DE102022209029A1 - Verfahren zum übertragen von wafern - Google Patents

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Abstract

Hierin wird ein Verfahren zum Übertragen eines Wafers von einem ersten Band, das mit einer Oberfläche des Wafers und auch mit einem ersten Rahmen, der eine Öffnung aufweist, in der der Wafer positioniert ist, druckverbunden wurde, auf ein zweites Band, das mit einem zweiten Rahmen druckverbunden wurde, offenbart. Das Verfahren umfasst einen Entfernungsschritt des ersten Rahmens, bei dem das erste Band von dem ersten Rahmen abgenommen wird, indem ein Abschnitt des ersten Bandes, der zwischen dem ersten Rahmen und dem Wafer liegt, gedrückt wird, einen Druckverbindungsschritt des zweiten Rahmens, bei dem das zweite Band, das mit dem zweiten Rahmen druckverbunden ist, mit einer anderen Oberfläche des Wafers druckverbunden wird, einen Druckverbindungskraft-Verringerungsschritt, bei dem die Druckverbindungskraft des ersten Bandes verringert wird, indem ein äußerer Stimulus auf das erste Band ausgeübt wird, und einen Abziehschritt, bei dem das erste Band von der einen Oberfläche des Wafers abgezogen wird, der mit dem zweiten Band druckverbunden ist.

Description

  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Übertragen eines Wafers von einem ersten Band, das mit einer Oberfläche des Wafers und auch mit einem ersten Rahmen druckverbunden ist, auf ein zweites Band, das mit einem zweiten Rahmen druckverbunden ist.
  • Beschreibung des Standes der Technik
  • Wafer mit mehreren Bauelementen, wie integrierten Schaltkreisen (ICs) oder Large-Scale-Integration (LSI)-Schaltungen, die in entsprechenden Bereichen ausgebildet sind, die an ihren Vorderseiten durch mehrere sich kreuzende vorgesehene Teilungslinien abgegrenzt sind, werden durch eine Teilungsvorrichtung in einzelne Bauelementchips geteilt. Die Bauelementchips werden in elektronischen Geräten wie beispielsweise in Personal Computern verwendet.
  • Gemäß einer anderen vorgeschlagenen Technologie wird ein Band an einer Vorderseite eines Wafers befestigt und an einem Einspanntisch gehalten, und ein Laserstrahl mit einer durch den Wafer transmittierbaren Wellenlänge wird auf eine Rückseite des Wafers aufgebracht, während ein fokussierter Spot des Laserstrahls innerhalb des Wafers entlang der vorgesehenen Teilungslinien positioniert wird, wodurch modifizierte Schichten im Wafer entlang der vorgesehenen Teilungslinien ausgebildet werden. Dann werden äußere Kräfte auf den Wafer ausgeübt, um den Wafer entlang der modifizierten Schichten, die als Teilungsstartpunkte fungieren, in einzelne Bauelementchips zu teilen (siehe beispielsweise das japanische Patent Nr . 3408805 ).
  • Um die Bauelementchips von dem Band aufzunehmen, muss ein weiteres Band an der Rückseite des Wafers befestigt werden und die Vorderseite des Wafers in einen freiliegenden Zustand gebracht werden. Um den oben genannten Bedarf zu decken, wurde eine Technologie zum Übertragen des Wafers, der an dem Band befestigt ist, auf das andere Band vorgeschlagen, um die Vorderseite des Wafers freizulegen (siehe beispielsweise das japanische Patent Nr. 6695173 ).
  • DARSTELLUNG DER ERFINDUNG
  • Wenn die in dem oben erwähnten japanischen Patent Nr. 6695173 offenbarte Technologie ausgeführt wird, muss das am Wafer befestigte Band entlang eines äußeren Umfangsrandes des Wafers geschnitten werden. Allerdings neigt der Wafer gelegentlich dazu, beschädigt zu werden, wenn das Band derart geschnitten wird.
  • Es ist daher ein Ziel der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren zum Übertragen eines Wafers von einem Band auf ein anderes Band vorzusehen, ohne dass der Wafer beschädigt wird.
  • Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren zum Übertragen eines Wafers von einem ersten Band, das mit einer Oberfläche des Wafers und auch mit einem ersten Rahmen, der eine Öffnung aufweist, in welcher der Wafer positioniert ist, druckverbunden wurde, auf ein zweites Band, das mit einem zweiten Rahmen druckverbunden wurde, bereitgestellt, umfassend: einen Entfernungsschritt des ersten Rahmens eines Abnehmens des ersten Bandes von dem ersten Rahmen durch ein Drücken eines Abschnitts des ersten Bandes, der zwischen dem ersten Rahmen und dem Wafer liegt, einen Druckverbindungsschritt des zweiten Rahmens eines Druckverbindens des mit dem zweiten Rahmen druckverbundenen zweiten Bandes mit einer anderen Oberfläche des Wafers, einen Druckverbindungskraft-Verringerungsschritt eines Verringerns einer Druckverbindungskraft des ersten Bandes durch ein Ausüben eines äußeren Stimulus auf das erste Band, und einen Abziehschritt eines Abziehens des ersten Bandes von der einen Oberfläche des mit dem zweiten Band druckverbundenen Wafers.
  • Bevorzugt wird der Druckverbindungskraft-Verringerungsschritt vor dem Entfernungsschritt des ersten Rahmens ausgeführt. Bevorzugt ist das erste Band ein ultraviolett-härtbares Band, das bei einem Aufbringen von Ultraviolettstrahlen gehärtet wird, und umfasst der Druckverbindungskraft-Verringerungsschritt den Schritt eines Aufbringens von Ultraviolettstrahlen auf das erste Band, um die Druckverbindungskraft davon zu verringern.
  • Das Verfahren zum Übertragen eines Wafers gemäß der vorliegenden Erfindung ermöglicht es, einen Wafer von einem ersten Band auf ein zweites Band zu übertragen, ohne eine Beschädigung des Wafers zu verursachen.
  • Die obigen und andere Ziele, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung, sowie die Weise ihrer Umsetzung werden am besten durch ein Studium der folgenden Beschreibung und beigefügten Ansprüche, unter Bezugnahme auf die angehängten Zeichnungen, die eine bevorzugte Ausführungsform der Erfindung zeigen, deutlicher, und die Erfindung selbst wird hierdurch am besten verstanden.
  • Figurenliste
    • 1 ist eine perspektivische Ansicht, welche die Art und Weise darstellt, in der ein Wafer als ein Werkstück gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, ein erster Rahmen und ein erstes Band miteinander kombiniert werden;
    • 2A ist eine perspektivische Ansicht, welche die Art und Weise darstellt, in der ein Laserbearbeitungsprozess zum Ausbilden modifizierter Schichten in dem Wafer entlang der vorgesehenen Teilungslinien daran ausgeführt wird;
    • 2B ist eine perspektivische Ansicht, welche die in dem Wafer ausgebildeten modifizierten Schichten darstellt;
    • 3 ist eine perspektivische Ansicht, welche die Art und Weise darstellt, in der eine Schneidbearbeitung ausgeführt wird;
    • 4A ist eine perspektivische Ansicht, welche die Art und Weise darstellt, wie ein Entfernungsschritt des ersten Rahmens ausgeführt wird;
    • 4B ist eine Querschnittsansicht der in 4A dargestellten Baugruppe;
    • 4C ist eine perspektivische Ansicht des ersten Bandes und des Wafers, die den Entfernungsschritt des ersten Rahmens durchlaufen haben;
    • 5A ist eine perspektivische Ansicht, welche die Art und Weise darstellt, in der ein zweites Band, das mit einem zweiten Rahmen druckverbunden ist, am Wafer positioniert wird;
    • 5B ist eine perspektivische Ansicht, welche die Art und Weise darstellt, in der ein Druckverbindungsschritt des zweiten Bandes zum Druckverbinden des in 5A dargestellten zweiten Bandes mit dem Wafer ausgeführt wird;
    • 5C ist eine Seitenansicht, teilweise im Querschnitt, welche die Art und Weise darstellt, in welcher der Druckverbindungsschritt des zweiten Bandes ausgeführt wird;
    • 6 ist eine perspektivische Ansicht, welche die Art und Weise darstellt, in der ein Druckverbindungskraft-Verringerungsschritt ausgeführt wird; und
    • 7 ist eine perspektivische Ansicht, welche die Art und Weise darstellt, in der ein Abziehschritt ausgeführt wird.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORM
  • Ein Verfahren zum Übertragen eines Wafers gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird nachstehend unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben. Das Verfahren zum Übertragen eines Wafers gemäß der nachstehend beschriebenen Ausführungsform wird durchgeführt, nachdem ein Band an einer Vorderseite eines Wafers befestigt wurde und an einem Einspanntisch gehalten wurde und dann ein Laserstrahl mit einer durch den Wafer durchlässigen Wellenlänge auf eine Rückseite des Wafers aufgebracht wurde, während ein fokussierter Spot des Laserstrahls innerhalb des Wafers entlang vorgesehener Teilungslinien davon positioniert wird, wodurch modifizierte Schichten im Wafer entlang der vorgesehenen Teilungslinien ausgebildet werden. Nachdem die modifizierten Schichten in dem Wafer ausgebildet sind, wird das Verfahren zum Übertragen eines Wafers ausgeführt, und die Vorderseite des Wafers liegt nach oben hin frei. Danach werden äußere Kräfte auf den Wafer ausgeübt, um den Wafer entlang der modifizierten Schichten, die als Teilungsstartpunkte fungieren, in einzelne Bauelementchips zu teilen, und dann wird ein Aufnahmeschritt ausgeführt, um die Bauelementchips aufzunehmen.
  • 1 stellt perspektivisch einen Halbleiterwafer 10 als ein Werkstück dar, das in dem Verfahren zum Übertragen eines Wafers zu übertragen ist. Der Wafer 10 weist eine Vorderseite 10a als eine Oberfläche auf, an der mehrere Bereiche durch mehrere sich kreuzende vorgesehene Teilungslinien 14 unterteilt sind und mehrere Bauelemente 12 in den jeweiligen Bereichen ausgebildet sind.
  • Wie in einem oberen Abschnitt von 1 dargestellt, sind ein ringförmiger erster Rahmen F1, der eine Öffnung F1a aufweist, in welcher der Wafer 10 positioniert werden kann, und ein erstes Band T1, das an seiner Vorderseite eine Haftschicht aufweist, zur Verwendung in Kombination mit dem Wafer 10 vorbereitet. Der Wafer 10 ist mittig in der Öffnung F1a positioniert, wobei die Vorderseite 10a nach unten gerichtet ist und eine Rückseite 10b davon als eine andere Oberfläche nach oben gerichtet ist. Der Wafer 10 und der erste Rahmen F1 sind mit dem ersten Band T1 druckverbunden, so dass der Wafer 10 durch das Band T1 an dem ersten Rahmen F1 gehalten wird, wie in einem unteren Abschnitt von 1 dargestellt.
  • Der durch das Band T1 am ersten Rahmen F1 gehaltene Wafer 10 wird dann einer in 2A dargestellten Laserbearbeitungsvorrichtung 20 geliefert. Nur ein Teil der Laserbearbeitungsvorrichtung 20 ist in 2A dargestellt. Die Laserbearbeitungsvorrichtung 20 weist einen Einspanntisch (nicht dargestellt) zum Halten des Wafers 10 unter Ansaugung daran und eine Laserstrahl-Aufbringeinheit mit einem Strahlkondensor 22 auf, der einen Laserstrahl LB mit einer durch den Wafer 10 transmittierbaren Wellenlänge auf den am Einspanntisch gehaltenen Wafer 10 aufbringt. Die Laserbearbeitungsvorrichtung 20 weist auch einen nicht dargestellten X-Achsen-Zuführmechanismus zum Bearbeitungszuführen des Einspanntisch und des Strahlkondensors 22 relativ zueinander in X-Achsen-Richtungen, einen nicht dargestellten Y-Achsen-Zuführmechanismus zum Indexzuführen des Einspanntischs und des Strahlkondensors 22 relativ zueinander in Y-Achsen-Richtungen senkrecht zu den X-Achsen-Richtungen und einen nicht dargestellten Drehmechanismus zum Drehen des Einspanntischs um seine vertikale Mittelachse auf.
  • Der zu der Laserbearbeitungsvorrichtung 20 gelieferte Wafer 10 wird mit der Rückseite 10b nach oben gerichtet an dem Einspanntisch der Laserbearbeitungsvorrichtung 20 platziert und unter Ansaugung gehalten. Am Wafer 10, der am Einspanntisch gehalten wird, wird dann ein Ausrichtungsschritt durch ein nicht dargestelltes Ausrichtungsmittel durchgeführt, das eine Infrarotabbildungsaufnahmeeinrichtung aufweist, die in der Lage ist, Infrarotstrahlen auf den Wafer 10 aufzubringen und eine Abbildung von reflektierten Strahlen von den von der Rückseite 10b des Wafers 10 transmittierten Infrarotstrahlen aufzunehmen. In dem Ausrichtungsschritt wird die Position einer der vorgesehenen Teilungslinien 14 an der Vorderseite 10a des Wafers 10 detektiert, und der Einspanntisch wird durch den Drehmechanismus gedreht, um die detektierte vorgesehene Teilungslinie 14 auf der Grundlage der aufgenommenen Abbildung in den X-Achsen-Richtungen auszurichten. Informationen über die detektierte Position der vorgesehenen Teilungslinie 14 werden in einem nicht dargestellten Steuerungsmittel der Laserbearbeitungsvorrichtung 20 gespeichert.
  • Auf der Grundlage der im Ausrichtungsschritt erhaltenen Information bezüglich der detektierten Position der vorgesehenen Teilungslinie 14 wird der Strahlkondensor 22 der Laserstrahl-Aufbringeinheit an einer Bearbeitungsstartposition an der vorgesehenen Teilungslinie 14 positioniert, die sich in einer ersten Richtung erstreckt. Der Strahlkondensor 22 emittiert und bringt den Laserstrahl LB auf den Wafer 10 auf, während der fokussierten Spot des Laserstrahls LB innerhalb des Wafers 10 entlang der vorgesehenen Teilungslinie 14 positioniert wird, und der X-Achsen-Zuführmechanismus führt den Einspanntisch und damit den Wafer 10 daran in einer der X-Achsen-Richtungen bearbeitend zu, wodurch eine modifizierte Schicht 100 in dem Wafer 10 entlang der vorgesehenen Teilungslinie 14 ausgebildet wird, die sich in der ersten Richtung erstreckt. Nachdem die modifizierte Schicht 100 in dem Wafer 10 entlang der vorgesehenen Teilungslinie 14 ausgebildet worden ist, führt der Y-Achsen-Zuführmechanismus den Einspanntisch und damit den Wafer 10 daran in einer der Y-Achsen-Richtungen um eine Distanz entsprechend dem Abstand zwischen benachbarten vorgesehenen Teilungslinien 14 indizierend zu, um eine nächste vorgesehene Teilungslinie 14, die sich in der ersten Richtung direkt unterhalb des Strahlkondensors 22 erstreckt, zu positionieren. Dann emittiert der Strahlkondensor 22 den Laserstrahl LB und bringt ihn auf den Wafer 10 auf, während der fokussierte Spot des Laserstrahls LB innerhalb des Wafers 10 entlang der nächsten vorgesehenen Teilungslinie 14 positioniert wird, und der X-Achsen-Zuführmechanismus führt den Einspanntisch und damit den Wafer 10 daran in einer der X-Achsen-Richtungen bearbeitend zu, wodurch eine modifizierte Schicht 100 in dem Wafer 10 entlang der nächsten vorgesehenen Teilungslinie 14 ausgebildet wird, die sich in der ersten Richtung erstreckt. Der obige Vorgang wird wiederholt, um modifizierte Schichten 100 im Wafer 10 entlang aller vorgesehenen Teilungslinien 14 auszubilden, die sich in der ersten Richtung erstrecken. Die modifizierten Schichten 100 werden im Wafer 10 entlang der vorgesehenen Teilungslinien 14 ausgebildet und können tatsächlich von außerhalb des Wafers 10 nicht gesehen werden. In 2A, 2B und einigen anderen Figuren sind die modifizierten Schichten 100 zur Veranschaulichung durch die gestrichelten Linien dargestellt.
  • Dann dreht der Drehmechanismus den Einspanntisch und damit den Wafer 10 daran um 90 Grad, um eine der vorgesehenen Teilungslinien 14, die sich in einer zweiten, zur ersten Richtung senkrechten Richtung erstrecken, mit den X-Achsen-Richtungen auszurichten. Der Strahlkondensor 22 emittiert und bringt den Laserstrahl LB auf den Wafer 10 auf, während der fokussierte Spot des Laserstrahls LB innerhalb des Wafers 10 entlang der vorgesehenen Teilungslinie 14, die sich in der zweiten Richtung erstreckt, positioniert wird, und der X-Achsen-Zuführmechanismus führt den Einspanntisch und damit den Wafer 10 daran in einer der X-Achsen-Richtungen bearbeitend zu, wodurch eine modifizierte Schicht 100 in dem Wafer 10 entlang der vorgesehenen Teilungslinie 14, die sich in der zweiten Richtung erstreckt, ausgebildet wird. Der Wafer 10 wird dann indexzugeführt, um eine nächste vorgesehene Teilungslinie 14, die sich in der zweiten Richtung erstreckt, direkt unterhalb des Strahlkondensors 22 zu positionieren. Dann emittiert der Strahlkondensor 22 den Laserstrahl LB und bringt ihn auf den Wafer 10 auf, während der fokussierte Spot des Laserstrahls LB innerhalb des Wafers 10 entlang der nächsten vorgesehenen Teilungslinie 14 positioniert wird, und der X-Achsen-Zuführmechanismus führt den Einspanntisch und damit den Wafer 10 daran in einer der X-Achsen-Richtungen bearbeitend zu, wodurch eine modifizierte Schicht 100 im Wafer 10 in der nächsten vorgesehenen Teilungslinie 14, die sich in der zweiten Richtung erstreckt, ausgebildet wird. Der obige Vorgang wird wiederholt, um modifizierte Schichten 100 in dem Wafer 10 entlang aller vorgesehenen Teilungslinien 14, die sich in der zweiten Richtung erstrecken, auszubilden, wie in 2B dargestellt. Auf diese Weise werden die modifizierten Schichten 100 in dem Wafer 10 entlang aller vorgesehenen Teilungslinien 14 an der Vorderseite 10a des Wafers 10 ausgebildet. Nachdem die Laserbearbeitungsvorrichtung 20 den Wafer 10 mit dem Laserstrahl LB bearbeitet hat, wird das Verfahren zum Übertragen eines Wafers gemäß der vorliegenden Ausführungsform ausgeführt, um den Wafer 10 nach der Teilung des Wafers 10 in einzelne Bauelementchips für den Aufnahmeschritt bereit zu machen.
  • Das Verfahren, das auf den Wafer 10 aufgebracht werden soll, um den Wafer 10 für das Verfahren zum Übertragen eines Wafers gemäß der vorliegenden Erfindung geeignet zu machen, ist nicht auf das oben beschriebene Laserbearbeitungsverfahren beschränkt und könnte ein Schneidverfahren sein, das beispielsweise von einer in 3 dargestellten Teilungsvorrichtung 30 durchgeführt werden kann. Das Schneidverfahren wird im Folgenden unter Bezugnahme auf 3 beschrieben.
  • Der am ersten Rahmen F1 durch das Band T1 gehaltene Wafer 10 wird, wie oben unter Bezugnahme auf 1 beschrieben, der in 3 dargestellten Teilungsvorrichtung 30 zugeführt. In 3 ist nur ein Teil der Teilungsvorrichtung 30 dargestellt.
  • Die Teilungsvorrichtung 30 weist einen nicht dargestellten Einspanntisch zum Halten des Wafers 10 unter Ansaugung und eine Schneideinheit 31 zum Schneiden des am Einspanntisch unter Ansaugung gehaltenen Wafers 10 auf. Der Einspanntisch ist durch einen Drehmechanismus um seine Mittelachse drehbar. Die Teilungsvorrichtung 30 weist auch einen X-Achsen-Bewegungsmechanismus, der nicht dargestellt ist, zum Bearbeitungszuführen des Einspanntischs in X-Achsen-Richtungen, die durch einen Pfeil X angezeigt werden, auf. Die Schneideinheit 31 umfasst eine Spindel 33, die drehbar in einem Spindelgehäuse 32 getragen ist, das sich axial in Y-Achsen-Richtungen, die durch einen Pfeil Y angezeigt werden, erstreckt, eine ringförmige Schneidklinge 34, die an einem distalen Ende der Spindel 33 angebracht ist, eine Schneidflüssigkeitsdüse 35 zum Zuführen einer Schneidflüssigkeit zu einem Bereich, in dem der Wafer 10 von der Schneidklinge 34 geschnitten wird, und eine Klingenabdeckung 36, die die Schneidklinge 34 abdeckt. Die Teilungsvorrichtung 30 weist auch einen nicht dargestellten Y-Achsen-Bewegungsmechanismus zum Indexzuführen der Schneidklinge 34 in den Y-Achsen-Richtungen auf. Die Schneidklinge 34 am distalen Ende der Spindel 33 ist durch einen nicht dargestellten Spindelmotor in der durch einen Pfeil R1 angegebenen Richtung um ihre Mittelachse drehbar.
  • Vor einem Teilungsschritt eines Teilens des Wafers 10 mit der Schneidklinge 34 in einzelne Bauelementchips, wird der Wafer 10 mit der Rückseite 10b nach oben gerichtet an den Einspanntisch der Teilungsvorrichtung 30 platziert und unter Ansaugung gehalten. Am Wafer 10 wird dann ein Ausrichtungsschritt, der dem oben beschriebenen Ausrichtungsschritt ähnelt, durchgeführt, wobei eine der vorgesehenen Teilungslinien 14, die sich in einer ersten Richtung erstrecken, mit den X-Achsen-Richtungen und der Schneidklinge 34 ausgerichtet wird. Dann wird die Schneidklinge 34, die mit einer hohen Geschwindigkeit gedreht wird, gezwungen, von der Rückseite 10b entlang der vorgesehenen Teilungslinie 14, die mit den X-Achsen-Richtungen ausgerichtet ist, in den Wafer 10 zu schneiden, und der Einspanntisch wird durch den X-Achsen-Bewegungsmechanismus bearbeitet, um eine Teilungsnut 110 in dem Wafer 10 entlang der vorgesehenen Teilungslinie 14 auszubilden. Dann wird der Einspanntisch durch den Y-Achsen-Bewegungsmechanismus indexzugeführt, um eine nächste vorgesehene Teilungslinie 14, die sich in der ersten Richtung erstreckt, mit den X-Achsen-Richtungen und der Schneidklinge 34 auszurichten. Dann bildet die Schneidklinge 34 entlang der nächsten vorgesehenen Teilungslinie 14 eine Teilungsnut 110 im Wafer 10 auf die gleiche Weise wie oben beschrieben aus. Der obige Vorgang wird wiederholt, um entlang aller vorgesehenen Teilungslinien 14, die sich in der ersten Richtung erstrecken, Teilungsnuten 110 in dem Wafer 10 auszubilden.
  • Dann dreht der Drehmechanismus den Einspanntisch und somit den Wafer 10 daran um 90 Grad, um eine der vorgesehenen Teilungslinien 14, die sich in einer zweiten Richtung senkrecht zur ersten Richtung erstrecken, mit den X-Achsen-Richtungen und der Schneidklinge 34 auszurichten. Der oben beschriebene Schneidvorgang wird am Wafer 10 entlang aller vorgesehenen Teilungslinien 14, die sich in der zweiten Richtung erstrecken, durchgeführt, wodurch im Wafer 10 entlang aller vorgesehenen Teilungslinien 14, die sich in der zweiten Richtung erstrecken, Teilungsnuten 110 ausgebildet werden. Nachdem die Teilungsvorrichtung 30 die Teilungsnuten 110 in dem Wafer 10 mit der Schneidklinge 34 ausgebildet hat, wobei der Wafer 10 in einzelne Bauelementchips geteilt wird, welche die jeweiligen Bauelemente 12 aufweisen, geteilt wird, wird das Verfahren zum Übertragen eines Wafers gemäß der vorliegenden Ausführungsform ausgeführt. Das Verfahren zum Übertragen eines Wafers gemäß der vorliegenden Ausführungsform wird unten beschrieben. Gemäß der vorliegenden Ausführungsform wird davon ausgegangen, dass die Laserbearbeitungsvorrichtung 20 den Wafer 10 mit dem Laserstrahl LB bearbeitet hat, bevor das Verfahren zum Übertragen eines Wafers ausgeführt wird.
  • Der mit dem Laserstrahl LB bearbeitete Wafer 10 wird zu einem Tisch 40 zum Entnehmen eines in 4A dargestellten Rahmens gebracht und oberhalb des Tisches 40 positioniert. Der Tisch 40 ist ein im Wesentlichen kreisförmiger Tisch mit einer ringförmigen, sich verjüngenden Oberfläche 42 als eine obere Oberfläche und einer kreisförmigen, ebenen Ansaugeinspanneinrichtung 43, die mittig an der ringförmigen, sich verjüngenden Oberfläche 42 angeordnet ist und die ähnliche Abmessungen wie der Wafer 10 aufweist. Die Ansaugeinspanneinrichtung 43 ist aus einem luftdurchlässigen, porösen Material hergestellt und ist mit einem nicht dargestellten Ansaugmittel fluidverbunden. Wie in 4B dargestellt, weist die ringförmige, sich verjüngende Oberfläche 42 eine geneigte Oberfläche auf, die in Richtung eines äußeren Umfangsrandes davon niedriger wird. Der Tisch 40 weist mehrere durch ihn hindurch definierende Ansauglöcher 44 auf, die in der ringförmigen, sich verjüngenden Oberfläche 42 entlang einer kreisförmigen Anordnung, welche die Ansaugeinspanneinrichtung 43 umgibt, in gewissen Abständen offen sind. Die Ansauglöcher 44 sind auch mit dem Ansaugmittel fluidverbunden. Wenn das Ansaugmittel betätigt wird, erzeugt es einen Unterdruck Vm, der auf die Ansaugeinspanneinrichtung 43 und damit auf eine obere Oberfläche davon und auch auf die Ansauglöcher 44 übertragen wird.
  • Nachdem der durch das erste Band T1 an dem ersten Rahmen F1 gehaltene Wafer 10 oberhalb des Tisches 40 positioniert ist, wird das Ansaugmittel betätigt und der erste Rahmen F1 durch ein nicht dargestelltes Befestigungsmittel hinsichtlich einer Position fixiert. Dann werden, wie in 4B dargestellt, Druckkräfte P zum Drücken des ersten Bandes T1 nach unten auf einen ringförmigen Bereich des ersten Bandes T1 aufgebracht, der zwischen dem ersten Rahmen F1 und dem Wafer 10 liegt, wobei das erste Band T1 nach unten von dem ersten Rahmen F1 abgenommen wird (Entfernungsschritt des ersten Rahmens). Wie in 4C dargestellt, wird der Wafer 10 unter dem Unterdruck Vm zu der Ansaugeinspanneinrichtung 43 gezogen, und ein äußerer Umfangsbereich des ersten Bandes T1 wird unter dem Unterdruck Vm zu der ringförmigen, sich verjüngenden Oberfläche 42 des Tisches 40 gezogen.
  • Nachdem der Entfernungsschritt des ersten Rahmens ausgeführt wurde, wie in 5A dargestellt, wird ein zweiter Rahmen F2 mit einem kreisförmigen mit diesem druckverbundenen zweiten Band T2 vorbereitet. Der zweite Rahmen F2 weist eine Öffnung F2a auf, in welcher der Wafer 10 positioniert werden kann. Der zweite Rahmen F2 mit dem damit druckverbundenen kreisförmigen zweiten Band T2 weist eine nach oben gerichtete Rückseite auf. Gemäß der vorliegenden Ausführungsform sind der zweite Rahmen F2 und der erste Rahmen F1 aus dem gleichen Aufbau und Material gefertigt, während das zweite Band T2 und das erste Band T1 aus dem gleichen Aufbau und Material gefertigt sind.
  • Dann wird das zweite Band T2, das mit dem zweiten Rahmen F2 druckverbunden ist und die Haftschicht aufweist, die nach unten gerichtet ist, mit der nach oben gerichteten Rückseite 10b des unter Ansaugen an dem Tisch 40 gehaltenen Wafers 10 druckverbunden. Das zweite Band T2 wird unter Verwendung einer in 5B dargestellten Druckverbindungwalze 50 mit der Rückseite 10b des Wafers 10 druckverbunden. Insbesondere wird die Druckverbindungwalze 50 um ihre zentrale Achse in der durch einen Pfeil R2 angezeigten Richtung gedreht, während das zweite Band T2 gegen den Wafer 10 gedrückt wird und in der durch einen Pfeil R3 angezeigten Richtung bewegt wird, wodurch das zweite Band T2 voranschreitend mit der Rückseite 10b des Wafers 10 verbunden wird (Druckverbindungsschritt des zweiten Bandes). 5C stellt in einer Seitenansicht die Weise dar, auf welche der Druckverbindungsschritt des zweiten Bandes ausgeführt wird, wobei nur das zweite Band T2 und der zweite Rahmen F2 im Querschnitt dargestellt sind. Wie in 5C dargestellt, ist das zweite Band T2 zur Rückseite 10b des Wafers 10 geneigt, und die Druckverbindungwalze 50 wird nach unten gegen das zweite Band T2 gedrückt, während sie in der durch den Pfeil R2 angezeigten Richtung gedreht und in der durch den Pfeil R3 angezeigten Richtung bewegt wird, wobei das zweite Band T2 voranschreitend mit der Rückseite 10b des Wafers 10 in einer solchen Weise verbunden wird, dass das geneigte zweite Band T2 voranschreitend gegen den Wafer 10 abgeflacht wird. Daher wird verhindert, dass Luft zwischen dem zweiten Band T2 und der Rückseite 10b des Wafers 10 eingeschlossen wird. Gemäß der vorliegenden Ausführungsform ist der äußere Umfangsbereich des ersten Bandes T1 nicht mit dem zweiten Band T2 druckverbunden, da der Tisch 40 die ringförmige, sich verjüngende Oberfläche 42 als seine obere Oberfläche aufweist, wie oben beschrieben.
  • Nachdem der Druckverbindungsschritt des zweiten Bandes ausgeführt worden ist, wird das mit dem Tisch 40 fluidverbundene Ansaugmittel inaktiviert, wobei das erste Band T1 vom Tisch 40 freigegeben wird. Wie in 6 dargestellt, wird ein Druckverbindungskraft-Verringerungsschritt ausgeführt, um die Druckverbindungskraft des ersten Bandes T1 zu verringern, indem ein äußerer Stimulus auf das erste Band T1 ausgeübt wird. In dem Druckverbindungskraft-Verringerungsschritt wird insbesondere ein Ultraviolettstrahl-Aufbringmittel 60 über dem ersten Band T1 positioniert und bringt Ultraviolettstrahlen L auf das erste Band T1 auf. Das erste Band T1 ist ein ultraviolett-härtbares Band, das gehärtet werden kann, wenn es Ultraviolettstrahlen L ausgesetzt wird. Die Ultraviolettstrahlen L werden als ein äußerer Stimulus auf das erste Band T1 aufgebracht, wobei die Druckverbindungskraft des ersten Bandes T1 durch ein Härten der Haftschicht desselben reduziert wird (Druckverbindungskraft-Verringerungsschritt). In 6 ist das Ultraviolettstrahl-Aufbringmittel 60 so dargestellt, dass es oberhalb des ersten Bandes T1 positioniert ist, um Ultraviolettstrahlen L von oben auf das erste Band T1 aufzubringen. Nachdem jedoch der Druckverbindungsschritt des zweiten Bandes ausgeführt wurde, wie in den 5A bis 5C dargestellt, wird das erste Band T1 umgedreht, so dass es nach unten gerichtet ist, und das Ultraviolettstrahl-Aufbringmittel 60 bringt Ultraviolettstrahlen L von unten auf das erste Band T1 auf. Auf diese Weise wird verhindert, dass das erste Band T1 mit dem zweiten Band T2 verbunden wird. Die vorliegende Erfindung ist jedoch nicht auf den eigentlichen Vorgang beschränkt, bei dem das erste Band T1 nach unten gerichtet ist und das Ultraviolettstrahl-Aufbringmittel 60 Ultraviolettstrahlen L von unten auf das erste Band T1 aufbringt. Gemäß der vorliegenden Erfindung könnte das erste Band T1 nach oben gerichtet sein, und das Ultraviolettstrahl-Aufbringmittel 60 könnte Ultraviolettstrahlen L von oben auf das erste Band T1 aufbringen.
  • Nachdem der Druckverbindungskraft-Verringerungsschritt ausgeführt worden ist, wie in einem oberen Abschnitt von 7 dargestellt, wird das erste Band T1, dessen Druckverbindungskraft verringert worden ist, von der Vorderseite 10a des Wafers 10 abgezogen, der mit dem zweiten Band T2 druckverbunden ist (Abziehschritt). Um den Abziehschritt auszuführen, wird ein Abziehband T3 an einem äußeren Umfangsabschnitt des ersten Bandes T1 befestigt, wie im oberen Abschnitt von 7 dargestellt, und dann horizontal gezogen, um das erste Band T1 von der Vorderseite 10a des Wafers 10 abzuziehen, wie in einem unteren Abschnitt von 7 dargestellt. Der Wafer 10 wird so vom ersten Band T1 auf das zweite Band T2 übertragen, ohne dass der Wafer 10 beschädigt wird. Der zum zweiten Band T2 übertragene Wafer 10 weist die Vorderseite 10a auf, die nach oben gerichtet ist, um für den Aufnahmeschritt bereit zu sein. Das Verfahren zum Übertragen eines Wafers gemäß der vorliegenden Ausführungsform kommt nun zu einem Ende.
  • Nachdem der Wafer 10 vom ersten Band T1 auf das zweite Band T2 übertragen wurde, wobei die Vorderseite 10a freiliegt, werden äußere Kräfte auf den Wafer 10 ausgeübt, um die Vorderseite 10a entlang der modifizierten Schichten 100, die als Teilungsstartpunkte fungieren, in einzelne Bauelementchips zu teilen. Dann wird der Aufnahmeschritt ausgeführt, um die einzelnen Bauelementchips aufzunehmen.
  • Gemäß der obigen Ausführungsform wird der Druckverbindungskraft-Verringerungsschritt ausgeführt, nachdem der Entfernungsschritt des ersten Rahmens und der Druckverbindungsschritt des zweiten Bandes ausgeführt worden sind. Die vorliegende Erfindung ist jedoch nicht auf eine solche Abfolge von Schritten beschränkt. Der Druckverbindungskraft-Verringerungsschritt könnte ausgeführt werden, nachdem der Entfernungsschritt des ersten Rahmens ausgeführt wurde.
  • Ferner werden gemäß der obigen Ausführungsform in dem Druckverbindungskraft-Verringerungsschritt Ultraviolettstrahlen als ein äußerer Stimulus auf das erste Band T1 aufgebracht. Die vorliegende Erfindung ist jedoch nicht auf Ultraviolettstrahlen als äußeren Stimulus beschränkt. Auf das erste Band T1 könnte eine andere Form von äußerem Stimulus, wie beispielsweise ein Erwärmen oder ein Kühlen, aufgebracht werden, um die Druckverbindungskraft davon zu verringern. Der auf das erste Band T1 aufzubringende äußere Stimulus wird in Abhängigkeit vom Material des ersten Bandes T1 gewählt.
  • Darüber hinaus weist gemäß der obigen Ausführungsform das erste Band T1 eine Haftschicht an seiner Vorderseite auf und das zweite Band T2 weist ebenfalls eine Haftschicht an seiner Vorderseite auf. Die vorliegende Erfindung ist jedoch nicht auf einen solchen Bandaufbau beschränkt. Das erste Band T1 und das zweite Band T2 könnten jeweils ein Thermokompressions-Verbindungsband ohne eine Haftschicht aufweisen, das aus Polyolefin oder Polyester hergestellt ist und eine Haftkraft entwickelt, wenn es erhitzt wird.
  • Die vorliegende Erfindung ist nicht auf die Details der oben beschriebenen bevorzugten Ausführungsform beschränkt. Der Schutzbereich der Erfindung wird durch die beigefügten Ansprüche definiert und sämtliche Änderungen und Abwandlungen, die in den äquivalenten Schutzbereich der Ansprüche fallen, sind folglich durch die Erfindung einbezogen.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • JP 3408805 [0003]
    • JP 6695173 [0004, 0005]

Claims (3)

  1. Verfahren zum Übertragen eines Wafers von einem ersten Band, das mit einer Oberfläche des Wafers und auch mit einem ersten Rahmen, der eine Öffnung aufweist, in welcher der Wafer positioniert ist, druckverbunden wurde, auf ein zweites Band, das mit einem zweiten Rahmen druckverbunden wurde, umfassend: einen Entfernungsschritt des ersten Rahmens eines Abnehmens des ersten Bandes von dem ersten Rahmen durch ein Drücken eines Abschnitts des ersten Bandes, der zwischen dem ersten Rahmen und dem Wafer liegt; einen Druckverbindungsschritt des zweiten Rahmens eines Druckverbindens des mit dem zweiten Rahmen druckverbundenen zweiten Bandes mit einer anderen Oberfläche des Wafers; einen Druckverbindungskraft-Verringerungsschritt eines Verringerns einer Druckverbindungskraft des ersten Bandes durch ein Ausüben eines äußeren Stimulus auf das erste Band; und einen Abziehschritt eines Abziehens des ersten Bandes von der einen Oberfläche des mit dem zweiten Band druckverbundenen Wafers.
  2. Verfahren gemäß Anspruch 1, wobei der Druckverbindungskraft-Verringerungsschritt vor dem Entfernungsschritt des ersten Rahmens ausgeführt wird.
  3. Verfahren gemäß Anspruch 1 oder 2, wobei das erste Band ein ultraviolett-härtbares Band ist, das bei einem Aufbringen von Ultraviolettstrahlen gehärtet wird, und der Druckverbindungskraft-Verringerungsschritt den Schritt eines Aufbringens von Ultraviolettstrahlen auf das erste Band umfasst, um die Druckverbindungskraft davon zu verringern.
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