DE10204222B4 - Verfahren zur Seitenwandpassivierung beim Plasmaätzen - Google Patents
Verfahren zur Seitenwandpassivierung beim Plasmaätzen Download PDFInfo
- Publication number
- DE10204222B4 DE10204222B4 DE10204222A DE10204222A DE10204222B4 DE 10204222 B4 DE10204222 B4 DE 10204222B4 DE 10204222 A DE10204222 A DE 10204222A DE 10204222 A DE10204222 A DE 10204222A DE 10204222 B4 DE10204222 B4 DE 10204222B4
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- sio
- silicon
- plasma
- etching
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 238000002161 passivation Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 31
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 29
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical class N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 5
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- 239000003973 paint Substances 0.000 claims description 16
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 15
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 8
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 6
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 4
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims 3
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 claims 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 8
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 8
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229940125904 compound 1 Drugs 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- -1 nitride compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940125773 compound 10 Drugs 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 1
- ZLVXBBHTMQJRSX-VMGNSXQWSA-N jdtic Chemical compound C1([C@]2(C)CCN(C[C@@H]2C)C[C@H](C(C)C)NC(=O)[C@@H]2NCC3=CC(O)=CC=C3C2)=CC=CC(O)=C1 ZLVXBBHTMQJRSX-VMGNSXQWSA-N 0.000 description 1
- 239000004922 lacquer Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 1
- 239000003039 volatile agent Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
- H01L21/321—After treatment
- H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
- H01L21/32131—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by physical means only
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/80—Etching
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Verfahren
zur Seitenwandpassivierung beim Plasmaätzen von Chromschichten bei
Masken zur Herstellung von Halbleiterbauelementen, mit einem sauerstoff-
und/oder stickstoffhaltigen Plasma, dadurch gekennzeichnet, dass
in das Plasma (10) mindestens eine siliziumabgebende Verbindung
(1) eingeführt
wird, so dass das Plasma (10) zusammen mit der mindestens einen
siliziumabgebenden Verbindung (1) zu ungeladenen SiO2-Verbindungen
(2) und/oder ungeladenen SiO2-artigen und/oder
Silizium-Nitrid-Verbindungen
reagiert.
Description
- Die Erfindung betrifft ein Verfahren nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
- Bei der Strukturierung von Materialien in der Halbleiterindustrie ist es häufig erforderlich, bestimmte Bereiche einer Struktur während Ätzprozessen durch Passivierungsschichten abzudecken. Die Passivierungsschichten dienen dazu, darunter liegende Schichten vor dem Ätzmedium zu schützen.
- Dies ist insbesondere bei der Herstellung von Masken mit Chromschichten ein Problem. Bei der Plasmaätzung von Chromschichten bei der Herstellung von Masken (z.B. COG) wird die Chromschicht üblicherweise mittels eines Plasmaätzprozesses strukturiert. Unter Plasmaätzen wird hier jedes Verfahren verstanden, das bei dem aus einem Plasma heraus eine Materialabtragung bewirkt wird. Dazu gehört z.B. auch das reaktive Ionenätzen (RIE reactive ion etching), bei dem neben einem Ionenbeschuss auch reaktive Komponenten der verwendeten Gasatmosphäre mitwirken. Durch reaktives Ionenätzen kann insbesondere anisotrop geätzt werden. Auch ICP (inductively coupled plasma)-Verfahren gehören zum Plasmaätzen. Auch Kombinationen von RIE- und ICP-Verfahren sind möglich.
- Damit beim Ätzen von Chrommasken das Chrom in eine flüchtige Verbindung überführt werden kann, muss dem Ätzgas (Chlor) verhältnismäßig viel Sauerstoff zugegeben werden. Dabei verhindert der hohe Sauerstoffanteil im Plasma die Bildung von Polymeren, mit denen sonst eine Seitenwandpassivierung erreicht wird. Des Weiteren wird eine Lackschicht, die bei der Strukturierung der Chromschicht verwendet wird, durch die vorhandenen Sauerstoff-Radikale seitlich angegriffen.
- Bisher wurde versucht, dieses Problem durch Einstellung der Lackätzrate zu lösen. Die Lackätzrate ist teilweise isotrop, so dass diese die Gleichförmigkeit des Endmaßes (CD-Uniformity) und den Maßverlust (CD-Bias) bestimmt.
- Nachteilig ist dabei, dass ein effektiver Flankenschutz damit nicht erreichbar ist.
- Aus der
DE 196 41 288 A1 ist ein Verfahren zur Herstellung von geätzten Strukturen in Substraten mittels anisotropen Plasmaätzens bekannt, wobei getrennt voneinander alternierend ein an sich isotroper Ätzvorgang und eine Seitenwandpassivierung durchgeführt wird, wobei das Substrat ein Polymer, ein Metall oder ein Mehrkomponentensystem ist und Anteile der während der Seitenwandpassivierung aufgebrachten Seitenwandpassivierschicht jeweils während der darauffolgenden Ätzvorgänge auf die freigelegten Seitenflächen der Seitenwand übertragen werden, wodurch der Gesamtprozeß insgesamt anisotrop wird. - Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zu schaffen, bei dem eine Seitenwandpassivierung in effizienter Weise erfolgen kann.
- Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch ein Verfahren mit den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst.
- Durch die Einführung mindestens einer siliziumabgebenden Verbindung im Plasma wird eine Reaktion mit im Plasma vorhandenen Sauerstoff-Molekülen oder Ionen und/oder Stickstoff-Molekülen und/oder Ionen ermöglicht. Beim Ätzen einer Grabenstruktur im Material erfolgt nach dem Zugeben der mindestens einen siliziumabgebenden Verbindung eine Beschichtung einer Seitenwand der Grabenstruktur mit einer SiO2-Schicht und/oder einer SiO2-artigen Schicht und/oder mit einer Nitridschicht zur Seitenwandpassivierung. An den quer zum elektrischen Feld liegenden Flächen, also den Flächen, an denen die Ionen mit einer besonderen Energie auftreffen, werden die SiO2- oder SiO2-artigen und/oder die Nitrid-Verbindungen wieder abgelöst, an den Seitenwänden bleibt eine Passivierungsschicht bestehen.
- Die entstehenden SiO2- oder SiO2-artigen Verbindungen bzw. Nitrid-Verbindungen sind ungeladen und scheiden sich daher auf der Oberfläche des bearbeiteten Materials ab.
- In einer vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung ist mindestens eine siliziumabgebende Verbindung ein gasförmiges Molekül gemäß folgender Summenformel ist: SiAxHy mit
x = 0,...,4,
y = 0,...,4 und
x + y = 4 und
A = Cl oder A = F,
insbesondere SiH4, SiCl4, SiF4 oder SiH2Cl2. - Mit Vorteil sind bei einer dieser siliziumabgebende Verbindungen jeweils zwei Wasserstoffatome durch ein Sauerstoffmolekül substituiert, insbesondere ist SiCl2O vorteilhaft, wobei die siliziumabgebenden Verbindung unter Betriebsbedingungen gasförmig ist.
- Mit Vorteil werden auf einem Boden der Grabenstruktur abgeschiedene SiO2-Schichten und/oder SiO2-artige und/oder Nitrid-Schichten durch geladene Teilchen des Plasmas entfernt.
- Auch ist es vorteilhaft, wenn die SiO2- und/oder die SiO2-artigen und/oder die Nitrid-Schichten beim Reinigen und/oder Lackstrippen des Materials entfernt werden.
- Die Erfindung wird nachfolgend unter Bezugnahme auf die Figuren der Zeichnungen an mehreren Ausführungsbeispielen näher erläutert. Es zeigen:
-
1 eine schematische Ausschnittansicht einer Maske für die Herstellung von Halbleiterbauelementen vor einer Ätzung; -
2 eine schematische Ausschnittansicht der Maske nach1 während einer Ätzung mit dem erfindungsgemäßen Verfahren; -
3 eine schematische Ausschnittansicht der Maske nach2 nach der Ätzung mit dem erfindungsgemäßen Verfahren; -
4 eine schematische Ausschnittansicht der Maske nach4 nach Lackstripp- und Reinigungsschritten. - In
1 ist ein Teil einer Struktur im Schnitt dargestellt, die bei der Herstellung einer Maske für die Halbleiterfertigung verwendet ist.1 stellt dabei den Zustand vor der Ätzung dar. - Dabei ist auf einem Quarzsubstrat
30 eine Chromschicht31 angeordnet. Diese Chromschicht31 soll in einem Plasmaätzverfahren strukturiert werden, wobei über der Chromschicht teilweise eine Lackschicht32 (Fotolack, Resist) angeordnet ist. Die Lackschicht32 weist Grabenstrukturen20 auf, an denen ein Plasma10 (siehe2 ) die Chromschicht31 zur Herstellung einer Struktur ätzen soll. Durch die Lackschicht32 abgedeckten Bereiche der Chromschicht31 werden nicht geätzt. - In
2 ist der Ätzvorgang nach dem erfindungsgemäßen Verfahren dargestellt. - Das Plasma
10 enthält erfindungsgemäß eine silizumabgebende Verbindung1 , nämlich gasförmiges SiH4. Alternativ, oder auch zusätzlich, sind auch gasförmiges SiCl4, SiF4 oder SiH2Cl2 als siliziumabgebenden Verbindungen verwendbar. Auch ist jede dieser siliziumabgebenden Verbindungen1 allein im erfindungsgemäßen Verfahren einsetzbar. Allgemein kann als Molekül der siliziumabgebenden Verbindung1 gemäß folgender Summenformel aufgebaut sein: SiAxHy mit
x = 0,...,4,
y = 0,...,4 und
x + y = 4 und
A = Cl oder A = F. - Somit sind chlor- oder fluorhaltige Siliziumverbindungen geeignet. Alternativ können auch gasförmige Verbindungen dieser Art verwendet werden, wenn zwei Wasserstoffatome durch ein Sauerstoffatom ersetzt werden, wie z.B. SiCl2O, so lange die Verbindung bei Prozessbedingungen gasförmig ist (SiO2 ist demnach ausgeschlossen)
- Des Weiteren sind im Plasma
10 ungeladene Moleküle (z.B. Cl2, O2) und Ionen (O+, Cl+, O2 +) enthalten. Im vorliegenden Beispiel wird der Sauerstoff im Plasma10 als Reaktionspartner für das Silizium bei der Bildung von Passivierungsschichten verwendet. Alternativ oder zusätzlich kann auch Stickstoff im Plasma10 als Reaktionspartner verwendet werden. - Durch das sich im Plasma senkrecht zum Substrat ausbildende elektrische Feld werden die ionisierten Teilchen im wesentlichen senkrecht in Richtung auf einen Boden
23 der Grabenstruktur31 gelenkt. Dies ist in2 durch Pfeile an den entsprechenden Ionen symbolisiert. - Die ungeladenen Teilchen, insbesondere die siliziumabgebenden Verbindungen
1 bewegen sich im Feld ungeordnet, d.h. insbesondere treffen sie auch auf die Seitenwände21 der Grabenstruktur20 auf. Ein Teil dieser Teilchen wird aber auch auf den Boden23 oder der Oberseite der Lackschicht32 auftreffen. - Die siliziumabgebenden Verbindungen
1 werden im Plasma10 zerlegt, wobei sich das freiwerdende Silizium mit dem im Plasma10 befindlichen Sauerstoff verbindet. Da im Plasma genügend Sauerstoff vorhanden ist, reichen kleine Mengen der siliziumabgebenden Verbindung1 aus. - Als Produkt der Reaktion entstehen SiO2-Verbindungen und/oder SiO2-artigen Verbindungen
2 . Diese scheiden sich grundsätzlich auf der Oberseite der Lackschicht32 , den Seitenwänden21 der Lackschicht32 und am Boden23 ab. - Allerdings treffen die im Plasma
10 erzeugten Ionen mit einer einstellbaren Energie senkrecht auf die Oberseite der Lackschicht32 und den Boden23 auf, so dass die dort abgelagerten Verbindungen mit SiO2 und/oder SiO2-ähnlichen Verbindungen in-situ wieder entfernt werden. Die Ablagerungen von SiO2 und/oder SiO2-ahnlichen Verbindungen auf den Seitenwänden21 werden durch die senkrecht auftreffenden Ionen jedoch nicht beeinträchtigt, da die ebenfalls im wesentlichen senkrecht stehenden Seitenwände21 nur in sehr geringen Maße treffen. Gestreute Ionen und Neutralteilchen, die die Seitenwände21 treffen, haben nicht genug kinetische Energie für eine Abtragung oder die Dichte der Teilchen ist zu gering. Somit weicht der Lack nicht zurück und auch die erzeugte Ätzflanke in die Chromschicht31 hinein wird geschützt. - Es bildet sich also eine Seitenwandpassivierung
22 aus SiO2 und/oder SiO2-artigen Verbindungen an den Seitenwänden21 der Lackschicht32 und an geätzten Bereichen der Chromschicht31 aus. Diese ist in2 durch die dicken Linien gekennzeichnet. - Damit ist eine anisotrope Ätzung ohne Maßverlust möglich.
- Typische Betriebsparameter für eine solche Plasmaätzung bei Chromschichten sind:
Druck: 1,33 Pa
Cl2-Fluss: 20 cm3/min (bei Normbedingungen) [sccm]
O2-Fluss: 10 cm3/min (bei Normbedingungen) [sccm]
He-Fluss: 40 cm3/min (bei Normbedingungen) [sccm]
SiH4-Fluss: 2 cm3/min (bei Normbedingungen) [sccm]
magnetische Flussdichte: 0,5 mT
RF-Leistung: 50W
ICP (inductively coupled plasma)-Leistung: 300W - Das beschriebene Verfahren kann als Kombination von RIE und ICP-Verfahren aufgefasst werden.
- In
3 ist die Situation nach dem Ätzen dargestellt. Die Chromschicht31 wurde angeätzt und strukturiert. Die Seitenwände21 sind mit einer Seitenwandpassivierung22 überzogen. - In
4 wird dann der Zustand nach dem Lackstrippen und Reinigen gezeigt. Die Lackschicht32 und die Seitenwandpassivierung22 sind entfernt. Es bleibt nur die strukturierte Chromschicht31 auf dem Quarz-Substrat30 übrig. - Die Erfindung beschränkt sich in ihrer Ausführung nicht auf die vorstehend angegebenen bevorzugten Ausführungsbeispiele. Vielmehr ist eine Anzahl von Varianten denkbar, die von dem erfindungsgemäßen Verfahren auch bei grundsätzlich anders gearteten Ausführungen Gebrauch machen.
-
- 1
- siliziumabgebende Verbindung
- 2
- SiO2-, SiO2-artige Verbindung
- 10
- Plasma
- 20
- Grabenstruktur
- 21
- Seitenwand
- 22
- Seitenwandpassivierung
- 30
- Quarzsubstrat
- 31
- Chromschicht
- 32
- Lackschicht
Claims (6)
- Verfahren zur Seitenwandpassivierung beim Plasmaätzen von Chromschichten bei Masken zur Herstellung von Halbleiterbauelementen, mit einem sauerstoff- und/oder stickstoffhaltigen Plasma, dadurch gekennzeichnet, dass in das Plasma (
10 ) mindestens eine siliziumabgebende Verbindung (1 ) eingeführt wird, so dass das Plasma (10 ) zusammen mit der mindestens einen siliziumabgebenden Verbindung (1 ) zu ungeladenen SiO2-Verbindungen (2 ) und/oder ungeladenen SiO2-artigen und/oder Silizium-Nitrid-Verbindungen reagiert. - Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens eine siliziumabgebende Verbindung (
1 ) ein gasförmiges Molekül folgender Summenformel ist : SiAxHy mit x = 0,...,4, y = 0,...,4 und x + y = 4 und A = Cl oder A = F, insbesondere SiH4, SiCl4, SiF4 oder SiH2Cl2. - Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass in mindestens einer siliziumabgebenden Verbindung (
1 ) gemäß der Summenformel atom jeweils zwei Wasserstoffatome durch ein Sauerstoff substituiert sind, insbesondere ein SiCl2O, wobei die siliziumabgebende Verbindung (1 ) unter Betriebsbedingungen gasförmig ist. - Verfahren nach mindestens einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass beim Ätzen einer Grabenstruktur (
20 ) im Material nach dem Zugeben der mindestens einen siliziumabgebenden Verbindung (1 ) eine Beschichtung einer Seitenwand (21 ) der Grabenstruktur (20 ) mit einer SiO2-Schicht (22 ) und/oder einer SiO2-artigen Schicht und/oder einer Silizium-Nitrid-Schicht zur Seitenwandpassivierung erfolgt. - Verfahren nach mindestens einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass auf einem Boden (
23 ) der Grabenstruktur (20 ) abgeschiedene SiO2-Schichten und/oder SiO2-artige und/oder Silizium-Nitrid-Schichten durch geladene Teilchen des Plasmas entfernt werden. - Verfahren nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, dass die SiO2- und/oder die SiO2-artigen und/oder Silizium-Nitrid Schichten beim Reinigen und/oder Lackstrippen des Materials entfernt werden.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE10204222A DE10204222B4 (de) | 2002-01-31 | 2002-01-31 | Verfahren zur Seitenwandpassivierung beim Plasmaätzen |
| US10/356,106 US7071110B2 (en) | 2002-01-31 | 2003-01-31 | Process for the plasma etching of materials not containing silicon |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE10204222A DE10204222B4 (de) | 2002-01-31 | 2002-01-31 | Verfahren zur Seitenwandpassivierung beim Plasmaätzen |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE10204222A1 DE10204222A1 (de) | 2003-11-13 |
| DE10204222B4 true DE10204222B4 (de) | 2005-12-01 |
Family
ID=27588263
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE10204222A Expired - Fee Related DE10204222B4 (de) | 2002-01-31 | 2002-01-31 | Verfahren zur Seitenwandpassivierung beim Plasmaätzen |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7071110B2 (de) |
| DE (1) | DE10204222B4 (de) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3828514B2 (ja) * | 2003-06-30 | 2006-10-04 | Ｔｄｋ株式会社 | ドライエッチング方法及び情報記録媒体の製造方法 |
| JP5347962B2 (ja) * | 2007-08-01 | 2013-11-20 | コニカミノルタ株式会社 | 下型の製造方法、ガラスゴブの製造方法及びガラス成形体の製造方法 |
| JP6208017B2 (ja) * | 2014-01-07 | 2017-10-04 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマエッチング方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19641288A1 (de) * | 1996-10-07 | 1998-04-09 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zum anisotropen Plasmaätzen verschiedener Substrate |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5273609A (en) * | 1990-09-12 | 1993-12-28 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus for time-division plasma chopping in a multi-channel plasma processing equipment |
| US5824455A (en) * | 1990-09-26 | 1998-10-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Processing method and apparatus |
| US5100505A (en) * | 1990-10-18 | 1992-03-31 | Micron Technology, Inc. | Process for etching semiconductor devices |
| US5185058A (en) * | 1991-01-29 | 1993-02-09 | Micron Technology, Inc. | Process for etching semiconductor devices |
| US5679215A (en) * | 1996-01-02 | 1997-10-21 | Lam Research Corporation | Method of in situ cleaning a vacuum plasma processing chamber |
| US6124177A (en) * | 1999-08-13 | 2000-09-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Method for making deep sub-micron mosfet structures having improved electrical characteristics |
| US6491835B1 (en) * | 1999-12-20 | 2002-12-10 | Applied Materials, Inc. | Metal mask etching of silicon |
| US20030003374A1 (en) * | 2001-06-15 | 2003-01-02 | Applied Materials, Inc. | Etch process for photolithographic reticle manufacturing with improved etch bias |
-
2002
- 2002-01-31 DE DE10204222A patent/DE10204222B4/de not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-01-31 US US10/356,106 patent/US7071110B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19641288A1 (de) * | 1996-10-07 | 1998-04-09 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zum anisotropen Plasmaätzen verschiedener Substrate |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE10204222A1 (de) | 2003-11-13 |
| US20030143858A1 (en) | 2003-07-31 |
| US7071110B2 (en) | 2006-07-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE69935100T2 (de) | Verfahren zur Ätzung einer Metallisierung mittels einer harten Maske | |
| EP0865664B1 (de) | Verfahren zum anisotropen plasmaätzen verschiedener substrate | |
| DE69724192T2 (de) | Verfahren zum Ätzen von Polyzidstrukturen | |
| DE3140890C2 (de) | Photolithographisches Verfahren zum Herstellen einer integrierten Schaltungsvorrichtung | |
| DE69835032T2 (de) | Verbesserte methode eine oxidschicht zu ätzen | |
| DE10305602B4 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Erzeugen eines Gasplasmas und Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung | |
| CH644405A5 (de) | Verfahren zum herstellen eines gegenstandes. | |
| EP0625285A1 (de) | Verfahren zum anisotropen ätzen von silicium | |
| DE10101766A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen einer dünnen Schicht auf einem Substrat | |
| DE10328578A1 (de) | Hartmaske aus amorphen Kohlenstoff-Wasserstoff-Schichten | |
| EP2313913B1 (de) | Verfahren zum elektronenstrahlinduzierten ätzen von mit gallium implantierten schichten | |
| EP0089382B1 (de) | Plasmareaktor und seine Anwendung beim Ätzen und Beschichten von Substraten | |
| DE4130391C2 (de) | Verfahren zum selektiven entfernen einer schicht und dessen verwendung | |
| DE69819023T2 (de) | Methode, eine leitende schicht zu ätzen | |
| DE19706763B4 (de) | Verfahren zum Ätzen einer Metallschicht | |
| DE10340848A1 (de) | Herstellungsverfahren für eine Halbleitereinrichtung | |
| WO2003100843A2 (de) | Ätzgas und verfahren zum trockenätzen | |
| EP1644954B1 (de) | Verfahren zum anisotropen ätzen einer ausnehmung in ein siliziumsubstrat und verwendung einer plasmaätzanlage | |
| DE10204222B4 (de) | Verfahren zur Seitenwandpassivierung beim Plasmaätzen | |
| DE102013111860A1 (de) | Prozesswerkzeuge und Verfahren zur Bildung von Vorrichtungen unter Verwendung von Prozesswerkzeugen | |
| DE102005046976A1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Wolframverbindungsstruktur mit verbesserter Seitenwandbedeckung der Barrierenschicht | |
| DE10338292A1 (de) | Verfahren zum Ätzen einer Metallschicht unter Verwendung einer Maske, Metallisierungsverfahren für eine Halbleitervorrichtung, Verfahren zum Ätzen einer Metallschicht und ein Ätzgas | |
| EP0538726B1 (de) | Verfahren zur Strukturierung einer Polysiliziumschicht | |
| DE10226604B4 (de) | Verfahren zum Strukturieren einer Schicht | |
| DE10338422B4 (de) | Selektiver Plasmaätzprozess zur Aluminiumoxid-Strukturierung und dessen Verwendung |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
| 8364 | No opposition during term of opposition | ||
| 8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
Owner name: QIMONDA AG, 81739 MUENCHEN, DE |
|
| R081 | Change of applicant/patentee |
Owner name: POLARIS INNOVATIONS LTD., IE Free format text: FORMER OWNER: QIMONDA AG, 81739 MUENCHEN, DE Owner name: INFINEON TECHNOLOGIES AG, DE Free format text: FORMER OWNER: QIMONDA AG, 81739 MUENCHEN, DE |
|
| R081 | Change of applicant/patentee |
Owner name: POLARIS INNOVATIONS LTD., IE Free format text: FORMER OWNER: INFINEON TECHNOLOGIES AG, 85579 NEUBIBERG, DE |
|
| R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee |