DE1096502B - Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen mit einkristallinem Grundkoerper - Google Patents

Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen mit einkristallinem Grundkoerper

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DE1096502B DES62124A DES0062124A DE1096502B DE 1096502 B DE1096502 B DE 1096502B DE S62124 A DES62124 A DE S62124A DE S0062124 A DES0062124 A DE S0062124A DE 1096502 B DE1096502 B DE 1096502B
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    • H10P95/50—

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EP0022960A1 (de) * 1979-07-05 1981-01-28 Wacker-Chemitronic Gesellschaft für Elektronik-Grundstoffe mbH Verfahren zur stapelfehlerinduzierenden Oberflächenzerstörung von Halbleiterscheiben

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US5133160A (en) * 1979-07-05 1992-07-28 Wacker-Chemitronic Gesellschaft Fur Elektronik-Grundstoffe M.B.H. Process for the removal of specific crystal structures defects from semiconductor discs

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