DE1086823B

DE1086823B - Verfahren zur Herstellung einer photoelektrischen Oberflaeche

Info

Publication number: DE1086823B
Application number: DEE16050A
Authority: DE
Inventors: Harry Cassman
Original assignee: EMI Ltd
Current assignee: EMI Ltd
Priority date: 1957-06-26
Filing date: 1958-06-25
Publication date: 1960-08-11
Also published as: GB892504A; US3023131A

Description

DEUTSCHES

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung einer photoelektrischen Oberfläche und ist insbesondere, wenn auch nicht ausschließlich, für eine photoelektrische Mosaikoberfläche geeignet, wie sie in Aufnahmeröhren für das Fernsehen verwendet wird.

Es ist bereits vorgeschlagen worden, eine photoelektrische Oberfläche aus Antimon zu verwenden, das mit mehreren alkalischen Metallen sensibilisiert ist. Gewöhnlich wird das Antimon auf einen Träger in einem entgasten Rohr angeordnet, in dem die alkalischen Metalle verdampft werden, so daß sie sich auf dem Antimon niederschlagen. Dabei wird die Verdampfung eines jeden einzelnen Metalls bis zu einem Höchstwert der photoelektrischen Empfindlichkeit der Zelle fortgesetzt. Um das Maximum der Empfindlichkeit nachzuweisen, muß dabei jedesmal ein kleiner Metallüberschuß eingeführt werden. Wenn die Verdampfung dieses Metalls dazu noch von einer von dem Antimon etwas entfernten Stelle aus vorgenommen wird, wird noch ein weiterer Metallüberschuß auf diesen Zellen abgelagert, wenn die Verdampfung schon aufgehört hat. Weiterhin kondensieren gewöhnlich einige der Alkalimetalle an anderen Teilen der Röhre als auf der Antimonoberfläche. Ein solches Alkalimetall kann von einer solchen Stelle der Röhre entfernt werden, indem das Alkalimetall nachträglich verdampft wird, dabei schlägt es sich jedoch auch auf der besagten Oberfläche nieder, und die Überschußmenge nimmt zu. Hierdurch wird die Empfindlichkeit der photoelektrischen Oberfläche vermindert, und es hat sich herausgestellt, daß der Überschuß des Alkalimetalls oder der Alkalimetalle nicht mehr ohne weiteres von der Antimonoberfläche entfernt werden kann, so daß das Maximum der Empfindlichkeit nicht wieder erreicht werden kann.

Die vorliegende Erfindung besteht in einem verbesserten Verfahren, eine photoelektrische Oberfläche aus Antimon herzustellen, die mit mehreren Alkalimetallen sensibilisiert wird.

Die Erfindung geht davon aus, daß eine auf einem Träger befindliche photoelektrische Oberfläche dadurch eine hohe photoelektrische Empfindlichkeit erhält, daß das die Basis der photoelektrischen Oberfläche bildende, in genügender Menge auf den Träger aufgedampfte Antimon durch Aufbringung mehrerer verschiedener, nacheinander zur Wirkung gebrachter Alkalimetalle sensibilisiert wird. Das kennzeichnende Merkmal der Erfindung besteht dabei darin, daß auf das Antimon aufgedampft wird in einem ersten Sensibilisierungsschritt eine solche Menge eines Alkalimetalls oder mehrerer Alkalimetalle, daß die Empfindlichkeit der photoelektrischen Oberfläche unter dem mit diesem Alkalimetall oder diesen Alkalimetallen erreichbaren Höchstwert bleibt, und in einem zweiten

Verfahren zur Herstellung
einer photoelektrischen Oberfläche

Anmelder:

Electric & Musical Industries Limited,
Hayes, Middlesex (Großbritannien)

Vertreter: Dx. K.-R. Eikenberg, Patentanwalt,
Hannover, Klagesmarkt 10/11

Beanspruchte Priorität:
Großbritannien vom 26. Juni 1957 und 18. Juni 1958

Harry Cassman, London,
ist als Erfinder genannt worden

Sensibilisierungsschritt eine solche Menge eines anderen Alkalimetalls, daß eine Maximalempfindlichkeit der photoelektrischen Oberfläche erreicht wird, oder eine größere als die für die Maximalempfindlichkeit notwendige Menge und daß im letzten Falle die Empfindlichkeit durch eine thermische Behandlung der photoelektrischen Oberfläche auf ihren Maximalwert gebracht wird. Vorzugsweise wird das Antimon beim ersten Sensibilisierungsschritt mit zwei verschiedenen alkalischen Metallen, jedoch nicht mit Caesium sensibilisiert, während beim zweiten Sensibilisierungsschritt Caesium verwendet wird. Gegebenenfalls kann abschließend der photoelektrischen Oberfläche noch Sauerstoff zugeführt werden, so daß die Empfindlichkeit gegenüber der durch Alkalimetall-Sensibilisierung erreichbaren Maximalempfindlichkeit noch weiter zunimmt.

Es wird nach der Erfindung vorzugsweise ein. Caesiumüberschuß vorgesehen. Dieser kann nachträglich teilweise wieder von der Oberfläche während des Heizens abgetragen werden, so daß ein entsprechender Empfindlichkeitshöchstwert der phötoelektrischen Oberfläche erzielt wird. Wenn das eine Alkalimetall oder eines der Alkalimetalle, das beim ersten Sensibilisierungsschritt verdampft wird, Natrium ist, bewirkt die Verminderung der Natriummenge relativ zu der Natriummenge bei den bisher vorgeschlagenen Verfahren einen Vorteil, der daraus resultiert, daß das Natrium den Träger angreift, wenn dieser aus Glas hergestellt ist und ihn zerstören kann.

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Der größte Vorteil einer gemäß der Erfindung her- migen Teil 2 angeschmolzen sind, ist das Rohr 17 in gestellten püiotoelektrischen Oberfläche besteht jedoch beiden Fig. 1 und 2 gezeigt, während das Rohr 18 darin, daß deren photoelektrische Empfindlichkeit lediglich in der Fig. 2 zu sehen ist. Diese Rohre köngrößer gemacht werden kann als bei einer der bisher nen mit Stoffen gefüllt sein, die bei der Erwärmung bekannten entsprechenden Oberfläche. Dies beruht auf 5 zwei Alkalimetalle, beispielsweise Natrium und Kader Tatsache, daß bei den bekannten Verfahren jedes Hum, freisetzen. So kann das Rohr 17 z. B. eine Alkalimetall so lange aufgedampft wird, bis eine Mischung von Natriumchromat, Aluminium und Höchstempfindliohkeit nachgewiesen wird. Dadurch Wolfram, die bei der Erwärmung Natrium abgibt, wird aber jedesmal mehr Metall aufgedampft, als und das Rohr 18 z. B. eine Mischung von Kaliumnötig ist, so daß die Empfindlichkeit in Wirklichkeit io chromat, Aluminium und Wolfram, die bei der Erunter der Höchstempfindlichkeit liegt. Wenn beispiels- wärmung Kalium abgibt, enthalten,
weise bei dem ersten Sensibilisierungsschritt Natrium Ein Metallnetz 19 aus Silber oder Kupfer ist so und/oder Kalium verwendet wird, kann auch die angeordnet, daß es sich gegen die Oberfläche der Iso-Höchstempfindlichkeit nicht anschließend durch Wie- lierscheibe 10 anpreßt, auf der die Antimonzellen gederverdampfen einfach zurückgewonnen werden. Bei 15 bildet werden sollen. Dieses Gitter dient gewisserdem Verfahren gemäß der Erfindung wird jedoch maßen als Schablone bei der Herstellung der Mosaikkeine Höchstempfindlichkeit überschritten, die nicht zellen und kann nachher als Stabilisierungsgitter bei wiedergewonnen werden kann, so daß die Endempfind- der Arbeitsweise der Röhre benutzt werden. Das Gitlichkeit hier immer größer ist als bei den bisher be- ter ist in einem Rahmen befestigt und in bekannter kannten Verfahren. 20 Weise so angebracht, daß es von den Antimonmosaik-Weitere Einzelheiten und Vorteile der Erfindung zellen abgeschüttelt werden kann, wenn sich diese werden nachfolgend an Hand der Zeichnungen näher Zellen auf der Isolierscheibe 10 gebildet haben,
beschrieben. Dabei zeigt Zur Herstellung der Mosaikzellen auf der Isolier-Fig. 1 einen Schnitt durch eine Fernsehaufnahme- scheibe 10 wird die Röhre 1 entgast, die Spule 13 mit röhre mit einer photoelektrischen Oberfläche, die nach 25 dem Antimonkügelchen dann magnetisch in die gedem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellt ist, und zeichnete Stellung gebracht und dann den Leitern 12 Fig. 2 einen Aufriß der Röhre von Fig. 1 in einem ein Strom zugeführt, durch den die Spule 13 erhitzt vergrößerten Maßstab. und das Antimon durch das Netz 19 hindurch ver-Die Zeichnungen zeigen die Erfindung beispielsweise dampft wird, so daß entsprechende Antimonelemente in ihrer Anwendung bei der Herstellung eines photo- 30 auf der Isolierscheibe niederschlagen. Antimon wird elektrischen Mosaiks für eine Fernsehaufnahmeröhre in dieser Weise so lange verdampft, bis die Transpamit Kathodenstabilisation. renz der Scheibe auf ungefähr 50% der anfänglichen Wie in Fig. 1 gezeigt, besitzt die Aufnahmeröhre 1 Transparenz vermindert ist. Dann werden die Spule an dem einen Ende einen halsförmigen Teil 2 und 13 und die Leiter 12 magnetisch in das Rohr 11 bis einen Schulterteil 3. Der halsförmige Teil 2 enthält 35 hinter die Verbindung 11 mit dem Hilfsröhrchen 14 eine Vorrichtung 4 zur Erzeugung von Elektronen- gebracht, und die Röhre wird auf eine Temperatur strahlen, und die Röhre 1 ist mit einer Wandanode 5 von etwa 200 bis 210° C erhitzt. Dadurch wird eine ge- und einer Ringelektrode 6 ausgestattet, an die ein Ionen- ringe Menge von Natrium aus dem seitlichen Rohr 17 schirmgitter 7 angeschlossen ist. An der Vorderwand 8 in die Röhre 1 hineingetrieben und schlägt sich auf der Röhre ist gegenüber dem halsförmigen Teil 2 ein 40 den Antimonmosaikzellen nieder, bis eine geringe Fangschirm angeordnet, der in der Hauptsache aus photoelektrische Empfindlichkeit von der Größenordeiner transparenten Signalelektrode 9 und einer vor- nung von 0,005 Mikroampere pro Lumen erreicht ist. zugsweise aus Glas bestehenden Isolierscheibe 10 be- Die Röhre 1 wird dann von der Vakuumpumpe durch steht, die den Träger für die Mosaikzellen bildet. Abschmelzen des Rohres 11 zwischen den beiden Diese werden bei der vorliegenden Erfindung aus 45 Hilfsröhrchen 14 und 15 getrennt. Das Netz 19 wird Antimon, gebildet, das später durch mehrere Alkali- darauf von der Isolierscheibe 10 entfernt, indem die metalle einschließlich Caesium sensibilisiert wird. Um Röhre geschüttelt wird, so daß das Netz 19 in eine solche die photoelektrischen Mosaikzellen herzustellen, wird Stellung gelangt, in der es als Schirmgitter bei der die Röhre mit vier seitlichen Rohren ausgestattet späteren Benutzung der Aufnahmeröhre dienen kann. (Fig. 2). Zwei dieser Rohre sind an der Schulter 3 50 Der Niederschlag einer geringen Menge Natrium wäh- und zwei sind an dem halsförmigen Teil 2 angesetzt. rend des vorhin beschriebenen Heizprozesses hat eine Diese vier seitlichen Rohre sind rund um den hals- Legierung des Natriums mit dem Antimon zur Folge, förmigen Teil 2 herum angeordnet. Ein seitliches so daß das Antimon auf der als Träger dienenden Rohr 11, das an der Schulter 3 angesetzt ist, kann mit Isolierscheibe 10 weitaus besser haftet und infolgeeiner Vakuumpumpe verbunden sein und enthält 55 dessen das Antimon nicht abgeschüttelt wird, wenn außerdem magnetisch bewegliche Leitungsdrähte 12 das Gitter 19 in^; der beschriebenen Weise von dem mit einer Heizspule 13, die Antimonkügelchen trägt. Träger entfernt wird. Wenn die Erfindung bei an-Durch die Drähte 12 kann man einen Heizstrom füh- deren photoelektrischen Oberflächen verwendet wird, ren, so daß die Spule 13 heiß wird und das Antimon bei denen das Gitter 19 nicht als Schirmgitter beverdampft. Das Rohr 11 ist mit zwei Hilfsröhrchen 60 nötigt wird, wird dieses Gitter üblicherweise nicht in 14 und 15 ausgerüstet. Das Hilfsröhrchen 14 besitzt einem Rahmen gehalten, sondern wird gewöhnlich mit einen zerbrechlichen Verschluß 14a, und das Hilfs- der Isolierschicht 10 elektrostatisch in Berührung geröhrchen 15 ist zu Beginn der Herstellung der Mosaik- halten und fällt später von allein ab. Bei einer solchen zellen an seinem Ende verschmolzen., Der Zweck der Anordnung besteht keine Gefahr, daß bei Entfernen Hilfsröhrchen 14 und 15 wird später beschrieben. Das 65 des Gitters Antimon abplatzen könnte. Infolgedessen Rohr 16 ist an der Schulter 3 angeschmolzen (Fig. 2) ist es nicht notwendig, zu Anfang eine kleine Menge und ist geeignet, Stoffe aufzunehmen, die beim Er- Natrium oder ein anderes Alkalimetall zur Verhindewärmen Caesium erzeugen. Das Rohr 16 kann bei- rung des Abplatzens einzubringen. Die Röhre 1 wird spielsweise Caesiumchromat und Silizium enthalten. nun mit der Pumpe wieder zusammengeschmolzen, in-Von den zwei Rohren 17 und 18, die an dem halsför- 70 dem die Hilfsröhrchen 14 und 15 miteinander verbun-

Claims

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den werden, nachdem man vorher einen kleinen Ma- elektrischen Oberfläche ihren Höchstwert erreicht. Es gnetkern in das Seitenröhrchen 14 eingesetzt hat. Der wird also kein Überschuß an diesen Metallen in die Luftdruck in der Rohrleitung zwischen dem zerbrech- Röhre gebracht. Caesium, das in die Röhre mit einem liehen Verschluß 14a und der Pumpe wird auf den Überschuß eingebracht wird, kann anschließend teil-Wert des Gasdruckes in der Röhre 1 herabgesetzt, 5 weise von der photoelektrischen Oberfläche wieder abdann wird mit Hilfe eines Magnets der Magnetkern gedampft werden, damit die höchste Empfindlichkeit von außen bewegt und der zerbrechliche Verschluß 14 a wiedergewonnen wird. Wenn die Alkalimetalle, wie zerbrochen, so daß nun das Innere der Röhre 1 mit vorher beschrieben, in der Röhre 1 verdampft werden, der Pumpe in Verbindung steht. Die Röhre 1 wird schlagen sich häufig Teile davon z. B. an der Wanddann auf eine Temperatur von etwa 170° C gebracht, 10 anode und der Röhrenwand nieder, und es kann dann bei der das Kalium aus dem Rohr 18 verdampft, in ein zweites Metall das erste Metall verdrängen, so das Innere der Röhre 1 eindringt und sich auf den daß die Menge des ersten Metalls, das sich auf die Antimonmosaikzellen niederschlägt. Diese Temperatur photoelektrische Oberfläche niedergeschlagen hat, erreicht aus, um das Kalium mit dem Antimon zu legie- höht wird. Es hat sich gezeigt, daß gewöhnlich Karen. Kalium wird so lange auf die Mosaikzellen nie- i₅ Hum durch Natrium leichter verdrängt wird als Nadergeschlagen, bis die Empfindlichkeit der Mosaikzel- trium durch Kalium, und zwar auf Grund des höheren len ungefähr 1 Mikroampere pro Lumen erreicht. Das Dampfdruckes des Kaliums. Deswegen ist es vorteilist angenähert der fünfte Teil der Höchstempfindlidh- haft, vor der Abnahme des Gitters 19 zum Verhindern keit, die man bei fortgesetztem Niederschlag von des Absplitterns des Antimons während der Entfer-Kalium erreichen kann. Das Rohr 18 wird dann ab- 20 nung des Gitters 19 erst das Natrium vor dem Kalium geschmolzen und die Röhre 1 auf eine Temperatur zu verdampfen, damit sich an der Wandanode und an von ungefähr 200° C gebracht. Bei dieser Tempera- der Röhrenwand eher eine Legierung von Natrium tür kann sich Natrium mit den bereits niedergeschla- und Antimon als eine von Kalium und Antimon bilgenen Metallen legieren. Das Natrium aus dem Rohr det. Während der darauffolgenden Sensibilisierung 17 wird erneut verdampft, dringt in die Röhre 1 ein 25 des Antimons wird Kalium vor Natrium verdampft, und setzt sich auf die Antimonzellen nieder, bis deren zumal in dem besonderen beschriebenen Fall bei einer Empfindlichkeit ungefähr 5 Mikroampere pro Lumen Kathode mit stabilisiertem Potential auf diese Weise erreicht. Dies entspricht ¹Z₅ der Höchstempfindlich- eine höhere Empfindlichkeit erreicht wird. Aber keit, die man bei fortgesetztem Niederschlag von Na- selbst, wenn die Oberfläche so beschaffen ist, daß auch trium erreichen kann. Das Rohr 17 wird dann von der 30 bei anderen Röhrenkonstruktionen bei der Sensibili-Röhre abgeschmolzen. Daraufhin wird das Rohr 11 sierung in anderer Weise gleich gute Ergebnisse ermit einer Flamme erhitzt, so daß es entgast wird und zielt werden, ist die Verdampfung des Natriums vor eine weitere kleine Menge von Kalium, die Ursprung- dem Kalium aus dem oben angegebenen Grund vorzulich auf seine Oberfläche aufgebracht war, freigesetzt ziehen.

wird und sich auf die Antimonmosaikzellen nieder- 35 Obwohl die vorliegende Erfindung besonders hinschlägt und dabei eine leichte Zunahme deren Emp- sichtlich einer Fernsehaufnahmeröhre mit Kathodenfindlichkeit bewirkt. Dann wird das Caesium aus dem stabilisation beschrieben worden ist, kann sie aber seitlichen Rohr 16 verdampft, während die Röhre 1 auch angewendet werden, um andere photoelektrische auf eine Temperatur zwischen 140 und 160° C ge- Oberflächen zu erzeugen. Beispielsweise hierfür sind bracht ist, die ausreicht, um das Caesium mit den be- 40 eine Lichtkathode in einer Lichtzelle oder einem reits vorher aufgebrachten Metallen zu legieren. Das Lichtverstärker oder ein photoelektrischer Fang-Caesium wird auf diese Weise in die Röhre 1 einge- schirm in anderen Typen von Fernsehaufnahmeröhren, bracht und schlägt sich auf den Antimonzellen nieder, wie z. B. in einer Röhre, bei der ein photoelektrischer bis deren Empfindlichkeit ihren Höchstwert über- Schirm durch einen Lichtfleck abgetastet wird. Unabschreitet, der ungefähr bei 50 Mikroampere pro Lu- 4j5 hängig davon, daß die beschriebenen Alkalimetalle men liegt, und auf etwa V₁₀ dieses Betrages fällt, Natrium, Kalium und Caesium oder auch solche Mewenn das Caesiumrohr 16 von der Röhre 1 abgeschmol- ' talle wie Lithium und Rubidium sind, kann man zur zen wird. Die Röhre 1 wird dann wieder auf eine Sensibilisierung der Antimonlegierung auch irgend-Temperatur zwischen 140 und 160° C erhitzt, bis die eine Kombination von Alkalimetallen verwenden. Empfindlichkeit der Antimonzellen einen Höchstwert 50 Wenn diese oder auch andere Alkalimetalle verwendet erreicht. Während dieser Zeit wird das überschüssige werden, kann es vorteilhaft sein, während ihrer Ver-Caesium von den Zellen abgegeben und aus der Röhre 1 dampfung die Röhre auf eine Temperatur zu erhitzen, hinausgepumpt. Nach Wunsch kann die Röhre 1 dann die ausreichend ist, um das Alkalimetall sowohl in die auf etwa 130° C abgekühlt werden und vorsichtig Röhre auf die Antimonoberfläche zu treiben als auch Sauerstoff eingelassen werden, um die Empfindlichkeit 55 das betreffende Alkalimetall mit vorher aufgebrachten weiter zu steigern, bis ein Höchstwert der Empfind- Metallen zu legieren, lichkeit erreicht ist. Es ist nicht notwendig, Sauerstoff
einzuführen, um die Empfindlichkeit in dieser Weise

zu erhöhen, aber es ist im allgemeinen wünschenswert, Patentansprüche: besonders wenn die Empfindlichkeit der photoelektri- 6u

sehen Oberfläche rotem Licht gegenüber niedriger als 1. Verfahren zur Herstellung einer auf einem

20% ihrer Empfindlichkeit gegenüber weißem Licht Träger befindlichen photoelektrischen Oberfläche,

ist. für die eine hohe photoelektrische Empfindlichkeit

Die Röhre wird nun vorzugsweise langsam auf etwa durch Sensibilisierung des die Basis der photo-

80° C abgekühlt, bevor sie aus dem Heizofen heraus- 65 elektrischen Oberfläche bildenden, in genügender

genommen wird, um einen plötzlichen Wechsel der Menge auf den Träger aufgetragenen Antimons

umgebenden Temperatur zu vermeiden. durch Aufbringung mehrerer verschiedener, nach-

Gemäß der Erfindung wird also die Ablagerung einander zur Wirkung gebrachter Alkalimetalle

von alkalischen Metallen, ausgenommen Caesium, erreicht wird, dadurch gekennzeichnet, daß auf das

unterbrochen, bevor die Empfindlichkeit der photo- vo Antimon aufgedampft wird in einem ersten Sen-

sibilisierungsschritt eine solche Menge eines Alkalimetalls oder mehrerer Alkalimetalle, daß die Empfindlichkeit der photoelektrischen Oberfläche unter dem mit diesem Alkalimetall oder diesen Alkalimetallen erreichbaren Höchstwert bleibt, und in einem zweiten Sensibilisierungsschritt eine solche Menge eines anderen Alkalimetalls, daß eine Maximalempfindlichkeit der photoelektrischen Oberfläche erreicht wird, oder eine größere als die für die Maximalempfindlichkeit notwendige Menge und daß im letzten Falle die Empfindlichkeit durch eine thermische Behandlung der photoelektrischen Oberfläche auf ihren Maximalwert gebracht wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Sensibilisierung des Antimons insgesamt mit drei verschiedenen Alkalimetallen erfolgt, von denen zwei für den ersten, das dritte für den zweiten Sensibilisierungsschritt herangezogen werden.
3. Verfahren nach den Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß als das andere für den zweiten Sensibilisierungsschritt benötigte Alkalimetall Caesium verwendet wird.
4. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß als Alkalimetalle für den ersten Sensibilisierungsschritt Natrium und Kalium verwendet werden.
5. Verfahren zur Herstellung einer photoelektrischen Oberfläche unter Verwendung von Antimon, das mit Natrium, Kalium und Caesium sensibilisiert wird, nach den Ansprüchen 3 und 4, dadurch gekennzeichnet, daß auf die Antimonoberfläche zunächst eine solche Menge von Kalium aufgedampft wird, daß ihre Empfindlichkeit auf ungefähr 1 Mikroampere pro Lumen steigt, und daß dann eine solche Menge von Natrium aufgedampft wird, daß ihre Empfindlichkeit weiter auf ungefähr 5 Mikroampere pro Lumen steigt, daß anschließend eine solche Menge von Caesium aufgedampft wird, daß die Empfindlichkeit nach Erreichen des Höchstwertes um etwa ein Zehntel wieder abfällt, und daß die photoelektrische Oberfläche, um den Überschuß von Caesium wieder abzugeben, nunmehr so lange erhitzt wird, bis die Empfindlichkeit wieder ihren Höchstwert erreicht.
6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß das Kalium bei einer Oberflächentemperatur der photoelektrischen Oberfläche von etwa 170° C auf dieselbe aufgedampft wird.
7. Verfahren nach Anspruch 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, daß das Natrium bei einer Oberflächentemperatur der photoelektrischen Oberfläche etwa 200° C auf dieselbe aufgedampft wird.
8. Verfahren nach Anspruch 5, 6 oder 7, dadurch gekennzeichnet, daß das Caesium bei einer Oberflächentemperatur der photoelektrischen Oberfläche von ungefähr 140 bis 160° C auf dieselbe aufgedampft wird.
9. Verfahren nach den Ansprüchen 5, 6, 7 oder 8, dadurch gekennzeichnet, daß die photoelektrische Oberfläche nach der Aufdampfung des Caesiums auf einer Temperatur von etwa 140 bis 160° C gehalten wird und die Empfindlichkeit der Oberfläche dadurch einen Höchstwert erreicht.
10. Verfahren nach den Ansprüchen 5 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß das Antimon auf den Träger durch eine Schablone aufgetragen wird, die sich in nächster Nähe des Trägers befindet, so daß sich Antimonmosaikzellen bilden, und daß eine geringe Menge Natrium durch diese Schablone auf die Antimonzellen abgelagert wird, so daß sich das Natrium mit dem Antimon legiert, und daß dann die Schablone von dem Träger entfernt wird und danach Kalium, Natrium und Caesium auf die Mosaikzellen aufgedampft werden, um diese Zellen zu sensibilisieren.
11. Verfahren nach den vorhergehenden Ansprüchen, dadurch gekennzeichnet, daß Sauerstoff an die sensibilisierte Oberfläche herangetragen wird, um ihre Empfindlichkeit gegenüber der durch Alkalimetall-Sensibilisierung erreichbaren Maximalempfindlichkeit weiter zu erhöhen.
12. Verfahren nach den vorhergehenden Ansprüchen 1 bis 9 und 11, dadurch gekennzeichnet, daß die Oberfläche aus photoelektrischen Mosaikzellen aufgebaut ist.

In Betracht gezogene Druckschriften:
IRE Trans on Nuclear Science, Nov. 1956, S. 8 bis 12.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

© 009 570/334 8.60