DE1099764B - Adressenauswahlsystem fuer Magnetkernspeicher - Google Patents

Adressenauswahlsystem fuer Magnetkernspeicher

Info

Publication number
DE1099764B
DE1099764B DEI14441A DEI0014441A DE1099764B DE 1099764 B DE1099764 B DE 1099764B DE I14441 A DEI14441 A DE I14441A DE I0014441 A DEI0014441 A DE I0014441A DE 1099764 B DE1099764 B DE 1099764B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
current
cos
core
selection
parametron
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DEI14441A
Other languages
English (en)
Inventor
Takashi Ishidate
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
International Standard Electric Corp
Original Assignee
International Standard Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by International Standard Electric Corp filed Critical International Standard Electric Corp
Publication of DE1099764B publication Critical patent/DE1099764B/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/19Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using non-linear reactive devices in resonant circuits
    • G11C11/20Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using non-linear reactive devices in resonant circuits using parametrons

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)
  • Mram Or Spin Memory Techniques (AREA)

Description

DEUTSCHES
Die Erfindung bezieht sich auf ein Adressenauswahlsystem für Kernauswahl mittels Wechselstromes mit matrizenförmig angeordneten Magnetkernen. Zur Auswahl eines bestimmten Magnetkernes in einer Matrix sind die verschiedensten Einrichtungen bekanntgeworden. Für die Art der Einspeicherung einer Information in einen Kern einer solchen Matrix gibt es grundsätzlich zwei Möglichkeiten. Die eine Möglichkeit, die bei den meisten bisher bekannten Auswahlsystemen angewendet wurde, besteht darin, den durch den auszuwählenden Kern hindurchgeführten Leitungen bzw. den diesen Kern umfassenden Wicklungen gleichzeitig Impulse zuzuführen, die in. ihrer Gesamtheit eine Ummagnetisierung des Kernes und damit die Einspeicherung der gegebenen Information bewirken.
Eine zweite Möglichkeit, die insbesondere in letzter Zeit bei der Entwicklung des Parametrons als binärem Element bekanntgeworden ist und die insbesondere für die Steuerung der Auswahlsysteme mittels Parametron geeignet ist, ist die Auswahl eines Kernes mittels Wechselstromes. In diesem Zusammenhang sind bereits Adressenauswahlsysteme bekanntgeworden, bei denen dem Spaltendraht einer zweidimensionalen Matrix ein Strom bestimmter Frequenz und Amplitude sowie bestimmter Phasenlage und dem Reihendraht ein Strom der halben Frequenz und gleicher Anfangsphasenlage zugeführt wird. Die Auswahl des Magnetkernes erfolgt dann durch entsprechende Überlagerung der Wechselströme aus dem ausgewählten Magnetkern. Bei einem anderen Auswahlsystem, bei dem die Auswahl mittels Wechselstromes erfolgt, werden dem Reihen- und Spaltendraht einer zweidimensionalen Matrix Ströme gleicher Amplitude, Frequenz und Phasenlage und einem allen Magnetkernen gemeinsamen Draht ein Strom der doppelten Frequenz und gleicher Änfangsphasenlage zugeführt.
Gegenüber den bekannten Auswahlsystemen mit Impulsauswahl haben die Auswahlsysteme mit Wechselstromauswahl allgemein den Vorteil, daß sie direkt mit einer mit Hilfe von Parametrons aufgebauten, datenverarbeitenden Anlage zusammenarbeiten können.
Das erstgenannte bekannte Auswahlsystem für Wechselstromauswahl hat den Nachteil, daß entweder jedem Spaltendraht oder jedem Reihendraht ein Parametron zur Steuerung zugeordnet sein muß und daß weiterhin der diesen Parametrons zugeführte Strom relativ groß sein muß, weil der Wirkungsgrad derselben nur etwa 30 % beträgt. Das als zweites genannte bekannte System zur Auswahl mittels Wechselstromes, bei dem dem Reihen- und Spaltendraht des auszuwählenden Kernes Ströme gleicher Amplitude, Frequenz und Phasenlage zugeführt werden, hat den Nachteil, daß an die charakteristischen Eigenschaften der Magnetkerne, insbesondere deren Toleranz hinsichtlich der Sättigungsfeldstärke, beträchtliche Anforderungen gestellt werden müssen.
Adressenauswahlsystem
für Magnetkernspeicher
Anmelder:
International Standard Electric
Corporation,
New York, N. Y. (V. St. A.)
Vertreter: Dipl.-Ing. H. Ciaessen, Patentanwalt,
Stuttgart-Zuffenhausen, Hellmuth-Hirth-Str. 42
Beanspruchte Priorität:
Japan vom 22. Februar 1957
Takashi Ishidate, Tokio,
ist als Erfinder genannt worden
Die der Erfindung zugrunde liegende Aufgabe ist der Aufbau eines Adressenauswahlsystems, bei dem die Auswahl mittels Wechselstromes erfolgt und bei dem die Nachteile der bekannten Wechselstromauswahlsysteme, insbesondere des letztgenannten, beseitigt sind.
Erfindungsgemäß wird daher bei einem Adressenauswahlsystem für Kernauswahl mittels Wechselstromes mit matrizenförmig angeordneten Magnetkernen, durch die je ein Reihendraht und ein Spaltendraht sowie ein weiterer, allen Magnetkernen gemeinsamer Draht hindurchgeführt ist, zur Kernauswahl dem Reihen- und Spaltendraht des ausgewählten Magnetkernes je ein Wechselstrom von gleicher Amplitude und Frequenz, jedoch unterschiedlicher Phasenlage, insbesondere einer
Phasenverschiebung von —, und dem allen Magnetkernen
gemeinsamen Draht aus einem Parametron ein weiterer Wechselstrom von gegenüber den genannten beiden Wechselströmen niedrigerer Amplitude und doppelter Frequenz zugeführt, welcher je nach der die beiden binären Zustände kennzeichnenden positiven oder negativen Schwingungsphase des Parametrons eine derartige Phasenlage aufweist, daß entweder eines seiner positiven Maxima oder eines seiner negativen Maxima phasengleich mit einem positiven Maximum der Überlagerung der genannten beiden Wechselströme ist.
Der wesentliche Vorteil erfindungsgemäßer Anordnungen gegenüber den bekannten liegt darin, daß die Anforderungen an die Material eigenschaften der benutzten Magnetkerne beträchtlich verringert werden können, weil beim Auslesevorgang die Phase der in der Leseschleife erzeugten Spannung nur bei dem ausgewählten Kern in Phase oder Gegenphase mit dem von dem Parametron
109 510/230
3 4
gelieferten Strom ist, während bei den nicht ausgewählten ■ Die bei einem solchen bekannten Adressenauswahlsystem Kernen, die eine Spannung in der Leseschleife erzeugen, an die Magnetkerne zu stellenden Anforderungen hineine Phasenverschiebung auftritt, die im Optimalfalle sichtlich ihrer Materialeigenschaften, insbesondere Mn-1 ich — it sichtlich der Toleranz der Sättigungsfeldstärke und des ° 2 5 Remanenzfmsses, weiterhin aber auch hinsichtlich der Ein weiterer Vorteil Hegt darin, daß trotz dieser Kurvenform der Hysteresekurve, sind beträchtlich. Im
verringerten Anforderung an die Materialeigenschaften ., j _x ·, , · P. I7- <*> ^ , , ,
J1,?,, ·τ> j. oj. einzelnen darf durch emen Strom — Ifi, cos — t, der durch
der Magnetkerne nur em Parametron zur Steuerung 2 Jl2 2 '
benötigt wird. · : v - einen nicht ausgewählten Kern fließen kann, die in diesem
An Hand der Figuren-sind ein Ausführungsbeispiel io Kern gespeicherte Information weder verändert noch der Erfindung sowie bekannte Anordnungen zum Ver- gelesen werden. Andererseits muß aber der Schreibgleich näher erläutert. Es zeigen - und Lesevorgang unter der Steuerung des Parametrons P
Fig. 1 und 2 eine schematische Darstellung bekannter ... c, r ω,,,,, ..,,,
Adressenauswahlsysteme mit Wechsebtromauswahl,. mit emem Strom 1^ cos T *· der durch den ^gewählten
Fig. 3 ein Auswahlsystem nach der Erfindung, 15 Magnetkern fließt, durchgeführt werden können. Es ist
Fig. 4 ein Stromdiagramm, "zur Erläuterung des erfin- leicht einzusehen, daß die Toleranz der Materialeigendungsgemäßen Auswahlsystems. schäften um so geringer werden muß, je größer die
Zur Erläuterung sei zunächst die Wirkungsweise und Amplitude des z. B. zum Einschreiben vom Parametron
der Aufbau eines Parametrons beschrieben. abgegebenen Stromes J/ cos ω t wird.
Ein »Parametron« ist ein Resonanzelement aus Induk- 20 Bei dem in Fig. 3 gezeigten Ausführungsbeispiel eines tivität und Kapazität, von dein die eine, gewöhnlich die erfindungsmäßen Adressenauswahlsystems treten diese Induktivität, periodisch variiert wird. Ein Parametron Nachteile nicht auf. Trotzdem wird gegenüber dem in mit veränderlicher Induktivität kann aus zwei Ferrit- Fig. 1 gezeigten Adressenauswahlsystem von dem Vorteil kernen hergestellt werden, von denen jeder eine einzelne Gebrauch gemacht, nur ein Parametron P zur Steuerung Windung als Primärwicklung, die ihrerseits in Serie 25 vorzusehen. Um die Anforderungen an die Materialhintereinandergeschaltet sind, und eine Sekundärwicklung eigenschaften der Speicherkerne zu verringern, werden aus zehn Windungen trägt, die gegensinnig hinterein- bei dem erfindungsgemäßen Adressenauswahlsystem der andergeschaltet sind, und zwar unter Zwischenschaltung X-Reihe und Y-Spalte des auszuwählenden Magneteines Kondensators. Die Primärwicklung wird durch kernes zwei Wechselströme gleicher Amplitude und einen Wechselstrom erregt, und der Kreis aus Sekundär- 30 Frequenz, jedoch unterschiedlicher Phasenlage, zugeführt, wicklungen und Kondensator'ist auf die halbe Frequenz In Fig. 3 wird also z. B. zur Auswahl eines Magnetkernes dieses Erregerstromes abgestellt. Sobald der Erreger- einer der X-Reihen der Strom strom an die Primärwicklung gelegt wird, wird der ^ / π Resonanzkreis in Schwingungen mit der halben Frequenz J1 = -η=- IfJ2 cos I -=- t + des Erregerstromes versetzt, die mit einer der beiden um 35 |/2 V^ 180° getrennten Phasen beginnen, je nach der vorher- und einer der Y-Reihen der Strom gehenden Erregung. · 1 I ω π\
Fig. 1 zeigt ein bekanntes System, bei dem die Adressen- J2 = —==■ I//2 cos — t — J
auswahl dadurch erfolgt, daß einerseits zur Auswahl einer M^ ^ '
der Spalten Y1 bis Y4 einem der Parametrons P1 bis P4 40 zugeführt. In dem ausgewählten Magnetkern addieren
ein Strom J2/ cos 2 ω t zugeführt wird und das aus- sich die Wirkungen beider Ströme derart, als ob durch
gewählte Parametron zufolge dieser Erregung einen diesen Magnetkern ein Strom der Größe
Strom If cos ω t an die mit ihm verbundene Spalte
abgibt und daß andererseits zur Auswahl einer der j 1 / __ τ cos 2L. t
ω 45 1 2 2 '
Reihen X1 bis X4 ein Strom Ifiz cos -=-1 zugeführt wird. _. n .. ,
14 j/2 2 b fließen wurde.
Dadurch wird der Magnetkern, der im Schnitt der Es fließt also bei einem Auswahlvorgang durch einen
angesteuerten X- und Y-Achse liegt, ausgewählt. nicht ausgewählten Kern einer der folgenden drei Ströme:
Dieses bekannte System hat den Nachteil, daß der ,
Strom, der den als Steuerelementen verwendeten Para- 50 j _ JL jf, cos (^L j \ π
metrons zugeführt werden muß, also J2/ cos 2 ω t, 1 2 2 \ 2 4
wesentlich größer als der einer X-Reihe zugeführte 1 /
Strom IfJ2 cos -^-1 sein muß, weil der Wirkungsgrad der 2 ~2 ^'2 C S I ~2~ 4
Parametrons nur etwa 30% beträgt. Bei dem in Fig. 2 55 j _ q
gezeigten bekannten Adressenauswahlsystem, das als 3 — »
eine Verbesserung des in Fig. 1 gezeigten Systems an- während durch den ausgewählten Kern der Strom
gesehen werden kann, erfolgt die Adressenauswahl
folgendermaßen: Durch die X-Reihe und die Y-Spalte Zt = I1 + I2 = If!2 cos -^-1
des auszuwählenden Magnetkernes fließt zur Kern- 60
„ ,„„10 -^ ™- c+ ™ * r ω * τ α -u^ fließt. Mit diesen Strömen ist zunächst die Auswahl des
auswahl je em Strom -=■ if/2 cos — t. In dem ausgewählten .. ,. .. , ., ,. _v\ ., , ,, . .
2 ·"·=. 2 ° Magnetkernes und damit die Vorbereitung der Matrix
Magnetkern addieren sich die Wirkungen dieser Ströme, zum Einschreiben oder Auslesen unter der Steuerung des
so daß der wirksame Gesamtstrom bei dem ausgewählten Parametrons P getroffen. Es muß jedoch erwähnt werden,
Magnetkern Im cos £ t ist. Bej den nicht ausgewählten 6s ^f keiner der Ströme J1 bis J4 zunächst, also ohne
" J'2 2 , 5 .- . Steuerung durch das Parametron P, die gespeicherte Magnetkernen dagegen ist der Gesamtstrom entweder Information verändern kann.
O oder \ If12 cos £ t. Der iinschreib- und Lesevorgang . Unte5 der Voraussetzung, daß infolge der Hysterese-
2 "Δ 2 ö ö eigenschaften des fur die Magnetkerne verwendeten
erfolgt dann unter der Steuerung des Parametrons P. 70 Materials der in der Lesewicklung eines Magnetkernes
erzeugte Leseimpuls proportional dem Wechselstromanteil des Quadrates des Stromes ist, der den in dem Magnetkern fließenden Magnetfluß erzeugt, also proportional dem Quadrat der Summe der Auswahlströme ist, und daß weiterhin der Proportionalitätsfaktor K ist, ergeben sich als mögliche Leseimpulse bei den nicht ausgewählten Kernen die im folgenden definierten Spannungen U1 bis U3.
I1 2 = -j I)n (1 - sin ω t) -+■ U1 = -^- I)n (- sin ω t),
+sin coi)
__ K
~ ΊΓ
= 0.
Der Proportionalitätsfaktor K ist dabei abhängig von dem Kopplungsfaktor, der Windungszahl der Lesewicklung und dem Koeffizienten der quadratischen Kennlinie des Magnetmaterials. Es ist ersichtlich, daß die von nicht ausgewählten Kernen gelieferten Leseimpulse gegenüber der Schwingungsphase ± cos co ί des
Parametrons P eine Phasendifferenz von -y haben. Aus
diesem Grunde können diese Leseimpulse keine Information an das Parametron P abgeben bzw. dessen Schwingungsphase nicht beeinflussen. (Die in einem Parametron gespeicherte Information ist von der Schwingungsphase des Parametrons abhängig. Beispielsweise kann der Schwingungsphase + cos co t die binäre Eins, der Schwingungsphase —cos ω t die binäre Null zugeordnet sein.) Dagegen ergibt sich als Leseimpuls, der von dem ausgewählten Magnetkern geliefert wird, die im folgenden definierte Spannung (J4:
(I1 + I2)2 = ~ I)n (1 + cos co t) U1 = § I)n cos ω t.
Dieser Leseimpuls liegt also in Phase bzw. Gegenphase mit der Schwingungsphase des Parametrons P und kann dementsprechend bei genügender Höhe die Schwingungsphase des Parametrons verändern und somit eine Information an das Parametron abgeben.
Da der Proportionalitätsfaktor K mit steigendem Strom ansteigt, zumindest jedenfalls in dem Bereich, in dem die Kerne als Speicherelemente benutzt werden, ergibt sich noch eine unterstützende Wirkung für die Adressenauswahl, denn der durch den ausgewählten Kern fließende größere Strom bewirkt automatisch ein größeres K.
Im folgenden soll der Fall des Einschreibens behandelt werden. Angenommen vom Schaltelement geht ein Strom I0 =± I/cos ω t aus. Dann fließt durch die nicht ausgewählten Kerne einer der drei Ströme
I0 = ± If cos ω t,
Auf der anderen Seite fließt ein Strom
I1 +I2 +I0= If12 cos ~ t ± I/cos ω t
durch den ausgewählten Magnetkern, durch den eine neue Information eingeschrieben werden kann. Zum klaren Verständnis dieser Beziehungen zeigt Fig. 4 die Überlagerung der verschiedenen Wellenformen. Es bedeutet
ίο 1 ein Strom mit der Frequenz fß, der durch den ausgewählten Kern fließt, oder I1 + I2, del· gleich
. ω
... .. ist cos -=- t;
(+ sm cot), 2
2 ein Strom der Frequenz f oder I0 (=0,4 cos ω t), den das Schaltelement P abgibt;
3 die Überlagerung der Wellenform 1 und 2 oder den Einschreibstrom, der durch den ausgewählten Magnetkern fließt und gleich ist I1 + I2 + I3 oder
cos -=- t + 0,4 cos co t;
4 ein Beispiel des Stromes, der durch einen nicht ausgewählten Magnetkern fließt und der gleich I1 + I0 ist oder
—=- cos (-^- t + -j-J + 0,4 cos co t.
Diese Figur zeigt, daß in den nicht ausgewählten Kernen keine Information eingeschrieben noch zerstört wird, da die maximale Amplitude des Schreibstromes 4 durch diesen Kern in positiver und negativer Richtung gleich ist und die maximale Amplitude der Wellenform 1 oder den Lesestrom nicht übersteigt. Andererseits wird in dem ausgewählten Kern eingeschrieben, da der Schreibstrom durch diesen Kern unregelmäßig wird, und die Amplitude von 1 übertroffen. Das Verhältnis von ///a: If = 1: 0,4 kann von diesem Wert um einen gewissen
Betrag abweichen. Auch die Phasendifferenz kann von -5-um einen geringen Betrag abweichen.
τ τ
1I + 1O =
της
COS
T ± I/COS CO t,
cos H=T * — χ) ± J/cos ω t.
Wenn I0 so gewählt wird, daß die Beziehung besteht: Ifl2: If = 1:0,4,
dann wird die Information, die vor dem Einschreibevorgang gespeichert wurde, nicht verändert.

Claims (1)

  1. Patentanspruch:
    Adressenauswahlsystem für Kernauswahl mittels Wechselstromes mit matrizenförmig angeordneten Magnetkernen, durch die je ein Reihendraht und ein Spaltendraht sowie ein weiterer, allen Magnetkernen gemeinsamer Draht hindurchgeführt ist, dadurch
    gekennzeichnet, daß zur Kernauswahl dem Reihen- und Spaltendraht des ausgewählten Magnetkernes je ein Wechselstrom von gleicher Amplitude und Frequenz, jedoch unterschiedlicher Phasenlage, insbesondere einer Phasenverschiebung von -^-, und dem
    allen Magnetkernen gemeinsamen Draht aus einem Parametron ein weiterer Wechselstrom von gegenüber den genannten beiden Wechselströmen niedrigerer Amplitude und doppelter Frequenz zugeführt wird,
    welcher je nach der die beiden binären Zustände kennzeichnenden positiven oder negativen Schwingungsphase des Parametrons eine derartige Phasenlage aufweist, daß entweder eines seiner positiven Maxima oder eines seiner negativen Maxima phasengleich mit
    einem positiven Maximum der Überlagerung der genannten beiden Wechselströme ist.
    Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
DEI14441A 1957-02-22 1958-02-21 Adressenauswahlsystem fuer Magnetkernspeicher Pending DE1099764B (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP407957 1957-02-22

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1099764B true DE1099764B (de) 1961-02-16

Family

ID=17970045

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DEI14441A Pending DE1099764B (de) 1957-02-22 1958-02-21 Adressenauswahlsystem fuer Magnetkernspeicher

Country Status (4)

Country Link
US (1) US3075181A (de)
BE (1) BE583187Q (de)
DE (1) DE1099764B (de)
FR (1) FR1191557A (de)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3492662A (en) * 1962-07-09 1970-01-27 Burroughs Corp R.f. nondestructive interrogation system for a magnetic memory

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE533236A (de) * 1953-11-10
US2948818A (en) * 1954-05-28 1960-08-09 Parametron Inst Resonator circuits
BE540912A (de) * 1954-08-31
NL206646A (de) * 1955-04-28
US2928053A (en) * 1955-07-19 1960-03-08 Kokusai Denshin Denwa Co Ltd Apparatus for the binary digital coding of electric signals
US2928008A (en) * 1957-03-04 1960-03-08 Nippon Telegraph & Telephone Signal lockout device used in telephone exchange system or the like

Also Published As

Publication number Publication date
US3075181A (en) 1963-01-22
BE583187Q (fr) 1960-02-01
FR1191557A (fr) 1959-10-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE968205C (de) Magnetischer Schalter
DE1034891B (de) Elektrischer Impuls-Schaltkreis
DE1025651B (de) Magnetkernspeicher
DE1239731B (de) Magnetisches Speicherelement
DE1233437B (de) Magnetischer Speicher
DE1071387B (de) Wählschaltung für eine Magnetkernmstrix
DE1449806C3 (de) Matrixspeicher
DE1089197B (de) Schalteinrichtung fuer Magnetkernspeicher
DE1254685B (de) Magnetkernschalter fuer Mehrfachkopplung von Signalen unter gleichzeitiger Signalverstaerkung
DE1186509B (de) Magnetspeicher mit einem mit zueinander senkrechten Bohrungen versehenen Magnetkern
DE1099764B (de) Adressenauswahlsystem fuer Magnetkernspeicher
DE1190986B (de) Datenspeicher mit einem Magnetschichtelement axialer Anisotropie
DE1279743B (de) Zerstoerungsfrei ablesbare Speichervorrichtung und Verfahren zu ihrer Ansteuerung
DE1285000B (de) Schaltungsanordnung zum Abfuehlen von magnetischen Speicherelementen
DE1165083B (de) Magnetkernschalter
DE2257842C3 (de) Matrixspeicher mit Störungsausgleich
AT237346B (de) Verfahren und Anordnung zum zerstörungsfreien Lesen von Kernspeichermatrices (Lernmatrix)
DE2063203A1 (de) Dekodierschaltung
DE1075347B (de) Verschiebbare Speichereinrichtung mit einer Mehrzahl von in Kaskade geschalteten Magnetverstärkern
DE1213482B (de) Auf einen hohen oder niedrigen Wert umschaltbarer induktiver Blindwiderstand
DE2328938A1 (de) Register mit magnetbereichsfortpflanzung
DE1474481C3 (de) Nach dem Koinzidenzprinzip arbeitender Speicher
DE1166259B (de) Schaltkernmatrix
DE1073542B (de) Schaltungsanordnung zur wahlw eisen Verteilung von Stromimpulsen auf mehrere Leitungen
DE2129940C2 (de) Festwertspeicher