CN102185058A - 一种氮化物led结构及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种氮化物LED结构，该结构在量子阱的基态能级间的跃迁能量逐渐变化的前提下，通过逐渐改变量子阱的势垒宽度，提高载流子在有源区中分布的均匀性，在考虑空穴量子隧穿效应的同时，兼顾量子阱限制作用对载流子发光复合的影响，从而进一步提高电子和空穴的复合效率，提高LED的内量子效率和发光强度；本发明还公开了一种氮化物LED结构的制备方法，该方法在量子阱的基态能级间的跃迁能量逐渐变化的前提下，通过逐渐改变量子阱的势垒宽度，提高载流子在有源区中分布的均匀性，在考虑空穴量子隧穿效应的同时，兼顾量子阱限制作用对载流子发光复合的影响，进一步提高电子和空穴的复合效率，提高LED的内量子效率和发光强度。

Description

一种氮化物LED结构及其制备方法
技术领域
本发明涉及LED制备技术领域，尤其涉及一种氮化物LED结构及其制备方法。
背景技术
发光二极管(LED，Light Emitting Diode)是一种半导体固体发光器件，其利用半导体PN结作为发光材料，可以直接将电转换为光。当半导体PN结的两端加上正向电压后，注入PN结中的少数载流子和多数载流子发生复合，放出过剩的能量而引起光子发射，直接发出颜色为红、橙、黄、绿、青、蓝、紫的光。其中，GaN基材料是指GaN、InN、AlN以及他们的三元和四元化合物，属于直接带隙半导体材料，室温下其发光波长涵盖了近红外、可见以及深紫外波段，因而广泛地应用于LED领域中。
目前，氮化物LED发光器件主要采用P-N结结构，并且在P型半导体和N型半导体之间设有多量子阱结构，所述多量子阱结构作为有源区。当器件工作时，电子和空穴分别从有源区两端的N型区和P型区输入，载流子在多量子阱结构中的分布主要由电子和空穴的输运特性来决定。相对于电子而言，空穴具有大得多的有效质量和低得多的迁移率，因此，在有源区各个量子阱中，空穴很难输运到远离P型区的量子阱中。这样，LED的发光强度主要由空穴的分布决定。最靠近P型区的量子阱中空穴浓度最高，对发光的贡献最大；随着注入电流的增大，在靠近N型区量子阱中无法复合的载流子会聚集在靠近P型区的量子阱中，使电子从有源区泄露的几率增大，从而大大降低器件的内量子效率，这也是导致LED器件在大电流下效率明显下降的原因之一。
公开号为“CN101540364A”、名称为“一种氮化物发光器件及其制备方法”的中国专利公开了一种非对称耦合多量子阱结构为有源区的氮化物发光器件，所述非对称耦和的多量子阱结构的量子阱基态能级间的跃迁能量逐渐变化，跃迁能量大的量子阱靠近P型区，跃迁能量小的量子阱靠近N型区。用此有源区结构可以增强空穴在有源区的隧穿输运，同时可以阻挡电子的隧穿输运，实现高效发光。然而，上述专利中的量子阱的势垒没有变化，没有考虑到实际空穴在量子阱中的分布和空穴量子隧穿几率的关系。粒子穿过势垒的几率由势垒的性质和粒子在阱中的分布状态所决定。由于空穴比电子具有大得多的有效质量和低得多的迁移率，因此空穴在每个量子阱中的分布并不均匀。在靠近P型区的阱中，空穴密度高，所以隧穿到相邻量子阱中的几率相对较大；随着量子阱向N型区移动，空穴的密度明显降低，这样通过隧穿效应输运到相邻量子阱中的几率就会减小。所以量子阱的垒的宽度调整就成为提高发光亮度的一个重要参数。垒的宽度要同时考虑到量子阱的载流子限制作用和空穴的隧穿效应。量子阱太窄，载流子限制作用低，不能保证电子空穴对在量子阱中充分复合；量子阱太宽，则空穴隧穿几率低，无法提高载流子在有源区中分布的均匀性。
因此，有必要对现有的氮化物LED结构进行改进。
发明内容
本发明的目的在于提供一种氮化物LED结构及其制备方法，以提高氮化物LED的性能。
为解决上述问题，本发明提出一种氮化物LED结构，该氮化物LED结构至少包括N型电子注入层、P型空穴注入层以及夹在所述N型电子注入层与所述P型空穴注入层之间的多量子阱有源层，所述多量子阱有源层中的量子阱的基态能级间的跃迁能量逐渐变化，跃迁能量大的量子阱靠近P型空穴注入层，跃迁能量小的量子阱靠近N型电子注入层，并且所述多量子阱有源层中的量子阱的势垒宽度也逐渐变化，势垒宽度大的量子阱靠近P型空穴注入层，势垒宽度小的量子阱靠近N型电子注入层。
可选的，所述量子阱的势垒宽度小于20nm。
可选的，所述N型电子注入层、P型空穴注入层以及多量子阱有源层均由AlxGayIn1-x-yN组成，其中，0＜x＜1，0＜x+y＜1，且所述N型电子注入层的禁带宽度、P型空穴注入层的禁带宽度以及量子阱的势垒的禁带宽度均大于所述量子阱的势阱的禁带宽度。
可选的，所述多量子阱有源层由非对称耦合量子阱组成，所述非对称耦合量子阱包括至少三个量子阱，相邻量子阱之间存在耦合效应，电子和空穴通过隧穿所述量子阱的势垒进入下一个量子阱。
可选的，所述量子阱的基态能级间的跃迁能量逐渐变化通过调节量子阱的势阱宽度实现。
可选的，所述量子阱的基态能级间的跃迁能量逐渐变化通过调节量子阱的组分实现。
可选的，所述量子阱的基态能级间的跃迁能量逐渐变化通过同时调节量子阱的势阱宽度及量子阱的组分实现。
可选的，该氮化物LED结构还包括衬底、在所述衬底上依次生长的低温缓冲层以及不掺杂的氮化物层，所述不掺杂的氮化物层上依次形成有所述N型电子注入层、所述多量子阱有源层以及所述P型空穴注入层，所述N型电子注入层与N型电极相连，所述P型空穴注入层上形成有透明电极层，所述透明电极层上制备有P型电极。
同时，为解决上述问题，本发明还提出一种氮化物LED结构的制备方法，该方法包括如下步骤：
提供衬底；
在所述衬底上依次形成低温缓冲层、不掺杂的氮化物层、N型电子注入层、多量子阱有源层以及P型空穴注入层，其中，所述多量子阱有源层中的量子阱的基态能级间的跃迁能量逐渐变化，跃迁能量大的量子阱靠近P型空穴注入层，跃迁能量小的量子阱靠近N型电子注入层，且所述多量子阱有源层中的量子阱的势垒宽度也逐渐变化，势垒宽度大的量子阱靠近P型空穴注入层，势垒宽度小的量子阱靠近N型电子注入层；
依次刻蚀所述P型空穴注入层以及所述多量子阱有源层，形成一台柱面，并露出所述N型电子注入层，在露出的N型电子注入层上制备N型电极；
在刻蚀后的所述P型空穴注入层上制备透明电极层及P型电极。
可选的，所述量子阱的势垒宽度小于20nm。
可选的，所述N型电子注入层、P型空穴注入层以及多量子阱有源层均由AlxGayIn1-x-yN组成，其中，0＜x＜1，0＜x+y＜1，且所述N型电子注入层的禁带宽度、P型空穴注入层的禁带宽度以及量子阱的势垒的禁带宽度均大于所述量子阱的势阱的禁带宽度。
可选的，所述多量子阱有源层由非对称耦合量子阱组成，所述非对称耦合量子阱包括至少三个量子阱，相邻量子阱之间存在耦合效应，电子和空穴通过隧穿所述量子阱的势垒进入下一个量子阱。
可选的，所述量子阱的基态能级间的跃迁能量逐渐变化通过调节量子阱的势阱宽度实现。
可选的，所述量子阱的基态能级间的跃迁能量逐渐变化通过调节量子阱的组分实现。
可选的，所述量子阱的基态能级间的跃迁能量逐渐变化通过同时调节量子阱的势阱宽度及量子阱的组分实现。
与现有技术相比，本发明提供的氮化物LED结构在多量子阱有源层中的量子阱的基态能级间的跃迁能量逐渐变化的前提下，通过逐渐改变量子阱的势垒的宽度，提高载流子在有源区中分布的均匀性，在考虑空穴量子隧穿效应的同时，兼顾量子阱限制作用对载流子发光复合的影响，从而进一步提高电子和空穴的复合效率，提高LED的内量子效率和发光强度。
与现有技术相比，本发明提供的氮化物LED结构的制备方法在多量子阱有源层中的量子阱的基态能级间的跃迁能量逐渐变化的前提下，通过逐渐改变量子阱的势垒的宽度，提高载流子在有源区中分布的均匀性，在考虑空穴量子隧穿效应的同时，兼顾量子阱限制作用对载流子发光复合的影响，从而进一步提高电子和空穴的复合效率，提高LED的内量子效率和发光强度。
附图说明
图1为本发明实施例提供的氮化物LED结构的剖面图；
图2为本发明实施例提供的量子阱有源区的第一种能带示意图；
图3为本发明实施例提供的量子阱有源区的第二种能带示意图；
图4为本发明实施例提供的量子阱有源区的第三种能带示意图。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例对本发明提出的氮化物LED结构及其制备方法作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比率，仅用于方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
本发明的核心思想在于，提供一种氮化物LED结构，该LED结构在多量子阱有源层中的量子阱的基态能级间的跃迁能量逐渐变化的前提下，通过逐渐改变量子阱的势垒的宽度，提高载流子在有源区中分布的均匀性，在考虑空穴量子隧穿效应的同时，兼顾量子阱限制作用对载流子发光复合的影响，从而进一步提高电子和空穴的复合效率，提高LED的内量子效率和发光强度；同时，本发明还提供一种氮化物LED结构的制备方法，该方法在多量子阱有源层中的量子阱的基态能级间的跃迁能量逐渐变化的前提下，通过逐渐改变量子阱的势垒的宽度，提高载流子在有源区中分布的均匀性，在考虑空穴量子隧穿效应的同时，兼顾量子阱限制作用对载流子发光复合的影响，从而进一步提高电子和空穴的复合效率，提高LED的内量子效率和发光强度。
请参考图1至图4，其中，图1为本发明实施例提供的氮化物LED结构的剖面图，图2为本发明实施例提供的量子阱有源区的第一种能带示意图，图3为本发明实施例提供的量子阱有源区的第二种能带示意图，图4为本发明实施例提供的量子阱有源区的第三种能带示意图。
结合图1至图4，本发明实施例提供的氮化物LED结构包括衬底101、在所述衬底101上依次形成的低温缓冲层102、不掺杂的氮化物层103、N型电子注入层104、多量子阱有源层105、以及P型空穴注入层106，其中，所述N型电子注入层104与N型电极107相连，所述P型空穴注入层106上形成有透明电极层108，所述透明电极层108上制备有P型电极109，如图1所示；所述多量子阱有源层105中的量子阱的基态能级间的跃迁能量逐渐变化，跃迁能量大的量子阱靠近P型空穴注入层106，跃迁能量小的量子阱靠近N型电子注入层104，并且所述多量子阱有源层105中的量子阱的势垒宽度也逐渐变化，势垒宽度大的量子阱靠近P型空穴注入层106，势垒宽度小的量子阱靠近N型电子注入层104；这是因为在靠近所述P型空穴注入层106的量子阱中，由于空穴密度比较大，所以势垒选择相对宽一些，在保证一定空穴隧穿的前提下，提高载流子复合几率；随着量子阱向所述N型电子注入层104移动，空穴密度变小，为实现空穴的量子隧穿效应，势垒相对变窄。
本发明实施例提供的氮化物LED结构在多量子阱有源层中的量子阱的基态能级间的跃迁能量逐渐变化的前提下，通过逐渐改变量子阱的势垒的宽度，提高载流子在有源区中分布的均匀性，在考虑空穴量子隧穿效应的同时，兼顾量子阱限制作用对载流子发光复合的影响，从而进一步提高电子和空穴的复合效率，提高LED的内量子效率和发光强度
进一步地，所述量子阱的势垒宽度小于20nm，从而实现空穴在量子阱之间的隧穿运输。
进一步地，所述N型电子注入层104、P型空穴注入层106以及多量子阱有源层105均由AlxGayIn1-x-yN组成，其中，0＜x＜1，0＜x+y＜1，且所述N型电子注入层104的禁带宽度、P型空穴注入层106的禁带宽度以及量子阱的势垒的禁带宽度均大于所述量子阱的势阱的禁带宽度。
进一步地，所述多量子阱有源层105由非对称耦合量子阱组成，所述非对称耦合量子阱包括至少三个量子阱，相邻量子阱之间存在耦合效应，电子和空穴通过隧穿所述量子阱的势垒进入下一个量子阱。
其中，所述量子阱的能带结构主要有以下三种形式：
(1)所述量子阱的基态能级(m＝1)间的跃迁能量逐渐变化通过调节量子阱的势阱宽度实现，在本发明实施例中，设所述量子阱的个数为n个(n≥3)，量子阱的势阱宽度(W1、W2、W3...Wn)从N型电子注入层到所述P型空穴注入层依次减小，即W1＞W2＞W3＞...＞Wn，同时量子阱势垒的宽度(B1、B2、...Bn-1)从N型电子注入层到所述P型空穴注入层依次增大，即B1＜B2＜...＜Bn-1，如图2所示；
(2)所述量子阱的基态能级(m＝1)间的跃迁能量逐渐变化通过调节量子阱的组分实现，在本发明实施例中，设所述量子阱的个数为n个(n≥3)，量子阱的势阱宽度(W1、W2、W3...Wn)相等，即W1＝W2＝W3＝...＝Wn，而组成量子阱的AlxGayIn1-x-yN中的x和y的值从N型电子注入层到所述P型空穴注入层依次增大，同时量子阱势垒的宽度(B1、B2、...Bn-1)从N型电子注入层到所述P型空穴注入层依次增大，即B1＜B2＜...＜Bn-1，如图3所示；这是因为，增加组成量子阱的氮化物AlxGayIn1-x-yN中的x和y的值，量子阱的能带宽度变大，从而其基态能级(m＝1)间的跃迁能量也变大；而减小x和y的值，量子阱的能带宽度变小，从而其基态能级(m＝1)间的跃迁能量也变小；
(3)所述量子阱的基态能级(m＝1)间的跃迁能量逐渐变化通过同时调节量子阱的势阱宽度和量子阱的组分实现，在本发明实施例中，设所述量子阱的个数为n个(n≥3)，量子阱的势阱宽度(W1、W2、W3...Wn)从N型电子注入层到所述P型空穴注入层依次减小，即W1＞W2＞W3＞...＞Wn，同时，组成量子阱的AlxGayIn1-x-yN中的x和y的值从N型电子注入层到所述P型空穴注入层依次增大，并且量子阱势垒的宽度(B1、B2、...Bn-1)从N型电子注入层到所述P型空穴注入层依次增大，即B1＜B2＜...＜Bn-1，如图4所示。
其中，上述量子阱势垒的宽度的调节很容易实现，通常通过调节量子阱的势垒的生长时间即可调节势垒的宽度，生长时间越长，势垒的宽度越宽。
结合图1，本发明实施例提供的氮化物LED结构的制备方法包括如下步骤：
提供衬底101；
在所述衬底101上依次形成低温缓冲层102、不掺杂的氮化物层103、N型电子注入层104、多量子阱有源层105以及P型空穴注入层106，其中，所述多量子阱有源层105中的量子阱的基态能级间的跃迁能量逐渐变化，跃迁能量大的量子阱靠近P型空穴注入层106，跃迁能量小的量子阱靠近N型电子注入层104，且所述多量子阱有源层105中的量子阱的势垒宽度也逐渐变化，势垒宽度大的量子阱靠近P型空穴注入层106，势垒宽度小的量子阱靠近N型电子注入层104；
依次刻蚀所述P型空穴注入层106以及所述多量子阱有源层105，形成一台柱面，并露出所述N型电子注入层104，在露出的N型电子注入层104上制备N型电极107；
在刻蚀后的所述P型空穴注入层106上制备透明电极层108及P型电极109。
进一步地，所述量子阱的势垒宽度小于20nm，从而实现空穴在量子阱之间的隧穿运输。
进一步地，所述N型电子注入层104、P型空穴注入层106以及多量子阱有源层105均由AlxGayIn1-x-yN组成，其中，0＜x＜1，0＜x+y＜1，且所述N型电子注入层104的禁带宽度、P型空穴注入层106的禁带宽度以及量子阱的势垒的禁带宽度均大于所述量子阱的势阱的禁带宽度。
进一步地，所述多量子阱有源层105由非对称耦合量子阱组成，所述非对称耦合量子阱包括至少三个量子阱，相邻量子阱之间存在耦合效应，电子和空穴通过隧穿所述量子阱的势垒进入下一个量子阱。
其中，所述量子阱的能带结构主要有以下三种形式：
(1)所述量子阱的基态能级(m＝1)间的跃迁能量逐渐变化通过调节量子阱的势阱宽度实现，在本发明实施例中，设所述量子阱的个数为n个(n≥3)，量子阱的势阱宽度(W1、W2、W3...Wn)从N型电子注入层到所述P型空穴注入层依次减小，即W1＞W2＞W3＞...＞Wn，同时量子阱势垒的宽度(B1、B2、...Bn-1)从N型电子注入层到所述P型空穴注入层依次增大，即B1＜B2＜...＜Bn-1，如图2所示；
(2)所述量子阱的基态能级(m＝1)间的跃迁能量逐渐变化通过调节量子阱的组分实现，在本发明实施例中，设所述量子阱的个数为n个(n≥3)，量子阱的势阱宽度(W1、W2、W3...Wn)相等，即W1＝W2＝W3＝...＝Wn，而组成量子阱的AlxGayIn1-x-yN中的x和y的值从N型电子注入层到所述P型空穴注入层依次增大，同时量子阱势垒的宽度(B1、B2、...Bn-1)从N型电子注入层到所述P型空穴注入层依次增大，即B1＜B2＜...＜Bn-1，如图3所示；这是因为，增加组成量子阱的AlxGayIn1-x-yN中的x和y的值，量子阱的能带宽度变大，从而其基态能级(m＝1)间的跃迁能量也变大；而减小x和y的值，量子阱的能带宽度变小，从而其基态能级(m＝1)间的跃迁能量也变小；
(3)所述量子阱的基态能级(m＝1)间的跃迁能量逐渐变化通过同时调节量子阱的势阱宽度和量子阱的组分实现，在本发明实施例中，设所述量子阱的个数为n个(n≥3)，量子阱的势阱宽度(W1、W2、W3、...Wn)从N型电子注入层到所述P型空穴注入层依次减小，即W1＞W2＞W3＞...＞Wn，同时，组成量子阱的AlxGayIn1-x-yN中的x和y的值从N型电子注入层到所述P型空穴注入层依次增大，并且量子阱势垒的宽度(B1、B2、...Bn-1)从N型电子注入层到所述P型空穴注入层依次增大，即B1＜B2＜...＜Bn-1，如图4所示。
其中，上述量子阱势垒的宽度的调节很容易实现，通常通过调节量子阱的势垒的生长时间即可调节势垒的宽度，生长时间越长，势垒的宽度越宽。
综上所述，本发明提供了一种氮化物LED结构，该LED结构在多量子阱有源层中的量子阱的基态能级间的跃迁能量逐渐变化的前提下，通过逐渐改变量子阱的势垒的宽度，提高载流子在有源区中分布的均匀性，在考虑空穴量子隧穿效应的同时，兼顾量子阱限制作用对载流子发光复合的影响，从而进一步提高电子和空穴的复合效率，提高LED的内量子效率和发光强度；同时，本发明还提供了一种氮化物LED结构的制备方法，该方法在多量子阱有源层中的量子阱的基态能级间的跃迁能量逐渐变化的前提下，通过逐渐改变量子阱的势垒的宽度，提高载流子在有源区中分布的均匀性，在考虑空穴量子隧穿效应的同时，兼顾量子阱限制作用对载流子发光复合的影响，从而进一步提高电子和空穴的复合效率，提高LED的内量子效率和发光强度。
显然，本领域的技术人员可以对发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (15)

1.一种氮化物LED结构，至少包括N型电子注入层、P型空穴注入层以及夹在所述N型电子注入层与所述P型空穴注入层之间的多量子阱有源层，所述多量子阱有源层中的量子阱的基态能级间的跃迁能量逐渐变化，跃迁能量大的量子阱靠近P型空穴注入层，跃迁能量小的量子阱靠近N型电子注入层，其特征在于，所述多量子阱有源层中的量子阱的势垒宽度也逐渐变化，势垒宽度大的量子阱靠近P型空穴注入层，势垒宽度小的量子阱靠近N型电子注入层。
2.如权利要求1所述的氮化物LED结构，其特征在于，所述量子阱的势垒宽度小于20nm。
3.如权利要求2所述的氮化物LED结构，其特征在于，所述N型电子注入层、P型空穴注入层以及多量子阱有源层均由AlxGayIn1-x-yN组成，其中，0＜x＜1，0＜x+y＜1，且所述N型电子注入层的禁带宽度、P型空穴注入层的禁带宽度以及量子阱的势垒的禁带宽度均大于所述量子阱的势阱的禁带宽度。
4.如权利要求3所述的氮化物LED结构，其特征在于，所述多量子阱有源层由非对称耦合量子阱组成，所述非对称耦合量子阱包括至少三个量子阱，相邻量子阱之间存在耦合效应，空穴通过隧穿所述量子阱的势垒进入下一个量子阱。
5.如权利要求1所述的氮化物LED结构，其特征在于，所述量子阱的基态能级间的跃迁能量逐渐变化通过调节量子阱的势阱宽度实现。
6.如权利要求1所述的氮化物LED结构，其特征在于，所述量子阱的基态能级间的跃迁能量逐渐变化通过调节量子阱的组分实现。
7.如权利要求1所述的氮化物LED结构，其特征在于，所述量子阱的基态能级间的跃迁能量逐渐变化通过同时调节量子阱的势阱宽度及量子阱的组分实现。
8.如权利要求1所述的氮化物LED结构，其特征在于，该氮化物LED结构还包括衬底、在所述衬底上依次生长的低温缓冲层以及不掺杂的氮化物层，所述不掺杂的氮化物层上依次形成有所述N型电子注入层、所述多量子阱有源层以及所述P型空穴注入层，所述N型电子注入层与N型电极相连，所述P型空穴注入层上形成有透明电极层，所述透明电极层上制备有P型电极。
9.一种氮化物LED结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供衬底；
在所述衬底上依次形成低温缓冲层、不掺杂的氮化物层、N型电子注入层、多量子阱有源层以及P型空穴注入层，其中，所述多量子阱有源层中的量子阱的基态能级间的跃迁能量逐渐变化，跃迁能量大的量子阱靠近P型空穴注入层，跃迁能量小的量子阱靠近N型电子注入层，且所述多量子阱有源层中的量子阱的势垒宽度也逐渐变化，势垒宽度大的量子阱靠近P型空穴注入层，势垒宽度小的量子阱靠近N型电子注入层；
依次刻蚀所述P型空穴注入层以及所述多量子阱有源层，形成一台柱面，并露出所述N型电子注入层，在露出的N型电子注入层上制备N型电极；
在刻蚀后的所述P型空穴注入层上制备透明电极层及P型电极。
10.如权利要求9所述的氮化物LED结构的制备方法，其特征在于，所述量子阱的势垒宽度小于20nm。
11.如权利要求10所述的氮化物LED结构的制备方法，其特征在于，所述N型电子注入层、P型空穴注入层以及多量子阱有源层均由AlxGayIn1-x-yN组成，其中，0＜x＜1，0＜x+y＜1，且所述N型电子注入层的禁带宽度、P型空穴注入层的禁带宽度以及量子阱的势垒的禁带宽度均大于所述量子阱的势阱的禁带宽度。
12.如权利要求11所述的氮化物LED结构的制备方法，其特征在于，所述多量子阱有源层由非对称耦合量子阱组成，所述非对称耦合量子阱包括至少三个量子阱，相邻量子阱之间存在耦合效应，电子和空穴通过隧穿所述量子阱的势垒进入下一个量子阱。
13.如权利要求9所述的氮化物LED结构的制备方法，其特征在于，所述量子阱的基态能级间的跃迁能量逐渐变化通过调节量子阱的势阱宽度实现。
14.如权利要求9所述的氮化物LED结构的制备方法，其特征在于，所述量子阱的基态能级间的跃迁能量逐渐变化通过调节量子阱的组分实现。
15.如权利要求9所述的氮化物LED结构的制备方法，其特征在于，所述量子阱的基态能级间的跃迁能量逐渐变化通过同时调节量子阱的势阱宽度及量子阱的组分实现。
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