DE112008001006T5 - Verfahren und Vorrichtung zum Prüfen vereinzelter Halbleiterchips - Google Patents

Verfahren und Vorrichtung zum Prüfen vereinzelter Halbleiterchips Download PDF

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Alan D. San Carlos Hart
Erik San Jose Volkerink
Gayn San Jose Erickson
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Verigy Singapore Pte Ltd
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Abstract

Ein Verfahren zum Prüfen von Siliziumwafern, wobei das Verfahren folgende Schritte aufweist:
Erhalten eines ersten Siliziumwafers mit einer ersten Mehrzahl von Halbleiterchips;
Erhalten eines zweiten Siliziumwafers mit einer zweiten Mehrzahl von Halbleiterchips;
Vereinzeln der ersten Mehrzahl von Halbleiterchips von dem ersten Wafer, um einen ersten Satz von vereinzelten Halbleiterchips zu bilden;
Vereinzeln der zweiten Mehrzahl von Halbleiterchips von dem zweiten Wafer, um einen zweiten Satz von vereinzelten Halbleiterchips zu bilden;
Anordnen des ersten Satzes von vereinzelten Halbleiterchips und des zweiten Satzes von vereinzelten Halbleiterchips zusammen an einer Trägeroberfläche in einer kombinierten Halbleiterchipanordnung, wobei die kombinierte Halbleiterchipanordnung eine Gesamtanzahl von Halbleiterchips aufweist, die die Anzahl von Halbleiterchips übersteigt, die an dem ersten Siliziumwafer gebildet waren;
Prüfen der kombinierten Halbleiterchipanordnung als Teil einer einzigen Prüfsequenz.

Description

  • Hintergrund
  • Halbleiterschaltungen werden typischerweise unter Verwendung von Siliziumwafern hergestellt, wobei mehrere einzelne Schaltungen an der Oberfläche des Siliziumwafers gefertigt sind. Dies ermöglicht eine Massenproduktion von Schaltungen an einzelnen Halbleiterchips (Dies), die auf einen Abschluss des Herstellungsprozesses hin von dem Siliziumwafer getrennt und in Chipträgern platziert werden können. Somit ist jeder Siliziumwafer aus mehreren einzelnen Halbleiterchips gebildet, wobei jeder Halbleiterchip eine eigene Schaltung umfasst.
  • Das Prüfen (Testen) eines Siliziumwafers betraf typischerweise ein Prüfen des Wafers, während sich derselbe immer noch in der vollständigen Waferform desselben befindet. Somit wird jeder Halbleiterchip geprüft, während derselbe immer noch ein Teil des Wafers ist. Einiges Prüfen kann stattfinden, nachdem die Halbleiterchips von dem Wafer getrennt sind; ein derartiges Prüfen betraf jedoch nicht das Prüfen mehrerer Halbleiterchips zu der gleichen Zeit.
  • Das Prüfen eines Siliziumwafers ist häufig ein sehr komplizierter und zeitraubender Prozess. Folglich kann dasselbe für einen erheblichen Prozentsatz der Kosten verantwortlich sein, die bei einem Herstellen einer Schaltung betroffen sind. Heutzutage wird das meiste Prüfen durch ein Prüfen von Schaltungen implementiert, während dieselben immer noch ein Teil des Siliziumwafers sind. Die enge Nähe der einzelnen Halbleiterchips bewirkt jedoch häufig Probleme. Aufgrund der Notwendigkeit eines Koppelns von Eingangs- und Ausgangsleitungen mit diesen einzelnen Halbleiterchips an dem Wafer, um Prüfroutinen auszuführen, ist es beispielsweise schwierig, alle der Eingangs- und Ausgangsleitungen in die erwünschte Oberflächenfläche einer Prüfschnittstelle zu verdichten. Somit ist es schwierig, einen Wafer, der aus mehreren Halbleiterchips gebildet ist, mit einem einzigen Aufsetzen (Touch-Down) einer Prüfschnittstelle (auch als eine Sondenkarte bekannt, wenn bei Wafern verwendet) zu prüfen. Die Prüfschnittstelle ist nämlich in derartigen Situationen nicht in der Lage, die nötigen Kontakt- oder Kopplungspunkte mit allen Halbleiterchips herzustellen, die von einer einzigen Position aus geprüft werden sollen.
  • Bei einigen aktuellen Prüfsystemen beispielsweise muss eine Sondenkarte viele Signalleitungen in einen Prüfkopf oder eine Prüfschnittstelle führen, der bzw. die grob kreisförmig ist mit einem Durchmesser von 300 mm, wenn dies die Abmessung des zu prüfenden Wafers ist. Folglich werden die Signalleitungen, die mit den Prüfkopfanschlussstiften der Sondenkarte verbunden sind, in engen Kontakt miteinander gebracht. Ferner sind dieselben über eine erhebliche Strecke von dort, woher dieselben stammen, zu den Prüfkopfanschlussstiften geführt. Wenn folglich Hochfrequenzsignale über die Signalleitungen geführt werden, gibt es eine erhebliche Verschlechterung, die durch die Länge der Signalleitungen (resistive, kapazitive und induktive Wirkungen) und die Nähe aller Leitungen, die miteinander gebündelt sind, bewirkt ist. Folglich gibt es Frequenzeinschränkungen. Beispielsweise kann ein Speicher nicht zuverlässig mit Signalen geprüft werden, die eine Frequenz aufweisen, die größer als 150 bis 200 MHz ist.
  • Eine weitere Einschränkung bei dem gegenwärtigen Prüfen von Siliziumwafern ist der Temperaturbereich, innerhalb dessen Siliziumwafer geprüft werden können. Es gibt gegenwärtig eine Grenze an den Temperaturbereichen, denen ein Halbleiterchip während eines Prüfens unterzogen werden kann. Dieser Bereich beträgt nämlich näherungsweise –40°C bis +80°C. Der Grund für diese Begrenzung lautet, dass Siliziumwafer typischerweise durch ein Haftmittel, wie beispielsweise ein Band, an einer Prüfoberfläche gehalten sind. Das Haftmittel hält den Wafer in Position, so dass sich derselbe während des Prüfens nicht bewegt. Die physikalischen Eigenschaften des Bands jedoch begrenzen den Temperaturbereich, dem der Siliziumwafer unterzogen werden kann. Da das Band bei kalten Temperaturen unterhalb von –40°C eine Haftung verliert und bei Temperaturen über 80°C verflüssigt wird, wird der Siliziumwafer häufig nicht über diesen Bereichen geprüft.
  • Wie es oben angemerkt ist, betrifft ein Prüfen von Siliziumwafern viel Zeit, um die Schaltungen, die an den einzelnen Halbleiterchips angeordnet sind, ausreichend zu prüfen. Diese Prüfzeit ist ein wesentlicher Teil der Gesamtkosten einer Schaltung. Ein begrenzender Faktor bei einem herkömmlichen Prüfen ist die Größe des Siliziumwafers, die vorgibt, wie viele Schaltungen geprüft werden können. Beispielsweise kann ein Wafer mit einem Durchmesser von 300 mm lediglich so viele Halbleiterchips aufweisen, wie an dem Wafer gebildet sind. Somit ist die Obergrenze der Anzahl von Halbleiterchips, die in einer derartigen Situation geprüft werden können, durch die Anzahl von Halbleiterchips an dem Wafer vorgegeben.
  • Somit besteht ein Bedarf nach einem System, das zumindest einige der Nachteile beheben kann, die bei einem Prüfen von Halbleiterchips betroffen sind, die an Siliziumwafern gefertigt sind.
  • Zusammenfassung
  • Gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung kann ein Verfahren zum Prüfen von Siliziumwafern implementiert sein durch Erhalten eines ersten Siliziumwafers mit einer ersten Mehrzahl von Halbleiterchips; Erhalten eines zweiten Siliziumwafers mit einer zweiten Mehrzahl von Halbleiterchips; Vereinzeln der ersten Mehrzahl von Halbleiterchips von dem ersten Wafer, um einen ersten Satz von vereinzelten Halbleiterchips zu bilden; Vereinzeln der zweiten Mehrzahl von Halbleiterchips von dem zweiten Wafer, um einen zweiten Satz von vereinzelten Halbleiterchips zu bilden; Anordnen des ersten Satzes von vereinzelten Halbleiterchips und des zweiten Satzes von vereinzelten Halbleiterchips zusammen an einer Trägeroberfläche in einer kombinierten Halbleiterchipanordnung, wobei die kombinierte Halbleiterchipanordnung eine Gesamtanzahl von Halbleiterchips aufweist, die die Anzahl von Halbleiterchips übersteigt, die an dem ersten Siliziumwafer gebildet waren; und Prüfen der kombinierten Halbleiterchipanordnung als Teil einer einzigen Prüfsequenz.
  • Gemäß einem anderen Ausführungsbeispiel der Erfindung kann eine Vorrichtung zum Prüfen von Siliziumwafern implementiert sein, die eine Wafervereinzelungsvorrichtung, die konfiguriert ist, um einen ersten Wafer in vereinzelte Halbleiterchips zu vereinzeln; eine Halbleiterchipplatzierungsvorrichtung, die konfiguriert ist, um die vereinzelten Halbleiterchips von dem ersten Wafer in eine Prüfanordnung vereinzelter Halbleiterchips zu platzieren; wobei die Wafervereinzelungsvorrichtung ferner konfiguriert ist, um einen zweiten Wafer in vereinzelte Halbleiterchips zu vereinzeln; wobei die Halbleiterchipplatzierungsvorrichtung ferner konfiguriert ist, um die vereinzelten Halbleiterchips von dem zweiten Wafer in die Prüfanordnung vereinzelter Halbleiterchips zu platzieren; und eine Prüfvorrichtungsschnittstelle, die konfiguriert ist, um Eingangs- und Ausgangssignale an die Prüfanordnung vereinzelter Halbleiterchips zu liefern, aufweist.
  • Noch ein anderes Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung sieht eine Anordnung von vereinzelten Halbleiterchips vor, wobei die Anordnung aus einem ersten Satz von vereinzelten Halbleiterchips, die von einem ersten Wafer vereinzelt wurden; einem zweiten Satz von vereinzelten Halbleiterchips, die von einem zweiten Wafer vereinzelt wurden; wobei der erste Satz von vereinzelten Halbleiterchips und der zweite Satz von vereinzelten Halbleiterchips in einer kombinierten Halbleiterchipanordnung angeordnet sind und wobei jeder vereinzelte Halbleiterchip von den anderen vereinzelten Halbleiterchips versetzt ist, gebildet ist.
  • Noch ein anderes Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung sieht eine Prüfvorrichtungsschnittstelle vor, die eine erste Schnittstelle, die konfiguriert ist, um mit einem Prüfcomputer schnittstellenmäßig verbunden zu sein; eine zweite Schnittstelle, die konfiguriert ist, um mit einer Mehrzahl von vereinzelten Halbleiterchips schnittstellenmäßig verbunden zu sein; wobei die vereinzelten Halbleiterchips vereinzelte Halbleiterchips von einem ersten Wafer und von einem zweiten Wafer aufweisen, die in einer kombinierten Prüfstruktur angeordnet sind, und wobei die zweite Schnittstelle konfiguriert ist, um mit allen vereinzelten Halbleiterchips in der kombinierten Prüfstruktur simultan zu koppeln, aufweist.
  • Weitere Ausführungsbeispiele der Erfindung werden aus einer Durchsicht der Beschreibung, der Figuren und der Ansprüche ersichtlich.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • 1 stellt ein System zum Prüfen vereinzelter Halbleiterchips von mehreren Wafern gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung dar.
  • 2 stellt ein Blockdiagramm eines Computersystems zum Implementieren einer rechnergestützten Vorrichtung gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung dar.
  • 3 stellt die Vereinzelung mehrerer Halbleiterchips und die Platzierung in einer kombinierten Prüfanordnung vereinzelter Halbleiterchips gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung dar.
  • 4 stellt eine alternative Anordnung vereinzelter Halbleiterchips gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung dar.
  • 5 stellt ein Flussdiagramm dar, das ein Verfahren zum Prüfen vereinzelter Halbleiterchips gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung zeigt.
  • 6A und 6B stellen ein Flussdiagramm dar, das ein Verfahren zum Prüfen vereinzelter Halbleiterchips gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung zeigt.
  • Detaillierte Beschreibung
  • Unter jetziger Bezugnahme auf 1 ist ein System zum Prüfen von Halbleiterchips gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung zu sehen. Das in 1 gezeigte System ermöglicht, dass Wafer vereinzelt und in einer Prüfanordnung angeordnet werden können. Die Prüfanordnung ermöglicht dann, dass eine Prüfschnittstelle verwendet werden kann, um die Halbleiterchips zu prüfen. Ein Prüfen von vereinzelten Halbleiterchips ermöglicht ferner, dass Halbleiterchips von mehreren Wafern gemeinsam geprüft werden. Dies kann den Prüfprozess stark vereinfachen und kann alternative Vorzüge gegenüber herkömmlichen Prüfverfahren und -systemen liefern.
  • Als ein Beispiel ermöglicht eine Platzierung von vereinzelten Halbleiterchips in einer getrennten Anordnung, dass eine Prüfschnittstelle mit einer verringerten Dichte von Signalleitungen versehen werden kann. Diese verringerte Dichte von Signalleitungen, die zu Prüfanschlussstiften an der Oberfläche der Prüfschnittstelle geführt sind, verringert eine Signalinterferenz, eine Signalstörung und HF-Wirkungen, die durch ein Konzentrieren von Signalleitungen miteinander in einem verdichteten Bereich bewirkt sind.
  • 1 zeigt Siliziumwafer 104, 108 und 112. Derartige Siliziumwafer können durch einen Hersteller vorgesehen sein, derart, dass einzelne Wafer beispielsweise in der Weise einer Fertigungslinie zu einer Prüfvorrichtung geführt werden. 1 zeigt ferner eine Vereinzelungsvorrichtung 116 und eine Halbleiterchipplatzierungsvorrichtung 118. Ferner zeigt 1 eine Anordnung 122 von vereinzelten Halbleiterchips, die vorhergehend durch die Vereinzelungsvorrichtung und die Halbleiterchipplatzierungsvorrichtung von Wafer vereinzelt und platziert wurden. Zusätzlich zeigt 1 einen Prüfcomputer 130, der mit einer Prüfschnittstelle 126 gekoppelt ist. Die Prüfschnittstelle 126 wiederum ist schnittstellenmäßig mit den vereinzelten Halbleiterchips verbunden.
  • In Betrieb kann 1 durch ein Erhalten einzelner Halbleiterchips 104, 108 und 112 und ein Verwenden einer Vereinzelungsvorrichtung 116, um die Halbleiterchips von jedem Wafer zu einzelnen vereinzelten Halbleiterchips zu trennen, implementiert sein. Dies kann auf eine Vielfalt von Weisen erzielt werden, wie beispielsweise durch Anreißen der Ritzlinien zwischen einzelnen Halbleiterchips an dem Wafer. Dies ermöglicht, dass die einzelnen Halbleiterchips von dem Rest des Wafers getrennt werden. Alternative Verfah ren zum Trennen von Halbleiterchips sind in der Branche bekannt. Wenn jeder Halbleiterchip vereinzelt ist, kann derselbe beispielsweise durch einen robotergesteuerten Greifer gegriffen werden, der den Halbleiterchip mechanisch koppelt und denselben in der Prüfstruktur 122 platziert. Diese mechanische Kopplungsvorrichtung ist in 1 als der Block 118 gezeigt.
  • Die Prüfstruktur 122, die in 1 gezeigt ist, kann mit Halbleiterchips von mehreren Wafern implementiert sein. Somit können die Halbleiterchips, die in den Wafern 104 und 108 gezeigt sind, von diesen Wafern getrennt und in der kombinierten Prüfanordnung, die als ein Layout 122 gezeigt ist, platziert sein. Diese Halbleiterchips können an einer Trägeroberfläche platziert sein, um die Halbleiterchips in Position zu halten. Die Trägeroberfläche kann auch eingeschlossen sein, um einen größeren Temperaturbereich während des Prüfens zu liefern.
  • Das Layout der einzelnen Halbleiterchips kann in irgendeinem erwünschten Muster ausgebildet sein. Durch Platzieren der Halbleiterchips mit einem ausreichenden Raum zwischeneinander können auch die Signalleitungen an der Prüfschnittstelle voneinander getrennt sein, um die Störwirkungen zu verringern, die durch ein Platzieren von Signalleitungen in enger Nähe zueinander bewirkt sind. Da ferner eine Prüfschnittstelle in enger Nähe zu dem Prüfcomputer platziert sein kann, kann die Länge der Signalleitungen verringert werden. Block 126 stellt eine Prüfvorrichtungsschnittstelle dar. Auf dem Gebiet wurde eine Prüfvorrichtungsschnittstelle für einen einzigen Wafer häufig als eine Sondenkarte bezeichnet. Die Schnittstelle 126 jedoch ermöglicht, dass Halbleiterchips von mehreren Wafern zu der gleichen Zeit geprüft werden. Ferner ist dieselbe mit einer wesentlich größeren Oberflächenfläche als herkömmliche Sondenkarten konfiguriert. Da die Halbleiterchips voneinander während des Prüfens getrennt sein können, wird eine größere Oberflächenfläche genutzt. Anstelle der Oberflächenfläche von 300 mm Durchmesser für eine Sondenkarte könnte beispielsweise eine Prüfschnittstelle mit einer quadratischen Oberflächenfläche verwendet werden.
  • Die Prüfschnittstelle ist mit einer IO-Hardware konfiguriert, die ein Koppeln mit einzelnen Halbleiterchips ermöglicht. Typischerweise ist dies durch ein Bereitstellen von Anschlussstiften implementiert, die auf den Kontaktpunkten der Schaltungen, die an den Halbleiterchips konfiguriert sind, aufsetzen.
  • Die Schnittstelle 126 ist ferner mit dem Prüfcomputer 130 gekoppelt oder schnittstellenmäßig verbunden. Dies ermöglicht, dass der Prüfcomputer eine Prüfsequenz erzeugt, die Eingangssignale zu der Prüfschnittstelle 126 liefert und im Gegenzug Ausgangssignale empfangt. In Anbetracht der Flexibilität, die durch die vereinzelte Prüfanordnung geliefert wird, kann der Prüfcomputer tatsächlich direkt über der Prüfschnittstelle platziert sein. Dies verringert die Länge von Signalleitungen und verringert somit die HF-Wirkungen, die durch Induktanz, Kapazität und Widerstand von Signalleitungen bewirkt sind.
  • Während 1 drei Wafer darstellt, sollte klar sein, dass die Prüfstruktur aus Halbleiterchips eines einzigen Wafers, von zwei Wafern oder mehr als zwei Wafern formuliert sein könnte.
  • 2 stellt allgemein dar, wie einzelne Systemelemente implementiert sein können. Das System 200 ist aus Hardwareelementen gebildet gezeigt, die elektrisch über einen Bus 208 gekoppelt sind und einen Prozessor 201, ein Eingabegerät 202, ein Ausgabegerät 203, ein Speichergerät 204, einen Leser 205a für computerlesbare Speichermedien, ein Kommunikationssystem 206, eine Verarbeitungsbeschleunigung (z. B. DSP oder spezielle Prozessoren) 207 und einen Speicher 209 umfassen. Der Leser 205a für computerlesbare Speichermedien ist ferner mit computerlesbaren Speichermedien 205b gekoppelt, wobei die Kombination entfernte, lokale, feste und/oder entfernbare Speichervorrichtungen plus Speichermedien, Speicher etc. zum temporären und/oder dauerhafteren Beinhalten computerlesbarer Informationen umfassend darstellt, was die Speichervorrichtung 204, den Speicher 209 und/oder irgendeine andere derartige zugreifbare Ressource des Systems 200 umfassen kann. Das System 200 weist ferner Softwareelemente (als gegenwärtig innerhalb eines Arbeitsspeicher 291 positioniert gezeigt) auf, einschließlich eines Betriebssystems 292 und eines anderen Codes 293, wie beispielsweise Programme, Applets, Daten und dergleichen.
  • Das System 200 weist eine extensive Flexibilität und Konfigurierbarkeit auf. Somit könnte beispielsweise eine einzige Architektur genutzt werden, um einen oder mehrere Server zu implementieren, die ferner gemäß aktuell erwünschten Protokollen, Protokollvariationen, Erweiterungen etc. konfiguriert sein können. Fachleuten auf dem Gebiet ist jedoch ersichtlich, dass Ausführungsbeispiele durchaus gemäß spezifischeren Anwendungserfordernissen genutzt werden können. Beispielsweise könnte eines oder könnten mehrere Systemelemente als Teilelemente innerhalb einer Komponente des Systems 200 (z. B. innerhalb des Kommunikationssystems 206) implementiert sein. Es könnte auch eine kundenspezifische Hardware genutzt werden und/oder spezielle Elemente könnten in Hardware, Software (einschließlich so genannter „portierbarer Software”, wie beispielsweise Applets) oder beidem implementiert sein. Während ferner eine Verbindung mit anderen Rechenvorrichtungen, wie beispielsweise Netzwerk-Eingabe/Ausgabe-Geräten (nicht gezeigt), eingesetzt werden könnte, sollte klar sein, dass eine verdrahtete, drahtlose, Modem- und/oder andere Verbindung oder Verbindungen mit anderen Rechenvorrichtungen ebenfalls genutzt werden könnten.
  • Unter jetziger Bezugnahme auf 3 ist die Vereinzelung von zwei Wafer 304 und 308 zu einer kombinierten Prüfanordnung 312 zu sehen. Der Wafer 304 ist aus 32 Halbleiterchips gebildet gezeigt, die an dem Wafer gebildet sind. Jeder Halbleiterchip umfasst eine eigene einzelne Schaltung desselben. Auf ähnliche Weise umfasst der Siliziumwafer 308 32 Halbleiterchips. Während dieses Beispiel 32 Halbleiterchips nutzt, ist es bei vielen Herstellungsprozessen üblich, zumindest 512 Halbleiterchips an einem Siliziumwafer mit 300 mm Durchmesser zu konfigurieren. 3 zeigt, dass die Siliziumwafer jeweils vereinzelt werden, so dass einzelne Halbleiterchips hergestellt und in einer Anordnung von quadratischem Muster von 64 Halbleiterchips platziert werden. Wie es bei diesem Beispiel zu sehen ist, weist die Prüfanordnung eine erheblich größere Prüffläche als diese der ursprünglichen zwei Wafer auf. Somit ermöglicht die Prüfschnittstelle eine größere Beabstandung von Eingangs- und Ausgangssignalen, die zu der Oberfläche der Prüfschnittstelle geführt (geleitet) werden. Wie zuvor angemerkt, ermöglicht die Trennung dieser Eingangs- und Ausgangssignale, besonders wenn dieselben bei HF-Frequenzen betrieben werden, eine größere Signalzuverlässigkeit und einen größeren Frequenzbereich, in dem die Halbleiterchips geprüft werden können. Infolge eines Nutzens größerer Frequenzen können die Halbleiterchips in kürzerer Zeit geprüft werden. Ferner können dieselben über einen größeren Frequenzbereich auf Zuverlässigkeit geprüft werden.
  • 4 stellt ein anderes Beispiel einer kombinierten Halbleiterchipprüfanordnung dar. In 4 sind vereinzelte Halbleiterchips in einem Muster platziert, wobei zusätzliche Zeilen, die nicht gezeigt sind, durch die Auslassungszeichen dargestellt sind. 4 stellt ferner den Umriss einer Prüfschnittstelle 404 dar, die direkt über der kombinierten Prüfanordnung für vereinzelte Halbleiterchips platziert sein kann. Somit stellt 4 die Tatsache dar, dass eine einzige Prüfschnittstelle in einer Position über der kombinierten Prüfanordnung platziert sein kann und nicht bewegt wird, während immer noch ermöglicht ist, dass alle Halbleiterchips geprüft werden. Auf dem Gebiet wird dies häufig als ein Prüfen unter Verwendung eines einzigen „Aufsetzens” („Touchdown”) bezeichnet. Dies liefert eine höhere Geschwindigkeit bei einem Prüfen einer Gruppe von Halbleiterchips, dahin gehend, dass dasselbe keine Bewegung der Prüfschnittstelle zu einer zweiten Position erfordert, um Halbleiterchips zu prüfen, die von der ersten Position aus nicht geprüft werden konnten. Während Leistungsanforderungen eventuell dasselbe nicht gestatten oder einen davor zurückschrecken lassen, kann die in 4 gezeigte Prüfschnittstelle auch ermöglichen, dass mehrere Halbleiterchips simultan parallel geprüft werden. Zudem ermöglicht dasselbe, dass mehrere Halbleiterchips von mehreren Wafer parallel geprüft werden. Es ist anerkannt, dass dies typischerweise eine Verwendung von erheblicher Leistung erfordern würde. Deshalb kann man sich dafür entscheiden, nicht simultan zu prüfen, aber die kombinierte Anordnung immer noch zu prüfen, ohne die Prüfschnittstelle relativ zu der Halbleiterchipanordnung neu positionieren zu müssen.
  • Unter jetziger Bezugnahme auf 5 stellt ein Flussdiagramm 500 ein Beispiel eines Prüfens vereinzelter Halbleiterchips dar. Bei einem Block 504 wird ein erster Siliziumwafer erhalten. Der Siliziumwafer ist mit mehreren Halbleiterchips konfiguriert. Auf ähnliche Weise wird bei einem Block 508 ein zweiter Siliziumwafer mit einer zweiten Gruppe von Halbleiterchips erhalten. Der erste Siliziumwafer wird vereinzelt, um einzelne Halbleiterchips von dem ersten Wafer zu trennen, wie es bei einem Block 512 gezeigt ist. Auf ähnliche Weise zeigt ein Block 516, dass die Halbleiterchips an dem zweiten Siliziumwafer ebenfalls vereinzelt werden können. Bei einem Block 520 werden der erste und der zweite Satz von vereinzelten Halbleiterchips zusammen an einer Trägeroberfläche in einer kombinierten Halbleiterchipanordnung angeordnet. Die kombinierte Halbleiterchipanordnung ist aus einer Gesamtanzahl von Halbleiterchips gebildet, die die Anzahl von Halbleiterchips übersteigt, die an einem einzigen der Wafer verfügbar ist. Somit ermöglicht die kombinierte Halbleiterchipanordnung ein Prüfen von mehr Halbleiterchips, als durch Prüfen eines einzigen Siliziumwafers geprüft werden könnten. Bei einem Block 524 wird die kombinierte Halbleiterchipanordnung als ein Teil einer einzigen Prüfsequenz geprüft.
  • Ein ausführlicheres Beispiel eines Prüfens vereinzelter Halbleiterchips ist in einem Flussdiagramm 600 zu sehen, das in 6A und 6B dargestellt ist. Bei einem Block 604 wird ein erster Siliziumwafer mit mehreren Halbleiterchips hergestellt, die an dem Wafer gebildet sind. Jeder der Halbleiterchips weist eine Schaltung auf, wie beispielsweise eine integrierte Schaltung. Es ist jedoch nicht nötig, dass jede Schaltung gleich ist. Auf ähnliche Weise wird bei einem Block 608 ein zweiter Siliziumwafer hergestellt, der mehrere Halbleiterchips an demselben aufweist. Bei einem Block 612 wird der erste Siliziumwafer vereinzelt, um einen ersten Satz von vereinzelten Halbleiterchips zu bilden. Auf ähnliche Weise wird bei einem Block 616 der zweite Siliziumwafer vereinzelt, um einen zweiten Satz von vereinzelten Halbleiterchips zu bilden. Der erste Satz von vereinzelten Halbleiterchips und der zweite Satz von vereinzelten Halbleiterchips werden gemeinsam an einer Trägeroberfläche in einer kombinierten Halbleiterchipanordnung angeordnet, wie es durch einen Block 620 gezeigt ist. Die kombinierte Halbleiterchipanordnung ist aus einer Gesamtanzahl von Halbleiterchips gebildet, die die Anzahl von Halbleiterchips übersteigt, die an dem ersten Siliziumwafer gebildet waren. Bei einem Block 624 kann eine Transportvorrichtung, wie beispielsweise ein robotergesteuerter Arm, verwendet werden, um einen vereinzelten Halbleiterchip mechanisch zu koppeln und denselben an einer Träger oberfläche zu platzieren. Beispielsweise sind Aufnehmen-und-Platzieren-Mechanismen (Pick-and-Place-Mechanismen) in der Branche gut bekannt.
  • Ein Block 628 stellt dar, dass sogar ein dritter Siliziumwafer erhalten werden kann, an dem mehrere Halbleiterchips angeordnet sind. Ferner kann der dritte Siliziumwafer vereinzelt werden, wie es bei einem Block 632 gezeigt ist, um einen dritten Satz von vereinzelten Halbleiterchips zu bilden. Es sollte klar sein, dass einer oder mehrere Siliziumwafer gemäß Ausführungsbeispielen der Erfindung vereinzelt und in einer kombinierten Prüfanordnung kombiniert werden können. Die Verwendung von Halbleiterchips von zusätzlichen Wafern erweitert lediglich die Prüffläche und kann mit einer größeren Prüfschnittstelle angesprochen werden. Bei einem Block 636 kann der dritte Satz von vereinzelten Halbleiterchips als ein Teil der kombinierten Halbleiterchipanordnung angeordnet werden.
  • Gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung kann ein einziges Aufsetzen an der kombinierten Halbleiterchipanordnung verwendet werden, um alle Halbleiterchips in der kombinierten Halbleiterchipanordnung zu prüfen. Bisher war dies bei einem herkömmlichen Waferprüfen schwierig zu bewerkstelligen. Dies rührte nämlich von den Schwierigkeiten bei einem Verdichten aller Eingangs- und Ausgangssignale in eine Fläche her, die ausreichend ist, um einen Siliziumwafer zu prüfen. Gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung ermöglicht die Beabstandung der vereinzelten Halbleiterchips, dass Eingangs- und Ausgangssignale an der Prüfschnittstelle beabstandet sind, ohne eine ernsthafte Signalverschlechterung oder -interferenz zu bewirken. Somit kann eine größere Prüfschnittstelle konfiguriert werden, um die größere Oberflächenfläche der Anordnung vereinzelter Halbleiterchips abzudecken, und kann ein einziges Aufsetzen durchgeführt werden. Die Prüfsequenz kann implementiert werden, ohne die Prüfvorrichtungsschnittstelle zu bewegen oder zu entfernen, wenn dieselbe einmal in eine Prüfposition platziert ist. Bei einem Block 644 könnte man sogar jeden Halbleiterchip in der kombinierten Halbleiterchipanordnung simultan mit der Prüfvorrichtungsschnittstelle koppeln. In einer derartigen Situation könnte eine elektrische Kopplung simultan implementiert sein, um jeden Halbleiterchip simultan zu prüfen. Um Leistungserfordernisse zu verringern, können alternativ einzelne Halbleiterchips in Folge oder in Blöcken geprüft werden, um Leistungserfordernisse zu verringern. Bei einem Block 648 wird die kombinierte Halbleiterchipanordnung als Teil einer einzigen Prüfsequenz geprüft.
  • Die oben offenbarten Ausführungsbeispiele können gemäß einem oder mehreren der Folgenden weiter verbesserten werden. Beispielsweise kann ein Extremtemperaturbereichsprüfen von Wafer-Halbleiterchips implementiert werden. Es gibt gegenwärtig eine Grenze der Temperaturbereiche, denen ein Halbleiterchip während eines Prüfens unterzo gen werden kann. Dieser Bereich beträgt nämlich näherungsweise –40 Grad C bis +80 Grad C. Dieses Problem wird durch die physikalischen Eigenschaften des Bands eingebracht, das verwendet wird, um an dem Wafer zu haften. Bei kalten Temperaturen verliert das Band eine Haftung und bei hohen Temperaturen wird das Band verflüssigt. Durch Vereinzeln der Halbleiterchips und Verwenden eines Mechanismus, wie beispielsweise eines Ziehens eines Vakuums durch eine poröse Platte hindurch, kann der Halbleiterchip während eines Prüfens ohne die Verwendung von einem Band in Position gehalten werden. Dies ermöglicht größere Temperaturbereiche, wie beispielsweise –55 C bis +150 C. Ferner können größere Temperaturbereiche durch ein Verkapseln der Halbleiterchips in einer Kammer anstelle eines einfachen Erwärmens derselben von einer Einspannvorrichtung aus erreicht werden, wie es gegenwärtig gemacht wird.
  • Zusätzlich wird es üblicher, Halbleiterchips zu schleifen, um die Dicke derselben zu verringern, bevor dieselben in Gehäusen platziert werden. Dies ist beispielsweise nötig, wenn mehrere Halbleiterchips in Gehäusen gestapelt werden. Die Wafer können beispielsweise von 250 Mikrometern Dicke auf 70 Mikrometer Dicke gedünnt werden. Diese Handlung des Schleifens kann mechanische Defekte bei den Schaltungen bewirken, wie beispielsweise eine mechanische Belastung bei dem kristallinen Silizium. In der Vergangenheit trat das Prüfen vor der Handlung des Schleifens auf und wurden diese mechanischen Defekte nicht eingefangen. Gemäß einer Verbesserung können Halbleiterchips nun geprüft werden, nachdem dieselben vereinzelt und geschliffen wurden, aber bevor dieselben in einem Gehäuse platziert werden. Dies ermöglicht, dass auf Defekte aufgrund des Schleifens geprüft wird.
  • Wafer werden gegenwärtig durch eine Ausrüstung geschnitten, die grob auf +/– 100 Mikrometer genau ist. Dies ist zum Platzieren eines Halbleiterchips in einem Gehäuse ausreichend, bei dem es eine Toleranz zum Kontaktieren der Bondanschlussflächen gibt. Wenn jedoch ein Prüfen vereinzelter Halbleiterchips verwendet wird, muss die Prüfschnittstelle an präzisen Stellen – z. B. nicht mehr als 10 Mikrometer weg von der Zielposition – an den Halbleiterchips aufsetzen. Falls der Prüfschnittstellenanschlussstift nicht an dem korrekten Punkt aufsetzt, gibt es eventuell keine elektrische Verbindung oder eine Fehlverbindung zu Zwecken eines Eingebens und Ausgebens von Prüfsignalen. Im Allgemeinen kann dies durch ein Auslegen von Halbleiterchips in einem Prüflayout mit einer sehr begrenzten Toleranz (z. B. 10 Mikrometer) von den erwünschten Positionen überwunden werden. Alternativ können vereinzelte Halbleiterchips mit einer mechanischen Kopplungsvorrichtung gegriffen werden. Dann kann der Halbleiterchip optisch betrachtet werden, um einen Referenzpunkt an dem Halbleiterchip unter Verwendung einer Mustererkennung zu lokalisieren. Dann kann der Halbleiterchip dadurch bei der exakten Position platziert werden, dass bekannt ist, wo diese optisch erkannte Position des Halbleiterchips an dem Halbleiterchiplayout positioniert sein sollte. Auf ähnliche Weise kann der Halbleiterchip mit Referenzpunkten gefertigt werden, die verwendet werden können, um die Halbleiterchips auszurichten.
  • Gegenwärtig kann das Prüfen nicht bei ausreichend extremen Temperaturen stattfinden. Gemäß einer Verbesserung kann die Anordnung vereinzelter Halbleiterchips in einer temperaturgesteuerten Kammer platziert werden. Der Temperaturbereich kann dann über einen breiten Bereich variiert werden. Die Prüfschnittstelle kann gemäß einer Variation in einer derartigen Situation das obere Ende der Prüfkammer bilden.
  • Es scheint keinen gegenwärtig existierenden, im Handel erhältlichen Handhabungsmechanismus zu geben, der einen vereinzelten Halbleiterchip nimmt und denselben in einem Prüflayout platziert und denselben dann von dem Prüflayout entfernt. Vielmehr werden die vereinzelten Halbleiterchips normalerweise nach einem Anreißen einfach in Halbleiterchipträgern platziert und die Halbleiterchipträger werden weggenommen. Gemäß Ausführungsbeispielen der Erfindung, die oben beschrieben sind, kann eine Aufnehmen-und-Platzieren-Vorrichtung implementiert werden, die vereinzelte Halbleiterchips von einem Wafer entfernen und dieselben vor einem Prüfen an einem Prüflayout platzieren und dieselben dann nach dem Prüfen von dem Prüflayout entfernen kann.
  • Aufgrund der Präzision, die bei einem Aufsetzen auf den Halbleiterchips an den präzisen Positionen zu Prüfzwecken nötig ist, ist es wichtig, dass die Halbleiterchips ordnungsgemäß ausgerichtet sind. Dieses Problem kann gemäß einer Verbesserung durch ein Verwenden vorgefertigter Halbleiterchipablagen mit Vertiefungen, in denen die Halbleiterchips platziert werden können, angesprochen werden. Angenommen, dass die Außenabmessungen der Halbleiterchips genau geschnitten sind, ermöglicht die Platzierung der Halbleiterchips in den Vertiefungen und eine leichte Ansaugung, die von unterhalb der Halbleiterchips angelegt wird, dass die Halbleiterchips durch die Abmessungen der Vertiefungen korrekt ausgerichtet werden. Dies ist analog zu Besteck, das in Besteckkästen platziert ist.
  • Wenn Halbleiterchips einmal an einem Layout ausgerichtet sind, möchte man sicherstellen, dass dieselben während eines Prüfens vereinzelter Halbleiterchips sich nicht außer Position bewegen. Dies kann unter Verwendung eines porösen Halbleiterchipträgers gelöst werden, der ermöglicht, dass ein Vakuum von unterhalb des Halbleiterchips gezogen wird. Dies würde ermöglichen, dass die Halbleiterchips in Position gehalten werden, ohne die dünnen Halbleiterchips zu beschädigen.
  • Eine Verbesserung kann speziell für einen Flash-Speicher implementiert werden. Ein Flash-Speicher wird hierin als eine nicht-abschließende Vorrichtung bezeichnet. Folglich wird ein Eingangssignal in eine Flash-Speicherzelle reflektiert, gerade als ob ein Signal an einer Übertragungsleitung keine passende Abschlussimpedanz am Ende der Übertragungsleitung aufweisen würde. Diese Bedingung wird durch Prüfsysteme verschärft, die lange Prüfleitungen verwenden, um den Flash-Speicher zu prüfen. Dieses Problem kann durch ein Verwenden eines Systems angesprochen werden, bei dem die Signalleitungen sehr kurz sind. Dies kann mit der neuen Prüfschnittstelle dieses Systems erzielt werden, bei der die Signalleitungen beispielsweise 2 Zoll und nicht die herkömmlichen 2 Fuß betragen.
  • Wie es oben angemerkt ist, ist die präzise Platzierung eines vereinzelten Halbleiterchips wichtig, um zu ermöglichen, dass die Sondenanschlussstifte an den präzisen Zielpositionen aufsetzen. Die dünnen und leichtgewichtigen Halbleiterchips, die Metallisierungsschichten beinhalten, können mit Magnetkräften bewegt werden. Derartige Magnetkräfte können verwendet werden, um einen grob positionierten Halbleiterchip in eine Ablagemulde zu ziehen. Zusätzlich könnte ein Halbleiterchip entworfen sein, um mit einem erheblichen Metallanteil hergestellt zu sein, um zu ermöglichen, dass der Halbleiterchip mehr auf ein Magnetfeld anspricht.
  • Eine Platzierung eines gesamten Feldes von vereinzelten Halbleiterchips kann eine Zeitdauer benötigen. Diese Platzierungszeit könnte verwendet werden, um ein Prüfen an bereits platzierten Halbleiterchips zu beginnen. Somit könnte man mehrere Prozesse an dem Feld von Halbleiterchips zu der gleichen Zeit durchführen. Eine lange dünne Prüfschnittstelle könnte verwendet werden, um ein Prüfen von Spalten von Halbleiterchips bei dem Prüflayout von vereinzelten Halbleiterchips zu beginnen, während die verbleibenden Halbleiterchips an dem Prüflayout platziert werden. Wenn dann eine Spalte fertig geprüft ist, könnten vollständig geprüfte Halbleiterchips von dem Layout weg aufgenommen werden.
  • Bei einem Prüfen eines ganzen (nicht vereinzelten) Wafer verhindert ein fehlerhafter Anschlussstift an der Prüfschnittstelle zumindest, dass ein Halbleiterchip an dem Wafer geprüft wird. Es gibt keine Möglichkeit, den fehlerhaften Anschlussstift zu umgehen. Dies verschwendet entweder diese ungeprüften Halbleiterchips oder bewirkt eine Ausfallzeit, um die Prüfschnittstelle zu reparieren. Gemäß vorliegenden Ausführungsbeispielen der Erfindung kann dieses Problem überwunden werden. Falls die neue Prüfschnittstelle (z. B. 1 Meter an der Kante) einen fehlerhaften Anschlussstift aufweist, kann dieser fehlerhafte Anschlussstift identifiziert werden und kann der nachfolgende Layout-Prozess einfach ein Platzieren von Halbleiterchips unterhalb des fehlerhaften Anschlussstifts vermeiden. Dies ermöglicht eine Während-Betrieb-Bestimmung (On-the-Fly-Bestimmung) dessen, wo Halbleiterchips in dem Layout zu setzen sind, so dass alle Halbleiterchips geprüft werden und keine Ausfallzeit erforderlich ist, um die Prüfschnittstelle zu reparieren.
  • Die Platzierung von Halbleiterchips wird ein zeitraubender Prozess sein. Es besteht ein Bedarf nach Verfahren, die den Prozess des Platzierens der Halbleiterchips in dem Prüflayout beschleunigen. Dies kann gemäß einer Verbesserung durch ein Verwenden eines mehrköpfigen Aufnehmers angesprochen werden, um mehrere Halbleiterchips zur gleichen Zeit aufzunehmen und zu platzieren. Dies ermöglicht weniger Armbewegungen von der Halbleiterchipablage zu dem Prüflayout.
  • Eine präzise Platzierung von Halbleiterchips zum Prüfen wird herausfordernd sein. Somit besteht ein Bedarf nach einem System, das die Halbleiterchips präzise positionieren kann, so dass Prüfprozeduren nicht fehlschlagen. Gemäß einem Ausführungsbeispiel können die Halbleiterchips geschnitten sein, um eine konstante Breite aufzuweisen, und dann jeder Chip an dem Layout mit einer groben Präzision platziert werden. Zwei L-förmige mechanische Kontakte könnten dann verwendet werden, um die Halbleiterchips von gegenüberliegenden Ecken unter Verwendung vorbestimmter Koordinaten für endgültige Stopppunkte der L-förmigen Kontakte in eine ordnungsgemäße Platzierung zu schieben.
  • Um die Halbleiterchips präzise auszurichten, ist es günstig, die Halbleiterchips zu schneiden, so dass die äußere Begrenzung des Halbleiterchips mit einem gewissen Fehlergrad bekannt ist. Gegenwärtige Schneidetechniken liefern nicht die notwendige Schneidepräzision. Eine Option bestünde darin, einen Laser zu verwenden, um die Halbleiterchips mit einem hohen Grad an Präzision zu schneiden.
  • Eine Ausrichtung von Halbleiterchips wird herausfordernd und zeitraubend sein. Es gibt Vorzüge, die von einem Prüfen von Halbleiterchips gewonnen werden, nachdem dieselben ganz von dem Wafer entfernt wurden, aber es gibt auch Zeiteinbußen. Gemäß einer Verbesserung können somit Streifen von Halbleiterchips von einem Wafer geschnitten werden, aber nicht vollständig als einzelne Halbleiterchips vereinzelt werden. Dies beschleunigt den Prozess des Platzierens der Halbleiterchipstreifen und sollte eine Ausrichtung in lediglich einer Dimension ermöglichen.
  • Wenn Halbleiterchips schließlich in einem Prüflayout platziert sind, ist es wichtig, dass die Halbleiterchips nicht außer Position bewegt werden. Eine Lösung besteht darin, einen Träger mit Klebeband bereitzustellen, um die Halbleiterchips aufzunehmen, um zu verhindern, dass die Halbleiterchips bewegt werden, sobald dieselben an dem Band haften.
  • In einigen Fällen ist es jedoch nötig, Halbleiterchips von unten zu prüfen, wo beispielsweise Durchkontaktierungen positioniert sind. Wenn Halbleiterchips durch Klebeband gesichert sind, sind diese Verbindungspunkte behindert. Dieses Problem kann durch ein Stanzen von Leiterdrähten durch das Band angesprochen werden, um eine Rückseitenkonduktanz zu erreichen.
  • Während verschiedene Ausführungsbeispiele der Erfindung als Verfahren oder Vorrichtungen zum Implementieren der Erfindung beschrieben wurden, sollte klar sein, dass die Erfindung durch einen Code implementiert sein kann, der mit einem Computer gekoppelt ist, z. B. Code, der auf einem Computer resident ist oder für den Computer zugreifbar ist. Beispielsweise könnten Software und Datenbanken genutzt werden, um viele der oben erörterten Verfahren zu implementieren. Somit ist zu beachten, dass zusätzlich zu Ausführungsbeispielen, bei denen die Erfindung durch Hardware erzielt ist, diese Ausführungsbeispiele durch die Verwendung eines Herstellungsartikels erzielt werden können, der aus einem computerverwendbaren Medium gebildet ist, in dem ein computerlesbarer Programmcode verkörpert ist, der die Ermöglichung der Funktionen bewirkt, die in dieser Beschreibung offenbart sind. Daher ist erwünscht, dass Ausführungsbeispiele der Erfindung auch in den Programmcodeeinrichtungen derselben ebenfalls als durch dieses Patent geschützt betrachtet werden. Ferner können Ausführungsbeispiele der Erfindung als ein Code ausgeführt sein, der in einem computerlesbaren Speicher von praktisch jeder Art gespeichert ist, einschließlich und ohne Einschränkung RAM, ROM, magnetischer Medien, optischer Medien oder magnetooptischer Medien. Noch allgemeiner ausgedrückt könnten die Ausführungsbeispiele der Erfindung in Software oder in Hardware oder in irgendeiner Kombination derselben implementiert sein, einschließlich Software, die auf einem Universalprozessor läuft, Mikrocode, PLAs oder ASICs, aber nicht begrenzt darauf.
  • Es ist ebenfalls beabsichtigt, dass Ausführungsbeispiele der Erfindung als Computersignale erzielt werden könnten, die in einer Trägerwelle ausgeführt sind, sowie Signale (z. B. elektrisch und optisch), die durch ein Übertragungsmedium ausgebreitet werden. Somit könnten die verschiedenen Informationen, die oben erörtert sind, in einer Struktur, wie beispielsweise einer Datenstruktur, formatiert sein und als ein elektrisches Signal durch ein Übertragungsmedium übertragen oder auf einem computerlesbaren Medium gespeichert sein.
  • Es ist ferner zu beachten, dass viele der Strukturen, Materialien und Handlungen, die hierin dargelegt sind, als Einrichtungen zum Durchführen einer Funktion oder Schritte zum Durchführen einer Funktion dargelegt sein können. Daher sollte klar sein, dass eine derartige Sprache berechtigt ist, alle derartigen Strukturen, Materialien oder Handlungen abzudecken, die in dieser Beschreibung und den Äquivalenten derselben offenbart sind.
  • Man ist der Ansicht, dass die Vorrichtungen und Verfahren der Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung und die zugehörigen Vorteile derselben aus dieser Beschreibung ersichtlich werden. Während das Obige eine vollständige Beschreibung spezifischer Ausführungsbeispiele der Erfindung ist, sollte die obige Beschreibung nicht als den Schutzbereich der Erfindung einschränkend aufgefasst werden, der durch die Ansprüche definiert ist.
  • Zusammenfassung
  • Gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung kann ein Verfahren zum Prüfen vereinzelter Halbleiterchips implementiert werden. Dies kann durch ein Erhalten eines Wafers und Vereinzeln der Halbleiterchips zu einzelnen Halbleiterchipstücken implementiert werden. Die vereinzelten Halbleiterchips können in einer getrennten Prüfanordnung angeordnet werden und können sogar Halbleiterchips von mehreren Wafern als Teil der kombinierten Anordnung kombinieren. Dann kann ein Prüfen an der kombinierten Prüfanordnung implementiert werden.

Claims (22)

  1. Ein Verfahren zum Prüfen von Siliziumwafern, wobei das Verfahren folgende Schritte aufweist: Erhalten eines ersten Siliziumwafers mit einer ersten Mehrzahl von Halbleiterchips; Erhalten eines zweiten Siliziumwafers mit einer zweiten Mehrzahl von Halbleiterchips; Vereinzeln der ersten Mehrzahl von Halbleiterchips von dem ersten Wafer, um einen ersten Satz von vereinzelten Halbleiterchips zu bilden; Vereinzeln der zweiten Mehrzahl von Halbleiterchips von dem zweiten Wafer, um einen zweiten Satz von vereinzelten Halbleiterchips zu bilden; Anordnen des ersten Satzes von vereinzelten Halbleiterchips und des zweiten Satzes von vereinzelten Halbleiterchips zusammen an einer Trägeroberfläche in einer kombinierten Halbleiterchipanordnung, wobei die kombinierte Halbleiterchipanordnung eine Gesamtanzahl von Halbleiterchips aufweist, die die Anzahl von Halbleiterchips übersteigt, die an dem ersten Siliziumwafer gebildet waren; Prüfen der kombinierten Halbleiterchipanordnung als Teil einer einzigen Prüfsequenz.
  2. Das Verfahren zum Prüfen von Siliziumwafern gemäß Anspruch 1, bei dem die kombinierte Halbleiterchipanordnung aus allen Halbleiterchips, die an dem ersten Siliziumwafer hergestellt sind, und allen Halbleiterchips, die an dem zweiten Siliziumwafer hergestellt sind, gebildet ist.
  3. Das Verfahren zum Prüfen von Siliziumwafern gemäß Anspruch 1, bei dem das Prüfen der kombinierten Halbleiterchipanordnung folgenden Schritt aufweist: simultanes Koppeln jedes Halbleiterchips in der kombinierten Halbleiterchipanordnung mit einer Prüfvorrichtungsschnittstelle.
  4. Das Verfahren zum Prüfen von Siliziumwafern gemäß Anspruch 1, bei dem das Prüfen der kombinierten Halbleiterchipanordnung folgenden Schritt aufweist: Durchführen eines einzigen Aufsetzens an der kombinierten Halbleiterchipanordnung mit einer Prüfvorrichtungsschnittstelle, um eine Prüfung aller Halbleiterchips in der kombinierten Halbleiterchipanordnung vor einem Entfernen der Prüfvorrichtungsschnittstelle zu erzielen.
  5. Das Verfahren zum Prüfen von Siliziumwafern gemäß Anspruch 1, bei dem das Anordnen des ersten Satzes von vereinzelten Halbleiterchips und des zweiten Satzes von vereinzelten Halbleiterchips zusammen folgenden Schritt aufweist: Verwenden einer robotergesteuerten Transportvorrichtung, um jeden vereinzelten Chip an der Trägeroberfläche zu platzieren.
  6. Das Verfahren zum Prüfen von Siliziumwafern gemäß Anspruch 1, das ferner folgende Schritte aufweist: Erhalten zumindest eines dritten Siliziumwafers mit einer dritten Mehrzahl von Halbleiterchips; Vereinzeln zumindest der dritten Mehrzahl von Halbleiterchips von dem dritten Wafer, um einen dritten Satz von vereinzelten Halbleiterchips zu bilden; Anordnen zumindest des dritten Satzes von vereinzelten Halbleiterchips als Teil der kombinierten Halbleiterchipanordnung.
  7. Das Verfahren zum Prüfen von Siliziumwafern gemäß Anspruch 1, bei dem jeder der Halbleiterchips in dem ersten Satz von vereinzelten Halbleiterchips und in dem zweiten Satz von vereinzelten Halbleiterchips eine Schaltung aufweist, die als ein Teil jedes Halbleiterchips konfiguriert ist.
  8. Eine Vorrichtung zum Prüfen von Siliziumwafern, wobei die Vorrichtung folgende Merkmale aufweist: eine Wafervereinzelungsvorrichtung, die konfiguriert ist, um einen ersten Wafer in vereinzelte Halbleiterchips zu vereinzeln; eine Halbleiterchipplatzierungsvorrichtung, die konfiguriert ist, um die vereinzelten Halbleiterchips von dem ersten Wafer in eine Prüfanordnung vereinzelter Halbleiterchips zu platzieren; wobei die Wafervereinzelungsvorrichtung ferner konfiguriert ist, um einen zweiten Wafer in vereinzelte Halbleiterchips zu vereinzeln; wobei die Halbleiterchipplatzierungsvorrichtung ferner konfiguriert ist, um die vereinzelten Halbleiterchips von dem zweiten Wafer in die Prüfanordnung vereinzelter Halbleiterchips zu platzieren; eine Prüfvorrichtungsschnittstelle, die konfiguriert ist, um Eingangs- und Ausgangssignale an die Prüfanordnung vereinzelter Halbleiterchips zu liefern.
  9. Die Vorrichtung gemäß Anspruch 8, bei der die Wafervereinzelungsvorrichtung eine Anritzvorrichtung zum Anreißen des ersten und des zweiten Siliziumwafers aufweist.
  10. Die Vorrichtung gemäß Anspruch 8, bei der die Platzierungsvorrichtung konfiguriert ist, um alle der vereinzelten Halbleiterchips von dem ersten Wafer in die Prüfanordnung vereinzelter Halbleiterchips zu platzieren.
  11. Die Vorrichtung gemäß Anspruch 10, bei der die Platzierungsvorrichtung konfiguriert ist, um alle der vereinzelten Halbleiterchips von dem zweiten Wafer in die Prüfanordnung vereinzelter Halbleiterchips zu platzieren.
  12. Die Vorrichtung gemäß Anspruch 8, bei der die Prüfanordnung vereinzelter Halbleiterchips aus allen Halbleiterchips, die an dem ersten Wafer hergestellt sind, und allen Halbleiterchips, die an dem zweiten Wafer hergestellt sind, gebildet ist.
  13. Die Vorrichtung gemäß Anspruch 8, bei der Prüfvorrichtungsschnittstelle konfiguriert ist, um simultan mit jedem Halbleiterchip in der Prüfanordnung vereinzelter Halbleiterchips zu koppeln.
  14. Die Vorrichtung gemäß Anspruch 8, bei der die Prüfvorrichtungsschnittstelle konfiguriert ist, um ein einziges Aufsetzen an der Prüfanordnung vereinzelter Halbleiterchips durchzuführen, um eine Prüfung aller Halbleiterchips in der Prüfanord nung vereinzelter Halbleiterchips vor einem Entfernen der Prüfvorrichtungsschnittstelle zu erzielen.
  15. Die Vorrichtung gemäß Anspruch 8, bei der die Halbleiterchiplatzierungsvorrichtung eine robotergesteuerte Transportvorrichtung aufweist, die konfiguriert ist, um jeden Halbleiterchip in der Halbleiterchipprüfanordnung zu platzieren.
  16. Die Vorrichtung gemäß Anspruch 8, bei der die Prüfanordnung für vereinzelte Halbleiterchips für Halbleiterchips von zumindest drei Wafern ausgelegt ist.
  17. Die Vorrichtung gemäß Anspruch 8, bei der jeder vereinzelte Halbleiterchip eine Schaltung aufweist.
  18. Eine Anordnung von vereinzelten Halbleiterchips, wobei die Anordnung folgende Merkmale aufweist: einen ersten Satz von vereinzelten Halbleiterchips, die von einem ersten Wafer vereinzelt wurden; einen zweiten Satz von vereinzelten Halbleiterchips, die von einem zweiten Wafer vereinzelt wurden; wobei der erste Satz von vereinzelten Halbleiterchips und der zweite Satz von vereinzelten Halbleiterchips in einer kombinierten Halbleiterchipanordnung angeordnet sind und wobei jeder vereinzelte Halbleiterchip von den anderen vereinzelten Halbleiterchips versetzt ist.
  19. Die Anordnung von vereinzelten Halbleiterchips gemäß Anspruch 18, bei der der erste Satz von vereinzelten Halbleiterchips alle Halbleiterchips umfasst, die an einem ersten Wafer gebildet sind.
  20. Die Anordnung von vereinzelten Halbleiterchips gemäß Anspruch 18, bei der die kombinierte Halbleiterchipanordnung alle Halbleiterchips, die an einem ersten Wafer gebildet sind, und alle Halbleiterchips, die an einem zweiten Wafer gebildet sind, aufweist.
  21. Die Anordnung von vereinzelten Halbleiterchips gemäß Anspruch 18, bei der die kombinierte Halbleiterchipanordnung konfiguriert ist, um mit einer Prüfvorrich tungsschnittstelle schnittstellenmäßig verbunden zu sein, um zu ermöglichen, dass die Prüfvorrichtungsschnittstelle mit jedem Halbleiterchip in der kombinierten Halbleiterchipanordnung bei einem einzigen Aufsetzen schnittstellenmäßig verbunden ist.
  22. Eine Prüfvorrichtungsschnittstelle, die folgende Merkmale aufweist: eine erste Schnittstelle, die konfiguriert ist, um mit einem Prüfcomputer schnittstellenmäßig verbunden zu sein; eine zweite Schnittstelle, die konfiguriert ist, um mit einer Mehrzahl von vereinzelten Halbleiterchips schnittstellenmäßig verbunden zu sein; wobei die vereinzelten Halbleiterchips vereinzelte Halbleiterchips von einem ersten Wafer und von einem zweiten Wafer aufweisen, die in einer kombinierten Prüfstruktur angeordnet sind, und wobei die zweite Schnittstelle konfiguriert ist, um mit allen vereinzelten Halbleiterchips in der kombinierten Prüfstruktur simultan zu koppeln.
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