DE102020120322A1 - Anzeigevorrichtung mit einem Substratloch - Google Patents

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DE102020120322A1 DE102020120322.5A DE102020120322A DE102020120322A1 DE 102020120322 A1 DE102020120322 A1 DE 102020120322A1 DE 102020120322 A DE102020120322 A DE 102020120322A DE 102020120322 A1 DE102020120322 A1 DE 102020120322A1
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So-Yeon Je
Ki-Tae Kim
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Abstract

Es wird eine Anzeigevorrichtung geschaffen. Die Anzeigevorrichtung kann ein Substratloch, das ein Vorrichtungssubstrat durchdringt, lichtemittierende Vorrichtungen, die von dem Substratloch entfernt beabstandet sind, und wenigstens eine Trennvorrichtung zwischen dem Substratloch und den lichtemittierenden Vorrichtungen enthalten. Jede der lichtemittierenden Vorrichtungen kann eine lichtemittierende Schicht zwischen einer ersten Elektrode und einer zweiten Elektrode enthalten. Die Trennvorrichtung kann das Substratloch umgeben. Die Trennvorrichtung kann wenigstens eine unterschnittene Struktur enthalten. Die unterschnittene Struktur kann eine Tiefe und eine Länge enthalten, die größer als eine Dicke der lichtemittierenden Schicht sind. Folglich kann in der Anzeigevorrichtung die Beschädigung der lichtemittierenden Vorrichtungen durch äußere Feuchtigkeit, die durch das Substratloch eindringt, verhindert werden.

Description

  • Diese Anmeldung beansprucht die Priorität der Koreanischen Patentanmeldung Nr. 10-2019-00093100 , eingereicht am 31. Juli 2019.
  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Anzeigevorrichtung, die ein Substratloch enthält, das ein Vorrichtungssubstrat durchdringt.
  • Erörterung des Standes der Technik
  • Im Allgemeinen enthält ein elektronisches Gerät, wie z. B. ein Monitor, ein Fernseher, ein Laptop-Computer und eine Digitalkamera, eine Anzeigevorrichtung, um ein Bild zu erzeugen. Die Anzeigevorrichtung kann z. B. lichtemittierende Vorrichtungen enthalten. Jede der lichtemittierenden Vorrichtungen kann Licht emittieren, das eine spezifische Farbe anzeigt. Jede der lichtemittierenden Vorrichtungen kann z. B. eine lichtemittierende Schicht zwischen einer ersten Elektrode und einer zweiten Elektrode enthalten.
  • In der Anzeigevorrichtung kann ein Peripheriegerät, wie z. B. eine Kamera, ein Lautsprecher und ein Sensor, angebracht sein. Die Anzeigevorrichtung kann z. B. ein Substratloch enthalten, das ein Vorrichtungssubstrat durchdringt, das die lichtemittierenden Vorrichtungen trägt. Das Substratloch kann zwischen den lichtemittierenden Vorrichtungen angeordnet sein. Das Peripheriegerät kann in das Substratloch eingesetzt sein.
  • In die Anzeigevorrichtung kann jedoch durch das Substratloch äußere Feuchtigkeit eindringen. Die äußere Feuchtigkeit, die durch das Substratloch eindringt, kann sich durch die lichtemittierende Schicht zu der dem Substratloch benachbarten lichtemittierenden Vorrichtung bewegen. Folglich können in der Anzeigevorrichtung die lichtemittierenden Vorrichtungen, die dem Substratloch benachbart angeordnet sind, aufgrund der durch das Substratloch eindringenden äußeren Feuchtigkeit beschädigt werden.
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Entsprechend ist die vorliegende Erfindung auf eine Anzeigevorrichtung gerichtet, die ein oder mehrere Probleme aufgrund der Einschränkungen und Nachteile des Standes der Technik im Wesentlichen vermeidet.
  • Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Anzeigevorrichtung zu schaffen, die die Beschädigung der lichtemittierenden Vorrichtung aufgrund der durch das Substratloch eindringenden äußeren Feuchtigkeit verhindern kann.
  • Es ist eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Anzeigevorrichtung zu schaffen, die einen Prozess zum Blockieren der äußeren Feuchtigkeit vereinfachen kann.
  • Die Aufgabe wird durch die Merkmale der unabhängigen Ansprüche gelöst. Bevorzugte Ausführungsformen sind in den abhängigen Ansprüchen angegeben.
  • Zusätzliche Vorteile, Aufgaben und Merkmale der Erfindung werden teilweise in der folgenden Beschreibung dargelegt und werden teilweise für die Durchschnittsfachleute auf dem Gebiet bei der Untersuchung des Folgenden offensichtlich oder können aus der Praxis der Erfindung gelernt werden. Die Aufgaben und anderen Vorteile der Erfindung können durch die sowohl in der schriftlichen Beschreibung und den Ansprüchen als auch in den beigefügten Zeichnungen besonders hervorgehobene Struktur verwirklicht und erreicht werden.
  • Um diese Aufgaben zu lösen und andere Vorteile zu erreichen und in Übereinstimmung mit dem Zweck der Erfindung, wie er hier verkörpert und umfassend beschrieben ist, wird eine Anzeigevorrichtung geschaffen, die ein Substratloch umfasst, das ein Vorrichtungssubstrat durchdringt. Eine lichtemittierende Vorrichtung ist auf dem Vorrichtungssubstrat angeordnet. Die lichtemittierende Vorrichtung ist von dem Substratloch entfernt beabstandet. Die lichtemittierende Vorrichtung enthält eine erste Elektrode, eine lichtemittierende Schicht und eine zweite Elektrode, die sequentiell gestapelt sind. Wenigstens eine Trennvorrichtung ist zwischen dem Substratloch und der lichtemittierenden Vorrichtung angeordnet. Die Trennvorrichtung enthält wenigstens eine unterschnittene Struktur.
  • Vorzugsweise ist/sind eine Tiefe und/oder eine Länge der unterschnittenen Struktur größer als eine Dicke der lichtemittierenden Schicht.
  • Vorzugsweise ist eine Summe aus einer Tiefe und einer Länge der unterschnittenen Struktur größer als eine Dicke der lichtemittierenden Schicht.
  • Die unterschnittene Struktur der Trennvorrichtung kann sich mit der zweiten Elektrode in Kontakt befinden.
  • Die Trennvorrichtung kann eine Struktur aufweisen, in der breite Muster und schmale Muster wiederholt gestapelt sind. Die schmalen Muster können ein anderes Material als die breiten Muster enthalten.
  • Eine Breite jedes schmalen Musters kann kleiner als eine Breite jedes breiten Musters sein. Wenigstens eines der schmalen Muster kann ein leitfähiges Material enthalten.
  • Zwischen dem Vorrichtungssubstrat und der lichtemittierenden Vorrichtung kann eine isolierende Trennschicht angeordnet sein. Ein erster Dünnschichttransistor kann zwischen dem Vorrichtungssubstrat und der isolierenden Trennschicht angeordnet sein. Ein zweiter Dünnschichttransistor kann zwischen der isolierenden Trennschicht und der lichtemittierenden Vorrichtung angeordnet sein. Eine Überzugschicht kann zwischen dem zweiten Dünnschichttransistor und der lichtemittierenden Vorrichtung angeordnet sein. Jeder des ersten Dünnschichttransistors und des zweiten Dünnschichttransistors kann eine Gate-Elektrode, eine Source-Elektrode und eine Drain-Elektrode enthalten. Jedes der schmalen Muster kann das gleiche Material wie eine der Gate-Elektrode, der Source-Elektrode und der Drain-Elektrode enthalten.
  • Ein Halbleitermuster des ersten Dünnschichttransistors kann ein Niedertemperatur-Polysilicium (LTPS) enthalten. Ein Halbleitermuster des zweiten Dünnschichttransistors kann einen Oxidhalbleiter enthalten.
  • Jeder des ersten Dünnschichttransistors und des zweiten Dünnschichttransistors kann ferner eine Gate-Isolierschicht zwischen dem Halbleitermuster und der Gate-Elektrode und eine Zwischenschicht-Isolierschicht zwischen der Gate-Elektrode und der Source- und der Drain-Elektrode enthalten. Jedes der breiten Muster kann das gleiche Material wie eine der isolierenden Trennschicht, der Gate-Isolierschicht, der Zwischenschicht-Isolierschicht und der Überzugschicht enthalten.
  • Eine Dicke jedes breiten Musters kann größer als eine Dicke jedes schmalen Musters sein.
  • In einer weiteren Ausführungsform umfasst die Anzeigevorrichtung ein Vorrichtungssubstrat. Das Vorrichtungssubstrat enthält einen zweiten Bereich, der durch einen ersten Bereich umgeben ist, und einen dritten Bereich, der außerhalb des zweiten Bereichs angeordnet ist. Ein Substratloch durchdringt den ersten Bereich des Vorrichtungssubstrats. Eine lichtemittierende Vorrichtung ist im dritten Bereich des Vorrichtungssubstrats angeordnet. Die lichtemittierende Vorrichtung enthält eine lichtemittierende Schicht zwischen einer ersten Elektrode und einer zweiten Elektrode. Wenigstens eine Trennvorrichtung ist auf dem zweiten Bereich des Vorrichtungssubstrats angeordnet. Die Trennvorrichtung weist eine Struktur auf, in der ein breites Muster und ein schmales Muster wenigstens einmal wiederholt gestapelt sind. Das schmale Muster weist eine kleinere Breite als das breite Muster auf.
  • Vorzugsweise ist eine Dicke des schmalen Musters größer als eine Dicke des breiten Musters.
  • Ein Abstand zwischen einer Seitenfläche des breiten Musters und einer Seitenfläche des schmalen Musters kann größer als eine Dicke der lichtemittierenden Schicht sein.
  • Das breite Muster und das schmale Muster können ein Isoliermaterial enthalten.
  • Der oberste Abschnitt der Trennvorrichtung kann das breite Muster enthalten.
  • Zwischen dem Vorrichtungssubstrat und der lichtemittierenden Vorrichtung können eine erste Überzugschicht und eine zweite Überzugschicht sequentiell gestapelt sein. Das breite Muster, das am obersten Abschnitt der Trennvorrichtung angeordnet ist, kann das gleiche Material wie die zweite Überzugschicht enthalten.
  • Zwischen dem Vorrichtungssubstrat und der lichtemittierenden Vorrichtung kann ein Dünnschichttransistor angeordnet sein. Ein schmales Muster kann das gleiche Material wie eine Gate-Isolierschicht oder eine Zwischenschicht-Isolierschicht des Dünnschichttransistors enthalten.
  • Das schmale Muster kann ein Material auf Siliciumoxidbasis enthalten.
  • Figurenliste
  • Die beigefügten Zeichnungen, die enthalten sind, um ein weiteres Verständnis der Erfindung zu schaffen, und die in dieser Anmeldung enthalten sind und einen Teil dieser Anmeldung bilden, veranschaulichen eine Ausführungsform(en) der Erfindung und dienen zusammen mit der Beschreibung dazu, das Prinzip der Erfindung zu erklären; es zeigen:
    • 1 eine Ansicht, die eine Anzeigevorrichtung einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung schematisch zeigt;
    • 2 eine vergrößerte Ansicht, die einen Umfang eines Substratlochs in der Anzeigevorrichtung gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;
    • 3 eine Ansicht, die einen Querschnitt eines Pixels in der Anzeigevorrichtung gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;
    • 4A eine Ansicht, die einen Querschnitt eines Umfangsbereichs des Substratlochs in der Anzeigevorrichtung gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;
    • 4B eine vergrößerte Ansicht von P1 in 4A;
    • 5 eine vergrößerte Ansicht von K in 4B;
    • 6, 7A, 8A, 9, 10A, 11, 12A, 13, 14A und 15A Ansichten, die jeweils die Anzeigevorrichtung gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigen; ist
    • 7B eine vergrößerte Ansicht von P2 in 7A;
    • 8B eine vergrößerte Ansicht von P3 in 8A;
    • 10B eine vergrößerte Ansicht von P4 in 10A;
    • 12B eine vergrößerte Ansicht von P5 in 12A;
    • 14B eine vergrößerte Ansicht von P6 in 14A; und
    • 15B eine vergrößerte Ansicht von P7 in 15A.
  • AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG DER AUSFÜHRUNGSFORMEN
  • Im Folgenden werden die Einzelheiten bezüglich der obigen Aufgaben, technischen Konfigurationen und Betriebswirkungen der Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung durch die folgende ausführliche Beschreibung, die auf die Zeichnungen Bezug nimmt, die einige Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung veranschaulichen, klar erkannt. Hier sind die Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung bereitgestellt, um es zu ermöglichen, dass der technische Erfindungsgedanke der vorliegenden Erfindung zufriedenstellend den Fachleuten auf dem Gebiet übermittelt wird, wobei folglich die vorliegende Erfindung in anderen Formen verkörpert sein kann und nicht auf die im Folgenden beschriebenen Ausführungsformen eingeschränkt ist.
  • Zusätzlich können die gleichen oder extrem ähnliche Elemente überall in der Beschreibung durch die gleichen Bezugszeichen bezeichnet sein, wobei in den Zeichnungen die Längen und die Dicke der Schichten und Bereiche für die Zweckmäßigkeit übertrieben sein können. Es wird erkannt, dass, wenn ein erstes Element als „auf“ einem zweiten Element bezeichnet wird, obwohl das erste Element auf dem zweiten Element angeordnet sein kann, um mit dem zweiten Element in Kontakt zu kommen, ein drittes Element zwischen dem ersten und dem zweiten Element angeordnet sein kann.
  • Hier können Begriffe, wie z. B. „erster“ und „zweiter“, verwendet werden, um irgendein Element von einem weiteren Element zu unterscheiden. Das erste Element und das zweite Element können jedoch gemäß der Zweckmäßigkeit der Fachleute auf dem Gebiet beliebig benannt werden, ohne den technischen Erfindungsgedanken der vorliegenden Erfindung zu verlassen.
  • Die in der Beschreibung der vorliegenden Erfindung verwendeten Begriffe werden lediglich verwendet, um spezielle Ausführungsformen zu beschreiben und sind nicht vorgesehen, den Schutzumfang der vorliegenden Erfindung einzuschränken. Es ist z. B. vorgesehen, dass ein Element, das in der Singularform beschrieben wird, mehrere Elemente enthält, wenn es nicht der Kontext eindeutig anderes angibt. Zusätzlich wird in der Beschreibung der vorliegenden Erfindung ferner erkannt, dass die Begriffe „umfasst“ und „enthält“ das Vorhandensein der angegebenen Merkmale, ganzen Zahlen, Schritte, Operationen, Elemente, Komponenten und/oder Kombinationen daraus spezifizieren, aber das Vorhandensein oder die Hinzufügung von einem oder mehreren anderen Merkmalen, ganzen Zahlen, Schritten, Operationen, Elementen, Komponenten und/oder Kombinationen daraus nicht ausschließen.
  • Wenn es nicht anders definiert ist, weisen alle hierin verwendeten Begriffe (einschließlich technischer und wissenschaftlicher Begriffe) die gleiche Bedeutung auf, wie sie üblicherweise durch einen Durchschnittsfachmann auf dem Gebiet, zu dem die beispielhaften Ausführungsformen gehören, verstanden wird. Es wird ferner erkannt, dass die Begriffe, wie sie in allgemein verwendeten Wörterbüchern definiert sind, so interpretiert werden sollten, dass sie eine Bedeutung haben, die mit ihrer Bedeutung im Kontext der relevanten Technik konsistent ist, und dass sie nicht in einem idealisierten oder übermäßig formalen Sinn interpretiert werden sollten, wenn es nicht hier ausdrücklich so definiert ist.
  • (Ausführungsform)
  • 1 ist eine Ansicht, die eine Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung schematisch zeigt. 2 ist eine vergrößerte Ansicht, die einen Umfang eines Substratlochs in der Anzeigevorrichtung gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt. 3 ist eine Ansicht, die einen Querschnitt eines Pixels in der Anzeigevorrichtung gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt. 4A ist eine Ansicht, die einen Querschnitt eines Umfangsbereichs des Substratlochs in der Anzeigevorrichtung gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt. 4B ist eine vergrößerte Ansicht von P1 in 4A. 5 ist eine vergrößerte Ansicht von K in 4B.
  • In den 1 bis 5 kann die Anzeigevorrichtung gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ein Vorrichtungssubstrat 100 enthalten. Das Vorrichtungssubstrat 100 kann ein Isoliermaterial enthalten. Das Vorrichtungssubstrat 100 kann z. B. Glas oder Kunststoff enthalten. Das Vorrichtungssubstrat 100 kann eine Mehrschichtstruktur aufweisen. Das Vorrichtungssubstrat 100 kann z. B. eine Struktur aufweisen, bei der eine Isolierschicht 102 zwischen einer ersten Substratschicht 101 und einer zweiten Substratschicht 103 angeordnet ist. Die zweite Substratschicht 103 kann das gleiche Material wie die erste Substratschicht 101 enthalten. Die erste Substratschicht 101 und die zweite Substratschicht 103 können z.B. Kunststoff enthalten. Die Isolierschicht 102 kann ein Isoliermaterial enthalten.
  • Das Vorrichtungssubstrat 100 kann die Pixel PA enthalten, die durch Gate-Leitungen GL und Datenleitungen DL definiert sind. In jedem Pixel PA kann eine lichtemittierende Vorrichtung 500 angeordnet sein. Jede der lichtemittierenden Vorrichtungen 500 kann Licht emittieren, das eine spezifische Farbe anzeigt. Jede der lichtemittierenden Vorrichtungen 500 kann z. B. eine erste Elektrode 510, eine lichtemittierende Schicht 520 und eine zweite Elektrode 530 enthalten, die sequentiell gestapelt sind.
  • Die erste Elektrode 510 kann ein leitfähiges Material enthalten. Die erste Elektrode 510 kann ein Metall mit einem relativ hohen Reflexionsgrad enthalten. Die erste Elektrode 510 kann eine Mehrschichtstruktur aufweisen. Die erste Elektrode 510 kann z. B. eine Struktur aufweisen, in der eine reflektierende Elektrode, die aus einem Metall, wie z. B. Aluminium (Al) und Silber (Ag), ausgebildet ist, zwischen transparenten Elektroden angeordnet ist, die aus einem transparenten leitfähigen Material, wie z. B. ITO und IZO, ausgebildet ist.
  • Die lichtemittierende Schicht 520 kann Licht mit einer Leuchtdichte erzeugen, die einem Spannungsunterschied zwischen der ersten Elektrode 510 und der zweiten Elektrode 530 entspricht. Die lichtemittierende Schicht 520 kann z. B. eine Emissionsmaterialschicht (EML) 522 mit einem Emissionsmaterial enthalten. Das Emissionsmaterial kann ein organisches Material, ein anorganisches Material oder ein Hybridmaterial enthalten. Die Anzeigevorrichtung gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann z. B. eine organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung sein, die die aus einem organischen Material ausgebildete lichtemittierende Schicht 520 enthält.
  • Die lichtemittierende Schicht 520 kann eine Mehrschichtstruktur aufweisen, um die Lichtausbeute zu erhöhen. Die lichtemittierende Schicht 520 kann z. B. wenigstens eine erste organische Schicht 521 zwischen der ersten Elektrode 510 und der Emissionsmaterialschicht 522 und wenigstens eine zweite organische Schicht 523 zwischen der Emissionsmaterialschicht 522 und der zweiten Elektrode 530 enthalten. Die erste organische Schicht 521 kann wenigstens eine einer Lochinjektionsschicht (HIL) und einer Lochtransportschicht (HTL) enthalten. Die zweite organische Schicht 523 kann wenigstens eine einer Elektronentransportschicht (ETL) und einer Elektrodeninjektionsschicht (EIL) enthalten. Die Offenbarung ist jedoch nicht darauf eingeschränkt. Die erste organische Schicht 521 kann z. B. wenigstens eine der Elektronentransportschicht (ETL) und der Elektrodeninjektionsschicht (EIL) enthalten, während die zweite organische Schicht 523 wenigstens eine der Lochinjektionsschicht (HIL) und der Lochtransportschicht (HTL) enthalten kann.
  • Die zweite Elektrode 530 kann ein leitfähiges Material enthalten. Die zweite Elektrode 530 kann ein anderes Material als die erste Elektrode enthalten. Die zweite Elektrode 530 kann z. B. eine transparente Elektrode sein, die aus einem transparenten leitfähigen Material, wie z. B. ITO und IZO, ausgebildet ist. Folglich kann in der Anzeigevorrichtung gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung das von der lichtemittierenden Schicht 520 jedes Pixels PA erzeugte Licht durch die zweite Elektrode 530 nach außen emittiert werden.
  • Jeder lichtemittierenden Vorrichtung 500 kann ein Steuerstrom zugeführt werden, der einem durch eine entsprechende Gate-Leitung GL angelegten Gate-Signal und einem durch eine entsprechende Datenleitung DL angelegten Datensignal entspricht. Eine Treiberschaltung, die elektrisch mit der entsprechenden lichtemittierenden Vorrichtung 500 verbunden ist, kann z. B. in jedem Pixel PA angeordnet sein. Die Treiberschaltung kann den Betrieb der entsprechenden lichtemittierenden Einrichtung 500 gemäß dem Gate-Signal und dem Datensignal steuern. Die Treiberschaltung kann z. B. einen ersten Dünnschichttransistor 200, einen zweiten Dünnschichttransistor 300 und einen Speicherkondensator 400 enthalten.
  • Der erste Dünnschichttransistor 200 kann ein erstes Halbleitermuster 210, eine erste Gate-Isolierschicht 220, eine erste Gate-Elektrode 230, eine erste Zwischenschicht-Isolierschicht 240, eine erste Source-Elektrode 250 und eine erste Drain-Elektrode 260 enthalten.
  • Das erste Halbleitermuster 210 kann in der Nähe des Vorrichtungssubstrats 100 angeordnet sein. Das erste Halbleitermuster 210 kann einen Halbleiter enthalten. Das erste Halbleitermuster 210 kann z. B. ein Polysilicium enthalten, das ein polykristalliner Halbleiter ist. Die Anzeigevorrichtung gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird so beschrieben, dass das erste Halbleitermuster 210 ein Niedertemperatur-Polysilicium (LTPS) enthält.
  • Das erste Halbleitermuster 210 kann ein erstes Source-Gebiet, ein erstes Drain-Gebiet und ein erstes Kanalgebiet enthalten. Das erste Kanalgebiet kann zwischen dem ersten Source-Gebiet und dem ersten Drain-Gebiet angeordnet sein. Das erste Kanalgebiet kann eine geringere Leitfähigkeit als das erste Source-Gebiet und das erste Drain-Gebiet aufweisen. Das erste Source-Gebiet und das erste Drain-Gebiet können z. B. einen höheren Gehalt an leitfähigen Störstellen als das erste Kanalgebiet aufweisen.
  • Die erste Gate-Isolierschicht 220 kann auf dem ersten Halbleitermuster 210 angeordnet sein. Die erste Gate-Isolierschicht 220 kann sich über das erste Halbleitermuster 210 hinaus erstrecken. Die erste Gate-Isolierschicht 220 kann ein Isoliermaterial enthalten. Die erste Gate-Isolierschicht 220 kann z. B. ein Material auf Siliciumoxidbasis (SiOx) enthalten. Das Material auf Siliciumoxidbasis (SiOx) kann Siliciumdioxid (SiO2) enthalten.
  • Die erste Gate-Elektrode 230 kann auf der ersten Gate-Isolierschicht 220 angeordnet sein. Die erste Gate-Elektrode 230 kann z. B. das erste Kanalgebiet des ersten Halbleitermusters 210 überlappen. Die erste Gate-Elektrode 230 kann durch die erste Gate-Isolierschicht 220 vom ersten Halbleitermuster 210 isoliert sein. Die erste Gate-Elektrode 230 kann ein leitfähiges Material enthalten. Die erste Gate-Elektrode 230 kann z. B. ein Metall, wie z. B. Aluminium (Al), Chrom (Cr), Kupfer (Cu), Titan (Ti), Molybdän (Mo) und Wolfram (W), enthalten.
  • Die erste Zwischenschicht-Isolierschicht 240 kann auf der ersten Gate-Isolierschicht 220 und der ersten Gate-Elektrode 230 angeordnet sein. Die erste Zwischenschicht-Isolierschicht 240 kann sich entlang der ersten Gate-Isolierschicht 220 erstrecken. Die erste Zwischenschicht-Isolierschicht 240 kann ein Isoliermaterial enthalten. Die erste Zwischenschicht-Isolierschicht 240 kann ein anderes Material als die erste Gate-Isolierschicht 220 enthalten. Die erste Zwischenschicht-Isolierschicht 240 kann z. B. ein Material auf Siliciumnitridbasis (SiNx) enthalten.
  • Die erste Source-Elektrode 250 kann auf der ersten Zwischenschicht-Isolierschicht 240 angeordnet sein. Die erste Source-Elektrode 250 kann mit dem ersten Source-Gebiet des ersten Halbleitermusters 210 elektrisch verbunden sein. Die erste Zwischenschicht-Isolierschicht 240 kann z. B. ein erstes Source-Kontaktloch enthalten, das das erste Source-Gebiet des ersten Halbleitermusters 210 teilweise freilegt. Die erste Source-Elektrode 250 kann einen Abschnitt enthalten, der mit dem ersten Source-Gebiet des ersten Halbleitermusters 210 überlappt.
  • Die erste Source-Elektrode 250 kann ein leitfähiges Material enthalten. Die erste Source-Elektrode 250 kann z. B. ein Metall, wie z. B. Aluminium (Al), Chrom (Cr), Molybdän (Mo), Wolfram (W) und Kupfer (Cu), enthalten.
  • Die erste Drain-Elektrode 260 kann auf der ersten Zwischenschicht-Isolierschicht 240 angeordnet sein. Die erste Drain-Elektrode 260 kann mit dem ersten Drain-Gebiet des ersten Halbleitermusters 210 elektrisch verbunden sein. Die erste Zwischenschicht-Isolierschicht 240 kann z. B. ein erstes Drain-Kontaktloch enthalten, das das erste Drain-Gebiet der ersten Halbleiterstruktur 210 teilweise freilegt. Die erste Drain-Elektrode 260 kann einen Abschnitt enthalten, der mit dem ersten Drain-Gebiet des ersten Halbleitermusters 210 überlappt.
  • Die erste Drain-Elektrode 260 kann ein leitfähiges Material enthalten. Die erste Drain-Elektrode 260 kann z. B. ein Metall, wie z. B. Aluminium (Al), Chrom (Cr), Molybdän (Mo), Wolfram (W) und Kupfer (Cu), enthalten. Die erste Drain-Elektrode 260 kann das gleiche Material wie die erste Source-Elektrode 250 enthalten. Die erste Drain-Elektrode 260 kann z. B. durch den gleichen Prozess wie die erste Source-Elektrode 250 gebildet werden.
  • Die erste Source-Elektrode 250 und die erste Drain-Elektrode 260 können eine Mehrschichtstruktur aufweisen. Jede der ersten Source-Elektrode 250 und der ersten Drain-Elektrode 260 kann z. B. eine Dreischichtstruktur aufweisen, bei der eine Zwischenschicht, die aus einer Titan-(Ti-) Metallschicht besteht, zwischen einer unteren Schicht und einer oberen Schicht angeordnet ist, die aus einer Aluminium- (Al-) Metallschicht besteht. Der zweite Dünnschichttransistor 300 kann durch einen anderen Prozess als der erste Dünnschichttransistor 200 gebildet werden. Der zweite Dünnschichttransistor 300 kann z. B. auf einer isolierenden Trennschicht 130 angeordnet sein, die die erste Source-Elektrode 250 und die erste Drain-Elektrode 260 des ersten Dünnschichttransistors 200 bedeckt. Die isolierende Trennschicht 130 kann ein Isoliermaterial enthalten. Die isolierende Trennschicht 130 kann ein anderes Material als die erste Zwischenschicht-Isolierschicht 240 enthalten. Die isolierende Trennschicht 130 kann z. B. ein Material auf Siliciumoxidbasis (SiOx) enthalten.
  • Der zweite Dünnschichttransistor 300 kann die gleiche Struktur wie der erste Dünnschichttransistor 200 aufweisen. Der zweite Dünnschichttransistor 300 kann z. B. ein zweites Halbleitermuster 310, eine zweite Gate-Isolierschicht 320, eine zweite Gate-Elektrode 330, eine zweite Zwischenschicht-Isolierschicht 340, eine zweite Source-Elektrode 350 und eine zweite Drain-Elektrode 360 enthalten.
  • Das zweite Halbleitermuster 310 kann in der Nähe der isolierenden Trennschicht 130 angeordnet sein. Das zweite Halbleitermuster 310 kann sich z. B. mit der isolierenden Trennschicht 130 in direkten Kontakt befinden. Das zweite Halbleitermuster 310 kann einen Halbleiter enthalten. Das zweite Halbleitermuster 310 kann ein anderes Material als das erste Halbleitermuster 210 enthalten. Das zweite Halbleitermuster 310 kann z.B. einen Oxidhalbleiter, wie z. B. IGZO, enthalten.
  • Das zweite Halbleitermuster 310 kann ein zweites Source-Gebiet, ein zweites Drain-Gebiet und ein zweites Kanalgebiet enthalten. Das zweite Kanalgebiet kann zwischen dem zweiten Source-Gebiet und dem zweiten Drain-Gebiet angeordnet sein. Das zweite Source-Gebiet und das zweite Drain-Gebiet können einen geringeren Widerstand als das zweite Kanalgebiet aufweisen. Jedes des zweiten Source-Gebiets und des zweiten Drain-Gebiets kann z. B. ein leitend gemachter Bereich sein. Der zweite Kanalgebiet kann ein Bereich sein, der nicht leitend gemacht ist.
  • Die zweite Gate-Isolierschicht 320 kann auf dem zweiten Halbleitermuster 310 angeordnet sein. Die zweite Gate-Isolierschicht 320 kann ein Isoliermaterial enthalten. Die zweite Gate-Isolierschicht 320 kann z. B. ein Material auf Siliciumoxidbasis (SiOx), ein Material auf Siliciumnitridbasis (SiNx) und/oder ein Material mit einer hohen Dielektrizitätskonstante (Material mit hohem K) enthalten. Die zweite Gate-Isolierschicht 320 kann eine Mehrschichtstruktur aufweisen.
  • Die zweite Gate-Isolierschicht 320 kann das zweite Source-Gebiet und das zweite Drain-Gebiet des zweiten Halbleitermusters 310 freilegen. Das zweite Source-Gebiet und das zweite Drain-Gebiet des zweiten Halbleitermusters 310 können die zweite Gate-Isolierschicht 320 nicht überlappen. Das zweite Source-Gebiet und das zweite Drain-Gebiet des zweiten Halbleitermusters 310 können z. B. durch ein Ätzmittel leitend gemacht werden, das in einem Prozess zum Versehen mit einem Muster der zweiten Gate-Isolierschicht 320 verwendet wird.
  • Die zweite Gate-Elektrode 330 kann auf der zweiten Gate-Isolierschicht 320 angeordnet sein. Die zweite Gate-Elektrode 330 kann z. B. das zweite Kanalgebiet des zweiten Halbleitermusters 310 überlappen. Die zweite Gate-Elektrode 330 kann ein leitfähiges Material enthalten. Die zweite Gate-Elektrode 330 kann z. B. ein Metall, wie z. B. Aluminium (Al), Chrom (Cr), Kupfer (Cu), Titan (Ti), Molybdän (Mo) und Wolfram (W), enthalten. Die zweite Gate-Elektrode 330 kann das gleiche Material wie die erste Gate-Elektrode 230 enthalten.
  • Die zweite Zwischenschicht-Isolierschicht 340 kann auf dem zweiten Halbleitermuster 310 und der zweiten Gate-Elektrode 330 angeordnet sein. Die zweite Zwischenschicht-Isolierschicht 340 kann eine Seitenfläche des zweiten Halbleitermusters 310 bedecken. Die zweite Zwischenschicht-Isolierschicht 340 kann ein Isoliermaterial enthalten. Die zweite Zwischenschicht-Isolierschicht 340 kann ein anderes Material als die erste Zwischenschicht-Isolierschicht 240 enthalten. Die zweite Zwischenschicht-Isolierschicht 340 kann z. B. ein Material auf Siliciumoxidbasis (SiOx) enthalten.
  • Die zweite Source-Elektrode 350 kann auf der zweiten Zwischenschicht-Isolierschicht 340 angeordnet sein. Die zweite Source-Elektrode 350 kann mit dem zweiten Source-Gebiet des zweiten Halbleitermusters 310 elektrisch verbunden sein. Die zweite Zwischenschicht-Isolierschicht 340 kann z. B. ein zweites Source-Kontaktloch enthalten, das das zweite Source-Gebiet des zweiten Halbleitermusters 310 teilweise freilegt. Die zweite Source-Elektrode 350 kann einen Abschnitt enthalten, der mit dem zweiten Source-Gebiet des zweiten Halbleitermusters 310 überlappt.
  • Die zweite Source-Elektrode 350 kann ein leitfähiges Material enthalten. Die zweite Source-Elektrode 350 kann z. B. ein Metall, wie z. B. Aluminium (Al), Chrom (Cr), Molybdän (Mo), Wolfram (W) und Kupfer (Cu), enthalten. Die zweite Source-Elektrode 350 kann das gleiche Material wie die erste Source-Elektrode 250 enthalten.
  • Die zweite Drain-Elektrode 360 kann auf der zweiten Zwischenschicht-Isolierschicht 340 angeordnet sein. Die zweite Drain-Elektrode 360 kann mit dem zweiten Drain-Gebiet des zweiten Halbleitermusters 310 elektrisch verbunden sein. Die zweite Zwischenschicht-Isolierschicht 340 kann z. B. ein zweites Drain-Kontalctloch enthalten, das den zweiten Drain-Bereich des zweiten Halbleitermusters 310 teilweise freilegt. Die zweite Drain-Elektrode 360 kann einen Abschnitt enthalten, der mit dem zweiten Drain-Gebiet des zweiten Halbleitermusters 310 überlappt.
  • Die zweite Drain-Elektrode 360 kann ein leitfähiges Material enthalten. Die zweite Drain-Elektrode 360 kann z. B. ein Metall, wie z. B. Aluminium (Al), Chrom (Cr), Molybdän (Mo), Wolfram (W) und Kupfer (Cu), enthalten. Die zweite Drain-Elektrode 360 kann das gleiche Material wie die zweite Source-Elektrode 350 enthalten. Die zweite Drain-Elektrode 360 kann z. B. durch den gleichen Prozess wie die zweite Source-Elektrode 350 gebildet werden.
  • Die zweite Source-Elektrode 350 und die zweite Drain-Elektrode 360 können eine Mehrschichtstruktur aufweisen. Jede der zweiten Source-Elektrode 350 und der zweiten Drain-Elektrode 360 kann eine Dreischicht aufweisen, bei der eine Zwischenschicht, die aus einer Titan-(Ti-) Metallschicht besteht, zwischen einer unteren Schicht und einer oberen Schicht angeordnet ist, die aus einer Aluminium- (AI-) Metallschicht bestehen.
  • Der Speicherkondensator 400 kann zwischen dem Vorrichtungssubstrat 100 und dem zweiten Dünnschichttransistor 300 ausgebildet sein. Der Speicherkondensator 400 kann z. B. eine erste Speicherelektrode 410, die auf der gleichen Schicht wie die erste Gate-Elektrode 230 angeordnet ist, und eine zweite Speicherelektrode 420 auf der ersten Speicherelektrode 410 enthalten.
  • Die erste Speicherelektrode 410 kann ein leitfähiges Material enthalten. Die erste Speicherelektrode 410 kann ein Metall, wie z. B. Aluminium (Al), Chrom (Cr), Molybdän (Mo), Wolfram (W) und Kupfer (Cu), enthalten. Die erste Speicherelektrode 410 kann das gleiche Material wie die erste Gate-Elektrode 230 enthalten. Die erste Speicherelektrode 410 kann z. B. durch den gleichen Prozess wie die erste Gate-Elektrode 230 gebildet werden.
  • Die zweite Speicherelektrode 420 kann ein leitfähiges Material enthalten. Die zweite Speicherelektrode 420 kann ein Metall, wie z. B. Aluminium (Al), Chrom (Cr), Molybdän (Mo), Wolfram (W) und Kupfer (Cu), enthalten. Die erste Zwischenschicht-Isolierschicht 240 kann sich zwischen der ersten Speicherelektrode 410 und der zweiten Speicherelektrode 420 erstrecken. Die zweite Speicherelektrode 420 kann auf der ersten Zwischenschicht-Isolierschicht 240 angeordnet sein. Die erste Source-Elektrode 250 und die erste Drain-Elektrode 260 können in einer anderen Schicht als die zweite Speicherelektrode 420 angeordnet sein. Eine erste isolierende Zwischenschicht 120, die die zweite Speicherelektrode 420 bedeckt, kann z. B. zwischen der ersten Zwischenschicht-Isolierschicht 240 und den ersten Source-Elektroden 250 und zwischen der ersten Zwischenschicht-Isolierschicht 240 und der ersten Drain-Elektrode 260 angeordnet sein. Die erste Zwischenschicht-Isolierschicht 240 und die erste isolierende Zwischenschicht 120 können zwischen der ersten Gate-Elektrode 230 und der ersten Source-Elektrode 250 und zwischen der ersten Gate-Elektrode 230 und der ersten Drain-Elektrode 260 sequentiell gestapelt sein. Die zweite Speicherelektrode 420 kann ein anderes Material als die erste Source-Elektrode 250 und die erste Drain-Elektrode 260 enthalten.
  • Die erste isolierende Zwischenschicht 120 kann ein Isoliermaterial enthalten. Die erste isolierende Zwischenschicht 120 kann z. B. ein Material auf Siliciumoxidbasis (SiOx) und/oder ein Material auf Siliciumnitridbasis (SiNx) enthalten. Die erste isolierende Zwischenschicht 120 kann eine Mehrschichtstruktur aufweisen. Die erste isolierende Zwischenschicht 120 kann z. B. eine gestapelte Struktur aus einer ersten Zwischenschicht 121, die ein Material auf Siliciumoxidbasis (SiOx) enthält, und einer zweiten Zwischenschicht 122, die ein Material auf Siliciumnitridbasis (SiNx) enthält, aufweisen. Die erste Source-Elektrode 250 und die erste Drain-Elektrode 260 können auf der zweiten Zwischenschicht 122 angeordnet sein. Die Offenbarung ist jedoch nicht darauf eingeschränkt. Die erste isolierende Zwischenschicht 120 kann z. B. als eine einzige Schicht der zweiten Zwischenschicht 122 ausgebildet sein, die ein Material auf Siliciumnitridbasis (SiNx) enthält.
  • Die zweite Speicherelektrode 420 kann mit der zweiten Drain-Elektrode 360 des zweiten Dünnschichttransistors 300 elektrisch verbunden sein. Eine erste Zwischenelektrode 610, die mit der zweiten Speicherelektrode 420 verbunden ist, indem sie die erste isolierende Zwischenschicht 120 durchdringt, kann z. B. auf der zweiten Zwischenschicht 122 angeordnet sein, die zweite Drain-Elektrode 360 kann mit der ersten Zwischenelektrode 610 verbunden sein, indem sie die zweite Zwischenschicht-Isolierschicht 340 durchdringt. Die erste Zwischenelektrode 610 kann ein leitfähiges Material enthalten. Die erste Zwischenelektrode 610 kann z. B. ein Metall, wie z. B. Aluminium (Al), Chrom (Cr), Molybdän (Mo), Wolfram (W) und Kupfer (Cu), enthalten. Die erste Zwischenelektrode 610 kann das gleiche Material wie die erste Source-Elektrode 250 und die erste Drain-Elektrode 260 enthalten. Die erste Zwischenelektrode 610 kann z. B. durch den gleichen Prozess wie die erste Source-Elektrode 250 und die erste Drain-Elektrode 260 hergestellt werden.
  • Eine lichtblockierende Elektrode 450 kann zwischen der ersten Zwischenschicht-Isolierschicht 240 und der ersten isolierenden Zwischenschicht 120 angeordnet sein. Die lichtblockierende Elektrode 450 kann das zweite Halbleitermuster 310 überlappen. Die lichtblockierende Elektrode 450 kann Änderungen der Eigenschaften des zweiten Halbleitermusters 310 aufgrund äußeren Lichts verhindern. Die lichtblockierende Elektrode 450 kann z. B. ein Metall enthalten. Die lichtblockierende Elektrode 450 kann das gleiche Material wie die zweite Speicherelektrode 420 enthalten. Die lichtblockierende Elektrode 450 kann z. B. durch den gleichen Prozess wie die zweite Speicherelektrode 420 gebildet werden.
  • Eine zweite isolierende Zwischenschicht 140 kann zwischen der zweiten Zwischenschicht-Isolierschicht 340 und den zweiten Source- und Drain-Elektroden 350 und 360 angeordnet sein. Die zweite Source-Elektrode 350 und die zweite Drain-Elektrode 360 können auf der zweiten isolierenden Zwischenschicht 140 angeordnet sein. Die zweite isolierende Zwischenschicht 140 kann ein Isoliermaterial enthalten. Die zweite isolierende Zwischenschicht 140 kann ein anderes Material als die zweite Zwischenschicht-Isolierschicht 340 enthalten. Die zweite isolierende Zwischenschicht 140 kann z. B. ein Material auf Siliciumnitridbasis (SiNx) enthalten. Die zweite Source-Elektrode 350 und die zweite Drain-Elektrode 360 können die zweite Zwischenschicht-Isolierschicht 340 und die zweite isolierende Zwischenschicht 140 durchdringen.
  • Eine Pufferisolierschicht 110 kann zwischen dem Vorrichtungssubstrat 100 und der Treiberschaltung jedes Pixels PA angeordnet sein. Die Pufferisolierschicht 110 kann eine Verschmutzung von dem Vorrichtungssubstrat 100 während eines Prozesses des Bildens der Treiberschaltungen verhindern. Die Pufferisolierschicht 110 kann sich z. B. zwischen dem Vorrichtungssubstrat 100 und dem ersten Halbleitermuster 210 jedes Pixels PA erstrecken. Die Pufferisolierschicht 110 kann ein Isoliermaterial enthalten. Die Pufferisolierschicht 110 kann z. B. Material auf Siliciumoxidbasis (SiOx) und/oder Material auf Siliciumnitridbasis (SiNx) enthalten. Die Pufferisolierschicht 110 kann eine Mehrschichtstruktur aufweisen. Die Pufferisolierschicht 110 kann z. B. eine gestapelte Struktur aus einer ersten Pufferschicht 111 und einer zweiten Pufferschicht 112 aufweisen, die ein anderes Material als die erste Pufferschicht 111 enthält.
  • Eine erste Überzugschicht 150 und eine zweite Überzugschicht 160 können sequentiell zwischen dem zweiten Dünnschichttransistor 300 und der lichtemittierenden Vorrichtung 500 jedes Pixels PA gestapelt sein. Die erste Überzugschicht 150 und die zweite Überzugschicht 160 können einen Dickenunterschied aufgrund der Treiberschaltung jedes Pixel PA entfernen. Eine Oberfläche der zweiten Überzugschicht 160 in Richtung der lichtemittierenden Vorrichtung 500 jedes Pixels PA kann z. B. eine ebene Oberfläche sein. Die erste Überzugschicht 150 und die zweite Überzugschicht 160 können ein Isoliermaterial enthalten. Die erste Überzugschicht 150 und die zweite Überzugschicht 160 können ein anderes Material als die zweite isolierende Zwischenschicht 140 enthalten. Die erste Überzugschicht 150 und die zweite Überzugschicht 160 können z. B. ein organisches Isoliermaterial enthalten. Die zweite Überzugschicht 160 kann ein anderes Material als die erste Überzugschicht 150 enthalten.
  • Die lichtemittierende Vorrichtung 500 jedes Pixels PA kann mit dem zweiten Dünnschichttransistor 300 des entsprechenden Pixels PA elektrisch verbunden sein. Die erste Elektrode 510 jedes Pixels PA kann z. B. mit der entsprechenden zweiten Drain-Elektrode 360 elektrisch verbunden sein, indem sie die erste Überzugschicht 150 und die zweite Überzugschicht 160 durchdringt. Die erste Elektrode 510 jedes Pixels PA kann durch die zweite Zwischenelektrode 620 mit der entsprechenden zweiten Drain-Elektrode 360 elektrisch verbunden sein. Die zweite Zwischenelektrode 620 kann z.B. zwischen der ersten Überzugschicht 150 und der zweiten Überzugschicht 160 angeordnet sein. In jedem Pixel PA kann die zweite Zwischenelektrode 620 mit der zweiten Drain-Elektrode 360 verbunden sein, indem sie die erste Überzugschicht 150 durchdringt, während die erste Elektrode 510 mit der zweiten Zwischenelektrode 620 verbunden sein kann, indem sie die zweite Überzugschicht 160 durchdringt.
  • Die zweite Zwischenelektrode 620 kann ein leitfähiges Material enthalten. Die zweite Zwischenelektrode 620 kann z. B. ein Metall, wie z. B. Aluminium (Al), Chrom (Cr), Molybdän (Mo), Wolfram (W) und Kupfer (Cu), enthalten. Die zweite Zwischenelektrode 620 kann ein anderes Material als die erste Zwischenelektrode 610 enthalten.
  • Die lichtemittierende Vorrichtung 500 jedes Pixels PA kann unabhängig betrieben werden. Die erste Elektrode 510 jedes Pixels PA kann z. B. von der ersten Elektrode 510 eines benachbarten Pixels PA isoliert sein. Ein Rand jeder ersten Elektrode 510 kann durch eine Bankisolierschicht 170 bedeckt sein. Die Bankisolierschicht 170 kann auf der zweiten Überzugschicht 160 angeordnet sein. Die lichtemittierende Schicht 520 und die zweite Elektrode 530 jedes Pixels PA können auf einen Abschnitt der entsprechenden ersten Elektrode 510 gestapelt sein, der durch die Bankisolierschicht 170 freigelegt ist. Die Bankisolierschicht 170 kann ein Isoliermaterial enthalten. Die Bankisolierschicht 170 kann z. B. ein organisches Isoliermaterial enthalten. Die Bankisolierschicht 170 kann ein anderes Material als die zweite Überzugsschicht 160 enthalten.
  • Wenigstens ein Abschnitt der lichtemittierenden Schicht 520 jedes Pixels PA kann sich auf der Bankisolierschicht 170 erstrecken. Die erste organische Schicht 521 und die zweite organische Schicht 523 jedes Pixels PA können z. B. mit der ersten organischen Schicht 521 und der zweiten organischen Schicht 523 eines benachbarten Pixels PA verbunden sein. Die Emissionsmaterialschicht 522 jedes Pixels PA kann von der Emissionsmaterialschicht 522 eines benachbarten Pixels PA beabstandet sein. Die zweite Elektrode 530 jedes Pixels PA kann sich auf der Bankisolierschicht 170 erstrecken. Die zweite Elektrode 530 jedes Pixels PA kann z. B. mit der zweiten Elektrode 530 eines benachbarten Pixels PA verbunden sein.
  • In der Anzeigevorrichtung gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann der zweite Dünnschichttransistor 300 jedes Pixels PA als ein Treibertransistor dienen. Folglich kann in der Anzeigevorrichtung gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung die erste Elektrode 510 jeder lichtemittierenden Vorrichtung 500 mit dem entsprechenden zweiten Dünnschichttransistor 300 verbunden sein. Die Offenbarung ist jedoch nicht darauf eingeschränkt. Die erste Elektrode 510 jeder lichtemittierenden Vorrichtung 500 kann z. B. mit dem ersten Dünnschichttransistor 200 des entsprechenden Pixels PA verbunden sein, wobei der erste Dünnschichttransistor 200 jedes Pixels PA als ein Treibertransistor dienen kann.
  • Ein Substratloch CH kann im Vorrichtungssubstrat 100 ausgebildet sein. Das Substratloch CH kann das Vorrichtungssubstrat 100 durchdringen. Das Substratloch CH kann zwischen den Pixeln PA angeordnet sein. Das Substratloch CH kann z. B. zwischen den lichtemittierenden Vorrichtungen 500 ausgebildet sein. Das Vorrichtungssubstrat 100 kann einen Lochumfangsbereich HA enthalten, der einen Bereich enthält, in dem das Substratloch CH ausgebildet ist. Die Gate-Leitung GL und die Datenleitung DL können das Substratloch CH entlang einem Rand des Substratlochs CH im Lochumfangsbereich HA umgehen.
  • Der Lochumfangsbereich HA kann einen Durchdringungsbereich CA, in dem das Substratloch CH ausgebildet ist, und einen Trennbereich SA, der den Durchdringungsbereich CA umgibt, enthalten. Der Trennbereich SA kann z. B. zwischen dem Durchdringungsbereich CA und den Pixeln PA angeordnet sein.
  • In dem Trennbereich SA kann wenigstens eine Trennvorrichtung 700 angeordnet sein. Die Trennvorrichtung 700 kann eine Struktur aufweisen, in der breite Muster 710 und schmale Muster 720 wiederholt gestapelt sind. Jedes der breiten Muster 710 kann z. B. ein erstes breites Muster 711, ein zweites breites Muster 712 und ein drittes breites Muster 713 enthalten, die sequentiell gestapelt sind, wobei jedes der schmalen Muster 720 ein erstes schmales Muster 721 zwischen dem ersten breiten Muster 711 und dem zweiten breiten Muster 712 und ein zweites schmales Muster 722 zwischen dem zweiten breiten Muster 712 und dem dritten breiten Muster 713 enthalten kann. Eine Breite w2 jedes schmalen Musters 720 kann kleiner als eine Breite w1 des ersten breiten Musters 711 sein. Jede der Trennvorrichtungen 700 kann aufgrund eines Breitenunterschieds der breiten Muster 710 und der schmalen Muster 720 wenigstens eine unterschnittene Struktur enthalten.
  • Die unterschnittene Struktur kann eine Tiefe h aufweisen, die die gleiche wie eine Dicke des entsprechenden schmalen Musters 720 ist. Die Tiefe h der unterschnittenen Struktur, die durch das dritte breite Muster 713 und das zweite schmale Muster 722 ausgebildet ist, kann z. B. die gleiche wie die Dicke des zweiten schmalen Musters 722 sein. Eine Länge d der unterschnittenen Struktur kann die gleiche wie ein Abstand zwischen einer Seitenfläche des entsprechenden breiten Musters 710 und einer Seitenfläche des entsprechenden schmalen Musters 720 sein. Die Länge d der unterschnittenen Struktur, die durch das dritte breite Muster 713 und das zweite schmale Muster 722 ausgebildet ist, kann z. B. die gleiche wie der Abstand zwischen einer Seitenfläche des dritten breiten Musters 713 und einer Seitenfläche des zweiten schmalen Musters 722 sein. Jede der Tiefe h und der Länge d der unterschnittenen Struktur kann größer als eine Dicke der lichtemittierenden Schicht 520 sein, die sich auf dem Lochumfangsbereich HA erstreckt. Vorzugsweise kann die Summe aus der Tiefe h und der Länge d der unterschnittenen Struktur größer als eine Dicke der lichtemittierenden Schicht 520 sein.
  • Die Tiefe h und die Länge d der unterschnittenen Struktur können z. B. größer als eine Summe aus einer Dicke der ersten organischen Schicht 521 und einer Dicke der zweiten organischen Schicht 523 sein. Die Tiefe h und die Länge d der unterschnittenen Struktur können z. B. jeweils größer als 3000 µm sein. Folglich können in der Anzeigevorrichtung gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung die lichtemittierende Schicht 520 und die zweite Elektrode 530, die auf dem Trennbereich SA abgeschieden sind, durch die Trennvorrichtung 700 vollständig getrennt sein. Die Trennvorrichtung 700 kann z. B. die erste organische Schicht 521 und die zweite organische Schicht 523 der lichtemittierenden Schicht 520 und die zweite Elektrode 530 in dem Trennbereich SA trennen. In der Anzeigevorrichtung gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann deshalb das Eindringen der äußeren Feuchtigkeit über die lichtemittierende Schicht 520 durch die Trennvorrichtung 700 blockiert oder unterbrochen werden. Die zweite Elektrode 530 kann durch die unterschnittene Struktur der Trennvorrichtung 700 getrennt sein. In der Anzeigevorrichtung gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann z. B. die unterschnittene Struktur der Trennvorrichtung 700 durch die lichtemittierende Schicht 520 und die zweite Elektrode 530 freigelegt sein.
  • Die breiten Muster 710 und die schmalen Muster 720 können ein Isoliermaterial enthalten. Die schmalen Muster 720 können ein anderes Material als die breiten Muster 710 enthalten. Die schmalen Muster 720 können z. B. ein Material enthalten, das durch ein Ätzmittel, das in einem Prozess des Bildens der Trennvorrichtung 700 verwendet wird, schneller als die breiten Muster 710 geätzt wird. Folglich kann in der Anzeigevorrichtung gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung der Prozess des Bildens der Trennvorrichtung 700 vereinfacht sein.
  • Das erste breite Muster 711 kann von einem Abschnitt der lichtemittierenden Schicht 520 und einem Abschnitt der zweiten Elektrode 530, die durch die Trennvorrichtung 700 getrennt sind, entfernt beabstandet sein. Eine Breite w1 des ersten breiten Musters 711 kann z. B. kleiner als eine Breite des dritten breiten Musters 713 sein, das am obersten Abschnitt der Trennvorrichtung 700 angeordnet ist.
  • Die Trennvorrichtung 700 kann durch einen Prozess des Bildens der Treiberschaltung und der lichtemittierenden Vorrichtung 500 gebildet werden. Ein Schritt des Bildens der Trennvorrichtung 700 kann z. B. einen Schritt des Abscheidens der ersten Zwischenschicht-Isolierschicht 240, der ersten Zwischenschicht 121, der zweiten Zwischenschicht 122, der isolierenden Trennschicht 130, der zweiten Zwischenschicht-Isolierschicht 340, der zweiten isolierenden Zwischenschicht 140 und der zweiten Überzugschicht 160 auf dem Trennbereich SA und einen Schritt des sequentiellen Ätzens der ersten Zwischenschicht 121, der zweiten Zwischenschicht 122, der isolierenden Trennschicht 130, der zweiten Zwischenschicht-Isolierschicht 340, der zweiten isolierenden Zwischenschicht 140 und der zweiten Überzugschicht 160 unter Verwendung eines Maskenmusters enthalten. Das erste breite Muster 711 kann durch einen Prozess des Ätzens der ersten Zwischenschicht 121 auf dem Trennbereich SA gebildet werden. Das erste breite Muster 711 kann z.B. ein Material auf Siliciumoxidbasis (SiOx) enthalten. Das erste schmale Muster 721 kann durch einen Prozess des Ätzens der zweiten Zwischenschicht 122 auf dem Trennbereich SA gebildet werden. Das erste schmale Muster 721 kann z. B. ein Material auf Siliciumnitridbasis (SiNx) enthalten. Das zweite breite Muster 712 kann durch einen Prozess des Ätzens der isolierenden Trennschicht 130 und der zweiten Zwischenschicht-Isolierschicht 340 auf dem Trennbereich SA gebildet werden. Das zweite breite Muster 712 kann z. B. ein Material auf Siliciumoxidbasis (SiOx) enthalten. Das zweite breite Muster 712 kann eine gestapelte Struktur aus einer unteren breiten Schicht 712a und einer oberen breiten Schicht 712b aufweisen. Das zweite schmale Muster 722 kann durch einen Prozess des Ätzens der zweiten isolierenden Zwischenschicht 140 auf dem Trennbereich SA gebildet werden. Das zweite schmale Muster 722 kann z. B. ein Material auf Siliciumnitridbasis (SiNx) enthalten. Das dritte breite Muster 713 kann durch einen Prozess des Ätzens der zweiten Überzugschicht 160 gebildet werden. Das dritte breite Muster 713 kann z. B. ein organisches Isoliermaterial enthalten. Folglich kann in der Anzeigevorrichtung gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung die Verringerung des Prozesswirkungsgrades aufgrund des Prozesses des Bildens der Trennvorrichtung 700 minimiert werden.
  • Der Lochumfangsbereich HA kann ferner einen Barrierenbereich BA enthalten, der außerhalb des Trennbereichs SA angeordnet ist. Der Trennbereich SA kann zwischen dem Durchdringungsbereich CA und dem Barrierenbereich BA angeordnet sein. Wenigstens ein Damm 800 kann auf dem Barrierenbereich BA angeordnet sein.
  • Entsprechend enthält die Anzeigevorrichtung gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wenigstens eine Trennvorrichtung 700 innerhalb des Trennbereichs SA, die zwischen dem Durchdringungsbereich CA, in dem das Substratloch CH ausgebildet ist, und den Pixeln PA angeordnet ist, wobei die Trennvorrichtung 700 wenigstens eine unterschnittene Struktur enthalten kann und wobei die Tiefe und die Länge der unterschnittenen Struktur größer als die Dicke der lichtemittierenden Schicht 520 der lichtemittierenden Vorrichtung 500 in jedem Pixel PA sein können. Folglich kann in der Anzeigevorrichtung gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung die lichtemittierende Schicht 520 durch die Trennvorrichtung 700 vollständig getrennt sein. Das heißt, in der Anzeigevorrichtung der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann die Beschädigung der lichtemittierenden Vorrichtungen 500 aufgrund der durch das Substratloch CH eindringenden äußeren Feuchtigkeit wirksam verhindert werden. Und in der Anzeigevorrichtung gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann die Trennvorrichtung 700 unter Verwendung des Prozesses des Bildens der Treiberschaltung und der lichtemittierenden Vorrichtung 500 jedes Pixels PA gebildet werden. Deshalb kann in der Anzeigevorrichtung gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung eine Verringerung des Prozesswirkungsgrades aufgrund des Prozesses des Bildens der Trennvorrichtung 700 verhindert werden.
  • Die Anzeigevorrichtung gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird so beschrieben, dass sowohl das Vorrichtungssubstrat 100 als auch die Pufferisolierschicht 110 eine Mehrschichtstruktur aufweist. Die Anzeigevorrichtung gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann jedoch das Vorrichtungssubstrat 100 mit einer Einschichtstruktur und die Pufferisolierschicht 110 mit einer Einschichtstruktur enthalten, wie in 6 gezeigt ist. Alternativ kann in der Anzeigevorrichtung gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung nur eines des Vorrichtungssubstrats 100 und der Pufferisolierschicht 110 eine Einschichtstruktur aufweisen.
  • Die Anzeigevorrichtung gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird so beschrieben, dass die zweite isolierende Zwischenschicht 140 zwischen der zweiten Zwischenschicht-Isolierschicht 340 und der ersten Überzugschicht 150 angeordnet ist. In der Anzeigevorrichtung gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann jedoch der zweite Dünnschichttransistor 300 eine Passivierungsschicht 345 enthalten, die die zweite Gate-Elektrode 330 von der zweiten Source-Elektrode 350 und der zweiten Drain-Elektrode 360 isoliert, wie in den 6, 7A und 7B gezeigt ist. Die Passivierungsschicht 345 kann z. B. zwischen der zweiten Gate-Elektrode 330 und der zweiten Source-Elektrode 350 und zwischen der zweiten Gate-Elektrode 330 und der zweiten Drain-Elektrode 360 angeordnet sein. Die Passivierungsschicht 345 kann sich mit der zweiten Gate-Elektrode 330, der zweiten Source-Elektrode 350 und der zweiten Drain-Elektrode 360 in direkten Kontakt befinden. Die Passivierungsschicht 345 kann ein Material auf Siliciumoxidbasis (SiOx) enthalten. Das heißt, in der Anzeigevorrichtung gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann eine Isolierschicht, die ein Material auf Siliciumnitridbasis (SiNx) enthält, nicht auf dem zweiten Halbleitermuster 310 des zweiten Dünnschichttransistors 300 angeordnet sein. Folglich kann in der Anzeigevorrichtung gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung die Verschlechterung des zweiten Halbleitermusters 310, das einen Oxidhalbleiter enthält, aufgrund des Wasserstoffs, der von einer Isolierschicht erzeugt wird, die ein Material auf Siliciumnitridbasis (SiNx) enthält, verhindert werden.
  • Die Anzeigevorrichtung gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird so beschrieben, dass die breiten Muster 710 und die schmalen Muster 720 ein Isoliermaterial enthalten. In der Anzeigevorrichtung gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung können jedoch die breiten Muster 710 und/oder die schmalen Muster 720 ein leitfähiges Material enthalten. In der Anzeigevorrichtung gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann z. B. die Trennvorrichtung 700 auf der Passivierungsschicht 345 angeordnet sein, wie in den 6, 7A und 7B gezeigt ist. Die Trennvorrichtung 700 kann ein einziges breites Muster 710 und ein einziges schmales Muster 720 enthalten. Die Trennvorrichtung 700 kann z.B. das schmale Muster 720 und das breite Muster 710 enthalten, die sequentiell auf der Passivierungsschicht 345 gestapelt sind.
  • Das schmale Muster 720 kann ein leitfähiges Material enthalten. Das schmale Muster 720 kann auf derselben Schicht wie die zweite Source-Elektrode 350 und die zweite Drain-Elektrode 360 des zweiten Dünnschichttransistors 300 angeordnet sein. Das schmale Muster 720 kann z. B. das gleiche Material wie die zweite Source-Elektrode 350 und die zweite Drain-Elektrode 360 des zweiten Dünnschichttransistors 300 enthalten. Das schmale Muster 720 kann durch den gleichen Prozess wie die zweite Source-Elektrode 350 und die zweite Drain-Elektrode 360 des zweiten Dünnschichttransistors 300 gebildet werden. Das schmale Muster 720 kann die gleiche Struktur wie die zweite Source-Elektrode 350 und die zweite Drain-Elektrode 360 des zweiten Dünnschichttransistors 300 aufweisen. Das schmale Muster 720 kann z. B. eine Dreischichtstruktur aufweisen, bei der eine Zwischenschicht, die aus einer Titan- (Ti-) Metallschicht besteht, zwischen einer unteren Schicht und einer oberen Schicht angeordnet ist, die aus einer Aluminium- (Al-) Metallschicht bestehen. Das breite Muster 710 kann das gleiche Material wie eine der ersten Überzugschicht 150, der zweiten Überzugschicht 160 und der Bankisolierschicht 170 enthalten, die auf der zweiten Source-Elektrode 350 und der zweiten Drain-Elektrode 360 des zweiten Dünnschichttransistors 300 angeordnet sind. Folglich kann in der Anzeigevorrichtung gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung die Trennvorrichtung 700 wirksam ausgebildet sein. In der Anzeigevorrichtung gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung können z. B. die Tiefe und die Länge der unterschnittenen Struktur aufgrund des breiten Musters 710 und des schmalen Musters 720 leicht gesteuert werden. Deshalb kann in der Anzeigevorrichtung gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung die Trennung der zweiten Elektrode 530 und der lichtemittierenden Schicht 520 durch die Trennvorrichtung 700 wirksam ausgeführt werden. Die erste organische Schicht 521 und die zweite organische Schicht 523 der lichtemittierenden Schicht 520 und die zweite Elektrode 530 können z. B. in mehreren Mustern auf dem Trennbereich SA durch die Trennvorrichtung 700 getrennt sein, wie in 7A gezeigt ist.
  • Die Anzeigevorrichtung gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird so beschrieben, dass die schmalen Muster 720 das gleiche Material enthalten. In der Anzeigevorrichtung gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung können die schmalen Muster 720 jedoch eine gestapelte Struktur von Schichten aufweisen, die aus verschiedenen Materialien ausgebildet sind. In der Anzeigevorrichtung gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann die Trennvorrichtung 700 z. B. ein erstes breites Muster 711, ein erstes schmales Muster 721, ein zweites breites Muster 712, ein zweites schmales Muster 722 und ein drittes breites Muster 713 enthalten, die sequentiell auf die erste Zwischenschicht-Isolierschicht 240 gestapelt sind, wie in den 6, 8A und 8B gezeigt ist. Das erste breite Muster 711 und das zweite breite Muster 712 können ein Material auf Siliciumoxidbasis (SiOx) enthalten. Das erste breite Muster 711 kann das gleiche Material wie die erste Zwischenschicht 121 der ersten isolierenden Zwischenschicht 120 enthalten. Das erste breite Muster 711 kann auf der gleichen Schicht wie die erste Zwischenschicht 121 der ersten isolierenden Zwischenschicht 120 angeordnet sein.
  • Das zweite breite Muster 712 kann eine Zweischichtstruktur aufweisen, bei der eine untere breite Schicht 712a und eine obere breite Schicht 712b gestapelt sind. Die untere breite Schicht 712a des zweiten breiten Musters 712 kann das gleiche Material wie die isolierende Trennschicht 130 enthalten. Die untere breite Schicht 712a des zweiten breiten Musters 712 kann auf der gleichen Schicht wie die isolierende Trennschicht 130 angeordnet sein. Die obere breite Schicht 712b des zweiten breiten Musters 712 kann das gleiche Material wie die Passivierungsschicht 345 enthalten. Die obere breite Schicht 712b des zweiten breiten Musters 712 kann auf der gleichen Schicht wie die Passivierungsschicht 345 angeordnet sein.
  • Das dritte breite Muster 713 kann das gleiche Material wie eine der ersten Überzugschicht 150, der zweiten Überzugschicht 160 und der Bankisolierschicht 170 enthalten, die auf der zweiten Source-Elektrode 350 und der zweiten Drain-Elektrode 360 des zweiten Dünnschichttransistors 300 angeordnet sind. Das dritte breite Muster 713 kann z. B. das gleiche Material wie die zweite Überzugschicht 160 enthalten.
  • Das erste schmale Muster 721 kann das gleiche Material wie die zweite Zwischenschicht 122 der ersten isolierenden Zwischenschicht 120 enthalten. Das erste schmale Muster 721 kann z. B. ein Material auf Siliciumoxidbasis (SiOx) enthalten. Das erste schmale Muster 721 kann auf der gleichen Schicht wie die zweite Zwischenschicht 122 der ersten isolierenden Zwischenschicht 120 angeordnet sein. Das zweite schmale Muster 722 kann das gleiche Material wie die zweite Source-Elektrode 350 und die zweite Drain-Elektrode 360 des zweiten Dünnschichttransistors 300 enthalten. Das zweite schmale Muster 722 kann z. B. in der gleichen Struktur wie die zweite Source-Elektrode 350 und die zweite Drain-Elektrode 360 ausgebildet sein. Das zweite schmale Muster 722 kann eine Dreischichtstruktur aufweisen, bei der eine Zwischenschicht, die aus einer Titan- (Ti-) Metallschicht besteht, zwischen einer unteren Schicht und einer oberen Schicht, die aus einer Aluminium- (Al-) Metallschicht bestehen, angeordnet ist. Folglich kann in der Anzeigevorrichtung gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung der Freiheitsgrad für die Konfiguration des zweiten schmalen Musters 722 verbessert sein.
  • Die Anzeigevorrichtung gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird so beschrieben, dass der zweite Dünnschichttransistor 300 jedes Pixels PA mit der ersten Elektrode 510 des entsprechenden Pixels PA elektrisch verbunden ist. In der Anzeigevorrichtung gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann jedoch die erste Elektrode 510 jedes Pixels PA mit dem ersten Dünnschichttransistor 200 des entsprechenden Pixels PA elektrisch verbunden sein, wie in 9 gezeigt ist. Die Anzeigevorrichtung gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann z. B. eine dritte Zwischenelektrode 630, die mit der ersten Drain-Elektrode 260 des ersten Dünnschichttransistors 200 verbunden ist, indem sie die isolierende Trennschicht 130, die zweite Zwischenschicht-Isolierschicht 340 und die zweite isolierende Zwischenschicht 140 durchdringt, und eine vierte Zwischenelektrode 640, die mit der dritten Zwischenelektrode 630 verbunden ist, indem sie die erste Überzugschicht 150 durchdringt, enthalten. Die erste Elektrode 510 jedes Pixels PA kann mit der vierten Zwischenelektrode 640 verbunden sein, indem sie die zweite Überzugschicht 160 durchdringt. Folglich kann in der Anzeigevorrichtung gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung der Freiheitsgrad für den Ort jeder Treiberschaltung verbessert sein.
  • Die Anzeigevorrichtung gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird so beschrieben, dass der zweite Dünnschichttransistor 300, der einen Oxidhalbleiter enthält, mit der ersten Elektrode 510 der lichtemittierenden Vorrichtung 500 elektrisch verbunden ist, um als Treibertransistor zu dienen, wie in den 3 und 6 gezeigt ist. Die Anzeigevorrichtung gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann jedoch den ersten Dünnschichttransistor 200, der ein Polysilicium enthält, das mit der ersten Elektrode 510 der lichtemittierenden Vorrichtung 500 elektrisch verbunden ist, um als ein Treibertransistor zu dienen, enthalten, wie in den 9, 10A und 10B gezeigt ist. In der Anzeigevorrichtung gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann die erste isolierende Zwischenschicht 120 eine einzige Schicht sein, die ein Material auf Siliciumnitridbasis (SiNx) enthält. Die Offenbarung ist jedoch nicht darauf eingeschränkt. Die erste isolierende Zwischenschicht 120 kann z. B. eine Zweischichtstruktur aufweisen, die eine Schicht, die aus einem Material auf Siliciumnitridbasis (SiNx) besteht, und eine Schicht, die aus einem Material auf Siliciumoxidbasis (SiOx) besteht, enthält.
  • In der Anzeigevorrichtung gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann die Trennvorrichtung 700 ein erstes breites Muster 711, ein erstes schmales Muster 721, ein zweites breites Muster 712, ein zweites schmales Muster 722 und ein drittes breites Muster 713 enthalten, die sequentiell auf der zweiten Pufferschicht 112 gestapelt sind. Das erste breite Muster 711 und das zweite breite Muster 712 können ein Material auf Siliciumoxidbasis (SiOx) enthalten. Das erste breite Muster 711 kann z. B. das gleiche Material wie die erste Gate-Isolierschicht 220 enthalten, wobei das zweite breite Muster 712 eine gestapelte Struktur aus einer unteren breiten Schicht 712a, die das gleiche Material wie die isolierende Trennschicht 130 enthält, und einer oberen breiten Schicht 712b, die das gleiche Material wie die zweite Zwischenschicht-Isolierschicht 340 enthält, aufweisen kann. Das dritte breite Muster 713 kann das gleiche Material wie eine der ersten Überzugschicht 150, der zweiten Überzugschicht 160 und der Bankisolierschicht 170 enthalten, die auf der zweiten Source-Elektrode 350 und der zweiten Drain-Elektrode 360 des zweiten Dünnschichttransistors 300 angeordnet sind. Das dritte breite Muster 713 kann z. B. durch einen Maskenprozess des Bildens der zweiten Überzugschicht 160 gebildet werden. Das dritte breite Muster 713 kann das gleiche Material wie die zweite Überzugschicht 160 enthalten. Das erste schmale Muster 721 und das zweite schmale Muster 722 können ein Material auf Siliciumnitridbasis (SiNx) enthalten. Das erste schmale Muster 721 kann z. B. eine gestapelte Struktur aus einer unteren schmalen Schicht 721a, die das gleiche Material wie die erste Zwischenschicht-Isolierschicht 240 enthält, und einer oberen schmalen Schicht 721b, die das gleiche Material wie die erste isolierende Zwischenschicht 120 enthält, aufweisen. Das zweite schmale Muster 722 kann das gleiche Material wie die zweite isolierende Zwischenschicht 140 enthalten. Folglich kann in der Anzeigevorrichtung gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung der Freiheitsgrad für die Konfiguration der Trennvorrichtung 700 verbessert sein.
  • In der Anzeigevorrichtung gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann die zweite Gate-Elektrode 330 von der zweiten Source-Elektrode 350 und der zweiten Drain-Elektrode 360 durch die Passivierungsschicht 345 isoliert sein, wie in den 11, 12A und 12B gezeigt ist. In der Anzeigevorrichtung gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann z. B. die Trennvorrichtung 700 das erste breite Muster 711, das erste schmale Muster 721, das zweite breite Muster 712, das zweite schmale Muster 722 und das dritte breite Muster 713 enthalten, die sequentiell auf der Pufferisolierschicht 110 gestapelt sind. Das erste breite Muster 711 kann das gleiche Material wie die erste Gate-Isolierschicht 220 enthalten. Das zweite breite Muster 712 kann eine gestapelte Struktur aus einer unteren breiten Schicht 712a, die das gleiche Material wie die isolierende Trennschicht 130 enthält, und einer oberen breiten Schicht 712b, die das gleiche Material wie die Passivierungsschicht 345 enthält, aufweisen. Das dritte breite Muster 713 kann das gleiche Material wie eine der ersten Überzugschicht 150, der zweiten Überzugschicht 160 und der Bankisolierschicht 170 enthalten, die auf der zweiten Source-Elektrode 350 und der zweiten Drain-Elektrode 360 des zweiten Dünnschichttransistors 300 angeordnet sind. Das dritte breite Muster 713 kann z. B. durch einen Maskenprozess des Bildens der zweiten Überzugschicht 160 gebildet werden. Das dritte breite Muster 713 kann das gleiche Material wie die zweite Überzugschicht 160 enthalten. Das erste schmale Muster 721 kann eine gestapelte Struktur aus einer unteren schmalen Schicht 721a, die das gleiche Material wie die erste Zwischenschicht-Isolierschicht 240 enthält, und einer oberen schmalen Schicht 721b, die das gleiche Material wie die erste isolierende Zwischenschicht 120 enthält, aufweisen. Das zweite schmale Muster 722 kann das gleiche Material wie die zweite Source-Elektrode 350 und die zweite Drain-Elektrode 360 des zweiten Dünnschichttransistors 300 enthalten. Folglich kann in der Anzeigevorrichtung gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung die Trennvorrichtung 700 wirksam konfiguriert sein. Das zweite schmale Muster 722 kann ähnlich zu der zweiten Source-Elektrode 350 und der zweiten Drain-Elektrode 360 eine Dreischichtstruktur aufweisen, die aus einer unteren Schicht, einer Zwischenschicht und einer oberen Schicht besteht. Die untere Schicht und die obere Schicht des zweiten schmalen Musters 722 können z. B. aus einer Aluminium- (Al-) Metallschicht bestehen, während die Zwischenschicht des zweiten schmalen Musters 722 zwischen der unteren Schicht und der oberen Schicht des zweiten schmalen Musters 722 aus einer Titan- (Ti-) Metallschicht bestehen kann.
  • In der Anzeigevorrichtung gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann die zweite Gate-Elektrode 330 von der zweiten Source-Elektrode 350 und der zweiten Drain-Elektrode 360 durch die Passivierungsschicht 345 isoliert sein, wobei die Trennvorrichtung 700 ein einziges schmales Muster 720 und ein einziges breites Muster 710 enthalten kann, die sequentiell auf der Passivierungsschicht 345 gestapelt sind, wie in den 11 und 13 gezeigt ist.
  • Das schmale Muster 720 kann ein leitfähiges Material enthalten. Das schmale Muster 720 kann z. B. das gleiche Material wie die zweite Source-Elektrode 350 und die zweite Drain-Elektrode 360 des zweiten Dünnschichttransistors 300 enthalten. Das schmale Muster 720 kann auf der gleichen Schicht wie die zweite Source-Elektrode 350 und die zweite Drain-Elektrode 360 des zweiten Dünnschichttransistors 300 angeordnet sein. Das schmale Muster 720 kann durch den gleichen Prozess wie die zweite Source-Elektrode 350 und die zweite Drain-Elektrode 360 des zweiten Dünnschichttransistors 300 gebildet werden. Die zweite Source-Elektrode 350, die zweite Drain-Elektrode 360 und das schmale Muster 720 können z. B. eine Struktur aufweisen, in der eine Titan-(Ti-) Metallschicht zwischen Aluminium- (Al-) Metallschichten angeordnet ist. Wenn das schmale Muster 720 das gleiche Material wie die zweite Source-Elektrode 350 und die zweite Drain-Elektrode 360 enthält, kann das breite Muster 710 das gleiche Material wie eine der ersten Überzugschicht 150, der zweiten Überzugschicht 160 und der Bankisolierschicht 170 enthalten. Die Offenbarung ist jedoch nicht darauf eingeschränkt. Das schmale Muster 720 kann z. B. das gleiche Material wie die vierte Zwischenelektrode 640 zwischen der ersten Überzugschicht 150 und der zweiten Überzugschicht 160 enthalten. Das schmale Muster 720 kann durch den gleichen Prozess wie die vierte Zwischenelektrode 640 gebildet werden. Wenn das schmale Muster 720 das gleiche Material wie die vierte Zwischenelektrode 640 enthält, kann das breite Muster 710 das gleiche Material wie eine der zweiten Überzugschicht 160 und der Bankisolierschicht 170 enthalten. Folglich kann in der Anzeigevorrichtung gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung die unterschnittene Struktur durch das breite Muster 710 und das schmale Muster 720 ausgebildet sein, wobei die Trennung der zweiten Elektrode 530 und der lichtemittierenden Schicht 520 wirksam ausgeführt werden kann. Die erste organische Schicht 521 und die zweite organische Schicht 523 der lichtemittierenden Schicht 520 und die zweite Elektrode 530 können z. B. in mehreren Mustern auf dem Trennbereich SA durch die Trennvorrichtung 700 getrennt sein, wie in 13 gezeigt ist.
  • In der Anzeigevorrichtung gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann die Trennvorrichtung 700 das erste breite Muster 731, das erste schmale Muster 741, das zweite breite Muster 732, das zweite schmale Muster 742 und das dritte breite Muster 733 enthalten, die sequentiell auf der Passivierungsschicht 345 gestapelt sind, wie in den 14A und 14B gezeigt ist. Das erste breite Muster 731 kann ein organisches Isoliermaterial enthalten, das das gleiche wie die erste Überzugschicht 150 ist. Das erste schmale Muster 741 kann ein Metallmaterial enthalten, das das gleiche wie die vierte Zwischenelektrode 640 ist. Das zweite breite Muster 732 kann ein organisches Isoliermaterial enthalten, das das gleiche wie die zweite Überzugschicht 160 ist. Das zweite schmale Muster 742 kann ein Metallmaterial enthalten, das das gleiche wie die erste Elektrode 510 ist. Das dritte breite Muster 733 kann ein organisches Isoliermaterial enthalten, das das gleiche wie die Bankisolierschicht 170 ist. Folglich können in der Anzeigevorrichtung gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung die breiten Muster 731, 732 und 733 der Trennvorrichtung 700 aus einer organischen Materialschicht bestehen, während die schmalen Muster 741 und 742 der Trennvorrichtung 700 aus einer Metallmaterialschicht bestehen können.
  • Und in der Anzeigevorrichtung gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann die Trennvorrichtung 700 das erste breite Muster 751, das erste schmale Muster 761, das zweite breite Muster 752, das zweite schmale Muster 762, das dritte breite Muster 753, das dritte schmale Muster 763 und das vierte breite Muster 754 enthalten, die sequentiell auf der ersten Gate-Isolierschicht 220 gestapelt sind, wie in den 15A und 15B gezeigt ist. Das erste breite Muster 751 kann das gleiche Material wie die erste Gate-Elektrode 230 des ersten Dünnschichttransistors 200 enthalten. Das zweite breite Muster 752 kann das gleiche Material wie die erste Source-Elektrode 250 und die erste Drain-Elektrode 260 des ersten Dünnschichttransistors 200 enthalten. Das dritte breite Muster 753 kann das gleiche Material wie die zweite Gate-Elektrode 330 des zweiten Dünnschichttransistors 300 enthalten. Das vierte breite Muster 754 kann das gleiche Material wie eine der ersten Überzugschicht 150, der zweiten Überzugschicht 160 und der Bankisolierschicht 170 enthalten. Das erste schmale Muster 761, das zweite schmale Muster 762 und das dritte schmale Muster 763 können ein Isoliermaterial enthalten. Das erste schmale Muster 761 kann z. B. eine gestapelte Struktur aus einer Schicht, die das gleiche Material wie die erste Zwischenschicht-Isolierschicht 240 enthält, und einer Schicht, die das gleiche Material wie die erste isolierende Zwischenschicht 120 enthält, aufweisen. Das erste schmale Muster 761 kann die gleiche Dicke wie eine Summe aus einer Dicke der ersten Zwischenschicht-Isolierschicht 240 und einer Dicke der ersten isolierenden Zwischenschicht 120 aufweisen. Das zweite schmale Muster 762 kann das gleiche Material wie die isolierende Trennschicht 130 enthalten, die aus einem Material auf Siliciumoxidbasis (SiOx) besteht. Das zweite schmale Muster 762 kann durch den gleichen Maskenprozess wie die isolierende Trennschicht 130 gebildet werden. Das dritte schmale Muster 763 kann das gleiche Material wie die Passivierungsschicht 345 enthalten, die aus einem Material auf Siliciumoxidbasis (SiOx) besteht. Das dritte schmale Muster 763 kann durch den gleichen Maskenprozess wie die Passivierungsschicht 345 gebildet werden. Folglich kann in der Anzeigevorrichtung gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung der Freiheitsgrad für die Konfiguration der Trennvorrichtung 700 verbessert sein.
  • Im Ergebnis kann die Anzeigevorrichtung gemäß den Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung wenigstens eine Trennvorrichtung zwischen dem Substratloch und den lichtemittierenden Vorrichtungen enthalten, wobei jede der lichtemittierenden Vorrichtungen die lichtemittierende Schicht zwischen der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode enthalten kann, wobei die Trennvorrichtung wenigstens eine unterschnittene Struktur enthalten kann und wobei die unterschnittene Struktur die Tiefe und die Länge aufweisen kann, die größer als die Dicke der lichtemittierenden Schicht sind. Folglich kann in der Anzeigevorrichtung gemäß den Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung der Bewegungsweg der durch das Substratloch eindringenden äußeren Feuchtigkeit durch die Trennvorrichtung blockiert werden. Dadurch können in der Anzeigevorrichtung gemäß den Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung die Lebensdauer und die Zuverlässigkeit der lichtemittierenden Vorrichtungen verbessert werden.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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  • Zitierte Patentliteratur
    • KR 10201900093100 [0001]

Claims (18)

  1. Anzeigevorrichtung, die umfasst: ein Vorrichtungssubstrat (100); ein Substratloch (CH), das ein Vorrichtungssubstrat (100) durchdringt; eine lichtemittierende Vorrichtung (500) auf dem Vorrichtungssubstrat (100), wobei die lichtemittierende Vorrichtung (500) von dem Substratloch (CH) entfernt beabstandet ist; und wenigstens eine Trennvorrichtung (700) zwischen dem Substratloch (CH) und der lichtemittierenden Vorrichtung (500), wobei die lichtemittierende Vorrichtung (500) eine erste Elektrode (510), eine lichtemittierende Schicht (520) und eine zweite Elektrode (530) enthält, die sequentiell gestapelt sind, wobei jede der Trennvorrichtungen (700) wenigstens eine unterschnittene Struktur enthält.
  2. Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1, wobei eine einer Tiefe (h) und/oder einer Länge (d) der unterschnittenen Struktur größer als eine Dicke der lichtemittierenden Schicht (520) ist.
  3. Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, wobei die Trennvorrichtung (700) eine Struktur aufweist, in der ein breites Muster (713) und ein schmales Muster (720) wenigstens einmal wiederholt gestapelt sind, und wobei eine Breite (w2) des schmalen Musters (720) kleiner als eine Breite (w1) des breiten Musters (713) ist.
  4. Anzeigevorrichtung nach Anspruch 2 oder 3, wobei die Tiefe (h) der unterschnittenen Struktur durch eine Dicke des schmalen Musters (722) definiert ist und/oder die Länge (d) der unterschnittenen Struktur durch einen Abstand zwischen einer Seitenfläche des breiten Musters (713) und einer Seitenfläche des schmalen Musters (722) definiert ist.
  5. Anzeigevorrichtung nach Anspruch 2, 3 oder 4, wobei eine Breite des breiten Musters (711), das an einem untersten Abschnitt der Trennvorrichtung (700) angeordnet ist, kleiner als eine Breite des breiten Musters (713), das an einem obersten Abschnitt der Trennvorrichtung (700) angeordnet ist, ist.
  6. Anzeigevorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, die ferner umfasst: wenigstens einen Damm (800), der zwischen der lichtemittierenden Vorrichtung (500) und der wenigstens einen Trennvorrichtung (700) angeordnet ist.
  7. Anzeigevorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, die ferner umfasset: eine Treiberschaltung zum Ansteuern der lichtemittierenden Vorrichtung (500), die einen ersten Dünnschichttransistor (200) auf dem Vorrichtungssubstrat (100) und einer isolierenden Trennschicht (130) und einen zweiten Dünnschichttransistor (300) zwischen dem ersten Dünnschichttransistor (200) und der lichtemittierenden Vorrichtung (500) enthält, wobei die Trennvorrichtung (700) durch einen Prozess des Bildens der Treiberschaltung und der lichtemittierenden Vorrichtung (500) gebildet wird.
  8. Anzeigevorrichtung nach Anspruch 7, wobei wenigstens eines der breiten Muster (713, 712, 711) ein leitfähiges Material enthält, das das gleiche wie eine einer Elektrode des ersten Dünnschichttransistors (200), einer Elektrode des zweiten Dünnschichttransistors (300) oder der ersten Elektrode (510) der lichtemittierenden Vorrichtung (500) ist.
  9. Anzeigevorrichtung nach Anspruch 7 oder 8, wobei jedes der breiten Muster (713, 712, 711) ein isolierendes Material enthält, das das gleiche wie eine einer Isolierschicht innerhalb des ersten Dünnschichttransistors (200), einer Isolierschicht innerhalb des zweiten Dünnschichttransistors (300), einer Isolierschicht zwischen dem ersten Dünnschichttransistor (200) und dem zweiten Dünnschichttransistor (300), einer Isolierschicht zwischen dem zweiten Dünnschichttransistor (300) und der lichtemittierenden Vorrichtung (500) oder einer Isolierschicht zwischen benachbarten lichtemittierenden Vorrichtungen (500) ist.
  10. Anzeigevorrichtung, die umfasst: ein Vorrichtungssubstrat (100), das einen ersten Bereich (CA), einen zweiten Bereich (SA), der den ersten Bereich (CA) umgibt, und einen dritten Bereich, der außerhalb des zweiten Bereichs (SA) angeordnet ist, enthält; ein Substratloch (CH), das den ersten Bereich (CA) des Vorrichtungssubstrats (100) durchdringt; eine lichtemittierende Vorrichtung (500) auf dem dritten Bereich des Vorrichtungssubstrats (100), wobei die lichtemittierende Vorrichtung (500) eine lichtemittierende Schicht (520) zwischen einer ersten Elektrode (510) und einer zweiten Elektrode (530) enthält; und wenigstens eine Trennvorrichtung (700) auf dem zweiten Bereich (SA) des Vorrichtungssubstrats (100), wobei jede der Trennvorrichtungen (700) eine Struktur aufweist, in der ein breites Muster (713, 712, 711) und ein schmales Muster (722, 721) wenigstens einmal wiederholt gestapelt sind.
  11. Anzeigevorrichtung nach Anspruch 10, wobei das schmale Muster (722, 721) eine kleinere Breite als das breite Muster (713, 721, 711) aufweist, und/oder eine Dicke des schmalen Musters (722, 721) größer als eine Dicke der lichtemittierenden Schicht (520) ist, und/oder ein Abstand (d) zwischen einer Seitenfläche des breiten Musters (713, 712, 711) und einer Seitenfläche des schmalen Musters (722, 721) größer als die Dicke der lichtemittierenden Schicht (520) ist.
  12. Anzeigevorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei jedes des breiten Musters (713, 712, 711) und des schmalen Musters (722, 721) ein Isoliermaterial enthält oder das schmale Muster (722) ein anderes Material als das breite Muster (713) enthält und/oder wenigstens eines der schmalen Muster (722) ein leitfähiges Material enthält.
  13. Anzeigevorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei ein oberster Abschnitt der Trennvorrichtung (700) das breite Muster (713, 712, 711) enthält.
  14. Anzeigevorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, die ferner einen Dünnschichttransistor (200, 300) zwischen dem Vorrichtungssubstrat (100) und der lichtemittierenden Vorrichtung (500) umfasst, wobei das schmale Muster (722, 721) ein gleiches Material wie eine Isolierschicht des Dünnschichttransistors (200, 300) enthält.
  15. Anzeigevorrichtung nach Anspruch 14, die ferner eine Überzugschicht zwischen dem Dünnschichttransistor (200, 300) und der lichtemittierenden Vorrichtung (500) umfasst, wobei das breite Muster (713, 712, 711), das am obersten Abschnitt der Trennvorrichtung (700) angeordnet ist, die ein gleiches Material wie die Überzugschicht (150) enthält.
  16. Anzeigevorrichtung nach Anspruch 14 oder 15, wobei das schmale Muster (722, 721) ein Material auf Siliciumoxidbasis enthält.
  17. Anzeigevorrichtung nach einem der Ansprüche 10-16, wobei die lichtemittierende Schicht (520) auf dem zweiten Bereich (SA) und dem dritten Bereich des Vorrichtungssubstrats (100) ausgebildet ist und wobei die lichtemittierende Schicht (520) auf dem zweiten Bereich (SA) von der lichtemittierenden Schicht (520) auf dem dritten Bereich durch die Trennvorrichtung (700) getrennt ist.
  18. Anzeigevorrichtung nach einem der Ansprüche 10-17, wobei die lichtemittierende Schicht (520) auf dem zweiten Bereich (SA) durch die Trennvorrichtung (700) in mehrere Muster getrennt ist.
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