DE102018204974B4 - Übertragungsleitung und Verfahren zur Herstellung derselben - Google Patents

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Abstract

Übertragungsleitung (1), umfassend:
mehrere Leiterstrukturen (11, 12, 13) als Übertragungswege von Signalen, die parallel in einer ebenen Form angeordnet sind;
eine Isolierschicht (20), die die mehreren Leiterstrukturen (11, 12, 13) in einer im Wesentlichen ebenen Form umgibt;
eine erste Massestruktur (31), die auf einer Oberflächenseite der Isolierschicht (20) ausgebildet ist; und
eine zweite Massestruktur (32), die auf der anderen Oberflächenseite der Isolierschicht (20) ausgebildet ist,
wobei die Isolierschicht (20) eine oder mehrere Nuten (G) aufweist, die in einer Längsrichtung der mehreren Leiterstrukturen (11, 12, 13) auf der einen Oberflächenseite durchgehend ausgebildet sind, ohne die Isolierschicht (20) in einer Draufsicht an jeweils einer oder mehreren Positionen zwischen den mehreren Leiterstrukturen (11, 12, 13) zu teilen, und
wobei die erste Massestruktur (31) durchgehend über der einen Oberflächenseite gebildet ist,
dadurch gekennzeichnet, dass
die jeweils eine oder mehreren Nuten (G) eine Tiefe aufweisen, die größer als eine Tiefe der mehreren Leiterstrukturen (11, 12, 13) von einer oberen Fläche der einen Oberflächenseite ist.

Description

  • Gegenstand der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung betrifft eine Übertragungsleitung und ein Verfahren zur Herstellung derselben.
  • Beschreibung des Stands der Technik
  • Aus dem Stand der Technik ist eine Übertragungsleitung bekannt, die durch Umgeben einer Leiterstruktur mit einer Isolierschicht gebildet wird. Bei einer solchen Übertragungsleitung sind in einigen Fällen mehrere Leiterstrukturen parallel vorgesehen, und beispielsweise werden in einem Fall, in dem die mehreren Leiterstrukturen als Signalleitungen verwendet werden, Nebensignaleffekte unter den Signalleitungen zu einem Problem. Zur Behebung eines derartigen Problems wurde ein Verfahren, bei dem Löcher, die sich in der Längsrichtung der Struktur erstrecken, an Positionen zwischen den Leiterstrukturen gebildet werden, oder ein Verfahren, bei dem die Leiterstruktur in der vertikalen Richtung versetzt ist, vorgeschlagen (siehe beispielsweise Patentliteratur 1: ). JP 2016 - 92 561 A Darüber hinaus ist es zur Verringerung von Nebensignaleffekten außerdem wirksam, den Abstand zwischen den Leiterstrukturen zu erhöhen.
  • [Patentliteratur 1] JP 2016 - 92 561 A
  • Weiterer Stand der Technik ist aus dem Dokument US 2005 / 0 156 693 A1 und gattungsbildend aus dem Dokument US 5 250 127 A A4 bekannt.
  • Gemäß dem Stand der Technik kann ein Nebensignaleffekt nicht verringert werden, indem wie bei der Übertragungsleitung lediglich Löcher zwischen Leiterstrukturen ausgebildet werden. Um den Nebensignaleffekt zu verringern, verkompliziert sich in dem Fall, in dem die Leiterstruktur ähnlich wie die Übertragungsleitung in einer vertikalen Richtung versetzt ist, eine Struktur. Darüber hinaus wird, in einem Fall, in dem der Abstand zwischen den Leiterstrukturen vergrößert wird, die Übertragungsleitung groß, da es erforderlich ist, einen hinreichend großen Abstand bereitzustellen.
  • Eine oder mehrere Ausführungsformen stellen eine Übertragungsleitung, die in der Lage ist, einen komplizierten Aufbau und eine Vergrößerung einer Struktur bei der Reduzierung von Nebensignaleffekten zu verhindern, und ein Herstellungsverfahren einer Übertragungsleitung, die eine Verkomplizierung eines Herstellungsprozesses verhindern kann, bereit.
  • Gemäß einem Aspekt (1) stellen eine oder mehrere Ausführungsformen eine Übertragungsleitung bereit, die mehrere Leiterstrukturen als Übertragungswege von Signalen, die parallel in einer ebenen Form angeordnet sind, eine Isolierschicht, die die mehreren Leiterstrukturen in einer im Wesentlichen ebenen Form umgibt, eine erste Massestruktur, die auf einer Oberflächenseite der Isolierschicht ausgebildet ist, und eine zweite Massestruktur, die auf der anderen Oberflächenseite der Isolierschicht ausgebildet ist, umfasst. Die Isolierschicht weist eine oder mehrere Nuten auf, die in einer Längsrichtung der mehreren Leiterstrukturen auf der einen Oberflächenseite durchgehend ausgebildet sind, ohne die Isolierschicht in einer Draufsicht an jeweils einer oder mehreren Positionen zwischen den mehreren Leiterstrukturen zu teilen. Die erste Massestruktur ist durchgehend über der einen Oberflächenseite ausgebildet.
  • Lösung des Problems
  • Gemäß dem Aspekt (1) wird, da die Isolierschicht an jeder der Positionen zwischen den mehreren Leiterstrukturen Nuten aufweist und die erste Massestruktur durchgehend über der einen Oberflächenseite ausgebildet ist, die Massestruktur derart angeordnet, dass sie zwischen den mehreren Leiterstrukturen angeordnet ist und dementsprechend als eine Abschirmfolie dient, um dadurch einen Nebensignaleffekt zu verringern. Somit ist es nicht erforderlich, ein ausreichend hohen Abstand zwischen den Leiterstrukturen zu gewährleisten, und es ist möglich, eine Größenzunahme zu verhindern. Da darüber hinaus die Leiterstrukturen parallel in einer Form einer Ebene angeordnet sind, ist es zudem nicht erforderlich, die Leiterstrukturen durch Versetzen der Strukturen zu bilden. Folglich kann eine Verkomplizierung der Struktur verhindert werden. Somit ist es möglich, eine Übertragungsleitung bereitzustellen, die in der Lage ist, eine Verkomplizierung und eine Vergrößerung der Struktur bei der Reduzierung des Nebensignaleffekts zu verhindern. Da darüber hinaus die Nut die Isolierschicht nicht teilt, ist die Übertragungsleitung in der Breitenrichtung nicht nur durch die Massestruktur verbunden, wodurch hinsichtlich der Festigkeit Vorteile erzielt werden.
  • Gemäß dem obigen Aspekt weisen jeweils die eine oder mehreren Nuten eine Tiefe auf, die größer als eine Tiefe der mehreren Leiterstrukturen von einer oberen Fläche der einen Oberflächenseite ist.
  • Gemäß dem Aspekt liegt, da die jeweils eine oder mehreren Nuten eine Tiefe aufweisen, die größer als die Anordnungstiefe der mehreren Leiterstrukturen ist, die Massestruktur zwischen den mehreren Leiterstrukturen und dementsprechend wird der Effekt als eine Abschirmfolie noch weiter verbessert. Dadurch kann der Nebensignaleffekt noch weiter verringert werden.
  • Gemäß einem Aspekt (2) weisen die jeweils eine oder mehreren Nuten in einer Schnittansicht eine V-Form auf.
  • Gemäß dem Aspekt (2) ist es, da die jeweils eine oder mehreren Nuten in einer Schnittansicht eine V-Form aufweisen, möglich, den Effekt der Verringerung von Nebensignalen zu stabilisieren.
  • Gemäß einem Aspekt (3) umfasst ein Herstellungsverfahren für eine Übertragungsleitung Extrusionsformen eines Isolierharzes zu mehreren Leiterstrukturen als Übertragungswege von Signalen, die parallel in einer Ebene angeordnet sind, um so eine Isolierschicht zu bilden, die die mehreren Leiterstrukturen in einer im Wesentlichen ebenen Form umgibt, Bilden einer ersten Massestruktur auf einer Oberflächenseite der beim Extrusionsformen gebildeten Isolierschicht, und Bilden einer zweiten Massestruktur auf der anderen Oberflächenseite der beim Extrusionsformen gebildeten Isolierschicht. Beim Extrusionsformen wird das Isolierharz mit einer Gussform extrudiert, die einen vorstehenden Abschnitt aufweist, so dass eine oder mehrere Nuten in einer Längsrichtung der mehreren Leiterstrukturen durchgehend gebildet werden, ohne die Isolierschicht in einer Draufsicht an jeweils einer oder mehreren Positionen zwischen den mehreren Leiterstrukturen zu teilen. Bei der Bildung der ersten Massestruktur wird die erste Massestruktur durchgehend über der einen Oberflächenseite ausgebildet. Die jeweils eine oder mehrere Nuten weisen eine Tiefe auf die größer als eine Tiefe der mehreren Leiterstrukturen von einer oberen Fläche der einen Oberflächenseite ist.
  • Wird das Isolierharz gemäß dem Aspekt (3) durch eine Gussform mit einem vorstehenden Abschnitt extrusionsgeformt, um eine oder mehrere Nuten der Isolierschicht, in der in Längsrichtung die eine oder die mehreren Nuten durchgehend ausgebildet sind, in einem Verfahren auszubilden, das jenem der Isolierschicht, die keine Nut aufweist, entspricht, ist es möglich, eine Isolierschicht mit Nuten zu bilden und eine Verkomplizierung des Herstellungsprozesses zu verringern. Somit ist es als Herstellungsverfahren für die Übertragungsleitung, die eine Verkomplizierung und eine Vergrößerung der Struktur bei der Verringerung von Nebensignaleffekten verhindern kann, möglich, ein Herstellungsverfahren bereitzustellen, bei dem die Verkomplizierung des Herstellungsprozesses verhindert wird.
  • Gemäß einer oder mehrerer Ausführungsformen ist es möglich, eine Übertragungsleitung und ein Herstellungsverfahren davon bereitzustellen, die die Verkomplizierung des Herstellungsprozesses und die Größenzunahme bei der Verringerung von Nebensignaleffekten verhindern können.
  • Figurenliste
    • 1 zeigt eine perspektivische Ansicht, die eine Übertragungsleitung gemäß einer Ausführungsform der Erfindung darstellt;
    • 2 zeigt eine Schnittansicht der Übertragungsleitung, die in 1 dargestellt ist;
    • 3 zeigt eine Schnittansicht, die ein erstes Herstellungsverfahren der Übertragungsleitung der 1 und 2 darstellt;
    • 4 zeigt eine Schnittansicht eines zweiten Herstellungsverfahrens der Übertragungsleitung der 1 und 2;
    • 5A und 5B zeigen Graphen, die Eigenschaften einer Übertragungsleitung gemäß eines Vergleichsbeispiels darstellen, wobei 5A eine Impedanzkennlinie und 5B eine Nebensignalreduzierungskennlinie darstellen;
    • 6A und 6B zeigen Graphen, die Eigenschaften der Übertragungsleitung gemäß der Ausführungsform darstellen, wobei 6A eine Impedanzkennlinie und 6B eine Nebensignalreduzierungskennlinie darstellen;
    • 7 zeigt eine Schnittansicht einer Übertragungsleitung gemäß einer zweiten Ausführungsform;
    • 8A und 8B zeigen Graphen, die Kennlinien darstellen, wenn die Breite einer Nut in der Übertragungsleitung gemäß der ersten Ausführungsform verändert wird, wobei 8A eine Impedanzkennlinie und 8B eine Nebensignalreduzierungskennlinie darstellen; und
    • 9A und 9B zeigen Graphen, die Kennlinien darstellen, wenn die Breite einer Nut in der Übertragungsleitung gemäß der zweiten Ausführungsform verändert wird, wobei 9A eine Impedanzkennlinie und 9B eine Nebensignalreduzierungskennlinie darstellen.
  • Ausführliche Beschreibung
  • Im Nachfolgenden wird die vorliegende Erfindung gemäß den entsprechenden Ausführungsformen beschrieben. Zudem ist die Erfindung nicht auf die Ausführungsformen, die im Nachfolgenden beschrieben sind, beschränkt und kann in geeigneter Weise geändert werden, ohne vom Geist der Erfindung abzuweichen. Darüber hinaus gibt es in den Ausführungsformen, die im Nachfolgenden beschrieben werden, Stellen, in denen auf eine Darstellung oder Beschreibung eines Teils der Konfiguration verzichtet wird, wobei jedoch nicht erwähnt werden muss, dass eine angemessen bekannte oder wohlbekannte Technologie für die weggelassenen Details der Technologie in einem Bereich verwendet werden kann, in dem kein Widerspruch zu dem im Nachfolgenden beschriebenen Inhalt entsteht.
  • 1 zeigt eine perspektivische Ansicht, die eine Übertragungsleitung gemäß einer Ausführungsform der Erfindung darstellt, und 2 zeigt eine Schnittansicht der Übertragungsleitung der 1. Wie in 1 und 2 gezeigt, umfasst die Übertragungsleitung 1 mehrere (beispielsweise drei) Leiterstrukturen 11 bis 13, die als Übertragungswege von Signalen dienen, die parallel in einer ebenen Form angeordnet sind; eine Isolierschicht 20, die die mehreren Leiterstrukturen 11 bis 13 umgibt und eine im Wesentlichen ebene Form aufweist; eine erste Massestruktur 31, die auf einer Oberflächenseite der Isolierschicht 20 gebildet ist; und eine zweite Massestruktur 32, die auf der anderen Oberflächenseite der Isolierschicht 20 gebildet ist.
  • Gemäß der Ausführungsform sind die erste bis dritte Leiterstruktur 11 bis 13 planare Schaltungen für Hochfrequenzsignalübertragungen und beispielsweise aus einem Kupfermetall hergestellt. Die Isolierschicht 20 ist ein Dielektrikum, das beispielsweise aus einem Isolierharz gebildet ist. Darüber hinaus sind die Massestrukturen 31 und 32 beispielsweise aus einem Kupfermaterial gebildet, das dem der ersten bis dritten Leiterstruktur 11 bis 13 entspricht. Darüber hinaus sind die Massestrukturen 31 und 32 geerdet.
  • Da hierin die erste bis dritte Leiterstruktur 11 bis 13 parallel in einer ebenen Form angeordnet ist, befinden sich die Strukturen auf der gleichen Höhe, ohne in der Höhenrichtung versetzt zu sein. Ferner weist die Isolierschicht 20 eine Nut G auf, die in einer Schnittansicht eine vertiefte Form auf einer Oberflächenseite aufweist. Die Nuten G sind an entsprechenden Positionen zwischen den mehreren Leiterstrukturen 11 bis 13 in einer Draufsicht der Übertragungsleitung 1 (aus Sicht der einen Oberflächenseite) und entlang der Längsrichtung der Leiterstrukturen 11 bis 13 durchgehend ausgebildet.
  • Darüber hinaus sind die Nuten G derart ausgebildet, dass sie die Isolierschicht 20 in einer Schnittansicht nicht teilen. Somit weist die Isolierschicht 20 einen Verbindungsabschnitt 21 auf dem unteren Teil (der anderen Oberflächenseite) der Nut G auf. Mit anderen Worten weist die Isolierschicht, obwohl die Nuten G ausgebildet sind, eine Struktur auf, die über den Verbindungsabschnitt 21 in der Breitenrichtung verbunden ist.
  • Obwohl hierin die Tiefe der Nut G nicht besonders beschränkt ist, ist die Tiefe der Nut G vorzugsweise gleich oder größer als die Anordnungstiefe der mehreren Leiterstrukturen 11 bis 13 (das heißt, die Tiefe der Nut G ist gleich oder größer als die Anordnungstiefe der mehreren Leiterstrukturen 11 bis 13). Genauer gesagt ist gemäß der Ausführungsform jede der Leiterstrukturen 11 bis 13 an einer Position angeordnet, die einer Mittenposition der Dicke der Isolierschicht 20 entspricht. Vorzugsweise wird die Nut G von einer Oberflächenseite aus gebildet, und deren Bodenfläche erreicht die andere Oberflächenseite in demselben Ausmaß wie die Zwischenposition oder darüber hinaus.
  • Ferner ist die erste Massestruktur 31 innerhalb und außerhalb der Nut G durchgehend ausgebildet, um der Ungleichmäßigkeit der Nut G zu folgen. Somit ist die erste Massestruktur 31 zwischen der mehreren Leiterstrukturen 11 bis 13 angeordnet.
  • Die Übertragungsleitung 1 wird durch das nachfolgende Herstellungsverfahren hergestellt. Im Nachfolgenden wird ein Herstellungsverfahren der Übertragungsleitung 1 beschrieben.
  • 3 zeigt eine Schnittansicht, die ein erstes Herstellungsverfahren der Übertragungsleitung 1 der 1 und 2 darstellt. Das erste Herstellungsverfahren ist ein Verfahren, bei dem verschiedene Materialien und dergleichen laminiert werden. Zunächst wird, wie in 3 gezeigt, ein erster Isolierfilm 20a (beispielsweise eine Flüssigkristallpolymerfolie) auf einer Metallfolie angeordnet, die als die zweite Massestruktur 32 dient. Anschließend werden drei zweite Isolierfilme 20b auf dem ersten Isolierfilm 20a in Abständen dazwischen angeordnet. Darüber hinaus entspricht der gebildete Abstand der Breite der Nut G (Bezugszeichen w2, das in 2 dargestellt ist).
  • Anschließend werden drei Leiterstrukturen 11 bis 13 auf den drei zweiten Isolierfilmen 20b angeordnet. Dabei werden unter Berücksichtigung der Breite w1 der Position, die als die Nut G dient, die drei Leiterstrukturen 11 bis 13 laminiert. Danach werden die drei dritten Isolierfilme 20c auf die drei Leiterstrukturen 11 bis 13 laminiert. Anschließend wird die erste Massestruktur 31 auf der einer Oberflächenseite der Isolierschicht 20, die aus den ersten bis dritten Isolierfilmen 20a bis 20c gebildet ist, durch stromloses Plattieren oder dergleichen, gebildet. Auf diese Weise wird die erste Massestruktur 31 über der Innenseite und der Außenseite der Nut G ausgebildet.
  • Darüber hinaus wird in dem ersten Herstellungsverfahren in einem Fall, in dem die Tiefe der Nut G auf in etwa den gleichen Wert wie die Anordnungstiefe der Leiterstruktur 11 bis 13 eingestellt wird, auf den Aufbau des Laminierens der drei zweiten Isolierfilme 20b verzichtet.
  • 4 zeigt eine Schnittansicht, die ein zweites Herstellungsverfahren der Übertragungsleitung 1 darstellt, die in 1 bis 2 gezeigt ist. Das zweite Herstellungsverfahren ist ein Verfahren zum Extrusionsformen eines Isolierharzes. Zunächst wird unter Verwendung einer Metallform 100, wie in 4 gezeigt, das Isolierharz 200 zu drei Leiterstrukturen 11 bis 13 extrusionsgeformt, die in einer ebenen Form parallel angeordnet sind und Signalübertragungswege bilden. Auf diese Weise wird die Isolierschicht 20, die die mehreren Leiterstrukturen 11 bis 13 in einer im Wesentlichen ebenen Form umgibt, gebildet (erster Schritt).
  • Anschließend wird die erste Massestruktur 31 auf einer Oberflächenseite der Isolierschicht 20, die in dem ersten Schritt gebildet wird, gebildet, und die zweite Massestruktur 32 wird auf der anderen Oberflächenseite der Isolierschicht 20 durch stromloses Plattieren oder dergleichen gebildet (zweiter Schritt).
  • Dazu ist in der Form 100, die in dem ersten Schritt verwendet wird, an jeder der Positionen zwischen den drei Leiterstrukturen 11 bis 13 in einer Draufsicht ein vorstehender Abschnitt CP vorgesehen, um die Nut G in der Längsrichtung der drei Leiterstrukturen 11 bis 13 durchgehend auszubilden, ohne die Isolierschicht 20 zu teilen. Somit wird durch das Extrusionsformen im ersten Schritt die Nut G an jeder der Positionen zwischen den drei Leiterstrukturen 11 bis 13 gebildet.
  • Darüber hinaus wird in dem zweiten Schritt die erste Massestruktur 31 durchgehend über der Innenseite und der Außenseite der Nut G durch stromloses Plattieren oder dergleichen gebildet.
  • Im Nachfolgenden wird die Impedanzkennlinie und die Nebensignalreduzierungskennlinie der Übertragungsleitung 1 gemäß der Ausführungsform beschrieben, wobei jedoch davor die Impedanzkennlinie und die Nebensignalreduzierungskennlinie der Übertragungsleitung beschrieben wird, die keine erste Massestruktur 31 in der Nut G aufweist (Übertragungsleitung gemäß einem Vergleichsbeispiel).
  • Zunächst werden in der Übertragungsleitung gemäß dem Vergleichsbeispiel drei Strukturen verwendet, wie beispielsweise eine Struktur, in der keine Nut vorgesehen ist (das heißt ein Fall, bei dem eine Oberflächenseite des Isolierfilms bündig ist), eine Struktur, in der die Leiterstrukturen 11 bis 13 an der Zwischentiefe der Isolierschicht 20 positioniert sind und die Tiefe der Nut G in etwa gleich zueinander sind (ein Fall von x = 0 in 2) und eine Struktur, in der die Tiefe der Nut G um weitere 0,7 mm tiefer als in dem Fall ist, in dem die Tiefe der Nut G in etwa der Tiefe der Leiterstrukturen 11 bis 13 entspricht (ein Fall x = 0,7 mm in 2). Darüber hinaus wurden bestimmte Messungen in Bezug auf die drei Strukturen durchgeführt.
  • Zusätzlich wurde in der Übertragungsleitung gemäß dem Vergleichsbeispiel die Dicke der Isolierschicht 20 (die Dicke der Position mit Ausnahme der Nut G in dem Fall, in dem die Nut G ausgebildet ist) auf 1,46 mm, die Dicke der Leiterstrukturen 11 bis 13 auf 0,03 mm, und die Breite auf 1,15 mm festgelegt. Darüber hinaus wurden bei der Bildung der Nut G die Breite w2 auf 2 mm und der Abstand w1 von den Leiterstrukturen 11 bis 13 zu der Nut G auf 0,5 mm eingestellt.
  • 5A und 5B zeigen Graphen, die Kennlinien der Übertragungsleitung gemäß dem Vergleichsbeispiel darstellen, wobei 5A eine Impedanzkennlinie und 5B eine Nebensignalreduzierungskennlinie darstellen. Darüber hinaus gibt in dem Graphen der 5A und 5B die unterbrochene Linie Kennwerte in einem Fall an, in dem keine Nut G vorgesehen ist, gibt die durchgezogene Linie Kennwerte in einem Fall an, in dem die Tiefe der Nut G x = 0 ist, und gibt die dicke Linie Kennwerte in einem Fall an, in dem die Tiefe der Nut G x = 0,7 mm ist.
  • Wie in 5A gezeigt, ist die Impedanz in etwa gleich wie in einem Fall, in dem keine Nut G vorgesehen ist (siehe unterbrochene Linie) und in einem Fall, in dem die Tiefe der Nut G x = 0 ist (siehe durchgezogene Linie). Jedoch nimmt in einem Fall, in dem die Tiefe der Nut G x = 0,7 mm ist, die Impedanz zu (siehe dicke Linie).
  • Wie in 5B dargestellt, sind die Nebensignalreduzierungskennwerte in einem Fall, in dem keine Nut G vorhanden ist (siehe unterbrochene Linie) am besten, und in einem Fall, in dem die Nut G vorhanden ist, verschlechtern sich tendenziell die Nebensignalreduzierungskennwerte (siehe die durchgezogene und dicke Linie).
  • Aus 5A und 5B ist ersichtlich, dass dann, wenn die erste Massestruktur 31 nicht in der Nut G ausgebildet ist, das heißt dann, wenn lediglich ein einzelnes Loch vorgesehen ist, im Hinblick auf die Nebensignaleffekte Nachteile entstehen, und im Hinblick auf die Impedanz, wenn die Nut G tiefer wird, noch mehr Nachteile entstehen. Auf diese Weise kann in einem Fall, in dem die erste Massestruktur 31 nicht auf der einen Oberflächenseite der Isolierschicht 20 ausgebildet ist, bestimmt werden, dass die Nut G nicht vorhanden ist.
  • 6A und 6B zeigen Graphen, die Kennlinien der Übertragungsleitung 1 gemäß der Ausführungsform darstellen, wobei 6A eine Impedanzkennlinie und 6B eine Nebensignalreduzierungskennlinie darstellen. Darüber hinaus zeigt in den Graphen der 6A und 6B die unterbrochene Linie Kennwerte in einem Fall, in dem keine Nut G gemäß dem Vergleichsbeispiel vorhanden ist, und die durchgezogene Linie und die dicke Linie zeigen Kennwerte der Übertragungsleitung 1 gemäß dieser Ausführungsform. Die durchgezogene Linie zeigt Kennwerte in einem Fall, in dem die Tiefe der Nut G x = 0 ist, und die dicke Linie zeigt Kennwerte in einem Fall, in dem die Tiefe der Nut G x = 0,7 mm ist. Darüber hinaus sind die anderen Abmessungen der Übertragungsleitung 1 gemäß der Ausführungsform gleich wie jene des Vergleichsbeispiels.
  • Wie in 6A gezeigt, ist die Impedanz in einem Fall, in dem keine Nut G vorhanden ist (siehe unterbrochene Linie), und in einem Fall, in dem die Tiefe der Nut G x = 0 ist (siehe durchgezogene Linie) in etwa gleich. Es zeigt sich jedoch, dass sich in einem Fall, in dem die Tiefe der Nut G x = 0,7 mm ist, die Impedanz verschlechtert (siehe dicke Linie).
  • Ferner kann, wie in 6B gezeigt, ermittelt werden, dass der Nebensignalreduzierungseffekt in einem Fall, in dem die Nut G vorhanden ist, höher als in einem Fall ist, in dem keine Nut G vorhanden ist (siehe durchgezogene Linie und dicke Linie), und dass der Nebensignalreduzierungseffekt in einem Fall höher ist, in dem die Nut G tiefer ist (siehe dicke Linie). Indes kann auch ermittelt werden, dass in einem Fall, in dem die Tiefe der Nut G x = 0 ist, der Nebensignalreduzierungseffekt stabilisiert werden kann (siehe durchgezogene Linie).
  • Aus den 6A und 6B kann ermittelt werden, dass in einem Fall, in dem die Nut zwischen den Leiterstrukturen 11 bis 13 vorgesehen ist und die erste Massestruktur 31 in der Nut G ausgebildet ist, ein bestimmter Nebensignalreduzierungseffekt vorhanden ist.
  • In diesem Fall ist gemäß der Übertragungsleitung 1 gemäß der Ausführungsform, da die Isolierschicht 20 die Nuten G an jeder der Positionen zwischen den mehreren Leiterstrukturen 11 bis 13 aufweist und die erste Massestruktur 31 durchgehend über der Innenseite und der Außenseite der Nut G ausgebildet ist, die Massestruktur 31 so angeordnet ist, dass sie zwischen den mehreren Leiterstrukturen 11 bis 13 liegt, um als eine Abschirmfolie zu dienen und die Nebensignaleffekte zu verringern. Somit ist es nicht erforderlich, einen ausreichend hohen Abstand zwischen den Leiterstrukturen 11 bis 13 sicherzustellen, und es ist möglich, eine Zunahme der Größe zu verhindern. Da darüber hinaus die Leiterstrukturen 11 bis 13 parallel in einer Form einer Ebene angeordnet sind, ist es nicht erforderlich, die Leiterstrukturen 11 bis 13 derart auszubilden, dass die Strukturen versetzt sind. Somit kann eine Verkomplizierung der Struktur verhindert werden. Somit ist es möglich, die Übertragungsleitung 1 bereitzustellen, die in der Lage ist, eine Verkomplizierung und eine Vergrößerung der Struktur bei der Reduzierung von Nebensignaleffekten zu verhindern.
  • Da zudem die Nut so ausgebildet ist, dass sie eine Tiefe aufweist, die gleich oder größer als die Anordnungstiefe der mehreren Leiterstrukturen ist, dringt die Massestruktur zwischen die mehreren Leiterstrukturen ein, und dementsprechend erhöht sich der Effekt als Abschirmungsfolie noch mehr. Auf diese Weise kann ein Nebensignaleffekt noch weiter reduziert werden.
  • Darüber hinaus wird in dem Herstellungsverfahren (zweites Herstellungsverfahren) der Übertragungsleitung 1 gemäß der Ausführungsform das Isolierharz durch eine Form mit einem vorstehenden Abschnitt zur Ausbildung der Nuten G extrusionsgeformt, um eine Isolierschicht 20, die durchgehend die Nuten G in der Längsrichtung aufweist, in einem Verfahren ähnlich jenem, bei dem die Isolierschicht keine Nut G aufweist, zu bilden, wodurch es möglich ist, die Isolierschicht 20 mit den Nuten G auszubilden und eine Verkomplizierung des Herstellungsprozesses zu verringern. Somit ist es mit dem Herstellungsverfahren der Übertragungsleitung 1, das eine Verkomplizierung und eine Vergrößerung der Struktur bei der Reduzierung von Nebensignaleffekten verhindern kann, möglich, ein Herstellungsverfahren bereitzustellen, bei dem die Verkomplizierung des Herstellungsprozesses verhindert wird.
  • Im Nachfolgenden wird eine zweite Ausführungsform der Erfindung beschrieben. Die Übertragungsleitung gemäß der zweiten Ausführungsform ist gleich wie jene der ersten Ausführungsform, wobei ein Teil des Aufbaus unterschiedlich ist. Im Nachfolgenden werden lediglich die Unterschiede zur ersten Ausführungsform beschrieben.
  • 7 zeigt eine Schnittansicht, die eine Übertragungsleitung 2 gemäß der zweiten Ausführungsform darstellt. Wie in 7 gezeigt, weist in der Übertragungsleitung 1 gemäß der ersten Ausführungsform die Nut G in einer Schnittansicht eine vertiefte Form auf, wobei in der Übertragungsleitung 2 gemäß der zweiten Ausführungsform die Nut G in einem Querschnitt eine V-Form aufweist.
  • Als nächstes werden die Eigenschaften der Übertragungsleitung 2 gemäß der zweiten Ausführungsform und der Übertragungsleitung 1 gemäß der ersten Ausführungsform beschrieben, indem die Eigenschaften miteinander verglichen werden. Darüber hinaus werden im Nachfolgenden ein Fall, in dem keine Nut G vorhanden ist, drei Beispiele eines Falls, in denen die Breiten w2 und w3 der Nut G klein sind (ein Bezugszeichen w3 ist in 7 gezeigt) und ein Fall, in dem die Breiten w2 und w3 der Nut G groß sind, beschrieben.
  • 8A und 8B zeigen Graphen, die Kennlinien mit Bezug auf die Breite w2 der Nut G in der Übertragungsleitung 1 gemäß der ersten Ausführungsform darstellen, wobei 8A Impedanzkennwerte und 8B Nebensignalreduzierungskennwerte darstellen. Darüber hinaus zeigen in 8A und 8B die unterbrochene Linie Kennwerte in einem Fall, in dem keine Nut G gemäß dem Vergleichsbeispiel vorhanden ist, die durchgezogene Linie Kennwerte in einem Fall, in dem die Breite w2 der Nut G 0,1 mm beträgt, und die dicke Linie zeigt Kennwerte, in einem Fall, in dem die Breite w2 der Nut G x = 2,8 mm ist. Darüber hinaus ist die Tiefe der Nut G 1,25 mm (die Dicke des Verbindungsabschnitts 21 beträgt 0,21 mm), und die anderen Abmessungen sind gleich wie jene des zuvor beschriebenen Vergleichsbeispiels.
  • Wie in 8A gezeigt, ist die Impedanz in einem Fall, in dem keine Nut G vorhanden ist (siehe unterbrochene Linie) und in einem Fall, in dem die Breite w2 der Nut G 0,1 mm ist (siehe durchgezogene Linie) in etwa gleich. Jedoch konnte ermittelt werden, dass in einem Fall, in dem die Breite w2 der Nut G 2,8 mm ist, sich die Impedanz verschlechtert (siehe dicke Linie). Mit anderen Worten zeigt sich, dass sich mit zunehmender Breite der Nut G der Impedanzverringerungseffekt verbessert.
  • Ferner kann, wie in 8B gezeigt, ermittelt werden, dass der Nebensignalreduzierungseffekt in einem Fall, in dem die Nut G vorhanden ist, höher als in einem Fall ist, in dem keine Nut G vorhanden ist (siehe durchgezogene Linie und dicke Linie). Jedoch zeigt sich, dass es gemäß der Abmessung der Breite w2 der Nut G keine Differenz in dem Nebensignalreduzierungseffekt gibt (siehe durchgezogene Linie und dicke Linie). Insbesondere kann in einem Fall, in dem die Breite w2 der Nut G 2,8 mm beträgt, der Nebensignalreduzierungseffekt nicht stabilisiert werden (siehe dicke Linie).
  • Aus 8A und 8B ist ersichtlich, dass die Impedanz niedriger wird, wenn die Breite w2 der Nut G größer ist. Ist jedoch die Breite w2 der Nut G groß, wird der Nebensignalreduzierungseffekt instabil.
  • 9A und 9B zeigen Graphen, die Kennlinien darstellen, wenn sich die Breite w3 der Nut G in der Übertragungsleitung 2 gemäß der zweiten Ausführungsform ändert, wobei 9A Impedanzkennwerte und 9B Überlagerungsreduzierungskennwerte darstellen. Darüber hinaus zeigt in 9A und 9B die unterbrochene Linie Kennwerte in einem Fall, in dem keine Nut G gemäß dem Vergleichsbeispiel vorhanden ist, zeigt die durchgezogene Linie Kennwerte in einem Fall, in dem die Breite w3 (die Breite, die wie in 7 gezeigt, ist das Maximum), der Nut G 0,16 mm ist, und die dicke Linie zeigt Kennwerte in einem Fall, in dem die Breite w3 der Nut G 1,75 mm ist. Zudem beträgt die Tiefe der Nut G 1,235 mm (die Dicke des Verbindungsabschnitts 21 beträgt 0,225 mm), und die anderen Abmessungen sind gleich wie jene des Vergleichsbeispiels.
  • Wie in 9A gezeigt, ist die Impedanz in einem Fall, in dem keine Nut G vorhanden ist (siehe die unterbrochene Linie), in einem Fall, in dem die Breite w3 der Nut G 0,16 mm ist (siehe die durchgezogene Linie) und in einem Fall, in dem die Breite w3 der Nut G 1,75 mm ist (siehe die dicke Linie) in etwa gleich.
  • Wie in 9B gezeigt, zeigt sich, dass der Nebensignalreduzierungseffekt in einem Fall, in dem keine Nut G vorhanden ist (siehe die unterbrochene Linie), in einem Fall, in dem die Breite w3 der Nut G 0,16 mm ist (siehe die durchgezogene Linie), und die Breite w3 der Nut G 1,75 mm ist (siehe dicke Linie) hoch ist. Insbesondere zeigt sich, dass in einem Fall, in dem die Breite w3 der Nut G zunimmt und 1,75 mm wird, der Nebensignalreduzierungseffekt stabilisiert werden kann (siehe die dicke Linie).
  • Aus 9A und 9B ist ersichtlich, dass die Impedanz nicht von dem Vorhandensein oder Fehlen der Nut G oder der Breite w3 der Nut G abhängt. Ferner kann bestimmt werden, dass, wenn die Nut G V-förmig ist, der Nebensignalreduzierungseffekt mit zunehmender Breite w3 der Nut G verstärkt wird, und selbst wenn die Breite w3 der Nut G groß ist, kann der Nebensignalreduzierungseffekt stabilisiert werden.
  • Auf diese Weise ist es gemäß der Übertragungsleitung 2 der zweiten Ausführungsform, gleich wie in der ersten Ausführungsform, möglich, die Übertragungsleitung 2 bereitzustellen, die in der Lage ist, die Verkomplizierung und die Größenzunahme der Struktur bei der Reduzierung von Nebensignaleffekten zu verhindern. Da darüber hinaus die Nut G derart ausgebildet ist, dass sie eine Tiefe aufweist, die gleich oder größer als die Anordnungstiefe der mehreren Leiterstrukturen 11 bis 13 ist, liegt die Massestruktur 31 zwischen den mehreren Leiterstrukturen 11 bis 13, wodurch sich dementsprechend der Effekt als Abschirmfolie weiter erhöht. Auf diese Weise kann der Nebensignaleffekt weiter verringert werden.
  • Zudem ist es, wie bei der ersten Ausführungsform, gemäß dem Herstellungsverfahren (zweites Herstellungsverfahren) der Übertragungsleitung 2 der zweiten Ausführungsform möglich, ein Herstellungsverfahren bereitzustellen, das die Verkomplizierung des Herstellungsprozesses verhindert.
  • Gemäß der zweiten Ausführungsform kann ferner der Nebensignalreduzierungseffekt stabilisiert werden, da die Nut G in einem Querschnitt eine V-Form aufweist.
  • Beispielsweise sind gemäß der zuvor beschriebenen Ausführungsformen drei Leiterstrukturen 11 bis 13 als Beispiel dargestellt, wobei die Erfindung nicht darauf beschränkt ist, und zwei oder vier oder mehr Leiterstrukturen verwendet werden können. Ferner weisen in der zuvor beschriebenen Ausführungsform die mehreren Leiterstrukturen 11 bis 13 im Wesentlichen die gleiche Breite und im Wesentlichen die gleiche Dicke auf, wobei die Erfindung nicht darauf beschränkt ist, und die Breiten und/oder die Dicken unterschiedlich sein können.
  • Ferner ist in der zuvor beschriebenen Ausführungsform ein Fall als Beispiel beschrieben, in dem die Breiten w2 und w3 oder die Tiefe einer jeden Nut G gleich sind, wobei die Erfindung nicht darauf beschränkt ist und die Breiten w2 und w3 oder die Tiefe eines Teils der Nut G unterschiedlich sein können.

Claims (3)

  1. Übertragungsleitung (1), umfassend: mehrere Leiterstrukturen (11, 12, 13) als Übertragungswege von Signalen, die parallel in einer ebenen Form angeordnet sind; eine Isolierschicht (20), die die mehreren Leiterstrukturen (11, 12, 13) in einer im Wesentlichen ebenen Form umgibt; eine erste Massestruktur (31), die auf einer Oberflächenseite der Isolierschicht (20) ausgebildet ist; und eine zweite Massestruktur (32), die auf der anderen Oberflächenseite der Isolierschicht (20) ausgebildet ist, wobei die Isolierschicht (20) eine oder mehrere Nuten (G) aufweist, die in einer Längsrichtung der mehreren Leiterstrukturen (11, 12, 13) auf der einen Oberflächenseite durchgehend ausgebildet sind, ohne die Isolierschicht (20) in einer Draufsicht an jeweils einer oder mehreren Positionen zwischen den mehreren Leiterstrukturen (11, 12, 13) zu teilen, und wobei die erste Massestruktur (31) durchgehend über der einen Oberflächenseite gebildet ist, dadurch gekennzeichnet, dass die jeweils eine oder mehreren Nuten (G) eine Tiefe aufweisen, die größer als eine Tiefe der mehreren Leiterstrukturen (11, 12, 13) von einer oberen Fläche der einen Oberflächenseite ist.
  2. Übertragungsleitung (1) nach Anspruch 1, wobei die jeweils eine oder mehreren Nuten (G) in einer Schnittansicht eine V-Form aufweisen.
  3. Herstellungsverfahren für eine Übertragungsleitung (1), umfassend: Extrusionsformen eines Isolierharzes (200) in mehrere Leiterstrukturen (11, 12, 13) als Übertragungswege von Signalen, die parallel in einer ebenen Form angeordnet sind, um so eine Isolierschicht (20) zu bilden, die die mehreren Leiterstrukturen (11, 12, 13) in einer im Wesentlichen ebenen Form umgibt; Bilden einer ersten Massestruktur (31) auf einer Oberflächenseite der beim Extrusionsformen gebildeten Isolierschicht (20); und Bilden einer zweiten Massestruktur (32) auf der anderen Oberflächenseite der beim Extrusionsformen gebildeten Isolierschicht (20), wobei beim Extrusionsformen das Isolierharz (200) mit einer Gussform (100) extrudiert wird, die einen vorstehenden Abschnitt (CP) aufweist, so dass eine oder mehrere Nuten (G) in einer Längsrichtung der mehreren Leiterstrukturen (11, 12, 13) durchgehend gebildet werden, ohne die Isolierschicht (20) in einer Draufsicht an jeweils einer oder mehreren Positionen zwischen den mehreren Leiterstrukturen (11, 12, 13) zu teilen, und wobei beim Bilden der ersten Massestruktur (31) die erste Massestruktur (31) durchgehend über der einen Oberflächenseite gebildet wird, dadurch gekennzeichnet, dass die jeweils eine oder mehreren Nuten (G) eine Tiefe aufweisen, die größer als eine Tiefe der mehreren Leiterstrukturen (11, 12, 13) von einer oberen Fläche der einen Oberflächenseite ist.
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