DE102018201156A1 - Laserbearbeitungsvorrichtung - Google Patents

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DE102018201156A1
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Yuta Yoshida
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Disco Corp
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Abstract

Eine Laserbearbeitungsvorrichtung beinhaltet einen Einspanntisch, der einen verpackten Wafer durch eine Halteoberfläche hält; eine Laserbearbeitungseinheit, die einen Laserstrahl auf dem verpackten Wafer aufbringt, um Durchgangsnuten entlang jeder Teilungslinie auszubilden; eine X-Achsen-Bewegungseinheit, die den Einspanntisch in einer X-Achsen-Richtung bewegt; und eine Prüfungseinheit. Der Einspanntisch beinhaltet: ein Halteelement, das die Halteoberfläche ausbildet; und einen Licht emittierenden Körper. Die Prüfungseinheit beinhaltet: einen Liniensensor, der sich in einer Y-Achsen-Richtung erstreckt und eine Steuerungseinheit, die das Ergebnis der Bearbeitung durch ein Empfangen von Licht von dem Licht emittierenden Körper durch die Durchgangsnut von dem Liniensensor bestimmt. Der Liniensensor nimmt die gesamte Oberfläche des verpackten Wafers auf, nachdem dieser durch den Einspanntisch gehalten wurde.

Description

  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung betrifft eine Laserbearbeitungsvorrichtung.
  • Beschreibung des Stands der Technik
  • Als ein Bearbeitungsverfahren zum Teilen eines Halbleiterwafers in einzelne Bauelementchips sind ein Schneiden durch eine Schneidklinge und eine Ablation durch Aufbringen eines gepulsten Laserstrahls bekannt. Im Allgemeinen ist jeder der einzelnen geteilten Bauelementchips an einem Hauptsubstrat oder dergleichen fixiert, ist durch Kabel oder dergleichen verdrahtet und wird mit einem Gusskunststoff verpackt. Jedoch aufgrund eines kleinen Risses in einer seitlichen Oberfläche des Bauelementchips oder dergleichen kann sich der Riss ausdehnen, wenn der Bauelementchip für eine lange Zeit verwendet wird, was zu einem Ausfall des Bauelementchips führt. Um einen solchen Ausfall des Bauelementchips zu verhindern, wurde eine Verpackungstechnik zum Abdecken der Seitenoberflächen des Bauelementchips mit einem Gusskunststoff entwickelt, wodurch äußere Umweltfaktoren daran gehindert werden, den Bauelementchip zu beeinflussen (siehe zum Beispiel die japanische Offenlegungsschrift Nr. 2002-100709 ).
  • In der Verpackungstechnik, die in der japanischen Offenlegungsschrift Nr. 2002-100709 offenbart ist, werden zuerst Nuten entlang der Teilungslinie (Straßen) an dem Wafer von der vorderen Seite des Wafers ausgebildet und ein Gusskunststoff wird platziert, um die Nuten zu füllen und die Waferoberfläche zu bedecken. Danach wird in der Verpackungstechnik der japanischen Offenlegungsschrift Nr. 2002-100709 der Wafer von der hinteren Seite dünn ausgestaltet, bis der Gusskunststoff in den Nuten freiliegt, um dadurch die Bauelemente an dem Wafer zu teilen.
  • Schließlich wird in der Verpackungstechnik der japanischen Offenlegungsschrift Nr. 2002-100709 der Gusskunststoff in den Nuten von der vorderen Seite des Wafers geteilt, um dadurch den Wafer in einzelne Bauelementchips zu teilen. In der oben beschriebenen Verpackungstechnik wurde die Verwendung einer Ablation durch Aufbringen eines gepulsten Laserstrahls anstatt eines Schneidens zum Teilen des Wafers in die Bauelementchips entwickelt. Die Verwendung von Ablation ist vorteilhaft, weil es ermöglicht, die Schneidfreiräume, die für das Teilen zwischen den Bauelementchips verwendet werden, extrem klein auszugestalten, um die Teilungslinie in einer sehr dünnen Gestalt vorzusehen und dadurch die Anzahl der Bauelementchips, die pro Wafer erhalten werden, zu erhöhen.
  • DARSTELLUNG DER ERFINDUNG
  • Die Ablation durch Aufbringen eines gepulsten Laserstrahls ist ein Bearbeitungsverfahren, in welchem zum Ausbilden sehr enger Durchgangsnuten in dem Gusskunststoff ein gepulster Laserstrahl mehrfach abgerastert wird, um graduell die engen Nuten zu vertiefen. In der Ablation durch Aufbringen eines gepulsten Laserstrahls wird die Bearbeitung mit einer minimalen Anzahl der Wiederholungen des Abrasterns des gepulsten Laserstrahls durchgeführt, um die Bearbeitungszeit zu verkürzen. Darum, wenn ein Teil existiert, an dem der Gusskunststoff plötzlich dicker ist, kann der Gusskunststoff an dem Teil nicht entfernt werden und folglich kann eine Durchgangsnut nicht geeignet ausgebildet werden, sodass stattdessen einen Sackloch-Zustand generiert wird. Entsprechend in dem Bearbeitungsverfahren des Stands der Technik prüft der Bediener die Wafer einzeln nach der Ablation und sortiert Bereiche mit der Durchgangsnut in einem Sackloch-Zustand als einen defekten Chip aus. Folglich war es in dem Bearbeitungsverfahren des Stands der Technik unmöglich geeignete Durchgangsnuten entlang allen Teilungslinien des Werkstücks auszubilden, während verhindert wird, dass die Bearbeitungszeit sich erhöht.
  • Es ist darum ein Ziel der vorliegenden Erfindung, eine Laserbearbeitungsvorrichtung bereitzustellen, durch welche es möglich ist, geeignete Durchgangsnuten entlang allen Teilungslinien eines Werkstücks herzustellen.
  • In Übereinstimmung mit einem Aspekt der vorliegenden Erfindung ist eine Laserbearbeitungsvorrichtung bereitgestellt, die beinhaltet: einen Einspanntisch, der ein Werkstück durch eine Halteoberfläche hält; eine Laserbearbeitungseinheit, die einen Laserstrahl einer solchen Wellenlänge, dass er in dem Werkstück absorbiert wird, auf dem Werkstück aufbringt, das in dem Einspanntisch gehalten ist, um eine Durchgangsnut entlang jeder Teilungslinie auszubilden; eine Bearbeitungszufuhreinheit, die den Einspanntisch in einer Bearbeitungszufuhrrichtung parallel zu der Halteoberfläche bewegt; und eine Prüfungseinheit, welche die Durchgangsnut des Werkstücks, das durch den Einspanntisch gehalten wird, prüft. Der Einspanntisch beinhaltet ein transparentes oder semitransparentes Halteelement, welches die Halteoberfläche ausbildet und einen Licht emittierenden Körper, der das Werkstück durch das Halteelement an der Seite einer Oberfläche gegenüber der Halteoberfläche des Halteelements beleuchtet. Die Prüfungseinheit beinhaltet einen Liniensensor, der sich entlang einer Oberflächenrichtung der Halteoberfläche in einer Richtung orthogonal zu der Bearbeitungszufuhrrichtung erstreckt, welcher der Halteoberfläche zugewandt ist und Licht von dem Licht emittierenden Körper empfängt, und einen Bestimmungsabschnitt, der durch ein Empfangen des Lichts von dem Licht emittierenden Körper durch die Durchgangsnut durch den Liniensensor ein Ergebnis der Bearbeitung bestimmt. Der Liniensensor nimmt die gesamte Oberfläche des Werkstücks, das mit den Durchgangsnuten ausgebildet wurde und an dem Einspanntisch gehalten ist, auf.
  • In dem vorgenannten Aspekt der vorliegenden Erfindung, wenn durch den Bestimmungsabschnitt bestimmt wurde, dass das Ergebnis der Bearbeitung der Durchgangsnuten schlecht ist, kann der Laser auf dem Werkstück in einem Bereich, in dem das Bearbeitungsergebnis als schlecht bestimmt wurde, aufgebracht werden, um das Werkstück in dem Bereich zu bearbeiten.
  • Die Laserbearbeitungsvorrichtung entsprechend dem beschriebenen Aspekt der vorliegenden Erfindung weist einen Effekt auf, dass Durchgangsnuten geeignet entlang all den Teilungslinien des Werkstücks ausgebildet werden können.
  • Das obige und andere Merkmale, Ziele und Vorteile der vorliegenden Erfindung und die Weise des Realisierens dieser wird klarer und die Erfindung selbst am besten durch ein Studieren der folgenden Beschreibung und beigefügten Ansprüche mit Bezug zu den angehängten Figuren verstanden, die bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung zeigen.
  • Figurenliste
    • 1 ist eine perspektivische Ansicht, die schematisch ein Konfigurationsbeispiel einer Laserbearbeitungsvorrichtung entsprechend Ausführungsform 1 darstellt;
    • 2A ist eine perspektivische Ansicht eines Wafers, der einen verpackten Wafer ausbildet, der durch die Laserbearbeitungsvorrichtung entsprechend Ausführungsform 1 bearbeitet werden soll;
    • 2B ist eine perspektivische Ansicht eines Bauelements des Wafers, der in 2A dargestellt ist;
    • 3 ist eine Schnittansicht eines Hauptteils des verpackten Wafers, der durch die Laserbearbeitungsvorrichtung entsprechend Ausführungsform 1 bearbeitet werden soll;
    • 4 ist eine perspektivische Ansicht, die einen verpackten Bauelementchip darstellt, der durch Teilen des verpackten Wafers, der in 3 dargestellt ist, erhalten wird;
    • 5 ist ein Flussdiagramm, das den Fluss eines Verfahrens zum Herstellen des verpackten Wafers, der als das Objekt durch die Laserbearbeitungsvorrichtung, die in 1 dargestellt ist, bearbeitet werden soll, darstellt;
    • 6A ist eine Schnittansicht eines Hauptteils eines Wafers während eines Ausbildungsschritts für eine Nut in dem Verfahren zum Herstellen des verpackten Wafers, der in 5 dargestellt ist;
    • 6B ist eine Schnittansicht des Hauptteils des Wafers nach dem Ausbildungsschritt für eine Nut in dem Verfahren zum Herstellen des verpackten Wafers, der in 5 dargestellt ist;
    • 6C ist eine perspektivische Ansicht des Wafers nach dem Ausbildungsschritt für eine Nut in dem Verfahren zum Herstellen des verpackten Wafers, der in 5 dargestellt ist;
    • 7 ist eine perspektivische Ansicht des verpackten Wafers nach dem Ausbildungsschritt für eine Gusskunststoff-Schicht in dem Verfahren zum Herstellen des verpackten Wafers, der in 5 dargestellt ist;
    • 8 ist eine Schnittansicht eines Hauptteils des verpackten Wafers nach dem Ausbildungsschritt für eine Gusskunststoff-Schicht in dem Verfahren zum Herstellen des verpackten Wafers, der in 5 dargestellt ist;
    • 9A ist eine Seitenansicht, die einen Schritt zum dünnen Ausgestalten in dem Verfahren zum Herstellen des verpackten Wafers, der in 5 dargestellt, darstellt;
    • 9B ist eine Schnittansicht des verpackten Wafers nach dem Schritt zum dünnen Ausgestalten in dem Verfahren zum Herstellen des verpackten Wafers, der in 5 dargestellt ist;
    • 10 ist eine perspektivische Ansicht, die einen Wiederanbringungsschritt in dem Verfahren zum Herstellen des verpackten Wafers, der in 5 dargestellt ist, darstellt;
    • 11A ist eine perspektivische Ansicht, die einen Entfernungsschritt für einen umfänglichen Abschnitt in dem Verfahren zum Herstellen des verpackten Wafers darstellt, der in 5 dargestellt ist;
    • 11B ist eine perspektivische Ansicht des verpackten Wafers nach dem Entfernungsschritt für einen umfänglichen Abschnitt in dem Verfahren zum Herstellen des verpackten Wafers, der in 5 dargestellt ist;
    • 12 ist eine Figur, die eine Konfiguration eines Einspanntischs der Laserbearbeitungsvorrichtung darstellt, die in 1 dargestellt ist;
    • 13 ist eine Figur, die eine Liniensensor einer Prüfungseinheit der Laserbearbeitungsvorrichtung darstellt, die in 1 dargestellt ist;
    • 14 ist eine Figur, die einen Teil eines aufgenommenen Bildes, das durch eine Steuerungseinheit der Prüfungseinheit der Laserbearbeitungsvorrichtung, die in 1 dargestellt ist, generiert wurde, darstellt;
    • 15 ist ein Flussdiagramm, das den Fluss eines Laserbearbeitungsverfahrens unter Verwendung der Laserbearbeitungsvorrichtung entsprechend Ausführungsform 1 darstellt;
    • 16 ist eine Figur, die einen Bearbeitungsschritt in dem Laserbearbeitungsverfahren darstellt, das in 15 dargestellt ist;
    • 17 ist eine Schnittansicht, die ein Beispiel einer Durchgangsnut darstellt, die durch den Bearbeitungsschritt in dem Laserbearbeitungsverfahren, das in 15 dargestellt ist, ausgebildet wurde;
    • 18 ist eine Schnittansicht, die einen Bereich darstellt, in welchem das Ergebnis einer Bearbeitung der Durchgangsnut, die in 17 dargestellt ist, als schlecht bestimmt wurde; und
    • 19 ist eine perspektivische Ansicht eines Wafers als ein Objekt, das durch die Laserbearbeitungsvorrichtung entsprechend Ausführungsform 2 bearbeitet werden soll.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN
  • Wege (Ausführungsformen) zum Ausführen der vorliegenden Erfindung werden im Folgenden mit Bezug zu den Figuren detailliert beschrieben. Die vorliegende Erfindung ist nicht auf die Beschreibung der Ausführungsformen, die folgt, beschränkt. Zusätzlich beinhalten die ausbildenden Elemente, die im Folgenden beschrieben sind, die, die einfach durch den Fachmann verstanden werden und wesentliche äquivalente davon. Ferner können die Konfigurationen, die oben beschrieben sind, wie notwendig kombiniert werden. Zusätzlich können verschiedene Auslassungen, Ersetzungen und Modifikationen gemacht werden, ohne von der Idee der vorliegenden Erfindung abzuweichen.
  • [Ausführungsform 1]
  • Eine Laserbearbeitungsvorrichtung entsprechend Ausführungsform 1 wird beschrieben. 1 ist eine perspektivische Ansicht, die schematisch ein Konfigurationsbeispiel der Laserbearbeitungsvorrichtung entsprechend Ausführungsform 1 darstellt. 2 ist eine perspektivische Ansicht eines Wafers, der einen verpackten Wafer als ein Objekt, das durch die Laserbearbeitungsvorrichtung entsprechend Ausführungsform 1 bearbeitet werden soll, ausbildet. 2B ist eine perspektivische Ansicht eines Bauelements des Wafers, der in 2A dargestellt ist. 3 seine Schnittansicht eines Hauptteils des verpackten Wafers als das Objekt, das durch die Laserbearbeitungsvorrichtung entsprechend Ausführungsform 1 bearbeitet werden soll. 4 ist eine perspektivische Ansicht, die einen verpackten Bauelementchip darstellt, der durch Teilen des verpackten Wafers, der in 3 dargestellt ist, erhalten wird.
  • Die Laserbearbeitungsvorrichtung 1, die in 1 dargestellt ist, entsprechend der Ausführungsform 1 ist eine Vorrichtung zum Durchführen einer Ablation auf Teilungslinien 202 eines verpackten Wafers 201, der in 3 dargestellt ist, als ein Werkstück, wodurch der verpackte Wafer 201 in verpackte Bauelementchips 203, die in 4 dargestellt sind, geteilt wird. Der verpackte Wafer 201 als ein Objekt, das durch die Laserbearbeitungsvorrichtung 1 entsprechend Ausführungsform 1 bearbeitet werden soll, ist aus einem Wafer 204, der in 2A dargestellt ist, ausgebildet. Der Wafer 204, der in 2A dargestellt ist, ist in Ausführungsform 1 ein kreisförmiger, scheibenförmigen Halbleiter-Wafer oder optischer Bauelementwafer, der ein Substrat 205, das aus Silizium, Saphir, Galliumarsenid oder dergleichen ausgebildet ist, aufweist. Wie in 2A dargestellt ist der Wafer 204 an seiner vorderen Oberfläche 209 mit einem Bauelementbereich 207, in welchem Bauelemente 206 jeweils in mehreren Bereichen, die durch mehrere sich kreuzende (in Ausführungsform 1 sich orthogonal kreuzende) Teilungslinie (Straßen) 202 aufgeteilt sind, und einem umfänglichen Randbereich 208 ausgebildet, der den Bauelementbereich 207 umgibt. Mehrere Erhöhungen 210, die hervorstehende Elektroden sind, sind an der Oberfläche des Bauelements 206 ausgebildet, wie in 2B dargestellt.
  • Wie in 3 dargestellt, ist der Wafer als ein verpackter Wafer 201 ausgestaltet, in welchem die vordere Oberfläche 209 des Bauelementbereichs 207 und Nuten 211, die bearbeitete Bereiche sind, die an den Teilungslinien 202 entlang den Teilungslinien 202 ausgebildet sind, mit einem Gusskunststoff 212 bedeckt sind. Insbesondere ist in dem verpackten Wafer 201 der Gusskunststoff 212 so platziert, dass er die obere Seite der Bauelemente 206, die an der vorderen Seite 209 des Substrats 205 bereitgestellt sind, abdeckt und die Nuten 211 zwischen den Bauelementen 206 auffüllt. Der verpackte Wafer 201 wird an den Nuten 211, die entlang der Teilungslinien 202 ausgebildet sind, in die verpackten Bauelementchips 203, die in 4 dargestellt sind, aufgeteilt. Der verpackte Bauelementchip 203 ist in einem Zustand, in welchem die obere Seite des Bauelements 206 an der vorderen Oberfläche 209 des Substrats 205 bereitgestellt ist, und alle Seitenoberflächen zu 213 sind mit einem Gusskunststoff 212 bedeckt, wohingegen die Erhöhungen 210 von dem Gusskunststoff 212 hervorstehen und freiliegen.
  • Beachte, dass in Ausführungsform 1 die Breite der Nuten 211 in dem verpackten Wafer 201 enger als die Breite der Teilungslinien 202 und zum Beispiel 20 µm ist. In Ausführungsform 1 ist die Dicke (auch als fertige Dicke bezeichnet) des verpackten Wafers 201 größer als die Dicke des Halbleiterwafers, der in die Bauelemente geteilt werden soll, und ist zum Beispiel 100 µm. In Ausführungsform 1 ist die Form in der Aufsicht des verpackten Bauelementchips 203 größer als die des Bauelements, das von dem Halbleiter-Wafer unter Verwendung einer Schneidklinge abgeteilt wird und ist in einer quadratischen Form ausgebildet, wobei jede Seite zum Beispiel 3 mm ist.
  • Als nächstes wird ein Verfahren zum Herstellen des verpackten Wafers 201 zum Ausbilden des Wafers 204, der in 2 dargestellt ist, als den verpackten Wafer 201, der in 3 dargestellt ist, mit Bezug zu den Figuren beschrieben. 5 ist ein Flussdiagramm, das den Fluss des Verfahrens zum Herstellen des verpackten Wafers als das Objekt, das durch die Laserbearbeitungsvorrichtung bearbeitet werden soll, die in 1 dargestellt ist, darstellt. 6A ist eine Schnittansicht eines Hauptteils des Wafers während eines Ausbildungsschritts für eine Nut beim Verfahren zum Herstellen des verpackten Wafers, das in 5 dargestellt ist. 6B ist eine Schnittansicht eines Hauptteils des Wafers nach dem Ausbildungsschritt für eine Nut in dem Verfahren zum Herstellen des verpackten Wafers, das in 5 dargestellt ist. 6C ist eine perspektivische Ansicht des Wafers nach dem Ausbildungsschritt für eine Nut in dem Verfahren zum Herstellen des verpackten Wafers, das in 5 dargestellt ist. 7 ist eine perspektivische Ansicht des verpackten Wafers nach dem Ausbildungsschritt für eine Gusskunststoffschicht in dem Verfahren zum Herstellen des verpackten Wafers, das in 5 dargestellt ist. 8 ist eine Schnittansicht eines Hauptteils des verpackten Wafers nach dem Ausbildungsschritt für eine Gusskunststoffschicht in dem Verfahren zum Herstellen des verpackten Wafers, der in 5 dargestellt ist. 9 ist eine seitliche Ansicht, die einen Schritt zum dünnen Ausgestalten in dem Verfahren zum Herstellen des verpackten Wafers darstellt, das in 5 dargestellt ist. 9B ist eine Schnittansicht des verpackten Wafers nach dem Schritt zum dünnen Ausgestalten in dem Verfahren zum Herstellen des verpackten Wafers, das in 5 dargestellt ist. 10 ist eine perspektivische Ansicht, die einen Wiederanbringungsschritt in dem Verfahren zum Herstellen des verpackten Wafers darstellt, das in 5 dargestellt ist. 11A ist eine perspektivische Ansicht, die einen Entfernungsschritt für einen umfänglichen Abschnitt in dem Verfahren zum Herstellen des verpackten Wafers darstellt, das in 5 dargestellt ist. 11B ist eine perspektivische Ansicht des verpackten Wafers nach dem Entfernungsschritt für einen umfänglichen Abschnitt in dem Verfahren zum Herstellen des verpackten Wafers, das in 5 dargestellt ist.
  • Wie in 5 dargestellt, beinhaltet das Verfahren zum Herstellen des verpackten Wafers 201 entsprechend Ausführungsform 1 (dieses Verfahren wird im Folgenden einfach als das Herstellungsverfahren bezeichnet) einen Ausbildungsschritt ST10 für eine Nut, einen Ausbildungsschritt ST20 für einen Gusskunststoff, einen Schritt ST 30 zum dünnen Ausgestalten, einen Wiederanbringungsschritt ST 40 und einen Entfernungsschritt ST50 für einen umfänglichen Abschnitt.
  • Der Ausbildungsschritt ST10 für eine Nut ist ein Schritt zum Ausbilden einer Nut 211 entlang jeder Teilungslinie 202 des Wafers 204 von der vorderen Oberfläche 209. In dem Ausbildungsschritt ST10 für eine Nut ist die Nut 211, die sich entlang der Längsrichtung von jeder Teilungslinie 202 erstreckt, an jeder Teilungslinie 202 ausgebildet. Die Tiefe der Nuten 211, die in dem Ausbildungsschritt ST10 für eine Nut ausgebildet werden, ist nicht weniger als die fertige Dicke des verpackten Wafers 201. In Ausführungsform 1 wird in dem Ausbildungsschritt ST10 für eine Nut eine hintere Oberfläche 214 an der hinteren Seite des Wafers 204 unter einem Saugen an einer Halteoberfläche eines Einspanntischs einer Schneidvorrichtung 110 gehalten und unter Verwendung einer Schneidklinge 113 des Schneidmittels 112 der Schneidvorrichtung 110, wie in 6A dargestellt, werden die Nuten 211 in der vorderen Oberfläche 209 des Wafers 204, wie in 6B dargestellt, ausgebildet.
  • In dem Ausbildungsschritt ST10 für eine Nut wird der Einspanntisch in einer X-Achsen-Richtung parallel zu der horizontalen Richtung durch ein X-Achsen-Bewegungsmittel (nicht dargestellt) bewegt, die Schneidklinge 113 des Schneidmittels 112 wird in einer Y-Achsen-Richtung, die parallel zu der horizontalen Richtung und orthogonal zu der X-Achsen-Richtung ist, durch ein Y-Achsen-Bewegungsmittel bewegt (nicht dargestellt), die Schneidklinge 113 des Schneidmittels 112 wird in einer Z-Achsen-Richtung, die parallel zu der vertikalen Richtung ist, durch ein Z-Achsen-Bewegungsmittel (nicht dargestellt) bewegt, wodurch die Nut 211 in der vorderen Oberfläche 209 von jeder Teilungslinie 202 des Wafers 204 ausgebildet wird, wie in 6C dargestellt. Beachte das in der vorliegenden Erfindung in dem Ausbildungsschritt für eine Nut ST10 die Nuten 211 durch Ablation unter Verwendung eines gepulsten Laserstrahls ausgebildet werden können.
  • Der Ausbildungsschritt ST20 für eine Gusskunststoffschicht ist ein Schritt zum Abdecken der vorderen Oberfläche 209 in dem Bauelementbereich 207 des Wafers 204 und der Nuten 211 mit dem Gusskunststoff 211, wie in 7 und 8 dargestellt. In Ausführungsform 1 in dem Ausbildungsschritt ST20 für eine Gusskunststoffschicht ist die hintere Oberfläche 214 des Wafers 204 an einem Haltetisch einer Kunststoffbeschichtungsvorrichtung (nicht dargestellt) gehalten, die vordere Oberfläche 209 des Wafers 204 wird mit einer Form bedeckt und der Gusskunststoff 212 wird platziert, sodass er das Innere der Form füllt, um die gesamte Fläche der vorderen Oberfläche 209 und die Nuten 211 mit dem Gusskunststoff 212 abzudecken. In Ausführungsform 1 wird ein thermisch aushärtender Kunststoff als der Gusskunststoff 212 verwendet. In dem Ausbildungsschritt ST20 für eine Gusskunststoffschicht wird der Gusskunststoff 212, der die gesamte Fläche der vorderen Oberfläche 209 und die Nuten 211 des Wafers 204 bedeckt, durch Heizen ausgeharrt. Zusätzlich während die Erhöhungen 210 freiliegen, wenn die gesamte Fläche der vorderen Oberfläche 209 und der Nuten 211 mit dem Gusskunststoff 212 bedeckt sind; kann in der vorliegenden Erfindung jedoch der ausgehärtete Gusskunststoff 212 einem Polieren ausgesetzt werden, um die Erhöhungen 210 sicher freizulegen.
  • Der Schritt ST30 zum dünnen Ausgestalten ist ein Schritt zum dünnen Ausgestalten des Substrats 205 des verpackten Wafers 201, der den Wafer 204 mit dem Gusskunststoff 212 bedeckt aufweist, auf eine fertige Dicke. In dem Schritt zum dünnen Ausgestalten, wie in 9A dargestellt, ist ein Schutzelement 215 an der Seite des Gusskunststoffs 212 des verpackten Wafers 201 angebracht, worauf das Schutzelement 215 unter einem Saugen an einer Halteoberfläche 121-1 eines Einspanntischs 121 einer Schleifvorrichtung 120 gehalten ist, wobei ein Schleifstein oder Schleifsteine 122 in Kontakt mit der hinteren Oberfläche 212 des verpackten Wafers 201 gebracht werden und der Einspanntisch 121 und der Schleifstein oder die Schleifsteine 122 um Achsen gedreht werden, wobei die hintere Oberfläche 214 des verpackten Wafers 201 geschliffen wird. In dem Schritt ST30 zum dünnen Ausgestalten wird, wie in 9B dargestellt, der verpackten Wafer 201 dünn ausgestaltet, bis der Gusskunststoff 212, der die Nuten 211 aufgefüllt sind, freiliegt.
  • Der Wiederanbringungsschritt ST40 ist ein Schritt zum Ablösen des Schutzelements 215 von dem verpackten Wafer 201 und Anbringen eines Teilungsbands 217 an dem verpackten Wafer 201. In dem Wiederanbringungsschritt ST40, wie in 10 dargestellt, ist die hintere Oberfläche 42 des verpackten Wafers 201 an dem Teilungsband 217 angebracht, an dessen Umfang ein ringförmiger Rahmen 267 angebracht wurde und das Schutzelement 215 wird von der vorderen Oberfläche 209 des verpackten Wafers 201 abgelöst.
  • Der Entfernungsschritt ST50 für einen umfänglichen Abschnitt ist ein Schritt zum Entfernen des Gusskunststoffs 212 entlang einer umfänglichen Kante des verpackten Wafers 201 und Freilegen, der Nuten 211, die mit dem Gusskunststoff 212 aufgefüllt sind, in einem umfänglichen Randabschnitt 208. In Ausführungsform 1 wird in dem Entfernungsschritt ST50 für einen umfänglichen Abschnitt der Gusskunststoff 212 entlang des gesamten Umfangs der äußeren umfänglichen Kante des umfänglichen Randabschnitts 208 des verpackten Wafers 201 entfernt. In Ausführungsform 1 wird in dem Entfernungsschritt ST50 für einen umfänglichen Abschnitt ähnlich zu dem Ausbildungsschritt ST10 für eine Nut, wie in 11A dargestellt, die hintere Oberfläche 214 des verpackten Wafers 201 unter einem Saugen an einer Halteoberfläche eines Einspanntischs 111 der Schneidvorrichtung 110 gehalten, der Einspanntisch 111 um eine Achse parallel zu der Z-Achsen-Richtung durch eine Dreh-Antriebsquelle 114 gedreht, die Schneidklinge 115 dazu gebracht, in den Gusskunststoff 212 an der äußeren umfänglichen Kante des umfänglichen Randabschnitts 208 zu schneiden, bis das Substrat 205 erreicht wird, wodurch die Nuten 211, die mit dem Gusskunststoff 212 aufgefüllt sind, an der äußeren umfänglichen Kante des umfänglichen Randabschnitts 208 freiliegen. In dem Entfernungsschritt ST50 für einen umfänglichen Abschnitt, wie in 11B dargestellt, wird der Gusskunststoff 212 an der umfänglichen Kante des umfänglichen Randabschnitts 208 des verpackten Wafers 201 entfernt. Beachte das in 10, 11A und 11B die Erhöhungen 210 ausgelassen sind.
  • Als nächstes wird die Konfiguration der Laserbearbeitungsvorrichtung 1 entsprechend Ausführungsform 1 im Folgenden mit Bezug zu den Figuren beschrieben. 12 ist eine Figur, die eine Konfiguration eines Einspanntischs der Laserbearbeitungsvorrichtung, die in 1 dargestellt ist. 13 ist eine Figur, die einen Liniensensor einer Prüfungseinheit der Laserbearbeitungsvorrichtung, die in 1 dargestellt ist, zeigt. 14 ist eine Figur, die einen Teil eines aufgenommenen Bildes, das durch eine Steuerungseinheit der Prüfungseinheit der Laserbearbeitungsvorrichtung, die in 1 dargestellt ist, generiert wird, zeigt.
  • Die Laserbearbeitungsvorrichtung 1 ist eine Vorrichtung zum Aufbringen eines Laserstrahls 218 (in 3 dargestellt) auf dem Gusskunststoff 212 in den Nuten 211 des verpackten Wafers 201, um den verpackten Wafer 201 einer Ablation auszusetzen, um dadurch den verpackte Wafer 201 in die verpackten Bauelementchips 203 aufzuteilen. Wie in 1 dargestellt beinhaltet die Laserbearbeitungsvorrichtung 1 einen Einspanntisch 10, der den verpackten Wafer 201 an einer Halteoberfläche 11-1 hält, eine Laserbearbeitungseinheit 20, ein X-Achsen-Bewegungsmittel 30 (X-Achsen-Bewegungseinheit) als eine Bearbeitungszufuhreinheit, ein Y-Achsen-Bewegungsmittel 40 (Y-Achsen-Bewegungseinheit) als eine Index-Zufuhreinheit, eine Bildeinheit 50 und eine Prüfungseinheit 60.
  • Das X-Achsen-Bewegungsmittel 30 dient dazu, den Einspanntisch 10 in einer X-Achsen-Richtung zu bewegen, die eine Bearbeitungszufuhrrichtung parallel zu der horizontalen Richtung eines Vorrichtungshauptkörpers 2 ist, wodurch der Einspanntisch 10 und die Laserbearbeitungseinheit 20 relativ zueinander in der X-Achsen-Richtung bewegt werden. Das Y-Achsen-Bewegungsmittel 40 dient zum Bewegen des Einspanntischs 10 in der Y-Achsen-Richtung, die parallel zu der horizontalen Richtung und orthogonal zu der X-Achsen-Richtung ist, wodurch der Einspanntisch 10 und die Laserbearbeitungseinheit 20 relativ zueinander in der Y-Achsen-Richtung bewegt werden.
  • Das X-Achsen-Bewegungsmittel 30 und das Y-Achsen-Bewegungsmittel 40 beinhalten bekannte Kugelrollspindeln 31 und 41 jeweils drehbar um ihre eigene Achse bereitgestellt, bekannte Pulsmotoren 32 und 42 zum Drehen der Kugelrollspindeln 31 und 41 um die jeweiligen Achsen und bekannte Führungsschienen 33 und 43 zum beweglichen Tragen des Einspanntischs 10, sodass der Einspanntisch 10 in der X-Achsen-Richtung oder der Y-Achsen-Richtung bewegt werden kann. Zusätzlich beinhaltet das X-Achsen-Bewegungsmittel 30 ein Detektionsmittel für eine X-Achsen-Richtungsposition (nicht dargestellt) zum Detektieren der Position des Einspanntischs 10 in der X-Achsen-Richtung auf und das Y-Achsen-Bewegungsmittel 40 beinhaltet ein Detektionsmittel für eine Y-Achsen-Richtungsposition (nicht dargestellt) zum Detektieren der Position des Einspanntischs 10 in der Y-Achsen-Richtung auf. Jedes das Detektionsmittel für eine X-Achsen-Richtungsposition und das Detektionsmittel für eine Y-Achsen-Richtungsposition kann jeweils unter Verwendung einer linearen Skala parallel zu der X-Achsen-Richtung oder Y-Achsen-Richtung und einen Lesekopf ausgebildet sein. Jedes das Detektionsmittel für eine X-Achsen-Richtungsposition und das Detektionsmittel für eine Y-Achsenrichtungsposition geben die Position des Einspanntischs 10 in der X-Achsen-Richtung oder Y-Achsen-Richtung an die Steuerungseinheit 62. Darüber hinaus beinhaltet die Laserbearbeitungsvorrichtung 1 eine Dreh-Antriebsquelle 16, die den Einspanntischs 10 um eine zentrale Achse parallel zu der Z-Achsen-Richtung dreht, die orthogonal zu beidem der X-Achsen-Richtung und der Y-Achsen-Richtung ist. Die Dreh-Antriebsquelle 16 ist an einem Bewegungstisch 15 angeordnet, der in einer X-Achsen-Richtung durch das X-Achsen-Bewegungsmittel 30 bewegt wird.
  • Die Laserbearbeitungseinheit 20 dient zum Aufbringen eines Laserstrahls 218 auf der vorderen Oberfläche 209 des verpackten Wafers 201 von oberhalb, der an der Halteoberfläche 11-1 des Einspanntischs 10 gehalten ist, um dadurch an dem verpackten Wafer 201 die Ablation anzuwenden, wodurch Durchgangsnuten 219 in dem Gusskunststoff 212, der die Nuten entlang der Teilungslinien 202 füllt, auszubilden. Der Laserstrahl 218 ist ein gepulster Laserstrahl mit einer solchen Wellenlänge (zum Beispiel 355 nm), dass dieser in dem Gusskunststoff 212 absorbiert wird, der so platziert ist, dass die Nuten 211 des verpackten Wafers 201 aufgefüllt sind, und weist eine feste Laserleistung auf. Die Laserbearbeitungseinheit 20 ist an der Spitze einer Trägersäule 4 zusammen mit einem Wandabschnitt 3, der sich von dem Vorrichtungshauptkörper 2 nach oben erstreckt, montiert. Als die Wellenlänge für den gepulsten Laserstrahl 218 können andere Wellenlängen als die oben genannte zum Beispiel 532 nm verwendet werden; in anderen Worten können Wellenlängen in dem Bereich von 200-1200 nm, die in dem Gusskunststoff 212 absorbiert werden, verwendet werden.
  • Der Laserbearbeitungseinheit 20 beinhaltet eine Fokuslinse (nicht dargestellt) zum Fokussieren des Laserstrahls 218, der an der Oberfläche des verpackten Wafers 201 aufgebracht werden soll, einen Antriebsmechanismus (nicht dargestellt) zum Bewegen eines Fokuspunkts des Laserstrahls 218 in der Z-Achsen-Richtung und eine Oszillatoreinheit für einen Laserstrahl (nicht dargestellt), um den Laserstrahl 218 zu Oszillieren. Die Oszillatoreinheit für einen Laserstrahl oszilliert den Laserstrahl 218 einer Wellenlänge 355 bei einer vorbestimmten Wiederholungsfrequenz. In Ausführungsform 1 ist die optische Achse des Laserstrahls 218, der auf der vorderen Oberfläche 209 des verpackten Wafers 201 durch der Laserbearbeitungseinheit 20 aufgebracht wird, parallel zu der Z-Achsen-Richtung.
  • Während die Laserbearbeitungseinheit 20 relativ zu dem verpackten Wafer 201, der an dem Einspanntisch 10 gehalten ist, durch das X-Achsen-Bewegungsmittel 30 und das Y-Achsen-Bewegungsmittel 40 bewegt wird, bringt sie den Laserstrahl 218 auf dem Gusskunststoff 212 in der Nut 211 entlang jeder Teilungslinie 202 auf, um eine Durchgangsnut 219 (in 17 dargestellt) entlang jeder Teilungslinie 202 auf dem Gusskunststoff 212 in der Nut 211 auszubilden. Die Laserbearbeitungseinheit 20 bringt den Laserstrahl 218 auf dem Gusskunststoff 212 in der Nut 211 entlang jeder Teilungslinie 202 auf, während sie mehrfach relativ zu dem verpackten Wafer 201 in der X-Achsen-Richtung bewegt wird.
  • Die Aufnahmeeinheit 50 dient zum Aufnehmen des verpackten Wafers 201, der durch den Einspanntisch 10 gehalten ist. Die Bildeinheit 50 ist an einer Position neben der Laserbearbeitungseinheit 20 in der X-Achsen-Richtung angeordnet. In Ausführungsform 1 ist die Aufnahmeeinheit an der Spitze der Trägersäule 4 montiert. Die Aufnahmeeinheit 50 ist unter Verwendung einer ladungsgekoppelten Bauelement-(CCD)-Kamera ausgestaltet, welche den verpackten Wafer 201 bildlich aufnimmt, der an dem Einspanntisch 10 gehalten ist
  • Zusätzlich beinhaltet die Laserbearbeitungsvorrichtung 1 eine Kassette 71, in welcher mehrere verpackte Wafer 201, die jeweils an einem ringförmigen Rahmen 216 durch ein Teilungsband 217 getragen sind, aufgenommen sind und eine Kassettenerhöhung 70, an welcher die Kassette 71 platziert ist und welche die Kassette 71 in der Z-Achsen-Richtung bewegt. Die Laserbearbeitungsvorrichtung 1 beinhaltet ein Entnahme-/Zufuhrmittel (nicht dargestellt) welches den verpackten Wafer 201, der einer Ablation ausgesetzt werden soll, aus der Kassette 71 entnimmt und den verpackten Wafer 201, der eine Ablation ausgesetzt wurde, in die Kassette 71 einführt und ein Paar Schienen 72 zum vorläufigen Platzieren des verpackten Wafers 201, der aus der Kassette 71 genommen wurde und einer Ablation ausgesetzt werden soll, und dem verpackten Wafer 201, der eine Ablation ausgesetzt wurde und in der Kassette 71 aufgenommen werden soll. Die Laserbearbeitungsvorrichtung 1 beinhaltet eine Reinigungseinheit 90 zum Reinigen des verpackten Wafers 201, welcher der Ablation ausgesetzt wurde, und eine Trägereinheit 80 zum Tragen des verpackten Wafers 201 zwischen dem Paar Schienen 72 und dem Einspanntisch 10 und der Reinigungseinheit 90.
  • Wie in 12 dargestellt, beinhaltet der Einspanntisch 10 ein transparentes oder semitransparentes Halteelement 11, welches die Halteoberfläche 11-1 ausbildet, einen ringförmigen Rahmenabschnitt 12, der so ausgebildet ist, dass er das Halteelement 11 umgibt und einen Licht emittierenden Körper 13, der an der Seite einer Oberfläche gegenüber der Halteoberfläche 11-1 des Halteelements 11 angeordnet ist. Das Halteelement 11 ist in der Form einer kreisförmigen Scheibe ausgebildet, die eine Dicke von 2-5 mm aufweist und ist zum Beispiel aus einem Quarz ausgebildet. Die obere Oberfläche des Halteelements 11 dient als die Halteoberfläche 11-1 zum Halten des verpackten Wafers 201 daran.
  • Der ringförmige Rahmenabschnitt 12 ist aus einem umfänglichen Abschnitt, der den Umfang des Halteelements 11 umgibt und trägt, und einem Basisabschnitt ausgebildet, von welchen der umfängliche Abschnitt erhöht ist. Wie in 12 dargestellt, weist der ringförmige Rahmenabschnitt 12 seine Oberfläche in derselben Ebene wie die Haltungsoberfläche 11-1 angeordnet auf. Der ringförmige Rahmenabschnitt 12 ist an der Dreh-Antriebswelle 16 angebracht. Zusätzlich ist der ringförmige Rahmenabschnitt 12 mit einem Saugdurchgang 12-1 bereitgestellt, welcher sich an der äußeren Kante des Halteelements 11 öffnet und mit einer Vakuumquelle (nicht dargestellt) verbunden ist.
  • Der Licht emittierende Körper 13 ist an dem Basisabschnitt des ringförmigen Rahmenabschnitts 12 angebracht, ist so angeordnet, dass er der unteren Oberfläche des Halteelements 11 zugewandt ist, und dient zum Beleuchten des verpackten Wafers 201 durch das Halteelement 11. Der Licht emittierende Körper 13 ist aus mehreren Licht emittierenden Dioden (LEDs) 13-1 ausgebildet. Jede der LEDs 13-1 ist mit einer Leistungsschaltung (nicht dargestellt) verbunden. Wenn elektrische Leistung von der Leistungsschaltung zu jeder LED 13-1 zugeführt wird, emittiert der Licht emittierenden Körper 13 Licht, wobei das Licht von der unteren Oberflächenseite zu der oberen Oberflächenseite des Halteelements 11 emittiert wird.
  • Mit dem ringförmigen Rahmenabschnitt 12, der an der Drehantriebsquelle 16 angebracht ist, ist der Einspanntisch 10 in der X-Achsen-Richtung durch das X-Achsen-Bewegungsmittel 30 beweglich, ist in der Y-Achsen-Richtung durch das Y-Achsen-Bewegungsmittel 40 beweglich und ist um eine Achse durch die Dreh-Antriebsquelle 16 drehbar. Zusätzlich hält der Einspanntisch 10 den verpackten Wafer 201 unter einem Saugen durch einen Prozess, in welchem der verpackte Wafer 201, der durch den ringförmigen Rahmen 216 gehalten ist, an der Halteoberfläche 11-1 durch das Teilungsband 217 platziert ist und ein Saugen durch die Vakuumsaugquelle durchgeführt wird. Darüber hinaus sind Klemmenabschnitte 14 zum Klemmen des ringförmigen Rahmens 216 in der Nähe des Einspanntischs 10 bereitgestellt.
  • Die Prüfungseinheit 60 dient zum Prüfen der Durchgangsnuten 219 des verpackten Wafers 201, der an dem Einspanntisch 10 gehalten ist. Die Prüfungseinheit 60 beinhaltet einen Liniensensor 61 und eine Steuerungseinheit 62, die ein Bestimmungsabschnitt ist. Der Liniensensor 61 erstreckt sich entlang einer Richtung parallel zu der Halteoberfläche 11-1, welche die Ebenenrichtung der Halteoberfläche 11-1 in einer Richtung orthogonal zu der Bearbeitungszufuhrrichtung ist, die entweder die X-Achsen-Richtung oder die Y-Achsen-Richtung ist. In Ausführungsform 1, wie in 13 dargestellt, erstreckt sich der Liniensensor 61 parallel zu der Y-Achsen-Richtung. Der Liniensensor 61 ist an einem Pfad einer Bewegung des Einspanntischs 10 durch das X-Achsen-Bewegungsmittel 30 angeordnet. Der Liniensensor 61 weist beide Enden in der Längsrichtung davon an erhöhten Säulen 5 getragen auf, die sich von dem Vorrichtungshauptkörper 2 nach oben erstrecken und ist an der oberen Seite des Einspanntischs 10 angeordnet, der zwischen einer Position in der Nähe des Paars Schienen 72 und einer Position in der Nähe der Laserbearbeitungseinheit 20 durch das X-Achsen-Bewegungsmittel 30 bewegt wird.
  • Der Liniensensor 61 beinhaltet mehrere Aufnahmeelemente 61-1, welche der Halteoberfläche 11-1 des Einspanntischs 10 zugewandt sind, der zwischen der Position in der Nähe des Paar Führungsschienen 72 und der Position in der Nähe der Laserbearbeitungsvorrichtung 20 durch das X-Achsen-Bewegungsmittel 30 bewegt wird, und welche das Licht, das von dem Licht emittierenden Körper 13 kommt, aufnehmen. Die Aufnahmeelemente 61-1 sind in der Y-Achsen-Richtung ausgerichtet. Die Gesamtlänge TL der mehreren Aufnahmeelemente 61-1 des Liniensensors 61 ist größer, als der äußere Durchmesser R des verpackten Wafers 20. Der Liniensensor 61 ist an einer solchen Position angeordnet, dass die Oberfläche des verpackten Wafers 201, der durch den Einspanntisch 10 gehalten ist, durch die mehreren Aufnahmeelemente 61-1 aufgenommen werden kann. Der Liniensensor 61 gibt ein Bild, das durch jedes Aufnahmeelement 61-1 ausgegeben wurde, zu der Steuerungseinheit 62 aus.
  • Die Steuerungseinheit 62 dient zum Steuern der vorgenannten ausbildenden Elemente der Laserbearbeitungsvorrichtung 1, um die Laserbearbeitungsvorrichtung 1 dazu zu bringen, eine Bearbeitungsbetätigung an dem verpackten Wafer 201 durchzuführen. Beachte, dass die Steuerungseinheit 62 ein Computer ist. Die Steuerungseinheit 62 ist mit einer Anzeigevorrichtung (nicht dargestellt) verbunden, die aus einer Flüssigkristallanzeige oder dergleichen zum Anzeigen des Status der Bearbeitungsvorrichtung, Bilder und dergleichen und einer Eingabevorrichtung (nicht dargestellt), die verwendet werden soll, wenn ein Bediener Informationen über den Inhalt der Bearbeitung und dergleichen registriert, ausgebildet. Die Eingabevorrichtung ist aus mindestens einem aus einem berührungsempfindlichen Panel, das an der Anzeigevorrichtung bereitgestellt ist, und einem externen Eingabemittel wie einer Tastatur ausgebildet.
  • Die Steuerungseinheit 62 führt eine Ausrichtung zum Detektieren einer Position des verpackten Wafers 201, an welchem der Laserstrahl 218 aufgebracht werden soll, vor der Ablation durch. Wenn die Ausrichtung durchgeführt wird, bringt die Steuerungseinheit 62 die Aufnahmeeinheit 50 dazu, jede der Nuten 211 aufzunehmen, die an der äußeren umfänglichen Kante des umfänglichen Randabschnitts 208 des verpackten Wafers 201 freiliegen, und detektiert die Position der Nut 211, die entlang jeder Teilungslinie 202 ausgebildet ist, auf welcher der Laserstrahl 218 aufgebracht werden soll, basierend auf den Bildern, die durch das Aufnehmen erhalten wurden, und auf den Ergebnissen der Detektion des Detektionsmittels für eine X-Achsen-Richtungsposition und des Detektionsmittels für eine Y-Achsen-Richtungsposition.
  • Zusätzlich dient die Steuerungseinheit 62 auch zum Bestimmen des Ergebnisses der Bearbeitung der Durchgangsnuten 219 durch das Empfangen des Lichts von dem Licht emittierenden Körper 13 durch die Durchgangsnuten 219 durch den Liniensensor 61 nach der Ablation. Nach der Ablation in dem Zustand, in dem alle LEDs 13-1 des Licht emittierenden Körper 13 des Einspanntischs 10 eingeschaltet sind, verursacht die Steuerungseinheit 62, dass der Einspanntisch 10 von der unteren Seite der Laserbearbeitungseinheit 20 zu dem Paar Schienen 72 bewegt wird, und verursacht, dass der Einspanntisch 10 unter den Liniensensor 61 läuft. Die Steuerungseinheit 62 verursacht, dass er Liniensensor 61 den gesamten Bereich der Oberfläche des verpackten Wafers 201 aufnimmt, der mit Durchgangslöchern 219 ausgebildet wurde und weiterhin an dem Einspanntisch gehalten ist. Basierend auf dem Ergebnis der Detektion durch das Detektionsmittel für eine X-Achsen-Richtungsposition generiert die Steuerungseinheit 62 ein aufgenommenes Bild 220, von dem ein Teil in 14 dargestellt ist, und das die Oberfläche des verpackten Wafers 201 darstellt, aus den Ergebnissen der Detektion durch jedes Aufnahmeelement 61-1 des Liniensensors 61. Das aufgenommene Bild 220 stellt ein Bild des gesamten Teils oder eines Bereichs, der nicht kleiner als ein Halbkreis ist, der Oberfläche des verpackten Wafers 201 dar. In anderen Worten kann der Liniensensor 61 einen Bereich aufnehmen, der nicht kleiner als ein Halbkreis ist und nach einer Drehung des Einspanntischs 10 um 180° kann dieser den überbleibenden Bereich, der noch nicht aufgenommen wurde, aufnehmen. Dadurch kann die Laserbearbeitungsvorrichtung 1 den Freiheitsgrad bezüglich der Position, an welcher der Liniensensor 61 angeordnet ist, erhöhen.
  • Die Steuerungseinheit 62 detektiert Positionen 221 (in 14 dargestellt) des auf aufgenommenen Bilds 220, an welchen der Laserstrahl 218 aufgebracht werden soll basierend auf mindestens den Positionen, an welchen der Laserstrahl 218 aufgebracht werden soll und die durch ein Durchführen einer Ausrichtung detektiert wurden. Die Steuerungseinheit 62 bestimmt ob das Ergebnis der Bearbeitung der Durchgangsnut 219 an jeder Position 221, an welcher der Laserstrahl 218 aufgebracht werden soll, gut oder schlecht ist.
  • Wenn die Lichtmenge von dem Licht emittierenden Körper 13, die durch die Durchgangsnut 219 in Bereichen 221-1 empfangen wird (durch einen durchgezogenen weißen Zustand in 14 angedeutet), der Positionen 221, auf welchen der Laserstrahl 218 aufgebracht werden soll, nicht weniger als eine vorbestimmte Lichtmenge ist, bestimmt die Steuerungseinheit 62, dass das Ergebnis der Bearbeitung in den Bereichen 221-1 gut ist. Wenn die Lichtmenge von dem Licht emittierenden Körper 13, die durch die Durchgangsnut 219 in Bereichen 221-2 (durch dichten parallel geneigten Linien in 14 angedeutet) der Positionen 221, an welchen der Laserstrahl 218 aufgebracht werden soll, weniger als die vorbestimmte Lichtmenge ist, bestimmt die Steuerungseinheit 62 dass das Ergebnis der Bearbeitung in den Bereichen 221-2 schlecht ist. In anderen Worten, die Bereiche 221-1 sind Bereiche, in denen die Ergebnisse der Bearbeitung der Durchgangsnut 219 als gut bestimmt wurde, wohingegen die Bereiche 221-2 Bereiche sind, in denen die Ergebnisse der Bearbeitung der Durchgangsnut 219 als schlecht bestimmt wurde. Beachte, dass die vorbestimmte Lichtmenge die Lichtmenge ist, die durch jedes Aufnahmeelement 61-1 des Liniensensors 61 empfangen werden kann, wenn die Durchgangsnut 219 ausgebildet wurde. Zusätzlich sind in 14 die Bereiche, die nicht die Positionen 221, an welcher der Laserstrahl 218 aufgebracht werden soll, sind, durch grobe parallel geneigte Linien angedeutet.
  • Als nächstes wird ein Laserbearbeitungsverfahren unter Verwendung der Laserbearbeitungsvorrichtung 1 im Folgenden mit Bezug zu den Figuren beschrieben. 15 ist ein Flussdiagramm, das den Fluss des Laserbearbeitungsverfahrens unter Verwendung der Laserbearbeitungsvorrichtung nach Ausführungsform 1 darstellt. 16 ist eine Fig., die einen Bearbeitungsschritt in dem Laserbearbeitungsverfahren darstellt, das in 15 dargestellt ist. 17 ist eine Schnittansicht, die ein Beispiel einer Durchgangsnut darstellt, die durch den Bearbeitungsschritt in dem Laserbearbeitungsverfahren, das in 15 dargestellt ist, darstellt. 18 ist eine Schnittansicht, die einen Bereich darstellt, in welchem das Ergebnis der Bearbeitung der Durchgangsnut, die in 17 dargestellt ist, als schlecht bestimmt wurde.
  • Das Laserbearbeitungsverfahren unter Verwendung der Laserbearbeitungsvorrichtung 1 (im Folgenden als das Bearbeitungsverfahren bezeichnet) ist ein Verfahren zum Herstellen der verpackten Bauelementchips 203 durch Aufbringen des Laserstrahls 218 auf dem Gusskunststoff 212, der die Nuten 211 des verpackten Wafers 201 füllt, um den Gusskunststoff 212, der die Nuten 211 füllt, zu teilen. Wie in 15 dargestellt, beinhaltet das Bearbeitungsverfahren mindestens einen Halteschritts ST1, einen Bearbeitungsschritt ST2 und einen Bestimmungsschritt ST4.
  • In dem Bearbeitungsverfahren registriert zuerst ein Bediener eine Information über den Inhalt der Bearbeitung in einer Steuerungseinheit 62 der Laserbearbeitungsvorrichtung 1, nimmt der Bediener die verpackten Wafer 201, die an dem ringförmigen Rahmen 216 getragen sind, in der Kassette auf und platziert der Bediener die Kassette 71 an der Kassettenerhöhung 70 der Laserbearbeitungsvorrichtung 1. In dem Bearbeitungsverfahren beginnt die Laserbearbeitungsvorrichtung 1 eine Bearbeitungsbetätigung, wenn eine Instruktion von dem Bediener eingegeben wurde, dass die Bearbeitungsbetätigung begonnen werden soll.
  • In dem Bearbeitungsverfahren wird zuerst der Halteschritts ST1 durchgeführt. Der Halteschritts ST1 ist ein Schritt zum Halten des verpackten Wafers 201 an der Halteoberfläche 11-1 des Halteelements 11. In dem Halteschritts ST1 verursacht die Steuerungseinheit 62, dass das Einfuhr-/Ausfuhrmittel eine Lage eines verpackten Wafers 201, welcher eine Ablation ausgesetzt werden soll, aus der Kassette 71 entnimmt und platziert den verpackten Wafer 201 an dem Paar Führungsschienen 72. Die Steuerungseinheit 62 verursacht, dass die Trägereinheit 80 den verpackten Wafer 201, der an dem Paar Führungsschienen 72 vorliegt, auf der Halteroberfläche 11-1 des Halteelements 11 des Einspanntischs 10 platziert, und verursacht, dass der verpackte Wafer 201 unter einem Saugen an der Halteoberfläche als 1-1 des Halteelements 11 des Einspanntischs 10 gehalten wird. Die Steuerungseinheit 62 fährt mit dem Bearbeitungsschritt ST2 fort.
  • In dem Bearbeitungsschritt ST2 verursacht die Steuerungseinheit 62, dass das X-Achsen-Bewegungsmittel 30 und das Y-Achsen-Bewegungsmittel 40 den Einspanntisch 10 zu einer Position unterhalb der Laserbearbeitungseinheit 20 bewegen, wodurch der verpackte Wafer 201, der an dem Einspanntisch 10 gehalten ist, unter der Aufnahmeeinheit 50 positioniert ist. In dem Bearbeitungsschritt ST2 verursacht die Steuerungseinheit 62, dass die Aufnahmeeinheit 50 die Nut 211, die entlang jeder Teilungslinie 202 und in dem umfänglichen Randbereich 208 des verpackten Wafers 201 freiliegt, aufnimmt und führt eine Ausrichtung von jeder Teilungslinie 202 durch.
  • Danach basierend auf der Information des Inhalts der Bearbeitung verursacht die Steuerungseinheit 62, dass das X-Achsen-Bewegungsmittel 30 und das Y-Achsen-Bewegungsmittel 40 ein Ende der Teilungslinie 202 des verpackten Wafers 201, auf welcher der Laserstrahl 218 zuerst aufgebracht werden soll, der Laserbearbeitungseinheit 20 zugewandt ist, und betätigt die Dreh-Antriebsquelle 16, sodass die Teilungslinien 202, auf welcher der Laserstrahl 218 zuerst aufgebracht werden soll, parallel zu der X-Achsen-Richtung gesetzt ist. Wie in 16 dargestellt, verursacht die Steuerungseinheit 62, dass das X-Achsen-Bewegungsmittel den Einspanntisch 10 entlang der X-Achsen-Richtung eine vorbestimmte Anzahl von Wiederholungen bewegt, und währenddessen verursacht die Steuerungseinheit 62, dass der Laserstrahl 218 von der Laserbearbeitungseinheit 20 aufgebracht wird. Entsprechend der Betätigung der Laserbearbeitungsvorrichtung 1 werden Teilungsnuten entlang der Teilungslinie 202 durch Aufbringen des Laserstrahls 218 und mehrfach Durchführen des Aufbringens des Laserstrahls ausgebildet und die Teilungsnuten können in einer größeren Tiefe ausgebildet werden.
  • Wenn der Laserstrahl 218 die vorbestimmte Anzahl von Wiederholungen auf der Teilungslinie 202, auf welcher der Laserstrahl 218 zuerst aufgebracht werden soll, aufgebracht wurde, bestimmt die Steuerungseinheit 62 ob die Durchgangsnuten 219, welche die hintere Oberfläche des verpackten Wafers 201 durchdringen, entlang all den Teilungslinien 202 des verpackten Wafers 201, der an dem Einspanntisch 10 (Schritt ST3) gehalten ist, durchdringen. Wenn bestimmt wurde, dass die Durchgangsnuten 219, welche die hintere Oberfläche des verpackten Wafers 201 durchdringen, noch nicht entlang all den Teilungslinien 202 des verpackten Wafers 201, der an dem Einspanntisch 10 gehalten ist, ausgebildet wurde (Schritt ST3: Nein) kehrt die Steuerungseinheit 62 zu Bearbeitungsschritt ST2 zurück und wiederholt den Bearbeitungsschritt ST2, um den Laserstrahl 218 auf dem Gusskunststoff 212 aufzubringen, welcher die Nut 211 füllt, die sich entlang der Teilungslinie 202 erstreckt.
  • Wenn bestimmt wurde, dass die Durchgangsnuten 219, welche die hintere Seite des verpackten Wafers 201 durchdringen, entlang all den Teilungslinien 202 des verpackten Wafers 201, der an dem Einspanntisch 10 gehalten ist, ausgebildet wurden (Schritt ST3: Ja), fährt die Steuerungseinheit 62 mit dem Bestimmungsschritt ST4 fort. Der Bestimmungsschritt ST4 ist ein Schritt, in welchem der Licht emittierenden Körper 13 dazu gebracht wird, Licht zu imitieren, der verpackte Wafer 201, der die Durchgangsnuten 219 in dem Gusskunststoff 212, der die Nuten 211 füllt, durch Aufbringen des Laserstrahls 218 ausgebildet aufweist, in der X Achsenrichtung bewegt wird und das von dem Licht emittierenden Körper 13 durch die Durchgangsnuten 219 durch den Liniensensor 61, der parallel zu der Y-Achsen-Richtung ist, empfangen wird, um dadurch das Ergebnis der Bearbeitung der Durchgangsnuten 219 zu bestimmen.
  • In der Bestimmungsschritt ST4 verursacht die Steuerungseinheit 62, dass der Licht emittierenden Körper 13 Licht emittiert, und verursacht, dass der Einspanntisch 10 von einer Position unterhalb der Laserbearbeitungseinheit 20 auf dem Paar Schienen 72 bewegt wird und unter den Liniensensor 61 läuft. In dem Bestimmungsschritt ST4 generiert die Steuerungseinheit 62 das aufgenommene Bild 220, das in 14 dargestellt ist, aus dem Bild, das durch jedes Aufnahmeelement 61-1 des Liniensensors 61 aufgenommen wurde, basierend auf dem Ergebnis der Detektion durch das Detektionsmittel für eine X-Achsen-Richtungsposition.
  • In dem Bestimmungsschritt ST4 bestimmt die Steuerungseinheit 62 ob ein Bereich 221-2 existiert, in dem die Lichtmenge an den Positionen 221 in dem aufgenommenen Bild 220, die zu dem Zeitpunkt der Ausrichtung bestimmt wurden, dass sie mit dem Laserstrahl 218 bestrahlt werden sollen, weniger als eine vorbestimmte Menge ist. In dem Bestimmungsschritt ST4 in den Bereichen 221-1, die durch einen durchgezogenen weißen Bereich in 14 angedeutet sind, und in welchem die Lichtmenge durch die Steuerungseinheit 62 bestimmt wurde, nicht weniger als die vorbestimmte Menge zu sein, wurde die Durchgangsnut 219 ausgebildet, um den Gusskunststoff 212, der die Nut 211 des verpackten Wafers 201 füllt, zu durchdringen, wie in 17 dargestellt, sodass Licht von dem Licht emittierenden Körper 13 durch das Halteelement 11 und die Durchgangsnut 219 von der Aufnahmeeinheit 50 empfangen wird. Zusätzlich in dem Bestimmungsschritt ST4 in den Bereichen 221-2, die durch parallelen dicht geneigten Linien in 14 angedeutet sind, und in welchen die Lichtmenge durch die Steuerungseinheit 62 bestimmt wurde, weniger als die vorbestimmte Lichtmenge zu sein, an den Positionen 221, die durch den Laserstrahl 218 bestrahlt werden sollen, dringt die Durchgangsnut 219 nicht durch den Gusskunststoff 212, der die Nut 211 des verpackten Wafers 201 füllt, und der Gusskunststoff 212 bleibt an dem Boden der Durchgangsnut 219 über, wie in 18 dargestellt, sodass das Licht von dem Licht emittierenden Körper 13 nicht durch die Aufnahmeeinheit 50 empfangen wird. Beachte, dass in 17 und 18 die Erhöhungen 210 ausgelassen sind.
  • In dem Bestimmungsschritt ST4, wenn bestimmt wurde, dass ein Bereich 221-2, an dem die Lichtmenge weniger als eine vorbestimmte Lichtmenge ist, unter den Positionen in dem aufgenommenen Bild 220 vorliegt, welche zu dem Zeitpunkt der Ausrichtung bestimmt wurden, dass sie mit dem Laserstrahl 218 bestrahlt werden sollen, detektiert die Steuerungseinheit 62 die Position des Bereichs 221-2, an welcher die Lichtmenge weniger als die vorbestimmte Lichtmenge ist, und speichert vorläufig die so detektierte Position als ein Bereich 221-2, in dem das Ergebnis der Bearbeitung der Durchgangsnut 219 als schlecht bestimmt wurde. Dann bestimmt die Steuerungseinheit 62, ob ein Bereich 221-2, in welchem das Ergebnis der Bearbeitung der Durchgangsnut in dem Bestimmungsschritt ST4 als schlecht bestimmt wurde, (Schritt ST5) existiert. Wenn bestimmt wird, dass ein solcher Bereich 221-2 existiert, in dem das Ergebnis der Bearbeitung der Durchgangsnut 219 in dem Bestimmungsschritt ST4 als schlecht bestimmt wurde (Schritt ST5: Ja), kehrt die Steuerungseinheit ST2 zu dem Bearbeitungsschritt ST2 zurück und wiederholt die Schritte von dem Bearbeitungsschritt ST2 zu dem Bestimmungsschritt ST4. In dem Bearbeitungsschritt ST2 beim Zurückkommen von Schritt ST5 verursacht die Steuerungseinheit 62, dass der Einspanntisch 10 zu einer Position unterhalb der Laserbearbeitungseinheit 20 bewegt wird, und verursacht, dass der Laserstrahl 218 wiederholt auf dem Gusskunststoff 212 des verpackten Wafers 201, der die Nut 211 in dem Bereich 221-2 füllt, aufgebracht wird, an welchem das Ergebnis der Bearbeitung der Durchgangsnut 219 als schlecht bestimmt wurde, um dadurch eine Ausbildung der Durchgangsnut 219 in dem Gusskunststoff 212 durchzuführen. In anderen Worten in dem Fall, in dem das Ergebnis der Bearbeitung der Durchgangsnut 219 in dem Bestimmungsschritt ST4 als schlecht bestimmt wurde, verursacht die Steuerungseinheit 62, dass der Laserstrahl 218 auf dem verpackten Wafer 201 in Bereichen 221-2 aufgebracht wird, indem das Ergebnis der Bearbeitung als schlecht bestimmt wurde, wodurch die Bearbeitung durchgeführt wird.
  • Wenn bestimmt wurde, dass kein Bereich 221-2 vorliegt, an dem das Ergebnis der Bearbeitung der Durchgangsnut 219 in dem Bestimmungsschritt ST4 als schlecht bestimmt wurde (Schritt ST5: Nein), verursacht die Steuerungseinheit 62, dass der Einspanntisch 10 an einer Position in der Nähe des Paars Schienen 72 angehalten wird, schaltet den Licht emittierenden Körper 13 aus und gibt das saugende Halten des Einspanntischs 10 frei. Danach verursacht die Steuerungseinheit 62, dass der verpackte Wafer 201, welcher der Ablation ausgesetzt wurde, zu der Reinigungseinheit 90 unter Verwendung der Trägereinheit 80 getragen wird, verursacht, dass die Reinigungseinheit den verpackten Wafer 201 reinigt, und nimmt den gereinigten verpackten Wafer 201 in der Kassette 71 auf.
  • Die Steuerungseinheit 62 bestimmt, ob alle verpackten Wafer 201 in der Kassette 71 der Ablation ausgesetzt wurden (Schritt ST6). Wenn bestimmt wurde, dass noch nicht alle verpackten Wafer 201 in der Kassette der Ablation ausgesetzt wurde (Schritt S6: Nein), kehrt die Steuerungseinheit 62 zu dem Halteschritts ST1 zurück, platziert den verpackten Wafer 201, welche der Ablation jetzt noch nicht ausgesetzt wurde, auf dem Einspanntisch 10 und wiederholt die Schritte ST1 bis ST5, um dadurch alle verpackten Wafer 201 in der Kassette 71 in einzelne verpackte Bauelementchips 203 aufzuteilen. Wenn bestimmt wurde, dass alle verpackten Wafer 201 in der Kassette 71 der Ablation ausgesetzt wurde (Schritt ST6: Ja) beendet die Steuerungseinheit 62 die Bearbeitungsbetätigung.
  • Die vorgenannte Steuerungseinheit 62 beinhaltet eine arithmetische Berechnungsvorrichtung, die einen Mikroprozessor wie eine zentrale Berechnungseinheit (CPU), eine Speichervorrichtung, die einen Speicher wie einen Festwertspeicher (ROM) oder einen Arbeitsspeicher (RAM) und eine Eingabe/Ausgabeschnittstelle aufweist. Die arithmetische Berechnungsvorrichtung der Steuerungseinheit 62 führt arithmetische Berechnungen entsprechend eines Computerprogramms aus, das in der Speichervorrichtung gespeichert ist und gibt Steuerungssignale zum Steuern der Laserbearbeitungsvorrichtung 1 an die vorgenannten ausbildenden Elemente der Laserbearbeitungsvorrichtung 1 durch die Eingabe-/Ausgabeschnittstelle aus. Zusätzlich ist die Funktion der Steuerungseinheit 62 durch ein Ausführen des Computerprogramms, das in der Speichervorrichtung gespeichert ist, durch eine arithmetische Rechnungsvorrichtung und ein Speichern der notwendigen Informationen in der Speichervorrichtung realisiert.
  • In der Laserbearbeitungsvorrichtung 1 entsprechend Ausführungsform 1 ist der Liniensensor 61 an dem Bewegungspfad des Einspanntischs 10 angeordnet. Darum, indem der Einspanntisch 10 dazu gebracht wird, unter den Liniensensor 61 zu laufen, der Licht emittierenden Körper 13 des Einspanntischs 10 dazu gebracht wird, Licht nach der Ablation zu emittieren, kann der gesamte Bereich der Oberfläche des verpackten Wafers 201 aufgenommen werden. Entsprechend, basierend darauf ob Licht von dem Einspanntisch 10 in dem aufgenommenen Bild 22 detektiert wurde oder nicht, kann die Laserbearbeitungsvorrichtung 1 die Ergebnisse der Bearbeitung der Durchgangsnuten 219 bestimmen.
  • Zusätzlich bringt die Bearbeitungsvorrichtung 1 den Laserstrahl 218 wiederholt auf dem Gusskunststoff 212, der die Nut 211 füllt, auf, wenn das Ergebnis der Bearbeitung der Durchgangsnut 219 als schlecht bestimmt wurde. Als ein Ergebnis kann die Laserbearbeitungsvorrichtung 1 geeignet ausgebildet Durchgangsnuten 219 entlang all den Teilungslinien 202 des verpackten Wafers 201 ausbilden.
  • Zusätzlich in der Laserbearbeitungsvorrichtung 1 ist der Liniensensor 61 an dem Pfad der Bewegung des Einspanntischs 10 angeordnet. Darum kann der verpackte Wafer 201 in dem Zustand, in dem er an dem Einspanntisch 10 gehalten ist, durch den Liniensensor 61 aufgenommen werden und der Laserstrahl 218 wird wiederholt auf dem Gusskunststoff 212, die Nut 211 füllt, aufgebracht, an den Stellen, an dem das Ergebnis der Bearbeitung der Durchgangsnut 219 als schlecht bestimmt wurde. Normalerweise, wenn ein verpackter Wafer 201, der an Durchgangsnuten 219 in verpackte Bauelementchips 203 aufgeteilt wurde, von dem Einspanntisch 10 gelöst wird, bewegen sich die verpackten Bauelementchips 203 und die Teilungslinie 202 werden ungerade Linien, wodurch es schwierig wird, den Laserstrahl 218 aufzubringen, während eine Bearbeitungszufuhr wiederholt ausgeführt wird. Andererseits kann die Laserbearbeitungsvorrichtung 1 einer Ablation auf die Nuten 211 aufbringen, an welchem die Durchgangsnut 219 nicht geeignet ausgebildet wurde, ohne den verpackten Wafer 201 von dem Einspanntisch 10 zu lösen. Entsprechend weist die Laserbearbeitungsvorrichtung 1 einen Effekt auf, dass Durchgangsnuten 219 geeignet entlang all den Teilungslinien 202 des verpackten Wafers 201 ausgebildet werden können.
  • Zusätzlich ist in der Laserbearbeitungsvorrichtung 1 der Liniensensor 61 parallel zu der Y-Achsen-Richtung orthogonal zu der X-Achsen-Richtung angeordnet, die eine Richtung ist, in welche die Bearbeitungszufuhrrichtung des Einspanntischs 10 durchgeführt wird. Darum, indem der Einspanntisch 10 dazu gebracht wird, einmal unter den Liniensensor 61 zu laufen, ist es möglich, den gesamten Bereich der Oberfläche des verpackten Wafers 201 aufzunehmen. Aus diesem Grund, sogar wenn bestimmt wird, ob die Durchgangsnuten 219 ausgebildet wurden oder nicht, kann verhindert werden, dass die benötigte Bearbeitungszeit sich verlängert.
  • [Ausführungsform 2]
  • Eine Laserbearbeitungsvorrichtung entsprechend Ausführungsform 2 wird beschrieben. 19 ist eine perspektivische Ansicht eines Wafers als ein Objekt, das durch die Laserbearbeitungsvorrichtung entsprechend Ausführungsform 2 bearbeitet werden soll. In 19 werden die gleichen Merkmale wie die in Ausführungsform 1 mit den gleichen Bezugszeichen, die oben verwendet werden, bezeichnet und eine Beschreibung davon ist ausgelassen.
  • Die Laserbearbeitungsvorrichtung nach Ausführung 2, für welche ein Objekt, das bearbeitet werden soll, der Wafer 204 als das Werkstück ist, das in 19 dargestellt ist, ist die gleiche wie die in Ausführungsform 1 bezüglich der Konfiguration der Vorrichtung selbst. In einem Laserbearbeitungsverfahren unter Verwendung der Laserbearbeitungsvorrichtung 1 entsprechend Ausführungsform 2 ist der Wafer 204 einer, der mit einem Film aus einem isolierenden Material mit geringer dielektrischer Konstante (geringer k-Film) an der vorderen Oberfläche 209 davon ausgebildet ist, oder einer, in welchem die Bauelemente 206 jeweils aufnehmende Elemente wie komplementäre Metalloxidhalbleiter (CMOS) sind. Der Film aus einem Isolationsmaterial mit geringer dielektrischer Konstante ist aus einem anorganischen Materialfilm aus SiOF oder BSG (SiOB) oder dergleichen und einem anorganischen Materialfilm, der ein Polymerfilm basierend auf Polyamid oder Parylen ist. Die vordere Oberfläche 209 des Wafers 204 ist an einem Teilungsband 217 angebracht, das von einem ringförmigen Rahmen 216 begleitet wird, der an einem äußeren Umfang davon angebracht ist. Der Wafer 204 wird entlang der Teilungslinien 202 von der hinteren Oberflächenseite 214 geschnitten, um Nuten auszubilden, wodurch ein Schneidmaß einer vorbestimmte Dicke an der vorderen Oberflächenseite 29 überbleibt. Die Wafer 204 in dem Zustand, in dem sie so mit den Schneidnuten ausgebildet wurden, werden in der Kassette 71 aufgenommen. Während jeder der Wafer 204 einmal durch das X-Achsen-Bewegungsmittel 30 bewegt wird, wird das Schneidmaß durch eine Laserbearbeitungseinheit 20 geschnitten, um die Durchgangsnut 219 auszubilden.
  • Die Laserbearbeitungsvorrichtung 1 entsprechend Ausführungsform 2, wie in Ausführungsform 1, weist einen Liniensensor 61 auf, der an dem Bewegungspfad des Einspanntischs 10 angeordnet ist, sodass, indem der Einspanntisch 10 dazu gebracht wird, unter den Liniensensor 61 zu fahren, während der Licht emittierenden Körper 13 des Einspanntischs 10 dazu gebracht wird, Licht zu emittieren, nach der Ablation, die gesamte Fläche der Oberfläche des verpackten Wafers 201 aufgenommen werden kann. Entsprechend weist die Laserbearbeitungsvorrichtung 1 einen Effekt auf, dass die Durchgangsnuten 219 geeignet entlang all den Teilungslinien 202 des verpackten Wafers 201 ausgebildet werden können.
  • Beachte, dass entsprechend der Laserbearbeitungsvorrichtung nach Ausführungsform 1 und Ausführungsform 2 die folgenden Laserbearbeitungsverfahren und folgenden Verfahren zum Herstellen eines verpackten Bauelementchips erhalten werden können.
  • (Anhang 1)
  • Laserbearbeitungsverfahren, umfassend:
    • einen Halteschritt zum Halten eines Werkstücks an eine Halteoberfläche eines transparenten oder semitransparenten Halteelements; und
    • einen Bestimmungsschritt zum Bewegen des Werkstücks, das mit Durchgangsnuten in Bearbeitungsbereichen durch Aufbringen eines Laserstrahls ausgebildet ist, in einer Bearbeitungszufuhrrichtung parallel zu der Halteoberfläche, während ein Licht emittierenden Körper, der an der Seite der Oberfläche gegenüber der Halteoberfläche des Halteelements angeordnet ist, dazu gebracht wird, Licht zu emittieren, und Empfangen des Lichts von dem Licht emittierenden Körper durch die Durchgangsnuten von einem Liniensensor orthogonal zu der Bearbeitungszufuhrrichtung, um dadurch ein Ergebnis der Bearbeitung zu bestimmen.
  • (Anhang 2)
  • Das Laserbearbeitungsverfahren nach Anhang 1, wobei, wenn das Ergebnis der Bearbeitung der Durchgangsnuten als schlecht in dem Bestimmungsschritt bestimmt wird, der Laserstrahl auf dem Werkstück in einem Bereich aufgebracht wird, indem das Bearbeitungsergebnis als schlecht bestimmt wurde, um das Werkstück in dem Bereich zu bearbeiten.
  • (Anhang 3)
  • Verfahren zum Herstellen eines verpackten Bauelementchips zum Teilen bearbeiteter Bereiche eines verpackten Wafers, in welchem ein Gusskunststoff platziert ist, um eine obere Seite von Bauelementen, die an einer vorderen Oberfläche bereitgestellt sind, abzudecken und die bearbeiteten Bereiche zwischen den Bauelementen zu füllen, wodurch verpackte Bauelementchips hergestellt werden, die jeweils die obere Seite und alle seitlichen Oberflächen der Bauelemente mit dem Gusskunststoff bedeckt aufweisen, wobei das Verfahren umfasst:
    • einen Halteschritt zum Halten einer hinteren Oberflächenseite des verpackten Wafers an einer Halteoberfläche eines transparenten oder semitransparenten Halteelements; und
    • einen Bestimmungsschritt zum Bewegen des verpackten Wafers, der mit den Durchgangsnuten in den bearbeitenden Bereichen durch Aufbringen eines Laserstrahls ausgebildet ist, in einer Bearbeitungszufuhrrichtung parallel zu der Halteoberfläche, während ein Licht emittierenden Körper dazu gebracht wird, der an der Seite einer Oberfläche gegenüber der Halteoberfläche des Halteelements angeordnet ist, Licht zu emittieren, und Empfangen des Lichts von dem Licht emittierenden Körper durch die Durchgangsnut Nuten von einem Liniensensor orthogonal zu der Bearbeitungszufuhrrichtung, um dadurch ein Ergebnis der Bearbeitung zu bestimmen.
  • (Anhang 4)
  • Das Verfahren zum Herstellen des verpackten Wafer Chips nach Anhang 3, wobei, wenn das Ergebnis der Bearbeitung in der Durchgangsnut in dem Bestimmungsschritt als schlecht bestimmt wurde, der Laser auf dem Werkstück in einem Bereich aufgebracht wird, in dem das Bearbeitungsergebnis als schlecht bestimmt wurde, um dadurch das Werkstück in dem Bereich zu bearbeiten.
  • Beachte, dass die vorliegende Erfindung nicht auf die oben beschriebenen Ausführungsformen beschränkt ist. Die vorliegende Erfindung kann mit verschiedenen Modifikationen durchgeführt werden, die gemacht werden können, ohne von der Idee der Erfindung abzuweichen.
  • Die vorliegende Erfindung ist nicht auf die Details der oben beschriebenen bevorzugten Ausführungsformen beschränkt. Der Umfang der Erfindung wird durch die beigefügten Ansprüche definiert und alle Änderungen und Modifikationen, die in das äquivalente des Umfangs der Ansprüche fallen, werden darum durch die Erfindung umfasst.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • JP 2002100709 [0002, 0003, 0004]

Claims (2)

  1. Laserbearbeitungsvorrichtung, umfassend: einen Einspanntisch, der ein Werkstück durch eine Halteoberfläche hält; eine Laserbearbeitungseinheit, die einen Laserstrahl einer solchen Wellenlänge, dass sie in dem Werkstück absorbiert wird, auf dem Werkstück, das durch den Einspanntisch gehalten ist, aufbringt, um eine Durchgangsnut entlang allen Teilungslinien auszubilden; eine Bearbeitungszufuhreinheit, die den Einspanntisch in einer Bearbeitungszufuhrrichtung parallel zu der Halteoberfläche bewegt; und eine Prüfungseinheit, welche die Durchgangsnuten des Werkstücks, das durch den Einspanntisch gehalten ist, überprüft, wobei der Einspanntisch beinhaltet ein transparentes oder semitransparentes Halteelement, das die Halteoberfläche ausbildet, und einen Licht emittierenden Körper, der das Werkstück durch das Halteelement an der Seite einer Oberfläche gegenüber der Halteoberfläche des Halteelements beleuchtet; die Prüfungseinheit beinhaltet einen Liniensensor, der sich entlang einer Oberflächenrichtung der Halteoberfläche in einer Richtung orthogonal zu der Bearbeitungszufuhrrichtung erstreckt, der Halteoberfläche zugewandt ist und Licht von dem Licht emittierenden Körper empfängt, und einen Bestimmungsabschnitt, der ein Ergebnis einer Bearbeitung durch ein Empfangen des Lichts von dem Licht emittierenden Körper durch die Durchgangsnut von dem Liniensensor bestimmt; und wobei der Liniensensor eine gesamte Oberfläche des Werkstücks, das mit den Durchgangsnuten ausgebildet wurde und an dem Einspanntisch gehalten ist, bildlich aufnimmt.
  2. Laserbearbeitungsvorrichtung nach Anspruch 1, wobei, wenn durch den Bestimmungsabschnitt bestimmt wurde, dass das Ergebnis der Bearbeitung der Durchgangsnut schlecht ist, der Laserstrahl auf dem Werkstück in einem Bereich aufgebracht wird, in dem das Bearbeitungsergebnis als schlecht bestimmt wurde, um das Werkstück in dem Bereich zu bearbeiten.
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