DE102020132539A1 - Magnetische strukturen in integrierter-schaltkreis-gehäusestützen - Google Patents

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Abstract

Hier sind magnetische Strukturen in Integrierter-Schaltkreis(IC)-Gehäusestützen sowie zugehörige Verfahren und Vorrichtungen offenbart. Zum Beispiel kann bei manchen Ausführungsformen eine IC-Gehäusestütze eine leitfähige Leitung, eine magnetische Struktur um die leitfähige Leitung herum und Materialstummel auf Seitenflächen der magnetischen Struktur beinhalten.

Description

  • Hintergrund
  • Die Leistungsfähigkeit mancher Integrierter-Schaltkreis(IC)-Elemente, wie etwa von Induktivitäten, kann durch die Verwendung magnetischer Materialien verbessert werden.
  • Figurenliste
  • Ausführungsformen werden anhand der folgenden ausführlichen Beschreibung in Verbindung mit den begleitenden Zeichnungen leicht verstanden. Um diese Beschreibung zu vereinfachen, bezeichnen gleiche Bezugsziffern gleiche strukturelle Elemente. Ausführungsformen sind in den Figuren der begleitenden Zeichnungen beispielhaft und nicht beschränkend veranschaulicht.
    • 1 ist eine Seitenquerschnittsansicht eines Beispiels für eine Integrierter-Schaltkreis(IC)-Gehäusestütze, die eine magnetische Struktur beinhaltet, gemäß verschiedenen Ausführungsformen.
    • 2A-20 veranschaulichen Stufen in einem beispielhaften Prozess zum Herstellen der IC-Gehäusestütze aus 1 gemäß verschiedenen Ausführungsformen.
    • 3 ist eine Draufsicht eines Wafers und von Dies, die in einem IC-Gehäuse mit einer IC-Gehäusestütze enthalten sein können, gemäß beliebiger der hier offenbarten Ausführungsformen.
    • 4 ist eine Seitenquerschnittsansicht einer IC-Vorrichtung, die in einem IC-Gehäuse mit einer IC-Gehäusestütze enthalten sein kann, gemäß beliebigen der hier offenbarten Ausführungsformen.
    • 5 ist eine Seitenquerschnittsansicht eines IC-Gehäuses, das eine beliebige der hier offenbarten IC-Gehäusestützen enthalten kann.
    • 6 ist eine Seitenquerschnittsansicht einer IC-Vorrichtungsbaugmppe, die eine IC-Gehäusestütze gemäß beliebigen der hier offenbarten Ausführungsformen enthalten kann.
    • 7 ist ein Blockdiagramm einer beispielhaften elektrischen Vorrichtung, die eine IC-Gehäusestütze gemäß beliebigen der hier offenbarten Ausführungsformen enthalten kann.
  • Ausführliche Beschreibung
  • Hier sind magnetische Strukturen in Integrierter-Schaltkreis(IC)-Gehäusestützen sowie zugehörige Verfahren und Vorrichtungen offenbart. Zum Beispiel kann bei manchen Ausführungsformen eine IC-Gehäusestütze (z. B. ein Gehäusesubstrat oder ein Interposer) eine leitfähige Leitung, eine magnetische Struktur um die leitfähige Leitung herum und Materialstummel auf Seitenflächen der magnetischen Struktur beinhalten.
  • Magnetische Strukturen können die elektrische Leistungsfähigkeit mancher IC-Baugruppen verbessern. Zum Beispiel kann das Verwenden von Induktivitäten, die mit magnetischen Strukturen verbessert sind (z. B. mit magnetischem Material verbesserten Induktivitäten), in einem Gehäusesubstrat oder einer anderen IC-Gehäusestütze eine Leistungslieferungsleistungsfähigkeit verbessern. Jedoch können herkömmliche Techniken zum Bilden solcher magnetischer Strukturen (z. B. herkömmlicher Pastendruck) eine inadäquate Abmessungskontrolle (z. B. in sowohl lateralen Abmessungen als auch der Dicke) für gewünschte Anwendungen haben. Gestalter, die auf solche Techniken angewiesen sind, müssen eine große Sperrzone um solche Strukturen aufnehmen, um das Risiko einer Überbrückung zu verringern, wodurch die Grundfläche der Struktur in sowohl derx-/y- als auch z-Richtung erhöht wird. Eine Planarisierung kann durchgeführt werden, um die Dicke einer magnetischen Struktur zu steuern, aber solche Prozesse sind teuer und üblicherweise nicht mit einer Herstellung mit großen Volumen (HVM: High Volume Manufacturing) kompatibel. Ferner kann die erreichbare Minimaldicke herkömmlicher magnetischer Strukturen so hoch wie notwendig sein, um Vias mit hohem Aspektverhältnis in derselben Schicht zu verwenden. Solche Vias können (z. B. aufgrund von Beschränkungen von Laserbohren, Via-Reinigung und Metallfüllung) schwierig zu fertigen sein und können (z. B. aufgrund des erhöhten Rissbildungsrisikos, das durch Vias mit kleinen Unterseitendurchmessern entsteht) Zuverlässigkeitsprobleme präsentieren.
  • Verschiedene der hier offenbarten Ausführungsformen können Prozessflüsse und Strukturen bereitstellen, die ein oder mehrere der oben hervorgehobenen Probleme behandeln können, und können mit HVM-Prozessen kompatibel sein. Die hier offenbarten IC-Gehäusestützen können insbesondere für ultramobile Rechenvorrichtungen, wie etwa Laptops und Tablets mit sehr dünnen Formfaktoren, wertvoll sein. Die hier offenbarten Herstellungstechniken ermöglichen die Verwendung von Induktivitäten, die durch magnetisches Material irgendwo in einer IC-Gehäusestütze verbessert sind, anstatt auf eine Fläche einer IC-Gehäusestütze beschränkt zu sein, wie durch manche vorherige Ansätze erfordert. Ferner können die hier offenbarten Herstellungstechniken verhindern, dass magnetische Materialien schädigenden Desmear-, Plattierungs- und/oder Ätzchemien ausgesetzt werden, und können dementsprechend magnetische Strukturen mit höherer Qualität als zuvor erreichbar erreichen. Die hier offenbarten IC-Gehäusestützen 100 können magnetische Strukturen mit einer beliebigen gewünschten Dicke oder Dickenasymmetrie relativ zu der eingebetteten Induktivitätsleiterbahn beinhalten, wodurch eine verbesserte Leistungsfähigkeit ermöglicht wird.
  • In der folgenden ausführlichen Beschreibung wird Bezug auf die begleitenden Zeichnungen genommen, die einen Teil hiervon bilden, wobei gleiche Ziffern durchweg gleiche Teile kennzeichnen, und in denen durch beispielhafte Veranschaulichung Ausführungsformen gezeigt werden, die umgesetzt werden können. Es versteht sich, dass andere Ausführungsformen genutzt werden können und strukturelle oder logische Änderungen vorgenommen werden können, ohne vom Schutzumfang der vorliegenden Offenbarung abzuweichen. Daher ist die folgende ausführliche Beschreibung nicht in einem beschränkenden Sinn zu verstehen.
  • Verschiedene Vorgänge können als mehrere diskrete Handlungen oder Vorgänge der Reihe nach auf eine Weise beschrieben sein, die für das Verständnis des beanspruchten Gegenstands außerordentlich hilfreich ist. Jedoch sollte die Reihenfolge der Beschreibung nicht derart ausgelegt werden, dass sie impliziert, dass diese Vorgänge unbedingt von der Reihenfolge abhängen. Insbesondere werden diese Vorgänge möglicherweise nicht in der Reihenfolge der Darstellung durchgeführt werden. Beschriebene Vorgänge können in einer von der beschriebenen Ausführungsform verschiedenen Reihenfolge durchgeführt werden. Verschiedene zusätzliche Vorgänge können durchgeführt werden und/oder beschriebene Vorgänge können bei zusätzlichen Ausführungsformen weggelassen werden.
  • Für die Zwecke der vorliegenden Offenbarung bedeutet der Ausdruck „A und/oder B“ (A), (B), oder (A und B). Für den Zweck der vorliegenden Offenbarung bedeutet der Ausdruck „A, B und/oder C“ (A), (B), (C), (A und B), (A und C), (B und C), oder (A, B und C). Die Zeichnungen sind nicht notwendigerweise maßstabsgetreu. Obwohl viele der Zeichnungen geradlinige Strukturen mit flachen Wänden und rechtwinkligen Ecken veranschaulichen, dient dies lediglich dereinfachen Veranschaulichung und tatsächliche Vorrichtungen, die unter Verwendung dieser Techniken gefertigt werden, werden abgerundete Ecken, Oberflächenrauigkeit und andere Merkmale aufweisen.
  • Die Beschreibung verwendet die Ausdrücke „bei einer Ausführungsform“ oder „bei Ausführungsformen“, die jeweils auf eine oder mehrere derselben oder unterschiedlicher Ausführungsformen verweisen können. Weiterhin sind die Ausdrücke „umfassend“, „beinhaltend“, „aufweisend“ und dergleichen, wie sie mit Bezug auf Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung verwendet werden, synonym. Wie hier verwendet, sind ein „Gehäuse“ und ein „IC-Gehäuse“ synonym. Wenn er zum Beschreiben eines Bereichs von Abmessungen verwendet wird, repräsentiert der Ausdruck „zwischen X und Y“ einen Bereich, der X und Y einschließt. Der Einfachheit halber kann die Formulierung „2“ verwendet werden, um auf die Sammlung der Zeichnungen aus 2A-20 zu verweisen.
  • 1 veranschaulicht eine IC-Gehäusestütze 100 (z. B. ein Gehäusesubstrat oder einen Interposer) mit einer magnetischen Struktur 150 darin. Die IC-Gehäusestütze 100 kann eine erste Fläche 146, bei der leitfähige Kontakte 142 durch Öffnungen 138 in einem Lötstopplack 134 freigelegt sind, und eine gegenüberliegende, zweite Fläche 144 aufweisen, bei der leitfähige Kontakte 140 durch Öffnungen 136 in einem Lötstopplack 132 freigelegt sind. Bei manchen Ausführungsformen können die leitfähigen Kontakte 142 für Erstebenenzwischenverbindungen (FLI: First Level Interconnect; wie etwa Löthügel) geeignet sein und können die leitfähigen Kontakte 140 für Zweitebenenzwischenverbindungen (SLI: Second-Level Interconnect; wie etwa Lötkugeln) geeignet sein oder umgekehrt. Zum Beispiel können (nicht gezeigte) FLI die IC-Gehäusestütze 100 elektrisch mit einem oder mehreren Dies oder aktiven oder passiven Vorrichtungen oder einem Interposer koppeln. (Nicht gezeigte) SLI können die IC-Gehäusestütze 100 mit einer Leiterplatte (z. B. einer Hauptplatine), einem Interposer oder einem Gehäusesubstrat koppeln. Wie gezeigt, kann die IC-Gehäusestütze 100 eine „kernlose“ Stütze sein. Bei manchen Ausführungsformen können die leitfähigen Kontakte 142 und/oder die leitfähigen Kontakte 140 eine Nickel-Palladium-Gold-Oberflächenbehandlung aufweisen; solche Ausführungsformen können relativ zu Ausführungsformen, bei denen die leitfähigen Kontakte 142/140 eine Organisches-Lötbarkeitsschutzmittel(OSP: Organic Solderability Preservative)-Oberflächenbehandlung aufweisen, vorteilhaft sein, weil Kontakte mit Nickel-Palladium-Gold-Oberflächenbehandlungen elektrisch getestet werden können, während die Kontakte immer noch vor Oxidation geschützt werden (während OSP-behandelte Kontakte eine Reinigung vor dem Testen erfordern).
  • Eine Anzahl dielektrischer Schichten 112 kann zwischen der ersten Fläche 146 und der zweiten Fläche 144 angeordnet sein. Die dielektrischen Schichten 112 können beliebige geeignete dielektrische Materialien beinhalten. Zum Beispiel kann eine dielektrische Schicht 112 ein Aufbaufilm (z. B. ein organischer polymerbasierter dielektrischer Film) oder ein Glasgewebe, das mit einem dielektrischen Material imprägniert ist (ein „Prepreg“-Material), beinhalten. Eine oder mehrere Zwischenverbindungsstrukturen 108 kann/können in den dielektrischen Schichten 112 eingebettet sein, einschließlich leitfähiger Leitungen und Vias, wie gezeigt ist. Die Zwischenverbindungsstrukturen 108 können elektrische Pfade zwischen leitfähigen Kontakten 142, zwischen leitfähigen Kontakten 140, zwischen leitfähigen Kontakten 140 und 142 und/oder zwischen leitfähigen Kontakten 140/142 und Elementen innerhalb der IC-Gehäusestütze 100 bereitstellen.
  • Ein spezielles Element innerhalb der IC-Gehäusestütze 100, mit dem Zwischenverbindungsstrukturen 108 gekoppelt werden können, ist eine Induktivität 162. Die Induktivität 162 kann eine oder mehrere leitfähige Leitungen 110 beinhalten, die von einer magnetischen Struktur 150 umgeben sind; die leitfähige(n) Leitung(en) 110 kann (können) als die Induktivitätsleiterbahnen dienen. Die magnetische Struktur 150 kann einen ersten Teil 118 und einen zweiten Teil 128 beinhalten. Der erste Teil 118 kann eine Unterseite und Seitenflächen der leitfähigen Leitung 110 umgeben, wie gezeigt ist, während sich der zweite Teil 128 bei einer oberen Fläche der leitfähigen Leitung 110 befinden kann. Der erste Teil 118 und der zweite Teil 128 der magnetischen Struktur 150 können ein magnetisches Material, wie etwa eine magnetische Paste oder Druckfarbe (z. B. ein Harzmaterial mit magnetischen Teilchen in einer Polymermatrix, wie etwa Eisenteilchen in einem Epoxid oder einer anderen Polymermatrix) beinhalten.
  • Materialstummel 148 können auf Seitenflächen der magnetischen Struktur 150 angeordnet sein. Die Materialstummel 148 können Kupfer 104 und Nickel 106 beinhalten. Bei manchen Ausführungsformen kann die Dicke 152 des Nickels 106 zwischen 3 Mikrometer und 10 Mikrometer (z. B. zwischen 4 Mikrometer und 6 Mikrometer) betragen und kann die Dicke 154 des Kupfers 104 zwischen 3 Mikrometer und 15 Mikrometer (z. B. zwischen 3 Mikrometer und 12 Mikrometer oder zwischen 5 Mikrometer und 10 Mikrometer) betragen. Die Breite 158 der Materialstummel 148 kann größer oder gleich 10 Mikrometer (z. B. größeroder gleich 15 Mikrometer) sein. Obwohl das Element 104 hier als „Kupfer 104“ bezeichnet wird, ist Kupfer einfach ein Beispiel für ein Material, das als das Element 104 dienen kann; bei anderen Ausführungsformen können nichtkupferbasierte Laserstoppmaterialien verwendet werden, wie etwa andere Metalle oder Metalloxidmaterialien. Obwohl das Element 106 hier als „Nickel 106“ bezeichnet wird, ist Nickel gleichermaßen einfach ein Beispiel für ein Material, das als das Element 106 dienen kann; bei anderen Ausführungsformen können andere Materialen mit assoziierten Ätzchemien, die das Material der magnetischen Struktur 150 nicht beschädigen, verwendet werden (z. B. ein beliebiges Metall- oder Metalloxidmaterial, das mit einer anderen Chemie als das erste Metall weggeätzt werden kann).
  • Die Materialstummel 148 können in einer dielektrischen Schicht 112 enthalten sein, während die leitfähige Leitung 110 in einer angrenzenden dielektrischen Schicht 112 enthalten sein kann, wie gezeigt ist. Bei manchen Ausführungsformen kann eine Oberfläche der leitfähigen Leitung 110 koplanar mit einer Oberfläche der Materialstummel 148 sein. Zum Beispiel kann eine untere Oberfläche des Nickels 106 in den Materialstummeln 148 koplanar mit einer oberen Oberfläche der leitfähigen Leitung 110 (und auch koplanar mit einer Grenzfläche zwischen den zwei assoziierten dielektrischen Schichten 112) sein. Der erste Teil 118 und der zweite Teil 128 der magnetischen Struktur 150 können jeweils sich verjüngende Formen aufweisen, die sich zu der leitfähigen Leitung 110 hin verschmälern, wie gezeigt ist. Bei manchen Ausführungsformen kann die Steigung der Verjüngung des ersten Teils 118 und des zweiten Teils 128 zwischen 10 Prozent und 30 Prozent (z. B. zwischen 15 Prozent und 25 Prozent) betragen. Die Materialstummel 148 können sich in Kontakt mit dem zweiten Teil 128 der magnetischen Struktur 150 befinden, wie gezeigt ist. Bei manchen Ausführungsformen kann eine Dicke 156 der leitfähigen Leitung 110 zwischen 5 Mikrometer und 50 Mikrometer (z. B. zwischen 10 Mikrometer und 40 Mikrometer) betragen. Bei manchen Ausführungsformen kann eine Höhe 166 der magnetischen Struktur 150 zwischen 50 Mikrometer und 250 Mikrometer (z. B. zwischen 100 Mikrometer und 250 Mikrometer) betragen; die Höhen des ersten Teils 118 und des zweiten Teils 128 können gleich sein oder sie können verschieden sein. Bei manchen Ausführungsformen können die Zwischenverbindungsstrukturen 108 und die leitfähige Leitung 110 ein Metall, wie etwa Kupfer, beinhalten.
  • Bei manchen Ausführungsformen können die Materialstummel 148 Artefakte des in 2 beschriebenen speziellen Herstellungsprozesses sein. Der in 2 beschriebene Herstellungsprozess kann auch mit verschiedenen Merkmalen der in der IC-Gehäusestütze 100 enthaltenen Zwischenverbindungsstrukturen 108 assoziiert sein. Zum Beispiel können die Zwischenverbindungsstrukturen 108 einen Via 122 beinhalten, der sich vollständig durch die assoziierte dielektrische Schicht 112 hindurch erstreckt, wie gezeigt ist. Ein solcher Via 122 kann sich verjüngen, wobei seine kleinere Fläche koplanar mit der unteren Oberfläche der Materialstummel 148 und der oberen Oberfläche der leitfähigen Leitung 110 ist, wie gezeigt ist. Bei einem anderen Beispiel können die Zwischenverbindungsstrukturen 108 einen Via 130 beinhalten, der sich vollständig durch eine assoziierte dielektrische Schicht 112 hindurch und in die angrenzende dielektrische Schicht 112 hinein erstreckt, so dass sich die kleinere Fläche des Via 130 in einer anderen dielektrischen Schicht 112 als die größere Fläche des Via 130 befindet. Ferner kann ein solcher Via 130 wenigstens teilweise koplanar mit dem zweiten Teil 128 der magnetischen Struktur 150 sein; insbesondere kann der zweite Teil 128 der magnetischen Struktur 150 an einer Grenzfläche zwischen zwei angrenzenden dielektrischen Schichten 112 enden und der Via 130 kann sich durch die gleiche Grenzfläche hindurch erstrecken. Der Via 120 ist ein weiteres Beispiel für eine Zwischenverbindungsstruktur 108, die sich vollständig durch eine assoziierte dielektrische Schicht 112 hindurch und in die angrenzende dielektrische Schicht 112 hinein erstreckt, so dass sich die kleinere Fläche des Via 120 in einer anderen dielektrischen Schicht 112 als die größere Fläche des Via 120 befindet. Ferner kann der Via 120 wenigstens teilweise koplanar mit dem ersten Teil 118 der magnetischen Struktur 150 sein; insbesondere kann der erste Teil 118 der magnetischen Struktur 150 an einer Grenzfläche zwischen zwei angrenzenden dielektrischen Schichten 112 enden und der Via 120 kann sich durch die gleiche Grenzfläche hindurch erstrecken. So, wie sich der erste Teil 118 und der zweite Teil 128 der magnetischen Struktur 150 zueinander hin verjüngen, können sich die Vias 120 und 130 zueinander hin verjüngen.
  • 2A-2O veranschaulichen Stufen in einem beispielhaften Prozess zum Herstellen der IC-Gehäusestütze 100 (z. B. eines Gehäusesubstrats oder eines Interposers) aus 1 gemäß verschiedenen Ausführungsformen. Obwohl die Vorgänge aus 2 unter Bezugnahme auf spezielle Ausführungsformen der IC-Gehäusestützen 100 und der magnetischen Strukturen 150, die hier offenbart sind, veranschaulicht sein können, kann das Verfahren verwendet werden, um beliebige geeignete IC-Gehäusestützen 100 und/oder magnetische Strukturen 150 zu bilden. Vorgänge sind in 2 jeweils einmal und in einer speziellen Reihenfolge veranschaulicht, aber die Vorgänge können, wenn gewünscht, umsortiert und/oder wiederholt werden (z. B. wobei verschiedene Vorgänge parallel durchgeführt werden, wenn mehrere IC-Gehäusestützen 100 und/oder magnetische Strukturen 150 gleichzeitig hergestellt werden). Der in 2 veranschaulichte Herstellungsprozess kann vorteilhafterweise die Fertigung einer IC-Gehäusestütze 100 mit einer vollständigen magnetischen Struktur 150 ermöglichen, mit der weitere Komponenten (z. B. Dies) gekoppelt werden können. Manche vorherigen Herstellungsprozesse erforderten, dass ein Die an einer IC-Gehäusestütze angebracht werden kann, deren magnetische Struktur eine zusätzliche Verarbeitung (z. B. die Abscheidung von zusätzlichem magnetischem Material) erforderte, bevor die magnetische Struktur vollständig war. Solche Prozesse können unter einer geringen Ausbeute leiden, da jegliche Fehler in der zusätzlichen Verarbeitung der IC-Gehäusestütze den Verlust eines (teuren) Die bedeuten könnten.
  • 2A veranschaulicht eine Baugruppe, die einen Träger 102 beinhaltet, auf dem eine Schicht aus Kupfer 104 und eine Schicht aus Nickel 106 gebildet wurden. Eine strukturierte Schicht aus leitfähigem Material wurde auch auf dem Nickel 106 gebildet, wobei das strukturierte leitfähige Material eine Zwischenverbindungsstruktur 108 (z. B. ein Pad oder eine Leitung, wie gezeigt) und eine oder mehrere leitfähige Leitungen 110 (die durch die magnetische Struktur 150 umgeben sein werden, wie weiter unten besprochen ist) beinhaltet. Der Träger 102 kann ein beliebiges geeignetes Material zum Durchführen anschließender Herstellungsvorgänge und Bereitstellen einer mechanischen Stabilität während anschließender Herstellungsvorgänge (z. B. Silicium, Glas, Keramik usw.) beinhalten. Das Kupfer 104 kann eine Folienschicht auf dem Träger 102 sein und kann eine Dicke gemäß beliebigen der hier offenbarten Dicken 154 aufweisen. Das Nickel 106 kann flächendeckend auf das Kupfer 104 abgeschieden werden und kann eine Dicke gemäß beliebigen der hier offenbarten Dicken 156 aufweisen. Die Zwischenverbindungsstruktur 108 und die leitfähige Leitung 110 der Baugruppe aus 2A können unter Verwendung einer beliebigen geeigneten Technik (z. B. einer lithografischen Technik) gebildet werden.
  • 2B veranschaulicht eine Baugruppe anschließend an das Bereitstellen dielektrischer Schichten 112-1 und 112-2 auf der Baugruppe aus 2A und das Bilden weiterer Zwischenverbindungsstrukturen 108 in und auf den dielektrischen Schichten 112. Die dielektrischen Schichten 112 können auf eine beliebige geeignete Weise (z. B. durch Laminierung eines dielektrischen Films) bereitgestellt werden und die Zwischenverbindungsstrukturen 108 aus 2B können unter Verwendung einer beliebigen geeigneten Technik (z. B. eines semiadditiven Prozesses (SAP), in dem eine Keimschicht gebildet wird, ein Fotolack abgeschieden und strukturiert wird, um die Keimschicht freizulegen, und leitfähiges Material auf der Keimschicht elektroplattiert wird, der Fotolack abgetragen wird und eine kurze Keimschichtätzung durchgeführt wird) gebildet werden. Obwohl verschiedene der dielektrischen Schichten 112 in 2B (und anderen der begleitenden Zeichnungen) als die gleiche Dicke aufweisend gezeigt sind, dient dies einfach einer einfachen Veranschaulichung und verschiedene der dielektrischen Schichten 112 in einer IC-Gehäusestütze 100 können verschiedene Dicken aufweisen.
  • 2C veranschaulicht eine Baugruppe anschließend an das Bilden einer weiteren dielektrischen Schicht 112-3 auf der Baugruppe aus 2B und dann Bilden eines Hohlraums 114 durch die dielektrischen Schichten 112. Der Hohlraum 114 kann die leitfähige Leitung 110 auf dem Nickel 106 freilegen, wie gezeigt ist. Der Hohlraum 114 kann unter Verwendung einer beliebigen geeigneten Technik, wie etwa Laserbohren, gebildet werden. Bei manchen Ausführungsformen können die Seitenwände 116 des Hohlraums 114 geneigt sein, wodurch eine Verjüngung des Hohlraums 114 bereitgestellt wird, die sich zu der leitfähigen Leitung 110 hin verschmälert. Bei manchen Ausführungsformen kann ein Desmear(Bohrlochreinigung)-Vorgang nach dem Bilden des Hohlraums 114 durchgeführt werden. Bei manchen Ausführungsformen, bei denen die dielektrischen Schichten 112-1, 112-2 und 112-3 fotoabbildbare Dielektrika sind, kann der Hohlraum 114 durch selektives Belichten und Entwickeln der dielektrischen Schichten 112 anstelle von Laserbohren, wie in der Technik bekannt ist, gebildet werden.
  • 2D veranschaulicht eine Baugruppe anschließend an das Füllen des Hohlraums 114 der Baugruppe aus 2C mit einem magnetischen Material, um den ersten Teil 118 der magnetischen Struktur 150 zu bilden. Obwohl 2D den ersten Teil 118 als sich durch drei dielektrische Schichten 112 erstreckend veranschaulicht, ist dies einfach veranschaulichend und bei anderen Ausführungsformen kann sich der erste Teil 118 durch eine beliebige geeignete Anzahl an dielektrischen Schichten 112 (z. B. zwei, drei, vier oder fünf dielektrische Schichten 112) erstrecken. Wie oben angemerkt, kann das magnetische Material eine magnetische Paste oder Druckfarbe beinhalten. Das Füllen des Hohlraums 114 mit dem magnetischen Material kann Abgeben des magnetischen Materials in den Hohlraum 114 hinein unter Verwendung eines Werkzeugs, das jenem ähnlich ist, das für manche Lotabgabeanwendungen verwendet wird, umfassen. Bei manchen Ausführungsformen kann das Füllen des Hohlraums 114 mit dem magnetischen Material Schablonendrucken des magnetischen Materials in den Hohlraum 114 beinhalten. Nach der anfänglichen Abscheidung kann eine Aushärtung des magnetischen Materials ermöglicht werden und dann kann die resultierende Baugruppe poliert werden, um die obere Oberfläche eben zu machen; dieses Polieren kann einen Teil derdielektrischen Schicht 112-3 entfernen, aber kann die Zwischenverbindungsstrukturen 108 in den dielektrischen Schichten 112-3 nicht erreichen. Der erste Teil 118 kann eine obere Oberfläche aufweisen, die im Wesentlichen koplanar mit der oberen Oberfläche derdielektrischen Schicht 112-3 ist. Das Verwenden eines Hohlraums 114 zum Steuern der Form und Abmessungen des ersten Teils 118 der magnetischen Struktur 150 kann die Risiken eines Ausblutens magnetischer Paste und variabler Abmessungen verringern, die mit herkömmlichen Pastendrucktechniken assoziiert sind. Ferner erfordert die Verwendung eines Hohlraums 114 zum Bilden des ersten Teils 118 bei manchen Ausführungsformen möglicherweise keine Verwendung einer Maske. Da herkömmliche Masken, die zum Drucken magnetischer Paste verwendet werden, typischerweise nach dem Drucken einen beträchtlichen Rest an Paste auf der Maske hinterlassen, kann das Vermeiden der Verwendung solcher Masken eine Herstellungskomplexität reduzieren und die Zuverlässigkeit verbessern.
  • 2E veranschaulicht eine Baugruppe anschließend an das Bilden einer dielektrischen Schicht 1124 auf der oberen Oberfläche der Baugruppe aus 2D. Die dielektrische Schicht 112-4 kann sich über der dielektrischen Schicht 112-3 und dem ersten Teil 118 erstrecken, wie gezeigt ist. Die dielektrische Schicht 112-4 kann den ersten Teil 118 „versiegeln“ und ihn vor einer anschließenden Nasschemie schützen.
  • 2F veranschaulicht eine Baugruppe anschließend an das Bilden zusätzlicher Zwischenverbindungsstrukturen 108 in der Baugruppe aus 2E. Diese zusätzlichen Zwischenverbindungsstrukturen 108 können einen Via 120, wie oben beschrieben, beinhalten; der Via 120 kann sich durch die dielektrische Schicht 1124 hindurch und in die dielektrische Schicht 112-3 hinein erstrecken, um Kontakt mit einem/einer leitfähigen Pad/Leitung in der dielektrischen Schicht 112-3 herzustellen.
  • 2G veranschaulicht eine Baugruppe anschließend an das Lösen des Trägers 102 von der Baugruppe aus 2F. Bei manchen Ausführungsformen können mechanische und/oder chemische Techniken verwendet werden, um den Träger 102 zu lösen, wie in der Technik bekannt ist. Bei manchen Ausführungsformen kann, wenn die Baugruppe aus 2G steif genug ist (z. B. wenn die dielektrischen Schichten 112, durch die der Hohlraum 114 gebildet ist, auf Glasgewebe basieren), eine weitere Verarbeitung ohne Anbringen der Baugruppe an einem anderen Träger fortgesetzt werden, um Handhabungs- oder Wölbungsprobleme zu vermeiden. Bei anderen Ausführungsformen, bei denen die Baugruppe von 2G weniger steif ist (z. B. wenn alle der dielektrischen Schichten 112, durch die der Hohlraum 114 gebildet ist, einen Aufbaufilm beinhalten), kann die Baugruppe aus 2G zur weiteren Verarbeitung an einem anderen Träger oder einer anderen halbfertigen (nicht gezeigten) IC-Gehäusestütze 100 angebracht werden.
  • 2H veranschaulicht eine Baugruppe anschließend an das Umdrehen der Baugruppe aus 2G und Strukturieren des Nickels 106 und Kupfers 104 derart, dass das Nickel 106 und Kupfer 104 nur nahe den leitfähigen Leitungen 110 vorhanden sind, wobei sie sich eine Entfernung jenseits der lateralen Ausdehnung des ersten Teils 118 erstrecken, wie gezeigt ist. Bei manchen Ausführungsformen kann die Entfernung, um die sich das strukturierte Kupfer 104/Nickel 106 jenseits der lateralen Ausdehnung des ersten Teils 118 erstrecken, die Form beliebiger der hier offenbarten Ausführungsformen der Breite 158 annehmen.
  • 2l veranschaulicht eine Baugruppe anschließend an das Bereitstellen dielektrischer Schichten 112-5 und 112-6 auf der Baugruppe aus 2H und das Bilden weiterer Zwischenverbindungsstrukturen 108 in und auf den dielektrischen Schichten 112-5 und 112-6. Die dielektrischen Schichten 112 können auf eine beliebige geeignete Weise (z. B. durch Laminierung eines dielektrischen Films) bereitgestellt werden und die Zwischenverbindungsstrukturen 108 aus 2l können unter Verwendung einer beliebigen geeigneten Technik (z. B. einer SAP-Technik) gebildet werden. Bei manchen Ausführungsformen können die zusätzlichen Zwischenverbindungsstrukturen 108 der Baugruppe aus 2l einen Via 122 beinhalten, der in derselben dielektrischen Schicht 112-5 wie das strukturierte Kupfer 104/Nickel 106 enthalten sein kann (und wird sich dementsprechend in derselben dielektrischen Schicht 112 wie die Materialstummel 148 in der IC-Gehäusestütze 100 befinden, wie weiter unten besprochen ist).
  • 2J veranschaulicht eine Baugruppe anschließend an das Bilden einer weiteren dielektrischen Schicht 112-7 auf der Baugruppe aus 2l und dann Bilden eines Hohlraums 124 durch die dielektrischen Schichten 112-6 und 112-7 und in die dielektrische Schicht 112-5 hinein. Der Hohlraum 124 kann das Kupfer 104 freilegen, wie gezeigt ist. Der Hohlraum 124 kann unter Verwendung einer beliebigen geeigneten Technik, wie etwa Laserbohren (für das das Kupfer 104 als ein Laserstopp dienen kann), gebildet werden. Bei manchen Ausführungsformen können die Seitenwände 126 des Hohlraums 124 geneigt sein, wodurch eine Verjüngung des Hohlraums 124 bereitgestellt wird, die sich zu der leitfähigen Leitung 110 hin verschmälert. Bei manchen Ausführungsformen kann ein Desmear-Vorgang nach dem Bilden des Hohlraums 124 durchgeführt werden. Bei manchen Ausführungsformen, bei denen die dielektrischen Schichten 112-5, 112-6 und 112-7 fotoabbildbare Dielektrika sind, kann der Hohlraum 124 durch selektives Belichten und Entwickeln der dielektrischen Schichten 112 anstelle von Laserbohren, wie in der Technik bekannt ist, gebildet werden.
  • 2K veranschaulicht eine Baugruppe anschließend an das Entfernen des freigelegten Kupfers 104 in dem Hohlraum 124 der Baugruppe aus 2J und dann Entfernen des freigelegten Nickels 106, wobei die Materialstummel 148 zurückgelassen werden, wie gezeigt ist. Beliebige geeignete Ätztechniken können verwendet werden, um das Kupfer 104/Nickel 106 zu entfernen. Bei manchen Ausführungsformen beschädigt die Ätzchemie, die zum Entfernen des Nickels 106 verwendet wird, möglicherweise das magnetische Material des darunterliegenden ersten Teils 118 nicht, während die Ätzchemie, die zum Entfernen des Kupfers 104 verwendet wird, das magnetische Material beschädigen würde; das Nickel 106 oder ein anderes Material kann dementsprechend dem Schutz des darunterliegenden ersten Teils 118 während dieser Vorgänge dienen.
  • 2L veranschaulicht eine Baugruppe anschließend an das Füllen des Hohlraums 124 der Baugruppe aus 2K mit einem magnetischen Material, um den zweiten Teil 128 der magnetischen Struktur 150 zu bilden. Obwohl 2L den zweiten Teil 128 als sich durch drei dielektrische Schichten 112 (die dielektrischen Schichten 112-5, 112-6 und 112-7) erstreckend veranschaulicht, ist dies einfach veranschaulichend und bei anderen Ausführungsformen kann sich der zweite Teil 128 durch eine beliebige geeignete Anzahl an dielektrischen Schichten 112 (z. B. zwei, drei, vier oder fünf dielektrische Schichten 112) erstrecken. Das magnetische Material kann gemäß einer beliebigen geeigneten Technik in den Hohlraum 124 geliefert werden, wie etwa eine beliebige der oben unter Bezugnahme auf 2D besprochenen Techniken.
  • 2M veranschaulicht eine Baugruppe anschließend an das Bilden einer dielektrischen Schicht 112-8 auf der oberen Oberfläche der Baugruppe aus 2L. Die dielektrische Schicht 112-8 kann sich über der dielektrischen Schicht 112-7 und dem zweiten Teil 128 erstrecken, wie gezeigt ist. Die dielektrische Schicht 112-8 kann den zweiten Teil 128 „versiegein“ und ihn vor einer anschließenden Nasschemie schützen.
  • 2N veranschaulicht eine Baugruppe anschließend an das Bilden zusätzlicher dielektrischer Schichten 112 (z. B. einer zusätzlichen dielektrischen Schicht 112-9) und zusätzlicher Zwischenverbindungsstrukturen 108 in der Baugruppe aus 2M. Diese zusätzlichen Zwischenverbindungsstrukturen 108 können einen Via 130, wie oben beschrieben, beinhalten; der Via 130 kann sich durch die dielektrische Schicht 112-8 hindurch und in die dielektrische Schicht 112-7 hinein erstrecken, um Kontakt mit einem/einer leitfähigen Pad/Leitung in der dielektrischen Schicht 112-7 herzustellen. Obwohl eine bestimmte Anordnung der dielektrischen Schichten 112 und Zwischenverbindungsstrukturen 108 in 2N dargestellt ist, ist dies einfach veranschaulichend und eine beliebige gewünschte Anzahl und Anordnung derdielektrischen Schichten 112 und Zwischenverbindungsstrukturen 108 können verwendet werden.
  • 20 veranschaulicht eine Baugruppe anschließend an das Bereitstellen eines Lötstopplacks 132 und von Öffnungen 136 darin, um die leitfähigen Kontakte an der zweiten Fläche 144 der Baugruppe aus 2N freizulegen, und Bereitstellen eines Lötstopplacks 134 und von Öffnungen 138 darin, um die leitfähigen Kontakte an der ersten Fläche 146 freizulegen. Die resultierende Baugruppe kann die Form der IC-Gehäusestütze 100 aus 1 annehmen.
  • Die hier offenbarten IC-Gehäusestützen 100 können in einer beliebigen geeigneten elektronischen Komponente enthalten sein. 3-7 veranschaulichen verschiedene Beispiele für Einrichtungen, die beliebige der hier offenbarten IC-Gehäusestützen 100 beinhalten können oder in einem IC-Gehäuse enthalten sein können, das auch beliebige der hier offenbarten IC-Gehäusestützen 100 beinhaltet.
  • 3 ist eine Draufsicht eines Wafers 1500 und von Dies 1502, die in einem IC-Gehäuse enthalten sein können, das eine oder mehrere IC-Gehäusestützen 100 (z. B. wie nachstehend unter Bezugnahme auf 5 besprochen) gemäß beliebigen der hier offenbarten Ausführungsformen beinhalten kann. Der Wafer 1500 kann aus Halbleitermaterial bestehen und kann einen oder mehrere Dies 1502 mit IC-Strukturen beinhalten, die auf einer Oberfläche des Wafers 1500 gebildet sind. Jeder der Dies 1502 kann eine sich wiederholende Einheit eines Halbleiterprodukts sein, das einen beliebigen geeigneten IC enthält. Nachdem die Fertigung des Halbleiterprodukts abgeschlossen ist, kann der Wafer 1500 einen Vereinzelungsprozess durchlaufen, in dem die Dies 1502 voneinander separiert werden, um diskrete „Chips“ des Halbleiterprodukts bereitzustellen. Der Die 1502 kann einen oder mehrere Transistoren (z. B. manche der Transistoren 1640 aus 4, die unten besprochen sind) und/oder eine Hilfsschaltungsanordnung zum Führen elektrischer Signale zu den Transistoren sowie andere IC-Komponenten beinhalten. Bei manchen Ausführungsformen kann der Wafer 1500 oder der Die 1502 eine Speichervorrichtung (z. B. eine Direktzugriffsspeicher(RAM)-Vorrichtung, wie etwa eine statische RAM(SRAM)-Vorrichtung, eine magnetische RAM(MRAM)-Vorrichtung, eine resistive RAM(RRAM)-Vorrichtung, eine RAM-Vorrichtung mit leitfähiger Brücke (CBRAM) usw.), eine Logikvorrichtung (z. B. ein AND-, OR-, NAND- oder NOR-Gatter), oder ein beliebiges anderes geeignetes Schaltkreiselement beinhalten. Mehrere dieser Vorrichtungen können auf einem einzigen Die 1502 kombiniert werden. Zum Beispiel kann ein durch mehrere Speichervorrichtungen gebildetes Speicherarray auf demselben Die 1502 wie eine Verarbeitungsvorrichtung (z. B. die Verarbeitungsvorrichtung 1802 aus 7) oder eine andere Logik gebildet sein, die dazu konfiguriert ist, Informationen in den Speichervorrichtungen zu speichern oder in dem Speicherarray gespeicherte Befehle auszuführen.
  • 4 ist eine Seitenquerschnittsansicht einer IC-Vorrichtung 1600, die in einem IC-Gehäuse enthalten sein kann, das eine oder mehrere IC-Gehäusestützen 100 (z. B. wie nachstehend unter Bezugnahme auf 5 besprochen) gemäß beliebigen der hier offenbarten Ausführungsformen beinhalten kann. Eine oder mehrere der IC-Vorrichtungen 1600 können in einem oder mehreren Dies 1502 (3) enthalten sein. Die IC-Vorrichtung 1600 kann auf einem Substrat 1602 (z. B. dem Wafer 1500 aus 3) gebildet sein und kann in einem Die (z. B. dem Die 1502 aus 3) enthalten sein. Das Substrat 1602 kann ein Halbleitersubstrat sein, das aus Halbleitermaterialsystemen zusammengesetzt ist, die zum Beispiel, n-Typ- oder p-Typ-Materialsysteme (oder eine Kombination von beiden) beinhalten. Das Substrat 1602 kann zum Beispiel ein kristallines Substrat beinhalten, das unter Verwendung von Volumensilicium oder einer Silicium-auf-lsolator(SOI: Silicon-On-Insulator)-Unterstruktur gebildet ist. Bei manchen Ausführungsformen kann das Substrat 1602 unter Verwendung alternativer Materialien gebildet sein, die mit Silicium kombiniert sein können oder nicht und die unter anderem Germanium, Indiumantimonid, Bleitellurid, Indiumarsenid, Indiumphosphid, Galliumarsenid oder Galliumantimonid beinhalten. Weitere als Gruppe II-VI, III-V oder IV klassifizierte Materialien können ebenfalls verwendet werden, um das Substrat 1602 zu bilden. Obwohl hier einige wenige Beispiele für Materialien, aus denen das Substrat 1602 gebildet werden kann, beschrieben sind, kann ein beliebiges Material verwendet werden, das als eine Grundlage für eine IC-Vorrichtung 1600 dienen kann. Das Substrat 1602 kann Teil eines vereinzelten Die (z. B. der Dies 1502 aus 3) oder eines Wafers (z. B. des Wafers 1500 aus 3) sein.
  • Die IC-Vorrichtung 1600 kann eine oder mehrere Vorrichtungsschichten 1604 beinhalten, die auf dem Substrat 1602 angeordnet sind. Die Vorrichtungsschicht 1604 kann Merkmale eines oder mehrerer Transistoren 1640 (z. B. Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs: Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors)) beinhalten, die auf dem Substrat 1602 gebildet sind. Die Vorrichtungsschicht 1604 kann zum Beispiel ein oder mehrere Source- und/oder Drain(S/D)-Gebiete 1620, ein Gate 1622 zum Steuern eines Stromflusses in dem Transistor 1640 zwischen den S/D-Gebieten 1620 und einen oder mehrere S/D-Kontakte 1624 zum Führen elektrischer Signale zu/von den S/D-Gebieten 1620 beinhalten. Die Transistoren 1640 können zusätzliche Merkmale aufweisen, die der Klarheit halber nicht dargestellt sind, wie etwa Vorrichtungsisolationsgebiete, Gate-Kontakte und dergleichen. Die Transistoren 1640 sind nicht auf den/die in 4 dargestellte(n) Typ und Konfiguration beschränkt und können eine große Vielfalt von anderen Typen und Konfigurationen beinhalten, wie etwa, zum Beispiel, planare Transistoren, nichtplanare Transistoren oder eine Kombination aus beiden. Planare Transistoren können Bipolartransistoren (BJT), Heteroübergang-Bipolartransistoren (HBT) oder Transistoren mit hoher Elektronenmobilität (HEMT) beinhalten. Nichtplanare Transistoren können FinFET-Transistoren, wie etwa Doppel-Gate-Transistoren oder Tri-Gate-Transistoren, und Wrap-Around- oder All-Around-Gate-Transistoren, wie etwa Nanoband- und Nanodrahttransistoren, beinhalten.
  • Jeder Transistor 1640 kann ein Gate 1622 beinhalten, das aus wenigstens zwei Schichten, einem Gate-Dielektrikum und einer Gate-Elektrode, gebildet ist. Das Gate-Dielektrikum kann eine Schicht oder einen Stapel von Schichten beinhalten. Die eine oder die mehreren Schichten können Siliciumoxid, Siliciumdioxid, Siliciumcarbid und/oder ein High-k-Dielektrikum-Material beinhalten. Das High-k-Dielektrikum-Material kann Elemente, wie etwa Hafnium, Silicium, Sauerstoff, Titan, Tantal, Lanthan, Aluminium, Zirconium, Barium, Strontium, Yttrium, Blei, Scandium, Niob und Zink, beinhalten. Beispiele für High-k-Materialien, die in dem Gate-Dielektrikum verwendet werden können, beinhalten unter anderem Hafniumoxid, Hafniumsiliciumoxid, Lanthanoxid, Lanthanaluminiumoxid, Zirconiumoxid, Zirconiumsiliciumoxid, Tantaloxid, Titanoxid, Bariumstrontiumtitanoxid, Bariumtitanoxid, Strontiumtitanoxid, Yttriumoxid, Aluminiumoxid, Bleiscandiumtantaloxid und Bleizinkniobat. Bei manchen Ausführungsformen kann ein Temperprozess an dem Gate-Dielektrikum ausgeführt werden, um dessen Qualität zu verbessern, wenn ein High-k-Material verwendet wird.
  • Die Gate-Elektrode kann auf dem Gate-Dielektrikum gebildet werden und kann in Abhängigkeit davon, ob der Transistor 1640 ein p-Typ-Metall-Oxid-Halbleiter(PMOS)- oderein n-Typ-Metall-Oxid-Halbleiter(NMOS)-Transistor sein soll, wenigstens ein p-Typ-Austrittsarbeit-Metall oder n-Typ-Austrittsarbeit-Metall beinhalten. Bei manchen Implementierungen kann die Gate-Elektrode aus einem Stapel von zwei oder mehr Metallschichten bestehen, wobei eine oder mehrere Metallschichten Austrittsarbeitsmetallschichten sind, und wenigstens eine Metallschicht eine Füllmetallschicht ist. Weitere Metallschichten können für andere Zwecke, wie etwa als eine Barriereschicht, enthalten sein. Für einen PMOS-Transistor beinhalten Metalle, die für die Gate-Elektrode verwendet werden können, unter anderem Ruthenium, Palladium, Platin, Kobalt, Nickel, leitfähige Metalloxide (z. B. Rutheniumoxid) und beliebige der unten unter Bezugnahme auf einen NMOS-Transistor (z. B. für Austrittsarbeitsabstimmung) besprochenen Metalle. Für einen NMOS-Transistor beinhalten Metalle, die für die Gate-Elektrode verwendet werden können, unter anderem, Hafnium, Zirconium, Titan, Tantal, Aluminium, Legierungen dieser Metalle, Carbide dieser Metalle (z. B. Hafniumcarbid, Zirconiumcarbid, Titancarbid, Tantalcarbid und Aluminiumcarbid) und beliebige deroben unter Bezugnahme auf einen PMOS-Transistor (z. B. zur Austrittsarbeitsabstimmung) besprochenen Metalle.
  • Bei manchen Ausführungsformen, wenn als ein Querschnitt des Transistors 1640 entlang der Source-Kanal-Drain-Richtung betrachtet, kann die Gate-Elektrode aus einer U-förmigen Struktur bestehen, die einen unteren Abschnitt, der im Wesentlichen parallel zu der Oberfläche des Substrats ist, und zwei Seitenwandabschnitte beinhaltet, die im Wesentlichen senkrecht zu der oberen Oberfläche des Substrats sind. Bei anderen Ausführungsformen kann wenigstens eine der Metallschichten, die die Gate-Elektrode bilden, einfach eine planare Schicht sein, die im Wesentlichen parallel zu der oberen Oberfläche des Substrats ist und keine Seitenwandabschnitte beinhaltet, die im Wesentlichen senkrecht zu der oberen Oberfläche des Substrats sind. Bei anderen Ausführungsformen kann die Gate-Elektrode aus einer Kombination von U-förmigen Strukturen und planaren nicht U-förmigen Strukturen bestehen. Zum Beispiel kann die Gate-Elektrode aus einer oder mehreren U-förmigen Metallschichten bestehen, die oben auf einer oder mehreren planaren, nicht U-förmigen Schichten gebildet sind.
  • Bei manchen Ausführungsformen kann ein Paar von Seitenwandabstandhaltem an gegenüberliegenden Seiten des Gate-Stapels gebildet sein, um den Gate-Stapel einzuklammem. Die Seitenwandabstandhalter können aus Materialien, wie etwa Siliciumnitrid, Siliciumoxid, Siliciumcarbid, mit Kohlenstoff dotiertem Siliciumnitrid und Siliciumoxinitrid, gebildet sein. Prozesse zum Bilden von Seitenwandabstandshaltern sind in der Technik wohlbekannt und beinhalten allgemein Abscheidungs- und Ätzprozessschritte. Bei manchen Ausführungsformen können mehrere Abstandhalterpaare verwendet werden; beispielsweise können zwei Paare, drei Paare oder vier Paare von Seitenwandabstandhaltern auf gegenüberliegenden Seiten des Gate-Stapels gebildet sein.
  • Die S/D-Gebiete 1620 können in dem Substrat 1602 angrenzend an das Gate 1622 jedes Transistors 1640 gebildet sein. Die S/D-Gebiete 1620 können zum Beispiel unter Verwendung eines Implantation/Diffusions-Prozesses oder eines Ätzung/Abscheidung-Prozesses gebildet werden. Bei dem erstgenannten Prozess können Dotierstoffe, wie etwa Bor, Aluminium, Antimon, Phosphor oder Arsen, in das Substrat 1602 ionenimplantiert werden, um die S/D-Gebiete 1620 zu bilden. Ein Temperprozess, der die Dotierstoffe aktiviert und bewirkt, dass sie weiter in das Substrat 1602 hinein diffundieren, kann auf den Ionenimplantationsprozess folgen. In dem letztgenannten Prozess kann das Substrat 1602 zuerst geätzt werden, um Hohlräume an den Stellen der S/D-Gebiete 1620 zu bilden. Ein epitaktischer Abscheidungsprozess kann dann ausgeführt werden, um die Hohlräume mit einem Material zu füllen, das zum Fertigen der S/D-Gebiete 1620 verwendet wird. Bei manchen Implementierungen können die S/D-Gebiete 1620 unter Verwendung einer Siliciumlegierung, wie etwa Siliciumgermanium oder Siliciumcarbid, gefertigt werden. Bei manchen Ausführungsformen kann die epitaktisch abgeschiedene Siliciumlegierung in situ mit Dotierungsstoffen, wie etwa Bor, Arsen oder Phosphor, dotiert werden. Bei manchen Ausführungsformen können die S/D-Gebiete 1620 unter Verwendung eines oder mehrerer alternativer Halbleitermaterialien, wie etwa Germanium oder eines Gruppe-III-V-Materials oder einer Gruppe-III-V-Legierung, gebildet werden. Bei weiteren Ausführungsformen können eine oder mehrere Schichten aus Metall und/oder Metalllegierungen verwendet werden, um die S/D-Gebiete 1620 zu bilden.
  • Elektrische Signale, wie etwa Leistungs- und/oder Eingabe-/Ausgabe(E/A)-Signale, können an und/oder von den Vorrichtungen (z. B. den Transistoren 1640) der Vorrichtungsschicht 1604 durch eine oder mehrere Zwischenverbindungsschichten geleitet werden, die auf der Vorrichtungsschicht 1604 (veranschaulicht in 4 als Zwischenverbindungsschichten 1606-1610) angeordnet sind. Zum Beispiel können elektrisch leitfähige Merkmale der Vorrichtungsschicht 1604 (z. B. das Gate 1622 und die S/D-Kontakte 1624) elektrisch mit den Zwischenverbindungsstrukturen 1628 der Zwischenverbindungsschichten 1606-1610 gekoppelt sein. Die eine oder mehreren Zwischenverbindungsschichten 1606-1610 können einen Metallisierungsstapel (auch als ein „ILD-Stapel“ bezeichnet) 1619 der IC-Vorrichtung 1600 bilden.
  • Die Zwischenverbindungsstrukturen 1628 können innerhalb der Zwischenverbindungsschichten 1606-1610 angeordnet sein, um elektrische Signale gemäß einer großen Vielfalt von Gestaltungen zu führen (insbesondere ist die Anordnung nicht auf die in 4 dargestellte spezielle Konfiguration von Zwischenverbindungsstrukturen 1628 beschränkt). Obwohl eine bestimmte Anzahl an Zwischenverbindungsschichten 1606-1610 in 4 dargestellt ist, beinhalten Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung IC-Vorrichtungen mit mehr oderweniger Zwischenverbindungsschichten als dargestellt.
  • Bei manchen Ausführungsformen können die Zwischenverbindungsstrukturen 1628 Leitungen 1628a und/oder Vias 1628b beinhalten, die mit einem elektrisch leitfähigen Material, wie etwa einem Metall, gefüllt sind. Die Leitungen 1628a können so angeordnet sein, dass sie elektrische Signale in einer Richtung einer Ebene leiten, die im Wesentlichen parallel zu einer Oberfläche des Substrats 1602 ist, auf dem die Vorrichtungsschicht 1604 gebildet ist. Zum Beispiel können die Leitungen 1628a elektrische Signale in eine Richtung in die Seite hinein und aus der Seite heraus von der Perspektive in 4 aus gesehen führen. Die Vias 1628b können so angeordnet sein, dass sie elektrische Signale in einer Richtung einer Ebene leiten, die im Wesentlichen senkrecht zu der Oberfläche des Substrats 1602 ist, auf dem die Vorrichtungsschicht 1604 gebildet ist. Bei manchen Ausführungsformen können die Vias 1628b Leitungen 1628a unterschiedlicher Zwischenverbindungsschichten 1606-1610 elektrisch miteinander koppeln.
  • Die Zwischenverbindungsschichten 1606-1610 können ein dielektrisches Material 1626 beinhalten, das zwischen den Zwischenverbindungsstrukturen 1628 angeordnet ist, wie in 4 gezeigt ist. Bei manchen Ausführungsformen kann das zwischen den Zwischenverbindungsstrukturen 1628 in unterschiedlichen der Zwischenverbindungsschichten 1606-1610 angeordnete dielektrische Material 1626 unterschiedliche Zusammensetzungen aufweisen; bei anderen Ausführungsformen kann die Zusammensetzung des dielektrischen Materials 1626 zwischen unterschiedlichen Zwischenverbindungsschichten 1606-1610 gleich sein.
  • Eine erste Zwischenverbindungsschicht 1606 kann oberhalb der Vorrichtungsschicht 1604 gebildet werden. Bei manchen Ausführungsformen kann die erste Zwischenverbindungsschicht 1606 Leitungen 1628a und/oder Vias 1628b aufweisen, wie gezeigt ist. Die Leitungen 1628a der ersten Zwischenverbindungsschicht 1606 können mit Kontakten (z. B. den S/D-Kontakten 1624) der Vorrichtungsschicht 1604 gekoppelt sein.
  • Eine zweite Zwischenverbindungsschicht 1608 kann oberhalb der ersten Zwischenverbindungsschicht 1606 gebildet werden. Bei manchen Ausführungsformen kann die zweite Zwischenverbindungsschicht 1608 Vias 1628b beinhalten, um die Leitungen 1628a der zweiten Zwischenverbindungsschicht 1608 mit den Leitungen 1628a der ersten Zwischenverbindungsschicht 1606 zu koppeln. Obwohl die Leitungen 1628a und die Vias 1628b der Klarheit halber mit einer Linie in jeder Zwischenverbindungsschicht (z. B. in der zweiten Zwischenverbindungsschicht 1608) strukturell umrissen sind, können die Leitungen 1628a und die Vias 1628b bei manchen Ausführungsformen strukturell und/oder materiell zusammenhängend (z. B. gleichzeitig während eines Dual-Damascene-Prozesses gefüllt) sein.
  • Eine dritte Zwischenverbindungsschicht 1610 (und bei Bedarf zusätzliche Zwischenverbindungsschichten) kann in Folge auf der zweiten Zwischenverbindungsschicht 1608 gemäß ähnlichen Techniken und Konfigurationen, die in Verbindung mit der zweiten Zwischenverbindungsschicht 1608 oder der ersten Zwischenverbindungsschicht 1606 beschrieben sind, gebildet werden. Bei manchen Ausführungsformen können die Zwischenverbindungsschichten, die sich „weiter oben“ in dem Metallisierungsstapel 1619 in der IC-Vorrichtung 1600 befinden (d. h. weiter von der Vorrichtungsschicht 1604 entfernt), dicker sein.
  • Die IC-Vorrichtung 1600 kann ein Lötstoppmaterial 1634 beinhalten (z. B. Polyimid oder ein ähnliches Material) und einen oder mehrere leitfähige Kontakte 1636 beinhalten, die auf den Zwischenverbindungsschichten 1606-1610 gebildet sind. In 4 sind die leitfähigen Kontakte 1636 als die Form von Bondpads annehmend veranschaulicht. Die leitfähigen Kontakte 1636 können elektrisch mit den Zwischenverbindungsstrukturen 1628 gekoppelt und dazu konfiguriert sein, die elektrischen Signale des (der) Transistors (Transistoren) 1640 zu anderen externen Vorrichtungen zu führen. Zum Beispiel können auf dem einen oder den mehreren leitfähigen Kontakten 1636 Lötverbindungen gebildet sein, um einen Chip, der die IC-Vorrichtung 1600 enthält, mechanisch und/oder elektrisch mit einer anderen Komponente (z. B. einer Leiterplatte) zu koppeln. Die IC-Vorrichtung 1600 kann zusätzliche oder alternative Strukturen aufweisen, um die elektrischen Signale von den Zwischenverbindungsschichten 1606-1610 zu führen; zum Beispiel können die leitfähigen Kontakte 1636 andere analoge Merkmale (z. B. Säulen) beinhalten, die die elektrischen Signale zu externen Komponenten führen.
  • 5 ist eine Seitenquerschnittsansicht eines beispielhaften IC-Gehäuses 1650, das eine oder mehrere IC-Gehäusestützen 100 gemäß beliebigen der hier offenbarten Ausführungsformen beinhalten kann. Zum Beispiel können das Gehäusesubstrat 1652 und/oder der Interposer 1657 eine IC-Gehäusestütze 100 gemäß beliebigen der hier offenbarten Ausführungsformen sein. Bei manchen Ausführungsformen kann das IC-Gehäuse 1650 ein Systemin-Package (SiP) sein.
  • Das Gehäusesubstrat 1652 kann aus einem dielektrischen Material (z. B. einer Keramik, einem Aufbaufilm, einem Epoxidfilm mit Füllstoffteilchen darin usw.) gebildet sein und kann leitfähige Pfade aufweisen, die sich durch das dielektrische Material zwischen der Oberfläche 1672 und der Oberfläche 1674 oder zwischen unterschiedlichen Stellen auf der Oberfläche 1672 und/oder zwischen unterschiedlichen Stellen auf der Oberfläche 1674 erstrecken. Diese leitfähigen Pfade können die Form beliebiger der oben unter Bezugnahme auf 4 besprochenen Zwischenverbindungen 1628 annehmen.
  • Das Gehäusesubstrat 1652 kann leitfähige Kontakte 1663 beinhalten, die mit leitfähigen Pfaden 1662 durch das Gehäusesubstrat 1652 gekoppelt sind, wodurch es ermöglicht wird, dass die Schaltungsanordnung innerhalb der Dies 1656 und/oder des Interposers 1657 elektrisch mit verschiedenen der leitfähigen Kontakte 1664 (oder mit anderen nicht gezeigten Vorrichtungen, die in dem Gehäusesubstrat 1652 enthalten sind) gekoppelt wird.
  • Das IC-Gehäuse 1650 kann einen Interposer 1657 beinhalten, der über leitfähige Kontakte 1661 des Interposers 1657, FLI 1665 und die leitfähigen Kontakte 1663 des Gehäusesubstrats 1652 mit dem Gehäusesubstrat 1652 gekoppelt ist. Die in 5 veranschaulichten FLl 1665 sind Lötkontakthügel, aber es können beliebige geeignete FLI 1665 verwendet werden. Bei manchen Ausführungsformen ist möglicherweise kein Interposer 1657 in dem IC-Gehäuse 1650 enthalten; stattdessen können die Dies 1656 durch die FLI 1665 direkt mit den leitfähigen Kontakten 1663 auf der Oberfläche 1672 gekoppelt sein.
  • Das IC-Gehäuse 1650 kann einen oder mehrere Dies 1656 beinhalten, die über leitfähige Kontakte 1654 der Dies 1656, die FLI 1658 und leitfähige Kontakte 1660 des Interposers 1657 mit dem Interposer 1657 gekoppelt sind. Die leitfähigen Kontakte 1660 können mit (nicht gezeigten) leitfähigen Pfaden durch den Interposer 1657 gekoppelt sein, wodurch es ermöglicht wird, dass eine Schaltungsanordnung innerhalb der Dies 1656 elektrisch mit verschiedenen der leitfähigen Kontakte 1661 (oder mit anderen nicht gezeigten Vorrichtungen, die in dem Interposer 1657 enthalten sind) gekoppelt werden. Die in 5 veranschaulichten FLI 1658 sind Lötkontakthügel, aber es können beliebige geeignete FLI 1658 verwendet werden. Wie hier verwendet, kann ein „Ieitfähiger Kontakt“ auf einen Teil eines leitfähigen Materials (z. B. Metall) verweisen, der als eine Schnittstelle zwischen unterschiedlichen Komponenten dient; leitfähige Kontakte können vertieft sein in, bündig sein mit oder sich von einer Oberfläche einer Komponente weg erstrecken und können eine beliebige geeignete Form (z. B. ein leitfähiges Pad oder ein Sockel) annehmen.
  • Bei manchen Ausführungsformen kann ein Unterfüllungsmaterial 1666 zwischen dem Gehäusesubstrat 1652 und dem Interposer 1657 um die FLI 1665 herum angeordnet sein und eine Vergussmasse 1668 kann um die Dies 1656 und den Interposer 1657 herum und in Kontakt mit dem Gehäusesubstrat 1652 angeordnet sein. Bei manchen Ausführungsformen kann das Unterfüllungsmaterial 1666 das gleiche wie die Vergussmasse 1668 sein. Beispielhafte Materialien, die für das Unterfüllungsmaterial 1666 und die Vergussmasse 1668 verwendet werden können, sind geeignete Epoxidvergussmaterialien. SLI 1670 können mit den leitfähigen Kontakten 1664 gekoppelt sein. Die SLI 1670, die in 5 veranschaulicht sind, sind Lötkugeln (z. B. für eine Kugelgitterarray(BGA)-Anordnung), aber es können beliebige geeignete SLI 16770 verwendet werden (z. B. Stifte in einer Stiftgitterarray-Anordnung oder Kontaktflecken in einer Kontaktfleckgitterarray-Anordnung). Die SLI 1670 können verwendet werden, um das IC-Gehäuse 1650 mit einer anderen Komponente, wie etwa einer Leiterplatte (z. B. einer Hauptplatine), einem Interposer odereinem anderen IC-Gehäuse zu koppeln, wie dies in der Technik bekannt ist und nachstehend unter Bezugnahme auf 6 besprochen wird.
  • Die Dies 1656 können die Form beliebigerder Ausführungsformen der Dies 1502 annehmen, die hier besprochen sind (z. B. können sie beliebige der Ausführungsformen der IC-Vorrichtung 1600 beinhalten). Bei Ausführungsformen, bei denen das IC-Gehäuse 1650 mehrere Dies 1656 beinhaltet, kann das IC-Gehäuse 1650 als ein Mehrfachchipgehäuse (MCP: Multi-Chip Package) bezeichnet werden. Die Dies 1656 können eine Schaltungsanordnung zum Durchführen einer beliebigen gewünschten Funktionalität beinhalten. Zum Beispiel können ein oder mehrere der Dies 1656 Logik-Dies (z. B. siliciumbasierte Dies) sein oder können ein oder mehrere der Dies 1656 Speicher-Dies (z. B. Speicher mit hoher Bandbreite) sein.
  • Obwohl das in 5 veranschaulichte IC-Gehäuse 1650 ein Flip-Chip-Gehäuse ist, können andere Gehäusearchitekturen verwendet werden. Zum Beispiel kann das IC-Gehäuse 1650 ein BGA-Gehäuse sein, wie etwa ein eWLB-Gehäuse (eWLB: Embedded Wafer-Level Ball Grid Array - eingebettete Waferebene-Kugelgitteranordnung). Bei einem anderen Beispiel kann das IC-Gehäuse 1650 ein WLCSP (WLCSP: Wafer-Level Chip Scale Package) oder ein Panel-Fanout(FO)-Gehäuse sein. Obwohl zwei Dies 1656 in dem IC-Gehäuse 1650 aus 5 veranschaulicht sind, kann ein IC-Gehäuse 1650 eine beliebige gewünschte Anzahl an Dies 1656 beinhalten. Ein IC-Gehäuse 1650 kann zusätzliche passive Komponenten beinhalten, wie etwa oberflächenmontierte Widerstände, Kondensatoren und Induktivitäten, die auf der ersten Oberfläche 1672 oder der zweiten Oberfläche 1674 des Gehäusesubstrats 1652 oder auf einer Oberfläche des Interposers 1657 angeordnet sind. Allgemeiner kann ein IC-Gehäuse 1650 beliebige andere aktive oder passive Komponenten beinhalten, die in der Technik bekannt sind.
  • 6 ist eine Seitenquerschnittsansicht einer IC-Vorrichtungsbaugruppe 1700, die eine oder mehrere IC-Gehäusestützen 100 gemäß beliebigen der hier offenbarten Ausführungsformen beinhalten kann. Die IC-Vorrichtungsbaugruppe 1700 beinhaltet eine Anzahl an Komponenten, die auf einer Leiterplatte 1702 (die z. B. eine Hauptplatine sein kann) angeordnet sind. Die IC-Vorrichtungsbaugruppe 1700 beinhaltet Komponenten, die auf einer ersten Oberfläche 1740 der Leiterplatte 1702 und auf einer gegenüberliegenden zweiten Oberfläche 1742 der Leiterplatte 1702 angeordnet sind; allgemein können Komponenten auf einer oder beiden Oberflächen 1740 und 1742 angeordnet sein. Jedes der unten unter Bezugnahme auf die IC-Vorrichtungsbaugruppe 1700 besprochenen IC-Gehäuse kann die Form einer beliebigen der oben unter Bezugnahme auf 5 besprochenen Ausführungsformen des IC-Gehäuses 1650 annehmen (kann z. B. eine oder mehrere IC-Gehäusestützen 100 als ein Gehäusesubstrat 1652 oder ein Interposer 1657 beinhalten).
  • Bei manchen Ausführungsformen kann die Leiterplatte 1702 eine gedruckte Leiterplatte (PCB: Printed Circuit Board) sein, die mehrere Metallschichten beinhaltet, die durch Schichten aus dielektrischem Material voneinander getrennt und durch elektrisch leitfähige Vias miteinander verbunden sind. Eine oder mehrere beliebige der Metallschichten können in einem gewünschten Schaltkreismuster gebildet werden, um elektrische Signale (optional in Verbindung mit anderen Metallschichten) zwischen mit der Leiterplatte 1702 gekoppelten Komponenten zu führen. Bei manchen Ausführungsformen kann die Leiterplatte 1702 ein Nicht-PCB-Substrat sein.
  • Die in 6 veranschaulichte IC-Vorrichtungsbaugruppe 1700 beinhaltet eine Gehäuse-auf-Interposer-Struktur 1736, die durch Kopplungskomponenten 1716 mit der ersten Oberfläche 1740 der Leiterplatte 1702 gekoppelt ist. Die Kopplungskomponenten 1716 können die Gehäuse-auf-Interposer-Struktur 1736 elektrisch und mechanisch mit der Leiterplatte 1702 koppeln und können Lötkugeln (wie in 6 gezeigt), männliche und weibliche Teile eines Sockels, einen Haftstoff, ein Unterfüllungsmaterial und/oder eine beliebige andere geeignete elektrische und/oder mechanische Kopplungsstruktur beinhalten.
  • Die Gehäuse-auf-Interposer-Struktur 1736 kann ein IC-Gehäuse 1720 beinhalten, das durch Kopplungskomponenten 1718 mit einem Gehäuse-Interposer 1704 gekoppelt ist. Die Kopplungskomponenten 1718 können eine beliebige für die Anwendung geeignete Form annehmen, wie etwa die oben unter Bezugnahme auf die Kopplungskomponenten 1716 besprochenen Formen. Obwohl ein einziges IC-Gehäuse 1720 in 6 gezeigt ist, können mehrere IC-Gehäuse mit dem Gehäuse-Interposer 1704 gekoppelt sein; tatsächlich können zusätzliche Interposer mit dem Gehäuse-Interposer 1704 gekoppelt sein. Der Gehäuse-Interposer 1704 kann ein dazwischenliegendes Substrat bereitstellen, das eine Brücke zwischen der Leiterplatte 1702 und dem IC-Gehäuse 1720 bildet. Das IC-Gehäuse 1720 kann zum Beispiel ein Die (der Die 1502 aus 3), eine IC-Vorrichtung (z. B. die IC-Vorrichtung 1600 von 4) oder eine beliebige andere geeignete Komponente sein oder diese beinhalten. Allgemein kann der Gehäuse-Interposer 1704 eine Verbindung auf ein größeres Rastermaß spreizen oder eine Verbindung zu einer anderen Verbindung umleiten. Zum Beispiel kann der Gehäuse-Interposer 1704 das IC-Gehäuse 1720 (z. B. einen Die) mit einem Satz von leitfähigen BGA-Kontakten der Kopplungskomponenten 1716 zum Koppeln mit der Leiterplatte 1702 koppeln. Bei der in 6 veranschaulichten Ausführungsform sind das IC-Gehäuse 1720 und die Leiterplatte 1702 an gegenüberliegenden Seiten des Gehäuse-Interposers 1704 angebracht; bei anderen Ausführungsformen können das IC-Gehäuse 1720 und die Leiterplatte 1702 an einer gleichen Seite des Gehäuse-Interposers 1704 angebracht sein. Bei manchen Ausführungsformen können drei oder mehr Komponenten mittels des Gehäuse-Interposers 1704 miteinander verbunden sein.
  • Bei manchen Ausführungsformen kann der Gehäuse-Interposer 1704 als eine gedruckte Leiterplatte gebildet sein, die mehrere Metallschichten beinhaltet, die durch Schichten aus dielektrischem Material voneinander getrennt sind und durch elektrisch leitfähige Vias miteinander verbunden sind. Bei manchen Ausführungsformen kann der Gehäuse-Interposer 1704 aus einem Epoxidharz, einem glasfaserverstärkten Epoxidharz, einem Epoxidharz mit anorganischen Füllstoffen, einem keramischen Material oder einem Polymermaterial, wie etwa Polyimid, gebildet sein. Bei manchen Ausführungsformen kann der Gehäuse-Interposer 1704 aus alternativen starren oder flexiblen Materialien gebildet sein, die die gleichen oben zur Verwendung in einem Halbleitersubstrat beschriebenen Materialien beinhalten können, wie etwa Silicium, Germanium und andere Gruppe-III-V- und Gruppe-IV-Materialien. Der Gehäuse-Interposer 1704 kann Metallzwischenverbindungen 1708 und Vias 1710 beinhalten, einschließlich unter anderem Siliciumdurchkontaktierungen (TSV-Through-Silicon Vias) 1706. Der Gehäuse-Interposer 1704 kann ferner eingebettete Vorrichtungen 1714 beinhalten, die sowohl passive als auch aktive Vorrichtungen beinhalten. Solche Vorrichtungen können unter anderem Kondensatoren, Entkopplungskondensatoren, Widerstände, Induktivitäten, Sicherungen, Dioden, Transformatoren, Sensoren, Elektrostatische-Entladung(ESD: Electrostatic Discharge)-Vorrichtungen und Speichervorrichtungen beinhalten. Komplexere Vorrichtungen, wie beispielsweise Hochfrequenzvorrichtungen, Leistungsverstärker, Leistungsverwaltungsvorrichtungen, Antennen, Arrays, Sensoren und Mikroelektromechanisches-System(MEMS)-Vorrichtungen, können auch auf dem Gehäuse-Interposer 1704 gebildet werden. Die Gehäuse-auf-Interposer-Struktur 1736 kann die Form beliebiger in der Technik bekannter Gehäuse-auf-Interposer-Strukturen annehmen.
  • Die IC-Vorrichtungsbaugruppe 1700 kann ein IC-Gehäuse 1724 beinhalten, das durch Kopplungskomponenten 1722 mit der ersten Oberfläche 1740 der Leiterplatte 1702 gekoppelt ist. Die Kopplungskomponenten 1722 können die Form beliebiger der oben unter Bezugnahme auf die Kopplungskomponenten 1716 besprochenen Ausführungsformen annehmen und das IC-Gehäuse 1724 kann die Form beliebiger der oben unter Bezugnahme auf das IC-Gehäuse 1720 besprochenen Ausführungsformen annehmen.
  • Die in 6 veranschaulichte IC-Vorrichtungsbaugruppe 1700 beinhaltet eine Gehäuse-auf-Gehäuse-Struktur 1734, die durch Kopplungskomponenten 1728 mit der zweiten Oberfläche 1742 der Leiterplatte 1702 gekoppelt ist. Die Gehäuse-auf-Gehäuse-Struktur 1734 kann ein IC-Gehäuse 1726 und ein IC-Gehäuse 1732 beinhalten, die durch Kopplungskomponenten 1730 so miteinandergekoppelt sind, dass das IC-Gehäuse 1726 zwischen der Leiterplatte 1702 und dem IC-Gehäuse 1732 angeordnet ist. Die Kopplungskomponenten 1728 und 1730 können die Form beliebiger Ausführungsformen der oben besprochenen Kopplungskomponenten 1716 annehmen und die IC-Gehäuse 1726 und 1732 können die Form beliebiger Ausführungsformen des oben besprochenen IC-Gehäuses 1720 annehmen. Die Gehäuse-auf-Gehäuse-Struktur 1734 kann gemäß beliebiger in der Technik bekannter Gehäuse-auf-Gehäuse-Strukturen konfiguriert sein.
  • 7 ist ein Blockdiagramm einer beispielhaften elektrischen Vorrichtung 1800, die eine oder mehrere IC-Gehäusestützen 100 gemäß beliebigen der hier offenbarten Ausführungsformen beinhalten kann. Beliebige geeignete der Komponenten der elektrischen Vorrichtung 1800 können ein oder mehrere der hier offenbarten IC-Vorrichtungsbaugruppen 1700, IC-Gehäuse 1650, IC-Vorrichtungen 1600 oder Dies 1502 enthalten. Eine Anzahl an Komponenten ist in 7 als in der elektrischen Vorrichtung 1800 enthaltend veranschaulicht, eine oder mehrere beliebige dieser Komponenten können jedoch weggelassen oder dupliziert werden, wie für die Anwendung geeignet. Bei manchen Ausführungsformen können manche oder alle der Komponenten, die in der elektrischen Vorrichtung 1800 enthalten sind, an einer oder mehreren Hauptplatinen befestigt sein. Bei manchen Ausführungsformen können manche oder alle dieser Komponenten auf einem einzigen System-auf-Chip(SoC: System-on-Chip)-Die gefertigt werden.
  • Zusätzlich dazu wird die elektrische Vorrichtung 1800 bei verschiedenen Ausführungsformen möglicherweise keine der einen oder mehreren der in 7 veranschaulichten Komponenten enthalten, sondern kann die elektrische Vorrichtung 1800 eine Schnittstellenschaltungsanordnung zum Koppeln mit der einen oder den mehreren Komponenten aufweisen. Zum Beispiel wird die elektrische Vorrichtung 1800 möglicherweise keine Anzeigevorrichtung 1806 beinhalten, sondern kann eine Anzeigevorrichtungsschnittstellenschaltungsanordnung (z. B. einen Verbinder und eine Treiberschaltungsanordnung) aufweisen, mit der eine Anzeigevorrichtung 1806 gekoppelt sein kann. In einem anderen Satz von Beispielen wird die elektrische Vorrichtung 1800 möglicherweise keine Audioeingabevorrichtung 1824 oder keine Audioausgabevorrichtung 1808 beinhalten, sondern kann eine Audioeingabe- oder -ausgabevorrichtungsschnittstellenschaltungsanordnung (z. B. Verbinder und eine Unterstützungsschaltungsanordnung) aufweisen, mit der eine Audioeingabevorrichtung 1824 oder eine Audioausgabevorrichtung 1808 gekoppelt sein kann.
  • Die elektrische Vorrichtung 1800 kann eine Verarbeitungsvorrichtung 1802 (z. B. eine oder mehrere Verarbeitungsvorrichtungen) beinhalten. Wie hier verwendet, kann der Ausdruck „Verarbeitungsvorrichtung“ oder „Prozessor“ auf eine beliebige Vorrichtung oder einen beliebigen Teil einer Vorrichtung verweisen, die bzw. der elektronische Daten aus Registern und/oder einem Speicher verarbeitet, um diese elektronischen Daten in andere elektronische Daten zu transformieren, die in Registern und/oder einem Speicher gespeichert werden können. Die Verarbeitungsvorrichtung 1802 kann einen oder mehrere Digitalsignalprozessoren (DSPs), anwendungsspezifische integrierte Schaltkreise (ASICs: Application-Specific Integrated Circuits), zentrale Verarbeitungseinheiten (CPUs: Central Processing Units), Grafikverarbeitungseinheiten (GPUs: Graphics Processing Units), Kryptoprozessoren (spezialisierte Prozessoren, die kryptografische Algorithmen in Hardware ausführen), Serverprozessoren oder beliebige andere geeignete Verarbeitungsvorrichtungen beinhalten. Die elektrische Vorrichtung 1800 kann einen Speicher 1804 aufweisen, welcher selbst eine oder mehrere Speichervorrichtungen aufweisen kann, wie etwa flüchtigen Speicher (z. B. dynamischen Direktzugriffsspeicher (DRAM)), nichtflüchtigen Speicher (z. B. Nurlesespeicher (ROM)), Flash-Speicher, Festkörperspeicher und/oder eine Festplatte. Bei manchen Ausführungsformen kann der Speicher 1804 einen Speicher, der einen Die mit der Verarbeitungsvorrichtung 1802 teilt, beinhalten. Dieser Speicher kann als Cache-Speicher verwendet werden und kann einen eingebetteten dynamischen Direktzugriffsspeicher (eDRAM) oder einen magnetischen Spintransferdrehmoment-Direktzugriffsspeicher (STT-MRAM) beinhalten.
  • Bei manchen Ausführungsformen kann die elektrische Vorrichtung 1800 einen Kommunikationschip 1812 (z. B. einen oder mehrere Kommunikationschips) beinhalten. Zum Beispiel kann der Kommunikationschip 1812 für das Verwalten von drahtlosen Kommunikationen für die Übertragung von Daten zu und von der elektrischen Vorrichtung 1800 konfiguriert sein. Der Ausdruck „drahtlos“ und seine Ableitungen können verwendet werden, um Schaltkreise, Vorrichtungen, Systeme, Verfahren, Techniken, Kommunikationskanäle usw. zu beschreiben, die durch die Verwendung von modulierter elektromagnetischer Strahlung durch ein nichtfestes Medium Daten kommunizieren können. Der Ausdruck impliziert nicht, dass die assoziierten Vorrichtungen keinerlei Drähte enthalten, obwohl dies bei manchen Ausführungsformen der Fall sein kann.
  • Der Kommunikationschip 1812 kann beliebige aus einer Anzahl von drahtlosen Standards oder Protokollen implementieren, einschließlich unter anderem Institute-for-Electrical-and-Electronic-Engineers(IEEE)-Standards einschließlich Wi-Fi (IEEE-802.11 -Familie), IEEE-802.16-Standards (z. B. IEEE-802.16-2005-Nachtrag), Long-Term Evolution(LTE)-Project zusammen mit jeglichen Nachträgen, Aktualisierungen und/oder Revisionen (z. B. das Advanced-LTE-Project, das Ultra-Mobile-Broadband(UMB)-Project (auch als „3GPP2“ bezeichnet) usw.). IEEE-802.16-kompatible Broadband-Wireless-Access(BWA)-Netze werden allgemein als WiMAX-Netze bezeichnet, ein Akronym, das für Woridwide Interoperability for Microwave Access steht, einer Zertifikationsmarke für Produkte, die Konformitäts- und Interoperabilitätstests für die IEEE-802.16-Standards bestehen. Der Kommunikationschip 1812 kann gemäß einem Global-System-for-Mobile-Communication(GSM)-, General-Packet-Radio-Service(GPRS)-, Universal-Mobile-Telecommunications-System(UMTS)-, High-Speed-Packet-Access(HSPA)-, Evolved-HSPA(E-HSPA)- oder LTE-Netz arbeiten. Der Kommunikationschip 1812 kann gemäß Enhanced Data for GSM Evolution (EDGE), GSM EDGE Radio Access Network (GERAN), Universal Terrestrial Radio Access Network (UTRAN) oder Evolved UTRAN (E-UTRAN) arbeiten. Der Kommunikationschip 1812 kann gemäß Code Division Multiple Access (CDMA), Time Division Multiple Access (TDMA), Digital Enhanced Cordless Telecommunications (DECT), Evolution-Data Optimized (EV-DO) und Ableitungen davon sowie beliebigen anderen Drahtlosprotokollen, die als 3G, 4G, 5G und darüber hinaus bezeichnet werden, arbeiten. Der Kommunikationschip 1812 kann bei anderen Ausführungsformen gemäß anderen Drahtlosprotokollen arbeiten. Die elektrische Vorrichtung 1800 kann eine Antenne 1822 aufweisen, um drahtlose Kommunikationen zu erleichtern und/oder andere drahtlose Kommunikationen (wie etwa AM- oder FM-Funkübertragungen) zu empfangen.
  • Bei manchen Ausführungsformen kann der Kommunikationschip 1812 drahtgebundene Kommunikationen verwalten, wie etwa elektrische, optische oder beliebige andere geeignete Kommunikationsprotokolle (z. B. das Ethernet). Wie oben erwähnt, kann der Kommunikationschip 1812 mehrere Kommunikationschips beinhalten. Beispielsweise kann ein erster Kommunikationschip 1812 für drahtlose Kommunikationen mit kürzerer Reichweite dediziert sein, wie für etwa WiFi oder Bluetooth, und kann ein zweiter Kommunikationschip 1812 für drahtlose Kommunikationen mit längerer Reichweite dediziert sein, wie etwa für ein globales Positionierungssystem (GPS), EDGE, GPRS, CDMA, WiMAX, LTE, EV-DO oder andere. Bei manchen Ausführungsformen kann ein erster Kommunikationschip 1812 für drahtlose Kommunikationen dediziert sein und kann ein zweiter Kommunikationschip 1812 für drahtgebundene Kommunikationen dediziert sein.
  • Die elektrische Vorrichtung 1800 kann eine Batterie-/Leistungsschaltungsanordnung 1814 aufweisen. Die Batterie-/Leistungsschaltungsanordnung 1814 kann eine oder mehrere Energiespeicherungsvorrichtungen (z. B. Batterien oder Kondensatoren) und/oder eine Schaltungsanordnung zum Koppeln von Komponenten der elektrischen Vorrichtung 1800 mit einer Energiequelle aufweisen, die getrennt von der elektrischen Vorrichtung 1800 ist (z. B. einer AC-Stromleitung).
  • Die elektrische Vorrichtung 1800 kann eine Anzeigevorrichtung 1806 (oder eine entsprechende Schnittstellenschaltungsanordnung, wie oben besprochen) beinhalten. Die Anzeigevorrichtung 1806 kann beliebige optische Indikatoren beinhalten, wie etwa eine Heads-Up-Anzeige, einen Computermonitor, einen Projektor, eine Berührungsbildschirmanzeige, eine Flüssigkristallanzeige (LCD), eine Leuchtdioden-Anzeige oder eine Flachbildschirmanzeige.
  • Die elektrische Vorrichtung 1800 kann eine Audioausgabevorrichtung 1808 (oder eine entsprechende Schnittstellenschaltungsanordnung, wie oben besprochen) beinhalten. Die Audioausgabevorrichtung 1808 kann eine beliebige Vorrichtung aufweisen, die einen akustischen Indikator erzeugt, wie etwa Lautsprecher, Kopfhörer oder Ohrhörer.
  • Die elektrische Vorrichtung 1800 kann eine Audioeingabevorrichtung 1824 (oder eine entsprechende Schnittstellenschaltungsanordnung, wie oben besprochen) beinhalten. Die Audioeingabevorrichtung 1824 kann eine beliebige Vorrichtung beinhalten, die ein Signal erzeugt, das einen Ton repräsentiert, wie etwa Mikrofone, Mikrofonarrays oder digitale Instrumente (z. B. Instrumente mit einem MIDI-Ausgang (MIDI: Musical Instrument Digital Interface - digitale Schnittstelle für Musikinstrumente)).
  • Die elektrische Vorrichtung 1800 kann eine GPS-Vorrichtung 1818 (oder eine entsprechende Schnittstellenschaltungsanordnung, wie oben besprochen) beinhalten. Die GPS-Vorrichtung 1818 kann in Kommunikation mit einem satellitenbasierten System stehen und einen Standort der elektrischen Vorrichtung 1800 empfangen, wie in der Technik bekannt.
  • Die elektrische Vorrichtung 1800 kann eine andere Ausgabevorrichtung 1810 (oder eine entsprechende Schnittstellenschaltungsanordnung, wie oben besprochen) beinhalten. Beispiele für die andere Ausgabevorrichtung 1810 können einen Audiocodec, einen Videocodec, einen Drucker, einen drahtgebundenen oder drahtlosen Sender zum Liefern von Informationen an andere Vorrichtungen oder eine zusätzliche Speicherungsvorrichtung beinhalten.
  • Die elektrische Vorrichtung 1800 kann eine andere Eingabevorrichtung 1820 (oder eine entsprechende Schnittstellenschaltungsanordnung, wie oben besprochen) beinhalten. Beispiele für die andere Eingabevorrichtung 1820 können einen Beschleunigungsmesser, ein Gyroskop, einen Kompass, eine Bilderfassungsvorrichtung, eine Tastatur, eine Cursor-Steuervorrichtung wie etwa eine Maus, einen Stift, ein Berührungsfeld, ein Strichcodelesegerät, ein Quick-Response(QR)-Codelesegerät, einen beliebigen Sensor oder ein Hochfrequenzerkennungs(RFID: Radio Frequency Identification)-Lesegerät beinhalten.
  • Die elektrische Vorrichtung 1800 kann einen beliebigen gewünschten Formfaktor aufweisen, wie etwa eine handgehaltene oder mobile elektrische Vorrichtung (z. B. ein Mobiltelefon, ein Smartphone, eine mobile Internetvorrichtung, einen Musik-Player, einen Tablet-Computer, einen Laptop-Computer, einen Netbook-Computer, einen Ultrabook-Computer, einen persönlichen digitalen Assistenten (PDA), einen ultramobilen Personal-Computer usw.), eine elektrische Desktop-Vorrichtung, eine Server-Vorrichtung oder eine andere vernetzte Rechenkomponente, einen Drucker, einen Scanner, einen Monitor, eine Set-Top-Box, eine Entertainment-Steuereinheit, eine Fahrzeugsteuereinheit, eine digitale Kamera, einen digitalen Videorekorder oder eine elektrische Wearable-Vorrichtung. Bei manchen Ausführungsformen kann die elektrische Vorrichtung 1800 eine beliebige andere elektronische Vorrichtung, die Daten verarbeitet, sein.
  • Die folgenden Absätze stellen verschiedene Beispiele für die hier offenbarten Ausführungsformen bereit.
  • Beispiel 1 ist eine Integrierter-Schaltkreis(IC)-Gehäusestütze, die Folgendes beinhaltet: eine leitfähige Leitung; eine magnetische Struktur um die leitfähige Leitung herum; und Materialstummel auf Seitenflächen der magnetischen Struktur.
  • Beispiel 2 beinhaltet den Gegenstand aus Beispiel 1 und spezifiziert ferner, dass die Materialstummel ein Laserstoppmaterial beinhalten.
  • Beispiel 3 beinhaltet den Gegenstand aus einem der Beispiele 1-2, und spezifiziert ferner, dass die Materialstummel Kupfer beinhalten.
  • Beispiel 4 beinhaltet den Gegenstand aus Beispiel 3 und spezifiziert ferner, dass das Kupfer der Materialstummel eine Dicke zwischen 3 Mikrometer und 12 Mikrometer aufweist.
  • Beispiel 5 beinhaltet den Gegenstand aus einem der Beispiele 3-4, und spezifiziert ferner, dass die Materialstummel Nickel beinhalten.
  • Beispiel 6 beinhaltet den Gegenstand aus Beispiel 5 und spezifiziert ferner, dass das Nickel der Materialstummel eine Dicke zwischen 3 Mikrometer und 10 Mikrometer aufweist.
  • Beispiel 7 beinhaltet den Gegenstand aus einem der Beispiele 5-6, und spezifiziert ferner, dass eine Oberfläche der leitfähigen Leitung koplanar mit einer Oberfläche des Nickels der Materialstummel ist.
  • Beispiel 8 beinhaltet den Gegenstand aus einem der Beispiele 5-7, und spezifiziert ferner, dass eine Ebene des Nickels der Materialstummel zwischen einer Ebene des Kupfers der Materialstummel und einer Ebene der leitfähigen Leitung liegt.
  • Beispiel 9 beinhaltet den Gegenstand aus einem der Beispiele 1-2, und spezifiziert ferner, dass die Materialstummel Nickel beinhalten.
  • Beispiel 10 beinhaltet den Gegenstand aus Beispiel 9 und spezifiziert ferner, dass das Nickel der Materialstummel eine Dicke zwischen 3 Mikrometer und 10 Mikrometer aufweist.
  • Beispiel 11 beinhaltet den Gegenstand aus einem der Beispiele 9-10, und spezifiziert ferner, dass eine Oberfläche der leitfähigen Leitung koplanar mit einer Oberfläche des Nickels der Materialstummel ist.
  • Beispiel 12 beinhaltet den Gegenstand aus einem der Beispiele 1-11, und spezifiziert ferner, dass eine Oberfläche der leitfähigen Leitung koplanar mit einer Oberfläche der Materialstummel ist.
  • Beispiel 13 beinhaltet den Gegenstand aus einem der Beispiele 1-12, und spezifiziert ferner, dass die magnetische Struktur einen ersten Teil und einen zweiten Teil beinhaltet, sich der erste Teil der magnetischen Struktur auf einer oberen Fläche und Seitenflächen der leitfähigen Leitung befindet, sich der zweite Teil der magnetischen Struktur auf einer unteren Fläche der leitfähigen Leitung befindet und der erste Teil eine sich verjüngende Form aufweist, die sich zu der leitfähigen Leitung hin verschmälert.
  • Beispiel 14 beinhaltet den Gegenstand aus Beispiel 13 und spezifiziert ferner, dass der zweite Teil eine sich verjüngende Form aufweist, die sich zu der leitfähigen Leitung hin verschmälert.
  • Beispiel 15 beinhaltet den Gegenstand aus einem der Beispiele 1-14, und spezifiziert ferner, dass die magnetische Struktur eine Höhe zwischen 100 Mikrometer und 200 Mikrometer aufweist.
  • Beispiel 16 beinhaltet den Gegenstand aus einem der Beispiele 1-15, und spezifiziert ferner, dass die leitfähige Leitung eine Dicke zwischen 10 Mikrometer und 40 Mikrometer aufweist.
  • Beispiel 17 beinhaltet den Gegenstand aus einem der Beispiele 1-16, und beinhaltet ferner Folgendes: eine erste Schicht aus dielektrischem Material auf einer ersten Oberfläche der magnetischen Struktur; und eine zweite Schicht aus dielektrischem Material auf einer zweiten Oberfläche der magnetischen Struktur, wobei die zweite Oberfläche der ersten Oberfläche gegenüberliegt.
  • Beispiel 18 beinhaltet den Gegenstand aus einem der Beispiele 1-17, und spezifiziert ferner, dass die magnetische Struktur magnetische Teilchen beinhaltet, die in einer Polymermatrix eingebettet sind.
  • Beispiel 19 beinhaltet den Gegenstand aus einem der Beispiele 1-18, und beinhaltet ferner Folgendes: einen leitfähigen Via, der wenigstens teilweise mit den Materialstummeln koplanar ist, wobei der leitfähige Via in einer Schicht aus dielektrischem Material eingebettet ist und sich zwischen der Oberseite der Schicht aus dielektrischem Material und der Unterseite der Schicht aus dielektrischem Material erstreckt.
  • Beispiel 20 beinhaltet den Gegenstand aus einem der Beispiele 1-19, und beinhaltet ferner Folgendes: einen leitfähigen Via, der wenigstens teilweise koplanar mit der magnetischen Struktur ist, wobei sich der leitfähige Via von einer Oberseite einer Schicht aus dielektrischem Material bis jenseits einer Unterseite der Schicht aus dielektrischem Material erstreckt und sich die Schicht aus dielektrischem Material auf einer Oberfläche der magnetischen Struktur befindet.
  • Beispiel 21 beinhaltet den Gegenstand aus einem der Beispiele 1-20, und spezifiziert ferner, dass die IC-Gehäusestütze ein Gehäusesubstrat ist.
  • Beispiel 22 beinhaltet den Gegenstand aus einem der Beispiele 1-20, und spezifiziert ferner, dass die IC-Gehäusestütze ein Interposer ist.
  • Beispiel 23 beinhaltet den Gegenstand aus einem der Beispiele 1-22, und spezifiziert ferner, dass die leitfähige Leitung und magnetische Struktur Teil einer Induktivität sind.
  • Beispiel 24 beinhaltet den Gegenstand aus Beispiel 23 und spezifiziert ferner, dass die IC-Gehäusestütze mehrere Induktivitäten beinhaltet.
  • Beispiel 25 ist eine Integrierter-Schaltkreis(IC)-Gehäusestütze, die Folgendes beinhaltet: eine leitfähige Leitung; und eine magnetische Struktur um die leitfähige Leitung herum, wobei die magnetische Struktur einen ersten Teil und einen zweiten Teil beinhaltet, sich der erste Teil der magnetischen Struktur auf einer oberen Fläche und Seitenflächen der leitfähigen Leitung befindet, sich der zweite Teil der magnetischen Struktur auf einer unteren Fläche der leitfähigen Leitung befindet, der erste Teil eine sich verjüngende Form aufweist, die sich zu der leitfähigen Leitung hin verschmälert, und der zweite Teil eine sich verjüngende Form aufweist, die sich zu der leitfähigen Leitung hin verschmälert.
  • Beispiel 26 beinhaltet den Gegenstand aus Beispiel 25 und spezifiziert ferner, dass die magnetische Struktur eine Höhe zwischen 100 Mikrometer und 200 Mikrometer aufweist.
  • Beispiel 27 beinhaltet den Gegenstand aus einem der Beispiele 25-26, und spezifiziert ferner, dass die leitfähige Leitung eine Dicke zwischen 10 Mikrometer und 40 Mikrometer aufweist.
  • Beispiel 28 beinhaltet den Gegenstand aus einem der Beispiele 25-27, und beinhaltet ferner Folgendes: eine erste Schicht aus dielektrischem Material auf einer ersten Oberfläche der magnetischen Struktur; und eine zweite Schicht aus dielektrischem Material auf einer zweiten Oberfläche der magnetischen Struktur, wobei die zweite Oberfläche der ersten Oberfläche gegenüberliegt.
  • Beispiel 29 beinhaltet den Gegenstand aus einem der Beispiele 25-28, und spezifiziert ferner, dass die magnetische Struktur magnetische Teilchen beinhaltet, die in einer Polymermatrix eingebettet sind.
  • Beispiel 30 beinhaltet den Gegenstand aus einem der Beispiele 25-29, und beinhaltet ferner Folgendes: einen leitfähigen Via, der wenigstens teilweise mit der magnetischen Struktur koplanar ist, wobei der leitfähige Via in einer Schicht aus dielektrischem Material eingebettet ist und sich zwischen der Oberseite der Schicht aus dielektrischem Material und der Unterseite der Schicht aus dielektrischem Material erstreckt.
  • Beispiel 31 beinhaltet den Gegenstand aus einem der Beispiele 25-30, und beinhaltet ferner Folgendes: einen leitfähigen Via, der wenigstens teilweise koplanar mit der magnetischen Struktur ist, wobei sich der leitfähige Via von einer Oberseite einer Schicht aus dielektrischem Material bis jenseits einer Unterseite der Schicht aus dielektrischem Material erstreckt und sich die Schicht aus dielektrischem Material auf einer Oberfläche der magnetischen Struktur befindet.
  • Beispiel 32 beinhaltet den Gegenstand aus einem der Beispiele 25-31, und spezifiziert ferner, dass die IC-Gehäusestütze ein Gehäusesubstrat ist.
  • Beispiel 33 beinhaltet den Gegenstand aus einem der Beispiele 25-31, und spezifiziert ferner, dass die IC-Gehäusestütze ein Interposer ist.
  • Beispiel 34 beinhaltet den Gegenstand aus einem der Beispiele 25-33, und spezifiziert ferner, dass die leitfähige Leitung und magnetische Struktur Teil einer Induktivität sind.
  • Beispiel 35 beinhaltet den Gegenstand aus Beispiel 34 und spezifiziert ferner, dass die IC-Gehäusestütze mehrere Induktivitäten beinhaltet.
  • Beispiel 36 ist eine Integrierter-Schaltkreis(IC)-Gehäusestütze, die Folgendes beinhaltet: eine leitfähige Leitung; eine magnetische Struktur um die leitfähige Leitung herum; und Kupferteile auf Seitenflächen der magnetischen Struktur.
  • Beispiel 37 beinhaltet den Gegenstand aus Beispiel 36 und spezifiziert ferner, dass die Kupferteile eine Dicke zwischen 3 Mikrometer und 12 Mikrometer aufweisen.
  • Beispiel 38 beinhaltet den Gegenstand aus einem der Beispiele 36-37, und spezifiziert ferner, dass die Kupferteile die magnetische Struktur und ein dielektrisches Material nahe der magnetischen Struktur kontaktieren.
  • Beispiel 39 beinhaltet den Gegenstand aus einem der Beispiele 36-38, und spezifiziert ferner, dass die magnetische Struktur einen ersten Teil und einen zweiten Teil beinhaltet, sich der erste Teil der magnetischen Struktur auf einer oberen Fläche und Seitenflächen der leitfähigen Leitung befindet, sich der zweite Teil der magnetischen Struktur auf einer unteren Fläche der leitfähigen Leitung befindet und der erste Teil eine sich verjüngende Form aufweist, die sich zu der leitfähigen Leitung hin verschmälert.
  • Beispiel 40 beinhaltet den Gegenstand aus Beispiel 39 und spezifiziert ferner, dass der zweite Teil eine sich verjüngende Form aufweist, die sich zu der leitfähigen Leitung hin verschmälert.
  • Beispiel 41 beinhaltet den Gegenstand aus einem der Beispiele 39-40, und spezifiziert ferner, dass die Kupferteile nahe einer Grenzfläche zwischen dem ersten Teil und dem zweiten Teil sind.
  • Beispiel 42 beinhaltet den Gegenstand aus einem der Beispiele 36-41, und spezifiziert ferner, dass die magnetische Struktur eine Höhe zwischen 100 Mikrometer und 200 Mikrometer aufweist.
  • Beispiel 43 beinhaltet den Gegenstand aus einem der Beispiele 36-42, und spezifiziert ferner, dass die leitfähige Leitung eine Dicke zwischen 10 Mikrometer und 40 Mikrometer aufweist.
  • Beispiel 44 beinhaltet den Gegenstand aus einem der Beispiele 36-43, und beinhaltet ferner Folgendes: eine erste Schicht aus dielektrischem Material auf einer ersten Oberfläche der magnetischen Struktur; und eine zweite Schicht aus dielektrischem Material auf einer zweiten Oberfläche der magnetischen Struktur, wobei die zweite Oberfläche der ersten Oberfläche gegenüberliegt.
  • Beispiel 45 beinhaltet den Gegenstand aus einem der Beispiele 36-44, und spezifiziert ferner, dass die magnetische Struktur magnetische Teilchen beinhaltet, die in einer Polymermatrix eingebettet sind.
  • Beispiel 46 beinhaltet den Gegenstand aus einem der Beispiele 36-45, und beinhaltet ferner Folgendes: einen leitfähigen Via, der wenigstens teilweise mit den Kupferteilen koplanar ist, wobei der leitfähige Via in einer Schicht aus dielektrischem Material eingebettet ist und sich zwischen der Oberseite der Schicht aus dielektrischem Material und der Unterseite der Schicht aus dielektrischem Material erstreckt.
  • Beispiel 47 beinhaltet den Gegenstand aus einem der Beispiele 36-46, und beinhaltet ferner Folgendes: einen leitfähigen Via, der wenigstens teilweise koplanar mit der magnetischen Struktur ist, wobei sich der leitfähige Via von einer Oberseite einer Schicht aus dielektrischem Material bis jenseits einer Unterseite der Schicht aus dielektrischem Material erstreckt und sich die Schicht aus dielektrischem Material auf einer Oberfläche der magnetischen Struktur befindet.
  • Beispiel 48 beinhaltet den Gegenstand aus einem der Beispiele 36-47, und spezifiziert ferner, dass die IC-Gehäusestütze ein Gehäusesubstrat ist.
  • Beispiel 49 beinhaltet den Gegenstand aus einem der Beispiele 36-47, und spezifiziert ferner, dass die IC-Gehäusestütze ein Interposer ist.
  • Beispiel 50 beinhaltet den Gegenstand aus einem der Beispiele 36-49, und spezifiziert ferner, dass die leitfähige Leitung und magnetische Struktur Teil einer Induktivität sind.
  • Beispiel 51 beinhaltet den Gegenstand aus Beispiel 50 und spezifiziert ferner, dass die IC-Gehäusestütze mehrere Induktivitäten beinhaltet.
  • Beispiel 52 ist ein Integrierter-Schaltkreis(IC)-Gehäuse, das Folgendes beinhaltet: eine Gehäusestütze gemäß beliebigen der Beispiele 1-51; und einen oder mehrere Dies, die mit der Gehäusestütze gekoppelt sind.
  • Beispiel 53 ist eine Rechenvorrichtung, die Folgendes aufweist: das IC-Gehäuse aus Beispiel 52; und eine Leiterplatte, die mit dem IC-Gehäuse gekoppelt ist.
  • Beispiel 54 beinhaltet den Gegenstand aus Beispiel 53, und beinhaltet femer Folgendes: eine Antenne, die mit der Leiterplatte gekoppelt ist.
  • Beispiel 55 beinhaltet den Gegenstand aus einem der Beispiele 53-54, und beinhaltet ferner Folgendes: eine Berührungsanzeige, die mit der Leiterplatte gekoppelt ist.
  • Beispiel 56 ist ein Verfahren, das beliebige der hier offenbarten Herstellungsverfahren beinhaltet.

Claims (20)

  1. Integrierter-Schaltkreis(IC)-Gehäusestütze, die Folgendes umfasst: eine leitfähige Leitung; eine magnetische Struktur um die leitfähige Leitung herum; und Materialstummel auf Seitenflächen der magnetischen Struktur.
  2. IC-Gehäusestütze nach Anspruch 1, wobei die Materialstummelein Laserstoppmaterial beinhalten.
  3. IC-Gehäusestütze nach Anspruch 1, wobei die Materialstummel Kupfer beinhalten.
  4. IC-Gehäusestütze nach Anspruch 3, wobei die Materialstummel Nickel beinhalten.
  5. IC-Gehäusestütze nach Anspruch 4, wobei eine Oberfläche der leitfähigen Leitung koplanar mit einer Oberfläche des Nickels der Materialstummel ist.
  6. IC-Gehäusestütze nach Anspruch 4, wobei eine Ebene des Nickels der Materialstummel zwischen einer Ebene des Kupfers der Materialstummel und einer Ebene der leitfähigen Leitung liegt.
  7. IC-Gehäusestütze nach Anspruch 1, wobei die Materialstummel Nickel beinhalten.
  8. IC-Gehäusestütze nach Anspruch 7, wobei eine Oberfläche der leitfähigen Leitung koplanar mit einer Oberfläche des Nickels der Materialstummel ist.
  9. IC-Gehäusestütze nach einem der Ansprüche 1-8, wobei eine Oberfläche der leitfähigen Leitung koplanar mit einer Oberfläche der Materialstummel ist.
  10. IC-Gehäusestütze nach einem der Ansprüche 1-8, wobei die magnetische Struktur einen ersten Teil und einen zweiten Teil beinhaltet, sich der erste Teil der magnetischen Struktur auf einer oberen Fläche und Seitenflächen der leitfähigen Leitung befindet, sich der zweite Teil der magnetischen Struktur auf einer unteren Fläche der leitfähigen Leitung befindet und der erste Teil eine sich verjüngende Form aufweist, die sich zu der leitfähigen Leitung hin verschmälert.
  11. Integrierter-Schaltkreis(IC)-Gehäusestütze, die Folgendes umfasst: eine leitfähige Leitung; und eine magnetische Struktur um die leitfähige Leitung herum, wobei die magnetische Struktur einen ersten Teil und einen zweiten Teil beinhaltet, sich der erste Teil der magnetischen Struktur auf einer oberen Fläche und Seitenflächen der leitfähigen Leitung befindet, sich der zweite Teil der magnetischen Struktur auf einer unteren Fläche der leitfähigen Leitung befindet, der erste Teil eine sich verjüngende Form aufweist, die sich zu der leitfähigen Leitung hin verschmälert, und der zweite Teil eine sich verjüngende Form aufweist, die sich zu der leitfähigen Leitung hin verschmälert.
  12. IC-Gehäusestütze nach Anspruch 11, die ferner Folgendes umfasst: eine erste Schicht aus dielektrischem Material auf einer ersten Oberfläche der magnetischen Struktur; und eine zweite Schicht aus dielektrischem Material auf einer zweiten Oberfläche der magnetischen Struktur, wobei die zweite Oberfläche der ersten Oberfläche gegenüberliegt.
  13. IC-Gehäusestütze nach Anspruch 11, wobei die magnetische Struktur magnetische Teilchen beinhaltet, die in einer Polymermatrix eingebettet sind.
  14. IC-Gehäusestütze nach einem der Ansprüche 11-13, die ferner Folgendes umfasst: einen leitfähigen Via, der wenigstens teilweise mit der magnetischen Struktur koplanar ist, wobei der leitfähige Via in einer Schicht aus dielektrischem Material eingebettet ist und sich zwischen einer Oberseite der Schicht aus dielektrischem Material und einer Unterseite der Schicht aus dielektrischem Material erstreckt.
  15. IC-Gehäusestütze nach einem der Ansprüche 11-13, die ferner Folgendes umfasst: einen leitfähigen Via, der wenigstens teilweise koplanar mit der magnetischen Struktur ist, wobei sich der leitfähige Via von einer Oberseite einer Schicht aus dielektrischem Material bis jenseits einer Unterseite der Schicht aus dielektrischem Material erstreckt und sich die Schicht aus dielektrischem Material auf einer Oberfläche der magnetischen Struktur befindet.
  16. Integrierter-Schaltkreis(IC)-Gehäusestütze, die Folgendes umfasst: eine leitfähige Leitung; eine magnetische Struktur um die leitfähige Leitung herum; und Kupferteile auf Seitenflächen der magnetischen Struktur.
  17. IC-Gehäusestütze nach Anspruch 16, wobei die Kupferteile die magnetische Struktur und ein dielektrisches Material nahe der magnetischen Struktur kontaktieren.
  18. IC-Gehäusestütze nach einem der Ansprüche 16-17, wobei die magnetische Struktur einen ersten Teil und einen zweiten Teil beinhaltet, sich der erste Teil der magnetischen Struktur auf einer oberen Fläche und Seitenflächen der leitfähigen Leitung befindet, sich der zweite Teil der magnetischen Struktur auf einer unteren Fläche der leitfähigen Leitung befindet und der erste Teil eine sich verjüngende Form aufweist, die sich zu der leitfähigen Leitung hin verschmälert.
  19. IC-Gehäusestütze nach Anspruch 18, wobei der zweite Teil eine sich verjüngende Form aufweist, die sich zu der leitfähigen Leitung hin verschmälert.
  20. IC-Gehäusestütze nach Anspruch 18, wobei die Kupferteile nahe einer Grenzfläche zwischen dem ersten Teil und dem zweiten Teil sind.
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