DE2431580C2 - Speicherschaltung - Google Patents

Description

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dem Eingangsanschluß 1 und dem Verbindungspunkt einer Eingangsspannung und der Spannung am ersten des ersten Schaltelements SWi mit dem zweiten Kon- Kondensator Q besteht, das Auftreten eines Pop-Gedensator C₂ über den Widerstand R_u während der Aus- Tausches am Ausgang vermieden wird, wenn sich das gangsanschluß 2 von der Ausgangselektrode (Drain erste und das zweite Schaltelement SWj bzw. SW₂ beide oder Source) des MOS-Feldeffekttransistors Q wegge- 5 im Durchlaßzustand befindea Wenn die Kapazität des führt ist Bei der Speicherschaltang sind das erste und zweiten Kondensators C₂ erhöht wird, wird das Entstedas zweite Schaltelement SWl und SW₂ wie bekannt so hen des Pop-Geräusches ebenso viel verringert. Die mit gekoppelt, daß sie sich gemeinsam im Durchlaß- bzw. im der Zunahme der Kapazität des zweiten Kondensators Sperrzustand befinden. C₂ verbundene Verminderung dessen Leckwiderstandes

Es wird ein Kondensator mit hohem Leckwiderstand io hat aber keinen Einfluß auf die Speicherungszeitperiode und geringer Kapazität (dessen Entladungszeit bei- des ersten Kondensators Ci.

spielsweise mehrere Tage beträgt) als erster (Speicher-) Wenn der zweite Kondensator C₂ eine große Kapazi-

Kondensator Ci verwendet, sowie ein Kondensator mit tat hat, wird ein äußeres Störsignal durch den zweiten großer Kapazität (dessen Entladungszeit beispielsweise Kondensator C₂ so weitgehend vermieden, daß der Einmehrere Stunden beträgt) als zweiter Kondensator C₂ 15 fluß des Störsignals auf den Pegel des Ausgangssignals verwendet herabgesetzt wird.

Nachfolgend wird die Arbeitsweise der erfindungsge- Wenn der Inhalt der Speicherschaltung bald geändert

mäßen Speicherschaltung beschrieben. Wenn das erste wird, so daß die Differenz zwischen den Spannungen und das zweite Schaltelement SWi und SW₂ gleichzeitig des ersten und des zweiten Kondensators noch gering in den Durchlaßzustand gebracht werden, werden der 20 ist, wird die Gefahr, daß das Popgeräu^'i in dem Auserste und der zweite Kondensator Ci und C₂ durch den gang auftritt, weiter herabgesetzt Durchlaßzustand des Schaltelements SWi zueinander Obwohl in der vorangehenden Beschreibung als parallelgeschaltet Die Kondensatoren Q und Ci wer- MOS-Feldeffekttransistor beispielsweise ein Feldefden entsprechend einer Eingangsspannung aufgeladen fekttransistor mit isolierter Torelektrode verwendet bzw. entladen, die zwischen den Eingangsanschluß 1 und 25 wird, besteht keine Notwendigkeit, den Feldeffekttrandie Erde gelegt wird, und die Spannungen an den Kon- sistor mit isoliertem Tor auf den MOS-Feldeffekttransidensatoren Ci und C₂ werden auf bestimmte Werte ge- stör zu beschränken, sondern es können andere Arten bracht Nachdem die Schaltelemente SWi und SW₂ von Feldeffekttransistoren mit isoliertem Tor mit den gleichzeitig in den Sperrzustand gebracht worden sind, gleichen Wirkungen verwendet werden, werden die Spannungen an den Kondensatoren Ci und 30 Die Erfindung ist nicht auf die dargestellte und be-C₂ auf ihren Werten gehalten. Eine gespeicherte Aus- schriebene Ausführungsform beschränkt sondern kann gangsspannung wird zwischen dem Ausgangsanschluß 2 innerhalb des Rahmens der Patentansprüche verschie- und der Erde aufgrund der Spannung am ersten Kon- dene Abänderungen erfahren.

densator Ci geliefert In diesem Falle nimmt die jeweili- ;

ge Spannung am Kondensator Ci bzw. C₂ während der 35 Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Zeit, während welcher die Schaltelemente SWi und SW₂

beide im Sperrzustand sind, allmählich entsprechend der

Entladezeitkonstante des jeweiligen Kondensators Ci

und C₂ ab (jedoch hat der erste Kondensator Ci eine

Beziehung zur Eingangsimpedanz des MOS-Feldeffelct- 40

transistors Q).

Bei der vorangehend beschriebenen erfindungsgemäßen Speicherschaltung befindet sich der erste Kondensator Ci in Parallelschaltung zwischen der Torelektrode
und der gemeinsamen Elektrode des MOS-Feldeffekt- 45
transistors Q, dessen Torelektrode über das erste
Schaltelement SWi mit der einen Elektrode des zweiten
Kondensators C₂ verbunden ist, dessen andere Elektrode mit der gemeinsamen Elektrode des MOS-Feldeffekttransistors Q verbunden ist Das zweite Schaltele- 50
ment SW₂ befindet sich in Reihenschaltung zwischen
dem Verbindungspunkt des ersten Schaltelements SWi
und dem zweiten Kondensator C₂ und dem Eingangsanschluß 1, während der Ausgangsanschluß 2 von der Ausgangselektrode des MOS-Feldeffekttransistors Q aus- 55
geht. Ferner sind das erste und das zweite Schaltelement SWi und SW₂ miteinander zur gemeinsamen
Steuerung des Durchlaß- bzw. Sperrzustands gekoppelt Die Speicherzeitperiode kann daher durch die Verwendung eines Kondensators verlängert werden, des- 60
sen Leckwiderstand groß ist (und dessen Kapazität daher klein ist), wie der erste Kondensator Ci. Wenn sich
dagegen das erste und das zweite Schaltelement SW\
und SW₂ beide im Durchlaßzustand befinden, befindet
sich der zweite Kondensator C₂ in Parallelschaltung 65
zum ersten Kondensator Q,so daß die große Kapazität
der Summe aus Ci und C₂ wirkt Dies hat zur Folge, daß
selbst wenn ein großer Spannungsunterschied zwischen

Claims (2)

1 2 ment 5VV im Sperrzustand befindet, wird die im Kon-Patentansprüche: densator C gespeicherte Ladung infolge des hohen Leckwiderstandes kaum entladen. Ein Ausgangssignal

1. Speicherschaltung mit einem Isolierschicht- entsprechend der Spannung am Kondensator C erFeldeffekttransistor fQ) ■ 5 scheint am Ausgangsanschluß 2.

Aus der obengenannten US-PS 37 29 723 geht gemäß

a) dessen Gate einerseits Ober zwei in Serienschal- der in dieser Druckschrift enthaltenen Figur 3 eine Weitung angeordneten und gemeinsam zu schalten- terentwicklung hervor, bei der das Schaltelement SW den Ein/Aus-Schaltern (SW\, SWi) mit einem der Fig. 1 als zwei in Reihe geschaltete Ein/Aus-Schaleine zu speichernde Eingangsspannung liefern- io ter (Feldeffekttransistoren) ausgeführt ist, wobei die den Eingangsanschluß (1) und andererseits mit Toranschlüsse dieser beiden Feldeffekttransistoren under einen Elektrode eines die Eingangsspan- tereinander verbunden sind. Diese Weiterentwicklung nung speichernden ersten, einen hohen Leckwi- dient dazu, ein von außen auf den Eingang 1 der Speiderstand aufweisenden Kondensator (Ci) ver- cherschaltung gelangendes, die gespeicherte Informabundenist, is tion zerstörendes Störsignal abzublocken.

b) dessen eine Hauptelektrode als Ausgangselek- Speicherkondensatoren für eine lange Speicherzeit trode (2) eine der gespeicherten Spannung pro- weisen einen hohen Leckwiderstand auf. Jedoch hat ein portionale Ausgangsspannung abgibt, und solcher Kondensator eine entsprechend geringe Kapa-

c) dessen andere Hauptelektrode als gemeinsame zität Wenn jedoch der verwendete Speicherkondensa-Elektrd?gmit der anderen Elektrode des ersten 20 tor eine kleine Kapazität hat, kann am Ausgangsan-Kondensators (Ci) verbunden ist und auf Be- Schluß der Speicherschaltung ein sogenanntes Popzugsspannung liegt, bzw. Popcorn-Geräusch auftreten, nämlich wenn die

Differenz zwischen der augenblicklich vorliegenden

dadurch gekennzeichnet, elektrischen Spannung am Speicherkondensator (<±h.

25 die Spannung, auf die der Speicherkondensator augen-

— daß ein zweiter Kondensator (C2) vorgesehen blicklich aufgeladen ist) und der am Eingang zugeführist, dessen eine Elektrode an die gemeinsame ten neuen Ladespannung groß ist Das Pop-Geräusch ist Elektrode und dessen andere Elektrode an die in einem Zusammenhang mit der Verwendung von zwischen den beiden Ein/Aus-Schaltern (SW,, Kondensatoren eine bekannte Erscheinung, nämlich SW2) liegende Leitung angeschlossen ist, und 30 daß als Störsignal auftretende Unregelmäßigkeiten im

— daß die kapazität des ersten Kondensators elektrischen Ladeverlauf des Kondensators auftreten. (Ci) kleiner ist als diejenige des zweiten Kon- Wie festgestellt wurde, machen sich solche Störungen in densators (C 2). Speicherschaltungen besonders bei relativ kleinen Ka-

— so daß die bei Pegelumsch Itungen der Ein- pazitätswerten des Speicherkondensators bemerkbar,
gangsspannung an der Ausgangselektrode (2) 35 Demzufolge liegt der vorliegenden Erfindung die auftretenden Störsignaie vermieden werden. Aufgabe zugrunde, eine Speicherschaltung der gattungsgemäßen Art zu schaffen, die lange Speicherzeit

2. Speicherschaltung nach Anspruch 1, dadurch besitzt und weitgehend von den durch hohe Pegeländegekennzeichnet, daß der Isolierschicht-Feldeffekt- rungen der dem Speicherkondensator zugeführten Eintransistor ein Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekt- 40 gangsspannung erzeugten Pop-Geräuschen auf der transistor ist. Ausgangselektrode befreit ist

Diese Aufgabe wird mit den kennzeichnenden Merk-

malen des Patentanspruches 1 gelöst

Weitere Erläuterungen zur Erfindung ergeben sich 45 aus der nachfolgenden näheren Beschreibung in Verbin-

Die Erfindung betrifft eine Speicherschaltung der im dung mit der Zeichnung, und zwar zeigt

Oberbegriff des Anspruchs 1 angegebenen Gattung. Fig. 1 ein Schaltbild einer bekannten Speicherschal-

In Verbindung mit F i g. 1 der vorliegenden Beschrei- tung, wobei in dieser Speicherschaltung das Schaltelebung wird die gattungsgemäß aus der US-PS 37 29 723 sient 5VK eine Reihenschaltung von zwei gemeinsam bekannte Speicherschaltung nachfolgend beschrieben. 50 gesteuerten Transistoren sein kann und
In F i g. 1 bezeichnet Q einen Metall-Oxid-Halbleiter- F i g. 2 ein Schaltbild einer Speicherschaltung gemäß Feldeffekttransistor (nachfolgend kurz MOS-Feldef- einer Ausführungsform der Erfindung,
fekttransistor bezeichnet). Ein Kondensator C ist zwi- Eine Ausführungsform der erfindungsgemäßen Speischen die Torelektrode und die (auf Masse liegende) cherschaltung wird nachfolgend in Verbindung mit gemeinsame Elektrode (Source oder Drain) des MOS- 55 F i g. 2 näher beschrieben, in der Bezugsziffern und -zei-Feldeffekttransistors Q geschaltet Eine Reihenschal- chen den in F i g. 1 verwendeten entsprechen,
tung aus einem Widerstand (Pufferwiderstand) R\ und Bei der in F i g. 2 dargestellten Speicherschaltung beeinem Schaltelement 5VK befindet sich zwischen einem findet sich ein erster Kondensator Ci in Parallelschal-Eingangsanschluß 1 und der Torelektrode des MOS- tung zwischen der Torelektrode und der gemeinsamen Feldeffekttransistors Q. Die Ausgangselektrode (Drain so Elektrode (Source oder Drain) eines Feldeffekttransi* oder Source) des MOS-Feldeffekttransistors Q, von der stors Q mit isolierter Torelektrode (nachfolgend kurz ein Ausgangsanschluß 2 ausgeht, ist mit der Spannungs- MOS-Feldeffekttransistor bezeichnet). Die Torelektroquelle dübereinen Lastwiderstand A₂ verbunden. de des MOS-Feldeffekttransistors Q ist über ein erstes

Bei der bekannten Speicherschaltung wird, wenn das Schaltelement 5VKi mit der einen Elektrode eines zwei-Schaltelement SW sich im Durchlaßzustand befindet 65 ten Kondensators C₂ verbunden, dessen andere Elektroder Kondensator C über den Widerstand R\ aufgeladen de mit der gemeinsamen Elektrode des MOS-Feldef- bzw. entladen. Eine bestimmte Ladungsmenge wird im fekttransistors Q verbunden ist Ein zweites Schaltele-Kondensator C gespeichert. Wenn sich das Schaltete- ment 5VK₂ befindet sich in Reihenschaltung zwischen