DE1067935B - - Google Patents
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Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DES0056611 | 1958-01-17 | ||
DES0056878 | 1958-02-07 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1067935B true DE1067935B (enrdf_load_stackoverflow) | 1959-10-29 |
Family
ID=25995473
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DENDAT1072751D Pending DE1072751B (de) | 1958-01-17 | Legierungsverfahren zum Herstellen von Halbleiteranordnungen mit pn-Ubergangen z B Transistoren unter Verwendung von zentrierenden Legierungsformen | |
DENDAT1067935D Pending DE1067935B (enrdf_load_stackoverflow) | 1958-01-17 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DENDAT1072751D Pending DE1072751B (de) | 1958-01-17 | Legierungsverfahren zum Herstellen von Halbleiteranordnungen mit pn-Ubergangen z B Transistoren unter Verwendung von zentrierenden Legierungsformen |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
CH (1) | CH373107A (enrdf_load_stackoverflow) |
DE (2) | DE1067935B (enrdf_load_stackoverflow) |
FR (1) | FR1224868A (enrdf_load_stackoverflow) |
GB (1) | GB869558A (enrdf_load_stackoverflow) |
NL (1) | NL235207A (enrdf_load_stackoverflow) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1292257B (de) * | 1960-08-30 | 1969-04-10 | Siemens Ag | Verfahren zum Einlegieren einer Elektrode unter Bildung eines pn-UEbergangs in einem halbleitenden Germaniumkristall fuer ein Halbleiterbauelement |
DE1248166B (de) * | 1964-07-17 | 1967-08-24 | Philips Nv | Mehrfachlegierform zum Herstellen von Halbleiterbauelementen mit einem oder mehreren auflegierten Kontakten |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
AT186670B (de) * | 1953-12-23 | 1956-09-10 | Philips Nv | Elektrodensystem mit einem halbleitenden Körper |
AT187598B (de) * | 1954-04-07 | 1956-11-10 | Int Standard Electric Corp | Kristallgleichrichter oder Kristallverstärker |
DE955624C (de) * | 1954-06-29 | 1957-01-03 | Western Electric Co | Verfahren zur Herstellung von Halbleitereinrichtungen |
DE961913C (de) * | 1952-08-22 | 1957-04-11 | Gen Electric | Verfahren zur Herstellung von elektrisch unsymmetrisch leitenden Systemen mit p-n-UEbergaengen |
US2791524A (en) * | 1953-04-03 | 1957-05-07 | Gen Electric | Fabrication method for p-n junctions |
-
0
- DE DENDAT1072751D patent/DE1072751B/de active Pending
- NL NL235207D patent/NL235207A/xx unknown
- DE DENDAT1067935D patent/DE1067935B/de active Pending
-
1959
- 1959-01-13 CH CH6825859A patent/CH373107A/de unknown
- 1959-01-17 FR FR784436A patent/FR1224868A/fr not_active Expired
- 1959-01-19 GB GB1897/59A patent/GB869558A/en not_active Expired
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
DE R13270 (Bekanntgemacht am 17.05.1956) * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
NL235207A (enrdf_load_stackoverflow) | 1900-01-01 |
FR1224868A (fr) | 1960-06-28 |
DE1072751B (de) | 1960-01-07 |
GB869558A (en) | 1961-05-31 |
CH373107A (de) | 1963-11-15 |
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