DE1093822B - Schaltungsanordnung zur Erzeugung einer periodischen Impulsfolge unter Verwendung eines Kipptransistors - Google Patents
Schaltungsanordnung zur Erzeugung einer periodischen Impulsfolge unter Verwendung eines KipptransistorsInfo
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- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
- H03K3/02—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
- H03K3/35—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar semiconductor devices with more than two PN junctions, or more than three electrodes, or more than one electrode connected to the same conductivity region
- H03K3/352—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar semiconductor devices with more than two PN junctions, or more than three electrodes, or more than one electrode connected to the same conductivity region the devices being thyristors
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Description
DEUTSCHES
Die Erfindung bezieht sich auf eine Schaltungsanordnung zur Erzeugung einer periodischen Impulsfolge
unter Verwendung mindestens eines steuerbaren elektronischen Schalters.
Es ist bereits eine Reihe von derartigen Schaltungsanordnungen bekanntgeworden. Diese bekannten
Schaltungen verwenden als elektronische Schalter hauptsächlich Röhren oder Transistoren. Bei der Verwendung
von Transistoren ergeben sich gegenüber Röhren die aus der Transistortechnik bekannten Vorteile,
insbesondere niedrige Betriebsspannung und Wegfall der Heizleistung. Ein Nachteil der Transistoren
gegenüber den Röhren ist die besonders bei Hochfrequenztransistoren relativ niedrige maximale
Impulsleistung. In vielen Fällen ist aber gerade eine wesentliche höhere Impulsleistung erwünscht. Dies
kann mit Transistorschaltungen nicht erreicht werden.
Aufgabe der Erfindung ist es, eine Schaltungsanordnung zur Erzeugung einer periodischen Impulsfolge
anzugeben, die sowohl die Vorteile der Transistoren, also niedrige Betriebsspannung und Wegfall
der Heizleistung, als auch die Vorteile der Röhren, insbesondere also hohe Impulsleistung, aufweist. Bei
der erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung zur Erzeugung einer periodischen Impulsfolge unter Verwendung
mindestens eines steuerbaren elektronischen Schalters wird dies dadurch erreicht, daß als steuerbarer
elektronischer Schalter mindestens ein Kipptransistor vorgesehen ist, der parallel oder in Serie zu
einem über einen vorzugsweise nicht linearen Widerstand aus einer Gleichspannungsquelle aufzuladenden
ersten Kondensator liegt.
Der Kipptransistor ist ein vor kurzer Zeit bekanntgewordenes neues Halbleiter-Bauelement. Fig. 1 zeigt
einen derartigen Kipptransistor in schematischer Darstellung. An drei der vier Halbleiterzonen sind
Elektroden angebracht. Für diese Elektroden haben sich in Analogie zum Transistor die Bezeichnungen
Kollektor, Basis und Emitter eingebürgert. Das übliche Schaltsymbol eines Kipptransistors ist in Fig. 2
dargestellt. Schaltungsmäßig verhält sich ein Kipptransistor ähnlich wie ein Thyratron, d. h., er kanu
durch Zuführung einer geeigneten Spannung an eine Steuerelektrode (Basis) von einem stabilen Zustand
großen Widerstandes (Sperrzustand) in einen stabilen Zustand kleinen Widerstandes (Leitzustand) geschaltet
werden. Der Übergang von einen in den anderen Zustand erfolgt in einer Zeit von etwa einer Mikrosekun.de.
Im Leitzustand ist die an dem Kipptransistor liegende Spannung bis zu einem maximal zulässigen
Dauerstrom annähernd konstant und liegt in der Größenordnung von etwa 1 bis 2 Volt. Der umgekehrte
Übergang vom Leit- in den Sperrzustand erfolgt bei Unterschreiten eines bestimmten Halte-Schaltungsanordnung
zur Erzeugung
einer periodischen Impulsfolge
unter Verwendung eines Kipptransistors
unter Verwendung eines Kipptransistors
Anmelder:
Siemens & Halske Aktiengesellschaft,
ίο Berlin und München,
ίο Berlin und München,
München 2, Wittelsbacherplatz 2
Dipl.-Ing. Hans-Norbert Toussaint, München,
ist als Erfinder genannt worden
ist als Erfinder genannt worden
stroms. Dieser Übergang ist durch eine an der Basis anliegende Steuerspannung nicht beeinflußbar. Einem
Kipptransistor können sehr hohe Impulsleistungen von 0,5 kW und mehr entnommen werden.
Durch die Verwendung von Kipptransistoren ergel)en sich also sowohl die Vorteile von Röhren als auch
die von Transistoren, ohne daß deren Nachteile in Kauf genommen werden müssen.
Bei einem vorteilhaften Ausführungsbeispiel gemäß der Erfindung mit parallel zu dem ersten Kondensator
liegenden Kipptransistor kann dem ersten Kondensator außerdem ein aus einem zweiten Kondensator
und einem Widerstand gebildeter Spannungsteiler parallel geschaltet sein, dessen Abgriff mit der Basiselektrode
des Kipptransistors über eine Zenerdiode derart verbunden ist, daß bei Erreichen einer bestimmten
Spannung an dem zweiten Kondensator die Zenerspannung der Zenerdiode überschritten und dadurch
ein Stromfluß über die Basis-Emitter-Strecke des Kipptransistors ermöglicht wird, der den Kipptransistor
in den Leitzustand steuert.
Als nichtlinearer Widerstand kann vorteilhaft ein Widerstand verwendet werden, der bei parallel zum
Kipptransistor liegendem erstem Kondensator bei Unterschreiten und bei in Serie zum Kipptransistor
liegendem erstem Kondensator bei Überschreiten einer gewissen Spannung an dem ersten Kondensator von
einem Zustand kleinen Widerstandes in einen Zustand großen Widerstandes übergeht. Ein derartiger nichtlinearer Widerstand kann vorteilhaft aus einem hoch-
ohmigen Widerstand und einem parallel geschalteten ersten Transistor bestehen, der, gegebenenfalls über
einen zweiten und dritten Transistor, bei Unterschreiten bzw. Überschreiten einer bestimmten Spannung
am ersten Kondensator gesperrt wird.
009 650/307
Bei einem weiteren vorteilhaften Ausführungsbeispiel kann parallel zu dem ersten Kondensator eine
Zenerdiode mit Vorwiderstand liegen, deren Zenerspannung bei Erreichen einer bestimmten Spannung
an dem ersten Kondensator überschritten wird und die dann durch den einsetzenden Stromfluß die öffnung
des ersten bzw. des zweiten und dritten Transistors bewirkt.
In vielen Fällen ist es erforderlich oder vorteilhaft, den Kippvorgang zu synchronisieren. Bei einem vorteilhaften
Ausführungsbeispiel der Erfindung kann deshalb der Basis des Kipptransistors eine zur Synchronisation
der Kippfrequenz geeignete Steuerspannung zugeführt werden.
In vielen Fällen ist auch nur eine Fremdsteuerung der Kippfrequenz des Kipptransistors erwünscht. Bei
einem vorteilhaften Ausführungsbeispiel kann zu diesem Zweck der Kipptransistor nur durch jede positive
Halbwelle einer zu einer Basis zugeführten niederfrequenten Steuerspannung eingeschaltet werden.
Um dabei zu verhindern, daß die Basis eine negative Vorspannung gegenüber dem Emitter erhält,
kann die negative Halbwelle der der Basis des Kipptransistors zugeführten Steuerspannung vorteilhaft
durch eine Diode gesperrt werden.
Einzelheiten der Erfindung werden an Hand der Zeichnung erläutert.
Fig. 3 zeigt ein vorteilhaftes Ausführungsbeispiel gemäß der Erfindung. Die Wirkungsweise ist
folgende:
Der Kondensator C1 sei entladen und werde nun
über den hochohmigen Widerstand R2 langsam aufgeladen. Die Transistoren T1 und T2 und der Kipptransistor
KT sind in diesem Zustand gesperrt. Sobald die Spannung am Kondensator C1 einen bestimmten
Wert übersteigt, wird die Zenerdiode DZ2 leitend. Nunmehr fließt ein Basisstrom über den Transistor
T2, den Widerstand R6 und die Zenerdiode, der den Transistor T2 öffnet. An dem Widerstand i?4 tritt
ein Spannungsabfall auf, der einen Basis-Emitter-Strom durch den Transistor Tl über den Widerstand
R5 ermöglicht. Der Transistor Ti wird geöffnet und
der hochohmige Widerstand R2 durch die Emitter-Kollektor-Strecke des Transistors Tl und den niederohmigen
Widerstand R3 überbrückt. Die Aufladung des Kondensators C1 erfolgt nun sehr rasch, da die
Zeitkonstante R3-Cl sehr viel kleiner als die Zeitkonstante
R2-C1 ist. Gleichzeitig wird über den
Widerstand R1 der Kondensator C2 aufgeladen. Ist
die Spannung am Kondensator C2 genügend groß geworden, so wird die Zenerspannung der Zenerdiode
DZl überschritten. Über die Basis-Emitter-Strecke des Kipptransistors KT fließt nunmehr ein exponentiell
anwachsender Basisstrom, der den Kipptransistor schließlich einschaltet.
Über den sehr niederohmigen Belastungswiderstand Rb fließt jetzt ein hoher Strom, der den Kondensator
Cl entlädt. Gleichzeitig wird auch der Kondensator C 2 über die Diode Dl und den Kipptransistor KT
entladen. Wenn der Kondensator C1 genügend weit entladen ist, wird der Haltestrom des Kipptransistors
unterschritten, und der Kipptransistor schaltet wieder aus. Damit beginnt ein neuer Ladevorgang für die
Kondensatoren Cl und C2, der schließlich wieder zur Einschaltung des Kipptransistors führt.
Die in Fig. 3 dargestellte Schaltung kann durch eine Steuerspannung U1 synchronisiert werden, die
l>eispielsweise über einen Übertrager der Basis des Kipptransistors zugeführt wird. In Fig. 4 ist eine derartige
Schaltung dargestellt. Die Diode D2 verhindert dabei eine negative Vorspannung der Basis gegen
den Emitter. Wie experimentell gefunden wurde, kann bei einer negativen Vorspannung der Basis gegen den
Emitter von einigen Volt ein Durchbruch der Kollektor-Basis-Strecke
des Kipptransistors erfolgen, was vermieden werden muß. Im übrigen ist die Wirkungsweise
der Schaltung nach Fig. 4 die gleiche wie die der Schaltung nach Fig. 3.
Fig. 5 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel gemaß der Erfindung. Bei dieser Schaltung wird der
Kipptransistor KT nur dann ein- und selbsttätig wieder ausgeschaltet, wenn an die Basis-Emitter-Strecke
des Kipptransistors eine niederfrequente Steuerspannung U2 angelegt ist. Die Frequenz der Steuerspannung
muß allerdings so niedrig gewählt werden, daß der Kondensator Cl in der Pause zwischen zwei Leitzuständen
wieder voll aufgeladen wird. Die Diode D2 verhindert wieder eine negative Vorspannung der
Basis gegenüber dem Emitter. Im übrigen ist die Wirkungsweise der Schaltung nach Fig. 5 die gleiche
wie die der Schaltung nach Fig. 3 und Fig. 4
Bei den in den Fig. 3 bis 5 angegebenen Schaltungen stört in vielen Fällen die Verwendung von Transistoren
unterschiedlichen Leitungstyps, da Transistoren größerer Leistungen meist nur vom pnp-Typ
erhältlich sind.
Fig. 6 zeigt ein Ausführungsbeispiel gemäß der Erfindung, bei dem die verwendeten Transistoren alle
vom pnp-Typ sind. Die Wirkungsweise ist folgende:
Es sei der Zustand angenommen, in dem der Kondensator C1 auf seine volle Spannung aufgeladen ist
und nun über den hochohmigen Widerstand R2 langsam entladen wird. Wenn die Spannung am Kondensator
Cl auf einen bestimmten Wert abgefallen ist, wird die Zenerdiode DZ 3 leitend. Über die Widerstände
R11 und R2 und diese Zenerdiode kann nunmehr
ein Basisstrom durch den Transistor T2 fließen, der diesen einschaltet. An dem Widerstand R 9 tritt
nun ein großer Spannungsabfall auf, der bewirkt, daß die Zenerspannung der Zenerdiode DZ4 unterschritten
wird. Damit wird der Basisstrom des Transistors T3
unterbrochen und der Transistor T3 ausgeschaltet.
Über den Widerstand R8 wird nunmehr der Transistor
Cl eingeschaltet, der zusammen mit dem niederohmigen, in Serie liegenden Widerstand i?3 den
hochohmigen Widerstand i?2 überbrückt. Der Kondensator Cl wird jetzt also bis auf einen Wert entladen,
bei dem die Basis des Kipptransistors gegen den Emitter so weit positiv vorgespannt ist, daß ein
genügend hoher Basisstrom durch den Kipptransistor KT einschaltet. Der Kondensator C1 wird dadurch
sehr schnell aufgeladen und der gesamte Vorgang wiederholt sich.
Auch die in Fig. 6 gezeigte Schaltung läßt sich durch eine an die Basis des Kipptransistors angelegte
niederfrequente Steuerspannung synchronisieren.
Fig. 7 zeigt den zeitlichen Verlauf der Spannung am Lastwiderstand Rb. Die kurzzeitigen, steilen
Spannungseinbrüche stellen die Öffnungszeiten des Kipptransistors KT dar.
Claims (8)
1. Schaltungsanordnung zur Erzeugung einer periodischen Impulsfolge mit mindestens einem
steuerbaren elektronischen Schalter, dadurch gekennzeichnet, daß als steuerbarer elektronischer
Schalter mindestens ein an sich bekannter Kipptransistor vorgesehen ist, der parallel oder in
Serie zu einem über einen vorzugsweise nicht-
linearen Widerstand aus einer Gleichspannungsquelle aufzuladenden ersten Kondensator (Cl)
liegt und bei Erreichen einer bestimmten Spannung an der Basiselektrode aus einem stabilen
Sperrzustand in einen ebenfalls stabilen Leitzustand und durch Unterschreiten eines gewissen
Haltestroms wieder in den Sperrzustand übergeführt wird.
2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1 mit parallel zu dem ersten Kondensator (Cl) liegendem
Kipptransistor, dadurch gekennzeichnet, daß dem ersten Kondensator (Cl) außerdem ein aus
einem zweiten Kondensator (C 2) und einem Widerstand (R B) gebildeter Spannungsteiler parallel
geschaltet ist, dessen Abgriff mit der Basiselektrode des Kipptransistors (KT) über eine
Zenerdiode (DZ 1) derart verbunden ist, daß bei Erreichen einer bestimmten Spannung an dem
zweiten Kondensator (C 2) die Zenerspannung der Zenerdiode (DZl) überschritten und dadurch ein
Stromfluß über die Basis-Emitter-Strecke des Kipptransistors ermöglicht wird, der den Kipptransistor
einschaltet.
3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß als nichtlinearer
Widerstand ein Widerstand verwendet wird, der bei parallel zum Kipptransistor liegendem erstem
Kondensator bei Unterschreiten und bei in Serie zum Kipptransistor liegendem erstem Kondensator
bei Überschreiten einer gewissen Spannung am ersten Kondensator (Cl) von einem Zustand
kleinen Widerstandes in einen Zustand großen Widerstandes übergeht.
4. Schaltungsanordnung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der nichtlineare Widerstand
aus einem hochohmigen Widerstand (R2) und einem parallel geschalteten ersten Transistor
(Tl) besteht, der gegebenenfalls über einen zweiten und dritten Transistor (T 2 und TZ) bei
Unterschreiten bzw. Überschreiten einer bestimmten Spannung am ersten Kondensator (Cl) gesperrt
wird.
5. Schaltungsanordnung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß parallel zu dem ersten
ίο Kondensator (Cl) eine Zenerdiode (DZ 2) mit
Vorwiderstand (R6, R7) liegt, deren Zenerspannung bei Erreichen einer bestimmten Spannung
am ersten Kondensator (C 1) überschritten wird und die durch den einsetzenden Stromfluß die OfF-nung
des ersten bzw. des zweiten Transistors (T 1 bzw. Γ 2) bewirkt.
6. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Basis des Kipptransistors
eine zur Synchronisation der Kippfrequenz geeignete Steuerspannung (Ul) zugeführt
wird.
7. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Kipptransistor
nur durch jede positive Halbwelle einer seiner Basis zugeführten niederfrequenten Steuerspannung
(U2) eingeschaltet wird.
8. Schaltungsanordnung nach Anspruch 6 und 7, dadurch gekennzeichnet, daß die negative Halbwelle
der der Basis des Kipptransistors zugeführten Steuerspannung durch eine Diode (D2) gesperrt
ist.
In Betracht gezogene Druckschriften:
»Elektronische Rundschau«, 1958, H. 10, S. 352/ 353.
»Elektronische Rundschau«, 1958, H. 10, S. 352/ 353.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DES64395A DE1093822B (de) | 1959-08-12 | 1959-08-12 | Schaltungsanordnung zur Erzeugung einer periodischen Impulsfolge unter Verwendung eines Kipptransistors |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DES64395A DE1093822B (de) | 1959-08-12 | 1959-08-12 | Schaltungsanordnung zur Erzeugung einer periodischen Impulsfolge unter Verwendung eines Kipptransistors |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1093822B true DE1093822B (de) | 1960-12-01 |
Family
ID=7497153
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DES64395A Pending DE1093822B (de) | 1959-08-12 | 1959-08-12 | Schaltungsanordnung zur Erzeugung einer periodischen Impulsfolge unter Verwendung eines Kipptransistors |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE1093822B (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1185652B (de) * | 1963-03-06 | 1965-01-21 | Metrawatt Ag | Impulsgeber |
DE1300586B (de) * | 1967-08-04 | 1969-10-02 | Telefunken Patent | Saegezahngenerator |
-
1959
- 1959-08-12 DE DES64395A patent/DE1093822B/de active Pending
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
None * |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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DE1185652B (de) * | 1963-03-06 | 1965-01-21 | Metrawatt Ag | Impulsgeber |
DE1300586B (de) * | 1967-08-04 | 1969-10-02 | Telefunken Patent | Saegezahngenerator |
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