CN115775764A - 晶片的转移方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供晶片的转移方法，能够在不对晶片造成损伤的情况下进行晶片的转移。在晶片的转移方法中，将晶片定位于具有收纳晶片的开口部的第一框架的该开口部，将通过第一带与第一框架一起压接于晶片的一个面的晶片转移到压接于第二框架的第二带，该晶片的转移方法具有如下的工序：第一框架卸下工序，对位于该第一框架与该晶片之间的该第一带进行按压而将该第一带从该第一框架卸下；第二带压接工序，将压接于该第二框架的该第二带压接于该晶片的另一个面；压接力降低工序，对该第一带施加外部刺激而使压接力降低；以及剥离工序，从压接于该第二带的晶片的一个面剥离该第一带。

Description

晶片的转移方法
技术领域
本发明涉及将通过第一带与第一框架一起压接于晶片的一个面的晶片转移到压接于第二框架的第二带的晶片的转移方法。
背景技术
由交叉的多条分割预定线划分而在正面形成有IC、LSI等多个器件的晶片通过切割装置被分割成各个器件芯片，移动电话、分割出的器件芯片被用于个人计算机等电气设备。
另外，还提出了如下的技术：将带粘贴于晶片的正面而将晶片保持于卡盘工作台，将对于晶片具有透过性的波长的激光光线的聚光点从晶片的背面定位于分割预定线的内部进行照射而形成改质层，施加外力而以该改质层为分割的起点将晶片分割成各个器件芯片(例如参照专利文献1)。
然而，在从带拾取各个器件芯片时，必须成为在晶片的背面粘贴带而使晶片的正面露出的状态，因此提出了将带所保持的晶片转移到其他带上而使正面露出的技术(例如参照专利文献2)。
专利文献1：日本特许第3408805号公报
专利文献2：日本特许第6695173号公报
在执行上述的专利文献2所公开的技术时，必须将粘贴于晶片的带沿着晶片的外径切断，根据情况，存在对晶片造成损伤这样的问题。
发明内容
因此，本发明的目的在于，提供能够在不对晶片造成损伤的情况下进行晶片的转移的晶片的转移方法。
根据本发明，提供一种晶片的转移方法，将晶片定位于具有收纳该晶片的开口部的第一框架的该开口部，将通过第一带与该第一框架一起压接于该晶片的一个面的该晶片转移到压接于第二框架的第二带，其中，该晶片的转移方法具有如下的工序：第一框架卸下工序，对位于该第一框架与该晶片之间的该第一带进行按压而将该第一带从该第一框架卸下；第二带压接工序，将压接于该第二框架的该第二带压接于该晶片的另一个面；压接力降低工序，对该第一带施加外部刺激而使压接力降低；以及剥离工序，从压接于该第二带的该晶片的一个面剥离该第一带。
优选的是，该压接力降低工序在该第一框架卸下工序之前实施。优选的是，该第一带是通过紫外线的照射而固化的紫外线固化型带，该压接力降低工序是对该第一带照射紫外线而实施的。
根据本发明的晶片的转移方法，能够在不损伤晶片的情况下将晶片从第一带转移到第二带。
附图说明
图1是示出使作为本实施方式的被加工物的晶片、第一框架以及第一带成为一体的方式的立体图。
图2的(a)是示出在晶片的分割预定线的内部形成改质层的激光加工的实施方式的立体图，图2的(b)是示出在晶片形成有改质层的状态的立体图。
图3是示出切削加工的实施方式的立体图。
图4的(a)是示出第一框架卸下工序的实施方式的立体图，图4的(b)是图4的(a)的实施方式的剖视图，图4的(c)是实施了第一框架卸下工序的第一带和晶片的立体图。
图5的(a)是示出将压接于第二框架的第二带定位在晶片上的方式的立体图，图5的(b)是示出将图5的(a)所示的第二带压接于晶片的第二带压接工序的实施方式的立体图，图5的(c)是图5的(b)所示的第二带压接工序的实施方式的侧视图。
图6是示出压接力降低工序的实施方式的立体图。
图7是示出剥离工序的实施方式的立体图。
标号说明
10：晶片；10a：正面(一个面)；10b：背面(另一个面)；12：器件；14：分割预定线；20：激光加工装置；22：聚光器；30：切割装置；31：切削单元；32：主轴壳体；33：主轴；34：切削刀具；35：切削水喷嘴；36：刀具罩；40：工作台；42：锥面；43：吸附卡盘；44：吸引孔；50：压接辊；60：紫外线照射单元；100：改质层；110：分割槽；F1：第一框架；F2：第二框架；T1：第一带；T2：第二带；T3：带。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明实施方式的晶片的转移方法进行详细说明。
以下说明的晶片的转移方法的实施方式例如在将带粘贴于晶片的正面而将晶片保持于卡盘工作台，将对于晶片具有透过性的波长的激光光线的聚光点从晶片的背面定位于分割预定线的内部进行照射而形成改质层之后实施。然后，实施晶片的转移方法，在使晶片的正面向上方露出之后，施加外力而将晶片分割成各个器件芯片，实施拾取工序。
图1示出了在本实施方式中成为被加工物的半导体的晶片10。晶片10由交叉的多条分割预定线14划分而在正面10a形成有多个器件12。
如图1所示，与上述的晶片10一起，准备具有能够收纳晶片10的开口部F1a的环状的第一框架F1和在正面具有粘接层的第一带T1。在该开口部F1a的中央，将晶片10的一个面、即正面10a朝向下方定位，将晶片10的另一个面、即背面10b朝向上方定位，将晶片10与第一框架F1一起压接于第一带T1，如图1的下部所示，经由第一带T1将晶片10保持于第一框架F1。
在像上述那样将晶片10保持于第一框架F1之后，搬送到图2的(a)所示的激光加工装置20(仅示出一部分)。激光加工装置20具有省略图示的卡盘工作台和对该卡盘工作台所保持的晶片10照射对于晶片10具有透过性的波长的激光光线LB的激光光线照射单元的聚光器22。该卡盘工作台具有：X轴进给机构，其将该卡盘工作台和该聚光器22沿X轴方向相对地进行加工进给；Y轴进给机构，其将该卡盘工作台和该聚光器22沿与X轴方向垂直的Y轴方向相对地进行加工进给；以及旋转驱动机构，其使该卡盘工作台进行旋转(均省略图示)。
被搬送到激光加工装置20的晶片10以晶片10的背面10b侧成为上方的方式吸引保持于该卡盘工作台。针对该卡盘工作台所保持的晶片10，使用具有能够照射红外线且对从晶片10的背面10b透过的该红外线的反射光进行拍摄的红外线拍摄元件的对准单元(省略图示)来实施对准工序，检测形成于正面10a的分割预定线14的位置，并且利用该旋转驱动机构使晶片10进行旋转而使规定方向的分割预定线14与X轴方向一致。检测出的分割预定线14的位置的信息被存储于未图示的控制单元。
根据通过上述的对准工序检测出的分割预定线14的位置信息，将激光光线照射单元的聚光器22定位于沿第一方向伸长的分割预定线14的加工开始位置，将激光光线LB的聚光点从晶片10的背面10b定位于分割预定线14的内部而进行照射，并且将晶片10与该卡盘工作台一起沿X轴方向进行加工进给而沿着晶片10的在第一方向上伸长的规定的分割预定线14形成改质层100。在沿着规定的分割预定线14形成改质层100之后，将晶片10沿Y轴方向分度进给分割预定线14的间隔，将在Y轴方向上相邻的未加工的沿第一方向伸长的分割预定线14定位于聚光器22的正下方。然后，与上述同样地将激光光线LB的聚光点定位于晶片10的分割预定线14的内部而进行照射，将晶片10沿X轴方向进行加工进给而形成改质层100，通过重复进行这些动作，沿着在第一方向上伸长的所有分割预定线14形成改质层100。另外，改质层100形成在分割预定线14的内部，实际上无法从外部目视，但在图2以后的说明中，为了便于说明，用虚线表示。
接着，使晶片10旋转90度，使沿与已经形成了改质层100的第一方向的分割预定线14垂直的第二方向伸长的未加工的分割预定线14与X轴方向一致。然后，也与上述同样地将激光光线LB的聚光点定位于第二方向的各分割预定线14的内部而进行照射，如图2的(b)所示，沿着形成于晶片10的正面10a的所有分割预定线14形成改质层100。在如以上那样实施了激光加工之后，接下来，为了准备将晶片10分割成各个器件芯片之后的拾取工序，实施本实施方式的晶片的转移方法。
另外，对适合应用本发明的晶片的转移方法的晶片10的加工并不限定于上述的激光加工，例如也可以是使用图3所示的切割装置30来实施的切削加工。参照图3对该切削加工进行说明。
将根据图1说明的经由第一带T1保持于第一框架F1的晶片10搬送到图3所示的切割装置30(仅示出一部分)。
切割装置30具有：卡盘工作台(省略图示)，其对晶片10进行吸引保持；以及切削单元31，其对该卡盘工作台所吸引保持的晶片10进行切削。该卡盘工作台构成为旋转自如，具有将卡盘工作台沿图中箭头X所示的方向进行加工进给的移动机构(省略图示)。另外，切削单元31具有：主轴33，其旋转自如地保持于沿图中箭头Y所示的Y轴方向配设的主轴壳体32；环状的切削刀具34，其保持于主轴33的前端；切削水喷嘴35，其向切削部提供切削水；以及刀具罩36，其覆盖切削刀具34，切削单元31具有将切削刀具34在Y轴方向上进行分度进给的Y轴移动机构(省略图示)。主轴33的前端部所保持的切削刀具34由省略图示的主轴电动机向箭头R1所示的方向旋转驱动。
在利用上述的切削刀具34实施将晶片10分割成各个器件芯片的分割工序时，首先，将晶片10的背面10b朝向上方载置于切削装置30的卡盘工作台而进行吸引保持，实施与上述的对准工序同样的对准，由此使晶片10的沿第一方向伸长的规定的分割预定线14与X轴方向一致。接着，使高速旋转的切削刀具34从背面10b侧切入与X轴方向一致的分割预定线14，并且将卡盘工作台沿X轴方向进行加工进给，形成使晶片10沿着分割预定线14断裂的分割槽110。进而，将切削刀具34分度进给到与形成有该分割槽110的分割预定线14在Y轴方向上相邻且未形成有分割槽110的分割预定线14上，形成与上述相同的分割槽110。通过重复进行这些动作，沿着在第一方向上伸长的所有分割预定线14形成分割槽110。
接着，使晶片10旋转90度，使沿与之前形成有分割槽110的第一方向垂直的第二方向伸长的分割预定线14与X轴方向一致，重新对与X轴方向一致的所有分割预定线14实施上述的切削加工，从而沿着形成于晶片10的所有分割预定线14形成分割槽110。在这样实施切削工序而沿着分割预定线14将晶片10分割成每个器件12的器件芯片之后，实施以下说明的晶片的转移方法。另外，在以下说明的晶片的转移方法的实施方式中，对针对晶片10实施了上述的激光加工的情况进行说明。
将实施了上述的激光加工的晶片10搬送到图4的(a)所示的框架卸下用的工作台40，定位于该工作台40的上方。工作台40是大致圆形状的工作台，在形成上表面的环状的锥面42的中央形成有与晶片10的尺寸对应的圆形的平坦的吸附卡盘43。该吸附卡盘43例如由具有透气性的多孔部件形成，与省略图示的吸引单元连接。从图4的(b)所示的工作台40的剖视图可以理解，该锥面42由随着朝向外方而变低的倾斜面形成。在锥面42上以围绕吸附卡盘43的方式形成有多个吸引孔44，该多个吸引孔44也与上述吸引单元连接。通过使该吸引单元进行动作，在吸附卡盘43的上表面和吸引孔44生成负压Vm。
在将经由第一带T1保持于第一框架F1的晶片10定位在上述的工作台40上之后，使上述的吸引单元进行动作，并且利用省略图示的固定单元对第一框架F1进行固定，在位于第一框架F1与晶片10之间的环状的区域，施加朝向下方按压第一带T1的按压力P，由此将第一带T1从第一框架F1卸下(第一框架卸下工序)。由此，如图4的(c)所示，晶片10被吸附卡盘43吸引，并且第一带T1的外周区域被工作台40的锥面42吸引。
在如上述那样实施了第一框架卸下工序之后，如图5的(a)所示，准备压接有圆形的第二带T2的第二框架F2。第二框架F2具有能够收纳晶片10的开口部F2a，压接有第二带T2的第二框架F2的背面侧朝向上方。另外，在本实施方式中，第二框架F2和第一框架F1是相同的部件，第二带T2是由与第一带T1相同的部件构成的带。
在如上述那样准备了压接有第二带T2的第二框架F2之后，如图5的(a)所示，将第二带T2的形成有粘接层的一侧朝向下方，将第二带T2压接于上述的工作台40所吸引保持的晶片10的另一个面、即背面10b。该压接例如使用图5的(b)所示的压接辊50，一边使压接辊50向箭头R2所示的方向进行旋转而按压晶片10，一边向箭头R3所示的方向移动，将第二带T2压接于晶片10的背面10b(第二带压接工序)。此时，从图5的(c)所示的实施第二带压接工序时的侧视图(仅用剖面示出第二带T2和第二框架F2)可以理解，使第二带T2相对于晶片10的背面10b倾斜地定位，从上方按压压接辊50而进行压接，由此防止空气进入到第二带T2与晶片10的背面10b之间。在本实施方式中，如上所述，在工作台40的上表面形成有锥面42，因此第一带T1的外周区域未被压接于第二带T2。
在实施了上述的第二带压接工序之后，停止与工作台40连接的吸引单元的动作，将第一带T1从工作台40分离，如图6所示，实施对第一带T1施加外部刺激而使压接力降低的压接力降低工序。在图示的压接力降低工序中，将紫外线照射单元60相对于第一带T1进行定位，从该紫外线照射单元60对第一带T1照射紫外线L。该紫外线L成为外部刺激，使第一带T1的压接力降低(压接力降低工序)。另外，在图6中，为了便于说明，以将紫外线照射单元60定位于第一带T1的上方并从第一带T1的上方进行照射的方式进行了表示，但实际上，在实施了根据图5说明的第二带压接工序之后，在使第一带T1侧朝向下方的状态下，从下方侧利用紫外线照射单元60照射紫外线L。由此，防止第一带T1附着于第二带T2。但是，本发明并不限定于如上述那样在使第一带T1侧朝向下方的状态下从下方侧利用紫外线照射单元60照射紫外线L，并不排除将第一带T1侧朝向上方而从上方利用紫外线照射单元60照射紫外线L的情况。
在实施了上述的压接力降低工序之后，如图7的上部所示，从压接于第二带T2的晶片10的正面10a剥离降低了压接力的第一带T1(剥离工序)。在实施该剥离工序时，如图所示，在第一带T1的外周粘贴剥离用的带T3，将该带T3沿水平方向拉拽，由此如图7的下部所示，将第一带T1从晶片10的正面10a去除。通过以上工序，能够在不对晶片10造成损伤的情况下将晶片10从第一带T1转移到第二带T2，能够使晶片10的一个面、即正面10a露出而成为适于拾取工序的状态，从而本实施方式的晶片的转移方法完成。
如上所述，在将晶片10从第一带T1转移到第二带T2而成为使晶片10的一个面、即正面10a露出的状态之后，通过对晶片10施加外力，能够以改质层100为分割的起点而分割成各个器件芯片，从而直接实施拾取工序。
另外，在上述的实施方式中，在实施了第一框架卸下工序和第二带压接工序之后实施了压接力降低工序，但本发明并不限定于此。例如，也可以在实施第一框架卸下工序之前实施压接力降低工序。
另外，在上述的实施方式中，通过紫外线的照射而赋予了压接力降低工序中的外部刺激，但本发明并不限定于此，例如也可以通过加热或冷却来施加外部刺激，从而使第一带T1的压接力降低。该外部刺激的选择根据第一带T1的材质来决定。
此外，在上述的实施方式中，对在第一带T1的正面和第二带T2的正面形成有粘接层的情况进行了说明，但本发明并不限定于此，作为第一带T1和第二带T2，也可以使用不具有粘接层的、通过加热而发挥粘接力的聚烯烃系、聚酯系的热压接带。

Claims (3)

1.一种晶片的转移方法，将晶片定位于具有收纳该晶片的开口部的第一框架的该开口部，将通过第一带与该第一框架一起压接于该晶片的一个面的该晶片转移到压接于第二框架的第二带，其中，
该晶片的转移方法具有如下的工序：
第一框架卸下工序，对位于该第一框架与该晶片之间的该第一带进行按压而将该第一带从该第一框架卸下；
第二带压接工序，将压接于该第二框架的该第二带压接于该晶片的另一个面；
压接力降低工序，对该第一带施加外部刺激而使压接力降低；以及
剥离工序，从压接于该第二带的该晶片的一个面剥离该第一带。
2.根据权利要求1所述的晶片的转移方法，其中，
该压接力降低工序在该第一框架卸下工序之前实施。
3.根据权利要求1所述的晶片的转移方法，其中，
该第一带是通过紫外线的照射而固化的紫外线固化型带，该压接力降低工序是对该第一带照射紫外线而实施的。
CN202211069864.XA 2021-09-07 2022-09-02 晶片的转移方法 Pending CN115775764A (zh)

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