DE1115852B - Verfahren zur Herstellung einer Magnetspeicherplatte mit diskreten magnetisierbaren Bereichen - Google Patents

Verfahren zur Herstellung einer Magnetspeicherplatte mit diskreten magnetisierbaren Bereichen

Info

Publication number
DE1115852B
DE1115852B DEI17282A DEI0017282A DE1115852B DE 1115852 B DE1115852 B DE 1115852B DE I17282 A DEI17282 A DE I17282A DE I0017282 A DEI0017282 A DE I0017282A DE 1115852 B DE1115852 B DE 1115852B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
layer
nickel
magnetic
copper
percent
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DEI17282A
Other languages
English (en)
Inventor
John Scott Eggenberger
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
International Business Machines Corp
Original Assignee
International Business Machines Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from US776259A external-priority patent/US3070782A/en
Application filed by International Business Machines Corp filed Critical International Business Machines Corp
Publication of DE1115852B publication Critical patent/DE1115852B/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01FMAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F41/00Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
    • H01F41/32Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying conductive, insulating or magnetic material on a magnetic film, specially adapted for a thin magnetic film
    • H01F41/34Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying conductive, insulating or magnetic material on a magnetic film, specially adapted for a thin magnetic film in patterns, e.g. by lithography
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002Electrical device making
    • Y10T29/4902Electromagnet, transformer or inductor
    • Y10T29/49069Data storage inductor or core

Description

DEUTSCHES
PATENTAMT
117282 Vmc/21g
ANMELDETAG: 25. NOVEMBER 1959
BEKANNTMACHUNG DER ANMELDUNG UNDAUSGABE DER
AUSLEGESCHRIFT: 26. OKTOBER 1961
In programmgesteuerten Rechenanlagen und anderen Geräten zur automatischen Datenverarbeitung werden für Speicher- und Steuerzwecke häufig magnetische Matrixspeicheranordnungen verwendet, welche aus einer Vielzahl einzelner Magnetkerne aufgebaut sind. Bei diesen Anordnungen ist nachteilig, daß sie einmal für viele Anwendungen nicht gedrängt genug aufgebaut werden können und zum anderen sich wenig für eine automatische Fertigung eignen. Es wurden daher auch schon ähnliche Anordnungen entwickelt, in welchen diese Nachteile dadurch vermieden werden, daß an Stelle der einzelnen Magnetkerne eine größere zusammenhängende Speicherplatte aus einem ferromagnetischen Material verwendet wird, welche in eine Vielzahl mit entsprechenden Aussparungen versehener magnetisierbarer Bereiche aufgeteilt ist. Diese Anordnung hat jedoch den Nachteil, daß die einzelnen magnetisierbaren Bereiche nicht magnetisch gegeneinander isoliert sind, so daß sie sich bei engem Aufbau gegenseitig beeinflussen.
Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung einer Magnetspeicherplatte mit diskreten magnetisierbaren Bereichen, welche magnetisch gegeneinander isoliert sind. Erfindungsgemäß wird hierzu eine erste Schicht aus einem ferromagnetischen Material mit einer zweiten Schicht aus einem nichtmagnetischen Material, welche an den den magnetisierbaren Bereichen entsprechenden Stellen Aussparungen aufweist, versehen und derart verschmolzen, daß das nichtmagnetische Material die erste Schicht in ihrer ganzen Dicke durchdringt und sich mit dem ferromagnetischen Material zu einem nichtmagnetischen Material legiert.
Besonders vorteilhaft ist die Herstellung einer φ solchen metallischen,. Speicheranordnung ausgehend von dünnen Blechen aus ferromagnetischem Material, wobei diese erste Schicht zweckmäßig aus einer Nickel-Eisen-Legierung- mit, etwa 80 Gewichtsprozent Nickel und 20 Gewichtsprozent Eisen und die zweite Schicht aus Kupfer' besteht, Die zweite Schicht soll dabei eine solche Dicke aufweisen, daß die resultierende nichtmagnetische Legierung mindestens 37 Gewichtsprozent Kupfe*t enthält.
Die Bildung einer,"· Speicherplatte gemäß der Erfindung aus diesen ^.üsgangswerkstoffen beruht auf den magnetischen Eigenschaften des Legierungssystems Nickel-EiseÄrKupfer, Zur Kennzeichnung dieser Eigenschaften! ist in Fig. 1 die Abhängigkeit der Sättigungsmagnefisierung;Bm einer 80 Gewichtsprozent Nickel enthaltenden Nickel-Eisen-Legierung
bei Raumtemperatur von der Kupferbeimengung dar
gestellt. Wie diese Figur zeigt, ist die Sättigumgsmä- ' Verfahren zur Herstellung
einer Magnetspeicherplatte mit diskreten
magnetisierbaren Bereichen
Anmelder:
International Business Machines Corporation,
New York, N. Y. (V. St. A.)
Vertreter: Dipl.-Ing. H. E. Böhmer,
Böblingen (Württ.), Sindelfinger Str. 49, Patentanwalt
Beanspruchte Priorität:
V. St. v. Amerika vom 25. November 1958 (Nr. 776 259)
John Scott Eggenberger, Poughkeepsie, N. Y.
(V. St. A.),
ist als Erfinder genannt worden
gnetisierung von Legierungen im Fe-Ni-Cu-System stark von dem Prozentsatz des Kupferzusatzes zu einer 80 Gewichtsprozent Nickel enthaltenden Nickel-Eisen-Legierung abhängig. Dieser Effekt des Kupferzusatzes beruht auf der Ausfällung einer zweiten Phase bei hohen Kupferkonzenträtionen. Für Zusätze zu einer 80'%. Nickel enthaltenden Nickel-Eisen-Legierung liegt die Löslichkeitsgrenze von Kupfer bei Raumtemperatur bei etwa 37 Gewichtsprozent. Die Ausfällung dieser zweiten Phase bewirkt außerdem einen steilen Anstieg der Koerzitivkraft. Ferner bewirken Zusätze von Kupfer in Höhe von etwa 50%· oder mehr eine starke Reduktion der Magnetisierung und einen Anstieg der Koerzitivkraft, wodurch das Material seine ferromagnetischen Eigenschaften verliert. Diese Wirkung ist am deutlichsten im Bereich von 37 bis 60% Cu. Die in diesem Bereich in dem Dreikomponentensystem erreichbaren Eigenschaften, werden ausgenutzt, um die Speicheranordnungen gemäß der Erfindung herzustellen.
Im folgenden wird die Erfindung an Hand von drei Ausführungsbeispielen näher beschrieben, wobei in den Zeichnungen in den Fig. 2 bis 5, 6 bis 8 und 9 und 10 jeweils an einem Ausführungsbeispiel die einzelnen Stufen der Herstellung der Magnetspeicherplatten dargestellt sind.
Gemäß dem in den Fig. 2 bis 5 gezeigten Ausführungsbeispiel wird ein mit Öffnungen, versehenes Kupferblech (Fig. 2) über ein gewalztes oder auf andere Weise hergestelltes dünnes ferromagnetisches Blech (Fig. 3), z. B. aus Permalloy, gelegt, wie in
109 710/413
Fig. 4 dargestellt. Der in Fig. 4 gezeigte Aufbau kann auch durch Galvanisierung durch eine entsprechende Maske erreicht werden. Die Schichten werden dann bei höheren Temperaturen erhitzt, damit das Kupfer in die Nickel-Eisen-Legierung hineindiffundieren kann, so daß dann jeweils ein nahezu nichtmagnetischer Isolator jede Speichereinheit umgibt, wie es Fig. 5 zeigt.
Ein anderes Ausführungsbeispiel ist in den Fig. 6 bis 8 veranschaulicht. Ein mit Öffnungen versehenes Kupferblech ist auf ein gelochtes Nickel-Eisen-Blech (Fig. 6) aufgalvanisiert oder auf andere Weise darauf befestigt, um den in Fig. 7 gezeigten Aufbau zu bilden, bei dem das Kupferblech größere Löcher aufweist als das Blech aus dem ferromagnetischen Material.
Dann werden die Schichten erhitzt, um eine Diffusion des Kupfers und gemäß Fig. 8 die Bildung einer Speicheranordnung zu bewirken, die aus ringförmigen Speicherelementen besteht, die durch einen nahezu nichtmagnetischen Bereich (der aus dem die genannten drei Komponenten enthaltenden Legierungssystem besteht) gegeneinander magnetisch abgeschirmt sind.
Wie in den Fig. 9 und 10 gezeigt ist, kann nach dem Verfahren gemäß der Erfindung auch eine Anordnung von Speichereinheiten gebildet werden, in der jeweils mehrere Speicherelemente zu einer Einheit zusammengefaßt sind, die ihrerseits magnetisch voneinander isoliert sind. Eine mit Öffnungen versehene Permalloyplatte wird hierzu mit entsprechenden Masken versehen (Fig. 9), und auf die zwischen den Masken verbleibenden Zwischenräume wird Kupfer aufgalvanisiert. Die Schichten werden alsdann erhitzt, um eine Diffusion des Kupfers in das magnetische Material zu bewirken, so daß nunmehr eine Speicherplatte entsteht, in der jeweils drei mit ferromagnetischem Material umgebene öffnungen, deren Magnetkreise miteinander in Verbindung stehen, ein Speicherelement bilden, das vom benachbarten durch einen nichtmagnetischen Bereich getrennt ist (Fig. 10).
Die Bedingungen für die Ausführung des Diffusionsverfahrens sind je nach der Stärke des Metallbleches verschieden. Damit durch die Diffusion von Kupfer in die Eisen-Nickel-Legierung ein nichtmagnetischer Bereich entsteht, müssen die Materialien z. B. bei 1000° C während einer Zeitdauer erhitzt werden, die etwa durch die Gleichung T = 2,5 h2 ausgedrückt wird, in welcher T die Zeit der Glühbehandlung in Minuten und h die Stärke des Magnetbleches in Mikron darstellen. Für ein Permalloyblech von 6 Mikron Stärke wird bei Verwendung einer Kupferschicht von etwa derselben Stärke eine Glühbehandlungszeit von 90 Minuten vorgeschlagen. Unter diesen Bedingungen erreicht man eine gegenseitige Abschirmung von Speicherbereichen durch nichtmagnetische Bereiche, die verhältnismäßig scharf gegenüber den magnetischen Bereichen abgegrenzt sind. Wenn z. B. runde Speichereinheiten mit einem Durchmesser von etwa 0,25 mm in einem Abstand von etwa 0,25 mm erzeugt werden, so besteht um das Speicherelement nur noch eine weniger als 25 Mikron starke Randzone aus ferromagnetischem Material, wenn Kupfer in die Bereiche zwischen den Elementen nach den genannten Vorschriften hineindiffundiert wurde.
Das Verfahren nach der Erfindung ermöglicht die automatische Herstellung von Speicheranordnungen, in denen die einzelnen magnetischen Bereiche durch die Bildung von dazwischenliegenden, nahezu nichtmagnetischen Bereichen gut gegeneinander abgeschirmt sind, so daß die magnetischen Eigenschaften solcher Speicherplatten denen von bekannten Speicheranordnungen entsprechen, die aus einzelnen Ringkernen aufgebaut sind, und besser sind ίο als die Eigenschaften von Speicherplatten, die z. B. aus gelochten Platten aus ferromagnetischem Material bestehen.

Claims (7)

PATENTANSPRÜCHE:
1. Verfahren zur Herstellung einer Magnetspeicherplatte mit diskreten magnetisierbaren Bereichen, welche magnetisch gegeneinander isoliert sind, dadurch gekennzeichnet, daß eine erste Schicht aus einem ferromagnetischen Material mit einer zweiten Schicht aus einem nichtmagnetischen Material, welche an den den magnetisierbaren Bereichen entsprechenden Stellen Aussparungen aufweist, versehen und derart verschmolzen wird, daß das nichtmagnetische Material die erste Schicht in ihrer ganzen Dicke durchdringt und sich mit dem ferromagnetischen Material zu einem nichtmagnetischen Material legiert.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Schicht aus einer Nickel-Eisen-Legierung und die zweite Schicht aus Kupfer besteht.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Nickel-Eisen-Legierung etwa 80 Gewichtsprozent Nickel und 20 Gewichtsprozent Eisen enthält und die zweite Schicht eine solche Dicke aufweist, daß die resultierende nichtmagnetische Legierung mindestens 37 Gewichtsprozent Kupfer enthält.
4. Verfahren nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Schicht mit Aussparungen versehen und auf die erste Schicht aufgewalzt wird.
5. Verfahren nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Schicht mit Masken abgedeckt und die zweite Schicht aufgalvanisiert oder aufgedampft wird.
6. Verfahren nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Schicht mit Aus-
sparungen versehen wird, deren Durchmesser kleiner ist als derjenige der Aussparungen der zweiten Schicht und daß jeweils mindestens eine Aussparung der ersten Schicht mit einer Aussparung der zweiten Schicht fluchtet.
7. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß bei Verwendung einer 8O°/o Nickel enthaltenden Nickel-Eisen-Legierung für die erste Schicht und Kupfer für die zweite Schicht die beiden Schichten zum Verschmelzen für eine Zeitspanne Γ unter einem Schutzgas auf eine Temperatur von etwa 1000° C erhitzt werden, welche sich aus der Formel T = 2,5 W- ergibt, wenn T in Minuten und die Dicken der ersten Schicht in Mikron gemessen wird.
Hierzu !Blatt Zeichnungen
710/413 10.61
DEI17282A 1958-11-25 1959-11-25 Verfahren zur Herstellung einer Magnetspeicherplatte mit diskreten magnetisierbaren Bereichen Pending DE1115852B (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US776259A US3070782A (en) 1958-11-25 1958-11-25 Memory array
US2563A US3089222A (en) 1958-11-25 1959-12-29 Memory array

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1115852B true DE1115852B (de) 1961-10-26

Family

ID=26670550

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DEI17282A Pending DE1115852B (de) 1958-11-25 1959-11-25 Verfahren zur Herstellung einer Magnetspeicherplatte mit diskreten magnetisierbaren Bereichen

Country Status (4)

Country Link
US (1) US3089222A (de)
DE (1) DE1115852B (de)
GB (1) GB884716A (de)
NL (1) NL130453C (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1275699B (de) * 1962-12-24 1968-08-22 Ibm Verfahren zur Herstellung einer magnetischen Duennschichtanordnung
DE1564798B1 (de) * 1966-12-29 1970-12-17 Siemens AG, 1000 Berlin u. 8000 München Verfahren zur Erhöhung der Koerzitivfeldstärke von Speicherelementen aus dünnen magnetischen Schichten

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1294445A (en) * 1969-04-09 1972-10-25 Post Office Improvements relating to methods of manufacturing arrays of thin magnetic elements and arrays produced by the methods
US3779713A (en) * 1971-02-24 1973-12-18 Kawecki Berylco Ind Ductile consolidated beryllium

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1017031A (en) * 1909-12-31 1912-02-13 Hoskins Mfg Company Process of making magnetic pole-pieces.
US2633633A (en) * 1946-12-28 1953-04-07 Ford Motor Co Brazing of austenitic ferrous metals
US2906682A (en) * 1954-09-09 1959-09-29 Vitro Corp Of America Information storage systems and methods for producing same
US2824294A (en) * 1954-12-31 1958-02-18 Rca Corp Magnetic core arrays
US2936435A (en) * 1957-01-23 1960-05-10 Little Inc A High speed cryotron

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1275699B (de) * 1962-12-24 1968-08-22 Ibm Verfahren zur Herstellung einer magnetischen Duennschichtanordnung
DE1564798B1 (de) * 1966-12-29 1970-12-17 Siemens AG, 1000 Berlin u. 8000 München Verfahren zur Erhöhung der Koerzitivfeldstärke von Speicherelementen aus dünnen magnetischen Schichten

Also Published As

Publication number Publication date
GB884716A (en) 1961-12-13
NL130453C (de)
US3089222A (en) 1963-05-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2924013A1 (de) Magnetischer informationstraeger fuer senkrechte aufzeichnung
DE2600630A1 (de) Integrierte magnetkopfstruktur und verfahren zu ihrer herstellung
DE2355672A1 (de) Magnetischer wandler in duennschichttechnik
DE1034689B (de) Magnetische Speicherschaltung mit einer Platte aus magnetischem Material
DE1521591B2 (de) Verfahren zur bildung einer kontaktflaeche auf einer schalterzunge
DE1115852B (de) Verfahren zur Herstellung einer Magnetspeicherplatte mit diskreten magnetisierbaren Bereichen
DE2825235A1 (de) Drosselspule mit ringfoermigem eisenkern
DE1248726B (de) Magnetdrahtspeichermatrix
DE1125971B (de) Verfahren zum Herstellen eines Magnetkern-Matrixspeichers
DE2160970A1 (de) Mehrspurmagnetkopf und Verfahren zu dessen Herstellung
DE1499819C3 (de) Verfahren zur Herstellung einer Mehrfach-Magnetkopfeinheit und danach hergestellte Mehrfach-Magnetkopfeinheit
DE1275699B (de) Verfahren zur Herstellung einer magnetischen Duennschichtanordnung
DE2333812C3 (de) Magnetkopf in Dünnschichttechnik und Verfahren zu seiner Herstellung
CH370160A (de) Abschirmung an einem Gerät mit hoher Eigen-Gleichstromvormagnetisierung, insbesondere Gleichstromwandler
DE2018116C3 (de) Verfahren zur Herstellung einer magnetischen Speicherstreifenanordnung
DE2843795C2 (de) Magneteisenpulver mit Molybdänanteil und Verfahren zu seiner Herstellung
DE3531322C2 (de)
DE1158111B (de) Magnetische Speichereinrichtung
DE2143395C3 (de) Mit einer magnetischen, dünnen Schicht überzogener Drahtspeicher
DE2558914C2 (de) Abgeschirmter magnetoresistiver Magnetkopf
DE2953244C1 (de) Verfahren zum Herstellen eines metallischen Magnetbandes
DE1764868C3 (de) Verfahren zum Herstellen ringförmiger metallischer magnetischer Kerne
DE1764676C3 (de) Magnetogrammträger
DE2153304C3 (de) Mit einer magnetischen dünnen Schicht überzogener Drahtspeicher
DE2143395B2 (de) Mit einer magnetischen, duennen schicht ueberzogener drahtspeicher