DE102020213865A1 - Ausbildungsvorrichtung für Kunststoffschutzelement - Google Patents

Ausbildungsvorrichtung für Kunststoffschutzelement Download PDF

Info

Publication number
DE102020213865A1
DE102020213865A1 DE102020213865.6A DE102020213865A DE102020213865A1 DE 102020213865 A1 DE102020213865 A1 DE 102020213865A1 DE 102020213865 A DE102020213865 A DE 102020213865A DE 102020213865 A1 DE102020213865 A1 DE 102020213865A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
plastic
wafer
placement surface
wafer holding
platform
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE102020213865.6A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshinobu Saito
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Corp filed Critical Disco Corp
Publication of DE102020213865A1 publication Critical patent/DE102020213865A1/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C11/00—Component parts, details or accessories not specifically provided for in groups B05C1/00 - B05C9/00
    • B05C11/02—Apparatus for spreading or distributing liquids or other fluent materials already applied to a surface ; Controlling means therefor; Control of the thickness of a coating by spreading or distributing liquids or other fluent materials already applied to the coated surface
    • B05C11/023—Apparatus for spreading or distributing liquids or other fluent materials already applied to a surface
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C11/00—Component parts, details or accessories not specifically provided for in groups B05C1/00 - B05C9/00
    • B05C11/10—Storage, supply or control of liquid or other fluent material; Recovery of excess liquid or other fluent material
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C43/00—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor
    • B29C43/32—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
    • B29C43/52—Heating or cooling
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
    • B29C45/03—Injection moulding apparatus
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02282—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process liquid deposition, e.g. spin-coating, sol-gel techniques, spray coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02299—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment
    • H01L21/02307—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to a liquid
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/38—Cooling arrangements using the Peltier effect
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29K—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES B29B, B29C OR B29D, RELATING TO MOULDING MATERIALS OR TO MATERIALS FOR MOULDS, REINFORCEMENTS, FILLERS OR PREFORMED PARTS, e.g. INSERTS
    • B29K2101/00—Use of unspecified macromolecular compounds as moulding material
    • B29K2101/12—Thermoplastic materials
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29L—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASS B29C, RELATING TO PARTICULAR ARTICLES
    • B29L2031/00—Other particular articles
    • B29L2031/34—Electrical apparatus, e.g. sparking plugs or parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

Eine Ausbildungsvorrichtung für ein Kunststoffschutzelement beinhaltet eine Plattform, die eine Kunststoffplatzierungsoberfläche aufweist, an der ein partikelförmiger thermoplastischer Kunststoff platziert werden kann. Die Plattform beinhaltet ein Peltier-Bauelement, eine Gleichstromleistungsquelle und einen Schalter. Das Peltier-Bauelement ist in der Plattform angeordnet und weist eine obere Oberfläche auf, die parallel und nahe der Kunststoffplatzierungsoberfläche ist, und eine untere Oberfläche, die entfernt von der Kunststoffplatzierungsoberfläche ist. Die Gleichstromleistungsquelle führt einen Gleichstrom zu dem Peltier-Bauelement. Der Schalter ändert eine Richtung des Gleichstroms, der zu dem Peltier-Bauelement zugeführt werden soll, zwischen einer ersten Richtung, um die obere Oberfläche des Peltier-Bauelements zu heizen, und einer zweiten Richtung entgegengesetzt zu der ersten Richtung, um die obere Oberfläche des Peltier-Bauelements zu kühlen.

Description

  • HINTERGRUNG DER ERFINDUNG
  • Technisches Gebiet
  • Die vorliegende Erfindung betrifft eine Ausbildungsvorrichtung für ein Kunststoffschutzelement.
  • Beschreibung des Stands der Technik
  • Entsprechend der Technik, die in der japanischen Offenlegungsschrift Nr. 2017-168565 offenbart ist, ist ein Schutzelement mit einem Kunststoff an einer Seite eines Wafers wie geschnitten offenbart. Der Wafer wird durch einen Einspanntisch durch das Schutzelement gehalten und die andere Seite des Wafers wird geschliffen. Als ein Ergebnis wird eine Welligkeit des Wafers entfernt und zu dem Zeitpunkt wird der Wafer hinsichtlich seiner Dicke gleichmäßig ausgebildet.
  • Das Ausbilden des Schutzelements wird zum Beispiel in der folgenden Weise durchgeführt. Zuerst wird eine Folie an einer Plattform angeordnet. Ein flüssiger Kunststoff wird auf die Folie zugeführt. Der flüssige Kunststoff wird gedrückt und durch die eine Seite des Wafers verteilt. Als ein Ergebnis wird der flüssige Kunststoff über die gesamte Oberfläche der einen Seite des Wafers gedrückt und verteilt. Darauffolgend wird der flüssige Kunststoff ausgehärtet oder erstarrt.
  • Dieser flüssige Kunststoff wird durch eine Pumpe von einem Tank gesaugt, in dem flüssiger Kunststoff eingefüllt ist, und wird auf die Folie an der Plattform zugeführt. Da der Tank des flüssigen Kunststoffs schwer ist, ist sein Ersetzen eine große Last für einen Bediener. Als eine Gegenmaßnahme für diese Last existiert eine Technik, in der partikelförmiger fester Kunststoff verwendet wird.
  • Entsprechend dieser Technik wird der partikelförmige Kunststoff zu einem flüssigen Zustand an einer Plattform geschmolzen und der resultierende geschmolzene Kunststoff wird gedrückt und in einer Scheibenform durch eine Seite eines Wafers verteilt. Der verteilte geschmolzene Kunststoff verfestigt sich durch Abkühlung. Als ein Ergebnis kann ein scheibenförmiges Schutzelement an der einen Seite des Wafers ausgebildet werden.
  • DARSTELLUNG DER ERFINDUNG
  • Entsprechend der oben beschriebenen Technik, die den partikelförmigen Kunststoff verwendet, wird der geschmolzene Kunststoff, der gedrückt und in die Scheibenform durch die eine Seite des Wafers verteilt wurde, durch Kühlen verfestigt. Das Kühlen ist ein natürliches Kühlen. Genauer gesagt wird dem geschmolzenen Kunststoff ermöglicht, in der Atmosphäre zu stehen, und wird folglich mit der Umgebungstemperatur gekühlt. Beim natürlichen Kühlen wird der geschmolzene Kunststoff, der gedrückt und in die Scheibenform verteilt wurde, schnell an einem äußeren umfänglichen Abschnitt abgekühlt, jedoch langsam an einem zentralen Abschnitt abgekühlt. Ein Unterschied tritt folglich in der Dicke zwischen dem äußeren umfänglichen Abschnitt und dem zentralen Abschnitt des scheibenförmigen Schutzelements auf.
  • Die vorliegende Erfindung hat folglich ein Ziel, eine Ausbildungsvorrichtung für ein Schutzelement bereitzustellen, die ein Schutzelement mit einer im Wesentlichen gleichmäßigen Dicke ausbilden kann, wenn diese durch Schmelzen eines festen Kunststoffs, Drücken und Verteilen des geschmolzenen Kunststoffs über die gesamte Oberfläche einer Seite eines Wafers und dann Ermöglichen, dass sich der flüssige Kunststoff verfestigt, ausgebildet wird.
  • In Übereinstimmung mit einem Aspekt der vorliegenden Erfindung ist eine Ausbildungsvorrichtung für ein Kunststoffschutzelement bereitgestellt, die eine Plattform, die eine Kunststoffplatzierungsoberfläche aufweist, an der ein partikelförmiger thermoplastischer Kunststoff platziert ist, eine Waferhalteeinheit, die eine Waferhalteoberfläche aufweist, die der Kunststoffplatzierungsoberfläche zugewandt ist, und einen Wafer durch die Waferhalteoberfläche hält, einen Auf-/Ab-Bewegungsmechanismus, der dazu ausgestaltet ist, die Plattform und die Waferhalteeinheit in einer Oben-/Unten-Richtung vertikal zu der Kunststoffplatzierungsoberfläche zu bewegen, und eine Steuerungseinheit beinhaltet. Die Plattform beinhaltet ein Peltier-Bauelement, das in der Plattform angeordnet ist, und eine obere Oberfläche aufweist, die parallel und in der Nähe der Kunststoffplatzierungsoberfläche ist, und eine untere Oberfläche aufweist, die entfernt von der Kunststoffplatzierungsoberfläche ist, eine Gleichstrom-(DC) Leistungsquelle, die einen Gleichstrom zu dem Peltier-Bauelement zuführt, und einen Schalter, der eine Richtung des Gleichstroms, der zu dem Peltier-Bauelement zugeführt wird, zwischen einer ersten Richtung, um die obere Oberfläche des Peltier-Bauelements aufzuheizen, und einer zweiten Richtung, entgegengesetzt zu der ersten Richtung, ändert, um die obere Oberfläche des Peltier-Bauelements abzukühlen. Die Steuerungseinheit steuert den Schalter, um zu verursachen, dass der Gleichstrom in der ersten Richtung fließt, sodass die obere Oberfläche des Peltier-Bauelements geheizt wird, um den thermoplastischen Kunststoff zu schmelzen, der an der Kunststoffplatzierungsoberfläche platziert ist, und steuert, dass der resultierende geschmolzene Kunststoff gedrückt und über eine gesamte Oberfläche einer Seite des Wafers zwischen der Kunststoffplatzierungsoberfläche und der einen Seite des Wafers verteilt wird, und steuert dann den Schalter, dass dieser verursacht, dass der Gleichstrom in der zweiten Richtung fließt, sodass die obere Oberfläche des Peltier-Bauelements gekühlt wird, um den Kunststoff, der gepresst ist und zwischen der Kunststoffplatzierungsoberfläche und der einen Seite des Wafers verteilt ist, zu verfestigen und ein Schutzelement an der gesamten Oberfläche der einen Seite des Wafers auszubilden.
  • Entsprechend der Ausbildungsvorrichtung für ein Kunststoffschutzelement wird der partikelförmige thermoplastische Kunststoff, der zwischen der Kunststoffplatzierungsoberfläche und der einen Seite des Wafers gehalten ist, durch Heizen der Kunststoffplatzierungsoberfläche durch das Peltier-Bauelement geschmolzen und wird dann über die gesamte Oberfläche der einen Seite des Wafers gedrückt und verteilt. Die Kunststoffplatzierungsoberfläche wird dann durch das Peltier-Bauelement gekühlt, wodurch der gedrückte und verteilte Kunststoff durch Kühlen verfestigt wird, um ein Schutzelement über die gesamte Oberfläche der einen Seite des Wafers auszubilden.
  • Wie oben beschrieben, in dieser Ausbildungsvorrichtung für ein Kunststoffschutzelement, wird der geschmolzene Kunststoff durch die Kunststoffplatzierungsoberfläche, die eben ist, gekühlt, sodass der geschmolzene Kunststoff gleichmäßig gekühlt werden kann. Es ist folglich möglich, das Auftreten von Variationen in der Dicke des Schutzelements, das erhalten werden soll, zu unterdrücken, indem ermöglicht wird, dass der geschmolzene Kunststoff sich verfestigt. Als ein Ergebnis kann das Schutzelement mit einer im Wesentlichen gleichmäßigen Dicke bereitgestellt werden.
  • Ferner werden bei der Ausbildungsvorrichtung für ein Kunststoffschutzelement die Kunststoffplatzierungsoberfläche und der thermoplastische Kunststoff, der an der Kunststoffplatzierungsoberfläche platziert ist, durch Heizen der oberen Oberfläche des Peltier-Bauelements geheizt. Während dieser Zeit wird die untere Oberfläche des Peltier-Bauelements gekühlt, wodurch Kühleffekte verbessert werden, durch die die Kunststoffplatzierungsoberfläche in dem nächsten Schritt gekühlt werden soll. Es ist folglich möglich, die Zeit zu verkürzen, die benötigt wird, um das Kunststoffschutzelement an der einen Seite des Wafers auszubilden.
  • Die obigen und weitere Ziele, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung und die Art, diese zu realisieren, werden ersichtlicher und die Erfindung selbst wird am besten durch ein Studium der folgenden Beschreibung und der angehängten Ansprüche unter Bezugnahme auf die angehängten Zeichnungen, die eine bevorzugte Ausführungsform der Erfindung zeigen, verstanden.
  • Figurenliste
    • 1 ist eine Querschnittsansicht, welche die Konfiguration einer Ausbildungsvorrichtung für ein Kunststoffschutzelement entsprechend einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt;
    • 2 ist eine Querschnittsansicht, die einen Kunststoffzufuhrschritt bei der Ausbildungsvorrichtung für ein Kunststoffschutzelement darstellt;
    • 3 ist eine Querschnittsansicht, die einen Waferhalteschritt bei der Ausbildungsvorrichtung für ein Kunststoffschutzelement darstellt;
    • 4 ist eine Querschnittsansicht, die einen Waferkontaktschritt bei der Ausbildungsvorrichtung für ein Kunststoffschutzelement darstellt;
    • 5 ist eine Querschnittsansicht, die einen Heizungsschritt bei der Ausbildungsvorrichtung für ein Kunststoffschutzelement darstellt;
    • 6 ist eine Querschnittsansicht, die einen Druck- und Verteilschritt bei der Ausbildungsvorrichtung für ein Kunststoffschutzelement darstellt;
    • 7 ist eine Querschnittsansicht, die einen Kühl-(Verfestigungs-) Schritt bei der Ausbildungsvorrichtung für ein Kunststoffschutzelement darstellt;
    • 8 ist eine Querschnittsansicht, die einen Trennschritt bei der Ausbildungsvorrichtung für ein Kunststoffschutzelement darstellt; und
    • 9 ist eine Querschnittsansicht, die einen Waferentnahmeschritt bei der Ausbildungsvorrichtung für ein Kunststoffschutzelement darstellt.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER BEORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORM
  • Eine Ausbildungsvorrichtung 1 für ein Kunststoffschutzelement entsprechend einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, wie in 1 dargestellt, wird verwendet, um ein Schutzelement an der gesamten Oberfläche einer Seite eines Wafers W durch Schmelzen eines festen partikelförmigen thermoplastischen Kunststoffs P, der an einer Kunststoffplatzierungsoberfläche 23 einer Plattform 20 platziert ist, auszubilden. Das Material des thermoplastischen Kunststoffs P ist zum Beispiel ein Polyolefin. Um das Trennen des platzierten thermoplastischen Kunststoffs P zu vereinfachen, weist die Kunststoffplatzierungsoberfläche 23 zum Beispiel eine Fluorkunststoffbeschichtung aufgebracht auf.
  • Die Ausbildungsvorrichtung 1 für ein Kunststoffschutzelement beinhaltet in einer Vakuumausbildungskammer 2 einer Waferhalteeinheit 10, eine Plattform 20 und einen Auf-/Ab-Bewegungsmechanismus (Auf-/Ab-Betätigungsmechanismus) 30. Die Waferhalteeinheit 10 weist eine Waferhalteoberfläche 13 auf und hält den Wafer W durch die Waferhalteoberfläche 13. Die Plattform 20 weist die Kunststoffplatzierungsoberfläche 23 auf, an welcher der partikelförmige thermoplastische Kunststoff P platziert werden soll.
  • Die Vakuumausbildungskammer 2 ist ein Gehäuse für die Ausbildungsvorrichtung 1 für ein Kunststoffschutzelement, das Innere kann in einen Vakuumzustand versetzt werden und beinhaltet eine Öffnung 4, eine Abdeckung 3, welche die Öffnung 4 abdeckt, einen Abdeckungsöffnungs-/schließungsmechanismus 5, der die Abdeckung 3 öffnet/schließt und eine Vakuumpumpe 7, die das Innere der Vakuumausbildungskammer 2 in ein Vakuum versetzt.
  • Die Waferhalteeinheit 10 beinhaltet eine Säule 11, die sich durch eine obere Wand der Vakuumausbildungskammer 2 erstreckt, und einen Waferhaltetisch 12, der an einem unteren Ende der Trägersäule 11 angeordnet ist und in der Vakuumausbildungskammer 2 angeordnet ist. Der Waferhaltetisch 12 weist eine untere Oberfläche auf, die als die Waferhalteoberfläche 13 dient, die dazu ausgestaltet ist, den Wafer W unter einem Saugen zu halten. In einem Abschnitt der oberen Wand der Vakuumausbildungskammer 2, durch welche sich die Trägersäule 11 erstreckt, ist eine Vakuumdichtung 2a angeordnet, um das Vakuum der Vakuumausbildungskammer 2 beizubehalten.
  • Durch die Trägersäule 11 und den Waferhaltetisch 12 ist ein Luftdurchgang 15 angeordnet. Der Luftdurchgang 15 ist mit einer Luftzufuhrquelle 14 und einer Saugquelle 16 verbunden. Die Waferhalteoberfläche 13 an dem Waferhaltetisch 12 ist so ausgestaltet, dass die Waferhalteoberfläche 13 wahlweise in Verbindung mit der Luftzufuhrquelle 14 oder der Saugquelle 16 durch den Luftdurchgang 15 in Verbindung gebracht werden kann. Die Waferhalteeinheit 10 kann den Wafer W unter einem Saugen durch die Waferhalteoberfläche 13 in Verbindung mit der Saugquelle 16 halten.
  • Die Plattform 20 beinhaltet eine Trägersäule 21, die sich durch eine untere Wand der Vakuumausbildungskammer 2 erstreckt, und einen Kunststoffplatzierungstisch 22, der an einem oberen Ende der Trägersäule 21 angeordnet ist und in der Vakuumausbildungskammer 2 angeordnet ist. Der Kunststoffplatzierungstisch 22 weist eine obere Oberfläche auf, die als eine Kunststoffplatzierungsoberfläche 23 dient, die dazu ausgestaltet ist, den thermoplastischen Kunststoff P daran platziert aufzuweisen.
  • Die Kunststoffplatzierungsoberfläche 23 ist so angeordnet, dass sie der Waferhalteoberfläche 13 der Waferhalteeinheit 10 zugewandt ist. Ferner, in einem Abschnitt der unteren Wand der Vakuumausbildungskammer 2, durch welche sich die Trägersäule 21 erstreckt, ist eine Vakuumdichtung 2b angeordnet, um das Vakuum in der Vakuumausbildungskammer 2 zu erhalten.
  • Die Ausbildungsvorrichtung 1 für ein Kunststoffschutzelement beinhaltet auch einen Waferübertragungsmechanismus 40 und einen Kunststoffübertragungsmechanismus 50. Der Waferübertragungsmechanismus 40 und der Kunststoffübertragungsmechanismus 50 sind Übertragungselemente wie Roboterhände. Der Waferübertragungsmechanismus 40 und der Kunststoffübertragungsmechanismus 50 können entweder einzelne Elemente oder ein gemeinsames Element sein.
  • Der Waferübertragungsmechanismus 40 überträgt den Wafer W von außerhalb der Vakuumausbildungskammer 2. Der Waferübertragungsmechanismus 40 kann den Wafer W durch die Öffnung 4 übertragen und ihn in der Vakuumausbildungskammer 2 an einer Position gegenüber der Waferhalteoberfläche 13 der Waferhalteeinheit 10 anordnen. An der Waferhalteeinheit 10 kann der Wafer W, der wie oben beschrieben angeordnet ist, unter einem Saugen durch die Waferhalteeinheit 13 in Verbindung mit der Saugquelle 16 gehalten werden.
  • Der Kunststoffübertragungsmechanismus 50 überträgt den partikelförmigen thermoplastischen Kunststoff P zu der Ausbildungsvorrichtung 1 für ein Schutzelement von außen. Der Kunststoffübertragungsmechanismus 50 überträgt den partikelförmigen thermoplastischen Kunststoff P durch die Öffnung 4 und platziert diesen an der Kunststoffplatzierungsoberfläche 23 an der Plattform 20 in der Vakuumausbildungskammer 2. Um zu verhindern, dass der partikelförmige thermoplastische Kunststoff P von der Kunststoffplatzierungsoberfläche 23 runterfällt, kann ein ringförmiger erhobener Abschnitt auch an einer äußeren Umgebung der Kunststoffplatzierungsoberfläche 23 ausgebildet sein.
  • Der Auf-/Ab-Bewegungsmechanismus 30 ist an der oberen Wand der Vakuumausbildungskammer 2 angeordnet und ist mit der Trägersäule 11 der Waferhalteeinheit 10 verbunden. Der Auf-/Ab-Bewegungsmechanismus 30 bewegt die Waferhalteeinheit 10 und die Plattform 20 relativ zueinander in einer Z-Achsen-Richtung, die eine Auf-/Ab-Richtung vertikal zu der Kunststoffplatzierungsoberfläche 23 ist. In dieser Ausführungsform bewegt der Auf-/Ab-Bewegungsmechanismus 30 die Trägersäule 11 der Waferhalteeinheit 10 in der Z-Achsen-Richtung. Genauer gesagt ist der Auf-/Ab-Bewegungsmechanismus 30 so ausgestaltet, dass die Waferhalteeinheit 10 entlang der Z-Achsen-Richtung relativ zu der Plattform 20 bewegt wird, die fixiert ist.
  • Detaillierter beschrieben beinhaltet der Auf-/Ab-Bewegungsmechanismus 30 einen Arm 31, der mit der Trägersäule 11 verbunden ist, und sich in einer horizontalen Richtung erstreckt, einen Antriebsstab 32, der mit dem Arm 31 verbunden ist und sich entlang der Z-Achsen-Richtung erstreckt, und einen Sensor 35, der einen Bewegungsweg detektiert. Der Antriebsstab 32 wird durch eine nicht dargestellte Antriebsquelle auf oder ab bewegt, wodurch der Arm 31 und die Waferhalteeinheit 10 (Trägersäule 11), die mit dem Arm 31 verbunden ist, auf oder ab entlang der Z-Achsen-Richtung bewegt werden. Der Bewegungsweg der Waferhalteeinheit 10 wird durch den Sensor 35 detektiert.
  • Die Ausbildungsvorrichtung 1 für ein Kunststoffelement beinhaltet auch einen Lastdetektor 60. Der Lastdetektor 60 ist mit einer Trägersäule 11 der Waferhalteeinheit 10 durch den Auf-/Ab-Bewegungsmechanismus 30 verbunden. Wenn die Waferhalteeinheit 10 und die Plattform 20 in Kontakt miteinander durch den Wafer W und den thermoplastischen Kunststoff P kommen, detektiert der Lastdetektor 60 eine Last, die auf der Waferhalteeinheit 10 aufgebracht ist (in anderen Worten, eine Kraft, unter welcher der Wafer W den thermoplastischen Kunststoff P drückt).
  • Die Plattform 20 in dieser Ausführungsform weist intern ein Peltier-Bauelement 24 auf. Das Peltier-Bauelement 24 weist zum Beispiel eine ebene Scheibenform auf und ist in der Nähe und parallel zu der Kunststoffplatzierungsoberfläche 23 in dem Kunststoffplatzierungstisch 22 der Plattform 20 angeordnet. Das Peltier-Bauelement 24 weist eine obere Oberfläche 24a auf, die parallel und nahe an der Kunststoffplatzierungsoberfläche 23 ist, und eine untere Oberfläche 24b, die entfernt von der Kunststoffplatzierungsoberfläche 23 ist.
  • Eine erste Leistungsleitung 25 und eine zweite Leistungsleitung 26 sind in der Trägersäule 21 und dem Kunststoffplatzierungstisch 22 verlegt und sind an einem ihrer Enden an gegenüberliegenden Enden des Peltier-Bauelements 24 jeweils angebracht. Die erste Leistungsleitung 25 und die zweite Leistungsleitung 26 sind mit ihren anderen Enden an einer Gleichstromleistungsquelle 28 durch einen Schalter 27 verbunden.
  • Die Gleichstromleistungsquelle 28 ist eine Leistungsquelle, die einen Gleichstrom zu dem Peltier-Bauelement 24 zuführt. Der Schalter 27 weist eine Funktion auf, um die Gleichstromleistungsquelle 28 mit dem Peltier-Bauelement 24 mit der ersten Leistungsleitung 25 und der zweiten Leistungsleitung 26 zu verbinden, und weist auch eine Funktion auf, die Richtung des Gleichstroms, der von der Gleichstromleistungsquelle 28 zu dem Peltier-Bauelement 24 fließt, durch die erste Leistungsleitung 25 und die zweite Leistungsleitung 26 zu ändern.
  • Genauer beschrieben ist der Schalter 27 so ausgestaltet, dass die Richtung des Gleichstroms, der zu dem Peltier-Bauelement 24 zugeführt wird, zwischen einer ersten Richtung, um die obere Oberfläche 24a des Peltier-Bauelements 24 zu heizen, und einer zweiten Richtung geändert wird, die entgegengesetzt der ersten Richtung ist, um die obere Oberfläche 24a des Peltier-Bauelements 24 zu kühlen. Andererseits wird die untere Oberfläche 24b des Peltier-Bauelements 24 gekühlt, wenn der Gleichstrom in der ersten Richtung fließt und wird jedoch geheizt, wenn der Gleichstrom in der zweiten Richtung fließt.
  • Die Ausbildungsvorrichtung 1 für ein Kunststoffschutzelement beinhaltet auch eine Steuerungseinheit 70, um die einzelnen Elemente der Ausbildungsvorrichtung 1 für ein Kunststoffschutzelement zu steuern. Die Ausbildungsvorrichtung 1 für ein Kunststoffschutzelement kann zum Beispiel einen Computer als Steuerungseinheit 70 beinhalten. Die Steuerungseinheit 70 steuert die einzelnen Elemente der oben beschriebenen Ausbildungsvorrichtung 1 für ein Kunststoffschutzelement, um ein Schutzelement an der gesamten Oberfläche der einen Seite des Wafers W auszubilden.
  • Als nächstes wird eine Ausbildungsbetätigung des Schutzelements für den Wafer W in der Ausbildungsvorrichtung 1 für ein Kunststoffschutzelement beschrieben. Zuerst steuert die Steuerungseinheit 70 den Abdeckungsöffnungs-/schließungsmechanismus 5, um die Abdeckung 3 der Vakuumausbildungskammer 2 zu öffnen, sodass die Öffnung 4 freiliegt. Die Steuerungseinheit 70 bewegt dann in einer -X-Richtung den Kunststoffübertragungsmechanismus 50 mit dem partikelförmigen thermoplastischen Kunststoff P daran gehalten, wobei der thermoplastische Kunststoff P in die Vakuumausbildungskammer 2 durch die freiliegende Öffnung 4 geladen wird. Die Steuerungseinheit 70 steuert ferner den Kunststoffübertragungsmechanismus 50, sodass, wie in 2 dargestellt, der thermoplastische Kunststoff P zum Beispiel gleichmäßig verteilt an der Kunststoffplatzierungsoberfläche 23 der Plattform 20 (Kunststoffzufuhrschritt) platziert wird.
  • Als nächstes bringt die Steuerungseinheit 70 die Saugquelle 16, die in 1 dargestellt ist, in Verbindung mit der Waferhalteoberfläche 13 der Waferhalteeinheit 10. Als ein Ergebnis wird die Waferhalteoberfläche 13 mit einem negativen Druck beaufschlagt. Ferner bewegt die Steuerungseinheit 70 den Waferübertragungsmechanismus 40 mit dem Wafer W daran gehalten in der -X-Richtung, wodurch der Wafer in die Vakuumausbildungskammer 2 von der freiliegende Öffnung 4 geladen wird und an einer Position gegenüber der Waferhalteoberfläche 13 platziert wird. Wie in 3 dargestellt, hält die Steuerungseinheit 70 dann unter einem Saugen den Wafer W an einer ersten Seite (der anderen Seite) Wa durch die Waferhalteoberfläche 13. Als ein Ergebnis wird der Wafer W oberhalb des thermoplastischen Kunststoffs P platziert, der an der Kunststoffplatzierungsoberfläche 23 platziert ist, mit einer zweiten Seite (die eine Seite) Wb zu dem thermoplastischen Kunststoff P (Waferhalteschritt) gerichtet.
  • Die Steuerungseinheit 70 steuert als nächstes den Abdeckungsöffnungs-/schließungsmechanismus 5, der in 1 dargestellt ist, sodass die Abdeckung 3 der Vakuumausbildungskammer 2 geschlossen wird, sodass die Öffnung 4 bedeckt ist. Die Steuerungseinheit 70 steuert dann den Auf-/Ab-Bewegungsmechanismus 30, die Waferhalteeinheit 10 nach unten entlang der Z-Achsen-Richtung zu bewegen. Als ein Ergebnis, wie in 4 dargestellt, wird die zweite Seite Wb des Wafers W, der in der Waferhalteoberfläche 13 der Waferhalteeinheit 10 gehalten ist, in Kontakt mit dem thermoplastischen Kunststoff P gebracht, der an der Kunststoffplatzierungsoberfläche 23 der Plattform 20 gehalten ist (Waferkontaktschritt).
  • In der oben beschriebenen Weise steuert die Steuerungseinheit 70 den Auf-/Ab-Bewegungsmechanismus 30, die zweite Seite Wb des Wafers W, der an der Waferhalteeinheit 10 gehalten ist, in Kontakt mit dem partikelförmigen thermoplastischen Kunststoff P zu bringen, der an der Kunststoffplatzierungsoberfläche 23 gehalten ist, und folglich wird der partikelförmige thermoplastische Kunststoff P durch eine relativ kleine Kraft gedrückt. In diesem Zustand steuert die Steuerungseinheit 70 die Vakuumpumpe 7, um das Innere der Vakuumausbildungskammer 2 zu evakuieren.
  • Wenn der atmosphärische Druck in der Vakuumausbildungskammer 2 auf einen vorbestimmten Wert oder geringer in diesem Zustand abgesunken ist, steuert die Steuerungseinheit 70 auch den Schalter 27, der in 1 dargestellt ist, um die Gleichstromleistungsquelle 28 mit dem Peltier-Bauelement 24 durch die erste Leistungsleitung 25 und die zweite Leistungsleitung 26 zu verbinden. Die Steuerungseinheit 70 steuert dann den Schalter 27, um die Richtung des Gleichstroms von der Gleichstromleistungsquelle 28 auf die erste Richtung zu setzen, um die obere Oberfläche 24a des Peltier-Bauelements 24, wie durch die Pfeile D1 in 5 angegeben, zu heizen.
  • In der oben beschriebenen Weise erlaubt die Steuerungseinheit 70 dem Gleichstrom, in der ersten Richtung zu fließen, während der thermoplastische Kunststoff P durch die zweite Seite Wb des Wafers W gedrückt wird, wodurch die obere Oberfläche 24a des Peltier-Bauelements 24 geheizt wird und die Kunststoffplatzierungsoberfläche 23 und der thermoplastische Kunststoff P an der Kunststoffplatzierungsoberfläche 23 aufgeheizt werden, um den thermoplastischen Kunststoff P (Heizungsschritt) zu schmelzen. Während dieses Heizungsschritts wird die untere Oberfläche 24b des Peltier-Bauelements 24 gekühlt.
  • Nachdem der thermoplastische Kunststoff P geschmolzen ist, steuert die Steuerungseinheit 70 den Auf-/Ab-Bewegungsmechanismus 30, den thermoplastischen Kunststoff P fester durch die zweite Seite Wb des Wafers W zu drücken, wodurch der geschmolzene thermoplastische Kunststoff P über die gesamte Oberfläche der zweiten Seite Wb zwischen der Kunststoffplatzierungsoberfläche 23 und der zweiten Seite Wb des Wafers W gedrückt und verteilt wird. Als ein Ergebnis, wie in 6 dargestellt, ist eine geschmolzene Kunststoffschicht S, die aus dem geschmolzenen, gedrückten und verteilten thermoplastischen Kunststoff P ausgebildet ist, so ausgebildet, dass sie die gesamte Oberfläche der zweiten Seite Wb des Wafers W bedeckt (Druck- und Verteilungs schritt).
  • Darauffolgend steuert die Steuerungseinheit 70 den Schalter 27 (siehe 1), sodass, wie durch einen Pfeil D2 in 7 angegeben, der Gleichstrom von der Gleichstromleistungsquelle 28 dazu gebracht wird, in der zweiten Richtung entgegengesetzt der ersten Richtung zu fließen, um die obere Oberfläche 24a des Peltier-Bauelements 24 zu kühlen. Als ein Ergebnis kühlt die Steuerungseinheit 70 die obere Oberfläche 24a des Peltier-Bauelements 24, während die geschmolzene Kunststoffschicht S durch die zweite Seite Wb des Wafers W gedrückt wird. Durch Kühlen der oberen Oberfläche 24a, wie oben beschrieben, kühlt die Steuerungseinheit 70 die Kunststoffplatzierungsoberfläche 23 und die geschmolzene Kunststoffschicht S an der Kunststoffplatzierungsoberfläche 23, sodass sich die geschmolzene Kunststoffschicht S verfestigt. Als ein Ergebnis wird ein Schutzelement Sa (siehe 8), das aus der resultierenden verfestigten Kunststoffschicht S ausgebildet ist, über die gesamte Oberfläche der zweiten Seite Wb des Wafers W ausgebildet (Kühlungs-(Verfestigungs-) Schritt). Während dieses Kühlungs-(Verfestigungs-) Schritts, wird die untere Oberfläche 24b des Peltier-Bauelements 24 geheizt.
  • Die Steuerungseinheit 70 steuert als nächstes den Schalter 27, um die Gleichstromleistungsquelle 28 von dem Peltier-Bauelement 24 zu trennen. Die Steuerungseinheit 70 steuert dann den Auf-/Ab-Bewegungsmechanismus 30, der in 1 dargestellt ist, um die Waferhalteeinheit 10 aufwärts entlang der Z-Achsen-Richtung zu bewegen, wodurch, wie in 8 dargestellt, die Waferhalteeinheit 10 von der Plattform 20 getrennt wird (Kunststoffplatzierungsoberfläche 23). Anders ausgedrückt trennt die Steuerungseinheit 70 ein Schutzelement Sa, das an der zweiten Seite Wb des Wafers W ausgebildet ist, von der Kunststoffplatzierungsoberfläche 23. Als ein Ergebnis kann die Steuerungseinheit 70 den Wafer W mit dem Schutzelement Sa, das an der zweiten Seite Wb ausgebildet ist, durch die Waferhalteoberfläche 13 der Waferhalteeinheit 10 halten (Trennungsschritt).
  • Als nächstes stoppt die Steuerungseinheit 70 die Vakuumpumpe 7, die in 1 dargestellt ist, und steuert den Abdeckungsöffnungs-/schließungsmechanismus, wodurch die Abdeckung 3 der Vakuumausbildungskammer 2 geöffnet wird, um die Öffnung 4 freizulegen. Als ein Ergebnis wird das Vakuum in der Vakuumausbildungskammer 2 aufgelöst.
  • Wie in 9 dargestellt, platziert die Steuerungseinheit 70 dann den Waferübertragungsmechanismus 40 gegenüber der Waferhalteoberfläche 13 der Waferhalteeinheit 10, um den Waferübertragungsmechanismus 40 in Kontakt mit dem Schutzelement Sa zu bringen, welches die zweite Seite Wb des Wafers W bedeckt. Ferner bringt die Steuerungseinheit 70 die Waferhalteoberfläche 13 der Waferhalteeinheit 10 in Verbindung mit der Luftzufuhrquelle 14. Als ein Ergebnis wird das Ansaugen des Wafers W durch die Waferhalteoberfläche 13 angehalten und der Wafer W wird durch den Waferübertragungsmechanismus 40 gehalten. Als eine Alternative kann der Waferübertragungsmechanismus 40 ausgestaltet werden, um die erste Seite Wa des Wafers W zu halten.
  • Die Steuerungseinheit 70 bewegt dann den Wafer W in einer +X-Richtung, wie durch einen Pfeil E angegeben, durch den Waferübertragungsmechanismus 40, wodurch der Wafer W aus der Vakuumausbildungskammer 2 durch die Öffnung 4 genommen wird (Waferentnahmeschritt).
  • Wie oben beschrieben wird in dem Heizungsschritt dieser Ausführungsform die Kunststoffplatzierungsoberfläche 23 durch das Peltier-Bauelement 24 geheizt, um den partikelförmigen thermoplastischen Kunststoff P zu schmelzen, der zwischen der Kunststoffplatzierungsoberfläche 23 und der zweiten Seite Wb des Wafers W gehalten ist und der geschmolzene thermoplastische Kunststoff P wird dann gedrückt und verteilt, um die geschmolzene Kunststoffschicht S auszubilden. In diesem Kühlungs-(Verfestigungs-) Schritt wird die Kunststoffplatzierungsoberfläche 23 dann durch das Peltier-Bauelement 24 gekühlt, um die geschmolzene Kunststoffschicht S zu kühlen, sodass sie sich verfestigt, wodurch das Schutzelement Sa über die gesamte Oberfläche der zweiten Seite Wb des Wafers W ausgebildet wird.
  • In dieser Ausführungsform wird die geschmolzene Kunststoffschicht S durch die Kunststoffplatzierungsoberfläche 23, die eben ist, gekühlt, sodass die geschmolzene Kunststoffschicht gleichmäßig gekühlt werden kann. Es wird dadurch möglich, das Auftreten von Dickenvariationen des Schutzelements Sa zu unterdrücken, das erhalten wird, indem die geschmolzene Kunststoffschicht S sich verfestigt. Als ein Ergebnis ist die Dicke des Schutzelements Sa im Wesentlichen gleichmäßig ausgestaltet.
  • In dem Heizungsschritt dieser Ausführungsform wird die obere Oberfläche des Peltier-Bauelements 24 geheizt, sodass die Kunststoffplatzierungsoberfläche 23 und der thermoplastische Kunststoff P, der an der Kunststoffplatzierungsoberfläche 23 platziert ist, geheizt, um die geschmolzene Kunststoffschicht S auszubilden. Da die untere Oberfläche 24b des Peltier-Bauelements 24 während dieses Heizungsschritts gekühlt wird, können die Kühleffekte, mit denen in dem nächsten Schritt die Kunststoffplatzierungsoberfläche 23 gekühlt wird, d.h. der Kühlungs-(Verfestigungs-) Schritt erhöht wird. Es ist folglich möglich, die Zeit zu verkürzen, die benötigt wird, um die geschmolzene Kunststoffschicht S zu kühlen, sodass sie sich zum Ausbilden des Schutzelements Sa in der zweiten Seite Wb des Wafers W verfestigt (die Zeit des Kühlungs-(Verfestigungs-) Schritts).
  • In dieser Ausführungsform, wenn die Waferhalteeinheit 10 und die Plattform 20 in Kontakt miteinander durch den Wafer W und die geschmolzene Kunststoffschicht S kommen, wird ein Druck, der auf die Waferhalteeinheit 10 aufgebracht wird, durch den Lastdetektor 60 detektiert, der an der oberen Wand der Vakuumausbildungskammer 2 angeordnet ist. So ein Lastdetektor kann in dem Waferhaltetisch 12 der Waferhalteeinheit 10 oder in dem Kunststoffplatzierungstisch 22 der Plattform 20 angeordnet sein.
  • Die vorliegende Erfindung ist nicht auf die Details der oben beschriebenen bevorzugten Ausführungsform beschränkt. Der Umfang der Erfindung wird durch den angehängten Patentanspruch definiert und alle Änderungen und Modifikationen, die in das Äquivalente des Schutzbereichs der Ansprüche fallen, sind daher von der Erfindung umfasst.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • JP 2017168565 [0002]

Claims (1)

  1. Ausbildungsvorrichtung für ein Kunststoffschutzelement, aufweisend: eine Plattform, die eine Kunststoffplatzierungsoberfläche aufweist, an der ein partikelförmiger thermoplastischer Kunststoff platziert werden kann; eine Waferhalteeinheit, die eine Waferhalteoberfläche aufweist, welche der Kunststoffplatzierungsoberfläche zugewandt ist und einen Wafer durch die Waferhalteoberfläche hält; einen Auf-/Ab-Bewegungsmechanismus, der ausgestaltet ist, um die Plattform und die Waferhalteeinheit relativ zueinander in einer Auf-/Ab-Richtung vertikal zu der Kunststoffplatzierungsoberfläche zu bewegen und eine Steuerungseinheit, wobei die Plattform beinhaltet ein Peltier-Bauelement, das in der Plattform angeordnet ist und eine obere Oberfläche und eine untere Oberfläche aufweist, wobei die obere Oberfläche parallel und nah an der Kunststoffplatzierungsoberfläche ist, die untere Oberfläche entfernt von der Kunststoffplatzierungsoberfläche ist, eine Gleichstromleistungsquelle, die einen Gleichstrom zu dem Peltier-Bauelement zuführt und einen Schalter, der eine Richtung des Gleichstroms, der zu dem Peltier-Bauelement zugeführt werden soll, zwischen einer ersten Richtung, um die obere Oberfläche des Peltier-Bauelements zu heizen, und einer zweiten Richtung entgegengesetzt der ersten Richtung ändert, um die obere Oberfläche des Peltier-Bauelements zu kühlen und wobei die Steuerungseinheit den Schalter steuert, um den Gleichstrom dazu zu bringen, in der ersten Richtung zu fließen, sodass die obere Oberfläche des Peltier-Bauelements geheizt wird, um den thermoplastischen Kunststoff, der an der Kunststoffplatzierungsoberfläche platziert ist, zu schmelzen, und dass der so geschmolzene thermoplastische Kunststoff gedrückt und über eine gesamte Oberfläche einer Seite des Wafers zwischen der Kunststoffplatzierungsoberfläche und der einen Seite des Wafers verteilt wird, und dann den Schalter steuert, um den Gleichstrom dazu zu bringen, in der zweiten Richtung zu fließen, sodass die obere Oberfläche des Peltier-Bauelements gekühlt wird, um den Kunststoff, der gedrückt und zwischen der Kunststoffplatzierungsoberfläche und der einen Seite des Wafers verteilt ist, zu verfestigen und das Schutzelement an der gesamten Oberfläche der einen Seite des Wafers auszubilden.
DE102020213865.6A 2019-11-06 2020-11-04 Ausbildungsvorrichtung für Kunststoffschutzelement Pending DE102020213865A1 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019201387A JP7335136B2 (ja) 2019-11-06 2019-11-06 樹脂保護部材形成装置
JP2019-201387 2019-11-06

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102020213865A1 true DE102020213865A1 (de) 2021-05-06

Family

ID=75485568

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102020213865.6A Pending DE102020213865A1 (de) 2019-11-06 2020-11-04 Ausbildungsvorrichtung für Kunststoffschutzelement

Country Status (6)

Country Link
US (1) US11443951B2 (de)
JP (1) JP7335136B2 (de)
KR (1) KR20210055006A (de)
CN (1) CN112786461A (de)
DE (1) DE102020213865A1 (de)
TW (1) TW202119539A (de)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7376322B2 (ja) * 2019-11-06 2023-11-08 株式会社ディスコ 樹脂シート固定装置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4652030B2 (ja) 2004-11-29 2011-03-16 東京応化工業株式会社 サポートプレートの貼り付け方法
WO2006090650A1 (ja) 2005-02-23 2006-08-31 Jsr Corporation ウェハ加工方法
JP5503951B2 (ja) 2009-12-07 2014-05-28 株式会社ディスコ 貼着装置
JP5675377B2 (ja) 2011-01-13 2015-02-25 株式会社ディスコ ワーク保持装置
KR20170092323A (ko) * 2016-02-03 2017-08-11 삼성전자주식회사 반도체 패키지의 몰딩 장치
JP6602702B2 (ja) 2016-03-15 2019-11-06 株式会社ディスコ 保護部材形成装置
JP7030006B2 (ja) 2018-04-12 2022-03-04 株式会社ディスコ 拡張方法及び拡張装置
JP7024599B2 (ja) * 2018-05-23 2022-02-24 セイコーエプソン株式会社 可塑化装置、射出成形機および造形装置
JP7099119B2 (ja) * 2018-07-20 2022-07-12 セイコーエプソン株式会社 射出成形装置および射出成形方法
US11430685B2 (en) * 2019-03-19 2022-08-30 Ngk Insulators, Ltd. Wafer placement apparatus and method of manufacturing the same

Also Published As

Publication number Publication date
CN112786461A (zh) 2021-05-11
US20210134598A1 (en) 2021-05-06
JP7335136B2 (ja) 2023-08-29
JP2021077694A (ja) 2021-05-20
US11443951B2 (en) 2022-09-13
TW202119539A (zh) 2021-05-16
KR20210055006A (ko) 2021-05-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE60107936T2 (de) Vorrichtung und verfahren zur handhabung von ophthalmischen linsen
DE19957111B4 (de) Halbleitervorrichtung mit flacher Schutzklebstofffolie und Herstellungsverfahren dafür
CH680352A5 (de)
DE19645000A1 (de) Verfahren zum Beschichten der Klebeflächen von Befestigungselementen mit Schmelzklebstoffen
DE102016203663A1 (de) Schutzelementausbildeverfahren
DE102020213865A1 (de) Ausbildungsvorrichtung für Kunststoffschutzelement
EP0467069A1 (de) Vorrichtung zur Herstellung von Kunststoffverpackungen
DE112006002689T5 (de) Folienschneidetisch
DE102019208258A1 (de) Waferbearbeitungsverfahren
DE60209361T2 (de) Schneidevorrichtung für ein hauptverarbeitungsgerät
DE2611361C3 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Verbundplatten
EP0519116A1 (de) Verfahren zum Überziehen von Stretchfolienhauben über einen Gutstapel und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
DE1761692A1 (de) Vorrichtung zum Verschliessen von Kartons usw.mittels Klebebaender
EP1267390A2 (de) Verfahren zum Umsetzen eines im wesentlichen scheibenförmigen Werkstücks sowie Vorrichtung zum Durchführen dieses Verfahrens
DE60133528T2 (de) Automatische Trennvorrichtung und Verfahren zur Erzeugung von Schaltungen für die Mikroelektronik
DE102019219076B4 (de) Ausbildungsvorrichtung für schutzelement
DE102020213867A1 (de) Befestigungsvorrichtung für Kunststofffolie
DE60206972T2 (de) Vorrichtung zur übertragung von elektronischen komponenten von einer geneigten zuführbahn auf ein weiteres bauteil
EP4140628B1 (de) Verarbeitungsmodul für eine bauplatte und ein verfahren zum verarbeiten einer bauplatte
DE4222267A1 (de) Vorrichtung zum kaschieren (laminieren) von bedruckten und unbedruckten folien
DE102020213864A1 (de) Ausbildungsverfahren für Schutzelement
DE6603619U (de) Verfahren und vorrichtung zum oeffnen von filmkassetten
DE102021200350A1 (de) Anbringungsoberflächenreinigungsverfahren
DE102013219270A1 (de) Wechselsystem für Beschichtungsmaschine sowie Verfahren
DE102013103661B4 (de) Verfahren zum Versiegeln einer Öffnung eines Bauteils, Trägerfolie mit Siegelmembran und Versiegelungsvorrichtung

Legal Events

Date Code Title Description
R012 Request for examination validly filed