DE1054589B - Verfahren zum Verloeten von Gehaeusen fuer elektrisch unsymmetrisch leitende Halbleitersysteme - Google Patents

Verfahren zum Verloeten von Gehaeusen fuer elektrisch unsymmetrisch leitende Halbleitersysteme

Info

Publication number
DE1054589B
DE1054589B DEL30103A DEL0030103A DE1054589B DE 1054589 B DE1054589 B DE 1054589B DE L30103 A DEL30103 A DE L30103A DE L0030103 A DEL0030103 A DE L0030103A DE 1054589 B DE1054589 B DE 1054589B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
housings
solder
soldering
housing
conductive semiconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DEL30103A
Other languages
English (en)
Inventor
Hans Rinoesl
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Original Assignee
Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Licentia Patent Verwaltungs GmbH filed Critical Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Priority to DEL30103A priority Critical patent/DE1054589B/de
Publication of DE1054589B publication Critical patent/DE1054589B/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02Containers; Seals
    • H01L23/06Containers; Seals characterised by the material of the container or its electrical properties
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C1/00Details
    • H01C1/14Terminals or tapping points or electrodes specially adapted for resistors; Arrangements of terminals or tapping points or electrodes on resistors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02Containers; Seals
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02Containers; Seals
    • H01L23/10Containers; Seals characterised by the material or arrangement of seals between parts, e.g. between cap and base of the container or between leads and walls of the container
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing Of Electrical Connectors (AREA)

Description

  • Verfahren zum Verlöten von Gehäusen für elektrisch unsymmetrisch leitende Halbleitersysteme Der Einbau von Halbleitersvsteinen, "vie Trockengleichrichter oder Kristallverstärker. ist wegen der besonders hohen Empfindlichkeit der darin verwendeten Halbleiter gegen Verschmutzungen mit besonderen Schwierigkeiten verknüpft. Dies gilt in besonders starkem Maße für solche Halbleiter, die wie Germanium, Silizium oder gewisse halbleitende intermetallische Verbindungen starke Ströme pro. Flächeneinheit zu führen vermögen. Selbst die Verwendung von Flußmitteln beim Verschließen der Gehäuse führt zur Verunreinigung der empfindlichen Halbleiteroberfläche und damit zum Kurzschluß des p-n-Überganges, der in Gleichrichtern oder Kristallverstärkern gewöhnlich vorhanden ist. Es besteht zwar die Möglichkeit, die mit Flußmitteln verunreinigten p-n-Übergänge durch Ätzen wieder zu säubern und damit das Halbleitersystem wieder betriebsfähig zu machen, jedoch bedarf es dazu beim Einbau in die Gehäuse besonderer und sehr -umständlicher Mittel und Maßnahmen. Andererseits sind die genannten Halbleitersysteine. aber auch gegen von außen in die Gehäuse eindringende Verunreinigungen. so empfindlich, daß auf einen hermetischen Verschluß der Gehäuse nicht verzichtet werden kann. Da nun einige der genannten Halbleitersubstanzen zudem noch nach der Verarbeitung und der Erzeugung von p-n-Übergängen sehr empfindlich gegen Temperatureinwirkungen sind, besteht bei diesen Systemen noch die Notwendigkeit, niedrigsöhmelzende Lote zu verwenden.
  • Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist ein Verfahren zum Verlöten von Gehäusen für elektrisch unsymmetrisch leitende Halbleitersysteme, das sich von dem bisher Bekannten dadurch unterscheidet, daß die als rohrförrniger Zylinderstumpf ausgebildete zu verlötende Fläche eines Gehäuseteiles mit ihrem ganzen Umfang in eine mit flüssigem Lot gefüllte Nut ein-es anderen Gehäuseteiles ohne vorhergehende Verwendung von Flußmitteln derart eingetaucht wird, daß sowohl die Innenwand als auch die Außenwand des Zylinders an ihren Randzonen mit dem Lot in Berührung stehen und erst dann und vor dem Erstarren des Lotes nur die äußere Lotnaht mit einem Flußmittel behandelt wird.
  • In Fig. 1 ist in zum Teil schematischer Darstellung das Verfahren gemäß der Erfindung erläutert. Ein rohrförmiger Zylinderstumpf 1 bildet einen Teil des Gehäuses und taticht in eine Nut 2 ein, die in einem weiteren Teil des Gehäuses 3 eingelassen und mit flüssigem Lot gefüllt ist. Es entsteht dadurch eine innere Lotnaht 4 und eine äußere Lotnaht 5, die jedoch hermetisch voneinander abgeschlossen sind. Die äußere Lotnaht 5 kann nach dem Eintauchen und vor dem Erstarren des Lotes nun mit einem Flußmittel an den Stellen behandelt werden, an denen sie an die Körper 1 und 3 angrenzt, so daß hier eine durch Flußmittel verbesserte hermetische Lötung entsteht, ohne daß Flußmittel in das Innere des Gehäuses eindringen können.
  • In Fig. 2 ist in zum Teil schematischer Darstellung das Gehäuse eines Gleichrichters dargestellt, das sich besonders zur Verlötung nach dem vorliegenden Verfahren eignet. Es besteht aus einem Bodenstück 6, das einen Gewindestutzen 7 und die Nut 8 aufweist. In die Nut 8 greift ein Ring 9, der bei 10 in einem rohrförmigen Zylinderstumpf endet. Über einen Iso#lierring 11 ist der Ring 9 mit einem weiteren Teil 12 verbunden, das ebenfalls ringförmig ausgebildet ist und an seinem oberen Ende 13 mit einem weiteren Gehäuseteil 14 verbunden ist. Dieser Gehäuseteil schließt das ganze Gehäuse ab und weist einen weiteren Gewindestutzen 15 auf sowie zwei der Nachbehandlung des eingebauten Systems dienende Kupferröhrchen 16 und 17. Die Teile 9 bis 17 können bereits vor dem Verschließen in ihrer endgültigen Form zusammengesetzt werden, so daß sie gemeinsam einen vorfabrizierten Teil des Gehäuses bilden. Die Gewindestutzen 15 und 7 dienen der Befestigung des Gehäuses und der Zuleitung der Ströme.
  • Das Verfahren gemäß der vorliegenden Erfindung ist auch zum Verlöten von dreiteiligen Gehäusen besonders geeignet. Dabei wird ein Gehäuseteil verwendet, der zwei rohrförmige Zylinderstümpfe unterschiedlichen Umfanges aufweist, die in je eine Nut eines der anderen Gehäuseteile eingetaucht werden, wobei lie Nuten unterschiedlichen Umfang aufweisen und coaxial zueinander angeordnet sind. Ein derartiges ##ehäuse ist in Fig. 3 dargestellt. Es besteht aus nve! ;tempelförmigen Teilen 18 und 19, die mit Gewinde-;tutzen 20 und 21 se-,vie mit Nuten unterschiedlichen Jmfanges 22 und 23 versehen sind. Sie weisen zwei einander planparallel verlaufende Flächen 24 und 25 iuf, zwischen denen das Halbleitersystem, beispiels-,veise ein Gleichrichter, vor dem Verschließen des #;ehäuses fest eingebaut und einer Nachbehandlung, )eisp#ielsweise durch Ätzen, unterworfen werden <ann. So-dann werden gemäß der Erfindung die Muten 22 und 23 mit flüssigem Lot gefüllt, in das vor Jem Erstarren die rohrförinigen Zylinderstümpfe 26 .ind 27 eines dritten Gehäuseteiles eintauchen, die niteinander durch einen Isolierring 28 mechanisch verbunden, aber elektrisch getrennt sind. Auch hier ergibt sich sodann der Vorteil, daß die jeweils entstehenden äußeren Lotnähte an den Nuten 22 und 23 vor dem Erstarren des Lotes mit einem Flußmittel behandelt werden kö#nnen, ohne ein Eindringen des Flußmittels in das geschlossene Gehäuse befürchteli zu müssen.

Claims (2)

  1. PATENTANSPROCHE: 1. Verfahren zum Verlöten von Gehäusen für elektrisch unsymmetrisch leitende Halbleitersysteme, dadurch gekennzeichnet, daß die als rohrförrniger Zylinderstumpf ausgebildete zu verlötende Fläche eines Gehäuseteiles mit ihrem ganzen Umfang in eine mit flüssigem Lot gefüllte Nut eines anderen Gehäuseteiles ohne vorhergehende Verwendung von Flußmitteln derart eingetaucht wird, daß sowohl die Innen-,vand als auch die Außenwand des Zylinders an ihren Randzonen mit dem Lot in Berührung stehen und erst dann und vor dem Erstarren des Lotes nur die äußere Lotnaht mit einem Flußmittel behandelt wird.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1 zum Verlöten von dreiteiligen Gehäusen, dadurch gekennzeichnet, daß ein Gehäuseteil verwendet wird, der zwei rohrförmige Zylinderstämpfe -unterschiedlichen Umfanges auf-weist, ctie in je eine Nut eines der anderen Gehäuseteile. eingetaucht werden, und daß die Nuten -unterschiedlichen Umfang aufweisen und koaxial zueinander angeordnet sind.
DEL30103A 1958-04-02 1958-04-02 Verfahren zum Verloeten von Gehaeusen fuer elektrisch unsymmetrisch leitende Halbleitersysteme Pending DE1054589B (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DEL30103A DE1054589B (de) 1958-04-02 1958-04-02 Verfahren zum Verloeten von Gehaeusen fuer elektrisch unsymmetrisch leitende Halbleitersysteme

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DEL30103A DE1054589B (de) 1958-04-02 1958-04-02 Verfahren zum Verloeten von Gehaeusen fuer elektrisch unsymmetrisch leitende Halbleitersysteme

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1054589B true DE1054589B (de) 1959-04-09

Family

ID=7265108

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DEL30103A Pending DE1054589B (de) 1958-04-02 1958-04-02 Verfahren zum Verloeten von Gehaeusen fuer elektrisch unsymmetrisch leitende Halbleitersysteme

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE1054589B (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1109794B (de) * 1959-08-22 1961-06-29 Elektronik M B H Verfahren zum Einbau eines Flaechengleichrichterelements in ein luftdicht verschlossenes Gehaeuse

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1109794B (de) * 1959-08-22 1961-06-29 Elektronik M B H Verfahren zum Einbau eines Flaechengleichrichterelements in ein luftdicht verschlossenes Gehaeuse

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE1439126C3 (de) Halter für mindestens ein Halbleiterbauelement
DE2806099A1 (de) Halbleiter-baugruppe
DE2101028C2 (de) Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von Halbleiterbauelementen
DE2012440C3 (de) Halbleiteranordnung für gasdicht abgeschlossene scheibenförmige Halbleiterelemente
DE1054589B (de) Verfahren zum Verloeten von Gehaeusen fuer elektrisch unsymmetrisch leitende Halbleitersysteme
DE2225050A1 (de) Elektrische trennvorrichtung fuer leitungsrohre
EP0954073B1 (de) Überspannungsschutzelement
DE1439623B2 (de) Mehrfachtransistor
DE2537598A1 (de) Feuerdetektor
DE561436C (de) Schraubenschlitzklemme mit quer geteiltem Isoliermantel
DE2405067C2 (de) Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung
DE1414620A1 (de) Thermoelektrische Vorrichtung sowie Verfahren zu deren Herstellung
DE1639159A1 (de) Kapsel fuer Halbleiterbauelemente
DE931358C (de) Vakuumdichte Stromdurchfuehrung aus dem Innern eines atmungsfest abgedichteten elektrischen Geraetes, insbesondere UEberspannungsableiters
DE1614910C3 (de) Halbleiteranordnung
DE1614907A1 (de) Halbleiteranordnung
DE1973011U (de) Halbleiterbauelement mit einem als kuehlkoerper dienenden gehaeuseteil.
DE595696C (de) Zuendkerze
DE1614479A1 (de) Halbleiterbauelement
DE866818C (de) Durch variierte Beleuchtung gesteuerte Trockengleichrichter
DE1462247C (de) Überlastungsschutzschaltung fur Ver starker, insbesondere fur ferngespeiste Tragerfrequenz ladungsverstärker
DE1448903C (de) Fotoelektrische Abtastvorrichtung
DE1151820B (de) Verfahren zur Herstellung einer Peltiervorrichtung
Forstner-Müller Anderson, Julie R./Welsby, Derek A.(Hg.): The Fourth Cataract and Beyond. 2014.
DE2000253A1 (de) Magnettransistor