KR20070118277A - Ｃｍｐ 장치용 리테이너링과 그 제조방법 및 ｃｍｐ 장치 - Google Patents

Ｃｍｐ 장치용 리테이너링과 그 제조방법 및 ｃｍｐ 장치 Download PDF

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KR20070118277A
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츠토무 이치노시메
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니혼 세이미츠 덴시 가부시키가이샤
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Abstract

시험 연마에 필요한 시간을 최소한으로 억제하는 것이 실효적으로 가능한 리테이너링을 제공한다. 웨이퍼(W)를 화학기계적으로 연마하는 CMP 장치(1)에 있어서, 유지헤드(4) 내에 설치되고, 링 형상으로 웨이퍼(W)의 외주를 둘러쌈과 동시에, 연마패드(3)의 연마면(3a)을 가압하는 리테이너링(8)을, PPS 등의 엔지니어링 플라스틱재로 구성하고, 연마패드(3)의 연마면(3a)을 가압하는 가압면(8a)의 표면거칠기를, 중심선 평균거칠기(Ra)로 0.01㎛ 이하로 한다.

Description

ＣＭＰ 장치용 리테이너링과 그 제조방법 및 ＣＭＰ 장치 {RETAINER RING FOR CMP DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND CMP DEVICE}
본 발명은, 웨이퍼를 화학기계적으로 연마하는 CMP(Chemical Mechanical Polishing ; 화학기계적 연마) 장치에 관한 것으로, 특히 CMP 장치의 유지 헤드 내에 설치(장착)되어 웨이퍼의 외주를 둘러싸는 리테이너링에 관한 것이다.
반도체 장치의 고집적화, 고성능화가 진행됨에 따라, 수평방향(평면상)의 치수가 작아짐과 동시에, 수직방향의 구조가 미세화, 다층화되고 있다. 그리고, 이러한 미세화, 다층화를 실현하기 위해서는, 반도체 기판(실리콘 기판 등)의 평면도(평탄도)가 높을 필요가 있다. 이 때문에, 웨이퍼 단계에서 평면도를 높이는 것이 요구되고, 이러한 요구에 따르는 것으로서, CMP 장치가 사용되고 있다.
이 CMP 장치는, 예를 들면, 회전 가능한 정반(surface plate)과, 이 정반 위에 배치된 연마패드와, 웨이퍼를 유지하여 연마패드에 가압하는 유지 헤드 및 슬러리 공급 노즐 등으로 구성되어 있다. 또한, 유지 헤드는, 웨이퍼의 외주를 둘러싸는 리테이너링과, 예를 들면, 웨이퍼의 상면을 가압하는 탄성체막과, 이 탄성체막과 리테이너링과 헤드 본체에 의하여 둘러싸인 공기실과, 이 공기실에 가압용 공기를 공급하는 공기 공급로 등으로 구성되어 있다. 그리고, 리테이너링은, 웨이퍼의 외주를 둘러싸 웨이퍼의 튀어나감을 방지함과 동시에, 연마패드의 연마면(표면)을 가압하여, 웨이퍼를 연마하는 연마패드의 연마면을 평탄화, 미세화(적정화) 하는 것이다. 이 때문에, 리테이너링의 가압면(연마패드를 가압하는 면)의 표면거칠기가 작을 필요가 있다.
한편, 이러한 리테이너링은 연마패드를 가압하기 때문에, 연마패드에 의하여 그 가압면 자체가 연마되어, 소모되어 간다. 이 때문에, 정기적으로 리테이너링을 교환해야하나, 리테이너링 가압면의 표면거칠기가 크면, 소정의 연마 성능, 즉 웨이퍼의 평면도를 얻을 수 없다. 이 때문에, 리테이너링을 교환한 경우에는, 제품 웨이퍼(제품으로서 생산되는 웨이퍼)의 연마를 개시하기 전에, 새롭게 장착한 리테이너링의 시험 연마(breaking-in polishing)를 할 필요가 있었다. 즉, 새로운 리테이너링을 CMP 장치의 유지 헤드에 장착하고, 수십매의 더미 웨이퍼(시험용 웨이퍼)를 연마하여, 적정한 연마 성능이 얻어진 것을 확인한 후에, 제품 웨이퍼의 연마를 개시할 필요가 있었다. 그리고, 이러한 시험 연마에는 많은 시간과 노동력을 필요로 하여, 웨이퍼의 생산 가동율을 저하시키는 요인이 되고 있었다.
이러한 점에서, 시험 연마에 필요한 시간을 단축하기 위하여, 리테이너링의 가압면을 소정의 매끄러움으로 표면가공한 것이 알려져 있다(예를 들면, 특허문헌 1 참조). 즉, 이 리테이너링은, 그 가압면의 표면거칠기를 최대 높이(Rmax)로 0.8㎛ 이하로 함으로써 시험 연마가 필요하지 않게 할 수 있다는 것이다.
[특허문헌 1]
일본국 특개2002-126995호 공보
그러나, 웨이퍼에 요구되는 평면도는 매우 높고, 상기 특허문헌 1에 기재되어 있는 것과 같은 리테이너링으로는, 이러한 높은 평면도를 만족시킬 수 없다. 즉, 가압면의 표면거칠기가 최대 높이로 0.8㎛ 정도에서는, 연마패드의 연마면을 양호하게(높은 레벨까지) 평탄화, 미세화할 수 없고, 이러한 연마패드에 의하여 웨이퍼를 연마하더라도 아주 높은 평면도를 얻을 수는 없다. 이 때문에, 실제로는, 종래와 동등한 장시간의 시험 연마를 필요로 하게 된다. 또한, 상기 특허문헌 1에 기재되어 있는 표면거칠기 중에서, 가장 작은 값은 최대 높이로 0.6㎛ 이고, 이러한 거칠기 정도에서는, 0.8㎛의 경우와 마찬가지로, 장시간의 시험 연마를 필요로 함에 변함이 없다. 또, 상기 특허문헌 1에 있어서, 가압면의 표면거칠기를 최대 높이로 0.8㎛ 이하로 함으로써, 연마 레이트와 연마 레이트의 면내 균일성이 높아진다고 하고 있으나, 연마 레이트는 웨이퍼를 어느 정도의 속도(mm/min)로 연마할 수 있는지를 나타내는 것에 지나지 않고, 웨이퍼를 높은 평면도로 연마할 수 있는 것을 나타내는 것은 아니다.
또한, CMP 장치에 의하여 연마되는 웨이퍼의 평면도는, 리테이너링의 재질과 그 가압면의 표면거칠기에 따라 좌우된다. 즉, 리테이너링의 재질과 그 가압면의 표면거칠기를 특정함으로써, 웨이퍼를 높은 평면도로 연마하는 것이 가능해진다. 그러나, 상기 특허문헌 1에는 리테이너링의 재질에 대해서는 기재되어 있지 않고, 어떠한 재질의 리테이너링에 대하여, 그 가압면의 표면거칠기를 최대 높이로 0.8㎛ 이하로 함으로써, 시험 연마를 불필요하게 할 수 있을지 불분명하다.
이상과 같이, 상기 특허문헌 1에 기재되어 있는 바와 같은 리테이너링 및 개시 내용으로는, 시험 연마를 불필요하게 할 수 없는 것은 물론이고, 시험 연마에 필요한 시간을 최소한으로 억제하는 것도 실효적으로 할 수 없다.
이에 본 발명은, 시험 연마에 필요한 시간을 최소한으로 억제하는 것이 실효적으로 가능한 리테이너링 및, 그 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위하여 제 1항에 기재된 발명은, 정반 위에 배치된 연마패드와, 웨이퍼를 유지하여 연마패드에 가압하는 유지 헤드를 구비하고, 웨이퍼를 화학기계적으로 연마하는 CMP 장치에서, 유지 헤드 내에 배치되고, 링 형상으로 웨이퍼의 외주를 둘러쌈과 동시에, 연마패드의 연마면을 가압하는 CMP 장치용 리테이너링에 있어서, 엔지니어링 플라스틱재로 구성되고, 연마패드의 연마면을 가압하는 가압면의 표면거칠기가 중심선 평균거칠기(산술 평균거칠기)로 0.01㎛ 이하인 것을 특징으로 하고 있다.
제 2항에 기재된 발명은, 제 1항에 기재된 CMP 장치용 리테이너링에 있어서, 가압면의 배면에 위치하는 리테이너링의 배면에 피유지부가 형성되어, 가압면이 연마가공되고 있는 것을 특징으로 하고 있다.
제 3항에 기재된 발명은, 정반 위에 배치된 연마패드와, 웨이퍼를 유지하여 연마패드에 가압하는 유지 헤드를 구비하고, 웨이퍼를 화학기계적으로 연마하는 CMP 장치에서, 유지 헤드 내에 배치되고, 링 형상으로 웨이퍼의 외주를 둘러쌈과 동시에, 연마패드의 연마면을 가압하는 엔지니어링 플라스틱제의 리테이너링의 제조방법에 있어서, 연마패드의 연마면을 가압하는 가압면을 제외하는 형상면을 소정의 치수로 가공한 후에, 리테이너링에 외주압 및 내주압을 가하지 않고 리테이너링을 유지하고, 이 상태에서 가압면을 기계가공하며, 또한 그 표면거칠기가 중심선 평균거칠기로 0.01㎛ 이하가 될 때까지 연마가공하는 것을 특징으로 하고 있다.
제 4항에 기재된 발명은, 제 3항에 기재된 CMP 장치용 리테이너링의 제조방법에 있어서, 정반 위에 배치된 연마패드와, 리테이너링을 회전시키면서 그 가압면을 연마패드에 가압하는 가압수단과, 연마패드에 슬러리를 공급하는 슬러리 공급수단을 구비하고, 가압수단에 의한 가압력 및 회전 속도, 슬러리 공급수단에 의한 슬러리 공급량을 조정 가능한 연마장치에 의하여, 연마가공을 행하는 것을 특징으로 하고 있다.
제 5항에 기재된 발명은, 제 4항에 기재된 CMP 장치용 리테이너링의 제조방법에 있어서, 연마가공을 행하기 전에, 연마장치에 시험용 리테이너링을 장착하여 시험가공을 행하는 것을 특징으로 하고 있다.
제 6항에 기재된 발명은, 제 3항 내지 제 5항 중 어느 한 항에 기재된 CMP 장치용 리테이너링의 제조방법에 있어서, 가압면의 배면에 위치하는 리테이너링의 배면측만을 유지한 상태에서, 기계가공과 연마가공을 행하는 것을 특징으로 하고 있다.
제 7항에 기재된 발명은, 제 6항에 기재된 CMP 장치용 리테이너링의 제조방법에 있어서, 리테이너링의 배면에 피유지부를 형성하고, 이 피유지부를 유지하는 유지부를 가지는 기계가공 지그에 의하여 리테이너링을 유지하며, 이 상태에서 기계가공을 행하는 것을 특징으로 하고 있다.
제 8항에 기재된 발명은, 제 7항에 기재된 CMP 장치용 리테이너링의 제조방법에 있어서, 유지부의 배면에 위치하는 기계가공 지그의 배면측을 지지하는 연마가공 지그에 의하여, 리테이너링을 유지한 기계가공 지그를 지지하고, 이 상태에서 연마가공을 행하는 것을 특징으로 하고 있다.
제 9항에 기재된 발명은, 제 7항에 기재된 CMP 장치용 리테이너링의 제조방법에서 사용되는 기계가공 지그에 있어서, 평반 형상이고, 리테이너링의 배면과 면 접촉하는 설치면에, 리테이너링의 배면에 형성된 피유지부를 유지하는 유지부를 구비한 것을 특징으로 하고 있다.
제 10항에 기재된 발명은, 제 8항에 기재된 CMP 장치용 리테이너링의 제조방법에서 사용되는 연마가공 지그에 있어서, 평반 형상이고, 설치면의 배면에 위치하는 기계가공 지그의 배면측을 수용하고, 기계가공 지그의 외주면에 끼워 맞추어 기계가공 지그의 배면을 지지하는 오목형상의 지지부를 구비한 것을 특징으로 하고 있다.
제 11항에 기재된 발명은, 정반 위에 배치된 연마패드와, 웨이퍼를 유지하여 연마패드에 가압하는 유지 헤드를 구비하고, 이 유지 헤드 내에, 링 형상으로 웨이퍼의 외주를 둘러쌈과 동시에, 연마패드의 연마면을 가압하는 리테이너링이 설치되고, 웨이퍼를 화학기계적으로 연마하는 CMP 장치에 있어서, 리테이너링이 엔지니어링 플라스틱재로 구성되고, 연마패드의 연마면을 가압하는 리테이너링 가압면의 표면거칠기가 중심선 평균거칠기로 0.01㎛ 이하로 설정되어 있는 것을 특징으로 하고 있다.
제 1항에 기재된 발명에 의하면, 엔지니어링 플라스틱제의 리테이너링에 있어서, 그 가압면의 표면거칠기가 중심선 평균거칠기로 0.01㎛ 이하로 되어 있기 때문에, 시험 연마에 필요한 시간을 최소한으로 억제하는 것이 실효적으로 가능해진다. 즉, 리테이너링 가압면의 표면거칠기가 0.01㎛ 이하로 매우 작기 때문에, 리테이너링을 CMP 장치의 유지 헤드에 장착한 직후부터, 리테이너링의 가압면에 의하여 연마패드의 연마면이 양호하게(높은 레벨까지) 평탄화, 미세화된다. 이 때문에, 시험 연마를 행하지 않고, 또는 단시간(최소한)의 시험 연마를 행함으로써 적정한 연마성능을 얻는 것, 즉 웨이퍼를 매우 높은 평면도로 연마할 수 있다. 이 결과, 시험 연마에 필요한 시간과 노동력을 최소한으로 억제하여, 웨이퍼의 생산 가동율을 향상시키는 것이 실효적으로 가능해진다. 또한, 시험 연마에 필요한 시간이 최소화되기 때문에, 시험 연마에 의한 연마 찌꺼기가 감소하고, 연마 찌꺼기에 의한 웨이퍼의 긁힘 상처(스크래치)나 불순물의 부착 등의 발생율도 감소한다. 이 결과, 웨이퍼의 생산 품질이 향상, 안정화되고, 불량품 저감에 의하여 생산성이 더욱 향상된다.
제 2항에 기재된 발명에 의하면, 배면의 피유지부를 유지함으로써, 가압면을 변형시키지 않고 리테이너링을 유지할 수 있기 때문에, 이 유지상태에서 연마가공을 행함으로써 가압면의 표면거칠기를 아주 작게 하는 것이 가능해진다.
제 3항에 기재된 발명에 의하면, 가압면을 제외하는 형상면을 소정의 치수로 가공한 후에 가압면을 기계가공 및 연마가공(래핑) 하기 때문에, 기계가공 등이 된 가압면이 그 후의 가공에 의하여 변형되지 않고, 또한, 외주압 및 내주압을 가하지 않고 리테이너링을 유지한 상태에서 기계가공 등을 하기 때문에, 유지에 의하여 가압면이 변형되는 것이 방지된다. 또한, 기계가공(절삭가공이나 연삭가공 등)에 의하여 가압면의 평면도와 표면거칠기가, 어느 일정한 크기(레벨)에 도달한 후에 연마가공을 행함으로써 연마가공을 양호하게 행할 수 있다. 그리고, 이들의 결과로서, 가압면을 높은 평면도로, 또한 아주 작은 표면거칠기로 마무리하는 것이 가능해진다.
제 4항에 기재된 발명에 의하면, 리테이너링의 재질이나 크기, 슬러리(연마재)의 종류 등에 따라, 가압수단에 의한 가압력이나 회전 속도, 슬러리 공급량을 조정함으로써, 리테이너링의 가압면을 높은 평면도로, 또한 아주 작은 표면거칠기로 연마하는 것이 가능해진다.
제 5항에 기재된 발명에 의하면, 시험가공을 행함으로써 연마장치의 연마패드(크로스 등)가 적정화(평탄화, 미세화), 안정화되고, 그 후의 연마가공에 있어서, 리테이너링의 가압면을 양호하게(높은 평면도로, 또한 아주 작은 표면거칠기로) 가공하는 것이 가능해진다.
제 6항에 기재된 발명에 의하면, 리테이너링의 배면측만을 유지한 상태에서 기계가공과 연마가공을 행하기 때문에, 유지에 의하여 가압면이 변형되는 것이 방지되어, 가압면을 양호하게 가공하는 것이 가능해진다.
제 7항에 기재된 발명에 의하면, 리테이너링의 배면에 형성된 피유지부를 유지한 상태에서 가압면을 기계가공하기 때문에, 리테이너링의 유지에 의하여 가압면이 변형되는 것이 방지되어, 가압면을 양호하게 기계가공 하는 것이 가능해진다.
제 8항에 기재된 발명에 의하면, 리테이너링을 유지한 기계가공 지그의 배면측을 연마가공 지그에 의하여 지지하기 때문에, 지지에 의하여 리테이너링의 가압면이 변형되는 것이 방지된다. 또한, 리테이너링을 기계가공 지그로 유지한 채로 연마가공을 행할 수 있기 때문에, 즉, 리테이너링을 기계가공 지그에서 떼어내지 않고 기계가공과 연마가공을 연속하여 행할 수 있기 때문에, 기계가공 지그에 의한 유지정밀도, 유지의 안정성이 유지된다. 이들의 결과, 가압면을 양호하게 연마가공하는 것이 가능해진다.
제 9항에 기재된 발명에 의하면, 리테이너링의 배면에 형성된 피유지부가 기계가공 지그에 의하여 유지되기 때문에, 유지에 의하여 리테이너링의 가압면이 변형되는 것이 방지된다. 또한, 리테이너링의 배면이 기계가공 지그의 설치면에 면 접촉한 상태에서, 리테이너링이 기계가공 지그에 유지되기 때문에, 기계가공시에 있어서 리테이너링의 가압면이 안정화된다. 이들의 결과, 가압면을 양호하게 기계가공하는 것이 가능해진다.
제 10항에 기재된 발명에 의하면, 리테이너링을 유지한 기계가공 지그의 배면측이 연마가공 지그에 의하여 지지되기 때문에, 지지에 의하여 리테이너링의 가압면이 변형되는 것이 방지된다. 또한, 지지부가 기계가공 지그의 외주면에 끼워맞춰지기 때문에, 기계가공 지그(리테이너링)가 옆으로 어긋나는 것을 방지하고, 또한, 기계가공 지그의 배면(리테이너링의 배면)을 지지하기 때문에, 리테이너링의 가압면에 인가되는 가공력이 적정하게 지지되어, 연마가공시에 있어서 가압면이 안정화된다. 이들의 결과, 가압면을 양호하게 연마가공하는 것이 가능해진다.
제 11항에 기재된 발명에 의하면, 리테이너링 가압면의 표면거칠기가 중심선 평균거칠기로 0.01㎛ 이하로 설정되어 있기 때문에, 시험 연마에 필요한 시간을 최소한으로 억제하는 것이 실효적으로 가능해진다. 즉, 리테이너링 가압면의 표면거칠기가 0.01㎛ 이하로 아주 작기 때문에, 리테이너링을 유지 헤드에 장착한 직후부터, 가압면에 의하여 연마패드의 연마면이 양호하게 평탄화, 미세화된다. 이 때문에, 시험 연마를 행하지 않고, 또는 단시간의 시험 연마를 행함으로써, 적정한 연마 성능이 얻어진다. 이 결과, 시험 연마에 필요한 시간과 노동력을 최소한으로 억제하여, 웨이퍼의 생산 가동율을 향상시키는 것이 실효적으로 가능해진다.
도 1은 본 발명의 실시형태에 관한 CMP 장치의 개략구성을 나타내는 정면도,
도 2는 본 발명의 실시형태에 관한 CMP 장치의 유지 헤드의 개략단면도,
도 3은 본 발명의 실시형태에 관한 CMP 장치용 리테이너링의 평면도(a)와 측단면도(b),
도 4는 본 발명의 실시형태에 관한 CMP 장치용 리테이너링의 제조공정 플로우도,
도 5는 본 발명의 실시형태에 관한 CMP 장치용 리테이너링을 연마전가공(기계가공) 하기 위한 기계가공 지그의 정면도(일부단면도),
도 6은 본 발명의 실시형태에 관한 CMP 장치용 리테이너링을 연마가공하기 위한 연마가공 지그의 단면도,
도 7은 본 발명의 실시형태에 관한 CMP 장치용 리테이너링의 가압면의 표면 거칠기의 측정결과 등을 나타내는 도,
도 8은 본 발명의 실시형태에 관한 CMP 장치용 리테이너링의 가압면의 표면거칠기의 측정 포인트를 나타내는 도,
도 9는 본 발명의 실시형태에 관한 다른 CMP 장치용 리테이너링의 가압면의 표면거칠기의 측정결과를 나타내는 도면이다.
※ 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : CMP 장치 2 : 정반
3 : 연마패드 3a : 연마면
4 : 유지 헤드 5 : 슬러리 공급 노즐 (슬러리 공급 수단)
5a : 슬러리 6 : 드레서
7 : 헤드본체 8 : 리테이너링
8a : 가압면 8b : 슬릿
8c : 배면 8d : 나사 인서트 (피유지부)
8e : 암나사 9 : 탄성체막
10 : 공기실 11 : 기계가공 지그
11a : 설치면 12 : 볼트(유지부)
13 : 연마가공 지그 13a : 지지부
W : 웨이퍼 W1 : 피연마면
이하, 본 발명을 도시한 실시형태에 의거하여 설명한다.
도 1은, 본 발명의 실시형태에 관한 CMP 장치(1)의 개략구성을 나타내는 정면도이다. 이 CMP 장치(1)는, 뒤에서 설명하는 리테이너링(8)을 제외하고, 널리 일반적으로 사용되고 있는 CMP 장치와 동등한 구성으로, 여기서는 상세한 설명을 생략하지만, 회전가능한 정반(2)과, 이 정반(2) 위에 배치된 연마패드(3)(크로스 등)와, 유지 헤드(4)와, 슬러리 공급 노즐(5)(슬러리 공급수단) 및 드레서(6)(날 세움 수단)를 구비하여, 웨이퍼(W)를 화학기계적으로 연마하는 것이다.
유지 헤드(4)는, 웨이퍼(W)를 유지하여 그 피연마면(W1)을 연마패드(3)에 가압하는 것으로, 회전(자전)하면서 연마패드(3) 위를 이동할 수 있도록 되어 있다. 이 유지 헤드(4)는, 도 2에 나타내는 바와 같이, 헤드본체(7)와, 이 헤드본체(7)의 하부에 설치된 리테이너링(8)과, 이 리테이너링(8) 내에 위치하여 웨이퍼(W)의 상면(W2)을 가압하는 탄성체막(9)을 구비하고 있다. 그리고, 헤드본체(7)와 리테이너링(8)과 탄성체막(9)에 의하여 둘러싸인 공기실(10)에 가압용 공기가 공급되어, 탄성체막(9)을 거쳐 웨이퍼(W) 연마패드(3)에 가압하는 것이다.
리테이너링(8)은, 웨이퍼(W)의 외주를 둘러싸 웨이퍼(W)가 유지 헤드(4)로부터 튀어나감을 방지함과 동시에, 연마패드(3)의 연마면(3a)(표면)을 가압하고, 웨이퍼(W)를 연마하는 연마패드(3)의 연마면(3a)[웨이퍼(W)의 피연마면(W1)과 면 접촉하는 부위]을 평탄화, 미세화(적정화) 하는 것이다. 즉, 연마패드(3)의 연마면(3a)은, 슬러리(연마재)(5a)에 의하여 평면도가 낮고, 표면거칠기가 거칠게 되어 있고, 이러한 연마면(3a)을 리테이너링(8)에 의하여 평면도를 높게 하고, 또한 표면거칠기를 작게 하는 것이다.
이 리테이너링(8)은, 내약품성이나 기계적 성질 등을 고려하여, PPS(polyphenylene sulfide ; 폴리페닐렌 술파이드, 엔지니어링 플라스틱)재로 구성되며, 도 3에 나타내는 바와 같은 링 형상을 하고 있고, 연마패드(3)의 연마면(3a)을 가압하는 가압면(8a)에는, 연마 찌꺼기를 토출하는(배출하는) 홈 형상의 슬릿(8b)이 복수 형성되어 있다. 또, 가압면(8a)의 배면에 위치하는 리테이너링(8)의 배면(8c)에는, 암나사(8e)가 형성된 나사 인서트(8d)(피유지부)가 복수 삽입되어 있다. 즉, 이 나사 인서트(8d)는 대략 원통형으로, 외주에 수나사가 형성되고, 내주에 암나사(8e)가 형성되어 있는 것이다. 또한, 가압면(8a)의 표면거칠기가 중심선 평균거칠기(산술 평균거칠기, Ra)로 0.01㎛ 이하로 설정(연마가공)되어 있는 것이다.
다음에, 이러한 구성의 리테이너링(8)의 제조방법을, 도 4에 나타내는 공정 플로우에 의거하여 설명한다.
먼저, 제 1 공정으로서 PPS 소재를 초벌 절삭가공하여, 최종 형상 및 치수에 가까운 형상으로 한다. 다음에, 배면(8c)측을 탭가공(암나사 형성가공)하고(공정 2), 그 탭에 나사 인서트(8d)를 밀어넣는다(삽입한다, 공정 3). 계속해서, 내경을 소정의 치수로 절삭가공(공정 4)한 후에, 리테이너링(8)의 높이(두께)가 소정의 치수가 되도록 가압면(8a)측과 배면(8c)측을 절삭가공한다(공정 5). 그 후, 외경을 소정의 치수로 절삭가공(공정 6)하고, 가압면(8a)측에 슬릿(8b)을 형성하기 위한 슬라이스가공을 행한다(공정 7). 그리고, 이것들의 가공에 의하여 발생한 버르를 제거하고(공정 8), 배면(8c)측을 다시 절삭가공한다(공정 9). 이때, 배면(8c)측의 평면도가 높아지도록, 절삭가공의 절삭을 작게 한다. 이상, 공정 1에서 공정 9까지에 의하여, 가압면(8a)을 제외한 형상면이 소정의 치수로 가공된다.
계속해서, 도 5에 나타내는 바와 같은 기계가공 지그(11)를 사용하여, 리테이너링(8)의 가압면(8a)을 연마전 가공(기계가공)한다(공정 10). 이 기계가공 지그(11)는 스테인리스강제의 원반(평반)으로, 그 외경이 리테이너링(8)의 외경과 대략 동일 치수로 되어 있다. 또, 리테이너링(8)의 나사 인서트(8d)와 동일 위치(동일 피치)에 볼트구멍(11c)이 형성되고, 이 볼트구멍(11c)을 거쳐, 볼트(12)(유지부)가 배면(11b)측에서 설치면(11a)측에 삽입되어 있는 것이다. 그리고, 이 기계가공 지그(11)의 설치면(11a)에 리테이너링(8)의 배면(8c)을 면 접촉시키고, 볼트(12)를 나사 인서트(8d)에 조인다. 이에 따라, 리테이너링(8)에 외주압 및 내주압이 가해지지 않고, 리테이너링(8)이 기계가공 지그(11)에 의하여 유지된다. 다음에, 기계가공 지그(11)의 외주부를 선반의 척으로 꽉 잡고, 리테이너링(8)의 가압면(8a)을 선반으로 평면 절삭가공한다. 이때, 가압면(8a)의 평면도가 높고, 또한 표면거칠기가 작아지도록, 절삭을 작게 하고, 또한 선반의 회전을 작게 한다. 또한, 본 실시형태에서는, 선반에 의하여 가압면(8a)을 절삭가공하고 있으나, 리테이너링(8)의 재질, 경도 등에 따라, 연삭가공 등 기타 기계가공을 행하여도 좋다.
그 후, 기계가공 지그(11)로부터 리테이너링(8)을 떼어내지 않고, 도 6에 나타내는 바와 같은 연마가공 지그(13)를 사용하여, 리테이너링(8)의 가압면(8a)을 연마가공한다(공정 11). 이 연마가공 지그(13)는 폴리염화비닐제의 원반(평반)으로, 중앙부에 오목형상의 지지부(13a)가 형성되어 있다. 이 지지부(13a)의 내경은, 기계가공 지그(11)의 외경과 동일 치수로, 기계가공 지그(11)의 외주면이 꼭 끼워 맞춰지도록 되어 있다. 그리고, 이 지지부(13a)에 기계가공 지그(11)의 배면(11b)측을 수용(삽입)함으로써, 기계가공 지그(11)의 배면(11b)이 지지부(13a)의 저면(13b)에 의하여 지지되도록 되어 있다. 또한, 이 저면(13b)에는, 기계가공 지그(11)를 보호하기 위한 보호크로스(14)가 배치되어 있다. 이러한 연마가공 지그(13)에 의하여, 리테이너링(8)을 유지한 기계가공 지그(11)를 지지한 상태에서, 가압면(8a)을 연마가공한다.
이 연마가공은, 상기 CMP 장치(1)와 동등한 구성을 가지는 연마장치(래핑 머신, 폴리싱 머신)에 의하여 행한다. 즉, 이 연마장치는, 정반 위에 배치된 연마패드[연마패드(3)와 동등]와, 리테이너링(8)을 회전시키면서 그 가압면(8a)을 연마패드에 가압하는 가압수단[유지 헤드(4)와 동등]과, 연마패드에 슬러리를 공급하는 슬러리 공급수단[슬러리 공급 노즐(5)과 동등]을 구비하고, 가압수단에 의한 가압력 및 회전 속도, 슬러리 공급수단에 의한 슬러리 공급량 등이 조정 가능하게 되어 있다. 그리고, 리테이너링(8)의 재질(경도 등)이나 크기, 슬러리(연마재)의 종류 등에 따라, 가압수단에 의한 가압력이나 회전 속도, 슬러리 공급량 등의 연마조건을 조정하고, 리테이너링(8)의 가압면(8a)을 연마가공한다. 구체적인 연마조건의 일례를 이하에 나타낸다.
슬러리(5a) ; CO(희석제는 셀륨계)로, 입자지름이 2㎛
슬러리의 공급량 ; 500∼1,000 ml/분
정반온도 ; 24℃∼26℃(정반의 냉각수 온도)
가압수단에 의한 가압력 ; 0.2 kgf/㎠
가압수단에 의한 회전 속도; 50rpm
그런데, 이 연마장치는, 리테이너링(8)을 연마가공하기 전에, 시험용 리테이너링(더미 리테이너링)을 장착하여 시험 가공이 행하여지고, 이 시험 가공에 의하여, 연마장치의 연마패드가 적정화(평탄화, 미세화), 안정화되어 있다. 그리고, 이 시험 가공 후에, 상기와 같은 연마조건으로, 리테이너링(8)의 가압면(8a)의 표면거칠기가, 중심선 평균거칠기로 0.01㎛ 이하가 될 때까지 연마가공한다.
이 연마가공 후에, 연마 찌꺼기를 에어블로우로 제거하여, 각부를 측정하고 (공정 12), 소정의 치수, 표면거칠기가 얻어진 리테이너링(8)을 초음파세정하여 (공정 13), 제조공정을 종료하는 것이다.
다음에, 이상과 같은 제조공정을 거쳐 제조된 리테이너링(8) 가압면(8a)의 표면거칠기의 측정결과에 대하여 설명한다. 도 7은 그 측정결과를 나타내는 것으로, 측정은 다음 측정기 및 측정조건으로 행하였다. 또, 측정 포인트 A, B는, 도 8에 나타내는 위치이다.
측정기 ; 주식회사 미쯔토요제 서프테스트 SV-3000S4(촉침식 표면거칠기 측정기)
규격 ; OLDMIX
평가곡선 종류 ; R
기준길이 ; 0.8mm
구간수 ; 5
λc(컷오프값) ; 0.8mm
필터 종류 ; Gaussian
평가길이 ; 4.0mm
조주 ; 0.4mm
후주 ; 0.3985mm
스무드 접속 ; 오프
파라미터 계산시의 평균선 보정 ; 오프
도 7에서 샘플 1의 값이, 본 리테이너링(8)의 측정결과이며, 측정 포인트 A, B 모두, 표면거칠기가 중심선 평균거칠기(Ra)로 0.010㎛ 이었다. 또, 최대높이(Ry)로는, 측정 포인트 A에서 0.080㎛, 측정 포인트 B에서 0.108㎛ 이었다. 이와 같이, 본 리테이너링(8)의 가압면(8a)의 표면거칠기는, 상기 특허문헌 1에 기재되어 있는 리테이너링의 표면거칠기(최대 높이로 0.8㎛ 정도)와 비교하여 훨씬 작다. 또, 도 7에서 샘플 2의 값은, 본 리테이너링(8)과 동일(동일 재료, 동일 치수)한 리테이너링의 가압면을 사람 손으로 연마(폴리셔, 래핑)한 경우의 표면거칠기의 측정결과이며, 중심선 평균거칠기로는 측정 포인트 A에서 0.220㎛, 측정 포인트 B에서 0.201㎛ 이고, 최대높이로는, 측정 포인트 A에서 1.776㎛, 측정 포인트 B에서 1.923㎛ 이었다. 그런데, 금속 제품(금속가공)의 경우, 표면거칠기가 중심선 평균거칠기로 0.01㎛ 이하이면 경면상태라고 하고, 본 리테이너링(8)의 가압면(8a)은 표면거칠기가 0.01㎛ 이하이기 때문에, 금속 제품에 있어서의 경면상태라고 할 수 있다. 또한, 도 7에서 표면거칠기 「Rq」는 제곱평균 평방근 거칠기, 「Rz」는 십점 평균거 칠기, 「Rc」는 평균 요철 높이, 「Rp」는 최대 산 높이，「Rv」는 최대 골 깊이, 「Rt」는 최대 단면 높이를 나타내고 있다. 이와 같이, 본 리테이너링(8)의 가압면(8a)의 표면거칠기는, 중심선 평균거칠기로 0.01㎛ 이하로 아주 작다. 이 때문에, CMP 장치에 본 리테이너링(8)을 장착하였을 때에, 시험 연마에 필요한 시간을 최소한으로 억제하는 것이 실효적으로 가능해진다. 즉, 가압면(8a)의 표면거칠기가 아주 작기 때문에, 본 리테이너링(8)을 CMP 장치(1)의 유지 헤드(4)에 장착한 직후부터, 가압면(8a)에 의하여 연마패드(3)의 연마면(3a)이 양호하게(높은 레벨까지) 평탄화, 미세화된다. 이 때문에, 시험 연마를 행하지 않고, 또는 단시간(최소한)의 시험 연마를 행함으로써, 적정한 연마 성능을 얻는 것, 즉 웨이퍼(W)의 피연마면(W1)을 아주 높은 평면도로 연마할 수 있다. 이 결과, 시험 연마에 필요한 시간과 노동력을 최소한으로 억제하여, 웨이퍼(W)의 생산가동율을 향상시키는 것이 실효적으로 가능해진다.
예를 들면, 가압면의 표면거칠기가 큰 종래의 리테이너링에서는, 제품 웨이퍼(W)(제품으로서 생산되는 웨이퍼)의 연마를 개시하기 전에, 사전 준비 작업과 시험 연마를 필요로 하고 있었다. 즉, 사전 준비 작업에서는, 리테이너링을 전용 연마장치(폴리싱 머신)에서 약 10분간 초벌 절삭한 후에, 다른 전용 연마장치에서 약 15분간 마무리 연마하고, 약 20분간 초음파 세정한다. 그리고, 시험 연마에서는, 리테이너링을 유지 헤드(4)에 장착하여, 20매 이상의 더미 웨이퍼(시험용 웨이퍼)를 연마하여, 적정한 연마 성능이 얻어진 것을 확인해야 했다. 이것에 대하여, 본 리테이너링(8)에서는, 가압면(8a)의 표면거칠기가 아주 작기 때문에, 사전 준비 작 업을 행할 필요가 없다. 또한, CMP 장치(1)의 가공정밀도, 연마패드(3)의 종류나 상태(평면도 등) 등에 의하여 다소 다르나, 본 리테이너링(8)을 유지 헤드(4)에 장착한 직후에, 시험 연마를 행하지 않고, 또는 수분의 시험 연마를 행함으로써, 웨이퍼(W)의 피연마면(W1)을 아주 높은 평면도로 연마할 수 있다. 또한, 종래의 리테이너링의 가압면은, 예를 들면, 선반에 의하여 절삭가공될 뿐이고, 그 표면거칠기는 중심선 평균거칠기로 3.0㎛ 정도이다.
또, 시험 연마에 필요한 시간이 최소화되기 때문에, 시험 연마에 의한 연마 찌꺼기가 감소하고, 연마 찌꺼기에 의한 웨이퍼(W)의 긁힘 상처(스크래치)나 불순물의 부착 등의 발생율도 감소한다. 이 결과, 웨이퍼(W)의 생산 품질이 향상, 안정화하고, 불량품 저감에 의하여 생산성이 더욱 향상된다.
그런데, 본 리테이너링(8)의 가압면(8a)의 표면거칠기가, 중심선 평균거칠기로 0.01㎛ 이하로 아주 작은 것은, 상기와 같은 제조공정을 거치기 때문이다. 즉, 먼저, 공정 1에서 공정 9까지에 의하여, 가압면(8a)을 제외하는 형상면을 소정의 치수로 가공한 후에, 가압면(8a)을 연마전 가공(공정 10) 및 연마가공(공정 11) 하기 때문에, 가공후의 가압면(8a)이 변형되는 일이 없다. 즉, 가압면(8a)을 소정의 치수 등으로 가공한 후에 다른 형상면을 가공하면, 가압면(8a)이 변형되어, 치수 등이 변하는 경우가 있으나, 상기와 같은 공정에서는, 그러한 일이 없다.
또한, 리테이너링(8)에 외주압 및 내주압을 가하지 않고 리테이너링(8)을 유지한 상태에서 연마전 가공 및 연마가공하기 때문에, 유지에 의하여 가압면(8a)이 변형되는 것이 방지된다. 즉, 연마전 가공(공정 10)에서, 기계가공 지그(11)의 볼 트(12)를 리테이너링(8)의 나사 인서트(8d)에 조임으로써, 리테이너링(8)이 기계가공 지그(11)로 유지되기 때문에, 이 유지에 의하여 가압면(8a)이 변형되는 일이 없다. 또한, 리테이너링(8)의 배면(8c)이 기계가공 지그(11)의 설치면(11a)에 의하여 지지되기 때문에, 연마전 가공시에 있어서 리테이너링(8)의 가압면(8a)이 안정화된다. 이 결과, 가압면(8a)이 양호하게(높은 평면도로, 또한 작은 표면거칠기로) 연마전 가공된다. 그리고, 이 연마전 가공에 의하여 가압면(8a)의 평면도와 표면거칠기가, 어느 일정한 크기(레벨)에 이른 후에 연마가공을 행함으로써 가압면(8a)을 높은 평면도로, 또한 아주 작은 표면거칠기로 마무리하는(연마하는) 것이 가능해진다.
또, 계속되는 연마가공(공정 11)에서, 리테이너링(8)을 유지한 기계가공 지그(11)의 배면(11b)측을 연마가공 지그(13)에 의하여 지지하기 때문에, 이 지지에 의하여 리테이너링(8)의 가압면(8a)이 변형되는 일이 없다. 또한, 연마가공 지그(13)의 지지부(13a)가 기계가공 지그(11)의 외주면에 끼워맞춰지기 때문에, 기계가공 지그(11)[리테이너링(8)]가 옆으로 어긋나는 것이 방지된다. 또, 지지부(13a)의 저면(13b)에 의하여 기계가공 지그(11)의 배면(11b)[리테이너링(8)의 배면(8c)]이 지지되기 때문에, 리테이너링(8)의 가압면(8a)에 인가하는 가공력(연마력)이 적정하게 지지되어, 연마가공시에 있어서 가압면(8a)이 안정화된다. 또한, 리테이너링(8)을 기계가공 지그(11)로 유지한 채로 연마가공을 행하기 때문에, 즉, 리테이너링(8)을 기계가공 지그(11)에서 떼어내지 않고 연마전 가공과 연마가공을 연속하여 행하기 때문에, 기계가공 지그(11)에 의한 유지정밀도, 유지의 안정성이 유지된 다. 그리고, 이것들의 결과, 가압면(8a)을 높은 평면도로, 또한 아주 작은 표면거칠기로 연마가공하는 것이 가능해진다.
또한, 연마가공에서, 상기한 바와 같이, 리테이너링(8)의 재질이나 크기, 슬러리(5a)의 종류 등에 따라, 가압수단에 의한 가압력이나 회전 속도, 슬러리 공급량 등이 조정되기 때문에, 리테이너링(8)의 가압면(8a)을 높은 평면도로, 또한 아주 작은 표면거칠기로 연마하는 것이 가능해진다. 또한, 리테이너링(8)을 연마가공하기 전에, 시험용 리테이너링에 의한 시험가공을 행하기 때문에, 이 시험가공에 의하여 연마장치의 연마패드가 적정화(평탄화, 미세화), 안정화된다. 그리고, 이 시험 가공 후에, 리테이너링(8)의 가압면(8a)을 연마하기 때문에, 가압면(8a)을 양호하게(높은 평면도로, 또한 아주 작은 표면거칠기로) 가공하는 것이 가능해진다.
그리고, 이상의 결과로서, 리테이너링(8) 가압면(8a)의 표면거칠기를, 중심선 평균거칠기로 0.01㎛ 이하라는 아주 작은 값으로 연마(마무리)할 수 있는 것이다.
그런데, 본 실시형태에서는, 리테이너링(8)이 PPS 제이나, PEEK(polyetheretherketone ; 폴리에테르 에테르 케톤), PET(polyethylene terephthalate ; 폴리에틸렌 테레프탈레이트), P0M(polyacetals ; 폴리아세탈), PI(polyimide; 폴리이미드) 등, 기타 엔지니어링 플라스틱제이어도, 본 리테이너링(8)과 마찬가지로, 가압면의 표면거칠기를 중심선 평균거칠기로 0.01㎛ 이하로 할 수 있다. 예를 들면, PEEK재로 리테이너링을 구성하여, 상기와 같은 제조공정을 거친 가압면의 표면거칠기를 측정한 결과를, 도 7에 샘플 3으로서 나타낸다. 이 결 과, 측정 포인트 A, B 모두, 표면거칠기가 중심선 평균거칠기로 0.009㎛ 이며, 최대 높이로는, 측정 포인트 A에서 0.076㎛, 측정 포인트 B에서 0.074㎛ 이었다. 이와 같이, PPS제의 본 리테이너링(8)에 비하여, PEEK제의 리테이너링의 쪽이 표면거칠기가 약간 작은 것은, PPS재에 비하여 PEEK재의 경도가 약간 높기(단단하기) 때문이다. 또한, 도 7에서 샘플 4의 값은, PEEK제의 리테이너링의 가압면을 사람의 손으로 연마한 경우의 표면거칠기의 측정결과이다.
또, 입자지름이 작은 슬러리에 의하여 가압면을 연마가공 함으로써, 가압면의 표면거칠기를 더욱 작게 할 수 있다. 예를 들면, PPS제의 리테이너링 가압면을, 1.2㎛ 슬러리로 연마가공한 경우, 도 9에 나타내는 바와 같이, 더욱 작은 표면거칠기를 얻을 수 있었다. 예를 들면, 중심선 평균거칠기로는, 측정 포인트 A에서 0.004㎛, 측정 포인트 B에서 0.005㎛ 이며, 최대 높이로는, 측정 포인트 A에서 0.049㎛, 측정 포인트 B에서 0.051㎛ 이었다. 이와 같이, 리테이너링의 재질이나 경도 등에 따라 슬러리의 입자지름을 작게 함으로써, 가압면의 표면거칠기를 더욱 작게 하는 것이 가능해진다. 또한, 도 9에서, 측정 포인트 C, D, E는, 도 8에 나타내는 측정위치이다.
이상과 같이, 본 발명에 관한 CMP 장치용 리테이너링은, 시험 연마에 필요한 시간을 최소한으로 억제할 수 있고, 또한, 웨이퍼의 생산품질을 향상, 안정화시킬 수 있는 리테이너링로서 매우 유용하다.

Claims (11)

  1. 정반 위에 배치된 연마패드와, 웨이퍼를 유지하여 상기 연마패드에 가압하는 유지 헤드를 구비하고, 상기 웨이퍼를 화학기계적으로 연마하는 CMP 장치에서, 상기 유지 헤드 내에 설치되고, 링 형상으로 상기 웨이퍼의 외주를 둘러쌈과 동시에, 상기 연마패드의 연마면을 가압하는 CMP 장치용 리테이너링에 있어서,
    엔지니어링 플라스틱재로 구성되고, 상기 연마패드의 연마면을 가압하는 가압면의 표면거칠기가 중심선 평균거칠기로 0.01㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 CMP 장치용 리테이너링.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 가압면의 배면에 위치하는 상기 리테이너링의 배면에 피유지부가 형성되고, 상기 가압면이 연마가공되어 있는 것을 특징으로 하는 CMP 장치용 리테이너링.
  3. 정반 위에 배치된 연마패드와, 웨이퍼를 유지하여 상기 연마패드에 가압하는 유지 헤드를 구비하고, 상기 웨이퍼를 화학기계적으로 연마하는 CMP 장치에서, 상기 유지 헤드 내에 설치되고, 링 형상으로 상기 웨이퍼의 외주를 둘러쌈과 동시에, 상기 연마패드의 연마면을 가압하는 엔지니어링 플라스틱제의 리테이너링 제조방법에 있어서,
    상기 연마패드의 연마면을 가압하는 가압면을 제외하는 형상면을 소정의 치수로 가공한 후에,
    상기 리테이너링에 외주압 및 내주압을 가하지 않고 상기 리테이너링을 유지하고, 이 상태에서 상기 가압면을 기계가공하며, 또한 그 표면거칠기가 중심선 평균거칠기로 0.01㎛ 이하가 될 때까지 연마가공하는 것을 특징으로 하는 CMP 장치용 리테이너링의 제조방법.
  4. 제 3항에 있어서,
    정반 위에 배치된 연마패드와, 상기 리테이너링을 회전시키면서 그 가압면을 상기 연마패드에 가압하는 가압 수단과, 상기 연마패드에 슬러리를 공급하는 슬러리 공급수단을 구비하고, 상기 가압 수단에 의한 가압력 및 회전 속도, 상기 슬러리 공급수단에 의한 슬러리 공급량이 조정 가능한 연마장치에 의하여, 상기 연마가공을 행하는 것을 특징으로 하는 CMP 장치용 리테이너링의 제조방법.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 연마가공을 행하기 전에, 상기 연마장치에 시험용 리테이너링을 장착하여 시험가공을 행하는 것을 특징으로 하는 CMP 장치용 리테이너링의 제조방법.
  6. 제 3항 내지 제 5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 가압면의 배면에 위치하는 상기 리테이너링의 배면측만을 유지한 상태 에서, 상기 기계가공과 연마가공을 행하는 것을 특징으로 하는 CMP 장치용 리테이너링의 제조방법.
  7. 제 6항에 있어서,
    상기 리테이너링의 배면에 피유지부를 형성하고, 상기 피유지부를 유지하는 유지부를 가지는 기계가공 지그에 의하여 상기 리테이너링을 유지하고, 이 상태에서 상기 기계가공을 행하는 것을 특징으로 하는 CMP 장치용 리테이너링의 제조방법.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 유지부의 배면에 위치하는 상기 기계가공 지그의 배면측을 지지하는 연마가공 지그에 의하여, 상기 리테이너링을 유지한 상기 기계가공 지그를 지지하고, 이 상태에서 상기 연마가공을 행하는 것을 특징으로 하는 CMP 장치용 리테이너링의 제조방법.
  9. 제 7항에 기재된 CMP 장치용 리테이너링의 제조방법에서 사용되는 상기 기계가공 지그에 있어서,
    평반 형상으로, 상기 리테이너링의 배면과 면 접촉하는 설치면에, 상기 리테이너링의 배면에 형성된 피유지부를 유지하는 유지부를 갖춘 것을 특징으로 하는 CMP 장치용 리테이너링의 기계가공 지그.
  10. 제 8항에 기재된 CMP 장치용 리테이너링의 제조방법에서 사용되는 상기 연마가공 지그에 있어서,
    평반 형상으로, 상기 설치면의 배면에 위치하는 상기 기계가공 지그의 배면측을 수용하고, 상기 기계가공 지그의 외주면에 끼워맞추어져 상기 기계가공 지그의 배면을 지지하는 오목형상의 지지부를 구비한 것을 특징으로 하는 CMP 장치용 리테이너링의 연마가공 지그.
  11. 정반 위에 배치된 연마패드와, 웨이퍼를 유지하여 상기 연마패드에 가압하는 유지 헤드를 구비하고, 상기 유지 헤드 내에, 링 형상으로 상기 웨이퍼의 외주를 둘러쌈과 동시에, 상기 연마패드의 연마면을 가압하는 리테이너링이 설치되고, 상기 웨이퍼를 화학기계적으로 연마하는 CMP 장치에 있어서,
    상기 리테이너링이 엔지니어링 플라스틱재로 구성되고, 상기 연마패드의 연마면을 가압하는 상기 리테이너링 가압면의 표면거칠기가 중심선 평균거칠기로 0.01㎛ 이하로 설정되어 있는 것을 특징으로 하는 CMP 장치.
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