DE112004002723T5 - Prüfvorrichtung und -verfahren für eine Halbleitervorrichtung - Google Patents

Prüfvorrichtung und -verfahren für eine Halbleitervorrichtung Download PDF

Info

Publication number
DE112004002723T5
DE112004002723T5 DE112004002723T DE112004002723T DE112004002723T5 DE 112004002723 T5 DE112004002723 T5 DE 112004002723T5 DE 112004002723 T DE112004002723 T DE 112004002723T DE 112004002723 T DE112004002723 T DE 112004002723T DE 112004002723 T5 DE112004002723 T5 DE 112004002723T5
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
repair
memory
user
analysis
semiconductor device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE112004002723T
Other languages
English (en)
Inventor
Kazuyoshi Okawa
Junko Ogino
Masayuki Yoshinaga
Hajime Honda
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Advantest Corp
Original Assignee
Advantest Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Advantest Corp filed Critical Advantest Corp
Publication of DE112004002723T5 publication Critical patent/DE112004002723T5/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/56External testing equipment for static stores, e.g. automatic test equipment [ATE]; Interfaces therefor
    • G11C29/56008Error analysis, representation of errors
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/56External testing equipment for static stores, e.g. automatic test equipment [ATE]; Interfaces therefor
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/56External testing equipment for static stores, e.g. automatic test equipment [ATE]; Interfaces therefor
    • G11C2029/5606Error catch memory
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/70Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring
    • G11C29/72Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring with optimized replacement algorithms
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/70Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring
    • G11C29/78Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices
    • G11C29/80Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices with improved layout
    • G11C29/808Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices with improved layout using a flexible replacement scheme

Landscapes

  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)

Abstract

Prüfvorrichtung für eine Halbleitervorrichtung, enthaltend:
einen Prüfprozessor, der ein Prüfsignal an eine zu prüfende Halbleitervorrichtung anlegt und Informationen über eine fehlerhafte Speicherzelle aus einem Antwortsignal erhält; und
eine Reparaturanalyse-Berechnungseinheit, die eine Reparaturanalyse der Informationen über eine fehlerhafte Speicherzelle durchführt, um einen Weg zum Reparieren der fehlerhaften Speicherzelle zu bestimmen;
wobei die Reparaturanalyse-Berechnungseinheit enthält:
eine Speicherreparaturanalyseeinrichtung zur Durchführung der Reparaturanalyse der Informationen über die fehlerhafte Speicherzelle in Übereinstimmung mit einem Speicherreparaturanalyseprogramm und zum Bestimmen der Zuweisung einer Ersatzlinie für die fehlerhafte Speicherzelle; und
eine Benutzerfunktionseinrichtung zum Einfügen einer Benutzerfunktion basierend auf einem vom Benutzer spezifizierten Benutzeranalyseprogramm zwischen gewünschten Verarbeitungseinheiten des Speicherreparaturanalyseprogramms, um eine Veränderung an von dem Speicherreparaturanalyseprogramm verarbeiteten Daten durchzuführen.

Description

  • TECHNISCHES GEBIET
  • Die vorliegende Erfindung betrifft eine Prüfvorrichtung und ein Prüfverfahren für eine Halbleitervorrichtung, die fehlerhafte Speicherzellen eines Speichers einer Halbleitervorrichtung durch vorab bereitgestellte Ersatzspeicherzellen ersetzen und dadurch die fehlerhafte Halbleitervorrichtung reparieren.
  • STAND DER TECHNIK
  • Eine Vorrichtung zum Analysieren von fehlerhaften Speicherzellen eines Speichers von Halbleitervorrichtungen, die als integrierte Schaltungen hergestellt sind, um einen Weg festzulegen, die fehlerhaften Speicherzellen unter Verwendung von Ersatzspeicherzellen wirtschaftlich zu reparieren, wird als MRA (Memory Repair Analyzer) bezeichnet. Die Halbleitervorrichtungen sind nicht auf spezielle Speichervorrichtungen beschränkt; sie können beliebige Halbleitervorrichtungen sein, die Speichereinrichtungen enthalten. Halbleitervorrichtungen, an welchen die vorliegende Erfindung angewandt wird, werden nachfolgend als Speichervorrichtungen bezeichnet, und eine zu prüfende Speichervorrichtung wird als DUT (Device under Test) bezeichnet. Es gibt eine Anzahl von verschiedenen MRA-Vorgehensweisen. Nachfolgend wird ein typisches Beispiel beschrieben.
  • 8A zeigt einen Wafer 110, auf dem eine große Anzahl von Halbleitervorrichtungen in einer Anordnung gebildet ist. MRA wird in einer einem Speichertest vorausgehenden Stufe durchgeführt, das heißt wird in einer Stufe durchgeführt, in der sich die Vorrichtungen auf dem Wafer befinden. Eine große Anzahl von Speichervorrichtungen ist in einer Anordnung auf dem Wafer 110 gebildet. Jede der Speichervorrichtungen hat mehrere Speicherblöcke, die jeweils aus vielen Speicherzellen bestehen. Bei einem in 8B schematisch dargestellten Speicherblock 120 sind mehr als eine Ersatzlinie 130, 135 für jeden Speicherblock 120 entlang der Zeilen (in Richtung der X-Achse) und der Spalten (in Richtung der Y-Achse) vorgesehen.
  • Hier sei angenommen, dass eine Prüfung des Speicherblocks 120 zeigte, dass Speicherzellen 123, 125 und 127 fehlerhaft sind. Die Prüfergebnisdaten können unter Verwendung des MRA analysiert werden, um eine Reparaturlösung festzulegen. 8C zeigt eine Reparaturlösung, bei der die Spaltenlinie 131 einer Speicherzelle 122 durch eine der Ersatzspaltenlinien 130 ersetzt wird und die Zeilenlinie 136 der Speicherzellen 125 und 127 durch eine der Ersatzteillinien 135 durch den MRA ersetzt wird. Eine derartige Reparatur von fehlerhaften Zellen von auf einem Wafer gebildeten Speichervorrichtungen ist in den US-Patenten Nr. 6345004 und Nr. 6243307 beispielsweise beschrieben.
  • Der MRA ist eine Einrichtung, die in der Lage ist, rasch zu analysieren, mit welcher Ersatzlinie eine in einer Speichervorrichtung aufgefundene fehlerhafte Speicherzelle ersetzt werden kann, um den Defekt zu reparieren, indem spezialisierte Hardware und Software verwendet wird. Der MRA war ausreichend wirksam, um herkömmliche Speicher-ICs zu reparieren.
  • In der jüngeren Vergangenheit haben Speichervorrichtungen einen enormen Fortschritt erfahren. Mit der Einführung von 64M-SDRAM haben mehr und mehr Speichervorrichtungen einzigartige Redundanzstrukturen, die von den Benutzern festgelegt werden (LSI-Herstellern), und wurden komplizierter. Als Folge davon ist das Problem entstanden, dass das Ergebnis der MRA-Analyse durch eine Nachbearbeitung (Nachbearbeitung in einer Stufe, in der sich die Vorrichtungen auf dem Wafer befinden) angepasst werden muss, wie weiter unten beschrieben wird. Das heißt, dass die herkömmlichen MRA-Fähigkeiten verwendet werden, um eine Reparaturlösung zu erhalten, und dann muss eine Engineering Workstation (EWS) in einem Nachbearbeitungsprozess verwendet werden, um Anpassungen an der Lösung vorzunehmen.
  • Da jedoch dieses Verfahren nur eine von dem MRA bestimmte Lösung anpassen kann, war es für einen Nachbearbeitungsprozess unmöglich, zu bestimmen, ob eine Lösung vorliegt, die einen als irreparabel festgestellten Defekt als Resultat von Anpassungen in dem Nachbearbeitungsprozess reparabel macht. Folglich war der Ausstoß vermindert. Ein Beispiel einer Vorrichtung, die aufgrund einer Redundanzstruktur nicht unter Verwendung des herkömmlichen MRA repariert werden konnte, wird nachfolgend beschrieben.
  • Die in 9 gezeigte Speichervorrichtung besteht aus vier Blockgruppen BG1–BG4. Die Blockgruppen BG1 und BG2 bilden BANK-A und die Blockgruppen BG3 und BG4 bilden BANK-B. Jede Blockgruppe besteht aus vier Blöcken. Zwei Ersatzzeilenlinien 135 sind in jeder Bank für die Reparatur von zwei Blockgruppen auf einmal vorgesehen. Zwei Ersatzspaltenlinien 130 sind für jeden Block vorgesehen. Die folgenden drei Bedingungen sind erforderlich, um Ersatzlinien für die Reparatur einer fehlerhaften Speicherzelle zuzuweisen.
  • 10 zeigt eine erste Bedingung. Die beiden Ersatzlinien in jedem Block können jede fehlerhafte Zelle in derselben Blockgruppe mit einigen Ausnahmen im Prinzip frei reparieren.
  • 11 zeigt eine zweite Bedingung. Die zweite Bedingung ist eine Ausnahme der ersten Bedingung. Die Ersatzlinie des am weitesten rechts gelegenen Blocks BL4 in derselben Blockgruppe kann nicht fehlerhafte Zellen in dem am weitesten links gelegenen Block BL1 reparieren. In ähnlicher Weise können die Ersatzlinien des am weitesten links gelegenen Blocks BL1 fehlerhafte Zellen in dem am weitesten rechts gelegenen Block BL4 nicht reparieren.
  • 12 zeigt eine dritte Bedingung. Diese Bedingung ist wie folgt. Es werden zwei benachbarte Blöcke in zwei benachbarten Blockgruppen, beispielsweise Block BL4 in der Blockgruppe BG3 und Block BL5 in der Blockgruppe BG4, in derselben Bank betrachtet. Wenn Fehler an einer Adresse "a", die in Block BL4 aufgetreten sind, mit einer Ersatzlinie von Block BL4 repariert werden, können Fehler an der gleichen Adresse "a" in dem benachbarten Block BL5 nicht mit einer Ersatzlinie von Block BL5 repariert werden. Die Adresse "a" in Block BL5 kann jedoch mit einer Ersatzlinie des benachbarten Blocks BL6 repariert werden.
  • Das in 9 gezeigte Beispiel betrifft eine Speichervorrichtung, die drei Einschränkungen einer Redundanzstruktur hat. Es gibt viele andere Speichervorrichtungen, die verschiedene Strukturen aufweisen. Es ist unmöglich geworden, alle verschiedenen Arten von Speichervorrichtungen mit herkömmlichem MRA zu reparieren. Beispielsweise kann der MRA die erste und die zweite Bedingung in der Speichervorrichtung in 9 ansprechen, aber nicht die dritte Bedingung.
  • Wie vorstehend angeführt können die erste und die zweite Bedingung in der die in 9 gezeigte Redundanzstruktur aufweisenden Speichervorrichtung mit der herkömmlichen MRA angesprochen werden. Nach der Durchführung des MRA muss ein Nachbearbeitungsprozess durchgeführt werden, um die dritte Bedingung auf der EWS zu prüfen, um das Resultat der Reparatur anzupassen. Da ferner nur eine Reparaturlösung der ersten und der zweiten Bedingung erzielt wird, bevor die dritte Bedingung geprüft wird, kann nicht unbedingt eine optimale Lösung erreicht werden und folglich kann eine Reduzierung des Ausstoßes die Folge sein.
  • Das heißt für das vorstehend beschriebene Beispiel, dass die herkömmliche MRA gemäß dem in 13 gezeigten Konzeptdiagramm die Durchführung einer Funktionsprüfung an einem DUT (Schritt S140), die Durchführung einer Speicherreparaturanalyse (MRA) durch Eingabe von Daten über die Prüfergebnisse, um eine Reparaturlösung unter den Einschränkungen der ersten und der zweiten Bedingung (Schritt S141), das vorübergehende Speichern der Reparaturlösung (Schritt S142) und die Durchführung von Anpassungen an dem Ergebnis und der dritten Bedingung in dem EWS (Schritt S143) erfordert, um eine endgültige Reparaturlösung zu erhalten.
  • Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Prüfvorrichtung und ein Prüfverfahren für eine Halbleitervorrichtung zu schaffen, die in der Lage sind, unter Verwendung einer Mehrzweck-MRA die erste, die zweite und die dritte Bedingung auf einmal zu analysieren und zu reparieren.
  • OFFENBARUNG DER ERFINDUNG
  • Eine Prüfvorrichtung für eine Halbleitervorrichtung gemäß vorliegender Erfindung enthält:
    einen Prüfprozessor, der ein Prüfsignal an eine zu prüfende Halbleitervorrichtung anlegt und Informationen über eine fehlerhafte Speicherzelle aus einem Antwortsignal erhält; und
    eine Reparaturanalyse-Berechnungseinheit, die eine Reparaturanalyse der Informationen über eine fehlerhafte Speicherzelle durchführt, um einen Weg zum Reparieren der fehlerhaften Speicherzelle zu bestimmen;
    wobei die Reparaturanalyse-Berechnungseinheit enthält:
    eine Speicherreparaturanalyseeinrichtung zur Durchführung der Reparaturanalyse der Informationen über die fehlerhafte Speicherzelle in Übereinstimmung mit einem Speicherreparaturanalyseprogramm und zum Bestimmen der Zuweisung einer Ersatzlinie für die fehlerhafte Speicherzelle; und
    eine Benutzerfunktionseinrichtung zum Einfügen einer Benutzerfunktion basierend auf einem vom Benutzer spezifizierten Benutzerreparaturanalyseprogramm zwischen gewünschten Verarbeitungseinheiten des Speicherreparaturanalyseprogramms, um eine Veränderung an von dem Speicherreparaturanalyseprogramm verarbeiteten Daten durchzuführen.
  • Ein Prüfverfahren für eine Halbleitervorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung enthält die Schritte:
    • (a) Durchführen einer Funktionsprüfung an einem Speicher einer zu prüfenden Halbleitervorrichtung, um Informationen über eine fehlerhafte Speicherzelle zu erhalten;
    • (b) Durchführen einer Speicherreparaturanalyse der Informationen über eine fehlerhafte Speicherzelle auf der Basis Verarbeitungseinheit für Verarbeitungseinheit, um die Zuweisung einer Ersatzlinie zu einer fehlerhaften Zelle zu bestimmen; und
    • (c) Einfügen einer Benutzerfunktion basierend auf einer vom Benutzer definierten Reparaturbedingung für eine fehlerhafte Speicherzelle zwischen gewünschten Verarbeitungseinheiten, die in Schritt (b) verwendet werden, um eine Veränderung an Daten durchzuführen, die von dem Speicherreparaturanalyseprogramm bearbeitet werden.
  • KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • 1 ist ein Konzept-Blockdiagramm einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
  • 2 ist ein Blockdiagramm, das eine grundsätzliche Konfiguration eines Mehrzweck-Reparaturanalyseteils 32 in 1 zeigt;
  • 3 ist ein Konzeptdiagramm, das die Beziehung zwischen einem MRA-Programm, öffentlichen MRA-Funktionen und einem Benutzeranalyseprogramm zeigt;
  • 4 ist ein Diagramm, das eine Benennungsregel für öffentliche MRA-Funktionen zeigt;
  • 5 ist ein Diagramm, das ein beispielhaftes Benutzeranalyseprogramm zeigt;
  • 6 ist ein Funktionsblockdiagramm, das eine weitere Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;
  • 7 ist ein Funktionsblockdiagramm, das eine weitere Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;
  • 8A zeigt einen Wafer, auf dem Halbleitervorrichtungen gebildet sind;
  • 8B zeigt einen Block in einer Speichervorrichtung;
  • 8C ist ein Diagramm zur Erläuterung der Reparatur von fehlerhaften Speicherzellen;
  • 9 zeigt ein Beispiel einer Speichervorrichtung, die eine Redundanzstruktur hat;
  • 10 ist ein Diagramm, das eine erste Bedingung der Reparatur der in 9 gezeigten Speichervorrichtung zeigt;
  • 11 ist ein Diagramm, das eine zweite Bedingung der Reparatur der in 9 gezeigten Speichervorrichtung zeigt;
  • 12 ist ein Diagramm, das eine dritte Bedingung der Reparatur der in 9 gezeigten Speichervorrichtung zeigt; und
  • 13 ist ein Konzeptdiagramm, das eine Aufgabe zur Lösung eines Problems gemäß dem Stand der Technik zeigt.
  • BESTE AUSFÜHRUNGSARTEN DER ERFINDUNG
  • Eine Art der Umsetzung der vorliegenden Erfindung wird unter Bezug auf Ausführungsformen derselben unter Bezugnahme auf die beiliegenden Zeichnungen beschrieben.
  • 1 zeigt ein Funktionsblockdiagramm einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Eine Prüfvorrichtung für Halbleitervorrichtungen gemäß der vorliegenden Erfindung, die in 1 gezeigt ist, prüft Halbleitervorrichtungen, die einen Speicher aufweisen (nachfolgend einfach als Speichervorrichtungen bezeichnet), analysiert die Position eines Fehlers in einer Speichervorrichtung, sofern vorhanden, und bestimmt eine optimale Lösung, durch welche Ersatzlinie (Ersatz-Speicherzellenlinie) eine fehlerhafte Linie (Speicherzellenspalte oder -zeile) einer Speichervorrichtung ersetzt werden sollte, um die Speichervorrichtung zu reparieren. Nur die wesentlichen Elemente der Vorrichtung werden hier beschrieben.
  • Die Prüfvorrichtung für Halbleitervorrichtungen enthält eine Engineering Workstation (EWS) 10, einen Prüfprozessor (TP) 20 und eine Reparaturanalyse-Berechnungseinheit (RCPU) 30. In der Reparaturanalyse-Berechnungseinheit 30 sind ein Fehlerspeicher 31 und ein Mehrzweck-Reparaturanalyseteil 32 vorgesehen. Die Engineering Workstation (EWS) 10, der Prüfprozessor 20 und die Reparaturanalyse-Berechnungseinheit 30 sind in der Lage, Daten, Steuersignale und Programme zwischen sich über Signalleitungen 15, 16 und 17 zu senden und zu empfangen. Zusätzlich ist ein Prüfkopf 40, der mit einer DUT elektrischen Kontakt herstellt, um die DUT zu prüfen, durch ein Kabel 18 mit dem Prüfprozessor 20 verbunden. Der Prüfkopf 40 gibt ein Prüfsignal von dem Prüfprozessor 20 an die DUT ab, empfängt ein Antwortsignal von der DUT und schreibt das Ergebnis der Prüfung in die Fehlerspeichereinheit 31. Der Mehrzweck-Reparaturanalyseteil 32 analysiert das in dem Fehlerspeicher 31 gespei cherte Prüfergebnis, um zu bestimmen, wie eine fehlerhafte Speicherzelle der DUT repariert werden sollte.
  • Die Engineering Workstation (EWS) 10, die ein von einem Messtechniker für den Betrieb der Vorrichtung verwendeter Computer ist, enthält einen Reparaturbedingungsdateispeicher (RCF) 11 und einen Steuerteil 12, sendet unter der Steuerung des Steuerteils 12 ein Signal durch die Signalleitungen 15, 16, 17, lädt ein Programm herunter und sendet und empfängt Daten. Obgleich nicht dargestellt, enthält die Engineering Workstation 10 ferner eine Eingabeeinrichtung für einen Benutzer zur Eingabe von verschiedenen Einstellungen und Ausführungsbefehlen sowie eine Anzeigeeinrichtung, wie zum Beispiel eine GUI (grafische Benutzerschnittstelle) zur Anzeige von Prüfprozessen und verschiedenen Arten von Daten.
  • Der Prüfprozessor (TP) 20, der ein speziell für die Prüfvorrichtung für Halbleitervorrichtungen konfigurierter Computer ist, enthält einen Prüfprogrammspeicher 21, der ein Prüfprogramm zum Prüfen von Halbleitervorrichtungen speichert, und führt die Steuerung für Funktionsprüfungen von DUTs durch. Der Prüfprozessor 20 führt ein in dem Prüfprogrammspeicher 21 gespeichertes Prüfprogramm durch, um eine Prüfadresse, Prüfdaten und Erwartungswertdaten zu erzeugen, gibt die Prüfadresse und die Prüfdaten an den Prüfkopf 40 ab und schreibt die Prüfdaten in eine Speicherzelle in einer Speichervorrichtung auf einem an dem Prüfkopf 40 angebrachten Wafer, die durch die Prüfadresse festgelegt ist. Der Prüfprozessor vergleicht dann die aus der Adresse gelesenen Daten mit den Erwartungsdaten, um zu bestimmen, ob die Speicherzelle an der Adresse akzeptabel oder fehlerhaft ist. Wenn sie fehlerhaft ist, schreibt der Prüfprozessor 20 den Fehler anzeigende Daten an der entsprechenden Adresse in den Fehlerspeicher 31 der Reparaturanalyse-Berechnungseinheit 30. Diese Prüfung wird an allen Adressen der Speichervorrichtung durchgeführt und die Prüfergebnisse werden an den Fehlerspeicher 31 abgegeben.
  • Der Mehrzweck-Reparaturanalyseteil (Mehrzweck-MRA) 32 der Reparaturanalyse-Berechnungseinheit 30 enthält einen MRA-Programmspeicher 32A, einen Benutzeranalyseprogrammspeicher 32B, einen Analysesteuerteil 32C und einen Datenspeicher 32D, erhält die erforderlichen Daten von dem Fehlerspeicher 31, der Daten über die Prüfergebnisse einer DUT speichert, führt ein MRA-Programm unter der Steuerung des Analysesteuerteils 32C durch, um eine Reparaturanalyse der fehlerhaften Zellen durchzuführen, und bestimmt die effizienteste Zuweisung einer Ersatzlinie für die fehlerhaften Speicherzellen. Die Ergebnisse der Analyse werden an den Prüfprozessor 20 zur späteren Verwendung bei der physischen Reparatur der DUT gesendet. Der Benutzeranalyseprogrammspeicher 32B und der Datenspeicher 32D werden unter Bezug auf 2 beschrieben.
  • 2 ist ein Blockdiagramm, das eine grundsätzliche funktionelle Konfiguration des Mehrzweck-Reparaturanalyseteils 32 zeigt, der in der Reparaturanalyse-Berechnungseinheit 30 aus 1 enthalten ist. Der Mehrzweck-Reparaturanalyseteil 32, der ein wesentliches Element der vorliegenden Erfindung ist, enthält den MRA-Programmspeicher 32A, der ein Speicherreparaturanalyseprogramm 32AP speichert, den Benutzeranalyseprogrammspeicher 32B, der Benutzeranalyseprogrammfunktionen 32BP speichert, den Analysesteuerteil 32C und den Datenspeicher 32D, wie unter Bezug auf 1 kurz erläutert. Das in dem MRA-Programmspeicher 32A gespeicherte MRA-Programm 32AP ist kein herkömmliches Programm, das nur Modelle für Speicherreparaturlösungen bereitstellt. Anstelle dessen wird eine Analyseprozess in Teile für einzelne Operationen aufgeteilt und Benutzerfunktionseinfügepunkte 32N132N5 sind in dem MRA-Programm 32AP vorgesehen, an welchen Benutzerfunktionen 32B132B5 von dem Benutzeranalyseprogramm 32BP eingefügt werden können, von welchen jede eine benutzerspezifische DUT-Reparaturanalyse am Endpunkt der Operation des Teiles durchführt. Der Datenspeicher 32D speichert für die Ausführung des MRA-Programms erforderliche Daten, beispielsweise Reparaturbedingungsdateien, Daten über die Zwischenstufen der Analyse und Analyseergebnisdaten.
  • Das MRA-Programm 32AP enthält: den Schritt 32A1 zum Erhalten von Prüfergebnisdaten von dem Fehlerspeicher 31 ansprechend auf ein Triggersignal, das die Vollendung einer Prüfung an einer DUT von dem Prüfprozessor 20 beispielsweise anzeigt und in der Analyse verwendete Variable initialisiert; den Schritt 32A2 zum Analysieren der Prüfergebnisdaten, um eine Ersatzlinie zur Reparatur einer fehlerhaften Speicherzellenlinie zuzuweisen; den Schritt 32A3 zum Zuweisen einer Ersatzlinie zum Reparieren von fehlerhaften Zellen, die nach dem Schritt 32A2 verbleiben; den Schritt 32A4 zum Bestimmen, ob ein anderer Weg zum Zuweisen einer Ersatzlinie nach der Bitreparatur vorhanden ist; und den Schritt 32A5 zum Erzeugen der Resultate der Analyse, wenn kein anderer Weg zum Zuweisen einer Ersatzlinie vorhanden ist. Wenn in einem Schritt 32A4 ein anderer Weg zum Zuweisen gefunden wird, wird die Zuweisung der Ersatzlinie für die Bitfehlerreparatur in einem Nebenschritt 32A3 durchgeführt. Diese Schritte 32A132A5 werden an jeder Speichervorrichtung durchgeführt. Informationen, wie etwa die Speichergröße der DUT, die Anzahl der Blöcke, die jede Blockgruppe bilden, die Anzahl der Zeilenersatzlinien, die Anzahl der Spaltenersatzlinien sind für die Linienfehlerreparatur in Schritt 32A2, die Bitfehlerreparatur in Schritt 32A3 und die Bestimmung in Schritt 32A4 erforderlich. Diese Informationselemente werden von einer Reparaturbedingungsdatei RCF in den Datenspeicher 32D geladen und verwendet.
  • Das Aufteilen des Analyseprozesses in dem MRA-Programm 32AP in Teile 32 für einzelne Operationen bezieht sich auf das Einteilen des Prozesses in Teile für Operationen, wie etwa das Erfassen von Prüfergebnisdaten und die Initialisierung von in der Analyse verwendeten Variablen (Schritt 32A1), die Analyse eines Linienfehlers (Schritt 32A2), die Analyse eines Bitfehlers (Schritt 32A3) und das Erzeugen des Reparaturergebnisses (Schritt 32A5). Einfügepunkte 32N132N5 sind zwischen diesen Operationen nach Erfordernis zum Vorsehen und Empfangen von Benutzerfunktionen 32B132B5 vorgesehen, so dass einzelne Benutzerfunktionen 32B132B5, die ein benutzerspezifisches Benutzeranalyseprogramm 32BP bilden, eingefügt werden können.
  • Die Benutzerfunktionen können eine Funktion enthalten, die ausgeführt wird, wenn die Variablen 32B1 initialisiert werden, eine Funktion, die nach einer Linienfehlerreparatur 32B2 ausgeführt wird, eine Funktion, die nach einer Bitfehlerreparatur 32B3 ausgeführt wird, eine Funktion, die vor dem Erzeugen eines Ergebnisses 32B4 ausgeführt wird, und eine Funktion, die nach dem Erzeugen des Ergebnisses 32B5 ausgeführt wird. Im Einzelnen prüft die nach einer Linienfehlerreparatur ausgeführte Funktion die Reparaturadressen, um festzustellen, ob beispielsweise identische Reparaturadressen vorhanden sind.
  • Die nach einer Bitfehlerreparatur ausgeführte Funktion prüft ebenfalls die Reparaturadressen, um zu sehen, ob identische Reparaturadressen vorliegen. Mit dieser Überprüfung können geeignete Ersatzlinien, die bei der Reparatur der gleichen Adresse zu verwenden sind, ausgewählt werden.
  • Auf diese Weise kann ein Benutzer eine eingefügte Benutzerfunktion verwenden, um Analysedaten zu erhalten, nämlich Reparaturinformationen und Fehlerinformationen, und zwar in einer gewünschten Phase der Verarbeitung gemäß dem MRA-Programm, und kann dadurch eine DUT mit einer speziellen Redundanzstruktur reparieren. In der unter Bezug auf 1 und 2 beschriebenen Ausführungsform bildet die Kombination des Analysesteuerteils 32C und des MRA-Programmspeichers 32A eine Speicherreparaturanalyseeinrichtung, die die Speicherreparaturanalyse von Fehlerinformationen durchführt; die Kombination des Analysesteuerteils 32C und des Benutzeranalyseprogrammspeichers 32B bildet eine Benutzerfunktionseinrichtung, die eine Benutzerfunktion zwischen Verarbeitungseinheiten eines MRA-Programms einfügt.
  • 3 zeigt schematisch als eine Variation der in 1 und 2 gezeigten Ausführungsform die Fähigkeit des Informationsaustausches zwischen dem in 2 gezeigten MRA-Programm 32AP und einer Benutzerfunktion in dem Benutzeranalyseprogramm 32BP durch eine öffentliche MRA-Funktion 32F, die für den Benutzer direkt verständlich ist. Wenn eine Benutzerfunktion 32B132B5 direkt auf den vom MRA-Programm 32AP genutzten Datenspeicher 32D zugreift, um Daten zu setzen, könnten Daten, wie zum Beispiel Reparaturdaten, durch einen fehlerhaften Wert der Benutzerfunktion, der vom Benutzer eingestellt wurde, beschädigt werden. Daher ist eine Funktion 32F, die als eine öffentliche MRA-Funktion bezeichnet wird, die als ein Filter wirkt, zwischen dem MRA-Programm 32AP und der Benutzerfunktion 32B132B5 vorgesehen. Durch Verwendung der öffentlichen MRA-Funktion 32F kann auf eine Datenbank innerhalb der Benutzerfunktion 32B132B5 Bezug genommen werden oder diese sicher modifiziert werden. Die Benutzerfunktionen sind in dieser Ausführungsform in der Sprache C geschrieben.
  • Im Hinblick darauf, dass die öffentliche MRA-Funktion 32F, die unter Bezug auf 3 beschrieben wurde, häufig von Technikern bei Herstellern und Benutzern von Prüfvorrichtungen für Halbleitervorrichtungen verwendet wird, ist ein bestimmtes Regelwerk definiert, so dass Benutzer ohne weiteres Benutzeranalyseprogramme schreiben können. Die öffentlichen MRA-Funktionsnamen sind wie in 4 gezeigt festgelegt, um es Benutzern zu ermöglichen, die Bedeutung von öffentlichen MRA-Funktionen aus ihren Namen annähernd zu verstehen, um die Belastungen der Benutzer während des Schreibens von Benutzerfunktionen zu minimieren und um bei den Benutzern den Eindruck zu vermeiden, dass sie schwierig zu verwenden sind.
  • Der in 4 gezeigte öffentliche MRA-Funktionsname ist ein Beispiel, das in Übereinstimmung mit gewissen Regeln geschrieben ist, die nachfolgend beschrieben werden. Zunächst werden alle Funktionen mit einem Tag "Mra" versehen. Dann wird ein "Klassenname" zugewiesen, der anzeigt, welche Art von Daten behandelt wird. Beispielsweise kann der Klassenname "Result" einer Funktion zugewiesen werden, die Analyseergebnisinformationen behandelt, die in dem Reparaturanalysedatenspeicher 32D gespeichert sind, der Klassenname "Fail" einer Funktion, die Fehlerinformationen behandelt, und der Klassenname "Repair" einer Funktion, die Reparaturinformationen behandelt.
  • Anschließend wird ein Verb zugewiesen, das angibt, was die Funktion tut. Beispielsweise kann das Verb "Get" einer Funktion zugewiesen werden, die Informationen abruft, und das Verb "Set" einer Funktion, die Daten setzt. Schließlich wird ein Objekt vorgesehen, das angibt, welche Informationen die Funktion behandelt. Als Beispiel kann ein Funktionsname wie "A = MraResultGetTotalBin" geschrieben werden. Verschiedene Beschreibungen können verwendet werden, da verschiedene Regeln für das Schreiben von Programmen eingerichtet werden können. Der wesentliche Punkt ist, dass jeder ohne weiteres jederzeit Funktionen schreiben kann. In dieser Ausführungsform ist ferner ein Datenprüffunktionsabschnitt 32FC vorgesehen, der von einer Benutzerfunktion gesetzte Daten prüft, um festzustellen, ob die Daten gültig sind oder nicht. Der Datenprüffunktionsabschnitt 32FC prüft gesetzte Daten, beispielsweise einen Adresswert, die Anzahl von Ersatzlinien, eine Ersatzgruppennummer oder eine Blocknummer, die durch eine Benutzerfunktion 32B132B5 eingegeben wurden, um festzustellen, ob die Daten einen anormalen Wert haben, das heißt ob der Wert innerhalb eines vorbestimmten Bereichs liegt. Wenn ein anormaler Wert erfasst wird, wird ein Einstellungsfehler an der Engineering Workstation angezeigt.
  • 5 zeigt ein Beispiel eines Benutzeranalyseprogramms, das das in 4 gezeigte Beschreibungsverfahren verwendet. Das Benutzeranalyseprogramm 32BP wird von der Engineering Workstation 10 in den Benutzeranalyseprogrammspeicher 32B geladen. Die Zeilen 2 bis 13 (UF1) sind eine Benutzerfunktion, die einen Reparaturadressabschnitt sortiert; die Zeilen 14 bis 29 (UF2) sind eine Funktion, die die Reparaturadressen auf eine gleiche Adresse prüft; die Zeilen 30 bis 36 (UF3) sind eine Hauptfunktion des Benutzeranalyseprogramms; und die Zeilen 37 bis 44 (UF4) sind eine Benutzereinstellfunktion. Beschreibungen der öffentlichen MRA-Funktionen sind in Zeilen 8, 9, 24 und 25 beispielsweise zu sehen.
  • Beispielsweise wird in dem in 2 gezeigten MRA-Programm 32 die Hauptfunktion UF3 an einem Benutzerfunktionseinfügepunkt 32N2 ausgeführt. "SampleRuleCheck1" in der 30. Zeile des Programms in 5 stellt einen Benutzerfunktionsnamen dar. Demgemäß wird die Überprüfung durch "addressCheckRow" in Zeile 34 durch die Benutzerfunktion UF2 von Zeile 14 bis Zeile 29 ausgeführt. "MraPOINT_POST_REPAIR_LINEFAIL" in Zeile 39 ist der Name, der dem Benutzerfunktionseinfügepunkt 32N2 zugewiesen wurde.
  • Zeile 20 in der Benutzerfunktion UF2 verwendet das in 4 gezeigte Beschreibungsverfahren, um eine öffentliche MRA-Funktion, "MraBlockGroupGetRepairList" darzustellen. Die Nummer der Blockgruppen "blockGroupNo" und die Zeile oder Spalte "dir", die von dem Benutzer in der Liste in der Funktion festgelegt werden, geben an, dass die gesetzten Werte auf einen vorhergesagten Wert geprüft werden, wenn die Funktion durchgeführt wird, um beispielsweise festzustellen, ob "blockGroupNo" kleiner oder gleich 8 ist und ob "dir" entweder 1 (Zeile) oder 2 (Spalte) ist. Wenn der Benutzer einen ungültigen Wert setzt, wird dies erfasst und eine Fehlermeldung kann angezeigt werden. Dies verhindert, dass in dem Datenspeicher 32D ein fehlerhafter Wert gesetzt wird.
  • 6 zeigt eine Konfiguration einer Ausführungsform, in der die in 4 und 5 gezeigten öffentlichen MRA-Funktionen eingefügt sind. Der Einfachheit halber sind Bauelemente, wie zum Beispiel ein Prüfprozessor 20 und ein Prüfkopf 40 nicht gezeigt. In dieser Ausführungsform ist ein öffentlicher MRA-Funktionsspeicher 23FC in einem Mehrzweck-Reparaturanalyseteil 32B in der in 1 gezeigten Konfiguration vorgesehen. Bevor eine Prüfung begonnen wird, werden ein MRA-Programm 32AP, ein Benutzeranalyseprogramm 32BP und öffentliche MRA-Funktionen 32F von einer Engineering Workstation 10 in einen MRA-Programmspeicher 32A, einen Benutzeranalyseprogrammspeicher 32B beziehungsweise einen öffentlichen MRA-Funktionsspeicher 32FC geladen. Die Kombination des Analysesteuerteils 32C und des öffentlichen MRA-Funktionsspeichers 32FC bildet eine öffentliche MRA-Funktionseinrichtung zum Einfügen einer Benutzerfunktion zwischen Verarbeitungseinheiten des MRA-Programms durch eine öffentliche MRA-Funktion.
  • 7 zeigt eine Konfiguration des Mehrzweck-Reparaturanalyseteils 32 einer Ausführungsform, in der Benutzerfunktionen zur Verwendung für Prüfungen an unterschiedlichen Arten von DUTs in der in 1 gezeigten Ausführungsform ausgewählt werden können. Verschiedene Reparaturbedingungsdateien RCFs sind für verschiedene Arten von Halbleitervorrichtungen vorgesehen. Demgemäß muss jedes Mal dann, wenn ein unterschiedlicher Typ einer DUT ausgewählt wird, die diesem Typ von DUT entsprechende RCF gewählt werden, bevor ein MRA-Programm ausgeführt wird. Wenn das Umwechseln von einem Typ von DUT auf einen anderen häufig durchgeführt wird, ist es zeitaufwändig und ineffizient, jedes Mal dann, wenn ein Wechselvorgang erfolgt, eine RCF von der Engineering Workstation 10 in den Mehrzweck-Reparaturanalyseteil 32 zu laden. Daher sind Gruppen von Benutzerfunktionen 32BJ und 32BK, die unterschiedlichen Typen von DUTs entsprechen, in einem Benutzeranalyseprogramm 32BP vorgesehen und in dem Benutzeranalyseprogrammspeicher 32B gespeichert, so dass die Benutzerfunktionen 32BJ und 32BK ohne weiteres gemäß dem Typ von DUT ausgewählt werden können. Die Regelnamen "J" und "K" sind den Gruppen von Benutzerfunktionen 32BJ beziehungsweise 32BK zugewiesen.
  • Ferner ist in dem Mehrzweck-Reparaturanalyseteil 32 ein RCF-Speicher 32F vorgesehen, in dem eine Reparaturbedingungsdatei RCF1 mit dem Regelnamen "keine", die von dem Typ von DUT unabhängig ist, und Reparaturbedingungsdateien RCF2 und RCF3 mit den Regelnamen "J" und "K" vorgesehen sind, die von dem Typ von DUT abhängig sind. Die RCF mit dem Regelnamen "J" wird für Speichervorrichtungen mit einer Kapazität von 128 MBytes verwendet und die RCF mit dem Regelnamen "K" wird für Speichervorrichtungen mit einer Kapazität von 256 MBytes verwendet. Da die Regelnamen auch als Identitäten von DUTs funktionieren, kann ein Benutzer ohne weiteres Benutzerfunktionen definieren.
  • Die Reparaturbedingungsdateien (RCFs) sind in dem Reparaturbedingungsdateispeicher 11 der Engineering Workstation 10 wie vorstehend beschrieben gespeichert und die Reparaturanalyse wird auf der Grundlage dieser Dateien durchgeführt. Indem ein Regelname in einer RCF festgelegt wird, können Benutzerfunktionen ohne weiteres dem Typ eines DUT entsprechend während der Laufzeit gewechselt werden.
  • Wenn in einer RCF kein Regelname festgelegt ist, führt ein MRA-Programm 32AP die ursprüngliche Reparaturanalyse durch. Wenn in einer RCF ein Regelname festgelegt ist, wie in 7 gezeigt, wird die Gruppe der Benutzerfunktionen 32BK, die für den Regelnamen "K" festgelegt ist, ausgeführt. Beispielsweise entspricht "SAMPLE_RULE_CHECK" in den Zeilen 39 und 41 dem Regelnamen "J" der Reparaturbedingungsdatei RCF2 (oder "K" von RCF3) in dem Benutzeranalyseprogramm aus 5.
  • Auf diese Weise können für eine DUT vorgesehene Benutzerfunktionen ohne weiteres auf einer einzelnen Prüfvorrichtung für Halbleitervorrichtungen ausgewählt werden, die zum Prüfen von unterschiedlichen Typen von DUTs verwendet wird.
  • AUSWIRKUNGEN DER ERFINDUNG
  • Wie vorstehend angeführt, waren die herkömmlichen MRAs für die Reparatur von herkömmlichen Speicher-ICs ausreichend effektiv. Es ist jedoch in der jüngeren Vergangenheit schwierig geworden, mit den herkömmlichen MRAs DUTs zu reparieren, die Speichereinrichtungen mit speziellen, benutzerspezifischen Redundanzstrukturen aufweisen, was zu einer Reduzierung der Ausbeute geführt hat.
  • Gemäß vorliegender Erfindung wird ein Mehrzweck-Reparaturanalyseteil 32 vorgesehen, in dem ein neu vorgesehenes MRA-Programm 32AP und ein Benutzeranalyseprogramm 32BP zur Zusammenarbeit veranlasst werden, so dass DUTs mit speziellen Redundanzstrukturen geprüft werden können. Als Resultat wird die Notwendigkeit der Nachbearbeitung auf dem Wafer beseitigt. Da ferner Benutzerfunktionen, die benutzerspezifische Operationen darstellen, integriert werden können, kann die Reparaturanalyse mehrmals versucht werden, bis eine benutzerspezifische Operation gefunden ist, die zur Reparatur in der Lage ist.
  • Da die benutzerspezifischen Operationen auf einer Reparaturanalyse-Berechnungseinheit (RCPU) 30 ablaufen, kann eine Funktionsprüfung an einer DUT durch einen Prüfprozessor 20 parallel zu der Speicherreparaturanalyse durch eine Reparaturanalyse-Berechnungseinheit 30 durchgeführt werden, wenn mehrere DUTs auf einmal geprüft werden. Als Folge davon kann die Laufzeit beträchtlich vermindert werden.
  • Die vorliegende Erfindung ermöglicht somit eine nahezu komplette Reparaturanalyse von DUTs, die eine Halbleiterspeichervorrichtung enthalten, und hat große technische Auswirkungen.
  • ZUSAMMENFASSUNG (1)
  • Es wird eine Halbleiterprüfvorrichtung geschaffen, die einen Prüfprozessor (20) verwendet, um ein Prüfsignal an eine DUT mit einer darin befindlichen Halbleitervorrichtung anzulegen, um auf der Grundlage eines Antwortsignals zu bestimmen, ob der Speicher akzeptabel ist oder nicht, und eine Reparaturanalyse-Berechnungseinheit (30) verwendet, um das Ergebnis der Prüfung zu analysieren und zu bestimmen, wie eine fehlerhafte Zelle des Speichers durch eine Ersatzlinie zu ersetzen ist. Die Reparaturanalyse-Berechnungseinheit (30) enthält einen Fehlerspeicher (31), der Prüfergebnisse speichert, und einen Mehrzweck-Reparaturanalyseteil (32), der die Prüfergebnisse in Übereinstimmung mit einem MRA-Programm analysiert und eine Benutzerfunktion eines Benutzeranalyseprogramms zwischen Analyseverarbeitungseinheiten einfügt und ausführt.

Claims (10)

  1. Prüfvorrichtung für eine Halbleitervorrichtung, enthaltend: einen Prüfprozessor, der ein Prüfsignal an eine zu prüfende Halbleitervorrichtung anlegt und Informationen über eine fehlerhafte Speicherzelle aus einem Antwortsignal erhält; und eine Reparaturanalyse-Berechnungseinheit, die eine Reparaturanalyse der Informationen über eine fehlerhafte Speicherzelle durchführt, um einen Weg zum Reparieren der fehlerhaften Speicherzelle zu bestimmen; wobei die Reparaturanalyse-Berechnungseinheit enthält: eine Speicherreparaturanalyseeinrichtung zur Durchführung der Reparaturanalyse der Informationen über die fehlerhafte Speicherzelle in Übereinstimmung mit einem Speicherreparaturanalyseprogramm und zum Bestimmen der Zuweisung einer Ersatzlinie für die fehlerhafte Speicherzelle; und eine Benutzerfunktionseinrichtung zum Einfügen einer Benutzerfunktion basierend auf einem vom Benutzer spezifizierten Benutzeranalyseprogramm zwischen gewünschten Verarbeitungseinheiten des Speicherreparaturanalyseprogramms, um eine Veränderung an von dem Speicherreparaturanalyseprogramm verarbeiteten Daten durchzuführen.
  2. Prüfvorrichtung für eine Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, bei welcher die Reparaturanalyse-Berechnungseinheit eine öffentliche Speicherreparaturanalyse-Funktionseinrichtung enthält, die die Benutzerfunktion zwischen gewünschten Verarbeitungseinheiten des Speicherreparaturanalyseprogramms durch den Eingriff einer öffentlichen Speicherreparaturanalysefunktion einfügt.
  3. Prüfvorrichtung für eine Halbleitervorrichtung nach Anspruch 2, bei welcher die öffentliche Speicherreparaturanalysefunktion einen Datenprüffunktionsabschnitt hat, der von der Benutzerfunktion gesetzte Daten prüft, um zu bestimmen, ob die Daten ordnungsgemäß sind.
  4. Prüfvorrichtung für eine Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, bei welcher die Reparaturanalyse-Berechnungseinheit enthält: einen Fehlerspeicher, der die von dem Prüfprozessor abgegebenen Informationen über fehlerhafte Speicherzellen speichert; einen Speicherreparaturanalyseprogrammspeicherabschnitt, der das Speicherreparaturanalyseprogramm speichert; einen Benutzeranalyseprogrammspeicherabschnitt, der das Benutzeranalyseprogramm speichert; und einen Analysesteuerteil, der die Ausführung des Speicherreparaturanalyseprogramms und die Ausführung des Benutzeranalyseprogramms steuert; und wobei der Analysesteuerteil und der Speicherreparaturanalyseprogrammspeicherabschnitt die Speicherreparaturanalyseeinrichtung bilden und der Analysesteuerteil und der Benutzeranalyseprogrammspeicherabschnitt die Benutzerfunktionseinrichtung bilden.
  5. Prüfvorrichtung für eine Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, bei welcher die Reparaturanalyse-Berechnungseinheit einen Reparaturbedingungsdateispeicherabschnitt hat, der eine Vielzahl von Reparaturbedingungsdateien speichert, die jeweils eine Reparaturbedingung für jeden Typ einer Halbleitervorrichtung definieren; wobei der Benutzeranalyseprogrammspeicherabschnitt als das Benutzeranalyseprogramm eine Vielzahl von Gruppen von Benutzerfunktionen speichert, die entsprechend der Vielzahl von Reparaturbedingungsdateien definiert sind; und der Analysesteuerteil eine Gruppe von Benutzerfunktionen auf der Grundlage einer Reparaturbedingungsdatei auswählt, die dem Typ der zu prüfenden Halbleitervorrichtung entspricht, und die Gruppe der Benutzerfunktionen zwischen Verarbeitungseinheiten des Speicherreparaturanalyseprogramms einfügt.
  6. Prüfverfahren für eine Halbleitervorrichtung, enthaltend die Schritte: (a) Durchführen einer Funktionsprüfung an einem Speicher einer zu prüfenden Halbleitervorrichtung, um Informationen über eine fehlerhafte Speicherzelle zu erhalten; (b) Durchführen einer Speicherreparaturanalyse der Informationen über eine fehlerhafte Speicherzelle auf der Basis Verarbeitungseinheit für Verarbeitungseinheit, um die Zuweisung einer Ersatzlinie zu einer fehlerhaften Zelle zu bestimmen; und (c) Einfügen einer Benutzerfunktion basierend auf einer vom Benutzer definierten Reparaturbedingung für eine fehlerhafte Speicherzelle zwischen gewünschten Verarbeitungseinheiten, die in Schritt (b) verwendet werden, um eine Veränderung an Daten durchzuführen, die von dem Speicherreparaturanalyseprogramm verarbeitet werden.
  7. Prüfverfahren für eine Halbleitervorrichtung nach Anspruch 6, bei welchem Schritt (c) den Schritt des Einfügens der Benutzerfunktion zwischen Verarbeitungseinheiten des Speicherreparaturanalyseprogramms durch den Eingriff einer öffentlichen Speicherreparaturanalysefunktion enthält.
  8. Prüfverfahren für eine Halbleitervorrichtung nach Anspruch 7, bei welchem die öffentliche Speicherreparaturanalysefunktion den Schritt des Ausführens einer Datenprüffunktion enthält, die von der Benutzerfunktion gesetzte Daten prüft, um zu bestimmen, ob die Daten ordnungsgemäß sind.
  9. Prüfverfahren für eine Halbleitervorrichtung nach Anspruch 6, bei welchem das Speicherreparaturanalyseprogramm die Schritte des Durchführens einer Linienfehlerreparaturverarbeitung und des Durchführens einer Bitreparaturverarbeitung enthält; und Schritt (c) den Schritt der Durchführung einer Veränderung an dem Ergebnis der Linienfehlerreparaturverarbeitung durch die Benutzerfunktion nach dem Schritt der Durchführung der Linienfehlerreparaturverarbeitung und den Schritt der Durchführung einer Veränderung an dem Ergebnis der Bitreparaturverarbeitung durch die Benutzerfunktion nach dem Schritt der Durchführung der Bitreparaturverarbeitung enthält.
  10. Prüfverfahren für eine Halbleitervorrichtung nach Anspruch 6, bei welchem Schritt (c) den Schritt des Auswählens einer Gruppe von Benutzerfunktionen, die dem Typ der zu prüfenden Halblei tervorrichtung entsprechen, aus einer Vielzahl von Gruppen von Benutzerfunktionen, die entsprechend einer Vielzahl von Reparaturbedingungen vorgesehen sind, die für die Typen der Halbleitervorrichtungen vorbestimmt sind, und des Einfügens der Gruppe von Benutzerfunktionen zwischen den Verarbeitungseinheiten des Speicherreparaturanalyseprogramms enthält.
DE112004002723T 2004-02-18 2004-02-18 Prüfvorrichtung und -verfahren für eine Halbleitervorrichtung Withdrawn DE112004002723T5 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2004/001805 WO2005078736A1 (ja) 2004-02-18 2004-02-18 半導体デバイス試験装置及び試験方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE112004002723T5 true DE112004002723T5 (de) 2008-03-06

Family

ID=34857555

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE112004002723T Withdrawn DE112004002723T5 (de) 2004-02-18 2004-02-18 Prüfvorrichtung und -verfahren für eine Halbleitervorrichtung

Country Status (4)

Country Link
US (1) US7613960B2 (de)
KR (1) KR101003076B1 (de)
DE (1) DE112004002723T5 (de)
WO (1) WO2005078736A1 (de)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080270854A1 (en) * 2007-04-24 2008-10-30 Micron Technology, Inc. System and method for running test and redundancy analysis in parallel
TWI409820B (zh) * 2009-02-18 2013-09-21 King Yuan Electronics Co Ltd Semiconductor Test System with Self - Test for Memory Repair Analysis
JP2011054244A (ja) * 2009-09-02 2011-03-17 Toshiba Corp 半導体試験方法及び半導体試験装置
US8258803B2 (en) * 2010-01-26 2012-09-04 Advantest Corporation Test apparatus and test method
KR102408165B1 (ko) * 2021-10-01 2022-06-13 (주)케이테크놀로지 반도체 디바이스 테스터의 구제 해석 장치, 구제 해석 방법 및 반도체 디바이스 테스터

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03102521A (ja) 1989-09-18 1991-04-26 Nec Corp 利用者プログラム組込み方式
JPH11213695A (ja) * 1998-01-21 1999-08-06 Advantest Corp 半導体メモリ試験装置
US6370516B1 (en) * 1998-03-16 2002-04-09 John P Reese Computer based device to report the results of codified methodologies of financial advisors applied to a single security or element
JPH11338521A (ja) * 1998-05-28 1999-12-10 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 制御装置
JP2000195294A (ja) 1998-12-25 2000-07-14 Ando Electric Co Ltd 集積回路の不良救済条件作成装置
US6459292B1 (en) * 1999-04-30 2002-10-01 Advantest Corporation Testing system for semiconductor device
JP2001006387A (ja) 1999-06-18 2001-01-12 Mitsubishi Electric Corp テスト回路を備える半導体装置および半導体装置の試験装置
JP2002042495A (ja) 2000-07-21 2002-02-08 Mitsubishi Electric Corp 冗長救済回路、方法および半導体装置
JP2002216495A (ja) * 2001-01-18 2002-08-02 Mitsubishi Electric Corp メモリデバイス冗長救済解析方法、記録媒体および装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20070265794A1 (en) 2007-11-15
US7613960B2 (en) 2009-11-03
KR101003076B1 (ko) 2010-12-21
KR20070001113A (ko) 2007-01-03
WO2005078736A1 (ja) 2005-08-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69729771T2 (de) Integrierte Schaltung mit einer eingebauten Selbsttestanordnung
DE102004021267B4 (de) Verfahren zum Testen eines Speicherbausteins und Prüfanordnung
DE10225381A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Speichern von Speichertestinformantion
DE60220511T2 (de) Verfahren und system zur optimierung der testkosten und deaktivierungsdefekte für scan- und bist-speicher
DE3728521A1 (de) Anordnung und verfahren zur feststellung und lokalisierung von fehlerhaften schaltkreisen eines speicherbausteins
EP0783170B1 (de) Vorrichtung und Verfahren zur Erfassung und Bewertung eines räumlich diskreten Punktmusters
DE3901579A1 (de) Verfahren und vorrichtung zur funktionspruefung von speichern, die in mit mikroprozessoren versehenen einheiten angeordnet sind
DE112006002842T5 (de) Speicher-Diagnose-Vorrichtung
EP1046993B1 (de) Halbleiterspeicheranordnung mit BIST
DE60018468T2 (de) Verbrauch von redundanzdaten für das anzeigen der bitfehlerkarten für halbleiterelemente
DE19930169B4 (de) Testeinrichtung und Verfahren zum Prüfen eines Speichers
DE112021002290T5 (de) Partitionierbares neuronales netz für festkörperlaufwerke
DE10034702A1 (de) Verfahren zum Analysieren des Ersatzes fehlerhafter Zellen in einem Speicher und Speichertestvorrichtung mit einem Fehleranalysator, der von dem Verfahren Gebrauch macht
DE102004020875A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Maskieren bekannter Ausfälle während Speichertestauslesungen
DE102013114558B4 (de) Ausschneiden-bei-der Diagnose (CID) - Ein Verfahren zur Verbesserung des Durchsatzes des Vorgangs für Anhebung der Ausbeute
DE10292320T5 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Analysieren und Reparieren von Speicher
DE10256487B4 (de) Integrierter Speicher und Verfahren zum Testen eines integrierten Speichers
WO2003043023A1 (de) Verfahren zur rekonfiguration eines speichers
DE10034878A1 (de) Verfahren zum Überprüfen eines Bauelementes und Bauelement mit Testspeicher
DE112004002723T5 (de) Prüfvorrichtung und -verfahren für eine Halbleitervorrichtung
DE10035705A1 (de) Verfahren zum Analysieren des Ersatzes fehlerhafter Zellen in einem Speicher und Speichertestvorrichtung mit einem Fehleranalysator, der von dem Verfahren Gebrauch macht
DE10134654A1 (de) Verfahren zur Fehleranalyse von Speichermodulen
DE4115084A1 (de) Vorrichtung zum testen einer halbleiterspeichereinrichtung
DE10016719A1 (de) Integrierter Speicher und Verfahren zur Funktionsprüfung von Speicherzellen eines integrierten Speichers
DE10229164A1 (de) Speicherbaustein mit einem Datengenerator und einer Testlogik und Verfahren zum Testen von Speicherzellen eines Speicherbausteins

Legal Events

Date Code Title Description
8141 Disposal/no request for examination
R005 Application deemed withdrawn due to failure to request examination

Effective date: 20110219