DE1035779B

DE1035779B - Schalttransistor mit wenigstens zwei Kollektorelektroden

Info

Publication number: DE1035779B
Application number: DEI11702A
Authority: DE
Inventors: Richard Frederick Rutz
Original assignee: IBM Deutschland GmbH
Current assignee: IBM Deutschland GmbH
Priority date: 1955-05-25
Filing date: 1956-05-19
Publication date: 1958-08-07
Also published as: FR1167590A; GB842352A; NL106472C; NL207367A

Description

In einer bereits bekanntgewordenen Halbleiteranordnung ist der Halbleiterkörper dünn und fadenförmig ausgebildet. Auf der Längsseite dieses Halbleiterfadens sind Emitter- und Kollektorelektrode aufgesetzt, und an die Fadenstirnfläcben sind je eine Basiselektrode sperrfrei 5 angeschlossen, so daß ein gleichförmiges, in der Längsrichtung durchziehendes Vorspannungsfeld bzw. ein Steueroder Beschleunigungsfeld im Halbleiterfaden, und zwar zwischen dem Emitterbereich und dem Kollektorbereich entstehen kann. An Stelle einer gleichrichtenden Spitzenkontaktverbindung ist bei dieser bekannten Anordnung auch eine Sperrschicht in einem anhängenden Teil des Halbleiters benutzt. Der Halbleiterfaden kann auch in Fadenzonen unterschiedlichen Leitfähigkeitstyps unterteilt sein. Nach einer anderen Ausführungsform sind die Basiselektroden an verbreiterten Enden des Halbleiterfadens angesetzt.

Es sind fernerhin Halbleiteranordnungen mit zwei Kollektoren bekanntgeworden. Mit der Weiterbildung eines Vielfachkollektortransistors, der insbesondere für eine bistabile Arbeitsweise eingerichtet ist, befaßt sich die der Erfindung zugrunde liegende Aufgabe.

Die Erfindung bezieht sich auf einen Schalttransistor mit wenigstens zwei Kollektorelektroden. Erfindungsgemäß sind die Kollektorelektroden auf einer Seite eines Halbleiterkörpers angebracht und von der Basiselektrode umgeben, auf der anderen Seite des Halbleiterkörpers ist eine flächenhafte Emitterelektrode gegenüber den Kollektorelektroden angebracht, und die eine Kollektorelektrode ist derart ausgebildet oder angeordnet, daß die Leitung zunächst in diesem Kollektorkreis einsetzt und bei zunehmendem Emitterstrom bei einem bestimmten Wert der zweite Kollektorkreis die Leitung übernimmt. Durch entsprechende Wahl der Abstände der Kollektoren untereinander und der Kollektoren mit dem Emitter kann erreicht werden, daß die Leitfähigkeit des einen Kollektorkreises auf einen benachbarten Kollektorkreis überwechseln kann. Dieses Überwechseln kann durch eine Zunahme des Emitterstromes veranlaßt werden.

Eine solche Halbleiterschaltung ist für die verschiedenartigsten Rechenschaltungen oder logische Schaltungen brauchbar. Sie kann z. B. als binäre Addierschaltung oder als Speicher verwendet werden. Ihre Ausgangsimpulsform kann derart gestaltet sein, daß sie auch als Prüfschaltung dienen kann.

Weitere Einzelheiten der Erfindung werden nunmehr näher beschrieben und an Hand der Zeichnung erläutert.

Fig. 1 zeigt eine Ausführungsform des Aufbaues eines Transistors gemäß der Erfindung, mit dem im Kristall aufgebauten elektrischen Feld;

Fig. 2 zeigt die Abhängigkeit des Kollektorstromes vom Emitterstrom in dem Transistor nach Fig. 1;

Fig. 3 stellt eine weitere Ausführungsform des Transistors dar;

Schalttransistor mit wenigstens
zwei Kollektorelektroden

Anmelder:

IBM Deutschland

Internationale Büro-Maschinen

Gesellschaft m.b.H.,
Sindelfingen (Würti), Tübinger Allee 49

Beanspruchte Priorität:
V. St. v. Amerika vom 25. Mai 1955

Richard Frederick Rutz, Fishkill, N. Y. (V. St. A.)_r
ist als Erfinder genannt worden

Fig. 4 zeigt, wie sich der Kollektorstrom in Abhängigkeit vom Emitterstrom bei der Schaltung nach Fig. 6 ändert;

Fig. 5 stellt die Kurven dar, aus denen die Änderungen des Verstärkungsfaktors mit dem Emitterstrom bei verschiedenen Kollektorarten des Transistors nach den Fig. 1 und 3 zu entnehmen sind;

Fig. 6 zeigt die Schaltung eines einzelnen Transistors für eine vollkommene binäre Addition.

In Fig. 1 ist ein Transistor dargestellt, der gemäß der Erfindung aufgebaut ist. Der Transistor enthält einen Halbleiterkristall mit den Zonen 2 und 3 von entgegengesetzter Leitfähigkeit, die durch eine Grenzschicht 4 voneinander getrennt sind. Die Zone des Halbleitermaterials 2 in dieser Figur weist die N-Typ-Leitfähigkeit auf und dient als Hauptkörper des" Transistors. Sie hat eine Stärke, die innerhalb der mittleren Diffusionslänge für Überschußladungsträgern bei der Ladungsträgerlebensdauer liegt. Die Überschußladungsträger sind so definiert, daß darunter der Überschuß über das Gleichgewicht der Majoritäts- und der Minoritätsladungsträgern im Kristall verstanden wird. Der ohmsche Kontakt 5 erstreckt sich im wesentlichen über die gesamte wirksame Oberfläche der P-Zone 3. Die Stärke der P-Zone 3 ist gering genug, so daß diese Zone mit dem ohmschen Kontakt 5, der an die gesamte wirksame Fläche angelegt ist, im wesentlichen ein gleiches Potential aufweist. Der spezifische Widerstand der N-Zone zu dem der P-Zone weist, um die Minoritätsladungsträger mit einem guten Wirkungsgrad auszusenden, vorzugsweise ein Verhältnis von wenigstens 5:1 im Vergleich zur Lebensdauer in den

809 580/427

3 4

beiden Zonen auf. Die P-Zone 3 bildet eine Trennschicht4 der N-Zone 2 in dem Bereich unter dem Kollektor

mit der N-Zone 2 und dient als ein breitfiächiger Emitter gesenkt wird, so daß der aussendende Teil der breiten

für den Transistor. Ein ohmscher Kontakt 6 bedeckt die Trennschicht 4 auf den Teil unmittelbar unter dem

Fläche der N-Zone 2. Der Kontakt 6 hat eine Öffnung 7, Kollektor 8 beschränkt ist. In Fig. 1 sind die Feldlinien

durch die die N-Zone beeinflußt wird. Zwei elektrische 5 des Elektronenstromes für den Zustand, in dem der

Punktkontaktkollektoren 8 und 9 besitzen einen hohen Kollektor 8 leitend ist, symbolisch als Pfeile 10 ange-

Verstärkungsfaktor, der größer als 1 + b ist, wobei b das deutet. Die Konzentration der Löcher sind symbolisch

Verhältnis der Beweglichkeit der Elektronen zu der der als +-Zeichen eingezeichnet, und der aussendende Teil

Löcher bedeutet. Sie machen Kontakt mit der N-Zone 2 der Trennschicht 4 für den Kollektor ist als Bereich 11

innerhalb der Öffnung 7 in der Basis 6. Die Feldlinien io eingezeichnet. Es soll bemerkt werden, daß der Pfeil 1OA

des Elektronenstromes sind, wenn der Kreis des KoI- den üblichen Elektronenstrom in Sperrichtung des nicht-

lektors 8 leitend ist, symbolisch als Pfeile 10 dargestellt, leitenden Kollektors 9 darstellt und daß eine bestimmte

und der Löcherstrom ist symbolisch durch +-Zeichen gegenseitige Beeinflussung der Felder von jedem KoI-

angedeutet, der aus einem beschränkten Teil 11 der lektor her erfolgt, die durch Pfeile angedeutet ist, die

Trennschicht 4 austritt. 15 quer unter dem zweiten Kollektor verlaufen. Diese Leit-

Der oben beschriebene Tiansistor weist bestimmte fähigkeit vom Kollektor 8 hält an, wenn der Emitterwünschenswerte Eigenschaften auf, wie hoher Ver- strom ansteigt, bis der Kollektor 8 spannungsgesättigt stärkungsgrad, der durch die gleichzeitige Verwendung wird. An diesem Arbeitspunkt, an dem die Trennschicht von elektrischen Punktkontaktkollektoren mit hohem unmittelbar unter dem Kollektor mit Löchern gesättigt Verstärkungsfaktor und von einem Trennschichtemitter ao ist, kann ein weiterer Strom den Widerstand zwischen mit hohem Wirkungsgrad für das Aussenden von Mino- Basis und Kollektor nicht beachtlich erniedrigen. Zu ritätsladungsträgern erreicht wird. Die hohe Leistungs- diesem Zeitpunkt kann ein weiteres Ansteigen des fähigkeit wird durch die breite Fläche des Emitters zum Löcherstromes, der zum Kollektor gelangt, keinen zu-Aussenden von Minoritätsladungsträgern erreicht. Durch , sätzlichen Elektronenstrom aus dem Kollektor hervordas schnelle Abklingen wird ein Hochfrequenzbetrieb 35 rufen. Ein weiterer Emitterstrom sendet eine größere durch den engen Abstand der Elektroden und die starken Anzahl Löcher aus, die bei ihrer Ankunft am Kollektor inneren elektrischen Felder, wodurch die Durchlaufzeit das Feld in der Nähe des Kollektors 8 nicht erhöhen; der Minoritätsladungsträger verkürzt wird, ermöglicht. aber der Löcherstrom, der zum Kollektor 9 gelangt, Verschiedene dieser Merkmale sind bereits früher vor- wird das Feld verstärken, das auf den Kollektor 9 geschlagen worden. Nach diesem älteren Vorschlag kann 30 gerichtet ist. Dieses zweite elektrische Feld wird, wenn ein Transistor mit solchen Merkmalen zum Speisen der Emitterstrom weiterhin anwächst, so stark, daß die starker Belastungskreise und zum unmittelbaren Steuern Wirkung des ersten Feldes unterdrückt wird und der von Schaltelementen, z. B. Relais, verwendet werden. Emissionsbereich neu verteilt wird. Dieses zweite Feld

Ein besonderes Merkmal des gemäß der Erfindung auf- überträgt die gesamte Leitfähigkeit auf den zweiten gebauten Transistors besteht in der gegenseitigen Steue- 35 Kollektorkreis. Dieses Übertragen soll der »Überleitrung der beiden Kollektoren, die auch Raff- oder Über- effekt« genannt werden, da der vom Emitter ausgehende leiteffekt (Robbing-Effekt) genannt werden soll. Dieser Löcherstrom zum zweiten Kollektor vom ersten KoI-Effekt tritt vor allen Dingen dann auf, wenn sich je zwei lektor übergeleitet wird. Dieses Überleiten kann aus den Kollektoren mit hohem Verstärkungsfaktor, die an einer Kurven der Fig. 2 ersehen werden, die die Änderung festen Spannung liegen, dicht beieinander bei einem vor- 40 des Kollektorstromes in Abhängigkeit von verschiedenen gespannten Emitter befinden und wenn der Aufbau der Emitterstromwerten zeigen. Nach Fig. 2 stellt beim Halbleiteranordnung mehrere Kollektoren mit so dicht Emitterstromwert Ie = 2 Milliampere die Kurve A den beieinander angebrachten Elektroden enthält, daß eine Kollektorstrom für den Kollektor 8 des Transistors nach Zeichenumschaltung zwischen diesen Kollektoren mög- Fig. 1 und die Kurve B den Kollektorstrom des Kollich ist. 45 lektors 9 dar. Bei diesem Wert des Emitterstromes findet

Bei steigendem Emitterstrom besteht eine Leitfähig- das gesamte Weiterleiten zum Kollektor 8 statt, und

keit zunächst im ersten Kollektorkreis, ohne daß eine über den Kollektor 9 läuft nur der übliche Strom in

Leitfähigkeit im zweiten Kollektorkreis vorhanden ist. Sperrichtung, wie es durch den Pegel der Kurve B beim

Wenn der Emitterstrom weiter ansteigt, wechselt die Leit- Wert 0 angezeigt ist. Eine Zunahme des Emitteistromes,

fähigkeit zum zweiten Kollektorkreis über; dies wird an 50 die durch den Wert Ie = 4 Milliampere angegeben ist,

Hand der Fig. 1 nunmehr beschrieben. Beim Anstieg des läßt die Leitfähigkeit im Kreise des Kollektors 8 ab-

Emitterstromes werden Löcher von der Trennschicht 4 nehmen (vgl. Kurve A) und eine hohe Leitfähigkeit im

ausgesendet, die sich über die N-Zone 2 zu den Kollek- Kreise des Kollektors 9 entstehen (vgl. Kurve B). Es

toren 8 und 9 ausbreiten. ergibt sich somit, daß beim Aufdrücken eines größeren

Unter der Annahme, daß der Kollektor 8 den höchsten 55 Eingangsemitterstromes zunächst der Kreis des KoI-Verstärkungsfaktor α aufweist oder anderweitig begün- lektors 8 eingeschaltet wird und daß darauf die Leitstigt ist, so daß eine größere Menge Löcher zu ihm fähigkeit auf den Kollektor 9 umgeschaltet wird, wogelangen, löst dieser Kollektor eine größere Anzahl durch ein Vorläuferimpuls am Kollektor 8 entsteht, Elektronen aus, die zur Basis 6 fliegen und ein elek- bevor die Leitfähigkeit am Kollektor 9 hergestellt ist. irisches Feld innerhalb der N-Zone 2 aufbauen, durch 60 Dieser Impuls kann vorteilhaft zum überzähligen Prüfen das alle zum Kollektor 8 ausgesendeten Löcher gelenkt in Rechenschaltungen, die später beschrieben werden, und beschleunigt werden, indem so kein Löcherstrom dienen. Da dieser Vorläuferimpuls nur kurzzeitig gegenmehr zum Kollektor 9 fließt, der sonst zu diesem KoI- über der gesamten Eingangsimpulszeit entsteht, kann lektor gelangen würde. Infolgedessen stammt der ge- er leicht unterschieden werden. Die obige Beschreibung samte Ausgangsstrom des Transistor von dem begün- 65 des Überleiteffektes trifft auch auf alle Trennschichtstigten Kollektor 8. anordnungen (P-N-Schichtanordnung) zu, die gemäß

Das elektrische Feld, das beim Leiten des Kreises des der Erfindung gebaut sind und bei denen die Kollek-

Kollektors8 entsteht, verursacht eine Konzentration toren mit hohem α-Verstärkungsfaktor anstatt der

der Löcher in der N-Zone 2 unmittelbar unter dem elektrischen Punktkontakte mit Trennschichten mit

Kollektor, wodurch der Widerstand in Durchlaßrichtung 70 PN-Hooks verwendet werden. Trennschichten dieser Art

sind in Fig. 3 dargestellt, in der jeder PN-Hook-Schichtkollektor mit PN-Hooks eine P-Zone 12 bestimmter Stärke aufweist, die eine Trennschicht 13 mit der N-Zone2 bildet und eine N-Zone 14 mit einem ohmschen Kollektoranschluß 15 enthält, der an die wirksame Fläche angelegt ist und eine Trennschicht 16 mit der P-Zone 12 von bestimmter Stärke bildet. Ferner können Kollektoren mit PN-Hooks mit beschränkter wirksamer Fläche in einer Öffnung in der Basis 6 vorgesehen sein, aber

und E stellen die Änderungen in dem Kollektorstrom mit der Zeit für die Wirkung dar, bei der die Leitfähigkeit in dem Kreis eines besonderen Kollektors bei einem bestimmten Emitterstromwert hergestellt wird. Beim ⁵ Vergleich der Kurven B und C mit den Änderungen in der Kurve A für die eine Wirkung und beim Vergleich der Kurven D und E mit Änderungen in der Kurve A für die zweite Wirkung ergibt sich, daß bei einem bestimmten Wert des Emitterstromes der Kreis des ersten

die Kollektoren können auch in einer sonst bekannten io Kollektors leitet (vgl. Kurve B); wenn ein größerer

Weise ausgebildet sein.

Es soll in Verbindung mit dem gesamten Trennschichtaufbau, wie er in Fig. 3 dargestellt ist, bemerkt werden, daß die Emittertrennschicht 4 mit den Hook-

Emitterstrom fließt (vgl. Kurvet), wird der Kreis des ersten Kollektors (vgl. Kurve B) eingeschaltet; wenn aber der Sättigungswert überschritten ist, setzt der Überleiteffekt ein, und die Leitfähigkeit geht zu dem

Kollektorschichten 13 nicht in einer Ebene liegt. Der '5 Kreis des zweiten Kollektors über, wie es in Kurve C

dargestellt ist, und der Kreis des ersten Kollektors verliert seine Leitfähigkeit. Zu diesem Zeitpunkt übt eine nachfolgende Verminderung des Emitterstromes keine Wirkung darauf aus, welcher Kollektorkreis leitend wird, und der Kreis des zweiten Kollektors bleibt weiterhin leitend. Dieses steht im Gegensatz zum zweiten Effekt, bei dem der Kreis des ersten Kollektors (vgl. die Kurven D und E mit der Kurve A) bei einer Zunahme des Emitterstromes leitet, während der Kreis des zweiten

bei der praktischen Ausführung gewählt. Bei den Punktkontakten kann diese Bevorzugung durch eine wirksamere elektrische Ausbildung eines einzelnen Kollektors

gleiche Annäherung kann in der Praxis bei Anordnungen für alle Trennschichten dadurch erreicht werden, daß eine nicht parallele Emittertrennschicht (vgl. Fig. 3)

Grund hierfür ist der, daß, wie bereits erwähnt worden
ist, die Leitfähigkeit zunächst in dem einen Kollektorkreis einsetzt, der bevorzugter ist, weil der Kollektor
einen höheren Verstärkungsfaktor α aufweist und der
Überleiteffekt der Minoritätsladungsträger höher in dem
Kristall unter diesem besonderen Kollektor ist und weil
ein höherer Emissionswirkungsgrad der Emittertrennschicht in dem Bereich bei diesem Kollektor vorhanden
ist. Theoretisch können Kollektoren derart hergestellt
werden, daß keiner begünstigt ist, aber in der Praxis 35 Kollektors nicht leitet. Wenn ein größerer Emitterstrom gibt es so viele Abweichmöglichkeiten, so daß die Her- dem ersten Kollektor zugeführt wird (vgl. die Kurve D), stellung von zwei gleichen Kollektoren mit genau glei- setzt die Leitfähigkeit ein, aber wenn der Überleiteffekt chen Eigenschaften schwierig ist. Daher ist, damit sich stattfindet, wird die Leitfähigkeit im Kreis des zweiten immer der Kollektor durchsetzt, der anfangs begünstigt Kollektors hergestellt (vgl. die Kurve E). Zu diesem sein soll und bei dem die Leitfähigkeit immer einsetzt, 3° Zeitpunkt jedoch wird durch eine Verminderung des für diesen eine Form mit einer bewußten Bevorzugung Emitterstromes der Kreis des zweiten Kollektors abgeschaltet und die Leitfähigkeit im Kreis des ersten Kollektors wiederhergestellt, so daß eine Auswahl eines besonderen Kollektors betreffs der Leitfähigkeit durch

erreicht werden, indem die Trennschicht unter dem 35 Regelung der Größe des Emitterstromes erfolgen kann. Kollektor näher an den Emitter gebracht wird. Eine Die oben angegebenen Effekte lassen sich bei Punktkontaktanordnungen verwenden.

Die Steuerung, welcher Kollektorkreis leiten soll, wenn der Emitterstrom sinkt, wird bei der Herstellung der verwendet wird. Hier wird durch die nicht parallele 40 Halbleiteranordnung oder durch Auswahl der zugehörigen Trennschicht erreicht, daß ein kürzerer Abstand des Schaltkreiswerte festgelegt. Bei der Fabrikation der HaIb-Emitters zum Kollektor für einen bevorzugten Kollektor leiteranordnung kann ein Punktkontaktkollektor derart vorhanden ist. Dieses Verfahren der Bevorzugung wird elektrisch ausgebildet sein, daß der größte Verstärkungssich in gleicher Weise auch gut bei einem Punktkontakt- faktor des Kollektors bei einem ausgewählten Wert des aufbau auswirken und kann bei verschiedener elektrischer 45 Emitterstromes auftritt. Ein Beispiel einer solchen unterAusgestaltung nach Belieben angewendet werden. schiedlichen Wirkung ist in Fig. 5 dargestellt, in der die Bei dem Aufbau nach Fig. 3 setzt die Leitfähigkeit Änderung des Verstärkungsfaktors α mit dem Emitteram Kollektor 8 ein, wie oben beschrieben ist, da dieser strom in den Kurven A und B für zwei elektrisch ausgedurch die nicht parallele Trennschicht 4 begünstigt ist. bildete Punktkontaktkollektoren gezeigt ist. In der Wenn der Emitterstrom den Sättigungswert überschrei- 50 Kurvet steigt der Verstärkungsfaktor α stark bis zu einem tet, tritt der Überleiteffekt auf, indem die Leitfähigkeit spitzen Wert bei einem niedrigen Emitterstrom an und zu dem Kollektor 9 umgeschaltet wird. Wenn die Leit- fällt dann auf einen geringeren Wert bei höherem Emitterfähigkeit in dem Kreis des zweiten Kollektors infolge strom ab, während in der Kurve B der Verstärkungsdes Anwachsens des Emitterstromes hergestellt ist, kann faktor α langsamer ansteigt, bis er seinen Spitzenwert eine darauffolgende Abnahme des Emitterstromes eine 55 erreicht, der aber höher liegt als der nach der Kurve .4, von zwei regelbaren Wirkungen auslösen. Die erste und zwar bei einem Emitterstromwert, der bedeutend dieser Wirkungen ist die, daß, wenn einmal in dem größer ist als der, der für die Spitze der Kurve A erforderzweiten Kollektorkreis die Leitfähigkeit hergestellt ist, lieh ist. Darauf sinkt er bis zu einem gleichbleibenden diese in diesem Kollektorkreis, nachdem der Emitter- Wert ab, der größer als der der Kurve A für höheren strom herabgesetzt ist, bestehenbleibt. Die zweite Wir- 60 Emitterstrom ist. Während die Technik der elektrischen kung ist die, daß die Leitfähigkeit in einem besonderen Ausbildung von Punktkontaktkollektoren unter Berück-Kollektorkreis bis zu einem bestimmten Wert des sichtigung der Erfahrungen bei der Herstellung von Emitterstromes hergestellt ist. Diese beiden Wirkungen Halbleitern genau ist, kann das Verfahren zur geeigneten werden an Hand der Kurven in Fig. 4 erläutert, in der Herstellung von Kollektoren, die eine Änderung des die Kurve A die Abhängigkeit des Emitterstromes von 65 Verstärkerfaktors α mit dem Emitterstrom herbeiführen, der Zeit und die Kurven B und C die Änderungen des wie es in den Kurven A und B der Fig. 5 dargestellt ist, Kollektorstromes von der Zeit für die Wirkung dar- leicht dadurch durchgeführt werden, daß die Länge und stellen, bei der, wenn erst die Leitfähigkeit in dem Kreis die Dauer des elektrischen Impulses geändert wird und des zweiten Kollektors eingesetzt hat, diese erhalten passende Verunreinigungen in dem Kollektordraht konbleibt, auch wenn der Emitterstrom sinkt. Die Kurven!) 70 zentriert werden.

In gleicherWeisekann ein Kollektor mit veränderlichem Kollektoren muß gering genug sein, damit das Feld Verstärkungsfaktor α für alle Trennschichtanordnungen einwirken kann. Er soll nicht größer als die mittlere hergestellt werden, die beim Arbeiten der Ausführangs- Diffusionslänge der Überschußladungsträger sein. So form nach Fig. 3 gleichen. Die Herstellung solcher Schicht- könnte dieser Abstand als nahe genug bezeichnet werden, kollektoren ist für die in dem Halbleiter enthaltenen 5 wenn die Leitfähigkeit in einem leitenden Kollektorkreis Kollektoren und auch für die elektrischen Punktkontakt- dadurch aufhört, daß die Leitfähigkeit in dem benachkollektoren die gleiche. Die Herstellung solcher Schichten barten Kollektorkreis einsetzt. Weitare Schaltungsmit PN-Hooks kann auf diesem Gebiete der Technik in beispiele werden auf Grund der Tatsache, daß sich die vielfacher Weise, z. B. durch Legieren, Vermischen und Belastungswiderstände ändern, für vereinfachte An-Vergolden, durchgeführt werden. Ein kurzer Einblick in i° Wendungsbeispiele erläutert.

dieses Problem kann nur durch das nähere Betrachten Somit ist der Aufbau einer Halbleiteranordnung

des folgenden mathematischen Ausdruckes für den Ver- beschrieben, die einen breitflächigen Trennschichtemitter, Stärkungsfaktor α eines PN-Hooks erworben werden: mehr als einen Kollektoi mit einem Verstärkungsfaktor

ρ. j^_n größer als 1 + b, von denen einer hinsichtlich der Leit-

a* = 1 + -p- —■■, 15 Fähigkeit anfänglich bevorzugt ist, und ein Basisanschluß

auf einen Halbleiterkristall enthält. Diese Elektroden

wobei α* der Verstärkungsfaktor des PN-Hooks, Pp der sind derart voneinander getrennt, daß die Leitfähigkeit spezifische Widerstand der P-Zone, Pn der spezifische zunächst in einem bestimmten Kollektorkreis bei einem Widerstand der N-Zone, Ln die mittlere Diffusionslänge Anfangswert des Emitterstromes einsetzt und darauf zu der Überschußminoritätsladungsträger bei der Ladungs- 20 nachfolgenden Kollektcrkreisen bei Zunahme des Emitterträgerlebensdauer in der N-Zone und W die Breite der stromes umgeschaltet werden kann.
P-Zone bedeuten. Der Aufbau gemäß der Erfindung kann bei einer HaIb-

Der oben angeführte Ausdruck dient nur zur Erläute- leiteranordnung verwendet werden, bei der durch Zurung, da ein bestimmter Ausdruck nicht für alle Bereiche schalten von geeigneten Eingangs- und Ausgangskreisen der spezifischen Widerstände des Halbleitermaterials gilt. 25 eine vollständige binäre Addierschaltung mit Ver-Vor allen Dingen kann aus diesem Ausdruck entnommen Stärkung entsteht. Eine vollständige binäre Addierwerden, daß ein Wechsel in dem Wert eines der veränder- schaltung ist in der Fig. 6 dargestellt, in der ein Tranlichen Parameter eine Regelung des Verstärkungs- sistor 20 der nach Fig. 1 oder Fig. 3 gezeigten Art vorfaktors α* des Kollektors mit PN-Hooks hervorruft. gesehen ist. Der ohmsche Kontakt 5 mit dem Emitter ist Zum Beispiel wird eine Änderung der Breite W der 30 mit drei Eingangsklemmen 21, 22 und 23 versehen, von P-Zone 14 des Kollektors 8 nach Fig. 3 die Wirkung denen jede mit dem Kontakt 5 über die Impedanzen 24, hervorrufen, den Verstärkungsfaktor α* ansteigen zu 25 bzw. 26 hinreichender Größe verbunden ist, damit lassen. Dieses kann aus der Fig. 5 entnommen werden, eine gegenseitige Beeinflussung der Eingangszeichen verin der die Kurve C den Verstärkungsfaktor a* des KoI- mieden wird. Es ist klar, daß der einzelne Trennschichtlektors 9 bei einem Aufbau nach Fig. 3 und die Kurve D 35 emitter durch mehrere Emitter, z. B. drei, ersetzt werden den Verstärkungsfaktor α* des Kollektors 8 mit einer kann, wobei alle so angeordnet sein können, daß sie breiteren P-Zone 14 darstellen. einzeln gleichen Abstand zu jedem Kollektor aufweisen,

Eine weitere Regelung des Punktes, an dem der obwohl die bezüglichen Abstände zu jedem Kollektor Überleiteffekt auftritt und die Auswahl des Kollektor- verschieden sein können, so daß eine Bevorzugung in kreises stattfindet, der leitend bleibt, wenn der Emitter- 4° gleicher Weise für jeden Emitter erreicht werden kann, strom vermindert wird, entsteht durch die Auswahl der In diesem Fall kann der Emitter ein Punktkontakt oder Impedanz des einzelnen Kollektorkreises oder durch die von irgendeiner anderen Art von Aussendekontakt-Auswahl der Spannung des einzelnen Kollektorkreises. emittern sein, so fern der Aussendewirkungsgrad derselbe Diese Regelungen können erfolgen, weil die Impedanz _und .. _{oder ßer} ^ J_ ^ _{fed der Ver}_ in dem Kollektorkreis die Neigung der Belastungslinie 45 ^{6 6} α*

bestimmt, die den Arbeitspunkt auf einer Kollektorkenn- Stärkungsfaktor des schwächsten Kollektors bedeutet. Da linie festlegt. Durch Änderung dieser Impedanz kann α* eines jeden Kollektors größer als 1 + δ sein muß, der Punkt, an dem Sättigung auftritt, geregelt werden, wobei b das Beweglichkeitsverhältnis der Elektronen zu weil sich die α-Werte mit der Kollektorspannung ändern. den Löchern in der N-Zone bedeutet, und da b gleich 2 Aus den obigen Ausführungen über die Regelungen folgt, 5° für Germanium ist, muß et* wenigstens gleich 3 und die

daß diese Mittel einzeln und auch in Kombination ver- . j · 1 j ■ ± * · tv

j , J₁-. j-xjTi. -117- 1 Aussendewirkungsgrade müssen wenigstens -,- sein. Die

wendet werden können, um die erforderlichen Wirkungen ^ö ° ° 3

zu erreichen. Kollektoren 8 und 9 sind mit dem negativen Pol der Damit das Überleiten stattfindet, soll zusätzlich zu Spannungsquelle, der Batterie 27, über die Belastungsder Forderung, daß sich alle Kollektoren innerhalb 55 impedanzen ungleicher Größe verbunden, die als Widerder Ausbreitungsstrecke für die mittleren Überschuß- stände 28 und 29 eingezeichnet sind. Die Ausgangsladungsträger bei der Ladungsträgerlebensdauer be- klemmen 30 und 31 bzw. 32 und 33 sind an den Widerfinden, der Abstand zwischen den Kollektoren folgender- ständen 28 und 29 vorgesehen; der Zweck der Widermaßen bemessen sein: Wenn der Durchmesser des stände wird später erläutert. Die Emittereingangsströme Kontaktes, der den Kollektor mit der N-Zone verbindet, 60 sind als positive Stromimpulse X und Y und als Übertrag wie es auch bei Schichtkontakten der Fall sein soll, dargestellt. Die Basisverbindung 6 ist geerdet, und der größer als die N-Zonenstärke ist, soll der Abstand der Kollektor 8 ist so ausgebildet, daß er für die Leitfähigkeit am nächsten beieinanderliegenden Teile der Kollektoren bevorzugt ist. Die Auswahl der Impedanzwerte in den in der Nähe der Stärke der N-Zone, aber vorzugsweise beiden Kollektorkreisen ist derart erfolgt, daß der Kreis größer als die Stärke der N-Zone sein. Wenn der Kollektor- 65 des Kollektors 8 bei einem bestimmten Wert des Einkontaktdurchmesser geringer als die Stärke der N-Zone gangsstromes und der Kollektor 9 bei einem etwa zweimal ist, wie es bei Punktkontakten der Fall sein wird, dann so großen Eingangsstrom, wie zur Sättigung des Kolsoll der Abstand der am nächsten beieinanderliegenden lektors 8 erforderlich ist, gesättigt ist.
Teile der Kollektoren größer als der Durchmesser der Der Ausdruck: »Vollständige Addierschaltungen«, soll Kollektorkontaktfläche sein. Der Abstand zwischen den 70 bei nur drei Eingängen gebraucht werden. Von den

beiden Ausgangsschaltungen ist die erste Ausgangsschaltung, die die Summenausgangsschaltung genannt werden soll, eingeschaltet, wenn sich genau ein oder drei Eingänge im Ein-Zustand befinden; sonst ist sie unterbrochen. Die zweite Ausgangsschaltung, die auch die Übertragungsschaltung genannt werden soll, ist eingeschaltet, wenn sich genau zwei oder drei der Eingänge im Ein-Zustand befinden; sonst ist dieser Ausgang abgeschaltet.

Eine Rechenschaltung führt eine vollständige binäre Addition durch, wenn sie Eingangsspannungen von zwei binären Zahlen und eine Übertragungseingangsspannung von einer vorhergehenden Stufe verarbeiten kann und wenn sie Summenzeichen oder Übertragszeichen oder beide als Ergebnis der durchgeführten Addition liefert. In der Schaltung nach Fig. 6 kann der Kollektor 8 als Summenkollektor und der Kollektor 9 kann als Übertragskollektor bezeichnet werden. Jedes Eingangszeichen kann zwei Zustände annehmen, den Null-Strom- und den Einer-Stromzustand. Der Zustand stellt eine binäre 0 bzw. die Ziffer 1 dar. Jeder Kollektor weist zwei Leitfähigkeitszustände auf, nämlich den niedrigen und vernachlässigbaren Leitfähigkeitszustand und den hohen Leitfähigkeitszustand. Der hohe Leitfähigkeitszustand dient dazu, eine binäre 1 zu bezeichnen oder das Vorhandensein eines Übertragszeichens für den zugehörigen Kollektor anzuzeigen. Eine binäre O-Summe wird durch den Nichtleitfähigkeitszustand des Summenkollektors angezeigt.

Beim Betrieb der Addierschaltung sind die auftretenden Zustände: das Vorhandensein oder das Nichtvorhandensein der binären Ziffern X und Y, die an die Eingangsklemmen 21 bzw. 22 in Verbindung mit dem Vorhandensein oder NichtVorhandensein einer binären Ziffer, die den Übertrag von einer vorhergehenden Stufe angibt und an der Eingangsklemme 23 auftritt, angelegt. Hierdurch können folgende, acht mögliche Zustände entstehen.

A. Der Zustand, bei dem X gleich 0, Y gleich 0 und der Übertrag gleich 0 ist. In diesem Fall ist das Ergebnis der Addition die Summe 0 und der Übertrag 0, da kein Emittereingangsstrom, der der Schaltung über die Klemmen 21, 22 oder 23 zugeführt ist, weder den Kreis des Kollektors 8 noch den des Kollektors 9 in einen höheren Leitfähigkeitszustand versetzt hat, so daß die Addition als Summe die binäre 0 und als Übertrag 0 ergibt.

B. Der Zustand, bei dem X gleich 1, Y gleich 0 und der Übertrag gleich 0 ist. Durch das Auftreten eines Eingangsstromimpulses an der Klemme 21 setzt eine hohe Leitfähigkeit in dem Kreis des anfangs begünstigten Kollektors 8 ein, so daß das Ergebnis der binären Addition von 1, 0 und 0 die Summe 1 und der Übertrag 0 ist.

C. Der Zustand, bei dem X gleich 1, Y gleich 1 und der Übertrag gleich 0 ist. Durch das x\uftreten eines Eingangsstromimpulses an den beiden X- und Y-Eingangsklemmen 21 und 22 setzt die Leitfähigkeit in dem Kreis des Summenkollektors 8 ein, wenn kein Überleiteffekt stattfindet und die Leitfähigkeit zu dem Kreis des Übertragskollektors 9 umschaltet. Dieses ist in der Fig. 2 bei der Leitfähigkeit Ie gleich 4 Milliampere dargestellt, in der die Kurve A den Summenkollektor und die Kurve B den Übertragskollektor darstellt. Daher ergeben sich bei der binären Addition von 1 und 0 die Summe 0 und der Übertrag 1.

D. Der Zustand, bei dem X gleich 1, Y gleich 1 und der Übertrag gleich 1 ist. Dieser Zustand ergibt drei Stiomzunahmen, wobei die Ströme in den Emitter über die Klemmen 21, 22 und 23 eingeführt werden.

Die erste Zunahme würde den Kreis des Kollektors 8 in eine hohe Leitfähigkeit steuern, und darauf würde, wenn der Emitterstrom weiter ansteigt, durch den Überleiteffekt die Leitfähigkeit auf den Kreis des Kollektors 9 umgeschaltet. Zu diesem Zeitpunkt wird durch einen weiteren Emitterstrom, da der Sättigungswert für den Kollektor 9 etwa zweimal so groß wie der Strom des Kollektors 9 durch die Änderung der Belastungsimpedanz 28 des Kollektorkreises gewählt worden ist, der Kreis des Kollektors 8 wieder leitend, wie auch der Kreis des Kollektors 9. Dieser Zustand ist in der Fig. 2, wobei Ie gleich 6 Milliampere ist, dargestellt; die Kurve .4 entspricht dem Kollektor 8 und die Kurve B dem Kollektor 9. Die binäre Addition von 1+1+1 ergibt somit die Summe 1 und den Übertrag 1.

E. Der Zustand, in dem X gleich 0, Y gleich 1 und der Übertrag gleich 0 ist, ist ein Doppel der Arbeitsweise der Addierschaltung nach dem Zustand B. Das Ergebnis ist somit die Summe 1 und der Übertrag 0.

F. Der Zustand, bei dem X gleich 0, Y gleich 1 und der Übertrag gleich 1 ist, ist ein Doppel des Zustandes C und ergibt somit die Summe 0 und den Übertrag 1.

G. Der Zustand, bei dem X gleich 0, Y gleich 1 und der Übertrag gleich 1 ist, ist ein Doppel des Zustandes B und ergibt somit die Summe 1 und den Übertrag 0.

H. Der Zustand, bei dem X gleich 1, Y gleich 0 und der Übertrag gleich 1 ist, ist gleich den Zuständen C undF. Diese Zustände sind in nachfolgender Tabelle noch einmal zusammengefaßt.

Tabelle I

	Eingang	γ	Übertrag	Ergebnis	Übertrag
Zustand		0	0	Summe	0
A	0	0	0	0	0
B	1	1	0	1	1
C	1	1	1	0	1
D	1	1	0	1	0
E	0	1	1	1	1
F	0	0	1	0	0
G	0	0	1	1	1
H	1		0

Diese oben beschriebene, vollständige Addierschaltung führt alle Additionen für eine vollständige binäre Addition durch; wegen des Verstärkungsfaktors α jedes Kollektors erfolgt außerdem eine Verstärkung. Zum leichteren Verständnis und um eine praktische Ausführung der Schaltung vornehmen zu können, ist die nachfolgende Liste der besonderen Schaltelemente und des Halbleiters für die volle Addition nach Fig. 6 aufgestellt. Sie dient nur zur Unterweisung, jedoch soll eine Beschränkung auf diese Werte nicht erfolgen.

Halbleiter-Kristall-Abmessung 0,5 mm aus Germanium

Stärke der N-Zone 2 0,02 mm

Stärke der P-Zone 3 0,003 mm

Spezifischer Widerstand
der N-Zone 2 5 Ohm/cm für Germanium

Spezifischer Widerstand

der P-Zone 3 0,01 Ohm/cm für Germanium

Durchmesser der Öffnung 7 0,075 mm

Kollektor 8 und 9 0,13 mm Durchmesser

des Phosphorbronzedrahtes mit einem Punktkontakt auf Zone 2 mit einem Durchmesser von 0,065 mm

809 580/427

Eingangsimpedanz 24 10 000 Ohm

Eingangsimpedanz 25 10 000 Ohm

Eingangsimpedanz 26 10 000 Ohm

Batterie 27 - 16,5 Volt

Belastung 28 2000 0hm

Belastung 29 ICKX) Ohm

Eingangszeichen + 20 Volt mit 2 Milliampere Eingangsstrom

Das oben angeführte Ausführungsbeispiel liefert Ausgangskennlinien, wie sie in Fig. 2 dargestellt sind, in der die Kurve A dem Kollektor 8 und die Kurve B dem Kollektor 9 entspricht.

Der Aufbau gemäß der Erfindung mit einer zwei Kollektoren enthaltenden Anordnung kann leichter verstanden werden, wenn eingehend mehrere Funktionen der Rechenschaltung betrachtet werden, die unter Verwendung dieses Ausführungsbeispieles gewonnen weiden können.

Wenn man zwei der drei Eingänge für die Schaltung nach Fig. 6 als Stromquellen der Rechenzeichen und den dritten Eingang als eine Zeichenquelle betrachtet, die die gewünschte Rechenfunktion bestimmt, dann kann diese Schaltung Rechenfunktionen von »UND«-, »ODER«-, »NUR-ODER«- und »WENN-UND-NUR-WENN«- Schaltungen durchführen. Im folgenden werden als Rechenausgangsspannungen nur die Zeichen betrachtet, die auftreten, nachdem der schnelle Vorläuferimpuls abgeklungen ist.

Bei der »UND «-Schaltung soll ein Zeichen nur auftreten, wenn X und auch Y vorhanden sind.

Die »UND «-Tätigkeit wird durch die Schaltung nach Fig. 6 dadurch ausgeübt, daß an der einen Eingangsklemme ein Zeichen liegt, das die Rechentätigkeit bestimmen soll, die von der Schaltung verlangt wird, und dadurch, daß die beiden zu vergleichenden Zeichen an die beiden übrigen Eingangsklemmen angelegt werden. In der Fig. 6 wird das Einführen eines O-Eingangsstromzeichens an der einen Klemme, z. B. an der Klemme 23, einen Rechenvergleich der Zeichen zulassen, die den Klemmen 21 und 22 zugeführt sind. Das Ergebnis eines ,»UND«-Rechenvergleiches wird am Kollektor 9 auftreten.

Wenn an der Klemme 23 ein O-Eingangsstrom auftritt, gibt es vier mögliche Zustände, Zeichen und kein Zeichen, die durch eine 1 oder durch eine 0 gekennzeichnet sind. Diese vier Zustände sind folgende:

A. Dieses ist der Zustand, bei dem X gleich 1 und Y gleich 1 ist, d. h., ein Zeichen tritt an beiden Eingangsklemmen auf. Das erste Anwachsen des Eingangsstromes würde den Kreis des Kollektors 8 leitend machen, wenn nicht der Überleiteffekt, da der Emitter den Kollektor 8 in das Sättigungsgebiet steuert, einsetzt und die Leitfähigkeit zum Kollektor9 überwechselt, wie es in Fig. 2 bei Je gleich 4 Milliampere dargestellt ist. Daher wird die Leitfähigkeit im Kreis des Kollektors 9 durch ein Zeichen bei X und ein Zeichen bei Y angezeigt.

B. Dieses ist ein Zustand, bei dem X gleich 1 und Y gleich 0 ist. Da nur ein einziges Anwachsen des Emitterstromes auftritt, leitet nur der Kreis des Kollektors 8, und kein Zeichen erscheint am Kollektor 9.

C. Dies ist ein Zustand, bei dem X gleich 0 und Y gleich 1 ist. Auch in diesem Fall empfängt die Schaltung nur eine einzige Zunahme des Emitterstromes. Der Kollektor empfängt keinen zum Leiten hinreichenden Srom.

D. Dies ist ein Zustand, bei dem X gleich 0 und Y gleich 0 ist. In diesem Fall fließt überhaupt kein Emittereingangsstrom, und der Kreis des Kollektors9 leitet nicht.

Beim Prüfen dieser Zustände sieht man, daß der Kreis des Kollektors 9 nur leitet, wenn X- und Y-Zeichen vorhanden sind; keine Leitfähigkeit findet bei irgendeinem anderen Zeichenzustand statt.

Unter den gleichen Bedingungen zeigt der Kollektor 8 das Rechnen der »NUR-ODER «-Schaltung zu der Zeit an, in der der Kollektor 9 das Rechnen der »UND-Schaltung anzeigt. Bei der »NUR-ODER«-Tätigkeit soll ein Zeichen auftreten, wenn nur X oder Y, aber nicht beide vorhanden sind. Kein Zeichen soll auftreten, wenn X und auch Y oder wenn weder X noch Y vorhanden ist.

Wenn man die oben angeführten Zustände bezüglich des Kollektors 8 betrachtet, so ergibt sich folgendes:

A. Wenn X gleich 1 und Y gleich 1 ist, wird der Kreis des Kollektors 9 leitend, und infolge der Überleitwirkung wird der Kreis des Kollektors 8 abgeschaltet, da kein Zeichen entsteht, wenn X und auch Y auftreten.

B. Wenn X gleich 1 und Y gleich 0 ist, findet nur eine einzige Zunahme des Emitterstromes statt, und der Kreis des Kollektors 8 leitet, wodurch angezeigt wird, daß X oder Y, aber nicht beide vorhanden sind.

C. Wenn X gleich 0 und Y gleich 1 ist, wird wieder durch eine einzige Zunahme des Emitterstromes der Kreis des Kollektors 8 leitend, wodurch angezeigt wird, daß X oder Y, aber nicht beide vorhanden sind.

D. Wenn X gleich 0 und Y gleich 0 ist, wird kein Emitterstrom eingeführt, und keine Leitfähigkeit findet in einem der Kollektorkreise statt. Daher setzt, wenn weder ein X-Impuls noch ein Y-Impuls vorhanden ist, keine Leitfähigkeit in dem Kreis des Kollektors 8 ein.

Die Fähigkeit dieser Anordnung, zwei verwickelte Rechentätigkeiten gleichzeitig durchzuführen, kann im einzelnen aus der folgenden Tabelle entnommen werden.

Tabelle II

Zustand

A
B
C
D

Eingang	Y	Rechen
	1	funktions
X	0	auswahl
1		0
1	0	0
0	0
0	0

»NUR-

ODER.<-

Kollektor 8

0
1
1
0

»UND<Ko'lektor 9

1
0
0
0

Ein vollständig verschiedener Satz von Rechentätigkeiten kann gleichzeitig mit dieser Anordnung durch Verändern des Zeichens bearbeitet werden, das an die eine Eingangsklemme gelegt ist, um die Rechenfunktionsauswahl zu treffen. Wenn ein einziges Anwachsen des Stromes dauernd einer Klemme in der Schaltung nach Fig. 6, z. B. der Klemme 23, zugeführt ist, werden die Rechentätigkeiten der »ODER«- und »WENN-UND-NUR-WENN «-Schaltungen durchgeführt.

Bei dem Rechnen der »ODER«-Schaltung soll ein Zeichen auftreten, wenn ein X- oder Y-Impuls oder beide Impulse vorhanden sind. Bei einer einzigen Zunahme des Eingangsimpulses, der dauernd angelegt ist, wird das Ergebnis des Vergleiches in der »ODER«-Schaltung als Leitfähigkeit im Kreis des Kollektors 9 auftreten. Wenn man wiederum die vier möglichen Zustände A, B, C und D prüft, ergibt sich:

A. In diesem Fall ist X gleich 1, und Y ist gleich 1. Da schon eine einzige Zunahme des Stromes vorhanden ist, wird der Kreis des Kollektors 8 leitend, und die gesamten drei Zunahmen infolge der gleichzeitigen Zunahmen durch X und Y und der Zunahme durch die Funktionsauswahl, die den Kollektor 8 über den Abschaltpunkt steuert, schalten den Kreis des Kollektors 9 ein, steuern ihn über den Abschaltpunkt und

schalten dann den Kreis des Kollektors 8 wieder ein, so daß sich beide Kollektorkreise im Ein-Zustand befinden. Dieses ist in Fig. 2 bei einem Strom Ie gleich 6 Milliampere dargestellt. Daher wird durch die Leitfähigkeit in dem Kreis des Kollektors 9 das Auftreten von Zeichen bei X und Y angezeigt.

B. In diesem Fall ist X gleich 1, und Y ist gleich 0. Es ergeben sich zwei Zunahmen des Emitterstromes, wodurch infolge des Überleiteffektes der Kreis des Kollektors 8 abgeschaltet wird und der Kreis des Kollektors 9 eingeschaltet wird.

C. In diesem Fall ist X gleich 0, und Y ist gleich 1. Es treten zwei Stromzunahmen auf, und der Kreis des Kollektors 9 leitet.

D. In diesem Fall ist X gleich 0, rmd Y ist gleich 0; es ergibts ich kein Strom, um die Leitfähigkeit zum Kreis des Kollektors 9 umzuschalten, so daß kein Zeichen am Kollektor 9 erscheint, der kein Zeichen bei X oder Y anzeigt.

Unter diesen oben beschriebenen Zuständen, bei denen der Kollektor 9 die -ODER «-Rechentätigkeit anzeigt, zeigt der Kollektor 8 gleichzeitig die »WENN-UND-NUR-WENN«-Tätigkeit an. Bei der »WENN-UND-NUR-WENN «-Tätigkeit soll ein Zeichen nur auftreten, wenn und nur wenn X- und Y-Impulse vorhanden oder beide Impulse nicht vorhanden sind.

A. X ist gleich 1, und Y ist gleich 1. Dieser Zustand stellt drei Zunahmen des Eingangsstromes dar, und beide Kollektorkreise leiten. Am Kollektor 8 zeigt ein Zeichen das Auftreten von X und Y an.

B. X ist gleich 1, und Y ist gleich 0. Dieser Zustand stellt zwei Zunahmen des Eingangsstromes dar, und nur der Kreis des Kollektors 9 leitet. Indessen zeigt der Kollektor 8 kein Zeichen an.

C. X ist gleich 0, und Y ist gleich 1. Dieser Zustand gleicht der Arbeitsweise des Zustandes B. Der Kreis des Kollektors 8 leitet nicht.

D. X ist gleich 0, und Y ist gleich 0. Dieser Zustand läßt nur eine einzige Stromzunahme zu, der die Leitfähigkeit im Kreis des Kollektors 8 einstellt, wodurch das Nichtvorhandensein von X- und Y-Impulsen angezeigt wird.

Die folgende Tabelle stellt die gleichzeitige Durchführung der «ODER«-und »WENN-UND-NUR-WENN«- Rechentätigkeiten durch die Schaltung nach Fig. 6 dar.

Tabelle III

Zustand	Eingang	Y	Rechen funktions
	X	1	auswahl
A	1	0	1
B	1	1	1
C	0	0	1
D	0	1

»WENN-UND-NUR-

WENN «- Kollektor 8

1 0 0 1

»ODER« Kollektor 9

1 1 1 0

55

Bei der Regelung des Punktes, bei dem eine Sättigung eines einzelnen Kollektors auftritt, können zwei weitere Rechentätigkeiten, nämlich die >>WEDER-NOCH«- und »NICHT-BEIDEÄ-Tätigkeiten durchgeführt werden. Die Regelung über den Punkt, bei dem Sättigung erfolgt, kann, wie bereits ausgeführt worden ist, durch Ändern der Belastungswiderstände in den einzelnen Kollektorkreisen erreicht werden.

Bei der Tätigkeit »WEDER NOCH« soll ein Zeichen nur auftreten, wenn weder X noch Y vorhanden ist. Zur Durchführung wird der Belastungswiderstand des Kollektors 9 erniedrigt, und ein Funktionsauswahlzeichen wird an die eine Klemme angelegt. Hierdurch fließt ein größerer Eingangsstrom, bevor Sättigung einsetzt, so daß, nachdem zwei Eingangsstromzunahmen erfolgt sind, eine weitere dritte Zunahme vom Kollektor 9 aufgenommen wird; der Kreis des Kollektors 8 wird nicht wieder eingeschaltet. Unter diesen Bedingungen wird der Kollektor 8 das Ergebnis des Rechenvergleiches wiedergeben.

A. X ist gleich 1, und Y ist gleich 1. Bei einer einzigen Zunahme des Emitterstromes, die bereits als Funktionsauswahlzeichen zugeführt ist, sind durch das Einführen der beiden Stromzunahmen insgesamt drei Stromzunahmen erfolgt, die die Leitfähigkeit in beiden Kollektorenkreisen hervorrufen könnten; da sich jedoch der Sättigungspunkt des Kollektors 9 geändert hat, erreicht dieser Kollektor nicht die Sättigung, selbst wenn drei Stromzunahmen erfolgen, so daß der Kreis des Kollektors 8 abgeschaltet bleibt.

B. X ist gleich 1, und Y ist gleich 0. Hierbei treten zwei Stromzunahmen auf; die Leitfähigkeit findet im Kreis des Kollektors 9 statt; der Kreis des Kollektors 8 bleibt abgeschaltet.

C. X ist gleich 0, und Y ist gleich 1. In diesem Fall ist die Arbeitsweise die gleiche wie beim Zustand B.

D. X ist gleich 0, und Y ist gleich 0. In diesem Fall erfolgt die einzige Stromzunahme durch das Rechenzeichen, das die Leitfähigkeit in dem Kreis des Kollektors 8 veranlaßt, der das Nichtvorhandensein eines X- oder Y-Impulses anzeigt.

Diese Zustände sind klarer aus der nachfolgenden Tabelle zu entnehmen.

Tabelle IV

	Eingang	X	Y	Rechen-	»WEDER-
Zustand		1	1	funktions-	NOCH «-
	1	0	auswahl	Kollektor 8
A	0	1	1	0
B	0	0	1	0
C	1	0
D	1	1

Die »NICHT-BEIDE «-Tätigkeit wird durch die Schaltung nach Fig. 6 ausgeführt, wenn ein Funktionsauswahlzeichen 1 angelegt ist und der Belastungswiderstand des Kollektors 8 erniedrigt ist, so daß Sättigung in dem bevorzugten Kollektor bei einem einzigen Anwachsen nicht erfolgt. Es ist mehr als eine Stromzunahme erforderlich. Da die Schaltung so eingestellt ist, daß der Kollektor nicht überleitet, bis eine vollständige Zunahmeeinheit des Eingangsstromes ihn erreicht, wird eine Überleitung vom Kollektor 8 nicht erfolgen, bis drei Einheiten des Eingangsstromes ausgesendet sind. Unter diesen Umständen gibt die Leitfähigkeit in dem Kreis des Kollektors 8 das Ergebnis des Rechenvergleiches wieder. Bei der yNICHT-BEIDE«-Tätigkeit soll ein Zeichen auftreten, wenn X oder Y oder keins von beiden vorhanden ist, aber kein Zeichen soll erscheinen, wenn beide vorhanden sind.

A. X ist gleich 1, und Y ist gleich 1. Hierbei treten drei Stromzunahmen auf, die genügen, um die Leitfähigkeit zum Kreis des Kollektors 9 umzuschalten, so daß beim Auftreten beider Eingangszeichen der Kreis des Kollektors 8 kein Zeichen anzeigt.

B. X ist gleich 1, und Y ist gleich 0. Beim Vorhandensein zweier Stromzunahmen, die nicht zum Umschalten ausreichen, ist der Kreis des Kollektors 8 leitend.

C. X ist gleich 0, und Y ist gleich 0. Dieser Zustand ist derselbe wie im Fall B.

D. X ist gleich 0, und Y ist gleich 0. In diesem Fall mit einer einzigen Stromzunahme ist der Kreis des Kollektors 8 leitend.

Diese Zustände sind in der folgenden Tabelle zusammengefaßt.

Tabelle V Tabelle VII

	Eingang	X	Y	Rechen	»NICHT-
Zustand		1 ^;	1	funktions	BEIDE .<-
	1 ^;	0	auswahl	Kollektor 8
A	ο ;	1	1	0
B	ο I	0	1	1
C		1	1
D		1	1

IO

	Eingang	Y	Rechen
Zustand		0	funktions
	X	0	auswahl
A	0	1	0
B		1	0
C	0	0
D	1	0

Ausgang

X- oder Y- X- und Y-Kollektor 8 Kollektor 9

0 1 1 1

0 0 0

Eine weitere Rechentätigkeit kann durch die Schaltung ¹S nach Fig. 6 durchgeführt werden, indem das Auftreten eines einzigen Zeichens verwendet wird. Bei der "NICHT«- Tätigkeit soll ein Zeichen auftreten, wenn kein X-Impuls vorhanden ist, und kein Zeichen soll auftreten, wenn ein Z-Impuls vorhanden ist. Zur Durchführung dieser z° Tätigkeit sind die Schaltkreisbedingungen dieselben, wie für die Gruppe der yUND«-, ->0DER«- usw. Rechentätigkeiten mit der Ausnahme, daß ein gleichmäßiges Zeichen an einer der drei Eingangsklemmen liegt und ein ständiger O-Zustand an einer weiteren der drei Eingangsklemmen vorgesehen ist. Unter diesen Umständen wird die Leitfähigkeit im Kreis des Kollektors 8 den »NICHT«- Zustand wiedergeben. Bei dieser Tätigkeit gibt es zwei Zustände.

A. X ist gleich 1. Da nur eine einzige Stromzunahme vorhanden ist, setzt durch die zweite das Überleiten ein, wodurch die Leitfähigkeit zum Kreis des Kollektors 9 umgeschaltet wird. Bei X gleich 1 zeigt daher der Kollektor 8 kein Zeichen an.

B. X ist gleich 0. Da eine einzige Stromzunahme vorhanden ist und keine weitere Stromzunahme erfolgt, bleibt die Leitfähigkeit im Kreis des Kollektors 8 erhalten, was aus der folgenden Tabelle zu ersehen ist.

TabeUe VI

Zustand

Eingang
X Y

1
0

0 0

Rechenfunktions
auswahl

»KEIN-X--Kollektor 8

X-

Kollektor 9

1
0

40

45

Wie aus den oben angeführten Beispielen zu ersehen ist, ist eine große Mannigfaltigkeit von Rechenschaltungsbetätigungen durch Verändern des Punktes, bei dem Sättigung in einem einzelnen Kollektor auftritt, oder durch Änderungen der Größe des Anwachsens des einzelnen Eingangsstromes möglich. Das Verfahren, eine Regelung des Punktes durchzuführen, bei der ein Umschalten stattfindet, läßt sich in der Schaltung auf drei verschiedene Weisen durchführen. Diese sind die Änderung des Eingangsimpulses oder seiner zugehörigen Eingangsimpedanz, die Änderung der Parameter des Transistors, wie Verstärkungsfaktor usw., und die Änderung des einzelnen Belastungskreises der Kollektoren. Die Änderung eines dieser oder eine kombinierte Änderung von ihnen, um Rechenschaltungsmöglichkeiten gemäß der Erfindung zu erhalten, sind in der Beschreibung erläutert worden.

Ein weiteres Beispiel hierfür ist, die "UND*- und die »ODER«-Tätigkeiten gleichzeitig zu erreichen. Dies erfolgt dadurch, daß die Belastungswiderstände 28 und 29 gleich gewählt sind. Aus der folgenden Tabelle sind die Werte zu entnehmen.

A. X und Y sind beide gleich 0. Beide Kollektoren befinden sich in ihrem Aus-Zustand.

B. X ist gleich 1, und Y ist gleich 0. Der Kollektor 8 wird gerade bis zur Sättigung gesteuert. Der Kreis des Kollektors 8 ist dann vollständig eingeschaltet, und der Kreis des Kollektors 9 ist ausgeschaltet.

C. X ist gleich 0, und Y ist gleich 1. Die gleichen Eingangszustände bestehen wie im Zustand B, d. h., bei einer einzigen Zunahme des Eingangsstromes, wie im Zustand B, ist der Kreis des Kollektors 8 eingeschaltet, und der Kreis des Kollektors 9 ist ausgeschaltet.

D. X ist gleich 1, und Y ist gleich 1. Der Kollektor 8 schaltet in den Ein-Zustand, und der zusätzliche Stromanteil des Eingangsstromes fließt zum Kreis des Kollektors 9 über und füllt diesen bis zur Sättigung. Ein Überleiten kann nicht stattfinden, da der Eingangsstrom gerade groß genug ist, um beide Kollektoren in den Sättigungszustand zu bringen.

Die Schaltung nach Fig. 6 mit geringfügigen Abänderungen kann dazu dienen, als eine Gedächtnisanordnung und als ein Zähler mit zwei Stufen verwendet zu werden. Die erforderlichen Abänderungen zum Bilden eines Gedächtnisses bestehen in einer Verbindung von Kollektor 8 an der Klemme 31 mit einer der Emitter-Eingangsklemmen, z. B. mit der Klemme 21, und in der Einstellung des Belastungswiderstandes am Kollektor 8, so daß sein Umschalten bei drei Stromzunahmen erfolgt. Dies ist wesentlich, weil der Kollektor 8 beim Einschalten eine Zunahme des Stromes zum Emitter bei der Spitze des Eingangsimpulses liefert. Bei dieser Anordnung wird, wenn eine Zunahme des Eingangsimpulses einer zweiten Eingangsklemme, z. B. der Klemme 22, zugeführt wird, der Kreis des begünstigten Kollektors 8 leitend und infolge der Rückkopplung, die durch die Verbindung der Ausgangsklemme mit der Eingangsklemme entsteht, hält die Leitfähigkeit an, selbst wenn der Eingangsimpuls abgeklungen ist. Somit ist die Angabe gespeichert, bis sie entnommen oder gelöscht wird. Die Entnahme kann, wenn hierdurch nicht gleichzeitig ein Löschen auftritt, so oft, wie gewünscht, durch Abtasten der Leitfähigkeit in dem Kreis des Kollektors 8 an den Klemmen 30 und 31 erfolgen. Die Entnahme der Angabe kann ferner auch mit deren gleichzeitigem Löschen durch Anlegen einer Zunahme des Eingangsstromes an den Emitter mit hinreichender Größe erfolgen, um ein Umschalten an einer der beiden Eingangsklemmen zu veranlassen. Diese Zunahme des Stromes verbunden mit der durch die Rückkopplung hervorgerufenen Zunahme infolge der gespeicherten Angabe steuert den Kollektor 8 über die Sättigung hinaus. Das Überleiten schaltet den Kreis des Kollektors 8 ab und leitet die Leitfähigkeit zu dem Kreis des Kollektors 9 über, wo die Leitfähigkeit als ein Entnahmezeichen abgetastet wird. Am Ende des Entnahmeimpulses ist der Kreis des Kollektors 8 abgeschaltet, und keine Rückkopplung ist vorhanden; die gesamte Leitfähigkeit in beiden Kollektorkreisen ist verschwunden. Das Löschen wird unmittelbar durch

Anlegen eines negativen Eingangsimpulses an den Emitter über eine der Emittereingangsklemmen erreicht. Dieser Impuls überwindet die Rückkopplung infolge der gespeicherten Angabe und unterdrückt die Leitfähigkeit. Das Löschen kann auch unmittelbar durch Anlegen eines hinreichend großen Eingangsimpulses an den Emitter erfolgen, wodurch ein Umschalten und Unterbrechen der Rückkopplung veranlaßt wird, wie es in Verbindung mit der Löschentnahme beschrieben worden ist. Eine zweite Art von regelbaren Gedächtnissen wird dadurch erzielt, daß der Emitterstrom dann vermindert wird, wenn die Leitfähigkeit in dem zweiten Kollektorkreis hergestellt ist; die Leitfähigkeit in diesem zweiten Kollektorkreis bleibt erhalten. Die Schaltung nach Fig. 6 behält, wenn sie von einer gleichmäßigen Zunahme des *5 Eingangsstromes gespeist wird und wenn sie so gebaut ist, daß die Kollektoren 8 und 9 entsprechend den Kurven B bzw. C nach der Fig. 4 ausgebildet sind, das Auftreten eines Eingangsimpulses im Gedächtnis. Die gleichmäßige Zunahme schaltet den Kreis des Kollek- ao tors 8 ein, und der im Gedächtnis behaltene Impuls schaltet die Leitfähigkeit zum Kreis des Kollektors 9 um, wo er durch die dauernde Leitfähigkeit des Kollektors 9, nachdem der Impuls abgeschaltet ist und bei keiner Leitfähigkeit des Kreises des Kollektors 8 bestehenbleibt. Daher gibt es zwei Anzeigevorrichtungen für das Gedächtnis, nämlich die Kollektoren 8 und 9. Das Löschen wird durch Abschalten des gleichmäßig zunehmenden Stromes augenblicklich erreicht. Es soll bemerkt werden, daß durch diese positive Rückkopplung, wie es schon für das Gedächtnis beschrieben ist, diese Schaltung bei bestimmten Parameterwerten das Auftreten eines negativen Widerstandes ermöglichen kann, der z. B. bei Schwingungserzeugern verwendet werden kann.

In gleicher Weise, wie es schon bei der oben beschriebenen Löschentnahme der Fall ist, wird ein Ausgangszeichen am Kreis des Kollektors 9 für jeden anderen Eingangsimpuls empfangen. Hierdurch entsteht ein zweistufiger Zähler. Dieser besondere Zähler ist jedoch nur als Beispiel angeführt. Bei Verwendung des Aufbaues gemäß der Erfindung, nämlich bei einem Aufbau einer Halbleiteranordnung mit mehreren Kollektoren und mit einem solchen Abstand zwischen den Elektroden, daß die Leitfähigkeit von einem vorbestimmten ersten KoI-lektorkreis auf einen nachfolgenden Kollektorkreis bei Anwachsen des Emitterstromes umschaltet, kann diese Schaltung auch derart abgeändert werden, daß sie auch für verwickeitere Zähler mit mehr als zwei Stufen verwendet werden kann.

Claims

Patentansprüche:

1. Schalttransistor mit wenigstens zwei Kollektorelektroden, dadurch gekennzeichnet, daß die Kollektorelektroden (8, 9) auf einer Seite eines Halbleiterkörpers angebracht und von der Basiselektrode (6) umgeben sind, daß auf der anderen Seite des Halbleiterkörpers eine flächenhafte Emitterelektrode gegenüber den Kollektorelektroden (8,9) angebracht ist und daß die eine Kollektorelektrode derart ausgebildet oder angeordnet ist, daß die Leitung zunächst in diesem Kollektorkreis einsetzt und bei zunehmendem Emitterstrom bei einem bestimmten Wert der zweite Kollektorkreis die Leitung übernimmt.

2. Schalttransistor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper zwei Zonen (2, 3) verschiedenen Leitfähigkeitstyps enthält, von denen die an der Basiselektrode (6) anliegende Zone (2) eine Dicke hat, die innerhalb der mittleren Diffusionslänge der Überschußladungsträger liegt, während die andere über die flächenhafte Emitterelektrode ausgebreitete Halbleiterzone (3) so dünn gemacht ist, daß sie durchgehend und praktisch an allen Stellen das Potential der Emitterelektrode (5) annimmt.

3. Schalttransistor nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Verhältnis der spezifischen Widerstände beider Halbleiterzonen (2, 3) wenigstens 5:1 ist.

4. Schalttransistor nach den Ansprüchen 2 und 3, dadurch gekennzeichnet, daß nur ein beschränkter Teil (11) des P-N-Überganges (4), den die beiden Halbleiterzonen (2, 3) bilden, wirksam ist.

5. Schalttransistor nach den Ansprüchen 2 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß der von den beiden Halbleiterzonen (2,3) unterschiedlichen Leitfähigkeitstyps gebildete P-N-Übergang (4) gegen die in die Basiselektrode (6) gelegte Ebene bzw. in die Halbleiteroberfläche auf der Kollektorseite gelegte Ebene geneigt ist, so daß die Kollektor-Emitter-Abstände bei beiden Kollektoren (8,9 in Fig. 3) verschieden sind.

6. Schalttransistor nach den Ansprüchen 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die von der Basiselektrode (6) umgebenen Kollektorelektroden Punktkontaktkollektoren mit hohem Alphafaktor sind.

7. Schalttransistor nach den Ansprüchen 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die von der Basiselektrode (6) umgebenen Kollektorelektroden P-N-Hook-Kollektoren sind.

8. Schalttransistor nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß der von den beiden Halbleiterzonen (2, 3) unterschiedlichen Leitfähigkeitstyps gebildete emittierende P-N-Übergang (4) und die Hook-Kollektorübergänge (13) in verschiedenen, leicht gegeneinander geneigten Ebenen liegen.

9. Schalttransistor nach den Ansprüchen 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß der zweite Kollektorkreis die Leitung übernimmt, sobald bei zunehmendem Emitterstrom der Sättigungswert erreicht ist.

10. Schalttransistor nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Leitung des zweiten Kollektorkreises auch dann erhalten bleibt, wenn der Emitterstrom wieder abnimmt.

11. Schalttransistor nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Leitung des zweiten Kollektorkreises wieder auf den ersten Kollektorkreis zurückspringt, wenn der Emitterstrom wieder abnimmt.

12. Schalttransistor nach den Ansprüchen 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß die Verstärkungsfaktoren der Kollektoren mit dem Emitterstrom änderbar sind.

13. Schalttransistor nach den Ansprüchen 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß die Durchlaufzeiten der Minoritätsladungsträger durch starke innere elektrische Felder verkürzt sind.

14. Schalttransistor nach den Ansprüchen 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß die an einer festen Spannung liegenden Kollektoren dicht beieinander liegen und der Emitter vorgespannt ist.

15. Schalttransistor nach den Ansprüchen 9 bis 14, dadurch gekennzeichnet, daß bei der Einführung eines stärkeren Eingangsimpulses vor dem Leitungsübergang vom ersten auf den zweiten Kollektorkreis im ersten Kollektorkreis ein kurzer Vorlaufimpuls entsteht.

16. Schalttransistor nach den Ansprüchen 1 bis 15, dadurch gekennzeichnet, daß der Einsatzpunkt für

809 980/427

den Übergang der Leitung von dem einen Kollektorkreis auf den anderen Kollektorkreis durch die Höhe der Belastung einstellbar ist.

17. Schalttransistor nach den Ansprüchen 1 bis 16, dadurch gekennzeichnet, daß der Einsatzpunkt für den Übergang der Leitung von dem einen auf den anderen Kollektorkreis durch die Größe der Kollektorspannungen einstellbar ist.

18. Die Verwendung des Transistors nach den Ansprüchen 1 bis 17 für logische Schaltungen.

19. Die Verwendung des Transistors nach den Ansprüchen 1 bis 17 zur unmittelbaren Speisung von Relais.

20. Anordnung nach den Ansprüchen 18 und 19, dadurch gekennzeichnet, daß der Transistor in einer binären Addierschaltung benutzt ist.

21. Anordnung nach den Ansprüchen 18 bis 20, dadurch gekennzeichnet, daß die Schaltung als •»UND4-Schaltung arbeitet und das Ergebnis des durch die »UND«-Schaltung durchgeführten Vergleichs von dem einen Kollektor (9) abgenommen werden kann, wenn über den Funktionseingang (23) kein Strom zugeführt ist.

22. Anordnung nach Anspruch 21, dadurch gekennzeichnet, daß die Schaltung unter denselben Betriebsbedingungen als ?NUR-ODER«-Schaltung arbeitet und das Ergebnis dieses Vergleichs an dem anderen Kollektor (8) abgenommen werden kann.

23. Anordnung nach den Ansprüchen 18 bis 20, dadurch gekennzeichnet, daß die Schaltung als »ODER«-Schaltung arbeitet und das Ergebnis des durch die »ODER«-Schaltung durchgeführten Vergleichs an dem einen Kollektor (9) abgenommen werden kann, wenn über den Funktionseingang (23) ein Strom zugeführt ist.

24. Schaltung nach Anspruch 23, dadurch gekennzeichnet, daß die Schaltung unter denselben Betriebsbedingungen als .»WENN-UND-NUR-WENN «- Schaltung arbeitet und das Ergebnis dieses Vergleichs an dem anderen Kollektor (8) abgenommen wird.

25. Anordnung nach den Ansprüchen 18 bis 20, dadurch gekennzeichnet, daß zum Betrieb der Schaltung als *WEDER-NOCH«- bzw. als »NICHT-BEIDE «-Schaltung über die Funktionseingangsklemme (23) ein Strom zugeführt ist und durch Ändern des Belastungswiderstandes in dem Kreis des Kollektors (9 bzw. 8) das Ergebnis an dem Kollektor (8) abgelesen werden kann.

26. Anordnung nach den Ansprüchen 18 bis 20, dadurch gekennzeichnet, daß beim Betrieb der Schaltung als -NICHT«-Schaltung an den die Tätigkeit der Schaltung bestimmenden Eingang (23) ein gleichmäßiges Zeichen angelegt ist und einer der anderen Eingangsklemmen die zu vergleichende Stromgröße zugeführt ist.'

27. Anordnung nach den Ansprüchen 18 bis 20, dadurch gekennzeichnet, daß die Schaltung gleichzeitig als -»UND «-Schaltung und als «ODER-Schaltung betrieben wird, indem die Belastungswiderstände (28,29) den gleichen Wert aufweisen, und daß das Ergebnis des Vergleichs aus den Werten an beiden Kollektoren (8, 9) zu ersehen ist.

28. Anordnung nach den Ansprüchen 18 bis 20, dadurch gekennzeichnet, daß der eine Kollektor (8) mit einer Eingangsklemme (21) verbunden und der Belastungswiderstand (29) dieses Kollektors (8) so gewählt ist, daß sein Umschalten bei drei Stromzunahmen erfolgt, und die Schaltung als Speicher arbeitet.

29. Anordnung nach Anspruch 28, dadurch gekennzeichnet, daß die gespeicherte Angabe durch Abtasten des einen Kollektors (8), falls nicht ein gleichzeitiges Löschen der Angaben erfolgen soll, entnommen wird, und daß das Abtasten der Angabe mit gleichzeitigem Löschen durch Anlegen eines hinreichenden Stromes an dem Emitter erfolgt und der gespeicherte Wert an dem anderen Kollektor (9) abgenommen wird.

30. Anordnung nach Anspruch 28, dadurch gekennzeichnet, daß die gespeicherte Information durch Einführung eines negativen Eingangsimpulses löschbar ist.

In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsche Patentschrift Nr. 890 847;
deutsche Patentanmeldungen N 83 75 VIIIc / 21 g
(bekanntgemacht am 24. 3.1955);
L12 996 VIIIc / 21g (bekanntgemacht am 11.2.1954); französische Patentschrift Nr. 1 074 866.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen