DE1113720B - Relaisstellenverstaerker fuer eine Richtfunkstrecke - Google Patents

Relaisstellenverstaerker fuer eine Richtfunkstrecke

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DE1113720B
DE1113720B DES66024A DES0066024A DE1113720B DE 1113720 B DE1113720 B DE 1113720B DE S66024 A DES66024 A DE S66024A DE S0066024 A DES0066024 A DE S0066024A DE 1113720 B DE1113720 B DE 1113720B
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DE
Germany
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frequency
converter
amplifier
circuit
output
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Pending
Application number
DES66024A
Other languages
English (en)
Inventor
Dr-Ing Herbert Holzwarth
Dipl-Phys Konrad Abel
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04BTRANSMISSION
    • H04B7/00Radio transmission systems, i.e. using radiation field
    • H04B7/14Relay systems
    • H04B7/15Active relay systems
    • H04B7/155Ground-based stations
    • H04B7/165Ground-based stations employing angle modulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Radio Relay Systems (AREA)

Description

  • Relaisstellenverstärker für eine Richtfunkstrecke Die Erfindung bezieht sich auf einen Relaisstellenverstärker für eine Richtfunkstrecke.
  • Beim Aufbau von Richtfunkstrecken wird meist in der Weise vorgegangen, daß zwei miteinander zu verbindende Endstationen über Zwischenverstärker, die etwa im Abstand der optischen Sicht aufeinanderfolgen, miteinander in Verbindung stehen. Zur Vermeidung störender Rückkopplungen in einer derartigen Kette von einzelnen Stationen wird die Sendefrequenz des einzelnen Zwischenverstärkers gegenüber der jeweiligen Empfangsfrequenz um einen gewissen Betrag versetzt. Erreicht wird dies im allgemeinen in der Weise, daß der Zwischenverstärker aus einem ersten Frequenzumsetzer besteht, an dessen Ausgang ein Zwischenfrequenzverstärker angeschaltet ist, der einen zweiten Frequenzumsetzer speist, dessen Ausgangsenergie, vorzugsweise nach einer weiteren Verstärkung, zur Aussendung gelangt, wobei der zweite Umsetzer von einem gemeinsamen Umsetzosaillator direkt und der erste Umsetzer über eine der Frequenzverschiebung von Eingangs- und Ausgangsfrequenz dienende weitere Umsetzerstufe gespeist wird. Der für die Frequenzversetzung erforderliche weitere Umsetzer muß hierbei in der Frequenz hochkonstant ausgeführt werden, damit die Ausgangsfrequenz von dem vorgegebenen Wert nicht unzulässig abweicht. Diese Ausbildung der bekannten Zwischenverstärker ist nicht nur wegen des hohen erforderlichen Aufwandes unangenehm, sondern auch wegen der Schwierigkeiten, die sich bei dieser Anordnung dann ergeben, wenn beispielsweise durch eine Frequenz- oder Phasenmodulation des für den weiteren Umsetzer vorgesehenen Oszillators in einen Zwischenverstärker ein oder mehrere Sprachkanäle eingefügt werden sollen.
  • Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, diese Schwierigkeiten bei einem Relaisstellenverstärker der einleitend beschriebenen Art zu verringern.
  • Diese Aufgabe wird, ausgehend von einem Relaisstellenverstärker für eine Richtfunkstrecke, bestehend aus einem ersten Frequenzumsetzer, an dessen Ausgang ein Zwischenfrequenzverstärker angeschaltet ist, der einen zweiten Frequenzumsetzer speist, dessen Ausgangsenergie vorzugsweise nach einer weiteren Verstärkung zur Aussendung gelangt, wobei der zweite Umsetzer von einem gemeinsamen Umsetzoszillator mit der Frequenz f, direkt und der erste Umsetzer über eine der Frequenzverschiebung um den Wert f1 (Differenz zwischen Eingangs- und Ausgangsfrequenz des Relaisstellenverstärkers) dienende weitere Umsetzstufe gespeist wird, gemäß der Erfindung in der Weise gelöst, daß die der Frequenzversetzung dienende Umsetzerstufe als parametrischer Verstärker ausgebildet ist, an den ein auf die Frequenz f u abgestimmter Kreis und ein eine Wirkkomponente bei der Frequenz f"-f, enthaltender Abschluß angeschaltet sind, und daß dieser Abschluß hinsichtlich der Wirkkomponente bei der Frequenz f,-f" derart bemessen ist, daß der parametrische Verstärker selbst schwingt.
  • Dabei empfiehlt es sich, die Ausbildung derart zu treffen, daß die Abstimmfrequenz des Kreises für die Frequenz f" im Takte einer zusätzlichen Modulation, vorzugsweise einer oder mehrerer Sprachkanäle, veränderbar ist.
  • Zur Veränderung der Abstimmfrequenz des Kreises für die Frequenz f" wird zweckmäßig eine als Kapazität wirkende Diodenschaltung vorgesehen, der die Modulationsspannung zugeführt wird.
  • Die Erfindung wird an Hand eines Ausführungsbeispiels näher erläutert.
  • Die Zeichnung zeigt in der Fig. 1 einen Zwischenverstärker, dem die Empfangsenergie von einer Antenne A aus zugeführt wird. In den Eingangsstufen dieses Relaisstellenverstärkers wird die Empfangsenergie mittels des ersten Frequenzumsetzers 1 aus ihrer ursprünglichen Frequenzlage von z. B. etwa 6000 MHz in eine zwischenfrequente Lage von beispielsweise 70 MHz umgesetzt und dort mittels eines Zwischenfrequenzverstärkers 2 den vorgegebenen Forderungen entsprechend verstärkt. An diesen Zwischenfrequenzverstärker 2 schließt sich ein zweiter Umsetzer 3 an, der auch als Rückumsetzer bezeichnet werden kann, in dem die verstärkte Zwischenfrequenzspannung in die zur Aussendung vorgesehene Frequenzlage von beispielsweise etwa 6200 MHz rückumgesetzt wird. In dieser Frequenzlage erfolgt, gegebenenfalls nach Verstärkung in einem Sendeverstärker 4, die Aussendung der Wellen über die Antenne A' zur nächsten Station des Richtfunksystems.
  • Die Oszillatorspannung für die beiden Frequenzumsetzer 1 und 2 wird von einem gemeinsamen Umsetzoszillator 5 abgeleitet, der auf einer Frequenz f o von z. B. 6130 MHz arbeitet. Diese Spannung wird vom Oszillator 5 dem zweiten Frequenzumsetzer 3 unmittelbar zugeführt. In der Zuleitung zum Frequenzumsetzer 1 ist ein weiterer Umsetzer 6 eingeschaltet, der als parametrischer Verstärker ausgebildet ist. Der parametrische Verstärker besteht beispielsweise aus einem Modulator mit einer nichtlinearen Kapazität, vorzugsweise der in Sperrichtung vorhandenen Kapazität einer Kristalldiode. An den parametrischen Verstärker 6 sind ein Kreis 7 und ein auf die geforderte Differenzfrequenz f u zwischen der Eingangsfrequenz des Zwischenverstärkers und dessen Ausgangsfrequenz abgestimmter Kreis 8 angeschaltet. Der Kreis 7 ist auf die Differenzfrequenz f,-f. aus der Frequenz f o des gemeinsamen Oszillators 5 und der Frequenz tu des Kreises 8 abgestimmt; das ist beim vorliegenden Zahlenbeispiel eine Frequenz von etwa 5930 MHz. Die Ausgangsspannung des parametrischen Verstärkers 6 mit dieser Frequenz wird dem Frequenzumsetzer 1 zugeführt.
  • Die Wirkungsweise dieser Anordnung kann in der Weise verstanden werden, daß der gemeinsame Oszillator 5, der beispielsweise auf einer Frequenz von 6130 MHz arbeitet, als Pumposzillator für den parametrischen Verstärker 6 arbeitet. Durch den Kreis 8 werden ein oberes und unteres Seitenband als überlagerungsprodukte festgelegt. Durch den eine entsprechende Wirkkomponente für das untere Seitenband enthaltenden Kreis 7, in den die für den Umsetzer 1 bestimmte Auskoppelenergie mit der Frequenz f,-f" mit einbezogen ist, wird eine Selbsterregung des parametrischen Verstärkers herbeigeführt, so daß dieser unter anderem auch Hochfrequenzenergie mit der Frequenz von 5930 MHz abgibt. Diese Energie wird dem Frequenzumsetzer 1, der in an sich bekannter Weise ausgebildet sein kann, als Oszillatorenergie zugeführt.
  • Der große Vorteil der beschriebenen Anordnung besteht darin, daß der Kreis 8 als passiver Zweipol ausgebildet sein kann, wodurch sich mit wesentlich einfacheren Mitteln eine hohe Frequenzstabilität für diesen Kreis erreichen läßt. Da dieser Kreis für den Frequenzversatz zwischen der Eingangsfrequenz und der Ausgangsfrequenz des Zwischenverstärkers ausschlaggebend ist, sind auch diese Frequenzen damit in relativ einfacher Weise genau einander zugeordnet.
  • Weiterhin bietet die erfindungsgemäße Schaltungsanordnung den großen Vorteil einer einfachen Einfügung von weiteren der Nachrichtenübertragung dienenden Kanälen, beispielsweise einem oder mehreren Sprachkanälen und/oder Signalisierungskanälen für die Anlagenüberwachung. Ein vorteilhafter Weg hierfür ist in der Fig. 2 angedeutet. Parallel zu dem Kreis 8 ist eine als Kapazität wirkende Kristalldiode 9 geschaltet, der die Modulationsspannung von zusätzlichen Kanälen zugeführt wird. Diese Diode ist in Sperrichtung vorgespannt und wirkt mit ihrer Sperrschichtkapazität als Parallelkapazität zum Kreis B. Durch die Veränderung der Kapazität dieser Diode im Takte der Modulation wird die Frequenz des Kreises 8 entsprechend geändert, so daß die zusätzlichen Nachrichten mittels einer Frequenzmodulation über das System übertragen werden.
  • Beim Ausführungsbeispiel nach der Fig. 1 wird das untere Seitenband dem Umsetzer 1 zugeführt. Statt dessen ist es in manchen Fällen vorteilhaft, das obere Seitenband zu verwenden. In diesem Fall stellt der Kreis 7 dann einen sogenannten Idlerkreis dar, und es ist möglich, diesen von der Auskopplung der für die Umsetzung im Umsetzer 1 benötigten Oszillatorenergie zu trennen und somit besonders günstige Verhältnisse in der Dimensionierung des parametrischen Verstärkers zu schaffen. Parametrische Verstärker sind beispielsweise aus der Zeitschrift Proceedings of the IRE, Juli 1956, S. 904 bis 913, bekannt. Sie bestehen aus einem Modulator mit einer nichtlinearen Reaktanz, der einerseits die zu verstärkenden Wellen und andererseits eine überlagerungsschwingung höherer Frequenz zugeführt werden. Infolge der nichtlinearen Eigenschaften der Reaktanz - die z. B. aus einer im Sperrgebiet betriebenen, als Kapazität wirkenden Germaniumdiode besteht - entstehen hierbei oberhalb und unterhalb der Überlagerungsfrequenz gelegene Seitenbänder. Durch einen eine Wirkkomponente enthaltenden Abschluß des Reaktanzmodulators für die unterhalb der überlagerungsschwingung gelegenen Frequenzen wird eine Entdämpfung des Modulatoreingangs hervorgerufen. Der Modulator wirkt dann ähnlich einem negativen Widerstand und kann so zur Verstärkung in an sich bekannter Weise verwendet werden. Man bezeichnet das unterhalb der Überlagerungsschwingung gelegene Seitenband auch als instabiles Seitenband, und zwar deshalb, weil die Entdämpfung so weit gehen. kann, daß sie zu einer Selbsterregung der Quelle der zu verstärkenden Wellen führt.
  • Die Anordnung nach der Lehre der Erfindung hat auch den Vorteil, daß eine einfache Frequenzkontrolle und gegebenenfalls auch selbsttätige Nachregelung für den Kreis 8 erfolgen kann. In der Fig. 2 ist eine hierfür vorteilhafte Schaltung gestrichelt mit eingezeichnet. Die am Kreis 8 auftretende Hochfrequenzspannung wird mit der Ausgangsspannung eines mittels eines piezoelektrischen Kristalls frequenzstabilisierten Oszillators 10 in einer Phasenbrücke 11 überlagert. Die Ausgangsspannung der Phasenbrücke 11 kann über einen Tiefpaß 12 einer Anzeigevorrichtung oder sowie gezeigt, der als Kapazität wirkenden Kristalldiode 9 als Nachregelspannung zugeführt werden.

Claims (1)

  1. PATENTANSPRÜCHE: 1. Relaisstellenverstärker für eine Richtfunkstrecke, bestehend aus einem ersten Frequenzumsetzer, an dessen Ausgang ein Zwischenfrequenzverstärker angeschaltet ist, der einen zweiten Frequenzumsetzer speist, dessen Ausgangsenergie vorzugsweise nach einer weiteren Verstärkung zur Aussendung gelangt, wobei der zweite Umsetzer von einem gemeinsamen Umsetzoszillator mit der Frequenz f, direkt und der erste Umsetzer über eine der Frequenzverschiebung um den Wert f u (Differenz zwischen Eingangs- und Ausgangsfrequenz des Relaisstellenverstärkers) dienende weitere Umsetzstufe gespeist wird, dadurch gekennzeichnet, daß die der Frequenzversetzung dienende Umsetzerstufe als parametrischer Verstärker ausgebildet ist, an den ein auf die Frequenz fu abgestimmter Kreis und ein eine Wirkkomponente bei der Frequenz f"-f, enthaltender Abschluß angeschaltet sind, und daß dieser Abschluß hinsichtlich der Wirkkomponente bei der Frequenz f,-f" derart bemessen ist, daß der parametrische Verstärker selbst schwingt. 2..ReIaisstellenverstärker nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Abstimmfrequenz des Kreises für die Frequenz f u im Takte einer zusätzlichen Modulation, vorzugsweise einer oder mehrerer Sprachkanäle, veränderbar ist. 3. Relaisstellenverstärker nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß zur Veränderung der Abstimmfrequenz des Kreises für die Frequenz f u eine als Kapazität wirkende Diodenschaltung vorgesehen ist, der die Modulationsspannung zugeführt wird.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3310740A (en) * 1962-09-19 1967-03-21 Siemens Ag Directional radio system with angle modulation
US3633103A (en) * 1969-07-25 1972-01-04 Nippon Electric Co Microwave relay equipment

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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US3633103A (en) * 1969-07-25 1972-01-04 Nippon Electric Co Microwave relay equipment

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