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Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf einen
Halbleiterlaser, welcher als eine Lichtquelle einer
optischen Kommunikationsvorrichtung verwendet werden kann,
und insbesondere auf eine Ausbildung eines
Halbleiterlasers, welcher in geeigneter Weise verwendet wird, um
einen Emissionswirkungsgrad und ein Modulationsband zu
verbessern.
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Im Zusammenhang mit den jüngeren Entwicklungen in der
Informationstechnologie steigt das Bedürfnis, große
Informationsmengen schneller und über weitere Entfernungen
zu übertragen. Um diesem Bedürfnis zu begegnen, wird eine
Technik zur optischen Kommunikation unter Verwendung
einer Lichtleitfaser entwickelt und befindet sich derzeit
in weit verbreiteter Verwendung. Z. B. werden im
Zusammenhang mit einem Halbleiterlaser, welcher als eine
Lichtquelle dient, welche eine wichtige Vorrichtung in
einer Kommunikationsvorrichtung darstellt, eine Vielzahl
von Techniken zum Verbessern des Emissionswirkungsgrads
und eines schnellen Ansprechens (d. h. eines großen
Modulationsbandes) verwendet. Insbesondere weist der
Halbleiterlaser eine aktive Schicht auf, welche eine
Mehrfachguantenmuldenstruktur oder eine
modulationsdotierte Struktur verwendet. Mit solchen Techniken kann
so viel Information wie möglich über kurze Strecken
übertragen werden.
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Fig. 4 ist ein Energiekonzept- bzw.
Energiezustandsdiagramm einer Mehrfachquantenmuldenstruktur in einer
aktiven Schicht eines Halbleiterlasers. Das
Emissionsprinzip eines Lasers mit der dargestellten Struktur wird
nachstehend erläutert. Auf einer Valenzbandseite 21
werden Löcher 22 von einer p-Typ-Abdeckschichtseite 2 durch
eine Lichteinsperrschicht 3 in jeweilige
Valenzband-Muldenschichten 23 implantiert. Auf einer Leitungsbandseite
26 werden Elektronen 27 von einer
n-Typ-Abdeckschichtseite 6 in die Leitungsband-Muldenschicht implantiert.
Löcher 22 und Elektronen 27 werden miteinander kombiniert,
um Licht 28 zu erzeugen.
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Der in Fig. 4 gezeigte Laser weist eine aktive
Mehrfachquantenmuldenschicht 4 auf, welche aus einer Mehrzahl
von Quantenmulden besteht. Mit dieser werden
Zustandskonzentrationen von Löcher 22 und Elektronen 27 hoch, und
eine optische Verstärkung steigt an. Aus diesem Grund
wird der Emissionswirkungsgrad verbessert. Gleichzeitig
steigt auch eine Kippschwingungsfrequenz, welche das
Modulationsband des Lasers ausdrückt, an, da eine
Differenzverstärkung ebenfalls ansteigt.
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Als ein anderes Mittel zum Verbessern des
Emissionswirkungsgrads und des Modulationsbandes wird eine
Technik, welche eine Modulationsdotierungstechnik genannt
wird, entwickelt, welche eine Dotierung vom p-Typ oder n-
Typ nur an einer Barrierenschicht bzw. Sperrschicht 24
der Mehrfachquantenmulden einer aktiven Schicht ausführt.
Diese Technik wird in JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
VOL. 29, (1990) 81 eingeführt. Gemäß dieser Quelle wird,
wenn eine Dotierung vom p-Typ an einer Sperrschicht 24
der mehrfachen Quantenmulde durchgeführt wird, ein
Verstärkungsspektrum durch eine große Zahl von Löchern 22,
welche von einem Akzeptorniveau geliefert werden,
verschmälert. Daher steigt die Differenzverstärkung an, und
das Modulationsband wird verbessert. Wenn andererseits
eine Dotierung vom n-Typ durchgeführt wird, wird eine
optische Absorption unterdrückt. Daher wird ein
Schwellenstrom reduziert, und der Emissionswirkungsgrad wird
verbessert.
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Bei der vorgenannten Technik kann es jedoch sein, daß
Verbesserungen des Emissionswirkungsgrads und eines
Modulationsbandes in unzureichender Weise erreicht werden.
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Man berücksichtige insbesondere, daß die Zahl der
Quantenmulden übermäßig erhöht wird. In dieser Situation
kann es sein, daß, wenn Löcher 22 von einer Seite einer
p-Typ-Abdeckschicht 2 in Valenzband-Muldenschichten 23
eingebracht werden, Löcher 22 eine
Valenzband-Muldenschicht 23, welche von der p-Typ-Abdeckschicht 2 entfernt
liegt (d. h., auf einer Seine einer Lichteinsperrschicht
5) nicht erreichen. Dies liegt daran, daß die Löcher 22
wirksame Massen besitzen. Daher sind Lochkonzentrationen
in Valenzband-Muldenschichten 23 nicht gleichförmig, und
die mehrfache Wirkung der Quantenmulde verschlechtert
sich.
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Überdies wird, obschon eine Modulationsdotierung nur
an der Sperrschicht 24 der mehrfachen Quantenmulden der
aktiven Schicht durchgeführt wird, um eine
Halbleiterschicht herzustellen, ein Fremdmaterial vom p-Typ oder n-
Typ, welches in die Sperrschicht 24 dotiert werden
sollte, in Wirklichkeit durch die thermische Geschichte in
einem Epitaxiewachstum oder dergleichen bei der
Herstellung in die Muldenschicht gestreut. Aus diesem Grund
verschlechtert das Fremdmaterial ein Kristall der
Muldenschicht, welches als ein Licht emittierender Abschnitt
dient, was dazu führt, daß sich ein Verhältnis einer
Rekombination ohne Leuchtwirkung bzw. ein nichtluminoses
Rekombinationsverhältnis erhöht, so daß die
Verbesserungswirkung unterdrückt wird. Dieses Problem ist
signifikant, da die Konzentration eines hinzugefügten
Fremdmaterials hoch ist und der Diffusionsgrad von Zn oder
dgl. hoch ist.
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Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, den
Emissionswirkungsgrad und ein Modulationsband in einem
Halbleiterlaser, in welchem eine Modulationsdotierung an
einer aktiven Schicht einer Mehrfachquantenmuldenstruktur
durchgeführt wird, zu verbessern.
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Die Aufgabe wird durch die Merkmale des Anspruchs 1
gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung bilden
den Gegenstand der Unteransprüche.
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Ein Halbleiterlaser der vorliegenden Erfindung weist
eine aktive Schicht auf, welche zwischen einer
p-Typ-Abdeckschicht und einer n-Typ-Abdeckschicht ausgebildet
ist. Die aktive Schicht weist mehrfache Quantenmulden
auf, welche eine Mehrzahl von Sperrschichten und
Muldenschichten aufweisen. Eine Modulationsdotierung vom p-Typ
wird an wenigstens einer der Sperrschichten ausgeführt.
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Insbesondere ist eine Menge einer
Modulationsdotierungssubstanz vom p-Typ der Sperrschicht an einer Stelle,
die nahe der p-Typ-Abdeckschicht liegt, kleiner als die
an einer Stelle, welche nahe der n-Typ-Abdeckschicht
liegt. Z. B. kann die Menge der
Modulationsdotierungssubstanz vom p-Typ in Abhängigkeit von einem Abstand von der
p-Typ-Abdeckschicht bestimmt sein, oder die Mengen der
Modulationsdotierungssubstanz vom p-Typ sind in
Sperrschichten an einer Stelle nahe der p-Typ-Abdeckschicht
allmählich verringert. Zusätzlich kann eine
Modulationsdotierung vom p-Typ mit einer ersten Menge einer
Dotierungssubstanz in wenigstens einer Sperrschicht an einer
Stelle, welche näher an der n-Typ-Abdeckschicht als eine
Sperrschicht an einer vorbestimmten Stelle liegt,
durchgeführt werden, und kann in wenigstens einer Sperrschicht
an einer Stelle, welche näher an der p-Typ-Abdeckschicht
als die Sperrschicht an der vorbestimmten Stelle liegt,
mit einer zweiten Menge einer Dotierungssubstanz, welche
kleiner als die erste Menge einer Dotierungssubstanz ist,
durchgeführt werden. Gemäß diesem Merkmal kann eine
I>ifferenzverstärkung und ein Anprechen mit hoher
Geschwindigkeit verbessert werden, während nichtluminose
Rekombination unterdrückt wird. Gleichzeitig kann, da die
Konzentration der Löcher in einer von der
p-Typ-Abdeckschicht entfernt liegenden Muldenschicht hoch ist, eine
Nichteinheitlichkeit von Trägern auch verbessert werden.
Man beachte, daß die Dotierungssubstanz vom p-Typ bei der
Modulationsdotierung vom p-Typ aus Zn, Be, Cd und C
ausgewählt sein kann.
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Der Halbleiterlaser beinhaltet zwei Licht
reflektierende Filme, welche unterschiedliche Reflektionsgrade
aufweisen, und zwar derart, daß die Filme senkrecht zu
einer einer aktiven Schicht gegenüber liegenden Endseite
stehen. Gemäß diesem Aufbau kann Licht in Resonanz
gebracht und verstärkt werden. Insbesondere kann, wenn der
Halbleiterlaser ferner ein Beugungsgitter aufweist, ein
Laser vom Fabry-Perot-Typ, welcher einen Laserstrahl mit
einer vorbestimmten Wellenlänge gewinnen kann, erhalten
werden. Wenn ein Beugungsgitter so angeordnet ist, daß es
mit einer Schichtoberfläche der aktiven Schicht
überlappt, kann ein Laser mit verteiter Rückkopplung erhalten
werden. Wenn ein Beugungsgitter an einer von der
Schichtoberfläche der aktiven Schicht entfernt liegenden Stelle
in der Ausbreitungsrichtung der Schichtoberfläche an
geordnet ist, kann ein Bragg-Reflektor-Laser erhalten
werden.
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Diese und andere Aufgaben und Merkmale der
vorliegenden Erfindung werden aus der nachfolgenden Beschreibung
einer bevorzugten Ausführungsform derselben klar
ersichtlich. Die Beschreibung bezieht sich auf die begleitenden
Zeichnungen, in welchen:
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Fig. 1 eine Schnittansicht einer Schichtstruktur
eines Halbleiterlasers ist;
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Fig. 2 ein Energiezustandsdiagramm in einer
Peripherie einer aktiven Mahrfachquantenmuldenschicht des
Halbleiterlasers von Fig. 1 ist;
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Fig. 3A eine Schittansicht einer Konfiguration eines
Lasers mit verteilter Rückkopplung ist;
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Fig. 3B eine Schnittansicht einer Konfiguration eines
Bragg-Reflektionslasers ist; und
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Fig. 4 ein Energiezustandsdiagramm einer
Mehrfachquantenmuldenstruktur in einer aktiven Schicht eines
Halbleiterlasers ist.
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Die Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung
werden nun anhand der begleitenden Zeichnungen beschrieben.
Es versteht sich, daß in den Zeichnungen gleiche Bauteile
mit gleichen Bezugsziffern bezeichnet sind.
Erste Ausführungsform
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Fig. 1 ist eine Schnittansicht einer Schichtstruktur
eines Halbleiterlasers. Der Halbleiterlaser kann durch
Laminieren bzw. aufeinander Anordnen von Schichten durch
ein Verfahren eines epitaxialen Wachsens ausgebildet
sein. Als das Epitaxialwachstumsverfahren kann z. B. ein
Verfahren metallisch-organischer chemischer
Dampfphasenabscheidung (metal-organic chamical vapor deposition
- MOCVD), bei welchem ein Gas, welches ein organisches
Metall ist, auf ein Substrat hin strömt und das organische
Metall durch chemische Reaktion auf der
Substratoberfläche wächst, oder ein Verfahren der metallisch-organischen
Molekularstrahl-Epitaxie (metal-organic molecular beam
epitaxy - MOMBE), bei welchem ein organisches Metall in
einem hohen Grad einer Vakuum-Bedingung auf ein Substrat
hin aufgedampft wird, um das organische Metall an dem
Substrat haften zu lassen, und das organische Metall
wächst, verwendet werden. Insbesondere werden auf einem
InP-Substrat 1 eine p-InP-Abdeckschicht 2, eine InGaAsP-
Lichteinsperrschicht 3, eine aktive InGaAsP-Mehrfachqu
antenmuldenschicht 4, eine InGaAsP-Lichteinsperrschicht 5,
eine n-InP-Abdeckschicht bzw. n-InP-Abdeckschichtseite 6
und eine Kontaktschicht 7 durch epitaxiales Wachstum
aufeinander angeordnet. Danach werden Metallelektroden 8 und
9 ausgebildet, und eine Spaltung wird vorgenommen, um
eine Resonatorlänge zu erhalten. Um Licht innerhalb des
Resonators in Resonanz zu bringen und zu verstärken, werden
Licht reflektierende Filme (nicht gezeigt) senkrecht zu
Endseiten des Resonators, d. h. die Endseiten der
jeweiligen Schichten, als Beschichtung aufgebracht. Die
Endseiten des Resonators beinhalten wenigstens eine der aktiven
Mehrfachquantenmuldenschicht 4 gegenüber liegende
Endseite. In der nachfolgenden Beschreibung werden
Bezeichnungen von Materialien der jeweiligen Schichten weggelassen.
Z. B. wird die p-InP-Abdeckschicht 2 als
"p-Typ-Abdeckschicht 2" ausgedrückt, und die
InGaAsP-Lichteinsperrschicht 3 wird als "Lichteinsperrschicht 3" ausgedrückt.
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Fig. 2 ist ein Energiezustandsdiagramm in der
Peripherie 20 einer aktiven Mehrfachquantenmuldenschicht 4
des Halbleiterlasers von Fig. 1. Beginnend auf der linken
Seite von Fig. 2, sind eine p-Typ-Abdeckschicht 2, eine
Lichteinsperrschicht 3, eine aktive
Mehrfachquantenmuldenschicht 4, eine Lichteinsperrschicht 5 und eine n-Typ-
Abdeckschicht bzw. n-Typ-Abdeckschichtseite 6 aufeinander
angeordnet. Dieser Aufbau entspricht der Schichtstruktur
des Halbleiterlasers in Fig. 1. Das Prinzip der
Laserabstrahlung ist das gleiche wie das im Stand der Technik.
Insbesondere sind auf einer Valenzbandseite 21 Löcher 22von einer Seite der p-Typ-Abdeckschicht 2 durch die
Lichteinsperrschicht 3 in jeweilige
Valenzband-Muldenschichten 23 implantiert. Auf einer Seite eines
Leitungsbandes 26 werden Elektronen 27 von einer Seite der n-Typ-
Abdeckschicht 6 in die Leitungsband-Muldenschicht
implantiert. Löcher 22 und Elektronen 27 werden miteinander
kombiniert, um Licht 28 zu erzeugen. Obgleich das Licht
in alle Richtungen emittiert wird, wird nur Licht in
einer Richtung parallel zu jeder Schicht extrahiert.
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Bei der vorliegenden Erfindung ist in der aktiven
Mehrfachquantenmuldenschicht 4, in welche Löcher
eingebracht sind, eine Menge einer Dotierungssubstanz des p-
Typs bezüglich einer Sperrschicht 24 nahe der
p-Typ-Abdeckschicht 2 auf einen geringeren Wert als dem von der
p-Typ-Abdeckschicht 2 entfernt (d. h. nahe der Seite der
n-Typ-Abdeckschicht 6) liegend festgelegt. In Fig. 2 ist
in Sperrschichten 24 eine Dotierungssubstanz 25 vom p-Typ
gezeigt. Insbesondere wird als die Dotierungssubstanz 25
vom p-Typ Zn verwendet. Die Konzentration der
Dotierungssubstanz 25 vom P-Typ ist auf 1 × 1018 cm-3 bzw. cm3 in der
Sperrschicht 24 nahe der p-Typ-Abdeckschicht 2
festgelegt. Andererseits ist die Konzentration in der von der
p-Typ-Abdeckschicht 2 entfernt liegenden Sperrschicht 24
auf 2 × 1018 cm-3 festgelegt. Fig. 2 zeigt in typischer
Weise, daß die Zahl der schwarzen Punkte, welche die
Konzentration der Dotierungssubstanz 25 vom p-Typ
darstellen, in der Sperrschicht 24 nahe der p-Typ-Abdeckschicht
2 klein ist und in der von der p-Typ-Abdeckschicht 2
entfernt liegenden Sperrschicht 24 groß ist. Eine Änderung
der Konzentraion kann allmählich (z. B. schrittweise) für
jede Sperrschicht 24 in Abhängigkeit von dem Abstand von
der p-Typ-Abdeckschicht 2 erhöht werden, beginnend mit
der Sperrschicht 24 nahe der p-Typ-Abdeckschicht 2.
Ansonsten kann die Konzentration der Dotierungssubstanz 25
vom p-Typ auf 1 × 1018 cm-3 festgelegt werden für eine
Sperrschicht 24 nahe der p-Typ-Abdeckschicht 2 bezüglich
einer Sperrschicht 24 an einer vorbestimmten Stelle (z. B.
in der Mitte), und die Konzentration kann für eine
entfernt liegende Sperrschicht 24 auf 2 × 1018 cm-3 festgelegt
werden.
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Im Stand der Technik wird, nachdem die Dotierung mit
einer Konzentration von z. B. 2 × 1018 cm-3 vorgenommen
wird, die Dotierungssubstanz in die Muldenschicht 23
eingestreut. Allerdings ist im wesentlichen die
Konzentration der in die Muldenschicht 23 eingebrachten Löcher 22
auf einer Seite nahe der p-Typ-Abdeckschicht 2 hoch. Im
Gegensatz dazu fällt die Konzentration der an einer
Stelle in der Muldenschicht 23 eingebrachten Löcher 22 ab,
sobald die Stelle von der p-Typ-Abdeckschicht entfernt
liegt (d. h., nahe der n-Typ-Abdeckschicht 6). Daher
können, wenn eine Menge der Dotierungssubstanz vom p-Typ der
Sperrschicht 24 nahe der p-Typ-Abdeckschicht 2 auf einen
kleineren Wert festgelegt ist als der der Sperrschicht
24, welche von der p-Typ-Abdeckschicht 2 entfernt liegt,
in anderen Worten, der Sperrschicht 24 an einer Stelle
nahe der Seite der n-Typ-Abdeckschicht 6, eine
Differenzverstärkung und ein schnelles Ansprechen verbessert
werden, während eine nichtluminose Rekombination
unterdrückt wird. Gleichzeitig wird, nachdem die
Konzentration der Löcher 22 in der Muldenschicht 23 auf der von
der p-Typ-Abdeckschicht 2 entfernt liegenden Seite hoch
ist, die Nichtgleichförmigkeit der Träger ebenfalls
verbessert.
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Auf der Grundlage der obigen Beschreibung kann Eine
Menge einer Dotierungssubstanz vom p-Typ in der
Sperrschicht 24 nahe der Seite der p-Typ-Abdeckschicht 2 auf 0
festgelegt sein (d. h., es wird keine Dotierung vom p-Typ
durchgeführt), und die Menge der Dotierungssubstanz vom
p-Typ in der Sperrschicht 24, welche von der
p-Typ-Abdeckschicht 2 entfernt liegt, kann auf 2 ×
1018 festgelegt werden. Eine Stelle, an welcher sich die
Konzentration ändert, kann wie in der obigen Beschreibung als
eine Sperrschicht 24 an einer vorbestimmten Stelle (Z. B.
der Mitte) festgelegt werden.
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Obwohl in der vorstehenden Beschreibung Zn als die
Dotierungssubstanz vom p-Typ verwendet wird, ist die
Dotierungssubstanz nicht auf Zn beschränkt. Andere
Dotierungssubstanzen vom p-Typ wie z. B. Be, Cd oder C können
gleichfalls verwendet werden.
Zweite Ausführungsform
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Nachstehend wird als eine zweiten Ausführungsform
eine Anwendung eines Halbleiterlasers gemäß der ersten
Ausführungsform beschrieben. Wie oben beschrieben, sind bei
dem in Fig. 1 gezeigten Halbleiterlaser Licht
reflektierende Schichten (nicht gezeigt) an den Endflächen
ausgebildet, um das Licht in Resonanz zu versetzen und zu
verstärken. Eine solche Struktur wird allgemein als eine
Fabry-Perot-Struktur bezeichnet.
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In dieser Ausführungsform ist der Halbleiterlaser der
ersten Ausführungsform auf einen Laser eines anderen
Aufbaus, und zwar einen Laser mit verteilter Rückkopplung
(distributed feedback - DFB) und einen Bragg-Reflektor-
Laser, angewendet.
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Fig. 3A ist eine Schnittansicht eines Lasers mit
verteilter Rückkopplung 30-1. Der Laser mit verteilter
Rückkopplung 30-1 kann einen Laserstrahl mit einer
spezifischen Wellenlänge ausgeben. Der Laser mit
verteilter Rückkopplung 30-1 ist so aufgebaut, daß ein
Beugungsgitter 33, welches nur einen Laserstrahl mit
einer spezifischen Wellenlänge extrahiert, in dem
Halbleiterlaser der ersten Ausführungsform, welcher die
aktive Mehrfachquantenmuldenschicht 4 beinhaltet,
angeordnet ist. Das Beugungsgitter 33 ist so angeordnet,
daß es mit der Schichtoberfläche der aktiven
Mehrfachquantenmuldenschicht 4 überlappt. Das
Beugungsgitter 33 kann beim aufeinander Anordnen anderer
in der ersten Ausführungsform erwähnter Schichten
ausgebildet werden. In Fig. 3A sind auch Licht
reflektierende Filme 31 und 32 gezeigt. Wenn ein Laserstrahl nach
rechts in Fig. 3A ausgegeben wird, ist der
Reflektionsgrad des Licht reflektierenden Films 31 hoch, und der des
Licht reflektierenden Films 32 ist niedrig.
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Fig. 3B ist eine Schnittansicht eines
Bragg-Reflektor-Lasers 30-2. Der Bragg-Reflektor-Laser 30-2 ist eine
Anwendung des Lasers mit verteilter Rückkopplung 30-1 und
kann eine gewünschte Wellenlänge auswählen. Der
Bragg-Reflektor-Laser 30-2 kann grob in eine Lichtquelleneinheit
36 mit einer aktiven Mehrfachquantenmuldenschicht 34 und
eine Wellenlängenauswahleinheit 37 mit einem
Beugungscritter 35 unterteilt werden. Der Aufbau der
Lichtquelleneinheit ist im Wesentlichen die gleiche wie die der aktiven
Mehrfachquantenmuldenschicht 4 des Halbleiterlasers gemäß
der ersten Ausführungsform.
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Die Mehrfachquantenmuldenschicht 34 liegt nur in der
Lichtquelleneinheit 36 vor und ist in der
Wellenlängenauswahleinheit 37 nicht angeordnet. In anderen Worten,
die aktive Mehrfachquantenmuldenschicht 34 überlappt
nicht mit dem Beugungsgitter 35. Das Beugungsgitter 35
ist an einer Stelle, welche sich von der
Schichtoberfläche der aktiven Mehrfachquantenmuldenschicht 34 entfernt
befindet, in der Ausbreitungsrichtung der
Schichtoberfläche angeordnet.
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Die aktive Mehrfachquantenmuldenschicht 34 der vor
genannten Konfiguration kann wie folgt erhalten werden.
Nach Schichtung der aktiven Mehrfachquantenmuldenschicht
4 in der ersten Ausführungsform werden ein oder mehrere
Gebiete der aktiven Mehrfachquantenmuldenschicht 4,
welche mit der Wellenlängenauswahleinheit 37 überlappt,
durch Ätzen oder dgl. entfernt. Dann wird der
verbleibende Teil der aktiven Mehrfachquantenmuldenschicht 4 die
Schicht 34.
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Wenn ein elektrisches Feld durch Anlegen einer
Spannung an Elektroden 38-1 und 38-2 an die aktive Mehrfach7
quantenmuldenschicht 34 angelegt wird, sendet die
Lichtquelleneinheit 36 Licht aus. Eine gewünschte Wellenlänge
wird in der Wellenlängenauswahleinheit 37 ausgewählt.
Licht reflektierende Filme 31 und 32 sind die gleichen
wie die in Fig. 3A, und eine Beschreibung derselben ist
daher obsolet.
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Nachdem die Erfindung anhand von
Ausführungsbeispielen eingehend beschrieben worden ist, wird eingesehen
werden, daß die selbe auf vielfache Weise ausgeführt
werden kann. Solche Abwandlungen und Modifizierungen, die
sich für den Fachmann in nahe liegender Weise ergehen,
sollen nicht als Abkehr von der Lehre der Erfindung,
sondern als innerhalb des Schutzumfangs der beigefügten Ansprüche liegend angesehen werden.