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Verfahren zur Herstellung von Halbleiterkristallen mit p-n-Übergängen
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Halbleitereinkristallen,
beispielsweise aus Silizium, mit p- und n-leitenden Bereichen und diese verbindenden.
p-n-Übergängen für Halbleiteranordnungen, insbesondere Halbleiterdioden und -trioden,
die auch mittels Licht, Wärme, elektrische oder/uiid magnetische Felder gesteuert
sein können.
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Nach einem bekannten Verfahren zur Herstellung von Halbleiterkristallen
ist es möglich, bei der Kristallisation von Halbleiterkristallen eine Berührung
des flüssigen Halbleiters mit Tiegelwänden zu vermeiden. Hierzu kann ein stabförmiger
Halbleiterkörper an. seinen beiden Enden in senkrechter Lage gehalten und in einem
Vakuumgefäß untergebracht werden. Unter Umständen, kann in das Vakuumgefäß ein inertes
Gas eingelassen werden. Von dem Halbleiterkörper kann durch induktive Heizung eine
Quersclinittzone geschmolzen und durch Bewegen. der Heizvorrichtung längs der Sta,bachse
durch den Halbleiterkörper in Form einer flüssigen Zone geführt werden. Die flüssige
Zone hält sich zwischen den beiden festen Stabteilen des Halbleiterkörpers infolge
der verhältnismäßig hohen Oberflächenspannung des flüssigen Halbleiters. An der
einen Grenze von festem und flüssigem Halbleiter wird der feste Halbleiterkörper
durch die sich bewegende Heizvorrichtung zum Schmelzen gebracht. An der anderen
Grenze von festem und flüssigem Halbleiter kristallisiert der H@ilbleiterlcrista,ll
aus der flüssigen Zone.
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Besteht die Heizvorrichtung aus einer induktiv erhitzten Spule oder
einem nur eine Windung derselten darstellenden Ring, die eine Zone des Ha,lbleitorkörpers
durch Wärmestrahlung verflüssigen kann, so bilden die meist sehr hoch erhitzten
Teile der Heizvorrichtung eine störende Quelle für das Einschleppen von Spuren von
Verunreinigungen. Derselbe Nachteil kann auch bei anderen nicht von dem Halbleiterkörper
räumlich getrennten, z. B. durch elektrische Stromwärme erhitzten Metallkörpern
auftreten, die als Wärmestrahler das Schmelzen einer Zone des Halbleiterkörpers
bewirken sollen.
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Bei der Herstellung von Halbleiterkristallen kann als Halbleiterkörper
auch ein aus mehreren Halbleiterstücken zusammengesetzter Körper verwendet werden.
Während des Durchwanderns einer flüssigen Zone durch den Halbleiterkörper wird dieser
durch Schmelzen und Kristallisieren in einen Halbleiterkristall übergeführt, wobei
dem Halbleiterkörper Elektronen oder Defektelektronen abgebende Stoffe an einem
Ende des Halbleiterkörpers gleichzeitig mit dem Schmelzvorgang zugegeben oder vor
dem Schmelzvorgang auf den Halbleiterkörper aufgeschmolzen werden können. Die Elektronen-
oder Defektelektronenleitung bewirkenden Stoffe werden in den Halbleiterkristall
bei der Kristallisation des Halbleiterkörpers eingebaut. Hierbei gibt die flüssige
Zone die in dieser enthaltenen und die elektrische Leitung kennzeichnenden Stoffe
entsprechend deren Verteilungskoeffizienten an den festen Halbleiterkristall ab.
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Halbleitereinkristalle können wie folgt hergestellt werden. An einem
Ende wird zu einem Halbleiterkörper ein. Einkristall hinzugefügt. Es wird eine Zone
geschmolzen, die einen, Teil des Einkristalls verflüssigt und zum restlichen Teil
aus dem Halbleiterkörper besteht. Diese geschmolzene Zone läßt man nun den Halbleiterkörper
durchwandern. Von dem als Keim wirkenden Einkristall an dem einen Ende des Halbleiterkörpers
ausgehend, kristallisiert dann hinter der flüssigen Zone der Halbleiter, einkristallin.
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Es ist bekannt, Halbleitereinkristalle mit p- und n-leitenden Teilen
und dazwischenliegenden p-n-Über.-gängen durch Ziehen des Kristalls aus der Schmelze
herzustellen. Hierzu wird ein. Keimkristall in eine Schmelze eingetaucht und dann
langsam hochgezogen. Die Schmelze besteht aus gereinigtem Halbleiterniaterial und
einem geringen Zusatz eines beispielsweise Elektronenleitung bewirkenden Stoffes.
Während des Ziehvorganges wird ein Defektelektronenleitung bewirkender Stoff in
solcher Dosierung zugegeben werden, daß der Halbleiterkristall von diesem Zeitpunkt
ab eine die Konzentration des Elektronenleitung bewirkenden Stoffes übersteigende
Menge des Defektelektronenleitung bewirkenden. Stoffes aufnimmt. Bei diesem Verfahren
erfolgt jedoch die Herstellung auf einem Wege, bei dem die Tiegelwände als Quelle
für Verunreinigungen des Halbleiters
wirken, insbesondere da durch
die erforderlichen hohen Temperaturen die Reaktionsfähigkeit beträchtlich gesteigert
wird.
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Deos weiteren ist bekannt; mittels eines oder mehrerer Elektronenstrahlen
Halbleiterstoffe zu schmelzen, um hiermit das Schmelzgut, insbesondere pulverförmiges
Material, das auf einer geeigneten Unterlage aufgeschüttet ist, zu verflüssigen,
wobei in erster Linie dem Schmelzgut und erst in zweiter Linie der Unterlage Wärme
zugeführt wird.
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Gemäß der Erfindung wird zur Herstellung von Halbleitereinkristallen
mit p- und n-leitenden Bereichen und diese verbindenden p-n-Übergängen so verfahren,
daß kreiszylindrische Halbleiterscheiben aus p-leitendem einkristallinem Material
und kreiszylindrische Halbleiterscheiben aus n-1eitendem poly-oder einkristallinem
Material zu einem abwechselnd p- und n-leitenden kreiszylindrischen Halbleiterkörper
aufgeschichtet werden, daß nacheinander solche Zonen mittels eines Elektronenstrahles
geschmolzen werden, die eine Berührungsfläche der Halbleiterscheiben enthalten,
und daß diese verflüssigten Zonen mittels einer Relativbewegung zwischen Elektronenstrahl
bzw. -einrichtung und Halbleiterkörper jeweils in bzw. durch diejenigen Halbleiterscheiben.
geführt werden, die an die geschmolzenen Zonen grenzen..
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Das erfindungsgemäße Verfahren, geht von p-leitenden einkristallinen
und n-leitenden polt'- oder einkristallinen Halbleiterscheiben aus. Dieses Ausgangsmaterial
kann nach bekannten, Verfahren hergestellt werden. Beispielsweise können einkristalline
p-leitende Halbleiterkristalle und polt'- oder einkristalline n-leitende Halbleiterkristalle
aus der Schmelze mit mindestens nahezu senkrecht kreiszylindrischer Gestalt gezogen
und nachfolgend z. B. mit Hilfe einer Diamantsäge in Halbleiterscheiben zerlegt
werden. Die Zerlegung kann besonders zweckmäßig mittels Elektronenstrahles durchgeführt
werden. Dem Halbleiter können während des Ziehens der Halbleiterkristalle bestimmte,
die elektrische Leitung kennzeichnende Stoffe zugefügt werden.
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Insbesondere können Halbleiterscheiben vorteilhaft durch Formguß mit
mindestens nahezu senkrecht kreiszylindrischer Gestalt hergestellt werden. Dem vor
dem Guß flüssigen Halbleiter läßt sich, dann ein Elektronenleitung bewirkender Stoff
einfach zuführen. In den gegossenen Ha,lb-leiterscheiben etwa auftretende Unregelmäßigkeiten
der Verteilung des Elektronenleitung bewirkenden. Stoffes wirken sich nämlich bei
ihrer Verwendung für das erfindungsgemäße Verfahren nicht nachteilig aus, da die
Kristallisation mittels der flüssigen Zone eine bereits in dem Halbleiterkörper
vorhandene Verteilung zu glätten, vermag. Durch die Verwendung von durch Gießen
hergestellten Halbleiterscheiben oder von Halbleiterscheiben., die auch aus den
Gußstücken erst durch eine Teilung gewonnen sein können, für das Verfahren gemäß
der Erfindung ergibt sich eine vorteilhafte Nutzungsmöglichkeit des Gießens von
Halbleiterstücken, denn bei den hohen Anforderungen an die Güte der Halbleiterkristalle
für Halbleitervorrichtungen, wie z. B. Kristalldioden oder -trioden, können durch
Gießen hergestellte Halbleiterstücke für derartigeHalbleiteranw@endungennicht inFragekommen.
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Bei der Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens wird zunächst
eine Berührungsfläche einer einkristallinen p-leitenden und einer polt'- oder einkristallinen
n-leitenden Halbleiterscheibe enthaltenden Zone geschmolzen und in bzw. durch die
an die geschmolzene Zone angrenzende n-leitende polt'- oder einkristalline Halbleiterscheibe
geführt. Nunmehr wird ebenso mit einer zweiten Zone verfahren usf. Erfolgt die Halterung
des Halbleiterkörpers in senkrechter Lage und durch Einspannen. oder eine andere
Art der Befestigung der Endscheiben des Halbleiterkörpers, so wird zweckmäßig zunächst
eine Zone geschmolzen, die die Berührungsfläche von der z. B. eingespannten Halbleiterscheibe
am oberen Ende des Halbleiterkörpers und der nächstfolgenden Halbleiterscheibe enthält.
Bei einer Reihe von Durchführungsbeispielen durchwandert diese flüssige Zone jeweils
die ganze n-leitende polt'- oder einkristalline Halbleiterscheibe. Hierbei wird
zweckmäßig diese flüssige Zone so weit geführt, daß von ihr auch noch eine verhältnismäßig
dünne Schicht der nächstfolgenden, beispielsweise p-leitenden einkristallinen Halbleiterscheibe
verflüssigt wird. Hat diese flüssige Zone die zweite Berührungsfläche erreicht,
dann läßt man sie dort durch Abkühlung kristallisieren. Wird dagegen die erste flüssige
Zone nicht bis zur nächsten (zweiten.) Berührungsfläche geführt, dann wird die zweite
Zone so geschmolzen, daß sie die zweite Berührungsfläche enthält. Entsprechend erfassen
die weiteren Zonen beim Schmelzen oder beim Durchwandern durch die jeweiligen Halbleiterscheiben
die weiteren. Berührungsflächen. Auf diese Weise wird erreicht, daß der obere Teil
der Halterung einen. Teil des Halbleiterkörpers festhält, der während des ganzen
Verfahrens immer aus einem Stück besteht. Dadurch wird eine vorteilhafte Durchführung
des erfindungsgemäßen Verfahrens ermöglicht. Es hat sich nämlich als günstig erwiesen.,
während des Durchwanderns der flüssigen Zonen durch die Halbleiterscheiben den kristallisierten
Teil des Halbleiterkörpers eine Rotationsbewegung oder eine hin- und hergehende
Kreisbewegung - ähnlich einer Drehschwingung - ausführen zu lassen. Die Drehbewegung
des kristallisierten Teiles des Halbleiterkörpers kann durch eine Drehbewegung des
unter der flüssigen Zone befindlichen Teiles des Halbleiterkörpers unterstützt werden.
Eine Drehbewegung des Halbleiterkörpers begünstigt einen guten Wuchs der Halbleiterkristalle.
Die Rotations-oder Drehbewegung des Halbleiterkörpers bzw. der Teile hiervon ist
eine Relativbewegung des Halbleiterkörpers in bezug auf Elektronenstrahl bzw. -einrichtung,
ähnlich der Relativbewegung zur Führung der flüssigen Zone durch den Halbleiterkörper,
jedoch mit dem Unterschied, daß letztere eine Translationsbe"vegung darstellt.
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Das Schmelzen von Zonen mittels Elektronenstrahles erweist sich als
besonders vorteilhaft, was nicht ohne weiteres zu erwarten war, da der erforderliche
Zusammenhalt der flüssigen Zone durch die Oberflächenspannung gegen Störungen sehr
empfindlich ist. Es ist nämlich günstig, Zonen von verhältnismäßig kleiner Höhe
schmelzen und durch den Halbleiterkörper führen zu können. Zonen verhältnismäßig
kleiner Höhe ermöglichen eine besonders sichere Beherrschung der Herstellung von
Halbleitereinkristallen mit p- und n-leitenden Bereichen verhältnismäßig kleiner
Ausdehnung senkrecht zu den diese verbindenden und Ebenen darstellenden p-n-Übergängen.
Für die Qualität der Halbleitereinkristalle kommt es vor allem auf die p-n-Übergänge
an, und zwar auf die Ausdehnung dieser Übergangsgebiete des Leitungstyps und auf
den dort vorliegenden Verlauf der Konzentration der Elektronen- und Defektelektronenleitung
bewirkenden Stoffe und ferner auf eine möglichst wenig Gitterstörungen enthaltende
Kristallisation.
Das Schmelzen einer Zone und das Führen dieser
flüssigen Zone durch den Halbleiterkörper kann zweckmäßig mit Hilfe mehrerer Elektronenstrahlen
vorgenommen werden. Allerdings gibt es Beispiele, bei denen die Verwendung eines
Elektronenstrahles vorgezogen werden kann.' Eine mittels Elektronenstrahles geschmolzene
Zone kann durch eine oder mehr als eine Halbleiterscheibe geführt werden, indem
beispielsweise der Halbleiterkörper bezüglich einer Translation in Richtung der
Zylinderachse des Halbleiterkörpers feststehend angeordnet wird. und ein, oder mehrere
Elektronenstrahlen langsam, z. B. mit einer Geschwindigkeit von der Größenordnung
mm/min, in Richtung der Zylinderachse des Halbleiterkörpers bewegt werden. Die Bewegung
der Elektronenstrahlen - oft ist die Anwendung mehrerer Elektronenstrahlen gegenüber
der eines einzigen Elektronenstrahles vorteilhafter - kann durch Ablenkung der Elektronenstrahlen
mittels elektrischer oder/und magnetischer Felder erzeugt werden. Die Elektronenstrahlablenkung
eignet sich besonders für die Führung der flüssigen Zone durch eine Halbleiterscheibe.
Die Bewegung der Elektronenstrahlen kann aber auch durch eine mechanische translatorische
Bewegung der Elektronenstrahleinrichtung in Richtung der Zylinderachse des Halbleiterkörpers
bewirkt werden.. Diese Art der Bewegung kann gleichfalls dazu verwandt werden, eine
flüssige Zone durch den Halbleiterkörper wandern zu lassen. Sehr vorteilhaft kann,
diese Bewegungsart der Elektronenstrahlen dann eingesetzt werden, wenn diese über
Halbleiterscheiben laufen oder laufen würden, die nicht von einer flüssigen Zone
durchwandert werden sollen, wie dies z. B. für die p-leitenden einkristallinen Halbleiterscheiben
der Fall ist, die nur an ihren Berührungsflächen mit den benachbarten n-leitenden
poly- oder einkristallinen Halbleiterscheiben von einer flüssigen Zone erfaßt werden.
Beispielsweise können die Elektronenstrahlen in diesen Bewegungsabschnitten in ihrer
Intensität geschwächt werden, z. B. durch Blenden, Ablenkung, Drosselung oder andere
Mittel, so daß sie den von ihnen getroffenen Halbleiter nicht mehr schmelzen und
erforderlichenfalls auch durch bloße Erwärmung in seinen elektrischen Eigenschaften
nicht merklich beeinflussen. Die Einwirkung der Elektronenstrahlen kann in diesen
Bewegungsabschnitten jedoch auch völlig unterbunden werden. Besonders zweckmäßig
ist eine Bewegung der Elektronenstrahlen, die zu einem Teil aus der Elektronenstrahlablenkung
und zum anderen Teil aus der mechanischen Translationsbewegung der Elektronenstrahleinrichtung
besteht. An die Stelle der Bewegung der Elektronenstrahleinrichtung kann auch die
Bewegung des Halbleiterkörpers relativ zur Elektronenstrahleinrichtung treten.
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Neben dem Vorteil einer vorzüglichen Führungsmöglichkeit der Elektronenstrahlen.
und damit auch der flüssigen Zonen bietet die erfindungsgemäße Verwendung der Elektronenstrahlen
bzw. eines Elektronenstrahles den ebenfalls besonders wichtigen Vorzug einer absolut
reinen, d. h. kein Einschleppen von Verunreinigungen in den Halbleiter ermöglichenden
Heizvorrichtung zum Herstellen und Führen, von flüssigen Zonen oder zumindest einer
Heizvorrichtung, die nur mit einer unter der Grenze der Feststellbarkeit liegenden
Verunreinigungswirkung behaftet sein könnte.
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Für die einwandfreie Kristallisation und den hierbei stattfindenden
Einbau von den die elektrische Leitung kennzeichnenden Stoffen mit Hilfe von flüssigen
Zonen ist die Temperatur der flüssigen Zonen besonders wichtig. Es kommt hierbei
entscheidend auf die Temperaturkonstanz bzw. die sehr genaue Veränderung der Temperatur
an. Die erfindungsgemäße Verwendung von Elektronenstrahlen bietet den Vorteil einer
nahezu trägheitslosen Regelung der Elektroneneinstrahlung und damit eine wesentliche
Verbesserung der Temperaturregelung der flüssigen Zonen gegenüber den Heizvorrichtungen
des bekannten tiegelfreien Zonenschmelzverfahrens.
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Die für den Halbleiterkörper zu verwendenden Halbleiterscheiben können
vorteilhaft eine konstante Verteilung der Elektronen- oder Defektelektronenleitung
bewirkenden Stoffe enthalten. Durch die Kristallisation, die hinter der flüssigen
Zone nachfolgt, wird in dem Anfangsbereich der zu kristallisierenden Scheibe aus
der konstanten Verteilung eine auf den Wert der konstanten Verteilung anwachsende
Verteilung erzeugt. Der Anstieg hängt von den für die elektrische Leitung der Halbleiter
zugegebenen Stoffen ab und erfolgt bei vielen derartigen Stoffen nur sehr langsam.
Bei dem Verfahren gemäß der Erfindung kann dieser in das Gebiet der p-n-Übergänge
fallendeKonzentrationsanstiegverhältnismäßig steil und daher die Ausdehnung der
p-n-Übergänge entsprechend klein gemacht werden. Die Ausdehnung der p-n-Übergänge
läßt sich beim erfindungsgemäßen Verfahren besonders einfach durch die Bemessung
der Höhe der flüssigen Zone bestimmen.
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Weiterhin ist es für die. Herstellung von sogenannten n-p-n- Halbleitereinkristalleu
wichtig, Zonen verhältnismäßig kleiner Höhe erzeugen zu können. Die p-leitende einkristalline
Halbleiterscheibe, die jeweils mit zwei n-leitenden poly- oder einkristallinen Halbleiterscheiben
verbunden ist, weist zweckmäßig nämlich nur eine verhältnismäßig geringe Höhe auf.
Gemäß der Erfindung werden von einer p-leitenden einkristallinen Halbleiterscheibe
von verhältnismäßig geringer Höhe zweckmäßig nur zwei wiederum verhältnismäßig kleine
Schichten geschmolzen. Elektronenstrahlen oder auch ein einzelner Elektronenstrahl
eignen sich hierzu besonders zufolge der Möglichkeit, diese durch elektronenoptische
Abbildungsmittel auf die zu schmelzenden Zonen zu konzentrieren. Eine gute Abbildung
durch elektrische oder magnetische Felder gestattet Elektronenstrahlen hoher Intensität
zur Anwendung zu bringen und diese sehr genau einzustellen bzw. zu. bewegen.
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Die Höhe der, durch Elektronenstrahlen geschmolzenen flüssigen Zonen
wird zweckmäßig kleiner als die Höhe der Halbleiterscheiben gewählt; sie kann für
einzelne Durchführungsbeispiele jedoch auch günstig größer als die Höhe der p-leitenden
einkristallinen Halbleiterscheiben gewählt werden. Für viele Durchführungsbeispiele
bietet es Vorteile, die Höhe der n-leitenden poly- oder einkristallinen Halbleiterscheiben
mindestens etwa doppelt so groß als die Höhe der flüssigen Zonen zu wählen. Diese
Maßnahme ergibt eine sehr praktische Ausführung des erfindungsgemäßen Verfahrens,
wenn flüssige Zonen von zwei Seiten, also von den beiden Berührungsflächen mit den
benachbarten Halbleiterscheiben her in eine n-leitende poly- oder einkristalline
Halbleiterscheiibe geführt werden. Bei diesen Durchführungsbeispielen ist es nun
sehr einfach möglich und zweckmäßig, die flüssigen Zonen etwa bis zur Mitte der
Höhe der n-leitenden poly- oder einkristallinen Halbleiterscheiben zu führen. Nach
diesen Durchführungsbeispielen des erfindungsgemäßen Verfahrens lassen sich sogenannte
n-p-n-Halbleitereinkristalleherstetien,
deren n-leitende Bereiche
eine Ausdehnung senkrecht zu den zweckmäßig Ebenen darstellenden, p-n-übergängen
aufweisen, die daher angenähert mit der halben Höhe der n-leitenden polt'- oder
einkristallinen Halbleiterscheiben übereinstimmt, bei anderen Durchführungsbeispielen
ist dies keineswegs immer der Fall (vgl. hierzu beispielsweise das an Hand der Fig.
3 erläuterte Beispiel).
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Es bedeutet häufig eine beträchtliche Vereinfachung der Durchführung
des erfindungsgemäßen Verfahrens, die Höhen der p-leitenden einkristallinen Halbleiterscheiben
alle angenähert gleich zu wählen. Zweckmäßig können die Höhen der n, leitenden polt'-
oder einkristallinen Halbleiterscheiben ebenfalls alle gleich gewählt werden. Die
Höhen. der mindestens nahezu senkrecht kreiszylindrischen Halbleiterscheiben werden
für die Herstellung von Halbleitereinkristallen mit einem p- und zwei n-leitenden.
Bereichen und zwei diese verbindenden p-n-trbergängen kaum gleich groß gewählt werden;
zweckmäßig wird die Höhe der p-leitenden. einkristallinen Halbleiterscheiben. wesentlich
kleiner als die Höhe der n-leitenden polt'- oder einkristallinen Halbleiterscheiben
gewählt. Für die Herstellung von Halbleitereinkristallen mit einem p- und einem
n-leitenden Bereich und einem diese Bereiche verbindenden p-n-Übergang kann ein
Wert für die Höhen aller Halbleiterscheiben festgelegt werden, denn diese Festlegung
kann eine vorteilhafte Vereinfachung für die Fertigung der Halbleiterscheiben ergeben,
wie es insbesondere der Fall sein wird, wenn sowohl die p-leitenden als auch die
n-leitenden Halbleiterscheiben aus Einkristallen gefertigt werden.
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Die Güte- der nach dem erfindungsgemäßen Verfahren herzustellenden
Kristalle aus Silizium kann besonders verbessert werden, indem p-leitende einkristalline
Halbleiterscheiben von mindestens nahezu senkrecht kreiszylindrischer Gestalt verwendet
werden, bei denen die Zylinderachse mit der [110]- oder [111]-Achse des Kristallgitters
übereinstimmt oder angenähert übereinstimmt. Die [110]- oder [111]-Achse stellt
für Siliziumkrista,lle eine bevorzugte Wachstumsrichtung dar. In diesen Richtungen
wachsende Kristalle werden nur verhältnismäßig geringe Gitterstörungen aufweisen;
sie eignen sich daher für Halbleiteranwendungen besonders.
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Für die Herstellung von p-n-Übergängen, insbesondere von steilen p-n-Übergängen,
ist es günstig, so zu verfahren, daß die eine Berührungsfläche der Halbleiterscheiben
enthaltende Zonen jeweils mit einem solchen Volumen und in einer derartigen Lage
in bezug auf die Berührungsflächen geschmolzen werden, daß der Anteil einer p-leitenden
einkristallinen Halbleiterscheibe an dem Volumen einer geschmolzenen Zone höchstens
etwa ein Zehntel und der Anteil einer n-leitenden polt'- oder einkrista,llin.en
Halbleiterscheibe mindestens etwa neun. Zehntel beträgt. Die Steilheit der nach
dein erfindungsgemäßen Verfahren herzustellenden p-n-Übergänge kann außerdem noch
dadurch verbessert werden, daß die n-leitenden poly-oder einkristallinen Halbleiterscheiben,
in welche bzw. durch welche eine flüssige Zone geführt wird, eine höhere, insbesondere
eine erheblich höhere Konzentration an Elektronenleitung bewirkenden. Stoffen zugesetzt
erhalten als die Konzentration, die für die p-leitenden einkristallinen Halbleiterscheiben.
gewählt wird. Dabei ist von besonderem Vorteil, daß nach dem erfindungsgemäßen Verfahren:
Einkristalle mit p-n-Übergängen erzeugt werden können, deren p-leitende und n-leitende
Bereiche voneinander völlig unabhängige Konzentrationen an Defektelektronen- bzw.
Elektronenleitung bewirkenden Stoffe gegeben werden können. Der Zusatz der Elektronenleitung
bewirkenden Stoffe zu dem Halbleitermaterial wird nämlich nicht in ein und demselben
Verfahren vorgenommen, das dazu dient, die Einkristallstruktur des den p-n-Übergang
erhaltenden Halbleiterkörpers zu erzeugen.
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In den Fig. 1, 2 und 3 sind in zum Teil schematischer Darstellung
Beispiele für Anordnungen zur beispielsweisen Durchführung des erfindungsgemäßen
Verfahrens gezeichnet. In allen Figuren sind Schnitte in Längsrichtung wiedergegeben,
wobei Fig. 1 zur Erläuterung von Durchführungsbeispielen des erfindungsgemäßen Herstellungsverfahrens
für Halbleitereinkristalle mit einem p- und einem n-leitenden Bereich und einem
diese Bereiche verbindenden p-ii-Übergang und die Fig. 2 und 3 zur Erläuterung von
Durchführungsbeispielen des erfindungsgemäßen Herstellungsverfahrens für Halbleitereinkristalle
mit einem p- und zwei n-leitenden Bereichen und zwei diese verbindenden p-n-Übergängen
dienen können.
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Fig. 1 zeigt einen abwechselnd p- und n-leitenden Halbleiterkörper
von mindestens nahezu senkrecht kreiszylindrischer Gestalt. Er besteht aus aufeinandergeschichteten
p-leitenden einkristallinen und mindestens nahezu senkrecht kreiszylindrischen Halbleiterscheiben
1 und n-leitenden polt'- oder einkristallinen und mindestens nahezu senkrecht kreiszylindrischen
Halbleiterscheiben 2. Das Vakuumgefäß, in dem sich der Halbleiterkörper 1-2 und
gegebenenfalls die übrigen Einrichtungen befinden, wurde nicht mitgezeichnet. Mittels
einer zweiteiligen Halterung 3 wird der Halbleiterkörper 1-2 an seinen beiden Enden
gehalten, und zwar günstig in senkrechter Lage. In Fig. 1 ist ein Zeitpunkt der
Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens festgehalten, zu dem eine -flüssige
Zone 4 gerade eine n-leitende polt'- oder einkristalline Halbleiterscheibe 2 durchwandert.
Eine die flüssige Zone 4 erzeugende Elektronenstrahleinrichtung ist beispielsweise
durch zwei Elektronenquellen 5, zwei elektronenoptische Abbildungsmittel 6 und zwei
Ablenkinittel 7 dargestellt. Die Berührungsflächen der p-leitenden einkristallinen
Halbleiterscheiben 1 und der n-leitenden polt'- oder einkrista,lline-n Halbleiterscheibe
2 sind von oben, nach unten fortlaufend und mit 10 beginnend mit Zahlen bezeichnet
(10, 11, 12, 13, 14, 15 ... ).
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In dem Durchführungsbeispiel gemäß Fig. 1 ist der Halbleiterkörper
1-2 bezüglich einer Translationsbewegung feststehend angeordnet. Der obere (feste)
Teil des Halbleiterkörpers 1-2 führt eine Rotationsbewegung aus, deren Drehsinn
durch den über dem Halbleiterkörper 1-2 gezeichneten gekrümmten Pfeil angezeigt
wird und dessen Rotationsgeschwindigkeit größenordnungsmäßig 100 U/min betragen
kann. Der untere (feste) Teil des Halbleiterkörpers 1-2 soll sich in Ruhe befinden.
Die Führung der flüssigen Zonen 4 durch die n-leitenden polt'- oder einkristallinen
Halbleiterscheiben 2 kann durch mechanische Tra,nslationsbewegung der Elektronenstrahleinrichtung
5 bis 7 in Richtung des über der Elektronenstrahleinrichtung 5 bis 7 gezeichneten
geraden Pfeiles oder/und durch Elektronenstrahlablenkung mittels der Ablenkmittel
7 erfolgen. In Fig.1 ist ein Beispiel dargestellt, bei dem die Führung der flüssigen
Zonen 4 vorzugsweise durch z. B. elektrische Ablenkung der Elektronenstrahlen bewirkt
wird. Für das Durchwandern einer flüssigen Zone 4 durch eine n-leitende polt'- oder
einkristalline Halbleiterscheibe 2 kann zweckmäßig die Elektronenstrahlablenkung
eingesetzt werden, während
für das Heranbringen der Elektronenstrahlen
an die einzelnen, n-leitenden polt'- oder einkristallinen Halbleiterscheiben 2 die
mechanische Translationsbewegung der Elektronenstrahleinrichtung 5 bis 7 vorteilhaft
vorgesehen werden kann. Bei einer verhältnismäßig großen Zahl aufeinandergeschichteter
Halbleiterscheiben 1 und 2 kann nämlich -der Halbleiterkörper- 1-2 eine solche Höhe
erreichen, daß die Ablenkmittel 7 der Elektronenstrahlen nicht mehr ausreichen,
diese zu allen n-leitenden polt'- oder einkristallinen Halbleiterscheiben 2 des
Halbleiterkörpers 1-2 zu führen.
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Beispielsweise kann die aus Elektronenstrahla.blenkung und mechanischer
Transla,tionsbewegung der Elektronenstrahleinrichtung 5 bis 7 zusammengesetzte Führung
der flüssigen Zonen 4 durch die n-leitenden polt'- oder einkristallinen Halbleiterscheiben
2 wie folgt durchgeführt werden. Die Elektronenstrahleinrichtung 5 bis 7 wird in
Höhe der Berührungsfläche 10 festgehalten, während die Elektronenstrahlen eine diese
Berührungsfläche enthaltende Zone 4 schmelzen und mittels Ablenkung diese flüssige
Zone 4 durch die von den Berührungsflächen 10 und 11 begrenzte n-leitende polt'-
oder einkristalline Halbleiterscheibe 2 wandern lassen. Hat die flüssige Zone 4
die Berührungsfläche 11 erreicht, so wird. die Elektroneneinstrahlung ausreichend
geschwächt oder vollständig unterbunden, damit die in ihrer Endstellung die Berührungsfläche
11 enthaltende flüssige Zone 4 abkühlen kann. Nunmehr wird die Elektronenstrahleinrich.tung
5 bis 7 bis in Höhe der Berührungsfläche 12 gebracht, um dort nach der Kristallisation
der bis zur Berührungsfläche 11 geführten flüssigen Zone eine die Berührungsfläche
12 enthaltende Zone 4 zu schmelzen. Derart wiederholt sich das Zusammen;-,virken
von Elektronenstrahlablenkung und mechanischer Translationsbewegung der Elektronenstrahleinrichtung
5 bis 7, bis die letzte n-leitende polt'- oder einkristalline Halbleiterscheibe
2 kristallisiert ist.
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Die Führung der flüssigen Zonen 4 kann jedoch auch allein durch eine
Translationsbewegung der Elektronenstrahleinrichtung 5 bis 7 vorgenommen werden.
Indem die Elektronenstrahleinrichtung 5 bis 7 zunächst in Höhe der Berührungsfläche
10 feststehend angeordnet wird" kann eine diese Berührungsfläche enthaltende Zone
4 geschmolzen, werden. Durch eine Translationsbewe-gung der Elektronenstrahleinrichtung
5 bis 7 in Richtung des geraden Pfeiles läßt man diese flüssige Zone 4 die durch
die Berührungsflächen 10 und 11 begrenzte n-leitend.e polt'- oder einkristalline
Halbleiterscheibe 2 durchwandern. An der Berührungsfläche 11 kann die Translationsbewegung
der Elektronenstrahleinrichtung 5 bis 7 so lange angehalten werden, bis die Elektroneneinstrahlung
auf die flüssige Zone 4 bzw. auf den Halbleiterkörper 1-2 genügend geschwächt oder
vollständig unterbunden ist und die flüssige Zone 4 kristallisieren kann. Die nächste
Phase der Relativbewegung besteht darin, die Elektronenstrahleinrichtung 5 bis 7,
ohne in der von den Berührungsflächen 11 und 12 begrenzten p-leitenden einkristallinen
Halbleiterscheibe 1 eine flüssige Zone zu schmelzen oder zu führen, bis in Höhe
der Berührungsfläche 12 zu bringen und dort zum Schmelzen einer diese Berührungsfläche
enthaltenden flüssigen Zone 4 festzuhalten. Durch Fortsetzung der Translationsbewegung
der Elektronenstrahleinrichtung 5 bis 7 kann nun diese flüssige Zone 4 von der Berührungsfläche
12 bis zur Berührungsfläche 13 geführt werden, wo diese flüssige Zone 4 zur Kristallisation
gebracht wird. Ohne eine fliissig, Zone zu schmelzen, rückt die Elektronenstrahleinrichtung
5 bis 7 dann von der Berührungsfläche 13 bis zur Berührungsfläche 14 weiter. Entsprechend
der Zahl der Halbleiterscheiben 1 und 2 wird die beschriebene abschnittsweise Führung
von flüssigen Zonen 4 fortgesetzt, bis sämtliche n-leitetide polt'- oder einkristallinen
Halbleiterscheiben 2 einkristallin tnit p-leitenden, einkristallinen Halbleiterscheiben
1 verbunden sind.
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In Fig. 1 ist eine flüssige Zone 4 gezeichnet, die durch die von den
Berührungsflächen 14 und 15 begrenzte n-leitende polt'- oder einkristalline Halbleiterscheibe
2 wandert. Sie wurde so geschmolzen, daß sie diel Berührungsfläche 14 enthielt,
und wird als flüssige Zone 4 so weit geführt, bis sie die Berührungsfläche 15 aufnimmt.
Durch Abkühlung läßt man sie dort kristallisieren. Sowohl beim Schmelzen als auch
beim Kristallisieren kann die Zone 4 eine solche Grenzlage einnehmen, bei welcher
die Anteile der p-leitenden einkristallinen Halbleiterscheiben 1 an dem Volumen
der Zone 4 jeweils höchstens etwa ein Zehntel und die Anteile der n-leitenden polt'-
oder einkristallinen Halbleiterscheiben 2 jeweils mindestens etwa neun Zehntel erreichen.
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Die Kristallisation der n-leitenden polt'- oder einkristallinen Halbleiterscheiben
2 beseitigt die Berührungsflächen 10, 11; 12, 13, 14, 15... zwischen den
Halbleiterscheiben 1 und 2 und erzeugt dafür Grenzflächen von zusammenhängenden
p- und n-leitenden Bereichen. Die Berührungsflächen 10, 12, 14 ...
werden
in einkristalline p-n-Übergänge übergeführt, während die Berührungsflächen 11, 13,
15 ... in p-nübergänge gestörter Einkristallstruktur und gestörter Verteilung
der Elektronen- und Defektelektronen.leitung bewirkenden Stoffe übergeführt werden.
Nachdem durch alle n-leitenden polt'- oder einkristallinen Halbleiterscheiben 2
flüssige Zonen, 4 geführt worden sind, wird der Halbleiterkörper 1-2 längs der Flächen,
die an Stelle der Berührungsflächen 11, 13, 15 ... getreten sind, insbesondere mittels
Elektronenstrahles durchschnitten. Die so erhaltenen Halbleitereinkristalle weisen
einen p- und einen n-leitenden Bereich und einen diese Bereiche verbindenden p-n-Übergang
auf.
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Für einzelne Durchführungsbeispiele des erfindungsgemäßen Verfahrens
kann es zweckmäßig sein., voranstehende Beispiele dahingehend abzuändern bzw. zu
ergänzen, daß z. B. die Elektronenstrahleinrichtung 5 bis 7 bezüglich einer Translationsbewegung
feststehend angeordnet wird und der Halbleiterkörper 1-2 eine Translationsbewegung
ausführt. Der Halbleiterkörper 1-2 kann auch als Ganzes relativ zu der Elektronenstrahleinrichtung
5 bis 7 eine Rotationsbewegung ausführen. Unter bestimmten Voraussetzungen könnte
auch eine Rotationsbewegung der Elektronenstrahleinrichtung oder/und eine radiale
Ablenkung der Elektronenstrahlen, gegebenenfalls als Ergänzung der axialen. Ablenkung,
vorgesehen werden.
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Bei der an Hand der Fig. 1 gegebenen Erläuterung dieses Durchführungsbeispieles
des erfindungsgemäßen Verfahrens wurde eine Reihe von. Einzelheiten nicht erwähnt,
wenn sie sich aus der Kenntnis des übrigen Teiles der Beschreibung für die Vervollständigung
der Erläuterung ohne weiteres ergeben.
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Fig. 2 zeigt ebenfalls einen Halbleiterkörper 1-2, die Halterung 3,
eine flüssige Zone 4 und eine Elektronenstrahleinrichtung 5 bis 7 (Elektronenquellen
5, elektronenoptische Abbildungsmittel 6 und Elektronenstrahlablenkmittel
7).
An weiteren Bezeichnungen wurden in Fig. 2 eingetragen: Die Berührungsflächen 10,
11, 12, 13, 14, 15 ... und die ungefähren Mitten 20, 21, 22 ... der
n-leitenden polt'- oder einkristallinen Halbleiterscheiben 2 des Halbleiterkörpers
1-2. Wie in obigem Fig. 1 entsprechenden Beispiel soll der untere (feste) Teil des
Halbleiterkörpers 1-2 sich in Ruhe befinden und der obere (feste) Teil lediglich
eine durch den gekrümmten Pfeil angezeigte Rotationsbewegung ausführen; die Elektronenstrahleinrichtung
5 bis 7 führt eine Translationsbewegung aus, deren Richtung durch den geraden Pfeil
angezeigt wird.
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Bei der Erläuterung des Durchführungsbeispieles des erfindungsgemäßen
Verfahrens an Hand der Fig. 2 wird eine Reihe von Einzelheiten nicht mehr wiederholt,
die sich aus der Kenntnis des übrigen Teiles der Beschreibung, insbesondere des
der Fig. 1 entsprechenden Durchführungsbeispieles, für die Vervollständigung der
Erläuterung ohne weiteres ergeben.
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Fig. 2 gibt einen Zeitpunkt des erfindungsgemäßen Verfahrens wieder.
in dem eine flüssige Zone 4 bereits von der Berührungsfläche 10 zur angenäherten
Mitte 20 einer n-leitenden polt'- oder einkristallinen Halbleiterscheibe 2, eine
dritte flüssige Zone 4 von. der Berührungsfläche 11 zur angenäherten Mitte 21 einer
n-leitenden polt'- oder einkristallinen Halbleiterscheibe 2 und eine von der Berührungsfläche
12 zur angenäherten Mitte 21 einer n-leitenden polt'- oder einkristallinen Halbleiterscheibe
2 gewandert ist, und eine vierte flüssige Zone 4 von der Berührungsfläche 13 zur
Mitte 22 einer n-leitenden polt'- oder einkristallinen Halbleiterscheibe 2 geführt
wird. In diesem Durchführungsbeispiel erfolgt die Führung der flüssigen Zonen 4
nicht nur in einer Richtung -von oben. nach unten =, sondern sowohl nach unten als
auch nach oben. Wird -die Führung der flüssigen Zonen 4 durch die n-leitenden polt'-
oder einkristallinen Halbleiterscheiben 2 durch Elektronenstrahlablenkung bewirkt,
so ergibt sich eine vorteilhafte Vereinfachung der mechanischen Translationsbewegung
der Elektronenstrahlein:richtung 5 bis 7. Diese Translationsbewegung kann nämlich
wie bei obigem Fig. 1 entsprechenden Beispiel immer in der gleichen Richtung - von
oben nach unten - erfolgen, was für die Hilfseinrichtung eine apparative Vereinfachung
bedeutet. Nachdem alle p-leitenden einkristallinen Halbleiterscheiben 1 nach oben
und nach unten einkristallin mit n-leitenden polt'- oder einkristallinen Halbleiterscheiben
2 verbunden sind, wird der Halbleiterkörper 1-2 längs der Mitten 20, 21, 22 ...
der n-leitenden polt'- oder einkristallinen Halbleiterscheiben 2, insbesondere mittels
Elektronenstrahles durchschnitten. Auf diese Weise erhält man Halbleitereinkristalle
mit einem p- und zwei n-leitenden Bereichen und -zwei diese verbindenden p-n-Übergänge.
Die Steilheit der p-n-Übergänge kann wie bei der Herstellung der Halbleitereinkristalle
mit einem p- und einem n-leitenden Bereich und einem diese Bereiche verbindenden
p-n-Übergang beeinflußt werden.
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Weitere :Möglichkeiten, die Eigenschaften der nach dem erfindungsgemäßen
Verfahren herzustellenden Halbleitereinkristalle zu verändern, bilden die Wahl der
Konzentration der Elektronen- bzw- Defektelektronenleitüng bewirkenden Stoffe oder
deren Verteilung. Ferner lassen sich durch Änderungen der die Kristallisation der
Halbleitereinkxistalle mit Hilfe von flüssigen Zonen bestimmenden physikalischen
Größen, z. B. der Temperatur oder der Wanderungsgeschwindigkeit der flüssigen Zonen,
entsprechende Änderungen der elektrischen Eigenschaften der Halbleitereinkristalle
erzielen. Weiterhin kann die Erzeugung von, flüssigen Zonen verhältnismäßig geringer
Höhe durch die Verwendung einer den Halbleiterkörper ringförmig umgebenden Kühleinrichtung
wesentlich unterstützt werden. Als Kühleinrichtung kann eine mit Wasser als Kühlmittel
arbeitende Umlaufkühlung vorgesehen werden. Die Kühlung des Halbleiterkörpers kann
auch nur auf der Seite der flüssigen Zone erfolgen, auf welcher die Kristallisation
des Halbleiters stattfindet, während auf der Seite der flüssigen Zone, auf welcher
das Schmelzen des Halbleiters vorgenommen wird. keine Kühlung des (festen) Halbleiters
vorgesehen wird. Es kann außerdem zweckmäßig sein, den Raum der Elektronenstrahlerzeugung
von dem Raum der Elektronenstrahleinwirkung auf den Halbleiterkörper so zu trennen,
daß in dem Raum der Elektronenstrahlerzeugung ein höherer Druck aufrechterhalten
wird, als er in dem Raum der Elektronenstrahleinwirkung auf den Halbleiterkörper
herrscht.
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Fig. 3 dient zur Erläuterung eines Durchführungsbeispieles des erfindungsgemäßen
Verfahrens für die Herstellung von Halbleitereinkristallen mit einem p- und zwei
n-leitenden Bereichen und zwei diese verbindenden p-n-Übergängen. Hierbei wird eine
Reihe von Einzelheiten nicht mehr wiederholt, die sich aus der Kenntnis des übrigen
Teiles der Beschreibung, insbesondere des Fig. 2 entsprechenden Durchführungsbeispieles,
für die Vervollständigung der Erläuterung ohne weiteres ergeben.
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Die Darstellung der Fig. 3 enthält einen Halbleiterkörper 1-2, die
Halterung 3 und eine Elektronenstrahleinrichtung 5 bis 7 (Elektronenquellen 5, elektronenoptische
Abbildungsmittel 6 und Elektronenstrahlablenkmittel 7). Bis auf zwei Endscheiben
(n-leitende polt'- oder einkristalline Halbleiterscheiben 2) des Halbleiterkörpers
1-2 ist gemäß dem zu erläuternden Durchführungsbeispiel der Halbleiterkörper 1-2
abwechselnd aus einer p-leitenden einkristallinen Halbleiterscheibe 1 und zwei n-leitenden
polt'- oder einkristallinen Halbleiterscheiben 2 aufgeschichtet. Die Berührungsflächen
von p- und n-leitenden bzw. von n- und n-leitenden Halbleiterscheiben wurden von
oben nach unten fortlaufend und mit 10 beginnend mit Zahlen bezeichnet (10, 11,
12, 13, 14, 15, 16 ... ). Der untere (feste) Teil des Halbleiterkörpers 1-2 soll
sich in Ruhe befinden, der obere (feste) Teil des Halbleiterkörpers 1-2 soll eine
Rotationsbewegung ausführen, deren Drehsinn durch den gekrümmten Pfeil angegeben
wird, und die Elektronenstrahleinrichtung 5 bis 7 soll eine Transla,tionsbewegung
ausführen, deren Richtung durch den geraden. Pfeil angezeigt wird.
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Dem Zeitpunkt, der in Fig. 3 wiedergegeben wird, geht voraus; daß
eine Zone 4, die Berührungsfläche 10 enthaltend, geschmolzen, in die von dem oberen
Teil der Halterung 3- und der Berührungsfläche 10 begrenzte n-leitende polt'- oder
einkristalline Ha2bleiterscheibe 2 geführt und dort durch Abkühlung kristallisiert
wurde. Ferner wanderte eine zweite flüssige Zone 4 von der Berührungsfläche 11 bis
zur Berührungsfläche 12, eine dritte flüssige Zone 4 von der Berührungsfläche 13
bis zur Berührungsfläc4e12. In dein Zeitpunkt, der in Fig. 3 festgehalten is't,
durchwandert eine vierte flüssige Zone 4 die von' den Berührungsflächen 14 und 15
begrenzte n-leitend'e polt'- - oder einkristalline Halbleiterscheibe 2. Dte
Führung
der flüssigen Zonen 4 erfolgt besonders zweckmäßig wiederum durch z. B. elektrische
Elektronenstra,hlablenkung, die durch die mechanische Translationsbewegung der Elektronenstrahleinrichtung
5 bis 7 - entsprechend dem an Hand der Fig. 1 erläuterten Beispiel - unterstützt
werden kann.
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Das Durchschneiden des Halbleiterkörpers 1-2 wird, nachdem alle n-leitenden
polt'- oder einkristallinen Halbleiterscheiben 2 mit Hilfe flüssiger Zonen 4 einkristallin
mit den p-leitenden einkristallinen Halbleiterscheiben 1 verbunden sind, längs der
Flächen vorgenommen, die an die Stelle der Berührungsflächen 12, 15, 18
... getreten sind. Vorzugsweise kann das Zerschneiden. mittels Elektronenstrahles
ausgeführt werden und ergibt Halbleitereinkristalle mit einem p- und zwei n-leitenden
Bereichen und zwei diese verbindenden p-n-Übergängen.
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Weitere Beispiele zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens
ergeben sich für die Herstellung voll Halbleitereinkristallen mit einem p- und zwei
il-leitenden Bereichen und zwei diese verbindenden p-11-Übergängen durch die Verwendung
von einer p-leitenden einkristallinen und zwei n-leitenden poly-oder einkristallinen
Halbleiterscheiben. Bei diesen Beispielen besteht somit der Halbleiterkörper 1-2
nach der Kristallisation der n-leitenden polt'- oder einkristallinen Halbleiterscheiben
2 aus einem Halbleitereinkrista,ll mit einem p- und zwei n-leitenden Bereichen und
zwei diese verbindenden p-ll-Übergängen und das Zerschneiden des Halbleiterkörpers
ist nicht erforderlich. Weiterhin ist die Elektronenstrahlablenkung als Mittel zur
Führung der" flüssigen Zonen 4 ausreichend. Eine mechanische Translationsbewegung
der Elektronenstrahleinrichtung 5 bis 7 kann daher fortfallen. Entsprechendes gilt
für die Herstellung von Halbleitereinkristallen mit einem p- und einem n-leitenden
Bereich und einem diese Bereiche verbindenden p-n-Übergang bei der Verwendung von
einer p-leitenden einkristallinen Halbleiterscheibe 1 und einer n-leitenden polt'-
oder einkristallinen Halbleiterscheibe 2.
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Entsprechend dem an Hand von Fig. 3 erläuterten Durchführungsbeispiel
lassen sich beispielsweise auch Halbleiterkristalle herstellen, die z. B. zwei p-
und vier Bereiche aufweisen, die durch vier einkristallin kristallisierte p-n-Übergänge
und eine in zwei einkristalline n-leitende Bereiche eingebettete Grenzfläche gestörter
Einkristallstruktur und gestörter Verteilung des Elektronenleitung bewirkenden Stoffes
verbunden sind. Derartige Halbleiterkristalle erhält man, wenn beim Durchschneiden
des Halbleiterkörpers 1-2, insbesondere mittels Elektronenstrahles, dieser nur längs
den Flächen 15, 21 ... durchschnitten wird. Derartige Halbleitereinkrista,lle mit
mehreren p-n-Übergängen, die eine oder gegebenenfalls mehrere Grenzflächen gestörter
Einkristallstruktur und gestörter Verteilung des Elektronenleitung bewirkenden Stoffes
enthalten, können für manche Anwendungen durchaus zweckmäßig und Ziel des erfindungsgemäßen
Herstellungsverfahrens sein.
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Da zur einfacheren Darstellung der Erfindung p-leitende Halbleiterscheiben
1 und n-leitende Halbleiterscheiben 2 immer nur in einer bestimmten Zuordnung zueinander
genannt werden. ergeben sich weitere Durchführungsbeispiele des erfindungsein.i
#7erfahrens dadurch, daß an Stelle von g 'ßeii '
p-leitenden einkristallinen.
Halbleiterscheiben 1 n-leitende einkristalline Halbleiterscheiben und an Stelle
voll n-leitenden polt'- oder einkristallinen Halbleiterscheiben 2 p-leitende polt'-
oder einkristalline Halbleiterscheiben verwendet werden.