CN1459900A - 半导体激光器 - Google Patents

半导体激光器 Download PDF

Info

Publication number
CN1459900A
CN1459900A CN03101735A CN03101735A CN1459900A CN 1459900 A CN1459900 A CN 1459900A CN 03101735 A CN03101735 A CN 03101735A CN 03101735 A CN03101735 A CN 03101735A CN 1459900 A CN1459900 A CN 1459900A
Authority
CN
China
Prior art keywords
covering
layer
barrier layer
mentioned
semiconductor laser
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN03101735A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1225067C (zh
Inventor
高濑祯
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Publication of CN1459900A publication Critical patent/CN1459900A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1225067C publication Critical patent/CN1225067C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/305—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region characterised by the doping materials used in the laser structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
    • H01S5/125—Distributed Bragg reflector [DBR] lasers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/305—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region characterised by the doping materials used in the laser structure
    • H01S5/3086—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region characterised by the doping materials used in the laser structure doping of the active layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/305—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region characterised by the doping materials used in the laser structure
    • H01S5/3086—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region characterised by the doping materials used in the laser structure doping of the active layer
    • H01S5/309—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region characterised by the doping materials used in the laser structure doping of the active layer doping of barrier layers that confine charge carriers in the laser structure, e.g. the barriers in a quantum well structure

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

一种半导体激光器，该激光器在p－包层与n－包层之间设置活性层，该活性层具有包含多个势垒层和阱层的多重量子阱，且至少在一个势垒层上进行了p型调制掺杂。具体地说，提供一种靠近p－包层的势垒层的p型调制掺杂量少于靠近n－包层的势垒层的p型调制掺杂量的半导体激光器。借以抑制不发光再结合，提高差分增益和高速应答性。同时因离p－包层远的势垒层中空穴密度变高，所以还可改善载流子的不均性。

Description

半导体激光器
技术领域
本发明涉及可以用作光通信装置的光源的半导体激光器。更具体地说是适于提高发光效率和调制光带的半导体激光器结构。
背景技术
近年来随着信息化技术的进步，越来越要求将更多的信息更快、更远地传送。因此开发了光通信技术，现在已经利用在很多方面。例如，在作为通信装置的关键部分的光源的半导体激光器上利用了很多提高发光效率和高速应答(调制光带)的技术。更具体地说，是具有采用了多重量子阱结构和调制掺杂结构的活性层的半导体激光器。利用这些技术可以在短的时间段里尽可能地传送多的信息。
图4是半导体激光器的活性层的多重量子阱结构的能量概图。该图所示结构的激光器的发光原理如下；在价电子带侧21中，空穴22从p-包层侧2通过光截留层3向各价电子带阱层23注入。在传导带侧26中，电子27从n-包层侧6向传导带阱层注入。然后，通过空穴22与电子27的结合产生光28。
图示的激光器具有由多个量子阱数构成的多重量子阱活性层4。此结构的空穴22与电子27的状态密度变大，光增益增加，所以能提高发光效率。同时，因为差分增益也增加了，所以表示激光器的调制光带的张弛振动频率也得到了提高。
为了进一步提高发光效率与调制光带的方法，研究了只在活性层的多重量子阱的势垒层24上进行p型或n型掺杂的所谓的调制掺杂技术.在JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS VOL.29，(1990)81.中对此技术进行了详细的介绍。按照该文献的介绍，在多重量子阱结构的势垒层24上进行p型掺杂时，从受主能级提供的大量空穴22使增益光谱变窄。所以差分增益变大，调制光带得到了改善。而进行n型掺杂时，因为光吸收受到抑制，所以阈值电流降低，发光效率得到改善。
发明内容
上述技术有时不能充分提高发光效率和调制光带。即，增加量子阱数时，若增加数过多，则在空穴22从p-包层侧2向价电子带阱层23注入时，有的空穴到达不了离p-包层侧2远的(即光截留层5侧)价电子带阱层23，因为空穴22的有效质量大。这样，在各价电子带阱层23中会产生空穴密度的不均，因而量子阱的多重效果会降低。
再有，即使制作只在多重量子阱的势垒层24上进行调制掺杂的激光器，在实际制作中因在外延生长时的热滞后，本应只向势垒层24掺杂的p型或n型杂质扩散到了阱层。这会使作为发光部的阱层的结晶恶化，不发光再结合的比例增加，改善效果降低。添加的杂质浓度越高、Zn等的扩散度越高，这种现象越明显。
本发明的目的是充分提高在多重量子阱结构的活性层上进行调制掺杂的半导体激光器的发光效率和调制光带。
本发明的半导体激光器在p-包层与n-包层之间设置了活性层，该活性层具有含有多个势垒层与阱层的多重量子阱，而且，至少在一个势垒层上进行了p型调制掺杂。具体地说，靠近上述p-包层的上述势垒层的p型调制掺杂量少于靠近上述n-包层的上述势垒层的p型调制掺杂量。这样就能达到上述目的。
上述p型调制掺杂量可以由势垒层与上述p-包层之间的距离决定。
上述p型调制掺杂量可以根据势垒层与上述p-包层之间的距离的接近逐渐减少。
上述p型调制掺杂可以在与上述n-包层之间的距离小于设定的势垒层与上述n-包层之间的距离的一个以上的势垒层上，用第一掺杂量进行掺杂，在与上述p-包层之间的距离小于上述设定的势垒层与上述p-包层之间的距离的一个以上的势垒层上，用少于第一掺杂量的第二掺杂量进行掺杂。
下面参照附图说明本发明的实施方案。在附图中，具有同样功能的构成元件用相同的标号。
附图说明
图1是半导体激光器的层结构的剖面图；
图2是半导体激光器(图1)多重量子阱活性层周围的能量概图；
图3的(a)是分布反馈型激光器结构的剖面图，(b)是布雷格反射型激光器的结构剖面图；
图4是半导体激光器的活性层的多重量子阱结构的概图；符号说明
1.InP衬底、2.p-InP包层、3.InGaAsP光截留层、4.多重量子阱活性层、5.InGaAsP光截留层、6.n-InP包层、7.接触层、8、9.金属电极、21.价电子带侧、22.空穴、23.阱层、24.势垒层、25.p型掺杂剂、26.传导带侧、27.电子、28.光。
实施方案1
图1是半导体激光器的剖面图。这种半导体激光器可以用外延生长法层叠各层而形成。外延生长法例如可以利用，向衬底流入含有欲生长的有机金属的气体，通过在衬底表面上的化学反应而生长的有机金属气相生长法(MOCVD)；及在高真空中将有机金属向衬底蒸发，使有机金属附着在衬底上而生长的有机金属分子束生长法(MOMBE)。具体地说是利用外延生长法在InP衬底1上层叠p-InP包层2、InGaAsP光截留层3、InGaAsP多重量子阱活性层4、InGaAsP光截留层5、n-InP包层6、及接触层7。
然后，形成金属电极8和9，涂覆垂直于谐振器的端面即各层的端面的光反射膜(图中未示出)。涂覆光反射膜的目的是为了滤光，留下谐振器所需的波长，并在谐振器内部产生谐振、放大。谐振器的端面至少包含与多重量子阱活性层4相对的端面。在以下的说明中，省略各层的材料描述。例如p-InP包层2用“p-包层2”表示，InGaAsP光截留层3用“光截留层3”表示。
图2是半导体激光器(图1)的多重量子阱活性层4的周围20的能量概图。从图2的左侧起依次层叠了p-包层2、光截留层3、多重量子阱活性层4、光截留层5、及n-包层6。这与图1的半导体激光器的层结构相对应。激光器的发光原理与先前相同。即，在价电子带侧21中，空穴22从p-包层2通过光截留层3向各价电子带阱层23注入。而在传导带侧26中，电子27从n-包层侧6向传导带阱层注入。然后通过空穴22与电子27的结合产生光28。另外，虽然在所有的方向都产生光，但由于光截留层3和5的作用只取出方向与各层平行的光。
在本发明的注入空穴22的多重量子阱活性层4中，离p-包层2近的势垒层24的p型掺杂量少于离p-包层2远的势垒层24(即靠近n-包层的)的p型掺杂量。图中，在势垒层24中示出了掺杂剂25。具体地说，掺杂剂25使用了Zn。在离p-包层2近的势垒层24中将Zn的浓度定为1×1018cm3，而在离p-包层2远的势垒层24中将Zn的浓度定为2×1018cm3。图中形象地示出了表示p型掺杂剂25的密度的黑点数在离p-包层2近的势垒层24中少，而在离p-包层2远的势垒层24中多。掺杂剂的密度可以从离p-包层2近的势垒层24开始随与p-包层2之间的距离的拉长逐渐增加，每隔一个势垒层增加一点(如阶梯状)。或者规定从设定位置(如中央)的势垒层24至离p-包层2近的势垒层24的密度为1×1018cm3，至离p-包层2远的势垒层24的密度为2×1018cm3。
常规的方法是对所有的势垒层24都用例如密度为2×1018cm3的掺杂剂掺杂，所以掺杂剂扩散到了阱层23。可是注入到势垒层24的空穴22密度在离p-包层2近的区域高，而随着势垒层与p-包层2之间的距离的拉长(即随着势垒层与n-包层6之间的距离的拉近)，注入到势垒层24的空穴22的密度变低。所以，通过使离p-包层2近的势垒层24的p型掺杂量少于离p-包层2远的(换句话说离n-包层6近的)势垒层24的p型掺杂量，可以抑制不发光再结合，进而提高差分增益和高速应答性。同时，因为在离p-包层2远的阱层23中空穴22的密度变高，所以载流子的不均性也可以得到改善。
按上述说明，也可以使离p-包层近的势垒层24上的p型掺杂量的密度为零(即不进行p型掺杂)，使离p-包层远的势垒层24上的p型掺杂量的密度为2×1018cm3。密度的变化位置例如和上述位置相同，可以设在规定的位置(例如中央)的势垒层24上。
在此，P型掺杂剂使用了Zn，但不限于此。例如可以使用Be、Cd、C等其他的p型掺杂剂。
实施方案2
在实施方案2中说明应用实施方案1的半导体激光器的例子。在图1所示的半导体激光器中，说明了为了使光产生谐振、放大，在各层的端面设置了光反射膜(图中未示出)。这种结构通常叫作法布里珀罗结构。
在本实施方案中说明将实施方案1的半导体激光器用在别的结构的激光器上的例子。具体地说是说明分布反馈型(DFB：distribution feedback)激光器、和布雷格反射型激光器。
图3(a)是分布反馈型激光器30-1的结构剖面图。分布反馈型激光器30-1是可以只输出特定波长的激光的激光器。分布反馈型激光器30-1是在具有多重量子阱活性层4的实施方案1的半导体激光器上设置只抽取特定波长的激光的衍射光栅33而构成的。衍射光栅33重叠在多重量子阱活性层4的层面上，形成于层叠阶段。另外，在此图中还示出了光反射膜31和32。若向图的右侧输出激光则光反射膜31的反射率高，光反射膜32的反射率低。
图3的(b)是布雷格反射型激光器30-2的结构剖面图。
布雷格反射型激光器30-2是应用了分布反馈型激光器30-1的可以选择波长的激光器。布雷格反射型激光器30-2可分为具有多重量子阱活性层34的光源部36和具有衍射光栅35的波长选择部37两大部分。光源部36的结构与实施方案1的半导体激光器的多重量子阱活性层4实质相同。但是多重量子阱活性层34只设置在光源部36，没有设置在波长选择部37。即，多重量子阱活性层34与衍射光栅35没有重合，衍射光栅35设置在多重量子阱活性层34的层面的扩展方向之外。这种结构的多重量子阱活性层34可以在实施方案1的多重量子阱活性层4层叠后，将波长选择部37部分的多重量子阱活性层4经过刻蚀等处理、去除而获得。在电极38-1和38-2上施加电压，通过向多重量子阱活性层34施加电场使光源部36发光。然后，在波长选择部37选择所需的波长。另外，因为光反射膜31和32与图3的(a)相同，所以不作说明。
靠近p-包层的势垒层的p型掺杂量少于靠近n-包层的势垒层的p型掺杂量。p型掺杂量可以根据势垒层与p-包层之间的距离决定，也可以随势垒层与p-包层之间的距离的接近逐渐减少。还可以在与上述n-包层之间的距离小于设定的势垒层与上述n-包层之间的距离的一个以上的势垒层上用第一掺杂量掺杂，在与上述p-包层之间的距离小于上述设定的势垒层与上述p-包层之间的距离的一个以上的势垒层上用少于第一掺杂量的第二掺杂量掺杂。这样就能抑制不发光再接合，提高差分增益和高速应答性。同时因为在离p-包层远的阱层中空穴的密度变高，所以载流子的不均性也可以得到改善。
另外，p型调制掺杂的p型掺杂剂可以使用Zn、Be、Cd、C中的一种。
上述半导体激光器具有两个垂直于与活性层相对的端面的反射率不同的光反射膜。因此可以使光产生谐振、放大。特别是通过设置衍射光栅可以获得能够抽取设定波长的激光的法布雷珀罗型激光器。还有，若将衍射光栅重叠在活性层的层面上则可以得到分布反馈型激光器，若将衍射光栅设置在活性层层面的扩展方向之外，则可以得到布雷格反射型激光器。

Claims (4)

1.一种半导体激光器，该半导体激光器在p-包层与n-包层之间设置了活性层，该活性层具有含有多个势垒层与阱层的多重量子阱，而且，至少在一个势垒层上进行了p型调制掺杂；其特征在于，靠近上述p-包层的上述势垒层的p型调制掺杂量少于靠近上述n-包层的上述势垒层的p型调制掺杂量。
2.如权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，上述p型调制掺杂量根据势垒层与上述p-包层之间的距离决定。
3.如权利要求2所述的半导体激光器，其特征在于，上述p型调制掺杂量随势垒层与上述p-包层之间的距离的接近逐渐减少。
4.如权利要求2所述的半导体激光器，其特征在于，上述p型调制掺杂在与上述n-包层之间的距离小于设定的势垒层与上述n-包层之间的距离的一个以上的势垒层上，用第一掺杂量进行掺杂，在与上述p-包层之间的距离小于上述设定的势垒层距上述p-包层之间的距离的一个以上的势垒层上，用少于第一掺杂量的第二掺杂量进行掺杂。
CNB031017355A 2002-05-17 2003-01-21 半导体激光器 Expired - Fee Related CN1225067C (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002142597A JP2003332694A (ja) 2002-05-17 2002-05-17 半導体レーザ
JP142597/02 2002-05-17
JP142597/2002 2002-05-17

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1459900A true CN1459900A (zh) 2003-12-03
CN1225067C CN1225067C (zh) 2005-10-26

Family

ID=29397675

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB031017355A Expired - Fee Related CN1225067C (zh) 2002-05-17 2003-01-21 半导体激光器

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6744799B2 (zh)
JP (1) JP2003332694A (zh)
KR (1) KR100503939B1 (zh)
CN (1) CN1225067C (zh)
DE (1) DE10302134B8 (zh)
TW (1) TW567655B (zh)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101165979B (zh) * 2006-10-18 2010-12-01 三星Led株式会社 半导体光电器件
CN102157647A (zh) * 2011-05-03 2011-08-17 映瑞光电科技(上海)有限公司 一种氮化物led结构及其制备方法
CN102185058A (zh) * 2011-04-02 2011-09-14 映瑞光电科技(上海)有限公司 一种氮化物led结构及其制备方法
CN102227046A (zh) * 2011-05-25 2011-10-26 北京化工大学 一种氮化镓基半导体激光器及其制作方法
US8704252B2 (en) 2008-10-23 2014-04-22 Epistar Corporation Light emitting device
CN101740668B (zh) * 2008-11-06 2014-09-10 晶元光电股份有限公司 发光元件
CN108736317A (zh) * 2018-05-15 2018-11-02 深圳市光脉电子有限公司 一种发光二极管外延结构及其矩阵式激光器器件

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7123141B2 (en) * 2003-08-20 2006-10-17 Contestabile Robert A Electronic monitoring systems and methods
US8044381B2 (en) * 2007-07-30 2011-10-25 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Light emitting diode (LED)
US7902545B2 (en) * 2008-05-14 2011-03-08 Baker Hughes Incorporated Semiconductor for use in harsh environments
US20090283746A1 (en) * 2008-05-15 2009-11-19 Palo Alto Research Center Incorporated Light-emitting devices with modulation doped active layers
US7953134B2 (en) * 2008-12-31 2011-05-31 Epistar Corporation Semiconductor light-emitting device
KR100993085B1 (ko) 2009-12-07 2010-11-08 엘지이노텍 주식회사 발광 소자, 발광 소자 패키지 및 라이트 유닛
JP7296845B2 (ja) * 2019-08-19 2023-06-23 日本ルメンタム株式会社 変調ドープ半導体レーザ及びその製造方法
CN112398003B (zh) * 2019-08-19 2023-01-06 朗美通日本株式会社 调制掺杂半导体激光器及其制造方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA1279394C (en) * 1985-07-26 1991-01-22 Naoki Chinone Multiple quantum well type semiconductor laser
US5239186A (en) * 1991-08-26 1993-08-24 Trw Inc. Composite quantum well infrared detector
US5319657A (en) * 1991-10-08 1994-06-07 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor laser of modulation doping quantum well structure with stopper against dopant dispersion and manufacturing method thereof
US5198682A (en) * 1991-11-12 1993-03-30 Hughes Aircraft Company Multiple quantum well superlattice infrared detector with graded conductive band
JPH05152677A (ja) * 1991-11-28 1993-06-18 Nec Corp 半導体レーザ装置
JPH06334258A (ja) 1993-05-26 1994-12-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体レーザ装置
JPH08111558A (ja) * 1994-10-07 1996-04-30 Hitachi Ltd 半導体レーザ素子
JP3228453B2 (ja) * 1994-11-10 2001-11-12 日本電信電話株式会社 半導体量子井戸構造を有する光半導体装置
US5949807A (en) * 1994-12-28 1999-09-07 Mitsui Chemicals, Inc. Semiconductor laser device
JP3752306B2 (ja) * 1996-05-09 2006-03-08 日本オプネクスト株式会社 半導体レ−ザ
US6240114B1 (en) * 1998-08-07 2001-05-29 Agere Systems Optoelectronics Guardian Corp. Multi-quantum well lasers with selectively doped barriers
US6396861B1 (en) * 1999-01-11 2002-05-28 The Furukawa Electric Co., Ltd. N-type modulation-doped multi quantum well semiconductor laser device
JP2001267693A (ja) * 2000-03-17 2001-09-28 Sanyo Electric Co Ltd 半導体レーザ素子
JP2002111135A (ja) * 2000-10-02 2002-04-12 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体レーザ素子、それを用いた光ファイバ増幅器用励起光源
US6696861B1 (en) * 2002-11-01 2004-02-24 Texas Instruments Incorporated Switch mode regulator controller using hybrid technique

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101165979B (zh) * 2006-10-18 2010-12-01 三星Led株式会社 半导体光电器件
US8704252B2 (en) 2008-10-23 2014-04-22 Epistar Corporation Light emitting device
CN101740668B (zh) * 2008-11-06 2014-09-10 晶元光电股份有限公司 发光元件
CN102185058A (zh) * 2011-04-02 2011-09-14 映瑞光电科技(上海)有限公司 一种氮化物led结构及其制备方法
CN102157647A (zh) * 2011-05-03 2011-08-17 映瑞光电科技(上海)有限公司 一种氮化物led结构及其制备方法
CN102227046A (zh) * 2011-05-25 2011-10-26 北京化工大学 一种氮化镓基半导体激光器及其制作方法
CN108736317A (zh) * 2018-05-15 2018-11-02 深圳市光脉电子有限公司 一种发光二极管外延结构及其矩阵式激光器器件

Also Published As

Publication number Publication date
DE10302134B8 (de) 2007-08-02
KR100503939B1 (ko) 2005-07-26
KR20030089399A (ko) 2003-11-21
TW200307385A (en) 2003-12-01
US6744799B2 (en) 2004-06-01
JP2003332694A (ja) 2003-11-21
DE10302134B4 (de) 2007-04-19
US20030214989A1 (en) 2003-11-20
DE10302134A1 (de) 2003-11-27
TW567655B (en) 2003-12-21
CN1225067C (zh) 2005-10-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11777279B2 (en) Laser architectures using quantum well intermixing techniques
CN1225067C (zh) 半导体激光器
US4937835A (en) Semiconductor laser device and a method of producing same
DE102009054564A1 (de) Laserdiodenanordnung und Verfahren zum Herstellen einer Laserdiodenanordnung
CN1239342A (zh) 具有碳掺杂接触层的光学器件
CN1006835B (zh) 半导体激光器
JP2785167B2 (ja) 多重量子井戸構造および多重量子井戸構造を用いた半導体素子
US6853015B2 (en) Optical semiconductor device including InGaAlAs doped with Zn
JPH0143472B2 (zh)
US11329450B2 (en) Electro-absorption optical modulator and manufacturing method thereof
US10020637B2 (en) Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device
CN1261985A (zh) 具有掩埋异质结构类型的激光二极管
JP2002368342A (ja) 多重量子井戸半導体素子
CN114503382B (zh) 半导体装置
JP3213428B2 (ja) 半導体レーザ装置およびその製造方法
JPH09116233A (ja) ３−５族光半導体素子および３−５族光半導体集積素子
FR2581801A1 (fr) Procede de realisation de lasers a semiconducteurs a jonctions bloquantes assurant un confinement electrique
JP2570732B2 (ja) 半導体レ−ザ
CN112398004A (zh) 电吸收光调制器及其制造方法
JPS6035590A (ja) プレ−ナ型半導体発光装置
KR900000021B1 (ko) 반도체 레이저
JPH0330486A (ja) 多重量子井戸発光素子
CN114361935A (zh) 一种边射型激光元件
JPH07183619A (ja) 変調ドープ量子井戸半導体レーザ
JPH03116887A (ja) 量子構造半導体素子

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C17 Cessation of patent right
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20051026

Termination date: 20100221