DE1110765B - Legierungstransistor zum Schalten mit einem scheibenfoermigen n- oder p-dotierten Halbleiterkoerper - Google Patents

Legierungstransistor zum Schalten mit einem scheibenfoermigen n- oder p-dotierten Halbleiterkoerper

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DE1110765B
DE1110765B DES65125A DES0065125A DE1110765B DE 1110765 B DE1110765 B DE 1110765B DE S65125 A DES65125 A DE S65125A DE S0065125 A DES0065125 A DE S0065125A DE 1110765 B DE1110765 B DE 1110765B
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electrode
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1182752B (de) * 1961-08-26 1964-12-03 Telefunken Patent Drifttransistor
DE1206080B (de) * 1964-08-20 1965-12-02 Telefunken Patent Transistormagnetfeldsonde hoher Empfindlichkeit
DE1489087B1 (de) * 1964-10-24 1970-09-03 Licentia Gmbh Halbleiterbauelement mit verbessertem Frequenzverhalten und Verfahren zum Herstellen

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1012696B (de) * 1954-07-06 1957-07-25 Siemens Ag Halbleiteruebergang zwischen Zonen verschiedenen Leitungstypus und Verfahren zur Herstellung des UEberganges
GB799670A (en) * 1954-02-04 1958-08-13 Gen Electric Improvements in electric current control devices utilising the semi-conductor germanium
DE1051983B (de) * 1955-11-01 1959-03-05 Philips Nv Halbleiteranordnung mit verminderter Temperaturabhaengigkeit, z. B. Kristalldiode oder Transistor, und Verfahren zur Herstellung einer solchen Anordnung

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB799670A (en) * 1954-02-04 1958-08-13 Gen Electric Improvements in electric current control devices utilising the semi-conductor germanium
DE1012696B (de) * 1954-07-06 1957-07-25 Siemens Ag Halbleiteruebergang zwischen Zonen verschiedenen Leitungstypus und Verfahren zur Herstellung des UEberganges
DE1051983B (de) * 1955-11-01 1959-03-05 Philips Nv Halbleiteranordnung mit verminderter Temperaturabhaengigkeit, z. B. Kristalldiode oder Transistor, und Verfahren zur Herstellung einer solchen Anordnung

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1182752B (de) * 1961-08-26 1964-12-03 Telefunken Patent Drifttransistor
DE1206080B (de) * 1964-08-20 1965-12-02 Telefunken Patent Transistormagnetfeldsonde hoher Empfindlichkeit
DE1489087B1 (de) * 1964-10-24 1970-09-03 Licentia Gmbh Halbleiterbauelement mit verbessertem Frequenzverhalten und Verfahren zum Herstellen

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