DE102021117573B4 - Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Verbindung zu einem elektronischen Bauteil und einer Chip-Baugruppe - Google Patents

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Abstract

Die vorliegende Anmeldung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer elektronischen Verbindung zu einem elektronischen Bauteil und einer Chip-Baugruppe. Das Verfahren umfasst die folgenden Schritte. Zunächst wird ein elektronisches Bauteil mit einer ersten Schweißstelle bereitgestellt. Außerdem wird ein erstes elektrisches Kontaktstück bereitgestellt. Die erste Schweißstelle und das erste elektrische Kontaktstück werden in mechanischen Kontakt zueinander gebracht. Anschließend wird, während der mechanische Kontakt aufrechterhalten wird, ein Schweißstrom angelegt, der das elektrische Kontaktstück und die Schweißstelle miteinander verschweißen kann.

Description

  • Die vorliegende Anmeldung befasst sich mit einem Verfahren zur Herstellung einer elektronischen Verbindung zu einem elektronischen Bauelement und einer Chip-Baugruppe.
  • Die elektrische Verbindung von elektronischen Bauelementen, wie z.B. Halbleiterbauelementen, elektronischen Chips, Varistoren oder Thermistoren, ist im gesamten technischen Bereich der Elektronik relevant.
  • Die Druckschrift DE 11 2013 000 132 T5 offenbart hierfür einen Schweißprozess nach dem Stand der Technik, mittels dessen ein Kollektivleiter mit einer Leiterplatte verbunden wird.
  • Die Druckschrift DE 10 2008 058 003 B4 offenbart weiterhin ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleitermoduls, wobei ein Halbleiterelement durch Überschallschweißen mit einem Substrat verschweißt wird.
  • Insbesondere besteht auf dem Gebiet der Elektronik der Bedarf, hochzuverlässige elektrische Verbindungen zu elektronischen Bauteilen durch möglichst einfache Verfahren herzustellen.
  • Es ist daher eine Aufgabe der Erfindung gemäß Anspruch 1, ein Verfahren bereitzustellen, das die oben genannten Probleme zumindest teilweise löst. Weiterhin wird eine Chip-Baugruppe bereitgestellt. Vorteilhafte Ausführungsformen sind in weiteren Ansprüchen zu finden.
  • Gemäß einem ersten Aspekt wird ein Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Verbindung bereitgestellt, wobei das Verfahren die folgenden Schritte umfasst. Zunächst wird ein elektronisches Bauteil mit einer ersten Schweißstelle bereitgestellt. Ferner wird ein erstes elektrisches Kontaktstück bereitgestellt. Die erste Schweißstelle und das erste elektrische Kontaktstück werden in mechanischen Kontakt zueinander gebracht. Anschließend wird, während der mechanische Kontakt aufrechterhalten wird, ein Schweißstrom angelegt, der in der Lage ist, das elektrische Kontaktstück und die Schweißstelle miteinander zu verschweißen.
  • Da zum Verschweißen des ersten elektrischen Kontaktstücks und der ersten Schweißstelle ein Strom verwendet wird, ist das erfindungsgemäße Schweißverfahren vorzugsweise Widerstandsschweißen.
  • Dabei kann die erste Schweißstelle ein beliebiges widerstandsschweißbares Teil sein, das an einem elektronischen Bauteil angebracht werden kann. Vorzugsweise besteht die Schweißstelle aus einem durch Widerstandsschweißen schmelzbaren Material. Bevorzugt enthält die erste Schweißstelle ein Metall.
  • Das erste elektrische Kontaktstück kann jede Art von elektrischem Kontakt sein, der in der Lage ist, das elektronische Bauteil elektrisch zu kontaktieren und welches geeignet ist, mit der ersten Schweißstelle verschweißt zu werden. Beispiele für das erste elektrische Kontaktstück können ein drahtförmiges, blockförmiges oder plättchenförmiges Kontaktstück sein, das mit der ersten Schweißstelle in mechanischen Kontakt gebracht werden kann.
  • Da sowohl die erste Schweißstelle als auch das erste Kontaktstück geeignet sind, durch Widerstandsschweißen miteinander verschweißt zu werden, sind sie vorzugsweise elektrisch leitend. Vorzugsweise wird beim mechanischen Kontakt auch ein leitender Kontakt hergestellt. Beim erfindungsgemäßen Widerstandsschweißen liegt der Punkt des höchsten Widerstandes im Schweißstromkreis an der Grenzfläche zwischen der ersten Schweißstelle und dem ersten Kontaktstück. Daher wird die Grenzfläche oder ein Punkt in der Grenzfläche am heißesten, da dort der höchste Spannungsabfall des Stromkreises auftritt. Daher können die Materialien an der Grenzfläche schmelzen und miteinander verschmelzen.
  • Vorzugsweise ist das elektronische Bauteil ein elektronisches Bauteil in der Größe eines Mikrochips. Es kann zum Beispiel eine Größe im Bereich von 0,09 mm2 bis 9 mm2 haben. Vorzugsweise kann das elektronische Bauteil ein beliebiger Varistor oder noch bevorzugter ein NTC-Thermistor sein.
  • Das Verfahren hat den Vorteil, dass es geeignet ist auf einfache Weise eine elektrische Verbindung zwischen dem ersten elektrischen Kontaktstück und der ersten Schweißstelle herzustellen.
  • Der Schweißschritt kann so durchgeführt werden, dass Schweißelektroden an Komponenten angebracht werden, die mit der ersten Schweißstelle und dem ersten elektrischen Kontaktstück elektrisch verbunden sind. Schweißströme für elektronische Bauteile können in einem Bereich von 10 A bis 200 A liegen. Spannungen können in einem Bereich von 0,1 V bis 10 V liegen. Außerdem erfordert das Verfahren keine zusätzlichen Materialien an der Grenzfläche zwischen dem ersten elektrischen Kontaktstück und der ersten Schweißstelle. Daher hat es einen Vorteil gegenüber anderen Techniken wie z. B. dem Löten oder Drahtbonden, bei denen zusätzliche Materialien oder Komponenten zur Herstellung einer elektrischen Verbindung eingesetzt werden.
  • Vorzugsweise ist die erste Schweißstelle Teil einer Anschlusselektrode des elektronischen Bauteils.
  • Mit anderen Worten bedeutet dies, dass die Schweißstelle vorzugsweise ein Bereich oder eine Region einer Anschlusselektrode des elektronischen Bauteils sein kann.
  • So kann die Anschlusselektrode beispielsweise mit Innenelektroden verbunden sein. Die Anschlusselektrode ist jedoch nicht darauf beschränkt, sondern bezieht sich auf eine beliebige Elektrode, die auf der Außenfläche eines elektronischen Bauteils aufgebracht ist und geeignet ist, das elektronische Bauteil in eine elektronische Schaltung einzubinden.
  • Vorzugsweise kann das elektronische Bauteil zwei Anschlusselektroden aufweisen. In diesem Fall kann eine erste Schweißstelle auf der ersten Anschlusselektrode und eine zweite Schweißstelle auf der zweiten Anschlusselektrode vorhanden sein. In diesem Fall kann auf beide Anschlusselektroden ein Kontaktstück nach dem oben beschriebenen Verfahren aufgebracht werden.
  • Es ist weiterhin bevorzugt, dass das erste elektrische Kontaktstück ein erstes Kontaktpad oder ein Teil eines ersten Kontaktpads ist, das auf einem Trägersubstrat angeordnet ist.
  • Vorzugsweise können elektronische Bauteile auf ein Trägersubstrat aufgebracht oder darauf befestigt werden. Das Trägersubstrat ist vorzugsweise ein isolierendes Substrat, das Polymere oder Keramik enthalten kann oder aus diesen bestehen kann. Als Keramik kann z. B. hochisolierendes Aluminiumoxid- oder Aluminiumnitridplatten verwendet werden.
  • Das bedeutet, dass das oben beschriebene Verfahren zum Schweißen eines elektronischen Bauteils mit einer Schweißstelle auf ein Kontaktpad auf einem Trägersubstrat angewendet werden kann.
  • Dazu muss der Schweißstrom zwischen der Anschlusselektrode und dem Kontaktpad fließen. Grundsätzlich ist gemäß der Anmeldung die Art und Weise, wie der Schweißstrom angelegt wird, nicht beschränkt. So wäre es beispielsweise grundsätzlich möglich, dass der Schweißstrom durch das elektronische Bauteil zur Außenelektrode und dann zum Kontaktpad und über einen Schweißkontakt aus dem Kontaktpad heraus fließt. Dies kann einen einfachen Zugang von einer der Schweißgrenzfläche gegenüberliegenden Seite des elektronischen Bauteils ermöglichen. Dieser Ansatz ist jedoch nur geeignet, wenn das elektronische Bauteil dem Schweißstrom und der Schweißspannung standhält. In vielen Fällen ist dieser Ansatz jedoch nicht vorzuziehen, da der Schweißstrom das elektronische Bauteil beschädigen oder Hitze erzeugen und es dadurch beschädigen könnte. Daher ist es vorzuziehen, dass der Schweißkontakt direkt oder indirekt ausschließlich an die Anschlusselektrode angelegt werden kann, die in mechanisch und elektrisch leitendem Kontakt mit dem Kontaktpad steht.
  • Die Anwendung dieses Verfahrens auf Trägersubstraten mit Kontaktpads ist besonders vorteilhaft, da die Kontaktpads eine Größe aufweisen können, die eine einfache Kontaktierung für das Schweißen ermöglicht. Definiert man die Oberseite als die Seite des Substrats, auf der das elektronische Bauteil montiert wird, so hat in einer bevorzugten Ausführungsform das elektronische Bauteil bei Betrachtung der Oberseite nur eine teilweise Überlappung mit dem Kontaktpad. Dadurch ist es möglich, dass der Teil des Kontaktpads, der sich nicht mit dem elektronischen Bauteil überlappt, mit einer reduzierten sterischen Hinderung von der Oberseite her kontaktiert werden kann.
  • Weiterhin ist es bevorzugt, dass der mechanische Kontakt beim Schweißen durch das Zusammenpressen der Schweißstelle und des elektrischen Kontaktstücks unterstützt wird.
  • Vorzugsweise bedeutet dies, dass das elektronische Bauteil zumindest leicht auf das Substrat gepresst wird, wobei die Anschlusselektrode gegen das Kontaktpad auf dem Substrat gepresst wird. Hier und im Folgenden kann dieser Druck mit dem Begriff „Schweißdruck“ bezeichnet werden. Der Schweißdruck ist jeder Druck oder jede Kraft, die aufgebracht wird, um das Kontaktstück und die Schweißstelle in Kontakt zu halten. Er kann z. B. auch das Gewicht des elektronischen Bauteils umfassen. Es ist jedoch vorzuziehen, dass als Schweißdruck eine zusätzliche Kraft oder ein zusätzlicher Druck aufgebracht wird. Diese zusätzliche Presskraft liegt vorzugsweise in einem Bereich von 0,1 N bis 50 N.
  • Durch das Anlegen des Schweißdrucks kann ein guter elektrischer Kontakt während des Schweißens gewährleistet werden, der einen effizienten Stromfluss sicherstellt. Außerdem kann er unterstützen oder sicherstellen, dass die Materialien des ersten Kontaktstücks und der ersten Schweißstelle festen mechanischen Kontakt miteinander haben, wodurch der Schweißpunkt auch eine hohe mechanische Beständigkeit aufweist. Dies kann es ermöglichen, das Kontaktelement nicht nur elektrisch, sondern auch mechanisch effizient mit der Schweißstelle zu verbinden.
  • Weiterhin ist es bevorzugt, dass das erste elektrische Kontaktstück und/oder die erste Schweißstelle mindestens einen Schweißbuckel oder mehrere Schweißbuckel aufweist, welcher erlaubt bzw. welche erlauben den Schweißstrom durch diesen bzw. diese hindurch zu kanalisieren, um einen lokalen Schweißpunkt zu erzeugen.
  • Besonders bevorzugt sind die Schweißbuckel auf dem Kontaktstück angeordnet. Dies ist insbesondere dann vorteilhaft, wenn die Kontaktstücke Teil eines Kontaktpads sind oder ein Kontaktpad sind, da die Kontaktpads durch Ätztechnologien gebildet werden können, die auch in der Lage sind, Schweißbuckel zu bilden. Die Schweißbuckel benötigen somit keinen zusätzlichen Prozessschritt und können während der Strukturierung der Kontaktpads gebildet werden.
  • Im Rahmen der vorliegenden Erfindung ist ein „Schweißbuckel“ jede Ausbuchtung einer zu schweißenden Oberfläche, die in der Lage ist, einen Schweißstrom zu kanalisieren, um einen Erhitzungspunkt zu erzeugen, der zu einem Schweißpunkt wird.
  • Im Sinne der vorliegenden Anmeldung bedeutet „Kanalisierung des Schweißstroms“, dass der Schweißstrom durch eine vergleichsweise schmale Stelle fließen muss, insbesondere durch einen Bereich mit sehr kleinem Querschnittsdurchmesser. Durch die Kanalisierung des Schweißstroms auf einen Schweißpunkt ist der Bereich der Grenzfläche, der den elektrischen Kontakt bildet, wesentlich kleiner als in einem Fall, in dem die Oberflächen keine Schweißbuckel aufweisen würden. Dies hat den Vorteil, dass die Schweißwärme nur sehr lokal auftritt, was einerseits eine effiziente Erwärmung des Metalls gewährleistet, das aufgeschmolzen und damit effizient geschweißt wird, und andererseits dafür sorgen kann, dass das elektronische Bauteil eine geringere Wärmebelastung erfährt. Wenn größere Flächen miteinander in Kontakt stehen, sind unter Umständen höhere Schweißströme erforderlich, was die insgesamt auf das elektronische Bauteil übertragene Wärme erhöht.
  • Vorzugsweise haben die Schweißbuckel eine Größe von bis zu einem Zehntel Millimeter als mittleren Durchmesser.
  • Noch bevorzugter sind die Schweißbuckel spitz zulaufend, d. h. sie können eine konische oder pyramidenförmige Form haben, die von der zu schweißenden Oberfläche weg zeigt. Solche Formen reduzieren die Kontaktfläche und ermöglichen so eine effiziente Kanalisierung des Schweißstroms.
  • Außerdem werden ein erster und ein zweiter Schweißpunkt gleichzeitig mit demselben Schweißstrom gebildet. „Durch denselben Schweißstrom gebildet“ bedeutet, dass der erste und der zweite Schweißpunkt in Bezug auf den Schweißstrom in Reihe geschaltet sind.
  • Diese Anordnung ist besonders vorteilhaft, da sie es ermöglicht, den Schweißstrom zur Schweißstelle zu leiten und durch das anzuschweißende Kontaktstück wieder von dieser weg. In einer solchen Konfiguration muss die Schweißelektrode, die während des Prozesses nur den Schweißstrom anlegt, nicht direkt die dem Kontaktstück zugewandte und möglicherweise schwer zugängliche Anschlusselektrode erreichen. Stattdessen kann ein erster Schweißpunkt mit einem ersten Kontaktstück und ein zweiter Schweißpunkt mit einem zweiten Kontaktstück erzeugt werden.
  • Dies kann insbesondere dann bevorzugt erreicht werden, wenn das erste Kontaktpad zwei elektrisch getrennte Teilpads umfasst oder aus diesen besteht und diese gleichzeitig mit der ersten Schweißstelle und einer zweiten Schweißstelle in Kontakt gebracht werden können. Die erste Schweißstelle und die zweite Schweißstelle sind vorzugsweise elektrisch miteinander verbunden. Vorzugsweise gehören beide zu einer einzigen Anschlusselektrode. Wenn ein Schweißstrom zwischen dem ersten Teilpad und dem zweiten Teilpad angelegt wird, bildet sich auf jeder der Teilpads und jeder der Schweißstellen ein Schweißpunkt. In dieser Konfiguration kann der Strom über die Anschlusselektrode von einem Teilpad zu dem anderen geführt werden. Mit anderen Worten können die beiden Teilpads, die ansonsten elektrisch und räumlich getrennt sind, durch eine Anschlusselektrode des elektronischen Bauteils verbrückt werden.
  • Vorzugsweise kann der Schweißschritt so durchgeführt werden, dass Schweißkontakte eines Schweißgerätes ausschließlich an die Teilpads angelegt werden. Besonders bevorzugt werden die Schweißkontakte an die Bereiche der Teilpads angelegt, die sich nicht mit dem elektronischen Bauteil überlappen. So wird ein sterisch einfacher Zugang der Schweißkontakte zu den Teilpads ermöglicht. Außerdem kann so das sterisch schwierige Verfahren der direkten Kontaktierung der Anschlusselektrode vermieden werden.
  • Darüber hinaus können die nicht überlappenden Bereiche der Teilpads für die Kontaktierung des elektronischen Bauteils durch Drahtbonden oder andere Verfahren genutzt werden.
  • Gemäß einer Ausführungsform, insbesondere beim Schweißen eines elektronischen Flip-Chip-Bauteils auf ein Trägersubstrat, kann das oben beschriebene Verfahren nacheinander oder gleichzeitig auf zwei Anschlusselektroden angewendet werden, die auf zwei getrennte Kontaktpads auf demselben Trägersubstrat geschweißt werden. Die beiden Anschlusselektroden sind vorzugsweise Anschlusselektroden des elektronischen Bauteils.
  • Hier und im Folgenden bezieht sich der Begriff „Chip“ auf eine Anordnung, bei der die Anschlusselektroden auf einem elektronischen Bauteil auf gegenüberliegenden Seiten angeordnet sind. Dementsprechend bezieht sich ein „Chip-Aufbau“ auf einen Chip, der mit einer der Anschlusselektroden auf ein Trägersubstrat geschweißt oder mit einem solchen verbunden ist. Der Begriff „Flip-Chip“ bezieht sich auf ein elektronisches Bauteil, bei dem zwei getrennte Anschlusselektroden auf einer Seite des elektronischen Bauteils angeordnet sind. Dies ermöglicht das Anschweißen des elektronischen Bauteils mit beiden Anschlusselektroden auf ein Substrat mit entsprechend angeordneten Kontaktpads. Dementsprechend bezieht sich der Begriff „Flip-Chip-Aufbau“ auf einen Aufbau, bei dem ein Flip-Chip mit mindestens zwei Anschlusselektroden auf derselben Seite des Flip-Chips auf Kontaktpads auf einem Trägersubstrat geschweißt wird.
  • Das Material der Schweißstelle und des elektrischen Kontakts kann sich unterscheiden. Insbesondere kann sich das Material jeweils einer äußeren Schicht der Schweißstelle und des elektrischen Kontaktstücks unterscheiden.
  • Es ist jedoch bevorzugt, dass das äußerste Metall der Schweißstelle und des elektrischen Kontaktstücks dasselbe ist.
  • Dies bedeutet vorzugsweise, dass entweder das gesamte Material der Schweißstelle und des elektrischen Kontaktstücks gleich ist oder im Fall einer Schichtelektrode, wie z. B. einer geschichteten Anschlusselektrode oder eines geschichteten Kontaktstücks, die äußersten Schichten jeweils aus demselben Material bestehen.
  • Die Verwendung des gleichen Materials hat den Vorteil, dass beide Materialien gleichmäßig erwärmt werden und schmelzen, wodurch eine homogene Verbindung und damit eine gute elektrische und mechanische Verbindung hergestellt werden kann.
  • Vorzugsweise weist das Kontaktstück und/oder die Schweißstelle Silber, Gold, Kupfer, Nickel, Molybdän oder Wolfram auf. Hiervon sind insbesondere Silber, Gold, Kupfer und Nickel bevorzugt. Besonders bevorzugt sind geschichtete Kontaktstücke mit einer Kupferschicht, die in direktem Kontakt mit dem Trägersubstrat steht, mit einer Nickelschicht über der Kupferschicht und einer Abschlussschicht aus Gold. Im Hinblick auf das elektronische Bauteil sind goldterminierte Anschlusselektroden bevorzugt. Alternativ werden auch Silber- oder Silber-Gold-Legierungen oder Schichtelektroden, die diese Materialien enthalten, bevorzugt.
  • Das oben beschriebene Verfahren kann ferner die Bereitstellung eines isolierenden Trägersubstrats und das Aufbringen einer Metallschicht auf das isolierende Trägersubstrat umfassen. Als Verfahren zum Aufbringen der Metallschicht kann jedes geeignete Verfahren gewählt werden, einschließlich Drucken oder Laminieren der Metallschicht auf das Substrat. Alternativ kann die Metallschicht zusammen mit dem Substrat gesintert oder durch physikalische Abscheidung aus der Dampfphase, Sputtern, galvanische Abscheidung oder chemische Beschichtung aufgebracht werden. Anschließend wird ein Ätzschritt durchgeführt, bei dem die Metallschicht strukturiert wird. Als Ätzverfahren können Trockenätzung oder Nassätzung angewandt werden. Insbesondere können während des Ätzschritts mehrere Kontaktpads oder Teilpads auf dem Substrat gebildet werden. Vorzugsweise wird weiterhin während des Ätzens oder in einem separaten Ätzschritt mindestens ein Schweißbuckel pro Teilpad ausgebildet.
  • Nach einem weiteren Aspekt wird eine Chip-Baugruppe bereitgestellt, die mit dem oben beschriebenen Verfahren hergestellt werden kann. Daher gelten alle für das Verfahren offenbarten Merkmale und Vorteile auch für die Chip-Baugruppe und umgekehrt.
  • Die Chip-Baugruppe umfasst ein auf einem Trägersubstrat montiertes elektronisches Bauelement, wobei ein erstes Kontaktpad des Substrats mit einer ersten Anschlusselektrode des Bauelements verschweißt ist, um eine elektrische Verbindung herzustellen.
  • Das bedeutet, dass vorzugsweise ein durch das Widerstandsschweißen erzeugter Schweißpunkt in der Baugruppe erkennbar ist, der die Anschlusselektrode und das Kontaktpad elektrisch und vorzugsweise auch mechanisch verbindet. Eine solche Verbindung ist besonders vorteilhaft, da sie durch ein vorteilhaftes Verfahren hergestellt wird.
  • Das Kontaktpad umfasst zwei separate Teilpads und die Anschlusselektrode ist mit beiden Teilpads verschweißt.
  • In vielen Fällen ist das Vorliegen von zwei Teilflächen, die durch die Anschlusselektrode elektrisch verbrückt werden, für die Einbindung des elektronischen Bauteils in der Baugruppe in eine größere elektronische Schaltung nicht unbedingt erforderlich. In einigen Fällen ist nur ein Kontakt zu einem der Teilpads ausreichend, um das elektronische Bauteil in der Baugruppe elektrisch zu erreichen. Dies bedeutet, dass eines der Teilpads für die Einbindung des elektronischen Bauteils in eine elektronische Schaltung überflüssig sein kann. Die Erfinder haben jedoch festgestellt, dass es für das Schweißverfahren besonders vorteilhaft ist, zwei getrennte Teilpads zu haben.
  • Weiterhin kann das elektronische Bauelement eine zweite Anschlusselektrode aufweisen, die mit einem zweiten Kontaktpad auf dem Trägersubstrat verschweißt ist.
  • Diese Anordnung ist vorzugsweise in einer Flip-Chip-Konfiguration realisiert. Dies ermöglicht beispielsweise bei einem elektronischen Bauteil mit zwei Anschlusselektroden, dass es über das Trägersubstrat vollständig kontaktiert werden kann.
  • Natürlich ist es auch bevorzugt, dass das zweite Kontaktpad ebenfalls aus zwei separaten Teilpads besteht.
  • Vorzugsweise ist das erste Kontaktpad mit Anschlussmitteln zur Integration der Chip-Baugruppe in eine elektronische Schaltung verbunden.
  • „Anschlussmittel“ im Sinne der vorliegenden Anmeldung ist jede elektrische oder elektronische Verbindung, die geeignet ist, die Chip-Baugruppe oder insbesondere das elektronische Bauteil in eine elektronische Schaltung zu integrieren. Zu den Anschlussmitteln gehören zum Beispiel alle internen oder externen Verbindungen auf dem Substrat. Dazu können beispielsweise auf die Substratoberfläche gedruckte oder anderweitig aufgebrachte Leiterbahnen gehören. Dazu gehören auch Durchkontaktierungen, die durch das Substrat hindurchgehen, zum Beispiel zu einer gegenüberliegenden Oberfläche. Dazu gehören auch alle Innenelektroden innerhalb des Substrats, die direkt oder indirekt angeschlossen werden können. Für die vorliegende Anwendung ist eine Klebeverdrahtung als Anschlussmittel besonders bevorzugt. Die bevorzugte Größe der Teilflächen kann im Bereich von 1 bis 0,5 mm2 liegen. Für solche Abmessungen ist die Kontaktierung durch Bonddrähte besonders geeignet.
  • Außerdem ist es aus den oben beschriebenen Gründen bevorzugt, dass das äußerste Metall der ersten Anschlusselektrode und des ersten Kontaktpads dasselbe ist.
  • Wie ebenfalls oben für das Verfahren beschrieben, können sowohl die Anschlusselektrode als auch das erste Kontaktpad Silber, Gold, Kupfer, Nickel, Molybdän oder Wolfram enthalten, wobei Silber, Gold, Kupfer oder Nickel bevorzugt sind.
  • Als weiterer Aspekt wird die Verwendung oder Integration des elektronischen Bauteils in eine elektronische Schaltung beschrieben. Vorzugsweise erfolgt die Verbindung zur Integration der Chip-Baugruppe bzw. des elektronischen Bauteils in eine elektronische Schaltung durch nur ein Teilpad des ersten Kontaktpads.
  • Wie oben näher beschrieben, hat dies einen besonderen Vorteil, nicht für die elektronische Verbindung, sondern für die Anwendung des Schweißverfahrens.
  • Die Erfindung wird im Folgenden anhand von Ausführungsbeispielen näher beschrieben. Diese beispielhaften Ausführungsformen sind in den folgenden, nicht maßstabsgetreuen Figuren dargestellt. Längen sowie Relativ- und Absolutmaße können daher den Figuren nicht entnommen werden. Außerdem ist die Erfindung nicht auf die folgenden Ausführungsformen beschränkt.
    • 1 zeigt eine erste Ausführungsform einer Schweißbaugruppe in Draufsicht;
    • 2 zeigt die erste Ausführungsform der Schweißbaugruppe in Seitenansicht;
    • 3 zeigt eine erste Ausführungsform einer kontaktierten Schweißbaugruppe in Draufsicht;
    • 4 zeigt die erste Ausführungsform der kontaktierten Schweißbaugruppe in Seitenansicht;
    • 5 zeigt eine zweite Ausführungsform einer Schweißbaugruppe in Seitenansicht;
    • 6 zeigt eine dritte Ausführungsform einer Schweißbaugruppe in Seitenansicht;
    • 7 zeigt eine vierte Ausführungsform einer Schweißbaugruppe in Draufsicht;
    • 8 zeigt die vierte Ausführungsform der Schweißbaugruppe in Seitenansicht;
    • 9 zeigt eine zweite Ausführungsform einer kontaktierten Schweißbaugruppe in Draufsicht;
    • 10 zeigt die zweite Ausführungsform der kontaktierten Schweißbaugruppe in Seitenansicht;
    • 11 zeigt eine erste Ausführungsform einer Chip-Baugruppe in Seitenansicht;
    • 12 zeigt die erste Ausführungsform der Chip-Baugruppe in Draufsicht;
    • 13 zeigt eine dritte kontaktierte Schweißbaugruppe in Draufsicht;
    • 14 zeigt eine zweite Ausführungsform einer Chipbaugruppe in Seitenansicht;
    • Die 15 bis 18 zeigen Verfahrensschritte zur Herstellung von Kontaktpads.
  • In 1 ist eine erste Ausführungsform einer Schweißbaugruppe 1 in Draufsicht dargestellt. 2 zeigt eine Seitenansicht der ersten Ausführungsform der Schweißbaugruppe 1.
  • Diese erste Ausführungsform der Schweißbaugruppe 1 stellt einen Zwischenschritt einer Ausführungsform eines Verfahrens zur Herstellung einer elektrischen Verbindung dar.
  • Für die Schweißbaugruppe 1 ist ein Trägersubstrat 2 vorgesehen, auf dem ein erstes Kontaktpad 3 angeordnet ist. Weiterhin ist ein elektronisches Bauteil 4 vorgesehen, das eine erste Anschlusselektrode 5 und eine zweite Anschlusselektrode 6 aufweist. Das elektronische Bauteil 4 wird auf dem Kontaktpad 3 angebracht, wobei die erste Anschlusselektrode 5 in mechanischem Kontakt mit dem ersten Kontaktpad 3 steht.
  • Im Allgemeinen kann das elektronische Bauteil 4 ein beliebiges elektronisches Bauteil sein. Vorzugsweise ist es ein NTC-Thermistor.
  • Das Trägersubstrat 2 kann jedes geeignete isolierende Substrat sein. Vorzugsweise enthält das Material des Trägersubstrats 2 Aluminiumoxid oder wird aus diesem hergestellt.
  • Die erste Kontaktpad 3 ist metallisch und zum Schweißen geeignet. Vorzugsweise weist sie Silber, Gold, Kupfer, Nickel, Molybdän oder Wolfram auf. Insbesondere ist ein geschichtetes erstes Kontaktpad 3 mit einer Kupferschicht bevorzugt, welche in direktem Kontakt mit dem Trägersubstrat 2 ist. Auf die Kupferschicht kann eine Nickelschicht aufgebracht werden. Außerdem wird eine abschließende Goldschicht auf die Nickelschicht aufgebracht.
  • Mit Gold terminierte Elektroden werden für die erste Anschlusselektrode 5 und vorzugsweise auch für die zweite Anschlusselektrode 5 bevorzugt. Die Elektrode kann zum Beispiel eine Schichtelektrode sein, wobei die äußerste Schicht aus Gold besteht.
  • Die erste Anschlusselektrode 5 ist in mechanischen Kontakt mit dem ersten Kontaktpad 3 gebracht worden. Dadurch kann auch ein elektrischer Kontakt hergestellt werden. Daher sind die Bereiche der ersten Anschlusselektrode 5, die mit dem ersten Kontaktpad 3 in Kontakt stehen, ein Beispiel für eine Schweißstelle.
  • Vorzugsweise wird das Herstellen und Aufrechterhalten des mechanischen Kontakts auch dadurch unterstützt, dass die erste Anschlusselektrode 5 und das erste Kontaktpad 3 zusammengepresst werden. Dies kann vorzugsweise dadurch geschehen, dass eine Kraft oder ein Druck das elektronische Bauteil 4 auf das feste Trägersubstrat 2 drückt.
  • Der Bereich oder die Bereiche des ersten Kontaktpads 3, die in Kontakt mit der ersten Anschlusselektrode 5 stehen, können als Kontaktstück betrachtet werden.
  • Wie in 1 zu sehen ist, überlappt das elektronische Bauteil 4 nur einen Teilbereich des ersten Kontaktpads 3. Die Bereiche, in denen keine Überlappung festgestellt wird, können als nicht überlappend bezeichnet werden. Dadurch kann das erste Kontaktpad 3 in den nicht überlappenden Bereichen für verschiedene Zwecke Mitteln von der Oberseite her kontaktiert werden. Die Oberseite ist dabei die Seite des Trägersubstrats 2, auf der das elektronische Bauteil 4 angeordnet ist.
  • In den 3 und 4 ist eine erste Ausführungsform einer kontaktierten Schweißbaugruppe 1' dargestellt. Der Aufbau der ersten Ausführungsform der kontaktierten Schweißbaugruppe 1' ist im Wesentlichen identisch mit der ersten Ausführungsform der Schweißbaugruppe 1, wie sie in den 1 und 2 gezeigt ist.
  • Da das elektronische Bauteil 4 nur mit einem Teil der Kontaktpad 3 überlappt, kann ein erster Schweißkontakt 101 in dem nicht überlappenden Teil der ersten Kontaktpad 3 angebracht werden. Darüber hinaus kontaktiert ein zweiter Schweißkontakt 102 elektrisch die Anschlusselektrode 5. Beide sind mit einer Schweißmaschine 100 verbunden.
  • Dadurch wird ein Schweißstromkreis aufgebaut. Mit Hilfe des Schweißstromkreises und unter Beibehaltung des mechanischen Kontakts zwischen dem ersten Kontaktpad 3 und der ersten Anschlusselektrode 5 kann ein Schweißstrom von einer Schweißmaschine 100 angelegt werden. Der Schweißstrom ist im Allgemeinen nicht begrenzt, aber in der Lage, die erste Anschlusselektrode 5 mit dem ersten Kontaktpad 3 zu verschweißen. Vorzugsweise werden Schweißspannungen im Bereich von 0,1 V bis 10 V und Schweißströme im Bereich von 10 A bis 200 A verwendet.
  • Diese Schweißbedingungen eignen sich für bevorzugte Größen der mit dem Verfahren herstellbaren Baugruppen bzw. Chip-Baugruppen. Vorzugsweise haben die Kontaktpads Größen im Bereich von 0,05 bis 3 mm2. Die elektronischen Bauteile können Größen im Bereich von 0,05 bis 1 mm2 haben. Die Größe der Schweißkontakte kann in einem Bereich von 0,05 bis 1 mm2 liegen.
  • Nach dem Schweißvorgang, d. h. dem Anlegen des Schweißstroms, werden die Schweißkontakte 101 und 102 von den Bauteilen der Schweißbaugruppe gelöst.
  • Es ist selbst in der schematischen und nicht maßstabsgetreuen Darstellung der 4 zu sehen, dass das Anbringen des zweiten Schweißkontakts 102 an der ersten Anschlusselektrode 5 aus Gründen der sterischen Hinderung schwierig sein kann. Wenn das elektronische Bauteil in der Lage ist dem Schweißstrom zu widerstehen, könnte der zweite Schweißkontakt 102 an der zweiten Anschlusselektrode angebracht werden.
  • 5 zeigt eine zweite Ausführungsform einer Schweißbaugruppe 1. Die zweite Ausführungsform der Schweißbaugruppe 1 entspricht im Wesentlichen der ersten Ausführungsform einer Schweißbaugruppe, wie sie in den 1 und 2 dargestellt ist, mit der Ausnahme, dass ein Schweißbuckel 7 auf oder als Teil des Kontaktpads 3 ausgebildet ist. Der Schweißbuckel 7 ist von der Kontaktpads 3 wegorientiert. Außerdem steht der Schweißbuckel 7 in Kontakt mit der ersten Anschlusselektrode 5. Der Schweißbuckel 7 hat einen durchschnittlichen Durchmesser von 0,1 mm oder weniger.
  • Wie sogar aus der schematischen Zeichnung beim Vergleich der 5 und 2 ersichtlich ist, kann der Schweißbuckel die Kontaktfläche zwischen der ersten Anschlusselektrode und dem ersten Kontaktpad drastisch verringern. Dadurch ist der Schweißbuckel 7 in der Lage, einen Schweißstrom zu kanalisieren. Dies ermöglicht, dass das Material des ersten Kontaktpads 3 und auch das Material der ersten Anschlusselektrode 5 begrenzt auf diese kleine Kontaktfläche erwärmt werden kann. Dadurch werden die Materialien an dem Schweißkontaktpunkt effizient aufgeschmolzen und es kann eine mechanische und elektrische Schweißverbindung hergestellt werden.
  • Die Schweißbuckel 7 sind vorzugsweise Teil des ersten Kontaktpads 3. Im Allgemeinen handelt es sich dabei um eine beliebige Ausbuchtung des Kontaktpads, die den Schweißstrom kanalisieren kann. Vorzugsweise hat der Schweißbuckel 7 eine Pyramiden- oder Kegelform. Dadurch wird eine Spitze geschaffen, die schmal ist und den Schweißstrom kanalisieren kann. Vorzugsweise ist die Spitze deutlich kleiner als der mittlere Durchmesser des Schweißbuckels 7. Die Spitze hat mindestens die Hälfte des mittleren Durchmessers des Schweißbuckels 7.
  • Eine Variation dieser Ausführungsform ist in 6 als dritte Ausführungsform der Schweißbaugruppe 1 dargestellt. 6 zeigt, dass auf dem ersten Kontaktpad 3 mehr als ein Schweißbuckel 7 angebracht werden kann. Zur Veranschaulichung sind zwei Schweißbuckel 7 abgebildet. Beide sind in Kontakt mit der ersten Anschlusselektrode 5. Äquivalent kann auch eine aufgeraute Oberfläche verwendet werden. Durch die Aufrauhung der Oberfläche des ersten Kontaktpads können mehrere Schweißbuckel 7 entstehen, durch die der Schweißstrom fließen kann. Es ist zu beachten, dass bei einer solchen Anordnung, wie sie in 6 dargestellt ist, durch die Schweißbuckel 7 eine Parallelschaltung für den Schweißstrom geschaffen wird.
  • 7 zeigt eine vierte Ausführungsform einer Schweißvorrichtung 1 in Draufsicht. Außerdem ist die vierte Ausführungsform der Schweißbaugruppe 1 in Seitenansicht in 8 zu sehen.
  • Die Komponenten der vierten Ausführungsform der Schweißbaugruppe 1 entsprechen im Wesentlichen denen der ersten Ausführungsform der Schweißbaugruppe, außer dass das erste Kontaktpad 3 aus zwei Teilpads besteht, nämlich einem ersten Teilpad 31 und einem zweiten Teilpad 32. Jedes der Teilpads ist durch mindestens einen Schweißbuckel 7 modifiziert, was vorteilhaft, aber für das Prinzip dieser Baugruppe nicht wesentlich ist. In der vierten Ausführungsform der Schweißbaugruppe 1 sind das erste Teilpad 31 und das zweite Teilpad 32 räumlich und elektrisch voneinander getrennt, außer dass sie von der ersten Anschlusselektrode 5 elektrisch verbrückt werden.
  • Der Vorteil hiervon ist am besten in den 9 und 10 zu erkennen, die eine zweite Ausführungsform einer kontaktierten Schweißbaugruppe 1' in Draufsicht in 9 und in Seitenansicht in 10 zeigen. Hier wird die in den 7 und 8 gezeigte vierte Ausführungsform der Schweißbaugruppe 1 durch die Schweißkontakte 101 und 102 in teilweise ähnlicher Weise kontaktiert wie in den 3 und 4 gezeigt.
  • In dieser Konfiguration ist der erste Schweißkontakt 101 in Kontakt mit dem ersten Teilpad 31. Der zweite Schweißkontakt 102 ist in Kontakt mit dem zweiten Teilpad 32. Beide Schweißkontakte sind an nicht überlappenden Teilen jedes Teilpads angebracht, was in Hinblick auf den Schweißzugang von der Oberseite her bevorzugt ist.
  • Wenn angenommen wird, dass durch die Schweißmaschine 100, an die beide Schweißkontakte angeschlossen sind, einen Gleichstrom erzeugt wird, kann der Schweißstrom vom ersten Schweißkontakt 101 durch das erste Teilpad 31 zur ersten Anschlusselektrode 5 fließen. Von dort aus kann der Schweißstrom zum zweiten Teilpad 32 und dann über den zweiten Schweißkontakt 102 zurück zur Schweißmaschine fließen. So wird ein Schweißstromkreis aufgebaut. Natürlich ist je nach Stromart, d. h. Wechsel- oder Gleichstrom, eine Stromrichtung nicht definiert, aber diese beispielhafte Beschreibung verdeutlicht, dass die Kontaktstellen, d. h. die Schweißbuckel 7, in Reihe geschaltet sind, da die erste Anschlusselektrode die ansonsten unverbundenen Teilpads 31 und 32 verbrückt.
  • Diese Anordnung hat den Vorteil, dass die Schweißkontakte nicht direkt an der ersten Anschlusselektrode 5 angelegt werden müssen. Sie können stattdessen an nicht überlappenden Bereichen angelegt werden, d. h. an Bereichen der Teilpads, die in der Draufsicht nicht von dem elektronischen Bauteil 4 überlappt werden. So kann ein einfacher Zugang von der Oberseite für den Schweißprozessschritt erreicht werden.
  • 11 zeigt eine erste Ausführungsform einer Chip-Baugruppe 11 in Seitenansicht. In der ersten Ausführungsform einer Chip-Baugruppe 11 hat das elektronische Bauteil 4 eine Chip-Konfiguration, da es die erste Anschlusselektrode 5 und die zweite Anschlusselektrode 6 auf zwei gegenüberliegenden Seiten aufweist. Diese erste Ausführungsform einer Chip-Baugruppe 11 kann vorzugsweise nach dem Verfahren mit dem in den 7 und 8 sowie 9 und 10 gezeigten Aufbau hergestellt werden. Aus den Schweißbuckeln werden durch das Schweißen Schweißpunkte 8 gebildet. Die Schweißpunkte 8 verbinden die Anschlusselektrode 5 elektrisch und mechanisch mit den Teilpads 31 und 32.
  • Darüber hinaus kann eines der Teilpads, in diesem Fall das erste Teilpad 31, als Mittel für eine weitere elektrische Verbindung dienen, um die Chip-Baugruppe 11 in eine elektronische Schaltung zu integrieren. Wie in 11 dargestellt, kann dies durch Drahtbonden erreicht werden, wobei der Bonddraht 10 in 11 dargestellt ist. Zu den alternativen Mitteln, die nicht abgebildet sind, gehören die in der Einleitung erörterten Mittel.
  • Eine Draufsicht auf die erste Ausführungsform der Chipbaugruppe ist in 12 zu sehen. 12 zeigt, dass das Drahtbonden auch an den nicht überlappenden Bereichen des ersten Teilpads 3 durchgeführt werden kann.
  • Wie in 11 zu sehen ist, kann es sein, dass das zweite Teilpad 32 keinen Beitrag zur Integration des elektronischen Bauteils 4 in eine elektronische Schaltung leistet. Das zweite Teilpad 32 kann für die Einbindung des elektronischen Bauteils 4 in eine elektronische Schaltung überflüssig sein. Sie kann lediglich den Zweck haben, das bevorzugte Schweißverfahren anzuwenden.
  • 13 zeigt in Draufsicht eine dritte Ausführungsform einer kontaktierten Schweißbaugruppe 1'. Wie zu erkennen ist, erfolgt die Kontaktierung zum Schweißen im Prinzip analog zur Kontaktierung der Ausführungsform von 9. Der Einfachheit halber wird in 13 jedoch auf die schematische Darstellung der Schweißmaschine verzichtet.
  • Wie für diese Ausführungsform der 13 zu erkennen ist, sind zwei Kontaktpads, ein erstes Kontaktpad 3 und ein zweites Kontaktpad 9, auf dem vorgesehenen Substrat 2 realisiert. Das im Zusammenhang mit den 7 bis 10 beschriebene Verfahren ermöglicht die Kontaktierung von zwei getrennten Anschlusselektroden auf dem dem Substrat zugewandten elektronischen Bauteil 5.
  • Für jedes der Kontaktpads 3 und 9 werden die Schweißkontakte 101 und 102 angebracht, einer auf einem ersten Teilpad 31 oder 91 und der andere auf einem zweiten Teilpad 32 oder 92.
  • Das Schweißen auf dem ersten und dem zweiten Kontaktpad kann gleichzeitig oder nacheinander erfolgen.
  • 14 zeigt eine zweite Ausführungsform einer Chip-Baugruppe 11, hier in Flip-Chip-Konfiguration, die mit einem Verfahren hergestellt werden kann, das den in 13 dargestellten Schritt umfasst.
  • Das elektronische Bauteil 4 aus 14 hat eine Flip-Chip-Konfiguration, da die beiden Anschlusselektroden 5 und 6 auf derselben Seite des elektronischen Bauteils 4 angeordnet sind.
  • Das elektronische Bauelement 4 wird auf dem Trägersubstrat 2 angeordnet. Das Trägersubstrat 2 umfasst das erste Kontaktpad 3, das wiederum aus zwei räumlich getrennten Teilpads besteht, nämlich dem ersten Teilpad 31 und dem zweiten Teilpad 32. In gleicher Weise ist auf dem Trägersubstrat 2 ein zweites Kontaktpad 9 vorgesehen, das aus einem ersten Teilpad 91 und einem zweiten Teilpad 92 besteht. Das erste Teilpad 31 und das zweite Teilpad 32 sind nur durch die verbrückende erste Anschlusselektrode 5 des elektronischen Bauteils 4 elektrisch verbunden. Zwischen der ersten Anschlusselektrode 5 und jedem der Teilpads 31 und 32 sind Schweißpunkte ausgebildet, die hier der Einfachheit halber nicht explizit gekennzeichnet sind. In gleicher Weise werden die Teilflächen 91 und 92 von der zweiten Anschlusselektrode 6 verbrückt, die ebenfalls dem Substrat zugewandt ist. Die Schweißpunkte sind in analoger Weise ausgebildet.
  • Darüber hinaus werden das erste Teilpad 31 und das andere erste Teilpad 91 in dieser Baugruppe jeweils mit einem Bonddraht 10 kontaktiert, um die Chip-Baugruppe 11 mit dem elektronischen Bauteil 5 in eine elektronische Schaltung zu integrieren.
  • Schließlich ist in den 15 bis 18 ein Teil eines Verfahrens zur Bereitstellung von Kontaktpads bzw. eines ersten Kontaktpads mit zwei Teilpads, dargestellt.
  • Wie in 15 dargestellt, wird zunächst ein Trägersubstrat 2 bereitgestellt, bei dem es sich vorzugsweise um ein isolierendes Substrat handelt, das beispielsweise aus Aluminiumoxid besteht oder dieses aufweist.
  • Anschließend wird, wie in 16 gezeigt, eine Metallschicht 301 auf dem Substrat 2 abgeschieden oder aufgebracht. Für das Aufbringen der Metallschicht kann jedes geeignete Verfahren verwendet werden. Zu den Verfahren gehören die physikalische Gasphasenabscheidung, Verfahren mit eingebrannten Elektroden, das Aufbringen von Metallfolien, Sputtern, galvanische Abscheidung oder chemische Galvanisierung.
  • Anschließend wird, wie in 17 dargestellt, die Metallschicht 301 durch ein Strukturierungsverfahren oder vorzugsweise durch ein Ätzverfahren, wie z. B. Nassätzen oder Trockenätzen, strukturiert. Dadurch wird die strukturierte Metallschicht 302 erzeugt. Wie dargestellt, werden in einem solchen Schritt bereits die Kontaktpads, die jeweils Teilpads umfassen können, vorgefertigt.
  • Des Weiteren werden in einem nächsten Schritt, der auch ein Teilschritt des vorangegangenen Ätzschrittes sein kann, Schweißbuckel 7 aus der strukturierten Metallschicht 302 geätzt. Es ist bevorzugt, dass der in 18 gezeigte Schritt ein Teilschritt des vorhergehenden Ätzschrittes ist, da dadurch die Anzahl der Prozessschritte minimiert werden kann, was effizienter sein kann.
  • Bezugszeichenliste
    • 1
    Schweißbaugruppe
    1'
    kontaktierte Schweißbaugruppe
    2
    Trägersubstrat
    3
    erstes Kontaktpad
    4
    elektronisches Bauteil
    5
    erste Anschlusselektrode
    6
    zweite Anschlusselektrode
    7
    Schweißbuckel
    8
    Schweißpunkt
    9
    zweites Kontaktpad
    10
    Bonddraht
    11
    Chip-Baugruppe
    31
    erstes Teilpad des ersten Kontaktpads
    32
    zweites Teilpad des ersten Kontaktpads
    91
    erstes Teilpad des zweiten Kontaktpads
    92
    zweites Teilpad des zweiten Kontaktpads
    100
    Schweißmaschine
    101
    erster Schweißkontakt
    102
    zweiter Schweißkontakt
    301
    Metallschicht
    302
    strukturierte Metallschicht

Claims (16)

  1. Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Verbindung aufweisend die folgenden Schritte Bereitstellen eines elektronischen Bauteils (4) mit einer ersten Schweißstelle, Bereitstellen eines ersten elektrischen Kontaktstückes, Herstellen eines mechanischen Kontakts zwischen der ersten Schweißstelle und dem ersten elektrischen Kontaktstück, Anlegen eines Schweißstroms, der in der Lage ist, das erste elektrische Kontaktstück und die erste Schweißstelle miteinander zu verschweißen, während die mechanische Kontaktierung aufrechterhalten wird, wobei ein erster und ein zweiter Schweißpunkt (8) gleichzeitig durch denselben Schweißstrom gebildet werden und wobei der erste und der zweite Schweißpunkt (8) in Bezug auf den Schweißstrom in Reihe geschaltet sind.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die erste Schweißstelle Teil einer ersten Anschlusselektrode (5) des elektronischen Bauteils (4) ist.
  3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, wobei das erste elektrische Kontaktstück ein erstes Kontaktpad (3) oder ein Teil eines Kontaktpads ist, das auf einem Trägersubstrat (2) angeordnet ist.
  4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die Aufrechterhaltung des mechanischen Kontakts während des Schweißens durch Zusammenpressen der Schweißstelle und des elektrischen Kontaktstücks unterstützt wird.
  5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei das erste elektrische Kontaktstück und/oder die erste Schweißstelle Schweißbuckel (7) aufweist, durch die ein Schweißstrom zur Erzeugung eines lokalen Schweißpunktes (8) geleitet werden kann.
  6. Verfahren nach einem der Ansprüche 2 und 3, wobei das Verfahren nacheinander oder gleichzeitig auf zwei Anschlusselektroden (5, 6) angewendet wird, die mit zwei getrennten Kontaktpads (3, 9) auf demselben Trägersubstrat verschweißt werden.
  7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei das äußerste Metall der Schweißstelle und des elektrischen Kontaktstücks dasselbe ist.
  8. Verfahren nach Anspruch 7, wobei das elektrische Kontaktstück oder die Schweißstelle Silber, Gold, Kupfer, Nickel, Molybdän oder Wolfram enthält.
  9. Chip-Baugruppe (11) umfassend ein elektronisches Bauelement (4), das auf einem Trägersubstrat (2) montiert ist, wobei das erste Kontaktpad (3) des Substrats mit einer ersten Anschlusselektrode (5) des elektronischen Bauteils (4) verschweißt ist, um eine elektrische Verbindung herzustellen, wobei das erste Kontaktpad (3) zwei getrennte Teilpads (31, 32) umfasst und die erste Anschlusselektrode (5) mit beiden Teilpads (31, 32) verschweißt ist.
  10. Chip-Baugruppe (11) nach Anspruch 9, wobei das elektronische Bauelement (4) eine zweite Anschlusselektrode (6) umfasst, die mit einem zweiten Kontaktpad (9) auf dem Trägersubstrat verschweißt ist.
  11. Chip-Baugruppe (11) nach einem der Ansprüche 9 bis 10, wobei das erste Kontaktpad (3) mit Anschlussmitteln zur Integration derselben in eine elektronische Schaltung verbunden ist.
  12. Chip-Baugruppe (11) nach einem der Ansprüche 9 bis 11, wobei ein Schweißpunkt (8) die erste Anschlusselektrode (5) und das erste Kontaktpad (3) verbindet.
  13. Chip-Baugruppe (11) nach einem der Ansprüche 9 bis 12, wobei das äußerste Metall der ersten Anschlusselektrode (5) und des ersten Kontaktpads (3) dasselbe ist.
  14. Chip-Baugruppe (11) nach Anspruch 13, wobei die erste Anschlusselektrode (5) und das erste Kontaktpad (3) Silber, Gold, Kupfer, Nickel, Molybdän oder Wolfram enthalten.
  15. Chip-Baugruppe (11) nach einem der Ansprüche 9 bis 14, wobei das erste Kontaktpad (3) zwei Teilpads (31, 32) umfasst, die durch eine Anschlusselektrode des elektronischen Bauelements (5) elektrisch verbrückt sind, und wobei die beiden Teilpads (31, 32) bis auf die elektrische Brücke durch die Anschlusselektrode (5) elektrisch und räumlich getrennt sind.
  16. Verwendung der Chip-Baugruppe (11) nach Anspruch 9 oder 15, wobei eine Verbindung zur Integration derselben in eine elektronische Schaltung nur durch ein Teilpad des ersten Kontaktpads (3) erfolgt.
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