DE69601549T2 - Herstellungsverfahren für einen oberflächenemittierenden Laser - Google Patents
Herstellungsverfahren für einen oberflächenemittierenden LaserInfo
- Publication number
- DE69601549T2 DE69601549T2 DE69601549T DE69601549T DE69601549T2 DE 69601549 T2 DE69601549 T2 DE 69601549T2 DE 69601549 T DE69601549 T DE 69601549T DE 69601549 T DE69601549 T DE 69601549T DE 69601549 T2 DE69601549 T2 DE 69601549T2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- layer
- aluminum alloy
- active layer
- localized
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 19
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 12
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 11
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 7
- MDPILPRLPQYEEN-UHFFFAOYSA-N aluminium arsenide Chemical compound [As]#[Al] MDPILPRLPQYEEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 230000012010 growth Effects 0.000 claims description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 5
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 claims description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 3
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 claims description 3
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000005234 chemical deposition Methods 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 48
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 8
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- DLISVFCFLGSHAB-UHFFFAOYSA-N antimony arsenic Chemical compound [As].[Sb] DLISVFCFLGSHAB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 239000000615 nonconductor Substances 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
- H01S5/18341—Intra-cavity contacts
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/0206—Substrates, e.g. growth, shape, material, removal or bonding
- H01S5/0207—Substrates having a special shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
- H01S5/18308—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] having a special structure for lateral current or light confinement
- H01S5/18311—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] having a special structure for lateral current or light confinement using selective oxidation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
- H01S5/18361—Structure of the reflectors, e.g. hybrid mirrors
- H01S5/18369—Structure of the reflectors, e.g. hybrid mirrors based on dielectric materials
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
- Die Erfindung betrifft eine Kategorie von Halbleiterlasern, die "obenflächenemittierende Laser" oder "VCSEL" (aus dem Englischen: "Vertical cavity surface emitting laser") genannt werden.
- Diese Laser werden ausgehend von einem Halbleitersubstrat, das aus Elementen vom Typ III-V, wie Galliumarsenid GaAs oder Indiumphosphid InP, ausgeführt.
- Im Gegensatz zu klassischen Halbleiterlasern erfolgt die Lichtemission senkrecht zur Oberfläche der aktiven Schicht und in die gleiche Richtung, wie die Einspeisung des elektrischen Stroms, der den Lasereffekt unterhält. Das Bauteil besteht im wesentlichen aus einem Hohlraumresonator, der die aktive Schicht enthält, und von zwei einander gegenüberliegenden dielektrischen oder Halbleiterspiegeln begrenzt ist. Zum Beispiel im Fall eines InP-Substrats wird der Hohlraumresonator von einer p- dotierten InP-Schicht, einer aktiven Schicht und einer n- dotierten InP-Schicht gebildet. Die Stromeinspeisung erfolgt über zwei Elektroden, die beiderseits des Hohlraumresonators angeordnet sind. Wenigstens eine dieser Elektroden ist im allgemeinen neben dem oder häufiger um den Spiegel herum angeordnet, der sich auf derselben Fläche befindet. Eine gute Leistung für einen solchen Aufbau wird durch eine ausreichende Einschließung des aktiven Teils ebenso vom optischen wie vom elektrischen Gesichtspunkt aus erreicht.
- Um eine gute elektrische und optische Einschließung zu erreichen, besteht eine erste Lösung darin, einen Aufbau zu verwenden, bei dem die aktive Schicht in einem Milieu eingebettet ist, das einen geringeren Brechungsindex aufweist. Wenn die gut leitende aktive Schicht außerdem in einem p-Milieu an der Grenze des n-Milieus eingebettet ist, wird aufgrund der Schwellenspannung des p-n-Übergangs auch eine elektrische Einschließung erhalten, die die aktive Schicht umgibt. Um diesen Aufbau herzustellen, wird man dazu gebracht, durch seitliche Gravur bzw. Ätzung (nachfolgend "Ätzung" genannt) eine genügend hohe Mesa auszubilden, die den Teil der aktiven Schicht enthält, der eingebettet werden soll. Dann müssen mehrere Übernahmen der Epitaxie des n-dotierten Substrates, dann des p-Substrates ausgeführt werden. Außer seiner Komplexität weist diese Lösung den Nachteil eines Mangels an Ebenheit über der Mesa auf, d. h. an der Stelle, an der einer der Spiegel ausgebildet werden soll.
- Eine weitere Lösung kann darin bestehen, durch Ätzen eine ausreichend erhöhte Mesa herzustellen, um den Umfang der aktiven Schicht seitlich freizulegen. Eine seitliche Ätzung dieser aktiven Schicht gestattet dann, die gewünschte Einschließung zu erhalten. Diese Lösung löst das Problem der Ebenheit der Oberfläche, stellt aber andererseits ein Problem der Rekombination von Trägern in der Nähe der Grenzfläche zwischen der aktiven Schicht und der Luft.
- Eine weitere Lösung ist in dem Artikel "Ultralow threshold current vertical-cavity surface emitting lasers obtained with selective oxidation", G. M. Yang at al., ELECTRONICS LETTERS, 25. Mai 1995, Bd. 31, Nr. 11, beschrieben. Der vorgeschlagene Aufbau weist eine nicht eingebettete, aktive Schicht auf, über welche eine Schicht zur Einschließung des Stroms angeordnet ist. Diese Schicht wird ausgehend von einer durchgehenden Aluminiumarsenidschicht hergestellt, an welcher eine seitliche Oxidation vorgenommen wird, die derart gesteuert wird, dass eine Öffnung für den Strom gelassen wird, die sich unter dem oberen Spiegel befindet. Diese Lösung stellt eine gute Ebenheit der Oberfläche sicher, die den Spiegel aufnimmt, erfordert aber eine feine bzw. empfindliche Steuerung des Schrittes der seitlichen Oxidation. Es ist außerdem nötig, anschließend eine Schutzschicht aus Siliciumnitrid abzuscheiden, um die Oxidation der Aluminiumarsenidschicht zu stoppen.
- Die Erfindung hat das Ziel, die Nachteile der vorhergehenden Lösungen zu vermeiden, in dem sie ein Verfahren vorschlägt, dass leicht durchzuführen und egal bei welcher Zusammensetzung des Substrates anwendbar ist.
- Bei diesem Ziel hat die Erfindung ein Herstellungsverfahren für einen oberflächenemittierenden Halbleiterlaser zum Gegenstand, der auf einem Substrat aus Elementen III-V ausgebildet ist, wobei der Laser einen von Spiegeln begrenzten Hohlraumresonator aufweist und eine aktive Schicht sowie eine Schicht zur elektrischen Einschließung beinhaltet, das dadurch gekennzeichnet ist, dass die Ausbildung der Schicht zur elektrischen Einschließung die folgenden Schritte umfasst:
- Wachstum einer lokalisierten Schicht aus einer Aluminiumlegierung über der aktiven Schicht mit Ausnahme eines Öffnungsbereiches, über welchem der eine der Spiegel ausgebildet werden muss,
- wenigstens eine Übernahme der Epitaxie des dotierten Substrates und
- seitliche Oxidation der lokalisierten Aluminiumlegierungsschicht.
- Vorteilhafterweise geht der seitlichen Oxidation ein Schritt der seitlichen Ätzung vorher, der gestattet den Umfang der Aluminiumlegierungsschicht freizulegen und so die Oxidation zu erleichtern.
- Nach einem Ausführungsgesichtspunkt besteht die Aluminiumlegierung aus Aluminiumarsenid AlAs, dessen Oxid die Vorteile aufweist, gleichzeitig ein elektrischer Isolator und ein guter Wärmeleiter zu sein. Außerdem gestattet im Falle eines Substrates aus Galliumarsenid eine geeignete Auswahl der Zusammensetzung der Aluminiumarsenidlegierung eine Gruppenabstimmung mit dem Substrat, was die späteren Epitaxieübernahmen erleichtert. Dank dem erfindungsgemäßen Verfahren kann in dem Fall, in dem das Substrat Indiumphosphid ist, auf InP nichtabgestimmtes Galliumarsenid verwendet werden. Bei diesem Substrat können als Legierung auch Aluminium- und Antimonarsenid AlAsSb mit einer Zusammensetzung verwendet werden, die ihr eine Gruppenabstimmung mit dem Indiumphospid sichert.
- Weitere Aspekte der Erfindung zeigen sich im folgenden der Beschreibung unter Bezugnahme auf Fig. 1 bis 6, die die Hauptschritte des erfindungsgemäßen Verfahrens darstellen.
- Die Herstellungschritte, die beschrieben werden, sind in dem besonderen Fall eines InP-Substrates gegeben. Das Verfahren könnte jedoch auf jedes andere Substrat angewendet werden, das aus Elementen III-V, wie GaAs, zusammengesetzt ist.
- Wie in Fig. 1 dargestellt, wurde auf einem Substrat 1 aus n-dotiertem Indiumphosphid eine aktive Schicht CA abgeschieden. Die aktive Schicht CA ist von einer oberen Schicht aus p-dotiertem Indiumphosphid bedeckt, deren Dicke den Abstand zwischen der aktiven Schicht und der Schicht zur elektrischen Einschließung festlegt. Auf der oberen Schicht 2 wurde eine Maske 3 abgeschieden, die beispielsweise aus Silicium besteht. Die Position und die Abmessungen der Maske 3 entsprechen denjenigen des in der Schicht zur elektrischen Einschließung vorzusehenden Öffnungsbereichs.
- Wie es Fig. 2 zeigt, wird dann auf der Oberfläche des Bauteils eine Aluminiumlegierungsschicht 4, 5 abgeschieden. Die Abscheidung dieser Schicht kann durch das Epitaxieverfahren durch Molekularstrahl oder durch chemische Abscheidung von Organometallelementen in Gasphase (MOCVD) ausgeführt werden. In diesem letzteren Fall wird die Aluminiumlegierungsschicht nur auf den Bereichen angeordnet, in denen sich InP befindet.
- Gemäß Fig. 3 wird anschließend eine dünne Schicht 6, 7 aus p-dotiertem Indiumphospid abgeschieden, die dazu bestimmt ist, in dem Fall, in dem die Aluminiumlegierung mit dem Substrat nicht gruppenabgestimmt ist, eine Übergangszone anzubringen.
- Dann wird eine Feuchtätzung der Maske 3 durchgeführt. Im Falle einer Siliciummaske wird eine Ätzlösung auf der Basis von Fluorwasserstoffsäure verwendet. Dieser Vorgang hat die Wirkung, einen Öffnungsbereich 8 freizulegen, der sich in Fig. 4 zeigt.
- Das Verfahren wird dann durch einen Schritt der Übernahme der Epitaxie von p-dotiertem Indiumphosphid, um eine obere Einschließungsschicht 9 auszubilden, dann der InGaAs- Verbindung fortgesetzt, um eine Kontaktschicht 10 auszubilden (Fig. 5). Obwohl das Verfahren der Epitaxie durch Molekularstrahl verwendet werden kann, ergibt das Verfahren der chemischen Abscheidung von Organometallelementen in Gasphase (MOCVD) vom Gesichtspunkt der Ebenheit der ausgebildeten Schichten bessere Ergebnisse. Anschließend wird der obere Halbleiter- oder dielektrische Spiegel 11 abgeschieden.
- Wie aus Fig. 6 hervorgeht, wird eine seitliche Ätzung des oberen Teils des Bauteils ausgeführt, um eine Mesa 12 zu bilden. Die Ätzung hat eine ausreichende Tiefe, um den Umfang der Aluminiumlegierungsschicht 4 freizulegen und so ihre Oxidation zu erleichtern. Es wird dann mit der seitlichen Oxidation dieser Schicht fortgefahren, um ihr ihre elektrisch isolierende Eigenschaft zu verleihen. Um die Herstellung des Bauteils abzuschließen, wird dann eine Ätzung des unteren Teils des InP-Substrates bis zu einer Schicht 14 zum Stoppen der Ätzung ausgeführt, wird der untere Spiegel 15 ausgebildet und werden die Elektroden 13 angeordnet.
- Unter Berücksichtigung der geringen Tiefe der Öffnung 8 kann der Fehler in der Ebenheit der letzteren Schichten 9, 10, die den Spiegel 11 aufnehmen, als vernachlässigbar betrachtet werden. Außerdem haben die Spannungen in der Schicht 9 in der Nähe der Oxidschicht 4 nur wenig Auswirkung auf die Funktion, die im wesentlichen durch die kristallographische Qualität des Mittelteils der Vorrichtung beeinflusst wird.
- Schließlich sind zur Veranschaulichung einige Abmessungsdaten angegeben:
- Dicke der aktiven Schicht CA: 0,7 um
- Dicke der Schicht 4 : 0,2 bis 0,3 um
- Abstand zwischen den Schichten CA und 4 : 1 um
- Durchmesser der Öffnung 8 = 8 um
- Durchmesser des Spiegels 10 = 12 bis 16 um
- Durchmesser der Mesa = 30 um
- Die aktive Schicht besteht aus der InGaAsP-Legierung mit einer Zusammensetzung, die von der Wellenlänge des Lasers abhängt, beispielsweise 1,3 oder 1,55 um.
Claims (7)
1. Herstellungsverfahren für einen
oberflächenemittierenden Halbleiterlaser, der auf
einem Substrat aus Elementen III-V ausgebildet ist,
wobei der Laser einen von Spiegeln (11, 15) begrenzten
Hohlraumresonator aufweist und eine aktive Schicht
(CA) sowie eine Schicht zur elektrischen Einschließung
beinhaltet, dadurch gekennzeichnet, dass die
Ausbildung der Schicht zur elektrischen Einschließung
die folgenden Schritte umfasst:
- Wachstum einer lokalisierten Schicht (4) aus
einer Aluminiumlegierung über der aktiven Schicht
(CA) mit Ausnahme eines Öffnungsbereichs (8),
über welchem der eine der Spiegel (11)
ausgebildet werden muss,
- wenigstens eine Übernahme der Epitaxie des
dotierten Substrats (9) und
- seitliche Oxidation der lokalisierten
Aluminiumlegierungsschicht (4).
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
dass der seitliche Oxidation ein Schritt der
seitlichen Ätzung vorhergeht, der gestattet, den
Umfang (12) der Aluminiumlegierungsschicht (4)
freizulegen.
3. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch
gekennzeichnet, dass die Aluminiumlegierung aus
Aluminiumarsenid besteht.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch
gekennzeichnet, dass der Laser auf einem Substrat aus
Indiumphosphid ausgebildet wird, die
Aluminiumlegierung aus Aluminiumarsenid und Antimon
mit einer Zusammensetzung besteht, die ihr eine
Gruppenabstimmung mit dem Indiumphosphid sichert.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch
gekennzeichnet, dass die Bildung der lokalisierten
Aluminiumlegierungsschicht (4) die folgenden Schritte
umfasst:
- Abscheidung einer Maske (3), deren Position und
Abmessungen dem Öffnungsbereich (8) entsprechen,
über der aktiven Schicht (CA),
- Wachstum einer Aluminiumlegierungsschicht (4, 5)
und
- selektive Ätzung der Maske (3).
6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet,
dass die Epitaxieübernahme durch das Verfahren der
chemischen Abscheidung von metallorganischen Elementen
in Gasphase erfolgt.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 5 oder 6, dadurch
gekennzeichnet, dass der selektiven Ätzung ein Schritt
der Abscheidung einer dünnen Schicht (6) von dotiertem
Substrat vorhergeht.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR9515544A FR2743196B1 (fr) | 1995-12-27 | 1995-12-27 | Procede de fabrication d'un laser semi-conducteur a emission par la surface |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE69601549D1 DE69601549D1 (de) | 1999-03-25 |
| DE69601549T2 true DE69601549T2 (de) | 1999-07-08 |
Family
ID=9485996
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE69601549T Expired - Fee Related DE69601549T2 (de) | 1995-12-27 | 1996-12-24 | Herstellungsverfahren für einen oberflächenemittierenden Laser |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5747366A (de) |
| EP (1) | EP0782228B1 (de) |
| JP (1) | JPH09186400A (de) |
| AU (1) | AU707420B2 (de) |
| CA (1) | CA2194004A1 (de) |
| DE (1) | DE69601549T2 (de) |
| FR (1) | FR2743196B1 (de) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19945128A1 (de) * | 1999-09-21 | 2001-05-17 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Vertikalresonator-Laserdiode mit einer Schutzschicht auf dem Auskoppelfenster |
Families Citing this family (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6116756A (en) * | 1997-12-12 | 2000-09-12 | Xerox Corporation | Monolithic scanning light emitting devices |
| US6180428B1 (en) | 1997-12-12 | 2001-01-30 | Xerox Corporation | Monolithic scanning light emitting devices using micromachining |
| US6054335A (en) * | 1997-12-12 | 2000-04-25 | Xerox Corporation | Fabrication of scanning III-V compound light emitters integrated with Si-based actuators |
| US6567448B1 (en) | 1997-12-12 | 2003-05-20 | Xerox Corporation | Scanning III-V compound light emitters integrated with Si-based actuators |
| JP3255111B2 (ja) * | 1998-05-06 | 2002-02-12 | 日本電気株式会社 | 半導体レーザ及びその製造方法 |
| US6091537A (en) * | 1998-12-11 | 2000-07-18 | Xerox Corporation | Electro-actuated microlens assemblies |
| US7095770B2 (en) | 2001-12-20 | 2006-08-22 | Finisar Corporation | Vertical cavity surface emitting laser including indium, antimony and nitrogen in the active region |
| US20030219917A1 (en) * | 1998-12-21 | 2003-11-27 | Johnson Ralph H. | System and method using migration enhanced epitaxy for flattening active layers and the mechanical stabilization of quantum wells associated with vertical cavity surface emitting lasers |
| US7257143B2 (en) * | 1998-12-21 | 2007-08-14 | Finisar Corporation | Multicomponent barrier layers in quantum well active regions to enhance confinement and speed |
| US6922426B2 (en) | 2001-12-20 | 2005-07-26 | Finisar Corporation | Vertical cavity surface emitting laser including indium in the active region |
| US7058112B2 (en) | 2001-12-27 | 2006-06-06 | Finisar Corporation | Indium free vertical cavity surface emitting laser |
| US7435660B2 (en) * | 1998-12-21 | 2008-10-14 | Finisar Corporation | Migration enhanced epitaxy fabrication of active regions having quantum wells |
| US7286585B2 (en) * | 1998-12-21 | 2007-10-23 | Finisar Corporation | Low temperature grown layers with migration enhanced epitaxy adjacent to an InGaAsN(Sb) based active region |
| US6975660B2 (en) | 2001-12-27 | 2005-12-13 | Finisar Corporation | Vertical cavity surface emitting laser including indium and antimony in the active region |
| US7167495B2 (en) * | 1998-12-21 | 2007-01-23 | Finisar Corporation | Use of GaAs extended barrier layers between active regions containing nitrogen and AlGaAs confining layers |
| US7408964B2 (en) | 2001-12-20 | 2008-08-05 | Finisar Corporation | Vertical cavity surface emitting laser including indium and nitrogen in the active region |
| US6376269B1 (en) * | 1999-02-02 | 2002-04-23 | Agilent Technologies, Inc. | Vertical cavity surface emitting laser (VCSEL) using buried Bragg reflectors and method for producing same |
| US6542530B1 (en) * | 2000-10-27 | 2003-04-01 | Chan-Long Shieh | Electrically pumped long-wavelength VCSEL and methods of fabrication |
| US7295586B2 (en) * | 2002-02-21 | 2007-11-13 | Finisar Corporation | Carbon doped GaAsSb suitable for use in tunnel junctions of long-wavelength VCSELs |
| US6822995B2 (en) * | 2002-02-21 | 2004-11-23 | Finisar Corporation | GaAs/AI(Ga)As distributed bragg reflector on InP |
| EP1359614A1 (de) * | 2002-05-02 | 2003-11-05 | Agilent Technologies, Inc. - a Delaware corporation - | Halbleitersubstrate und -strukturen mit einer Oxidschicht |
| DE10223540B4 (de) * | 2002-05-27 | 2006-12-21 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optisch gepumpte Halbleiterlaservorrichtung |
| US6936486B2 (en) * | 2002-11-19 | 2005-08-30 | Jdsu Uniphase Corporation | Low voltage multi-junction vertical cavity surface emitting laser |
| US7433381B2 (en) * | 2003-06-25 | 2008-10-07 | Finisar Corporation | InP based long wavelength VCSEL |
| US7860137B2 (en) * | 2004-10-01 | 2010-12-28 | Finisar Corporation | Vertical cavity surface emitting laser with undoped top mirror |
| WO2006039341A2 (en) * | 2004-10-01 | 2006-04-13 | Finisar Corporation | Vertical cavity surface emitting laser having multiple top-side contacts |
| EP3764490A4 (de) * | 2018-03-07 | 2021-04-21 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Oberflächenemittierender laser |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5160492A (en) * | 1989-04-24 | 1992-11-03 | Hewlett-Packard Company | Buried isolation using ion implantation and subsequent epitaxial growth |
| US5038356A (en) * | 1989-12-04 | 1991-08-06 | Trw Inc. | Vertical-cavity surface-emitting diode laser |
| JPH04101485A (ja) * | 1990-08-21 | 1992-04-02 | Hitachi Ltd | ビーム広がり角可変半導体レーザ装置およびそれを用いた情報処理装置 |
| US5390210A (en) * | 1993-11-22 | 1995-02-14 | Hewlett-Packard Company | Semiconductor laser that generates second harmonic light with attached nonlinear crystal |
| US5400354A (en) * | 1994-02-08 | 1995-03-21 | Ludowise; Michael | Laminated upper cladding structure for a light-emitting device |
| US5550081A (en) * | 1994-04-08 | 1996-08-27 | Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Method of fabricating a semiconductor device by oxidizing aluminum-bearing 1H-V semiconductor in water vapor environment |
| US5517039A (en) * | 1994-11-14 | 1996-05-14 | Hewlett-Packard Company | Semiconductor devices fabricated with passivated high aluminum-content III-V material |
| US5493577A (en) * | 1994-12-21 | 1996-02-20 | Sandia Corporation | Efficient semiconductor light-emitting device and method |
| US5594751A (en) * | 1995-06-26 | 1997-01-14 | Optical Concepts, Inc. | Current-apertured vertical cavity laser |
| US5696784A (en) * | 1996-04-19 | 1997-12-09 | Opto Power Corporation | Reduced mode laser and method of fabrication |
-
1995
- 1995-12-27 FR FR9515544A patent/FR2743196B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-12-19 AU AU75485/96A patent/AU707420B2/en not_active Ceased
- 1996-12-24 EP EP96402874A patent/EP0782228B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1996-12-24 CA CA002194004A patent/CA2194004A1/fr not_active Abandoned
- 1996-12-24 DE DE69601549T patent/DE69601549T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1996-12-26 US US08/773,355 patent/US5747366A/en not_active Expired - Fee Related
- 1996-12-27 JP JP8349598A patent/JPH09186400A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19945128A1 (de) * | 1999-09-21 | 2001-05-17 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Vertikalresonator-Laserdiode mit einer Schutzschicht auf dem Auskoppelfenster |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09186400A (ja) | 1997-07-15 |
| FR2743196A1 (fr) | 1997-07-04 |
| AU707420B2 (en) | 1999-07-08 |
| US5747366A (en) | 1998-05-05 |
| DE69601549D1 (de) | 1999-03-25 |
| AU7548596A (en) | 1997-07-03 |
| EP0782228B1 (de) | 1999-02-17 |
| FR2743196B1 (fr) | 1998-02-06 |
| EP0782228A1 (de) | 1997-07-02 |
| CA2194004A1 (fr) | 1997-06-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE69601549T2 (de) | Herstellungsverfahren für einen oberflächenemittierenden Laser | |
| DE3689067T2 (de) | Verfahren zur herstellung von optischen halbleiterstrukturen. | |
| DE69504276T2 (de) | Licht-emittierende Vorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
| DE69830463T2 (de) | Oberflächenemittierender Laser mit vertikalem Resonator und getrennten optischen Leitern und Stromleitern | |
| DE69006087T2 (de) | Elektrisch gepumpter Laser mit senkrechtem Resonator. | |
| DE69601698T2 (de) | Oberflächen-emittierender Halbleiterlaser | |
| DE3924197C2 (de) | Halbleiterlaser | |
| DE3779775T2 (de) | Halbleiterlaser mit streifenfoermiger mesa-wellenleiterstruktur und dessen herstellungsverfahren. | |
| DE69300772T2 (de) | Mittels MOCVD auf einem strukturiertem Substrat aufgewachsene Laser mit vergrabener Heterostruktur. | |
| DE69411364T2 (de) | Halbleiterlaser | |
| DE3007809C2 (de) | Halbleiterlichtausstrahlungselement und Verfahren zu seiner Herstellung | |
| DE69712541T2 (de) | Halbleiterlaser und Herstellungsverfahren | |
| DE69412693T2 (de) | Laserdiode mit vertikalem Resonator | |
| DE69625384T2 (de) | Lichtemittierende Halbleitervorrichtung und Herstellungsverfahren | |
| DE69521556T2 (de) | Herstellungsverfahren für eine optische Halbleitervorrichtung | |
| DE10302134B4 (de) | Halbleiterlaser mit Modulationsdotierung | |
| DE69215160T2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines abstimmbaren Halbleiterlasers | |
| DE3751782T2 (de) | Halbleiterstrukturen und deren Herstellungsverfahren | |
| DE2920454A1 (de) | Halbleiterlaser und verfahren zu dessen herstellung | |
| DE69120907T2 (de) | Oberflächenemittierender Laser für sichtbares Licht | |
| DE69723923T2 (de) | Herstellungsverfahren für einen Oberflächenemittierenden Laser | |
| DE3221497A1 (de) | Stabilisierter halbleiterlaser | |
| DE3714512C2 (de) | ||
| DE69131034T2 (de) | Halbleiterlaser mit vergrabener Streifenstruktur | |
| DE3888575T2 (de) | Lichtemittierende Vorrichtung. |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| 8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
Owner name: ALCATEL, PARIS, FR |
|
| 8364 | No opposition during term of opposition | ||
| 8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
Owner name: AVANEX CORP., FREMONT, CALIF., US |
|
| 8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |