hier beschriebene Dielektrikum bildet die Bank-Struktur für die organischen Licht emittierenden Pixel.
  • Es wird festgehalten, dass die Pixel-Schaltungen, die einen OTFT und eine optisch aktive Pixelfläche (z. B. Licht emittierende oder lichtempfindliche Pixelflächen) umfassen weitere Elemente umfassen können. Insbesondere kann eine OLED-Pixelschaltung einen OTFT gemäß der vorliegenden Erfindung als Treibertransistor aufweisen und wird typischerweise zumindest einen weiteren (organischen oder nicht-organischen) Transistor zusätzlich zu dem Treibertransistor sowie zumindest einen Kondensator umfassen.
  • Nachdem sich die Erfindung genau dargestellt und unter Bezugnahme auf bevorzugte Ausführungsformen beschrieben wurde wird ein Fachmann verstehen, dass zahlreiche Änderungen in Form und Detail gemacht werden können, ohne vom Schutzbereich der Erfindung, wie er durch die nachfolgenden Ansprüche definiert wird, abzuweichen.
  • Zusammenfassung
  • Organische Dünnfilm-Transistoren
  • Ein organischer Dünnfilm-Transistor weist auf: Ein Substrat; eine Source-Elektrode und eine Drain-Elektrode, die über dem Substrat mit einer dazwischen liegenden Kanalregion angeordnet ist; eine Schicht aus organischem Halbleiter, die in der Kanalregion angeordnet ist; eine Gate-Elektrode; und ein Gate-Dielektrikum, das zwischen der Schicht aus organischem Halbleiter und der Gate-Elektrode angeordnet ist, wobei das Gate-Dielektrikum ein quervernetztes Polymer sowie ein Fluor enthaltendes Polymer aufweist.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • US 6265243 [0015, 0017, 0017, 0023, 0026, 0027, 0028]
    • US 7279777 [0017, 0023, 0024, 0026, 0026]
  • Zitierte Nicht-Patentliteratur
    • Applied Physics Letters, Band 85, Nr. 12, Seite 2283 (2004) [0016]

Claims (13)

  1. Organischer Dünnfilm-Transistor der aufweist: ein Substrat; eine Source-Elektrode und eine Drain-Elektrode, die über dem Substrat mit einer dazwischen liegenden Kanalregion angeordnet sind; eine Schicht aus organischen Halbleitern, die in der Kanalregion angeordnet ist; eine Gate-Elektrode; und ein Gate-Dielektrikum, das zwischen der Schicht aus organischem Halbleiter und der Gate-Elektrode angeordnet ist, wobei das Gate-Dielektrikum ein quervernetztes Polymer sowie ein Fluor enthaltendes Polymer umfasst, wobei das Gate-Dielektrikum eine einzige Schicht aufweist, umfassend sowohl das quervernetzte Polymer, als auch das Fluor enthaltende Polymer, und wobei das quervernetzte Polymer und das Fluor enthaltende Polymer als separate Polymere vorgesehen sind.
  2. Ein organischer Dünnfilm-Transistor gemäß Anspruch 1, wobei das quer ernetzte Polymer und das Fluor enthaltende Polymer in ihrer Konzentration über das Gate-Dielektrikum variieren, wobei die Konzentration von Fluor enthaltendem Polymer benachbart zu dem organischen Halbleiter höher und dessen Konzentration mit zunehmendem Abstand von der Schicht aus organischem Halbleiter abnimmt.
  3. Ein organischer Dünnfilm-Transistor gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der organische Dünnfilm-Transistor ein Bottom-Gate-Transistor ist, bei dem die Gate-Elektrode über dem Substrat angeordnet, das Gate-Dielektrikum über der Gate-Elektrode und Source- und Drain-Elektroden sowie die Schicht aus organischen Halbleitern über dem Gate-Dielektrikum angeordnet sind.
  4. Ein organischer Dünnfilm-Transistor gemäß Anspruch 1 oder Anspruch 2, wobei der organische Dünnfilm-Transistor ein Top-Gate-Transistor ist, bei dem Source- und Drain-Elektroden über dem Substrat angeordnet, der organische Halbleiter über den Source- bzw. Drain-Elektroden angeordnet, das Gate-Dielektrikum über dem organischen Halbleiter angeordnet, und die Gate-Elektrode über dem Gate-Dielektrikum angeordnet ist.
  5. Ein Verfahren zur Herstellung eines organischen Dünnfilm-Transistors vom Top-Gate-Typ, das Verfahren weist auf: Bereitstellen eines Substrats umfassend eine Source-Elektrode und eine Drain-Elektrode mit einer dazwischen liegenden Kanalregion; Abscheiden einer Schicht aus organischem Halbleiter in der Kanalregion; Abscheiden eines Gate-Dielektrikums über der Schicht aus organischem Halbleiter; und Bilden einer Gate-Elektrode über dem Gate-Dielektrikum, wobei das Gate-Dielektrikum ein quervernetztes Polymer und ein Fluor enthaltendes Polymer aufweist, wobei das Gate-Dielektrikum eine einzige Schicht aufweist, die sowohl das quervernetzte Polymer, als auch das Fluor enthaltende Polymer umfasst und wobei das quervernetzte Polymer und das Fluor enthaltende Polymer als separate Polymere vorgesehen sind.
  6. Ein Verfahren zur Herstellung eines organischen Dünnfilm-Transistors vom Bottom-Gate-Typ, das Verfahren weist auf: Bereitstellen eines Substrats umfassend eine Gate-Elektrode; Abscheiden eines Gate-Dielektrikums über der Gate-Elektrode; Bilden einer Source-Elektrode und einer Drain-Elektrode über dem Gate-Dielektrikum mit einer dazwischen liegenden Kanalregion; und Abscheiden einer Schicht aus organischem Halbleiter in der Kanalregion, wobei das Gate-Dielektrikum ein quervernetztes Polymer und ein Fluor enthaltendes Polymer aufweist, wobei das Gate-Dielektrikum eine einzige Schicht aufweist, das sowohl das quervernetzte Polymer, als auch das Fluor enthaltende Polymer umfasst und wobei das quervernetzte Polymer und das Fluor enthaltende Polymer als separate Polymere vorgesehen sind.
  7. Die Verfahren gemäß Anspruch 5 oder 6, wobei ein quervernetztes Polymer und das Fluor enthaltende Polymer als Mischung aus einer Lösung abgeschieden werden.
  8. Ein Verfahren gemäß Anspruch 7, wobei das quervernetzte Polymer und das Fluor enthaltende Polymer nach Abscheidung teilweise in getrennte Phasen separieren.
  9. Ein Verfahren gemäß eines der Ansprüche 7 oder 8, wobei das quervernetzte Polymer nach Abscheidung quervernetzt wird, um das quervernetzte Polymer zu bilden.
  10. Ein Verfahren gemäß einem der Ansprüche 7 bis 9, wobei das Fluor enthaltende Polymer und der organische Halbleiter aus orthogonalen Lösungsmitteln abgeschieden werden.
  11. Ein organischer Dünnfilm-Transistor, der aufweist: ein Substrat, eine Source-Elektrode und eine Drain-Elektrode, die über dem Substrat mit einer dazwischen liegenden Kanalregion angeordnet sind; eine Schicht aus organischem Halbleiter, die in der Kanalregion angeordnet ist; eine Gate-Elektrode; und ein Gate-Dielektrikum, das zwischen der Schicht aus organischem Halbleiter und der Gate-Elektrode angeordnet ist, wobei das Gate-Dielektrikum ein quervernetztes Polymer sowie ein Polymer aufweist, das eine Dielektrizitätskonstante k im Bereich von 1,9 bis 2,3 hat, wobei das Gate-Dielektrikum eine einzige Schicht aufweist, umfassend das quervernetzte Polymer und das Polymer mit einer Dielektrizitätskonstante k im Bereich von 1,9 bis 2,3, und wobei das quervernetzte Polymer und das Polymer mit einer Dielektrizitätskonstante k im Bereich von 1,9 bis 2,3 als separate Polymere vorgesehen sind.
  12. Ein Verfahren zur Herstellung eines organischen Dünnfilm-Transistors vom Top-Gate-Typ, das Verfahren weist auf: Bereitstellen eines Substrats umfassend eine Source-Elektrode und eine Drain-Elektrode mit einer dazwischen liegenden Kanalregion; Abscheiden einer Schicht aus organischem Halbleiter in der Kanalregion; Abscheiden eines Gate-Dielektrikums über der Schicht aus organischem Halbleiter; und Bilden einer Gate-Elektrode über dem Gate-Dielektrikum, wobei das Gate-Dielektrikum ein quervernetztes Polymer und ein Polymer mit einer Dielektrizitätskonstante k im Bereich von 1,9 bis 2,3 aufweist, wobei das Gate-Dielektrikum eine einzige Schicht aufweist, das sowohl das quervernetzte Polymer als auch das Polymer mit einer Dielektrizitätskonstante k im Bereich von 1,9 bis 2,3 aufweist, und wobei das quervernetztes Polymer und das Polymer mit einer Dielektrizitätskonstante k im Bereich von 1,9 bis 2,3 als separate Polymere vorgesehen sind.
  13. Ein Verfahren zum Herstellen eines organischen Dünnfilm-Transistors vom Bottom-Gate-Typ, das Verfahren weist auf: Bereitstellen eines Substrats umfassend eine Gate-Elektrode; Abscheiden eines Gate-Dielektrikums über der Gate-Elektrode; Bilden einer Source-Elektrode und einer Drain-Elektrode über dem Gate-Dielektrikum mit einer dazwischen liegenden Kanalregion; und Abscheiden einer Schicht aus organischem Halbleiter in der Kanalregion, wobei das Gate-Dielektrikum ein quervernetztes Polymer und ein Polymer mit einer Dielektrizitätskonstante k im Bereich von 1,9 bis 2,3 umfasst, wobei das Gate-Dielektrikum eine einzige Schicht aufweist, die sowohl das quervernetzte Polymer, als auch das Polymer mit einer Dielektrizitätskonstante k im Bereich von 1,9 bis 2,3 umfasst, und wobei das quervernetzte Polymer und das Polymer mit einer Dielektrizitätskonstante k im Bereich von 1,9 bis 2,3 als separate Polymere vorgesehen sind.
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Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2474827A (en) * 2009-08-04 2011-05-04 Cambridge Display Tech Ltd Surface modification
KR20120105471A (ko) * 2009-11-17 2012-09-25 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 광 및 열 에너지 가교성 유기 박막 트랜지스터 절연층 재료
WO2011125690A1 (ja) * 2010-04-01 2011-10-13 住友化学株式会社 フッ素系有機化合物溶媒を含む有機薄膜トランジスタ絶縁層用組成物
WO2011125691A1 (ja) * 2010-04-01 2011-10-13 住友化学株式会社 有機薄膜トランジスタ絶縁層用樹脂組成物、オーバーコート絶縁層及び有機薄膜トランジスタ
JP5652005B2 (ja) * 2010-06-03 2015-01-14 ソニー株式会社 薄膜トランジスタおよびその製造方法、ならびに電子機器
JP5939664B2 (ja) * 2012-01-24 2016-06-22 ウシオケミックス株式会社 クリセン化合物を使用した有機半導体デバイス。
US20130199831A1 (en) * 2012-02-06 2013-08-08 Christopher Morris Electromagnetic field assisted self-assembly with formation of electrical contacts
US8692238B2 (en) 2012-04-25 2014-04-08 Eastman Kodak Company Semiconductor devices and methods of preparation
US9935152B2 (en) 2012-12-27 2018-04-03 General Electric Company X-ray detector having improved noise performance
US9343233B2 (en) * 2013-04-11 2016-05-17 Georgia Tech Research Corporation Additively deposited electronic components and methods for producing the same
US20150034910A1 (en) * 2013-07-31 2015-02-05 General Electric Company Organic x-ray detector
US9917133B2 (en) 2013-12-12 2018-03-13 General Electric Company Optoelectronic device with flexible substrate
US10732131B2 (en) 2014-03-13 2020-08-04 General Electric Company Curved digital X-ray detector for weld inspection
JP6273374B2 (ja) * 2014-09-18 2018-01-31 富士フイルム株式会社 トランジスタ、および、トランジスタの製造方法
CN104637823B (zh) * 2015-02-06 2019-07-16 京东方科技集团股份有限公司 薄膜晶体管的制备方法及薄膜晶体管、阵列基板
EP3467812A4 (de) 2016-06-02 2019-12-18 Changchun Flexible Display Technology Co., Ltd. Oled-steuerkreis und herstellungsverfahren dafür sowie anzeigevorrichtung
CN106226378B (zh) * 2016-07-13 2019-03-12 电子科技大学 一种嵌有含氟聚合物的二氧化氮传感器及其制备方法
CN110730791B (zh) 2017-06-08 2022-10-21 康宁股份有限公司 在有机半导体聚合物中掺杂其他聚合物
CN109148685B (zh) * 2017-06-15 2020-07-24 北京大学深圳研究生院 一种高介电常数的复合材料及其应用
KR102091427B1 (ko) * 2018-10-08 2020-04-23 한밭대학교 산학협력단 유기반도체의 전하 주입과 추출 향상을 위한 비대칭 유기반도체층과 전극의 결합 구조와 그 유기전자소자 제조방법
KR102325698B1 (ko) * 2020-02-27 2021-11-15 인하대학교 산학협력단 신축성 전극 잉크 조성물, 이를 이용한 신축성 전극 및 박막 트랜지스터의 제조방법
CN112054088A (zh) * 2020-08-28 2020-12-08 深圳中芯光宇科技有限公司 基于场效应晶体管结构的x射线探测器及其制备方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6265243B1 (en) 1999-03-29 2001-07-24 Lucent Technologies Inc. Process for fabricating organic circuits
US7279777B2 (en) 2003-05-08 2007-10-09 3M Innovative Properties Company Organic polymers, laminates, and capacitors

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2664430B1 (fr) 1990-07-04 1992-09-18 Centre Nat Rech Scient Transistor a effet de champ en couche mince de structure mis, dont l'isolant et le semiconducteur sont realises en materiaux organiques.
DE10105914C1 (de) * 2001-02-09 2002-10-10 Siemens Ag Organischer Feldeffekt-Transistor mit fotostrukturiertem Gate-Dielektrikum und ein Verfahren zu dessen Erzeugung
EP2204861A1 (de) 2001-12-19 2010-07-07 Merck Patent GmbH Elektronische Geräte
US7098525B2 (en) * 2003-05-08 2006-08-29 3M Innovative Properties Company Organic polymers, electronic devices, and methods
US7884355B2 (en) * 2003-05-12 2011-02-08 Cambridge Enterprise Ltd Polymer transistor
JP4629997B2 (ja) 2003-06-02 2011-02-09 株式会社リコー 薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタアレイ
KR20050058062A (ko) * 2003-12-11 2005-06-16 삼성전자주식회사 유기절연막 형성용 조성물 및 이를 사용하여 제조된유기절연막
GB0402559D0 (en) 2004-02-05 2004-03-10 Cambridge Display Tech Ltd Molecular electronic device fabrication methods and structures
US7326672B2 (en) 2004-07-29 2008-02-05 Vivek Subramanian Substantially enzyme free personal wash compositions comprising non-silicates with basal layer cationic charge
JP4167287B2 (ja) * 2004-08-20 2008-10-15 松下電器産業株式会社 電界効果トランジスタの製造方法
KR101086159B1 (ko) * 2005-01-07 2011-11-25 삼성전자주식회사 불소계 고분자 박막을 포함하는 유기 박막 트랜지스터
JP4914828B2 (ja) * 2005-03-28 2012-04-11 パイオニア株式会社 ゲート絶縁膜、有機トランジスタ、有機ｅｌ表示装置の製造方法、ディスプレイ
WO2007023272A1 (en) 2005-08-23 2007-03-01 Cambridge Display Technology Limited Organic electronic device structures and fabrication methods
US20070075308A1 (en) * 2005-09-30 2007-04-05 Florian Dotz Active semiconductor devices
KR101186725B1 (ko) * 2006-02-21 2012-09-28 삼성전자주식회사 불소계 고분자 박막을 포함하는 유기 박막 트랜지스터 및 이의 제조방법
US8080822B2 (en) * 2006-05-22 2011-12-20 Nanyang Technological University Solution-processed inorganic films for organic thin film transistors
US7919825B2 (en) * 2006-06-02 2011-04-05 Air Products And Chemicals, Inc. Thin film transistors with poly(arylene ether) polymers as gate dielectrics and passivation layers
US7754510B2 (en) * 2007-04-02 2010-07-13 Xerox Corporation Phase-separated dielectric structure fabrication process
US7795614B2 (en) 2007-04-02 2010-09-14 Xerox Corporation Device with phase-separated dielectric structure

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6265243B1 (en) 1999-03-29 2001-07-24 Lucent Technologies Inc. Process for fabricating organic circuits
US7279777B2 (en) 2003-05-08 2007-10-09 3M Innovative Properties Company Organic polymers, laminates, and capacitors

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Applied Physics Letters, Band 85, Nr. 12, Seite 2283 (2004)

Also Published As

Publication number Publication date
GB2458940A (en) 2009-10-07
JP2011517075A (ja) 2011-05-26
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