DE1050327B - - Google Patents
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- DE1050327B DE1050327B DENDAT1050327D DE1050327DA DE1050327B DE 1050327 B DE1050327 B DE 1050327B DE NDAT1050327 D DENDAT1050327 D DE NDAT1050327D DE 1050327D A DE1050327D A DE 1050327DA DE 1050327 B DE1050327 B DE 1050327B
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- aluminum sulfate
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- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 13
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 4
- DIZPMCHEQGEION-UHFFFAOYSA-H aluminium sulfate (anhydrous) Chemical compound [Al+3].[Al+3].[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O DIZPMCHEQGEION-UHFFFAOYSA-H 0.000 claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 3
- CDOBGXTYYCPFLM-UHFFFAOYSA-K aluminum;carbamimidoylazanium;disulfate;hexahydrate Chemical compound O.O.O.O.O.O.[Al+3].NC([NH3+])=N.[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O CDOBGXTYYCPFLM-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims 1
- FJFIWQQXGYFDJS-UHFFFAOYSA-H dialuminum guanidine trisulfate hexahydrate Chemical compound O.O.O.O.O.O.S(=O)(=O)([O-])[O-].[Al+3].NC(=N)N.S(=O)(=O)([O-])[O-].S(=O)(=O)([O-])[O-].[Al+3] FJFIWQQXGYFDJS-UHFFFAOYSA-H 0.000 claims 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims 1
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 2
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- JQOREDBDOLZSJY-UHFFFAOYSA-H bis(2,2-dioxo-1,3,2,4-dioxathialumetan-4-yl) sulfate hexahydrate Chemical compound O.O.O.O.O.O.[Al+3].[Al+3].[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O JQOREDBDOLZSJY-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G7/00—Capacitors in which the capacitance is varied by non-mechanical means; Processes of their manufacture
- H01G7/02—Electrets, i.e. having a permanently-polarised dielectric
- H01G7/021—Electrets, i.e. having a permanently-polarised dielectric having an organic dielectric
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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Description
Anmelder:
Siemens & Halske Aktiengesellschaft,. * Berlin und München, München 2,1Wittelsbacherplatz 2 . y|
Siemens & Halske Aktiengesellschaft,. * Berlin und München, München 2,1Wittelsbacherplatz 2 . y|
Dipl.-Phys. öerhard Langbein, München,* ist als Erfinder genannt'worden
ohne vorheriges Spalten versilbert werden, zeigen »5 höhere dielektrische Verluste von Hystereseschleifen
mit nur sehr schwach angedeutetem Rechteckcharakter _ -
In der Zeichnung ist em Spaltstuck eines nach dem erfmdungsgemäßen Verfahren hergestellten Kristalls
in etwa natürlicher Größe dargestellt. ·' '<- ■ : ;
Patestaks pb ucR: .... -ί-...';!- .* ■ :
Erhöht man den Säuregehalt über 10 Molprozent, srj lassen sich die Kristalle nicht mehr gut spalten.
Diese Spaltung ist wesentlich, wenn man die Oberflächen der Kristalle mit einer Kontaktschicht überziehen,
beispielsweise versilbern will. Kristalle, die •Verfahren zur Herstellung von ferroelektrischen
Einkristallen, deren Hystereseschleife Rechteckcharakter aufweist, aus Guanidinalumininmsulfathexahydrat,
dadurch gekennzeichnet, daß eine Losung, die etwa äquimolare 'Mengen von Guan-idtnsulfat
und Aluminiumsulfat und — bezogen *o auf 1 Mol Guaiudinaluminiumsulfathexahydrat
; .· .— 2 bis IOMolprozent Schwefelsaure enthalt, Iiei Temperaturen zwischen 60 und 80° C m einem'-fa$l
geschlossenen Behälter eingedampft wind und daß die so entstandenen Kristalle gespalteil;
werden. ■ \. 1v
Claims (1)
- DEUTSCHESDie Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von ferroelektrischen Einkristallen aus Guanidinaluminiumsülfathexahydrat.Es ist bekannt, derartige Kristalle durch Eindampfen einer wäßrigen Losung von Guanidiasutfat und Aluminiumsulfat zu gewinnen. Die Hystereseschleife derartiger Kristalle (d.h. die dielektrische V erschiebung als Funktion der Feldstärke) weist Perininvarcharakter auf (d. h., sie ist bei verschwindender elektrischer Feldstärke eingeschnürt). "·Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren anzugeben, das zu Kristallen führt, deren Hystereseschleife nicht diesen Perminvarcharakter hat. sondern Rechteckcharakter'.'Diese Aufgabe ' wird dadurch gelöst, daß eine Lösung, die etwa äquimolare Mengen von Guarudinsul fat und Aluminiumsulfat und -— bezogen auf 1 Mol Guanidinaluminiumsulfathexahydrat.-— 2 bis 10 Molprozent Schwefelsäure enthält, bei Tempera-' türen zwischen 60 und 80° C in einem fast geschlossenen Behälter eingedampft wird und daß die so entstandenen Kristalle gespalten-werden.im folgenden werden dje'beispielsweise erzielten Ergebnisse zusammengesteyj^' Ajs. Rechteckverhältnis wird das Verhältnis der dielektrischen Verschiebung bei der Hälfte der Sättigungsfefdstärke in einer willkürlich angenommenen negativen Richtung senkrecht zur Kristallfläche zur dielektrischen Verschiebung bei der Sättigungsfeldstärke in der positiven Richtung angeführt.
HiSO4. Reditedtverhaltms Molproze nt D(-Eslt): D(Es) O O 1 0,5 0,7 0,85 0,85 ■'■■"·.;■>■-, Verfahren zur Herstellung von ferroelektrischen Einkristallen,deren Hystereseschleife ■ Rechteckcharakter aufweist,aus Guamicunalxuniniumsulfathexahydrat
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1050327B true DE1050327B (de) |
Family
ID=590760
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DENDAT1050327D Pending DE1050327B (de) |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE1050327B (de) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3090876A (en) * | 1960-04-13 | 1963-05-21 | Bell Telephone Labor Inc | Piezoelectric devices utilizing aluminum nitride |
-
0
- DE DENDAT1050327D patent/DE1050327B/de active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3090876A (en) * | 1960-04-13 | 1963-05-21 | Bell Telephone Labor Inc | Piezoelectric devices utilizing aluminum nitride |
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