DE112005003420T5 - Haltering für CMP-Vorrichtung und Herstellungsverfahren dafür, und CMP-Vorrichtung - Google Patents

Haltering für CMP-Vorrichtung und Herstellungsverfahren dafür, und CMP-Vorrichtung Download PDF

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Tsutomu Yokohama Ichinoshime
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Nippon Seimitsu Denshi Co Ltd Yokohama
Nippon Seimitsu Denshi Co Ltd
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Abstract

Haltering für eine CMP-Vorrichtung, der in einer CMP-Vorrichtung, die eine Polierauflage, die auf einer Basis angeordnet ist, und einen Haltekopf, der einen Wafer hält und den Wafer gegen die Polierauflage drückt, und der den Wafer chemisch und mechanisch poliert, innerhalb des Haltekopfes vorgesehen ist, eine Ringform hat, so dass er den Umfang des Wafers umgibt und die Polieroberfläche der Polierauflage unter Druck setzt, dadurch gekennzeichnet, dass der Haltering aus einem Ingenieur-Kunststoffmaterial hergestellt ist, und dass die Oberflächenrauhigkeit der Druckoberfläche, um die Polieroberfläche der Polierauflage unter Druck zu setzen, eine mittlere Mittellinien-Rauhigkeit (Arithmetisches Mittel der Rauhigkeit) von 0,01 μm oder darunter hat.

Description

  • Technisches Gebiet
  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine CMP-(oder chemisch mechanische Polier-)Vorrichtung, die einen Wafer chemisch und mechanisch poliert. Insbesondere bezieht sie sich auf einen Haltering, der auf der Innenseite eines Haltekopfes der CMP-Vorrichtung vorgesehen ist (daran befestigt ist), und der den Umfang des Wafers umgibt.
  • Stand der Technik
  • Während eine Halbleitervorrichtung höher integriert wird und eine bessere Betriebsweise aufweist, haben sich ihre Abmessungen in der horizontalen Richtung (in der Ebene) verkürzt, und die Struktur in der vertikalen Richtung wurde weiter verfeinert und mehrschichtig ausgebildet. Um eine solche feine und vielschichtige Struktur zu realisieren, muss ein Halbleitersubstrat (beispielsweise ein Siliziumsubstrat) eine hohe Ebenheit (Gleichmäßigkeit) haben. Folglich muss die Ebenheit auf Seiten des Wafers erhöht werden, und in Antwort auf dieses Erfordernis wird eine CMP-Vorrichtung verwendet.
  • Diese CMP-Vorrichtung ist beispielsweise verwirklicht durch: eine Rotations-Basis; eine Polierauflage, die auf dieser Basis angeordnet ist; und einen Haltekopf, der einen Wafer hält und ihn auf die Polierauflage drückt; eine Schlammzufuhrdüse und dergleichen. Der Haltekopf wird gebildet durch: einen Haltering, der den Umfang des Wafers umgibt; beispielsweise einen elastischen Film, der auf die obere Oberfläche des Wafers drückt (sie unter Druck setzt); eine Luftkammer, die mit diesem elastischen Film, dem Haltering und dem Kopfkörper eingeschlossen wird; einen Luftzufuhrweg, der Luft zur Druckerzeugung in diese Luftkammer liefert. Der Haltering umgibt den Umfang des Wafers und verhindert, dass der Wafer herausspringt. Er setzt auch die Polieroberfläche der Polierauflage unter Druck und macht die Polieroberfläche der Polierauflage, die den Wafer poliert, flach und macht sie feiner (richtet sie ab). Folglich muss die Druckoberfläche des Halterings (Fläche zum Unterdrucksetzen der Polierauflage) eine niedrige Oberflächenrauhigkeit haben.
  • Andererseits soll, da ein Haltering die Polierauflage unter Druck setzt, seine Druckoberfläche selbst durch die Polierauflage poliert und abgerieben werden. Dies macht es erforderlich, dass der Haltering regelmäßig ersetzt wird. Wenn jedoch die Druckoberfläche des Halterings rau ist, kann eine vorgegebene Polierarbeit oder eine erwünschte Ebenheit des Wafers nicht erreicht werden. In dem Fall, wenn der Haltering ausgetauscht worden ist, muss daher, bevor mit dem Polieren eines Produktwafers (ein Wafer, der als ein Produkt hergestellt werden soll) begonnen wird, eine Einlauf-(vorbereitende)-Politur unter Verwendung eines neu befestigten Halterings durchgeführt werden. Insbesondere wird dieser neue Haltering an dem Haltekopf der CMP-Vorrichtung befestigt, und dutzende von Versuchswafern (Einlaufwafer) werden poliert. Nachdem sichergestellt worden ist, dass eine geeignete Polierqualität erhalten worden ist, wird zum ersten Mal eine Politur an dem Produktwafer durchgeführt. Diese Einlaufpolitur erfordert viel Zeit und Arbeitskraft, wodurch die Produktionsverfügbarkeit von Wafern herabgesenkt wird.
  • Zieht man dies in Betracht, so ist, um die Zeit für die Einlaufpolitur zu verkürzen, ein Haltering, dessen Druckoberfläche einer Oberflächenbearbeitung (Maschinenbearbeitung) unterworfen wird, so dass er eine vorgegebene Glattheit hat, bekannt (es wird beispielsweise auf das Patentdokument 1 Bezug genommen). insbesondere ist die Druckoberfläche in dem Haltering so ausgeführt, dass sie eine Oberflächenrauhigkeit von 0,8 μm oder darunter bei der maximalen Höhe (Rmax) hat. Dies ermöglicht es, dass die Einlaufpolitur weggelassen werden kann.
    • Patentdokument 1: Beschreibung der japanischen Patentoffenlegungsschrift Nr.2002-126995 .
  • Offenbarung der Erfindung
  • Probleme, die durch die Erfindung zu lösen sind.
  • Eine außerordentlich hohe Ebenheit ist jedoch für einen Wafer erforderlich, und solch eine hohe Ebenheit kann nicht mit dem Haltering, der in dem oben beschriebenen Patentdokument 1 angegeben wird, in befriedigender Weise erhalten werden. Insbesondere ist die Oberflächenrauhigkeit des Halterings einige 0,8 μm an der maximalen Höhe, und daher kann die Polieroberfläche der Polierauflage nicht wie erwünscht flach abgemacht und herunter verfeinert werden (bis zu einem hohen Niveau). Selbst wenn ein Wafer mit dieser Polierauflage poliert wird, kann eine extrem hohe Ebenheit nicht erreicht werden. Dies erfordert in der Praxis eine Einlaufpolitur, die eine lange Zeit erfordert, die der Zeit entspricht, die bisher erforderlich war. In Bezug auf die Oberflächenrauhigkeit, die in dem Patentdokument 1 be schrieben ist, ist außerdem der kleinste Wert 0,6 μm bei maximaler Höhe. Wenn die Oberflächenrauhigkeit auf einem solchen Rauhigkeitsniveau ist, muss eine langzeitige Einlaufpolitur in derselben Weise wie in dem Fall von 0,8 μm durchgeführt werden. Im übrigen ist gemäß dem Patentdokument 1 die Oberflächenrauhigkeit der Druckoberfläche auf 0,8 μm oder darunter bei maximaler Höhe eingestellt, so dass ein Polierrate und die Gleichförmigkeit der Polierrate innerhalb der Oberfläche verbessert werden kann. Die Polierrate drückt jedoch nur aus, wie schnell (mm/min) ein Wafer poliert werden kann, und daher soll sie nicht anzeigen, dass ein Wafer poliert werden kann, so dass er eine hohe Ebenheit hat.
  • Ferner hängt die Ebenheit eines Wafers, der durch die CMP-Vorrichtung poliert wird, von dem Material des Halterings und der Oberflächenrauhigkeit seiner Druckoberfläche ab. Wenn das Material des Halterings und die Oberflächenrauhigkeit seiner Druckoberfläche spezifiziert werden, macht dies mit anderen Worten es möglich, einen Wafer mit einer hohen Ebenheit zu polieren. In dem Patentdokument 1 wird jedoch ein Material des Halterings nicht erwähnt. Folglich ist unklar, ob ein Haltering, der aus einem speziellen Material hergestellt worden ist, den Vorteil aufweist, dass seine Druckoberfläche so eingestellt ist, dass sie eine Oberflächenrauhigkeit von 0,8 μm oder darunter bei maximaler Höhe hat, so dass eine Einlaufpolitur weggelassen werden kann.
  • Bei dem Haltering und dem Offenbarungsgehalt, der in dem Patentdokument 1 gegeben ist, kann, soweit bisher beschrieben, nicht nur die Einlaufpolitur nicht eingespart werden, sondern auch die Zeit, die für eine solche Einlaufpolitur erforderlich ist, kann in der Praxis nicht effektiv auf dem Minimum gehalten werden.
  • Daher ist es eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen Haltering und ein Herstellungsverfahren davon bereitzustellen, die in der Lage sind, die für das Einlaufpolieren erforderliche Zeit in der Praxis effektiv auf ein Minimum einzuschränken.
  • Mittel zur Lösung der Probleme
  • Um die oben beschriebene Aufgabe zu lösen, ist ein Haltering für eine CMP-Vorrichtung nach Anspruch 1, der in einer CMP-Vorrichtung, die eine Polierauflage, die auf einer Basis angeordnet ist, und einen Haltekopf, der einen Wafer hält und den Wafer gegen die Polierauflage drückt, und der den Wafer chemisch und mechanisch poliert, innerhalb des Haltekopfes vorgesehen ist, eine Ringform hat, so dass er den Umfang des Wafers umgibt und die Polieroberfläche der Polierauflage unter Druck setzt, dadurch gekennzeichnet, dass der Haltering aus einem Ingenieur-Kunststoffmaterial hergestellt ist, und dass die Oberflächenrauhigkeit der Druckoberfläche, um die Polieroberfläche der Polierauflage unter Druck zu setzen, eine mittlere Mittellinien-Rauhigkeit (Arithmetisches Mittel der Rauhigkeit) von 0,01 μm oder darunter hat.
  • Ein Haltering für eine CMP-Vorrichtung nach Anspruch 2 ist dadurch gekennzeichnet, dass in dem Haltering der CMP-Vorrichtung nach Anspruch 1 in der rückseitigen Oberfläche des Halterings, die an der rückseitigen Oberfläche der Druckoberfläche liegt, ein zu haltender Abschnitt ausgebildet ist; und dass die Druckoberfläche poliert ist.
  • Ein Verfahren zur Herstellung eines Halterings für eine CMP-Vorrichtung nach Anspruch 3, um in einer CMP-Vorrichtung, die eine Polierauflage, die auf einer Basis angeordnet ist, und einen Haltekopf aufweist, der einen Wafer hält und den Wafer gegen die Polierauflage drückt und der den Wafer chemisch und mechanisch poliert, einen Ingenieur-Kunststoff-Haltering herzustellen, der auf der Innenseite des Haltekopfes vorgesehen ist, eine Ringform hat, so dass er den Umfang des Wafers umgibt, und die Polieroberfläche der Polierauflage unter Druck setzt, ist gekennzeichnet durch umfassend die Schritte: Bearbeiten einer Formoberfläche außer einer Druckoberfläche, um die Polieroberfläche der Polierauflage unter Druck zu setzen, so dass die Formoberfläche eine vorgegebene Abmessung hat; Halten des Halterings, ohne einen externen Umfangsdruck und einen internen Umfangsdruck auf den Haltering auszuüben; und Maschinen bearbeiten der Druckoberfläche in diesem Zustand und Polieren der Druckoberfläche, bis die Oberflächenrauhigkeit davon zu einer mittleren Mittellinien-Rauhigkeit von 0,01 μm oder darunter wird.
  • Ein Verfahren zur Herstellung eines Halterings für eine CMP-Vorrichtung nach Anspruch 4 ist dadurch gekennzeichnet, dass in dem Verfahren zur Herstellung eines Halterings für die CMP-Vorrichtung nach Anspruch 3 die Polierauflage, die auf der Basis angeordnet ist, eine Druckeinrichtung zum Drehen des Halterings und zum Drücken dessen Oberfläche gegen die Polierauflage und eine Schlammzufuhreinrichtung zum Zuführen von Schlamm an die Polierauflage vorgesehen sind; und dass die Politur durch eine Poliervorrichtung durchgeführt wird, die einen Druck und eine Drehzahl, die durch die Druckeinrichtung bereitgestellt werden, und eine Schlammzufuhr, die von der Schlammzufuhreinrichtung bereitgestellt wird, regelt.
  • Ein Verfahren zur Herstellung eines Halterings für eine CMP-Vorrichtung nach Anspruch 5 ist dadurch gekennzeichnet, dass in dem Verfahren zur Herstellung eines Halterings für eine CMP-Vorrichtung nach Anspruch 4 vor der Durchführung der Politur eine Einlaufbearbeitung dadurch durchgeführt wird, dass ein Einlauf-Haltering an der Poliervorrichtung befestigt wird.
  • Ein Verfahren zur Herstellung eines Halterings für eine CMP-Vorrichtung nach Anspruch 6 ist dadurch gekennzeichnet, dass in dem Verfahren zur Herstellung eines Halterings für eine CMP-Vorrichtung nach einem der Ansprüche 3 bis 5 die Maschinenbearbeitung und die Politur durchgeführt wird, wobei nur die Seite der rückseitigen Oberfläche des Halterings gehalten wird, die auf der rückseitigen Oberfläche der Druckoberfläche angeordnet ist.
  • Ein Verfahren zur Herstellung eines Halterings für eine CMP-Vorrichtung nach Anspruch 7 ist dadurch gekennzeichnet, dass in dem Verfahren zur Herstellung eines Halterings für eine CMP-Vorrichtung nach Anspruch 6 ein zu haltender Abschnitt auf der rückseitigen Oberfläche des Halterings ausgebildet wird; der Haltering von einem Maschinenbearbeitungshalter gehalten wird, der einen Halteabschnitt umfasst, der den zu haltenden Abschnitt hält; und dass die Maschinenbearbeitung in diesem Zustand durchgeführt wird.
  • Ein Verfahren zur Herstellung eines Halterings für eine CMP-Vorrichtung nach Anspruch 8 ist dadurch gekennzeichnet, dass in dem Verfahren zur Herstellung eines Halterings für die CMP-Vorrichtung nach Anspruch 7 die Maschinenbearbeitungshalterung, die den Haltering hält, durch eine Polierhalterung gelagert ist, die die Seite der rückseitigen Oberfläche der Maschinenbearbeitungshalterung, die auf der rückseitigen Oberfläche des Halteabschnittes liegt, lagert; und dass die Politur in diesem Zustand durchgeführt wird.
  • Eine Maschinenbearbeitungshalterung für den Haltering einer CMP-Vorrichtung nach Anspruch 9, die die Maschinenbearbeitungshalterung ist, die in dem Verfahren zur Herstellung des Halterings der CMP-Vorrichtung nach Anspruch 7 verwendet wird, ist dadurch gekennzeichnet, dass die Maschinenbearbeitungshalterung die Form einer flachen Platte aufweist und in einer Befestigungsoberfläche, die in Oberflächenkontakt mit der rückseitigen Oberfläche des Halterings kommt, den Halteabschnitt umfasst, der den zu haltenden Abschnitt hält, der in der rückseitigen Oberfläche des Halterings ausgebildet ist.
  • Eine Maschinenbearbeitungshalterung für einen Haltering einer CMP-Vorrichtung gemäß Anspruch 10, die die Polierhalterung ist, die in dem Verfahren zur Herstellung des Halterings für die CMP-Vorrichtung nach Anspruch 8 verwendet wird, ist dadurch gekennzeichnet, dass die Polierhalterung die Form einer flachen Platte und einen konkaven Lagerabschnitt aufweist, welcher die Seite der rückseitigen Oberfläche der Maschinenbearbeitungshalterung, die auf der rückseitigen Oberfläche der Befestigungsoberfläche liegt, aufnimmt, die an der Umfangsfläche der Maschinenbearbeitungshalterung eingepasst ist und die rückseitige Oberfläche der Maschinenbearbeitungshalterung lagert.
  • CMP-Vorrichtung nach Anspruch 11, die eine Polierauflage, die auf einer Basis angeordnet ist, und einen Haltekopf aufweist, der einen Wafer hält und den Wafer gegen die Polierauflage drückt, wobei der Haltekopf einen Haltering hat, der eine Ringform aufweist, um den Umfang des Wafers zu umgeben, und der die Polieroberfläche der Polierauflage unter Druck setzt; und der den Wafer chemisch und mechanisch poliert, dadurch gekennzeichnet ist, dass der Haltering aus einem Ingenieur-Kunststoffmaterial hergestellt ist; und dass die Oberflächenrauhigkeit der Druckoberfläche des Halterings, um die Polieroberfläche der Polierauflage unter Druck zu setzen, unter eine gemittelte Mittellinien-Rauhigkeit von 0,01 μm oder darunter eingestellt ist.
  • Vorteile der Erfindung
  • In dem Haltering der CMP-Vorrichtung nach Anspruch 1, der aus Ingenieur-Kunststoff hergestellt ist, hat die Oberflächenrauhigkeit der Druckoberfläche eine gemittelte Mittellinien-Rauhigkeit von 0,01 μm oder darunter. Daher kann in der Praxis die Zeit, die für die Einlaufpolitur verwendet wird, effektiv auf ein Minimum eingeschränkt werden. Insbesondere zeigt in diesem Haltering die Oberflächenrauhigkeit der Druckoberfläche einen extrem kleinen Wert von 0,01 μm oder darunter. Dadurch wird unmittelbar nach dem Befestigen des Halterings an dem Haltekopf der CMP-Vorrichtung die Polieroberfäche der Polierauflage mit der Druckoberfläche des Halterings wie erwünscht flach gemacht und herunter verfeinert (auf ein hohes Niveau). Dies trägt dazu bei, eine geeignete Polierwirkung zu erhalten, mit anderen Worten einen Wafer mit einer extrem hohen Ebenheit zu polieren, ohne dass eine Einlaufpolitur durchgeführt wird oder wobei nur eine kurzzeitige (minimale) Einlaufpolitur durchgeführt wird. Als Ergebnis kann die Zeit und die Arbeitskraft, die für solch eine Einlaufpolitur erforderlich sind, auf einem Minimum gehalten werden. Dies macht es in der Praxis effektiv möglich, die Produktionsverfügbarkeit von Wafern zu verbessern. Außerdem wird die Zeit, die für das Einlaufpolieren benötigt wird, zu einem Mini mum, so dass der Polierabfall, der durch das Einlaufpolieren erzeugt wird, reduziert werden kann, dass Kratzer auf einem Wafer durch den Polierabfall weniger wahrscheinlich wird, oder dass Verunreinigungen mit geringerer Wahrscheinlichkeit an einem Wafer haften. Folglich wird die Produktionsqualität eines Wafers höher und stabiler, wodurch die Anzahl von fehlerhaften Produkten herabgesetzt und die Produktivität weiter verbessert wird.
  • Bei dem Haltering der CMP-Vorrichtung nach Anspruch 2 wird der zu haltende Abschnitt auf der rückseitigen Oberfläche gehalten, so dass der Haltering ohne Deformation der Druckoberfläche gehalten werden kann. Daher kann die Politur durchgeführt werden, wobei er in diesem Zustand gehalten wird, wodurch dazu beigetragen wird, dass die Oberflächenrauhigkeit der Druckoberfläche extrem fein gemacht wird.
  • In dem Verfahren zur Herstellung eines Halterings für die CMP-Vorrichtung nach Anspruch 3 wird nach dem die Raumoberfläche außer der Druckoberfläche bearbeitet worden ist, so dass sie eine vorgegebene Abmessung hat, die Druckoberfläche maschinenbearbeitet und poliert (geläppt). Daher wird die Druckoberfläche, die bereits einer Maschinenbearbeitung oder dergleichen unterworfen worden ist, in der nachfolgenden Bearbeitung nicht deformiert. Ferner wird sie einer Maschinenbearbeitung oder dergleichen in einem Zustand unterworfen, in dem der Haltering gehalten wird, ohne einen externen Umfangsdruck oder einen internen Umfangsdruck auszuüben. Dies verhindert, dass die Druckoberfläche durch die Halterung deformiert wird. Durch die Maschinenbearbeitung (beispielsweise Schneiden und Schleifen) erreicht ferner die Ebenheit der Druckoberfläche und die Oberflächenrauhigkeit ein spezielles Maß (Niveau), und danach wird die Politur durchgeführt. Dies trägt dazu bei, die Politur wie erwünscht durchzuführen. Als Ergebnis kann die Druckoberfläche einer Endbearbeitung unterworfen werden, so dass sie eine hohe Ebenheit und eine extrem niedrige Oberflächenrauhigkeit hat.
  • Bei dem Verfahren zur Herstellung eines Halterings der CMP-Vorrichtung nach Anspruch 4 wird entsprechend dem Material oder der Größe des Halterings die Art des Schlamms (Schleifmittel) oder dergleichen, der Druck oder die Drehzahl der Druckeinrichtung oder die Schlammzufuhr geregelt. Daher kann die Druckoberfläche des Halterings auf eine hohe Ebenheit und eine extrem niedrige Oberflächenrauhigkeit poliert werden.
  • In dem Verfahren zur Herstellung eines Halterings der CMP-Vorrichtung nach Anspruch 5 wird eine Einlaufbearbeitung durchgeführt, so dass die Polierauflage (beispielsweise ein Tuch) der Poliervorrichtung abgerichtet (flach und herunter verfeinert) und stabilisiert wird. Daher kann in der nachfolgenden Politur die Druckoberfläche des Halterings gut geschliffen werden (so dass sie eine hohe Ebenheit und eine extrem niedrige Oberflächenrauhigkeit hat).
  • In dem Herstellungsverfahren eines Halterings für die CMP-Vorrichtung nach Anspruch 7 werden die Maschinenbearbeitung und die Politur durchgeführt, wobei nur die Seite der rückseitigen Oberfläche des Halterings gehalten wird. Daher kann diese Halterung daran gehindert werden, die Druckoberfläche zu deformieren, so dass auf diese Weise die Druckoberfläche wie erwünscht bearbeitet wird.
  • In dem Verfahren zur Herstellung eines Halterings der CMP-Vorrichtung nach Anspruch 7 wird der zu haltende Abschnitt, der in der rückseitigen Oberfläche des Halterings ausgebildet ist, gehalten, und in diesem Zustand wird die Druckoberfläche maschinenbearbeitet. Daher kann die Halterung des Halterings daran gehindert werden, die Druckoberfläche zu deformieren, so dass die Maschinenbearbeitung der Druckoberfläche wie erwünscht erfolgt.
  • In dem Verfahren zur Herstellung des Halterings der CMP-Vorrichtung nach Anspruch 8 wird die Seite der rückseitigen Oberfläche der Maschinenbearbeitungshalterung, die den Haltering hält, durch den Maschinenbearbeitungshalterung gelagert. Daher kann diese Lagerung daran gehindert werden, die Druckoberfläche des Halterings zu deformieren. Außerdem kann die Politur in einem Zustand durchgeführt werden, wo der Haltering auf der Maschinenbearbeitungshalterung gehalten wird. Mit anderen Worten können die Maschinenbearbeitung und die Politur kontinuierlich durchgeführt werden, ohne den Haltering von der Maschinenbearbeitungshalterung zu entfernen. Dies trägt dazu bei, die Halterungsgenauigkeit und die Halterungsstabilität der Maschinenbearbeitungshalterung aufrecht zu erhalten. Als Ergebnis kann die Druckoberfläche ordnungsgemäß poliert werden.
  • Bei der Maschinenbearbeitungshalterung für den Haltering der CMP-Vorrichtung nach Anspruch 9 ist der zu haltende Abschnitt, der in der rückseitigen Oberfläche des Halterings ausgebildet ist, von der Maschinenbearbeitungshalterung gehalten. Daher kann diese Halterung daran gehindert werden, die Druckoberfläche des Halterings zu deformieren. Zusätzlich kommt die rückseitige Oberfläche des Halterings in Oberflächenkontakt mit der Befestigungsoberfläche der Maschinenbearbeitungshalterung, und in diesem Zustand wird der Haltering auf der Maschinenbearbeitungshalterung gehalten. Folglich wird zum Zeitpunkt der Maschinenbearbeitung die Druckoberfläche des Halterings stabiler. Als Ergebnis kann die Druckoberfläche ordnungsgemäß maschinenbearbeitet werden.
  • Bei der Polierhalterung für den Haltering der CMP-Vorrichtung nach Anspruch 10 wird die Seite der rückseitigen Oberfläche der Maschinenbearbeitungshalterung, die den Haltering hält, durch die Polierhalterung gelagert. Daher kann diese Lagerung daran gehindert werden, die Druckoberfläche des Halterings zu deformieren. Außerdem kann die Politur in einem Zustand durchgeführt werden, wo der Haltering auf der Maschinenbearbeitungshalterung gehalten wird. Außerdem ist der Lagerabschnitt in die Umfangsoberfläche der Maschinenbearbeitungshalterung eingepasst, so dass die Maschinenbearbeitungshalterung (der Haltering) dran gehindert werden kann, sich seitwärts zu verschieben. Auf ähnliche Weise lagert sie auch die rückseitige Oberfläche der Maschinenbearbeitungshalterung (rückseitige Oberfläche des Halterings), so dass eine Bearbeitungskraft auf die Druckoberfläche des Halterings ordnungsgemäß abgestützt wird. Dies trägt dazu bei, die Druckoberfläche zum Zeitpunkt des Polierens zu stabilisieren. Als Ergebnis kann die Druckoberfläche in geeigneter Weise poliert werden.
  • In der CMP-Vorrichtung nach Anspruch 11 wird in Bezug auf den Haltering die Oberflächenrauhigkeit seiner Druckoberfläche auf eine gemittelte Mittellinienrauhigkeit von 0,01 μm oder darunter eingestellt. Daher kann in der Praxis die Zeit, die für das Einlaufpolieren verwendet wird, effektiv auf das Minimum eingeschränkt werden. Insbesondere zeigt in dem Haltering die Oberflächenrauhigkeit der Druckoberfläche einen extrem kleinen Wert von 0,01 μm oder darunter. Dadurch wird unmittelbar nach dem Befestigen des Halterings an dem Haltekopf die Polieroberfläche der Polierauflage mit der Druckoberfläche flach gemacht und, wie erwünscht, herunter verfeinert. Dies trägt dazu bei, eine geeignete Polierwirkung zu erzielen, ohne ein Einlaufpolieren durchzuführen oder nur eine kurzzeitige Einlaufpolitur durchzuführen. Als Ergebnis kann die Zeit und die Arbeitskraft, die für solch eine Einlaufpolitur benötigt werden, auf einem Minimum gehalten werden. Dies ermöglicht es, die Produktionsverfügbarkeit der Wafer in der Praxis effektiv zu verbessern.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • 1 ist eine Frontdarstellung einer CMP-Vorrichtung gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung, wobei eine schematische Anordnung davon gezeigt ist.
  • 2 ist eine schematische Schnittdarstellung eines Haltekopfes der CMP-Vσrrichtung gemäß dem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.
  • 3(a) und 3(b) sind eine Draufsicht bzw. eine seitliche Schnittansicht eines Halterings der CMP-Vorrichtung gemäß dem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.
  • 4 ist eine Tabelle, die einen Herstellungs-Verfahrensablauf für den Haltering der CMP-Vorrichtung gemäß dem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt.
  • 5 ist eine Frontansicht (zum Teil geschnittene Ansicht) einer Maschinenbearbeitungshalterung, um den Haltering der CMP-Vorrichtung gemäß dem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung vor dem Polieren (Maschinenbearbeiten) zu bearbeiten.
  • 6 ist eine Schnittdarstellung einer Polierhalterung zum Polieren des Halterings der CMP-Vorrichtung gemäß dem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.
  • 7 ist eine Tabelle, die ein Messergebnis oder dergleichen der Oberflächenrauhigkeit einer Druckoberfläche des Halterings der CMP-Vorrichtung gemäß dem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt.
  • 8 ist eine Darstellung, die die Messpunkte für die Oberflächenrauhigkeit der Druckoberfläche des Halterings der CMP-Vorrichtung gemäß dem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt.
  • 9 ist eine Tabelle, die ein Messergebnis der Oberflächenrauhigkeit der Druckoberfläche des Halterings des Halterings der CMP-Vorrichtung gemäß dem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt.
  • Beste Art der Ausführung der Erfindung
  • Im Folgenden wird der Haltering der CMP-Vorrichtung gemäß dem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben.
  • 1 ist eine Frontdarstellung einer CMP-Vorrichtung 1 gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung, die die schematische Anordnung derselben zeigt. Diese CMP-Vorrichtung 1 hat eine Anordnung entsprechend einer CMP-Vorrichtung, die im Allgemeinen in großem Umfang verwendet wird mit Ausnahme eines Halterings 8 (wird im Folgenden beschrieben). Hier wird eine detaillierte Beschreibung weggelassen. Sie umfasst: eine Basis 2, die gedreht werden kann; eine Polierauflage 3 (beispielsweise ein Tuch), das auf dieser Basis 2 angeordnet ist; einen Haltekopf 4; eine Schlammzufuhrdüse 5 (Schlammzufuhrmittel); und eine Abrichtvorrichtung 6 (Abrichtmittel). Sie poliert einen Wafer W chemisch und mechanisch.
  • Der Haltekopf 4 hält den Wafer 7 und drückt seine Oberfläche W1, die poliert werden soll, gegen die Polierauflage 3. Er ist so ausgeführt, dass er sich auf der Polierauflage 3 bewegt, während er sich dreht. Dieser Haltekopf 4 ist, wie in 2 gezeigt ist, versehen mit: einem Kopfkörper 7; dem Haltering 8, der unter diesem Kopfkörper 7 angeordnet ist; und einen elastischen Film, der innerhalb dieses Halterings 8 angeordnet ist und auf eine obere Oberfläche W2 des Wafers 7 drückt. Sodann ist eine Luftkammer 10 durch den Kopfkörper 7, den Haltering 8 und den elastischen Film 9 eingeschlossen, und Luft zur Druckerzeugung wird in diese Luftkammer 10 zugeführt. Der Haltekopf 4 drückt den Wafer 7 über den elastischen Film 9 auf den Polierbelag 3.
  • Der Haltering 8 umgibt den Umfang des Wafers 7 und verhindert, dass der Wafer 7 aus dem Haltekopf 4 heraus springt. Er drückt auch auf eine Polieroberfläche 3a des Polierbelags 3, und er macht die Polieroberfläche 3a (der Teil, der in Oberflächenkontakt mit der Polieroberfläche W1 des Wafers W kommt) des Polierbelags 3 flach und verfeinert ihn herunter (richtet ihn ab), der den Wafer 7 poliert. Insbesondere wird die Polieroberfläche 3a des Polierbelags 3 so, dass unter Verwendung von Schlamm 5a (Schleifmittel) seine Ebenheit niedrig und seine Oberflächenrauhigkeit rau wird. Folglich verbessert der Haltering 8 die Ebenheit der Polieroberfäche 3a und vermindert die Oberflächenrauhigkeit.
  • Unter Berücksichtigung des chemischen Widerstands, der mechanischen Eigenschaften oder dergleichen ist der Haltering 8 aus einem PPS (Polypropylensulfid-Ingenieur-Kunststoff)-Material hergestellt. Er hat, wie in 3 gezeigt ist, eine Ringform. In einer Druckoberfläche 8a zur Druckbeaufschlagung der Polieroberfläche 3a des Polierbelags 3 sind eine Vielzahl Schlitze 8b ausgeformt, die jeweils wie eine Nut ausgeformt sind, um zu ermöglichen, dass Polierabfall austreten (abgegeben werden) kann. In einer rückseitigen Oberfläche 8c des Halterings 8, die auf der rückseitigen Oberfläche der Druckoberfläche 8a liegt, sind eine Vielzahl Schraubeinsätze 8d (zu haltende Abschnitte) eingesetzt, die jeweils ein Gewinde 8e haben. Mit anderen Worten ist solch ein Schraubeinsatz 8d im Wesentlichen zylindrisch, und ein Außengewinde ist an seinem äußeren Umfangsteil ausgebildet, und das Innengewinde 8a ist an seinem inneren Umfangsteil ausgebildet. Zusätzlich wird die Oberflächenrauhigkeit der Druckoberfläche 8a (die Oberfläche ist poliert) auf eine gemittelte Mittellinien-Rauhigkeit (arithmetisches Mittel der Rauhigkeit Ra) von 0,01 μm oder darunter eingestellt.
  • Als nächstes wird das Verfahren zur Herstellung des Halterings 8, der eine solche Ausführung hat, auf der Grundlage des Verfahrensablaufs beschrieben, der in 4 gezeigt ist.
  • Als erstes wird in einem ersten Verfahren ein PPS-Rohling grob in eine Form geschnitten, die nahe bei der endgültigen Form und den endgültigen Abmessungen liegt. Als nächstes wird ein Gewindeschneiden (Ausbildung eines Innengewindes) auf der Seite der rückseitigen Oberfläche 8c durchgeführt (Verfahren 2), und in dieses Innengewinde wird der Schraubeinsatz 8d eingeschraubt (eingeführt, Verfahren 3). Danach wird ein Schneidvorgang ausgeführt, so dass der Innendurchmesser ein vorgegebenes Maß erhält (Verfahren 4). Danach wird ein Schneidvorgang an den Seiten der Druckoberfläche 8a und der rückseitigen Oberfläche 8c durchgeführt, so dass die Höhe des Halterings 8 (Dicke) ein vorgegebenes Maß erhält (Verfahren 5). Danach wird ein Schneidvorgang durchgeführt, so dass der Außendurchmesser ein vorgegebenes Maß erhält (Verfahren 6), und ein Fräsvorgang wird ausgeführt, so dass die Schlitze 8b auf der Seite der Druckoberfläche 8a ausgebildet werden (Verfahren 7). Sodann werden die Drähte, die bei solch einer Bearbeitung erzeugt werden, entfernt (Verfahren 8), und ein Schneidvorgang wird erneut auf der Seite der rückseitigen Oberfläche 8c ausgeführt (Verfahren 9). Zu diesem Zeitpunkt wird bei dem Schneidvorgang nur flach geschnitten, so dass die Ebenheit auf der Seite der rückseitigen Oberfläche 8c höher wird. Durch das Verfahren 1 bis zu dem Verfahren 9, die oben beschrieben wurden, werden die Formoberflächen außer der Druckoberfläche 8a so bearbeitet, dass sie vorgegebene Abmessungen haben.
  • Danach wird unter Verwendung einer Maschinenbearbeitungshalterung 11, wie sie in 5 gezeigt ist, die Druckoberfläche 8a des Halterings 8 vor dem Polieren (Maschinenbearbeiten) bearbeitet (Verfahren 10). Diese Maschinenbearbeitungshalterung 11 ist aus einem rostfreien Stahl hergestellt, und sie ist wie eine Scheibe (eine flache Platte) geformt. Ihr Außendurchmesser ist nahezu gleich dem Außendurchmesser des Halterings 8. Außerdem werden Bolzenlöcher 11c an den gleichen Positionen (mit demselben Abstand) wie die Schraubeinsätze 8d des Halterings 8 ausgebildet. Durch solch ein Bolzenloch 11c wird ein Bolzen 12 (Halteabschnitt) von der Seite der rückseitigen Oberfläche 11b zu der Seite einer Befestigungsoberfläche 11a eingesetzt. Mit dieser Befestigungsoberfläche 11a der Maschinenbearbeitungshalterung 11 kommt die rückseitige Oberfläche 8c des Halterings 8 in Oberflächenkontakt, und der Bolzen 12 wird auf den Schraubeinsätzen 8d festgezogen. Dadurch wird ohne Anliegen eines externen Umfangsdrucks und eines internen Umfangsdrucks auf den Haltering 8 der Haltering 8 durch die Maschinenbearbeitungshalterung 11 gehalten. Als nächstes wird der Umfangsteil der Maschinen bearbeitungshalterung 11 durch die Aufspannvorrichtung einer Drehbank erfasst, und die Druckoberfläche 8a des Halterings 8 wird einem Oberflächen-Schneidvorgang in der Drehbank unterworfen. Zu diesem Zeitpunkt wird sie flach geschnitten, und die Drehzahl in der Drehbank wird abgesenkt, so dass die Druckoberfläche 8a eine hohe Ebenheit und eine niedrige Oberflächenrauhigkeit hat. In diesem Ausführungsbeispiel wird die Druckoberfläche 8a durch die Drehbank geschnitten, entsprechend dem Material, der Härte und dergleichen des Halterings 8 kann jedoch eine andere Maschinenbearbeitung, beispielsweise Schleifen, ebenfalls ausgeführt werden.
  • Danach wird ohne Abnehmen des Halterings 8 aus der Maschinenbearbeitungshalterung 11 unter Verwendung einer Polierhalterung 13, wie sie in 6 gezeigt ist, die Druckoberfläche 8a des Halterings 8 poliert (Verfahren 11). Diese Polierhalterung 13 ist aus Polyvenylchlorid hergestellt, und sie ist wie eine Scheibe, eine flache Platte (geformt). In ihrem zentralen Teil ist ein konkaver Lagerabschnitt 13a ausgebildet. Der Innendurchmesser dieses Lagerabschnitts 13a ist nahezu gleich dem Außendurchmesser der Maschinenbearbeitungshalterung 11, so dass er genau in die Umfangsfläche der Maschinenbearbeitungshalterung 11 eingepasst werden kann. In diesem Lagerabschnitt 13a ist die Seite der rückseitigen Oberfläche 11b der Maschinenbearbeitungshalterung 11 untergebracht (eingefügt). Dadurch ist die rückseitige Oberfläche 11b der Maschinenbearbeitungshalterung 11 auf der unteren Oberfläche 13b des Lagerabschnittes 13a gelagert. Auf dieser unteren Oberfläche 13b ist ein Schutztuch 14 vorgesehen, das die Maschinenbearbeitungshalterung 11 schützt. Diese Polierhalterung 13 lagert die Maschinenbearbeitungshalterung 11, die den Haltering 8 hält, und in diesem Zustand wird die Druckfläche 8a poliert.
  • Diese Politur wird durch eine Poliervorrichtung (eine Läppmaschine, eine Poliermaschine) durchgeführt, die eine Ausführung äquivalent zu der oben beschriebenen CMP-Vorrichtung 1 hat. Insbesondere umfasst die Poliervorrichtung: einen Polierbelag (entsprechend dem Polierbelag 3), der auf einer Basis angeordnet ist; ein Druckbeaufschlagungsmittel (äquivalent zu dem Haltekopf 4), das die Druckoberfläche 8a gegen den Polierbelag drückt, während der Haltering 8 gedreht wird; und ein Schlammzufuhrmittel (äquivalent zu der Schlammzufuhrdüse 5), das Schlamm zu dem Polierbelag zuführt. Sie ist so ausgeführt, dass ein Druck und eine Drehzahl, die von dem Druckbeaufschlagungsmittel gegeben wird, eine Schlammzufuhr, die durch die Schlammzufuhrmittel gegeben wird, und dergleichen geregelt wird. Entsprechend der Materialqualität (beispielsweise Härte) oder Größe des Halterings 8 werden die Art des Schlamms (Schleifmittel oder dergleichen) und die Polierbedingungen (beispielsweise der Druck oder Drehzahl der Druckbeaufschlagungsmittel) und die Schlammzufuhr geregelt. Sodann wird die Druckoberfläche 8a des Halterings 8 poliert. Ein Beispiel für solche Polierbedingungen ist speziell unten gegeben.
    • Schlamm 5a: CO (das Verdünnungsmittel ist ein Cerium-System) und Teilchendurchmesser = 2 μm
    • Schlammzufuhr: 500-1000 ml/min
    • Temperatur einer Basis: 26-26°C (Kühlwassertemperatur einer Basis)
    • Druck durch die Druckbeaufschlagungsmittel: 0,2 kgf/cm2
    • Drehzahl der Druckbeaufschlagungsmittel: 50 U/min
  • In dieser Poliervorrichtung wird vor der Politur des Halterings 8 eine Einlaufbearbeitung durchgeführt, indem ein Einlauf-Haltering (Testhaltering) daran befestigt wird. Durch diese Einlaufbearbeitung wird der Polierbelag der Poliervorrichtung abgerichtet (flach gemacht und nach unten verfeinert) und stabilisiert. Nach dieser Einlaufbearbeitung wird der Haltering 8 unter den oben beschriebenen Polierbedingungen poliert, bis die Oberflächenrauhigkeit der Druckoberfläche 8a zu einer gemittelten Mittellinien-Rauhigkeit von 0,01 μm oder darunter wird.
  • Nach dieser Politur wird der Polierabfall durch ein Luftgebläse entfernt, und jedes Teil wird ausgemessen (Verfahren 12). Sodann durchläuft ein Haltering 8, der die vorgegebenen Abmessungen und die vorgegebene Oberflächenrauhigkeit hat, eine Ultraschallreinigung (Verfahren 13). Dadurch wird das Herstellungsverfahren beendet.
  • Als nächstes wird bei einem Haltering 8, der durch das oben beschriebene Herstellungsverfahren hergestellt worden ist, ein Messergebnis der Oberflächenrauhigkeit der Druckoberfläche 8a beschrieben. 7 zeigt dieses Messergebnis, und die Messung wird in dem folgenden Messinstrument und unter den folgenden Messbedingungen durchgeführt. Dabei sind die Messpunkte A, B Positionen, wie in 8 gezeigt ist.
  • Messinstrument: Surftest SV-3000S4 (Oberflächenrauhigkeits-Messinstrument vom Kontaktpunkttyp) von Mitsutoyo Corp.
    • Standard: OLDMIX
    • Auswertungskurventyp: R
    • Referenzlänge: 0,8mm
    • Intervallfunktion: 5
    • Lambda C (Grenzwert): 0,8mm
    • Filtertyp: Gaußscher-Typ
    • Berechnungslänge: 4,0mm
    • Eingangslänge: 0,4mm
    • Ausgangslänge: 0,3985mm
    • Glattgängige Verbindung: Aus
    • Gemittelte wie in Korrektur zum Zeitpunkt einer Parameterberechnung: Aus
  • In 7 sind die Werte des Musters 1 ein Messergebnis dieses Halterings 8, und die Oberflächenrauhigkeit an beiden Messpunkten A, B ist eine gemittelte Mittellinien-Rauhigkeit (Ra) von 0,01 mm. Im Sinne der maximalen Höhe (Ry) ist sie 0,080 μm an dem Messpunkt A und 0,108 μm an dem Messpunkt B. Folglich ist in diesem Haltering 8 die Oberflächenrauhigkeit der Druckoberfläche 8a weit niedriger als die Oberflächenrauhigkeit des Halterings (einige 0,8 μm bei maximaler Höhe), die in dem oben erwähnten Patentdokument 1 angegeben ist. Andererseits, wenn die Druckoberfläche desselben Halterings (mit dem gleichen Material und den gleichen Abmessungen) wie dieser Haltering 8 von Hand poliert (gelappt) wird, ist ein Messergebnis seiner Oberflächenrauhigkeit durch die Werte des Musters 2 in 7 gegeben. In Bezug auf die gemittelte Mittellinienrauhigkeit beträgt sie 0,220 μm an dem Messpunkt A und 0,201 μm an dem Messpunkt B. In Bezug auf die maximale Höhe ist sie 0,776 μm an dme Messpunkt A und 1,923 μm an dem Messpunkt B. Im Falle eines Metallproduktes (Metallbearbeitung), wenn diese Oberflächenrauhigkeit eine gemittelte Mittellinienrauhigkeit von 0,01 μm oder darunter ist, sagt man im Übrigen von dieser Oberfläche, dass sie Spiegel endbearbeitet ist. In diesem Haltering 8 ist die Oberflächenrauhigkeit der Druckoberfläche 8a gleich 0,01 μm oder darunter, und somit wird sie als eine Spiegel endbearbeitete Oberfläche in einem Metallprodukt angesehen. In 7 ist eine Oberflächenrauhigkeit „Rq" eine Rauhigkeit nach Bemittelten Quadraten und Quadratwurzeln; „Rz" eine an 10 Punkten gemittelte Rauhigkeit; „Rc" eine gemittelte Konkav-Konvex-Höhe; „Rp" eine maximale Scheitelpunkthöhe; „Rv" eine maximale Talsohlentiefe; und „Rt" eine maximale Sektionshöhe.
  • Wie oben beschrieben wurde, hat in diesem Haltering 8 die Oberflächenrauhigkeit der Druckoberfläche 8a eine gemittelte Mittellinien-Rauhigkeit von 0,01 μm oder darunter. Dies ist außerordentlich niedrig, und daher kann, wenn dieser Haltering 8 an einer CMP-Vorrichtung befestigt wird, in der Praxis, die für eine Einlaufpolitur erforderliche Zeit wirksam auf ein Minimum beschränkt werden. Insbesondere wird, weil die Oberflächenrauhigkeit der Druckoberfläche 8a extrem niedrig ist, unmittelbar nach der Befestigung dieses Halterings 8 an dem Haltekopf 4 der CMP-Vorrichtung 1 die Polieroberfläche 3a des Polierbelags 3 mit der Druckoberfläche 8a wie erwünscht flach gemacht und nach unten verfeinert (bis zu einem hohen Niveau). Dies trägt dazu bei, eine geeignete Polierwirkung zu erhalten, mit anderen Worten die polierte Oberfläche W1 des Wafers W auf eine extrem hohe Ebenheit zu polieren, entweder ohne die Ausführung einer Einlaufpolitur oder mit nur einer kurzzeitigen (minimalen) Einlaufpolitur. Als Ergebnis kann die Zeit und die Arbeitskraft, die für solch eine Einlaufpolitur benötigt wird, auf einem Minimum gehalten werden. Dies ermöglicht es, die Produktionsverfügbarkeit des Wafers W in der Praxis effektiv zu verbessern.
  • Beispielsweise muss bei einem herkömmlichen Haltering, dessen Druckoberfläche rau ist, bevor mit dem Polieren des Produktwafers W ein Wafer (der als Produkt hergestellt wird) begonnen wird, eine externe Vorbereitung und eine Einlaufpolitur vorgenommen werden. Insbesondere wird bei der externen Vorbereitung dieser Haltering während etwa 10 Minuten durch eine spezielle Poliervorrichtung (eine Poliermaschine) roh bearbeitet. Danach wird er während etwa 15 Minuten durch eine andere, spezielle Poliervorrichtung poliert und endbearbeitet, und er wird während einiger 20 Minuten mit Ultraschallwellen gereinigt. Sodann wird der Haltering in einer Einlaufpolitur an dem Haltekopf 4 befestigt, und 20 oder mehr Test- oder Dummy-Wafer (Einlaufwafer) werden poliert. Sodann muss festgestellt werden, dass eine geeignete Polierwirkung erhalten worden ist. Im Gegensatz dazu ist bei dem Haltering 4 gemäß der vorliegenden Erfindung die Oberflächenrauhigkeit der Druckoberfläche 8a extrem niedrig, und daher gibt es keine Notwendigkeit, solch eine externe Vorbereitung durchzuführen. Obwohl dies etwa von der Bearbeitungsgenauigkeit (Bearbeitungspräzision) der CMP-Vorrichtung 1, dem Typ des Polierbelags 3 oder den Bedingungen (beispielsweise Ebenheit) oder dergleichen abhängt, kann im Übrigen ohne eine Einlaufpolitur oder mit nur einer Einlaufpolitur während einiger Minuten unmittelbar nach der Befestigung des Halterings 8 an dem Haltekopf 4 die polierte Oberfläche W1 des Wafers W auf eine extrem hohe Ebenheit poliert werden. Im Übrigen wird die Druckoberfläche des herkömmlichen Halterings beispielsweise nur durch eine Drehbank geschnitten. Folglich hat seine Oberflächenrauhigkeit eine gemittelte Mittellinienrauhigkeit von etwa 3,0 μm.
  • Daher wird ferner die für die Einlaufpolitur benötigte Zeit auf ein Minimum herabgesetzt. Daher wird der Polierabfall, der durch die Einlaufpolitur erzeugt wird, reduziert wird, Kratzer auf dem Wafer durch sol chen Polierabfall werden weniger wahrscheinlich oder Verunreinigungen haften an ihm mit geringerer Wahrscheinlichkeit. Folglich wird die Produktionsqualität des Wafers höher und stabiler, so dass die Anzahl der fehlerhaften Produkte herabgesetzt und die Produktivität weiter verbessert wird.
  • Bei dem Haltering 8 hat die Oberflächenrauhigkeit der Druckoberfläche 8a eine gemittelte Mittellinien-Rauhigkeit von 0,01 μm oder darunter. Dies ist extrem niedrig aufgrund eines solchen Herstellungsverfahrens, wie es oben beschrieben wurde. Insbesondere werden zuerst durch das Verfahren 1 bis zu dem Verfahren 9 die Formoberflächen außer der Druckoberfläche 8a bearbeitet, so dass sie vorgegebene Abmessungen haben. Danach wird die Druckoberfläche 8a vor einer Politur (Verfahren 10) bearbeitet und poliert (Verfahren 11). Dies verhindert, dass die Druckoberfläche 8a nach der Bearbeitung eine Formänderung erfährt. Mit anderen Worten kann, wenn eine andere Formoberfläche bearbeitet wird, nachdem die Druckoberfläche 8a bearbeitet worden ist, so dass sie eine vorgegebene Abmessung oder dergleichen bekommt, die Druckoberfläche 8a deformiert werden, so dass ihre Abmessungen oder dergleichen verändert werden. In diesem Herstellungsverfahren kann solch eine Deformation jedoch vermieden werden.
  • Darüber hinaus, wenn der Haltering 8 ohne Anwendung eines externen Umfangsdrucks und eines internen Umfangsdrucks auf den Haltering 8 gehalten wird, wird er vor einem Polieren bearbeitet und dann poliert. Dadurch kann verhindert werden, dass die Druckoberfläche 8a durch die Halterung deformiert wird. Insbesondere wird in der Bearbeitung vor dem Polieren (Vorpolierbearbeitung) Verfahren 10) der Bolzen 12 der Maschinenbearbeitungshalterung 11 an den Schraubeinsätzen 8d des Halterings 8 festgezogen, so dass der Haltering 8 auf der Maschinenbearbeitungshalterung 11 gehalten werden kann. Daher wird die Druckoberfläche 8a durch diese Halterung nicht deformiert. Außerdem ist die rückseitige Oberfläche 8c des Halterings 8 auf der Befestigungsoberfläche 11a der Maschinenbearbeitungshalterung 11 gelagert. Dadurch wird die Druckoberfläche 8a des Halterings 8 stabilisiert, während sie vor dem Polieren bearbeitet wird. Als Ergebnis wird die Druckoberfläche 8a vor einer Politur in gewünschter Weise bearbeitet (bis zu einer hohen Ebenheit und einer niedrigen Oberflächenrauhigkeit). Durch diese Bearbeitung vor dem Polieren erreichen die Ebenheit und die Oberflächenrauhigkeit der Druckoberfläche 8a ein spezielles Maß (Niveau), und danach wird die Politur durchgeführt. Dies macht es möglich, die Druckoberfläche 8a fertig zu bearbeiten (Polieren), so dass sie eine hohe Ebenheit und eine extrem niedrige Oberflächenrauhigkeit hat.
  • Zusätzlich wird bei der nachfolgenden Politur (Verfahren 11) die Seite der rückseitigen Oberfläche 11b der Maschinenbearbeitungshalterung 11, die den Haltering 8 hält, auf der Polierhalterung 13 gelagert. Daher wird die Druckoberfläche 8a des Halterings 8 nicht durch diese Halterung deformiert. Außerdem wird der Lagerabschnitt 13a der Polierhalterung 13 auf die Umfangsfläche der Maschinenbearbeitungshalterung 11 eingepasst. Dies trägt dazu bei, zu verhindern, dass die Maschinenbearbeitungshalterung 11 (der Haltering 8) seitlich wegrutscht. Außerdem ist die rückseitige Oberfläche 11b der Maschinenbearbeitungshalterung 11 (die rückseitige Oberfläche 8c des Halterings 8) auf der unteren Oberfläche 13b des Lagerabschnitts 13a gelagert. Dadurch wird eine Bearbeitungskraft (Polierkraft), die auf die Druckoberfläche 8a des Halterings 8 aufgebracht wird, in geeigneter Weis abgestützt. Dies trägt dazu bei, die Druckoberfläche 8 zum Zeitpunkt der Politur zu stabilisieren. Ferner kann die Politur in einem Zustand durchgeführt werden, wo der Haltering 8 auf der Maschinenbearbeitungshalterung 11 gehalten wird. Mit anderen Worten können die Bearbeitung vor der Politur und die Politur selbst kontinuierlich ausgeführt werden, ohne den Haltering 8 von der Maschinenbearbeitungshalterung 11 zu entfernen. Dies trägt dazu bei, die Halterungsgenauigkeit der Maschinenbearbeitungshalterung 11 und die Haltestabilität aufrecht zu erhalten. Als Ergebnis kann die Druckoberfläche 8a bis zu einer hohen Ebenheit und einer extrem niedrigen Oberflächenrauhigkeit poliert werden.
  • Bei dem Polieren, wie oben beschrieben wurde, wird entsprechend dem Material oder der Größe des Halterings 8 des Weiteren die Art des Schlamms 5 oder dergleichen, der Druck oder die Drehzahl der Verarbeitungsmittel, die Schlammzufuhr oder dergleichen geregelt. Daher kann die Druckoberfläche 8a des Halterings 8 auf eine hohe Ebenheit und eine extrem niedrige Oberflächenrauhigkeit poliert werden. Bevor der Haltering 8 poliert wird, wird im Übrigen eine Einlaufbearbeitung unter Verwendung eines Einlauf-Halterings durchgeführt. Durch die Einlaufbearbeitung wird der Polierbelag der Poliervorrichtung abgerichtet, flach gemacht und nach unten verfeinert (und stabilisiert). Nach der Einlaufbearbeitung wird die Druckoberfläche 8a des Halterings 8 poliert, und somit kann die Druckoberfläche 8a gut bearbeitet werden (so dass sie eine hohe Ebenheit und eine extrem niedrige Oberflächenrauhigkeit hat).
  • Als Ergebnis kann bei dem Haltering 8 die Oberflächenrauhigkeit der Druckoberfläche 8a bis zu einem extrem geringen Wert poliert (fertig bearbeitet) werden oder auf eine gemittelte Mittellinienrauhigkeit von 0,01 μm oder darunter.
  • In diesem Ausführungsbeispiel ist der Haltering 8 übrigens aus PPS hergestellt, er kann jedoch auch eine andere Art von Ingenieurkunststoff umfassen, beispielsweise PEEK-(Polyether-Etherkethon), PET (Polyethylenterephthalat), POM (Polyacetal) und PI (Polyimid). In derselben Weise wie der Haltering 8 gemäß diesem Ausführungsbeispiel kann die Oberflächenrauhigkeit der Druckoberfläche auf eine gemittelte Mittellinien-Rauhigkeit von 0,01 μm oder darunter eingestellt werden. Beispielsweise wird ein Haltering, der aus PEEK-Material hergestellt ist, demselben Herstellungsverfahren, wie er oben beschrieben wurde, unterworfen, und die Oberflächenrauhigkeit seiner Druckoberfläche wird gemessen. Dieses Messergebnis ist in dem Muster 3 von 7 gezeigt. Folglich ist an beiden Messpunkten A, B die Oberflächenrauhigkeit gleich einer gemittelten Mittellinien-Rauhigkeit von 0,009 μm. Im Hinblick auf die maximale Höhe ist sie 0,076 μm an dem Messpunkt A und 0,074 μm an dem Messpunkt B. Folglich ist bei einem Haltering 8, der aus einem PEEK-Material hergestellt ist, seine Oberflächenrauhigkeit etwas niedriger als bei dem Haltering 8 gemäß diesem Ausführungsbeispiel, der aus PPS-Material hergestellt ist. Weil die Härte eines PEEK-Materials etwas höher ist (härter), als die eines PPS-Materials. Die Werte des Musters 4 in 7 zeigen ein Messergebnis der Oberflächenrauhigkeit eines aus PIEK hergestellten Halterings, wenn die Druckoberfläche von Hand poliert wird.
  • Darüber hinaus wird, wenn eine Druckoberfläche unter Verwendung eines Schlamms, dessen Teilchendurchmesser kleiner ist, poliert wird, die Oberflächenrauhigkeit der Druckoberfläche niedriger. Bei einem Haltering, der aus einem PPS-Material hergestellt ist, wird beispielsweise seine Druckoberfläche mit einem Schlamm poliert, der einen Teilchendurchmesser von 1,2 μm hat. In diesem Fall wird, wie in 9 gezeigt ist, eine niedrigere Oberflächenrauhigkeit erhalten. Im Hinblick auf die gemittelte Mittellinienrauhigkeit beträgt sie beispielsweise 0,004 μm an dem Messpunkt A und 0,005 μm an dem Messpunkt B. Im Hinblick auf die maximale Höhe ist sie 0,049 μm an dem Messpunkt A und 0,051 μm an dem Messpunkt B. Folglich kann, wenn der Teilchendurchmesser des Schlamms entsprechend dem Material oder der Härte des Halterings kleiner eingestellt wird, die Oberflächenrauhigkeit der Druckoberfläche weiter reduziert werden. In 9 sind die Messpunkte C, D und E die Messpositionen, die in 8 gezeigt sind.
  • Industrielle Anwendbarkeit
  • Soweit er hier bisher beschrieben ist, ist der Haltering für die CMP-Vorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung außerordentlich nützlich als Haltering, der in der Lage ist, die für die Einlaufpolitur erforderliche Zeit auf ein Minimum einzuschränken, und auch um die Produktqualität eines Wafers zu verbes sern und zu stabilisieren.
  • Zusammenfassung
  • Ein Haltering wird bereitgestellt, der in der Lage ist, in der Praxis die für die Einlaufpolitur erforderliche Zeit effektiv auf ein Minimum einzuschränken. Dieser Haltering 8 ist innerhalb eines Haltekopfes 4 in einer CMP-Vorrichtung 1 angeordnet, die einen Wafer W chemisch und mechanisch poliert; er hat eine Ringform, so dass er den Umfang des Wafers W umgibt; er beaufschlagt eine Polieroberfläche 3a eines Polierbelags 3 mit Druck; er ist aus einem Ingenieur-Kunststoffmaterial, beispielsweise PPS hergestellt; und er hat eine Druckoberfläche 8a, um die Polieroberfläche 3a des Polierbelags 3 unter Druck zu setzen, dessen Oberflächenrauhigkeit eine gemittelte Mittellinien-Rauhigkeit (Ra) von 0,01 μm oder darunter hat.
  • 1
    CMP-Vorrichtung
    2
    Basis
    3
    Polierbelag
    3a
    Polieroberfläche
    4
    Haltekopf
    5
    Schlammzufuhrdüse (Schlammzufuhrmittel)
    5a
    Schlamm
    6
    Abrichtvorrichtung
    7
    Kopfkörper
    8
    Haltering
    8a
    Druckoberfläche
    8b
    Schlitz
    8c
    rückseitige Oberfläche
    8d
    Schraubeinsatz (zu haltender Abschnitt)
    8e
    Innengewinde
    9
    elastischer Film
    10
    Luftkammer
    11
    Maschinenbearbeitungshalterung
    11a
    Befestigungsoberfläche
    12
    Bolzen (Halteabschnitt)
    13
    Polierhalterung
    13a
    Lagerabschnitt
    W
    Wafer
    W1
    zu polierende Oberfläche

Claims (11)

  1. Haltering für eine CMP-Vorrichtung, der in einer CMP-Vorrichtung, die eine Polierauflage, die auf einer Basis angeordnet ist, und einen Haltekopf, der einen Wafer hält und den Wafer gegen die Polierauflage drückt, und der den Wafer chemisch und mechanisch poliert, innerhalb des Haltekopfes vorgesehen ist, eine Ringform hat, so dass er den Umfang des Wafers umgibt und die Polieroberfläche der Polierauflage unter Druck setzt, dadurch gekennzeichnet, dass der Haltering aus einem Ingenieur-Kunststoffmaterial hergestellt ist, und dass die Oberflächenrauhigkeit der Druckoberfläche, um die Polieroberfläche der Polierauflage unter Druck zu setzen, eine mittlere Mittellinien-Rauhigkeit (Arithmetisches Mittel der Rauhigkeit) von 0,01 μm oder darunter hat.
  2. Haltering für eine CMP-Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass in der rückseitigen Oberfläche des Halterings, die an der rückseitigen Oberfläche der Druckoberfläche liegt, ein zu haltender Abschnitt ausgebildet ist; und dass die Druckoberfläche poliert ist.
  3. Verfahren zur Herstellung eines Halterings für eine CMP-Vorrichtung, um in einer CMP-Vorrichtung, die eine Polierauflage, die auf einer Basis angeordnet ist, und einen Haltekopf aufweist, der einen Wafer hält und den Wafer gegen die Polierauflage drückt und der den Wafer chemisch und mechanisch poliert, einen Ingenieur-Kunststoff-Haltering herzustellen, der auf der Innenseite des Haltekopfes vorgesehen ist, eine Ringform hat, so dass er den Umfang des Wafers umgibt, und die Polieroberfläche der Polierauflage unter Druck setzt, ist gekennzeichnet durch umfassend die Schritte: Bearbeiten einer Formoberfläche außer einer Druckoberfläche, um die Polieroberfläche der Polierauflage unter Druck zu setzen, so dass die Formoberfläche eine vorgegebene Abmessung hat; Halten des Halterings, ohne einen externen Umfangsdruck und einen internen Umfangsdruck auf den Haltering auszuüben; und Maschinen bearbeiten der Druckoberfläche in diesem Zustand und Polieren der Druckoberfläche, bis die Oberflächenrauhigkeit davon zu einer mittleren Mittellinien-Rauhigkeit von 0,01 μm oder darunter wird.
  4. Ein Verfahren zur Herstellung eines Halterings für eine CMP-Vorrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Polierauflage, die auf der Basis angeordnet ist, eine Druckeinrichtung zum Drehen des Halterings und zum Drücken dessen Oberfläche gegen die Polierauflage und eine Schlammzufuhreinrichtung zum Zuführen von Schlamm an die Polierauflage vorgesehen sind; und dass die Politur durch eine Poliervorrichtung durchgeführt wird, die einen Druck und eine Drehzahl, die durch die Druckeinrichtung bereitgestellt werden, und eine Schlammzufuhr, die von der Schlammzufuhreinrichtung bereitgestellt wird, regelt.
  5. Verfahren zur Herstellung eines Halterings für eine CMP-Vorrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass vor der Durchführung der Politur eine Einlaufbearbeitung dadurch durchgeführt wird, dass ein Einlauf-Haltering an der Poliervorrichtung befestigt wird.
  6. Verfahren zur Herstellung eines Halterings für eine CMP-Vorrichtung nach einem der Ansprüche 3 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Maschinenbearbeitung und die Politur durchgeführt wird, wobei nur die Seite der rückseitigen Oberfläche des Halterings gehalten wird, die auf der rückseitigen Oberfläche der Druckoberfläche angeordnet ist.
  7. Verfahren zur Herstellung eines Halterings für eine CMP-Vorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass ein zu haltender Abschnitt auf der rückseitigen Oberfläche des Halterings ausgebildet wird; der Haltering von einem Maschinenbearbeitungshalter gehalten wird, der einen Halteabschnitt umfasst, der den zu haltenden Abschnitt hält; und dass die Maschinenbearbeitung in diesem Zustand durchgeführt wird.
  8. Verfahren zur Herstellung eines Halterings für eine CMP-Vorrichtung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Maschinenbearbeitungshalterung, die den Haltering hält, durch eine Polierhalterung gelagert ist, die die Seite der rückseitigen Oberfläche der Maschinenbearbeitungshalterung, die auf der rückseitigen Oberfläche des Halteabschnittes liegt, lagert; und dass die Politur in diesem Zustand durchgeführt wird.
  9. Maschinenbearbeitungshalterung für den Haltering einer CMP-Vorrichtung, die die Maschinenbearbeitungshalterung ist, die in dem Verfahren zur Herstellung des Halterings der CMP-Vorrichtung nach Anspruch 7 verwendet wird, dadurch gekennzeichnet, dass die Maschinenbearbeitungshalterung die Form einer flachen Platte aufweist und in einer Befestigungsoberfläche, die in Oberflächenkontakt mit der rückseitigen Oberfläche des Halterings kommt, den Halteabschnitt umfasst, der den zu haltenden Abschnitt hält, der in der rückseitigen Oberfläche des Halterings ausgebildet ist.
  10. Maschinenbearbeitungshalterung für einen Haltering einer CMP-Vorrichtung gemäß Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Polierhalterung die Form einer flachen Platte und einen konkaven Lagerabschnitt aufweist, welcher die Seite der rückseitigen Oberfläche der Maschinenbearbeitungshalterung, die auf der rückseitigen Oberfläche der Befestigungsoberfläche liegt, aufnimmt, die an der Umfangsfläche der Maschinenbearbeitungshalterung eingepasst ist und die rückseitige Oberfläche der Maschinenbearbeitungshalterung lagert.
  11. CMP-Vorrichtung, die eine Polierauflage, die auf einer Basis angeordnet ist, und einen Haltekopf aufweist, der einen Wafer hält und den Wafer gegen die Polierauflage drückt, wobei der Haltekopf einen Haltering hat, der eine Ringform aufweist, um den Umfang des Wafers zu umgeben, und der die Polieroberfläche der Polierauflage unter Druck setzt; und der den Wafer chemisch und mechanisch poliert, dadurch gekennzeichnet, dass der Haltering aus einem Ingenieur-Kunststoffmaterial hergestellt ist; und dass die Oberflächenrauhigkeit der Druckoberfläche des Halterings, um die Polieroberfläche der Polierauflage unter Druck zu setzen, unter eine gemittelte Mittellinien-Rauhigkeit von 0,01 μm oder darunter eingestellt ist.
DE112005003420T 2005-04-12 2005-04-12 Haltering für CMP-Vorrichtung und Herstellungsverfahren dafür, und CMP-Vorrichtung Withdrawn DE112005003420T5 (de)

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