DE112007002570T5 - Multi-direktionales, mechanisches Scannen in einem Ionen-Implanter - Google Patents

Multi-direktionales, mechanisches Scannen in einem Ionen-Implanter Download PDF

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Abstract

Substratscanner zum Scannen eines Substrates durch einen Ionenstrahl in einem Ionenimplanter, wobei der Substrathalter umfasst:
Einen ersten Antriebsarm, der an einem Drehgelenk bereit gestellt ist;
Einen zweiten Antriebarm, der an einem Drehgelenk bereit gestellt ist;
Antriebsmittel, die betriebsfähig sind, den ersten Antriebsarm um eine erste, feste Rotationsachse zu rotieren und den zweiten Antriebsarm um eine feste, zweite Rotationsachse zu rotieren;
Eine Verbindung; und
Einen Substrathalter, der mit der Verbindung verbunden ist;
Wobei die Verbindung mit dem ersten Antriebsarm an einer Stelle verbunden ist, die entfernt von der ersten Achse ist, und mit dem zweiten Antriebsarm an einer Stelle verbunden ist, die entfernt von der zweiten Achse ist, so dass sich der Substrathalter bewegt, wenn der erste und/oder der zweite Antriebsarm rotiert wird.

Description

  • Gebiet der Erfindung
  • Diese Erfindung bezieht sich auf eine Scanarmanordnung für das multi-direktionale, mechanische Scannen eines Halbleiterwafers oder anderer Substrate, die einer Implantationsbehandlung unterzogen werden sollen. Diese Erfindung bezieht sich auch auf einen Ionenimplanter, der eine solche Anordnung enthält und auf ein Verfahren zum Substratimplantieren.
  • Hintergrund der Erfindung
  • In einem typischen Ionenimplanter wird ein Strahl von Dotierionen, der einen relativ geringen Querschnitt aufweist, relativ zu einem Wafer oder einem anderen Substrat gescannt. Dies kann auf eine von drei Arten geschehen: Scannen des Strahls in zwei Richtungen relativ zu einem stationären Wafer, Scannen des Wafers in zwei Richtungen relativ zu einem stationären Strahl, oder durch eine Hybridtechnik, in der der Strahl in eine Richtung gescannt wird, während der Wafer mechanisch in eine zweiten Richtung gescannt wird. Typischerweise sind die beiden Richtungen orthogonal.
  • Batch-Implanter (Stapel-Implanter) haben typischerweise ein rotierendes Rad, das eine Anzahl an Wafer um seine Peripherie trägt, und sind für die simultane Implantation eines Stapels Wafer in einer Prozesskammer eines Implanters entworfen. Das Rad wird gedreht, so dass jeder Wafer wiederholt der Reihe nach durch den Ionenstrahl läuft, wenn die Rotationsachse versetzt wird, so dass der Ionenstrahl den ganzen Wafer in einer Serie von Scanlinien verfolgt. Ein Beispiel eines solchen Typs eines Batch-Implanters mit Scanning-Rad ist in dem US Patent Nr. 5,389,793 offenbart.
  • Einige Einzel-Wafer-Implanter scannen einen Ionenstrahl in zwei Richtungen relativ zu einem stationären Wafer, siehe zum Beispiel US 4,736,107 . Andere Einzel-Wafer-Implanter wenden Hybridtechniken an, bei denen der Ionenstrahl in einer Richtung gescannt wird und der Wafer wird mechanisch in einer orthogonalen Richtung gescannt, siehe zum Beispiel US 5,898,179 , US 5,003,183 , US 5,229,615 , und US 5,406,088 .
  • Andere Einzel-Wafer-Implanter scannen den Wafer in zwei Richtungen relativ zu einem festen Ionenstrahl. Scanarme, die einen Wafer hatten und eine lineare Translation des Wafers in zwei Achsen bewirken, sind gut bekannt. Typischerweise ist ein ausladender Arm montiert, um sich horizontal von einer Wand der Prozesskammer zu erstrecken. Der Arm wird von linearen Aktuatoren in sowohl der horizontalen (x-Achse) als auch der vertikalen (y-Achse) Richtung angetrieben, wobei der Ionenstrahl die z-Achse definiert. Ein Rasterscan wird relativ zu diesen Richtungen wie folgt durchgeführt. Die x-Achsenrichtung entlang des Scanarms ist die Schnell-Scan-Richtung, d. h. der Scanarm wird hin und her gescannt, um sukzessive Scanlinien auf dem Wafer zu bilden. Die y-Achsenrichtung quer zum Scanarm ist die Langsam-Scan-Richtung, d. h. der Scanarm wird nach jeder Scanlinie in diese Richtung bewegt, um zu veranlassen, dass die Scanlinien gleichmäßig beabstandet sind.
  • Ein alternativer Scanarm ist in WO2004/001789 beschrieben und ist hierein in 1 gezeigt. Ein Wafer 10 wird unter Verwendung rotatorischer Bewegungen eines Arms 1 gescannt, der mit einem Knie 30 bereit gestellt ist. Der Arm 1 ist ausladend aus einer Schulter 20, und sowohl Schulter 20 als auch Knie 30 können um die parallelen Achsen 21 und 31 rotiert werden, die sich in derselben Richtung wie der Ionenstrahl 50 erstrecken. Die Rotation wird von einem Paar von Motoren bewirkt, wobei ein Motor 22 an der Schulter 20 bereit gestellt wird und der andere Motor 32 an dem Knie 31 bereit gestellt wird.
  • Die Motoren 22 und 32 werden in entgegengesetzte Richtungen angetrieben, wie von den Pfeilen 23 und 33 angezeigt wird, um den Wafer 10 horizontal durch den Ionenstrahl 50 zu bewegen, um sukzessive Scanlinien zu erzeugen. Zusätzlich können die Motoren 22 und 32 dazu verwendet werden, den Wafer 10 vertikal zwischen den Scanlinien zu bewegen. Ein weiterer Motor 12 wird an dem distalen Ende des Scanarms 1 bereit gestellt, um den Wafer 10 auf seinem Halter 14 um seine zentrale Achse 11, d. h. um Richtung 13 zu rotieren. Dies ermöglicht es, die Orientierung des Wafers 10 relativ zu dem Ionensrahl 50 konstant zu halten, wenn die Schulter 20 und das Knie 30 rotiert werden, um das Scannen des Wafers 10 herbeizuführen.
  • 1 zeigt den Wafer 10, der senkrecht zu dem Ionenstrahl 50 gehalten wird. Implantate können aufgrund eines weiteren Motors 42, der eine Nabe 40 um eine Achse 41 rotiert, auch unter anderen Einfallswinkeln durchgeführt werden. Die Schulter 20 ist an die Nabe 40 montiert, so dass eine Rotation der Nabe 40 in Richtung 43 bewirkt, dass sich der Wafer 10 relativ zu dem Ionenstrahl 50 neigt.
  • Der Scanarm von 1 leidet unter einigen Nachteilen. Motor 32 weist eine wesentliche Masse auf, die an dem Knie 30 in einiger Distanz weg von der Schulter 20 angeordnet ist. Dies setzt hohe Momentanforderungen an den Motor 22, um diese ausladende Masse zu bewegen, wenn er den Scanarm 1 bewegt. Zusätzlich tendiert die ausladende Masse des Motors 32 dazu, Vibrationen in dem Scanarm 1 zu produzieren. Diese Vibrationen werden an den Wafer 10 weitergegeben, was zu einem Mangel an Gleichmäßigkeit in der Dosierung, die über den Wafer 10 empfangen wird, führt.
  • Zusammenfassung der Erfindung
  • Entgegen diesem Hintergrund, und von einem ersten Aspekt, befindet sich die vorliegende Erfindung in einem Substratscanner zum Scannen eines Substrates durch einen Ionenstrahl in einem Ionenimplanter, wobei der Substrathalter umfasst: einen ersten Antriebsarm, der an einem Drehgelenk bereit gestellt ist; einen zweiten Antriebarm, der an einem Drehgelenk bereit gestellt ist; Antriebsmittel, die betriebsfähig sind, den ersten Antriebsarm um eine erste, feste Rotationsachse zu rotieren und den zweiten Antriebsarm um eine feste, zweite Rotationsachse zu rotieren; eine Verbindung; und einen Substrathalter, der mit der Verbindung verbunden ist. Die Verbindung ist mit dem ersten Antriebsarm an einer Stelle verbunden ist, die entfernt von der ersten Achse ist, und ist mit dem zweiten Antriebsarm an einer Stelle verbunden, die entfernt von der zweiten Achse ist, so dass sich der Substrathalter bewegt, wenn der erste und/oder der zweite Antriebsarm rotiert wird.
  • Das Bereitstellen von zwei Antriebsarmen, von denen beide um feste Achsen rotieren, kann der Scanarmanordnung von WO2004/001789 gegenübergestellt werden, wo ein erster Antriebsarm um eine feste Achse rotiert, wo aber ein zweiter Antriebsarm um eine sich verändernde Achse rotiert. Diese zweite Achse läuft durch das Ende des ersten Arms und deshalb verändert sich deren Position, wenn der erste Arm rotiert wird. Die Anordnung der vorliegenden Erfindung resultiert in einer vereinfachten, mathematischen Behandlung, wenn bestimmt wird, wie eine gewünschte Bewegung eines Substrates bewirkt wird, insofern, dass beide Rotationsachsen fest bleiben.
  • Ein weiterer Vorteil der vorliegenden Erfindung besteht darin, dass es oftmals vorteilhaft ist, die Antriebsmittel an der Rotationsachse zu montieren, wodurch der Bedarf an Getrieben, Ketten, Riemen usw. verhindert wird. In WO2004/001789 wird ein Motor an der zweiten Rotationsachse positioniert, und so wird die Masse des Motors auf den ersten Antriebsarm ausgeladen. Infolgedessen ist der Scanarm anfälliger für Vibrationen und ein großes Moment muss an den ersten Antriebsarm aufgebracht werden, um eine Rotation zu verursachen. In der vorliegenden Erfindung können Antriebsmittel an der ersten, festen und zweiten, festen Achse angeordnet sein, so dass ihre Masse nicht von einem der beiden Antriebsarme getragen wird. Daher wird die Ermüdung des Scanners stark reduziert. Weiterhin kann die Masse des Scanarms reduziert werden, um Vibrationen zu minimieren, und die Masse der Antriebsmittel muss nicht bewegt werden.
  • Vorzugsweise sind die erste und die zweite Achse parallel. Optional sind der erste und der zweite Antriebsarm mit einem Träger verbunden, so dass der erste und zweite Antriebsarm koaxial sind. Zum Beispiel können der erste und zweite Antriebsarm an dem Träger auf rotierbaren Gelenken montiert sein, die nebeneinander angeordnet sind. Der erste und zweite Antriebsarm können dann nebeneinander rotiert werden. Vorteilhafterweise ist der Träger eingerichtet, an einer Kammerwand des Ionenimplanters montiert zu werden. Der erste und zweite Antriebsarm können mit dem Träger neben der Kammerwand verbunden sein. Dies bietet Vorteile in Bezug auf den Raum und minimiert auch das Moment, das an der Kammerwand aufgebracht wird.
  • Optional sind der erste und zweite Antriebsarm mit dem Träger an den entsprechenden proximal liegenden Enden verbunden. Der erste und zweite Antriebsarm können mit der Verbindung an den entsprechenden distal gelegenen Enden verbunden sein.
  • Die Verbindung kann eine von etlichen Formen annehmen. Zum Beispiel kann die Verbindung Rotation oder Translation verwenden, um eine Bewegung des Substrathalters hervorzurufen. Von daher kann die Verbindung ein Stab sein, der angeordnet ist, zu gleiten, wie der erste und zweite Antriebsarm, zum Beispiel durch das Bereitstellen von vorstehenden Teilen, die innerhalb von Führungsnuten aufgenommen werden. Die Führungsnuten können auf der Verbindung zur Verfügung gestellt werden und die vorstehenden Teile auf den Antriebsarmen oder umgekehrt. Alternativ können ein oder mehrere Drehgelenke verwendet werden, um die Verbindung mit dem ersten und zweiten Antriebsarm zu verbinden.
  • Die Verbindung kann ein oder mehrere Teile umfassen. Wenn mehr als ein Teil verwendet wird, kann eine Bewegung exklusiv durch die Verwendung von Rotation hervorgerufen werden. Vorzugsweise umfasst die Verbindung ein erstes und zweites Glied, die rotierbar miteinander verbunden sind, um um eine dritte Achse zu rotieren, wobei das erste Glied auch rotierbar mit dem ersten Antriebsarm verbunden ist, um um eine vierte Achse zu rotieren und das zweite Glied auch rotierbar mit dem zweiten Antriebsarm verbunden ist, um um eine fünfte Achse zu rotieren. Vorteilhafterweise können die erste Achse, die zweite Achse, die dritte Achse, die vierte Achse und die fünfte Achse parallel angeordnet sein. Wenn die erste und zweite Achse koaxial sind, bilden der erste und zweite Antriebsarm und das erste und zweite Glied der Verbindung ein Viereck. Wie leicht ersichtlich werden wird, verursacht die Rotation des ersten und/oder des zweiten Antriebsarms eine Rotation des ersten und zweiten Gliedes, wodurch der Substrathalter bewegt wird.
  • Die Enden des ersten und zweiten Gliedes können entsprechend mit dem ersten und zweiten Antriebsarm verbunden sein und optional können weitere Enden des ersten und zweiten Gliedes miteinander verbunden sind. Das erste Glied kann mit dem Substrathalter bereit gestellt werden. Der Substrathalter kann an dem Ende des ersten Gliedes bereit gestellt werden. Dies kann das Ende sein, das mit dem zweiten Glied verbunden ist. Alternativ kann das erste Glied über den Punkt hinausragen, an dem es mit dem zweiten Glied verbunden ist, und der Substrathalter kann dann an dem Ende des ersten Gliedes bereit gestellt werden.
  • Optional ist der Substrathalter rotierbar mit der Verbindung verbunden, um eine Rotation um eine sechste Achse zuzulassen. Die sechste Achse kann sich parallel zu der ersten, der zweiten, der dritten, der vierten und der fünften Achse erstrecken. Vorzugsweise erstreckt sich die sechste Achse im Wesentlichen durch das Zentrum des Substrathalters. Der Substrathalter kann Substrathalterantriebsmittel umfassen, optional einen Motor, die betriebsfähig sind, den Substrathalter um die sechste Achse zu rotieren.
  • Die ersten und zweiten Antriebsmittel können unterschiedliche Formen annehmen. Zum Beispiel können sie Motoren sein. Diese Motoren können direkt auf den ersten und zweiten Antriebsarm einwirken. Zu diesem Zweck können die Motoren neben dem ersten und zweiten Antriebsarm positioniert sein und können direkt mit ihrem entsprechenden Antriebsarm verbunden sein. Alternativ können die Antriebsmittel weiterhin Verbindungen umfassen, um die Antriebsarme anzutreiben, wie zum Beispiel ein oder mehrere Getriebe, Ketten und Riemen.
  • Vorzugsweise ist der Träger, mit dem die Antriebsarme verbunden sind, um eine weitere Achse rotierbar. Diese weitere Achse kann im Wesentlichen normal zu der ersten Achse sein, so dass sie sich in der Hauptrichtung des Substrathalters erstreckt. Dies erlaubt es dem Substrat, sich relativ zu dem Ionenstrahl zu neigen, wie es bei manchen Implantaten wünschenswert ist. Diese weitere Achse kann sich erstrecken, so dass sie direkt vor dem Substrathalter verläuft. Dies ist vorteilhaft, da, falls die Achse vorgesehen ist, sich durch die Frontseite eines Substrates zu erstrecken, wenn es auf dem Substrathalter gehalten wird, das Substrat dann um seine Mittelachse rotiert, wenn es relativ zu dem Ionenstrahl geneigt ist.
  • Nach einem zweiten Aspekt befindet sich die vorliegende Erfindung in einem Ionenimplanter, der eine Ionenquelle, die betriebsfähig ist, einen Ionenstrahl zu erzeugen, eine Optik, die betriebsfähig ist, den Ionenstrahl entlang einer Ionenstrahlbahn zu leiten, und einen der oben beschriebenen Substratscanner umfasst, wobei die erste Achse parallel zu der Richtung der Ionenstrahlbahn an dem Substratscanner ist.
  • Nach einem dritten Aspekt befindet sich die vorliegende Erfindung in einem Verfahren Substratimplantieren unter Verwendung des obigen Ionenimplanters, wobei der Substrathalter ein Substrat hält, das einer Implantationsbehandlung unterzogen werden soll, wobei das Verfahren umfasst: Positionieren des Substrates neben dem Ionenstrahl; und Verwenden der Antriebsmittel, um den ersten Antriebsarm zu rotieren, wobei das Substrat veranlasst wird, so durch den Ionenstrahl zu laufen, dass der Ionenstrahl eine Scanlinie über das Substrat verfolgt.
  • Wenn die erste und zweite Achse parallel sind, kann das Verfahren optional das Verwenden der Antriebsmittel umfassen, um den ersten und zweiten Antriebsarm in derselben Richtung und mit derselben Geschwindigkeit zu rotieren, so dass der Ionenstrahl eine Scanlinie über das Substrat verfolgt, die einem Kreisbogen entspricht. Dann, nach dem Verfolgen der bogenförmigen Scanlinie, können die Antriebsarme verwendet werden, um den ersten und zweiten Antriebsarm zu rotieren, um die Distanz zwischen der parallelen ersten und zweiten Achse und dem Substrathalter zu ändern. Dies kann dadurch geschehen, dass die Antriebsmittel dazu verwendet werden, den ersten und zweiten Antriebsarm in entgegengesetzte Richtungen, und optional mit derselben Geschwindigkeit zu rotieren. Vorzugsweise kann dieser Schritt ausgeführt werden, wenn der Ionenstrahl von dem Substrat entfernt ist. Vorzugsweise werden die obigen Schritte wiederholt, so dass eine Serie von Scanlinien über das Substrat verfolgt wird, die einer Serie von konzentrischen Kreisbögen mit unterschiedlichem Radius entsprechen. Dies ist vorteilhaft, da benachbarte Bögen in einem gleichmäßigen Abstand auseinander entlang ihrer Länge bleiben. Dies ermöglicht eine gleichmäßige Dosierung, während eine konstante Scangeschwindigkeit verwendet wird. Wenn, zum Beispiel Bögen mit einem festen Radius verwendet würden, und wenn das Zentrum des entsprechenden Kreises geändert wird, dann würden die Scanlinien nicht in einem festen Abstand auseinander bleiben. Dies kann durch das Ändern der Scangeschwindigkeit kompensiert werden, wenn sich die Separation ändert, aber dies erfordert ein komplexes Steuerungsgesetz. Eine weitere Verbesserung kann durch die Verwendung der Antriebsmittel durchgeführt werden, um den ersten und den zweiten Antriebsarm wiederholt zu rotieren, so dass die Distanz zwischen den parallelen ersten und zweiten Achsen und dem Substrathalter gleichmäßig geändert wird, so dass die bogenförmigen Scanlinien gleichmäßig getrennt sind. Dies ermöglicht es dem ersten und zweiten Antriebsarm, mit einer allgemeinen Geschwindigkeit über jede Scanlinie rotiert zu werden, um eine gleichmäßige Dosierung des Substrates zu erhalten.
  • Optional umfasst das Verfahren die Verwendung der Antriebsmittel, um den ersten und zweiten Antriebsarm simultan zu rotieren, so dass der Ionenstrahl eine gerade Scanlinie über das Substrat verfolgt. Zusätzlich kann das Verfahren die Verwendung der Antriebsmittel umfassen, um den ersten und zweiten Antriebsarm simultan in entgegengesetzte Richtungen zu rotieren, während der Ionenstrahl eine gerade Scanlinie über das Substrat verfolgt. Optional umfasst das Verfahren weiterhin das Verwenden der Antriebsmittel, um den zweiten Antriebsarm zu rotieren, um dabei das Substrat zu bewegen, um für die Implantation entlang der nächsten Scanlinie bereit zu sein. Vorzugsweise wird dies durchgeführt, wenn das Substrat frei von dem Ionenstrahl ist. Zum Beispiel kann das Verfahren wiederholt Verwenden der Antriebsmittel umfassen, um den ersten und zweiten Antriebsarm zu rotieren, so dass der Ionenstrahl eine Serie von Scanlinien, wie zum Beispiel ein Rastermuster, über das Substrat verfolgt. Optional kann das Verfahren weiterhin das Rotieren des Substrates während der Verwendung der Antriebsmittel umfassen, um das Substrat durch den Ionenstrahl zu bewegen, so dass die Orientierung des Substrates relativ zu dem Ionenstrahl beibehalten wird.
  • Die obigen Verfahren ermöglichen ein schnelles Scannen des Substrates, das einfach durch das koordinierte Antreiben der Antriebsarme hervorgerufen werden soll.
  • Nach einem vierten Aspekt befindet sich die vorliegende Erfindung in einem Verfahren zum Scannen eines Substrates durch einen Ionenstrahl in einem Ionenimplanter unter Verwendung eines Scanarms, wobei das Verfahren umfasst: Rotieren eines ersten Teils des Scanarms um eine feste, erste Rotationsachse; und Rotieren eines zweiten Teils des Scanarms um eine feste, zweite Rotationsachse, wobei der Scanarm einen dritten Teil umfasst, der den ersten und zweiten Teil verbindet, wobei der dritte Teil mit einem Substrathalter verbunden ist. Optional sind die erste und zweite Achse parallel und können koaxial sein.
  • Die vorliegende Erfindung erstreckt sich auch auf einen Computer, der programmiert ist, die oben beschriebenen Verfahren zu bewirken, einen Ionenimplanter, der einen solchen Computer umfasst und auf ein Computerprogramm, das, wenn es in einem Computer eines Ionenimplanters geladen wird, den Ionenimplanter dazu veranlasst, in Übereinstimmung mit den oben beschriebenen Verfahren zu arbeiten.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • Ein Beispiel der Erfindung wird nun mit Bezug auf die folgenden Zeichnungen beschrieben werden, in denen:
  • 1 eine Perspektivansicht eines mechanischen Waferscansystems nach dem Stand der Technik ist;
  • 2 ein schematisches Diagramm, teilweise in der Schnittansicht, eines Ionenimplanters ist, der eine Scanarmanordnung einschließt, die die vorliegende Erfindung enthält;
  • 3 eine Perspektivansicht der Scanarmanordnung von 2 ist;
  • 4a und 4b Seitenansichten der Scanarmanordnung der 2 und 3 sind, die die Bewegung der Anordnung zeigen, um eine Scanlinie zu bewirken:
  • 5a und 5b schematische Darstellungen des Betriebs der Scanarmanordnung der 2 bis 4 sind, wobei die Darstellungen die Erstellung eines Scanmusters zeigen;
  • 6a–d schematische Darstellungen des Betriebs der Scanarmanordnung der 2 bis 4 sind, wobei die Darstellungen die Erstellung eines weiteren Scanmusters zeigen:
  • 7 eine schematische Darstellung des Betriebs der Scanarmanordnung der 2 bis 4 ist, wobei die Darstellung die Erstellung eines Raster-Scanmusters zeigt; und
  • 8 eine schematische Darstellung eines anderen Betriebs der Scanarmanordnung ist.
  • Detaillierte Beschreibung der bevorzugten Ausführungsformen
  • 2 stellt eine schematische Illustration eines Ionenimplanters zur Verfügung. Eine Ionenquelle 100 beinhaltet eine Lichtbogenkammer 102, in der Ionen einer Spezies, die implantiert werden sollen, gebildet werden. Die Ionen werden durch einen Schlitz 104 in einer Frontseite der Lichtbogenkammer 100 mittels eines elektrischen Feldes extrahiert, das von den Extraktionselektroden 106 kontrolliert wird, um einen Ionenstrahl 108 zu bilden. Der Ionenstrahl 108 tritt in ein Massenspektrometer 110 ein, in dem ein magnetisches Feld, das normal zu der Ebene des Papiers der Figur gerichtet ist, die Ionen dazu veranlasst, sich in einer gebogenen Bahn 112 zu bewegen, wobei der Bogenradius abhängig ist von dem Moment und dem Ladungszustand der Ionen, die in das Massenspektrometer 110 eintreten. Da die Ionen, die in das Massenspektrometer 110 eintreten, die gleiche Energie haben werden, die durch die Potentialdifferenz zwischen der Lichtbogenkammer 102 und der Struktur der Lichtbogenkammer 110 definiert wird, ist der Bogenradius der Ionen in dem Massenspektrometer 110 in der Praxis abhängig von dem Masse-zu-Ladung-Verhältnis der Ionen.
  • Infolgedessen verteilen sich die Trajektorien der Ionen mit unterschiedlichen Masse-zu-Ladung-Verhältnissen in der Ebene des Papiers der Figur, wenn sie das Massenspektrometer 110 verlassen, und ein masseauflösender Schlitz 114 ist angeordnet, um es nur Ionen mit einem gewählten Masse-zu-Ladung-Verhältnis zu erlauben, weiter zu laufen und in eine Prozesskammer 116 des Ionenimplanters einzutreten. Der detaillierte Betrieb und die Struktur des Ionenimplanters, wie sie soweit beschrieben sind, wird von einem Fachmann in diesem Gebiet verstanden werden, und weitere Informationen können zum Beispiel von US 5,389,793 oder US 5,969,366 erhalten werden.
  • In der Prozesskammer 116 wird ein Ionenstrahl 118 von Ionen mit gewähltem Masse-zu-Ladung-Verhältnis (normalerweise einzeln geladene Ionen mit einer bestimmten Masse) auf einen Halbleiterwafer 120 gerichtet, um die Ionen in den Wafer 120 zu implantieren, wie es von einem vorbestimmten Halbleiterherstellungsprozess vorgeschrieben ist. Vor dem Wafer 110 läuft der Ionenstrahl 118 durch ein Elektronenflusssystem 122 eines bekannten Typs (siehe US 5,399,871 ), um Elektronen zur Neutralisation von irgendeiner positiven Ladung zu Verfügung zu stellen, die sich andernfalls auf der Oberfläche des Wafers während der Implantation ausbilden kann.
  • Der Ionenstrahl 118 kann einen Durchmesser von zwischen 10 und 40 mm haben, wenn er auf dem Wafer 120 auftrifft, während der Wafer 120 einen typischen Durchmesser von 300 mm aufweist (200 mm war früher gebräuchlich, aber ist dies nun weniger). Es ist sehr wichtig, sicherzustellen, dass die Dosierung von Ionen, die an jede Einheitenfläche des Halbleiterwafers 120 geliefert wird, über die gesamte Oberflächenfläche des Wafers 120 während des Implantierens gleichmäßig ist. Dementsprechend, da der Ionenstrahl 118 in der vorliegenden Ausführungsform in der Prozesskammer 116 nicht gescannt wird, sondern eine im Wesentlichen konstante Strahlenachse 124 aufweist, ist es wichtig, sicherzustellen, dass der Halbleiterwafer 120 mechanisch versetzt wird, so dass der Ionenstrahl 118 ein vorbestimmtes Scanmuster auf dem Wafer 120 beschreibt, um eine gleichmäßige Verteilung der Dosierung über die Waferoberfläche zu gewährleisten.
  • Die Scanarmanordnung 200 zum Halten des Halbleiterwafers 120 in der Prozesskammer 116 und zum Scannen des Wafers 120 wie gewünscht über den Ionenstrahl 118 wird nun detaillierter beschrieben werden. Diese Anordnung 200 ist in 2 gezeigt und wird besser in der Perspektivansicht der 3 veranschaulicht. 4a und 4b zeigen ebenfalls die Anordnung 200 in einer Seitenansicht.
  • Die Scanarmanordnung 200 ist an einer Wand 202 der Prozesskammer 116 befestigt und arbeitet unter der Leitung eines Scanarmkontrollers 204. Der Scanarmkontroller 204 kann ein geeignet programmierter Computer sein.
  • Die Scanarmanordnung umfasst eine Nabe 206, die sich nach innen in die Prozesskammer 116 erstreckt. Die Nabe 206 ist mit dem Motor 208 verbunden, der betriebsfähig ist, die Nabe 206 um eine Achse 210 zu rotieren, die sich entlang der Nabe 206 und in die Prozesskammer 116 erstreckt.
  • Ein Paar Arme, die einem oberen Antriebsarm 212 und einem unteren Antriebsarm 214 entsprechen, sind mittels Drehgelenken an der Nabe 206 angebracht, so dass sie sich in die Prozesskammer 116 erstrecken. Dazugehörige Motoren 216, 218 treiben den oberen 212 und den untere 214 Antriebsarm unabhängig um eine gemeinsame Achse 220 an, die sich parallel zu der Achse 124 des Ionenstrahls 118 erstreckt.
  • Verbindungen 222 und 224 werden an den distal gelegenen Enden des oberen und unteren Antriebsarmes 212 und 214 an Drehgelenken bereit gestellt, so dass sie frei rotieren können. Ein weiteres Drehgelenk fügt die Verbindungen 222 und 224 an ihren anderen Enden zusammen, wodurch ein Viereck gebildet wird. Verbindung 222 ist einfach ein Zugstab, der frei ist, an seinen Enden um die Achsen 226 und 228 zu rotieren. Verbindung 224 ist umfangreicher und endet an einem erweiterten Kopf 230, an den ein Waferhalter 232 rotierbar angebracht ist. Die größere Abmessung erlaubt, dass Dienstleistungen an dem Waferhalter 232 ausgeführt werden können, z. B. elektrische Versorgung, wenn der Waferhalter 232 ein E-Chuck ist, der den Wafer 120 elektrostatisch an der Stelle hält. Die Verbindung 224 kann an ihren Enden frei um die Achsen 228 und 234 rotieren.
  • Der erweiterte Kopf 230, der an dem distalen Ende der Verbindung 224 bereit gestellt ist, beherbergt einen kleinen Motor, der verwendet wird, um den Waferhalter 232 um sein Zentrum, d. h. um die Achse 228 zu rotieren. Dies bewirkt natürlich eine Rotation des Wafers 120, wenn er von dem Waferhalter 232 gehalten wird.
  • Scanarmkontroller 204 verwendet die Motoren 216 und 218, um die Antriebsarme 212 und 214 zu rotieren, wodurch die Verbindungen 222 und 224 betätigt werden, die wiederum den Wafer 120 durch den Ionenstrahl 118 führen. Ein Beispiel einer antreibenden Bewegung ist in den 4a und 4b gezeigt, wo Motor 216 verwendet wird, den Antriebsarm 212 im Uhrzeigersinn zu rotieren. Motor 218 bleibt inaktiv, so dass Antriebsarm 214 seine Position beibehält. Die Rotation des Antriebsarms 212 zwingt Verbindungen 222 und 224, sich zu bewegen, so dass der Wafer 120 sich nach rechts und runter bewegt. Die resultierende Bahn, der der Wafer 120 folgt, führt durch den Ionenstrahl 118.
  • Wie leicht verstanden werden kann, verursacht das Rotieren des anderen Antriebsarmes 214 während des Stillhaltens des Antriebsarmes 212 eine unterschiedliche Bewegung des Wafers 120. Beide Antriebsarme 212 und 214 können simultan angetrieben werden und die Variation ihrer relativen Rotationsgeschwindigkeiten ermöglicht es, dass viele verschiedene Bahnen erzeugt, und daher viele verschiedene Scanmuster implementiert werden. 5 bis 8 stellen einige Beispiele von möglichen Scanmustern 300 bereit.
  • 5a und 5b zeigen ein Scanmuster 300, das durch Antreiben abwechselnd der Antriebsarme 212 und 214 erreicht werden kann. Eine anfängliche Position der Scanarmanordnung 200, einschließlich Wafer 120, ist in durchgezogenen Linien in diesen Figuren gezeigt, wohingegen unterbrochene Linien eine Endposition der Scanarmanordnung 200 anzeigen.
  • Das Scanmuster 300 nähert sich einem Rastermuster an und umfasst eine Serie von bogenförmigen Scanlinien 302, die von bogenförmigen Stufen 304, in denen der Wafer 120 zu der nächsten Scanlinien(302)-Startposition bewegt wird, getrennt werden.
  • 5a zeigt die Bewegung, die durchgeführt wird, um die erste Scanlinie 302 abzuschließen. Während der Bewegung wird der Motor 216 nicht verwendet, so dass der Antriebsarm 212 statisch bleibt. Motor 218 wird verwendet, um Antriebsarm 214 im Uhrzeigersinn zu rotieren, wie von den Pfeilen bei 306 angezeigt wird, wobei die Verbindungen 222 und 224 veranlasst werden, den Wafer 210 hinunter entlang Scanlinie 302 zu scannen. Für die nächste Scanlinie rotiert der Motor 218 Antriebsarm 214 gegen den Uhrzeigersinn, wie von den Pfeilen bei 306 angezeigt wird, um den Wafer 120 nach oben zu der nächsten Scanlinie 302 zu fahren. Diese abwechselnde im Uhrzeigersinn-/gegen Uhrzeigersinn-Rotation des Antriebsarmes 214 dauert an, so dass der Wafer 120 die sukzessiven Scanlinien 302 hoch und runter fährt, um das Scanmuster 300 fertig zu stellen.
  • 5b zeigt die Bewegung, die von der Scanarmanordnung ausgeführt wird, um den Wafer entlang der Stufen 304 zwischen den Scanlinien 302 zu bewegen. Während dieser Stufen 304 ist der Motor 218 inaktiv, so dass sich der Antriebsarm 214 nicht bewegt. Motor 216 rotiert den Antriebsarm 212 im Uhrzeigersinn in kleinen Bewegungen, wie von den Pfeilen bei 308 angezeigt wird. Jede Bewegung sieht den Wafer 120, wie er sich zwischen sukzessiven Scanlinien 302 bewegt. 5b zeigt die Bewegung, die erforderlich ist, um sich zwischen der ersten und letzten Scanlinie 302 in dem Scanmuster 300 zu bewegen.
  • Daher kann das Scanmuster 300, das in den 5a und 5b gezeigt ist, dadurch hervorgerufen werden, dass zuerst Antriebsarm 214 im Uhrzeigersinn rotiert wird, dann Antriebsarm 212 im Uhrzeigersinn erhöht wird, dann Antriebsarm 214 gegen den Uhrzeigersinn rotiert wird, dann Antriebsarm 212 im Uhrzeigersinn erhöht wird, usw. Dieses Schema ist vor allem leicht zu implementieren, da jeweils nur einer der Antriebsarme 212 und 214 betrieben wird. In der Praxis kann es vorteilhaft sein, Antriebsarm 212 zu betreiben, um sich zwischen den Scanlinien 302 zu bewegen, wenn Antriebsarm 214 abgebremst und dann von der Pause beschleunigt wird. Dieser Betrieb sollte unter Verwendung der Scanlinien 302 ausgeführt werden, die den Wafer 102 frei von dem Ionenstrahl 118 sehen, so dass jede Umkehrung ausgeführt wird, wenn der Ionenstrahl 118 weg von dem Wafer ist.
  • Infolgedessen kann ein Scanmuster durch Verwendung von einfachen Bewegungen der Antriebsarme 212 und 214 erzeugt werden, wodurch ein schnelles Scannen ermöglicht wird.
  • 6a–d zeigen ein Scanmuster 300, das erreicht werden kann, wenn die Antriebsarme 212 und 214 synchron angetrieben werden. In jeder der 6a–d ist die anfängliche Position der Scanarmanordnung 200, einschließlich des Wafers 120, unterbrochen gezeigt, wohingegen die durchgezogenen Linien eine Endposition der Scanarmanordnung 200 anzeigen.
  • 6a zeigt die Bewegung, die gemacht wird, um die erste Scanlinie 302 zu verfolgen. Von einer Startposition, bei der sich der Wafer 120 links unten befindet, werden beide Antriebsarme 212 und 214 gegen den Uhrzeigersinn mit gleicher Geschwindigkeit angetrieben. Die Richtung der Bewegung ist durch die Pfeile 306 angezeigt. Dies stellt sicher, dass der Radius von der gemeinsamen Achse 220 zu dem Zentrum des Wafers 120 für die ganze Scanlinie konstant bleibt. Daher definiert die Scanlinie 302 einen Bogen, der auf der gemeinsamen Achse 220 zentriert ist.
  • 6b zeigt, wie die Antriebsarme 212 und 214 in entgegengesetzte Richtungen angetrieben werden, Antriebsarm 212 im Uhrzeigersinn und Antriebsarm 214 gegen den Uhrzeigersinn, so dass sich der Radius zwischen der gemeinsamen Achse 220 und dem Zentrum des Wafers 120 vergrößert. Diese Bewegung resultiert in einer bogenförmigen Stufe 304, die verfolgt wird.
  • 6c zeigt, wie die zweite Scanlinie 302 verfolgt wird. Beide Antriebsarme 212 und 214 werden im Uhrzeigersinn mit gleicher Geschwindigkeit angetrieben, so dass die Scanlinie 302 einen weiteren Bogen umfasst, der auf der gemeinsamen Achse 220 zentriert ist, diese Mal mit einem größeren Radius.
  • 6d zeigt, wie die nächste Stufe 304 ausgeführt wird. Antriebsarme 212 und 214 werden in entgegengesetzte Richtungen angerieben, wobei wieder der Radius von der gemeinsamen Achse 220 zu dem Zentrum des Wafers 120 vergrößert wird. Daher wird der Wafer 120 in die Position für die dritte Scanlinie 302, die verfolgt werden soll, bewegt. Da die dritte Scnalinie 302 der ersten Scanlinie 302 entspricht, kann die obige Prozedur wiederholt werden, um das Scanmuster 300 zu bilden, das in 6d angezeigt ist. Wie gesehen werden kann und wie von der obigen Beschreibung verstanden werden wird, entspricht jede Scanlinie 302 einem Kreisbogen mit ständig wachsendem Radius, der auf der gemeinsamen Achse 220 zentriert ist. Vorteilhafterweise bedeutet das, dass die Scanlinien 302 durch eine gleichmäßige Distanz entlang ihren Längen getrennt sind. Sollte sich die Trennung ändern, würde die Rotationsgeschwindigkeit der Antriebsarme 212 und 214 entlang jeder Scanlinie 302 geändert werden müssen, d. h. erhöht werden, wenn die Trennung abnimmt, um eine gleichmäßige Implantierungsdosierung zu erhalten. Es ist ebenfalls empfehlenswert, den Radius gleichmäßig zu erhöhen, da dies eine gleichmäßige Trennung zwischen jeder Scanlinie 302 bereit stellt und es daher erlaubt, dieselbe Scangeschwindigkeit für jede Scanlinie 302 zu verwenden.
  • Ein weiteres Scanmuster 300 ist in 7 gezeigt, das einem linearen Rasterscan entspricht. Um dieses Muster zu erhalten, muss der Scanarmkontroller 204 Antriebsarme 212 und 214 simultan und auf eine abgestimmte Weise betreiben. Praktischerweise weisen die Antriebsarme 212 und 214 dieselbe Länge auf, so dass sie mit derselben Geschwindigkeit, aber in entgegengesetzten Richtungen angetrieben werden können.
  • Motoren 216 und 218 werden von Antriebsspannungen kontrolliert, die von Scanarmkontroller 46 (2) zur Verfügung gestellt werden. Der Scanarmkontroller 204 koordiniert die Rotationsgeschwindigkeit der Motoren 216 und 218, in Übereinstimmung mit einem vorbestimmten Kontrollalgorithmus, so dass der Wafer 120 in Übereinstimmung mit dem Scanmuster 300 über den Ionenstrahl 120 bewegt wird. Eine simultane Bewegung des Antriebsarms 214 gegen den Uhrzeigersinn und des Antriebsarms 212 im Uhrzeigersinn erzeugt die lineare Scanbewegung des Wafers 120 nach rechts entlang Scanlinien 302, wie in 7 gezeigt. Eine Rotation der Scanarme 212 und 214 in die entgegengesetzten Richtungen veranlasst den Wafer 120, den Scanlinien 302 von rechts nach links zu folgen. Daher können alternierende Scanlinien 302 in entgegengesetzte Richtungen ausgeführt werden. Eine geeignete Rotation der Scanarme 212 und 214 veranlasst den Wafer 120, sich vertikal, entweder die Stufen 304 hoch oder runter, wie gewünscht, zu bewegen. Der Scanarmkontroller 204 kontrolliert die Geschwindigkeit der Motoren 216 und 218 in Übereinstimmung mit dem vorbestimmten Algorithmus, um eine konstante Scangeschwindigkeit ders Wafers 120 entlang der Scanlinien 302 zur Verfügung zu stellen.
  • Der Waferhalter 232 ist weiterhin rotierbar an dem erweiterten Kopf 230 der Verbindung 224 so befestigt, dass er um die Rotationsachse 228 rotierbar ist. Der Scanarmkontroller 46 veranlasst den Waferhalter 232, zu rotieren, wenn der Wafer 120 entlang der Scanlinie 302 versetzt wird, um die Orientierung des Wafers 120 um die Achse 228 konstant zu halten. Der Scanarmkontroller 204 erzeugt eine entsprechende Rotation während der Stufen 304 des Scanmusters 300, so dass die Waferorientierung durchgehend konstant gehalten wird.
  • In der in 5 gezeigten Anordnung sind die Achsen 220, 226, 228 und 234 der Scanarmanordnung 200 normal zu der Ebene des Papiers, so dass sich das erzeugte zweidimensionale Scanmuster 300 in einer Scanebene befindet, die parallel zu der Ebene des Papiers ist.
  • Wie oben beschrieben, wird die Scanarmanordnung 200 an die Wand 202 der Prozesskammer 110 durch ein weiteres Drehgelenk 40 mit einer Rotationsachse 41, die parallel zu der Scanebene ist, die durch das Gelenk der Scanarmanordnung 200 definiert wird, montiert. Die ganze Scanarmanordnung 200 kann um Achse 41 mittels des Motors 42 rotiert werden, um eine entsprechende Rotation der Scanebene relativ zu der Ionenstrahlachse 124 zu veranlassen. Auf diese Art kann die Scanebene abgewinkelt werden, um einen gewünschten Implantationswinkel in einen Wafer 120 auf dem Waferhalter 232 zu ermöglichen. Der Wafer 120 kann um eine Rotationsachse 228 rotiert werden, um sicherzustellen, dass dem Ionenstrahl 118 Merkmale auf dem Wafer 120 korrekt präsentiert werden, z. B. dass Gräben mit der korrekten Neigung und Orientierung präsentiert werden, um eine Dotierung ihrer Seitenwände zu ermöglichen.
  • In den hierin beschriebenen Ausführungsformen liegt die Rotationsachse 41 der Scanarmanordnung 200 in der Ebene, die von einem Wafer 120 besetzt ist und schneidet auch die Strahlenachse 124, wie am besten in 2 gezeigt ist. Diese Geometrie stellt sicher, dass der Implantationswinkel des Wafers 120 durch die Rotation der Scanarmanordnung 200 um die Achse 41 eingestellt werden kann, ohne irgendeine Bewegung des Zentrums des Scanmusters 300 entlang der Strahlenachse 124 zu erzeugen, und es wurde darauf als isozentrische Implantationswinkeleinstellung (isocentric implant angle adjustment) Bezug genommen.
  • Der Scanarmkontroller 208 kontrolliert die Scanarmanordnung 200 in Übereinstimmung mit einem vorbestimmten Algorithmus, der in einem Speicher in dem Scanarmkontroller 204 gespeichert ist. Die Entwicklung eines geeigneten Algorithmus, um irgendeines der hierein beschriebenen Scanmuster zu bewirken, würde für den Fachmann kein Problem darstellen. Zum Beispiel werden die Beziehungen zwischen den Rotationspositionen der verschiedenen Motoren und den gewünschten Positionen des Wafers 120 durch trigonometrische Gleichungen definiert, die leicht von dem Fachmann hergeleitet werden können. Wie oben beschrieben, vereinfacht die Anordnung der zwei Antriebsarme 218 und 214, die um eine gemeinsame Achse rotiert werden sollen, die mathematische Betrachtung der Bewegung des Wafers 120. Insbesondere wird das Problem der WO 2004/001789 vermieden, in der ein Antriebsarm an das Ende des anderen Antriebsarms montiert ist, wodurch sich seine Rotationsachse bewegt.
  • Das Rasterscanmuster 300, das in 5 und 6 gezeigt ist, stellt relativ lange, hin- und hergehende, lineare Bewegungen zur Verfügung, die durch kurze, transversale Bewegungen verbunden sind, um eine Serie von entweder linearen oder bogenförmigen, parallelen Scanlinien 302 zu erzeugen. Weitere, alternative Scanrichtungen und -muster können erreicht werden. Zum Beispiel wurde in 8 das lineare Scanmuster 300 aus 7 um ungefähr 45° relativ zur Achse 210 rotiert. Ein geeigneter Algorithmus kann leicht entwickelt und in dem Scanarmkontroller 204 gespeichert werden, um dieses Scanmuster 300 durchzuführen. Ein Vorteil dieses Scanmusters 300 besteht darin, dass die langen, hin- und hergehenden Bewegungen des Wafers 210, die durch die parallelen Scanlinien 302 dargestellt sind, durch eine relativ größere, rotatorische Bewegung des Antriebsarmes 212, und eine relativ kleinere, winkelförmige Bewegung des Antriebsarmes 214 untergebracht sind. Dies kann eine reduzierte Last der Motoren 216 und 218 während der Ausführung des Scanmusters 300 zur Verfügung stellen. Es wird verstanden werden, dass das Scannen mit relativ hoher Geschwindigkeit durchgeführt werden soll, um eine geeignete Dosierungsgleichmäßigkeit, oder eine gewünschte, überall niedrige Dosierung von einem relativ hohem Strahlstrom zu erreichen, und in jedem Fall die Produktivität zu maximieren.
  • Obwohl das Scanmuster 300 von 8 mit Scanlinien 302 dargestellt ist, die sich diagonal zwischen links oben und rechts unten in der Figur erstrecken, soll es verstanden werden, dass die Scanarmanordnung 200 so in der Prozesskammer 116 montiert sein kann, dass die Schwerkraft auf die Scanarmanordnung 200 im Wesentlichen senkrecht zu der Scanlinie 302 in Richtung des Pfeils 310 wirkt. Dann kann die hin- und hergehende Hauptbewegung des Wafers 210 entlang der Scanlinien horizontal sein, wodurch wieder die Last an den Antriebsmotoren 316 und 318 minimiert wird.
  • Der Fachmann wird verstehen, dass Änderungen an der oben beschriebenen Ausführungsform gemacht werden können ohne den Schutzumfang der vorliegenden Erfindung zu verlassen.
  • Spezifische Details der Scanarme 212 und 214 und der Verbindungen 222 und 224, wie zum Beispiel ihre Größe und Form können verändert werden. Wie offensichtlich sein wird, können Änderungen an ihrer Größe und Form zugeschnitten werden, um eine gewünschte Bahn des Waferhalters 232 zu erzeugen. Wie oben angemerkt, können die Verbindungen Rotation oder Translation, oder eine Mischung der beiden verwenden, um die Bewegung der Antriebsarme 212 und 214 an den Waferhalter 22 zu übertragen. Gleitanordnungen können verwendet werden, um die Verbindungen mit den Antriebsarmen 212, 214 und miteinander zu verbinden.
  • Nicht alle Bewegungsarten, wie sie oben beschrieben wurden, müssen implementiert sein. Wenn nur normale Implantate benötigt werden, könnte man durch Weglassen des Motors 208 und Fixieren der Nabe 206 in einer Position auf die Möglichkeit verzichten, geneigte Implantate durchzuführen. Wenn die Orientierung des Wafers 120 nicht kritisch ist, kann der Waferhalter 232 fest sein, d. h. man könnte auf den Motor verzichten, der in dem erweiterten Kopf 230 der Verbindung 224 zur Verfügung gestellt wird.
  • Eine große Anzahl an Scanmustern kann durch die Verwendung einer Scanarmanordnung 200 nach der vorliegenden Erfindung erzeugt werden. Wenn ein Bandstrahl verwendet wird, kann die Scanarmanordnung 200 verwendet werden, um einen einzelnen Bogen des Wafers 120 über den Bandstrahl zu bewirken. Wenn ein Ionenpunktstrahl verwendet wird, sind Rastermuster gebräuchlicher. Das Rastermuster kann ausgeführt werden, um lineare Scanlinien oder gebogene Scanlinien zu umfassen. Der Wafer 120 kann durch den Ionenstrahl 118 in einer gemeinsamen Richtung für jede Scanlinie bewegt werden, oder der Wafer 120 kann in abwechselnden Richtungen für jede sukzessive Scanlinie bewegt werden. Andere, gut bekannte Schemata sind einfach zu implementieren, wie zum Beispiel verflochtene Scans, wo nur jede zweite Scanlinie (oder jede dritte, vierte, etc. Scanlinie) in einem Durchgang implantiert wird, dann wird im nächsten Durchgang ein neues Set von übersprungenen Scanlinien implantiert, und so weiter. Der Wafer 120 kann zwischen den Durchgängen rotiert werden.
  • Die vorliegende Erfindung wurde in den obigen Ausführungsformen im Kontext von Scanwafern 120 während der Implantation beschrieben. Nichtsdestotrotz wird es verstanden werden, dass die Scanarmanordnung 200 auch verwendet werden kann, um mit einem Wafertransferroboter während des Ladens und Entladens des Wafers 120 zu kooperieren. Zum Beispiel kann die Scanarmanordnung 200 um eine Achse 210 rotiert werden, so dass der Wafer 120 flach oben auf dem Waferhalter 232 gehalten wird. Die Scanarme 212 und 214 können auch verwendet werden, um den Wafer 120 geeignet für die Kooperation mit dem Roboter zu positionieren.
  • Kurzzusammenfassung
  • MULTI-DIREKTIONALES, MECHANISCHES SCANNEN IN EINEM IONENIMPLANTER
  • Diese Erfindung bezieht sich auf eine Scanarmanordnung zum multi-direktionalen, mechanischen Scannen eines Halbleiterwafers oder eines anderen Substrates, das einer Implantationsbehandlung unterzogen werden soll. Die vorliegende Erfindung stellt eine Scanarmanordnung zu Verfügung, die ein Paar Antriebsarme umfasst, die durch zwei Verbindungsarme verbunden sind, um ein Viereck zu bilden. Drehgelenke werde zur Verfügung gestellt, um angrenzende Arme miteinander zu verbinden, und ein Substrathalter wird an einem Verbindungsarm an der Stelle zur Verfügung gestellt, an der er mit dem anderen Verbindungsarm verbunden ist. Daher verursacht das Rotieren der Antriebsarme eine Bewegung des Substrathalters. Eine geeignete Kontrolle der Antriebsarme ermöglicht es, dass der Substrathalter durch den Ionenstrahl bewegt wird, um vielen, verschiedenen Bahen zu folgen und dadurch Muster zu implantieren.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • - US 5389793 [0003, 0038]
    • - US 4736107 [0004]
    • - US 5898179 [0004]
    • - US 5003183 [0004]
    • - US 5229615 [0004]
    • - US 5406088 [0004]
    • - WO 2004/001789 [0006, 0011, 0012, 0066]
    • - US 5969366 [0038]
    • - US 5399871 [0039]

Claims (43)

  1. Substratscanner zum Scannen eines Substrates durch einen Ionenstrahl in einem Ionenimplanter, wobei der Substrathalter umfasst: Einen ersten Antriebsarm, der an einem Drehgelenk bereit gestellt ist; Einen zweiten Antriebarm, der an einem Drehgelenk bereit gestellt ist; Antriebsmittel, die betriebsfähig sind, den ersten Antriebsarm um eine erste, feste Rotationsachse zu rotieren und den zweiten Antriebsarm um eine feste, zweite Rotationsachse zu rotieren; Eine Verbindung; und Einen Substrathalter, der mit der Verbindung verbunden ist; Wobei die Verbindung mit dem ersten Antriebsarm an einer Stelle verbunden ist, die entfernt von der ersten Achse ist, und mit dem zweiten Antriebsarm an einer Stelle verbunden ist, die entfernt von der zweiten Achse ist, so dass sich der Substrathalter bewegt, wenn der erste und/oder der zweite Antriebsarm rotiert wird.
  2. Der Substratscanner nach Anspruch 1, wobei die erste und die zweite Achse parallel sind.
  3. Der Substratscanner nach Anspruch 2, wobei der erste und zweite Antriebsarm so mit einem Träger verbunden sind, dass die erste und zweite Achse koaxial sind.
  4. Der Substratscanner nach Anspruch 3, wobei der Träger eingerichtet ist, an einer Kammerwand des Ionenimplanters montiert zu werden.
  5. Der Substratscanner nach Anspruch 4, wobei der erste und zweite Antriebsarm mit dem Träger neben der Kammerwand verbunden sind.
  6. Der Substratscanner nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei der erste und zweite Antriebsarm mit dem Träger an den entsprechenden, proximal liegenden Enden verbunden sind.
  7. Der Substratscanner nach Anspruch 6, wobei der erste und zweite Antriebsarm mit der Verbindung an den entsprechenden distal liegenden Enden verbunden sind.
  8. Der Substratscanner nach einem der vorhergehenden Ansprüchen, wobei die Verbindung erste und zweite Glieder umfasst, die rotierbar miteinander verbunden sind, um um eine dritte Achse zu rotieren, wobei das erste Glied auch rotierbar mit dem ersten Antriebsarm verbunden ist, um um eine vierte Achse zu rotieren und das zweite Glied auch rotierbar mit dem zweiten Antriebsarm verbunden ist, um um eine fünfte Achse zu rotieren.
  9. Der Substratscanner nach Anspruch 8, wobei die erste Achse, die zweite Achse, die dritte Achse, die vierte Achse und die fünfte Achse parallel sind.
  10. Der Substratscanner nach Anspruch 9, wobei Enden des ersten und zweiten Gliedes entsprechend mit dem ersten und zweiten Antriebsarm verbunden sind.
  11. Der Substratscanner nach Anspruch 10, wobei weitere Enden des ersten und zweiten Gliedes miteinander verbunden sind.
  12. Der Substratscanner nach einem der Ansprüche 8 bis 11, wobei das erste Glied mit dem Substrathalter bereit gestellt wird.
  13. Der Substratscanner nach Anspruch 12, wenn abhängig von Anspruch 11, wobei der Substrathalter an dem Ende des ersten Gliedes bereit gestellt wird, das mit dem zweiten Glied verbunden ist.
  14. Der Substratscanner nach einem der Ansprüche 8 bis 13, wobei der Substrathalter rotierbar mit der Verbindung verbunden ist, um eine Rotation um eine sechste Achse zuzulassen, die sich parallel zu der ersten, der zweiten, der dritten, der vierten und der fünften Achse erstreckt, und wobei der Substrathalter Substrathalterantriebsmittel umfasst, die betriebsfähig sind, den Substrathalter um eine sechste Achse zu rotieren.
  15. Der Substratscanner nach Anspruch 14, wobei sich die sechste Achse im Wesentlichen durch das Zentrum des Substrathalters erstreckt.
  16. Der Substratscanner nach Anspruch 15, wobei das Substrathalterantriebsmittel einen Motor umfasst, der betriebsfähig ist, den Substrathalter um die sechste Achse zu rotieren.
  17. Der Substratscanner nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei das erste Antriebsmittel einen ersten Motor umfasst, der betriebsfähig ist, den ersten Antriebsarm um die erste Achse zu rotieren und das zweite Antriebsmittel einen zweiten Motor umfasst, der betriebsfähig ist, den zweiten Antriebsarm um die zweite Achse zu rotieren.
  18. Der Substratscanner nach Anspruch 3 und jedem der Ansprüche 4 bis 17, wenn abhängig von Anspruch 3, wobei der Träger rotierbar montiert ist, um so rotierbar um eine siebte Achse zu sein.
  19. Der Substratscanner nach Anspruch 18, wobei die siebte Achse im Wesentlichen normal zu der ersten Achse ist, um sich in der Hauptrichtung des Substrathalters zu erstrecken.
  20. Der Substratscanner nach Anspruch 19, wobei die siebte Achse sich erstreckt, so dass sie direkt vor dem Substrathalter läuft.
  21. Ionenimplanter, der eine Ionenquelle, die betriebsfähig ist, einen Ionenstrahl zu erzeugen, eine Optik, die betriebsfähig ist, den Ionenstrahl entlang einer Ionenstrahlbahn zu leiten, und den Substrathalter nach einem der vorangehenden Ansprüche, der betriebsfähig ist, das Substrat durch den Ionenstrahl zu scannen, umfasst, wobei die erste Achse parallel zu der Richtung der Ionenstrahlbahn an dem Substratscanner ist.
  22. Verfahren zum Substratimplantieren unter Verwendung des Ionenimplanters nach Anspruch 21, wobei der Substrathalter ein Substrat hält, das einer Implantationsbehandlung unterzogen werden soll, wobei das Verfahren umfasst: Positionieren des Substrates neben dem Ionenstrahl; und Verwenden der Antriebsmittel, um den ersten Antriebsarm zu rotieren, wobei das Substrat veranlasst wird, so durch den Ionenstrahl zu laufen, dass der Ionenstrahl eine Scanlinie über das Substrat verfolgt.
  23. Das Verfahren nach Anspruch 22, wobei die erste und zweite Achse parallel sind, wobei das Verfahren Verwenden der Antriebsmittel umfasst, um den ersten und zweiten Antriebsarm in derselben Richtung und mit derselben Geschwindigkeit zu rotieren, so dass der Ionenstrahl eine Scanlinie über das Substrat verfolgt, die einem Kreisbogen entspricht.
  24. Das Verfahren nach Anspruch 23, umfassend, nach dem Verfolgen der bogenförmigen Scanlinie, Verwenden der Antriebsarme, um den ersten und zweiten Antriebsarm zu rotieren, um die Distanz zwischen der parallelen ersten und zweiten Achse und dem Substrathalter zu ändern.
  25. Das Verfahren nach Anspruch 24, umfassend Verwenden der Antriebsmittel, um den ersten und zweiten Antriebsarm in entgegengesetzte Richtungen zu rotieren.
  26. Das Verfahren nach Anspruch 25, umfassend Verwenden der Abntriebsmittel, um den ersten und zweiten Antriebsarm mit derselben Geschwindigkeit zu rotieren.
  27. Das Verfahren nach einem der Ansprüche 24 bis 26, weiterhin umfassend Verwenden der Antriebsmittel, um den ersten und zweiten Antriebsarm in derselben Richtung und mit derselben Geschwindigkeit zu rotieren, so dass der Ionenstrahl eine weitere Scanlinie über das Substrat verfolgt, die einem Kreisbogen mit anderem Radius entspricht.
  28. Das Verfahren nach Anspruch 27, umfassend Wiederholen der Schritte des Verwendens der Antriebsmittel, um den ersten und zweiten Antriebsarm zu rotieren, um Scanlinien zu verfolgen und um die Distanz zwischen den parallelen ersten und zweiten Achsen und dem Substrathalter zu ändern, so dass eine Serie von Scanlinien über das Substrat verfolgt wird, die einer Serie von konzentrischen Kreisbögen mit anderem Radius entsprechen.
  29. Das Verfahren nach Anspruch 28, umfassend Verwenden der Antriebsmittel, um den ersten und den zweiten Antriebsarm wiederholt zu rotieren, so dass die Distanz zwischen den parallelen ersten und zweiten Achsen und dem Substrathalter gleichmäßig geändert wird, so dass die bogenförmigen Scanlinien gleichmäßig getrennt sind.
  30. Das Verfahren nach Anspruch 27 oder Anspruch 28, umfassend Verwenden der Antriebsmittel, um den ersten und zweiten Antriebsarm in derselben Richtung wiederholt und mit einer gemeinsamen, gleichen Geschwindigkeit zu rotieren, wodurch eine gleichmäßige Dosierung des Substrates bereit gestellt wird.
  31. Das Verfahren nach Anspruch 22, umfassend Verwenden der Antriebsmittel, um den ersten und zweiten Antriebsarm simultan zu rotieren, so dass der Ionenstrahl eine gerade Scanlinie über das Substrat verfolgt.
  32. Das Verfahren nach Anspruch 31, umfassend Verwenden der Antriebsmittel, um den ersten und zweiten Antriebsarm simultan in entgegengesetzte Richtungen zu rotieren, während der Ionenstrahl eine gerade Scanlinie über das Substrat verfolgt.
  33. Das Verfahren nach einem der Ansprüche 31 bis 32, weiterhin umfassend Verwenden der Antriebsmittel, um den zweiten Antriebsarm zu rotieren, um dabei das Substrat zu bewegen, um für die Implantation entlang der nächsten Scanlinie bereit zu sein.
  34. Das Verfahren nach einem der Ansprüche 31 bis 33, umfassend wiederholt Verwenden der Antriebsmittel, um den ersten und zweiten Antriebsarm zu rotieren, so dass der Ionenstrahl eine Serie von Scanlinien über das Substrat verfolgt.
  35. Das Verfahren nach Anspruch 34, wobei die Serie von Scanlinien ein Rastermuster erzeugt.
  36. Das Verfahren nach einem der Ansprüche 31 bis 35, weiterhin umfassend Rotieren des Substrates während der Verwendung der Antriebsmittel, um das Substrat so durch den Ionenstrahl zu bewegen, dass die Orientierung des Substrates relativ zu dem Ionenstrahl beibehalten wird.
  37. Das Verfahren zum Scannen eines Substrates durch einen Ionenstrahl in einem Ionenimplanter unter Verwendung eines Scanarms, wobei das Verfahren umfasst: Rotieren eines ersten Teils des Scanarms um eine feste, erste Rotationsachse; und Rotieren eines zweiten Teils des Scanarms um eine feste, zweite Rotationsachse, wobei der Scanarm einen dritten Teil umfasst, der den ersten und zweiten Teil verbindet, wobei der dritte Teil mit einem Substrathalter verbunden ist.
  38. Das Verfahren nach Anspruch 37, wobei die erste und die zweite Achse parallel sind.
  39. Das Verfahren nach Anspruch 38, wobei die erste und zweite Achse koaxial sind.
  40. Computer, der programmiert und eingerichtet ist, das Verfahren nach einem der Ansprüche 22 bis 39 zu bewirken.
  41. Ionenimplanter, der den Computer nach Anspruch 40 umfasst.
  42. Computerprogramm, umfassend Computerprogramminstruktionen, die, wenn sie auf einem Computer ausgeführt werden, der eingerichtet ist, den Betrieb eines Ionenimplanters zu kontrollieren, den Ionenimplanter dazu veranlassen, in Übereinstimmung mit dem Verfahren nach einem der Ansprüche 22 bis 39 zu arbeiten.
  43. Computer lesbares Medium, das mit dem Computerprogramm nach Anspruch 42 bespielt ist.
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Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7582883B2 (en) * 2007-01-12 2009-09-01 Applied Materials, Inc. Method of scanning a substrate in an ion implanter
GB2445959A (en) * 2007-01-27 2008-07-30 Richard James Taylor Celestial tracking device
US8227768B2 (en) * 2008-06-25 2012-07-24 Axcelis Technologies, Inc. Low-inertia multi-axis multi-directional mechanically scanned ion implantation system
GB0815876D0 (en) * 2008-09-01 2008-10-08 Meadwestvaco Packaging Systems Article handling device
US8237135B2 (en) * 2009-01-22 2012-08-07 Axcelis Technologies, Inc. Enhanced low energy ion beam transport in ion implantation
US8168941B2 (en) * 2009-01-22 2012-05-01 Axcelis Technologies, Inc. Ion beam angle calibration and emittance measurement system for ribbon beams
US8168962B2 (en) * 2009-08-11 2012-05-01 Advanced Ion Beam Technology, Inc. Method and apparatus for uniformly implanting a wafer with an ion beam
US8294124B2 (en) * 2010-01-15 2012-10-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Scanning method and system using 2-D ion implanter
US20120043712A1 (en) * 2010-08-17 2012-02-23 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Mechanism and method for aligning a workpiece to a shadow mask
US8791430B2 (en) 2011-03-04 2014-07-29 Tel Epion Inc. Scanner for GCIB system
US9029808B2 (en) 2011-03-04 2015-05-12 Tel Epion Inc. Low contamination scanner for GCIB system
JP5665679B2 (ja) * 2011-07-14 2015-02-04 住友重機械工業株式会社 不純物導入層形成装置及び静電チャック保護方法
KR101576348B1 (ko) * 2013-01-18 2015-12-21 어드밴스드 이온 빔 테크놀로지 인크. 스캔 헤드 및 이를 사용하는 스캔 암
US9415508B1 (en) * 2015-05-15 2016-08-16 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Multi-link substrate scanning device
US20230021625A1 (en) * 2021-07-21 2023-01-26 Tel Manufacturing And Engineering Of America, Inc. Substrate scanning apparatus with pendulum and rotatable substrate holder

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4736107A (en) 1986-09-24 1988-04-05 Eaton Corporation Ion beam implanter scan control system
US5003183A (en) 1989-05-15 1991-03-26 Nissin Electric Company, Limited Ion implantation apparatus and method of controlling the same
US5229615A (en) 1992-03-05 1993-07-20 Eaton Corporation End station for a parallel beam ion implanter
US5389793A (en) 1983-08-15 1995-02-14 Applied Materials, Inc. Apparatus and methods for ion implantation
US5399871A (en) 1992-12-02 1995-03-21 Applied Materials, Inc. Plasma flood system for the reduction of charging of wafers during ion implantation
US5406088A (en) 1993-12-22 1995-04-11 Eaton Corporation Scan and tilt apparatus for an ion implanter
US5898179A (en) 1997-09-10 1999-04-27 Orion Equipment, Inc. Method and apparatus for controlling a workpiece in a vacuum chamber
US5969366A (en) 1995-11-08 1999-10-19 Applied Materials, Inc. Ion implanter with post mass selection deceleration
WO2004001789A2 (en) 2002-06-21 2003-12-31 Applied Materials, Inc. Multi directional mechanical scanning in an ion implanter

Family Cites Families (98)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1813902A (en) * 1928-01-18 1931-07-14 Liebel Flarsheim Co Electrosurgical apparatus
US2279753A (en) * 1940-03-25 1942-04-14 Knapp Monarch Co Switch
DE2030776A1 (de) * 1970-06-23 1971-12-30 Siemens Ag Handstück für Hochfrequenz-Elektroden
GB1365225A (en) * 1972-05-26 1974-08-29 Stanley Tools Ltd Retractable blade knife
USD263020S (en) * 1980-01-22 1982-02-16 Rau Iii David M Retractable knife
US4375218A (en) * 1981-05-26 1983-03-01 Digeronimo Ernest M Forceps, scalpel and blood coagulating surgical instrument
US4655215A (en) * 1985-03-15 1987-04-07 Harold Pike Hand control for electrosurgical electrodes
AU6757187A (en) * 1986-01-22 1987-07-23 Retief, C.T. Closure for a container
US4846171A (en) * 1986-10-06 1989-07-11 Gv Medical, Inc. Laser catheter adjustable control apparatus
US5035695A (en) * 1987-11-30 1991-07-30 Jaroy Weber, Jr. Extendable electrocautery surgery apparatus and method
US4943728A (en) * 1989-02-28 1990-07-24 Eaton Corporation Beam pattern control system for an ion implanter
DE4104755A1 (de) * 1991-02-15 1992-08-20 Heidmueller Harald Chirurgisches instrument
JP3156863B2 (ja) * 1991-12-26 2001-04-16 日本ジーイープラスチックス株式会社 強化難燃ポリエステル系樹脂組成物
US5250063A (en) * 1992-01-24 1993-10-05 Leonard Bloom Surgical scalpel with retractable guard
US5336220A (en) * 1992-10-09 1994-08-09 Symbiosis Corporation Tubing for endoscopic electrosurgical suction-irrigation instrument
US5558671A (en) * 1993-07-22 1996-09-24 Yates; David C. Impedance feedback monitor for electrosurgical instrument
US5344424A (en) * 1993-03-12 1994-09-06 Roberts Philip L Selectively retractable, disposable surgical knife
US5496312A (en) * 1993-10-07 1996-03-05 Valleylab Inc. Impedance and temperature generator control
US5620453A (en) * 1993-11-05 1997-04-15 Nallakrishnan; Ravi Surgical knife with retractable blade and depth of cut control
US5425690A (en) * 1994-04-20 1995-06-20 Chang; Sreter Wrist exerciser
US5431672A (en) * 1994-05-09 1995-07-11 Becton, Dickinson And Company Surgical scalpel with retractable blade
CA2168404C (en) * 1995-02-01 2007-07-10 Dale Schulze Surgical instrument with expandable cutting element
US5624452A (en) * 1995-04-07 1997-04-29 Ethicon Endo-Surgery, Inc. Hemostatic surgical cutting or stapling instrument
US5638003A (en) * 1995-05-23 1997-06-10 Underwriters Laboratories, Inc. Method and apparatus for testing surface breakdown of dielectric materials caused by electrical tracking
JPH08321447A (ja) * 1995-05-25 1996-12-03 Hitachi Ltd 異物除去機能付きウエハ処理方法
GB9526627D0 (en) * 1995-12-29 1996-02-28 Gyrus Medical Ltd An electrosurgical instrument and an electrosurgical electrode assembly
US5722421A (en) * 1995-09-15 1998-03-03 Symbiosis Corporation Clevis having deflection limiting stops for use in an endoscopic biopsy forceps instrument
USH1745H (en) * 1995-09-29 1998-08-04 Paraschac; Joseph F. Electrosurgical clamping device with insulation limited bipolar electrode
US5882567A (en) * 1996-02-16 1999-03-16 Acushnet Company Method of making a golf ball having multiple layers
US5725536A (en) * 1996-02-20 1998-03-10 Richard-Allen Medical Industries, Inc. Articulated surgical instrument with improved articulation control mechanism
US6096037A (en) * 1997-07-29 2000-08-01 Medtronic, Inc. Tissue sealing electrosurgery device and methods of sealing tissue
US6267761B1 (en) * 1997-09-09 2001-07-31 Sherwood Services Ag Apparatus and method for sealing and cutting tissue
US6736813B2 (en) * 1998-01-23 2004-05-18 Olympus Optical Co., Ltd. High-frequency treatment tool
US6562037B2 (en) * 1998-02-12 2003-05-13 Boris E. Paton Bonding of soft biological tissues by passing high frequency electric current therethrough
US5908432A (en) * 1998-03-27 1999-06-01 Pan; Huai C. Scalpel with retractable blade
US6514252B2 (en) * 1998-05-01 2003-02-04 Perfect Surgical Techniques, Inc. Bipolar surgical instruments having focused electrical fields
US6679882B1 (en) * 1998-06-22 2004-01-20 Lina Medical Aps Electrosurgical device for coagulating and for making incisions, a method of severing blood vessels and a method of coagulating and for making incisions in or severing tissue
US7901400B2 (en) * 1998-10-23 2011-03-08 Covidien Ag Method and system for controlling output of RF medical generator
US7267677B2 (en) * 1998-10-23 2007-09-11 Sherwood Services Ag Vessel sealing instrument
US6796981B2 (en) * 1999-09-30 2004-09-28 Sherwood Services Ag Vessel sealing system
JP2000150617A (ja) * 1998-11-17 2000-05-30 Tokyo Electron Ltd 搬送装置
US20030171747A1 (en) * 1999-01-25 2003-09-11 Olympus Optical Co., Ltd. Medical treatment instrument
JP2001038656A (ja) 1999-05-27 2001-02-13 Yaskawa Electric Corp 多関節型マニピュレータ
US6692445B2 (en) * 1999-07-27 2004-02-17 Scimed Life Systems, Inc. Biopsy sampler
DE10003020C2 (de) * 2000-01-25 2001-12-06 Aesculap Ag & Co Kg Bipolares Faßinstrument
US6558385B1 (en) * 2000-09-22 2003-05-06 Tissuelink Medical, Inc. Fluid-assisted medical device
US6358268B1 (en) * 2000-03-06 2002-03-19 Robert B. Hunt Surgical instrument
US6689131B2 (en) * 2001-03-08 2004-02-10 Tissuelink Medical, Inc. Electrosurgical device having a tissue reduction sensor
US6953461B2 (en) * 2002-05-16 2005-10-11 Tissuelink Medical, Inc. Fluid-assisted medical devices, systems and methods
US6391035B1 (en) * 2000-03-24 2002-05-21 Timothy Appleby Hemostatic clip removal instrument
JP3791893B2 (ja) * 2000-04-27 2006-06-28 オリンパス株式会社 外科用処置具
US6499936B2 (en) * 2001-02-17 2002-12-31 Yokogawa Electric Corporation Transfer system
WO2002067798A1 (en) * 2001-02-26 2002-09-06 Ntero Surgical, Inc. System and method for reducing post-surgical complications
US20090292282A9 (en) * 2001-04-06 2009-11-26 Dycus Sean T Movable handle for vessel sealer
EP1250891B1 (de) * 2001-04-18 2007-02-21 Olympus Corporation Chirurgisches Instrument
US6994709B2 (en) * 2001-08-30 2006-02-07 Olympus Corporation Treatment device for tissue from living tissues
US6773409B2 (en) * 2001-09-19 2004-08-10 Surgrx Llc Surgical system for applying ultrasonic energy to tissue
US6616661B2 (en) * 2001-09-28 2003-09-09 Ethicon, Inc. Surgical device for clamping, ligating, and severing tissue
US7070597B2 (en) * 2001-10-18 2006-07-04 Surgrx, Inc. Electrosurgical working end for controlled energy delivery
US7041102B2 (en) * 2001-10-22 2006-05-09 Surgrx, Inc. Electrosurgical working end with replaceable cartridges
US7083619B2 (en) * 2001-10-22 2006-08-01 Surgrx, Inc. Electrosurgical instrument and method of use
JP4091288B2 (ja) * 2001-10-31 2008-05-28 株式会社アルバック 処理対象物の処理方法
US6616658B2 (en) * 2001-11-08 2003-09-09 Leonard Ineson Electrosurgical pencil
US6757977B2 (en) * 2001-11-20 2004-07-06 Jai Surgicals Limited Disposable surgical safety scalpel
US6727509B2 (en) * 2001-12-17 2004-04-27 Michel Pharand Wafer pedestal tilt mechanism
US6676660B2 (en) * 2002-01-23 2004-01-13 Ethicon Endo-Surgery, Inc. Feedback light apparatus and method for use with an electrosurgical instrument
JP4089252B2 (ja) * 2002-03-11 2008-05-28 オムロン株式会社 直流負荷用接点構成および該構成を有した開閉器
US7033356B2 (en) * 2002-07-02 2006-04-25 Gyrus Medical, Inc. Bipolar electrosurgical instrument for cutting desiccating and sealing tissue
US7087054B2 (en) * 2002-10-01 2006-08-08 Surgrx, Inc. Electrosurgical instrument and method of use
US7270664B2 (en) * 2002-10-04 2007-09-18 Sherwood Services Ag Vessel sealing instrument with electrical cutting mechanism
US7276068B2 (en) * 2002-10-04 2007-10-02 Sherwood Services Ag Vessel sealing instrument with electrical cutting mechanism
US7314471B2 (en) * 2002-11-18 2008-01-01 Trevor John Milton Disposable scalpel with retractable blade
US7044948B2 (en) * 2002-12-10 2006-05-16 Sherwood Services Ag Circuit for controlling arc energy from an electrosurgical generator
US7909820B2 (en) * 2003-03-06 2011-03-22 Salient Surgical Technologies, Inc. Electrosurgical generator and bipolar electrosurgical device adaptors
DE10330604A1 (de) * 2003-04-01 2004-10-28 Tuebingen Scientific Surgical Products Gmbh Chirurgisches Instrument
US7128741B1 (en) * 2003-04-04 2006-10-31 Megadyne Medical Products, Inc. Methods, systems, and devices for performing electrosurgical procedures
AU2004237772B2 (en) * 2003-05-01 2009-12-10 Covidien Ag Electrosurgical instrument which reduces thermal damage to adjacent tissue
US7344268B2 (en) * 2003-07-07 2008-03-18 Xenonics, Inc. Long-range, handheld illumination system
US20050096645A1 (en) * 2003-10-31 2005-05-05 Parris Wellman Multitool surgical device
US7367976B2 (en) * 2003-11-17 2008-05-06 Sherwood Services Ag Bipolar forceps having monopolar extension
US7500975B2 (en) * 2003-11-19 2009-03-10 Covidien Ag Spring loaded reciprocating tissue cutting mechanism in a forceps-style electrosurgical instrument
US7156842B2 (en) * 2003-11-20 2007-01-02 Sherwood Services Ag Electrosurgical pencil with improved controls
JP4436698B2 (ja) * 2004-02-25 2010-03-24 オリンパス株式会社 高周波処置具
US7342754B2 (en) * 2004-03-02 2008-03-11 Eaton Corporation Bypass circuit to prevent arcing in a switching device
US7780662B2 (en) * 2004-03-02 2010-08-24 Covidien Ag Vessel sealing system using capacitive RF dielectric heating
EP1738393B1 (de) * 2004-04-05 2010-08-04 Axcelis Technologies, Inc. Antriebssystem zum scannen eines arbeitsstücks mit einem ionenstrahl
CN1291445C (zh) * 2004-06-18 2006-12-20 清华大学 离子注入机中的靶盘角度控制与扫描运动机构
US6953942B1 (en) 2004-09-20 2005-10-11 Axcelis Technologies, Inc. Ion beam utilization during scanned ion implantation
US7628792B2 (en) * 2004-10-08 2009-12-08 Covidien Ag Bilateral foot jaws
USD564662S1 (en) * 2004-10-13 2008-03-18 Sherwood Services Ag Hourglass-shaped knife for electrosurgical forceps
JP2006324205A (ja) 2005-05-20 2006-11-30 Nissin Ion Equipment Co Ltd イオンビーム照射装置
US7837685B2 (en) * 2005-07-13 2010-11-23 Covidien Ag Switch mechanisms for safe activation of energy on an electrosurgical instrument
US7776037B2 (en) * 2006-07-07 2010-08-17 Covidien Ag System and method for controlling electrode gap during tissue sealing
US20080015575A1 (en) * 2006-07-14 2008-01-17 Sherwood Services Ag Vessel sealing instrument with pre-heated electrodes
US7744615B2 (en) * 2006-07-18 2010-06-29 Covidien Ag Apparatus and method for transecting tissue on a bipolar vessel sealing instrument
US20080033428A1 (en) * 2006-08-04 2008-02-07 Sherwood Services Ag System and method for disabling handswitching on an electrosurgical instrument
US8597297B2 (en) * 2006-08-29 2013-12-03 Covidien Ag Vessel sealing instrument with multiple electrode configurations
US8070746B2 (en) * 2006-10-03 2011-12-06 Tyco Healthcare Group Lp Radiofrequency fusion of cardiac tissue

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5389793A (en) 1983-08-15 1995-02-14 Applied Materials, Inc. Apparatus and methods for ion implantation
US4736107A (en) 1986-09-24 1988-04-05 Eaton Corporation Ion beam implanter scan control system
US5003183A (en) 1989-05-15 1991-03-26 Nissin Electric Company, Limited Ion implantation apparatus and method of controlling the same
US5229615A (en) 1992-03-05 1993-07-20 Eaton Corporation End station for a parallel beam ion implanter
US5399871A (en) 1992-12-02 1995-03-21 Applied Materials, Inc. Plasma flood system for the reduction of charging of wafers during ion implantation
US5406088A (en) 1993-12-22 1995-04-11 Eaton Corporation Scan and tilt apparatus for an ion implanter
US5969366A (en) 1995-11-08 1999-10-19 Applied Materials, Inc. Ion implanter with post mass selection deceleration
US5898179A (en) 1997-09-10 1999-04-27 Orion Equipment, Inc. Method and apparatus for controlling a workpiece in a vacuum chamber
WO2004001789A2 (en) 2002-06-21 2003-12-31 Applied Materials, Inc. Multi directional mechanical scanning in an ion implanter

Also Published As

Publication number Publication date
JP2010507886A (ja) 2010-03-11
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