DE1092513B - Impulsuebertragungskreis - Google Patents

Description

Die Erfindung bezieht sich auf einen Impulsübertragungskreis mit einem Punkt konstanten Potentials und einer zwischen diesem Punkt und einer Ausgangsklemme wirksamen parasitären Kapazität, insbesondere zur Übertragung von amplitudenmodulierten Impulsen.

Manche Impulsübertragungskreise haben eine beträchtliche parasitäre Querkapazität, die im Zusammenhang mit anderen Kreisteilen einen Kreis mit Zeitkonstante bildet, wodurch die zu übertragenden Impulse bedenklich verformt werden. Dies gilt insbesondere für eine Vielfachgruppe, an welche mehrere Eingänge z. B. durch Torschaltungen angeschlossen sind. Die parasitäre Kapazität der Vielfachgruppe entspricht der Summe der parasitären Kapazitäten sämtlicher Eingangskreise oder ist größer als diese Summe.

Jeder an den Übertragungskreis angelegte Spannungssprung in Form eines zu übertragenden Impulses wird entsprechend der Zeitkonstante dieses Kreises »abgerundet«, da er dessen parasitäre Kapazität aufladen bzw. entladen muß. Enthält der Übertragungskreis einen Transistor, z.B. einen Verstärkertransistor, so wird die parasitäre Kapazität um die Kapazität des Transistors, insbesondere um seine Kollektorkapazität, erhöht. Abgesehen davon bewirkt der Verstärkertransistor auch eine Verformung der Impulse, die noch größer als die durch die gesamte parasitäre Kapazität herbeigeführte ist.

Im allgemeinen ist die Grenzfrequenz eines Transistors und insbesondere eines Schichttransistors niedriger als die einer Röhre, so daß Rechteckimpulse bei abnehmender Impulsbreite von einem Transistorverstärker bald stark verformt und insbesondere verlängert werden. Diese Verlängerung wird im wesentlichen durch die Diffusionszeitkonstante des Transistors herbeigeführt, d. h. durch die mittlere A^erzögerung, womit die infolge eines Eingangsimpulses von dem Emitter injizierten Ladungsträger unter dem Einfluß des elektrischen Feldes in der Nähe der Kollektor-Elektrode diese Elektrode erreichen bzw. nach Ablauf des Eingangsimpulses aus der Basiszone abgesaugt werden. Sie ist besonders stark, wenn der vom Ausgangsimpuls herbeigeführte Spannungsabfall über die Belastungs- oder Ausgangsimpedanz des Verstärkers so groß wird, daß die Emitter-Kollektor-Spannung etwa Null wird. Das elektrische Feld zwischen dem Emitter und dem Kollektor ist dann so schwach, daß freie Ladungsträger in der Basiszone des Transistors gespeichert werden (hole storage). Eine bedenkliche Verzerrung der Impulse kann aber auch vor dem Auftreten einer solchen Kollektorstromsättigung erfolgen. Zu Beginn des Eingangsimpulses ist das elektrische Feld in der Impulsübertragungskreis

Anmelder:

N. V. Philips' Gloeilampenfabrieken,
Eindhoven (Niederlande)

Vertreter: Dr. rer. nat. P. Roßbach, Patentanwalt,
Hamburg 1, Mönckebergstr. 7

Beanspruchte Priorität:
Belgien vom 24. Mai 1957

Johannes Theodoras Antonius van Lottum,

Eindhoven (Niederlande),
ist als Erfinder genannt worden

Nähe des Kollektors stark, so daß der Beginn der Vorderflanke des Ausgangsimpulses steil ist. Die Steilheit dieser Flanke nimmt dann allmählich ab, und der Impuls wird abgerundet. Am Ende des Eingangsimpulses ist das elektrische Feld verhältnismäßig schwach, so daß die in der Basiszone vorhandenen Ladungsträger zunächst langsam abgesaugt werden und zum Teil zur Emitterelektrode diffundieren, wobei sie einen umgekehrten Emitterstrom zu erzeugen vermögen. Die Spannung zwischen dem Kollektor und dem Emitter erreicht erst ihren ursprünglichen Wert, nachdem sämtliche freie Ladungsträger von dem Kollektor abgesaugt worden sind, so daß der Kollektorstrom schließlich langsamer abnimmt, als er zu Beginn des Impulses zunimmt. Anders gesagt, die »Aufladung« der Basiszone beginnt mit großer und endigt mit geringer Steilheit, ihre »Entladung« beginnt mit geringer Steilheit unter dem Einfluß eines schwachen elektrischen Feldes und endigt, wie diejenige eines Kondensators, infolge der abnehmenden Konzentration freier Ladungsträger mit geringer Steilheit. Das Ergebnis ist eine Abrundung, Abflachung und namentlich eine beträchtliche und oft sehr bedenkliche Verlängerung des Eingangsimpulses. Diese Aufspeicherungserscheinungen und ihre unerwünschten Auswirkungen sind wohl bekannt.

Eine Verlängerung der übertragenen Impulse ist bei einem Vielfachsystem mit Impulsamplitudenmodulation besonders unerwünscht, weil sie ein Übersprechen eines jeden bestimmten Kanals in den chronologisch darauffolgenden Kanal herbeiführen kann.

009 647/314

Die Erfindung zielt darauf ab, einen verbesserten Impulsübertragungskreis zu schaffen, bei dem die ungünstige Wirkung einer meistens unvermeidlichen parasitären Kapazität und insbesondere die Verlängerung der Eingangsimpulse, unter Ausnutzung der an sich schädlichen, in den Transistoren auftretenden Aufspeicherungserscheinung wenigstens erheblich herabgesetzt wird.

Bei Röhrenverstärkern werden sehr kurze Impulse infolge der unvermeidlichen parasitären Kapazitäten auch verzerrt und verlängert. Man hat deshalb nach Maßnahmen gesucht, um dieser Verzerrung entgegenzuwirken. In Nr. 2 des »Post-Office Electrical Engineering Journal« von 1954 ist auf S. 102 ff. eine Schaltungsanordnung beschrieben worden, bei der eine parasitäre Kapazität in einem Vielfachsystem mit Amplitudenmodulation am Ende eines jeden Kanalzeitintervalls über einen gesteuerten Gleichrichter und eine Impulsquelle plötzlich entladen, also weniger schädlich gemacht wird (s. insbesondere Fig. 10, S. 103). Die Wirkung dieser Maßnahme ist aber durch die Eigenimpedanz der Impulsquelle beschränkt. Weiter kann hierdurch keine Verbesserung der Steilheit der Vorderflanke der übertragenden Impulse erreicht werden.

Die Erfindung bringt eine bessere Maßnahme, mit deren Hilfe ein Eingangsimpuls mit verhältnismäßig großer Steilheit der Vorder- und Rückflanken übertragen und ein verlängerter, übertragener Impuls innerhalb eines bestimmten Kanalzeitintervalls gehalten werden kann. Der Impulsübertragungskreis nach der Erfindung hat das Merkmal, daß die Emitterelektrode eines Transistors an eine Ausgangsklemme veränderlichen Potentials des Übertragungskreises angeschlossen und seine Kollektorelektrode direkt mit einem Punkt konstanten Potentials verbunden ist, daß dieser Transistor von einem solchen Leitfähigkeitstyp ist, daß sein Emitter von den zu übertragenden Impulsen in Vorwärtsrichtung gesteuert wird, und daß seiner Basiselektrode ein seine Emitter-Kollektor-Elektrodenstrecke leitend machender Vorstrom und solche Sperrimpulse zugeführt werden, daß diese Emitter-Kollektor-Elektrodenstrecke zu Beginn eines jeden zu übertragenden Impulses gesperrt und vor Ablauf eines jeden der an der Ausgangsklemme erzeugten Impulse wieder leitend wird, so daß die durch die parasitäre Kapazität herbeigeführte Verzerrung der Vorderflanke der zu übertragenden Impulse durch in der Basiszone des Transistors gespeicherte und zu dessen Emitter zurückdiffundierende freie Ladungsträger wenigstens teilweise ausgeglichen und die durch die parasitäre Kapazität herbeigeführte Verlängerung der zu übertragenden Impulse beschränkt wird.

Als Steuersignale für den Transistor können z. B. Uhrimpulse benutzt werden. Bei einem Vielfachsystem werden dann diese Uhrimpulse z. B. den aufeinanderfolgenden Zeitintervallen der verschiedenen Kanäle chronologisch entsprechen. Weiter kann mitunter auch ein Steuersignal aus den zu übertragenden Impulsen abgeleitet werden, so daß diese Impulse den wirksamen Wert der an der Ausgangsklemme wirksamen Impedanz steuern. Durch Steuerung dieses Transistors ist weiter ein teilweiser Ausgleich der Wirkung der Diffusionszeitkonstante eines im Übertragungskreis gegebenenfalls liegenden Verstärkertransistors durch die der Diffusionszeitkonstante des erstgenannten Transistors erreichbar.

Die Erfindung wird an Hand einer Zeichnung näher erläutert, bei der

Fig. 1 das Schaltbild eines ersten Ausführungsbeispiels des Impulsübertragungskreises nach der Erfindung und

Fig. 2 ein Schaltbild eines zweiten Ausführungsbeispiels dargestellt;

Fig. 3 ist ein Diagramm zur Erläuterung der Wirkungsweise des Ausführungsbeispiels nach Fig. 2, und Fig. 4 und 5 zeigen die Schaltbilder von zwei Varianten des Ausführungsbeispiels nach Fig. 2.

ίο Das in Fig. 1 dargestellte erste Ausführungsbeispiel besitzt eine Vielfachgruppe 1, die aus einer Doppelleitung besteht, deren einer Leiter an einem Punkt konstanten Potentials angeschlossen ist (Erde). Diese Leitung hat eine charakteristische Impedanz, die durch einen an ihre Ausgangsklemmen angeschlossenen Widerstand 2 gestrichelt dargestellt ist. Eine Reihe von Eingangskreisen ist zwischen den Leitern der Leitung eingeschaltet. Jeder dieser Eingangskreise ist durch einen Reihengleichrichter 31 bis 34 und eine Quelle 41 bis 44 von Signalimpulsen dargestellt. Durch jeden dieser Eingangskreise, die sehr zahlreich sein können, z. B. vierzig bis fünfzig, werden während ihm zugeordneter Kanalzeitintervalle modulierte Impulse an die Leitung 1 gelegt. Die Leitung 1 hat eine gewisse Eigenkapazität, die noch um die Summe der Eigenkapazitäten sämtlicher Eingangskreise 31 usw. erhöht wird. Die Summe dieser Kapazitäten bildet eine durch einen Kondensator 5 dargestellte parasitäre Kapazität. Diese parasitäre Kapazitat bewirkt eine Verzerrung der zu übertragenden Impulse der Eingangskreise 31 usw. Die Vorderflanke eines jeden Impulses wird abgerundet, weil der Impuls die Kapazität laden muß; die Rückflanke eines jeden Impulses wird ebenfalls abgerundet, weil die Kapazität sich über die charakteristische Impedanz 2 entladen muß. Die Steilheit der Vorderflanke eines jeden Impulses ist zunächst verhältnismäßig groß und nimmt schließlich allmählich in dem Maße ab, wie die Ladung der Kapazität 5 an den Scheitelwert des Eingangsimpulses heranrückt. Die Rückflanke hat anfänglich eine große Steilheit, die allmählich in dem Maße abnimmt, wie sich die Entladung der Kapazität 5 vollzieht. Der gekrümmte Teil der Rückflanke eines jeden Impulses bildet eine eigentliche Verlängerung dieses Impulses und kann sich unter Umständen bis in das chronologisch nachfolgende Kanalzeitintervall erstrecken. Wenn die Eingangsimpulse amplitudenmoduliert sind, kann hierdurch deshalb ein Übersprechen zwischen aufeinanderfolgenden Kanälen verursacht werden, was natürlich sehr bedenklich ist. Nach der Erfindung liegt der Emitter-Kollektor-Kreis eines Transistors 6 zwischen den zwei Leitern der Leitung 1, wobei seine Kollektorelektrode unmittelbar mit einem Punkt konstanten Potentials und seine Emitterelektrode unmittelbar mit dem nicht geerdeten Leiter der Leitung 1 verbunden sind; seine Basiselektrode ist in Vorwärtsrichtung über einen an die Kollektorelektrode angeschlossenen Widerstand 7 und durch eine im Kollektorkreis liegende Batterie 8 polarisiert.

Der Basiselektrode des Transistors 6 werden Steuerimpulse über einen Kondensator 9 geführt. Diese Steuerimpulse entsprechen den chronologisch aufeinanderfolgenden Kanalzeitintervallen des Übertragungssystems; es sind starke positive Impulse, die den pnp-Transistor 6 während eines jeden der Kanalzeitintervalle sperren. Zwischen den Steuerimpulsen ist der Emitter-Kollektor-Kreis des Transistors 6 leitend, so daß er die Vielfachgruppe 1 praktisch kurzschließt.

Jeder Steuerimpuls beginnt etwas vor dem Anfang

oder während des Beginns eines Signalimpulses. trode des Transistors 10 und teilweise zu seiner Zwischen den Steuerimpulsen werden somit freie Emitterelektrode zurück. Die zur Kollektorelektrode Ladungsträger vom Emitter des Transistors 6 in seine weiterdiffundierenden Ladungsträger verursachen eine Basiszone injiziert, und eine gewisse Anzahl dieser weitere Verzeriung der Rückflanke der übertragenen Ladungsträger wird infolge der Diffusionszeit- 5 Impulse, die mithin einen bedenklichen, verhältniskonstante des Transistors 6 in seiner Basiszone ge- mäßig langen Schwanz erhalten. Dieser Schwanz wird speichert. Wird ein Steuerimpuls an die Basiselek- aber am Ende des an die Basiselektrode des Trantrode des Transistors 6 gelegt, wodurch der Emitter- sistors 6 angelegten Steuerimpulses scharf äbge-Kollektor-Kreis dieses Transistors plötzlich gesperrt schnitten, und die größere Verzerrung der Vorderwird, so diffundiert ein Teil der gespeicherten freien io flanke der zu übertragenden Impulse infolge der Ladungsträger zum Emitter zurück. Diese Ladungs- Diffusionszeitkonstante des Transistors 10 wird durch träger laden nun auch die parasitäre Kapazität 5 auf die zum Emitter des Transistors 6 zurückdiffun- und wirken somit der Abrundung der Vorderflanke dierenden freien Ladungsträger wenigstens teilweise des während des entsprechenden Kanalzeitintervalls ausgeglichen, sofern dieser Diffusionsvorgang wähzu übertragenden Signalimpulses entgegen, sofern 15 rend des Beginns des zu übertragenden Impulses noch dieser Impuls die gleiche Polarität aufweist wie der nicht völlig beendigt ist. Diese Wirkungsweise ist im Steuerimpuls. Anders gesagt, es soll der Transistor 6 Diagramm nach Fig. 3 veranschaulicht.
von einem solchen Leitfähigkeitstyp sein, daß sein Die obere Zeile von Fig. 3 zeigt einen an die Basis-

Emitter von den zu übertragenden Impulsen in Vor- elektrode des Transistors 6 gelegten Steuerimpuls wärtsrichtung betrieben wird. 20 V_be. Darunter ist ein Eingangsimpuls I_{e 10} angelegt

Am Ende eines jeden Steuerimpulses wird der zwischen der Emitter- und der Basiselektrode des Emitter-Kollektor-Kreis des Transistors 6 plötzlich Transistors 10 dargestellt. Die dritte Zeile von Fig. 3 wieder leitend. Dabei ist die Zunahme seiner wirk- zeigt den Verlauf des Kollektorstroms I_{c 10} des Transamen Kollektorkapazität über den größten Teil der sistors 10 als Funktion der Zeit, und in der vierten Änderung seiner wirksamen Emitter-Kollektor-Span- 25 Zeile von Fig. 3 ist der Verlauf des Kollektor Stroms nung verhältnismäßig klein, so daß das Leitend- I_c% des Transistors 6 dargestellt. In der fünften Zeile werden dieses Transistors mit größerer Geschwindig- ist der Emitterstrom I_e& des Transistors 6 infolge der keit als seine Sperrung erfolgt. Die parasitäre Kapazi- zu seiner Emitterelektrode zurückdiffundierenden tat 5 wird also über den Emitter-Kollektor-Kreis des freien Ladungsträger abgebildet. Die sechste Zeile von Transistors 6 plötzlich entladen, insoweit sie noch 30 Fig. 3 zeigt den an den Ausgangsklemmen der Leinicht völlig entladen worden war, so daß der Schwanz tung 1 erzeugten Spannungsimpuls V_n. Mit ausgeeines jeden übertragenen Signalimpulses abgeschnitten zogenen Linien sind die \^erhältnisse bei Sättigung wird und sich nicht bis in das chronologisch darauf- des Transistors 10 angedeutet; die Verhältnisse bei folgende Kanalzeitintervall erstrecken kann. gewöhnlicher Klasse-B-Verstärkung durch den Tran-

Bei dem in Fig. 2 dargestellten zweiten Ausfüh- 35 sistor 10 sind strichliniert angedeutet, wobei zwei rungsbeispiel besitzt der Übertragungskreis einen verschiedene Werte der Amplitude des Signalimpulses, Verstärkertransistor 10 in geerdeter Basisschaltung. entsprechend zwei verschiedenen Amplitudenmodu-Die Basis dieses Transistors ist über eine Kollektor- lationsgraden, gewählt worden sind.
Spannungsquelle 11 mit dem geerdeten Leiter der Lei- Bei der Abwandlung nach Fig. 4 ist der Transistor

tung 1 verbunden. Seine Kollektorelektrode ist mit 40 10 mit geerdetem Emitter geschaltet. Hierdurch ist dem nicht geerdeten Leiter der Leitung 1 und mit der er empfindlicher, und seine wirksame Diffusionszeit-Emitterelektrode des Transistors 6 verbunden; ein konstante wird etwa im Verhältnis zwischen seiner Kollektorbelastungswiderstand 12 liegt zwischen den a-Grenzfrequenz und seiner a'-Grenzfrequenz gestei-Leitern der Leitung 1. Die Signalimpulsquellen 41 bis gert. Der größeren Verzerrung infolge seiner Diffu-44 von Fig. 1 sind durch einen Transformator 14 er- 45 sionszeitkonstante und/oder der größeren Verlängesetzt, dessen Sekundärwicklung unmittelbar zwischen rung der Impulse infolge der Entladung der geder Emitter- und der Basiselektrode des Transistors speicherten freien Ladungsträger durch seinen 10 liegt. Kollektorkreis soll aber um so mehr entgegengewirkt

Der Transistor 1 hat eine gewisse Kollektorkapazi- werden.

tat, die zusammen mit anderen parasitären Kapazi- 50 Die Verzerrung der Vorderflanke eines jeden der täten, z. B. mit der Eigenkapazität der Leitung 1, eine zu übertragenden Impulse läßt sich besser ausgleichen, parasitäre Kapazität bildet. Diese Kapazität bewirkt wenn die Vorderflanken der an die Basiselektrode des eine Verzerrung der Signalimpulse, wie an Hand des Transistors 6 angelegten Steuerimpulse mit den Vor-Ausführungsbeispiels von Fig. 1 beschrieben. Außer- derflanken der an die Basis des Transistors 10 angedem hat der Transistor 10 eine bestimmte Diffusions- 55 legten Signalimpulse chronologisch zusammenfallen, zeitkonstante, die mit seiner Grenzfrequenz in engem Dies ist dadurch erreichbar, daß die Steuerimpulse Zusammenhang steht. Infolge dieser Zeitkonstante ist von den Signalimpulsen abgeleitet werden,
die Verformung der Signalimpulse noch größer. Sind Bei der Abwandlung nach Fig. 5 besitzt der Ein-

diese Impulse nicht amplitudenmoduliert, so wird gangstransformator 24 eine zweite Sekundärwicklung man des öfteren den Verstärkertransistor 10 bis in 60 25, die in Reihe mit dem Eingangskondensator 9 den Sättigungsbereich betreiben, unter anderem um zwischen der Basiselektrode des Transistors 6 und eine Amplitudenbegrenzung zu bewirken. Dabei wird seiner Emitterelektrode liegt. Ein weiterer Unterdann eine große Anzahl freier Ladungsträger in schied in bezug auf die Schaltungen nach den Fig. 2 seiner Basiszone gespeichert. Auch bei einer weniger und 4 besteht darin, daß lediglich die Basiselektrode starken Aussteuerung des Transistors 10 kann noch 65 des Transistors 6 über den Widerstand 7 durch die eine beträchtliche Anzahl freier Ladungsträger wäh- Spannungsquelle8 in Vorwärtsrichtung polarisiert ist. rend eines jeden der zu übertragenden Impulse in Die beiden letzten Zeilen von Fig. 3 veranschau-

seiner Basiszone gespeichert werden. Am Ende eines liehen die Wirkungsweise der Abwandlung nach jeden der zu übertragenden Impulse diffundieren diese Fig. 5. Der Steuerimpuls F^₆ fällt chronologisch mit Ladungsträger weiter, teilweise zur Kollektorelek- 70 einem zu übertragenden Impuls l_ei0 zusammen, wie

in der siebten Zeile von Fig. 3 veranschaulicht; die unterste Zeile von Fig. 3 zeigt den Spannungsimpuls V_n an den Ausgangsklemmen des Impulsübertragungskreises nach Fig. 5. Der Ausgleich der Abrundung der Vorderflanke des Signalimpulses ist besser als bei den Schaltungen nach den Fig. 2 und 4, da die Wirkung der zum Emitter des Transistors 6 zurückdiffundierenden freien Ladungsträger besser ist: dieser Diffussionsstrom fällt chronologisch mit der von der Diffusionszeitkonstante des Transistors 10 herbeigeführten Verzerrung der Vorderflanke des zu übertragenden Impulses zusammen. Eine Verlängerung der zu übertragenden Impulse ist ausgeschlossen, weil das Wiederleitendwerden des Transistors 6 mit der Rückflanke der zu übertragenden Impulse chronologisch zusammenfällt.

Bei den Schaltungen nach der Fig. 1, 2 und 4 arbeitet der Transistor 6 mit geerdetem Kollektor, so daß die Steuerimpulse eine Amplitude haben sollen, die um mehr als die an die Basiselektrode des Transistors 6 angelegte Vorwärtspolarisationsspannung größer ist als die Amplitude der übertragenen Impulse an den Ausgangsklemmen der Leitung 1.

Bei der Schaltung nach Fig. 5 werden die von den Signalimpulsen abgeleiteten Steuerimpulse unmittelbar zwischen der Basis- und der Emitterelektrode des Transistors 6 angelegt. Die zweite Sekundärwicklung 25 des Transformators 24 ist also auf schwebendem Potential, was bei verhältnismäßig hohen Frequenzen Schwierigkeiten bereiten kann. Dadurch wird jedoch erreicht, daß Steuerimpulse mit einer Amplitude größer als die an die Basiselektrode des Transistors 6 angelegte Vorwärtsspannung hinreichend sind, um diesen Transistor zu sperren.

Selbstverständlich sind Abwandlungen von jeder der dargestellten Schaltungsanordnungen möglich. Insbesondere können die Steuerimpulse auf jegliche geeignete Weise von den zu übertragenden Impulsen abgeleitet oder die Vorderflanken dieser Steuerimpulse mit den Vorderflanken der zu übertragenden Impulse synchronisiert werden. Weiter können die Steuerimpulse auch gewöhnlich sogenannte Uhrimpulse sein, die z. B. bei einer Vielfach-Fernsprechanlage oder bei einer Rechenmaschine von einer zentralen Impulsquelle geliefert werden.

Claims (4)

Patentansprüche:

1. Impulsübertragungskreis mit einem Punkt konstanten Potentials und einer zwischen diesem Punkt und einer Ausgangsklemme wirksamen parasitären Kapazität, dadurdb gekennzeichnet, daß die Emitterelektrode eines Transistors an die erwähnte Ausgangsklemme und seine Kollektorelektrode direkt an einen Punkt konstanten Potentials angeschlossen ist, daß dieser Transistor von einem solchen Leitfähigkeitstyp ist, daß sein Emitter von den zu übertragenden Impulsen in Vorwärtsrichtung gesteuert wird, und daß seiner Basiselektrode ein seine Emitter-Kollektor-Elektrodenstrecke leitendmachender Vorstrom und solche Sperrimpulse zugeführt werden, daß diese Emitter-Kollektor-Elektrodenstrecke zu Beginn eines jeden der zu übertragenden Impulse gesperrt ist und vor Ablauf eines jeden der an der Ausgangsklemme erzeugten Impulse wieder leitend wird, so daß die durch die parasitäre Kapazität herbeigeführte Verzerrung der Vorderflanke der zu übertragenden Impulse durch in der Basiszone des Transistors gespeicherte und zu seinem Emitter zurückdiffundierende freie Ladungsträger wenigstens teilweise ausgeglichen und die durch die parasitäre Kapazität herbeigeführte Verlängerung der zu übertragenden Impulse beschränkt wird.

2. Übertragungskreis nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Steuerimpulse von den zu übertragenden Impulsen abgeleitet werden, so daß ihre Vorderflanken mit denen der zu übertragenden Impulse chronologisch zusammenfallen.

3. Übertragungskreis nach Anspruch 1 oder 2, bei dem die parasitäre Kapazität wenigstens teilweise durch die Eigenkapazität eines zweiten, im Übertragungskreis liegenden Verstärkertransistors gebildet ist, dadurch gekennzeichnet, daß die Kollektorelektrode dieses zweiten Transistors direkt mit der Emitterelektrode des ersten Transistors verbunden ist und daß der erste Transistor von gleichem Leitfähigkeitstyp wie der zweite und derart gewählt ist, daß die bezüglichen wirksamen Diffusionszeitkonstanten der beiden Transistoren von der gleichen Größenordnung sind, so daß die Verzerrung der Vorderflanke der Impulse infolge der Diffusionszeitkonstante des zweiten Transistors durch den ersten Transistor auch wenigstens teilweise ausgeglichen wird.

4. Übertragungskreis nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der zweite Transistor mit geerdeter Basis geschaltet und die a-Grenzfrequenz des ersten Transistors von der gleichen Größenordnung wie die des zweiten Transistors ist.

In Betracht gezogene Druckschriften:
Proc. IRE, Dezember 1954, S. 1761 ff.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

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