DE1054586B

DE1054586B - Transistor mit temperaturkompensiertem Kollektorstrom

Info

Publication number: DE1054586B
Application number: DEI11690A
Authority: DE
Inventors: Richard Frederick Rutz
Original assignee: IBM Deutschland GmbH
Current assignee: IBM Deutschland GmbH
Priority date: 1955-05-20
Filing date: 1956-05-16
Publication date: 1959-04-09
Also published as: US2846592A; DE1063713B

Description

DEUTSCHES

Die bekannten Halbleiteranordnungen weisen Kennlinien auf, die sich mehr oder weniger mit der Temperatur ändern. Derartige Änderungen wirken in vielen Fällen der eigentlichen Arbeitsweise der Schaltungen entgegen, in denen Halbleiter eingeschaltet sind.

Die bekannten Halbleiteranordnungen sind im allgemeinen lichtempfindlich und häufig mit pn-Übergängen versehen. Die Temperaturschwankungen, durch die sich die Kennlinien der Halbleiter ändern, können durch die Wärme entstehen, die vom elektrischen Strom, vom Licht selbst oder von anderen Quellen herrührt. Man konnte nun in solchen Schaltungen bisher nicht den vom Licht herrührenden Temperatureinfluß von den anderen, die Temperatur beeinflussenden Quellen trennen und die Lichtstärke genau messen.

Die pn-Übergänge werden nun als Emitter von Minoritätsladungsströmen häufig in Transistoren verwendet. Solch ein Übergang kann gegenvorgespannt sein, um die Emission dieser Ladungsträger zu verhindern. Da jedoch diese Ladungsträger durch das Auftreten von Wärme entstehen, muß, wenn die Betriebstemperatur ansteigt, eine höhere Gegenspannung angelegt werden, damit der Transistor im AUSZustand gehalten oder in diesen geschaltet wird, nachdem er vorher im leitenden Zustand war.

Die Notwendigkeit, die Änderungen der Transistoreigenschaften bei Änderungen der Temperatur zu kompensieren, erlangt eine erhöhte Bedeutung, wenn die Ladungsstromträgerkapazität der Transistoren angewachsen ist. So ist z. B. bereits ein Transistor mit zwei stabilen Zuständen, dem mit geringer Leitfähigkeit und dem mit hoher Leitfähigkeit, vorgeschlagen worden. Da wenigstens einer der beiden Bereiche des Transistorkörpers notwendigerweise einen wesentlichen hohen spezifischen Widerstand und einen wesentlichen Temperaturwiderstandskoeffizienten aufweist, sucht ein solcher Transistor sich während der Zeiten hohen Stromflusses zu erwärmen. Wenn die Zeiten hohen Stromflusses sehr lang sind oder häufig auftreten, kann die Erwärmung die Transistoreigenschaften in so hohem Maße ändern, daß die Vorspannung nicht weiter derart wirksam ist, daß der Transistor im AUS-Zustand gehalten wird. Dieser kann fortwährend in seinem hohen Stromleitzustand bleiben.

Für einen Transistor mit temperaturkompensiertem Kollektorstrom besteht nun. die Erfindung darin, daß an einem der Halbleiterbereiche des Transistors zwei weitere pn-Übergänge in Reihe angeordnet sind und daß der von dem Halbleiterbereich des Transistors entfernt gelegene pn-übergang schaltungsmäßig zur Temperaturkompensation des Kollektorstromes ausgenutzt ist.

Transistor mit temperaturkompensiertem Kollektorstrom

Anmelder: IBM Deutschland Internationale Büro-Maschinen Gesellschaft m.b.H., Sindelfingen (Württ), Tübinger Allee 49

Beansprudite Priorität: V. St. v. Amerika vom 20. Mai 1955

Richard Frederick Rutz, Fishkill, N. Y. (V. St. A.), ist als Erfinder genannt worden

Es ist bereits ein zweistufiger, temperaturkompensierter Transistorverstärker bekanntgeworden. Der Kollektor des Eingangstransistors ist dabei mit der Basis des anderen Transistors verbunden, und dieser Widerstand ist wiederum durch eine aus einem Widerstand und einer Flächendiode gebildeten Reihenschaltung überbrückt, wobei der Verbindungspunkt von Diode und Nebenwiderstand über den Lastwiderstand mit dem Kollektor des Ausgangstransistors verbunden ist. Beim Bekannten handelt es sich also um eine Temperaturkompensation mit äußerlich zugeschalteter Halbleiterdiode. Demgegenüber sind bei der Erfindung pn-Übergänge des Transistors zur Temperaturkompensation des Transistorkollektorstromes ausgenutzt. Der Vorteil gegenüber dem Bekanntem besteht darin, ein selbständiges Bauelement zu haben, das in sich schon, ohne Zuhilfenahme einer Zusatzschaltung, temperaturkompensiert ist. Bei der bekannten Schaltung ist durch die Zusatzschaltung nur ein dem ersten Transistor nachgeschalteter zweiter Transistor temperaturkompensiert; nicht aber der Eingangstransistor selbst.

Der Transistor nach der Erfindung kann durch eine Lichtquelle, deren Intensität bestimmt werden soll, oder durch eine eingangsseitig von einer elektrischen Stromquelle gelieferten Spannung, die gemessen werden soll, oder auch durch beide Quellen gleichzeitig gesteuert werden.

Der Erfindung sei nachstehend an Hand der Zeichnungen für einige beispielsweise Ausführutngsformen näher erläutert.

Der Transistor 1 nach Fig·. 1 enthält einen Halbleiterkörper, der in einen n-Bereich 2 und einen p-Bereich 3 unterteilt ist. Die beiden Bereiche sind durch eine Übergangsschicht 16, 17 getrennt. Der n-Bereich 2 weist einen wesentlich höheren spezifischen Widerstand auf, der etwa IOmaI so groß als der des p-Bereiches 3 ist. Seine Schichtstärke ist im wesentlichen gleich oder ein wenig geringer als der Ausbreitungsweg der Minoritätsladungsträger bei mittlerer Lebensdauer in dem Bereich, und zwar etwa 0,1 mm für das gewöhnlich verwendete Material. Die Schichtstärke ist in Fig. 1 durch die Bezugsziffer 4 angegeben. Der p-Bereich 3 weist, wie oben ausgeführt ist, einen niedrigeren spezifischen Widerstand als der n-Bereich 2 auf.

Der p-Bereich 3 ist fast über seine ganze untere Fläche mit einer Kontaktplatte 3 a von geringem Widerstand bedeckt und ist hinreichend dünn, z. B. 0,02 mm, so daß praktisch kein Spannungsabf all auftritt. Der Bereich 3 stellt dann im Betrieb im wesentlichen eine Äquipotentialfläche dar.

Ein weiterer n-Bereich 9, der zum Bereich 2 gehören kann, ist jetzt von diesem durch einen Einschnitt 9 α und von dem p-Bereich 3 durch eine Übergangsschicht 9 b getrennt.

Die Schichtstärke 5 dieses n-Bereiches 9 ist wesentlich größer als der Ausbreitungsweg von Minoritätsladungsträgern bei mittlerer Lebensdauer. Oberhalb des n-Bereiches 9 befindet sich ein weiterer p-Bereich 6, der später der kompensierende p-Bereich genannt wird. Der pn-übergang 20 zwischen den Bereichen 9 und 6 sei als temperaturkompensierende Übergangsschicht bezeichnet. Dadurch, daß die Schichtstärke 5 größer als der Ausbreitungsweg gemacht ist, wird die Übergangsschicht 20 verhindert, als Kollektor für die Löcherströme zu dienen, die von der Übergangsschicht 9 b ausgesendet werden, so daß keine Transistorwirkung hier auftritt.

Der Kollektor 7, der als elektrischer Punktkontakt oder auf andere Weise ausgebildet sein kann, um eine hohe Stromverstärkung hervorzurufen, wirkt mit dem n-Bereich 2 zusammen. Der Kollektor 7 ist über den Belastungswiderstand 8 und die Batterie 10 geerdet. Die Ausgangsldemen 11 und 12 sind an die beiden Enden, des Widerstandes 8 angeschlossen. Die Leitung 13 ist unmittelbar mit dem p-Bereich 6 verbunden, z. B. verlötet, wodurch dieser Bereich mit dem negativen Pol der Batterie 10 verbunden ist.

Das linke Ende des n-Bereiches 2 ist über die Leitung 14 geerdet. Diese Verbindung wirkt fast genau wie die Basiselektrode in einem üblichen Transistor. Der p-Bereich 3 .ist an keine nach außen führende Klemme elektrisch angeschlossen.

Da der rechte Teil des n-Bereiches 2 über den Kollektor 7 an dem negativen Pol einer Spannungsquelle liegt und das linke Ende dieses Bereiches geerdet ist, entsteht in diesem Bereich ein Spannungsabfall. Weil der p-Bereich fast überall dieselbe Spannung aufweist, nimmt er eine Spannung an, die zwischen der des Kollektors 7 und Erde liegt. Diese Spannung weist in einer in dem Bereich 2 querverlaufenden Ebene, die z. B. durch die Ziffer 15 angedeutet ist, denselben Wert auf. An dem Schnittpunkfder Ebene 15 mit der Sperrschicht zwischen den Bereichen 2 und 3 herrscht die Spannung Null. Dieser Schnittpunkt soll als Äquipotentialpunkt bezeichnet sein. Die Übergangsschicht zwischen dem n-Bereich 2 und dem p-Bereich 3 ist durch die Ebene 15 in einen Gegenspannungsteil 16 und einen Vorspannungsteil 17 unterteilt. Die Lage dieses Äquipotentialpunktes ist durch den Potential-

gradienten über den n-Bereich 2 festgelegt, der seinerseits durch die Spannung der Batterie 10 und durch den Abstand zwischen dem Kollektor 7 und der Basiszuleitung 14 bestimmt ist.
Der Gegenspannungsteil 16 der Übergangsschicht zwischen den Bereichen 2 und 3 wird der Belichtung einer Lichtquelle 18 ausgesetzt. Der Bereich 2 ist hinreichend dünn, so daß er die Übergangsschicht nicht abschirmt. Erforderlichenfalls ist ein üblicher Schirm

ίο 19 anzubringen, um ein Einfallen des Lichtes von der Lichtquelle 18 auf den Kollektor 7 und auf die Übergangsschicht 20 zwischen dem n-Bereich 9 und dem p-Bereich 6 zu verhindern.

In Fig. 1 sind die verschiedenen' Zonen eines Leitwegstyps des Transistors zusätzlich mit I₅ II, III und JV bezeichnet.

Die Anordnung nach Fig. 1 arbeitet folgendermaßen: Wenn kein Licht von der Lichtquelle 18 auf den Transistor 1 trifft, iist der Gegensparanungsteil 16

ao der Übergangsschicht zwischen den Bereichen 2 und 3 wirksam, um den Strom über den p-Bereich 3 auf den Sättigungswert für diesen Teil zu begrenzen. Der Sättigungsstrom für den Gegenspannungsteil 20 ist im wesentlichen gleich diesem Wert. Der Stromfluß über den p-Bereich 3 läuft dann von Erde über die Leitung 14, den Bereich 2, den Gegenspannungsübergangsschichtteil 16, den p-Bereich 3, den Vorspannungsübergangsschichtteil 9b und sodarm über den n-Bereich 9 zur Übergangsschicht 20 und die Batterie 10 zurück nach Erde. Die Elektronen fließen vom Kollektor 7 über den n-Bereich 2 zur Basis 14, sie beeinflussen aber kaum den Löcherstrom im p-Bereich 3.

Wenn angenommen wird, daß ein Lichtzeichen von einer Intensität, die größer als ein bestimmter Sdhwellwert ist, auf den n-Bereich 3 in der Nähe der Übergangsschicht 16 trifft, wird die Wirksamkeit der Gegenspannung an dieser Schicht vermindert, da das einfallende Licht Löcherelektronenpaare in dem Halbleitermaterial erzeugt, dessen Leitfähigkeit zunimmt.

Der zunehmende Strom durch die mit Gegenspannung versehene Übergangsschicht 16 ruft eine Zunahme des Löcheremissionsstromes durch die mit einer Vorspannung versehene Übergangsschicht 17 gleichzeitig hervor. Diiese Löcherströme fließen über den dünnen n-Bereich 2 zum Kollektor 7, wo ihre Wirkung durch eine im Kollektorkreis hervorgerufene Verstärkung vergrößert wird. Dieser verstärkte Kollektorstrom erzeugt eine Zunahme der Elektronen, die größtenteils unmittelbar über den n-Bereich 2 zur geerdeten Basiselektrode 14 fließen. Der Transistor wird darauf von seinem AUS-Zustand in den EIN-Zustand umgeschaltet, welcher. Zustand so lange, aufrechterhalten bleibt, als das Licht von der Lichtquelle 18 auf die geg.envorgespannte Übergangs schicht 16 fällt.

Das auf die Übergangsschicht 16 fallende Licht und der durch den Transistorkörper 1 fließende Strom lassen die Temperatur des Transistors ansteigen, wodurch, der Widerstand der mit einer Gegenspannung versehenen Schicht 16 abnimmt. Diese Widerstandsabnähme veranlaßt einen Anstieg des Stromes durch diese Schicht 16. Der kompensierende p-Bereich 6 ist vorgesehen, um das Anwachsen des Stromes durch den Belastungswiderstand 8 zu beseitigen, so daß der Stromfluß durch diesen Widerstand infolge der Temperaturänderungen an der Übergangsschicht 16 fast unbeeinflußt bleibt und infolgedessen ein richtiges Maß für die Lichtintensität der Lichtquelle 18 darstellt.

Die Übergangsschicht 20 zwischen dem n-Bereich 9 und dem p-Bereich 6 ist derart gewählt, daß sie eine

Stromtemperaturkennlinie aufweist, die gleich der des mit einer Gegenspannung versehenen Teiles 16 der Übergangsschicht zwischen dem n-Bereich 2 und dem p-Bereich 3 ist. Die Übergangsschicht 20 ist durch die Verbindung des Bereiches 6 mit dem negativen Pol 5 der Batterie über die Leitung 13 entgegengesetzt vorgespannt. Die Übergangsschicht 20 folgt genau den Temperaturschwankungen an der Übergangs schicht 16, da diese beiden Schichten thermisch gutleitend miteinander verbunden sind. Da die Fläche, die Gegenspannung und die Stromtemperaturkennlinie der Übergangsschicht 20 im wesentlichen dieselben wie die des mit einer Gegenspannung versehenen Übergangsschichtteiles 16 sind, folgt, daß eine Stromzunahme durch die Übergangs schicht 16 infolge eines *5 Temperaturwechsels im wesentlichen von einer gleichen Stromzunahme durch die Übergangsschicht 20 begleitet ist.

Die Übergangsschicht 20 liegt wirksam parallel zum Belastungswiderstand 8 und überträgt die Strom-Schwankungen infolge der Temperaturänderungen in der Übergangsschicht 16, so daß diese Schwankungen nicht den Stromfluß durch den Widerstand 8 beeinflussen. Außerdem beeinflussen sie auch die Größe des Schwell Wertzeichens nicht, das zum Schalten des Transistors in den EIN-Zustand erforderlich ist.

Ferner braucht der Einschnitt 9 a nicht so tief zu sein, daß er vollständig die beiden n-Bereiche trennt; es ist aber nötig, daß der Transistor so gebaut ist, daß fast der gesamte Strom von Erde über die Leitung 14"zur Schicht 20 über den Übergangsschichtteil 16 verläuft. Wenn somit die n-Bereiche 2 und 9 nicht vollständig voneinander, z. B. durch den Einschnitt 9 a, getrennt sind, muß' der Widerstand für den Strom, der unmittelbar von der Leitung 14 durch die beiden verbindenden η-Bereiche zu der Übergangsschicht 20 fließt, wesentlich größer als der Widerstand für den Strom sein, der von der Leitung 14 über die Übergangsschicht 16, den p-Bereich 3, die Kontaktplatte 3 a, die Übergangsschicht 9 & und den Bereich 9 zur Übergangsschicht 20 fließt. Diese Beziehungen der Widerstände der beiden Stromwege können durch geeignete Zuordnung der Widerstandseigenschaften der n- und p-Bereiche, durch entsprechende Bemessung des Abstandes 21 zwischen der Leitung 14 und dem nächsten Punkt an der Ü"bergangsschicht 20 und der Querschnittfläche des n-Tvp-Materials, das unter dem Einschnitt 9 a verbleibt, erreicht werden.

In Fig. 2 ist eine Ausführungsform des Transistoraufbaues gezeigt, der an Stelle des Transistors 1 nach Fig. 1 verwendet werden kann. Die Schaltung ist jedoch die gleiche wie im Falle der Fig. 1. Die Schaltelemente in Fig. 2 sowie auch den folgenden, die vollständig denen in der Fig. 1 entsprechen, sind mit den gleichen BezugszifFern versehen und werden nicht weiter beschrieben.

Der Transistor 22 in Fig. 2 weist einen n-Bereich 23 mit einem hohen spezifischen Widerstandswert auf, der durch einen Einschnitt 23 a von dem anderen n-Bereich 23 b getrennt ist. Der p-Bereich 24 mit niedrigem spezifischem AViderstandswert verbindet die n-Bereiche 23 und 23 b. Ein weiterer p-Bereich 25 weist eine gemeinsame tibergangsschicht 27 mit dem Bereich 23 b auf. Beide p-Bereiche 24 und 25 befinden sich an der Fläche des Transistors, die dem n-Bereich 23 gegenüberliegt, und sind von dem n-Bereich 23 durch die Übergangsschichten 26 bzw. 27 getrennt. Der p-Bereich 24 ist fast über seine ganze Fläche mit einer Kontaktplatte 24 α mit niedrigem Widerstandswert versehen.

Der Abstand zwischen dem Kollektor 7 und der Übergangsschicht 26 ist der gleichen Beschränkung wie in Fig. 1 unterworfen. Dieser Abstand darf im wesentlichen nicht größer als der Ausbreitungsweg von Minoritätsladungsträgern bei mittlerer Lebensdauer in dem Bereich 23 sein. Ferner ist die Begrenzung an dem geringsten Abstand zwischen den beiden ρ-Bereichen 24 und 25 dieselbe wie die zwischen den beiden p-Bereichen 3 und 6 in Fig. 1, d. h., sie muß größer als der Ausbrieiituogsweg sein, der durch die Abstandspfeile 5 in Fig. 2 angedeutet ist. Die Größe 21 in Fig. 2, die der Größe 21 in Fig. 1 entspricht, ist nur dann von Wichtigkeit, wenn der Einschnitt 23 a nicht vollständig die beiden n-Bereiche 23 und 23 b trennt.

Die Arbeitsweise des Transistors 22 in der Schaltung nach Fig. 2 entspricht vollkommen der Arbeitsweise des Transistors 1 in Fig. 1 und braucht daher nicht weiter beschrieben zu werden.

Die Fig. 3 stellt eine weitere Ausf ührungsform der Erfindung dar. Dieser Transistor 69 enthält einen n-Bereich 70 und einen p-Bereich 71, die durch die LTbergangsschicht 72 voneinander getrennt sind. Die untere Fläche des p-Bereiches 71 ist fast vollständig mit einer Kontaktplatte 73 mit niedrigem Widerstandswert bedeckt. Am oberen rechten Ende des n-Bereiiohes 70 befindet sich ein weiterer p-Bereioh 74, der von dem n-Bereich 72 durch eine Übergangs schicht 75 getrennt ist.

Oberhalb des ρ - Bereiches 74 ' ist ein weiterer n-Bereich 76 vorgesehen, der von dem p-Bereich' 74 durch eine Übergangsschicht getrennt ist. Die Schichtstärke des p-Bereiches 74 muß wesentlich größer sein als der Au'sbreitüngsweg dar Minoritätsladungsträger mit mittlerer Lebensdauter in diesem p-Bereich.

Am linken Ende des n-Bereiches 72 ist ein ohmscher Kontakt 60 angebracht, der über die Leitung 61, den Widerstand 62 und die Vorspannbatterie 63 geerdet ist. Die Eingangsklemme 64 ist mit der Leitung 61 verbunden, und die zugehörige Eiragangsklemme' 65 ist geerdet. Der Kontakt 73 mit niedrigem Widerstand ist ebenfalls geerdet. Der n-Bereich 76 ist über die Leitung 77 an die positive Klemme der Vorspannungs batterie 78 angesehlassen, deren, negative Klemme ebenfalls geerdet ist. In der Fig. 3 der Zeichnung bezeichnet Ib den Basisstrom und b den Basisanschluß.

Bei der Ausführungform nach Fig. 4 ist der n-Bereich 2 geerdet. Die Anordnung wird elektrisch durch über den p-Bereich 3 laufende Signale umgeschaltet. Die ohmsche Basisverbindung 60 ist unmittelbar über die Leitung 66 geerdet. Der ohmsche Emitteranschluß 58 liegt an der Eingangsklemme 67; die andere Eingangsklemme 68 ist geerdet.

Der Transistor nach Fig. 4 ist im AUS-Zustand vorgespannt. Diese sich selbst erzeugende Vorspannung wird durch ins positive Gebiet ausgesteuerte Zeichen üblicher Größe, die an die Klemmen 67 und 68 gelegt werden, aufgehaben. Die temperaturkonipensierende Anordnung dieser Figur ist die gleiche wie die im Falle der Fig. 1. In der Fig. 4 bedeuten die Ziffern 0 und —2 vor dem rechteckigen Impulssymbol Potentiale.

Während die dargestellten und beschriebenen Transistoren Kollektoirelektraden aufweisen, die mit den η-Bereichen verbunden sind, und die Leitfähigkeit der anderen Bereiche entsprechend festgelegt ist, ist leicht einzusehen, daß die dargestellten Leitfähigkeitstypen leicht umgeschaltet werden können, indem entsprechende Wechsel in den Polaritäten der !angelegten Spannungen usw. vorgenommen werden.

Claims

In jedem Falle sollte der spezifische Widerstand des Bereiches, an dem die Kollektorelektrodie angeschlossen ist, hoch genug gegenüber dem spezifischen Widerstand des anderen Bereiches sein, damit eine wirksame Emission der Minoritätsladungsträger gesichert ist. Zum Beispiel ist ein Verhältnis von 10 : 1 gebräuchlich. Insbesondere kann ein spezifischer Widerstand von 5 Ohm cm für den Bereich mit hohem spezifischem Widerstand und 0,5 Ohm cm für den Bereich mit niedrigem spezifischem Widerstand benutzt werden. Es soll hervorgehoben werden, daß die daxgestellten und beschriebenen Anordnungen die Temperatureinflüsse nur von der mit einer Gegenspannung versehenen Übergangsschicht, die sehr bedeutend sind und nicht die Temperaturwirkungen an den anderen Punkten, d. h. an dem Gegenwiderstand des Kollektorkreises, die weniger störempfindlich sind, kompensieren. Während keine Lichtquellen in den Fig. 3 und 4 ao gezeigt sind, ist es jedoch klar, daß die dargestellten Transistoren lichtempfindliohsiinduind irgendeiner von ihnen auf Lichtsignale und auch auf elektrische Signale anspricht. Wenn irgendeiner dieser Transistoren für Lichtsignale oder für Lichtsignale und elektrische as Zeichen verwendet werden soll, sind geeignete Abschirmmaßnahmen, wie z. B. mit Hilfe des Schirms 19 nach Fig. 1, zu treffen. Patentansprüche: 30

1. Transistor mit temperaturkompensiertem Kollektorstrom, dadurch gekennzeichnet, daß an einem der Halbleiterbereiche des Transistors zwei weitere pn-Übergänge in Reihe angeordnet sind und daß der von dem Halbleiterbereich des Transistors entfernt gelegene pn-übergang schaltungsmäßig zur Temperaturkompensation des Kollektorstromes ausgenutzt ist.

2. Transistor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Transistor durch eine Lichtquelle und/oder eine elektrische Spannung gesteuert ist und daß bei Steuerung durch eine Lichtquelle der temperaturkompensierende pn-übergang gegen die Lichtquelle abgeschirmt ist.

3. Transistor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der pn-übergang zwischen den Basis- und Emitterhalbleiterbereichen teilweise in Sperrrichtung (16) und teilweise in Flußrichtung (17) wirksam ist.

4. Transistor nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der in Sperrichtung wirksame Teil

(16) des pn-Überganges belichtet ist.

5. Transistor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterbereich zwischen den zwei weiteren pn-Übergängen (9) wesentlich stärker ist als die Diffusionslänge der Minoritätsladungsträger in diesem Halibfciterbereich.

6. Transistor nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterbereioh zwischen den zwei weiteren pn-Übergängen (9) denselben Leitungstyp wie die Basishalbleiterschicht (2) des Transistors aufweist.

7. Transistor nach den Ansprüchen 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß sämtliche pn-Übergänge auf der einen Seite des Emitterhalbleiterbereiches angebracht sind.

8. Transistor nach den Ansprüchen 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß der Basisbalbleiterbereich (2) und die Halbleiterbereiche der zwei weiteren pn-Übergänge durch einen Einschnitt (9 a) getrennt sind.

In Betracht gezogene Druckschriften:

R. F. Shea, »Priincipl'es of transistor circuits«, '53, Kapitel 8, S. 164 bis 182.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

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