DE102019121867B4 - Quantenpunkt-Lichtemissionsvorrichtung und damit versehene Anzeigeeinrichtung - Google Patents

Quantenpunkt-Lichtemissionsvorrichtung und damit versehene Anzeigeeinrichtung Download PDF

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Abstract

Quantenpunkt-Lichtemissionsvorrichtung, die Folgendes umfasst:eine Anode (A);eine Kathode (C);eine Lochtransportschicht (HTL), die zwischen der Anode (A) und der Kathode (C) angeordnet ist;eine lichtemittierende Schicht (EML), die zwischen der Lochtransportschicht (HTL) und der Kathode (C) angeordnet ist, wobei die lichtemittierende Schicht (EML) einen Quantenpunkt (QD) mit einer Kern-Schale-Struktur aufweist; undeine Pufferschicht (B), die zwischen der Lochtransportschicht (HTL) und der lichtemittierenden Schicht (EML) angeordnet ist,wobei die Pufferschicht (B) aus einer organischen Verbindung oder Derivaten davon besteht,wobei der Quantenpunkt (QD) einen Kern, mindestens eine Schale, die den Kern umgibt, und einen Liganden, der die mindestens eine Schale umgibt, umfasst,wobei die Pufferschicht (B) die organische Verbindung oder Derivate davon enthält, die als der Ligand fungieren, undwobei ein HOMO-Niveau der Pufferschicht (B) zwischen einem HOMO-Niveau der Lochtransportschicht (HTL) und einem HOMO-Niveau der Lichtemissionsschicht (EML) liegt.

Description

  • Hintergrund
  • 1. Technisches Gebiet
  • Die vorliegende Offenbarung bezieht sich auf eine Quantenpunkt-Lichtemissionsvorrichtung und eine Anzeigeeinrichtung, die diese umfasst.
  • 2. Beschreibung des Standes der Technik
  • Quantenpunkte (QDs) bezeichnen nanometergroße Halbleiter-Nanopartikel und zeichnen sich durch eine Änderung der Energiebandlücke in Abhängigkeit von ihrer Größe und Form aus. Quantenpunkte haben eine große Oberfläche pro Volumeneinheit und die meisten Atome davon definieren Oberflächen der Nanopartikel. Darüber hinaus zeigen QDs einen Quanteneindämmungseffekt. Der Quanteneindämmungseffekt ermöglicht es, eine Lichtemissionswellenlänge nur durch Anpassen einer Größe des Quantenpunkts zu steuern. Die QDs weisen eine ausgezeichnete Farbreinheit und einen hohen PL-Emissionswirkungsgrad (Photolumineszenz-Emissionswirkungsgrad) auf.
  • Eine Quantenpunkt-Lichtemissionsvorrichtung, die Quantenpartikel wie etwa Quantenpunkte als Material für eine lichtemittierende Schicht verwendet, zieht eher Aufmerksamkeit auf sich als eine organische elektrolumineszierende Vorrichtung. Die Quantenpunkt-Lichtemissionsvorrichtung (QD-LED), die eine auf Quantenpunkten basierende Lichtemissionsschicht aufweist, hat eine dreischichtige Stapelstruktur aus einer Lochtransportschicht (HTL), einer auf den Quantenpunkten basierenden lichtemittierenden Schicht und einer Elektronentransportschicht (ETL). Die Verwendung von Quantenpunkten in lichtemittierenden Schichten von Lichtemissionsvorrichtungen wurde bereits im Stand der Technik vorgeschlagen:
    • In der US 2018 / 0 151 630 A1 wird ein lichtemittierendes Element offenbart, das eine EL-Schicht zwischen einem Elektrodenpaar enthält. Die EL-Schicht weist eine Stapelschichtstruktur aus einer ersten lichtemittierenden Schicht, einer zweiten lichtemittierenden Schicht und einer dritten lichtemittierenden Schicht auf. Licht, das von der ersten lichtemittierenden Schicht emittiert wird, und Licht, das von der dritten lichtemittierenden Schicht emittiert wird, die gleiche Farbe und haben jeweils eine längere Wellenlänge als Licht, das von der zweiten lichtemittierenden Schicht emittiert wird. Des Weiteren umfasst jede lichtemittierende Schicht in dem EL-Stapel ein Elektronentransportmaterial, ein Lochtransportmaterial und ein lichtemittierendes Material, wobei als lichtemittierendes Material Quantenpunkte verwendet werden können.
  • Die US 2015 / 0 315 460 A1 ist auf einen lichtemittierenden Quantenpunkt gerichtet, der eine Kern/Hülle-Struktur und einen Liganden umfasst, der an der Oberfläche der Hülle angebracht ist, wobei der Ligand eine lichtemittierende Gruppe umfasst. Weiterhin betrifft dieses Dokument ein Verfahren zur Herstellung einer lichtemittierenden Vorrichtung unter Verwendung des lichtemittierenden Quantenpunkts.
  • US 2013 / 0 009 131 A1 beschreibt eine Vorrichtung, die eine erste Elektrode und eine zweite Elektrode, eine Schicht mit Quantenpunkten, die zwischen der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode angeordnet ist, und eine erste Grenzflächenschicht enthält, die an der Grenzfläche zwischen einer Oberfläche der Schicht mit Quantenpunkten und einer ersten Schicht in der Vorrichtung angeordnet ist. In bestimmten Ausführungsformen ist eine zweite Grenzflächenschicht optional auf der Oberfläche der Quantenpunkte umfassenden Schicht gegenüber der ersten Grenzflächenschicht angeordnet.
  • US 2018 / 0 138 434 A1 bezieht sich auf eine Quantenpunkt-Leuchtdiode mit einer Grenzflächensteuerungsschicht, die zwischen einer Leuchtmaterialschicht, die Quantenpunkte als Leuchtmaterial verwendet, und mindestens einer Ladungsübertragungsschicht zum Zuführen von Ladungen zu der Leuchtmaterialschicht angeordnet ist, und eine Quantenpunkt-Leuchtanzeigevorrichtung, die dieselbe enthält. Da die Grenzflächensteuerungsschicht zwischen der Schicht aus leuchtendem Material und der mindestens einen Ladungsübertragungsschicht vorgesehen ist, soll das Auftreten eines Grenzflächendefekts aufgrund einer Fehlanpassung der Grenzflächenenergie zwischen der Schicht aus leuchtendem Material und der mindestens einen Ladungsübertragungsschicht verhindert werden. EP 3 327 813 A1 offenbart eine lichtemittierende Vorrichtung und eine Anzeigevorrichtung mit Quantenpunkten. Die lichtemittierende Vorrichtung umfasst eine erste Elektrode und eine zweite Elektrode, die einander gegenüberliegen, und eine lichtemittierende Schicht, die zwischen der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode angeordnet ist und einen Quantenpunkt (z.B., eine Vielzahl von Quantenpunkten) enthält, wobei der Quantenpunkt einen Halbleiter-Nanokristall und einen an eine Oberfläche des Halbleiter-Nanokristalls gebundenen Liganden enthält, und wobei der Ligand einen organischen Thiol-Liganden oder ein Salz davon und eine polyvalente Metallverbindung enthält, die ein Metall einschließlich Zn, In, Ga, Mg, Ca, Sc, Sn, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Sr, Y, Zr, Nb, Mo, Cd, Ba, Au, Hg, TI oder eine Kombination davon enthält.
  • Zusammenfassung
  • Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine Quantenpunkt-Lichtemissionsvorrichtung mit verbesserter externer Quanteneffizienz und Vorrichtungsstabilität sowie eine Anzeigeeinrichtung. die sie enthält, zu schaffen.
  • Die Zwecke der vorliegenden Offenbarung sind nicht auf die oben genannten Zwecke beschränkt. Weitere Zwecke und Vorteile der vorliegenden Offenbarung, die oben nicht erwähnt sind, können aus den folgenden Beschreibungen hervorgehen und aus den Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung deutlicher hervorgehen. Ferner ist leicht einzusehen, dass die Aufgaben und Vorteile der vorliegenden Offenbarung durch Merkmale und Kombinationen davon realisiert werden können, wie sie in den Ansprüchen offenbart sind.
  • Die Aufgaben der vorliegenden Erfindung werden durch die Merkmale der unabhängigen Ansprüche gelöst. Weitere vorteilhafte Ausführungsformen sind in den Unteransprüchen definiert.
  • Die Erfindung schafft eine Quantenpunkt-Lichtemissionsvorrichtung, die unter anderem Folgendes umfasst: eine Anode; eine Kathode; eine Lochtransportschicht, die zwischen der Anode und der Kathode angeordnet ist; eine lichtemittierende Schicht, die zwischen der Lochtransportschicht und der Kathode angeordnet ist, wobei die lichtemittierende Schicht einen Quantenpunkt mit einer Kern-Schale-Struktur umfasst; und eine Pufferschicht, die zwischen der Lochtransportschicht und der lichtemittierenden Schicht angeordnet ist, wobei die Pufferschicht eine organische Verbindung oder Derivate davon enthält.
  • Der Quantenpunkt umfasst einen Kern, mindestens eine Schale, die den Kern umgibt, und einen Liganden, der die mindestens eine Schale umgibt. Die Pufferschicht enthält die organische Verbindung oder Derivate davon, die als Ligand fungieren.
  • In einer bevorzugten Ausführungsform enthält die Pufferschicht die gleiche organische Verbindung oder Derivate davon wie der Ligand.
  • Die organische Verbindung oder die Derivate davon können eine aliphatische Kohlenwasserstoffverbindung mit einer funktionellen Gruppe mit einem ungeteilten Elektronenpaar oder Derivate davon umfassen. Alternativ können die organische Verbindung oder die Derivate davon eine aromatische Kohlenwasserstoffverbindung mit einer funktionellen Gruppe mit einem ungeteilten Elektronenpaar oder Derivate davon umfassen.
  • In einer weiteren Ausführungsform können die organische Verbindung oder Derivate umfassen: eine aliphatische Kohlenwasserstoffverbindung oder Derivate davon mit einer funktionellen Gruppe, die aus einer Gruppe ausgewählt ist, die aus einer Hydroxylgruppe (-OH), einer Carboxylgruppe (-COOH), einer Aminogruppe (-NR, -NH, -NH2, wobei R eine einwertige C1bis C6-Kohlenwasserstoffgruppe oder Derivate davon ist) und einer Thiolgruppe (-SH) besteht; oder eine aromatische Kohlenwasserstoffverbindung oder Derivate davon mit einer funktionellen Gruppe, die aus einer Gruppe ausgewählt ist, die aus einer Hydroxylgruppe (-OH), einer Carboxylgruppe (-COOH), einer Aminogruppe (-NR, -NH, -NH2, wobei R eine einwertige C1- bis C6-Kohlenwasserstoffgruppe oder Derivate davon ist) und einer Thiolgruppe (-SH) besteht.
  • In noch einer weiteren bevorzugten Ausführungsform kann die organische Verbindung oder Derivate davon mindestens eine Verbindung umfassen, die aus der folgenden Gruppe ausgewählt ist: eine substituierte oder unsubstituierte gesättigte Fettsäure, eine substituierte oder unsubstituierte ungesättigte Fettsäure, ein substituiertes oder unsubstituiertes gesättigtes Fettamin, ein substituiertes oder unsubstituiertes ungesättigtes Fettsäureamin, ein substituiertes oder unsubstituiertes C4- bis C34-Alkanthiol, ein substituiertes oder unsubstituiertes aromatisches C6- bis C34-Thiol und Kombinationen davon.
  • Die organische Verbindung oder Derivate davon können mindestens eine Verbindung umfassen, die aus der folgenden Gruppe ausgewählt ist: Ölsäure, Oleylamin, 1-Octanthiol, Octan-2-thiol, 1-Dodecanthiol, Dodecan-2-thiol, Laurinsäure, 2-Methylbenzinthiol, 3-Methylbenzolthiol, 4-Methylbenzolthiol und Kombinationen davon.
  • Ein HOMO-Niveau der Pufferschicht liegt zwischen einem HOMO-Niveau der Lochtransportschicht und einem HOMO-Niveau der lichtemittierenden Schicht.
  • Vorzugsweise ist ein Unterschied zwischen dem HOMO-Niveau der Pufferschicht und dem HOMO-Niveau der Lochtransportschicht kleiner als 2,0 eV.
  • Vorzugsweise ist der Unterschied zwischen dem HOMO-Niveau der Pufferschicht und dem HOMO-Niveau der Lochtransportschicht größer oder gleich 1,1 eV und kleiner als 2,0 eV.
  • Vorzugsweise liegt das HOMO-Niveau der Pufferschicht in einem Bereich von -7,35 eV bis -6,5 eV.
  • In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform liegt eine Dicke der Pufferschicht in einem Bereich von 0,1 nm bis 10 nm.
  • In einer bevorzugten Ausführungsform umfasst die Quantenpunkt-Lichtemissionsvorrichtung ferner eine Elektronentransportschicht, die zwischen der lichtemittierenden Schicht und der Kathode angeordnet ist, wobei die Elektronentransportschicht in direktem Kontakt mit der lichtemittierenden Schicht steht.
  • Die Erfindung schafft ferner eine Anzeigeeinrichtung, die die oben beschriebene Quantenpunkt-Lichtemissionsvorrichtung umfasst.
  • Figurenliste
    • 1 ist ein schematisches Diagramm einer Quantenpunkt-Lichtemissionsvorrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung.
    • 2 ist ein schematisches Bandlückenenergiediagramm der Quantenpunkt-Lichtemissionsvorrichtung von 1.
    • 3 ist ein Rasterelektronenmikroskopbild (REM-Bild) einer Quantenpunkt-Lichtemissionsvorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
    • 4 ist ein Graph zum Vergleichen der Lebensdauercharakteristiken zwischen Quantenpunkt-Lichtemissionsvorrichtungen gemäß mehreren erfindungsgemäßen Beispielen der vorliegenden Offenbarung und einer Quantenpunkt-Lichtemissionsvorrichtung gemäß einem Vergleichsbeispiel.
    • 5 und 6 zeigen einen Vergleich zwischen FRETs in Abwesenheit und in Anwesenheit einer Pufferschicht zwischen einer Quantenpunktschicht und einer Lochtransportschicht. 5 vergleicht die Reduktionseigenschaften von PL (Photolumineszenz) über einer Verfallszeit. In 6 zeigt (A) eine FRET-Rate und (B) eine FRET-Effizienz.
  • Genaue Beschreibung
  • Beispiele für verschiedene Ausführungsformen sind weiter unten veranschaulicht und beschrieben. Es versteht sich, dass die Beschreibung hierin die Ansprüche nicht auf die beschriebenen spezifischen Ausführungsformen einschränken soll. Im Gegenteil, Alternativen, Abwandlungen und Äquivalente, die in dem Umfang der vorliegenden Offenbarung enthalten sein können, wie er durch die beigefügten Ansprüche definiert ist, sollen abgedeckt sein.
  • Zur Vereinfachung und Verdeutlichung der Darstellung sind Elemente in den Figuren nicht unbedingt maßstabsgetreu gezeichnet. Gleiche Bezugszeichen in unterschiedlichen Figuren bezeichnen gleiche oder ähnliche Elemente und weisen als solche eine ähnliche Funktionalität auf.
  • Beschreibungen und Einzelheiten bekannter Schritte und Elemente sind zur Vereinfachung der Beschreibung weggelassen. Darüber hinaus werden in der folgenden genauen Beschreibung der vorliegenden Offenbarung zahlreiche spezifische Einzelheiten dargelegt, um ein gründliches Verständnis der vorliegenden Offenbarung zu ermöglichen. Es versteht sich jedoch, dass die vorliegende Offenbarung auch ohne diese spezifischen Einzelheiten praktiziert werden kann. In anderen Fällen wurden wohlbekannte Verfahren, Prozeduren, Komponenten und Schaltungen nicht im Einzelnen beschrieben, um Aspekte der vorliegenden Offenbarung nicht unnötig zu verunklaren.
  • Es versteht sich, dass, obwohl die Ausdrücke „erste/r/s“, „zweite/r/s“, „dritte/r/s“ usw. hierin verwendet werden können, um verschiedene Elemente, Komponenten, Bereiche, Schichten und/oder Abschnitte zu beschreiben, diese Elemente, Komponenten, Bereiche, Schichten und/oder Abschnitte nicht durch diese Begriffe eingeschränkt sein sollen. Diese Begriffe werden verwendet, um ein Element, eine Komponente, einen Bereich, eine Schicht oder einen Abschnitt von einem anderen Element, einer Komponente, einem Bereich, einer Schicht oder einem Abschnitt zu unterscheiden. Somit könnte ein erstes Element, eine erste Komponente, ein erster Bereich, eine erste Schicht oder ein erster Abschnitt, der nachstehend beschrieben ist, als ein zweites Element, eine zweite Komponente, ein zweiter Bereich, eine zweite Schicht oder ein zweiter Abschnitt bezeichnet werden, ohne vom Umfang der vorliegenden Offenbarung abzuweichen.
  • Es versteht sich, dass dann, wenn ein Element oder eine Schicht als an ein anderes Element oder eine andere Schicht „gebunden“ oder „gekoppelt“ bezeichnet wird, es direkt an das andere Element oder die andere Schicht gebunden oder gekoppelt sein kann oder mehrere dazwischenliegende Elemente oder Schichten vorhanden sein können. Außerdem versteht es sich, dass dann, wenn ein Element oder eine Schicht als „zwischen“ zwei Elementen oder Schichten liegend bezeichnet wird, es das einzige Element oder die einzige Schicht zwischen den zwei Elementen oder Schichten sein kann oder auch ein oder mehrere dazwischenliegende Elemente oder Schichten vorhanden sein können.
  • Raumbeziehungsbegriffe wie beispielsweise „unter“, „unterhalb“, „untere/r/s“, „über“, „obere/r/s“ und dergleichen können hier zur Erleichterung der Erläuterung verwendet werden, um die Beziehung eines Elements oder Merkmals zu weiteren Elementen oder Merkmalen, wie sie in den Figuren dargestellt ist, zu beschreiben. Es versteht sich, dass die Raumbeziehungsbegriffe zusätzlich zu der in den Figuren dargestellten Orientierung andere Orientierungen der verwendeten oder in Betrieb befindlichen Vorrichtung umfassen sollen. Wenn die Vorrichtung beispielsweise in den Figuren umgedreht ist, würden Elemente, die als „unter“ oder „unterhalb“ anderen/r Elementen oder Merkmalen beschrieben sind, dann „über“ den anderen Elementen oder Merkmalen orientiert sein. Somit können die beispielhaften Begriffe „unten“ und „unterhalb“ beide Orientierungen oben und unten umfassen. Die Vorrichtung kann auf andere Weise orientiert sein, beispielsweise um 90 Grad gedreht oder in anderen Orientierungen, und die hier verwendeten räumlich relativen Deskriptoren sollten entsprechend interpretiert werden.
  • Die hierin verwendete Terminologie dient nur dem Zweck der Beschreibung bestimmter Ausführungsformen und soll die vorliegende Offenbarung nicht einschränken. Wie sie hierin verwendet werden, sollen die Singularformen „eine/r/s“ auch die Pluralformen einschließen, sofern der Kontext nicht eindeutig etwas anderes angibt. Es versteht sich ferner, dass die Begriffe „umfasst“, „umfassen“, „aufweist“ und „aufweisen“ dann, wenn sie in dieser Beschreibung verwendet werden, das Vorhandensein der angegebenen Merkmale, Ganzzahlen, Operationen, Elemente und/oder Komponenten angeben, jedoch das Vorhandensein oder Hinzufügen eines oder mehrerer anderer Merkmale, Ganzzahlen, Operationen, Elemente, Komponenten und/oder Teile davon nicht ausschließen. Wie er hierin verwendet wird, umfasst der Begriff „und/oder“ jegliche und alle Kombinationen von einem oder mehreren der zugeordneten aufgelisteten Elemente. Ausdrücke wie „mindestens eine/r/s von“ vor einer Liste von Elementen können die gesamte Liste von Elementen modifizieren, aber nicht die einzelnen Elemente der Liste.
  • Sofern sie nicht anders definiert sind, haben alle Begriffe einschließlich der hierin verwendeten technischen und wissenschaftlichen Begriffe die gleiche Bedeutung, wie sie von Fachleuten auf dem Gebiet, zu dem dieses erfinderische Konzept gehört, allgemein verstanden wird. Es versteht sich ferner, dass Begriffe, wie sie in gebräuchlichen Wörterbüchern definiert sind, so interpretiert werden sollen, dass sie eine Bedeutung haben, die mit ihrer Bedeutung im Kontext des relevanten Fachgebiets übereinstimmt, und nicht in einem idealisierten oder übermäßig formalen Sinne interpretiert werden sollen, wenn sie nicht ausdrücklich so definiert werden.
  • Bei der Verwendung hierin „Ca bis Cb“ als eine Kohlenwasserstoffgruppe oder eine Kohlenwasserstoff-Derivatgruppe mit a bis einschließlich b Kohlenstoffatomen definiert, a und b sind natürliche Zahlen. Bei der Verwendung hierin bedeutet „a und/oder b“ „a oder b“ oder „a und b“.
  • Bei der Verwendung hierin bedeutet in einem Ausdruck „substituiert oder unsubstituiert“ ein Begriff „substituiert“, dass mindestens ein Wasserstoff einer Kohlenwasserstoffverbindung oder eines Kohlenwasserstoffderivats mit einer Kohlenwasserstoffgruppe, einer Kohlenwasserstoffderivatgruppe, einem Halogen oder einer Cyanogruppe substituiert ist (-CN). Ein Begriff „unsubstituiert“ bedeutet, dass mindestens ein Wasserstoff einer Kohlenwasserstoffverbindung oder eines Kohlenwasserstoffderivats mit einer Kohlenwasserstoffgruppe, einer Kohlenwasserstoffderivatgruppe, einem Halogen oder einer Cyanogruppe (-CN) unsubstituiert ist. Beispiele der Kohlenwasserstoffgruppe oder der Kohlenwasserstoffderivatgruppe können C1 bis C6-Alkyl, C2 bis C6-Alkenyl, C2 bis C6-Alkinyl, C6 bis C15-Aryl, C1 bis C6-Alkyl, C6 bis C15-Aryl, C6 bis C15-Aryl, C1 bis C6-Alkyl, C1 bis C6-Alkylamino, C6 bis C15-Arylamino, C1 bis C6-Alkyliden und dergleichen umfassen. Die vorliegende Offenbarung ist nicht darauf beschränkt.
  • 1 ist ein schematisches Diagramm einer Quantenpunkt-Lichtemissionsvorrichtung 100 gemäß der vorliegenden Offenbarung. 2 ist ein schematisches Bandlückenenergiediagramm der Quantenpunkt-Lichtemissionsvorrichtung 100 von 1.
  • Unter Bezugnahme auf 1 und 2 umfasst die Quantenpunkt-Lichtemissionsvorrichtung 100 eine Anode A, eine Lochtransportschicht HTL, eine Pufferschicht B, eine lichtemittierende Schicht EML und eine Kathode C. Die lichtemittierende Schicht EML umfasst Quantenpunkte QDs mit einer jeweiligen Kern-Schale-Struktur.
    Die Lochtransportschicht HTL ist zwischen der Anode A und der Kathode C angeordnet. Die lichtemittierende Schicht EML ist zwischen der Lochtransportschicht HTL und der Kathode C angeordnet. Die Pufferschicht B ist zwischen der Lochtransportschicht HTL und der lichtemittierenden Schicht EML angeordnet.
  • Nachstehend sind die Anode A, die Lochtransportschicht HTL, die lichtemittierende Schicht EML, die Pufferschicht B und die Kathode C in dieser Reihenfolge beschrieben.
  • Die Anode A kann aus einem dotierten oder undotierten Metalloxid hergestellt sein, das aus der folgenden Gruppe ausgewählt ist: Indium-Zinn-Oxid (ITO), Indium-Zinn-Zink-Oxid (ITZO), Indium-Zink-Oxid (IZO), Indium-Kupfer-Oxid (ICO), Indiumoxid (In2O3), Zinnoxid (SnO2), Cadmium:Zink-Oxid (Cd:ZnO), Fluor:Zinn-Oxid (F:SnO2), Indium:Zinn-Oxid (In:SnO2), Gallium:Zinn-Oxid (Ga:SnO2) und Aluminium:Zink-Oxid (Al:ZnO; AZO).
  • Die Lochtransportschicht HTL kann dazu dienen, Löcher von der Anode A zu der lichtemittierenden Schicht EML zu transportieren. Die Lochtransportschicht HTL kann eine Einzelschichtstruktur oder eine Mehrschichtstruktur aufweisen. Die Lochtransportschicht HTL kann aus einer anorganischen Verbindung oder einer organischen Verbindung bestehen.
  • Wenn die Lochtransportschicht HTL aus einer organischen Verbindung besteht, kann ein Beispiel für ein Material der Lochtransportschicht HTL mindestens eines aus der folgenden Gruppe umfassen: 4,4'-N,N'-Dicarbazolylbiphenyl (CBP), α-NPD, Spiro-NPB, N,N'-Diphenyl-N,N'-bis (3-ethylphenyl)-(1,1'-biphenyl)-4,4'-diamin (TPD), N,N'-Di(4-(N,N'-diphenylamino) phenyl)-N, N'-diphenylbenzidin (DNTPD), 4,4',4"-Tris(N-carbazolyl)triphenylamin (TCTA), Poly(9-vinylcarbazol) (PVK) und PEDOT:PSS.
  • Wenn die Lochtransportschicht HTL aus einer anorganischen Verbindung besteht, kann ein Beispiel für ein Material der Lochtransportschicht HTL mindestens eines aus der folgenden Gruppe umfassen: NiO, MoO3, Cr2O3, CuSCN, Mo2S, Bi2O3 und Kombinationen davon.
  • Die lichtemittierende Schicht EML enthält Quantenpunkte (QDs), die jeweils eine Kern-Schale-Struktur aufweisen, die rotes, grünes oder blaues Licht emittiert. Die lichtemittierende Schicht EML kann so ausgebildet sein, dass sie unabhängig Licht von Rot, Grün und Blau emittiert.
  • Der Quantenpunkt (QD) mit der Kern-Schale-Struktur umfasst einen Kern, mindestens eine Schale, die den Kern umgibt, und einen Liganden, der die mindestens eine Schale umgibt. Wenn es mehr als eine Schale gibt, umschließt der Ligand eine äußere Schale. Der Ligand kann ein Molekül oder ein Ion bezeichnen, das sich an die Umgebung eines Metallions bindet, um eine koordinative Bindung zu bilden. Der Ligand geht mit dem Metallion eine kovalente Bindung ein, so dass der Ligand in wässriger Lösung nicht ionisiert wird. Wenn der Ligand die koordinative Bindung auf einer Oberfläche eines Metallpartikels oder eines Halbleiter-Nanopartikels bildet, kann ein Defekt, der auf der Oberfläche des Partikels bestand, stabilisiert werden und eine Form des Partikels kann aufrechterhalten werden. Zudem wird die Dispersion des Partikels verbessert, so dass eine Agglomeration zwischen Partikeln verhindert werden kann.
  • Ein Beispiel eines jeweiligen Materials des Kerns und der Schale kann eine II-VI-Gruppen-Verbindung, eine III-V-Gruppen-Verbindung, eine IV-VI-Gruppen-Verbindung, ein IV-Gruppen-Element, eine IV-Gruppen-Verbindung oder Kombinationen davon umfassen, ist jedoch nicht darauf beschränkt.
    Die II-VI-Gruppen-Verbindung kann aus der folgenden Gruppe ausgewählt sein: eine binäre Elementverbindung ausgewählt aus einer Gruppe bestehend aus CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, HgS, HgSe, HgTe, MgSe, MgS und Kombinationen davon; eine ternäre Elementverbindung ausgewählt aus einer Gruppe bestehend aus CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgSnSnHd Kombinationen davon; und eine quartäre Elementverbindung ausgewählt aus einer Gruppe bestehend aus HgZn-TeS, CdZnSeS, CdZnSeS, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeSe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSTe und Kombinationen davon.
  • Die III-V-Gruppen-Verbindung kann aus der folgenden Gruppe ausgewählt sein: eine binäre Elementverbindung ausgewählt aus einer Gruppe bestehend aus GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb und Kombinationen davon; eine ternäre Elementverbindung ausgewählt aus einer Gruppe bestehend aus GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPSb, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb, GaAlNP und Kombinationen davon; und eine quaternäre Elementverbindung ausgewählt aus einer Gruppe bestehend aus GaAl-NAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNSb, GaInNSb, GalnPAs, GaInPSb, In-AlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb und Kombinationen davon.
  • Die IV-VI-Gruppen-Verbindung kann aus der folgenden Gruppe ausgewählt sein: eine binäre Elementverbindung ausgewählt aus einer Gruppe bestehend aus SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe und Kombinationen davon; eine ternäre Elementverbindung, ausgewählt aus einer Gruppe bestehend aus SnSeS, SnSeTe, SnSTe, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe, SnPbTe und Kombinationen davon; und eine quaternäre Elementverbindung ausgewählt aus einer Gruppe bestehend aus SnPbSSe, SnPbSeTe, SnPbSTe und Kombinationen davon. Das IV-Gruppen-Element kann aus einer Gruppe bestehend aus Si, Ge und Kombinationen davon ausgewählt sein. Die IV-Gruppen-Verbindung kann eine binäre Elementverbindung umfassen, die aus einer Gruppe bestehend aus SiC, SiGe und einer Kombination davon ausgewählt ist.
  • Die Schale hat eine größere Bandlücke als der Kern. Infolgedessen verbessert ein Quantenpunkt (QD) mit einer Kern-Schale-Struktur die Quantenausbeute (QY) und die Stabilität im Vergleich zu einem Quantenpunkt mit einem einzelnen Partikeltyp.
  • Der Ligand kann eine aliphatische Kohlenwasserstoffverbindung, die eine funktionelle Gruppe mit einem ungeteilten Elektronenpaar enthält, oder Derivate davon oder eine aromatische Kohlenwasserstoffverbindung, die eine funktionelle Gruppe mit einem ungeteilten Elektronenpaar enthält, oder Derivate davon umfassen. Beispielsweise kann die funktionelle Gruppe mit dem ungeteilten Elektronenpaar aus folgender Gruppe ausgewählt sein: eine Hydroxylgruppe (-OH), eine Carboxylgruppe (-COOH), eine Aminogruppe (-NR, -NH, -NH2, wobei R eine einwertige C1 bis C6-Kohlenwasserstoffgruppe oder Derivate davon ist) und eine Thiolgruppe (-SH).
  • Ein organisches Material, das den Liganden bildet, kann mindestens eines aus der folgenden Gruppe sein: eine substituierte oder unsubstituierte gesättigte Fettsäure, eine substituierte oder unsubstituierte ungesättigte Fettsäure, eine substituiertes oder unsubstituiertes ungesättigtes Fettsäureamin, ein substituiertes oder unsubstituiertes C4 bis C34-Alkanthiol, ein substituiertes oder unsubstituiertes aromatisches C6 bis C34-Thiol und Kombinationen davon.
  • Ein Beispiel für das organische Material, das den Liganden bildet, kann mindestens eines aus der folgenden Gruppe umfasse: Ölsäure, Oleylamin, 1-Octanthiol, Octan-2-thiol, 1-Dodecanthiol, Dodecan-2-thiol, Laurinsäure, 2-Methylbenzolthiol, 3-Methylbenzolthiol, 4-Methylbenzolthiol und Kombinationen davon.
  • Die Quantenpunkte QDs mit der Kern-Schale-Struktur können eine Halbwertsbreite (FWHM) eines Lichtemissionswellenlängenspektrums von ungefähr 45 nm oder kürzer, vorzugsweise ungefähr 40 nm oder kürzer, bevorzugter ungefähr 30 nm oder kürzer aufweisen. Farbreinheit und Farbreproduzierbarkeit können in diesem FWHM-Bereich verbessert sein.
  • Die Quantenpunkte QDs mit der Kern-Schale-Struktur können durch einen Nassprozess synthetisiert werden, bei dem ein Vorläufermaterial in ein organisches Lösungsmittel gegeben wird und dann Partikel darin gezüchtet werden. Die Quantenpunkte QDs mit der Kern-Schale-Struktur können Lichtstrahlen verschiedener Wellenlängen emittieren, indem eine Energiebandlücke durch ein Ausmaß des Partikelwachstums angepasst wird.
  • Die Pufferschicht B enthält eine organische Verbindung oder Derivate davon, die als der Ligand fungieren. Des Weiteren besteht die Pufferschicht B aus einer organischen Verbindung oder Derivaten davon. Vorzugsweise kann die Pufferschicht B aus einer organischen Verbindung oder Derivaten davon bestehen, die als Ligand verwendet werden können. Vorzugsweise kann die Pufferschicht B aus der gleichen organischen Verbindung oder Derivaten davon wie der Ligand bestehen. Wenn eine anorganische Materialschicht anstelle der Pufferschicht B zwischen der Lochtransportschicht HTL und der lichtemittierenden Schicht EML angeordnet ist, können die folgenden Nachteile auftreten.
  • Da das anorganische Material eine Bandlücke aufweist, absorbiert das anorganische Material wahrscheinlich Licht, das von den Quantenpunkten QDs mit der Kern-Schale-Struktur emittiert wird. Somit überlappt eine Absorptionswellenlänge des anorganischen Materials mit einer Lichtemissionswellenlänge der Quantenpunkte QDs mit der Kern-Schale-Struktur, was zu einem Fluoreszenzresonanzenergietransfer-Phänomen (FRET-Phänomen) führt. Da die organische Verbindung oder Derivate davon, die die Pufferschicht B bilden, anders als die anorganische Materialschicht frei von einer Bandlücke sind, verursacht die Pufferschicht B das FRET-Phänomen nicht.
  • Das anorganische Material weist eine Bandlücke auf. Wenn ein LUMO-Niveau der Quantenpunkte QDs der Kern-Schale-Struktur einem LUMO-Niveau des anorganischen Materials ähnlich ist und auch wenn Ladungen nicht absichtlich injiziert werden, können Ladungen in die Quantenpunkte QDs der Kern-Schale-Struktur injiziert werden. Da die organische Verbindung oder Derivate davon, die die Pufferschicht B bildet, im anders als die anorganische Materialschicht frei von einem LUMO-Niveau ist, hat die Pufferschicht B keine Möglichkeit, die Ladungen in die Quantenpunkte QDs der Kern-Schale-Struktur zu injizieren, wenn Ladungen nicht absichtlich injiziert werden.
  • Darüber hinaus hat ein anorganisches Material wie Siliziumoxid und Titanoxid, wie es hauptsächlich als Isolator verwendet wird, eine schlechte elektrische Leitfähigkeit, wodurch der Lichtemissionswirkungsgrad der Vorrichtung verschlechtert wird. Im Gegensatz dazu besteht die Pufferschicht B aus einem organischen Material, das als Ligand der Quantenpunkte QDs der Kern-Schale-Struktur verwendet werden kann. Anders als das anorganische Material kann das organische Material daher die elektrische Leitfähigkeit nicht verringern.
  • Wenn andernfalls die Pufferschicht B fehlt, ist ein Unterschied zwischen einem HOMO-Niveau (Niveau des höchsten besetzten Molekülorbitals) der Schale des Quantenpunkts QD der Kern-Schale-Struktur und einem HOMO-Niveau der Lochtransportschicht HTL groß, so dass ein Ladungsungleichgewicht auftritt.
  • Ein HOMO-Niveau der Pufferschicht B liegt zwischen dem HOMO-Niveau der Lochtransportschicht HTL und einem HOMO-Niveau der lichtemittierenden Schicht EML. Somit kann die Pufferschicht B dazu dienen, eine Energiebarriere zwischen der Lochtransportschicht HTL und den Schalen der Quantenpunkte QDs mit einer Kern-Schale-Struktur abzusenken. Somit kann die Pufferschicht B den Emissionswirkungsgrad der Quantenpunkt-Lichtemissionsvorrichtung 100 erhöhen, indem sie die Energiebarriere zwischen der Lochtransportschicht HTL und der lichtemittierenden Schicht EML verringert.
  • Eine Differenz zwischen dem HOMO-Niveau der Lochtransportschicht HTL und dem HOMO-Niveau der Schalen der Quantenpunkte QDs, die jeweils die Kern-Schale-Struktur aufweisen, kann größer oder gleich 2,0 eV sein. Eine Differenz zwischen dem HOMO-Niveau der Pufferschicht B und dem HOMO-Niveau der Lochtransportschicht HTL kann kleiner als 2,0 eV sein. Beispielsweise kann die Differenz zwischen dem HOMO-Niveau der Pufferschicht B und dem HOMO-Niveau der Lochtransportschicht HTL größer oder gleich 1,1 eV und kleiner als 2,0 eV sein. Ferner kann das HOMO-Niveau der Pufferschicht B beispielsweise in einem Bereich von -7,35 eV bis -6,5 eV liegen.
  • Der Ligand kann während eines Herstellungsprozesses der Vorrichtung aus den Schalen der Quantenpunkte QDs, die jeweils die Kern-Schale-Struktur aufweisen, entweichen. Durch das Entweichen des Liganden geht ein Gleichgewicht zwischen positiven und negativen Ladungen auf den Oberflächen der Quantenpunkte QD verloren, so dass die Dichte der positiven Ladungen auf den Oberflächen der Quantenpunkte QD höher ist als die der negativen Ladungen. Infolgedessen verursacht das Entweichen des Liganden eine Instabilität der Oberfläche der Quantenpunkte QDs, die jeweils die Kern-Schale-Struktur aufweisen, wodurch sich die Stabilität der Vorrichtung verschlechtert.
  • Die organische Verbindung oder Derivate davon fungieren als Ligand des Quantenpunkts QD der Kern-Schale-Struktur. Die organische Verbindung oder Derivate davon können eine aliphatische Kohlenwasserstoffverbindung mit einer funktionellen Gruppe mit einem ungeteilten Elektronenpaar oder Derivate davon oder eine aromatische Kohlenwasserstoffverbindung mit einer funktionellen Gruppe mit einem ungeteilten Elektronenpaar oder Derivate davon umfassen. Beispielsweise kann die funktionelle Gruppe mit dem ungeteilten Elektronenpaar aus einer Gruppe bestehend aus einer Hydroxylgruppe (-OH), einer Carboxylgruppe (-COOH), einer Aminogruppe (-NR, -NH, -NH2, wobei R eine einwertige C1 bis C6-Kohlenwasserstoffgruppe oder Derivate davon ist) und einer Thiolgruppe (-SH) ausgewählt sein.
  • Selbst wenn der Ligand aus den Schalen der Quantenpunkt-QDs entweicht, können die Ungleichgewichte positiver und negativer Ladungen auf den Oberflächen der Quantenpunkte QD mit den jeweiligen Kern-Schale-Strukturen durch die funktionelle Gruppe mit dem ungeteilten Elektronenpaar gemildert oder beseitigt werden. Aus diesem Grund kann die Pufferschicht B die Stabilität der Quantenpunkt-Lichtemissionsvorrichtung 100 verbessern.
  • Die organische Verbindung oder Derivate davon, die die Pufferschicht B bilden, können mindestens eine Verbindung umfassen, die aus der folgenden Gruppe ausgewählt ist: eine substituierte oder unsubstituierte gesättigte Fettsäure, eine substituierte oder unsubstituierte ungesättigte Fettsäure, ein substituiertes oder unsubstituiertes gesättigtes Fettamin, ein substituiertes oder unsubstituiertes ungesättigtes Fettsäureamin, ein substituiertes oder unsubstituiertes C4 bis C34-Alkanthiol, ein substituiertes oder unsubstituiertes aromatisches C6 bis C34-Thiol und Kombinationen davon.
  • Ein Beispiel für jede der organischen Verbindungen oder Derivate davon kann mindestens eine Verbindung umfassen, die aus der folgenden Gruppe ausgewählt ist: Ölsäure, Oleylamin, 1-Octanthiol, Octan-2-thiol, 1-Dodecanthiol, Dodecan-2-thiol, Laurinsäure, 2-Methylbenzolthiol, 3-Methylbenzolthiol, 4-Methylbenzolthiol und Kombinationen.
  • Andernfalls überlappt sich die Absorptionswellenlänge der Lochtransportschicht HTL mit der Lichtemissionswellenlänge der Quantenpunkte QD der Kern-Schale-Struktur, was zu einem FRET-Phänomen führt. Dies kann die externe Quanteneffizienz (EQE) der Quantenpunkt-Lichtemissionsvorrichtung 100 verringern.
  • Gemäß der vorliegenden Offenbarung ist die Pufferschicht B zwischen der Lochtransportschicht HTL und der lichtemittierenden Schicht EML angeordnet. Somit steigt ein Abstand zwischen der Lochtransportschicht HTL und der lichtemittierenden Schicht EML, insbesondere ein Abstand zwischen der Lochtransportschicht HTL und den Quantenpunkten QD der Kern-Schale-Struktur. Dies kann das FRET-Phänomen zwischen der Lochtransportschicht HTL und der lichtemittierenden Schicht EML verringern. Somit kann die Pufferschicht B die Verschlechterung der externen Quanteneffizienz unterdrücken, indem sie das FRET-Phänomen minimiert.
  • Die Dicke der Pufferschicht B kann in einem Bereich von 0,1 nm bis 10 nm liegen. Wenn die Dicke der Pufferschicht B kleiner als 0,1 nm ist, kann das FRET-Phänomen zwischen der Lochtransportschicht HTL und der lichtemittierenden Schicht EML nicht minimiert oder unterdrückt werden. Wenn die Dicke der Pufferschicht B größer als 10 nm ist, kann sich die Ladungsinjektion verschlechtern.
  • Die Kathode C kann aus mindestens einem Stoff bestehen, der aus der folgenden Gruppe ausgewählt ist: Ca, Ba, Ca/Al, LiF/Ca, LiF/Al, BaF2/Al, CsF/Al, CaCo3/Al, BaF2/Ca/Al, Al, Mg, Au:Mg oder Ag:Mg.
  • In einem Beispiel kann die Quantenpunkt-Lichtemissionsvorrichtung 100 ferner eine Elektronentransportschicht ETL, die Elektronen zu der lichtemittierenden Schicht EML transportiert. umfassen. Die Pufferschicht B ist nicht zwischen der lichtemittierenden Schicht EML und der Elektronentransportschicht ETL angeordnet. Die Elektronentransportschicht ETL ist zwischen der lichtemittierenden Schicht EML und der Kathode C angeordnet. Die Elektronentransportschicht ETL steht in direktem Kontakt mit der lichtemittierenden Schicht EML.
  • Nachfolgend werden Vergleichsexperimente zum Vergleich zwischen den erfindungsgemäßen Beispielen und dem Vergleichsbeispiel beschrieben, die zeigen, dass die Pufferschicht B zur Leistungsverbesserung der Quantenpunkt-Lichtemissionsvorrichtung 100 beiträgt. Die Vergleichsexperimente wurden unter Verwendung von Quantenpunkt-Lichtemissionsvorrichtungen gemäß den erfindungsgemäßen Beispielen und einer Quantenpunkt-Lichtemissionsvorrichtung gemäß dem Vergleichsbeispiel durchgeführt, die wie folgt hergestellt wurden.
  • Erfindungsgemäßes Beispiel 1
  • Ein ITO-Substrat wurde mit UV-Ozon gewaschen und dann wurden eine Lochinjektionsschicht HIL, eine Lochtransportschicht HTL, eine Pufferschicht B, eine lichtemittierende Schicht EML, eine Elektronentransportschicht ETL und eine Kathode C auf dem ITO-Substrat in folgender Prozessreihenfolge (a) bis (e) gestapelt. Auf diese Weise wurde eine Quantenpunkt-Lichtemissionsvorrichtung (ITO/HIL/HTL/B/EML/ETL/C) hergestellt.
  • 3 ist ein Rasterelektronenmikroskopbild (REM-Bild) der hergestellten Quantenpunkt-Lichtemissionsvorrichtung. 3 zeigt, dass die Lochinjektionsschicht (PEDOT:PSS), die Lochtransportschicht HTL, die Pufferschicht (Ligand), die lichtemittierende Schicht (QD), die Elektronentransportschicht (ZnMgO) und die Kathode (Al) aufeinanderfolgend auf der Anode (ITO) gestapelt sind.
  • (a) Die Lochinjektionsschicht (Dicke 25 nm): PEDOT:PSS (Sigma-Aldrich) wurde für die Lochinjektionsschicht verwendet. PEDOT:PSS wurde auf das ITO-Substrat aufgeschleudert und dann 30 Minuten auf 140 °C erhitzt und getrocknet.
  • (b) Die Lochtransportschicht (Dicke 25 nm): PVK (Sigma-Aldrich) wurde für die Lochtransportschicht verwendet. PVK wurde auf die Lochinjektionsschicht aufgeschleudert und dann durch Erhitzen auf 210 °C für 40 Minuten getrocknet.
  • (c) Die Pufferschicht (Dicke 2 nm bis 3 nm): Ölsäure (OA) (Sigma-Aldrich) wurde für die Pufferschicht verwendet. Ölsäure wurde auf die Lochtransportschicht aufgeschleudert und dann durch Erhitzen auf 100 °C für 20 Minuten getrocknet.
  • (d) Die lichtemittierende Schicht (Dicke 25 nm): Für die lichtemittierende Schicht wurden Quantenpunkte (Sigma-Aldrich) verwendet, die jeweils eine Kern(ZnSe)-Schalen(ZnS)-Struktur aufweisen. Die Quantenpunkte mit der Kern-Schale-Struktur wurden auf die Pufferschicht aufgeschleudert.
  • (e) Die Elektronentransportschicht (Dicke 40 nm): ZnMgO (Sigma-Aldrich) wurde für die Elektronentransportschicht verwendet. ZnMgO wurde auf die lichtemittierende Schicht aufgeschleudert.
  • (f) Die Kathode (Dicke 500 Ä): Al wurde für die Kathode verwendet. Al wurde auf der Elektronentransportschicht abgeschieden.
  • Erfindungsgemäßes Beispiel 2
  • Eine Quantenpunkt-Lichtemissionsvorrichtung wurde auf die gleiche Weise wie beim erfindungsgemäßen Beispiel 1 hergestellt, mit der Ausnahme, dass Oleylamin (OLA) (Sigma-Aldrich) als Pufferschichtmaterial verwendet wurde.
  • Erfindungsgemäßes Beispiel 3
  • Eine Quantenpunkt-Lichtemissionsvorrichtung wurde auf die gleiche Weise wie beim erfindungsgemäßen Beispiel 1 hergestellt, mit der Ausnahme, dass 4-Methylbenzolthiol (MBT) (Sigma-Aldrich) als Pufferschichtmaterial verwendet wurde.
  • Erfindungsgemäßes Beispiel 4
  • Eine Quantenpunkt-Lichtemissionsvorrichtung wurde auf die gleiche Weise wie beim erfindungsgemäßen Beispiel 1 hergestellt, mit der Ausnahme, dass 1-Dodecanthiol (DDT) (Sigma-Aldrich) als Pufferschichtmaterial verwendet wurde.
  • Erfindungsgemäßes Beispiel 5
  • Eine Quantenpunkt-Lichtemissionsvorrichtung wurde auf die gleiche Weise wie beim erfindungsgemäßen Beispiel 1 hergestellt, mit der Ausnahme, dass Laurinsäure (LA) (Sigma-Aldrich) als Pufferschichtmaterial verwendet wurde.
  • Vergleichsbeispiel 1
  • Eine Quantenpunkt-Lichtemissionsvorrichtung wurde auf die gleiche Weise wie beim erfindungsgemäßen Beispiel 1 hergestellt, mit der Ausnahme, dass keine Pufferschicht ausgebildet wurde.
  • Die HOMO-Niveaus von Ölsäure (OA), Oleylamin (OLA), 4-Methylbenzolthiol (MBT), 1-Dodecanthiol (DDT) und Laurinsäure (LA) wurden jeweils durch UV-Photoelektronen-Spektroskopie gemessen.
    • * Analyseausrüstung: PHI 5000 VersaProbe (ULVAC PHI)
    • * Probenvorbereitung: Eine Ethanollösung mit 2 Gew.-% Ölsäure (OA) wurde auf ein 2 cm × 2 cm großes ITO-Glas aufgeschleudert, um Probe 1 herzustellen. Eine Ethanollösung mit 2 Gew.-% Oleylamin (OLA) wurde auf ein 2 cm × 2 cm großes ITO-Glas aufgeschleudert, um Probe 2 herzustellen. Eine Ethanollösung mit 2 Gew.-% 4-Methylbenzolthiol (MBT) wurde auf ein 2 cm × 2 cm großes ITO-Glas aufgeschleudert, um Probe 3 herzustellen. Ein Ethanollösung mit 2 Gew.-% 1-Dodecanthiol (DDT) wurde auf ein 2 cm × 2 cm großes ITO-Glas aufgeschleudert, um Probe 4 herzustellen. Eine Ethanollösung mit 2 Gew.-% Laurinsäure (LA) wurde auf ein 2 cm × 2 cm großes ITO-Glas aufgeschleudert, um Probe 5 herzustellen.
  • Tabelle 1 fasst die HOMO-Niveaus von ITO, PEDOS:PSS, PVK, OA, OLA, MBT, DDT und LA zusammen. [Tabelle 1]
    HOMO-Niveau (eV)
    ITO -4,7
    PEDOT:PSS -5,0
    PVK -5,4
    OA -7,28
    OLA -7,35
    MBT -6,58
    DDT -6,96
    LA -7,28
  • Versuchsbeispiel 1 - Auswertung der EQE nach Pufferschicht
  • Unter Verwendung der aus den erfindungsgemäßen Beispielen 11 bis 5 erhaltenen Quantenpunkt-Lichtemissionsvorrichtungen und der aus dem Vergleichsbeispiel 1 erhaltenen Quantenpunkt-Lichtemissionsvorrichtung wurden externe Quanteneffizienz (EQE), Leuchtdichte, Spannung, Farbkoordinaten, FWHM und Wp in Abhängigkeit von der Abwesenheit oder Anwesenheit der Pufferschicht ausgewertet. Die Messergebnisse davon sind in der folgenden Tabelle 2 zusammengefasst. [Tabelle 2]
    EQE (%) Leuchtdichte (cd/m 2 ) Spannung (V) Wp FWHM Farbkoordinaten CIE(x, y)
    Vergleichsbeispiel 1 1,51 42,62 4,43 436 19 0,163, 0,022
    Erfindungsgemäßes Beispiel 1 8,31 203,2 4,24 436 19 0,163, 0,022
    Erfindungsgemäßes Beispiel 2 7,74 201,0 4,31 436 19 0,163, 0,022
    Erfindungsgemäßes Beispiel 3 7,95 202,7 4,20 436 19 0,163, 0,022
    Erfindungsgemäßes Beispiel 4 7,62 181,2 4,31 436 19 0,163, 0,022
    Erfindungsgemäßes Beispiel 5 7,45 194,2 4,33 436 19 0,163, 0,022
  • Unter Bezugnahme auf Tabelle 2 hat jede der Quantenpunkt-Lichtemissionsvorrichtungen der erfindungsgemäßen Beispiele 1 bis 5 im Vergleich zu der Quantenpunkt-Lichtemissionsvorrichtung des Vergleichsbeispiels 1 eine deutlich verbesserte externe Quanteneffizienz (EQE) und deutlich verbesserte Eigenschaften in Bezug auf Leuchtdichte und Niederspannungsansteuerung.
  • Versuchsbeispiel 2 - Auswertung der Vorrichtungsstabilität
  • Unter Verwendung der aus den erfindungsgemäßen Beispielen 1 bis 5 erhaltenen Quantenpunkt-Lichtemissionsvorrichtungen und den aus dem Vergleichsbeispiel 1 erhaltenen Quantenpunkt-Lichtemissionsvorrichtungen wurde die Vorrichtungsstabilität in Abhängigkeit von der Abwesenheit oder Anwesenheit der Pufferschicht ausgewertet.
  • 4 ist ein Graph zum Vergleichen der Lebensdauereigenschaften (T90) der Quantenpunkt-Lichtemissionsvorrichtungen gemäß den erfindungsgemäßen Beispielen 1 bis 5 und der Quantenpunkt-Lichtemissionsvorrichtung gemäß dem Vergleichsbeispiel 1. Unter Bezugnahme auf 4 ist die Lebensdauereigenschaft (T90) jeder der Quantenpunkt-Lichtemissionsvorrichtungen der Beispiele 1 bis 5 im Vergleich zu derjenigen der Quantenpunkt-Lichtemissionsvorrichtung des Vergleichsbeispiels 1 stark verbessert.
  • Versuchsbeispiel 3 - Auswertung der FRET-Reduktion
  • Die Quantenpunktschicht QD, die Pufferschicht (Ligand) und die Lochtransportschicht HTL wurden nacheinander auf ein Glas aufgeschleudert, um eine erfindungsgemäße Probe (QD-Ligand-HTL) herzustellen. Die Quantenpunktschicht QD und die Lochtransportschicht HTL wurden nacheinander auf ein Glas aufgeschleudert, um eine Vergleichsprobe (QD-HTL) herzustellen.
  • Dann wurde die Änderung des FRET-Phänomens in Abhängigkeit von der Abwesenheit und Anwesenheit der Pufferschicht unter Verwendung von Quanturus-Tau (Hamamtchu, C11367-31) ausgewertet.
  • 5 ist ein Graph zum Vergleichen der Reduktionseigenschaften von PL (Photolumineszenz) über einer Verfallszeit. Unter Bezugnahme auf 5 zeigte die erfindungsgemäße Probe (QD-Ligand-HTL) ein reduziertes FRET-Phänomen im Vergleich zu der Vergleichsprobe (QD-HTL).
  • In 6 geht es in (A) um die FRET-Rate. In 6 geht es in (B) um die FRET-Effizienz. Unter Bezugnahme auf 6 hatte die erfindungsgemäße Probe (QD-Ligand-HTL) eine geringere FRET-Rate und eine geringere FRET-Effizienz als die Vergleichsprobe (QD-HTL).
  • Andererseits schafft die vorliegende Offenbarung auch eine Anzeigeeinrichtung bereit, die die oben beschriebene Quantenpunkt-Lichtemissionsvorrichtung umfasst.

Claims (12)

  1. Quantenpunkt-Lichtemissionsvorrichtung, die Folgendes umfasst: eine Anode (A); eine Kathode (C); eine Lochtransportschicht (HTL), die zwischen der Anode (A) und der Kathode (C) angeordnet ist; eine lichtemittierende Schicht (EML), die zwischen der Lochtransportschicht (HTL) und der Kathode (C) angeordnet ist, wobei die lichtemittierende Schicht (EML) einen Quantenpunkt (QD) mit einer Kern-Schale-Struktur aufweist; und eine Pufferschicht (B), die zwischen der Lochtransportschicht (HTL) und der lichtemittierenden Schicht (EML) angeordnet ist, wobei die Pufferschicht (B) aus einer organischen Verbindung oder Derivaten davon besteht, wobei der Quantenpunkt (QD) einen Kern, mindestens eine Schale, die den Kern umgibt, und einen Liganden, der die mindestens eine Schale umgibt, umfasst, wobei die Pufferschicht (B) die organische Verbindung oder Derivate davon enthält, die als der Ligand fungieren, und wobei ein HOMO-Niveau der Pufferschicht (B) zwischen einem HOMO-Niveau der Lochtransportschicht (HTL) und einem HOMO-Niveau der Lichtemissionsschicht (EML) liegt.
  2. Quantenpunkt-Lichtemissionsvorrichtung nach Anspruch 1, wobei die Pufferschicht (B) die gleiche organische Verbindung oder Derivate davon wie der Ligand enthält.
  3. Quantenpunkt-Lichtemissionsvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 oder 2, wobei die organische Verbindung oder Derivate davon eine aliphatische Kohlenwasserstoffverbindung mit einer funktionellen Gruppe mit einem ungeteilten Elektronenpaar oder Derivate davon; oder eine aromatische Kohlenwasserstoffverbindung mit einer funktionellen Gruppe mit einem ungeteilten Elektronenpaar oder Derivate davon umfassen.
  4. Quantenpunkt-Lichtemissionsvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die organische Verbindung oder Derivate davon umfassen: eine aliphatische Kohlenwasserstoffverbindung oder Derivate davon mit einer funktionellen Gruppe, aus einer Gruppe bestehend aus einer Hydroxylgruppe (-OH), einer Carboxylgruppe (-COOH), einer Aminogruppe (-NR, -NH, -NH2, wobei R eine einwertige C1 bis C6-Kohlenwasserstoffgruppe oder Derivate davon ist) und einer Thiolgruppe (-SH) ausgewählt ist; oder eine aromatische Kohlenwasserstoffverbindung oder Derivate davon mit einer funktionellen Gruppe, die aus einer Gruppe bestehend aus einer Hydroxylgruppe (-OH), einer Carboxylgruppe (-COOH), einer Aminogruppe (-NR, -NH, -NH2, wobei R eine einwertige C1 bis C6-Kohlenwasserstoffgruppe oder Derivate davon ist) und einer Thiolgruppe (-SH) ausgewählt ist.
  5. Quantenpunkt-Lichtemissionsvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei die organische Verbindung oder Derivate davon mindestens eine Verbindung umfassen, die aus der folgenden Gruppe ausgewählt ist: eine substituierte oder unsubstituierte gesättigte Fettsäure, eine substituierte oder unsubstituierte ungesättigte Fettsäure, ein substituiertes oder unsubstituiertes gesättigtes Fettamin, ein substituiertes oder unsubstituiertes ungesättigtes Fettsäureamin, ein substituiertes oder unsubstituiertes C4 bis C34-Alkanthiol, ein substituiertes oder unsubstituiertes aromatisches C6 bis C34-Thiol und Kombinationen davon.
  6. Quantenpunkt-Lichtemissionsvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei die organische Verbindung oder Derivate davon mindestens eine Verbindung umfassen, die aus der folgenden Gruppe ausgewählt ist: Ölsäure, Oleylamin, 1-Octanthiol, Octan-2-thiol, 1-Dodecanthiol, Dodecan-2-thiol, Laurinsäure, 2-Methylbenzinthiol, 3-Methylbenzinthiol, 4-Methylbenzinthiol und Kombinationen davon.
  7. Quantenpunkt-Lichtemissionsvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei eine Differenz zwischen dem HOMO-Niveau der Pufferschicht (B) und dem HOMO-Niveau der Lochtransportschicht (HTL) kleiner als 2,0 eV ist.
  8. Quantenpunkt-Lichtemissionsvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei die Differenz zwischen dem HOMO-Niveau der Pufferschicht (B) und dem HOMO-Niveau der Lochtransportschicht (HTL) größer oder gleich 1,1 eV und kleiner als 2,0 eV ist.
  9. Quantenpunkt-Lichtemissionsvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei das HOMO-Niveau der Pufferschicht (B) in einem Bereich von -7,35 eV bis -6,5 eV liegt.
  10. Quantenpunkt-Lichtemissionsvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 9, wobei eine Dicke der Pufferschicht (B) in einem Bereich von 0,1 nm bis 10 nm liegt.
  11. Quantenpunkt-Lichtemissionsvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 10, die ferner eine Elektronentransportschicht (ETL) umfasst, die zwischen der Lichtemissionsschicht (EML) und der Kathode (C) angeordnet ist, wobei die Elektronentransportschicht (ETL) in direktem Kontakt mit der Lichtemissionsschicht (EML) steht.
  12. Anzeigeeinrichtung, die die Quantenpunkt-Lichtemissionsvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 11 umfasst.
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113314675B (zh) * 2020-02-27 2023-01-20 京东方科技集团股份有限公司 一种量子点发光器件及制备方法、显示装置
CN113838986B (zh) * 2020-06-24 2023-04-28 Tcl科技集团股份有限公司 量子点发光二极管及其制备方法
CN113972342B (zh) * 2020-07-22 2024-04-30 Tcl科技集团股份有限公司 量子点薄膜及其制备方法和量子点发光二极管及其制备方法
CN112018254B (zh) * 2020-09-04 2023-09-19 河南工程学院 一种基于苯硫醇衍生物的量子点发光二极管及其制备方法
WO2023105711A1 (ja) * 2021-12-09 2023-06-15 シャープディスプレイテクノロジー株式会社 発光素子、表示装置、および発光素子の製造方法
WO2024069881A1 (ja) * 2022-09-29 2024-04-04 シャープディスプレイテクノロジー株式会社 発光素子、表示装置、発光素子の製造方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130009131A1 (en) 2008-04-03 2013-01-10 Kazlas Peter T Device including quantum dots
US20150315460A1 (en) 2012-12-03 2015-11-05 Dongjin Semichem Co., Ltd. Luminescent quantum dot
US20180138434A1 (en) 2016-11-15 2018-05-17 Lg Display Co., Ltd. Quantum dot light-emitting diode and light-emitting display device using the diode
EP3327813A1 (de) 2016-11-25 2018-05-30 Samsung Electronics Co., Ltd. Lichtemittiergerät und anzeigegerät mit quantum dot
US20180151630A1 (en) 2016-11-30 2018-05-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-Emitting Element, Light-Emitting Device, Electronic Device, and Lighting Device

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4734849B2 (ja) 2003-05-14 2011-07-27 三菱化学株式会社 アルミニウム混合配位子錯体化合物、電荷輸送材料、有機電界発光素子材料および有機電界発光素子
WO2011044391A1 (en) * 2009-10-07 2011-04-14 Qd Vision, Inc. Device including quantum dots
KR101726630B1 (ko) 2010-11-10 2017-04-13 엘지디스플레이 주식회사 양자 발광 소자
CN102903855A (zh) 2012-10-22 2013-01-30 东南大学 一种量子点电致发光器件及其制备方法
CN105261707B (zh) 2015-09-08 2017-06-06 河南大学 一种新型量子点发光器件
KR20180035278A (ko) 2016-09-28 2018-04-06 경북대학교 산학협력단 양자점 발광 소자 및 이의 제조 방법
KR20180047820A (ko) * 2016-11-01 2018-05-10 엘지디스플레이 주식회사 양자점 발광다이오드 및 이를 포함하는 양자점 발광표시장치
CN106374051A (zh) 2016-11-15 2017-02-01 Tcl集团股份有限公司 一种qled、制备方法及发光装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130009131A1 (en) 2008-04-03 2013-01-10 Kazlas Peter T Device including quantum dots
US20150315460A1 (en) 2012-12-03 2015-11-05 Dongjin Semichem Co., Ltd. Luminescent quantum dot
US20180138434A1 (en) 2016-11-15 2018-05-17 Lg Display Co., Ltd. Quantum dot light-emitting diode and light-emitting display device using the diode
EP3327813A1 (de) 2016-11-25 2018-05-30 Samsung Electronics Co., Ltd. Lichtemittiergerät und anzeigegerät mit quantum dot
US20180151630A1 (en) 2016-11-30 2018-05-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-Emitting Element, Light-Emitting Device, Electronic Device, and Lighting Device

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