DE1080071B - Vorrichtung zum Ziehen von Einkristallen aus einer Schmelze - Google Patents
Vorrichtung zum Ziehen von Einkristallen aus einer SchmelzeInfo
- Publication number
- DE1080071B DE1080071B DEL32369A DEL0032369A DE1080071B DE 1080071 B DE1080071 B DE 1080071B DE L32369 A DEL32369 A DE L32369A DE L0032369 A DEL0032369 A DE L0032369A DE 1080071 B DE1080071 B DE 1080071B
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- melt
- vessel
- capillary
- mercury
- motor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/20—Controlling or regulating
- C30B15/22—Stabilisation or shape controlling of the molten zone near the pulled crystal; Controlling the section of the crystal
- C30B15/28—Stabilisation or shape controlling of the molten zone near the pulled crystal; Controlling the section of the crystal using weight changes of the crystal or the melt, e.g. flotation methods
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Description
- Vorrichtung zum Ziehen von Einkristallen aus einer Schmelze Einkristalle für Halbleiteranordnungen auf der Basis von Silizium oder Germanium, z. B. für Dioden, Flächengleichrichter, Transistoren oder Fotozellen, werden durch Eintauchen eines Einkristalls in eine Schmelze und langsames Herausziehen unter Drehen erhalten.
- je gleichmäßiger und störungsfreier dabei der Kristall wächst, um so weniger Fehler wird er aufweisen. Die beiden schädlichsten Einflüsse sind wechselnde Temperatur des Schmelzgutes und unregelmäßige, mechanische Stöße und Erschütterungen beim Wachstum.
- Diese Bedingungen werden von der folgenden beispielsweisen Erläuterung der Vorrichtung zum Einkristallziehen erfüllt: Der Impfkristall 1 ist an einem Quarzstab 2 befestigt, der oben in bekannter Weise mit dem Schwimmer 3 verbunden ist. In dem feststehenden, mit Öl gefüllten Gefäß 4 kann der Schwimmer mit Quarzstab und Impfkristall frei beweglich rotieren, sobald das Öl 5 mit einem magnetischen Rührwerk 6 von außen in Rotation versetzt wird. An Stelle von Öl kann auch jede nicht aggressive Flüssigkeit mit niedrigem Dampfdruck und geringer Viskosität verwendet werden. Drückt mit Hilfe des Motors 7 der Kolben 8 das Öl aus dem Vorratsgefäß 9 durch die verbindende Leitung 10, so hebt sich das Ölnivan. Parallel zu diesem Arbeitssystem befindet sich das vergleichende System, bei dem analog mit Hilfe des Motors 11 der, Kolben 12 aus dem Vorratsgefäß 13 das 01 in das Gefäß 14 hineinpumpen kann. Für den Druckausgleich der beiden Systeme sorgt Leitung 15 und die genau waagerecht angeordnete Kapillare 16. In ihr befindet sich eine Doppelwendel aus Widerstandsdraht 17, die ein Quecksilbertröpfchen 18 kurzschließt. Die von der Stellung des Quecksilbertropfens abhängigen Widerstandswerte werden von einem Röhren- oder Transistorverstärker 19 üblicher Bauart verstärkt und steuern über Regeldrosseln den Heizkreis des elektrischen Schinelzofens 20. An Stelle der Widerstandsmessungen mit Hilfe der Doppelwendel kann die jeweilige Stellung des Quecksilbertropfens ebensogut fotoelektrisch ausgewertet und Über entsprechende Verstärker dem Heizkreis des Schmelzofens zugeleitet werden.
- Die Vorrichtung arbeitet folgendermaßen: Das Silizium im Schinelztiegel sei flüssig. Mit Hilfe der Motoren 7 und 11 wird der Ölspiegel so weit gesenkt, daß der Impfkristall in die Schmelze taucht. Motor 11 sorgt durch Anheben oder Senken des Ölspiegels im Vergleichssystem 14 dafür, daß der Quecksilbertropfen 18 in der Mitte der Kapillare 16 steht. Sobald durch Handregelung der Ofenstroln auf thermisches Gleichgewicht gebracht ist, kann der Kristallisationsvorgang beginnen. Das magnetische Rührwerk 6 wird Z> el angestellt und läßt das Öl und damit Schwimmer mit Impfkristall rotieren. jetzt beginnen die Motoren 7 und 11 -den Ölspiegel in beiden Systemen gleichmäßig zu heben -. So lange kein Silizium an den Impfkristall anwächst, bleibt der Quecksilbertropfen unbeweglich stehen. Ist aber der Ofenstrom so eingestellt, daß Kristallwachstum stattfindet, so wird der Schwimmer 3 entsprechend der Gewichtsmenge des kristallisierenden SiLiziums zuzüglich der mit wachsender Kristallfläche zunehmenden Adsorptionskräfte Siliziuni fest - Silizium flüssig sinken und dadurch das Ölniveau heben. Nach dem Gesetz der kommunizierenden Gefäße versucht das Öl über die Kapillare einen Ausgleich zu dem Gefäß 14 herbeizuführen. Der Quecksilbertropfen gerät in Bewegung. Durch Drehzahlerhöhung von Motor 11 entsteht ein ölrückdruck, und die Bewegung des Quecksilhertropfens wird aufgefangen. Er sucht sich dann zwangläufig die Stellung, beider die Widerstandswerte der Wendel 17 über den Verstärker 19 bei richtiger Polung den Heizstrom so einstellen, daß der aus der Drehzahlerhöhung resultierende ölrückdruck immer der kristallisierenden Gewichtsmenge Silizium proportional ist. Umgekehrt kann durch Änderung der Drehzahlerhöhung die Gewichtsmenge des kristallisierenden Siliziums beeinflußt werden, denn ähnlich wie bei einer Waage steht der von Motor 11 erzeugte Ölrückdruck im Gleichgewicht mit dem wachsenden Kristall plus Ad- häsionsspannung Silizium fest - Silizium flüssig, und der Quecksilbertropfen spielt zwangläufig den erforderlichen Heizstrom ein. Da die in der Zeiteinheit zu transportieren-den Ölmengen sowohl im Arbeitssystem wie im Vergleichssystem gering sind, kann eine weitere Vereinfachung dadurch erreicht werden, daß nur ein Motor verwandt wird, der den Pumpvorgang im Arbeitssysteni über ein Getriebe mit konstantem Übersetzungsverhältnis durchführt, während seine Verbindung zum Vergleichssystem über ein zweites Getriebe mit regelbaremÜbersetzungsverhältnis vorgenommen wird. Man kann so während der Kristallisation durch Änderung der Motordrehzahl die Ziehgeschwindigkeit variieren, ohne wesentlich den Querschnitt des Kristalls zu verändern, weil die Drehzahländerung sich im Vergleichssystem über das regelbare Getriebe verhältnisgleich auswirkt.
- ZD
Claims (2)
- PATENTA NS PR C C 11 E - 1. Vorrichtung zum Aufwärtszichen von Einkristallen aus einer Schmelze mit einem an einem einen Schwimmer tragenden Stab befestigten Impfkristall, dadurch gekennzeichnet, daß der Schwinimer in einem ein magnetisches Rührwerk (6) und ein Öl enthaltendes Gefäß (4), das zur Änderung des Niveaus mit einem Zylinder (9), der einen durch einen Motor (7) beweglichen Kolben (8) enthält, über eine Leitung (10) verbunden ist, angeordnet ist.
- 2. Weiterbildung der Vorrichtung nach Anspruch 1 zur Regelung der Temperatur der Schmelze, dadurch gekennzeichnet, daß das Gefäß (4) über eine waagerechte Kapillare (16), in der sich ein Tropfen Quecksilber (18) befindet, und ü,b,er eineLeitung (15) mit einem weiteren, ein 01 enthaltenden Gefäß (14) verbunden ist, wobei das Gefäß (14) ebenfalls mit einem einen mit einem Motor (11) beweglichen Kolben (12) enthaltenden Zylinder (13) in Verbindung steht und der Quecksilbertropfen zur Steuerung der Heizung der Schmelze (20) dient. 3. Vorrichtung nach Anspruch2, dadurch gekennzeichnet, daß in der Kapillare (16) eine Doppelwendel (17) aus Widerstandsdraht eingelassen ist, die über einen Verstärker und Regeldrosseln die Heizung der Schmelze steuert. 4. Vorrichtung nach Anspruch2, dadurch gekennzeichnet, daß zur Bestimmung der Lage des Quecksilbertropfens in der Kapillare ein den Heiz - kreis regelndes Photoelement angeordnet ist. In Betracht gezogene Druckschriften: Chemie-Ingenienr-Technik, 1956, S.358.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DEL32369A DE1080071B (de) | 1959-02-03 | 1959-02-03 | Vorrichtung zum Ziehen von Einkristallen aus einer Schmelze |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DEL32369A DE1080071B (de) | 1959-02-03 | 1959-02-03 | Vorrichtung zum Ziehen von Einkristallen aus einer Schmelze |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1080071B true DE1080071B (de) | 1960-04-21 |
Family
ID=7265882
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DEL32369A Pending DE1080071B (de) | 1959-02-03 | 1959-02-03 | Vorrichtung zum Ziehen von Einkristallen aus einer Schmelze |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE1080071B (de) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1257104B (de) * | 1961-12-22 | 1967-12-28 | Philips Nv | Vorrichtung zum tiegellosen Zonenschmelzen |
DE1259839B (de) * | 1964-07-01 | 1968-02-01 | Siemens Ag | Antrieb einer Halterung beim tiegelfreien Zonenschmelzen |
US3493348A (en) * | 1966-07-01 | 1970-02-03 | Ibm | Buoyant device in crystal growing |
DE2430813A1 (de) * | 1973-06-28 | 1975-01-09 | Philips Nv | Antriebsvorrichtung fuer ein einkristallzuechtungsgeraet |
US3972684A (en) * | 1972-10-03 | 1976-08-03 | Elphiac | Apparatus for fabricating monocrystals |
US4190630A (en) * | 1978-01-03 | 1980-02-26 | Vsesojuzny Nauchno-Isslekovatelsky Institut Monokristallov Stsintillyatsionnykh Materialov I Osobo Chistykh Khimicheskikh Veschestv | Apparatus for pulling single crystals from melt |
-
1959
- 1959-02-03 DE DEL32369A patent/DE1080071B/de active Pending
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
None * |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1257104B (de) * | 1961-12-22 | 1967-12-28 | Philips Nv | Vorrichtung zum tiegellosen Zonenschmelzen |
DE1259839B (de) * | 1964-07-01 | 1968-02-01 | Siemens Ag | Antrieb einer Halterung beim tiegelfreien Zonenschmelzen |
US3493348A (en) * | 1966-07-01 | 1970-02-03 | Ibm | Buoyant device in crystal growing |
US3972684A (en) * | 1972-10-03 | 1976-08-03 | Elphiac | Apparatus for fabricating monocrystals |
DE2430813A1 (de) * | 1973-06-28 | 1975-01-09 | Philips Nv | Antriebsvorrichtung fuer ein einkristallzuechtungsgeraet |
US3966416A (en) * | 1973-06-28 | 1976-06-29 | U.S. Philips Corporation | Single crystal growth apparatus with fluid bearing and fluid drive means |
US4190630A (en) * | 1978-01-03 | 1980-02-26 | Vsesojuzny Nauchno-Isslekovatelsky Institut Monokristallov Stsintillyatsionnykh Materialov I Osobo Chistykh Khimicheskikh Veschestv | Apparatus for pulling single crystals from melt |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE1136670B (de) | Tiegel zum Aufziehen von Kristallen aus einer darin befindlichen Schmelze und Verfahren zum Aufziehen von Kristallen aus einer Schmelze unter Anwendung eines solchen Tiegels | |
DE1210415B (de) | Verfahren zum tiegellosen Zonenschmelzen eines durch Ziehen aus der Schmelze erhaltenen Halbleiterstabes | |
DE1080071B (de) | Vorrichtung zum Ziehen von Einkristallen aus einer Schmelze | |
DE2635093A1 (de) | Vorrichtung zum ziehen eines halbleiter-einkristalls | |
DE883629C (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Herauspressen von geschmolzenen fadenbildenden Verbindungen | |
DE1961521C3 (de) | Kristallzieheinrichtung | |
DE2311370A1 (de) | Verfahren zur kristallbildung aus einer fluessigkeit | |
DE1444541C3 (de) | Verfahren zum Herstellen von Halbleitereinkristallen mit einstellbarer Fremdstoffkonzentration | |
DE1251272B (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen eines Stabes durch Aufziehen aus einer Schmelze | |
US2880549A (en) | Apparatus for soilless cultivation, particularly gravel culture | |
DE1644009B2 (de) | Verfahren zum Herstellen stabförmiger Siliciumeinkristalle mit homogener Antimondotierung | |
CH670773A5 (de) | ||
DE1519881B2 (de) | Verfahren und vorrichtung zum herstellen eines stabfoermigen halbleiterkristalls mit konstantem durchmesser | |
DE1619774A1 (de) | Schwimmerantrieb,insbesondere fuer Kristallzieheinrichtungen | |
DE877374C (de) | Vorrichtung zur Einstellung des Temperaturabfalls, vornehmlich fuer Anordnungen zum Zuechten von Kristallen, insbesondere Piezokristallen, aus sich langsam abkuehlenden Kristallsalzloesungen | |
DE556105C (de) | Kreiselkompass | |
DE102018113118A1 (de) | Rotationsverdampfer und Verfahren zur Steuerung eines Rotationsverdampfers | |
DE2430813B2 (de) | Antrieb für eine Vorrichtung zur Einkristallzüchtung | |
DE936751C (de) | Gastrennanlage | |
DE2223261A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines einkristallinen Substrats mit gutem spezifischem Widerstand | |
DE860398C (de) | Vorrichtung zum Regeln der Absenkgeschwindigkeit von Giesstischen | |
DE362235C (de) | Vorrichtung zum Regeln von Gasmengen | |
DE493830C (de) | Verfahren und Vorrichtung zum periodischen Umpumpen von Fluessigkeiten mittels Vakuums | |
DE3937129C2 (de) | ||
EP4041940A1 (de) | Vorrichtung und verfahren zum ziehen eines einkristalls aus halbleitermaterial |