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Hintergrund der Erfindung
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Technisches Gebiet
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Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Leiterplatte, genauer gesagt, auf eine Leiterpatte, die mit einem Verschlechterungserfassungsmittel ausgestaltet ist.
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Stand der Technik
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Wenn sich das auf einer Leiterplatte ausgebildete Verdrahtungsmuster aufgrund von Korrosion oder elektrolytischer Korrosion verschlechtert, führt dies zu einem Ausfall von elektrischen Geräten oder elektronischen Geräten, die diese Leiterplatte verwenden. Um ein derartiges Versagen zu verhindern, wurden verschiedene Techniken zum Erfassen einer Verschlechterung einer Leiterplatte vorgeschlagen. Als eine Technik gibt es einen Vorschlag zum Vorsehen eines Leiters, der für den Hauptzweck der Leiterplatte arbeitet, und eines Leiters zur Verschlechterungserfassung, der so ausgestaltet ist, dass er die Breite verengt oder den Isolationsabstand im Vergleich zu diesem Leiter verengt aufweist, wodurch eine Verschlechterung gefördert wird (siehe z.B.
JP 3952660 B2 . Mit dem in
JP 3952660 B2 offenbarten Vorschlag wird durch Erfassen des Verschlechterungsgrades des Leiters zur Verschlechterungserfassung versucht, eine Gegenmaßnahme durch Vorhersage des Fortschreitens der Verschlechterung des Leiters, der für den primären Zweck der Verwendung in einem frühen Stadium arbeitet, zu bestimmen.
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Zusätzlich ist als ein weiterer der gleichen Art von Technik ein Vorschlag das Drucken eines Verschlechterungserfassungsleiters getrennt von dem Leiter, der die elektrischen Schaltkreise auf der gleichen Leiterplatte ausbildet, und leitende Lötwiderstände, die dünner als normal sind, insbesondere um einen Verschlechterungserfassungsleiter zu bilden (siehe beispielsweise
JP 2001-358429 A ). Ferner gibt es auch einen Vorschlag der Ausgestaltung des Leiters (ohne das Vorsehen von Lötstopplack) eines Verschlechterungserfassungsleiters auf der oben erwähnten derartigen Leiterplatte auszusetzen (z.B.
JP H10-62476 A ). Die
DE 10 2015 116 176 A1 betrifft eine Leiterplatte mit einem Verdrahtungsmuster zum Erkennen einer Verschlechterung und ein Herstellungsverfahren dafür, bei der die Verschlechterungserfassungsverdrahtung auf demselben Substrat wie die Verdrahtung angeordnet ist, sodass die Verschlechterungserfassungsverdrahtung nicht ausgetauscht werden kann.
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Darstellung der Erfindung
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Bei der Ausbildung eines Leiters, der für den primären Zweck arbeitet, und eines Leiters für eine Verschlechterungserfassung mit einer schmaleren Breite als dieser oder ein schmalerer Isolationsabstand auf der gleichen Leiterplatte wie bei der im
JP 3952660 B2 offenbarten Technologie sinkt die Ausbeute im Leiterplattenherstellungsprozess und die Kosten steigen. Zusätzlich ist, im Falle des schmalen Ausbildens eines Teils des Lötstopplacks auf der gleichen Leiterplatte wie bei der in
JP 2001-358429 A offenbarten Technologie, eine Verkomplizierung des Herstellungsverfahrens unvermeidbar. Dieser Punkt gilt auch in der im
JP H10-62476 A offenbarten Technologie.
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Für jeden der Vorschläge in den oben genannten Druckschriften, wenn die Verschlechterung des Verschlechterungserfassungsleiters fortschreitet, wird er nicht mehr in der Lage sein, zur Erfassung der Verschlechterung zu dienen. Im Fall des Erreichens eines solchen Zustands wird es schwierig sein, nur den Verschlechterungserfassungsleiter zu ersetzen, wenn der Verschlechterungserfassungsleiter auf der gleichen Leiterplatte wie der Leiter des Primärkreises ausgebildet ist, der als das Produkt fungiert.
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Die vorliegende Erfindung wurde unter Berücksichtigung der obigen derartigen Situation gemacht und hat die Aufgabe, eine Leiterplatte vorzusehen, die einen einfachen Austausch nur eines Verschlechterungserfassungsleiters ermöglicht und Kosten senken kann.
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Gemäß der vorliegenden Erfindung weist eine Leiterplatte (z.B. die später beschriebene Leiterplatte 1) auf: eine Hauptleiterplatte (z.B. die später beschriebene Hauptleiterplatte 10), in der ein Verdrahtungsmuster auf einem isolierten Substrat ausgebildet ist; und eine Verschlechterungserfassungsverdrahtungsplatte (z.B. die später beschrieben Verschlechterungserfassungsverdrahtungsplatte 20), in der eine Verschlechterungserfassungsverdrahtung (z.B. das später beschriebene Verschlechterungserfassungsverdrahtungsmuster 25), die eine Verdrahtung mit einer Form ist, in der eine Verschlechterung im Vergleich zu dem Verdrahtungsmuster gefördert wird, auf einem von der Hauptleiterplatte separaten isolierten Substrat ausgebildet ist, und austauschbar mit der Hauptleiterplatte in der Nähe davon mittels eines austauschermöglichenden Verbindungsteils (z.B. das später beschriebene austauschermöglichende Verbindungsteil 30) verbunden ist.
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Gemäß einem ersten Aspekt der vorliegenden Erfindung ist in der Leiterplatte eines Aspekts das austauschermöglichende Verbindungsteil ein mittels Lötmittel ausgestaltetes Verbindungsteil (z.B. die später beschriebene Lötstelle 31).
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Gemäß einem zweiten Aspekt der vorliegenden Erfindung ist in der Leiterplatte, wie in dem ersten Aspekt beschrieben, das austauschermöglichende Verbindungsteil ein mittels eines elektrisch leitfähigen Klebstoffes ausgestaltetes Verbindungsteil (z.B. das später beschriebene elektrisch leitfähige Klebeverbindungsteil 32).
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Gemäß einem dritten Aspekt der vorliegenden Erfindung ist in der Leiterplatte, wie in dem ersten Aspekt beschrieben, das austauschermöglichende Verbindungsteil ein mittels eines Kabels ausgestaltetes Verbindungsteil (z.B. das später beschriebene Kabel 33).
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Gemäß einem vierten Aspekt der vorliegenden Erfindung ist in der Leiterplatte, wie in dem ersten Aspekt beschrieben, das austauschermöglichende Verbindungsteil ein mittels eines Verriegelungsbauteils, wie beispielsweise eines Steckers, ausgestaltetes Verbindungsteil.
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Gemäß der vorliegenden Erfindung ist es möglich, eine Leiterplatte zu realisieren, die einen einfachen Austausch nur eines Verschlechterungserfassungsleiters ermöglicht und Kosten senken kann.
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Figurenliste
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- 1 ist eine Draufsicht, die eine Leiterplatte als eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;
- 2 ist eine seitliche Querschnittsansicht, die einen Aspekt der Verbindung zwischen einer Hauptleiterplatte und einer Verschlechterungserfassungsverdrahtungsplatte an der Leiterplatte von 1 zeigt;
- 3 ist eine seitliche Querschnittsansicht, die einen weiteren Aspekt der Verbindung zwischen einer Hauptleiterplatte und einer Verschlechterungserfassungsverdrahtungsplatte auf der Leiterplatte von 1 zeigt;
- 4 ist ein schematisches Diagramm, das einen weiteren Aspekt der Verbindung zwischen einer Hauptleiterplatte und einer Verschlechterungserfassungsverdrahtungsplatte auf der Leiterplatte von 1 zeigt;
- 5 ist eine Ansicht, die ein Beispiel einer Verschlechterungserfassungsverdrahtungsplatte der Leiterplatte von 1 zeigt;
- 6 ist eine Ansicht, die ein weiteres Beispiel einer Verschlechterungserfassungsverdrahtungsplatte der Leiterplatte von 1 zeigt;
- 7 ist eine Ansicht, die ein weiteres Beispiel einer Verschlechterungserfassungsverdrahtungsplatte der Leiterplatte von 1 zeigt;
- 8 ist eine Ansicht, die ein weiteres Beispiel einer Verschlechterungserfassungsverdrahtungsplatte der Leiterplatte von 1 zeigt;
- 9 ist eine Ansicht, die ein weiteres Beispiel einer Verschlechterungserfassungsverdrahtungsplatte der Leiterplatte von 1 zeigt;
- 10A ist eine Ansicht, die ein weiteres Beispiel einer Verschlechterungserfassungsverdrahtungsplatte der Leiterplatte von 1 zeigt;
- 10B ist eine weitere Ansicht, die ein weiteres Beispiel einer Verschlechterungserfassungsverdrahtungsplatte der Leiterplatte von 1 zeigt;
- 11A ist eine Draufsicht, die ein modifiziertes Beispiel zeigt, das sich auf die Leiterplatte von 1 bezieht;
- 11B ist eine Vorderansicht, die sich auf einen Teil der Komponenten des modifizierten Beispiels in Bezug auf die Leiterplatte von 1 fokussiert;
- 12 ist eine Querschnittsansicht, die ein erstes Verschlechterungsförderungsmuster zeigt, das auf die Verschlechterungserfassungsverdrahtungsplatten der 1 bis 10B angewendet wird;
- 13 ist eine Querschnittsansicht, die ein zweites Verschlechterungsförderungsmuster zeigt, das auf die Verschlechterungserfassungsverdrahtungsplatten der 1 bis 10B angewendet wird;
- 14 ist eine Querschnittsansicht, die ein drittes Verschlechterungsförderungsmuster zeigt, das auf die Verschlechterungserfassungsverdrahtungsplatten der 1 bis 10B angewendet wird;
- 15 ist eine Querschnittsansicht, die ein viertes Verschlechterungsförderungsmuster zeigt, das auf die Verschlechterungserfassungsverdrahtungsplatten der 1 bis 10B angewendet wird;
- 16 ist eine Querschnittsansicht, die ein fünftes Verschlechterungsförderungsmuster zeigt, das auf die Verschlechterungserfassungsverdrahtungsplatten der 1 bis 10B angewendet wird;
- 17 ist eine Querschnittsansicht, die ein sechstes Verschlechterungsförderungsmuster zeigt, das auf die Verschlechterungserfassungsverdrahtungsplatten der 1 bis 10B angewendet wird;
- 18 ist ein Graph der eine charakteristische Lebensdauer einer Leiterplatte zeigt.
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Beschreibung der Ausführungsformen
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1 ist ein Umrissblockdiagramm, das eine gedruckte Schaltungsplatte (Leiterplatte; englisch: printed circuit board) als eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt. Eine Leiterplatte 1 enthält eine Hauptleiterplatte 10, in der ein Verdrahtungsmuster (nicht dargestellt) auf einem isolierten Substrat 11 ausgebildet ist, und eine Verschlechterungserfassungsverdrahtungsplatte 20, die austauschbar mittels eines austauschermöglichenden Verbindungsteils (abgedeckt und nicht an der Unterseite in 1 gezeigt) zu einer Nähe der Leiterplatte 10 verbunden ist. Auf der Verschlechterungserfassungsverdrahtungsplatte 20 ist ein Verschlechterungserfassungsverdrahtungsmuster ausgebildet, das eine Verdrahtung mit der Form aufweist, für die eine Verschlechterung im Vergleich zu dem Verdrahtungsmuster von der Hauptleiterplatte 10 auf dem isolierten Substrat 21, das von der Hauptleiterplatte 10 getrennt ist, ausgebildet ist. Die Verschlechterungserfassungsverdrahtungsplatte 20 wird durch Bezugnahme auf die Zeichnungen später erläutert.
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2 ist eine seitliche Querschnittsansicht, die einen Aspekt der Verbindung zwischen einer Hauptleiterplatte und einer Verschlechterungserfassungsverdrahtungsplatte an der Leiterplatte von 1 zeigt. Im Verbindungsmodus von 2 ist eine Lötverbindung 31 als ein austauschermöglichendes Verbindungsteil 30 zwischen einem Kissenteil 12 eines auf dem isolierten Substrat 11 der Hauptleiterplatte 10 ausgebildeten Leiters und dem auf dem isolierten Substrat 21 gebildeten Verschlechterungserfassungsverdrahtungsmuster vorgesehen. Die Lötverbindung 31 verbindet das Kissenteil 12, das auf dem isolierten Substrat 11 der Hauptleiterplatte 10 und der Verschlechterungserfassungsverdrahtungsplatte 20 ausgebildet ist, wobei die Eigenschaften des Lötmittels in lösbarer Verbindung zwischen den Leitern verwendet werden. Mit anderen Worten bildet die Lötverbindung 31 ein austauschermöglichendes Verbindungsteil 30, das die Verschlechterungserfassungsverdrahtungsplatte 20 austauschbar mit der Nähe der Hauptleiterplatte 10 verbindet. Daher wird es im Falle des Fortschreitens einer Verschlechterung der Verschlechterungserfassungsverdrahtungsplatte 20 möglich, mit einer neuen Verschlechterungserfassungsverdrahtungsplatte 20 leicht zu tauschen, indem die Verschlechterungserfassungsverdrahtungsplatte 20 von der Hauptleiterplatte 10 an das austauschermöglichende Verbindungsteil 30 oder an der Stelle der Lötverbindung 31 gelöst wird.
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3 ist eine seitliche Querschnittsansicht, die einen weiteren Aspekt der Verbindung zwischen der Hauptleiterplatte und der Verschlechterungserfassungsverdrahtungsplatte der Leiterplatte von 1 zeigt. Im Verbindungsmodus von 3 ist ein leitfähiges Klebeverbindungsteil 32 als austauschermöglichendes Verbindungsteil 30 zwischen dem auf dem isolierten Substrat 11 der Hauptleiterplatte 10 ausgebildeten Leiter (nicht dargestellt) und der auf dem isolierten Substrat ausgebildeten Verschlechterungserfassungsverdrahtung 21 der Verschlechterungserfassungsverdrahtungsplatte 20 vorgesehen. Mit anderen Worten erzeugt das leitfähige Klebeverbindungsteil 32 das austauschermöglichende Verbindungsteil 30, das den auf der Hauptleiterplatte 10 ausgebildeten Leiter und die Verschlechterungserfassungsverdrahtung anhaftet, die auf der Verschlechterungserfassungsverdrahtungsplatte ausgebildet ist. Wenn das durch den leitfähigen Klebstoff ausgebildete austauschermöglichende Verbindungsteil ein Trennmittel verwendet, ist es möglich, den anhaftenden Abschnitt zu trennen. Daher ist es im Falle einer Verschlechterung der Verschlechterungserfassungsverdrahtungsplatte 20 möglich, mit einer neuen Verschlechterungserfassungsverdrahtungsplatte 20 leicht zu tauschen, indem die Verschlechterungserfassungsverdrahtungsplatte 20 von der Leiterplatte 10 bei dem austauschermöglichenden Verbindungsteil 30 oder an der Stelle des leitfähigen Klebeverbindungsteils 32 gelöst wird.
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4 ist eine Querschnittsansicht, die einen weiteren Aspekt der Verbindung zwischen der Hauptleiterplatte und der Verschlechterungserfassungsverdrahtungsplatte der Leiterplatte von 1 zeigt. Im Verbindungsmodus von 4 ist ein Kabel 33 als das austauschermöglichende Verbindungsteil 30 zwischen dem auf dem isolierten Substrat 11 der Hauptleiterplatte 10 ausgebildeten Leiter vorgesehen, und der Leiter ist so ausgebildet, dass er mit der auf dem isolierten Substrat ausgebildeten Verschlechterungserfassungsverdrahtung 21 der Verschlechterungserfassungsverdrahtungsplatte 20 leitet. Mit anderen Worten erzeugt das Kabel 33 das austauschermöglichende Verbindungsteil 30, das den auf der Hauptleiterplatte 10 ausgebildeten Leiter und die Verschlechterungserfassungsverdrahtung der Verschlechterungserfassungsverdrahtungsplatte 20 mittels eines Kabels verbindet, das an einer geeigneten Stelle geschnitten und ausgetauscht werden kann. Daher ist es im Falle einer Verschlechterung der Verschlechterungserfassungsverdrahtungsplatte 20 möglich, mit einer neuen Verschlechterungserfassungsverdrahtungsplatte 20 leicht zu tauschen, indem die Verschlechterungserfassungsverdrahtungsplatte 20 von der Hauptleiterplatte 10 an der Stelle des Kabels 33 getrennt wird, welches das austauschermöglichende Verbindungsteil 30 ist.
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Drei Beispiele des austauschermöglichenden Verbindungsteils 30, die die Verschlechterungserfassungsverdrahtungsplatte 20 mit der Hauptleiterplatte 10 austauschbar verbinden, wurden oben mit Bezug auf die 2 bis 4 erklärt. Mit anderen Worten besteht der Fall, dass das austauschermöglichende Verbindungsteil 30 durch Lötmittel (2) ausgebildet wird, der Fall, dass es durch einen leitfähigen Klebstoff (3) ausgebildet wird, und der Fall, dass es durch ein Kabel ausgebildet wird (4). Jedoch sind die Ausgestaltungsbeispiele des austauschermöglichenden Verbindungsteils 30 nicht darauf beschränkt. Mit anderen Worten, kann das austauschermöglichende Verbindungsteil 30 so ausgestaltet sein, dass es durch einen Stecker (nicht dargestellt) ausgebildet wird.
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Als nächstes wird unter der Verschlechterungserfassungsverdrahtungsplatte der Leiterplatte in 1 ein Beispiel für die Verwendung bei der Verdrahtungsunterbrechungserfassung in der Sequenz durch Bezugnahme auf die 5 bis 8 erklärt. 5 ist eine Ansicht, die ein Beispiel einer Verschlechterungserfassungsverdrahtungsplatte der Leiterplatte in 1 zeigt. Die Verschlechterungserfassungsverdrahtungsplatte 20 in 5 wird auf die Vermutung des Verdrahtungsunterbrechungsauftretens in der Musterschnittstelle der Hauptleiterplatte 10 angewendet. Die Bezugsnummer 250 ist dieser Verschlechterungserfassungsverdrahtungsplatte 20 zugeordnet. In der Verschlechterungserfassungsverdrahtungsplatte 250 ist ein Verschlechterungserfassungsverdrahtungsmuster 25 auf einer Hauptoberfläche des isolierten Substrats 21 (in dem vorliegenden Beispiel die untere Oberfläche, welche die gegenüberliegende Fläche der Hauptleiterplatte 10 in 1 ist) ausgebildet. Wie in der Zeichnung hat das Verschlechterungserfassungsverdrahtungsmuster 25 eine Endseite davon, die sich zu einem ersten Kissenteil 251 erstreckt, und die andere Endseite erstreckt sich zu einem zweiten Kissenteil 252. Das Verschlechterungserfassungsverdrahtungsmuster 25 hat einen Abschnitt des Leiters, der sich von dem ersten Kissenteil 251 zu dem zweiten Kissenteil 252 erstreckt, der mit dem Lötstopplack 26 bedeckt ist; jedoch werden an einer Vielzahl von Stellen auf halber Strecke (vier Stellen in dem Beispiel der Zeichnung) Verschlechterungsförderungsteile 253 ausgebildet, an denen der Lötstopplack 26 unterbrochen wird, um Luft ausgesetzt zu sein. Mit anderen Worten, bei den Verschlechterungsförderungsteilen 253 ist die Verschlechterung relativ schnell, da sie der Luft ausgesetzt ist, verglichen mit den Kissenteilen, usw. des Verdrahtungsmusters, das durch den Lötstopplack auf der Hauptleiterplatte 10 in 1 bedeckt ist. Daher kann durch Erfassen dieser Verschlechterung in der Verschlechterungserfassungsverdrahtungsplatte 250 in einem frühen Stadium die Verschlechterungsausdehnung des Verdrahtungsmusters auf der Hauptleiterplatte 10 angenommen werden (in diesem Fall das Timing, das zur auftretenden Verdrahtungsunterbrechung der Musterschnittstelle führt).
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In der Verschlechterungserfassungsverdrahtungsplatte 250 von 5 wird eine Gleichspannung Vcc zur Erfassung an den ersten Kissenteil 251 angelegt, und die Seite des zweiten Kissenteils 252 ist wie in der Zeichnung geerdet (0 V). Ein Widerstand R zur Spannungserfassung wird zwischen den zweiten Kissenteil 252 und der Erdung eingefügt. Gemäß einer Spannung V5, die von einem Anschluss des Widerstands R auf der Seite des zweiten Kissenteils 252 erfasst wird, wird eine Verdrahtungsunterbrechung des Verschlechterungserfassungsverdrahtungsmusters 25 erfasst. Mit anderen Worten, wenn der Verschlechterungsförderungsteil 253 des Verschlechterungserfassungsverdrahtungsmusters 25 bevorzugt verschlechtert wird, um eine Verdrahtungsunterbrechung zu erzeugen, beträgt die Spannung V5 ungefähr Vcc, bis unmittelbar bevor dies auftritt und dann auf das Erdpotential (0 V) verschoben wird. In der Verschlechterungserfassungsverdrahtungsplatte 250 von 5, wird angenommen, dass die Verdrahtungsunterbrechung des Verschlechterungserfassungsverdrahtungsmusters 25 vor der Schaltung der Hauptleiterplatte 10 durch Ausgestaltung auf diese Weise erfasst wird, wodurch die Verdrahtungsunterbrechungszeitsteuerung der Musterschnittstelle der Hauptleiterplatte 10 basierend auf der Erfassung der Verdrahtungsunterbrechung angenommen wird.
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6 ist eine Ansicht, die ein weiteres Beispiel einer Verschlechterungserfassungsverdrahtungsplatte der Leiterplatte von 1 zeigt. 6 ist mit den gleichen Bezugszeichen der entsprechenden Teile aus 5 versehen und Erläuterungen dieser jeweiligen Teile werden, falls geeignet, weggelassen. Die Verschlechterungserfassungsverdrahtungsplatte von 6 wird auf die Vermutung der Verdrahtungsunterbrechung der Musterschnittstelle der Hauptleiterplatte 10 angewendet, ähnlich wie in dem Beispiel von 5 und der zugeordneten Referenznummer 250a. Die Verschlechterungserfassungsverdrahtungsplatte 250a von 6 teilt die meisten Abschnitte mit der Verschlechterungserfassungsverdrahtungsplatte 250 von 5.
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Andererseits unterscheiden sich beide in Bezug auf die Form des Verschlechterungsförderungsteils 253a (253 in 5). In dem Verschlechterungsförderungsteil 253 in dem Verschlechterungserfassungsverdrahtungsmusters 25 von 5, ist der Leiter, der sich von dem ersten Kissenteil 251 zu dem zweiten Kissenteil 252 erstreckt, eine Form, die an einer Vielzahl von Stellen in der Mitte Luft ausgesetzt ist, indem der Lötstopplack 26 unterbrochen wird. Im Vergleich dazu wird in dem Verschlechterungsförderungsteil 253a des Verschlechterungserfassungsverdrahtungsmusters 25a in dem Beispiel von 6 eine Form gemacht, bei der eine Stelle eines Teils, der sich in der Mitte erstreckt, der Luft über eine relativ große Fläche ausgesetzt ist. Aus diesem Grund wird in der Verschlechterungserfassungsverdrahtungsplatte 250a von 6 eine Verschlechterung bemerkenswert gefördert im Vergleich zu der Verschlechterungserfassungsverdrahtungsplatte 250 von 5 und eine frühzeitige Erfassung der Verschlechterung ist möglich. Es sei darauf hingewiesen, dass auch in der Verschlechterungserfassungsverdrahtungsplatte 250a von 6, die Erfassung der Verdrahtungsunterbrechung auf der Spannung V6 basiert, die von dem Anschluss des Widerstands R auf der Seite des zweiten Kissenteils 252 erfasst wird. Das Erfassungsprinzip ist wie zuvor für die Spannung V5 in 5.
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7 ist eine Ansicht, die ein weiteres Beispiel der Verschlechterungserfassungsverdrahtungsplatte der Leiterplatte in 7 zeigt. 7 ist durch Zuordnen der gleichen Bezugszeichen zu entsprechenden Teilen mit der zuvor beschriebenen 5 dargestellt, und die Erläuterungen von jedem dieser Teile werden, falls geeignet, weggelassen. Für die Verschlechterungserfassungsverdrahtungsplatte von 7, in dem Beispiel von 5 wird sie auf die Vermutung der Verdrahtungsunterbrechung an der Musterschnittstelle der Hauptleiterplatte 10 angewendet; wohingegen das Beispiel von 7 auf die Vermutung der Verdrahtungsunterbrechung eines Durchgangs angewendet wird und dem Bezugszeichen 250b zugeordnet ist.
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Die Verschlechterungserfassungsverdrahtungsplatte 250b von 7 teilt die meisten Abschnitte mit der Verschlechterungserfassungsverdrahtungsplatte 250 von 5. Andererseits ist der Punkt der Differenz zwischen den beiden, dass das Verschlechterungserfassungsverdrahtungsmuster 25 in dem Beispiel von 5 in der Form ist, die Luft aussetzt ist, indem der Lötstopplack 26 an einer Vielzahl von Stellen in der Mitte des Leiters unterbrochen wird, der sich von dem ersten Kissenteil 251 zu dem zweiten Kissenteil 252 erstreckt; während in dem Verschlechterungserfassungsverdrahtungsmuster 25b in dem Beispiel von 7 eine Form gemacht wird, bei der an einer Stelle des Abschnitts 253b, der sich einer Durchkontaktierung annähert, ein Abschnitt, der eine Ringform aufweist, die das Durchgangsloch umgibt, relativ großflächig ist und Luft ausgesetzt ist. Aus diesem Grund wird in der Verschlechterungserfassungsverdrahtungsplatte 250b von 7, verglichen mit der Verschlechterungserfassungsverdrahtungsplatte 250 von 5, eine Verschlechterung bemerkenswert an dem ringförmigen Abschnitt, der die Durchkontaktierung umgibt, gefördert, wodurch eine frühzeitige Verschlechterungserfassung möglich ist. Es sei darauf hingewiesen, dass auch in der Verschlechterungserfassungsverdrahtungsplatte 250b von 7 die Erfassung der Verdrahtungsunterbrechung auf der Spannung V7 basiert, die von dem Anschluss des Widerstands R auf der Seite des zweiten Kissenteils 252 erfasst wird. Das Erfassungsprinzip ist wie zuvor für die Spannung V5 in 5.
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8 ist eine Ansicht, die ein weiteres Beispiel der Verschlechterungserfassungsverdrahtungsplatte der Leiterplatte in 1 zeigt. 8 ist mit den gleichen Bezugszeichen versehen, die den entsprechenden Teilen mit der zuvor beschriebenen 5 entsprechen, und Erläuterungen dieser jeweiligen Teile werden, falls geeignet, weggelassen. Für die Verschlechterungserfassungsverdrahtungsplatte von 8, wohingegen das Beispiel von 5 auf die Vermutung der Verdrahtungsunterbrechung an der Musterschnittstelle der Hauptleiterplatte 10 angewendet wird; wird die von 8 auf die Vermutung der Verdrahtungsunterbrechung an der Stelle eines Schulterteils eines Lötstopplack-abgedeckten Musters angewendet und der Bezugsnummer 250c zugeordnet. Die Verschlechterungserfassungsverdrahtungsplatte 250c von 8 teilt die meisten Abschnitte mit der Verschlechterungserfassungsverdrahtungsplatte 250 von 5. Andererseits unterscheiden sich beide in Bezug auf das Verschlechterungserfassungsverdrahtungsmuster 25c (25 in dem Beispiel von 5). Das Verschlechterungserfassungsverdrahtungsmuster 25 in dem Beispiel von 5 ist von einer Form, die der Luft ausgesetzt ist, indem der Lötstopplack 26 unterbrochen wird, an einer Vielzahl von Stellen in der Mitte des Leiters, der sich von dem ersten Kissenteil 251 zu dem zweiten Kissenteil 252 erstreckt. Im Vergleich dazu wird in dem Verschlechterungserfassungsverdrahtungsmuster 25c in dem Beispiel von 8 eine Form gemacht, bei der das Lötstopplackteil nicht in der Mitte unterbrochen wird und vollständig von einem Ende zum anderen Ende bedeckt ist.
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Die Verschlechterungserfassungsverdrahtungsplatte 250c von 8 ähnelt den Stellen an der oberen Schulter des Lötstopplack-abgedeckten Musters auf der Hauptleiterplatte 10 von 1. Mit anderen Worten, es erzeugt einen Leiterabschnitt, in dem die Verdrahtungsbreite relativ schmal ist. Aus diesem Grund ist im Vergleich zu der Hauptleiterplatte 10 eine frühzeitige Verschlechterungserfassung für den oben erwähnten schmalen Leiterabschnitt möglich. Es sei darauf hingewiesen, dass auch in der Verschlechterungserfassungsverdrahtungsplatte 250c von 8 die Erfassung der Verdrahtungsunterbrechung auf der Spannung V8 basiert, die von dem Anschluss des Widerstands R auf der Seite des zweiten Kissenteils 252 erfasst wird. Das Erfassungsprinzip ist wie zuvor für die Spannung V5 in 5.
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Als nächstes wird unter den Verschlechterungserfassungsverdrahtungsplatten der Leiterplatte in 1 ein Beispiel eines, das bei der Leckage Erfassung verwendet wird, in der Sequenz durch Bezugnahme auf 9 erläutert. 9 ist eine Ansicht, die ein weiteres Beispiel der Verschlechterungserfassungsverdrahtungsplatte der Leiterplatte in 1 zeigt. Das Beispiel von 9 wird auf die Vermutung von Leckage (Isolationsabbau) der Hauptleiterplatte 10 angewendet und dem Bezugszeichen 250d zugeordnet.
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In der Verschlechterungserfassungsverdrahtungsplatte 250d ist das Verschlechterungserfassungsverdrahtungsmuster 25d auf einer Hauptoberfläche des isolierten Substrats 21 ausgebildet (in dem vorliegenden Beispiel die Bodenfläche, welche die gegenüberliegende Fläche der Hauptleiterplatte 10 in 1 ist). Wie in der Zeichnung umfasst das Verschlechterungserfassungsverdrahtungsmuster 25d einen ersten Leiterabschnitt 255 und einen zweiten Leiterabschnitt 256, welche zwei Leiterabschnitte parallel zu der Horizontalen in 1 sind. Eine Endseite des ersten Leiterabschnitts 255 erstreckt sich zu dem ersten Kissenteil 251 und die andere Endseite erstreckt sich zu dem zweiten Kissenteil 252. Ähnlich erstreckt sich eine Endseite des zweiten Leiterabschnitts 256 zu dem dritten Kissenteil 353 und die andere Endseite erstreckt sich zu dem vierten Kissenteil 354. An einer Stelle eines Abschnitts, der sich in einer Zwischenposition des ersten Leiterabschnitts 255 in einer Breite verbreitert, wird ein erster Isolationsabbauförderungsteil 257 ausgebildet. Der erste Isolationsabbauförderungsteil 257 erzeugt eine Form, in der der Leiter der Luft ausgesetzt wird, indem der Lötstopplack über eine relativ große Fläche unterbrochen wird. Ähnlich wird an einer Stelle eines Abschnitts, der sich in der Breite an einem Zwischenabschnitt des zweiten Leiterabschnitts 256 erweitert, der zweite Isolationsabbauförderungsteil 258 ausgebildet. Der zweite Isolationsabbauförderungsteil 258 erzeugt eine Form, in der der Leiter der Luft ausgesetzt wird, indem der Lötstopplack über eine relativ große Fläche unterbrochen wird.
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Zwischen dem ersten Isolationsabbauförderungsteil 257 und dem zweiten Isolationsabbauförderungsteil 258, der in der obigen Weise ausgebildet ist, wird Luft ausgesetzt, und somit ist der Isolationsabbau zwischen diesen beiden relativ schneller als an anderen Schaltungen. Der Isolationsabbau wird durch eine Leckage Erfassung zwischen dem ersten Isolationsabbauförderungsteil 257 und dem zweiten Isolationsabbauförderungsteil 258 erfasst. Daher wird es durch Erfassen dieses Isolationsabbaus in einem frühen Stadium der Verschlechterungserfassungsverdrahtungsplatte 250d möglich, die Isolationsabbaugeschwindigkeit des Verdrahtungsmusters auf der Hauptleiterplatte 10 (in diesem Fall der Zeitpunkt, in dem sich die Isolierung zwischen den Leitern verschlechtert und der Leckagestrom auftritt) zu schätzen.
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In der Verschlechterungserfassungsverdrahtungsplatte 250d von 9 wird die Gleichspannung Vcc zur Erfassung an den ersten Kissenteil 251 angelegt, und die Seite des vierten Kissenteils 354 ist wie in den Zeichnungen geerdet (0 V). Der Widerstand R zur Spannungserfassung wird zwischen dem vierten Kissenteil 354 und der Erdung eingefügt. Der Isolationsabbau wird entsprechend der Spannung V9 erfasst, die von dem Anschluss des Widerstands R auf der Seite des vierten Kissenteils 354 erfasst wird. Mit anderen Worten, die Isolierung zwischen dem ersten Isolationsabbauförderungsteil 257 und dem zweiten Isolationsabbauförderungsteil 258 des Verschlechterungserfassungsverdrahtungsmusters 25d verschlechtert sich vorzugsweise, und wenn das Leck des Stroms auftritt, ist die Spannung V9 bis unmittelbar vor diesem Auftreten ungefähr 0 V und verschiebt sich auf Vcc. In der Verschlechterungserfassungsverdrahtungsplatte 250d von 9 wird das Leck des Stroms (Isolationsabbau) bei dem Verschlechterungserfassungsverdrahtungsmuster 25d im Vorfeld eher als die Hauptleiterplatte 10 mittels einer solche Ausgestaltung erfasst; daher wird ein Isolationsabbau der Hauptleiterplatte 10 auf der Grundlage der Erfassung des Leckagestroms angenommen.
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Als nächstes werden unter den Verschlechterungserfassungsverdrahtungsplatten der Leiterplatte in 1 ein anderes Beispiel davon, das bei der Verdrahtungsunterbrechungserfassung verwendet wird, durch Bezugnahme auf 10A und 10B erläutert. 10A und 10B ist eine Ansicht, die ein weiteres Beispiel einer Verschlechterungserfassungsverdrahtungsplatte der Leiterplatte 10 in 10 zeigt. 10A ist eine Ansicht, die das Verdrahtungsmuster auf einer Hauptoberfläche (Oberseite) darstellt, welche die gegenüberliegende Seite der gegenüberliegenden Fläche der Leiterplatte 10 der Verschlechterungserfassungsverdrahtungsplatte ist. 10B repräsentiert das Verdrahtungsmuster auf der anderen Hauptfläche (Unterseite), welche die gegenüberliegende Fläche der Leiterplatte 10 der Verschlechterungserfassungsverdrahtungsplatte ist. Die Verschlechterungserfassungsverdrahtungsplatte 20 von 10A und 10B ist eine weitere Ausführungsform, die auf die Vermutung der Verdrahtungsunterbrechung in der Hauptleiterplatte 10 angewendet wird, und die Bezugsnummer 250e ist ihnen zugeordnet. Wie in der Zeichnung ähnelt das Verdrahtungsmuster von 10A der zuvor beschriebenen 6. Das Verschlechterungserfassungsverdrahtungsmuster 25e ist auf einer Hauptoberfläche (Oberseite) der Verschlechterungserfassungsverdrahtungsplatte 250e ausgebildet. Wie in der Zeichnung hat das Verschlechterungserfassungsverdrahtungsmuster 250e eine Endseite davon, die sich zu dem ersten Kissenteil 251a erstreckt, und die andere Endseite erstreckt sich zu dem zweiten Kissenteil 252a. Wie durch Vergleichen der 10A und 10B einfach verständlich ist, kann der erste Kissenteil 251a und der zweite Kissenteil 252a auf der Oberseite in 10A eine Kissen-Durchkontaktierung (engl. pad-on-through-via) aufweisen (es auch keine Kissen-Durchkontaktierung sein, sondern die Durchkontaktierung kann in der Nähe des Kissens angeordnet sein, um das Kissen und die Durchkontaktierung verbinden), und beim Invertieren der Verschlechterungserfassungsverdrahtungsplatte 250e, sind der erste Kissenteil 251a und der zweite Kissenteil 252a als getrennte Leiter angeordnet, die dieselben wie die in 10B gezeigte Unterseite sind. Wie in 10A gezeigt ist, erzeugt das Verschlechterungserfassungsverdrahtungsmuster 25e eine Form, die Luft über eine relativ große Fläche an einer Stelle eines Abschnitts aussetzt ist, der sich in der Mitte des Leiters, der sich von dem ersten Kissenteil 251a zu dem zweiten Kissenteil 252a erstreckt, in der Breite erweitert. Dieser Teil, der der Luft ausgesetzt ist, ist der Verschlechterungsförderungsteil 263e, und die Verschlechterung wird dort gefördert. Daher wird es durch das Erfassen dieser Verschlechterung in der Verschlechterungserfassungsverdrahtungsplatte 250e in einem frühen Stadium möglich, die Verschlechterungsausdehnung des Verdrahtungsmusters auf der Hauptleiterplatte 10 zu schätzen (in diesem Fall das Timing, das zur Verdrahtungsunterbrechung der Musterschnittstelle führt).
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In der Verschlechterungserfassungsverdrahtungsplatte 250e von 10A und 10B, wird an der in 10B gezeigten Unterseite die Gleichspannung Vcc zur Erfassung an den ersten Kissenteil 251a angelegt, und die Seite des zweiten Kissenteils 252a ist geerdet (0 V). Der Widerstand R zur Spannungserfassung wird zwischen dem zweiten Kissenteil 252a und der Erdung eingefügt. Entsprechend der Spannung V10, die von dem Anschluss des Widerstands R auf der Seite des zweiten Anschlussteils 252a erfasst wird, wird eine Verdrahtungsunterbrechung des Verschlechterungserfassungsverdrahtungsmusters 25e erfasst. Mit anderen Worten, wenn der Verschlechterungsförderungsteil 263e des Verschlechterungserfassungsverdrahtungsmusters 25e sich vorzugsweise verschlechtert, um eine Verdrahtungsunterbrechung zu erzeugen, ist die Spannung V10 ungefähr Vcc, bis diese unmittelbar vor diesem Auftreten dann auf das Erdungspotential (0 V) verschoben wird. Bei der Verschlechterungserfassungsverdrahtungsplatte 250e in 10A und 10B, wird angenommen, dass die Verdrahtungsunterbrechung des Verschlechterungserfassungsverdrahtungsmusters 25 vor der Schaltung der Hauptleiterplatte 10 durch Ausgestaltung auf diese Weise erfasst wird, wobei das Verdrahtungsunterbrechungstiming der Musterschnittstelle der Hauptleiterplatte 10 basierend auf der Erfassung der Verdrahtungsunterbrechung angenommen wird.
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11A ist eine Draufsicht, die ein modifiziertes Beispiel zeigt, das sich auf die Leiterplatte von 11 bezieht. 11B ist eine Vorderansicht, die sich auf einen Teil der Komponenten des modifizierten Beispiels in Bezug auf die Leiterplatte von 1 bezieht. Die Leiterplatte als die vorstehend erwähnte Ausführungsform hat die Verschlechterungserfassungsverdrahtungsplatte 20 auf der Hauptleiterplatte 10 eingebaut; wohingegen die Hauptleiterplatte 10a in 11A und 11B eine Dummy-Komponente zur Verschlechterungsschätzung zusätzlich zu den für den ursprünglichen Zweck angeordneten Funktionselementen in einem Bauteilmontagebereich (eine Hauptfläche und/oder die andere Hauptfläche) eingebaut hat.
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In dem Beispiel von 11A und 11B sind insbesondere die Dummy-Komponenten D1 bis D17 auf der Hauptleiterplatte 10a in einem Bereich angeordnet, in dem die Verschlechterung dazu neigt, voranzuschreiten. Mit anderen Worten sind die Dummy-Komponenten D1 bis D14 in einem Bereich eines Umfangsteils angeordnet, an dem Schneidflüssigkeit für den Bearbeitungsschritt der Leiterplatte 10a dazu neigt, zu haften und zu verharren. Zusätzlich sind die Dummy-Komponenten D15 bis D17 in einem Bereich auf einer Vorderseite eines Gebläses 15 angeordnet, der sich mit dem Strömungspfad des Luftstroms des Gebläses 15 befasst, wie unter Bezugnahme auf 11A und 11B leicht verständlich ist. Für die auf diese Weise angeordneten Dummy-Komponenten D1 bis D17 neigt die Verschlechterung dazu, sich im Vergleich zu den für den ursprünglichen Zweck installierten Funktionselementen auf der Hauptleiterplatte 10 voranzuschreiten. Daher wird durch Erfassen einer Verschlechterung der Dummy-Komponenten D1 bis D17 die Ausdehnung der Verschlechterung für die für den ursprünglichen Zweck auf der Hauptleiterplatte 10 installierten Funktionselemente vermutet.
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Als nächstes werden die ersten bis sechsten Verschlechterungsförderungsmuster, die auf die Verschlechterungserfassungsverdrahtungsplatten in den 1 bis 10B angewendet werden, jeweils durch Bezugnahme auf die 12 bis 17 in der Reihenfolge erklärt. 12 ist eine Querschnittsansicht, die ein erstes Verschlechterungsförderungsmuster zeigt, das auf die vorstehend erwähnte Verschlechterungserfassungsverdrahtungsplatte aufgebracht ist. In 12 wird das Leitermuster P12, welches das auf dem isolierten Basismaterial M12, welches das isolierte Substrat der Leiterplatte bildende Verdrahtungsmusteraus bildet, durch den Lötstopplack S12 beschichtet. Bei einem solchen Leitermuster P12 wird der Lötstopplack S12 teilweise abgezogen, so dass insbesondere eine Verschlechterung gefördert wird.
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Alternativ ist der Lötstopplack S12 lokal vorgesehen, so dass das Leitermuster P12 teilweise von Beginn an exponiert ist. Bei einer Lötstopplack-Schnittstelle Z12, bei der sich der Lötstopplack S12 von dem Teilbereich der Oberfläche des Leitermusters P12, wie oben erwähnt, zurückzieht, einschließlich eines Bereichs des Randteils des Lötstopplacks S12, bei dem sich ein Spalt von der Oberfläche des Leitermusters P12 bilden kann, wird eine Verschlechterung wie Korrosion und elektrolytische Korrosion des Leitermusters P12 gefördert. Mit anderen Worten, die Funktion der Verschlechterungserfassung zeigt ein bevorzugtes Merkmal.
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13 ist eine Querschnittsansicht, die ein zweites Verschlechterungsförderungsmuster zeigt, das auf die vorstehend erwähnte Verschlechterungserfassungsverdrahtungsplatte aufgebracht wird. In 13 ist ein Leitermuster P13, welches ein auf dem isolierten Basismaterial M13 ausgebildetes Verdrahtungsmuster ist, durch den Lötstopplack S13 beschichtet. In diesem Fall wird insbesondere die Dicke des Lötstopplacks S13 in einem Schulterbereichsumgebung Z13 des Leitermusters P13 relativ dünn und eine Verschlechterung wie Korrosion und elektrolytische Korrektur werden insbesondere gefördert. Daher zeigt die Funktion der Verschlechterungserfassung ein bevorzugtes Merkmal.
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14 ist eine Querschnittsansicht, die ein drittes Verschlechterungsförderungsmuster zeigt, das auf die vorstehend erwähnte Verschlechterungserfassungsverdrahtungsplatte angewendet wird. In 14 wird ein Leitermuster P14, das ein spezifisches Verdrahtungsmuster auf dem isolierten Basismaterial M14 ist, nicht durch den Lötstopplack S14 beschichtet und somit exponiert. Für ein solches Leitermuster P14 wird eine Verschlechterung besonders gefördert, und die Funktion der Verschlechterungserfassung zeigt ein bevorzugtes Merkmal.
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15 ist eine Querschnittsansicht, die ein viertes Verschlechterungsförderungsmuster zeigt, das auf die vorstehend erwähnte Verschlechterungserfassungsverdrahtungsplatte aufgebracht wird. In 15 sind zwei Leitermuster P15, P15 repräsentativ unter einer Vielzahl von Verdrahtungsmustern ausgebildet, die auf dem isolierten Basismaterial M15 ausgebildet sind. Die Leitermuster P15, P15 sind so ausgebildet, dass das Intervall d1 zwischen benachbarten im Vergleich zu einem Standardintervall d für das Verdrahtungsmuster der vorgenannten Hauptleiterplatte 10 kleiner wird. Daher wird zwischen den benachbarten Leitermustern P15, P15 die Isolierungsverschlechterung mehr gefördert als das Verdrahtungsmuster der Hauptleiterplatte 10. Mit anderen Worten, die Funktion der Verschlechterungserfassung zeigt ein bevorzugtes Merkmal.
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16 ist eine Querschnittsansicht, die ein fünftes Verschlechterungsförderungsmuster zeigt, das auf die vorstehend erwähnte Verschlechterungserfassungsverdrahtungsplatte aufgebracht wird. In 16 sind zwei Leitermuster P16, P16 repräsentativ unter einer Vielzahl von Verdrahtungsmustern ausgedrückt, die auf dem isolierten Basismaterial M16 ausgebildet sind. Die Leitermuster P16, P16 sind so ausgebildet, dass eine Breite w1 von diesen im Vergleich zu einer Standardbreite w für das Verdrahtungsmuster der vorgenannten Hauptleiterplatte 10 kleiner wird. Daher werden an den Leitermustern P16, P16 eine Verschlechterung wie Korrosion, und die elektrolytische Korrosion mehr als für das Verdrahtungsmuster der Hauptleiterplatte 10 gefördert. Mit anderen Worten, die Funktion der Verschlechterungserfassung zeigt ein bevorzugtes Merkmal.
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17 ist eine Querschnittsansicht, die ein sechstes Verschlechterungsförderungsmuster zeigt, das auf die vorstehend erwähnte Verschlechterungserfassungsverdrahtungsplatte aufgebracht wird. In 17 sind zwei Leitermuster P17, P17 repräsentativ aus einer Vielzahl von Verdrahtungsmustern ausgedrückt, die auf dem isolierten Basismaterial M17 ausgebildet sind. Die Leitermuster P17, P17 sind so ausgebildet, dass deren Dickenabmessung h1 im Vergleich zu einer Standarddickenabmessung h für das Verdrahtungsmuster der vorgenannten Hauptleiterplatte 10 kleiner ist. Daher werden an den Leitermustern P16, P16 eine Verschlechterung wie Korrosion, und die elektrolytische Korrosion mehr als für das Verdrahtungsmuster der Hauptleiterplatte 10 gefördert. Mit anderen Worten, die Funktion der Verschlechterungserfassung zeigt ein bevorzugtes Merkmal.
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Die ersten bis sechsten Verschlechterungsförderungsmuster, die auf die oben beschriebene Verschlechterungserfassungsverdrahtungsplatte angewendet werden, sind oben unter Bezugnahme auf 12 bis 17 erläutert, um diese Verschlechterungsförderungsmuster einzeln auf die Verschlechterungserfassungsverdrahtungsplatte aufzubringen, sowie in der Lage zu sein, durch Kombinieren von zwei oder mehr davon entsprechend anzuwenden. Zum Beispiel kann es auf die Verschlechterungserfassungsverdrahtungsplatte angewendet werden, indem ein oder zwei oder alternativ alle (drei) des vierten bis sechsten Musters der 15 bis 17 mit dem zweiten Muster von 13 oder dem dritten Muster von 14 kombiniert werden. Eine Kombination des ersten Musters von 12 und des zweiten Musters von 13 und eine Kombination des zweiten Musters von 13 und des dritten Musters von 14 sind jedoch aufgrund eines auftretenden Konflikts nicht möglich.
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18 ist ein Diagramm, das die Eigenschaften der Lebensdauer einer Leiterplatte zeigt. Im Detail ist es eine Ansicht, die konzeptionell einen Aspekt der Lebensdauererweiterung der Leiterplatte gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt, wobei die horizontale Achse die Nutzungsdauer (Zeit) darstellt und die vertikale Achse das Ausmaß der Verschlechterung darstellt. Zusätzlich repräsentiert die gekrümmte Linie, die durch die durchgezogene Linie dargestellt ist, die Verschlechterungsausdehnung der Verschlechterungserfassungsverdrahtungsplatte 20 (Verschlechterungserfassungsverdrahtungsmuster 25 davon), die gekrümmte Linie, die durch die gestrichelte Linie dargestellt ist, repräsentiert die Verschlechterungsausdehnung der Leiterplatte, in dem Fall wenn keine spezielle Wartung durchgeführt wird, und die gebogene Linie, die durch die strichpunktierte Linie dargestellt ist, repräsentiert die Verschlechterungsausdehnung der Leiterplatte, im Falle der Durchführung einer Wartung gemäß einer Verschlechterung, die von der Leiterplatte der vorliegenden Erfindung angenommen wird. Obwohl die Verschlechterung der Hauptleiterplatte 10 fortschreitet, wie durch die strichpunktierte Linie gemäß der Alterungsverschlechterung gezeigt ist, schreitet die Verschlechterung der Verschlechterungserfassungsverdrahtungsplatte 20 wie in der gekrümmten Linie fort, die durch die durchgezogene Linie im Voraus darauf gezeigt ist. Die Verschlechterung der Verschlechterungserfassungsverdrahtungsplatte 20 schreitet zuerst voran, und wenn sie zu einem Defekt kommt, wie etwa eine Verdrahtungsunterbrechung, die in dem Verschlechterungserfassungsverdrahtungsmuster 25 davon auftritt (Zeitpunkt t1, bei dem zuerst eine „Verdrahtungsunterbrechung“ in der Darstellung auftritt), wird angenommen, dass die Verschlechterung der Hauptleiterplatte 10 in einem Umfang fortgeschritten ist, der eine Wartung erfordert. Zu diesem Zeitpunkt wird eine Auffrischung, wie z. B. das Durchführen einer Reinigung auf der Hauptleiterplatte 10 durchgeführt, sowie die Durchführung einer Wartung, wie das Ersetzen der Verschlechterungserfassungsverdrahtungsplatte 20, in der ein Fehler aufgetreten ist, mit einer Neuen. In der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist ein Austausch der Verschlechterungserfassungsverdrahtungsplatte 20 sehr einfach, wie in den 2, 3 und 4 veranschaulicht ist.
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In einem herkömmlichen Fall, bei dem die vorgenannte Wartung nicht durchgeführt wird, schreitet die Verschlechterung der Hauptleiterplatte 10 wie in der gekrümmten Linie der gestrichelten Linie fort, und die Lebensdauer wird zum Zeitpunkt ts abgebaut, wenn eine Verdrahtungsunterbrechung erreicht wird, die in der Schaltung auftritt. Im Gegensatz dazu wird im Fall der vorliegenden Erfindung, da es möglich ist, die oben erwähnte Wartung zum Zeitpunkt t1 durchzuführen, die Hauptleiterplatte 10 einmal aufgefrischt, und der Fortschritt der Verschlechterung wird drastisch unterdrückt, wie durch die strichpunktierte Linie gezeigt ist. Andererseits schreitet bei der Wartung zum Zeitpunkt t1 die Verschlechterung der Verschlechterungserfassungsverdrahtungsplatte 20, die neu ersetzt wird, ähnlich wie die Zeitperiode von dem Berechnungsstartpunkt bis zum Erreichen der Zeit t1 fort. Wenn die gleiche Zeitdauer wie die oben genannte Zeitspanne weiter verstreicht und die Zeit t2 erreicht wird, gelangt sie zu dem oben erwähnten Defekt, wie zum Beispiel eine Verdrahtungsunterbrechung, die in dem Verschlechterungserfassungsverdrahtungsmuster 25 der Verschlechterungserfassungsverdrahtungsplatte 20 auftritt. Zu diesem Zeitpunkt t2 wird eine Wartung, die der Zeit t1 ähnlich ist, durchgeführt. Mit anderen Worten, die Hauptleiterplatte 10 wird durch Reinigen aufgefrischt, und die Verschlechterungserfassungsverdrahtungsplatte 20 wird ersetzt. Die Verschlechterung der Hauptleiterplatte 10 ergibt dabei eine Unterdrückungstendenz.
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Die Zeitperiode vom Berechnungsstartpunkt bis zum Erreichen der Zeit t1 und wenn die Verschlechterung ähnlich wie die Zeitspanne bis zum Erreichen der Zeit t2 fortschreitet und die Zeit t3 erreicht, wird bestimmt, dass die Lebensdauer der Leiterplatte 10 zuerst hierbei erschöpft ist. Mit anderen Worten, im Fall des vorliegenden Beispiels wird die Verschlechterungserfassungsverdrahtungsplatte 20 sukzessive in Reaktion auf eine Alterungsverschlechterung ersetzt, und es wird bestimmt, dass die Nutzungsdauer der Hauptleiterplatte 10 zum Zeitpunkt t3 beendet ist, bei dem ein Defekt, wie etwa eine Verdrahtungsunterbrechung, in der Verschlechterungserfassungsverdrahtungsplatte 20 für die dritte Platte auftritt. Als Ergebnis davon wird gemäß der vorliegenden Erfindung die effektive Nutzlebensdauer der Hauptleiterplatte 10 gegenüber dem herkömmlichen Fall (ts) drastisch verlängert, und es ist möglich, eine Leiterplatte zu realisieren, welche die Kosten senken kann.
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Die betrieblichen Effekte der Leiterplatte als eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, die oben durch Bezugnahme auf die Zeichnungen erläutert wurde, werden als nächstes zusammengefasst.
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(1) Die Leiterplatte 1, als eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, weist die Hauptleiterplatte (10), in der ein Verdrahtungsmuster auf dem isolierten Substrat 11 ausgebildet ist, und die Verschlechterungserfassungsverdrahtungsplatte 20 auf, in der eine Verschlechterungserfassungsverdrahtung 25 ausgebildet ist, die eine Verdrahtung mit einer Form ist, in der eine Verschlechterung im Vergleich zu dem Verdrahtungsmuster gefördert wird, dass auf einem separaten isolierten Substrat 21 von der Hauptleiterplatte 10 ausgebildet ist, und ist austauschbar mit der Hauptleiterplatte 10 in der Nähe davon mittels eines austauschermöglichenden Verbindungsteils 30 verbunden.
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In der Leiterplatte 1 des obigen (1) werden Ausfälle wie Verdrahtungsunterbrechung und Isolationsfehler, die in der Hauptleiterplatte 10 auftreten, in Übereinstimmung mit Fehlern wie etwa dem Verdrahtungsunterbrechungs- und Isolationsfehler, die in der Verschlechterungserfassungsverdrahtungsplatte 20 auftreten, angenommen, da der Fortschritt der Verschlechterung schneller als die der Hauptleiterplatte 10 ist. Durch Ausführen eines Auffrischungsprozesses, wie beispielsweise Reinigen auf der Hauptleiterplatte 10, sowie das Durchführen der geeigneten Wartung, wie zum Beispiel das Ersetzen der Verschlechterungserfassungsverdrahtungsplatte 20 gemäß dieser Vermutung ist es möglich, die Verschlechterung davon zu verringern.
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(2) In einem Modus der oben erwähnten Leiterplatte 1 ist das austauschermöglichende Verbindungsteil 30 ein mittels Lötmittel ausgestaltetes Verbindungsteil.
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In der Leiterplatte 1 des obigen (2) ist es, da das austauschermöglichende Verbindungsteil 30 die Lötverbindung 31 ist, die aus Lötmittel besteht, sehr einfach möglich, die Verschlechterungserfassungsverdrahtungsplatte 20 zu ersetzen.
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(3) In einem Modus der oben erwähnten Leiterplatte 1 ist das austauschermöglichende Verbindungsteil 30 ein mittels eines elektrisch leitfähigen Klebstoffes ausgestaltetes Verbindungsteil 32.
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In der Leiterplatte 1 des obigen (3) ist es, da das austauschermöglichende Verbindungsteil 30 das leitfähige Klebeverbindungsteil 32 ist, das aus einem leitfähigen Klebstoff besteht, sehr leicht möglich, die Verschlechterungserfassungsverdrahtungsplatte 20 zu ersetzen.
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(4) In einem Modus der oben erwähnten Leiterplatte 1 ist das austauschermöglichende Verbindungsteil 30 ein mittels eines Kabels 33 ausgestalteter Verbindungsteil.
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In der Leiterplatte 1 des obigen (4) ist es, da das austauschermöglichende Verbindungsteil 30 das Kabel 33 ist, sehr leicht möglich, die Verschlechterungserfassungsverdrahtungsplatte 20 zu ersetzen.
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(5) In einem Modus der oben erwähnten Leiterplatte 1 ist das austauschermöglichende Verbindungsteil 30 ein mittels Stecker ausgestalteter Verbindungsteil.
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In der Leiterplatte 1 des obigen (5) ist es, da das austauschermöglichende Verbindungsteil 30 mittels des Verriegelungsbauteils wie einem Steckverbinder ausgestaltet ist, insbesondere sehr leicht möglich, die Verschlechterungserfassungsverdrahtungsplatte 20 zu ersetzen. Zusammenfassend ist es möglich, nur die Verschlechterungserfassungsverdrahtungsplatte 20 in der Leiterplatte 1 der vorliegenden Erfindung leicht zu ersetzen, und es ist möglich, die Leiterplatte 1 zu realisieren, welche die Kosten senken kann.
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Es ist anzumerken, dass die vorliegende Erfindung nicht auf die vorgenannten Ausführungsformen beschränkt ist und dass sie durch verschiedene Modifikationen und Änderungen implementiert werden kann. Zum Beispiel ist, obwohl ein Beispiel gegeben ist, bei dem die Verschlechterungserfassungsverdrahtungsplatte an einer proximalen Position benachbart zu der Hauptleiterplatte durch das austauschermöglichende Verbindungsteil angeordnet ist, die Anordnung der Verschlechterungserfassungsverdrahtungsplatte nicht darauf beschränkt. Mit anderen Worten, sie kann an einer Stelle installiert werden, an der die Verschlechterungswirkung auf das Verdrahtungsmuster ausgeübt wird, wie beispielsweise das Gehäuse der Hauptleiterplatte oder das Gebläse 15 (11A).
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Zusätzlich kann bei den vorgenannten Ausführungsformen der 5, 6, 7, 8 und 9, obwohl das Verschlechterungserfassungsverdrahtungsmuster 25 an einer Hauptfläche auf der gegenüberliegenden Stirnseite der Leiterplatte 1 der Verschlechterungserfassungsverdrahtungsplatte 20 vorgesehen ist, dies an der Hauptfläche vorgesehen sein auf der gegenüberliegenden Seite der oben erwähnten gegenüberliegenden Stirnseite der Leiterplatte 1 und kann ferner so ausgestaltet sein, dass sie auf beiden Hauptflächen vorgesehen sind.
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In dem Fall, in dem das Verschlechterungserfassungsverdrahtungsmuster 25 an der Hauptfläche auf einer Seite vorgesehen ist, die nicht der Leiterplatte 1 gegenüberliegt, kann sie so ausgestaltet sein, dass sie eine Durchkontaktierung durchführt und die Verbindung zwischen der Verschlechterungserfassung vereinfacht das Verdrahtungsmuster 25 der Verschlechterungserfassungsverdrahtungsplatte 20 und dem Leiter auf der Leiterplatte 1, so dass eine Verkleinerung erreicht werden kann. Zusätzlich sind Modifikationen und Verbesserungen innerhalb eines Bereichs, der die Aufgaben der vorliegenden Erfindung erreichen kann, ebenfalls von der vorliegenden Erfindung umfasst.
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Bezugszeichenliste
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- 1
- Leiterplatte
- 10
- Hauptleiterplatte
- 11
- isoliertes Substrat
- 20
- Verschlechterungserfassungsverdrahtungsplatte
- 30
- austauschermöglichendes Verbindungsteil
- 31
- Lötverbindung
- 32
- elektrisch leitfähiges Klebeverbindungsteil
- 33
- Kabel
