DE10211531A1 - Hocheffiziente LED und Verfahren zur Herstellung derselben - Google Patents

Hocheffiziente LED und Verfahren zur Herstellung derselben

Info

Publication number
DE10211531A1
DE10211531A1 DE10211531A DE10211531A DE10211531A1 DE 10211531 A1 DE10211531 A1 DE 10211531A1 DE 10211531 A DE10211531 A DE 10211531A DE 10211531 A DE10211531 A DE 10211531A DE 10211531 A1 DE10211531 A1 DE 10211531A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
layer
metal
led
base substrate
led according
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE10211531A
Other languages
English (en)
Other versions
DE10211531B4 (de
Inventor
Tzer-Perng Chen
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Epistar Corp
Original Assignee
United Epitaxy Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to US10/058,761 priority Critical patent/US6869820B2/en
Application filed by United Epitaxy Co Ltd filed Critical United Epitaxy Co Ltd
Priority to DE10211531A priority patent/DE10211531B4/de
Publication of DE10211531A1 publication Critical patent/DE10211531A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE10211531B4 publication Critical patent/DE10211531B4/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H01L33/46—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/40—Materials therefor
    • H01L33/405—Reflective materials

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

Bei der vorgeschlagenen hocheffektiven LED mit Metallreflektor besteht dieser aus wenigstens zwei Schichten, einer transparenten leitenden Schicht und einer anderen hochreflektierenden Metallschicht. Die transparente leitende Schicht läßt das meiste Licht ohne Absorption durch, um an der hochreflektierenden Metallschicht reflektiert zu werden. Die transparente leitende Schicht wird gewählt aus einem der Materialien, die auch bei hohen Temperaturen geringe Reaktionsneigung mit der reflektierenden Metallschicht aufweisen, so daß die Reflexionseigenschaften sich bei der Chipherstellung nicht verschlechtern. Mit dieser Metallreflektorstruktur aus wenigstens zwei Schichten kann eine LED vertikaler Strominjektion mit hoher Ausbeute hergestellt werden.

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft eine hocheffiziente Halbleiterlichtquelle, insbesondere eine III-V- Verbindung-Halbleiter-LED mit einem zur Vermeidung einer Lichtabsorption durch das Substrat eingeschlossenen hochreflektierenden Metallreflektor.
  • Die in Fig. 1 gezeigte konventionelle AlGaInP-LED hat eine doppelte Heterostruktur (DH), welche besteht aus einer n-dotierten (AlxGa1-x)0,5In0,5P unteren Hüllschicht (cladding layer) 3 mit einer Al-Zusammensetzung von etwa 70% bis 100%, die auf einem n-dotierten GaAs-Substrat 1 gebildet ist, einer (AlxGA1-x)0,5In0,5P-Aktivschicht 5 mit einer Al-Zusammensetzung von 0%-45%, einer p-dotierten (AlxGa1-x)0,5In0,5P oberen Hüllschicht 7 mit einer Al-Zusammensetzung von 70%-100% und einer p-dotierten Hochenergie-Bandlücken-Stromverteilungsschicht 9 wie etwa GaP-, GaAsP-, AlGaAs- oder ZnO-Schichten. Jedoch wird der von der aktiven Schicht 5 zum Substrat hin emittierte Lichtanteil vollständig vom GaAs-Substrat 1 absorbiert. Deshalb ist die äußere Quanteneffizienz dieser Art von konventioneller AlGaInP-LED gering. Außerdem beträgt die Wärmeleitfähigkeit von GaAs nur etwa 44 W/m.°C. Die niedrige Wärmeleitfähigkeit des GaAs-Substrats 1 genügt nicht zur Ableitung der erzeugten Wärme.
  • Zur Überwindung des Problems der Substratabsorption sind mehrere LED-Herstellungsverfahren beschrieben worden. Jedoch haben diese bekannten Verfahren noch mehrere Nachteile und Grenzen. Beispielsweise beschrieb Sugawara et al. ein Verfahren, das in Appl. Phys. Lett. Vol. 61, 1775-1777 (1992) veröffentlicht wurde. Die LED-Struktur ist ähnlich der von Fig. 1, sodaß in Fig. 2 die Schichten ähnlicher Funktion mit den gleichen Bezugszeichen versehen sind. Sugawara et al. fügten, wie in Fig. 2 gezeigt, zwischen dem GaAs-Substrat 1 und der unteren Hüllschicht 3 eine verteilte Bragg-Reflektor (DBR - distributed Bragg reflector)-Schicht 2 ein, um das zum GaAs-Substrat 1 hin abgestrahlte Licht zu reflektieren. Weiterhin fügten sie eine Blockierschicht 10 hinzu, um die Stromverteilung zu verbessern. Jedoch beträgt die maximale Reflektivität der in einer AlGaInP- LED verwendeten DBR-Schicht 2 nur etwa 80% und hängt auch vom Reflexionswinkel ab. Die DBR-Schicht 2 kann nur das rechtwinklig zum GaAs-Substrat 1 hin abgestrahlte Licht wirksam reflektieren, sodaß die Verbesserung der externen Quanteneffizienz begrenzt bleibt.
  • Kish et al. beschrieben ein wafergebondetes Transparent- Substrat (TS) (AlxGa1-x)0,5In0,5P/GaP einer LED [Appl. Phys. Lett. Vol. 64, No. 21, 2839 (1994) "Very high efficiency semiconductor wafer-bonded transparent-substrate (AlxGa1-x)0,5In0,5P/GaP]. Wie in Fig. 3 gezeigt, wird das (nicht gezeigte) GaAs-Absorptionssubstrat ersetzt durch ein Transparent-Substrat (TS) 13. Die TS-AlGaInP-LED wurde hergestellt durch Aufwachsen einer sehr dicken (etwa 50 µm) p-dotierten GaP-Fensterschicht 11 auf den Epischichten einer lichtabstrahlenden Struktur 12(0,75 pm p-dotierte Hüllschicht 3 aus Al0,5In0,5 P/Aktivschicht 5 aus AlxGa1-xIn0,5P/1 µm-dotierte Hüllschicht 7 aus Al0,5In0,5P mit GaAs als temporäres Substrat unter Verwendung von Hydriddampfphasenepitaxie (HVPE - hydride vapor phase epitaxy). Anschließend wurde das temporäre n-dotierte GaAs-Substrat mit konventionellen Ätztechniken selektiv entfernt. Nach Entfernung des GaAs-Substrats wird die LED-Epischichtenstruktur 12 an ein 8-10 mil (Millizoll) dickes n-dotiertes GaP-Substrat gebondet. Die erhaltene TS-AlGaInP-LED zeigt eine zweifach bessere Lichtabgabe verglichen mit AB(absorbing substrate)- AlGaInP-LEDs mit absorbierendem Substrat. Jedoch ist der Herstellungsprozess einer TS-AlGaInP-LED zu kompliziert. Eine ergiebige und kostengünstige Herstellung dieser TS- AlGaInP-LEDs ist daher schwierig.
  • Horng et al. berichteten über eine Spiegelsubstrat MS (mirror substrate)-AlGaInP/Metall/SiO2/Si-LED, die mittels einer Waferschmelztechnologie hergestellt wurde [Appl. Phys. Lett. Vol. 75, No. 20, 3054 (1999) "AlGaInP light-emitting diodes with mirror substrates fabricated by wafer bonding"] [J Electronic Materials, Vol. 30, No. 8, 2001, 907 "Wafer bonding of 50-mm-diameter mirror substrates to AlGaInP light-emitting diode wafers"]. Gemäß Fig. 4A erzeugten sie ein Spiegelsubstrat 30 unter Verwendung einer Spiegelschicht AuBe 23/Au 21 der Dicken von etwa 100 nm/150 nm angeheftet an ein SiO2 25/Si-Substrat 27. Die LED-Epischichten 20 sind in Fig. 4B gezeigt, wobei diese ähnlich der gemäß Fig. 2 sind, jedoch eine GaAs-Pufferschicht 2a zwischen dem n-dotierten GaAs-Substrat 1 und einer n-dotierten DBR-Schicht 2 aus AlGaAs/GaAs aufweisen und eine p-dotierte GaAs-Abdeckschicht (capping layer) 15 ersetzt die Stromverteilungsschicht 9. Das Spiegelsubstrat 30 wird dann verbunden mit den LED-Epischichten 20 mittels Bondens der Au- Schicht 21 mit der p-dotierten Abdeckschicht 15. Danach werden das GaAs-Substrat 1, die GaAs-Pufferschicht 2a und die DBR-Schicht 2 entfernt. Schließlich wird eine n- dotierte Elektrode aus einer AuGeNi/Au-Metallschicht 19 auf der n-dotierten Hüllschicht 3 gebildet. Fig. 4C zeigt die erhaltene Struktur.
  • Der Zweck des Spiegelsubstrats 30 ist es, das in Richtung zum Absorptionssubstrat abgestrahlte Licht zu reflektieren sowie eine bessere Wärmeleitfähigkeit des Siliziumsubstrats zu erzielen. Das Silizium des Spiegelsubstrats 30 hat eine Wärmeleitfähigkeit von etwa 124 bis 148 W/m.°C und kann somit beim Problem der Wärmeableitung eine Verbesserung ergeben. Jedoch hat die oberste Fläche der AlGaInP-LED-Epiwafer 20 gewöhnlich einige Hügel (nicht gezeigt). Diese Bügel körnen zu Bereichen unvollständigen Bondens führen und während der LED-Epischichtenabschnitt 20 mit dem tragenden Substrat 30 gebondet wird, werden diese Bereiche problematisch und zeigen eine verschlechterte Leistung der LED-Chips. Darüber hinaus muß zur Erzielung eines niedrigen Kontaktwiderstands der n-dotierte ohmsche Kontakt 19 bei einer Temperatur von über 400°C geglüht werden. Bei diesem Glühen bei höheren Temperaturen kann sich die Reflektivität der Au-Spiegelschicht 21 ernsthaft verschlechtern, und zwar aufgrund einer Reaktion zwischen dieser und dem III-V-Gruppen-Halbleiter: der p-dotierten GaAs-Abdeckschicht 15. Außerdem sind die p-Elektrode 21und die n-Elektrode 19 auf der gleichen Seite gebildet, sodaß die Abmessung des Chips größer wird als bei üblichen LED-Chips, die die g-Elektrode auf einer und die n- Elektrode auf der anderen Seite haben.
  • Im US-Patent 6 319 778 B1 beschrieben Chen et al. eine Leuchtdiode mit einem die Lichtleistung erhöhenden Metallreflektor. Diese LED-Struktur ist in Fig. 5 gezeigt und besteht aus LED-Epischichten 40 und einem tragenden Substrat 35, das mittels einer Niedrigtemperatur-Lötschicht 39 gebondet ist. Die LED-Epischichten 40 bestehen aus einer n-dotierten Hüllschicht 41, einer AlGaInP-Aktivschicht 42, einer p-dotierten Hüllschicht 43, einer p-dotierten GaAs-Abdeckschicht 44 und einer g- dotierten ohmschen Kontaktschicht 45.
  • Das tragende Substrat 35 besteht aus einem stark störstellendotierten Siliziumsubstrat 36, welches auf beiden Seiten mit Metallschichten 37a und 37b beschichtet ist. Deshalb kann eine einen vertikalen Injektionsstromfluß verwirklichende LED-Struktur mit einer n-Elektrode auf einer Seite (ein n-dotiertes ohmsches Kontaktmetall 47 und eine p-Elektrode auf der anderen Seite 37a) erhalten werden. Jedoch wird das ohmsche n-Kontaktmetall 47 nach dem Bonden aufgebracht. Um einen niedrigeren Übergangswiderstand zu erzielen ist ein Glühvorgang bei hoher Temperatur notwendig, der jedoch die Reflektivität des Metallreflektors 37b beeinträchtigt. Um nicht die Reflektivität zu opfern kann das ohmsche n-Kontaktmetall 47 nicht bei höherer Temperatur geglüht werden. Deshalb kann ein niedriger Widerstand des n-dotierten ohmschen Kontakts 47 nicht erzielt werden.
  • Aufgabe der Erfindung ist die Schaffung einer hocheffizienten Halbleiterlichtquelle. Die LED besteht aus einer LED-Epitaxialstruktur, die eine Mehrzahl von Halbleiterschichten der Verbindungen der III-V-Gruppe aufweist, welche aufwachsen auf einem gitterangepaßten Substrat und auf einen Injektionsstrom hin Licht erzeugen können, aus einem Metallreflektor, der aus einer transparenten leitenden Oxidschicht besteht. Eine hochreflektierende Metallschicht wird auf die LED-Schichten aufgebracht. Ein Siliziumsubstrat hat eine erste ohmsche Kontakt-Metallschicht auf einer Seite und eine zweite ohmsche Kontakt-Metallschicht auf der anderen Seite sowie eine Lötschicht zum Bonden der LED-Epitaxialschichten mit dem Siliziumsubstrat.
  • Die Erfindung wird nachfolgend durch eine Beschreibung anhand der beigegebenen Zeichnungen weiter erläutert. Es zeigt:
  • Fig. 1 schematisch die Struktur der oben beschriebenen bekannten LED;
  • Fig. 2 die beschriebene LED mit der DBR-Struktur zur Reflexion des von der aktiven Schicht abgestrahlten Lichts;
  • Fig. 3 die beschriebene LED mit einem durch Waferbonden hergestellten transparenten Substrat;
  • Fig. 4 die beschriebene LED mit einem durch ein Waferschmelzverfahren (wafer-fused technology) hergestellten Spiegelsubstrat AlGaInP/Metall/SiO2/Si;
  • Fig. 5 die beschriebene LED mit einer Metallreflektorstruktur, die an ein leitfähiges Siliziumsubstrat gebondet ist;
  • Fig. 6A-6C schematisch die Struktur einer AlGaInP- LED gemäß der vorliegenden Erfindung;
  • Fig. 7A schematisch eine AlGaInN lichterzeugende Struktur gemäß der vorliegenden Erfindung;
  • Fig. 7B schematisch ein tragendes Substrat für eine AlGaInN-LED;
  • Fig. 8 schematisch die Struktur einer AlGaInN-LED gemäß der vorliegenden Erfindung.
  • Wie oben beschrieben haben die bekannten LEDs viele Nachteile, während die vorliegende Erfindung eine neue LED-Struktur beschreibt, die eine transparente leitende Oxidschicht zwischen einer Metallreflektorschicht und der Oberseite der lichterzeugenden Struktur besitzt und die den bekannten LEDs anhaftenden Nachteile beseitigt. Diese wird nachfolgend im einzelnen beschrieben.
  • Gemäß Fig. 6A besteht die Epitaxialstruktur 118 aus einem temporären GaAs-Substrat 100, einer Ätzstoppschicht 102, einer n-dotierten unteren (AlxGa1-x)0,5In0,5 P-Hüllschicht 104 mit einer Al-Zusammensetzung von etwa 50% bis 100%, einer (AlxGa1-x)0,5In0,5P-Aktivschicht 106 mit einer Al-Zusammensetzung von etwa 0%-45%, einer oberen p-dotierten (AlxGA1-x)0,5In0,5P-Hüllschicht 108 mit einer Al-Zusammensetzung von etwa 50%-100% und einer p-dotierten ohmschen Kontaktschicht 110.
  • Das Material der Ätzstoppschicht 102 kann gewählt werden aus irgendeiner der III-V-Verbindungen von Halbleitermaterialien, die ein Gitter entsprechend dem des GaAs-Substrats 100 hat. Das Material der Ätzstoppschicht 102 hat eine sehr viel kleinere Ätzrate als das GaAs-Substrat 100, wenn zu dessen Entfernung eine Ätzmixtur wie 5H3PO4 : 3H2O2 : 3H2O oder 1NH4OH : 35H2O2 verwendet wird. Beispielsweise ist GaInP oder AlGaAs ein gut geeignetes Material für die Ätzstoppschicht 102. Die Ätzstoppschicht 102 muß auch eine hohe Trägerkonzentration aufweisen um den ohmschen Kontakt leicht herzustellen. Die bevorzugte Trägerkonzentration der Ätzstopschicht 102 liegt über 1018 cm-3.
  • Die p-dotierte ohmsche Kontaktschicht 110 (nachfolgend als transparente ohmsche Kontaktschicht 110 bezeichnet) sollte eine hohe Durchlässigkeit für das von der aktiven Schicht 106 emittierte Licht aufweisen und muß deshalb eine Energiebandlücke größer als die der Aktivschicht 106 haben. Auch muß in der transparenten ohmschen Kontaktschicht 110 eine hohe Trägerkonzentration vorliegen um einen niedrigen ohmschen Kontaktwiderstand zu ergeben. Vorzugsweise ist die transparente ohmsche Kontaktschicht 110 aus irgendeiner der III-V-Verbindungen von Halbleitern, die den genannten Bedingungen entsprechen. Beispielsweise ist bei einer Licht in einem Wellenlängenbereich von ca. 590 nm-650 nm emittierenden LED AlGaAs oder GaAsP eine gute Wahl als Material der p-dotierten ohmschen Kontaktschicht 110. Bei Wellenlängen von bis zu 560 nm ist GaP ein guter Kandidat. Vorzugsweise ist die Trägerkonzentration der transparenten ohmschen Kontaktschicht 110 höher als 1018 cm-3.
  • Danach wird auf der p-dotierten ohmschen Kontaktschicht 110 zur weiteren Vergleichmäßigung des Stromflusses ein p-dotiertes ohmsches metallisches Gittermuster oder Maschenmuster 112 (nachfolgend ohmsche gemusterte Metall- Kontaktschicht 112 genannt) wie etwa Au-Be, Au-Zn oder Cr-Au aufgebracht. Die ohmsche gemusterte Metall-Kontaktschicht 112 wird erzeugt entweder durch die Schrittfolge des Bildens einer p-dotierten ohmschen Kontakt- Metallschicht auf der p-dotierten ohmschen Kontaktschicht 110, des Aufbringens eines Fotoresistmusters und des Durchführens eines Ätzvorgangs, um die p-dotierte ohmsche Metall-Kontaktschicht in ein Muster zu bringen, und des Entfernens des Fotoresists oder durch die Schrittfolge des Aufbringens eines Fotoresists in einem Gitter- oder Maschenmuster, des Aufbringens einer p-dotierten ohmschen Kontakt-Metallschicht und danach eines Abtragungsvorgangs, um die Bereiche der schlecht gebondeten Metallschicht zu entfernen und schließlich des Abziehens des Fotoresists.
  • Das höhere Überdeckungsverhältnis der gemusterten ohmschen Metallkontaktschicht 112 wird die Lichtleistung verringern, aber es wird auch die Vorwärtsspannung der LED verringern. Um also einen Kompromiß zwischen Lichtausbeute und Kontaktwiderstand zu finden, ist ein Überdeckungsverhältnis der gemusterten ohmschen Metall-Kontaktschicht von weniger als 10% bevorzugt.
  • Danach wird die erhaltene LED-Struktur bei einer hohen Temperatur von etwa 350-600°C geglüht, um einen niedrigen Kontaktwiderstand zu erzielen. Danach werden aufeinanderfolgend eine transparente leitende Oxidschicht 114 und eine hochreflektierende Metallschicht 116 auf der transparenten ohmschen Kontaktschicht 110 aufgebracht. Die transparente leitende Schicht 114 wird gemäß der Erfindung gewählt aus einem der Materialien, die über eine hohe Leitfähigkeit, gute Transparenz und wenig Reaktionsfreude mit der reflektierenden Metallschicht 116, auch bei hohen Temperaturen, aufweisen. Gute Kandidaten sind In2O3, SnO2, CdO, ZnO, ITO (Indium tin Oxide; Indiumzinnoxid), CTO (Cadmium tin oxide; Kadmiumzinnoxid), CuAlO2, CuGaO2 und SrCu2O2. Die hochreflektierende Metallschicht 116 kann gewählt werden aus Au, Al oder Ag. Diese drei Metalle haben in dem Wellenlängenbereich von 560 nm bis 650 nm eine Reflektivität von mehr als 90%.
  • Die hauptsächliche Verbesserung durch die vorliegende Erfindung ergibt sich aus der Schaffung einer Zweischicht-Metallreflektorstruktur, um die reflektierende Metallschicht 116 an einer Reaktion mit der transparenten ohmschen Kontaktschicht 110 zu hindern. Normalerweise werden die reflektierenden Metalle wie Au, Al oder Ag bei hohen Temperaturen mit den meisten der Halbleitermaterialien der III-V-Verbindungen reagieren. Je höher die Temperatur, um so ernsthafter ist die Reaktion. Wenn das reflektierende Metall 116 mit der hochleitenden transparenten ohmschen Kontaktschicht 110 reagiert, wird sich die Reflektivität der Metallschicht 116verschlechtern. Durch die Zwischenfügung einer inerten transparenten leitenden Schicht 114 wie etwa einer ITO-Schicht kann eine Zusammenwirkung zwischen dem reflektierenden Metall 116 und der transparenten ohmschen Kontaktschicht 110 vollständig vermieden werden. Die Reflektivität der hochreflektierenden Metallschicht 116 wird sich deshalb auch bei Hochtemperatur-Verfahrensschritten nicht verschlechtern.
  • Danach wird die epitaxiale AlGaInP-LED-Wafer 118 an ein weiteres thermisch und elektrisch leitendes Substrat 125 gebondet. Eine ganze Reihe von Halbleitern und Metallen wie etwa Si, SiC, AlN, Kupfer und Aluminium sind gute Kandidaten, um als leitendes Substrat 125 zu dienen. Speziell ist die Siliziumwafer billiger und leichter zu läppen, polieren und dicen. Deshalb ist, wie in Fig. 6B gezeigte ein Siliziumsubstrat bevorzugt.
  • Nachdem das Siliziumsubstrat 120 mit leitenden Störstellen hoch dotiert wurde, werden beide Seiten des Siliziumsubstrats 120 mit einer Metallschicht zur Bildung ohmscher Kontakte 122 beschichtet. Dann wird einer der ohmschen Metallkontakte 122 mittels einer Metall-Bondierschicht 124 mit der AlGaInP-LED-Wafer 118 gebondet. Die Metall-Bondierschicht 124 wird gewählt aus Lot oder Metallen oder Metallsiliziden wie PbSn, AuGe, AuBe, AuSi, Sn. In und PdIn. Die Metall-Bondierschicht 124 muß genügend Haftvermögen und Stromleitfähigkeit aufweisen. Um eine Reaktion zwischen der Metall-Bondierschicht und der hochreflektierenden Metallschicht 116 zu vermeiden, kann als Option eine weitere Diffusionsbarriereschicht 119 auf der hochreflektierenden Metallschicht 116 abgelagert werden. Die Diffusionsbarriereschicht 119 kann eine leitende Oxidschicht wie ITO, CTO und ZnO oder eine hochschmelzende Metallschicht aus W, WN, Mo oder Silizid sein.
  • Im Falle der Weglassung der Diffusionsbarriereschicht 119 sollte die hochreflektierende Metallschicht 116 eine größere Dicke aufweisen als bei Vorhandensein einer Diffusionsbarriereschicht 119. Auch soll die auf dem ohmschen Kontaktmetall 122 in Fig. 6B gezeigte Metall-Bondierschicht 124 nur zur Illustration dienen und nicht etwa als Einschränkung verstanden werden. Beispielsweise kann eine Metall-Bondierschicht 124 vor Durchführung des Bondens auch entweder auf der Diffusionsbarriereschicht 119 oder auf der reflektierenden Metallschicht 116 aufgebracht werden. Schließlich kann zum Bonden des ohmschen Kontaktmetalls 122 des leitenden Substrats 120 an die reflektierende Metallschicht 116 das Bonden mittels des ohmschen Kontaktmetalls 122 selbst und ohne die Metallbondierschicht 124 geschehen, wenn das gewählte ohmsche Kontaktmetall 122 einen Schmelzpunkt von etwa 300 bis 600°C hat.
  • Nach dem Bonden wird das Absorptions-GaAs-Substrat 100 durch mechanisches Läppen, chemisches Ätzen oder reaktives Ionenätzen entfernt. Dann wird ein n-dotierter ohmscher Kontakt 130 auf die Ätzstoppschicht 102 aufgebracht und geglüht, um eine AlGaInP-LED mit vertikaler Stromführung und guter Wärmeableitung fertigzustellen. Fig. 6C zeigt die erhaltene LED im Querschnitt.
  • Die Lichtausbeute der AlGaInP-LED gemäß der vorliegenden Erfindung liegt über 30 lm/W in einem wellenlängenbereich von 585 nm bis 630 nm. Die Helligkeit der LED erhöht sich auch linear mit dem Injektionsstrom, sogar oberhalb von 100 mA. Es zeigt sich, daß die Si-Wafer eine viel bessere Wärmeableitungsfähigkeit aufweist als ein GaAs-Substrat. Die Erfindung ist nicht nur anwendbar auf AlGaInP-LEDs, sondern auch auf andere LEDs wie etwa AlGaAs-LEDs, InGaAsP-LEDs, AlGaInN-LEDs und VCSEL-Geräte (Vertical cavity surface emitting laser; senkrecht zum p-n-Übergang emittierende Halbleiterlaser).
  • Als zweite bevorzugte Ausführungsform sei eine AlGaInN- LED genommen, deren Epischichtenstruktur in Fig. 7A gezeigt ist. Zuerst läßt man auf einem temporären Si-Substrat 200 eine Epischichtenstruktur 215 mit einer Pufferschicht 202 aufwachsen. Diese kann eine amorphe oder polykristalline AlN-Schicht sein, welche mittels eines Sputterverfahrens aufgetragen wird. Die AlGaInN-LED- Struktur 215 besteht aus einer n-dotierten GaN-Schicht 204, einem InGaN-Mehrquantentopf (multiple quantum well MQW) 206 und einer p-dotierten GaN-Schicht 208, die mittels metallorganischer Gasphasenepitaxie (Metal-organic vapour phase epitaxy MOVPE) aufgebracht werden. Eine transparente ohmsche Metallkontaktschicht (TCL - transparent contact layer) 210 wie etwa Ni/Au wird dann auf die p-dotierte GaN-Schicht 208 aufgebracht und zur Erzielung eines niedrigen ohmschen Kontaktwiderstands geglüht. Danach werden aufeinanderfolgend eine transparente leitende Schicht 212 und eine hochreflektierende Metallschicht 214 auf die TCL-Schicht 210 aufgebracht.
  • Nachfolgend wird die AlGaInN-LED-Epischichtenstruktur 215 auf dem temporären Si-Substrat 200 an ein in Fig. 7B gezeigtes weiteres Siliziumbasissubstrat 220 gebondet. Ähnlich wie in Fig. 6B gezeigt, hat das Siliziumbasissubstrat 220 auf beiden Seiten eine ohmsche Kontaktschicht 222. Vor dem Bonden wird bei Bedarf eine leitende Oxidschicht 226 oder eine hochschmelzende Metallschicht 226 auf der reflektierenden Metallschicht 214 aufgebracht um eine Reaktion zwischen der Metallbondierschicht 224 und der reflektierenden Metallschicht 214 zu vermeiden.
  • Nach dem Bonden wird das temporäre Si-Substrat 200 und die Pufferschicht 202 durch Läppen, Polieren, Ätzen oder eine Kombination dieser Techniken entfernt. Da die Härte und die chemischen Eigenschaften des Siliziums und des AlGaInN ziemlich verschieden sind, ist es ziemlich einfach, das Si-Substrat 200 und die Pufferschicht 202 zu entfernen und bei der n-dotierten GaN-Schicht 204 anzuhalten.
  • Schließlich wird ein n-dotierter ohmscher Kontakt 218 auf der n-dotierten GaN-Schicht 204 aufgebracht und geglüht, um eine AlGaInN-LED mit vertikaler Stromführung und guter Wärmeableitung zu erhalten. Fig. 8 zeigt das Ergebnis.
  • Die Erfindung kann auch auf VCSEL-Laser Anwendung finden. Beispielsweise kann ein 650 nm-670 nm AlGaInP- VCSEL-Laser mit einem GaAs-Substrat wegen Problemen des Ladungsträgerleckens und der Wärmeableitung gewöhnlich nicht bei hohen Temperaturen betrieben werden. Auch ist die Qualität des verteilten Bragg-Reflektors DBR nicht vollkommen wegen der geringen Differenz des Refraktionsindex des AlGaAs/AlAs-DBR und der längeren Zeit für das Aufwachsen. Unter Anwendung des Metallreflektors gemäß der vorliegenden Erfindung in Kombination mit einem P- DBR kann die Anzahl der AlGaAs/AlAs-P-Paare verringert werden und die Aufwachszeit kann kürzer sein. Die gesamte VCSEL-Struktur kann an ein Silizium-Substrat hoher Wärmeleitfähigkeit gebondet werden, sodaß die Betriebscharakteristiken bei hoher Temperatur verbessert werden.
  • Die Vorteile der vorliegenden Erfindung sind:
    • 1. Die Bereitstellung einer LED-Chip-Struktur mit senkrechter Stromrichtung, die nur einen Einzeldrahtanschluß erfordert und dadurch die Herstellungs- und Zusammenbaukosten reduziert;
    • 2. Die Abmessungen des LED-Chips können erheblich verringert werden in Übereinstimmung mit dem Trend zur Miniaturisierung, insbesondere bei Anwendungen der Oberflächenmontagetechniken, und dadurch Materialeinsparungen erzielt werden;
    • 3. Bei guter Wärmeableitung hat die LED eine höhere Zuverlässigkeit und kann mit wesentlich höheren Strömen betrieben werden;
    • 4. Die Massenproduktion mit hoher Ausbeute und geringen Kosten ist leicht einzurichten;
    • 5. Der Metallreflektor kann ohne Verschlechterung seiner Reflexionseigenschaften höheren Temperaturen standhalten, sodaß in der Chipverarbeitung größere Flexibilität möglich wird.

Claims (18)

1. LED mit
einer lichtemittierenden Struktur aus einer Mehrzahl von lichtemittierenden Schichten, welche auf einen Injektionsstrom Licht erzeugen;
einer auf dieser lichtemittierenden Struktur gebildeten transparenten leitenden Oxidschicht,
einer auf dieser transparenten leitenden Oxidschicht gebildeten reflektierenden Metallschicht
und einem auf dieser reflektierenden Metallschicht gebildeten leitenden Basissubstrat.
2. LED nach Anspruch 1, in der das leitende Basissubstrat gewählt ist aus der Gruppe Kupfer, Aluminium, SiC, AlN und Silizium.
3. LED nach Anspruch 1, in der die transparente leitende Oxidschicht gewählt ist aus der Gruppe In2O3, SnO2, CdO, ZnO, ITO (Indiumzinnoxid), CTO (Kadmiumzinnoxid), CuAlO2, CuGaO2 und SrCu2O2.
4. LED nach Anspruch 1, bei der die reflektierende Metallschicht gewählt ist aus der Gruppe Au, Al und Ag.
5. LED nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch eine Metallbondierschicht zwischen dem leitenden Basissubstrat und der reflektierenden Metallschicht.
6. LED nach Anspruch 5, bei der die Bondierschicht gewählt ist aus der Gruppe In, Au-Sn-Legierung, Au-Si-Legierung, Pb-Sn-Legierung und Au-Ge-Legierung, PdIn.
7. LED nach Anspruch 5, gekennzeichnet durch eine Diffusionsbarriereschicht zwischen der reflektierenden Metallschicht und der Metallbondierschicht.
8. LED nach Anspruch 7, bei der die Diffusionsbarriereschicht gewählt ist aus der Gruppe leitende Oxidschicht, hitzebeständige Metallschicht und hitzebeständiges Metallsilizid.
9. LED mit
einem leitenden Basissubstrat;
einer lichtemittierenden Struktur aus einer Mehrzahl von lichtemittierenden Schichten, welche auf einen Injektionsstrom Licht erzeugen;
einer transparenten leitenden Oxidschicht, die auf der lichtemittierenden Struktur gebildet ist;
einer reflektierenden Metallschicht, die auf der transparenten leitenden Oxidschicht gebildet ist, und
einer Metallbondierschicht zwischen dem leitenden Basissubstrat und der reflektierenden Metallschicht zur Bondierverbindung des leitenden Basissubstrats mit der lichtemittierenden Struktur.
10. LED nach Anspruch 9, in der das leitende Basissubstrat eine wärmeleitende und elektrisch leitende Schicht ist, die aus der Gruppe Kupfer, Aluminium, SiC, AlN und Silizium gewählt ist.
11. LED nach Anspruch 9, in der die transparente leitende Oxidschicht gewählt ist aus der Gruppe In2O3, SnO2, CdO, ZnO, ITO, CTO, CuAlO2, CuGaO2 und SrCu2O2.
12. LED nach Anspruch 9, in der die reflektierende Metallschicht gewählt ist aus der Gruppe Au, Al und Ag.
13. LED nach Anspruch 9, in der die Metallbondierschicht gewählt ist aus der Gruppe In, Au-Sn-Legierung, Au-Si- Legierung, Pb-Sn-Legierung und Au-Ge-Legierung, PdIn.
14. LED nach Anspruch 13, gekennzeichnet durch eine Diffusionsbarriereschicht zwischen der reflektierenden Metallschicht und der Metallbondierschicht.
15. LED nach Anspruch 14, in der die Diffusionsbarriereschicht gewählt ist aus der Gruppe leitende Oxidschicht, hitzebeständige Metallschicht und hitzebeständiges Metallsilizid.
16. verfahren zur Herstellung einer LED, bestehend aus den folgenden Schritten:
Herstellung von LED-Epischichten mit einer Mehrzahl von III-V-Verbindungshalbleiterschichten, die auf einem temporären Substrat aufgewachsen sind,
Bildung einer transparenten leitenden Oxidschicht auf diesen Epischichten,
Bildung einer reflektierenden Metallschicht auf der transparenten leitenden Oxidschicht;
Herstellung eines Basissubstrats mit einer ersten ohmschen Metallkontaktschicht auf einer Oberfläche und einem zweiten ohmschen Metallkontakt auf der anderen Oberfläche, wobei die erste ohmsche Metallkontaktschicht als erste Elektrode dient;
Aufbringung einer Metallbondierschicht auf der zweiten ohmschen Metallkontaktschicht oder der reflektierenden Metallschicht;
Verbindung der Epischichten mit dem Basissubstrat unter Benutzung der Metallbondierschicht;
Entfernung des temporären Substrats und
Aufbringung einer ohmschen Metallkontaktschicht auf einer exponierten Oberfläche der Epischichten als zweite Elektrode.
17. Verfahren nach Anspruch 16, bei dem nach der Bildung der reflektierenden Metallschicht und vor der Verbindung der LED-Epiwafer mit dem Basissubstrat auch noch eine Diffusionsbarriere auf der reflektierenden Metallschicht gebildet wird zur Verhinderung einer Reaktion zwischen der Metallbondierschicht und der reflektierenden Metallschicht.
15. LED nach Anspruch 16, bei der das leitende Basissubstrat eine wärmeleitende und elektrisch leitende Schicht aus der Gruppe Kupfer, Aluminium, SiC, AlN und Silizium ist.
DE10211531A 2002-01-30 2002-03-15 Hocheffiziente LED und Verfahren zur Herstellung derselben Expired - Lifetime DE10211531B4 (de)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/058,761 US6869820B2 (en) 2002-01-30 2002-01-30 High efficiency light emitting diode and method of making the same
DE10211531A DE10211531B4 (de) 2002-01-30 2002-03-15 Hocheffiziente LED und Verfahren zur Herstellung derselben

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/058,761 US6869820B2 (en) 2002-01-30 2002-01-30 High efficiency light emitting diode and method of making the same
DE10211531A DE10211531B4 (de) 2002-01-30 2002-03-15 Hocheffiziente LED und Verfahren zur Herstellung derselben

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE10211531A1 true DE10211531A1 (de) 2003-10-02
DE10211531B4 DE10211531B4 (de) 2012-12-06

Family

ID=30001453

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE10211531A Expired - Lifetime DE10211531B4 (de) 2002-01-30 2002-03-15 Hocheffiziente LED und Verfahren zur Herstellung derselben

Country Status (2)

Country Link
US (1) US6869820B2 (de)
DE (1) DE10211531B4 (de)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102006001402A1 (de) * 2005-04-15 2006-10-19 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd., Suwon Licht emittierende Halbleitervorrichtung aus Nitrid der Art Flip Chip
DE102008013900A1 (de) * 2008-03-12 2009-09-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von optoelektronischen Halbleiterchips und optoelektronischer Halbleiterchip
DE102015011635A1 (de) 2015-09-11 2017-03-16 Azur Space Solar Power Gmbh lnfrarot-LED

Families Citing this family (111)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003532298A (ja) 2000-04-26 2003-10-28 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 発光半導体素子
DE10051465A1 (de) 2000-10-17 2002-05-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements auf GaN-Basis
JP2003533030A (ja) * 2000-04-26 2003-11-05 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ＧａＮをベースとする発光ダイオードチップおよび発光ダイオード構造素子の製造法
TWI292227B (en) * 2000-05-26 2008-01-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Light-emitting-dioed-chip with a light-emitting-epitaxy-layer-series based on gan
FR2894990B1 (fr) * 2005-12-21 2008-02-22 Soitec Silicon On Insulator Procede de fabrication de substrats, notamment pour l'optique,l'electronique ou l'optoelectronique et substrat obtenu selon ledit procede
FR2840731B3 (fr) * 2002-06-11 2004-07-30 Soitec Silicon On Insulator Procede de fabrication d'un substrat comportant une couche utile en materiau semi-conducteur monocristallin de proprietes ameliorees
US8507361B2 (en) 2000-11-27 2013-08-13 Soitec Fabrication of substrates with a useful layer of monocrystalline semiconductor material
TW541710B (en) * 2001-06-27 2003-07-11 Epistar Corp LED having transparent substrate and the manufacturing method thereof
US7067849B2 (en) 2001-07-17 2006-06-27 Lg Electronics Inc. Diode having high brightness and method thereof
US6949395B2 (en) 2001-10-22 2005-09-27 Oriol, Inc. Method of making diode having reflective layer
US7148520B2 (en) 2001-10-26 2006-12-12 Lg Electronics Inc. Diode having vertical structure and method of manufacturing the same
US20030189215A1 (en) 2002-04-09 2003-10-09 Jong-Lam Lee Method of fabricating vertical structure leds
US8294172B2 (en) * 2002-04-09 2012-10-23 Lg Electronics Inc. Method of fabricating vertical devices using a metal support film
US6841802B2 (en) 2002-06-26 2005-01-11 Oriol, Inc. Thin film light emitting diode
TW541732B (en) * 2002-08-28 2003-07-11 Arima Optoelectronics Corp Manufacturing method of LED having transparent substrate
US20050205886A1 (en) * 2002-11-29 2005-09-22 Sanken Electric Co., Ltd. Gallium-containing light-emitting semiconductor device and method of fabrication
TW578318B (en) * 2002-12-31 2004-03-01 United Epitaxy Co Ltd Light emitting diode and method of making the same
US20040130263A1 (en) * 2003-01-02 2004-07-08 Ray-Hua Horng High brightness led and method for producing the same
US6786390B2 (en) * 2003-02-04 2004-09-07 United Epitaxy Company Ltd. LED stack manufacturing method and its structure thereof
US7627817B2 (en) 2003-02-21 2009-12-01 Motionpoint Corporation Analyzing web site for translation
JP4217093B2 (ja) * 2003-03-27 2009-01-28 スタンレー電気株式会社 半導体発光素子及びその製造方法
US20040259279A1 (en) * 2003-04-15 2004-12-23 Erchak Alexei A. Light emitting device methods
US7105861B2 (en) * 2003-04-15 2006-09-12 Luminus Devices, Inc. Electronic device contact structures
US7521854B2 (en) * 2003-04-15 2009-04-21 Luminus Devices, Inc. Patterned light emitting devices and extraction efficiencies related to the same
US7074631B2 (en) * 2003-04-15 2006-07-11 Luminus Devices, Inc. Light emitting device methods
US7667238B2 (en) * 2003-04-15 2010-02-23 Luminus Devices, Inc. Light emitting devices for liquid crystal displays
US7166871B2 (en) * 2003-04-15 2007-01-23 Luminus Devices, Inc. Light emitting systems
US7274043B2 (en) * 2003-04-15 2007-09-25 Luminus Devices, Inc. Light emitting diode systems
US7083993B2 (en) * 2003-04-15 2006-08-01 Luminus Devices, Inc. Methods of making multi-layer light emitting devices
US6831302B2 (en) 2003-04-15 2004-12-14 Luminus Devices, Inc. Light emitting devices with improved extraction efficiency
US7262550B2 (en) * 2003-04-15 2007-08-28 Luminus Devices, Inc. Light emitting diode utilizing a physical pattern
US7084434B2 (en) * 2003-04-15 2006-08-01 Luminus Devices, Inc. Uniform color phosphor-coated light-emitting diode
US7098589B2 (en) * 2003-04-15 2006-08-29 Luminus Devices, Inc. Light emitting devices with high light collimation
US7211831B2 (en) * 2003-04-15 2007-05-01 Luminus Devices, Inc. Light emitting device with patterned surfaces
TWI287878B (en) * 2003-04-16 2007-10-01 Arima Optoelectronics Corp Light-emitting diodes and method of manufacturing same using metal bonding technique
TWI222759B (en) * 2003-07-03 2004-10-21 Epitech Corp Ltd Light emitting diode and method for manufacturing the same
KR100571816B1 (ko) 2003-09-08 2006-04-17 삼성전자주식회사 질화물계 발광소자 및 그 제조방법
US7341880B2 (en) * 2003-09-17 2008-03-11 Luminus Devices, Inc. Light emitting device processes
US7344903B2 (en) * 2003-09-17 2008-03-18 Luminus Devices, Inc. Light emitting device processes
US20050191777A1 (en) * 2003-09-22 2005-09-01 National Chung-Hsing University Method for producing light emitting diode with plated substrate
JP3979378B2 (ja) * 2003-11-06 2007-09-19 住友電気工業株式会社 半導体発光素子
TW200520266A (en) * 2003-11-21 2005-06-16 Sanken Electric Co Ltd Semiconductor luminous element and manufacturing method of the same
US7450311B2 (en) 2003-12-12 2008-11-11 Luminus Devices, Inc. Optical display systems and methods
KR100576857B1 (ko) * 2003-12-24 2006-05-10 삼성전기주식회사 ＧａＮ 반도체 발광소자 및 그 제조방법
US20050167681A1 (en) * 2004-02-04 2005-08-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Electrode layer, light emitting device including the same, and method of forming the electrode layer
TWI236837B (en) * 2004-02-20 2005-07-21 Epistar Corp Organic adhesive light emitting element with ohmic metal protrusion
EP1569263B1 (de) * 2004-02-27 2011-11-23 OSRAM Opto Semiconductors GmbH Verfahren zum Verbinden zweier Wafer
JP2005259820A (ja) * 2004-03-09 2005-09-22 Sharp Corp Ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体発光素子とその製造方法
DE102005016592A1 (de) 2004-04-14 2005-11-24 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtdiodenchip
US20090023239A1 (en) * 2004-07-22 2009-01-22 Luminus Devices, Inc. Light emitting device processes
US20060038188A1 (en) 2004-08-20 2006-02-23 Erchak Alexei A Light emitting diode systems
US20060054919A1 (en) * 2004-08-27 2006-03-16 Kyocera Corporation Light-emitting element, method for manufacturing the same and lighting equipment using the same
JP4592388B2 (ja) * 2004-11-04 2010-12-01 シャープ株式会社 Ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体発光素子およびその製造方法
US7413918B2 (en) * 2005-01-11 2008-08-19 Semileds Corporation Method of making a light emitting diode
TWI352437B (en) * 2007-08-27 2011-11-11 Epistar Corp Optoelectronic semiconductor device
US7170100B2 (en) 2005-01-21 2007-01-30 Luminus Devices, Inc. Packaging designs for LEDs
US7692207B2 (en) * 2005-01-21 2010-04-06 Luminus Devices, Inc. Packaging designs for LEDs
US20070045640A1 (en) 2005-08-23 2007-03-01 Erchak Alexei A Light emitting devices for liquid crystal displays
CN100372137C (zh) * 2005-05-27 2008-02-27 晶能光电（江西）有限公司 具有上下电极结构的铟镓铝氮发光器件及其制造方法
KR20060131327A (ko) * 2005-06-16 2006-12-20 엘지전자 주식회사 발광 다이오드의 제조 방법
TWI282629B (en) * 2005-06-21 2007-06-11 Unit Light Technology Inc Method for fabricating LED
US7384808B2 (en) * 2005-07-12 2008-06-10 Visual Photonics Epitaxy Co., Ltd. Fabrication method of high-brightness light emitting diode having reflective layer
US20080099777A1 (en) * 2005-10-19 2008-05-01 Luminus Devices, Inc. Light-emitting devices and related systems
KR100631418B1 (ko) * 2005-11-15 2006-10-04 삼성전기주식회사 수직 구조 질화갈륨계 발광다이오드 소자
US8795847B2 (en) * 2005-12-08 2014-08-05 Merck Patent Gmbh Materials for organic electroluminescent devices
US20070181905A1 (en) * 2006-02-07 2007-08-09 Hui-Heng Wang Light emitting diode having enhanced side emitting capability
US7928462B2 (en) * 2006-02-16 2011-04-19 Lg Electronics Inc. Light emitting device having vertical structure, package thereof and method for manufacturing the same
US7637009B2 (en) * 2006-02-27 2009-12-29 Sv Probe Pte. Ltd. Approach for fabricating probe elements for probe card assemblies using a reusable substrate
KR101198763B1 (ko) * 2006-03-23 2012-11-12 엘지이노텍 주식회사 기둥 구조와 이를 이용한 발광 소자 및 그 형성방법
CN100442560C (zh) * 2006-05-18 2008-12-10 洲磊科技股份有限公司 制造发光二极管的方法
TWI305960B (en) * 2006-06-16 2009-02-01 Opto Tech Corp Light emitting diode and method manufacturing the same
EP2041802B1 (de) * 2006-06-23 2013-11-13 LG Electronics Inc. Leuchtdiode mit vertikaltopologie und herstellungsverfahren dafür
JP4406632B2 (ja) * 2006-08-31 2010-02-03 アルプス電気株式会社 磁気検出装置およびその製造方法
US8716728B2 (en) * 2006-10-20 2014-05-06 Mitsubishi Chemical Corporation Nitride semiconductor light-emitting diode device
KR101282775B1 (ko) 2006-11-03 2013-07-05 엘지이노텍 주식회사 수직형 발광 소자 및 그 제조방법
TWI331411B (en) * 2006-12-29 2010-10-01 Epistar Corp High efficiency light-emitting diode and method for manufacturing the same
TWI370555B (en) * 2006-12-29 2012-08-11 Epistar Corp Light-emitting diode and method for manufacturing the same
US8110425B2 (en) 2007-03-20 2012-02-07 Luminus Devices, Inc. Laser liftoff structure and related methods
CN101308887B (zh) * 2007-05-18 2010-09-29 富士迈半导体精密工业（上海）有限公司 高亮度发光二极管及其制作方法
US8546818B2 (en) * 2007-06-12 2013-10-01 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Vertical LED with current-guiding structure
US7985979B2 (en) 2007-12-19 2011-07-26 Koninklijke Philips Electronics, N.V. Semiconductor light emitting device with light extraction structures
KR20090072980A (ko) * 2007-12-28 2009-07-02 서울옵토디바이스주식회사 발광 다이오드 및 그 제조방법
CN101515613B (zh) * 2008-02-19 2013-04-03 晶元光电股份有限公司 半导体元件
WO2009129353A1 (en) * 2008-04-15 2009-10-22 Purdue Research Foundation Metallized silicon substrate for indium gallium nitride light-emitting diode
US20100019222A1 (en) * 2008-07-25 2010-01-28 High Power Opto.Inc. Low-temperature led chip metal bonding layer
JP2010080817A (ja) * 2008-09-29 2010-04-08 Hitachi Cable Ltd 発光素子
KR100969146B1 (ko) * 2009-02-18 2010-07-08 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조방법
US8642369B2 (en) * 2009-03-03 2014-02-04 Zn Technology, Inc. Vertically structured LED by integrating nitride semiconductors with Zn(Mg,Cd,Be)O(S,Se) and method for making same
JP2010278112A (ja) * 2009-05-27 2010-12-09 Hitachi Cable Ltd 半導体発光素子
US7713776B1 (en) * 2009-08-13 2010-05-11 Ray-Hua Horng Method of making a light emitting diode
JP2009296007A (ja) * 2009-09-16 2009-12-17 Sharp Corp Ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体発光素子
JP2011103400A (ja) * 2009-11-11 2011-05-26 Sumitomo Electric Ind Ltd 化合物半導体素子
KR20110085609A (ko) * 2010-01-21 2011-07-27 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 그 제조방법
CN101872830A (zh) * 2010-06-10 2010-10-27 厦门市三安光电科技有限公司 自带短路保护功能的垂直发光二极管
US9864809B2 (en) 2010-07-13 2018-01-09 Motionpoint Corporation Dynamic language translation of web site content
KR20120099318A (ko) * 2011-01-26 2012-09-10 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 그 제조방법
CN102313247A (zh) * 2011-09-26 2012-01-11 江门市三泰照明制品有限公司 一种led灯具的反光板
CN103247732B (zh) * 2012-02-14 2018-02-06 晶元光电股份有限公司 具有平整表面的电流扩散层的发光元件
US9082692B2 (en) 2013-01-02 2015-07-14 Micron Technology, Inc. Engineered substrate assemblies with epitaxial templates and related systems, methods, and devices
US20140268377A1 (en) * 2013-03-13 2014-09-18 Intermolecular, Inc. Ultrathin Coating for One Way Mirror Applications
EP2903027B1 (de) 2014-01-30 2018-08-22 AZUR SPACE Solar Power GmbH LED-Halbleiterbauelement
CN103996755B (zh) * 2014-05-21 2016-08-17 天津三安光电有限公司 一种氮化物发光二极管组件的制备方法
WO2016122725A1 (en) * 2015-01-30 2016-08-04 Technologies Llc Sxaymiq Micro-light emitting diode with metal side mirror
US10559731B1 (en) * 2015-03-04 2020-02-11 Bridgelux Inc. Highly reliable and reflective LED substrate
DE102017112127A1 (de) * 2017-06-01 2018-12-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
KR102543183B1 (ko) 2018-01-26 2023-06-14 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
CN108550666A (zh) 2018-05-02 2018-09-18 天津三安光电有限公司 倒装四元系发光二极管外延结构、倒装四元系发光二极管及其生长方法
JP7167330B2 (ja) * 2018-07-12 2022-11-08 江西兆馳半導体有限公司 光取出し効率を向上させるための紫外ｌｅｄチップ及びその製造方法
CN113571622B (zh) * 2021-07-22 2022-08-23 厦门三安光电有限公司 发光二极管及其制备方法
CN114639763B (zh) * 2022-05-12 2022-09-06 南昌凯捷半导体科技有限公司 一种具有嵌入式电极的反极性红外led及其制备方法
CN116544322A (zh) * 2023-07-06 2023-08-04 江西兆驰半导体有限公司 一种GaAs基LED芯片、制备方法及LED

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10000088A1 (de) * 1999-02-05 2000-08-17 Agilent Technologies Inc Mittels Substratentfernung hergestellte optische In¶x¶Al¶y¶Ga¶z¶N-Emitter
DE10026254A1 (de) * 2000-04-26 2001-11-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lumineszenzdiodenchip mit einer auf GaN basierenden strahlungsemittierenden Epitaxieschichtenfolge

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6784463B2 (en) * 1997-06-03 2004-08-31 Lumileds Lighting U.S., Llc III-Phospide and III-Arsenide flip chip light-emitting devices
US6078064A (en) * 1998-05-04 2000-06-20 Epistar Co. Indium gallium nitride light emitting diode
US6744800B1 (en) * 1998-12-30 2004-06-01 Xerox Corporation Method and structure for nitride based laser diode arrays on an insulating substrate
US6222207B1 (en) * 1999-05-24 2001-04-24 Lumileds Lighting, U.S. Llc Diffusion barrier for increased mirror reflectivity in reflective solderable contacts on high power LED chip
JP4409684B2 (ja) * 1999-11-17 2010-02-03 昭和電工株式会社 ＡｌＧａＩｎＰ発光ダイオードおよびその製造方法
DE10008583A1 (de) * 2000-02-24 2001-09-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen eines optisch transparenten Substrates und Verfahren zum Herstellen eines lichtemittierenden Halbleiterchips
US6562648B1 (en) * 2000-08-23 2003-05-13 Xerox Corporation Structure and method for separation and transfer of semiconductor thin films onto dissimilar substrate materials
US6468824B2 (en) * 2001-03-22 2002-10-22 Uni Light Technology Inc. Method for forming a semiconductor device having a metallic substrate
TW541710B (en) * 2001-06-27 2003-07-11 Epistar Corp LED having transparent substrate and the manufacturing method thereof
US6649437B1 (en) * 2002-08-20 2003-11-18 United Epitaxy Company, Ltd. Method of manufacturing high-power light emitting diodes

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10000088A1 (de) * 1999-02-05 2000-08-17 Agilent Technologies Inc Mittels Substratentfernung hergestellte optische In¶x¶Al¶y¶Ga¶z¶N-Emitter
DE10026254A1 (de) * 2000-04-26 2001-11-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lumineszenzdiodenchip mit einer auf GaN basierenden strahlungsemittierenden Epitaxieschichtenfolge

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102006001402A1 (de) * 2005-04-15 2006-10-19 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd., Suwon Licht emittierende Halbleitervorrichtung aus Nitrid der Art Flip Chip
US7297988B2 (en) 2005-04-15 2007-11-20 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Flip chip type nitride semiconductor light emitting device
DE102006001402B4 (de) * 2005-04-15 2008-06-26 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd., Suwon Licht emittierende Flip-Chip-Halbleitervorrichtung aus Nitrid
DE102008013900A1 (de) * 2008-03-12 2009-09-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von optoelektronischen Halbleiterchips und optoelektronischer Halbleiterchip
DE102015011635A1 (de) 2015-09-11 2017-03-16 Azur Space Solar Power Gmbh lnfrarot-LED
US10211370B2 (en) 2015-09-11 2019-02-19 Azur Space Solar Power Gmbh Infrared LED
DE102015011635B4 (de) * 2015-09-11 2020-10-08 Azur Space Solar Power Gmbh lnfrarot-LED

Also Published As

Publication number Publication date
US6869820B2 (en) 2005-03-22
US20030143772A1 (en) 2003-07-31
DE10211531B4 (de) 2012-12-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE10211531B4 (de) Hocheffiziente LED und Verfahren zur Herstellung derselben
DE10204386B4 (de) Leuchtdiode und Verfahren zu ihrer Herstellung
EP1277241B1 (de) Lumineszenzdiodenchip auf der basis von gan
US6797987B2 (en) High efficiency light emitting diode and method of making the same
DE10118447C2 (de) Leuchtdiode mit transparentem Substrat und Verfahren zum Herstellen einer solchen
DE10325951B4 (de) Licht emittierende Diode mit zugehörigem Kontaktschema
US6838704B2 (en) Light emitting diode and method of making the same
CN100587985C (zh) 半导体发光元件
DE19953588A1 (de) Waferverbundene Al¶x¶Ga¶y¶In¶z¶N-Strukturen
DE19953609A1 (de) Dickenanpassen von waferverbundenen Al¶x¶Ga¶y¶In¶z¶N-Strukturen durch Laserschmelzen
EP1284026A1 (de) Lumineszenzdiodenchip mit einer auf gan basierenden strahlungsemittierenden epitaxieschichtenfolge und verfahren zu dessen herstellung
DE112005003476T5 (de) Substratentfernungsprozess für LEDs mit hoher Lichtausbeute
DE10008583A1 (de) Verfahren zum Herstellen eines optisch transparenten Substrates und Verfahren zum Herstellen eines lichtemittierenden Halbleiterchips
DE10118448A1 (de) Leuchtdiode und Verfahren zum Herstellen derselben
DE102008009769A1 (de) Doppel-Flip-Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren
EP2273574B1 (de) Verfahren zum Herstellen eines Lumineszenzdiodenbauelements mit einem Lumineszenzdiodenchip auf der Basis von GaN
DE19945672A1 (de) Verfahren zum Herstellen einer Licht emittierenden Diode
DE102009037319A1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Licht emittierenden Halbleitervorrichtung und Licht emittierende Halbleitervorrichtung
EP2057696B1 (de) Optoelektronischer halbleiterchip und verfahren zur dessen herstellung
WO2018122103A1 (de) Halbleiterlaserdiode
EP2415086B1 (de) Verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauelements, optoelektronisches bauelement und bauelementanordnung mit mehreren optoelektronischen bauelementen
EP1299909B1 (de) LUMINESZENZDIODENCHIP AUF DER BASIS VON InGaN UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG
WO2013131729A1 (de) Verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterchips
WO2009121314A1 (de) Strahlungsemittierendes halbleiterbauelement und verfahren zur herstellung eines strahlungsemittierenden halbleiterbauelements
WO2018192972A1 (de) Halbleiterlaserdiode und verfahren zur herstellung einer halbleiterlaserdiode

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8127 New person/name/address of the applicant

Owner name: EPISTAR CORP., HSINCHU, TW

R082 Change of representative

Representative=s name: TER MEER STEINMEISTER & PARTNER GBR PATENTANWA, DE

Representative=s name: TER MEER STEINMEISTER & PARTNER PATENTANWAELTE, DE

Representative=s name: TER MEER STEINMEISTER & PARTNER GBR PATENTANWAELTE

R082 Change of representative

Representative=s name: TER MEER STEINMEISTER & PARTNER GBR PATENTANWA, DE

Representative=s name: TER MEER STEINMEISTER & PARTNER PATENTANWAELTE, DE

Representative=s name: TER MEER STEINMEISTER & PARTNER GBR PATENTANWAELTE

R016 Response to examination communication
R018 Grant decision by examination section/examining division
R020 Patent grant now final

Effective date: 20130307

R071 Expiry of right