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Hintergrund
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Gebiet
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Beschrieben werden Beispiele, die sich auf eine Halbleitervorrichtung beziehen.
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Stand der Technik
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Die ungeprüfte
japanische Patentanmeldung Veröffentlichungs-Nr. 2018-11096 A offenbart eine Gate-Ansteuerschaltung, um ein Auftreten einer Überspannung in einer Schaltung zu unterdrücken, in der ein Impedanzmittel zwischen jeden Emitter von IGBTs, die parallel verbunden sind, und einen 0-V-Anschluss einer Gate-Stromversorgungsschaltung geschaltet ist. In dieser Gate-Ansteuerschaltung ist das Impedanzmittel zwischen dem Emitter jedes IGBT und dem 0-V-Anschluss der Gate-Stromversorgungsschaltung vorgesehen, um einen Strom zu unterdrücken, der aufgrund einer parasitären Induktivität auftritt, die in einer Hauptschaltung eines IGBT erzeugt wird, wenn jeder IGBT in einen Leitungszustand versetzt wird. Reihenschaltungen, jeweils Zener-Dioden enthaltend, welche auf der gleichen Polaritätsseite miteinander parallel verbunden sind, sind mit diesen Impedanzmitteln jeweils parallel verbunden.
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In der Gate-Ansteuerschaltung, die in der ungeprüften
japanischen Patentanmeldung Veröffentlichungs-Nr. 2018-11096 A offenbart ist, treten eine Gate-Überspannung und ein Stromungleichgewicht zwischen parallel verbundenen Elementen auf, bis die zwischen den Sources der parallel verbundenen Elemente eingefügte Zener-Diode eine leitfähige Operation ausführt.
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In einer Halbleitervorrichtung, in der mehrere Schaltelemente parallel verbunden sind, ist es denkbar, eine Verdrahtungsinduktivität einer Hauptschaltung für jedes Schaltelement zu vereinheitlichen, um das Stromungleichgewicht zu unterdrücken; aber dies verursacht ein Problem, dass eine Gesamtinduktivität zunimmt. Wenn die Anzahl parallel verbundener Schaltelemente zunimmt, gibt es auch eine Grenze, um die Zunahme der Anzahl zu bewältigen.
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Zusammenfassung
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Die vorliegende Erfindung wurde gemacht, um die Probleme wie oben beschrieben zu lösen, und hat eine Aufgabe, eine Halbleitervorrichtung vorzusehen, die imstande ist, ein Stromungleichgewicht in einer Halbleitervorrichtung zu unterdrücken, in der mehrere Schaltelemente parallel verbunden sind.
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In einigen Beispielen umfasst eine Halbleitervorrichtung ein erstes Schaltelement, das ein erstes Gate, eine erste Source, die über eine erste Verbindungsleitung mit einem gemeinsamen Anschluss verbunden ist, und einen ersten Drain enthält, ein zweites Schaltelement, das ein zweites Gate, eine zweite Source enthält, die über eine zweite Verbindungsleitung mit der ersten Source verbunden ist und über die erste Verbindungsleitung und die zweite Verbindungsleitung mit dem gemeinsamen Anschluss verbunden ist, einen ersten Kondensator, um die erste Source und eine Hochspannungsseite einer Stromversorgung zu verbinden, ein erstes Schaltungselement, das ein erstes Ende aufweist, das zwischen die Hochspannungsseite der Stromversorgung und den ersten Kondensator geschaltet ist, und einen zweiten Kondensator, um die zweite Source und ein zweites Ende des ersten Schaltungselements zu verbinden.
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Andere und weitere Aufgaben, Merkmale und Vorteile werden sich aus der folgenden Beschreibung vollständiger zeigen.
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Figurenliste
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- 1 ist ein Schaltungsdiagramm einer Halbleitervorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform;
- 2 ist ein Schaltungsdiagramm einer Halbleitervorrichtung gemäß einer zweiten Ausführungsform;
- 3 ist ein Diagramm, das ein Beispiel der ersten Detektionsschaltung zeigt;
- 4 ist ein Schaltungsdiagramm einer Halbleitervorrichtung gemäß einer dritten Ausführungsform;
- 5 ist ein Diagramm, das ein Beispiel der zweiten Detektionsschaltung zeigt;
- FIGFig. 6 zeigt ein Konfigurationsbeispiel des ersten Schaltelements;
- 7 zeigt ein anderes Beispiel des ersten Schaltelements;
- 8 ist ein Schaltungsdiagramm einer Halbleitervorrichtung gemäß einer fünften Ausführungsform; und
- 9 ist ein Schaltungsdiagramm einer Halbleitervorrichtung gemäß einer sechsten Ausführungsform.
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Detaillierte Beschreibung
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Unter Bezugnahme auf die Zeichnungen wird eine Halbleitervorrichtung gemäß den Beispielen beschrieben. Die gleichen oder entsprechenden Bestandteile werden durch die gleichen Bezugszeichen repräsentiert, und deren doppelte Beschreibung kann weggelassen werden.
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Erste Ausführungsform
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1 ist ein Schaltungsdiagramm einer Halbleitervorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform. Diese Halbleitervorrichtung enthält ein erstes Schaltelement 10 und ein zweites Schaltelement 12. Das erste Schaltelement 10 enthält ein erstes Gate G1, eine erste Source S1 und einen ersten Drain D1. Die erste Source S1 ist über eine erste Verbindungsleitung 11 mit einem gemeinsamen Anschluss T1 verbunden. Der gemeinsame Anschluss T1 kann beispielsweise ein Mittelpunkt einer Stromversorgung 14 sein.
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Das zweite Schaltelement 12 enthält ein zweites Gate G2, eine zweite Source S2 und einen zweiten Drain D2, der mit dem ersten Drain D1 verbunden ist. Die zweite Source S2 ist über eine zweite Verbindungsleitung 13 mit der ersten Source S1 verbunden. Die zweite Source S2 ist über die erste Verbindungsleitung 11 und die zweite Verbindungsleitung 13 mit dem gemeinsamen Anschluss T1 verbunden. Auf den gemeinsamen Anschluss T1 kann auch als Leistungsanschluss bzw. Leistungsklemme verwiesen werden. Wie oben beschrieben wurde, sind das erste Schaltelement 10 und das zweite Schaltelement 12 miteinander parallel verbunden. Das erste Schaltelement 10 und das zweite Schaltelement 12 können beispielsweise ein IGBT (Bipolartransistor mit isoliertem Gate) oder ein Leistungs-MOSFET sein. Das erste Schaltelement 10 und das zweite Schaltelement 12 können Leistungschips zum Schalten großer Ströme sein.
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Die erste Source S1 und eine Hochspannungsseite der Stromversorgung 14 sind durch einen ersten Kondensator C1 miteinander verbunden. Ein erstes Ende eines ersten Schaltungselements 20 ist zwischen die Hochspannungsseite der Stromversorgung 14 und den ersten Kondensator C1 geschaltet. Ein beliebiges Element mit einer großen transienten Impedanz ist als das erste Schaltungselement 20 verwendbar. Beispielsweise kann das erste Schaltungselement 20 ein Widerstandselement, ein Induktivitätselement oder eine Diode sein. Die zweite Source S2 und das zweite Ende des ersten Schaltungselements 20 sind durch einen zweiten Kondensator C2 miteinander verbunden.
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Wie oben beschrieben wurde, sind die erste Source S1 und die zweite Source S2 mit einem Kondensator für eine Stromversorgung versehen. Das heißt, die erste Source S1 ist mit der Hochspannungsseite der Stromversorgung 14 verbunden, ohne das Element dazwischen anzuordnen. Die zweite Source S2 ist über das erste Schaltungselement 20 mit der Hochspannungsseite der Stromversorgung 14 verbunden.
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Wenn das erste Schaltelement 10 und das zweite Schaltelement 12 eingeschaltet werden, tritt eine Stromvariation in einer Hauptschaltung auf. Die Distanzen vom gemeinsamen Anschluss T1 als ein gemeinsamer Hauptelektrodenanschluss zu den beiden Schaltelementen sind voneinander verschieden. In diesem Beispiel ist die erste Source S1 über die erste Verbindungsleitung 11 mit dem gemeinsamen Anschluss T1 verbunden, wohingegen die zweite Source S2 über die ersten und zweiten Verbindungsleitungen 11 und 13 mit dem gemeinsamen Anschluss T1 verbunden ist. Dementsprechend ist das zweite Schaltelement 12 von dem gemeinsamen Anschluss T1 weiter entfernt als das erste Schaltelement 10. Daher ist, während die Stromvariation in den beiden Schaltelementen auftritt, das Sourcepotential des zweiten Schaltelements 12 größer als das Sourcepotential des ersten Schaltelements 10. Diese Potentialdifferenz ist durch das Produkt einer parasitären Induktivität L1 der zweiten Verbindungsleitung 13 und eine Stromvariationsrate gegeben, und sie erreicht mehrere Volt. Die Differenz zwischen den beiden Sourcepotentialen wird durch ΔV repräsentiert.
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Wenn der erste Kondensator C1, der zweite Kondensator C2 und das erste Schaltungselement 20 nicht vorgesehen sind, ist eine an das zweite Schaltelement 12 angelegte effektive Gate-Stromversorgungsspannung gleich einem Wert, der durch Subtrahieren von ΔV von einer positiven Spannung einer Gateansteuerung erhalten wird. Daher wird die Spannungsvariation beim Ansteigen des Gates des zweiten Schaltelements 12 unterdrückt, und eine Differenz tritt in der in dem Element zwischen dem zweiten Schaltelement 12 und dem ersten Schaltelement 10 fließenden Stromvariationsrate di/dt auf, die durch ΔV nicht beeinflusst wird. Konkret wird die Schaltgeschwindigkeit des zweiten Schaltelements 12 langsamer als diejenige des ersten Schaltelements 10, und ein transientes Stromungleichgewicht kann zur Schaltzeit auftreten.
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Dieses Problem kann allgemein in Konfigurationen auftreten, in denen mehrere Schaltelemente parallel verbunden sind. Konkret tritt, wenn mehrere Ansteuerungs-Sources mit Drähten verbunden sind, eine Differenz in der Schaltgeschwindigkeit zwischen den parallel verbundenen Elementen aufgrund einer induzierten elektromotorischen Kraft der Verdrahtungsinduktivität der Hauptschaltung auf. Beispielsweise ist im Fall eines SiC-MOSFET dieses Problem beachtlich, da oft mehrere kleine Chips parallel verbunden sind.
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Gemäß der Halbleitervorrichtung der ersten Ausführungsform kann jedoch das Stromungleichgewicht unterdrückt werden, indem der erste Kondensator C1, der zweite Kondensator C2 und das erste Schaltungselement 20 vorgesehen werden. Die induzierte elektromotorische Kraft der zweiten Verbindungsleitung 13 spiegelt sich in einer Spannung über das erste Schaltungselement 20 wider. Wenn die induzierte elektromotorische Kraft in der zweiten Verbindungsleitung 13 auftritt, können die Spannung über den ersten Kondensator C1 und die Spannung über den zweiten Kondensator C2 im Wesentlichen aneinander angeglichen werden. Als Folge kann die Schaltgeschwindigkeit des zweiten Schaltelements 12 so korrigiert werden, dass sie gleich der Schaltgeschwindigkeit des ersten Schaltelements 10 ist. Dementsprechend ist es möglich, das Ungleichgewicht in der Schaltgeschwindigkeit zwischen den ersten und zweiten Schaltelementen 10, 12 zu verbessern und das Stromungleichgewicht zu unterdrücken. Da diese Aktion während nur eines Zeitraums, wenn die Stromvariationsrate di/dt in jedem Schaltelement auftritt, begrenzt wirkt, beeinflusst sie nicht eine Verzögerungszeit vom Beginn der Gateoperation an, bis die Stromvariationsrate di/dt auftritt. Da es keine Hinzufügung einer Induktivität zu der ersten Verbindungsleitung 11 und der zweiten Verbindungsleitung 13 gibt, kann überdies ein Schaltungleichgewicht korrigiert werden, ohne die Induktivität der Hauptschaltung zu opfern.
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Von der Stromversorgung 14 wird eine Spannung an das erste Gate G1 und das zweite Gate G2 angelegt. Der erste Kondensator C1 und der zweite Kondensator C2 sind dafür verantwortlich, Gateladungen bereitzustellen. Daher ist es erforderlich, dass die Kapazitäten dieser Kondensatoren nicht geringer als die Kapazität Cgs zwischen dem Gate und der Source des Schaltelements sind. Konkret kann die Kapazität das ersten Kondensators C1 so eingestellt werden, dass sie gleich der oder höher als die Kapazität zwischen dem ersten Gate G1 und der ersten Source S1 ist, und die Kapazität des zweiten Kondensators C2 kann so eingestellt werden, dass sie gleich der oder höher als die Kapazität zwischen dem zweiten Gate G2 und der zweiten Source S2 ist.
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Das erste Schaltelement 10 oder das zweite Schaltelement 12 können aus Silizium gebildet sein oder können aus einem Halbleiter mit breiter Bandlücke gebildet sein, der eine größere Bandlücke als Silizium aufweist. Beispielsweise sind als der Halbleiter mit breiter Bandlücke Siliziumcarbid, ein Material auf Galliumnitrid-Basis oder Diamant verfügbar. Bezüglich eines SiC-MOSFET ist beispielsweise die Ausbeute großflächiger Chips gegenwärtig gering, und somit werden oft mehrere Chips kleiner Fläche für einen Einsatz parallel verbunden. Die vorstehende Konfiguration kann daher in einer Ansteuerschaltung eines SiC-MOSFET verwendet werden, in der mehrere Chips kleiner Fläche parallel verbunden sind. Überdies sind in diesem Beispiel zwei Schaltelemente parallel verbunden; die Anzahl von Schaltelementen, die parallel verbunden werden sollen, kann jedoch größer als Zwei sein.
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Die bezüglich der ersten Ausführungsform beschriebene Modifikation kann auf Halbleitervorrichtungen gemäß den folgenden Ausführungsformen angewendet werden. Im Folgenden weisen die Halbleitervorrichtungen gemäß den im Folgenden beschriebenen Ausführungsformen viele gemeinsame Punkte mit der ersten Ausführungsform auf, so dass vorwiegend unterschiedliche Punkte von der ersten Ausführungsform beschrieben werden.
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Zweite Ausführungsform
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2 ist ein Schaltungsdiagramm einer Halbleitervorrichtung gemäß einer zweiten Ausführungsform. Diese Halbleitervorrichtung enthält eine erste Detektionsschaltung 30. Die erste Detektionsschaltung 30 detektiert die Spannung über ein erstes Schaltungselement 20 und stellt einem zweiten Gate G2 Strom bereit, wenn eine transiente Spannung auftritt. Beispielsweise kann die erste Detektionsschaltung 30 als ein Schalter eingerichtet sein, um zu veranlassen, dass Strom von einer positiven Elektrode eines zweiten Kondensators C2 zum zweiten Gate G2 fließt, wenn die Spannung über das erste Schaltungselement 20 eine vorbestimmte Spannung erreicht.
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3 ist ein Diagramm, das ein Beispiel zeigt, in welchem die erste Detektionsschaltung 30 von einem Schalter Q1 und einem Widerstandselement R1 gebildet wird. Das erste Schaltungselement 20 wird von einem Widerstandselement gebildet. In diesem Beispiel tritt, wenn erste und zweite Schaltelemente 10 und 12 eingeschaltet werden und die durch eine parasitäre Induktivität L1 hervorgerufene induzierte elektromotorische Kraft zunimmt, die Spannung über das erste Schaltungselement 20 auf, so dass der Schalter Q1 in einen EIN-Zustand versetzt wird, und ein Ladevorgang zum zweiten Gate G2 wird über das Widerstandselement R1 ausgeführt. Ladungen zum Laden des zweiten Gates G2 werden vom zweiten Kondensator C2 bereitgestellt. Das zweite Gate G2 wird mit einem durch das Widerstandselement R1 gehenden Strom und einem durch ein Widerstandselement R2 gehenden Strom versorgt. Daher ist die Ansteuergeschwindigkeit des zweiten Schaltelements 12 während des Zeitraums, in dem die Stromvariationsrate di/dt auftritt, höher als diejenige in einem Fall, in dem es keinen durch das Widerstandselement R1 gehenden Strom gibt. Indem der Widerstandswert des Widerstandselements R1 geeignet eingestellt wird, ist es möglich, die Ansteuergeschwindigkeiten der ersten und zweiten Schaltelemente 10 und 12 aneinander anzugleichen. Das heißt, das Schaltgleichgewicht kann verbessert werden. Wenn der Zeitraum, in dem die Stromvariationsrate di/dt auftritt, verstrichen ist, wird der Schalter Q1 ausgeschaltet, so dass die Schaltung in einen Zustand versetzt wird, in dem die Ansteuergeschwindigkeit des zweiten Schaltelements 12 nicht beeinflusst wird.
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Dritte Ausführungsform
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In den ersten und zweiten Ausführungsformen wurde die Unterdrückung des Stromungleichgewichts auf der Einschaltseite beschrieben; aber das Stromungleichgewicht auf der Ausschaltseite kann durch das gleiche Verfahren wie oben beschrieben unterdrückt werden. 4 ist ein Schaltungsdiagramm einer Halbleitervorrichtung gemäß einer dritten Ausführungsform. Diese Schaltung ist mit einem dritten Kondensator C3, einem vierten Kondensator C4 und einem zweiten Schaltungselement 40 versehen. Der dritte Kondensator C3 verbindet eine erste Source S1 und eine Niederspannungsseite einer Stromversorgung 14. Ein erstes Ende des zweiten Schaltungselements 40 ist zwischen die Niederspannungsseite der Stromversorgung 14 und den dritten Kondensator C3 geschaltet.
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Das zweite Schaltungselement 40 kann als das gleiche Element wie das erste Schaltungselement 20 konfiguriert sein. Der vierte Kondensator C4 verbindet eine zweite Source S2 und das zweite Ende des zweiten Schaltungselements 40.
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Wenn die ersten und zweiten Schaltelemente 10 und 12 ausgeschaltet werden, spiegelt sich die induzierte elektromotorische Kraft einer zweiten Verbindungsleitung 13 auf der Spannung über das zweite Schaltungselement 40 wider. Als Folge kann die Schaltgeschwindigkeit des zweiten Schaltelements 12 so korrigiert werden, dass sie gleich der Schaltgeschwindigkeit des ersten Schaltelements 10 ist.
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Eine zweite Detektionsschaltung 50 kann zu dieser Halbleitervorrichtung vorgesehen werden. Die zweite Detektionsschaltung 50 ist eine Schaltung, um zu veranlassen, dass ein Strom von der positiven Elektrode eines vierten Kondensators C4 zum zweiten Gate G2 fließt, wenn die Spannung über das zweite Schaltungselement 40 eine vorbestimmte Spannung erreicht.
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5 ist ein Diagramm, das ein Beispiel zeigt, in welchem die zweite Detektionsschaltung 50 von einem Schalter Q2 und einem Widerstandselement R3 gebildet wird. Wenn die ersten und zweiten Schaltelemente 10 und 12 ausgeschaltet werden und die durch eine parasitäre Induktivität L1 hervorgerufene induzierte elektromotorische Kraft zunimmt, tritt die Spannung über das zweite Schaltungselement 40 auf, so dass der Schalter Q2 in einen EIN-Zustand versetzt wird, und ein Ladevorgang zum zweiten Gate G2 wird über das Widerstandselement R3 durchgeführt. Ladungen zum Laden des zweiten Gates G2 werden von einem vierten Kondensator C4 bereitgestellt. Das zweite Schaltelement 12 wird mit einem durch das Widerstandselement R3 gehenden Strom und einem durch das Widerstandselement R2 gehenden Strom versorgt. Daher ist die Ansteuergeschwindigkeit des zweiten Schaltelements 12 während des Zeitraums, in dem die Stromvariationsrate di/dt auftritt, höher als diejenige in einem Fall, in dem es keinen durch das Widerstandselement R3 gehenden Strom gibt. Indem der Widerstandswert des Widerstandselements R3 geeignet eingestellt wird, ist es möglich, die Ansteuergeschwindigkeiten der ersten und zweiten Schaltelemente 10 und 12 aufeinander abzustimmen, und das Schaltgleichgewicht kann verbessert werden. Wenn der Zeitraum, in dem die Stromvariationsrate di/dt auftritt, verstrichen ist, wird der Schalter Q2 ausgeschaltet, so dass die Schaltung in einen Zustand versetzt wird, in dem die Ansteuergeschwindigkeit des zweiten Schaltelements 12 nicht beeinflusst wird.
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Man betrachte einen Fall, in dem das erste Schaltungselement 20 ein Widerstandselement ist. Wenn eine Potentialdifferenz zwischen jeder der Seite einer positiven Elektrode der ersten und zweiten Kondensatoren C1 und C2 zur Schaltzeit auftritt, tritt vorübergehend eine Potentialdifferenz zwischen den beiden Enden des ersten Schaltungselements 20 auf, das ein Widerstandselement ist. Um den oben erwähnten Effekt vollständig zu erreichen, ist es notwendig, die Potentialdifferenz für zumindest eine Stromübergangszeit eines Schaltvorgangs aufrecht zu erhalten. Daher kann das Produkt der Kapazität des zweiten Kondensators C2 und des Widerstandswerts des ersten Schaltungselements 20 auf nicht weniger als die Stromübergangszeit des zweiten Schaltelements 12 eingestellt werden. Das Produkt der Kapazität des zweiten Kondensators C2 und des Widerstandswerts des ersten Schaltungselements 20 ist eine transiente Zeitkonstante. Diese transiente Zeitkonstante wird nicht geringer als die Stromübergangszeit eines Schaltvorgangs eingestellt. Wenn beispielsweise die Übergangszeit eines Schaltvorgangs auf 100 ns eingestellt ist und die Kapazitäten der ersten und zweiten Kondensatoren C1 und C2 auf 10 nF eingestellt sind, ist ein Widerstandswert von 10 Ω oder mehr erforderlich. Ein Fall, in dem das zweite Schaltungselement 40 ein Widerstandselement ist, kann ebenfalls in der gleichen Weise betrachtet werden.
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Vierte Ausführungsform
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6 ist ein Diagramm, das ein Konfigurationsbeispiel des ersten Schaltelements 10 zeigt. Das erste Schaltelement 10 weist mehrere inselförmige Chips 10a auf. Die rückwärtigen Oberflächen der mehreren Chips 10a sind mit einer Kollektorstruktur 60 verbunden, und die Sources sind durch Drähte mit der Sourcestruktur 62 verbunden. 7 zeigt ein anderes Beispiel der mehreren inselförmigen Chips 10a, die zu dem ersten Schaltelement 10 vorgesehen sind. 6 und 7 zeigen, das ein Schaltelement mehrere inselförmige Chips 10a aufweist. Das zweite Schaltelement 12 kann ebenfalls genau wie das erste Schaltelement 10 konfiguriert sein. Das Stromungleichgewicht unter den mehreren inselförmigen Chips wird unterdrückt, indem die Kondensatoren und die Schaltungselemente wie oben beschrieben vorgesehen werden.
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Beispielsweise kann auch ein Schaltelement wie etwa das erste Schaltelement 10 als ein Modul mit mehreren Chips ausgeführt sein. Wenn zumindest eines des ersten Schaltelements 10 und des zweiten Schaltelements 12 als ein Modul konfiguriert ist, wird das Stromungleichgewicht zwischen den Modulen unterdrückt, indem die Kondensatoren und die Schaltungselemente, die oben beschrieben wurden, vorgesehen werden.
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Fünfte Ausführungsform
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8 ist ein Schaltungsdiagramm einer Halbleitervorrichtung gemäß einer fünften Ausführungsform. In dieser Halbleitervorrichtung sind das erste Schaltungselement 20 und das zweite Schaltungselement 40 als Induktivitätselemente ausgebildet. Um den oben erwähnten Effekt vollständig zu erzielen, kann die Induktivität des Induktivitätselements auf nicht weniger als ein Zehnfaches der parasitären Induktivität L1, die zwischen der ersten Source S1 und der zweiten Source S2 auftritt, eingestellt werden.
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Um den Einfluss auf das Schaltgleichgewicht durch eine Oszillation der Gatespannung zu unterdrücken, die durch den ersten Kondensator
C1, den zweiten Kondensator
C2 und das Induktivitätselement hervorgerufen wird, ist es zu dieser Zeit notwendig, die Kapazitäten der ersten und zweiten Kondensatoren
C1 und
C2 so klein wie möglich zu machen. Wenn beispielsweise die Kapazität des ersten Kondensators
C1 auf C gesetzt wird, die Kapazität des zweiten Kondensators
C2 auf C gesetzt wird, die Induktivität des Induktivitätselements auf La gesetzt wird und die Stromübergangszeit des zweiten Schaltelements
12 auf tr gesetzt wird, wird die Charakteristik jedes Elements so eingestellt, dass sie die folgende Formel erfüllt.
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Zusätzlich zu dieser Bedingung kann C gleich der oder größer als die Kapazität zwischen dem Gate und der Source gesetzt werden. Die gleiche Betrachtung kann für den dritten Kondensator C3 und den vierten Kondensator C4 angestellt werden.
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Sechste Ausführungsform
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9 ist ein Schaltungsdiagramm einer Halbleitervorrichtung gemäß einer sechsten Ausführungsform. In dieser Halbleitervorrichtung sind das erste Schaltungselement 20 und das zweite Schaltungselement 40 als Dioden ausgeführt. Um die an die Gates der ersten und zweiten Schaltelemente 10 und 12 angelegten Spannungsabfälle soweit wie möglich zu minimieren, können Dioden mit kleinen Durchlassspannungen verwendet werden. Beispielsweise können Schottky-Barrierendioden genutzt werden.
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Gemäß einigen Beispielen kann das Stromungleichgewicht unterdrückt werden, indem die Sourcepotentiale der mehreren Schaltelemente einheitlicher gemacht werden.
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ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur
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- JP 201811096 A [0002, 0003]
